液晶装置の製造方法
【課題】液晶が外部に漏れることを抑え表示品質を向上させることが可能な液晶装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１基板１２上の表示領域を囲むようにシール剤１４を塗布する工程と、第１基板１２上におけるシール剤１４で囲まれた中に、液晶１５ａの高さＨ１がシール剤１４の高さＨ２よりも低くなるように液晶１５ａを滴下する工程と、シール剤１４を介して第１基板１２と第１基板１２と対向する第２基板１３とを貼り付ける工程とを有する。
【解決手段】第１基板１２上の表示領域を囲むようにシール剤１４を塗布する工程と、第１基板１２上におけるシール剤１４で囲まれた中に、液晶１５ａの高さＨ１がシール剤１４の高さＨ２よりも低くなるように液晶１５ａを滴下する工程と、シール剤１４を介して第１基板１２と第１基板１２と対向する第２基板１３とを貼り付ける工程とを有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶滴下方式によって製造される液晶装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置は、一対の透光性材料からなる基板をシール剤によって互いに貼り合わせ、それらの基板間に形成される間隙（セルギャップ）内に液晶を封入することにより形成される。従来から、セルギャップ内に液晶を封入する方法として、例えば、液晶滴下法式（ＯＤＦ：One Drop Fill）が知られている。
【０００３】
液晶滴下方式は、対向配置される一対の基板うち、一方の基板の面に液晶表示領域を囲むようにして枠状のシール剤を塗布し、液晶をシール剤の枠内に滴下しその後直ちに、他方の基板を重ね合わせてシール剤を硬化させて封止する方法である。
【０００４】
しかし、他方の基板を貼り合わせる際、シール剤より液晶の方が早く他方の基板と接触すると、液晶が他方の基板の表面を伝ってシール剤を乗り越えて外部に漏れ出し、必要量の液晶が確保できないという問題があった。
【０００５】
この問題に対して、例えば、特許文献１及び特許文献２では、一方の基板を傾けて液晶を広げたり、一方の基板に振動を加えて液晶を広げたりして、先に液晶が他方の基板と接触しないようにしている方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−５２３１２号公報
【特許文献２】特開２００７−３５６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、基板を傾ける装置が必要になったり、基板に振動を加える装置が必要になったりと、設備を新たに導入しなければならないという課題がある。また、傾けたり振動させたりする時間が必要になるため、生産能力が低下するという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００９】
［適用例１］本適用例に係る液晶装置の製造方法は、第１基板上において表示領域を囲むようにシール剤を塗布する塗布工程と、前記第１基板上の前記シール剤で囲まれた中に、液晶の高さが前記シール剤の高さより低くなるように前記液晶を滴下する滴下工程と、前記シール剤を介して前記第１基板に前記第１基板と対向する第２基板を貼り付ける貼付工程と、を有することを特徴とする。
【００１０】
この方法によれば、シール剤の高さより液晶の高さが低くなるように液晶を滴下するので、第１基板に第２基板を貼り合わせた際、液晶よりシール剤が先に第２基板に接触する。よって、液晶が第２基板の表面を伝ってシール剤を乗り越え外部に漏れることを防ぐことが可能となり、第１基板と第２基板との間に必要量の液晶を確保することができる。
【００１１】
［適用例２］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記第１基板上に前記液滴を滴下する液晶ノズルを有し、前記滴下工程は、前記第１基板上に前記液晶を滴下した際に、前記シール剤の高さより前記液晶の高さが低くなるように前記液晶ノズルの孔径の大きさを変えることが好ましい。
【００１２】
この方法によれば、液晶ノズルの孔径の大きさを変えることによってシール剤の高さより液晶の高さを低くするので、液晶より先にシール剤が第２基板に接触する。よって、液晶がシール剤を乗り越えることを防ぐことができる。また、液晶ノズルの孔径の大きさを変更するだけなので、新たな設備を導入する必要がなく、かかるコストを抑えることができる。加えて、生産能力を低下させることなく、より簡便な方法で形成することができる。
