接続構造及び当該接続構造を備える表示装置
【課題】電極間のショート不良を引き起こすことなく導電部材によるトランスファ接続を実現し、導電部材のクラックによる導通不良を防止する。
【解決手段】第１基板の上面に形成された第１電極と、第１基板の上面に貼り付けられた第２基板の上面に形成された第２電極と、を導電部材で接続する接続構造において、第２基板は、第１基板よりも外形サイズが小さく、第１電極は、第１基板上の第２基板の周囲に配置され、第２基板の周縁には、第１基板との間に間隙が形成されており、第１電極の近傍において、第２基板の側面の一部を覆い、第１基板と前記第２基板との間隙を埋めるように、絶縁性樹脂が配置され、第１基板の第１電極から、絶縁性樹脂上を通って、第２基板の第２電極に至る領域に、導電部材が配置される。
【解決手段】第１基板の上面に形成された第１電極と、第１基板の上面に貼り付けられた第２基板の上面に形成された第２電極と、を導電部材で接続する接続構造において、第２基板は、第１基板よりも外形サイズが小さく、第１電極は、第１基板上の第２基板の周囲に配置され、第２基板の周縁には、第１基板との間に間隙が形成されており、第１電極の近傍において、第２基板の側面の一部を覆い、第１基板と前記第２基板との間隙を埋めるように、絶縁性樹脂が配置され、第１基板の第１電極から、絶縁性樹脂上を通って、第２基板の第２電極に至る領域に、導電部材が配置される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接続構造及び当該接続構造を備える表示装置に関し、特に、上下の基板に設けた電極を導電部材で接続するトランスファ接続構造及び当該トランスファ接続構造を備える液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置の一つである液晶表示装置は、近年、タッチパネル機能を付与した表示機器として利用されることが多くなってきており、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）パネルの製造工程でタッチパネル機能を形成して一体化したインセルタッチパネル、あるいはオンセルタッチパネルの開発が進められている。オンセルタッチパネル、特に、表面型静電容量方式のオンセルタッチパネルでは、上下の基板上に設けた電極間を導電部材で接続するトランスファ接続構造が採用されている。
【０００３】
上記トランスファ接続構造は、具体的には、ＣＦ（Color Filter）基板の裏面（ＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板に対向しない面）にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜層を一様に形成し、ＣＦ基板の裏面の４隅にＡｇペースト等の導電部材を用いてタッチ時の静電容量変化を検知する信号検出用電極を形成して、この信号検出用電極とＴＦＴ基板上に設けた端子電極とを粘性を有する導電部材を用いて接続するものである。このトランスファ接続構造は、一般的なＬＣＤパネルの構造を大きく変えることなく、比較的容易に実現可能である点で注目されており、トランスファ接続構造に関する様々な技術が提案されている。
【０００４】
例えば、下記特許文献１には、第１の基板と、前記第１の基板に対向配置される第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板とに狭持された電気光学物質と、前記第１の基板の前記電気光学物質側の面に形成された共通電極及び画素電極と、前記第１の基板の前記第２の基板の一辺から外側へ張り出す張り出し領域の前記第２の基板側の面に形成された接地用端子と、前記第２の基板の前記電気光学物質と反対側の面に形成された導電層と、前記第２の基板の前記一辺側の前記導電層の端部の少なくとも一部において前記接地用端子と電気的に接続される導通部と、前記第２の基板の前記導電層の上に前記導通部を少なくとも除いて形成される光学部材と、前記第１の基板の前記張り出し領域から前記第２の基板の前記導電層が形成された領域にわたる領域の少なくとも一部を被覆する被覆部材と、を備え、前記被覆部材は、前記接地用端子及び前記導通部に重なる領域に開口を有し、前記接地用端子と前記導通部は、前記被覆部材の前記開口内に配置された導電部材を通じて電気的に接続される電気光学装置が開示されている。また、下記特許文献２にも、同様の電気光学装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−２９９１６１号公報
【特許文献２】特開２００９−００８９７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述した従来のトランスファ接続構造は、図１０に示すように、第１の基板と第２の基板が貼り合わされ、第１の基板（ＴＦＴ基板）の張り出し部に設けられた電極（接地用端子）と、第２の基板（ＣＦ基板）上の導電層とを、導電部材を用いて接続する構造であるが、この構造には重大な問題がある。
【０００７】
第１の問題は、特許文献１、２のトランスファ接続構造は、いわゆるＩＰＳ（In Plane Switching）方式（横電界方式）のような、ＣＦ基板に共通電極が存在しない場合に限定されるということである。すなわち、ＴＮ（Twisted Nematic）方式（縦電界方式）の液晶表示装置では、上下の基板間に電圧を印加して液晶を駆動するため、ＣＦ基板のＴＦＴ基板に対向する面にはＩＴＯ等からなる共通透明電極が必要になる。そのため、トランスファ接続に用いる導電部材がＣＦ基板とＴＦＴ基板の間隙に染み込み、図８に示すように、ＣＦ基板に形成された共通透明電極と導電部材とが容易にショート不良を引き起こしてしまう。
【０００８】
第２の問題は、トランスファ接続構造に使用する導電部材の材料特性によっては、ＣＦ基板とＴＦＴ基板の段差部分において、導電部材にクラックが発生し、導通不良を引き起こすことがあるということである。すなわち、図９（ａ）のように導電部材を塗布した場合、導電部材の材料特性（粘性・チクソ性）によっては、導電部材がＣＦ基板とＴＦＴ基板の段差部分で完全に濡れ広がらず、気泡を巻き込んでしまう。この気泡は、導電部材によって閉じ込められた空気であり、導電部材の硬化反応過程（例えば、焼成時の加熱）で膨張し、図９（ｂ）に示すように、逃げ場のない空気が内部から導電部材の表面を突き破って放出されるため、図９（ｃ）に示すように、トランスファ接続部分でクラックが発生する。
