電気光学装置
【課題】電気光学装置１０における可撓性基板９０と複数個の外部回路接続端子との間の抵抗を均一にする。
【解決手段】 電気光学装置１０は、電気光学物質を間に挟んで対向した素子基板１１および対向基板１２を有する。素子基板１１には電気光学物質を駆動する回路が形成されている。素子基板１１は、各層間に絶縁層を挟んだ複数層の配線層ＷＲＬ２およびＷＲＬ１を有する。また、記素子基板１１は、同じ高さに位置する複数のＩＴＯパッド３−ｉを有する。複数のＩＴＯパッド３−ｉの各々の下部には、絶縁層を挟んで配線層ＷＲＬ２およびＷＲＬ１をのうちのいずれかの層の配線層が配置されるとともに、絶縁層を貫通して当該ＩＴＯパッドを当該配線層ＷＲＬ２またはＷＲＬ１に電気的に接続する複数のコンタクトホールＣＨＬ２またはＣＨＬ１が形成されている。
【解決手段】 電気光学装置１０は、電気光学物質を間に挟んで対向した素子基板１１および対向基板１２を有する。素子基板１１には電気光学物質を駆動する回路が形成されている。素子基板１１は、各層間に絶縁層を挟んだ複数層の配線層ＷＲＬ２およびＷＲＬ１を有する。また、記素子基板１１は、同じ高さに位置する複数のＩＴＯパッド３−ｉを有する。複数のＩＴＯパッド３−ｉの各々の下部には、絶縁層を挟んで配線層ＷＲＬ２およびＷＲＬ１をのうちのいずれかの層の配線層が配置されるとともに、絶縁層を貫通して当該ＩＴＯパッドを当該配線層ＷＲＬ２またはＷＲＬ１に電気的に接続する複数のコンタクトホールＣＨＬ２またはＣＨＬ１が形成されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プロジェクターや携帯電話機などに搭載される液晶ディスプレイ装置等として好適な電気光学装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置では、液晶パネルにおける液晶層を挟む２枚の基板のうち一方の基板である素子基板の液晶層側の面の端部に、横一列をなす複数個の外部回路接続端子が設けられている。外部回路接続端子の各々は、液晶層のある側と反対側に向かって凹んだ凹部にこの凹部に沿った凹状をなすＩＴＯ（Indium Tin Oxide）パッドを嵌め込んだものである。素子基板内には、ＩＴＯパッドの底面から素子基板上の回路素子に至る配線が埋設されている。また、この種の電気光学装置における２枚の基板を制御する駆動回路は、液晶パネル駆動ＩＣとして液晶パネルから分離されて可撓性基板上に載置され、この液晶パネル駆動ＩＣと可撓性基板とによりＣＯＦ（Chip On Film）モジュールが形成される。このＣＯＦモジュールは、可撓性基板の先端部を液晶パネルにおける各外部回路接続端子にＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）材を介して熱圧着させることにより、液晶パネルと一体化される。このような電気光学装置は、例えば、特許文献１に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−３５４９６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
この種の電気光学装置のうち多層配線を介して素子基板上の各ＩＴＯパッドと素子基板上の回路各部との接続を行う構成のものでは、例えば配線の混雑緩和等の理由により、複数の外部回路接続端子間で、各ＩＴＯパッドに接続する配線層の層を異ならせる場合がある。この場合、各ＩＴＯパッドの高さが複数の外部回路接続端子間で異なったものとなる。このため、可撓性基板と素子基板におるＩＴＯパッドとをＡＣＦ材を間に挟んで熱圧着すると、可撓性基板とＩＴＯパッドの各々との間のＡＣＦ内における導電粒子の密度にばらつきが生じ、可撓性基板及び各ＩＴＯパッド間の抵抗が不均一になるという問題があった。
【０００５】
本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、電気光学装置における可撓性基板と各外部回路接続端子との間の抵抗を均一にする技術的手段を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、この発明は、電気光学物質を間に挟んで対向した素子基板および対向基板を有し、前記電気光学物質を駆動する回路が前記素子基板に形成された電気光学装置において、前記素子基板は、各層間に絶縁層を挟み、前記回路の各箇所に接続された複数層の配線層を有し、前記素子基板は、複数のＩＴＯで構成された電極パッドを有し、前記複数の電極パッドの各々の下部には、絶縁層を挟んで前記複数層の配線層のうちのいずれかの層の配線層が配置されるとともに、前記絶縁層を貫通して当該電極パッドを当該配線層に電気的に接続する複数のコンタクトホールが形成され、前記複数の電極パッドの前記対向基板と対向する面が同じ高さに位置していることを特徴とする電気光学装置を提供する。
【０００７】
この発明によれば、素子基板における複数のＩＴＯパッドが同じ高さに位置しているので、可撓性基板とＩＴＯパッドとをＡＦＣ材を間に挟んで熱圧着した場合において、可撓性基板と各ＩＴＯパッドとの接触抵抗を均一にすることができる。
【０００８】
好ましい態様において、前記各電極パッドは、可撓性基板が、導電性粒子を樹脂内に均一配合してなる膜である異方性導電膜を介して熱圧着され、前記コンタクトホールの直径が前記導電性粒子の直径よりも小さくなっている。この態様によれば、異方性導電膜の導通性粒子がコンタクトホール内に入り込むことはない。よって、導通性粒子がコンタクトホールからその奥の配線に達して配線の接続先の回路素子に誤動作を発生させる、という不具合が防止される。
【０００９】
また、他の好ましい態様において、前記素子基板の前記対向基板との対向面には、前記対向基板と電気的に接続されるべき配線層を絶縁層から露出させる凹部と、この凹部の内表面を覆うＩＴＯで構成された電極パッドとが形成されており、この電極パッドと前記対向基板との間に基板間導通部材が介在している。この態様によると、２枚の基板を接合する際に一方の基板を他方の基板に押しつける力を強くし過ぎて導通不良が発生する、という事態が防止される。
【００１０】
前記素子基板における前記各コンタクトホールを覆う複数個の電極パッドが同じ製造プロセスにおいて形成されてもよい。この態様によると、コンタクトホール及び凹部を別の製造プロセスにより形成する場合よりも、製造コストを抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施形態である電気光学装置の斜視図である。
【図２】同電気光学装置の正面図及び左側面図である。
【図３】同電気光学装置におけるＩＴＯパッドとその周辺部分の拡大図及び断面図である。
【図４】同電気光学装置におけるＩＴＯパッドとその周辺部分の拡大図及び断面図である。
【図５】同電気光学装置におけるＩＴＯパッドとその周辺部分の断面図である。
【図６】同電気光学装置の効果を説明するための図である。
