液晶装置および電子機器
【課題】液晶セル内に位相差層を備えていても製造工数を低減可能な半透過反射型液晶装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００は、対向基板１０と、素子基板２０と、対向基板１０と素子基板２０との間に位置する液晶層３０と、対向基板１０の液晶層３０側の面上の画素２の領域に設けられた位相差層４０と、対向基板１０の液晶層３０側の面上の画素２同士の間の領域に設けられた位相差層４２と、を備え、位相差層４２は、対向基板１０と素子基板２０とのギャップＧ１を保持していることを特徴とする。
【解決手段】液晶装置１００は、対向基板１０と、素子基板２０と、対向基板１０と素子基板２０との間に位置する液晶層３０と、対向基板１０の液晶層３０側の面上の画素２の領域に設けられた位相差層４０と、対向基板１０の液晶層３０側の面上の画素２同士の間の領域に設けられた位相差層４２と、を備え、位相差層４２は、対向基板１０と素子基板２０とのギャップＧ１を保持していることを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
画素のそれぞれに透過表示領域と反射表示領域とを有する半透過反射型液晶装置で、位相差層を液晶セル内の反射表示領域に選択的に設ける構成が知られている（例えば特許文献１）。このような構成によれば、位相差層を液晶セル外の両側かつ全面に設ける構成に比べ、透過表示領域の表示品位を低下させることがなく、また液晶装置を薄型化できる。
【０００３】
上述のような位相差層は、一般的に、一対の基板のうちの一方の基板の液晶層側に配置した高分子液晶等の材料からなる層を配向させた状態で硬化させた後、パターニングすることにより反射表示領域に選択的に形成される。一方、一対の基板のギャップを保持するため、フォトスペーサが用いられている。フォトスペーサは、一般的に、一方の基板の液晶層側にスペーサ材料を配置した後、パターニングすることにより画素同士の間の領域に形成される。
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−３３８２５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、位相差層を液晶セル内に設ける構成の場合、上述のように、材料を配置しパターニングする工程が必要になるため、位相差層を液晶セル外の両側かつ全面に設ける構成に比べ、製造工数が多くなるという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る液晶装置は、第１の基板と、第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に位置する液晶層と、前記第１の基板の前記液晶層側の面上の画素の領域に設けられた第１の位相差層と、前記第１の基板の前記液晶層側の面上の前記画素同士の間の領域に設けられた第２の位相差層と、を備え、前記第２の位相差層は、前記第１の基板と前記第２の基板とのギャップを保持していることを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、第２の位相差層が、液晶層を挟持する第１の基板と第２の基板とのギャップを保持している。すなわち、第２の位相差層がスペーサとしての役割を果たしている。これにより、スペーサの形成が不要になるのでスペーサ形成時のフォトリソグラフィに用いるマスクが不要になり、スペーサ形成工程がなくなるので液晶装置の製造工数を低減できる。
【０００９】
また、スペーサの形成が必要な場合、第１の位相差層形成後にスペーサ形成工程を行うことで、スペーサの材料に含まれる溶媒やスペーサ形成時のフォトリソグラフィに用いる現像液等によって、第１の位相差層が部分的に溶解し第１の位相差層の光学特性が損なわれるリスクがある。スペーサの形成が不要になれば、このようなリスクを回避することができる。
【００１０】
［適用例２］上記適用例に係る液晶装置であって、前記第２の位相差層は、前記第１の位相差層とほぼ同じ層厚を有しており、前記第１の基板は、前記液晶層側の前記画素同士の間の領域に、平面視で前記第２の位相差層に重なるように設けられた第１の調整層を備えていてもよい。
【００１１】
この構成によれば、第２の位相差層は第１の位相差層とほぼ同じ層厚を有しているので、第１の位相差層と第２の基板との間に所望のギャップを保持するためには、第２の位相差層の層厚だけでは不足する。第２の位相差層に重なるように第１の調整層を設けることにより、第１の基板の第２の位相差層に重なる部分を厚くして、第２の位相差層の層厚の不足分を補うことができる。
【００１２】
［適用例３］上記適用例に係る液晶装置であって、前記第１の調整層は、着色層を含んでいてもよい。
【００１３】
この構成によれば、着色層により第１の基板の第２の位相差層に重なる部分の厚さを厚くできる。
【００１４】
［適用例４］上記適用例に係る液晶装置であって、前記第１の調整層は、積層された色の異なる複数の前記着色層を含んでいてもよい。
【００１５】
この構成によれば、着色層を積層することにより第１の基板の第２の位相差層に重なる部分の厚さをより厚くできる。
【００１６】
［適用例５］上記適用例に係る液晶装置であって、前記第１の調整層は、遮光層を含んでいてもよい。
【００１７】
この構成によれば、遮光層により第１の基板の第２の位相差層に重なる部分の厚さをより厚くできる。
【００１８】
［適用例６］上記適用例に係る液晶装置であって、前記第１の調整層は、前記画素の領域を区画する隔壁を含んでいてもよい。
【００１９】
この構成によれば、隔壁により第１の基板の第２の位相差層に重なる部分の厚さをより厚くできる。
【００２０】
［適用例７］上記適用例に係る液晶装置であって、前記第２の基板は、前記液晶層側の前記画素同士の間の領域に、平面視で前記第２の位相差層に重なるように設けられた第２の調整層を備えていてもよい。
【００２１】
この構成によれば、第１の位相差層と第２の基板との間に所望のギャップを保持するために、第２の位相差層と第１の調整層との合計の層厚では足りない場合、第２の調整層の層厚で補うことができる。
【００２２】
［適用例８］上記適用例に係る液晶装置であって、前記第２の調整層は、電極を含んでいてもよい。
【００２３】
この構成によれば、電極により第２の基板の第２の位相差層に重なる部分の厚さを厚くできる。
【００２４】
［適用例９］上記適用例に係る液晶装置であって、前記画素のそれぞれに設けられた反射表示領域と透過表示領域と、をさらに備え、前記第１の位相差層は前記反射表示領域に配置されていてもよい。
【００２５】
この構成によれば、基板の液晶層側の反射表示領域に位相差層を備えた半透過反射型の液晶装置の製造工数を低減できる。
【００２６】
［適用例１０］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の液晶装置を備えていることを特徴とする。
【００２７】
この構成によれば、上記の特徴を有する液晶装置を備えた電子機器を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下に、本実施の形態について図面を参照して説明する。なお、参照する各図面において、構成をわかりやすく示すため、各構成要素の厚さや寸法の比率等は適宜異ならせてある。また、参照する各図面において、素子、配線、接続部等を一部省略してある。
【００２９】
＜液晶装置＞
（第１の実施形態）
まず、第１の実施形態に係る液晶装置の構成について図を参照して説明する。図１は、第１の実施形態に係る液晶装置の表示領域の一部を示す平面図である。図２は、第１の実施形態に係る液晶装置の概略構成を示す断面図である。詳しくは、図１のＡ−Ａ’線に沿った部分断面図である。なお、図１では、以下の位置関係の説明に必要な構成要素のみを図示している。本実施形態に係る液晶装置１００は、ＦＦＳ（Fringe-Field Switching）方式の半透過反射型の液晶装置である。
【００３０】