【０００９】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、その主たる目的は、電極間のショート不良を引き起こすことなく導電部材によるトランスファ接続を実現し、さらには導電部材のクラックによる導通不良を防止することができる、信頼性の高い接続構造及び当該接続構造を備える表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するため、本発明は、第１基板の上面に形成された第１電極と、前記第１基板の上面に貼り付けられた第２基板の上面に形成された第２電極と、を導電部材で接続する接続構造において、前記第２基板は、前記第１基板よりも外形サイズが小さく、前記第１電極は、前記第１基板上の前記第２基板の周囲に配置され、前記第２基板の周縁には、前記第１基板との間に間隙が形成されており、前記第１電極の近傍において、前記第２基板の側面の一部を覆い、前記第１基板と前記第２基板との間隙を埋めるように、絶縁性樹脂が配置され、前記第１基板の前記第１電極から、前記絶縁性樹脂上を通って、前記第２基板の前記第２電極に至る領域に、前記導電部材が配置されるものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の接続構造及び当該接続構造を備える表示装置によれば、トランスファ接続時において、貼り合わせた上下の基板の段差側面部分及び上下の基板間の間隙部分に絶縁性樹脂を配置するため、導電部材が上下の基板間の間隙部分に染み込まないようにすることができ、これにより、接続する必要のない電極との絶縁性を確保して、ショート不良の発生を未然に防止することができる。
【００１２】
加えて、本発明の接続構造及び当該接続構造を備える表示装置によれば、貼り合わせた上下の基板の段差部分は、配置した絶縁性樹脂によって順テーパー形状となるため、導電部材が絶縁性樹脂の表面に沿って濡れ広がりやすくなり、気泡の巻き込みを抑制することができ、これにより、段差部分で発生しやすい導電部材の硬化クラックによるトランスファ導通不良を未然に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置のトランスファ接続部の構造を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置におけるトランスファ接続方法を模式的に示す平面図及び断面図である。
【図３】本発明の第２の実施例に係る液晶表示装置の構造を模式的に示す斜視図である。
【図４】本発明の第２の実施例に係る液晶表示装置のトランスファ接続部の構造を模式的に示す断面図である。
【図５】本発明の第３の実施例に係る液晶表示装置のトランスファ接続部の構造を模式的に示す断面図である。
【図６】本発明の液晶表示装置のトランスファ接続部の他の構造を模式的に示す断面図である。
【図７】本発明の電子ペーパーディスプレイのトランスファ接続部の構造を模式的に示す断面図である。
【図８】従来の液晶表示装置のトランスファ接続部の構造及び問題を模式的に示す断面図である。
【図９】従来の液晶表示装置におけるトランスファ接続構造のクラックの発生メカニズムを説明する正面図及び側断面図である。
【図１０】従来（特開２００８−２９９１６１号公報）の液晶表示装置のトランスファ接続部の構造を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
背景技術で示したように、オンセルタッチパネル、特に、表面型静電容量方式のオンセルタッチパネルではトランスファ接続構造が採用されているが、トランスファ接続構造では、粘性を有する導電部材を使用して電極間の接続を行うため、上下の基板（例えば、ＣＦ基板とＴＦＴ基板）の段差部分において、上下の基板の間隙部分に導電部材が染み込んでしまう。その結果、接続する必要のない電極（例えば、ＣＦ基板のＴＦＴ基板側の面に形成された共通透明電極）とのショート不良が発生し、また、導電部材の硬化時のクラックによるトランスファ導通不良が発生するという問題が生じる。
【００１５】
そこで、本発明の一実施の形態では、導電部材にてトランスファ接続構造を形成する部分の内、少なくとも、上下の基板の段差側面部分及び上下の基板の間隙部分に絶縁性樹脂を配置する。これにより、少なくとも上下の基板の間隙部分の一部が封止されるため、導電部材と接続する必要のない電極（例えば、上下の基板の対向面に形成される電極）とのショートを防止することができる。また、トランスファ接続構造の近傍において、基板の端部の上記電極を除去したり、導電部材に含まれる導電性粒子のサイズを間隙部分よりも大きくしたりすることによって、上記電極とのショートをより確実に防止することができる。
【００１６】
また、絶縁性樹脂を配置することによって、上下の基板の段差部分を順テーパー形状とする。これにより、その後に配置する導電部材が広がりやすくなり、絶縁性樹脂上を跨ぐように導電部材が配置されるため、気泡の巻き込みを防止して、導電部材の硬化時のクラックによるトランスファ導通不良を防止することができる。
【００１７】
以下、図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の実施例では、表示装置としてＴＮ方式（縦電界方式）の液晶表示装置を例にして説明するが、本発明は、ＴＮやＩＰＳといった液晶表示装置の駆動方式に限定されるものではなく、プラズマディスプレイや有機ＥＬディスプレイ、電子ペーパーディスプレイなどに対しても同様に適用することができる。
【実施例１】
【００１８】
上記した本発明の実施の形態についてさらに詳細に説明すべく、本発明の第１の実施例に係る接続構造及び当該接続構造を用いた表示装置について、図１及び図２を参照して説明する。図１は、本実施例の液晶表示装置のトランスファ接続部の構造を模式的に示す断面図であり、図２は、本実施例の液晶表示装置におけるトランスファ接続方法を模式的に示す平面図及び断面図である。
【００１９】
本実施例の液晶表示装置を構成する表示パネルは、オンセルタッチパネル機能を備えた液晶表示パネルである。この液晶表示パネルは、通常のＴＮ駆動方式の液晶表示パネルと同様に、各画素に画素電極が形成された薄膜トランジスタ基板（以下、ＴＦＴ基板と称する。）と、各画素に色層が割り当てられ、全面に共通透明電極が形成されたカラーフィルタ基板（以下、ＣＦ基板と称する。）と、が液晶層を挟んでシール材を介して貼り合わされている。
【００２０】
なお、液晶表示パネルを構成する上下の基板は、上記のＴＦＴ基板及びＣＦ基板に限定されず、一方の基板が他方の基板よりもサイズが大きく、貼り合わせた時に上下の基板に段差部分が生じ、この段差部分を跨いで各々の基板に形成された電極間を立体的に導電接続する構造を有し、加えて共通透明電極に相当する導電層が上下の基板の対向面に形成される構造を有していればよい。
【００２１】
本実施例では、表面型静電容量方式のオンセルタッチパネル機能を付与するために、図１に示すように、ＣＦ基板２０の裏面（ＴＦＴ基板１０に対向しない面）には、一様に透明導電膜層２１（例えば、シート抵抗が〜数ｋΩ／□の導電膜）が形成されている。さらに、ＣＦ基板２０の表面（ＴＦＴ基板１０に対向する面）には、一様に共通透明電極２４が形成されている。ＣＦ基板２０の裏面の透明導電膜層２１は、ＣＦ基板２０の製造段階で成膜しても良いし、例えば、貼り合わせパネルとして分断した後に塗布導電膜等で形成しても構わない。
【００２２】
一方、ＴＦＴ基板１０は、ＣＦ基板２０よりもサイズが大きく、ＣＦ基板２０を貼り合わせた時に、ＴＦＴ基板１０の一部が露出するようになっており、ＴＦＴ基板１０の表面（ＣＦ基板２０に対向する面）の露出部分には、トランスファ接続用の端子電極１１が形成されている。また、図示しないが、ＴＦＴ基板１０の表面には、端子電極１１を通して外部接続端子電極を介し回路基板に検出信号を伝達する信号配線が形成されている。
【００２３】