【図７】同電気光学装置の効果を説明するための図である。
【図８】同電気光学装置の効果を説明するための図である。
【図９】同電気光学装置の製造工程を説明するための図である。
【図１０】同電気光学装置の製造工程を説明するための図である。
【図１１】同電気光学装置を適用したパーソナルコンピューターを示す図である。
【図１２】同電気光学装置を適用した携帯電話機を示す図である。
【図１３】同電気光学装置を適用した情報携帯端末を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
（Ａ：構成）
以下、本発明の一実施形態である電気光学装置１０について説明する。図１は、電気光学装置１０の斜視図である。図２（Ａ）は、電気光学装置１０の正面図である。図２（Ｂ）は、電気光学装置１０の左側面図である。電気光学装置１０は、液晶層ＬＱＤ（不図示）と、この液晶層ＬＱＤを挟んで対向する２枚の基板である素子基板１１及び対向基板１２とを有する。素子基板１１は、薄い直方体状をなしている。対向基板１２は、素子基板１１よりも一回り小さい縦幅及び横幅をもった薄い直方体状をなしている。液晶層ＬＱＤは、電気光学物質である一又は複数のネマティック液晶の混合物により形成されている。素子基板１１と対向基板１２はシール部材１３により接合されている。シール部材１３は、対向基板１２の基板周辺に沿って形成されるが、液晶を封入するために一部が開口している。このため、液晶の封入後にその開口部分が封止材５１によって封止されている。
【００１３】
素子基板１１における対向基板１２との対向面１１０上には、Ｍ列Ｎ行のマトリクスをなす画素電極Ｐ−ｍ（ｍ＝１〜Ｍ）−ｎ（ｎ＝１〜Ｎ）及びこれらをスイッチングする素子であるＴＦＴ１１１−ｍ（ｍ＝１〜Ｍ）−ｎ（ｎ＝１〜Ｎ）、ＴＦＴ１１１−ｍ（ｍ＝１〜Ｍ）−ｎ（ｎ＝１〜Ｎ）を挟んで横幅方向に向い合う走査線駆動回路１４Ｌ及び１４Ｒなどの各種回路素子が設けられている。対向基板１２における素子基板１１との対向面１２０上には、画素電極Ｐ−ｍ（ｍ＝１〜Ｍ）−ｎ（ｎ＝１〜Ｎ）と対峙する対向電極Ｐ’（不図示）が設けられている。素子基板１１の対向面１１０上における縦幅方向に隣り合うＴＦＴ１１１−ｍ−ｎ間には、横幅方向に延在する複数の走査線１１２−ｍが設けられている。各走査線１１２−ｍの一端は走査線駆動回路１４Ｌに接続されている。各走査線１１２−ｍの他端は走査線駆動回路１４Ｒに接続されている。また、各走査線１１２−ｍは各ＴＦＴ１１１−ｍ−ｎのゲート電極と接続されている。
【００１４】
素子基板１１における対向基板１２との対向面１１０の一辺をなす端部には、可撓性基板９０と当該電気光学装置１０とを接続する外部回路接続端子としての役割を果たすＬ個のＩＴＯで構成されたＩＴＯパッド３−ｉ（ｉ＝１〜Ｌ、電極パッド）が対向面１１０の一辺に沿った方向に並べて配設されている。これらのＩＴＯパッド３−ｉ（ｉ＝１〜Ｌ）の対向基板１２と対向する面３−ｉ−１には、可撓性基板９０の先端部がＡＣＦ（具体的には、ある程度の軟性を有する樹脂内に導電性粒子を均一配合してなる膜）材９１により熱圧着される。素子基板１１の対向面１１０における四隅に相当する位置には４つのＩＴＯパッド４−ｋ（ｋ＝１〜４）が配設されている。これらのＩＴＯパッド４−ｋ（ｋ＝１〜４）の各々と対向基板１２との間には、両基板１１及び１２を導通する役割を果たす部材である基板間導通部材９３−ｋが介挿されている。基板間導通部材９３−ｋは、ＡＣＦ材９１のものよりも高い硬性を有する球状樹脂に金をコーティングしたものである。
【００１５】
ここで、本実施形態の特徴は、素子基板１１の構造にある。以下では、この素子基板１１の構造について詳細に説明する。図３（Ａ）は、図２（Ａ）におけるＩＴＯパッド３−１とその周辺部分の拡大図である。図３（Ｂ）は、図２（Ａ）におけるＩＴＯパッド３−１とその周辺部分のＡ−Ａ’線断面図である。図４（Ａ）は、図２（Ａ）におけるＩＴＯパッド３−２とその周辺部分の拡大図である。図４（Ｂ）は、図２（Ａ）におけるＩＴＯパッド３−２とその周辺部分のＢ−Ｂ’線断面図である。図５は、図２（Ａ）におけるＩＴＯパッド４−１とその周辺部分のＣ−Ｃ’線断面図である。
【００１６】
これらの図に示すように、素子基板１１は、ガラス基板Ｇの上に、絶縁層Ｌ１、絶縁層Ｌ２を順次積層させた積層体である。素子基板１１において、素子基板１１におけるＬ個のＩＴＯパッド３−ｉ（ｉ＝１〜Ｌ）は、ガラス基板Ｇ上の配線層ＷＲＬ１と、絶縁層Ｌ２上の配線層ＷＲＬ２とからなる多層配線を介して素子基板１１内の回路各部と接続される。ここで、配線層ＷＲＬ２の各配線には、例えば基板間導通部材９３−ｋに接続されている配線や走査線駆動回路１４Ｌ及び１４Ｒに接続されている配線が含まれている。また、配線層ＷＲＬ１の各配線にはＴＦＴ１１１−ｍ−ｎのソース電極に至る配線等が含まれている。そして、Ｌ個のＩＴＯパッド３−ｉ（ｉ＝１〜Ｌ）には、絶縁層Ｌ２上の配線層ＷＲＬ２を介して素子基板１１内の回路に接続されるもの（例えば、図３（Ａ）および（Ｂ）に示すＩＴＯパッド３−１）と、ガラス基板Ｇ上の配線層ＷＲＬ１を介して素子基板１１内の回路に接続されるもの（例えば、図４（Ａ）および（Ｂ）に示すＩＴＯパッド３−２）とが混在している。
【００１７】
図３（Ｂ）に示すように、配線層ＷＲＬ２と対向しているＩＴＯパッド３−１は、厚さＨ１を有する皿状部ＰＬＴＬ２を有している。この皿状部ＰＬＴＬ２の下部には、絶縁層Ｌ２を貫通して配線層ＷＲＬ２に至るコンタクトホールＣＨＬ２が形成されている。そして、皿状部ＰＬＴＬ２には、ＩＴＯ材料からなり、コンタクトホールＣＨＬ２内を通って配線層ＷＲＬ２に達する脚部ＬＧＬ２が?がっている。また、図４（Ｂ）に示すように、配線層ＷＲＬ１と対向しているＩＴＯパッド３−２は、厚さＨ１を有する皿状部ＰＬＴＬ１を有している。この皿状部ＰＬＴＬ１の下部には、絶縁層Ｌ２およびＬ１を貫通して配線層ＷＲＬ１に至るコンタクトホールＣＨＬ１が形成されている。そして、皿状部ＰＬＴＬ１には、ＩＴＯ材料からなり、コンタクトホールＣＨＬ１内を通って配線層ＷＲＬ１に達する脚部ＬＧＬ１が?がっている。ここで、コンタクトホールＣＨＬ２およびＣＨＬ１は図３（Ａ）および図４（Ａ）に示すように正方形をなすＩＴＯパッド３−ｉの４辺に沿って複数個並べて穿設されている。また、各コンタクトホールＣＨＬ２及びＣＨＬ１の直径φ１は、ＡＣＦ材９１内における導電性粒子の直径φ２よりも小さくなっている。
【００１８】
上述したように、可撓性基板９０の先端部とＩＴＯパッド３−ｉ（ｉ＝１〜Ｌ）とを熱圧着する素材であるＡＣＦ材９１は、導電性粒子を均一配合してなる薄い樹脂からなる。このＡＣＦ材９１により可撓性基板９０とＩＴＯパッド３−ｉ（ｉ＝１〜Ｌ）とを熱圧着した状態において、可撓性基板９０と各ＩＴＯパッド３−ｉとの間のＡＣＦ材９１は熱により溶解し、ＡＣＦ材９１内の導電性粒子の密度が密になる。これにより、可撓性基板９０と各ＩＴＯパッド３−ｉとが導通する。この導通状態における可撓性基板９０及び各ＩＴＯパッド３−ｉ間の抵抗は、ＡＣＦ材９１内における導電性粒子の密度に依存する。