図１に示すように、液晶装置１００の表示領域には、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の表示に寄与する画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂ（以下では、対応する色について区別しない場合には単に画素２と呼ぶ）が複数配置されている。画素２は、液晶装置１００の表示の最小単位であり、隣り合う画素２同士の間に間隔が空くように、格子状に配置されている。なお、Ｘ軸は画素２の行方向を示し、Ｙ軸は画素２の列方向を示している。
【００３１】
画素２のそれぞれには、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとが設けられている。Ｘ軸に沿った方向に反射表示領域Ｒ同士または透過表示領域Ｔ同士が対向するように配列され、Ｙ軸に沿った方向に反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとが互いに対向するように配列されている。画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂから画素群４が構成されている。液晶装置１００では、画素群４において画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのそれぞれの表示の輝度を適宜変えることで、種々の色の表示を行うことができる。
【００３２】
図２に示すように、液晶装置１００は、第１の基板としての対向基板１０と、第２の基板としての素子基板２０と、液晶層３０と、第１の位相差層としての位相差層４０と、第２の位相差層としての位相差層４２と、を備えている。液晶層３０は、対向基板１０と素子基板２０との間に位置している。
【００３３】
対向基板１０は、液晶装置１００の観察側に位置している。対向基板１０は、基板１１と、着色層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂと、オーバーコート層１４と、を備えている。基板１１は、透明な材料からなり、例えばガラスからなる。
【００３４】
基板１１の液晶層３０側の画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのそれぞれの領域には、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色のそれぞれに対応して、着色層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ（以下では、対応する色について区別しない場合には単に着色層１２と呼ぶ）のいずれかが配置されている（図１参照）。例えば、図２に示す画素２Ｒには、着色層１２Ｒが配置されている。着色層１２Ｒは、画素２Ｒの領域から画素２同士の間の領域（以下では、画素間領域と呼ぶ）に亘って配置されている。
【００３５】
着色層１２Ｒ上の画素間領域には、第１の調整層としての着色層１２Ｇ，１２Ｂが積層されている。この着色層１２Ｒ上に着色層１２Ｇ，１２Ｂが積層された構成により、画素間領域が遮光される。つまり、積層された着色層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂは、画素間領域から漏れる光を遮って表示のコントラストを向上させる遮光層としての役割を果たしている。
【００３６】
また、着色層１２Ｒ上に積層された着色層１２Ｇ，１２Ｂにより、対向基板１０の画素間領域における厚さが厚くなる。つまり、着色層１２Ｇ，１２Ｂは、対向基板１０の画素間領域における厚さを厚くして、素子基板２０とのギャップを保持できるように調整する役割を果たしている。
【００３７】
オーバーコート層１４は、画素２の領域と画素間領域とに亘って設けられており、着色層１２を覆っている。オーバーコート層１４は、例えばアクリル樹脂からなる。オーバーコート層１４は、表示領域のほぼ全面に形成されるので、下地（着色層１２）表面の凹凸がある程度均された表面形状を有している。したがって、オーバーコート層１４の画素間領域における層厚は、画素２の領域における層厚よりも薄くなっている。
【００３８】
位相差層４０は、対向基板１０上の反射表示領域Ｒにほぼ重なるように配置されている。位相差層４２は、対向基板１０上の画素間領域に配置されている。位相差層４２は、例えば、円形の平面形状を有している。位相差層４２の平面形状は、楕円形や多角形であってもよい。位相差層４０および位相差層４２は、同じ層厚を有している。位相差層４０および位相差層４２の層厚は、例えば２３００ｎｍである。
【００３９】
位相差層４０は、入射される可視光の波長に対し所定の位相差を付与する。位相差層４２は、対向基板１０と素子基板２０とのギャップＧ１を保持している。すなわち、位相差層４２は、液晶装置１００におけるスペーサの役割を果たしている。ギャップＧ１は、例えば３５００ｎｍである。また、位相差層４０と素子基板２０とのギャップＧ２は、例えば１２００ｎｍである。
【００４０】
位相差層４０および位相差層４２は、複屈折性を有する光硬化性材料または熱硬化性材料が配向された状態で硬化されて形成されている。ここで、位相差層４０および位相差層４２の形成方法を、その材料として光反応性のアクリル基を分子末端に有する液晶を用いる場合を例にとり説明する。なお、図示は省略する。
【００４１】
まず、対向基板１０上に配向膜を形成し、その配向膜にラビング法等により配向処理を施す。次に、配向処理を施した配向膜上に、光反応性のアクリル基を分子末端に有する液晶と反応開始剤を含む有機溶媒とからなる材料（以下では、位相差層材料と呼ぶ）を、例えばスピンコート法により配置する。このとき、配向膜上に配置された位相差層材料中の液晶分子は、配向膜の配向規制力により配向する。
【００４２】
次に、位相差層材料を加熱して有機溶媒を取り除いた後、位相差層４０および位相差層４２を形成する領域以外の部分をマスキングして、位相差層材料に紫外光を照射する。これにより、位相差層４０および位相差層４２を形成する領域において位相差層材料の液晶分子のアクリル基が光重合され硬化される。次に、位相差層材料のうちマスキングされ硬化されなかった部分を、例えば有機溶媒により除去する。以上により、対向基板１０上に位相差層４０および位相差層４２が形成される。
【００４３】
図２に示すように、素子基板２０は、液晶層３０を挟んで、対向基板１０に対向する側に位置している。素子基板２０は、基板２１と、ＴＦＴ素子部２２ａを含む回路層２２と、反射層２３と、共通電極２４と、絶縁層２５と、画素電極２６と、を備えている。基板２１は、透明な材料からなり、例えばガラスからなる。
【００４４】
回路層２２は、基板２１の液晶層３０側に形成されている。ＴＦＴ素子部２２ａは、画素２のそれぞれに対応して設けられている。反射表示領域Ｒに位置する回路層２２の上面には、図示しないが、外光を散乱させるための凹凸形状が形成されている。なお、回路層２２には、図示しないが、配線パターン、接続部等が設けられている。
【００４５】
反射層２３は、回路層２２上の反射表示領域Ｒに形成されている。反射層２３は、回路層２２上面に形成された凹凸形状を反映する形状を有している。反射層２３は、反射率の高い金属膜からなる。反射層２３の材料は、例えばアルミニウムやＡＰＣ（銀−パラジウム−銅の合金）である。共通電極２４は、画素２の領域にほぼ重なるように形成されており、反射表示領域Ｒにおいては反射層２３上に形成され、透過表示領域Ｔにおいては回路層２２上に形成されている。共通電極２４は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる。
【００４６】
共通電極２４上には、その上面を覆うように絶縁層２５が形成されている。さらに、絶縁層２５上には、画素２の領域にほぼ重なるように、複数のスリット状の開口部を有する画素電極２６が形成されている。画素電極２６は、コンタクトホール２２ｂを介してＴＦＴ素子部２２ａに接続されている。画素電極２６は、例えばＩＴＯからなる。画素電極２６のそれぞれは、着色層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂのいずれかに対応している。
【００４７】
なお、図示しないが、対向基板１０および素子基板２０の液晶層３０とは反対側には、それぞれ偏光板が配置されている。