そして、ＣＦ基板２０とＴＦＴ基板１０を貼り合わせることによって液晶表示パネルが形成される。この液晶表示パネルには、後述するトランスファ接続構造に加えて、両基板の外側に偏光板（図示せず）が貼付されると共に、駆動ＩＣや信号基板（図示せず）等が接続され、バックライトを組み込んで、フロントシャーシ板金等を組み付けることによって、オンセルタッチパネル機能付き液晶表示装置が完成する。
【００２４】
次に、本実施例の液晶表示パネルにおけるトランスファ接続方法について、図２を参照して説明する。なお、図２の左側は液晶表示パネルを上面（ＣＦ基板２０側）から見た平面図であり、中央はこの平面図のＡ−Ａ’線における断面図である。また、図２の右側は従来の液晶表示パネルの断面図である。
【００２５】
まず、公知の方法を用いて、ＴＦＴ基板１０とＣＦ基板２０を作成する。ＴＦＴ基板１０及びＣＦ基板２０の作成方法は特に限定されないが、ＴＦＴ基板１０は、例えば、ガラス等の透明絶縁性基板上にゲート配線を並設し、各画素に対応する位置にＴＦＴを形成し、ゲート配線に直交する方向にドレイン配線を並設する。そして、各画素に画素電極を形成すると共に基板の周囲の任意の位置（本実施例では４隅）に端子電極１１を形成する。また、ＣＦ基板２０は、例えば、ＴＦＴ基板１０よりも小さいサイズ（端子電極１１に重ならないサイズ）のガラス等の透明絶縁性基板上に、ＴＦＴ基板１０の各画素に対向するように赤（Ｒ）・緑（Ｇ）・青（Ｂ）の３原色の色層を形成し、余分な光を遮断するためのＢＭ（遮光膜）２２を形成する、そして、基板全面をＯＣ層（平坦化膜）２３で覆い、その上に共通透明電極２４を形成する。また、共通透明電極２４と反対側の面に透明導電膜層２１を作成する。
【００２６】
次に、一方の基板に、ＣＦ基板２０の外形よりもやや小さいサイズの枠状のシール材３０を塗布し、両基板を貼り合わせた後、液晶注入用の孔から上下の基板の間隙内に液晶を注入する。若しくは、シール材３０を塗布した基板に液晶を滴下し、他方の基板を貼り合わせる。これにより、液晶表示パネルは、図２（ａ）に示すように、シール材３０の外側のＣＦ基板２０とＴＦＴ基板１０の間に間隙が形成され、その間隙においてＣＦ基板２０の共通透明電極２４が露出した状態になる。
【００２７】
次に、上記液晶表示パネルに対して、ＴＦＴ基板１０の端子電極１１とＣＦ基板２０の透明導電膜層２１をトランスファ接続するが、その際、上下の基板の間隙部分に後述の導電部材３２が染み込まないようにするために、本実施例では、図２（ｂ）に示すように、粘性を有する絶縁性樹脂３１を塗布する。この絶縁性樹脂３１を塗布する箇所は、後述の信号検出用電極３３をトランスファ接続する箇所近傍であって、少なくともＣＦ基板２０の４隅部分におけるＣＦ基板２０とＴＦＴ基板１０の間隙部分である。この絶縁性樹脂３１により、上記間隙部分の外側（ＣＦ基板２０の端側）が少なくとも封止され、かつ、側面部分が順テーパー形状となる。
【００２８】
なお、本実施例では、ＣＦ基板２０の４隅部分に絶縁性樹脂３１を塗布しているが、絶縁性樹脂３１はＣＦ基板２０の周囲全体に塗布することもできる。また、この絶縁性樹脂３１は、例えばシリコーン樹脂やアクリル樹脂などであるが、熱硬化型や常温硬化型、ＵＶ硬化型など、要求する絶縁性レベル（≧数ＭΩ）を維持できる材料であれば構わない。また、絶縁性樹脂３１の塗布方法は、ディスペンサ塗布やインクジェット塗布、滴下充填法（毛細管現象で間隙部分に樹脂を染み込ませる方法）等を用いることができる。
【００２９】
絶縁性樹脂３１を硬化させた後、図２（ｃ）に示すように、タッチパネル機能を付与するために、ＣＦ基板２０の裏面（ＴＦＴ基板１０に対向しない面）の透明導電膜層２１上の４隅部分に、所定の形状（ここではＬ字型）の信号検出用電極３３を形成する。この信号検出用電極３３は、Ａｇペースト等の導電部材を塗布、あるいは印刷法で形成することができる。あるいは、Ｃｕ箔であらかじめ所定の形状とした部品を異方性導電膜等の導電テープを介して圧着接続して電極とすることも可能である。
【００３０】
そして、図２（ｄ）に示すように、ＣＦ基板２０上の信号検出用電極３３とＴＦＴ基板１０上の端子電極１１とを、ＣＦ基板２０の側面を介して、Ａｇペースト等の粘性を有する導電部材３２によってトランスファ接続する。その際、導電部材３２は、絶縁性樹脂３１を塗布した領域からはみ出さないようにする。このトランスファ接続には、ディスペンサやインクジェットによる塗布、あるいは印刷法（例えばパッド印刷法）等を適用することができる。その後、導電部材３２の材料特性に応じて加熱焼成やＵＶ照射等を行って導電部材３２を硬化させ、所望のトランスファ接続構造を得る。
【００３１】
このように、本実施例の液晶表示パネルでは、トランスファ接続部において、ＣＦ基板２０とＴＦＴ基板１０の段差部分及び間隙部分に絶縁性樹脂３１が配置されているため、当該間隙部分に、ＣＦ基板２０の信号検出用電極３３とＴＦＴ基板１０の端子電極１１とを接続するための導電部材３２が染み込むことがなく、ＣＦ基板２０の共通透明電極２４と導電部材３２のショート不良を未然に防止することができる。
【００３２】
また、ＣＦ基板２０とＴＦＴ基板１０の段差部分は、絶縁性樹脂３１によって順テーパー形状となるため、導電部材３２が絶縁性樹脂３１の表面に沿って濡れ広がり、気泡の巻き込みを抑制することができるため、導電部材３２の硬化時に生じるクラックによるトランスファ導通不良の発生を未然に防止することができる。
【実施例２】
【００３３】
次に、本発明の第２の実施例に係る接続構造及び当該接続構造を備える表示装置について、図３及び図４を参照して説明する。図３は、本実施例の液晶表示装置の構造を模式的に示す斜視図であり、図４は、本実施例の液晶表示装置のトランスファ接続部の構造を模式的に示す断面図である。
【００３４】
前記した第１の実施例では、ＣＦ基板２０の表面（ＴＦＴ基板１０に対向する面）の全体に共通透明電極２４が形成されているため、絶縁性樹脂３１の塗布量が少ない場合は、共通透明電極２４が部分的に露出して導電部材３２と接触する恐れがある。また、導電部材３２を塗布する領域の幅が絶縁性樹脂３１よりも広い場合も、絶縁性樹脂３１で覆われていない共通透明電極２４が導電部材３２と接触する恐れがある。
【００３５】
そこで、第２の実施例では、共通透明電極２４が導電部材３２と接触する危険性を減らすために、図３及び図４に示すように、ＣＦ基板２０のＴＦＴ基板１０に対向する面側において、トランスファ接続する４隅領域の共通透明電極２４をあらかじめ除去する構成とする。
【００３６】
この４隅領域の共通透明電極２４を除去する方法としては、メタルマスクスパッタにて当該４隅領域に共通透明電極２４となるＩＴＯ膜等が形成されないようにしても構わないし、全面に共通透明電極２４となるＩＴＯ膜等をスパッタした後に、４隅領域のＩＴＯ膜等をエッチングによって除去しても構わない。また、共通透明電極２４を除去する代わりに、４隅領域の共通透明電極２４上に絶縁膜を形成する構成とすることもできる。
【００３７】
また、共通透明電極２４を除去する領域は図３の矩形形状に限定されず、例えば、ＣＦ基板２０の周縁の共通透明電極２４を帯状に除去してもよい。また、共通透明電極２４をＣＦ基板２０の端部からどの程度後退させるかは任意であるが、共通透明電極２４を除去した部分がシール材３０を塗布する領域と重なると、シール性能が低下する恐れがあることを考慮することが好ましい。