【００１９】
図５に示すように、素子基板１１の対向面１１０における四隅に相当する位置には、絶縁層Ｌ２内の配線層ＷＲＬ２を露出させる凹部ＤＰ−ｋが形成されており、この凹部ＤＰ−ｋの内表面がＩＴＯパッド４−ｋにより覆われている。このＩＴＯパッド４−ｋは、凹部ＤＰ−ｋに沿って凹んだ凹状をなしている。ＩＴＯパッド４−ｋにおける対向基板１２の側に開口した部分の上縁は僅かな厚みだけ対向面１１０から対向基板１２側に食み出しており、この食み出した部分の外周は外側に僅かに拡がっている。また、ＩＴＯパッド４−ｋの底面はそのほぼ全面に亙って絶縁層Ｌ２の配線層ＷＲＬ２と接触している。基板間導通部材９３−ｋはこのＩＴＯパッド４−ｋにおける凹んだ部分に収められている。
【００２０】
この電気光学装置１０において、可撓性基板９０上に搭載されている液晶パネル駆動ＩＣ（不図示）からＩＴＯパッド３−ｉに共通電位ＣＬＬ（グランド）が供給されると、この電位ＣＬＬが、絶縁層Ｌ２内の配線層ＷＲＬ２、ＩＴＯパッド４−ｋ（ｋ＝１〜４）、及び基板間導通部材９３−ｋ（ｋ＝１〜４）を介して対向基板１２に印加され、対向基板１２における対向電極Ｐ’の電位がＣＬＬになる。この状態において、液晶パネル駆動ＩＣは、ＩＴＯパッド３−ｉに走査線駆動回路１４Ｌ及び１４Ｒの駆動信号であるタイミング信号ＣＬを供給するとともに、ＩＴＯパッド３−ｉに各画素の濃度を示す画像信号ＶＩＤを供給する。タイミング信号ＣＬは絶縁層Ｌ２内の配線層ＷＲＬ２を介して走査線駆動回路１４Ｌ及び１４Ｒに供給され、同回路１４Ｌ及び１４Ｒがこの信号ＣＬに従って走査線１１２−ｍ（ｍ＝１〜Ｍ）を順次アクティブレベルにする操作を繰り返す。また、画像信号ＶＩＤは絶縁層Ｌ１の配線層ＷＲＬ１を介してＴＦＴ１１１−ｍ−ｎのソース電極に供給され、ＴＦＴ１１１−ｍ−ｎがこの信号ＶＩＤに従って画素電極Ｐ−ｍ−ｎを駆動させる操作を繰り返す。この画素電極Ｐ−ｍ−ｎの駆動により、各画素電極Ｐ−ｍ−ｎと対向電極Ｐ’との電位差が変化し、この電位差に応じて画素（各画素電極Ｐ−ｍ−ｎと対向電極Ｐ’に挟まれた液晶）の透過光量が変化する。これにより、Ｍ×Ｎ画素の解像度の画像が当該電気光学装置１０の正面に向けて照射される。
【００２１】
以上が、本実施形態である電気光学装置１０の構成の詳細である。以上説明した本実施形態によると、次の４つの効果が得られる。
第１に、本実施形態では、ＩＴＯパッド３−ｉの対向基板１２と対向する側の面３−ｉ−１は、配線層ＷＲＬ１に接続されたもの（面３−２−１）も配線層ＷＲＬ２（面３−１−１）に接続されたものも同じ高さに位置する。このため、可撓性基板９０とＩＴＯパッド３−ｉ（ｉ＝１〜Ｌ）の表面３−ｉ−１とをＡＣＦ材９１により熱圧着した場合における可撓性基板９０及びＩＴＯパッド３−ｉ（ｉ＝１〜Ｌ）間の導電性粒子の密度のばらつきが少なくなり、可撓性基板９０及びＩＴＯパッド３−ｉ（ｉ＝１〜Ｌ）間の抵抗を均一にすることができる。
【００２２】
第２に、本実施形態では、素子基板１１のコンタクトホールＣＨＬ１、ＣＨＬ２の直径φ１がＡＣＦ材９１の導電性粒子の直径φ２よりも小さくなっている。このため、ＩＴＯパッド３−ｉに塞がれておらず対向面１１０の側に露出しているコンタクトホールＣＨＬ１、ＣＨＬ２があった場合でも、ＡＣＦ材９１の導電性粒子がそのコンタクトホールＣＨＬ１、ＣＨＬ２内に入り込むことはない。よって、導電性粒子がコンタクトホールＣＨＬ１、ＣＨＬ２からその奥の配線層ＷＲＬ１，ＷＲＬ２に到達して配線層ＷＲＬ１，ＷＲＬ２の接続先の回路素子に誤動作を発生させる、という不具合が防止される。
【００２３】
第３に、本実施形態では、素子基板１１の対向面１１０における液晶層ＬＱＤを包囲する位置に、絶縁層Ｌ２内の配線層ＷＲＬ２を露出させる凹部ＤＰ−ｋとこの凹部ＤＰ−ｋに嵌め込まれたＩＴＯパッド４−ｋとが形成されており、素子基板１１における凹部ＤＰ−ｋ及びＩＴＯパッド４−ｋと対向基板１２との間に基板間導通部材９３−ｋが介挿されている。すなわち、本実施形態では、基板間導通部材９３−ｋを保持する部分の構造を従来の電気光学装置のものと同じにしている。本実施形態では、ＩＴＯパッド４−ｋをこのような構造にすることにより、基板１１及び１２をシール部材１３により接合する際に基板１２を基板１１側に強く押しつけ過ぎて導通不良になる、という事態の発生を防止することができる。
【００２４】
この効果について、詳細に説明する。上述したように、ＡＣＦはある程度の軟性をもったファイバーを金コーティングしたものを導電材として用いる。このため、可撓性基板９０及びＩＴＯパッド３−ｉの熱圧着時における可撓性基板９０をＩＴＯパッド３−ｉ側に押しつける力Ｆは両者間のＡＣＦ材９１の横方向への伸長によってある程度吸収される（図６の概念図参照）。これに対し、基板間導通部材９３−ｋはＡＣＦ材９１のものよりも高い硬性を持ったファイバーを金コーティングしたものを導電材として用いる。このため、電気光学装置１０におけるＩＴＯパッド４−ｋをＩＴＯパッド３−ｉと同じ形状を有するＩＴＯパッド４’−ｋにすると、対向基板１２を素子基板１１の側に押しつける力Ｆが強すぎた場合に両基板１２及び１１間に挟まれた基板間導通部材９３−ｋが素子基板１１のＩＴＯパッド４’−ｋを突き破り、その奥の絶縁層Ｌ２に達してしまう（図７の概念図参照）。絶縁層Ｌ２のインピーダンスはＩＴＯよりも十分に高いため、この場合、素子基板１１における配線層ＷＲＬ２及び対向基板１２間における導通不良が発生する。
【００２５】
ここで、本実施形態のように、ＩＴＯパッド４−ｋの構造を従来のものと同じにしたとしても、基板間導通部材９３−ｋがＩＴＯパッド４−ｋを突き破ることは同様に起こり得る。しかし、本実施形態では、ＩＴＯパッド４−ｋの底面が配線層ＷＲＬ２と接しているため、ＩＴＯパッド４−ｋを突き破った基板基板間導通部材９３−ｋは配線層ＷＲＬ２と直接接触することになる（図８の概念図参照）。よって、素子基板１１における配線層ＷＲＬ２と対向基板１２との間の導通が悪化することはない。以上の理由から、本実施形態によると、基板１１及び１２を接合する際に基板１２を基板１１側に強く押しつけ過ぎて導通不良になる、という事態の発生を防止することができる。
【００２６】
第４に、本実施形態では、全てのＩＴＯパッド３−ｉを同一製造工程において形成するため、ＩＴＯパッド３−ｉの膜厚を均一にすることができ、ＡＣＦとＩＴＯパッド３−ｉとの接触抵抗のみならず、ＩＴＯパッド３−ｉ自体の抵抗を均一にすることができる。また、工程数が減るため、製造コストを低減することができる。以下、従来の電気光学装置の製造方法と本実施形態による電気光学装置の製造方法を対比しつつ、この効果について詳述する。
【００２７】