【００４８】
液晶層３０は、対向基板１０と素子基板２０との間に位置している。対向基板１０の液晶層３０に接する側には、オーバーコート層１４と位相差層４０および位相差層４２とを覆うように配向膜（図示しない）が形成されている。また、素子基板２０の液晶層３０に接する側には、絶縁層２５と画素電極２６とを覆うように、配向膜（図示しない）が形成されている。液晶層３０は、これらの配向膜に施された配向処理によって配向方向が規制されている。
【００４９】
液晶層３０は、透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとで層厚が異なる。液晶層３０は、透過表示領域ＴにおいてギャップＧ１と同じ層厚を有し、反射表示領域ＲにおいてギャップＧ２と同じ層厚を有している。このことにより、液晶層３０は、入射される可視光の波長に対して透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとで異なる位相差を付与する。
【００５０】
反射表示を行う液晶装置１００では、光学設計上、暗表示を行う際に反射層２３に到達する外光がすべての可視波長域でほぼ円偏光である必要がある。反射層２３に到達した外光が楕円偏光であると暗表示に色づきが生じ、高コントラストな反射表示を得ることが困難になるからである。
【００５１】
液晶装置１００では、反射表示領域Ｒに対応する領域に選択的に位相差層４０を配置し、反射表示領域Ｒにおける液晶層３０の層厚が透過表示領域Ｔにおける液晶層３０の層厚に比べて薄くなるように構成している。これにより、対向基板１０側の偏光板と位相差層４０と反射表示領域Ｒ内の液晶層３０とで広帯域円偏光を作り出せるようにして反射層２３に到達する外光をほぼすべての可視波長域で円偏光に近づけている。
【００５２】
さて、液晶装置１００において、ギャップＧ１は、対向基板１０と素子基板２０との間を保持する位相差層４２の層厚で決まる。ギャップＧ２は、ギャップＧ１よりも位相差層４０の層厚分だけ小さい。ところが、位相差層４２の層厚は位相差層４０の層厚と同じであるので、対向基板１０と素子基板２０との間にギャップＧ１を保持するためには、位相差層４２だけではギャップＧ２に相当する厚さが不足する。したがって、対向基板１０および素子基板２０の少なくとも一方において、位相差層４２に重なる領域でギャップＧ２に相当する１２００ｎｍの厚さを補う必要がある。
【００５３】
本実施形態では、対向基板１０の画素間領域において、平面視で位相差層４２に重なるように第１の調整層としての着色層１２Ｇ，１２Ｂが着色層１２Ｒ上に設けられている。着色層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂのそれぞれの層厚は、例えば１０００ｎｍである。オーバーコート層１４の層厚は、画素２の領域において例えば１０００ｎｍであり、画素間領域において例えば２００ｎｍである。
【００５４】
この構成では、対向基板１０の厚さは、画素２の領域において２０００ｎｍとなり、画素間領域において３２００ｎｍとなる。したがって、対向基板１０の画素間領域における厚さと画素２の領域における厚さとの差Ｄ１は、ギャップＧ２と同じ１２００ｎｍとなる。このように、着色層１２Ｇ，１２Ｂは、対向基板１０の位相差層４２に重なる領域における厚さを厚くして位相差層４２の層厚の不足分を補い、素子基板２０とのギャップＧ１を保持できるように調整する役割を果たしている。
【００５５】
上記第１の実施形態によれば、以下の効果が得られる。
【００５６】
（１）位相差層４２が、液晶装置１００のスペーサとしての役割を果たしている。これにより、スペーサの形成が不要になるので、スペーサ形成時のフォトリソグラフィに用いるマスクが不要になり、スペーサ形成工程がなくなるので、液晶装置１００の製造工数を低減できる。
【００５７】
（２）スペーサの形成が必要な場合、位相差層４０形成後にスペーサ形成工程を行うことで、スペーサの材料に含まれる溶媒やスペーサ形成時のフォトリソグラフィに用いる現像液等によって、位相差層４０が部分的に溶解し位相差層４０の光学特性が損なわれるリスクがある。スペーサの形成が不要であるので、このようなリスクを回避することができる。
【００５８】
（３）位相差層４２は位相差層４０と同じ層厚を有しているので、位相差層４０と素子基板２０との間に所望のギャップＧ２を保持するためには、位相差層４２の層厚だけでは不足する。位相差層４２に重なるように着色層１２Ｇ，１２Ｂを設けることにより、対向基板１０の位相差層４２に重なる部分を厚くして、位相差層４２の層厚の不足分を補うことができる。
【００５９】
なお、液晶装置１００は、着色層１２Ｒ上に着色層１２Ｇ，１２Ｂが積層された構成を有しているが、この形態に限定されない。画素間領域を遮光する効果を有しており、かつ画素間領域における対向基板１０の厚さの不足分を補うことができれば、液晶装置１００は、着色層１２Ｒ上に着色層１２Ｇまたは１２Ｂのいずれか一方を積層する構成であってもよい。
【００６０】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態に係る液晶装置の構成について図を参照して説明する。図３は、第２の実施形態に係る液晶装置の概略構成を示す断面図である。なお、第１の実施形態と共通する構成要素については同一の符号を付しその説明を省略する。
【００６１】
第２の実施形態に係る液晶装置２００は、第１の実施形態に係る液晶装置１００に対して、対向基板１０が画素間領域に遮光層１６を備えており着色層１２Ｂが積層されていない点と、素子基板２０が画素間領域にダミー電極２７を備えている点とが異なっているが、その他の構成は同じである。
【００６２】
図３に示すように、対向基板１０は、基板１１と、遮光層１６と、着色層１２Ｒ，１２Ｇと、オーバーコート層１４と、を備えている。遮光層１６は、基板１１上の画素間領域に配置されており、格子状に形成されている。遮光層１６は、平面視で位相差層４２に重なっている。遮光層１６の層厚は、例えば９００ｎｍである。
【００６３】
着色層１２Ｒは、画素２Ｒの領域から画素間領域に亘って配置されており、画素間領域においては遮光層１６上に積層されている。着色層１２Ｒ上の画素間領域には、着色層１２Ｇが積層されている。本実施形態では、第１の調整層としての遮光層１６と着色層１２Ｇとにより、対向基板１０の画素間領域における厚さが厚くなっている。
【００６４】
素子基板２０は、基板２１と、ＴＦＴ素子部２２ａを含む回路層２２と、反射層２３と、共通電極２４と、絶縁層２５と、画素電極２６と、第２の調整層としてのダミー電極２７と、を備えている。ダミー電極２７は、絶縁層２５上の画素間領域に、平面視で位相差層４２に重なるように設けられている。ダミー電極２７の層厚は、例えば１００ｎｍである。ダミー電極２７により、素子基板２０の画素間領域における厚さが厚くなっている。
【００６５】
この構成では、対向基板１０の厚さは、画素２の領域において２０００ｎｍとなり、画素間領域において３１００ｎｍとなる。したがって、対向基板１０の画素間領域における厚さと画素２の領域における厚さとの差Ｄ１は１１００ｎｍとなる。この差Ｄ１は、位相差層４２でギャップＧ１を保持するために必要なギャップＧ２に相当する厚さに対して、１００ｎｍ不足している。一方、ダミー電極２７が設けられたことにより、素子基板２０の画素間領域における厚さと画素２の領域における厚さとの差Ｄ２は１００ｎｍとなる。この差Ｄ２により、対向基板１０における差Ｄ１の不足分を補うことができる。
【００６６】
上記第２の実施形態によれば、以下の効果が得られる。
【００６７】
（１）対向基板１０の画素間領域における厚さを厚くしても所望の値に対して不足する場合、ダミー電極２７により素子基板２０の画素間領域における厚さを厚くしてその不足分を補い、対向基板１０と素子基板２０とのギャップＧ１を保持できるように調整することができる。
【００６８】
（２）ダミー電極２７は、遮光層１６および着色層１２に比べて層厚が薄いので、より小さな範囲で厚さの調整ができる。したがって、遮光層１６および着色層１２により対向基板１０側で調整できない小さい範囲の厚さを、ダミー電極２７により素子基板２０側で調整することが可能である。