【００３８】
このように、第２の実施例では、トランスファ接続構造の断面において、共通透明電極２４をＣＦ基板２０の端部から後退させた構造としているため、絶縁レベルが高くなり、導電部材３２と共通透明電極２４間のショート不良をより確実に、高い歩留りで防止することができ、第１の実施例における絶縁効果をさらに向上させることができる。
【実施例３】
【００３９】
次に、本発明の第３の実施例に係る接続構造及び当該接続構造を備える表示装置について、図５を参照して説明する。図５は、本実施例の液晶表示装置のトランスファ接続部の構造を模式的に示す断面図である。
【００４０】
前記した第１及び第２の実施例では、絶縁性樹脂３１を塗布した後、導電部材３２を塗布する構成としたが、この方法では、導電部材３２を塗布する前に絶縁性樹脂３１を加熱やＵＶ照射によって硬化させなければならない。また、絶縁性樹脂３１の塗布が不十分な場合は、共通透明電極２４が露出する恐れがある。
【００４１】
そこで、第３の実施例では、絶縁性樹脂３１と導電部材３２を２段階に分けて塗布するのではなく、導電部材３２のみを塗布することによって、第２の実施例と同様の構造が得られるようにする。
【００４２】
具体的に説明すると、図５に示すように、導電部材３２の一例であるＡｇペーストは、絶縁性樹脂３２ａ中に導電性フィラー３２ｂであるＡｇ粉（図では理解を容易にするために大きく表示している。）が３０％〜９５％程度混合されている。そこで、絶縁性樹脂３２ａに含有されるＡｇ粉の大きさ（図中の「φＡｇ」）をＣＦ基板２０とＴＦＴ基板１０の間隙のサイズ（図中の「Ｇ」）より大きくする（すなわち、φＡｇ＞Ｇの関係にする。）ことによって、間隙部分にＡｇ粉が染み込まないようにし、導電部材３２と共通透明電極２４間のショートを防止する。
【００４３】
このとき、Ａｇ粉を分散させる絶縁性樹脂３２ａの粘性を、ＣＦ基板２０とＴＦＴ基板１０の間隙に染み込む程度の粘性となるように設計することによって、間隙部分には絶縁性樹脂３２ａのみを染み込ませることができるため、導電部材３２のトランスファ接続工程において、共通透明電極２４との絶縁と上下の基板間の電極接続とを同時に実現することができる。
【００４４】
なお、図５では、第２の実施例と同様に、共通透明電極２４をＣＦ基板２０の端部から後退させた構造としているが、第１の実施例の図１の構造に対して、第３の実施例の導電部材３２を適用することもできる。この場合、共通透明電極２４の端面が導電性フィラー３２ｂと接触する可能性はあるが、接触面積は従来構造よりも遙かに小さくなるため、共通透明電極２４と導電部材３２の絶縁性を従来よりも高めることはできる。
【００４５】
このように、第３の実施例では、トランスファ接続構造において、ＣＦ基板２０とＴＦＴ基板１０の間隙に導電部材（導電性フィラー３２ｂ）が入り込まない構造としているため、第２の実施例と同様に、絶縁レベルが高くなり、導電部材３２と共通透明電極２４間のショート不良をより確実に、高い歩留りで防止することができる。また、第３の実施例では、導電部材３２を塗布する前に、絶縁性樹脂３１を塗布したり硬化させたりする必要がなくなるため、第２の実施例よりもトランスファ接続に要する時間を短縮することができる。
【００４６】
なお、本発明は上記各実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない限りにおいて、その構成は適宜変更可能である。例えば、ＯＣ層（平坦化膜）２３がない構造や、ＢＭ層（遮光層）２２を金属膜、あるいは低抵抗樹脂材料で形成する構造であっても、本発明を同様に適用することができる。また、上記実施例では、ＣＦ基板２０の表面（ＴＦＴ基板１０に対向する面）に共通透明電極２４が形成されている構造について記載したが、例えば、ＩＰＳ構造の液晶表示パネルや電子ペーパーディスプレイのように共通透明電極２４がない構造（図６、図７参照）に対しても本発明を適用することができる。これらの構造では、共通透明電極２４がないため、ショート不良は発生し得ないが、導電部材３２の硬化時に生じるクラックによるトランスファ導通不良の発生を防止する効果は得られる。
【００４７】
さらに、各実施例のトランスファ接続構造においては、少なくとも導電部材に対して図示しない絶縁性保護樹脂（例えばシリコーン樹脂）による被覆、あるいは絶縁テープ等によってモジュール組立時の板金部材等との絶縁性を必要に応じて確保しても良い。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明は、トランスファ接続構造を使用して上下の基板に設けた電極を接続する表示装置、特に、タッチパネル機能を形成して一体化したインセルタッチパネル、あるいはオンセルタッチパネルに利用可能である。
【符号の説明】
【００４９】
１０ ＴＦＴ基板
１１ 端子電極
２０ ＣＦ基板
２１ 透明導電膜層
２２ 遮光膜
２３ 平坦化膜
２４ 共通透明電極
３０ シール材
３１ 絶縁性樹脂
３２ 導電部材
３２ａ 絶縁性樹脂
３２ｂ 導電性フィラー
３３ 信号検出用電極
４０ フィルム基板
４１ Ｅ−ｉｎｋフィルム
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接続構造及び当該接続構造を備える表示装置に関し、特に、上下の基板に設けた電極を導電部材で接続するトランスファ接続構造及び当該トランスファ接続構造を備える液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置の一つである液晶表示装置は、近年、タッチパネル機能を付与した表示機器として利用されることが多くなってきており、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）パネルの製造工程でタッチパネル機能を形成して一体化したインセルタッチパネル、あるいはオンセルタッチパネルの開発が進められている。オンセルタッチパネル、特に、表面型静電容量方式のオンセルタッチパネルでは、上下の基板上に設けた電極間を導電部材で接続するトランスファ接続構造が採用されている。
【０００３】
上記トランスファ接続構造は、具体的には、ＣＦ（Color Filter）基板の裏面（ＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板に対向しない面）にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜層を一様に形成し、ＣＦ基板の裏面の４隅にＡｇペースト等の導電部材を用いてタッチ時の静電容量変化を検知する信号検出用電極を形成して、この信号検出用電極とＴＦＴ基板上に設けた端子電極とを粘性を有する導電部材を用いて接続するものである。このトランスファ接続構造は、一般的なＬＣＤパネルの構造を大きく変えることなく、比較的容易に実現可能である点で注目されており、トランスファ接続構造に関する様々な技術が提案されている。
【０００４】