【００１３】
［適用例３］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記第１基板上に前記シール剤を塗布するシール剤ノズルを有し、前記塗布工程は、前記滴下工程において前記第１基板上に前記液晶を滴下した際に、前記シール剤の高さより前記液晶の高さが低くなるように前記シール剤ノズルの孔径の大きさを変えることが好ましい。
【００１４】
この方法によれば、シール剤ノズルの孔径の大きさを変えることによって液晶の高さよりシール剤の高さを高くするので、液晶より先にシール剤が第２基板に接触する。よって、液晶がシール剤を乗り越えることを防ぐことができる。また、シール剤ノズルの孔径の大きさを変更するだけなので、新たな設備を導入する必要がなく、かかるコストを抑えることができる。加えて、生産能力を低下させることなく、より簡便な方法で形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】液晶装置を備える一対の大型基板の構造を示す模式平面図。
【図２】液晶装置の構造を示す模式平面図。
【図３】図２に示す液晶装置のＢ−Ｂ'線に沿う模式断面図。
【図４】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図５】液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャート。
【図６】液晶装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図。
【図７】液晶装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図。
【図８】液晶装置の機種別における製造条件と液晶漏れ状況とを示す図表。
【図９】液晶装置の機種別におけるシール剤及び液晶高さと液晶漏れとの関係を示すグラフ。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。本実施形態では、投射型映像装置である液晶プロジェクターにおいてライトバルブとして用いられるＴＦＴ（Thin Film Transistor）アクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例に挙げて説明する。
【００１７】
なお、以下の形態において、「○○上に」と記載された場合、○○の上に接するように配置される場合、または○○の上に他の構成物を介して配置される場合、または○○の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００１８】
＜液晶装置を備える大型基板の構成＞
図１は、液晶装置を備える一対の大型基板（マザー基板）の構造を示す模式図である。（ａ）は一対の大型基板の構造を模式的に示す斜視図であり、（ｂ）は一対の大型基板の構造を示す模式平面図である。以下、大型基板の構造を、図１を参照しながら説明する。
【００１９】
図１に示すように、一対の大型基板１００は、第１大型基板２００と第２大型基板３００とが、液晶層１５（図３参照）を挟持してシール剤１４を介して貼り合わされており、複数の液晶装置１０が互いの基板にマトリクス状に面付けされている。大型基板１００の大きさは、例えば、８インチである。大型基板１００（２００，３００）のそれぞれの厚みは、例えば、１．２ｍｍである。大型基板１００の材質は、例えば、石英である。
【００２０】
Ａ部は、大型基板１００における１つの液晶装置１０を構成する部分（四角形の第１基板又は第２基板となる部分）である。なお、大型基板１００は、平面的に円形であることに限定されず、円周の一部が切り欠かれたオリフラを有する形状であってもよい。以下、液晶装置１０の構造について説明する。
【００２１】
＜液晶装置の構成＞
図２は、液晶装置の構造を示す模式平面図である。図３は、図２に示す液晶装置のＢ−Ｂ'線に沿う模式断面図である。以下、液晶装置の構造を、図２及び図３を参照しながら説明する。
【００２２】
図２及び図３に示すように、液晶装置１０は、液晶プロジェクターのライトバルブ等に用いられるものであり、例えば、薄膜トランジスター（以下、「ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子」と称する。）を画素のスイッチング素子として用いたＴＦＴアクティブマトリクス方式の液晶装置である。液晶装置１０は、一対の基板を構成する第１基板１２と第２基板１３とが、平面視略矩形枠状のシール剤１４を介して貼り合わされている。