【００６９】
なお、液晶装置２００は、第２の調整層として、ダミー電極２７の代わりに無機膜または有機膜を備えていてもよい。
【００７０】
（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態に係る液晶装置の構成について図を参照して説明する。図４は、第３の実施形態に係る液晶装置の概略構成を示す断面図である。なお、第１の実施形態および第２の実施形態と共通する構成要素については同一の符号を付しその説明を省略する。
【００７１】
第３の実施形態に係る液晶装置３００は、第２の実施形態に係る液晶装置２００に対して、対向基板１０が画素間領域に隔壁１８を備えており遮光層１６と着色層１２とが積層されていない点と、素子基板２０が画素間領域にダミー電極２８を備えている点とが異なっているが、その他の構成は同じである。
【００７２】
図４に示すように、対向基板１０は、基板１１と、隔壁１８と、着色層１２Ｒと、オーバーコート層１４と、を備えている。隔壁１８は、基板１１上の画素間領域に配置されており、格子状に形成されている。
【００７３】
隔壁１８は、平面視で位相差層４２に重なっている。隔壁１８は、画素２のそれぞれの領域を区画している。隔壁１８は、着色層１２Ｒを液滴吐出法を用いて形成する際に、着色層１２Ｒの液材料が画素２の領域外に広がるのを防止するためのものである。隔壁１８は、例えば、遮光性を有するアクリル樹脂からなる。隔壁１８の層厚は、例えば２７００ｎｍである。
【００７４】
着色層１２Ｒは、隔壁１８により区画された領域に配置されている。オーバーコート層１４は、着色層１２Ｒと隔壁１８とを覆っている。本実施形態では、第１の調整層としての隔壁１８により、対向基板１０の画素間領域における厚さが厚くなっている。
【００７５】
素子基板２０は、基板２１と、ＴＦＴ素子部２２ａを含む回路層２２と、反射層２３と、共通電極２４と、絶縁層２５と、画素電極２６と、ダミー電極２７と、ダミー電極２８と、を備えている。ダミー電極２８は、回路層２２と絶縁層２５との間の画素間領域に、平面視で位相差層４２に重なるように設けられている。ダミー電極２８の層厚は、例えば２００ｎｍである。本実施形態では、第２の調整層としてのダミー電極２７とダミー電極２８とにより、素子基板２０の画素間領域における厚さが厚くなっている。
【００７６】
この構成では、対向基板１０の厚さは、画素２の領域において２０００ｎｍとなり、画素間領域において２９００ｎｍとなる。したがって、対向基板１０の画素間領域における厚さと画素２の領域における厚さとの差Ｄ１は９００ｎｍとなる。この差Ｄ１は、位相差層４２でギャップＧ１を保持するために必要なギャップＧ２に相当する厚さに対して、３００ｎｍ不足している。一方、ダミー電極２７とダミー電極２８とが設けられたことにより、素子基板２０の画素間領域における厚さと画素２の領域における厚さとの差Ｄ２は３００ｎｍとなる。この差Ｄ２により、対向基板１０における差Ｄ１の不足分を補うことができる。
【００７７】
上記第３の実施形態によれば、以下の効果が得られる。
【００７８】
ダミー電極２７とダミー電極２８とを備えることにより、素子基板２０の画素間領域における厚さの調整範囲を広くすることができる。
【００７９】
なお、液晶装置３００は、第２の調整層として、ダミー電極２７またはダミー電極２８の代わりに無機膜または有機膜を備えていてもよい。
【００８０】
＜電子機器＞
上述した液晶装置１００，２００，３００は、例えば、図５に示すように、電子機器としての携帯電話機５００に搭載して用いることができる。携帯電話機５００は、表示部５０２に液晶装置１００，２００，３００を備えている。この構成により、表示部５０２を有する携帯電話機５００は優れた表示品質を有している。
【００８１】
また、電子機器は、モバイルコンピュータ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、オーディオ機器、液晶プロジェクタであってもよい。
【００８２】
以上、本発明の実施形態について説明したが、上記実施形態に対しては、本発明の趣旨から逸脱しない範囲で様々な変形を加えることができる。変形例としては、例えば以下のようなものが考えられる。
【００８３】
（変形例）
上記の実施形態の液晶装置は、ＦＦＳ方式の半透過反射型の液晶装置であったが、この形態に限定されない。液晶装置は、例えば、ＩＰＳ（In-Plane Switching）方式の液晶装置、ＥＣＢ（Electrically Controlled Birefringence）方式の液晶装置、ＶＡ（Vertical Alignment）方式の液晶装置であってもよい。また、液晶装置は、反射型の液晶装置であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】第１の実施形態に係る液晶装置の表示領域の一部を示す平面図。
【図２】第１の実施形態に係る液晶装置の概略構成を示す断面図。
【図３】第２の実施形態に係る液晶装置の概略構成を示す断面図。
【図４】第３の実施形態に係る液晶装置の概略構成を示す断面図。
【図５】本実施の形態における電子機器を示す図。
【符号の説明】
【００８５】
２…画素、４…画素群、１０…対向基板、１１…基板、１２…着色層、１４…オーバーコート層、１６…遮光層、１８…隔壁、２０…素子基板、２１…基板、２２…回路層、２２ａ…ＴＦＴ素子部、２２ｂ…コンタクトホール、２３…反射層、２４…共通電極、２５…絶縁層、２６…画素電極、２７…ダミー電極、２８…ダミー電極、３０…液晶層、４０…位相差層、４２…位相差層、１００，２００，３００…液晶装置、５００…携帯電話機、５０２…表示部、Ｒ…反射表示領域、Ｔ…透過表示領域。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
画素のそれぞれに透過表示領域と反射表示領域とを有する半透過反射型液晶装置で、位相差層を液晶セル内の反射表示領域に選択的に設ける構成が知られている（例えば特許文献１）。このような構成によれば、位相差層を液晶セル外の両側かつ全面に設ける構成に比べ、透過表示領域の表示品位を低下させることがなく、また液晶装置を薄型化できる。
【０００３】
上述のような位相差層は、一般的に、一対の基板のうちの一方の基板の液晶層側に配置した高分子液晶等の材料からなる層を配向させた状態で硬化させた後、パターニングすることにより反射表示領域に選択的に形成される。一方、一対の基板のギャップを保持するため、フォトスペーサが用いられている。フォトスペーサは、一般的に、一方の基板の液晶層側にスペーサ材料を配置した後、パターニングすることにより画素同士の間の領域に形成される。
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−３３８２５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、位相差層を液晶セル内に設ける構成の場合、上述のように、材料を配置しパターニングする工程が必要になるため、位相差層を液晶セル外の両側かつ全面に設ける構成に比べ、製造工数が多くなるという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る液晶装置は、第１の基板と、第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に位置する液晶層と、前記第１の基板の前記液晶層側の面上の画素の領域に設けられた第１の位相差層と、前記第１の基板の前記液晶層側の面上の前記画素同士の間の領域に設けられた第２の位相差層と、を備え、前記第２の位相差層は、前記第１の基板と前記第２の基板とのギャップを保持していることを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、第２の位相差層が、液晶層を挟持する第１の基板と第２の基板とのギャップを保持している。すなわち、第２の位相差層がスペーサとしての役割を果たしている。これにより、スペーサの形成が不要になるのでスペーサ形成時のフォトリソグラフィに用いるマスクが不要になり、スペーサ形成工程がなくなるので液晶装置の製造工数を低減できる。
