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Fターム[2H092GA42]の内容

液晶−電極、アクティブマトリックス (131,435) | 電極の構造 (19,386) | 表示領域外電極の構造 (10,180) | 外部接続端子 (1,632) | 層構造 (504)

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【課題】アクティブマトリクス型基板において、薄膜トランジスタと、その端子接続部を同時に作り込み、少ないマスク数で歩留まりの良い表示装置を提供する。
【解決手段】画素部および外部入力端子を有する表示装置であって、画素部は、ゲート電極と、半導体膜と、ゲート電極上に形成された絶縁膜、および絶縁膜上に半導体膜と電気的に接続された電極を有するTFTを有し、外部入力端子は、ゲート電極と同じ層に形成された第1の配線と、電極と同じ層に形成され、絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介し第1の配線と接続された第2の配線と、第2の配線に接続され、第2の配線上に形成された透明導電膜と、第2の配線と透明導電膜が接続している位置で透明導電膜と電気的に接続するフレキシブルプリント配線板を有する表示装置。 (もっと読む)


【課題】本発明は、マザーガラスから液晶表示装置を分断する際に、引出配線にクラック等が発生するのを抑制することができる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置1であって、一方の外周部に他方の外周から外側に張り出した張出領域3を有する一対の透明基板2と、一対の透明基板2に設けられた配向膜4と、配向膜4の間に配設された液晶5と、一対の透明基板2の周縁部に設けられたシール材6と、一方の透明基板2に設けられた張出領域3に引き出された複数の引出配線7とを備え、少なくとも複数の引出配線7上の一部に、配向膜4から離隔して配向膜4と同一材料からなる配線保護膜8が設けられており、配線保護膜8は、一部がシール材6と重なっている重なり部8aを有するとともに、張出領域3側に位置する他方の透明基板2の外周よりも外側に位置するように重なり部8aから張出領域3に延在している。 (もっと読む)


【課題】同一基板上に複数種の回路を形成し、複数種の回路の特性にそれぞれ合わせた複
数種の薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供することを
課題の一とする。
【解決手段】画素用薄膜トランジスタとしてソース電極層及びドレイン電極層上に重なる
酸化物半導体層を有する逆コプラナ型を用い、駆動回路用薄膜トランジスタとして、チャ
ネル保護型を用い、かつ、画素用薄膜トランジスタの主要な部分を透光性材料で構成する
ことにより、開口率を上げる。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層またはドレイン電極層との接触抵抗の低減を図る。
【解決手段】ソース電極層またはドレイン電極層を2層以上の積層構造とし、その積層のうち、酸化物半導体層と接する一層104a、104bを薄いインジウム層または薄いインジウム合金層とする。なお、酸化物半導体層103は、インジウムを含む。二層目以降のソース電極層105aまたはドレイン電極層105bの材料は、Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo、Wから選ばれた元素、または上述した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金等を用いる。 (もっと読む)


【課題】IPSにおける従来の技術は、工程数が多く、開口率が低いので、実用化できな
い。また、液晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極が多く、画素表示部にお
ける個々の液晶にかかる電界が不均一であった。
【解決手段】本発明は、ゲイト線102、105とコモン線103、104を最初に同時
に形成し、層間膜形成後、画素電極108とコモン電極110、111とソ─ス線106
、107を同時に形成する。こうすることによって、電極パタ─ンを単純化でき、工程を
簡略化した。また、液晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極を画素電極とコ
モン電極とソ─ス線とし、その形状を単純なものにした。 (もっと読む)


【課題】短チャネルを実現し、薄膜トランジスタの性能を向上させる酸化物薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による酸化物薄膜トランジスタの製造方法は、基板110上に第1導電膜からなるゲート電極121及びゲートライン116を形成する段階と、ゲート電極121及びゲートライン116が形成された基板110上にゲート絶縁膜115aを形成する段階と、ハーフトーン露光を用いて、ゲート絶縁膜115aが形成されたゲート電極121の上部に第2導電膜からなるソース電極122、第1ドレイン電極123、及び第1データライン117を形成し、かつ第1ドレイン電極123の延長部及び第1データライン117上に第3導電膜からなる第2ドレイン電極123’及び第2データライン117’を形成する段階と、ソース電極122及び第1ドレイン電極123上に酸化物半導体からなるアクティブ層124を形成する段階とを含む。 (もっと読む)


【課題】狭額縁化かつ薄型化された表示装置を提供する。
【解決手段】この表示装置は、一方の面に配線を有し、配線に対向する位置に他方の面への貫通孔を有する表示基板と、表示基板の他方の面側に設けられ、貫通孔を介して配線と電気的に接続された配線基板とを備えている。配線基板は折り曲げられることなく、平面状のまま配線に接続される。配線基板の曲げの距離(曲率半径)が不要となり、狭額縁化かつ薄型化がなされる。 (もっと読む)