例えば、下記特許文献１には、第１の基板と、前記第１の基板に対向配置される第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板とに狭持された電気光学物質と、前記第１の基板の前記電気光学物質側の面に形成された共通電極及び画素電極と、前記第１の基板の前記第２の基板の一辺から外側へ張り出す張り出し領域の前記第２の基板側の面に形成された接地用端子と、前記第２の基板の前記電気光学物質と反対側の面に形成された導電層と、前記第２の基板の前記一辺側の前記導電層の端部の少なくとも一部において前記接地用端子と電気的に接続される導通部と、前記第２の基板の前記導電層の上に前記導通部を少なくとも除いて形成される光学部材と、前記第１の基板の前記張り出し領域から前記第２の基板の前記導電層が形成された領域にわたる領域の少なくとも一部を被覆する被覆部材と、を備え、前記被覆部材は、前記接地用端子及び前記導通部に重なる領域に開口を有し、前記接地用端子と前記導通部は、前記被覆部材の前記開口内に配置された導電部材を通じて電気的に接続される電気光学装置が開示されている。また、下記特許文献２にも、同様の電気光学装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−２９９１６１号公報
【特許文献２】特開２００９−００８９７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述した従来のトランスファ接続構造は、図１０に示すように、第１の基板と第２の基板が貼り合わされ、第１の基板（ＴＦＴ基板）の張り出し部に設けられた電極（接地用端子）と、第２の基板（ＣＦ基板）上の導電層とを、導電部材を用いて接続する構造であるが、この構造には重大な問題がある。
【０００７】
第１の問題は、特許文献１、２のトランスファ接続構造は、いわゆるＩＰＳ（In Plane Switching）方式（横電界方式）のような、ＣＦ基板に共通電極が存在しない場合に限定されるということである。すなわち、ＴＮ（Twisted Nematic）方式（縦電界方式）の液晶表示装置では、上下の基板間に電圧を印加して液晶を駆動するため、ＣＦ基板のＴＦＴ基板に対向する面にはＩＴＯ等からなる共通透明電極が必要になる。そのため、トランスファ接続に用いる導電部材がＣＦ基板とＴＦＴ基板の間隙に染み込み、図８に示すように、ＣＦ基板に形成された共通透明電極と導電部材とが容易にショート不良を引き起こしてしまう。
【０００８】
第２の問題は、トランスファ接続構造に使用する導電部材の材料特性によっては、ＣＦ基板とＴＦＴ基板の段差部分において、導電部材にクラックが発生し、導通不良を引き起こすことがあるということである。すなわち、図９（ａ）のように導電部材を塗布した場合、導電部材の材料特性（粘性・チクソ性）によっては、導電部材がＣＦ基板とＴＦＴ基板の段差部分で完全に濡れ広がらず、気泡を巻き込んでしまう。この気泡は、導電部材によって閉じ込められた空気であり、導電部材の硬化反応過程（例えば、焼成時の加熱）で膨張し、図９（ｂ）に示すように、逃げ場のない空気が内部から導電部材の表面を突き破って放出されるため、図９（ｃ）に示すように、トランスファ接続部分でクラックが発生する。
【０００９】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、その主たる目的は、電極間のショート不良を引き起こすことなく導電部材によるトランスファ接続を実現し、さらには導電部材のクラックによる導通不良を防止することができる、信頼性の高い接続構造及び当該接続構造を備える表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するため、本発明は、第１基板の上面に形成された第１電極と、前記第１基板の上面に貼り付けられた第２基板の上面に形成された第２電極と、を導電部材で接続する接続構造において、前記第２基板は、前記第１基板よりも外形サイズが小さく、前記第１電極は、前記第１基板上の前記第２基板の周囲に配置され、前記第２基板の周縁には、前記第１基板との間に間隙が形成されており、前記第１電極の近傍において、前記第２基板の側面の一部を覆い、前記第１基板と前記第２基板との間隙を埋めるように、絶縁性樹脂が配置され、前記第１基板の前記第１電極から、前記絶縁性樹脂上を通って、前記第２基板の前記第２電極に至る領域に、前記導電部材が配置されるものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の接続構造及び当該接続構造を備える表示装置によれば、トランスファ接続時において、貼り合わせた上下の基板の段差側面部分及び上下の基板間の間隙部分に絶縁性樹脂を配置するため、導電部材が上下の基板間の間隙部分に染み込まないようにすることができ、これにより、接続する必要のない電極との絶縁性を確保して、ショート不良の発生を未然に防止することができる。
【００１２】
加えて、本発明の接続構造及び当該接続構造を備える表示装置によれば、貼り合わせた上下の基板の段差部分は、配置した絶縁性樹脂によって順テーパー形状となるため、導電部材が絶縁性樹脂の表面に沿って濡れ広がりやすくなり、気泡の巻き込みを抑制することができ、これにより、段差部分で発生しやすい導電部材の硬化クラックによるトランスファ導通不良を未然に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置のトランスファ接続部の構造を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置におけるトランスファ接続方法を模式的に示す平面図及び断面図である。
【図３】本発明の第２の実施例に係る液晶表示装置の構造を模式的に示す斜視図である。
【図４】本発明の第２の実施例に係る液晶表示装置のトランスファ接続部の構造を模式的に示す断面図である。
【図５】本発明の第３の実施例に係る液晶表示装置のトランスファ接続部の構造を模式的に示す断面図である。
【図６】本発明の液晶表示装置のトランスファ接続部の他の構造を模式的に示す断面図である。
【図７】本発明の電子ペーパーディスプレイのトランスファ接続部の構造を模式的に示す断面図である。
【図８】従来の液晶表示装置のトランスファ接続部の構造及び問題を模式的に示す断面図である。
【図９】従来の液晶表示装置におけるトランスファ接続構造のクラックの発生メカニズムを説明する正面図及び側断面図である。
【図１０】従来（特開２００８−２９９１６１号公報）の液晶表示装置のトランスファ接続部の構造を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
背景技術で示したように、オンセルタッチパネル、特に、表面型静電容量方式のオンセルタッチパネルではトランスファ接続構造が採用されているが、トランスファ接続構造では、粘性を有する導電部材を使用して電極間の接続を行うため、上下の基板（例えば、ＣＦ基板とＴＦＴ基板）の段差部分において、上下の基板の間隙部分に導電部材が染み込んでしまう。その結果、接続する必要のない電極（例えば、ＣＦ基板のＴＦＴ基板側の面に形成された共通透明電極）とのショート不良が発生し、また、導電部材の硬化時のクラックによるトランスファ導通不良が発生するという問題が生じる。
【００１５】