【０００９】
また、スペーサの形成が必要な場合、第１の位相差層形成後にスペーサ形成工程を行うことで、スペーサの材料に含まれる溶媒やスペーサ形成時のフォトリソグラフィに用いる現像液等によって、第１の位相差層が部分的に溶解し第１の位相差層の光学特性が損なわれるリスクがある。スペーサの形成が不要になれば、このようなリスクを回避することができる。
【００１０】
［適用例２］上記適用例に係る液晶装置であって、前記第２の位相差層は、前記第１の位相差層とほぼ同じ層厚を有しており、前記第１の基板は、前記液晶層側の前記画素同士の間の領域に、平面視で前記第２の位相差層に重なるように設けられた第１の調整層を備えていてもよい。
【００１１】
この構成によれば、第２の位相差層は第１の位相差層とほぼ同じ層厚を有しているので、第１の位相差層と第２の基板との間に所望のギャップを保持するためには、第２の位相差層の層厚だけでは不足する。第２の位相差層に重なるように第１の調整層を設けることにより、第１の基板の第２の位相差層に重なる部分を厚くして、第２の位相差層の層厚の不足分を補うことができる。
【００１２】
［適用例３］上記適用例に係る液晶装置であって、前記第１の調整層は、着色層を含んでいてもよい。
【００１３】
この構成によれば、着色層により第１の基板の第２の位相差層に重なる部分の厚さを厚くできる。
【００１４】
［適用例４］上記適用例に係る液晶装置であって、前記第１の調整層は、積層された色の異なる複数の前記着色層を含んでいてもよい。
【００１５】
この構成によれば、着色層を積層することにより第１の基板の第２の位相差層に重なる部分の厚さをより厚くできる。
【００１６】
［適用例５］上記適用例に係る液晶装置であって、前記第１の調整層は、遮光層を含んでいてもよい。
【００１７】
この構成によれば、遮光層により第１の基板の第２の位相差層に重なる部分の厚さをより厚くできる。
【００１８】
［適用例６］上記適用例に係る液晶装置であって、前記第１の調整層は、前記画素の領域を区画する隔壁を含んでいてもよい。
【００１９】
この構成によれば、隔壁により第１の基板の第２の位相差層に重なる部分の厚さをより厚くできる。
【００２０】
［適用例７］上記適用例に係る液晶装置であって、前記第２の基板は、前記液晶層側の前記画素同士の間の領域に、平面視で前記第２の位相差層に重なるように設けられた第２の調整層を備えていてもよい。
【００２１】
この構成によれば、第１の位相差層と第２の基板との間に所望のギャップを保持するために、第２の位相差層と第１の調整層との合計の層厚では足りない場合、第２の調整層の層厚で補うことができる。
【００２２】
［適用例８］上記適用例に係る液晶装置であって、前記第２の調整層は、電極を含んでいてもよい。
【００２３】
この構成によれば、電極により第２の基板の第２の位相差層に重なる部分の厚さを厚くできる。
【００２４】
［適用例９］上記適用例に係る液晶装置であって、前記画素のそれぞれに設けられた反射表示領域と透過表示領域と、をさらに備え、前記第１の位相差層は前記反射表示領域に配置されていてもよい。
【００２５】
この構成によれば、基板の液晶層側の反射表示領域に位相差層を備えた半透過反射型の液晶装置の製造工数を低減できる。
【００２６】
［適用例１０］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の液晶装置を備えていることを特徴とする。
【００２７】
この構成によれば、上記の特徴を有する液晶装置を備えた電子機器を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下に、本実施の形態について図面を参照して説明する。なお、参照する各図面において、構成をわかりやすく示すため、各構成要素の厚さや寸法の比率等は適宜異ならせてある。また、参照する各図面において、素子、配線、接続部等を一部省略してある。
【００２９】
＜液晶装置＞
（第１の実施形態）
まず、第１の実施形態に係る液晶装置の構成について図を参照して説明する。図１は、第１の実施形態に係る液晶装置の表示領域の一部を示す平面図である。図２は、第１の実施形態に係る液晶装置の概略構成を示す断面図である。詳しくは、図１のＡ−Ａ’線に沿った部分断面図である。なお、図１では、以下の位置関係の説明に必要な構成要素のみを図示している。本実施形態に係る液晶装置１００は、ＦＦＳ（Fringe-Field Switching）方式の半透過反射型の液晶装置である。
【００３０】
図１に示すように、液晶装置１００の表示領域には、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の表示に寄与する画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂ（以下では、対応する色について区別しない場合には単に画素２と呼ぶ）が複数配置されている。画素２は、液晶装置１００の表示の最小単位であり、隣り合う画素２同士の間に間隔が空くように、格子状に配置されている。なお、Ｘ軸は画素２の行方向を示し、Ｙ軸は画素２の列方向を示している。
【００３１】
画素２のそれぞれには、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとが設けられている。Ｘ軸に沿った方向に反射表示領域Ｒ同士または透過表示領域Ｔ同士が対向するように配列され、Ｙ軸に沿った方向に反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとが互いに対向するように配列されている。画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂから画素群４が構成されている。液晶装置１００では、画素群４において画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのそれぞれの表示の輝度を適宜変えることで、種々の色の表示を行うことができる。
【００３２】
図２に示すように、液晶装置１００は、第１の基板としての対向基板１０と、第２の基板としての素子基板２０と、液晶層３０と、第１の位相差層としての位相差層４０と、第２の位相差層としての位相差層４２と、を備えている。液晶層３０は、対向基板１０と素子基板２０との間に位置している。
【００３３】
対向基板１０は、液晶装置１００の観察側に位置している。対向基板１０は、基板１１と、着色層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂと、オーバーコート層１４と、を備えている。基板１１は、透明な材料からなり、例えばガラスからなる。
【００３４】
基板１１の液晶層３０側の画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのそれぞれの領域には、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色のそれぞれに対応して、着色層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ（以下では、対応する色について区別しない場合には単に着色層１２と呼ぶ）のいずれかが配置されている（図１参照）。例えば、図２に示す画素２Ｒには、着色層１２Ｒが配置されている。着色層１２Ｒは、画素２Ｒの領域から画素２同士の間の領域（以下では、画素間領域と呼ぶ）に亘って配置されている。
【００３５】
着色層１２Ｒ上の画素間領域には、第１の調整層としての着色層１２Ｇ，１２Ｂが積層されている。この着色層１２Ｒ上に着色層１２Ｇ，１２Ｂが積層された構成により、画素間領域が遮光される。つまり、積層された着色層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂは、画素間領域から漏れる光を遮って表示のコントラストを向上させる遮光層としての役割を果たしている。
【００３６】
また、着色層１２Ｒ上に積層された着色層１２Ｇ，１２Ｂにより、対向基板１０の画素間領域における厚さが厚くなる。つまり、着色層１２Ｇ，１２Ｂは、対向基板１０の画素間領域における厚さを厚くして、素子基板２０とのギャップを保持できるように調整する役割を果たしている。
