電気光学装置および投射型表示装置
【課題】反射性画素電極の上層側に絶縁膜が形成されているか否かにかかわらず端子電極を設けることができるとともに、深いコンタクトホールを形成しなくても端子電極の導通を図ることができる電気光学装置、および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００において、端子電極１０２は、反射性の画素電極９ａと同一の層に設けられているとともに、画素電極９ａを構成する導電膜と同一種類の導電材料からなる。このため、画素電極９ａの上層側に平坦化膜１７等の絶縁膜が形成されているか否かにかかわらず、端子電極１０２を構成することができる。また、端子電極１０２を導通させるためのコンタクトホール４５ｓが浅い。画素電極９ａおよび端子電極１０２の上層側には平坦化膜１７が設けられており、平坦化膜１７の端子電極１０２と重なる領域には開口部１７ｓが設けられている。
【解決手段】電気光学装置１００において、端子電極１０２は、反射性の画素電極９ａと同一の層に設けられているとともに、画素電極９ａを構成する導電膜と同一種類の導電材料からなる。このため、画素電極９ａの上層側に平坦化膜１７等の絶縁膜が形成されているか否かにかかわらず、端子電極１０２を構成することができる。また、端子電極１０２を導通させるためのコンタクトホール４５ｓが浅い。画素電極９ａおよび端子電極１０２の上層側には平坦化膜１７が設けられており、平坦化膜１７の端子電極１０２と重なる領域には開口部１７ｓが設けられている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の一方面側に反射性画素電極および端子電極が設けられた電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた投射型表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
各種の電気光学装置のうち、反射型液晶装置は、一方面側に反射性画素電極およびスイッチング素子が形成された素子基板と、共通電極が形成された対向基板との間に液晶材料が保持された構造を有しており、素子基板に設けた端子電極にフレキシブル配線基板を接続することにより、素子基板に対して各種信号や各種電位が供給される。
【０００３】
ここで、反射性画素電極はアルミニウム等の金属膜により構成されており、端子電極はＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜等により構成されている（特許文献１参照）。また、特許文献１に記載の構成では、反射性画素電極の上層側に絶縁膜からなる保護膜が形成されており、ＩＴＯ膜からなる端子電極は保護膜の上層側に形成されている。
【０００４】
なお、基板の表面に凹凸を形成しておくことにより、反射性画素電極の表面に散乱用の凹凸を設ける一方、端子電極を反射性画素電極と同一種類の導電材料により形成することにより、表面に凹凸を備えた端子電極を形成する技術が提案されている（特許文献２参照）。また、基板の表面に凹凸を備えたフォトレジストを形成しておくことにより、反射性画素電極の表面に散乱用の凹凸を設ける一方、フォトレジストが形成されていない領域に、反射性画素電極と同一種類の導電材料からなる端子電極を形成する技術が提案されている（特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−７８７５９号公報
【特許文献２】特開２０００−１８７２３８号公報
【特許文献３】特開２００２−３２８３９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の技術は、反射性画素電極の上層側に絶縁膜からなる保護膜が形成されている場合のみに適用できる構成であり、適用される電気光学装置の構成が限定されてしまう。また、保護膜の上層側に形成した導電膜を利用して端子電極を形成する場合、保護膜および層間絶縁膜を貫通するような極めて深いコンタクトホールを形成する必要があり、かかるコンタクトホールを形成する際にはプロセス面でのマージンが小さいため、歩留まりが低下しやすいという問題点もある。また、保護膜および層間絶縁膜を貫通するような極めて深いコンタクトホールを介して、端子電極と配線や電極とを導通させる必要があるため、信頼性が低いという問題点もある。
【０００７】
なお、特許文献２、３には、端子電極を反射性画素電極と同一種類の導電材料により形成した構成が記載されているが、特許文献２に記載の技術は、スイッング素子の上層側に層間絶縁膜が形成されている場合には適用できず、特許文献３に記載の技術は、端子電極の形成領域に層間絶縁膜が形成されている場合には適用できない。
【０００８】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、反射性画素電極の上層側に絶縁膜が形成されているか否かにかかわらず端子電極を設けることができるとともに、深いコンタクトホールを形成しなくても端子電極の導通を図ることができる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた投射型表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置は、基板と、複数の画素に対応して前記基板の一方面側に設けられた複数の反射性画素電極と、前記複数の画素に対応して前記基板と前記複数の反射性画素電極との間に設けられたスイッチング素子と、該スイッチング素子と前記複数の反射性画素電極との間に設けられた層間絶縁膜と、前記複数の反射性画素電極と同一の層に設けられ、前記層間絶縁膜の前記スイッチング素子と反対側に設けられた端子電極と、を有することを特徴とする。
【００１０】
本発明において、端子電極は、反射性画素電極と同一の層に設けられているため、反射性画素電極の上層側に絶縁膜からなる保護膜が形成されているか否かにかかわらず、端子電極を構成することができる。また、端子電極は、反射性画素電極と同一の層に設けられているため、端子電極を下層側の中継電極や配線に導通させる場合でも、画素電極を下層側の中継電極と導通させるための構造と同一の構造を採用することができる。従って、端子電極を下層側の中継電極や配線と導通させる場合でも、深いコンタクトホールを形成しなくてもよい。それ故、深いコンタクトホールを形成する際のプロセス上のマージンが小さいことに起因する歩留まり低下や、深いコンタクトホールを介しての導通に起因する信頼性の低下等を回避することができる。
【００１１】
前記複数の反射性画素電極および前記端子電極は、同一の平坦膜の前記基板とは反対側の面に設けられていることが好ましい。かかる構成によれば、反射性画素電極および端子電極を平坦面に形成する場合でも、平坦化のための研磨工程の数が少なく済む。また、平坦膜を形成する際の研磨によって、コンタクトホールを形成すべき絶縁膜の厚さが薄くなる。
【００１２】
本発明において、前記複数の反射性画素電極および前記端子電極に対して前記基板と反対側に設けられた平坦化膜を備え、当該平坦化膜の前記端子電極と重なる領域には開口部が設けられている構成を採用することができる。かかる構成によれば、画素電極および端子電極の上層側に平坦化膜が設けられている場合でも、端子電極にフレキシブル配線基板等を接続することができる。また、平坦化膜を形成した場合でも、端子電極は、平坦化膜より下層側に形成されているため、端子電極を下層側に導通させる際、層間絶縁膜に深いコンタクトホールを形成しなくてもよい。また、同一の層に画素電極および端子電極が形成され、かかる画素電極および端子電極の上層側に平坦化膜が設けられているため、平坦化膜を形成するにあたって、絶縁膜を形成した後、絶縁膜の表面を研磨する際、絶縁膜を成膜した時点では画素電極の形成領域と端子電極の形成領域との間に大きな高低差が存在しない。それ故、研磨を行った際、画素電極の形成領域の表面を平坦面とすることができる。
【００１３】
本発明において、前記複数の反射性画素電極は、前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して中継電極に導通し、前記端子電極は、前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記中継電極と同一の層に形成された配線または中継電極に導通している構成を採用することが好ましい。かかる構成によれば、画素電極を下層側に導通させるためのコンタクトホールの形成と、端子電極を下層側の電極や配線に導通させるためのコンタクトホールの形成とを同時に行うことができる。また、画素電極が導通する中継電極と、端子電極が導通する配線や電極とを同時に形成することができる。従って、製造プロセスの簡素化を図ることができる。
【００１４】
本発明において、前記複数の反射性画素電極および前記端子電極に対して前記基板と反対側に設けられた誘電体多層膜を備え、当該誘電体多層膜の前記端子電極と重なる領域には開口部が設けられている構成を採用することができる。かかる構成によれば、誘電体多層膜が増反射膜として機能するため、表示光量の増大を図ることができる。
【００１５】
本発明において、前記端子電極に対して前記基板と反対側で重なる導電性保護層が設けられている構成を採用することができる。
【００１６】
本発明において、前記複数の反射性画素電極と同一の層に設けられた基板間導通用電極と、前記基板に対向する対向基板と前記基板間導通用電極との間に介在する基板間導通材と、を有している構成を採用することができる。かかる構成によれば、端子電極と基板間導通用電極とを同時に形成することができる。
【００１７】
本発明に係る電気光学装置は投射型表示装置に用いることができ、この場合、投射型表示装置は、前記電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系を有している。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の液晶パネルの説明図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の画素の構成を示す説明図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の端子電極の構成を画素の構成と比較して示す説明図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の基板間導通用電極の構成を示す説明図である。
【図６】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の製造方法を示す説明図である。
【図７】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の製造方法を示す説明図である。
【図８】本発明の実施の形態２に係る電気光学装置の端子電極の構成を画素の構成と比較して示す説明図である。
【図９】本発明の実施の形態３に係る電気光学装置の端子電極の構成を画素の構成と比較して示す説明図である。
【図１０】本発明の実施の形態４に係る電気光学装置の端子電極の構成を画素の構成と比較して示す説明図である。
【図１１】本発明の実施の形態５に係る電気光学装置の端子電極の構成を画素の構成と比較して示す説明図である。
【図１２】本発明の実施の形態６に係る電気光学装置の端子電極の構成を画素の構成と比較して示す説明図である。
【図１３】本発明を適用した電気光学装置を用いた投射型表示装置の概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。なお、電界効果型トランジスターを流れる電流の方向が反転する場合、ソースとドレインとが入れ替わるが、以下の説明では、便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとし、データ線が接続されている側をソースとして説明する。また、素子基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは素子基板の基板本体が位置する側とは反対側（対向基板が位置する側）を意味し、下層側とは素子基板の基板本体が位置する側を意味する。また、対向基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは対向基板の基板本体が位置する側とは反対側（素子基板が位置する側）を意味し、下層側とは対向基板の基板本体が位置する側を意味する。
【００２０】
［実施の形態１］
（全体構成）
図１は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。図１において、電気光学装置１００はＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶パネル１００ｐを有しており、液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画像表示領域１０ａ（画素配列領域／有効画素領域）を備えている。液晶パネル１００ｐにおいて、後述する第１基板１０（図２等を参照）では、画像表示領域１０ａの内側で複数本のデータ線６ａおよび複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交差部分に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、電界効果型トランジスター（スイッチング素子）からなる画素トランジスター３０、および後述する画素電極９ａが形成されている。画素トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。このようにして、電気光学装置１００では、複数の画素１００ａの各々に対応して複数の画素電極９ａおよび複数の画素トランジスター３０が形成されている。
【００２１】
第１基板１０において、画像表示領域１０ａより外周側には走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１が設けられている。データ線駆動回路１０１は各データ線６ａに電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線６ａに順次供給する。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続しており、走査信号を各走査線３ａに順次供給する。
【００２２】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する第２基板２０（図２等を参照）に形成された共通電極と液晶層を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に蓄積容量５５が付加されている。本形態では、蓄積容量５５を構成するために、第１基板１０には、複数の画素１００ａに跨って延在する容量線５ｂが形成されている。本形態において、容量線５ｂは、共通電位Ｖcomが印加された定電位配線７ｔに導通している。
【００２３】
（液晶パネル１００ｐおよび第１基板１０の構成）
図２は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の液晶パネル１００ｐの説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）は各々、液晶パネル１００ｐを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【００２４】
図２に示すように、液晶パネル１００ｐでは、第１基板１０（素子基板）と第２基板２０（対向基板）とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は第２基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバーあるいはガラスビーズ等のギャップ材１０７ａが配合されている。液晶パネル１００ｐにおいて、第１基板１０と第２基板２０との間のうち、シール材１０７によって囲まれた領域内には液晶層５０が保持されている。本形態において、シール材１０７には、液晶注入口として利用される途切れ部分１０７ｃが形成されており、かかる途切れ部分１０７ｃは、液晶材料の注入後、封止材１０８によって塞がれている。
【００２５】
かかる構成の液晶パネル１００ｐにおいて、第１基板１０および第２基板２０はいずれも四角形であり、液晶パネル１００ｐの略中央には、図１を参照して説明した画像表示領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、画像表示領域１０ａの外側は、四角枠状の外周領域１０ｃになっている。
【００２６】
第１基板１０において、外周領域１０ｃでは、第１基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子電極１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。なお、端子電極１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、第１基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。
【００２７】
詳しくは後述するが、第１基板１０の一方面１０ｓおよび他方面１０ｔのうち、第２基板２０と対向する一方面１０ｓの側において、画像表示領域１０ａには、図１を参照して説明した画素トランジスター３０、および画素トランジスター３０に電気的に接続する画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極９ａの上層側には配向膜１６が形成されている。
【００２８】