図９は従来の電気光学装置の製造方法を示す図である。従来の電気光学装置の製造方法では、まず、ガラス基板Ｇの上に配線層ＷＲＬ１を形成し、次いで本実施形態におけるＩＴＯパッド３−２等に相当するＩＴＯパッド３−２’を配線層ＷＲＬ１の上に形成する（図９（ａ）参照）。次いで絶縁膜Ｌ１１を積層する（図９（ｂ）参照）。そして、絶縁層Ｌ１１の上に配線層ＷＲＬ２を形成し、次いで本実施形態におけるＩＴＯパッド３−１等に相当するＩＴＯパッド３−１’を配線層ＷＲＬ２の上に形成する（図９（ｃ）参照）。次いで絶縁膜Ｌ１２を積層する（図９（ｄ）参照）。そして、ＩＴＯパッド３−１’および３−２’の表面を露出させる凹部ＣＨａおよびＣＨｂを設ける（図９（ｅ）参照）。そして、このようにＩＴＯパッド３−１’および３−２’の表面を露出させた状態において、ＡＣＦを利用した可撓性基板とＩＴＯパッド３−１’および３−２’との接着を行うのである。
【００２８】
このように従来の電気光学装置の製造方法では、本実施形態におけるＩＴＯパッド３−１に相当するＩＴＯパッド３−１’と、ＩＴＯパッド３−２に相当するＩＴＯパッド３−２’を異なる製造工程において形成するため、ＩＴＯパッド３−１’の膜厚Ｈａと、ＩＴＯパッド３−２’の膜厚Ｈｂが異なったものになるという問題があった。
【００２９】
これに対し、本実施形態では、全てのＩＴＯパッド３−１、３−２…を同一の製造工程において形成するため、この問題は生じない。
【００３０】
図１０は、本実施形態による電気光学装置の製造方法を示すものである。本実施形態による電気光学装置の製造方法では、まず、ガラス基板Ｇの上に配線層ＷＲＬ１を形成し（図１０（ａ）参照）、その上に絶縁層Ｌ１を積層する（図１０（ｂ）参照）。次いで絶縁層Ｌ１の上に配線層ＷＲＬ２を形成し（図１０（ｃ）参照）、その上に絶縁層Ｌ２を積層する（図１０（ｄ）参照）。次いで絶縁層Ｌ２を貫通して配線層ＷＲＬ２に至るコンタクトホールＣＨＬ２と、絶縁層Ｌ２およびＬ１を貫通して配線層ＷＲＬ１に至るコンタクトホールＣＨＬ１および上述した凹部ＤＰ−ｋ（図示略）を形成する（図１０（ｅ）参照）。そして、配線層ＷＲＬ１と対向するＩＴＯパッド３−１等および配線層ＷＲＬ２と対向するＩＴＯパッド３−２等を形成する。
【００３１】
以上のように、本実施形態では、配線層ＷＲＬ１と対向するＩＴＯパッド３−１等および配線層ＷＲＬ２と対向するＩＴＯパッド３−２等が同一製造工程において形成される。従って、ＩＴＯパッド３−１等の膜厚Ｈ１とＩＴＯパッド３−２等の膜厚Ｈ２を同じにすることができる。
【００３２】
（Ｂ：変形）
以上、本発明の実施形態について説明したが、この実施形態に以下に述べる変形を加えても勿論良い。
（１）上記実施形態における電気光学装置１０は、２層の絶縁層Ｌ２及びＬ１をガラス基板Ｇ上に積層したものであった。しかし、電気光学装置１０における絶縁層の積層数を３層以上にしてもよい。
【００３３】
（２）上記実施形態における電気光学装置１０では、素子基板１１の対向面１１０における基板間導通端子９３−ｋと走査線駆動回路１４Ｌ及び１４Ｒが絶縁層Ｌ２内の配線層ＷＲＬ２を介してＩＴＯパッド３−ｉと接続されており、素子基板１１の対向面１１０におけるＴＦＴ１１１−ｍ−ｎのソース電極が絶縁層Ｌ１内の配線層ＷＲＬ１を介してＩＴＯパッド３−ｉと接続されていた。しかし、対向面１１０上における各種回路素子とＩＴＯパッド３−ｉとを接続する配線を埋設する絶縁層を入れ替えてもよい。
【００３４】
（３）上記実施形態における電気光学装置１０は、種々の電子機器に適用できる。図１１に、電気光学装置１０を適用したモバイル型のパーソナルコンピューターの構成を示す。パーソナルコンピューター２０００は、表示ユニットとしての電気光学装置１０と本体部２０１０を備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１及びキーボード２００２が設けられている。
【００３５】
図１２に、電気光学装置１０を適用した携帯電話機の構成を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１及びスクロールボタン３００２、並びに表示ユニットとしての電気光学装置１０を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、電気光学装置１０に表示される画面がスクロールされる。
【００３６】
図１３に、電気光学装置１０を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の構成を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１及び電源スイッチ４００２、並びに表示ユニットとしての電気光学装置１０を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が電気光学装置１０に表示される。
【００３７】
なお、電気光学装置１０が適用される電子機器としては、図１１〜１３に示すものの他、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型、モニター直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワープロ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、前述した電気光学装置１０が適用可能である。
【符号の説明】
【００３８】
３，４…ＩＴＯパッド、１０…電気光学装置、１１…素子基板、１２…対向基板、１３…シール部材、１４…走査線駆動回路、１１０，１２０…対向面、１１１…ＴＦＴ、１１２…走査線、９０…可撓性基板、９１…ＡＣＦ材、９３…基板間導通部材。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プロジェクターや携帯電話機などに搭載される液晶ディスプレイ装置等として好適な電気光学装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置では、液晶パネルにおける液晶層を挟む２枚の基板のうち一方の基板である素子基板の液晶層側の面の端部に、横一列をなす複数個の外部回路接続端子が設けられている。外部回路接続端子の各々は、液晶層のある側と反対側に向かって凹んだ凹部にこの凹部に沿った凹状をなすＩＴＯ（Indium Tin Oxide）パッドを嵌め込んだものである。素子基板内には、ＩＴＯパッドの底面から素子基板上の回路素子に至る配線が埋設されている。また、この種の電気光学装置における２枚の基板を制御する駆動回路は、液晶パネル駆動ＩＣとして液晶パネルから分離されて可撓性基板上に載置され、この液晶パネル駆動ＩＣと可撓性基板とによりＣＯＦ（Chip On Film）モジュールが形成される。このＣＯＦモジュールは、可撓性基板の先端部を液晶パネルにおける各外部回路接続端子にＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）材を介して熱圧着させることにより、液晶パネルと一体化される。このような電気光学装置は、例えば、特許文献１に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−３５４９６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