【００３７】
オーバーコート層１４は、画素２の領域と画素間領域とに亘って設けられており、着色層１２を覆っている。オーバーコート層１４は、例えばアクリル樹脂からなる。オーバーコート層１４は、表示領域のほぼ全面に形成されるので、下地（着色層１２）表面の凹凸がある程度均された表面形状を有している。したがって、オーバーコート層１４の画素間領域における層厚は、画素２の領域における層厚よりも薄くなっている。
【００３８】
位相差層４０は、対向基板１０上の反射表示領域Ｒにほぼ重なるように配置されている。位相差層４２は、対向基板１０上の画素間領域に配置されている。位相差層４２は、例えば、円形の平面形状を有している。位相差層４２の平面形状は、楕円形や多角形であってもよい。位相差層４０および位相差層４２は、同じ層厚を有している。位相差層４０および位相差層４２の層厚は、例えば２３００ｎｍである。
【００３９】
位相差層４０は、入射される可視光の波長に対し所定の位相差を付与する。位相差層４２は、対向基板１０と素子基板２０とのギャップＧ１を保持している。すなわち、位相差層４２は、液晶装置１００におけるスペーサの役割を果たしている。ギャップＧ１は、例えば３５００ｎｍである。また、位相差層４０と素子基板２０とのギャップＧ２は、例えば１２００ｎｍである。
【００４０】
位相差層４０および位相差層４２は、複屈折性を有する光硬化性材料または熱硬化性材料が配向された状態で硬化されて形成されている。ここで、位相差層４０および位相差層４２の形成方法を、その材料として光反応性のアクリル基を分子末端に有する液晶を用いる場合を例にとり説明する。なお、図示は省略する。
【００４１】
まず、対向基板１０上に配向膜を形成し、その配向膜にラビング法等により配向処理を施す。次に、配向処理を施した配向膜上に、光反応性のアクリル基を分子末端に有する液晶と反応開始剤を含む有機溶媒とからなる材料（以下では、位相差層材料と呼ぶ）を、例えばスピンコート法により配置する。このとき、配向膜上に配置された位相差層材料中の液晶分子は、配向膜の配向規制力により配向する。
【００４２】
次に、位相差層材料を加熱して有機溶媒を取り除いた後、位相差層４０および位相差層４２を形成する領域以外の部分をマスキングして、位相差層材料に紫外光を照射する。これにより、位相差層４０および位相差層４２を形成する領域において位相差層材料の液晶分子のアクリル基が光重合され硬化される。次に、位相差層材料のうちマスキングされ硬化されなかった部分を、例えば有機溶媒により除去する。以上により、対向基板１０上に位相差層４０および位相差層４２が形成される。
【００４３】
図２に示すように、素子基板２０は、液晶層３０を挟んで、対向基板１０に対向する側に位置している。素子基板２０は、基板２１と、ＴＦＴ素子部２２ａを含む回路層２２と、反射層２３と、共通電極２４と、絶縁層２５と、画素電極２６と、を備えている。基板２１は、透明な材料からなり、例えばガラスからなる。
【００４４】
回路層２２は、基板２１の液晶層３０側に形成されている。ＴＦＴ素子部２２ａは、画素２のそれぞれに対応して設けられている。反射表示領域Ｒに位置する回路層２２の上面には、図示しないが、外光を散乱させるための凹凸形状が形成されている。なお、回路層２２には、図示しないが、配線パターン、接続部等が設けられている。
【００４５】
反射層２３は、回路層２２上の反射表示領域Ｒに形成されている。反射層２３は、回路層２２上面に形成された凹凸形状を反映する形状を有している。反射層２３は、反射率の高い金属膜からなる。反射層２３の材料は、例えばアルミニウムやＡＰＣ（銀−パラジウム−銅の合金）である。共通電極２４は、画素２の領域にほぼ重なるように形成されており、反射表示領域Ｒにおいては反射層２３上に形成され、透過表示領域Ｔにおいては回路層２２上に形成されている。共通電極２４は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる。
【００４６】
共通電極２４上には、その上面を覆うように絶縁層２５が形成されている。さらに、絶縁層２５上には、画素２の領域にほぼ重なるように、複数のスリット状の開口部を有する画素電極２６が形成されている。画素電極２６は、コンタクトホール２２ｂを介してＴＦＴ素子部２２ａに接続されている。画素電極２６は、例えばＩＴＯからなる。画素電極２６のそれぞれは、着色層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂのいずれかに対応している。
【００４７】
なお、図示しないが、対向基板１０および素子基板２０の液晶層３０とは反対側には、それぞれ偏光板が配置されている。
【００４８】
液晶層３０は、対向基板１０と素子基板２０との間に位置している。対向基板１０の液晶層３０に接する側には、オーバーコート層１４と位相差層４０および位相差層４２とを覆うように配向膜（図示しない）が形成されている。また、素子基板２０の液晶層３０に接する側には、絶縁層２５と画素電極２６とを覆うように、配向膜（図示しない）が形成されている。液晶層３０は、これらの配向膜に施された配向処理によって配向方向が規制されている。
【００４９】
液晶層３０は、透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとで層厚が異なる。液晶層３０は、透過表示領域ＴにおいてギャップＧ１と同じ層厚を有し、反射表示領域ＲにおいてギャップＧ２と同じ層厚を有している。このことにより、液晶層３０は、入射される可視光の波長に対して透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとで異なる位相差を付与する。
【００５０】
反射表示を行う液晶装置１００では、光学設計上、暗表示を行う際に反射層２３に到達する外光がすべての可視波長域でほぼ円偏光である必要がある。反射層２３に到達した外光が楕円偏光であると暗表示に色づきが生じ、高コントラストな反射表示を得ることが困難になるからである。
【００５１】
液晶装置１００では、反射表示領域Ｒに対応する領域に選択的に位相差層４０を配置し、反射表示領域Ｒにおける液晶層３０の層厚が透過表示領域Ｔにおける液晶層３０の層厚に比べて薄くなるように構成している。これにより、対向基板１０側の偏光板と位相差層４０と反射表示領域Ｒ内の液晶層３０とで広帯域円偏光を作り出せるようにして反射層２３に到達する外光をほぼすべての可視波長域で円偏光に近づけている。
【００５２】
さて、液晶装置１００において、ギャップＧ１は、対向基板１０と素子基板２０との間を保持する位相差層４２の層厚で決まる。ギャップＧ２は、ギャップＧ１よりも位相差層４０の層厚分だけ小さい。ところが、位相差層４２の層厚は位相差層４０の層厚と同じであるので、対向基板１０と素子基板２０との間にギャップＧ１を保持するためには、位相差層４２だけではギャップＧ２に相当する厚さが不足する。したがって、対向基板１０および素子基板２０の少なくとも一方において、位相差層４２に重なる領域でギャップＧ２に相当する１２００ｎｍの厚さを補う必要がある。
【００５３】
本実施形態では、対向基板１０の画素間領域において、平面視で位相差層４２に重なるように第１の調整層としての着色層１２Ｇ，１２Ｂが着色層１２Ｒ上に設けられている。着色層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂのそれぞれの層厚は、例えば１０００ｎｍである。オーバーコート層１４の層厚は、画素２の領域において例えば１０００ｎｍであり、画素間領域において例えば２００ｎｍである。
【００５４】
この構成では、対向基板１０の厚さは、画素２の領域において２０００ｎｍとなり、画素間領域において３２００ｎｍとなる。したがって、対向基板１０の画素間領域における厚さと画素２の領域における厚さとの差Ｄ１は、ギャップＧ２と同じ１２００ｎｍとなる。このように、着色層１２Ｇ，１２Ｂは、対向基板１０の位相差層４２に重なる領域における厚さを厚くして位相差層４２の層厚の不足分を補い、素子基板２０とのギャップＧ１を保持できるように調整する役割を果たしている。
【００５５】
上記第１の実施形態によれば、以下の効果が得られる。