【００２３】
第１基板１２及び第２基板１３は、例えば、石英などの透光性材料から構成されている。液晶装置１０は、シール剤１４に囲まれた領域（表示領域１９）内に液晶層１５が封入された構成になっている。
【００２４】
液晶層１５としては、例えば、正の誘電率異方性を有する液晶材料が用いられる。液晶装置１０は、シール剤１４の内周近傍に沿って遮光性材料からなる平面視矩形枠状の額縁遮光膜１８が第２基板１３に形成されており、この額縁遮光膜１８の内側の領域が表示領域１９となっている。
【００２５】
額縁遮光膜１８は、例えば、遮光性材料であるアルミ（Ａｌ）で形成されており、第２基板１３側の表示領域１９の外周を区画するように設けられている。
【００２６】
表示領域１９内には、画素領域２１がマトリクス状に設けられている。画素領域２１は、表示領域１９の最小表示単位となる１画素を構成している。シール剤１４の外側の領域には、データ線駆動回路２２及び接続端子３８が第１基板１２の一辺（図２における下側）に沿って形成されている。接続端子３８には、外部と接続するためのフレキシブル配線基板（図示せず）が電気的に接続される。
【００２７】
また、シール剤１４の内側の領域には、この一辺に隣接する二辺に沿って走査線駆動回路２４がそれぞれ形成されている。第２基板１３側に形成された額縁遮光膜１８は、例えば、第１基板１２上に形成された走査線駆動回路２４などに対向する位置（平面的に重なる位置）に形成されている。
【００２８】
一方、第２基板１３の各角部（例えば、シール剤１４のコーナー部の４箇所）には、第１基板１２と第２基板１３との間の電気的導通をとるための、上下導通端子２６が配設されている。
【００２９】
また、図３に示すように、第１基板１２の液晶層１５側には、複数の画素電極２７が形成されており、これら画素電極２７を覆うように所定の方向に配向処理が施された第１配向膜２８が形成されている。画素電極２７は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電材料からなる導電膜である。第１配向膜２８は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。
【００３０】
一方、第２基板１３の液晶層１５側には、格子状の遮光膜（ＢＭ：ブラックマトリクス）（図示せず）が形成され、その上に平面ベタ状の共通電極３１が形成されている。そして、共通電極３１上には、第２配向膜３２が形成されている。共通電極３１は、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる導電膜である。
【００３１】
液晶層１５は、画素電極２７からの電界が印加されていない状態で第１配向膜２８及び第２配向膜３２によって所定の配向状態をとる。液晶装置１０は透過型であって、第１基板１２及び第２基板１３における光の入射側と出射側とにそれぞれ偏光板（図示せず）等が配置されて用いられる。なお、液晶装置１０の構成は、これに限定されず、反射型や半透過型の構成であってもよい。
【００３２】
図４は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の電気的な構成を、図４を参照しながら説明する。
【００３３】
図４に示すように、液晶装置１０は、表示領域１９を構成する複数の画素領域２１を有している。各画素領域２１には、それぞれ画素電極２７が配置されている。また、画素領域２１には、ＴＦＴ素子３３が形成されている。
【００３４】
ＴＦＴ素子３３は、画素電極２７へ通電制御を行うスイッチング素子である。ＴＦＴ素子３３のソース側には、データ線３４が電気的に接続されている。各データ線３４には、例えば、データ線駆動回路２２（図２参照）から画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎが供給されるようになっている。
【００３５】
また、ＴＦＴ素子３３のゲート側には、走査線３５が電気的に接続されている。走査線３５には、例えば、走査線駆動回路２４（図２参照）から所定のタイミングでパルス的に走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍが供給されるようになっている。また、ＴＦＴ素子３３のドレイン側には、画素電極２７が電気的に接続されている。
【００３６】