この種の電気光学装置のうち多層配線を介して素子基板上の各ＩＴＯパッドと素子基板上の回路各部との接続を行う構成のものでは、例えば配線の混雑緩和等の理由により、複数の外部回路接続端子間で、各ＩＴＯパッドに接続する配線層の層を異ならせる場合がある。この場合、各ＩＴＯパッドの高さが複数の外部回路接続端子間で異なったものとなる。このため、可撓性基板と素子基板におるＩＴＯパッドとをＡＣＦ材を間に挟んで熱圧着すると、可撓性基板とＩＴＯパッドの各々との間のＡＣＦ内における導電粒子の密度にばらつきが生じ、可撓性基板及び各ＩＴＯパッド間の抵抗が不均一になるという問題があった。
【０００５】
本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、電気光学装置における可撓性基板と各外部回路接続端子との間の抵抗を均一にする技術的手段を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、この発明は、電気光学物質を間に挟んで対向した素子基板および対向基板を有し、前記電気光学物質を駆動する回路が前記素子基板に形成された電気光学装置において、前記素子基板は、各層間に絶縁層を挟み、前記回路の各箇所に接続された複数層の配線層を有し、前記素子基板は、複数のＩＴＯで構成された電極パッドを有し、前記複数の電極パッドの各々の下部には、絶縁層を挟んで前記複数層の配線層のうちのいずれかの層の配線層が配置されるとともに、前記絶縁層を貫通して当該電極パッドを当該配線層に電気的に接続する複数のコンタクトホールが形成され、前記複数の電極パッドの前記対向基板と対向する面が同じ高さに位置していることを特徴とする電気光学装置を提供する。
【０００７】
この発明によれば、素子基板における複数のＩＴＯパッドが同じ高さに位置しているので、可撓性基板とＩＴＯパッドとをＡＦＣ材を間に挟んで熱圧着した場合において、可撓性基板と各ＩＴＯパッドとの接触抵抗を均一にすることができる。
【０００８】
好ましい態様において、前記各電極パッドは、可撓性基板が、導電性粒子を樹脂内に均一配合してなる膜である異方性導電膜を介して熱圧着され、前記コンタクトホールの直径が前記導電性粒子の直径よりも小さくなっている。この態様によれば、異方性導電膜の導通性粒子がコンタクトホール内に入り込むことはない。よって、導通性粒子がコンタクトホールからその奥の配線に達して配線の接続先の回路素子に誤動作を発生させる、という不具合が防止される。
【０００９】
また、他の好ましい態様において、前記素子基板の前記対向基板との対向面には、前記対向基板と電気的に接続されるべき配線層を絶縁層から露出させる凹部と、この凹部の内表面を覆うＩＴＯで構成された電極パッドとが形成されており、この電極パッドと前記対向基板との間に基板間導通部材が介在している。この態様によると、２枚の基板を接合する際に一方の基板を他方の基板に押しつける力を強くし過ぎて導通不良が発生する、という事態が防止される。
【００１０】
前記素子基板における前記各コンタクトホールを覆う複数個の電極パッドが同じ製造プロセスにおいて形成されてもよい。この態様によると、コンタクトホール及び凹部を別の製造プロセスにより形成する場合よりも、製造コストを抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施形態である電気光学装置の斜視図である。
【図２】同電気光学装置の正面図及び左側面図である。
【図３】同電気光学装置におけるＩＴＯパッドとその周辺部分の拡大図及び断面図である。
【図４】同電気光学装置におけるＩＴＯパッドとその周辺部分の拡大図及び断面図である。
【図５】同電気光学装置におけるＩＴＯパッドとその周辺部分の断面図である。
【図６】同電気光学装置の効果を説明するための図である。
【図７】同電気光学装置の効果を説明するための図である。
【図８】同電気光学装置の効果を説明するための図である。
【図９】同電気光学装置の製造工程を説明するための図である。
【図１０】同電気光学装置の製造工程を説明するための図である。
【図１１】同電気光学装置を適用したパーソナルコンピューターを示す図である。
【図１２】同電気光学装置を適用した携帯電話機を示す図である。
【図１３】同電気光学装置を適用した情報携帯端末を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
（Ａ：構成）
以下、本発明の一実施形態である電気光学装置１０について説明する。図１は、電気光学装置１０の斜視図である。図２（Ａ）は、電気光学装置１０の正面図である。図２（Ｂ）は、電気光学装置１０の左側面図である。電気光学装置１０は、液晶層ＬＱＤ（不図示）と、この液晶層ＬＱＤを挟んで対向する２枚の基板である素子基板１１及び対向基板１２とを有する。素子基板１１は、薄い直方体状をなしている。対向基板１２は、素子基板１１よりも一回り小さい縦幅及び横幅をもった薄い直方体状をなしている。液晶層ＬＱＤは、電気光学物質である一又は複数のネマティック液晶の混合物により形成されている。素子基板１１と対向基板１２はシール部材１３により接合されている。シール部材１３は、対向基板１２の基板周辺に沿って形成されるが、液晶を封入するために一部が開口している。このため、液晶の封入後にその開口部分が封止材５１によって封止されている。
【００１３】
素子基板１１における対向基板１２との対向面１１０上には、Ｍ列Ｎ行のマトリクスをなす画素電極Ｐ−ｍ（ｍ＝１〜Ｍ）−ｎ（ｎ＝１〜Ｎ）及びこれらをスイッチングする素子であるＴＦＴ１１１−ｍ（ｍ＝１〜Ｍ）−ｎ（ｎ＝１〜Ｎ）、ＴＦＴ１１１−ｍ（ｍ＝１〜Ｍ）−ｎ（ｎ＝１〜Ｎ）を挟んで横幅方向に向い合う走査線駆動回路１４Ｌ及び１４Ｒなどの各種回路素子が設けられている。対向基板１２における素子基板１１との対向面１２０上には、画素電極Ｐ−ｍ（ｍ＝１〜Ｍ）−ｎ（ｎ＝１〜Ｎ）と対峙する対向電極Ｐ’（不図示）が設けられている。素子基板１１の対向面１１０上における縦幅方向に隣り合うＴＦＴ１１１−ｍ−ｎ間には、横幅方向に延在する複数の走査線１１２−ｍが設けられている。各走査線１１２−ｍの一端は走査線駆動回路１４Ｌに接続されている。各走査線１１２−ｍの他端は走査線駆動回路１４Ｒに接続されている。また、各走査線１１２−ｍは各ＴＦＴ１１１−ｍ−ｎのゲート電極と接続されている。
【００１４】
素子基板１１における対向基板１２との対向面１１０の一辺をなす端部には、可撓性基板９０と当該電気光学装置１０とを接続する外部回路接続端子としての役割を果たすＬ個のＩＴＯで構成されたＩＴＯパッド３−ｉ（ｉ＝１〜Ｌ、電極パッド）が対向面１１０の一辺に沿った方向に並べて配設されている。これらのＩＴＯパッド３−ｉ（ｉ＝１〜Ｌ）の対向基板１２と対向する面３−ｉ−１には、可撓性基板９０の先端部がＡＣＦ（具体的には、ある程度の軟性を有する樹脂内に導電性粒子を均一配合してなる膜）材９１により熱圧着される。素子基板１１の対向面１１０における四隅に相当する位置には４つのＩＴＯパッド４−ｋ（ｋ＝１〜４）が配設されている。これらのＩＴＯパッド４−ｋ（ｋ＝１〜４）の各々と対向基板１２との間には、両基板１１及び１２を導通する役割を果たす部材である基板間導通部材９３−ｋが介挿されている。基板間導通部材９３−ｋは、ＡＣＦ材９１のものよりも高い硬性を有する球状樹脂に金をコーティングしたものである。