【００５６】
（１）位相差層４２が、液晶装置１００のスペーサとしての役割を果たしている。これにより、スペーサの形成が不要になるので、スペーサ形成時のフォトリソグラフィに用いるマスクが不要になり、スペーサ形成工程がなくなるので、液晶装置１００の製造工数を低減できる。
【００５７】
（２）スペーサの形成が必要な場合、位相差層４０形成後にスペーサ形成工程を行うことで、スペーサの材料に含まれる溶媒やスペーサ形成時のフォトリソグラフィに用いる現像液等によって、位相差層４０が部分的に溶解し位相差層４０の光学特性が損なわれるリスクがある。スペーサの形成が不要であるので、このようなリスクを回避することができる。
【００５８】
（３）位相差層４２は位相差層４０と同じ層厚を有しているので、位相差層４０と素子基板２０との間に所望のギャップＧ２を保持するためには、位相差層４２の層厚だけでは不足する。位相差層４２に重なるように着色層１２Ｇ，１２Ｂを設けることにより、対向基板１０の位相差層４２に重なる部分を厚くして、位相差層４２の層厚の不足分を補うことができる。
【００５９】
なお、液晶装置１００は、着色層１２Ｒ上に着色層１２Ｇ，１２Ｂが積層された構成を有しているが、この形態に限定されない。画素間領域を遮光する効果を有しており、かつ画素間領域における対向基板１０の厚さの不足分を補うことができれば、液晶装置１００は、着色層１２Ｒ上に着色層１２Ｇまたは１２Ｂのいずれか一方を積層する構成であってもよい。
【００６０】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態に係る液晶装置の構成について図を参照して説明する。図３は、第２の実施形態に係る液晶装置の概略構成を示す断面図である。なお、第１の実施形態と共通する構成要素については同一の符号を付しその説明を省略する。
【００６１】
第２の実施形態に係る液晶装置２００は、第１の実施形態に係る液晶装置１００に対して、対向基板１０が画素間領域に遮光層１６を備えており着色層１２Ｂが積層されていない点と、素子基板２０が画素間領域にダミー電極２７を備えている点とが異なっているが、その他の構成は同じである。
【００６２】
図３に示すように、対向基板１０は、基板１１と、遮光層１６と、着色層１２Ｒ，１２Ｇと、オーバーコート層１４と、を備えている。遮光層１６は、基板１１上の画素間領域に配置されており、格子状に形成されている。遮光層１６は、平面視で位相差層４２に重なっている。遮光層１６の層厚は、例えば９００ｎｍである。
【００６３】
着色層１２Ｒは、画素２Ｒの領域から画素間領域に亘って配置されており、画素間領域においては遮光層１６上に積層されている。着色層１２Ｒ上の画素間領域には、着色層１２Ｇが積層されている。本実施形態では、第１の調整層としての遮光層１６と着色層１２Ｇとにより、対向基板１０の画素間領域における厚さが厚くなっている。
【００６４】
素子基板２０は、基板２１と、ＴＦＴ素子部２２ａを含む回路層２２と、反射層２３と、共通電極２４と、絶縁層２５と、画素電極２６と、第２の調整層としてのダミー電極２７と、を備えている。ダミー電極２７は、絶縁層２５上の画素間領域に、平面視で位相差層４２に重なるように設けられている。ダミー電極２７の層厚は、例えば１００ｎｍである。ダミー電極２７により、素子基板２０の画素間領域における厚さが厚くなっている。
【００６５】
この構成では、対向基板１０の厚さは、画素２の領域において２０００ｎｍとなり、画素間領域において３１００ｎｍとなる。したがって、対向基板１０の画素間領域における厚さと画素２の領域における厚さとの差Ｄ１は１１００ｎｍとなる。この差Ｄ１は、位相差層４２でギャップＧ１を保持するために必要なギャップＧ２に相当する厚さに対して、１００ｎｍ不足している。一方、ダミー電極２７が設けられたことにより、素子基板２０の画素間領域における厚さと画素２の領域における厚さとの差Ｄ２は１００ｎｍとなる。この差Ｄ２により、対向基板１０における差Ｄ１の不足分を補うことができる。
【００６６】
上記第２の実施形態によれば、以下の効果が得られる。
【００６７】
（１）対向基板１０の画素間領域における厚さを厚くしても所望の値に対して不足する場合、ダミー電極２７により素子基板２０の画素間領域における厚さを厚くしてその不足分を補い、対向基板１０と素子基板２０とのギャップＧ１を保持できるように調整することができる。
【００６８】
（２）ダミー電極２７は、遮光層１６および着色層１２に比べて層厚が薄いので、より小さな範囲で厚さの調整ができる。したがって、遮光層１６および着色層１２により対向基板１０側で調整できない小さい範囲の厚さを、ダミー電極２７により素子基板２０側で調整することが可能である。
【００６９】
なお、液晶装置２００は、第２の調整層として、ダミー電極２７の代わりに無機膜または有機膜を備えていてもよい。
【００７０】
（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態に係る液晶装置の構成について図を参照して説明する。図４は、第３の実施形態に係る液晶装置の概略構成を示す断面図である。なお、第１の実施形態および第２の実施形態と共通する構成要素については同一の符号を付しその説明を省略する。
【００７１】
第３の実施形態に係る液晶装置３００は、第２の実施形態に係る液晶装置２００に対して、対向基板１０が画素間領域に隔壁１８を備えており遮光層１６と着色層１２とが積層されていない点と、素子基板２０が画素間領域にダミー電極２８を備えている点とが異なっているが、その他の構成は同じである。
【００７２】
図４に示すように、対向基板１０は、基板１１と、隔壁１８と、着色層１２Ｒと、オーバーコート層１４と、を備えている。隔壁１８は、基板１１上の画素間領域に配置されており、格子状に形成されている。
【００７３】
隔壁１８は、平面視で位相差層４２に重なっている。隔壁１８は、画素２のそれぞれの領域を区画している。隔壁１８は、着色層１２Ｒを液滴吐出法を用いて形成する際に、着色層１２Ｒの液材料が画素２の領域外に広がるのを防止するためのものである。隔壁１８は、例えば、遮光性を有するアクリル樹脂からなる。隔壁１８の層厚は、例えば２７００ｎｍである。
【００７４】
着色層１２Ｒは、隔壁１８により区画された領域に配置されている。オーバーコート層１４は、着色層１２Ｒと隔壁１８とを覆っている。本実施形態では、第１の調整層としての隔壁１８により、対向基板１０の画素間領域における厚さが厚くなっている。
【００７５】
素子基板２０は、基板２１と、ＴＦＴ素子部２２ａを含む回路層２２と、反射層２３と、共通電極２４と、絶縁層２５と、画素電極２６と、ダミー電極２７と、ダミー電極２８と、を備えている。ダミー電極２８は、回路層２２と絶縁層２５との間の画素間領域に、平面視で位相差層４２に重なるように設けられている。ダミー電極２８の層厚は、例えば２００ｎｍである。本実施形態では、第２の調整層としてのダミー電極２７とダミー電極２８とにより、素子基板２０の画素間領域における厚さが厚くなっている。
【００７６】
この構成では、対向基板１０の厚さは、画素２の領域において２０００ｎｍとなり、画素間領域において２９００ｎｍとなる。したがって、対向基板１０の画素間領域における厚さと画素２の領域における厚さとの差Ｄ１は９００ｎｍとなる。この差Ｄ１は、位相差層４２でギャップＧ１を保持するために必要なギャップＧ２に相当する厚さに対して、３００ｎｍ不足している。一方、ダミー電極２７とダミー電極２８とが設けられたことにより、素子基板２０の画素間領域における厚さと画素２の領域における厚さとの差Ｄ２は３００ｎｍとなる。この差Ｄ２により、対向基板１０における差Ｄ１の不足分を補うことができる。
【００７７】
上記第３の実施形態によれば、以下の効果が得られる。
【００７８】
ダミー電極２７とダミー電極２８とを備えることにより、素子基板２０の画素間領域における厚さの調整範囲を広くすることができる。
【００７９】
なお、液晶装置３００は、第２の調整層として、ダミー電極２７またはダミー電極２８の代わりに無機膜または有機膜を備えていてもよい。
【００８０】
＜電子機器＞