そこで、本発明の一実施の形態では、導電部材にてトランスファ接続構造を形成する部分の内、少なくとも、上下の基板の段差側面部分及び上下の基板の間隙部分に絶縁性樹脂を配置する。これにより、少なくとも上下の基板の間隙部分の一部が封止されるため、導電部材と接続する必要のない電極（例えば、上下の基板の対向面に形成される電極）とのショートを防止することができる。また、トランスファ接続構造の近傍において、基板の端部の上記電極を除去したり、導電部材に含まれる導電性粒子のサイズを間隙部分よりも大きくしたりすることによって、上記電極とのショートをより確実に防止することができる。
【００１６】
また、絶縁性樹脂を配置することによって、上下の基板の段差部分を順テーパー形状とする。これにより、その後に配置する導電部材が広がりやすくなり、絶縁性樹脂上を跨ぐように導電部材が配置されるため、気泡の巻き込みを防止して、導電部材の硬化時のクラックによるトランスファ導通不良を防止することができる。
【００１７】
以下、図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の実施例では、表示装置としてＴＮ方式（縦電界方式）の液晶表示装置を例にして説明するが、本発明は、ＴＮやＩＰＳといった液晶表示装置の駆動方式に限定されるものではなく、プラズマディスプレイや有機ＥＬディスプレイ、電子ペーパーディスプレイなどに対しても同様に適用することができる。
【実施例１】
【００１８】
上記した本発明の実施の形態についてさらに詳細に説明すべく、本発明の第１の実施例に係る接続構造及び当該接続構造を用いた表示装置について、図１及び図２を参照して説明する。図１は、本実施例の液晶表示装置のトランスファ接続部の構造を模式的に示す断面図であり、図２は、本実施例の液晶表示装置におけるトランスファ接続方法を模式的に示す平面図及び断面図である。
【００１９】
本実施例の液晶表示装置を構成する表示パネルは、オンセルタッチパネル機能を備えた液晶表示パネルである。この液晶表示パネルは、通常のＴＮ駆動方式の液晶表示パネルと同様に、各画素に画素電極が形成された薄膜トランジスタ基板（以下、ＴＦＴ基板と称する。）と、各画素に色層が割り当てられ、全面に共通透明電極が形成されたカラーフィルタ基板（以下、ＣＦ基板と称する。）と、が液晶層を挟んでシール材を介して貼り合わされている。
【００２０】
なお、液晶表示パネルを構成する上下の基板は、上記のＴＦＴ基板及びＣＦ基板に限定されず、一方の基板が他方の基板よりもサイズが大きく、貼り合わせた時に上下の基板に段差部分が生じ、この段差部分を跨いで各々の基板に形成された電極間を立体的に導電接続する構造を有し、加えて共通透明電極に相当する導電層が上下の基板の対向面に形成される構造を有していればよい。
【００２１】
本実施例では、表面型静電容量方式のオンセルタッチパネル機能を付与するために、図１に示すように、ＣＦ基板２０の裏面（ＴＦＴ基板１０に対向しない面）には、一様に透明導電膜層２１（例えば、シート抵抗が〜数ｋΩ／□の導電膜）が形成されている。さらに、ＣＦ基板２０の表面（ＴＦＴ基板１０に対向する面）には、一様に共通透明電極２４が形成されている。ＣＦ基板２０の裏面の透明導電膜層２１は、ＣＦ基板２０の製造段階で成膜しても良いし、例えば、貼り合わせパネルとして分断した後に塗布導電膜等で形成しても構わない。
【００２２】
一方、ＴＦＴ基板１０は、ＣＦ基板２０よりもサイズが大きく、ＣＦ基板２０を貼り合わせた時に、ＴＦＴ基板１０の一部が露出するようになっており、ＴＦＴ基板１０の表面（ＣＦ基板２０に対向する面）の露出部分には、トランスファ接続用の端子電極１１が形成されている。また、図示しないが、ＴＦＴ基板１０の表面には、端子電極１１を通して外部接続端子電極を介し回路基板に検出信号を伝達する信号配線が形成されている。
【００２３】
そして、ＣＦ基板２０とＴＦＴ基板１０を貼り合わせることによって液晶表示パネルが形成される。この液晶表示パネルには、後述するトランスファ接続構造に加えて、両基板の外側に偏光板（図示せず）が貼付されると共に、駆動ＩＣや信号基板（図示せず）等が接続され、バックライトを組み込んで、フロントシャーシ板金等を組み付けることによって、オンセルタッチパネル機能付き液晶表示装置が完成する。
【００２４】
次に、本実施例の液晶表示パネルにおけるトランスファ接続方法について、図２を参照して説明する。なお、図２の左側は液晶表示パネルを上面（ＣＦ基板２０側）から見た平面図であり、中央はこの平面図のＡ−Ａ’線における断面図である。また、図２の右側は従来の液晶表示パネルの断面図である。
【００２５】
まず、公知の方法を用いて、ＴＦＴ基板１０とＣＦ基板２０を作成する。ＴＦＴ基板１０及びＣＦ基板２０の作成方法は特に限定されないが、ＴＦＴ基板１０は、例えば、ガラス等の透明絶縁性基板上にゲート配線を並設し、各画素に対応する位置にＴＦＴを形成し、ゲート配線に直交する方向にドレイン配線を並設する。そして、各画素に画素電極を形成すると共に基板の周囲の任意の位置（本実施例では４隅）に端子電極１１を形成する。また、ＣＦ基板２０は、例えば、ＴＦＴ基板１０よりも小さいサイズ（端子電極１１に重ならないサイズ）のガラス等の透明絶縁性基板上に、ＴＦＴ基板１０の各画素に対向するように赤（Ｒ）・緑（Ｇ）・青（Ｂ）の３原色の色層を形成し、余分な光を遮断するためのＢＭ（遮光膜）２２を形成する、そして、基板全面をＯＣ層（平坦化膜）２３で覆い、その上に共通透明電極２４を形成する。また、共通透明電極２４と反対側の面に透明導電膜層２１を作成する。
【００２６】
次に、一方の基板に、ＣＦ基板２０の外形よりもやや小さいサイズの枠状のシール材３０を塗布し、両基板を貼り合わせた後、液晶注入用の孔から上下の基板の間隙内に液晶を注入する。若しくは、シール材３０を塗布した基板に液晶を滴下し、他方の基板を貼り合わせる。これにより、液晶表示パネルは、図２（ａ）に示すように、シール材３０の外側のＣＦ基板２０とＴＦＴ基板１０の間に間隙が形成され、その間隙においてＣＦ基板２０の共通透明電極２４が露出した状態になる。
【００２７】
次に、上記液晶表示パネルに対して、ＴＦＴ基板１０の端子電極１１とＣＦ基板２０の透明導電膜層２１をトランスファ接続するが、その際、上下の基板の間隙部分に後述の導電部材３２が染み込まないようにするために、本実施例では、図２（ｂ）に示すように、粘性を有する絶縁性樹脂３１を塗布する。この絶縁性樹脂３１を塗布する箇所は、後述の信号検出用電極３３をトランスファ接続する箇所近傍であって、少なくともＣＦ基板２０の４隅部分におけるＣＦ基板２０とＴＦＴ基板１０の間隙部分である。この絶縁性樹脂３１により、上記間隙部分の外側（ＣＦ基板２０の端側）が少なくとも封止され、かつ、側面部分が順テーパー形状となる。
【００２８】
なお、本実施例では、ＣＦ基板２０の４隅部分に絶縁性樹脂３１を塗布しているが、絶縁性樹脂３１はＣＦ基板２０の周囲全体に塗布することもできる。また、この絶縁性樹脂３１は、例えばシリコーン樹脂やアクリル樹脂などであるが、熱硬化型や常温硬化型、ＵＶ硬化型など、要求する絶縁性レベル（≧数ＭΩ）を維持できる材料であれば構わない。また、絶縁性樹脂３１の塗布方法は、ディスペンサ塗布やインクジェット塗布、滴下充填法（毛細管現象で間隙部分に樹脂を染み込ませる方法）等を用いることができる。
【００２９】