【００１５】
ここで、本実施形態の特徴は、素子基板１１の構造にある。以下では、この素子基板１１の構造について詳細に説明する。図３（Ａ）は、図２（Ａ）におけるＩＴＯパッド３−１とその周辺部分の拡大図である。図３（Ｂ）は、図２（Ａ）におけるＩＴＯパッド３−１とその周辺部分のＡ−Ａ’線断面図である。図４（Ａ）は、図２（Ａ）におけるＩＴＯパッド３−２とその周辺部分の拡大図である。図４（Ｂ）は、図２（Ａ）におけるＩＴＯパッド３−２とその周辺部分のＢ−Ｂ’線断面図である。図５は、図２（Ａ）におけるＩＴＯパッド４−１とその周辺部分のＣ−Ｃ’線断面図である。
【００１６】
これらの図に示すように、素子基板１１は、ガラス基板Ｇの上に、絶縁層Ｌ１、絶縁層Ｌ２を順次積層させた積層体である。素子基板１１において、素子基板１１におけるＬ個のＩＴＯパッド３−ｉ（ｉ＝１〜Ｌ）は、ガラス基板Ｇ上の配線層ＷＲＬ１と、絶縁層Ｌ２上の配線層ＷＲＬ２とからなる多層配線を介して素子基板１１内の回路各部と接続される。ここで、配線層ＷＲＬ２の各配線には、例えば基板間導通部材９３−ｋに接続されている配線や走査線駆動回路１４Ｌ及び１４Ｒに接続されている配線が含まれている。また、配線層ＷＲＬ１の各配線にはＴＦＴ１１１−ｍ−ｎのソース電極に至る配線等が含まれている。そして、Ｌ個のＩＴＯパッド３−ｉ（ｉ＝１〜Ｌ）には、絶縁層Ｌ２上の配線層ＷＲＬ２を介して素子基板１１内の回路に接続されるもの（例えば、図３（Ａ）および（Ｂ）に示すＩＴＯパッド３−１）と、ガラス基板Ｇ上の配線層ＷＲＬ１を介して素子基板１１内の回路に接続されるもの（例えば、図４（Ａ）および（Ｂ）に示すＩＴＯパッド３−２）とが混在している。
【００１７】
図３（Ｂ）に示すように、配線層ＷＲＬ２と対向しているＩＴＯパッド３−１は、厚さＨ１を有する皿状部ＰＬＴＬ２を有している。この皿状部ＰＬＴＬ２の下部には、絶縁層Ｌ２を貫通して配線層ＷＲＬ２に至るコンタクトホールＣＨＬ２が形成されている。そして、皿状部ＰＬＴＬ２には、ＩＴＯ材料からなり、コンタクトホールＣＨＬ２内を通って配線層ＷＲＬ２に達する脚部ＬＧＬ２が?がっている。また、図４（Ｂ）に示すように、配線層ＷＲＬ１と対向しているＩＴＯパッド３−２は、厚さＨ１を有する皿状部ＰＬＴＬ１を有している。この皿状部ＰＬＴＬ１の下部には、絶縁層Ｌ２およびＬ１を貫通して配線層ＷＲＬ１に至るコンタクトホールＣＨＬ１が形成されている。そして、皿状部ＰＬＴＬ１には、ＩＴＯ材料からなり、コンタクトホールＣＨＬ１内を通って配線層ＷＲＬ１に達する脚部ＬＧＬ１が?がっている。ここで、コンタクトホールＣＨＬ２およびＣＨＬ１は図３（Ａ）および図４（Ａ）に示すように正方形をなすＩＴＯパッド３−ｉの４辺に沿って複数個並べて穿設されている。また、各コンタクトホールＣＨＬ２及びＣＨＬ１の直径φ１は、ＡＣＦ材９１内における導電性粒子の直径φ２よりも小さくなっている。
【００１８】
上述したように、可撓性基板９０の先端部とＩＴＯパッド３−ｉ（ｉ＝１〜Ｌ）とを熱圧着する素材であるＡＣＦ材９１は、導電性粒子を均一配合してなる薄い樹脂からなる。このＡＣＦ材９１により可撓性基板９０とＩＴＯパッド３−ｉ（ｉ＝１〜Ｌ）とを熱圧着した状態において、可撓性基板９０と各ＩＴＯパッド３−ｉとの間のＡＣＦ材９１は熱により溶解し、ＡＣＦ材９１内の導電性粒子の密度が密になる。これにより、可撓性基板９０と各ＩＴＯパッド３−ｉとが導通する。この導通状態における可撓性基板９０及び各ＩＴＯパッド３−ｉ間の抵抗は、ＡＣＦ材９１内における導電性粒子の密度に依存する。
【００１９】
図５に示すように、素子基板１１の対向面１１０における四隅に相当する位置には、絶縁層Ｌ２内の配線層ＷＲＬ２を露出させる凹部ＤＰ−ｋが形成されており、この凹部ＤＰ−ｋの内表面がＩＴＯパッド４−ｋにより覆われている。このＩＴＯパッド４−ｋは、凹部ＤＰ−ｋに沿って凹んだ凹状をなしている。ＩＴＯパッド４−ｋにおける対向基板１２の側に開口した部分の上縁は僅かな厚みだけ対向面１１０から対向基板１２側に食み出しており、この食み出した部分の外周は外側に僅かに拡がっている。また、ＩＴＯパッド４−ｋの底面はそのほぼ全面に亙って絶縁層Ｌ２の配線層ＷＲＬ２と接触している。基板間導通部材９３−ｋはこのＩＴＯパッド４−ｋにおける凹んだ部分に収められている。
【００２０】
この電気光学装置１０において、可撓性基板９０上に搭載されている液晶パネル駆動ＩＣ（不図示）からＩＴＯパッド３−ｉに共通電位ＣＬＬ（グランド）が供給されると、この電位ＣＬＬが、絶縁層Ｌ２内の配線層ＷＲＬ２、ＩＴＯパッド４−ｋ（ｋ＝１〜４）、及び基板間導通部材９３−ｋ（ｋ＝１〜４）を介して対向基板１２に印加され、対向基板１２における対向電極Ｐ’の電位がＣＬＬになる。この状態において、液晶パネル駆動ＩＣは、ＩＴＯパッド３−ｉに走査線駆動回路１４Ｌ及び１４Ｒの駆動信号であるタイミング信号ＣＬを供給するとともに、ＩＴＯパッド３−ｉに各画素の濃度を示す画像信号ＶＩＤを供給する。タイミング信号ＣＬは絶縁層Ｌ２内の配線層ＷＲＬ２を介して走査線駆動回路１４Ｌ及び１４Ｒに供給され、同回路１４Ｌ及び１４Ｒがこの信号ＣＬに従って走査線１１２−ｍ（ｍ＝１〜Ｍ）を順次アクティブレベルにする操作を繰り返す。また、画像信号ＶＩＤは絶縁層Ｌ１の配線層ＷＲＬ１を介してＴＦＴ１１１−ｍ−ｎのソース電極に供給され、ＴＦＴ１１１−ｍ−ｎがこの信号ＶＩＤに従って画素電極Ｐ−ｍ−ｎを駆動させる操作を繰り返す。この画素電極Ｐ−ｍ−ｎの駆動により、各画素電極Ｐ−ｍ−ｎと対向電極Ｐ’との電位差が変化し、この電位差に応じて画素（各画素電極Ｐ−ｍ−ｎと対向電極Ｐ’に挟まれた液晶）の透過光量が変化する。これにより、Ｍ×Ｎ画素の解像度の画像が当該電気光学装置１０の正面に向けて照射される。
【００２１】
以上が、本実施形態である電気光学装置１０の構成の詳細である。以上説明した本実施形態によると、次の４つの効果が得られる。
第１に、本実施形態では、ＩＴＯパッド３−ｉの対向基板１２と対向する側の面３−ｉ−１は、配線層ＷＲＬ１に接続されたもの（面３−２−１）も配線層ＷＲＬ２（面３−１−１）に接続されたものも同じ高さに位置する。このため、可撓性基板９０とＩＴＯパッド３−ｉ（ｉ＝１〜Ｌ）の表面３−ｉ−１とをＡＣＦ材９１により熱圧着した場合における可撓性基板９０及びＩＴＯパッド３−ｉ（ｉ＝１〜Ｌ）間の導電性粒子の密度のばらつきが少なくなり、可撓性基板９０及びＩＴＯパッド３−ｉ（ｉ＝１〜Ｌ）間の抵抗を均一にすることができる。
【００２２】