また、第１基板１０の一方面１０ｓの側において、画像表示領域１０ａより外側の外周領域１０ｃのうち、画像表示領域１０ａとシール材１０７とに挟まれた四角枠状の周辺領域１０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。ダミー画素電極９ｂは、隣り合うダミー画素電極９ｂ同士が細幅の連結部（図示せず）で繋がっている。また、ダミー画素電極９ｂは、共通電位Ｖcomが印加されており、画像表示領域１０ａの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止する。また、ダミー画素電極９ｂは、第１基板１０において配向膜１６が形成される面を研磨により平坦化する際、画像表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置の差を圧縮し、配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。なお、ダミー画素電極９ｂに電位を印加せず、ダミー画素電極９ｂを電位的にフロート状態とする場合もあり、この場合でも、ダミー画素電極９ｂは、画像表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置の差を圧縮し、配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。
【００２９】
第２基板２０の一方面２０ｓおよび他方面２０ｔのうち、第１基板１０と対向する一方面２０ｓの側には共通電極２１が形成されている。共通電極２１は、第２基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って形成されている。本形態において、共通電極２１は、第２基板２０の略全面に形成されている。
【００３０】
また、第２基板２０の一方面２０ｓの側には、共通電極２１の下層側に遮光層２９が形成され、共通電極２１の表面には配向膜２６が積層されている。本形態において、遮光層２９は、画像表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁部分２９ａとして形成されており、遮光層２９の内周縁によって画像表示領域１０ａが規定されている。また、本形態において、遮光層２９は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆに重なるブラックマトリクス部２９ｂとしても形成されている。ここで、額縁部分２９ａはダミー画素電極９ｂと重なる位置に形成されており、額縁部分２９ａの外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にある。従って、額縁部分２９ａとシール材１０７とは重なっていない。
【００３１】
液晶パネル１００ｐにおいて、シール材１０７より外側には、第２基板２０の一方面２０ｓの側の４つの角部分に基板間導通用電極２５が形成されており、第１基板１０の一方面１０ｓの側には、第２基板２０の４つの角部分（基板間導通用電極２５）と対向する位置に基板間導通用電極１９が形成されている。本形態において、基板間導通用電極２５は、共通電極２１の一部からなる。基板間導通用電極１９は、共通電位Ｖcomが印加された定電位配線７ｔに導通しており、定電位配線７ｔは、端子電極１０２のうち、共通電位印加用の端子電極１０２ａに導通している。基板間導通用電極１９と基板間導通用電極２５との間には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９が配置されており、第２基板２０の共通電極２１は、基板間導通用電極１９、基板間導通材１０９および基板間導通用電極２５を介して、第１基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、第１基板１０の側から共通電位Ｖcomが印加されている。シール材１０７は、略同一の幅寸法をもって第２基板２０の外周縁に沿って設けられている。このため、シール材１０７は、略四角形である。但し、シール材１０７は、第２基板２０の角部分と重なる領域では基板間導通用電極１９、２５を避けて内側を通るように設けられており、シール材１０７の角部分は略円弧状である。
【００３２】
かかる構成の電気光学装置１００において、画素電極９ａは、アルミニウム膜等の反射性導電膜からなる反射性画素電極であり、共通電極２１はＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜等の透光性導電膜により形成されており、電気光学装置１００は反射型の液晶装置である。かかる反射型の電気光学装置１００では、第１基板１０および第２基板２０のうち、第２基板２０の側から入射した光が第１基板１０で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。
【００３３】
電気光学装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、第２基板２０あるいは第１基板１０には、カラーフィルター（図示せず）が形成される。また、電気光学装置１００では、使用する液晶層５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。さらに、電気光学装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各電気光学装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。
【００３４】
本形態において、電気光学装置１００が、後述する投射型表示装置においてＲＧＢ用のライトバルブとして用いられる透過型の液晶装置であって、液晶層５０として、誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を用いたＶＡモードの液晶パネル１００ｐを備えている場合を中心に説明する。
【００３５】
（画素１００ｐの具体的構成）
図３は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の画素１００ａの構成を示す説明図であり、図３（ａ）、（ｂ）は、第１基板１０において隣り合う複数の画素の平面図、およびＦ−Ｆ′線に相当する位置で電気光学装置１００を切断したときの断面図である。なお、図３では、各層を以下の線
下層側の遮光層８ａ＝細くて長い破線
半導体層１ａ＝細くて短い点線
走査線３ａ＝太い実線
ドレイン電極４ａ＝細い実線
データ線６ａおよび中継電極６ｂ＝細い一点鎖線
容量線５ｂ＝太い一点鎖線
上層側の遮光層７ａおよび中継電極７ｂ＝細い二点鎖線
画素電極９ａ＝太い破線
で示してある。また、図３（ａ）では、互いの端部が重なり合う層については、層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある。
【００３６】
図３に示すように、第１基板１０において第２基板２０と対向する一方面１０ｓには、複数の画素１００ａの各々に画素電極９ａが形成されており、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆに沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。本形態において、画素間領域１０ｆは縦横に延在しており、走査線３ａは画素間領域１０ｆのうち、Ｘ方向（第１方向）に延在する第１画素間領域１０ｇに沿って直線的に延在し、データ線６ａは、Ｙ方向（第２方向）に延在する第２画素間領域１０ｈに沿って直線的に延在している。また、データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応して画素トランジスター３０が形成されており、本形態において、画素トランジスター３０は、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域およびその付近を利用して形成されている。第１基板１０には容量線５ｂが形成されており、かかる容量線５ｂには共通電位Ｖcomが印加されている。本形態において、容量線５ｂは、走査線３ａおよびデータ線６ａに重なるように延在して格子状に形成されている。画素トランジスター３０の上層側には遮光層７ａが形成されており、かかる遮光層７ａは、データ線６ａに重なるように延在している。画素トランジスター３０の下層側には遮光層８ａが形成されており、かかる遮光層８ａは、走査線３ａと重なるように直線的に延びた主線部分と、データ線６ａと走査線３ａとの交差部分でデータ線６ａに重なるように延びた副線部分とを備えている。
【００３７】
第１基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体１０ｗの液晶層５０側の基板面（第２基板２０と対向する一方面１０ｓ側）に形成された画素電極９ａ、画素スイッチング用の画素トランジスター３０、および配向膜１６を主体として構成されている。第２基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ、その液晶層５０側の表面（第１基板１０と対向する一方面２０ｓ）に形成された遮光層２９、共通電極２１、および配向膜２６を主体として構成されている。
【００３８】
第１基板１０において、基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側には、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる下層側の遮光層８ａが形成されている。本形態において、遮光層８ａは、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）等の遮光膜からなり、電気光学装置１００を透過した後の光が他の部材で反射した際、かかる反射光が半導体層１ａに入射して画素トランジスター３０で光電流に起因する誤動作が発生することを防止する。なお、遮光層８ａを走査線として構成する場合もあり、この場合、後述するゲート電極３ｃと遮光層８ａを導通させた構成とする。
【００３９】
基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側において、遮光層８ａの上層側には、透光性の絶縁膜１２が形成されており、かかる絶縁膜１２の表面側に、半導体層１ａを備えた画素トランジスター３０が形成されている。本形態において、絶縁膜１２は、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ （ボロンリンシリケートガラス）等のシリコン酸化膜（シリケートガラスも含む。）や、シリコン窒化膜からなる。かかる絶縁膜１２は、シランガス（ＳｉＨ4）、２塩化シラン（ＳｉＣｌ2Ｈ2）、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン／テトラ・エチル・オルソ・シリケート／Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4）、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート）、ＴＭＯＰ（テトラ・メチル・オキシ・フォスレート）等を用いた常圧ＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、あるいはプラズマＣＶＤ法等により形成される。
【００４０】
画素トランジスター３０は、データ線６ａの延在方向に長辺方向を向けた半導体層１ａと、半導体層１ａの長さ方向と直交する方向に延在して半導体層１ａの長さ方向の中央部分に重なるゲート電極３ｃとを備えており、本形態において、ゲート電極３ｃは走査線３ａの一部からなる。画素トランジスター３０は、半導体層１ａとゲート電極３ｃとの間に透光性のゲート絶縁層２を有している。半導体層１ａは、ゲート電極３ｃに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇを備えているとともに、チャネル領域１ｇの両側にソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃを備えている。本形態において、画素トランジスター３０は、ＬＤＤ構造を有している。従って、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、チャネル領域１ｇの両側に低濃度領域を備え、低濃度領域に対してチャネル領域１ｇとは反対側で隣接する領域に高濃度領域を備えている。
【００４１】
半導体層１ａは、ポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）等によって構成されている。ゲート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化したシリコン酸化膜からなる第１ゲート絶縁層２ａと、温度が７００〜９００℃の高温条件での減圧ＣＶＤ法により形成されたシリコン酸化膜からなる第２ゲート絶縁層２ｂとの２層構造からなる。ゲート電極３ｃおよび走査線３ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、ゲート電極３ｃは、導電性のポリシリコン膜とタングステンシリサイド膜との２層構造を有している。
【００４２】
ゲート電極３ｃの上層側には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４１が形成され、層間絶縁膜４１の上層には、ドレイン電極４ａが形成されている。本形態において、層間絶縁膜４１は、シリコン酸化膜からなる。ドレイン電極４ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、ドレイン電極４ａはチタン窒化膜からなる。ドレイン電極４ａは、半導体層１ａのドレイン領域１ｃ（画素電極側ソースドレイン領域）と一部が重なるように形成されており、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４１ａを介してドレイン領域１ｃに導通している。
【００４３】
ドレイン電極４ａの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性のエッチングストッパー層４９、および透光性の誘電体層４０が形成されており、かかる誘電体層４０の上層側には容量線５ｂが形成されている。誘電体層４０としては、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のシリコン化合物を用いることができる他、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率の誘電体層を用いることができる。容量線５ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、容量線５ｂは、チタン窒化膜、アルミニウム膜、およびチタン窒化膜との３層構造を有している。ここで、容量線５ｂは、誘電体層４０を介してドレイン電極４ａと重なっており、蓄積容量５５を構成している。
【００４４】
容量線５ｂの上層側には層間絶縁膜４２が形成されており、かかる層間絶縁膜４２の上層側には、データ線６ａと中継電極６ｂとが同一種類の導電材料により形成されている。層間絶縁膜４２はシリコン酸化膜からなる。データ線６ａと中継電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、データ線６ａおよび中継電極６ｂは、アルミニウム合金膜や、チタン窒化膜とアルミニウム膜との２層乃至４層の積層膜からなる。データ線６ａは、層間絶縁膜４２、エッチングストッパー層４９、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４２ａを介してソース領域１ｂ（データ線側ソースドレイン領域）に導通している。中継電極６ｂは、層間絶縁膜４２およびエッチングストッパー層４９を貫通するコンタクトホール４２ｂを介してドレイン電極４ａに導通している。
【００４５】
データ線６ａおよび中継電極６ｂの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４４が形成されており、かかる層間絶縁膜４４の上層側には、遮光層７ａおよび中継電極７ｂが同一種類の導電材料によって形成されている。層間絶縁膜４４は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法や、シランガスと亜酸化窒素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜からなり、その表面は平坦化されている。遮光層７ａおよび中継電極７ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、遮光層７ａおよび中継電極７ｂは、アルミニウム合金膜や、チタン窒化膜とアルミニウム膜との２層乃至４層の積層膜からなる。中継電極７ｂは、層間絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール４４ａを介して中継電極６ｂに導通している。遮光層７ａは、データ線６ａと重なるように延在しており、遮光層として機能している。なお、遮光層７ａを容量線５ｂと導通させて、シールド層として利用してもよい。
【００４６】
遮光層７ａおよび中継電極７ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４５が形成されており、かかる層間絶縁膜４５の上層側には画素電極９ａが形成されている。画素電極９ａは、アルミニウム膜等の反射性導電膜からなる反射性画素電極であり、本形態において、画素電極９ａは、アルミニウム膜からなる。層間絶縁膜４５は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法や、シランガスと亜酸化窒素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜からなり、表面は平坦化されている。本形態において、層間絶縁膜４５は、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）からなる下層側の第１絶縁膜４５１と、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）からなる上層側の第２絶縁膜４５２との２層構造を有している。
【００４７】