走査線３５から供給された走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍにより、スイッチング素子であるＴＦＴ素子３３が一定期間だけオン状態となることで、データ線３４から供給された画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎが、画素電極２７を介して画素領域２１に所定のタイミングで書き込まれるようになっている。
【００３７】
画素領域２１に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎは、画素電極２７と共通電極３１（図３参照）との間で形成される液晶容量で一定期間保持される。なお、保持された画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎがリークするのを防止するために、画素電極２７に電気的に接続された画素電位側容量電極と、容量線の一例であるシールド層（図示せず）に電気的に接続された容量電極３６との間に蓄積容量３７が形成されている。
【００３８】
このように、液晶層１５に電圧信号が印加されると、印加された電圧レベルにより、液晶分子の配向状態が変化する。これにより、液晶層１５に入射した光が変調されて、画像光が生成されるようになっている。
【００３９】
＜液晶装置の製造方法＞
図５は、液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャートである。図６及び図７は、液晶装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図である。以下、液晶装置の製造方法を、図５〜図７を参照しながら説明する。以下、図１に示すマザー基板のうち１つの液晶装置の製造方法を説明する。なお、図６及び図７は、ＴＦＴ素子３３や配線などが設けられた層の図示を省略している。
【００４０】
最初に、第１基板１２側の製造方法を説明する。図５に示すように、ステップＳ１１では、石英基板などからなる第１基板１２上にＴＦＴ素子３３及び画素電極２７等を形成する。具体的には、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、第１基板１２上にＴＦＴ素子３３及び画素電極２７（図６（ａ）参照）などを形成する。画素電極２７は、例えば、第１基板１２の一方の表面にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電性材料をスパッタし、この導電膜をエッチングすることによって形成することができる。
【００４１】
ステップＳ１２では、画素電極２７の上方に第１配向膜２８を形成する（図６（ａ）参照）。第１配向膜２８の製造方法としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着する斜方蒸着法が用いられる。
【００４２】
ステップＳ１３（塗布工程）では、第１基板１２上にシール剤１４を塗布する。具体的には、図６（ｂ）に示すように、シール剤ノズル４１から第１基板１２上の表示領域１９の周縁部に（表示領域１９を囲むように）、一筆書きで切れ目なくシール剤１４を塗布する。シール剤１４としては、例えば、紫外線硬化型エポキシ樹脂が挙げられる。なお、紫外線などの光硬化型樹脂に限定されず、熱硬化型樹脂などを用いるようにしてもよい。
【００４３】
また、シール剤１４には、第１基板１２と第２基板１３との間隔（基板１２，１３間ギャップ或いはセルギャップ）を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のギャップ材が含まれている。
【００４４】
ステップＳ１４（滴下工程）では、第１基板１２上に液晶１５ａを滴下する。具体的には、図６（ｃ）に示すように、シール剤１４で囲まれた領域に液晶１５ａを滴下する。滴下する方法としては、例えば、液晶ノズル４２（インクジェットヘッド）などを用いることができる。また、液晶１５ａは、囲まれた領域（表示領域１９）の中央部に滴下することが望ましい。
【００４５】
続いて、第１基板１２側と同時に製造する第２基板１３側の製造方法を説明する。まず、ステップＳ２１では、第２基板１３上に共通電極３１などを形成する。具体的には、石英基板などの透光性材料からなる第２基板１３の一方の表面に、ＩＴＯなどの透明導電性膜をスパッタし、これをエッチングすることによって形成することができる。
【００４６】