第２に、本実施形態では、素子基板１１のコンタクトホールＣＨＬ１、ＣＨＬ２の直径φ１がＡＣＦ材９１の導電性粒子の直径φ２よりも小さくなっている。このため、ＩＴＯパッド３−ｉに塞がれておらず対向面１１０の側に露出しているコンタクトホールＣＨＬ１、ＣＨＬ２があった場合でも、ＡＣＦ材９１の導電性粒子がそのコンタクトホールＣＨＬ１、ＣＨＬ２内に入り込むことはない。よって、導電性粒子がコンタクトホールＣＨＬ１、ＣＨＬ２からその奥の配線層ＷＲＬ１，ＷＲＬ２に到達して配線層ＷＲＬ１，ＷＲＬ２の接続先の回路素子に誤動作を発生させる、という不具合が防止される。
【００２３】
第３に、本実施形態では、素子基板１１の対向面１１０における液晶層ＬＱＤを包囲する位置に、絶縁層Ｌ２内の配線層ＷＲＬ２を露出させる凹部ＤＰ−ｋとこの凹部ＤＰ−ｋに嵌め込まれたＩＴＯパッド４−ｋとが形成されており、素子基板１１における凹部ＤＰ−ｋ及びＩＴＯパッド４−ｋと対向基板１２との間に基板間導通部材９３−ｋが介挿されている。すなわち、本実施形態では、基板間導通部材９３−ｋを保持する部分の構造を従来の電気光学装置のものと同じにしている。本実施形態では、ＩＴＯパッド４−ｋをこのような構造にすることにより、基板１１及び１２をシール部材１３により接合する際に基板１２を基板１１側に強く押しつけ過ぎて導通不良になる、という事態の発生を防止することができる。
【００２４】
この効果について、詳細に説明する。上述したように、ＡＣＦはある程度の軟性をもったファイバーを金コーティングしたものを導電材として用いる。このため、可撓性基板９０及びＩＴＯパッド３−ｉの熱圧着時における可撓性基板９０をＩＴＯパッド３−ｉ側に押しつける力Ｆは両者間のＡＣＦ材９１の横方向への伸長によってある程度吸収される（図６の概念図参照）。これに対し、基板間導通部材９３−ｋはＡＣＦ材９１のものよりも高い硬性を持ったファイバーを金コーティングしたものを導電材として用いる。このため、電気光学装置１０におけるＩＴＯパッド４−ｋをＩＴＯパッド３−ｉと同じ形状を有するＩＴＯパッド４’−ｋにすると、対向基板１２を素子基板１１の側に押しつける力Ｆが強すぎた場合に両基板１２及び１１間に挟まれた基板間導通部材９３−ｋが素子基板１１のＩＴＯパッド４’−ｋを突き破り、その奥の絶縁層Ｌ２に達してしまう（図７の概念図参照）。絶縁層Ｌ２のインピーダンスはＩＴＯよりも十分に高いため、この場合、素子基板１１における配線層ＷＲＬ２及び対向基板１２間における導通不良が発生する。
【００２５】
ここで、本実施形態のように、ＩＴＯパッド４−ｋの構造を従来のものと同じにしたとしても、基板間導通部材９３−ｋがＩＴＯパッド４−ｋを突き破ることは同様に起こり得る。しかし、本実施形態では、ＩＴＯパッド４−ｋの底面が配線層ＷＲＬ２と接しているため、ＩＴＯパッド４−ｋを突き破った基板基板間導通部材９３−ｋは配線層ＷＲＬ２と直接接触することになる（図８の概念図参照）。よって、素子基板１１における配線層ＷＲＬ２と対向基板１２との間の導通が悪化することはない。以上の理由から、本実施形態によると、基板１１及び１２を接合する際に基板１２を基板１１側に強く押しつけ過ぎて導通不良になる、という事態の発生を防止することができる。
【００２６】
第４に、本実施形態では、全てのＩＴＯパッド３−ｉを同一製造工程において形成するため、ＩＴＯパッド３−ｉの膜厚を均一にすることができ、ＡＣＦとＩＴＯパッド３−ｉとの接触抵抗のみならず、ＩＴＯパッド３−ｉ自体の抵抗を均一にすることができる。また、工程数が減るため、製造コストを低減することができる。以下、従来の電気光学装置の製造方法と本実施形態による電気光学装置の製造方法を対比しつつ、この効果について詳述する。
【００２７】
図９は従来の電気光学装置の製造方法を示す図である。従来の電気光学装置の製造方法では、まず、ガラス基板Ｇの上に配線層ＷＲＬ１を形成し、次いで本実施形態におけるＩＴＯパッド３−２等に相当するＩＴＯパッド３−２’を配線層ＷＲＬ１の上に形成する（図９（ａ）参照）。次いで絶縁膜Ｌ１１を積層する（図９（ｂ）参照）。そして、絶縁層Ｌ１１の上に配線層ＷＲＬ２を形成し、次いで本実施形態におけるＩＴＯパッド３−１等に相当するＩＴＯパッド３−１’を配線層ＷＲＬ２の上に形成する（図９（ｃ）参照）。次いで絶縁膜Ｌ１２を積層する（図９（ｄ）参照）。そして、ＩＴＯパッド３−１’および３−２’の表面を露出させる凹部ＣＨａおよびＣＨｂを設ける（図９（ｅ）参照）。そして、このようにＩＴＯパッド３−１’および３−２’の表面を露出させた状態において、ＡＣＦを利用した可撓性基板とＩＴＯパッド３−１’および３−２’との接着を行うのである。
【００２８】
このように従来の電気光学装置の製造方法では、本実施形態におけるＩＴＯパッド３−１に相当するＩＴＯパッド３−１’と、ＩＴＯパッド３−２に相当するＩＴＯパッド３−２’を異なる製造工程において形成するため、ＩＴＯパッド３−１’の膜厚Ｈａと、ＩＴＯパッド３−２’の膜厚Ｈｂが異なったものになるという問題があった。
【００２９】
これに対し、本実施形態では、全てのＩＴＯパッド３−１、３−２…を同一の製造工程において形成するため、この問題は生じない。
【００３０】
図１０は、本実施形態による電気光学装置の製造方法を示すものである。本実施形態による電気光学装置の製造方法では、まず、ガラス基板Ｇの上に配線層ＷＲＬ１を形成し（図１０（ａ）参照）、その上に絶縁層Ｌ１を積層する（図１０（ｂ）参照）。次いで絶縁層Ｌ１の上に配線層ＷＲＬ２を形成し（図１０（ｃ）参照）、その上に絶縁層Ｌ２を積層する（図１０（ｄ）参照）。次いで絶縁層Ｌ２を貫通して配線層ＷＲＬ２に至るコンタクトホールＣＨＬ２と、絶縁層Ｌ２およびＬ１を貫通して配線層ＷＲＬ１に至るコンタクトホールＣＨＬ１および上述した凹部ＤＰ−ｋ（図示略）を形成する（図１０（ｅ）参照）。そして、配線層ＷＲＬ１と対向するＩＴＯパッド３−１等および配線層ＷＲＬ２と対向するＩＴＯパッド３−２等を形成する。
【００３１】
以上のように、本実施形態では、配線層ＷＲＬ１と対向するＩＴＯパッド３−１等および配線層ＷＲＬ２と対向するＩＴＯパッド３−２等が同一製造工程において形成される。従って、ＩＴＯパッド３−１等の膜厚Ｈ１とＩＴＯパッド３−２等の膜厚Ｈ２を同じにすることができる。
【００３２】
（Ｂ：変形）
以上、本発明の実施形態について説明したが、この実施形態に以下に述べる変形を加えても勿論良い。
（１）上記実施形態における電気光学装置１０は、２層の絶縁層Ｌ２及びＬ１をガラス基板Ｇ上に積層したものであった。しかし、電気光学装置１０における絶縁層の積層数を３層以上にしてもよい。
【００３３】
（２）上記実施形態における電気光学装置１０では、素子基板１１の対向面１１０における基板間導通端子９３−ｋと走査線駆動回路１４Ｌ及び１４Ｒが絶縁層Ｌ２内の配線層ＷＲＬ２を介してＩＴＯパッド３−ｉと接続されており、素子基板１１の対向面１１０におけるＴＦＴ１１１−ｍ−ｎのソース電極が絶縁層Ｌ１内の配線層ＷＲＬ１を介してＩＴＯパッド３−ｉと接続されていた。しかし、対向面１１０上における各種回路素子とＩＴＯパッド３−ｉとを接続する配線を埋設する絶縁層を入れ替えてもよい。