絶縁性樹脂３１を硬化させた後、図２（ｃ）に示すように、タッチパネル機能を付与するために、ＣＦ基板２０の裏面（ＴＦＴ基板１０に対向しない面）の透明導電膜層２１上の４隅部分に、所定の形状（ここではＬ字型）の信号検出用電極３３を形成する。この信号検出用電極３３は、Ａｇペースト等の導電部材を塗布、あるいは印刷法で形成することができる。あるいは、Ｃｕ箔であらかじめ所定の形状とした部品を異方性導電膜等の導電テープを介して圧着接続して電極とすることも可能である。
【００３０】
そして、図２（ｄ）に示すように、ＣＦ基板２０上の信号検出用電極３３とＴＦＴ基板１０上の端子電極１１とを、ＣＦ基板２０の側面を介して、Ａｇペースト等の粘性を有する導電部材３２によってトランスファ接続する。その際、導電部材３２は、絶縁性樹脂３１を塗布した領域からはみ出さないようにする。このトランスファ接続には、ディスペンサやインクジェットによる塗布、あるいは印刷法（例えばパッド印刷法）等を適用することができる。その後、導電部材３２の材料特性に応じて加熱焼成やＵＶ照射等を行って導電部材３２を硬化させ、所望のトランスファ接続構造を得る。
【００３１】
このように、本実施例の液晶表示パネルでは、トランスファ接続部において、ＣＦ基板２０とＴＦＴ基板１０の段差部分及び間隙部分に絶縁性樹脂３１が配置されているため、当該間隙部分に、ＣＦ基板２０の信号検出用電極３３とＴＦＴ基板１０の端子電極１１とを接続するための導電部材３２が染み込むことがなく、ＣＦ基板２０の共通透明電極２４と導電部材３２のショート不良を未然に防止することができる。
【００３２】
また、ＣＦ基板２０とＴＦＴ基板１０の段差部分は、絶縁性樹脂３１によって順テーパー形状となるため、導電部材３２が絶縁性樹脂３１の表面に沿って濡れ広がり、気泡の巻き込みを抑制することができるため、導電部材３２の硬化時に生じるクラックによるトランスファ導通不良の発生を未然に防止することができる。
【実施例２】
【００３３】
次に、本発明の第２の実施例に係る接続構造及び当該接続構造を備える表示装置について、図３及び図４を参照して説明する。図３は、本実施例の液晶表示装置の構造を模式的に示す斜視図であり、図４は、本実施例の液晶表示装置のトランスファ接続部の構造を模式的に示す断面図である。
【００３４】
前記した第１の実施例では、ＣＦ基板２０の表面（ＴＦＴ基板１０に対向する面）の全体に共通透明電極２４が形成されているため、絶縁性樹脂３１の塗布量が少ない場合は、共通透明電極２４が部分的に露出して導電部材３２と接触する恐れがある。また、導電部材３２を塗布する領域の幅が絶縁性樹脂３１よりも広い場合も、絶縁性樹脂３１で覆われていない共通透明電極２４が導電部材３２と接触する恐れがある。
【００３５】
そこで、第２の実施例では、共通透明電極２４が導電部材３２と接触する危険性を減らすために、図３及び図４に示すように、ＣＦ基板２０のＴＦＴ基板１０に対向する面側において、トランスファ接続する４隅領域の共通透明電極２４をあらかじめ除去する構成とする。
【００３６】
この４隅領域の共通透明電極２４を除去する方法としては、メタルマスクスパッタにて当該４隅領域に共通透明電極２４となるＩＴＯ膜等が形成されないようにしても構わないし、全面に共通透明電極２４となるＩＴＯ膜等をスパッタした後に、４隅領域のＩＴＯ膜等をエッチングによって除去しても構わない。また、共通透明電極２４を除去する代わりに、４隅領域の共通透明電極２４上に絶縁膜を形成する構成とすることもできる。
【００３７】
また、共通透明電極２４を除去する領域は図３の矩形形状に限定されず、例えば、ＣＦ基板２０の周縁の共通透明電極２４を帯状に除去してもよい。また、共通透明電極２４をＣＦ基板２０の端部からどの程度後退させるかは任意であるが、共通透明電極２４を除去した部分がシール材３０を塗布する領域と重なると、シール性能が低下する恐れがあることを考慮することが好ましい。
【００３８】
このように、第２の実施例では、トランスファ接続構造の断面において、共通透明電極２４をＣＦ基板２０の端部から後退させた構造としているため、絶縁レベルが高くなり、導電部材３２と共通透明電極２４間のショート不良をより確実に、高い歩留りで防止することができ、第１の実施例における絶縁効果をさらに向上させることができる。
【実施例３】
【００３９】
次に、本発明の第３の実施例に係る接続構造及び当該接続構造を備える表示装置について、図５を参照して説明する。図５は、本実施例の液晶表示装置のトランスファ接続部の構造を模式的に示す断面図である。
【００４０】
前記した第１及び第２の実施例では、絶縁性樹脂３１を塗布した後、導電部材３２を塗布する構成としたが、この方法では、導電部材３２を塗布する前に絶縁性樹脂３１を加熱やＵＶ照射によって硬化させなければならない。また、絶縁性樹脂３１の塗布が不十分な場合は、共通透明電極２４が露出する恐れがある。
【００４１】
そこで、第３の実施例では、絶縁性樹脂３１と導電部材３２を２段階に分けて塗布するのではなく、導電部材３２のみを塗布することによって、第２の実施例と同様の構造が得られるようにする。
【００４２】
具体的に説明すると、図５に示すように、導電部材３２の一例であるＡｇペーストは、絶縁性樹脂３２ａ中に導電性フィラー３２ｂであるＡｇ粉（図では理解を容易にするために大きく表示している。）が３０％〜９５％程度混合されている。そこで、絶縁性樹脂３２ａに含有されるＡｇ粉の大きさ（図中の「φＡｇ」）をＣＦ基板２０とＴＦＴ基板１０の間隙のサイズ（図中の「Ｇ」）より大きくする（すなわち、φＡｇ＞Ｇの関係にする。）ことによって、間隙部分にＡｇ粉が染み込まないようにし、導電部材３２と共通透明電極２４間のショートを防止する。
【００４３】
このとき、Ａｇ粉を分散させる絶縁性樹脂３２ａの粘性を、ＣＦ基板２０とＴＦＴ基板１０の間隙に染み込む程度の粘性となるように設計することによって、間隙部分には絶縁性樹脂３２ａのみを染み込ませることができるため、導電部材３２のトランスファ接続工程において、共通透明電極２４との絶縁と上下の基板間の電極接続とを同時に実現することができる。
【００４４】
なお、図５では、第２の実施例と同様に、共通透明電極２４をＣＦ基板２０の端部から後退させた構造としているが、第１の実施例の図１の構造に対して、第３の実施例の導電部材３２を適用することもできる。この場合、共通透明電極２４の端面が導電性フィラー３２ｂと接触する可能性はあるが、接触面積は従来構造よりも遙かに小さくなるため、共通透明電極２４と導電部材３２の絶縁性を従来よりも高めることはできる。
【００４５】
このように、第３の実施例では、トランスファ接続構造において、ＣＦ基板２０とＴＦＴ基板１０の間隙に導電部材（導電性フィラー３２ｂ）が入り込まない構造としているため、第２の実施例と同様に、絶縁レベルが高くなり、導電部材３２と共通透明電極２４間のショート不良をより確実に、高い歩留りで防止することができる。また、第３の実施例では、導電部材３２を塗布する前に、絶縁性樹脂３１を塗布したり硬化させたりする必要がなくなるため、第２の実施例よりもトランスファ接続に要する時間を短縮することができる。
【００４６】