画素電極９ａは、中継電極７ｂと部分的に重なっており、層間絶縁膜４５を貫通するコンタクトホール４５ａを介して中継電極７ｂに導通している。その結果、画素電極９ａは、中継電極７ｂ、中継電極６ｂおよびドレイン電極４ａを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続している。
【００４８】
画素電極９ａの表面には、表面が連続した平坦面からなるシリコン酸化膜等からなる平坦化膜１７が形成されており、かかる平坦化膜１７の上層に配向膜１６が形成されている。本形態において、平坦化膜１７は、隣り合う画素電極９ａの間に形成されているとともに、画素電極９ａの表面にも形成されている。本形態において、配向膜１６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜）からなる。
【００４９】
（第２基板２０の構成）
第２基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ（透光性基板）の液晶層５０側の表面（第１基板１０に対向する一方面２０ｓ）には、遮光層２９、シリコン酸化膜等からなる絶縁膜２８、およびＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる共通電極２１が形成されており、かかる共通電極２１を覆うように配向膜２６が形成されている。本形態において、共通電極２１はＩＴＯ膜からなる。配向膜２６は、配向膜１６と同様、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜）である。かかる配向膜１６、２６は、液晶層５０に用いた誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を傾斜垂直配向させ、液晶パネル１００ｐは、ノーマリブラックのＶＡモードとして動作する。
【００５０】
なお、図１および図２を参照して説明したデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４には、ｎチャネル型の駆動用トランジスターとｐチャネル型の駆動用トランジスターとを備えた相補型トランジスター回路等が構成されている。ここで、駆動用トランジスターは、画素トランジスター３０の製造工程の一部を利用して形成されたものである。このため、第１基板１０においてデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４が形成されている領域も、図３に示す断面構成と略同様な断面構成を有している。
【００５１】
（端子電極１０２の具体的構成）
図４は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の端子電極１０２の構成を画素１００ａの構成と比較して示す説明図である。図４において、図４（ａ１）、（ａ２）は、画素１００ａの平面構成を模式的に示す説明図、および画素１００ａの断面構成を模式的に示す説明図であり、図４（ｂ１）、（ｂ２）は、端子電極１０２の平面図、およびＧ１−Ｇ１′線に相当する位置で第１基板１０を切断したときの断面図である。
【００５２】
図４に示すように、本形態の電気光学装置１００において、端子電極１０２は、例えば、遮光層７ａと同一種類の導電材料からなる配線７ｓの端部に重なるように形成されている。かかる端子電極１０２の形成領域は、画素１００ａと略同様な断面構成となっている。より具体的には、端子電極１０２の形成領域では、基板本体１０ｗの一方面側に絶縁膜１２、ゲート絶縁層２の第２ゲート絶縁層２ｂ、層間絶縁膜４１、エッチングストッパー層４９、層間絶縁膜４２、層間絶縁膜４４、および層間絶縁膜４５がこの順に形成されている。また、端子電極１０２の形成領域では、画素１００ａとの高さ寸法を調整すること等を目的に、画素１００ａの遮光層８ａ、走査線３ａ、容量線５ｂおよびデータ線６ａ（中継電極６ｂ）の各々を構成する導電膜と同一種類の導電材料からなる導電膜８ｓ、３ｓ、５ｓ、６ｓがこの順に形成されている。さらに、層間絶縁膜４４と層間絶縁膜４５との層間には、中継電極７ｂを構成する導電膜と同一種類の導電材料からなる配線７ｓが形成されている。
【００５３】
本形態では、配線７ｓに導通する端子電極１０２を形成するにあたって、端子電極１０２には、画素電極９ａを構成する導電膜の少なくとも一部と同一種類の導電材料が用いられている。より具体的には、本形態において、画素電極９ａは、層間絶縁膜４５の上層に形成されたアルミニウム膜からなることから、端子電極１０２は、層間絶縁膜４５の上層に形成されたアルミニウム膜９ｓからなる。ここで、層間絶縁膜４５には、端子電極１０２および配線７ｓに重なる領域に複数のコンタクトホール４５ｓが形成されており、端子電極１０２は、コンタクトホール４５ｓを介して配線７ｓに導通している。
【００５４】
また、本形態では、画素電極９ａの表面側には平坦化膜１７が形成されており、かかる平坦化膜１７は、端子電極１０２の表面側にも形成されている。但し、平坦化膜１７には、端子電極１０２と重なる領域に開口部１７ｓが形成されている。このため、端子電極１０２は、平坦化膜１７から露出した状態にあるので、フレキシブル配線基板等の接続が可能である。なお、本形態では、端子電極１０２を配線７ｓに導通させたが、配線が異なる導電膜からなる場合、配線７ｓに代えて、端子電極１０２を配線に導通させる中継電極が形成される。
【００５５】
（基板間導通用電極１９の具体的構成）
図５は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の基板間導通用電極１９の構成を示す説明図であり、図５（ａ）、（ｂ）は、基板間導通用電極１９の平面図、およびＪ−Ｊ′線に相当する位置で第１基板１０を切断したときの断面図である。
【００５６】
図５に示すように、本形態の電気光学装置１００において、基板間導通用電極１９は、例えば、遮光層７ａと同一種類の導電材料からなる定電位配線７ｔに重なるように形成されている。かかる基板間導通用電極１９の形成領域は、画素１００ａおよび端子電極１０２と略同様な断面構成となっている。より具体的には、基板間導通用電極１９の形成領域では、基板本体１０ｗの一方面側に絶縁膜１２、ゲート絶縁層２の第２ゲート絶縁層２ｂ、層間絶縁膜４１、エッチングストッパー層４９、層間絶縁膜４２、層間絶縁膜４４、および層間絶縁膜４５がこの順に形成されている。また、基板間導通用電極１９の形成領域では、画素１００ａとの高さ寸法を調整すること等を目的に、画素１００ａの遮光層８ａ、走査線３ａ、容量線５ｂおよびデータ線６ａの各々を構成する導電膜と同一種類の導電材料からなる導電膜８ｔ、３ｔ、５ｔ、６ｔがこの順に形成されている。さらに、層間絶縁膜４４と層間絶縁膜４５との層間には、中継電極７ｂを構成する導電膜と同一種類の導電材料からなる定電位配線７ｔが形成されている。
【００５７】
本形態では、定電位配線７ｔに導通する基板間導通用電極１９を形成するにあたって、基板間導通用電極１９には、画素電極９ａおよび端子電極１０２を構成する導電膜の少なくとも一部と同一種類の導電膜が用いられている。より具体的には、本形態において、画素電極９ａおよび端子電極１０２は、層間絶縁膜４５の上層に形成されたアルミニウム膜からなることから、基板間導通用電極１９は、層間絶縁膜４５の上層に形成されたアルミニウム膜９ｔからなる。ここで、層間絶縁膜４５には、基板間導通用電極１９、および定電位配線７ｔの幅広部分に重なる領域に複数のコンタクトホール４５ｔが形成されており、基板間導通用電極１９は、コンタクトホール４５ｔを介して定電位配線７ｔに導通している。
【００５８】
また、本形態では、画素電極９ａの表面側には平坦化膜１７が形成されており、かかる平坦化膜１７は、基板間導通用電極１９の表面側にも形成されている。但し、平坦化膜１７には、基板間導通用電極１９と重なる領域に開口部１７ｔが形成されている。このため、基板間導通用電極１９は、平坦化膜１７から露出した状態にあるので、図２を参照して説明したように、基板間導通材１０９を介して第２基板２０の基板間導通用電極２５と導通可能である。なお、本形態では、基板間導通用電極１９を定電位配線７ｔに導通させたが、定電位配線が異なる導電膜からなる場合、定電位配線７ｔに代えて、基板間導通用電極１９を定電位配線に導通させる中継電極が形成される。
【００５９】
（電気光学装置１００の製造方法）
図６および図７は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の製造方法を示す説明図である。なお、電気光学装置１００を製造するにあたっては、第１基板１０および第２基板２０を多数取りできる大型基板の状態で途中の工程までを行い、その後、単品サイズに切断する。但し、以下の説明では、第１基板１０の形成に用いられる大型基板も第１基板１０として説明し、第２基板２０の形成に用いられる大型基板も第２基板２０として説明する。また、基板間導通用電極１９は端子電極１０２と同様な方法で形成されることから、以下の説明では、画素電極９ａおよび端子電極１０２等の形成工程を中心に説明し、基板間導通用電極１９の形成工程については説明を省略する。
【００６０】
本形態の電気光学装置１００の第１基板１０を製造するには、図６（ａ）に示すように、周知の方法で、層間絶縁膜４５の形成までを行う。なお、層間絶縁膜４５については、第１絶縁膜４５１を形成した後、あるいは第２絶縁膜４５２を形成した後、後述する化学機械研磨等の方法により表面を平坦化する。
【００６１】
次に、図６（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ技術を利用して、層間絶縁膜４５にコンタクトホール４５ａ、４５ｓを形成する。
【００６２】
次に、図６（ｃ）に示すように、画素電極９ａおよび端子電極１０２を構成するアルミニウム膜９を形成した後、フォトリソグラフィ技術を利用して、アルミニウム膜９をパターニングし、図７（ａ）に示すように、画素電極９ａおよび端子電極１０２（アルミニウム膜９ｓ）を同時形成する。
【００６３】
次に、画素電極９ａおよび端子電極１０２の上層側に厚い絶縁膜を形成した後、表面を化学機械研磨し、図７（ｂ）に示すように、表面が連続した平坦面になっている平坦化膜１７を形成する。化学機械研磨では、研磨液に含まれる化学成分の作用と、研磨剤と第１基板１０との相対移動によって、高速で平滑な研磨面を得ることができる。より具体的には、研磨装置において、不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂等からなる研磨布（パッド）を貼り付けた定盤と、第１基板１０を保持するホルダーとを相対回転させながら、研磨を行なう。その際、例えば、平均粒径が０．０１〜２０μｍの酸化セリウム粒子、分散剤としてのアクリル酸エステル誘導体、および水を含む研磨剤を研磨布と第１基板１０との間に供給する。その際、画像表示領域１０ａと端子電極１０２の形成領域との間に大きな高低差が存在すると、研磨工程を行っても、画像表示領域１０ａ内を平坦面とすることが困難である。しかるに本形態では、画素電極９ａと同一の層に端子電極１０２が形成されている。従って、平坦化膜１７を形成するための絶縁膜を成膜した時点で画像表示領域１０ａと端子電極１０２の形成領域との間に大きな高低差が存在しないので、化学機械研磨を行った際、画像表示領域１０ａ内の表面を平坦面とすることができる。
【００６４】
次に、図７（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィ技術を利用して、平坦化膜１７に開口部１７ｓを形成する。次に、図３に示すように、マスク蒸着等を利用して画像表示領域１０ａのみに配向膜１６を形成する。その結果、第１基板１０が完成する。しかる後には、図２等を参照して説明したように、第１基板１０と第２基板２０とをシール材１０７で貼り合わせた後、減圧雰囲気中でシール材１０７の途切れ部分１０７ｃから液晶を注入し、しかる後に、シール材１０７の途切れ部分１０７ｃを封止材１０８で封止する。その間、所定のタイミングで大型基板を単品サイズの第１基板１０や第２基板２０に切断すれば、図２等を参照して説明した単品サイズの液晶パネル１００ｐを得ることができる。
【００６５】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態に係る電気光学装置１００において、端子電極１０２は、反射性の画素電極９ａと同一の層に設けられているとともに、画素電極９ａを構成する導電膜と同一の導電材料（アルミニウム膜９ｓ）からなる。このため、画素電極９ａの上層側に絶縁膜（平坦化膜１７）が形成されているか否かにかかわらず、端子電極１０２を構成することができる。また、端子電極１０２は、画素電極９ａと同一の層に設けられているため、端子電極１０２を下層側の配線７ｓに導通させる場合でも、画素電極９ａを下層側の中継電極７ｂと導通させるための構造と同一の構造を採用することができる。従って、端子電極１０２を下層側の配線７ｓと導通させるためのコンタクトホール４５ｓは浅くてよく、深いコンタクトホールを形成しなくてもよい。それ故、深いコンタクトホールを形成する際のプロセス上のマージンが小さいことに起因する歩留まり低下や、深いコンタクトホールを介しての導通に起因する信頼性の低下等を回避することができる。
【００６６】
また、本形態において、画素電極９ａおよび端子電極１０２の上層側に平坦化膜１７が設けられており、平坦化膜１７の端子電極１０２と重なる領域には開口部１７ｓが設けられている。このため、画素電極９ａおよび端子電極１０２の上層側に平坦化膜１７が設けられている場合でも、端子電極１０２にフレキシブル配線基板等を接続することができる。また、平坦化膜を形成した場合でも、端子電極１０２は、平坦化膜１７より下層側に形成されているため、端子電極１０２を下層側に導通させる際、深いコンタクトホールを形成しなくてもよい。また、同一の層に同一種類の導電材料により形成された画素電極９ａおよび端子電極１０２の上層側に平坦化膜１７が設けられているため、平坦化膜１７を形成するにあたって、絶縁膜を形成した後、絶縁膜の表面を研磨する際、絶縁膜を成膜した時点で画像表示領域１０ａと端子電極１０２の形成領域との間に大きな高低差が存在しない。それ故、化学機械研磨を行った際、画像表示領域１０ａ内の表面を平坦面とすることができる。
【００６７】
また、画素電極９ａは、層間絶縁膜４５に形成されたコンタクトホール４５ａを介して中継電極７ｂに導通し、端子電極１０２は、層間絶縁膜４５に形成されたコンタクトホール４５ｓを介して、中継電極７ｂと同一の層に中継電極７ｂと同一種類の導電材料により構成された配線７ｓに導通している。このため、画素電極９ａを下層側に導通させるためのコンタクトホール４５ａの形成と、端子電極１０２を下層側の配線７ｓに導通させるためのコンタクトホール４５ｓの形成とを同時に行うことができる。また、配線７ｓを中継電極７ｂと同時に形成することができる。従って、製造プロセスの簡素化を図ることができる。
【００６８】
また、画素電極９ａおよび端子電極１０２は、同一の平坦膜（層間絶縁膜４５）上に設けられている。このため、画素電極９ａおよび端子電極１０２を平坦面に形成する場合でも、平坦化のための研磨工程の数が少なく済む。また、層間絶縁膜４５（平坦膜）を形成する際の研磨によって、コンタクトホール４５ａ、４５ｓを形成すべき絶縁膜の厚さが薄くなる。また、コンタクトホール４５ａ、４５ｓを形成する際、双方においてコンタクトホール４５ａ、４５ｓを形成すべき絶縁膜の厚さが同等となる。従って、画素電極９ａおよび端子電極１０２におけるコンタクトホール４５ａ、４５ｓでの導通部分の信頼性を向上することができる。
【００６９】
さらに、基板間導通用電極１９は、端子電極１０２と略同一の構成を有していることから、端子電極１０２と基板間導通用電極１９とを同時に形成することができる。
【００７０】
［実施の形態２］
図８は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置１００の端子電極１０２の構成を画素１００ａの構成と比較して示す説明図である。図８において、図８（ａ１）、（ａ２）は、画素１００ａの平面構成を模式的に示す説明図、および画素１００ａの断面構成を模式的に示す説明図であり、図８（ｂ１）、（ｂ２）は、端子電極１０２の平面図、およびＧ２−Ｇ２′線に相当する位置で第１基板１０を切断したときの断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００７１】
実施の形態１では、端子電極１０２と配線７ｓとを導通させるにあたって、層間絶縁膜４５に複数のコンタクトホール４５ｓを形成したが、本形態では、図８に示すように、層間絶縁膜４５に大きなコンタクトホール４５ｓを１つ形成し、かかるコンタクトホール４５ｓによって、端子電極１０２と配線７ｓとを導通させている。また、画素電極９ａの表面側には平坦化膜１７が形成されており、かかる平坦化膜１７は、端子電極１０２の表面側にも形成されている。但し、平坦化膜１７には、端子電極１０２と重なる領域に開口部１７ｓが形成されている。このため、端子電極１０２は、平坦化膜１７から露出した状態にある。
【００７２】
ここで、開口部１７ｓは、コンタクトホール４５ｓに対して重なる位置に形成され、かつ、コンタクトホール４５ｓより小さい。このため、平坦化膜１７は、端子電極１０２においてコンタクトホール４５ａの側壁に形成されている部分を覆っている。かかる構成によれば、開口部１７ｓを形成する際、コンタクトホール４５ｓの底部で端子電極１０２が途切れることを防止することができる。すなわち、コンタクトホール４５ｓの底部のうち、中央部分では、端子電極１０２が十分の厚さで形成されるが、隅部分では、端子電極１０２が薄いので、かかる薄い部分を避けるように開口部１７ｓを形成すれば、開口部１７ｓをエッチングにより形成した際、コンタクトホール４５ｓの隅部で端子電極１０２が途切れることを防止することができる。
【００７３】
［実施の形態３］
図９は、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置１００の端子電極１０２の構成を画素１００ａの構成と比較して示す説明図である。図９において、図９（ａ１）、（ａ２）は、画素１００ａの平面構成を模式的に示す説明図、および画素１００ａの断面構成を模式的に示す説明図であり、図９（ｂ１）、（ｂ２）は、端子電極１０２の平面図、およびＧ３−Ｇ３′線に相当する位置で第１基板１０を切断したときの断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００７４】