【課題】より小型化、低コスト化した液晶表示素子を提供する。
【解決手段】シリコン基板1とガラス基板2は回路基板3上の電極パッド14、電極パッド15と導通をとるため、液晶11を介し、均一な位置関係でシール材9により貼り合わせて液晶表示素子を構成している。前記シリコン基板1に形成された画素電極12は貫通電極4を介して、導電性材料16(例えば金ペースト、はんだ等)によって回路基板3の電極パッド14と電気的に接続される。また、ガラス基板2に形成された対向電極6は、これと対向する位置に配置された前記シリコン基板1上の貫通電極8と導電性樹脂7を介して接続され、貫通電極8の下面側において導電性材料16(例えば金ペースト、はんだ等)を介して回路基板3の電極パッド15と接続されている。前記画素電極12と前記対向電極6とはそれぞれ異なった電位が供給される。 (もっと読む)


【課題】トランジスタの作製に用いるフォトリソグラフィ工程を従来よりも少なくし、且つ、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】第1の基板上に酸化物半導体層を有するトランジスタを含む回路と、当該第1の基板とシール材で固定された第2の基板とを有し、当該シール材、当該第1の基板、及び当該第2の基板で囲まれる閉空間は、減圧状態、或いは乾燥空気を充填する半導体装置に関する。当該シール材は、少なくとも前記トランジスタを囲み、閉じられたパターン形状を有する。また当該回路は、酸化物半導体層を有するトランジスタを含む駆動回路である。 (もっと読む)


【課題】アクティブマトリクス型の液晶表示装置に代表される電気光学装置ならびに半導体装置において、TFTを作製する工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現することを目的としている。
【解決手段】基板上に逆スタガ型のTFT上に無機材料から成る第1の層間絶縁層と、第1の層間絶縁膜上に形成された有機材料から成る第2の層間絶縁層と、前記第2の層間絶縁層に接して形成された画素電極とを設け、前記基板の端部に他の基板の配線と電気的に接続する入力端子部とを有し、該入力端子部は、ゲート電極と同じ材料から成る第1の層と、画素電極と同じ材料から成る第2の層とから形成されていることを特徴としている。このような構成とすることで、フォトリソグラフィー技術で使用するフォトマスクの数を5枚とすることができる。 (もっと読む)


【課題】
液晶表示パネルとFPCとの接続部分の縦寸法を短縮化し、接続部の電気抵抗の増大や接続に係る信頼性の低下を抑制した液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】
液晶表示パネルの端子部と、フレキシブルプリント回路配線(FPC配線)とを接続する液晶表示装置において、互いに接続する接続部分の形状が、該端子部が形成された該液晶表示パネルの一辺に対して、垂直以外の傾きを持った、平行四辺形であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】画素選択用トランジタの素子領域を作り込んだ半導体基板の上に層間絶縁膜とメタル層を交互に繰り返して成膜した積層膜構造を有する液晶パネル用基板において、被研磨膜に係る層間絶縁膜を厚膜化せずに、研磨レートの均一化を達成できる構造を実現する。
【解決手段】液晶パネル用基板は、画素領域において第2のメタル層からなる遮光膜12に開けた開口部12aを通して遮光膜下の第2の層間絶縁膜11を挟んで第1のメタル層からなる配線膜10と遮光膜上の第3の層間絶縁膜13を挟んで第3のメタル層からなる画素電極とを導電接続する接続プラグ15を備えている。非画素領域の入力端子パッド26の周囲に、第1のメタル層からなる下層ダミーパターンAと第2のメタル層からなる上層ダミーパターンBが積み重ね形成されている。ダミーパターンA,B上の第3の層間絶縁膜13の成膜表面レベルが底上げされるため、その部分での過研磨を解消できる。そのため、CMP処理において一様の研磨レートが得られる。 (もっと読む)


【課題】IPSにおける従来の技術は、工程数が多く、開口率が低いので、実用化できな
い。また、液晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極が多く、画素表示部にお
ける個々の液晶にかかる電界が不均一であった。
【解決手段】本発明は、ゲイト線102、105とコモン線103、104を最初に同時
に形成し、層間膜形成後、画素電極108とコモン電極110、111とソ─ス線106
、107を同時に形成する。こうすることによって、電極パタ─ンを単純化でき、工程を
簡略化した。また、液晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極を画素電極とコ
モン電極とソ─ス線とし、その形状を単純なものにした。 (もっと読む)