上述した液晶装置１００，２００，３００は、例えば、図５に示すように、電子機器としての携帯電話機５００に搭載して用いることができる。携帯電話機５００は、表示部５０２に液晶装置１００，２００，３００を備えている。この構成により、表示部５０２を有する携帯電話機５００は優れた表示品質を有している。
【００８１】
また、電子機器は、モバイルコンピュータ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、オーディオ機器、液晶プロジェクタであってもよい。
【００８２】
以上、本発明の実施形態について説明したが、上記実施形態に対しては、本発明の趣旨から逸脱しない範囲で様々な変形を加えることができる。変形例としては、例えば以下のようなものが考えられる。
【００８３】
（変形例）
上記の実施形態の液晶装置は、ＦＦＳ方式の半透過反射型の液晶装置であったが、この形態に限定されない。液晶装置は、例えば、ＩＰＳ（In-Plane Switching）方式の液晶装置、ＥＣＢ（Electrically Controlled Birefringence）方式の液晶装置、ＶＡ（Vertical Alignment）方式の液晶装置であってもよい。また、液晶装置は、反射型の液晶装置であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】第１の実施形態に係る液晶装置の表示領域の一部を示す平面図。
【図２】第１の実施形態に係る液晶装置の概略構成を示す断面図。
【図３】第２の実施形態に係る液晶装置の概略構成を示す断面図。
【図４】第３の実施形態に係る液晶装置の概略構成を示す断面図。
【図５】本実施の形態における電子機器を示す図。
【符号の説明】
【００８５】
２…画素、４…画素群、１０…対向基板、１１…基板、１２…着色層、１４…オーバーコート層、１６…遮光層、１８…隔壁、２０…素子基板、２１…基板、２２…回路層、２２ａ…ＴＦＴ素子部、２２ｂ…コンタクトホール、２３…反射層、２４…共通電極、２５…絶縁層、２６…画素電極、２７…ダミー電極、２８…ダミー電極、３０…液晶層、４０…位相差層、４２…位相差層、１００，２００，３００…液晶装置、５００…携帯電話機、５０２…表示部、Ｒ…反射表示領域、Ｔ…透過表示領域。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、
第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に位置する液晶層と、
前記第１の基板の前記液晶層側の面上の画素の領域に設けられた第１の位相差層と、
前記第１の基板の前記液晶層側の面上の前記画素同士の間の領域に設けられた第２の位相差層と、を備え、
前記第２の位相差層は、前記第１の基板と前記第２の基板とのギャップを保持していることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶装置であって、
前記第２の位相差層は、前記第１の位相差層とほぼ同じ層厚を有しており、
前記第１の基板は、前記液晶層側の前記画素同士の間の領域に、平面視で前記第２の位相差層に重なるように設けられた第１の調整層を備えていることを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
請求項２に記載の液晶装置であって、
前記第１の調整層は、着色層を含んでいることを特徴とする液晶装置。
【請求項４】
請求項３に記載の液晶装置であって、
前記第１の調整層は、積層された色の異なる複数の前記着色層を含んでいることを特徴とする液晶装置。
【請求項５】
請求項２から４のいずれか１項に記載の液晶装置であって、
前記第１の調整層は、遮光層を含んでいることを特徴とする液晶装置。
【請求項６】
請求項２から５のいずれか１項に記載の液晶装置であって、
前記第１の調整層は、前記画素の領域を区画する隔壁を含んでいることを特徴とする液晶装置。
【請求項７】
請求項２から６のいずれか１項に記載の液晶装置であって、
前記第２の基板は、前記液晶層側の前記画素同士の間の領域に、平面視で前記第２の位相差層に重なるように設けられた第２の調整層を備えていることを特徴とする液晶装置。
【請求項８】
請求項７に記載の液晶装置であって、
前記第２の調整層は、電極を含んでいることを特徴とする液晶装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１項に記載の液晶装置であって、
前記画素のそれぞれに設けられた反射表示領域と透過表示領域と、をさらに備え、
前記第１の位相差層は前記反射表示領域に配置されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか１項に記載の液晶装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項１】
第１の基板と、
第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に位置する液晶層と、
前記第１の基板の前記液晶層側の面上の画素の領域に設けられた第１の位相差層と、
前記第１の基板の前記液晶層側の面上の前記画素同士の間の領域に設けられた第２の位相差層と、を備え、
前記第２の位相差層は、前記第１の基板と前記第２の基板とのギャップを保持していることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶装置であって、
前記第２の位相差層は、前記第１の位相差層とほぼ同じ層厚を有しており、
前記第１の基板は、前記液晶層側の前記画素同士の間の領域に、平面視で前記第２の位相差層に重なるように設けられた第１の調整層を備えていることを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
請求項２に記載の液晶装置であって、
前記第１の調整層は、着色層を含んでいることを特徴とする液晶装置。
【請求項４】
請求項３に記載の液晶装置であって、
前記第１の調整層は、積層された色の異なる複数の前記着色層を含んでいることを特徴とする液晶装置。
【請求項５】
請求項２から４のいずれか１項に記載の液晶装置であって、
前記第１の調整層は、遮光層を含んでいることを特徴とする液晶装置。
【請求項６】
請求項２から５のいずれか１項に記載の液晶装置であって、
前記第１の調整層は、前記画素の領域を区画する隔壁を含んでいることを特徴とする液晶装置。
【請求項７】
請求項２から６のいずれか１項に記載の液晶装置であって、
前記第２の基板は、前記液晶層側の前記画素同士の間の領域に、平面視で前記第２の位相差層に重なるように設けられた第２の調整層を備えていることを特徴とする液晶装置。
【請求項８】
請求項７に記載の液晶装置であって、
前記第２の調整層は、電極を含んでいることを特徴とする液晶装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１項に記載の液晶装置であって、
前記画素のそれぞれに設けられた反射表示領域と透過表示領域と、をさらに備え、
前記第１の位相差層は前記反射表示領域に配置されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか１項に記載の液晶装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２００９−１９８８５９（Ｐ２００９−１９８８５９Ａ）
【公開日】平成２１年９月３日（２００９．９．３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−４１０７６（Ｐ２００８−４１０７６）
【出願日】平成２０年２月２２日（２００８．２．２２）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年９月３日（２００９．９．３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年２月２２日（２００８．２．２２）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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