実施の形態１では、画素電極９ａおよび端子電極１０２の上層側に平坦化膜１７を形成したが、本形態では、図９に示すように、画素電極９ａと平坦化膜１７との間に誘電体多層膜１８が形成されている。誘電体多層膜１８は、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜との積層構造になっている。ここで、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜とでは屈折率が相違するため、誘電体多層膜１８は、画素電極９ａの表面での反射率を高める増反射膜として機能する。本形態において、誘電体多層膜１８（増反射膜）は、端子電極１０２の表面側にも形成されている。また、平坦化膜１７には、端子電極１０２と重なる領域に開口部１７ｓが形成され、誘電体多層膜１８には、開口部１７ｓと重なる領域に開口部１８ｓが形成されている。このため、端子電極１０２は、誘電体多層膜１８および平坦化膜１７から露出した状態にある。なお、基板間導通用電極１９でも、端子電極１０２と同様な構造になっている。
【００７５】
かかる構成によれば、画素電極９ａの表面での反射率を高めることができる。また、画素電極９ａが形成されている領域と、端子電極１０２が形成されている領域とにおける層構造が略同一である。このため、平坦化膜１７を形成するにあたって、絶縁膜を形成した後、絶縁膜の表面を研磨する際、絶縁膜を成膜した時点で画像表示領域１０ａと端子電極１０２の形成領域との間に大きな高低差が存在しない。それ故、化学機械研磨を行った際、画像表示領域１０ａ内の表面を平坦面とすることができる。
【００７６】
［実施の形態４］
図１０は、本発明の実施の形態４に係る電気光学装置１００の端子電極１０２の構成を画素１００ａの構成と比較して示す説明図である。図１０において、図１０（ａ１）、（ａ２）は、画素１００ａの平面構成を模式的に示す説明図、および画素１００ａの断面構成を模式的に示す説明図であり、図１０（ｂ１）、（ｂ２）は、端子電極１０２の平面図、およびＧ４−Ｇ４′線に相当する位置で第１基板１０を切断したときの断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００７７】
実施の形態１において、端子電極１０２は、画素電極９ａを構成する導電膜と同一種類の導電材料（アルミニウム膜９ｓ）により構成されていたが、以下に説明するように、画素電極９ａを構成する導電膜の一部と同一種類の導電材料によって、端子電極１０２を構成してもよい。より具体的には、図１０に示すように、本形態において、画素電極９ａは、層間絶縁膜４５の上層に形成されたチタン窒化膜からなる下層側の第１導電膜９ｅと、アルミニウム膜からなる上層側の第２導電膜９ｆとを備えており、第１導電膜９ｅと第２導電膜９ｆとは同一の平面形状を備えている。かかる構成は、チタン窒化膜およびアルミニウム膜をこの順に成膜した後、アルミニウム膜およびチタン窒化膜を順にパターニングすることにより実現することができる。
【００７８】
一方、端子電極１０２は、層間絶縁膜４５の上層に形成されたチタン窒化膜９ｇのみからなり、アルミニウム膜が形成されていない。なお、基板間導通用電極１９でも、端子電極１０２と同様な構造になっている。
【００７９】
かかる構成の電気光学装置１００でも、実施の形態１と同様、端子電極１０２は、反射性の画素電極９ａと同一の層に設けられているとともに、画素電極９ａを構成する導電膜の一部と同一種類の導電材料（チタン窒化膜９ｇ）からなる。このため、画素電極９ａの上層側に絶縁膜（平坦化膜１７）が形成されているか否かにかかわらず、端子電極１０２を構成することができる。また、端子電極１０２は、画素電極９ａと同一の層に設けられているため、端子電極１０２を下層側の配線７ｓに導通させる場合でも、画素電極９ａを下層側の中継電極７ｂと導通させるための構造と同一の構造を採用することができる。従って、端子電極１０２を下層側の配線７ｓと導通させるためのコンタクトホール４５ｓは浅くてよい等、実施の形態１と同様な効果を奏する。また、端子電極１０２がアルミニウム膜を備えていないので、マイグレーション等の問題が発生しない。それ故、端子電極１０２の狭ピッチ化に適している。
【００８０】
［実施の形態５］
図１１は、本発明の実施の形態５に係る電気光学装置１００の端子電極１０２の構成を画素１００ａの構成と比較して示す説明図である。図１１において、図１１（ａ１）、（ａ２）は、画素１００ａの平面構成を模式的に示す説明図、および画素１００ａの断面構成を模式的に示す説明図であり、図１１（ｂ１）、（ｂ２）は、端子電極１０２の平面図、およびＧ５−Ｇ５′線に相当する位置で第１基板１０を切断したときの断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１、４と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００８１】
実施の形態１において、端子電極１０２は、画素電極９ａを構成する導電膜と同一種類の導電材料（アルミニウム膜９ｓ）が露出した状態にあったが、図１１を参照して以下に説明するように、端子電極１０２の表面が導電性保護層１５ｓで覆われている構成を採用してもよい。
【００８２】
より具体的には、図１１に示すように、画素電極９ａは、層間絶縁膜４５の上層に形成されたチタン窒化膜からなる下層側の第１導電膜９ｅと、アルミニウム膜からなる上層側の第２導電膜９ｆとを備えており、第１導電膜９ｅと第２導電膜９ｆとは同一の平面形状を備えている。一方、端子電極１０２は、層間絶縁膜４５の上層に形成されたチタン窒化膜９ｇのみからなる。かかる構成の画素電極９ａおよび端子電極１０２の表面側には、開口部１７ｓを備えた平坦化膜１７が形成されている。本形態では、平坦化膜１７の上層には開口部１７ｓと重なる領域にＩＴＯ膜からなる導電性保護層１５ｓが形成されており、導電性保護層１５ｓは、開口部１７ｓの底部で端子電極１０２（チタン窒化膜９ｇ）と導通している。なお、基板間導通用電極１９でも、端子電極１０２と同様な構造になっている。
【００８３】
かかる構成によれば、端子電極１０２がアルミニウム膜を備えていないので、マイグレーション等の問題が発生しない。それ故、端子電極１０２の狭ピッチ化に適している。また、ＩＴＯ膜からなる導電性保護層１５ｓと、アルミニウム膜とが接していないので、導電性保護層１５ｓを構成するＩＴＯ膜からアルミニウム膜に酸素が引き抜かれる等の腐食が発生しない。
【００８４】
［実施の形態６］
図１２は、本発明の実施の形態６に係る電気光学装置１００の端子電極１０２の構成を画素１００ａの構成と比較して示す説明図である。図１２において、図１２（ａ１）、（ａ２）は、画素１００ａの平面構成を模式的に示す説明図、および画素１００ａの断面構成を模式的に示す説明図であり、図１２（ｂ１）、（ｂ２）は、端子電極１０２の平面図、およびＧ６−Ｇ６′線に相当する位置で第１基板１０を切断したときの断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１、４、５と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００８５】
実施の形態５において、端子電極１０２の表面は、平坦化膜１７の上層に形成された導電性保護層１５ｓで覆われている構成であったが、本形態では、図１２を参照して以下に説明するように、端子電極１０２の表面が、平坦化膜１７より下層側に形成された導電性保護層１５ｓで覆われている構成を採用してもよい。
【００８６】
より具体的には、図１２に示すように、画素電極９ａは、層間絶縁膜４５の上層に形成されたチタン窒化膜からなる下層側の第１導電膜９ｅと、アルミニウム膜からなる上層側の第２導電膜９ｆとを備えており、第１導電膜９ｅと第２導電膜９ｆとは同一の平面形状を備えている。一方、端子電極１０２は、層間絶縁膜４５の上層に形成されたチタン窒化膜９ｇのみからなる。かかる構成の画素電極９ａおよび端子電極１０２の表面側には、開口部１７ｓを備えた平坦化膜１７が形成されている。本形態では、端子電極１０２（チタン窒化膜９ｇ）との間には、開口部１７ｓと重なる領域にＩＴＯ膜からなる導電性保護層１５ｓが形成されており、導電性保護層１５ｓは、開口部１７ｓで露出した状態にある。なお、基板間導通用電極１９でも、端子電極１０２と同様な構造になっている。
【００８７】
かかる構成によれば、端子電極１０２がアルミニウム膜を備えていないので、マイグレーション等の問題が発生しない。それ故、端子電極１０２の狭ピッチ化に適している。また、ＩＴＯ膜からなる導電性保護層１５ｓと、アルミニウム膜とが接していないので、導電性保護層１５ｓを構成するＩＴＯ膜からアルミニウム膜に酸素が引き抜かれる等の腐食が発生しない。
【００８８】
［他の実施の形態］
上記実施の形態では、画素電極９ａにアルミニウム膜を用いることにより、画素電極９ａを反射性電極としたが、例えば、ＩＴＯ膜の下層側にアルミニウム膜からなる反射層を設けることにより、ＩＴＯ膜を備えた反射性の画素電極９ａを構成してもよい。この場合、端子電極１０２については、下層側から順にアルミニウム膜、チタン窒化膜およびＩＴＯ膜を積層した構成としてもよい。
【００８９】
［電子機器への搭載例］
上述した実施形態に係る電気光学装置１００を適用した電子機器について説明する。図１３は、本発明を適用した電気光学装置１００を用いた投射型表示装置の概略構成図である。
【００９０】
図１３に示す投射型表示装置１０００は、光源光を発生する光源部１０２１と、光源部１０２１から出射された光源光を赤、緑、青の３色に分離する色分離導光光学系１０２３と、色分離導光光学系１０２３から出射された各色の光源光によって照明される光変調部１０２５とを有している。また、投射型表示装置１０００は、光変調部１０２５から出射された各色の像光を合成するクロスダイクロイックプリズム１０２７（合成光学系）と、クロスダイクロイックプリズム１０２７を経た像光をスクリーン（不図示）に投射するための投射光学系である投射光学系１０２９とを備えている。
【００９１】
かかる投射型表示装置１０００において、光源部１０２１は、光源１０２１ａと、一対のフライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅと、偏光変換部材１０２１ｇと、重畳レンズ１０２１ｉとを備えている。本形態においては、光源部１０２１は、放物面からなるリフレクタ１０２１ｆを備えており、平行光を出射する。フライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅは、システム光軸と直交する面内にマトリクス状に配置された複数の要素レンズからなり、これらの要素レンズによって光源光を分割して個別に集光・発散させる。偏光変換部材１０２１ｇは、フライアイ光学系１０２１ｅから出射した光源光を、例えば図面に平行なｐ偏光成分のみに変換して光路下流側光学系に供給する。重畳レンズ１０２１ｉは、偏光変換部材１０２１ｇを経た光源光を全体として適宜収束させることにより、光変調部１０２５に設けた複数の電気光学装置１００を各々均一に重畳照明可能とする。
【００９２】
色分離導光光学系１０２３は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａと、ダイクロイックミラー１０２３ｂと、反射ミラー１０２３ｊ、１０２３ｋとを備える。色分離導光光学系１０２３において、光源部１０２１からの略白色の光源光は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａに入射する。クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する一方の第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された赤色（Ｒ）の光は、反射ミラー１０２３ｊで反射されダイクロイックミラー１０２３ｂを透過して、入射側偏光板１０３７ｒ、ｐ偏光を透過させ、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、および光学補償板１０３９ｒを介して、ｐ偏光のまま、赤色（Ｒ）用の電気光学装置１００に入射する。
【００９３】
また、第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された緑色（Ｇ）の光は、反射ミラー１０２３ｊで反射され、その後、ダイクロイックミラー１０２３ｂでも反射されて、入射側偏光板１０３７ｇ、ｐ偏光を透過させ、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｇ、および光学補償板１０３９ｇを介して、ｐ偏光のまま、緑色（Ｇ）用の電気光学装置１００に入射する。
【００９４】
これに対して、クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する他方の第２ダイクロイックミラー１０３１ｂで反射された青色（Ｂ）の光は、反射ミラー１０２３ｋで反射されて、入射側偏光板１０３７ｂ、ｐ偏光を透過する一方でｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｂ、および光学補償板１０３９ｂを介して、ｐ偏光のまま、青色（Ｂ）用の電気光学装置１００に入射する。
【００９５】
なお、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂは、電気光学装置１００への入射光および出射光の偏光状態を調整することで、液晶層の特性を光学的に補償している。
【００９６】
このように構成した投射型表示装置１０００では、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂを経て入射した３色の光は各々、各電気光学装置１００において変調される。その際、電気光学装置１００から出射された変調光のうち、ｓ偏光の成分光は、ワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、１０３２ｇ、１０３２ｂで反射し、出射側偏光板１０３８ｒ、１０３８ｇ、１０３８ｂを介してクロスダイクロイックプリズム１０２７に入射する。クロスダイクロイックプリズム１０２７には、Ｘ字状に交差する第１誘電体多層膜１０２７ａおよび第２誘電体多層膜１０２７ｂが形成されており、一方の第１誘電体多層膜１０２７ａはＲ光を反射し、他方の第２誘電体多層膜１０２７ｂはＢ光を反射する。従って、３色の光は、クロスダイクロイックプリズム１０２７において合成され、投射光学系１０２９に出射される。そして、投射光学系１０２９は、クロスダイクロイックプリズム１０２７で合成されたカラーの像光を、所望の倍率でスクリーン（図示せず。）投射する。
【００９７】
（他の投射型表示装置）
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の電気光学装置に供給するように構成してもよい。
【００９８】
（他の電子機器）
本発明を適用した電気光学装置１００については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。
【符号の説明】
【００９９】
９ａ・・画素電極（反射性画素電極）、１０・・第１基板、１０ａ・・画像表示領域、１５ｓ・・導電性保護層、１６・・配向膜、１７・・平坦化膜、１７ｓ・・開口部、１８・・誘電体多層膜、１９・・基板間導通用電極、２０・・第２基板、２１・・共通電極、２５・・基板間導通用電極、２６・・配向膜、４１、４２、４４、４５・・層間絶縁膜、４５ａ、４５ｓ・・コンタクトホール、５０・・液晶層、１００・・電気光学装置、１０２・・端子電極
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の一方面側に反射性画素電極および端子電極が設けられた電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた投射型表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
各種の電気光学装置のうち、反射型液晶装置は、一方面側に反射性画素電極およびスイッチング素子が形成された素子基板と、共通電極が形成された対向基板との間に液晶材料が保持された構造を有しており、素子基板に設けた端子電極にフレキシブル配線基板を接続することにより、素子基板に対して各種信号や各種電位が供給される。
【０００３】
ここで、反射性画素電極はアルミニウム等の金属膜により構成されており、端子電極はＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜等により構成されている（特許文献１参照）。また、特許文献１に記載の構成では、反射性画素電極の上層側に絶縁膜からなる保護膜が形成されており、ＩＴＯ膜からなる端子電極は保護膜の上層側に形成されている。
【０００４】
なお、基板の表面に凹凸を形成しておくことにより、反射性画素電極の表面に散乱用の凹凸を設ける一方、端子電極を反射性画素電極と同一種類の導電材料により形成することにより、表面に凹凸を備えた端子電極を形成する技術が提案されている（特許文献２参照）。また、基板の表面に凹凸を備えたフォトレジストを形成しておくことにより、反射性画素電極の表面に散乱用の凹凸を設ける一方、フォトレジストが形成されていない領域に、反射性画素電極と同一種類の導電材料からなる端子電極を形成する技術が提案されている（特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−７８７５９号公報
【特許文献２】特開２０００−１８７２３８号公報
【特許文献３】特開２００２−３２８３９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の技術は、反射性画素電極の上層側に絶縁膜からなる保護膜が形成されている場合のみに適用できる構成であり、適用される電気光学装置の構成が限定されてしまう。また、保護膜の上層側に形成した導電膜を利用して端子電極を形成する場合、保護膜および層間絶縁膜を貫通するような極めて深いコンタクトホールを形成する必要があり、かかるコンタクトホールを形成する際にはプロセス面でのマージンが小さいため、歩留まりが低下しやすいという問題点もある。また、保護膜および層間絶縁膜を貫通するような極めて深いコンタクトホールを介して、端子電極と配線や電極とを導通させる必要があるため、信頼性が低いという問題点もある。