【００３４】
（３）上記実施形態における電気光学装置１０は、種々の電子機器に適用できる。図１１に、電気光学装置１０を適用したモバイル型のパーソナルコンピューターの構成を示す。パーソナルコンピューター２０００は、表示ユニットとしての電気光学装置１０と本体部２０１０を備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１及びキーボード２００２が設けられている。
【００３５】
図１２に、電気光学装置１０を適用した携帯電話機の構成を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１及びスクロールボタン３００２、並びに表示ユニットとしての電気光学装置１０を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、電気光学装置１０に表示される画面がスクロールされる。
【００３６】
図１３に、電気光学装置１０を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の構成を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１及び電源スイッチ４００２、並びに表示ユニットとしての電気光学装置１０を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が電気光学装置１０に表示される。
【００３７】
なお、電気光学装置１０が適用される電子機器としては、図１１〜１３に示すものの他、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型、モニター直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワープロ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、前述した電気光学装置１０が適用可能である。
【符号の説明】
【００３８】
３，４…ＩＴＯパッド、１０…電気光学装置、１１…素子基板、１２…対向基板、１３…シール部材、１４…走査線駆動回路、１１０，１２０…対向面、１１１…ＴＦＴ、１１２…走査線、９０…可撓性基板、９１…ＡＣＦ材、９３…基板間導通部材。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学物質を間に挟んで対向した素子基板および対向基板を有し、前記電気光学物質を駆動する回路が前記素子基板に形成された電気光学装置において、
前記素子基板は、各層間に絶縁層を挟み、前記回路の各箇所に接続された複数層の配線層を有し、
前記素子基板は、複数のＩＴＯで構成された電極パッドを有し、
前記複数の電極パッドの各々の下部には、絶縁層を挟んで前記複数層の配線層のうちのいずれかの層の配線層が配置されるとともに、前記絶縁層を貫通して当該電極パッドを当該配線層に電気的に接続する複数のコンタクトホールが形成され、前記複数の電極パッドの前記対向基板と対向する面が同じ高さに位置していることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記各電極パッドは、可撓性基板が、導電性粒子を樹脂内に均一配合してなる膜である異方性導電膜を介して熱圧着され、前記コンタクトホールの直径が前記導電性粒子の直径よりも小さくなっていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記素子基板の前記対向基板との対向面には、前記対向基板と電気的に接続されるべき配線層を絶縁層から露出させる凹部と、この凹部の内表面を覆うＩＴＯで構成された電極パッドとが形成されており、この電極パッドと前記対向基板との間に基板間導通部材が介在していることを特徴とする請求項１また２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記素子基板における前記各コンタクトホールを覆う複数個の電極パッドが同じ製造プロセスにおいて形成されることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項１】
電気光学物質を間に挟んで対向した素子基板および対向基板を有し、前記電気光学物質を駆動する回路が前記素子基板に形成された電気光学装置において、
前記素子基板は、各層間に絶縁層を挟み、前記回路の各箇所に接続された複数層の配線層を有し、
前記素子基板は、複数のＩＴＯで構成された電極パッドを有し、
前記複数の電極パッドの各々の下部には、絶縁層を挟んで前記複数層の配線層のうちのいずれかの層の配線層が配置されるとともに、前記絶縁層を貫通して当該電極パッドを当該配線層に電気的に接続する複数のコンタクトホールが形成され、前記複数の電極パッドの前記対向基板と対向する面が同じ高さに位置していることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記各電極パッドは、可撓性基板が、導電性粒子を樹脂内に均一配合してなる膜である異方性導電膜を介して熱圧着され、前記コンタクトホールの直径が前記導電性粒子の直径よりも小さくなっていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記素子基板の前記対向基板との対向面には、前記対向基板と電気的に接続されるべき配線層を絶縁層から露出させる凹部と、この凹部の内表面を覆うＩＴＯで構成された電極パッドとが形成されており、この電極パッドと前記対向基板との間に基板間導通部材が介在していることを特徴とする請求項１また２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記素子基板における前記各コンタクトホールを覆う複数個の電極パッドが同じ製造プロセスにおいて形成されることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２０１２−２０３０５６（Ｐ２０１２−２０３０５６Ａ）
【公開日】平成２４年１０月２２日（２０１２．１０．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−６５１６５（Ｐ２０１１−６５１６５）
【出願日】平成２３年３月２４日（２０１１．３．２４）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１０月２２日（２０１２．１０．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月２４日（２０１１．３．２４）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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