【課題】 配線の特性の劣化を生じさせることなく、額縁面積を削減することが可能な回路基板、及び、該回路基板を備える表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 支持基板上にトランジスタ及び外部接続端子が載置されたトランジスタ基板と、該トランジスタ基板上に取り付けられた外付け部材とを含んで構成される回路基板であって、上記外付け部材は、導電部材を介して外部接続端子と電気的かつ物理的に接続されており、上記トランジスタは、外部接続端子と横並びに配置されている回路基板である。 (もっと読む)


【課題】配線破断を軽減する構造を有する液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にゲート配線及び信号配線、ゲート絶縁膜、半導体パターン、データ配線、保護膜、ドレーン電極を露出させる第1接触孔及び信号配線を露出させ、側辺の長さが幅より大きく形成される複数の第2接触孔、第1及び第2接触孔を通じてドレーン電極に連結される画素電極及び信号配線に連結される信号配線補助パッドを形成する液晶表示装置の製造方法であって、信号配線を形成する段階では、信号配線に一対一に対応する複数の信号リードを有する信号伝送用フィルムを含み、信号伝送用フィルムには複数の信号リードのうちの高電圧信号を伝送する第1信号リードと低電圧信号を伝送する第2信号リードとの間にダミーリードが形成され、ダミーリードに対応するダミー配線が基板に形成され、ダミー配線は信号配線より酸化傾向が小さい特性を有する導電物質で形成される。 (もっと読む)


【課題】ディスプレイユニットが不透明基板上に形成されている場合であっても、ドライバICとの位置合わせを的確に行うことができるディスプレイ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ディスプレイ装置100は、ディスプレイユニット200にドライバIC300を実装する際に、撮像カメラ430によって透明基板10の第2面から透明基板10上に形成された透明基板用アライメントマークAM1を認識させつつ、ディスプレイユニット200のバンプBに接合されるドライバIC300を認識させ、透明基板用アライメントマークAM1によってバンプBとドライバIC300との接合位置を特定するようになっている。 (もっと読む)


【課題】液晶層に高分子分散型液晶を用いた場合であっても、隣接する2つのセグメント電極間の隙間が暗い領域として視認されてしまうことを防止すること。
【解決手段】透明な第1の基板21と透明な第2の基板23との間に設けられた高分子分散型液晶からなる液晶層28と、同一の第1の層として、予め定めた表示情報に対して予め定めた領域がポジパターンになるように前記第1の基板に形成された透明なキャラクタ電極22a及び前記表示情報に対して予め定めた領域がネガパターンになるように前記第1の基板に形成された透明な非キャラクタ電極22bと、前記キャラクタ電極22aと前記非キャラクタ電極22bとに対向するように前記第2の基板に形成された透明なコモン電極24と、前記キャラクタ電極と前記非キャラクタ電極との間の隙間に沿うように前記第1の基板に形成された透明な補助電極29aと、を備えた表示装置とする。 (もっと読む)


【課題】電気光学装置用基板の接続端子と外部接続部品とを熱圧着して接続する際の無機絶縁膜の破損による歩留まり低下を抑制する。
【解決手段】電気光学装置用基板(10)は、無機絶縁膜と、外部接続部品に接続される接続端子(14)とを備える。接続端子(14)は、無機絶縁膜が設けられていない領域に設けられているので、外部接続部品を接続端子(14)に熱圧着したとしても、無機絶縁膜の破損に起因する製品の歩留まり低下を抑制できる。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、大画面化しても低消費電力を実現した半導体装置の構造を提供する。
【解決手段】 絶縁表面上に形成されたゲート電極と、前記絶縁表面上に形成された第1の配線と、前記ゲート電極上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された半導体膜と、第1の配線上に形成された第2の配線と、を有し、前記第1の配線は、前記ゲート電極と同じ材料からなり、表面に前記ゲート電極よりも低抵抗な材料を有し、前記第2の配線を介して前記半導体層と電気的に接続し、前記第1の配線の低抵抗化を図る。 (もっと読む)


【課題】フレキシブル基板と接続可能な信頼性の高い回路基板を提供する。
【解決手段】基板上に、エネルギーを付与することにより低表面エネルギー状態から高表面エネルギー状態に変化する材料を含有する濡れ性変化層と、前記濡れ性変化層における高表面エネルギー状態の領域上に形成される複数の領域からなる第1の導電層と、前記第1の導電層の複数の領域間における前記濡れ性変化層上に形成される層間絶縁膜と、前記第1の導電層上に形成される第2の導電層とを有し、前記第2の導電層において、信号入出力のためのフレキシブル基板の接続電極と接続される。 (もっと読む)


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