【０００７】
なお、特許文献２、３には、端子電極を反射性画素電極と同一種類の導電材料により形成した構成が記載されているが、特許文献２に記載の技術は、スイッング素子の上層側に層間絶縁膜が形成されている場合には適用できず、特許文献３に記載の技術は、端子電極の形成領域に層間絶縁膜が形成されている場合には適用できない。
【０００８】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、反射性画素電極の上層側に絶縁膜が形成されているか否かにかかわらず端子電極を設けることができるとともに、深いコンタクトホールを形成しなくても端子電極の導通を図ることができる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた投射型表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置は、基板と、複数の画素に対応して前記基板の一方面側に設けられた複数の反射性画素電極と、前記複数の画素に対応して前記基板と前記複数の反射性画素電極との間に設けられたスイッチング素子と、該スイッチング素子と前記複数の反射性画素電極との間に設けられた層間絶縁膜と、前記複数の反射性画素電極と同一の層に設けられ、前記層間絶縁膜の前記スイッチング素子と反対側に設けられた端子電極と、を有することを特徴とする。
【００１０】
本発明において、端子電極は、反射性画素電極と同一の層に設けられているため、反射性画素電極の上層側に絶縁膜からなる保護膜が形成されているか否かにかかわらず、端子電極を構成することができる。また、端子電極は、反射性画素電極と同一の層に設けられているため、端子電極を下層側の中継電極や配線に導通させる場合でも、画素電極を下層側の中継電極と導通させるための構造と同一の構造を採用することができる。従って、端子電極を下層側の中継電極や配線と導通させる場合でも、深いコンタクトホールを形成しなくてもよい。それ故、深いコンタクトホールを形成する際のプロセス上のマージンが小さいことに起因する歩留まり低下や、深いコンタクトホールを介しての導通に起因する信頼性の低下等を回避することができる。
【００１１】
前記複数の反射性画素電極および前記端子電極は、同一の平坦膜の前記基板とは反対側の面に設けられていることが好ましい。かかる構成によれば、反射性画素電極および端子電極を平坦面に形成する場合でも、平坦化のための研磨工程の数が少なく済む。また、平坦膜を形成する際の研磨によって、コンタクトホールを形成すべき絶縁膜の厚さが薄くなる。
【００１２】
本発明において、前記複数の反射性画素電極および前記端子電極に対して前記基板と反対側に設けられた平坦化膜を備え、当該平坦化膜の前記端子電極と重なる領域には開口部が設けられている構成を採用することができる。かかる構成によれば、画素電極および端子電極の上層側に平坦化膜が設けられている場合でも、端子電極にフレキシブル配線基板等を接続することができる。また、平坦化膜を形成した場合でも、端子電極は、平坦化膜より下層側に形成されているため、端子電極を下層側に導通させる際、層間絶縁膜に深いコンタクトホールを形成しなくてもよい。また、同一の層に画素電極および端子電極が形成され、かかる画素電極および端子電極の上層側に平坦化膜が設けられているため、平坦化膜を形成するにあたって、絶縁膜を形成した後、絶縁膜の表面を研磨する際、絶縁膜を成膜した時点では画素電極の形成領域と端子電極の形成領域との間に大きな高低差が存在しない。それ故、研磨を行った際、画素電極の形成領域の表面を平坦面とすることができる。
【００１３】
本発明において、前記複数の反射性画素電極は、前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して中継電極に導通し、前記端子電極は、前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記中継電極と同一の層に形成された配線または中継電極に導通している構成を採用することが好ましい。かかる構成によれば、画素電極を下層側に導通させるためのコンタクトホールの形成と、端子電極を下層側の電極や配線に導通させるためのコンタクトホールの形成とを同時に行うことができる。また、画素電極が導通する中継電極と、端子電極が導通する配線や電極とを同時に形成することができる。従って、製造プロセスの簡素化を図ることができる。
【００１４】
本発明において、前記複数の反射性画素電極および前記端子電極に対して前記基板と反対側に設けられた誘電体多層膜を備え、当該誘電体多層膜の前記端子電極と重なる領域には開口部が設けられている構成を採用することができる。かかる構成によれば、誘電体多層膜が増反射膜として機能するため、表示光量の増大を図ることができる。
【００１５】
本発明において、前記端子電極に対して前記基板と反対側で重なる導電性保護層が設けられている構成を採用することができる。
【００１６】
本発明において、前記複数の反射性画素電極と同一の層に設けられた基板間導通用電極と、前記基板に対向する対向基板と前記基板間導通用電極との間に介在する基板間導通材と、を有している構成を採用することができる。かかる構成によれば、端子電極と基板間導通用電極とを同時に形成することができる。
【００１７】
本発明に係る電気光学装置は投射型表示装置に用いることができ、この場合、投射型表示装置は、前記電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系を有している。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の液晶パネルの説明図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の画素の構成を示す説明図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の端子電極の構成を画素の構成と比較して示す説明図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の基板間導通用電極の構成を示す説明図である。
【図６】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の製造方法を示す説明図である。
【図７】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の製造方法を示す説明図である。
【図８】本発明の実施の形態２に係る電気光学装置の端子電極の構成を画素の構成と比較して示す説明図である。
【図９】本発明の実施の形態３に係る電気光学装置の端子電極の構成を画素の構成と比較して示す説明図である。
【図１０】本発明の実施の形態４に係る電気光学装置の端子電極の構成を画素の構成と比較して示す説明図である。
【図１１】本発明の実施の形態５に係る電気光学装置の端子電極の構成を画素の構成と比較して示す説明図である。
【図１２】本発明の実施の形態６に係る電気光学装置の端子電極の構成を画素の構成と比較して示す説明図である。
【図１３】本発明を適用した電気光学装置を用いた投射型表示装置の概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。なお、電界効果型トランジスターを流れる電流の方向が反転する場合、ソースとドレインとが入れ替わるが、以下の説明では、便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとし、データ線が接続されている側をソースとして説明する。また、素子基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは素子基板の基板本体が位置する側とは反対側（対向基板が位置する側）を意味し、下層側とは素子基板の基板本体が位置する側を意味する。また、対向基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは対向基板の基板本体が位置する側とは反対側（素子基板が位置する側）を意味し、下層側とは対向基板の基板本体が位置する側を意味する。
【００２０】
［実施の形態１］
（全体構成）
図１は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。図１において、電気光学装置１００はＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶パネル１００ｐを有しており、液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画像表示領域１０ａ（画素配列領域／有効画素領域）を備えている。液晶パネル１００ｐにおいて、後述する第１基板１０（図２等を参照）では、画像表示領域１０ａの内側で複数本のデータ線６ａおよび複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交差部分に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、電界効果型トランジスター（スイッチング素子）からなる画素トランジスター３０、および後述する画素電極９ａが形成されている。画素トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。このようにして、電気光学装置１００では、複数の画素１００ａの各々に対応して複数の画素電極９ａおよび複数の画素トランジスター３０が形成されている。
【００２１】
第１基板１０において、画像表示領域１０ａより外周側には走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１が設けられている。データ線駆動回路１０１は各データ線６ａに電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線６ａに順次供給する。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続しており、走査信号を各走査線３ａに順次供給する。
【００２２】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する第２基板２０（図２等を参照）に形成された共通電極と液晶層を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に蓄積容量５５が付加されている。本形態では、蓄積容量５５を構成するために、第１基板１０には、複数の画素１００ａに跨って延在する容量線５ｂが形成されている。本形態において、容量線５ｂは、共通電位Ｖcomが印加された定電位配線７ｔに導通している。
【００２３】
（液晶パネル１００ｐおよび第１基板１０の構成）
図２は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の液晶パネル１００ｐの説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）は各々、液晶パネル１００ｐを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【００２４】
図２に示すように、液晶パネル１００ｐでは、第１基板１０（素子基板）と第２基板２０（対向基板）とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は第２基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバーあるいはガラスビーズ等のギャップ材１０７ａが配合されている。液晶パネル１００ｐにおいて、第１基板１０と第２基板２０との間のうち、シール材１０７によって囲まれた領域内には液晶層５０が保持されている。本形態において、シール材１０７には、液晶注入口として利用される途切れ部分１０７ｃが形成されており、かかる途切れ部分１０７ｃは、液晶材料の注入後、封止材１０８によって塞がれている。
【００２５】
かかる構成の液晶パネル１００ｐにおいて、第１基板１０および第２基板２０はいずれも四角形であり、液晶パネル１００ｐの略中央には、図１を参照して説明した画像表示領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、画像表示領域１０ａの外側は、四角枠状の外周領域１０ｃになっている。
【００２６】
第１基板１０において、外周領域１０ｃでは、第１基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子電極１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。なお、端子電極１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、第１基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。
【００２７】
詳しくは後述するが、第１基板１０の一方面１０ｓおよび他方面１０ｔのうち、第２基板２０と対向する一方面１０ｓの側において、画像表示領域１０ａには、図１を参照して説明した画素トランジスター３０、および画素トランジスター３０に電気的に接続する画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極９ａの上層側には配向膜１６が形成されている。
【００２８】
また、第１基板１０の一方面１０ｓの側において、画像表示領域１０ａより外側の外周領域１０ｃのうち、画像表示領域１０ａとシール材１０７とに挟まれた四角枠状の周辺領域１０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。ダミー画素電極９ｂは、隣り合うダミー画素電極９ｂ同士が細幅の連結部（図示せず）で繋がっている。また、ダミー画素電極９ｂは、共通電位Ｖcomが印加されており、画像表示領域１０ａの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止する。また、ダミー画素電極９ｂは、第１基板１０において配向膜１６が形成される面を研磨により平坦化する際、画像表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置の差を圧縮し、配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。なお、ダミー画素電極９ｂに電位を印加せず、ダミー画素電極９ｂを電位的にフロート状態とする場合もあり、この場合でも、ダミー画素電極９ｂは、画像表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置の差を圧縮し、配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。
【００２９】
第２基板２０の一方面２０ｓおよび他方面２０ｔのうち、第１基板１０と対向する一方面２０ｓの側には共通電極２１が形成されている。共通電極２１は、第２基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って形成されている。本形態において、共通電極２１は、第２基板２０の略全面に形成されている。
【００３０】
また、第２基板２０の一方面２０ｓの側には、共通電極２１の下層側に遮光層２９が形成され、共通電極２１の表面には配向膜２６が積層されている。本形態において、遮光層２９は、画像表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁部分２９ａとして形成されており、遮光層２９の内周縁によって画像表示領域１０ａが規定されている。また、本形態において、遮光層２９は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆに重なるブラックマトリクス部２９ｂとしても形成されている。ここで、額縁部分２９ａはダミー画素電極９ｂと重なる位置に形成されており、額縁部分２９ａの外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にある。従って、額縁部分２９ａとシール材１０７とは重なっていない。
【００３１】
液晶パネル１００ｐにおいて、シール材１０７より外側には、第２基板２０の一方面２０ｓの側の４つの角部分に基板間導通用電極２５が形成されており、第１基板１０の一方面１０ｓの側には、第２基板２０の４つの角部分（基板間導通用電極２５）と対向する位置に基板間導通用電極１９が形成されている。本形態において、基板間導通用電極２５は、共通電極２１の一部からなる。基板間導通用電極１９は、共通電位Ｖcomが印加された定電位配線７ｔに導通しており、定電位配線７ｔは、端子電極１０２のうち、共通電位印加用の端子電極１０２ａに導通している。基板間導通用電極１９と基板間導通用電極２５との間には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９が配置されており、第２基板２０の共通電極２１は、基板間導通用電極１９、基板間導通材１０９および基板間導通用電極２５を介して、第１基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、第１基板１０の側から共通電位Ｖcomが印加されている。シール材１０７は、略同一の幅寸法をもって第２基板２０の外周縁に沿って設けられている。このため、シール材１０７は、略四角形である。但し、シール材１０７は、第２基板２０の角部分と重なる領域では基板間導通用電極１９、２５を避けて内側を通るように設けられており、シール材１０７の角部分は略円弧状である。
【００３２】