なお、本発明は上記各実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない限りにおいて、その構成は適宜変更可能である。例えば、ＯＣ層（平坦化膜）２３がない構造や、ＢＭ層（遮光層）２２を金属膜、あるいは低抵抗樹脂材料で形成する構造であっても、本発明を同様に適用することができる。また、上記実施例では、ＣＦ基板２０の表面（ＴＦＴ基板１０に対向する面）に共通透明電極２４が形成されている構造について記載したが、例えば、ＩＰＳ構造の液晶表示パネルや電子ペーパーディスプレイのように共通透明電極２４がない構造（図６、図７参照）に対しても本発明を適用することができる。これらの構造では、共通透明電極２４がないため、ショート不良は発生し得ないが、導電部材３２の硬化時に生じるクラックによるトランスファ導通不良の発生を防止する効果は得られる。
【００４７】
さらに、各実施例のトランスファ接続構造においては、少なくとも導電部材に対して図示しない絶縁性保護樹脂（例えばシリコーン樹脂）による被覆、あるいは絶縁テープ等によってモジュール組立時の板金部材等との絶縁性を必要に応じて確保しても良い。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明は、トランスファ接続構造を使用して上下の基板に設けた電極を接続する表示装置、特に、タッチパネル機能を形成して一体化したインセルタッチパネル、あるいはオンセルタッチパネルに利用可能である。
【符号の説明】
【００４９】
１０ ＴＦＴ基板
１１ 端子電極
２０ ＣＦ基板
２１ 透明導電膜層
２２ 遮光膜
２３ 平坦化膜
２４ 共通透明電極
３０ シール材
３１ 絶縁性樹脂
３２ 導電部材
３２ａ 絶縁性樹脂
３２ｂ 導電性フィラー
３３ 信号検出用電極
４０ フィルム基板
４１ Ｅ−ｉｎｋフィルム
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板の上面に形成された第１電極と、前記第１基板の上面に貼り付けられた第２基板の上面に形成された第２電極と、を導電部材で接続する接続構造において、
前記第２基板は、前記第１基板よりも外形サイズが小さく、
前記第１電極は、前記第１基板上の前記第２基板の周囲に配置され、
前記第２基板の周縁には、前記第１基板との間に間隙が形成されており、
前記第１電極の近傍において、前記第２基板の側面の一部を覆い、前記第１基板と前記第２基板との間隙を埋めるように、絶縁性樹脂が配置され、
前記第１基板の前記第１電極から、前記絶縁性樹脂上を通って、前記第２基板の前記第２電極に至る領域に、前記導電部材が配置される、ことを特徴とする接続構造。
【請求項２】
前記第２基板の前記第１基板に対向する面において、少なくとも前記第２基板の端部周縁に第３電極が形成されている、ことを特徴とする請求項１に記載の接続構造。
【請求項３】
前記第３電極は、前記第１電極の近傍部分が除去されている、ことを特徴とする請求項２に記載の接続構造。
【請求項４】
前記導電部材は、導電性粒子を前記絶縁性樹脂に分散させた構成であり、前記導電性粒子の粒径は、前記第１基板と前記第２基板との間隙よりも大きく設定され、前記第１基板と前記第２基板との間隙には、前記導電部材の導電性粒子は配置されず絶縁性樹脂のみが配置される、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一に記載の接続構造。
【請求項５】
前記導電部材は、導電性ペーストである、ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一に記載の接続構造。
【請求項６】
前記第１基板と前記第２基板との間隙を埋めるように配置された前記絶縁性樹脂は、前記第２基板の側面から前記第１基板表面にて順テーパー形状となる、ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一に記載の接続構造。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一に記載の前記接続構造を有する表示装置。
【請求項１】
第１基板の上面に形成された第１電極と、前記第１基板の上面に貼り付けられた第２基板の上面に形成された第２電極と、を導電部材で接続する接続構造において、
前記第２基板は、前記第１基板よりも外形サイズが小さく、
前記第１電極は、前記第１基板上の前記第２基板の周囲に配置され、
前記第２基板の周縁には、前記第１基板との間に間隙が形成されており、
前記第１電極の近傍において、前記第２基板の側面の一部を覆い、前記第１基板と前記第２基板との間隙を埋めるように、絶縁性樹脂が配置され、
前記第１基板の前記第１電極から、前記絶縁性樹脂上を通って、前記第２基板の前記第２電極に至る領域に、前記導電部材が配置される、ことを特徴とする接続構造。
【請求項２】
前記第２基板の前記第１基板に対向する面において、少なくとも前記第２基板の端部周縁に第３電極が形成されている、ことを特徴とする請求項１に記載の接続構造。
【請求項３】
前記第３電極は、前記第１電極の近傍部分が除去されている、ことを特徴とする請求項２に記載の接続構造。
【請求項４】
前記導電部材は、導電性粒子を前記絶縁性樹脂に分散させた構成であり、前記導電性粒子の粒径は、前記第１基板と前記第２基板との間隙よりも大きく設定され、前記第１基板と前記第２基板との間隙には、前記導電部材の導電性粒子は配置されず絶縁性樹脂のみが配置される、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一に記載の接続構造。
【請求項５】
前記導電部材は、導電性ペーストである、ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一に記載の接続構造。
【請求項６】
前記第１基板と前記第２基板との間隙を埋めるように配置された前記絶縁性樹脂は、前記第２基板の側面から前記第１基板表面にて順テーパー形状となる、ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一に記載の接続構造。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一に記載の前記接続構造を有する表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２０１２−２４２４３２（Ｐ２０１２−２４２４３２Ａ）
【公開日】平成２４年１２月１０日（２０１２．１２．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１０９３６７（Ｐ２０１１−１０９３６７）
【出願日】平成２３年５月１６日（２０１１．５．１６）
【出願人】（３０３０１８８２７）ＮＬＴテクノロジー株式会社 (547)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１２月１０日（２０１２．１２．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年５月１６日（２０１１．５．１６）
【出願人】（３０３０１８８２７）ＮＬＴテクノロジー株式会社 (547)
【Ｆターム（参考）】
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