かかる構成の電気光学装置１００において、画素電極９ａは、アルミニウム膜等の反射性導電膜からなる反射性画素電極であり、共通電極２１はＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜等の透光性導電膜により形成されており、電気光学装置１００は反射型の液晶装置である。かかる反射型の電気光学装置１００では、第１基板１０および第２基板２０のうち、第２基板２０の側から入射した光が第１基板１０で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。
【００３３】
電気光学装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、第２基板２０あるいは第１基板１０には、カラーフィルター（図示せず）が形成される。また、電気光学装置１００では、使用する液晶層５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。さらに、電気光学装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各電気光学装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。
【００３４】
本形態において、電気光学装置１００が、後述する投射型表示装置においてＲＧＢ用のライトバルブとして用いられる透過型の液晶装置であって、液晶層５０として、誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を用いたＶＡモードの液晶パネル１００ｐを備えている場合を中心に説明する。
【００３５】
（画素１００ｐの具体的構成）
図３は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の画素１００ａの構成を示す説明図であり、図３（ａ）、（ｂ）は、第１基板１０において隣り合う複数の画素の平面図、およびＦ−Ｆ′線に相当する位置で電気光学装置１００を切断したときの断面図である。なお、図３では、各層を以下の線
下層側の遮光層８ａ＝細くて長い破線
半導体層１ａ＝細くて短い点線
走査線３ａ＝太い実線
ドレイン電極４ａ＝細い実線
データ線６ａおよび中継電極６ｂ＝細い一点鎖線
容量線５ｂ＝太い一点鎖線
上層側の遮光層７ａおよび中継電極７ｂ＝細い二点鎖線
画素電極９ａ＝太い破線
で示してある。また、図３（ａ）では、互いの端部が重なり合う層については、層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある。
【００３６】
図３に示すように、第１基板１０において第２基板２０と対向する一方面１０ｓには、複数の画素１００ａの各々に画素電極９ａが形成されており、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆに沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。本形態において、画素間領域１０ｆは縦横に延在しており、走査線３ａは画素間領域１０ｆのうち、Ｘ方向（第１方向）に延在する第１画素間領域１０ｇに沿って直線的に延在し、データ線６ａは、Ｙ方向（第２方向）に延在する第２画素間領域１０ｈに沿って直線的に延在している。また、データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応して画素トランジスター３０が形成されており、本形態において、画素トランジスター３０は、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域およびその付近を利用して形成されている。第１基板１０には容量線５ｂが形成されており、かかる容量線５ｂには共通電位Ｖcomが印加されている。本形態において、容量線５ｂは、走査線３ａおよびデータ線６ａに重なるように延在して格子状に形成されている。画素トランジスター３０の上層側には遮光層７ａが形成されており、かかる遮光層７ａは、データ線６ａに重なるように延在している。画素トランジスター３０の下層側には遮光層８ａが形成されており、かかる遮光層８ａは、走査線３ａと重なるように直線的に延びた主線部分と、データ線６ａと走査線３ａとの交差部分でデータ線６ａに重なるように延びた副線部分とを備えている。
【００３７】
第１基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体１０ｗの液晶層５０側の基板面（第２基板２０と対向する一方面１０ｓ側）に形成された画素電極９ａ、画素スイッチング用の画素トランジスター３０、および配向膜１６を主体として構成されている。第２基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ、その液晶層５０側の表面（第１基板１０と対向する一方面２０ｓ）に形成された遮光層２９、共通電極２１、および配向膜２６を主体として構成されている。
【００３８】
第１基板１０において、基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側には、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる下層側の遮光層８ａが形成されている。本形態において、遮光層８ａは、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）等の遮光膜からなり、電気光学装置１００を透過した後の光が他の部材で反射した際、かかる反射光が半導体層１ａに入射して画素トランジスター３０で光電流に起因する誤動作が発生することを防止する。なお、遮光層８ａを走査線として構成する場合もあり、この場合、後述するゲート電極３ｃと遮光層８ａを導通させた構成とする。
【００３９】
基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側において、遮光層８ａの上層側には、透光性の絶縁膜１２が形成されており、かかる絶縁膜１２の表面側に、半導体層１ａを備えた画素トランジスター３０が形成されている。本形態において、絶縁膜１２は、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ （ボロンリンシリケートガラス）等のシリコン酸化膜（シリケートガラスも含む。）や、シリコン窒化膜からなる。かかる絶縁膜１２は、シランガス（ＳｉＨ4）、２塩化シラン（ＳｉＣｌ2Ｈ2）、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン／テトラ・エチル・オルソ・シリケート／Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4）、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート）、ＴＭＯＰ（テトラ・メチル・オキシ・フォスレート）等を用いた常圧ＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、あるいはプラズマＣＶＤ法等により形成される。
【００４０】
画素トランジスター３０は、データ線６ａの延在方向に長辺方向を向けた半導体層１ａと、半導体層１ａの長さ方向と直交する方向に延在して半導体層１ａの長さ方向の中央部分に重なるゲート電極３ｃとを備えており、本形態において、ゲート電極３ｃは走査線３ａの一部からなる。画素トランジスター３０は、半導体層１ａとゲート電極３ｃとの間に透光性のゲート絶縁層２を有している。半導体層１ａは、ゲート電極３ｃに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇを備えているとともに、チャネル領域１ｇの両側にソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃを備えている。本形態において、画素トランジスター３０は、ＬＤＤ構造を有している。従って、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、チャネル領域１ｇの両側に低濃度領域を備え、低濃度領域に対してチャネル領域１ｇとは反対側で隣接する領域に高濃度領域を備えている。
【００４１】
半導体層１ａは、ポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）等によって構成されている。ゲート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化したシリコン酸化膜からなる第１ゲート絶縁層２ａと、温度が７００〜９００℃の高温条件での減圧ＣＶＤ法により形成されたシリコン酸化膜からなる第２ゲート絶縁層２ｂとの２層構造からなる。ゲート電極３ｃおよび走査線３ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、ゲート電極３ｃは、導電性のポリシリコン膜とタングステンシリサイド膜との２層構造を有している。
【００４２】
ゲート電極３ｃの上層側には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４１が形成され、層間絶縁膜４１の上層には、ドレイン電極４ａが形成されている。本形態において、層間絶縁膜４１は、シリコン酸化膜からなる。ドレイン電極４ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、ドレイン電極４ａはチタン窒化膜からなる。ドレイン電極４ａは、半導体層１ａのドレイン領域１ｃ（画素電極側ソースドレイン領域）と一部が重なるように形成されており、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４１ａを介してドレイン領域１ｃに導通している。
【００４３】
ドレイン電極４ａの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性のエッチングストッパー層４９、および透光性の誘電体層４０が形成されており、かかる誘電体層４０の上層側には容量線５ｂが形成されている。誘電体層４０としては、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のシリコン化合物を用いることができる他、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率の誘電体層を用いることができる。容量線５ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、容量線５ｂは、チタン窒化膜、アルミニウム膜、およびチタン窒化膜との３層構造を有している。ここで、容量線５ｂは、誘電体層４０を介してドレイン電極４ａと重なっており、蓄積容量５５を構成している。
【００４４】
容量線５ｂの上層側には層間絶縁膜４２が形成されており、かかる層間絶縁膜４２の上層側には、データ線６ａと中継電極６ｂとが同一種類の導電材料により形成されている。層間絶縁膜４２はシリコン酸化膜からなる。データ線６ａと中継電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、データ線６ａおよび中継電極６ｂは、アルミニウム合金膜や、チタン窒化膜とアルミニウム膜との２層乃至４層の積層膜からなる。データ線６ａは、層間絶縁膜４２、エッチングストッパー層４９、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４２ａを介してソース領域１ｂ（データ線側ソースドレイン領域）に導通している。中継電極６ｂは、層間絶縁膜４２およびエッチングストッパー層４９を貫通するコンタクトホール４２ｂを介してドレイン電極４ａに導通している。
【００４５】
データ線６ａおよび中継電極６ｂの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４４が形成されており、かかる層間絶縁膜４４の上層側には、遮光層７ａおよび中継電極７ｂが同一種類の導電材料によって形成されている。層間絶縁膜４４は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法や、シランガスと亜酸化窒素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜からなり、その表面は平坦化されている。遮光層７ａおよび中継電極７ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、遮光層７ａおよび中継電極７ｂは、アルミニウム合金膜や、チタン窒化膜とアルミニウム膜との２層乃至４層の積層膜からなる。中継電極７ｂは、層間絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール４４ａを介して中継電極６ｂに導通している。遮光層７ａは、データ線６ａと重なるように延在しており、遮光層として機能している。なお、遮光層７ａを容量線５ｂと導通させて、シールド層として利用してもよい。
【００４６】
遮光層７ａおよび中継電極７ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４５が形成されており、かかる層間絶縁膜４５の上層側には画素電極９ａが形成されている。画素電極９ａは、アルミニウム膜等の反射性導電膜からなる反射性画素電極であり、本形態において、画素電極９ａは、アルミニウム膜からなる。層間絶縁膜４５は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法や、シランガスと亜酸化窒素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜からなり、表面は平坦化されている。本形態において、層間絶縁膜４５は、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）からなる下層側の第１絶縁膜４５１と、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）からなる上層側の第２絶縁膜４５２との２層構造を有している。
【００４７】
画素電極９ａは、中継電極７ｂと部分的に重なっており、層間絶縁膜４５を貫通するコンタクトホール４５ａを介して中継電極７ｂに導通している。その結果、画素電極９ａは、中継電極７ｂ、中継電極６ｂおよびドレイン電極４ａを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続している。
【００４８】
画素電極９ａの表面には、表面が連続した平坦面からなるシリコン酸化膜等からなる平坦化膜１７が形成されており、かかる平坦化膜１７の上層に配向膜１６が形成されている。本形態において、平坦化膜１７は、隣り合う画素電極９ａの間に形成されているとともに、画素電極９ａの表面にも形成されている。本形態において、配向膜１６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜）からなる。
【００４９】
（第２基板２０の構成）
第２基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ（透光性基板）の液晶層５０側の表面（第１基板１０に対向する一方面２０ｓ）には、遮光層２９、シリコン酸化膜等からなる絶縁膜２８、およびＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる共通電極２１が形成されており、かかる共通電極２１を覆うように配向膜２６が形成されている。本形態において、共通電極２１はＩＴＯ膜からなる。配向膜２６は、配向膜１６と同様、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜）である。かかる配向膜１６、２６は、液晶層５０に用いた誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を傾斜垂直配向させ、液晶パネル１００ｐは、ノーマリブラックのＶＡモードとして動作する。
【００５０】
なお、図１および図２を参照して説明したデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４には、ｎチャネル型の駆動用トランジスターとｐチャネル型の駆動用トランジスターとを備えた相補型トランジスター回路等が構成されている。ここで、駆動用トランジスターは、画素トランジスター３０の製造工程の一部を利用して形成されたものである。このため、第１基板１０においてデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４が形成されている領域も、図３に示す断面構成と略同様な断面構成を有している。
【００５１】
（端子電極１０２の具体的構成）
図４は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の端子電極１０２の構成を画素１００ａの構成と比較して示す説明図である。図４において、図４（ａ１）、（ａ２）は、画素１００ａの平面構成を模式的に示す説明図、および画素１００ａの断面構成を模式的に示す説明図であり、図４（ｂ１）、（ｂ２）は、端子電極１０２の平面図、およびＧ１−Ｇ１′線に相当する位置で第１基板１０を切断したときの断面図である。
【００５２】
図４に示すように、本形態の電気光学装置１００において、端子電極１０２は、例えば、遮光層７ａと同一種類の導電材料からなる配線７ｓの端部に重なるように形成されている。かかる端子電極１０２の形成領域は、画素１００ａと略同様な断面構成となっている。より具体的には、端子電極１０２の形成領域では、基板本体１０ｗの一方面側に絶縁膜１２、ゲート絶縁層２の第２ゲート絶縁層２ｂ、層間絶縁膜４１、エッチングストッパー層４９、層間絶縁膜４２、層間絶縁膜４４、および層間絶縁膜４５がこの順に形成されている。また、端子電極１０２の形成領域では、画素１００ａとの高さ寸法を調整すること等を目的に、画素１００ａの遮光層８ａ、走査線３ａ、容量線５ｂおよびデータ線６ａ（中継電極６ｂ）の各々を構成する導電膜と同一種類の導電材料からなる導電膜８ｓ、３ｓ、５ｓ、６ｓがこの順に形成されている。さらに、層間絶縁膜４４と層間絶縁膜４５との層間には、中継電極７ｂを構成する導電膜と同一種類の導電材料からなる配線７ｓが形成されている。
【００５３】
本形態では、配線７ｓに導通する端子電極１０２を形成するにあたって、端子電極１０２には、画素電極９ａを構成する導電膜の少なくとも一部と同一種類の導電材料が用いられている。より具体的には、本形態において、画素電極９ａは、層間絶縁膜４５の上層に形成されたアルミニウム膜からなることから、端子電極１０２は、層間絶縁膜４５の上層に形成されたアルミニウム膜９ｓからなる。ここで、層間絶縁膜４５には、端子電極１０２および配線７ｓに重なる領域に複数のコンタクトホール４５ｓが形成されており、端子電極１０２は、コンタクトホール４５ｓを介して配線７ｓに導通している。
【００５４】
また、本形態では、画素電極９ａの表面側には平坦化膜１７が形成されており、かかる平坦化膜１７は、端子電極１０２の表面側にも形成されている。但し、平坦化膜１７には、端子電極１０２と重なる領域に開口部１７ｓが形成されている。このため、端子電極１０２は、平坦化膜１７から露出した状態にあるので、フレキシブル配線基板等の接続が可能である。なお、本形態では、端子電極１０２を配線７ｓに導通させたが、配線が異なる導電膜からなる場合、配線７ｓに代えて、端子電極１０２を配線に導通させる中継電極が形成される。
【００５５】
（基板間導通用電極１９の具体的構成）
図５は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の基板間導通用電極１９の構成を示す説明図であり、図５（ａ）、（ｂ）は、基板間導通用電極１９の平面図、およびＪ−Ｊ′線に相当する位置で第１基板１０を切断したときの断面図である。
【００５６】
図５に示すように、本形態の電気光学装置１００において、基板間導通用電極１９は、例えば、遮光層７ａと同一種類の導電材料からなる定電位配線７ｔに重なるように形成されている。かかる基板間導通用電極１９の形成領域は、画素１００ａおよび端子電極１０２と略同様な断面構成となっている。より具体的には、基板間導通用電極１９の形成領域では、基板本体１０ｗの一方面側に絶縁膜１２、ゲート絶縁層２の第２ゲート絶縁層２ｂ、層間絶縁膜４１、エッチングストッパー層４９、層間絶縁膜４２、層間絶縁膜４４、および層間絶縁膜４５がこの順に形成されている。また、基板間導通用電極１９の形成領域では、画素１００ａとの高さ寸法を調整すること等を目的に、画素１００ａの遮光層８ａ、走査線３ａ、容量線５ｂおよびデータ線６ａの各々を構成する導電膜と同一種類の導電材料からなる導電膜８ｔ、３ｔ、５ｔ、６ｔがこの順に形成されている。さらに、層間絶縁膜４４と層間絶縁膜４５との層間には、中継電極７ｂを構成する導電膜と同一種類の導電材料からなる定電位配線７ｔが形成されている。
【００５７】
本形態では、定電位配線７ｔに導通する基板間導通用電極１９を形成するにあたって、基板間導通用電極１９には、画素電極９ａおよび端子電極１０２を構成する導電膜の少なくとも一部と同一種類の導電膜が用いられている。より具体的には、本形態において、画素電極９ａおよび端子電極１０２は、層間絶縁膜４５の上層に形成されたアルミニウム膜からなることから、基板間導通用電極１９は、層間絶縁膜４５の上層に形成されたアルミニウム膜９ｔからなる。ここで、層間絶縁膜４５には、基板間導通用電極１９、および定電位配線７ｔの幅広部分に重なる領域に複数のコンタクトホール４５ｔが形成されており、基板間導通用電極１９は、コンタクトホール４５ｔを介して定電位配線７ｔに導通している。
【００５８】
また、本形態では、画素電極９ａの表面側には平坦化膜１７が形成されており、かかる平坦化膜１７は、基板間導通用電極１９の表面側にも形成されている。但し、平坦化膜１７には、基板間導通用電極１９と重なる領域に開口部１７ｔが形成されている。このため、基板間導通用電極１９は、平坦化膜１７から露出した状態にあるので、図２を参照して説明したように、基板間導通材１０９を介して第２基板２０の基板間導通用電極２５と導通可能である。なお、本形態では、基板間導通用電極１９を定電位配線７ｔに導通させたが、定電位配線が異なる導電膜からなる場合、定電位配線７ｔに代えて、基板間導通用電極１９を定電位配線に導通させる中継電極が形成される。
【００５９】
（電気光学装置１００の製造方法）
図６および図７は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の製造方法を示す説明図である。なお、電気光学装置１００を製造するにあたっては、第１基板１０および第２基板２０を多数取りできる大型基板の状態で途中の工程までを行い、その後、単品サイズに切断する。但し、以下の説明では、第１基板１０の形成に用いられる大型基板も第１基板１０として説明し、第２基板２０の形成に用いられる大型基板も第２基板２０として説明する。また、基板間導通用電極１９は端子電極１０２と同様な方法で形成されることから、以下の説明では、画素電極９ａおよび端子電極１０２等の形成工程を中心に説明し、基板間導通用電極１９の形成工程については説明を省略する。
【００６０】
本形態の電気光学装置１００の第１基板１０を製造するには、図６（ａ）に示すように、周知の方法で、層間絶縁膜４５の形成までを行う。なお、層間絶縁膜４５については、第１絶縁膜４５１を形成した後、あるいは第２絶縁膜４５２を形成した後、後述する化学機械研磨等の方法により表面を平坦化する。
【００６１】
次に、図６（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ技術を利用して、層間絶縁膜４５にコンタクトホール４５ａ、４５ｓを形成する。
【００６２】
次に、図６（ｃ）に示すように、画素電極９ａおよび端子電極１０２を構成するアルミニウム膜９を形成した後、フォトリソグラフィ技術を利用して、アルミニウム膜９をパターニングし、図７（ａ）に示すように、画素電極９ａおよび端子電極１０２（アルミニウム膜９ｓ）を同時形成する。
【００６３】
次に、画素電極９ａおよび端子電極１０２の上層側に厚い絶縁膜を形成した後、表面を化学機械研磨し、図７（ｂ）に示すように、表面が連続した平坦面になっている平坦化膜１７を形成する。化学機械研磨では、研磨液に含まれる化学成分の作用と、研磨剤と第１基板１０との相対移動によって、高速で平滑な研磨面を得ることができる。より具体的には、研磨装置において、不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂等からなる研磨布（パッド）を貼り付けた定盤と、第１基板１０を保持するホルダーとを相対回転させながら、研磨を行なう。その際、例えば、平均粒径が０．０１〜２０μｍの酸化セリウム粒子、分散剤としてのアクリル酸エステル誘導体、および水を含む研磨剤を研磨布と第１基板１０との間に供給する。その際、画像表示領域１０ａと端子電極１０２の形成領域との間に大きな高低差が存在すると、研磨工程を行っても、画像表示領域１０ａ内を平坦面とすることが困難である。しかるに本形態では、画素電極９ａと同一の層に端子電極１０２が形成されている。従って、平坦化膜１７を形成するための絶縁膜を成膜した時点で画像表示領域１０ａと端子電極１０２の形成領域との間に大きな高低差が存在しないので、化学機械研磨を行った際、画像表示領域１０ａ内の表面を平坦面とすることができる。
【００６４】
次に、図７（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィ技術を利用して、平坦化膜１７に開口部１７ｓを形成する。次に、図３に示すように、マスク蒸着等を利用して画像表示領域１０ａのみに配向膜１６を形成する。その結果、第１基板１０が完成する。しかる後には、図２等を参照して説明したように、第１基板１０と第２基板２０とをシール材１０７で貼り合わせた後、減圧雰囲気中でシール材１０７の途切れ部分１０７ｃから液晶を注入し、しかる後に、シール材１０７の途切れ部分１０７ｃを封止材１０８で封止する。その間、所定のタイミングで大型基板を単品サイズの第１基板１０や第２基板２０に切断すれば、図２等を参照して説明した単品サイズの液晶パネル１００ｐを得ることができる。
【００６５】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態に係る電気光学装置１００において、端子電極１０２は、反射性の画素電極９ａと同一の層に設けられているとともに、画素電極９ａを構成する導電膜と同一の導電材料（アルミニウム膜９ｓ）からなる。このため、画素電極９ａの上層側に絶縁膜（平坦化膜１７）が形成されているか否かにかかわらず、端子電極１０２を構成することができる。また、端子電極１０２は、画素電極９ａと同一の層に設けられているため、端子電極１０２を下層側の配線７ｓに導通させる場合でも、画素電極９ａを下層側の中継電極７ｂと導通させるための構造と同一の構造を採用することができる。従って、端子電極１０２を下層側の配線７ｓと導通させるためのコンタクトホール４５ｓは浅くてよく、深いコンタクトホールを形成しなくてもよい。それ故、深いコンタクトホールを形成する際のプロセス上のマージンが小さいことに起因する歩留まり低下や、深いコンタクトホールを介しての導通に起因する信頼性の低下等を回避することができる。
【００６６】
また、本形態において、画素電極９ａおよび端子電極１０２の上層側に平坦化膜１７が設けられており、平坦化膜１７の端子電極１０２と重なる領域には開口部１７ｓが設けられている。このため、画素電極９ａおよび端子電極１０２の上層側に平坦化膜１７が設けられている場合でも、端子電極１０２にフレキシブル配線基板等を接続することができる。また、平坦化膜を形成した場合でも、端子電極１０２は、平坦化膜１７より下層側に形成されているため、端子電極１０２を下層側に導通させる際、深いコンタクトホールを形成しなくてもよい。また、同一の層に同一種類の導電材料により形成された画素電極９ａおよび端子電極１０２の上層側に平坦化膜１７が設けられているため、平坦化膜１７を形成するにあたって、絶縁膜を形成した後、絶縁膜の表面を研磨する際、絶縁膜を成膜した時点で画像表示領域１０ａと端子電極１０２の形成領域との間に大きな高低差が存在しない。それ故、化学機械研磨を行った際、画像表示領域１０ａ内の表面を平坦面とすることができる。
【００６７】
また、画素電極９ａは、層間絶縁膜４５に形成されたコンタクトホール４５ａを介して中継電極７ｂに導通し、端子電極１０２は、層間絶縁膜４５に形成されたコンタクトホール４５ｓを介して、中継電極７ｂと同一の層に中継電極７ｂと同一種類の導電材料により構成された配線７ｓに導通している。このため、画素電極９ａを下層側に導通させるためのコンタクトホール４５ａの形成と、端子電極１０２を下層側の配線７ｓに導通させるためのコンタクトホール４５ｓの形成とを同時に行うことができる。また、配線７ｓを中継電極７ｂと同時に形成することができる。従って、製造プロセスの簡素化を図ることができる。
【００６８】
また、画素電極９ａおよび端子電極１０２は、同一の平坦膜（層間絶縁膜４５）上に設けられている。このため、画素電極９ａおよび端子電極１０２を平坦面に形成する場合でも、平坦化のための研磨工程の数が少なく済む。また、層間絶縁膜４５（平坦膜）を形成する際の研磨によって、コンタクトホール４５ａ、４５ｓを形成すべき絶縁膜の厚さが薄くなる。また、コンタクトホール４５ａ、４５ｓを形成する際、双方においてコンタクトホール４５ａ、４５ｓを形成すべき絶縁膜の厚さが同等となる。従って、画素電極９ａおよび端子電極１０２におけるコンタクトホール４５ａ、４５ｓでの導通部分の信頼性を向上することができる。
【００６９】
さらに、基板間導通用電極１９は、端子電極１０２と略同一の構成を有していることから、端子電極１０２と基板間導通用電極１９とを同時に形成することができる。
【００７０】
［実施の形態２］
図８は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置１００の端子電極１０２の構成を画素１００ａの構成と比較して示す説明図である。図８において、図８（ａ１）、（ａ２）は、画素１００ａの平面構成を模式的に示す説明図、および画素１００ａの断面構成を模式的に示す説明図であり、図８（ｂ１）、（ｂ２）は、端子電極１０２の平面図、およびＧ２−Ｇ２′線に相当する位置で第１基板１０を切断したときの断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００７１】
実施の形態１では、端子電極１０２と配線７ｓとを導通させるにあたって、層間絶縁膜４５に複数のコンタクトホール４５ｓを形成したが、本形態では、図８に示すように、層間絶縁膜４５に大きなコンタクトホール４５ｓを１つ形成し、かかるコンタクトホール４５ｓによって、端子電極１０２と配線７ｓとを導通させている。また、画素電極９ａの表面側には平坦化膜１７が形成されており、かかる平坦化膜１７は、端子電極１０２の表面側にも形成されている。但し、平坦化膜１７には、端子電極１０２と重なる領域に開口部１７ｓが形成されている。このため、端子電極１０２は、平坦化膜１７から露出した状態にある。
【００７２】
ここで、開口部１７ｓは、コンタクトホール４５ｓに対して重なる位置に形成され、かつ、コンタクトホール４５ｓより小さい。このため、平坦化膜１７は、端子電極１０２においてコンタクトホール４５ａの側壁に形成されている部分を覆っている。かかる構成によれば、開口部１７ｓを形成する際、コンタクトホール４５ｓの底部で端子電極１０２が途切れることを防止することができる。すなわち、コンタクトホール４５ｓの底部のうち、中央部分では、端子電極１０２が十分の厚さで形成されるが、隅部分では、端子電極１０２が薄いので、かかる薄い部分を避けるように開口部１７ｓを形成すれば、開口部１７ｓをエッチングにより形成した際、コンタクトホール４５ｓの隅部で端子電極１０２が途切れることを防止することができる。
【００７３】
［実施の形態３］
図９は、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置１００の端子電極１０２の構成を画素１００ａの構成と比較して示す説明図である。図９において、図９（ａ１）、（ａ２）は、画素１００ａの平面構成を模式的に示す説明図、および画素１００ａの断面構成を模式的に示す説明図であり、図９（ｂ１）、（ｂ２）は、端子電極１０２の平面図、およびＧ３−Ｇ３′線に相当する位置で第１基板１０を切断したときの断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００７４】
実施の形態１では、画素電極９ａおよび端子電極１０２の上層側に平坦化膜１７を形成したが、本形態では、図９に示すように、画素電極９ａと平坦化膜１７との間に誘電体多層膜１８が形成されている。誘電体多層膜１８は、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜との積層構造になっている。ここで、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜とでは屈折率が相違するため、誘電体多層膜１８は、画素電極９ａの表面での反射率を高める増反射膜として機能する。本形態において、誘電体多層膜１８（増反射膜）は、端子電極１０２の表面側にも形成されている。また、平坦化膜１７には、端子電極１０２と重なる領域に開口部１７ｓが形成され、誘電体多層膜１８には、開口部１７ｓと重なる領域に開口部１８ｓが形成されている。このため、端子電極１０２は、誘電体多層膜１８および平坦化膜１７から露出した状態にある。なお、基板間導通用電極１９でも、端子電極１０２と同様な構造になっている。
【００７５】
かかる構成によれば、画素電極９ａの表面での反射率を高めることができる。また、画素電極９ａが形成されている領域と、端子電極１０２が形成されている領域とにおける層構造が略同一である。このため、平坦化膜１７を形成するにあたって、絶縁膜を形成した後、絶縁膜の表面を研磨する際、絶縁膜を成膜した時点で画像表示領域１０ａと端子電極１０２の形成領域との間に大きな高低差が存在しない。それ故、化学機械研磨を行った際、画像表示領域１０ａ内の表面を平坦面とすることができる。
【００７６】
［実施の形態４］
図１０は、本発明の実施の形態４に係る電気光学装置１００の端子電極１０２の構成を画素１００ａの構成と比較して示す説明図である。図１０において、図１０（ａ１）、（ａ２）は、画素１００ａの平面構成を模式的に示す説明図、および画素１００ａの断面構成を模式的に示す説明図であり、図１０（ｂ１）、（ｂ２）は、端子電極１０２の平面図、およびＧ４−Ｇ４′線に相当する位置で第１基板１０を切断したときの断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００７７】
実施の形態１において、端子電極１０２は、画素電極９ａを構成する導電膜と同一種類の導電材料（アルミニウム膜９ｓ）により構成されていたが、以下に説明するように、画素電極９ａを構成する導電膜の一部と同一種類の導電材料によって、端子電極１０２を構成してもよい。より具体的には、図１０に示すように、本形態において、画素電極９ａは、層間絶縁膜４５の上層に形成されたチタン窒化膜からなる下層側の第１導電膜９ｅと、アルミニウム膜からなる上層側の第２導電膜９ｆとを備えており、第１導電膜９ｅと第２導電膜９ｆとは同一の平面形状を備えている。かかる構成は、チタン窒化膜およびアルミニウム膜をこの順に成膜した後、アルミニウム膜およびチタン窒化膜を順にパターニングすることにより実現することができる。
【００７８】
一方、端子電極１０２は、層間絶縁膜４５の上層に形成されたチタン窒化膜９ｇのみからなり、アルミニウム膜が形成されていない。なお、基板間導通用電極１９でも、端子電極１０２と同様な構造になっている。
【００７９】
かかる構成の電気光学装置１００でも、実施の形態１と同様、端子電極１０２は、反射性の画素電極９ａと同一の層に設けられているとともに、画素電極９ａを構成する導電膜の一部と同一種類の導電材料（チタン窒化膜９ｇ）からなる。このため、画素電極９ａの上層側に絶縁膜（平坦化膜１７）が形成されているか否かにかかわらず、端子電極１０２を構成することができる。また、端子電極１０２は、画素電極９ａと同一の層に設けられているため、端子電極１０２を下層側の配線７ｓに導通させる場合でも、画素電極９ａを下層側の中継電極７ｂと導通させるための構造と同一の構造を採用することができる。従って、端子電極１０２を下層側の配線７ｓと導通させるためのコンタクトホール４５ｓは浅くてよい等、実施の形態１と同様な効果を奏する。また、端子電極１０２がアルミニウム膜を備えていないので、マイグレーション等の問題が発生しない。それ故、端子電極１０２の狭ピッチ化に適している。
【００８０】
［実施の形態５］
図１１は、本発明の実施の形態５に係る電気光学装置１００の端子電極１０２の構成を画素１００ａの構成と比較して示す説明図である。図１１において、図１１（ａ１）、（ａ２）は、画素１００ａの平面構成を模式的に示す説明図、および画素１００ａの断面構成を模式的に示す説明図であり、図１１（ｂ１）、（ｂ２）は、端子電極１０２の平面図、およびＧ５−Ｇ５′線に相当する位置で第１基板１０を切断したときの断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１、４と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００８１】
実施の形態１において、端子電極１０２は、画素電極９ａを構成する導電膜と同一種類の導電材料（アルミニウム膜９ｓ）が露出した状態にあったが、図１１を参照して以下に説明するように、端子電極１０２の表面が導電性保護層１５ｓで覆われている構成を採用してもよい。
【００８２】
より具体的には、図１１に示すように、画素電極９ａは、層間絶縁膜４５の上層に形成されたチタン窒化膜からなる下層側の第１導電膜９ｅと、アルミニウム膜からなる上層側の第２導電膜９ｆとを備えており、第１導電膜９ｅと第２導電膜９ｆとは同一の平面形状を備えている。一方、端子電極１０２は、層間絶縁膜４５の上層に形成されたチタン窒化膜９ｇのみからなる。かかる構成の画素電極９ａおよび端子電極１０２の表面側には、開口部１７ｓを備えた平坦化膜１７が形成されている。本形態では、平坦化膜１７の上層には開口部１７ｓと重なる領域にＩＴＯ膜からなる導電性保護層１５ｓが形成されており、導電性保護層１５ｓは、開口部１７ｓの底部で端子電極１０２（チタン窒化膜９ｇ）と導通している。なお、基板間導通用電極１９でも、端子電極１０２と同様な構造になっている。
【００８３】
かかる構成によれば、端子電極１０２がアルミニウム膜を備えていないので、マイグレーション等の問題が発生しない。それ故、端子電極１０２の狭ピッチ化に適している。また、ＩＴＯ膜からなる導電性保護層１５ｓと、アルミニウム膜とが接していないので、導電性保護層１５ｓを構成するＩＴＯ膜からアルミニウム膜に酸素が引き抜かれる等の腐食が発生しない。
【００８４】
［実施の形態６］
図１２は、本発明の実施の形態６に係る電気光学装置１００の端子電極１０２の構成を画素１００ａの構成と比較して示す説明図である。図１２において、図１２（ａ１）、（ａ２）は、画素１００ａの平面構成を模式的に示す説明図、および画素１００ａの断面構成を模式的に示す説明図であり、図１２（ｂ１）、（ｂ２）は、端子電極１０２の平面図、およびＧ６−Ｇ６′線に相当する位置で第１基板１０を切断したときの断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１、４、５と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００８５】
実施の形態５において、端子電極１０２の表面は、平坦化膜１７の上層に形成された導電性保護層１５ｓで覆われている構成であったが、本形態では、図１２を参照して以下に説明するように、端子電極１０２の表面が、平坦化膜１７より下層側に形成された導電性保護層１５ｓで覆われている構成を採用してもよい。
【００８６】
より具体的には、図１２に示すように、画素電極９ａは、層間絶縁膜４５の上層に形成されたチタン窒化膜からなる下層側の第１導電膜９ｅと、アルミニウム膜からなる上層側の第２導電膜９ｆとを備えており、第１導電膜９ｅと第２導電膜９ｆとは同一の平面形状を備えている。一方、端子電極１０２は、層間絶縁膜４５の上層に形成されたチタン窒化膜９ｇのみからなる。かかる構成の画素電極９ａおよび端子電極１０２の表面側には、開口部１７ｓを備えた平坦化膜１７が形成されている。本形態では、端子電極１０２（チタン窒化膜９ｇ）との間には、開口部１７ｓと重なる領域にＩＴＯ膜からなる導電性保護層１５ｓが形成されており、導電性保護層１５ｓは、開口部１７ｓで露出した状態にある。なお、基板間導通用電極１９でも、端子電極１０２と同様な構造になっている。
【００８７】
かかる構成によれば、端子電極１０２がアルミニウム膜を備えていないので、マイグレーション等の問題が発生しない。それ故、端子電極１０２の狭ピッチ化に適している。また、ＩＴＯ膜からなる導電性保護層１５ｓと、アルミニウム膜とが接していないので、導電性保護層１５ｓを構成するＩＴＯ膜からアルミニウム膜に酸素が引き抜かれる等の腐食が発生しない。
【００８８】
［他の実施の形態］
上記実施の形態では、画素電極９ａにアルミニウム膜を用いることにより、画素電極９ａを反射性電極としたが、例えば、ＩＴＯ膜の下層側にアルミニウム膜からなる反射層を設けることにより、ＩＴＯ膜を備えた反射性の画素電極９ａを構成してもよい。この場合、端子電極１０２については、下層側から順にアルミニウム膜、チタン窒化膜およびＩＴＯ膜を積層した構成としてもよい。
【００８９】
［電子機器への搭載例］
上述した実施形態に係る電気光学装置１００を適用した電子機器について説明する。図１３は、本発明を適用した電気光学装置１００を用いた投射型表示装置の概略構成図である。
【００９０】
図１３に示す投射型表示装置１０００は、光源光を発生する光源部１０２１と、光源部１０２１から出射された光源光を赤、緑、青の３色に分離する色分離導光光学系１０２３と、色分離導光光学系１０２３から出射された各色の光源光によって照明される光変調部１０２５とを有している。また、投射型表示装置１０００は、光変調部１０２５から出射された各色の像光を合成するクロスダイクロイックプリズム１０２７（合成光学系）と、クロスダイクロイックプリズム１０２７を経た像光をスクリーン（不図示）に投射するための投射光学系である投射光学系１０２９とを備えている。
【００９１】
かかる投射型表示装置１０００において、光源部１０２１は、光源１０２１ａと、一対のフライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅと、偏光変換部材１０２１ｇと、重畳レンズ１０２１ｉとを備えている。本形態においては、光源部１０２１は、放物面からなるリフレクタ１０２１ｆを備えており、平行光を出射する。フライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅは、システム光軸と直交する面内にマトリクス状に配置された複数の要素レンズからなり、これらの要素レンズによって光源光を分割して個別に集光・発散させる。偏光変換部材１０２１ｇは、フライアイ光学系１０２１ｅから出射した光源光を、例えば図面に平行なｐ偏光成分のみに変換して光路下流側光学系に供給する。重畳レンズ１０２１ｉは、偏光変換部材１０２１ｇを経た光源光を全体として適宜収束させることにより、光変調部１０２５に設けた複数の電気光学装置１００を各々均一に重畳照明可能とする。
【００９２】
色分離導光光学系１０２３は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａと、ダイクロイックミラー１０２３ｂと、反射ミラー１０２３ｊ、１０２３ｋとを備える。色分離導光光学系１０２３において、光源部１０２１からの略白色の光源光は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａに入射する。クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する一方の第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された赤色（Ｒ）の光は、反射ミラー１０２３ｊで反射されダイクロイックミラー１０２３ｂを透過して、入射側偏光板１０３７ｒ、ｐ偏光を透過させ、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、および光学補償板１０３９ｒを介して、ｐ偏光のまま、赤色（Ｒ）用の電気光学装置１００に入射する。
【００９３】
また、第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された緑色（Ｇ）の光は、反射ミラー１０２３ｊで反射され、その後、ダイクロイックミラー１０２３ｂでも反射されて、入射側偏光板１０３７ｇ、ｐ偏光を透過させ、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｇ、および光学補償板１０３９ｇを介して、ｐ偏光のまま、緑色（Ｇ）用の電気光学装置１００に入射する。
【００９４】
これに対して、クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する他方の第２ダイクロイックミラー１０３１ｂで反射された青色（Ｂ）の光は、反射ミラー１０２３ｋで反射されて、入射側偏光板１０３７ｂ、ｐ偏光を透過する一方でｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｂ、および光学補償板１０３９ｂを介して、ｐ偏光のまま、青色（Ｂ）用の電気光学装置１００に入射する。
【００９５】
なお、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂは、電気光学装置１００への入射光および出射光の偏光状態を調整することで、液晶層の特性を光学的に補償している。
【００９６】
このように構成した投射型表示装置１０００では、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂを経て入射した３色の光は各々、各電気光学装置１００において変調される。その際、電気光学装置１００から出射された変調光のうち、ｓ偏光の成分光は、ワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、１０３２ｇ、１０３２ｂで反射し、出射側偏光板１０３８ｒ、１０３８ｇ、１０３８ｂを介してクロスダイクロイックプリズム１０２７に入射する。クロスダイクロイックプリズム１０２７には、Ｘ字状に交差する第１誘電体多層膜１０２７ａおよび第２誘電体多層膜１０２７ｂが形成されており、一方の第１誘電体多層膜１０２７ａはＲ光を反射し、他方の第２誘電体多層膜１０２７ｂはＢ光を反射する。従って、３色の光は、クロスダイクロイックプリズム１０２７において合成され、投射光学系１０２９に出射される。そして、投射光学系１０２９は、クロスダイクロイックプリズム１０２７で合成されたカラーの像光を、所望の倍率でスクリーン（図示せず。）投射する。
【００９７】
（他の投射型表示装置）
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の電気光学装置に供給するように構成してもよい。
【００９８】
（他の電子機器）
本発明を適用した電気光学装置１００については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。
【符号の説明】
【００９９】
９ａ・・画素電極（反射性画素電極）、１０・・第１基板、１０ａ・・画像表示領域、１５ｓ・・導電性保護層、１６・・配向膜、１７・・平坦化膜、１７ｓ・・開口部、１８・・誘電体多層膜、１９・・基板間導通用電極、２０・・第２基板、２１・・共通電極、２５・・基板間導通用電極、２６・・配向膜、４１、４２、４４、４５・・層間絶縁膜、４５ａ、４５ｓ・・コンタクトホール、５０・・液晶層、１００・・電気光学装置、１０２・・端子電極
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
複数の画素に対応して前記基板の一方面側に設けられた複数の反射性画素電極と、
前記複数の画素に対応して前記基板と前記複数の反射性画素電極との間に設けられたスイッチング素子と、
該スイッチング素子と前記複数の反射性画素電極との間に設けられた層間絶縁膜と、
前記複数の反射性画素電極と同一の層に設けられ、前記層間絶縁膜の前記スイッチング素子と反対側に設けられた端子電極と、
を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記複数の反射性画素電極および前記端子電極は、同一の平坦膜の前記基板とは反対側の面に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記複数の反射性画素電極および前記端子電極に対して前記基板と反対側に設けられた平坦化膜を備え、
当該平坦化膜の前記端子電極と重なる領域には開口部が設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記複数の反射性画素電極は、前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して中継電極に導通し、
前記端子電極は、前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記中継電極と同一の層に形成された配線または中継電極に導通していることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記複数の反射性画素電極および前記端子電極に対して前記基板と反対側に設けられた誘電体多層膜を備え、
当該誘電体多層膜の前記端子電極と重なる領域には開口部が設けられていることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記端子電極に対して前記基板と反対側で重なる導電性保護層が設けられていることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記複数の反射性画素電極と同一の層に設けられた基板間導通用電極と、
前記基板に対向する対向基板と前記基板間導通用電極との間に介在する基板間導通材と、
を有していることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れか一項に記載の電気光学装置を備えた投射型表示装置であって、
前記電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系を有していることを特徴とする投射型表示装置。
【請求項１】
基板と、
複数の画素に対応して前記基板の一方面側に設けられた複数の反射性画素電極と、
前記複数の画素に対応して前記基板と前記複数の反射性画素電極との間に設けられたスイッチング素子と、
該スイッチング素子と前記複数の反射性画素電極との間に設けられた層間絶縁膜と、
前記複数の反射性画素電極と同一の層に設けられ、前記層間絶縁膜の前記スイッチング素子と反対側に設けられた端子電極と、
を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記複数の反射性画素電極および前記端子電極は、同一の平坦膜の前記基板とは反対側の面に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記複数の反射性画素電極および前記端子電極に対して前記基板と反対側に設けられた平坦化膜を備え、
当該平坦化膜の前記端子電極と重なる領域には開口部が設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記複数の反射性画素電極は、前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して中継電極に導通し、
前記端子電極は、前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記中継電極と同一の層に形成された配線または中継電極に導通していることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記複数の反射性画素電極および前記端子電極に対して前記基板と反対側に設けられた誘電体多層膜を備え、
当該誘電体多層膜の前記端子電極と重なる領域には開口部が設けられていることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記端子電極に対して前記基板と反対側で重なる導電性保護層が設けられていることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記複数の反射性画素電極と同一の層に設けられた基板間導通用電極と、
前記基板に対向する対向基板と前記基板間導通用電極との間に介在する基板間導通材と、
を有していることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れか一項に記載の電気光学装置を備えた投射型表示装置であって、
前記電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系を有していることを特徴とする投射型表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２０１３−３１８４（Ｐ２０１３−３１８４Ａ）
【公開日】平成２５年１月７日（２０１３．１．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１３０９８２（Ｐ２０１１−１３０９８２）
【出願日】平成２３年６月１３日（２０１１．６．１３）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年１月７日（２０１３．１．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年６月１３日（２０１１．６．１３）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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