ステップＳ２２では、共通電極３１上に第２配向膜３２を形成する。第２配向膜３２の製造方法は、第１配向膜２８の製造と同様に、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着する斜方蒸着法が用いられる。以上により、第２基板１３側が完成する。次に、第１基板１２と第２基板１３とを貼り合わせる方法を説明する。
【００４７】
ステップＳ３１では、第１基板１２に第２基板１３を貼り合わせる。具体的には、図７（ａ）に示すように、第１基板１２に塗布されたシール剤１４を介して第１基板１２と第２基板１３とを貼り合わせる。
【００４８】
このとき、図６（ｃ）に示すように、液晶ノズル４２の孔径４２ａの大きさを従来（９０μｍ）と比較して大きくしたので（１５０μｍ）、図７（ａ）に示すように、シール剤１４の高さＨ２と比較して、液晶１５ａの高さＨ１が低くなっている。
【００４９】
よって、第１基板１２と第２基板１３とを貼り合わせる際、液晶１５ａよりも先にシール剤１４が第２基板１３と接触する。これにより、第１基板１２と第２基板１３との間と、外部との間に隙間が発生することを防ぐことが可能となり、シール剤１４で囲まれた中に滴下した液晶１５ａが、外部に漏れることを防ぐことができる。
【００５０】
その結果、図７（ｂ）に示すように、第１基板１２と第２基板１３との間に滴下された液晶１５ａが、外部に漏れ出すことなくシール剤１４で囲まれた中に封止される。
【００５１】
ステップＳ３２では、図７（ｃ）に示すように、貼り合わせた大型基板１００を切断して、個々の液晶装置１０を完成させる。なお、ステップＳ３２のあと洗浄を行い、第１基板１２及び第２基板１３の表面に偏光板を装着し、更に、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）などを介して液晶駆動用ＩＣを実装することで、液晶装置１０として構成してもよい。
【００５２】
図８は、液晶装置の機種別における製造条件と液晶漏れ状況とを示す図表である。図９は、液晶装置の機種別におけるシール剤及び液晶高さと液晶漏れとの関係を示すグラフである。以下、液晶装置の機種別におけるシール剤高さ及び液晶高さと液晶漏れとの関係について、図８及び図９を参照しながら説明する。
【００５３】
図８に示す図表は、シール剤１４の高さＨ２と、液晶装置１０に必要な液晶量と、液晶ノズル４２の孔径４２ａと、液晶１５ａの高さＨ１とを、液晶装置１０の機種（機種Ａ〜機種Ｄ’）毎に示したものである。また、機種毎における液晶漏れの発生状況を示している。なお、機種Ｄ’は、機種Ｄにおける液晶ノズル４２の孔径４２ａを９０μｍから１５０μｍに変更した機種である。
【００５４】
具体的には、シール剤１４の高さＨ２は、全ての機種において１２μｍである。必要な液晶量は、機種Ａが２２０μｇ、機種Ｂが２５０μｇ、機種Ｃが３７０μｇ、機種Ｄ及び機種Ｄ’が６００μｇで同じある。
【００５５】
液晶１５ａを滴下する際に用いた液晶ノズル４２の孔径４２ａは、機種Ａ〜機種Ｄまで同じ９０μｍである。機種Ｄ’における液晶ノズル４２の孔径４２ａは、上記したように、１５０μｍである。液晶１５ａの高さＨ１は、機種Ａが６．６μｍ、機種Ｂが７．５μｍ、機種Ｃが１１．２μｍ、機種Ｄが１８．６μｍ、機種Ｄ’が１１．２μｍである。
【００５６】
液晶１５ａがシール剤１４を乗り越えて外部に漏れ出す液晶漏れの状況は、機種Ｄのみ発生した。残りの機種Ａ〜機種Ｃ、機種Ｄの改良機種である機種Ｄ’については、液晶漏れが発生しなかった。
【００５７】
一方、図９に示すグラフは、横軸に液晶装置１０の機種を示しており、縦軸に液晶１５ａの高さＨ１とシール剤１４の高さＨ２とを示している。液晶１５ａの高さＨ１及びシール剤１４の高さＨ２は、縦軸における図示上側にいくに従って高くなる。
【００５８】
具体的には、シール剤１４の高さＨ２は、上記したように、全ての機種において１２μｍである。液晶１５ａの高さＨ１は、図８の図表において説明したように、機種Ａが６．６μｍ、機種Ｂが７．５μｍ、機種Ｃが１１．２μｍ、機種Ｄが１８．６μｍ、機種Ｄ’が１１．２μｍである。
【００５９】
このように、液晶１５ａの高さＨ１及びシール剤１４の高さＨ２において、１２μｍを境に液晶１５ａの漏れが発生する、又は液晶１５ａの漏れが発生しないことがわかる。
【００６０】
図８及び図９に示すように、シール剤１４の高さＨ２（１２．０μｍ）より液晶１５ａの高さＨ１が高くなると、液晶漏れが発生する。つまり、液晶漏れが発生した機種Ｄは、第２基板１３を封止する際、第２基板１３がシール剤１４より先に液晶１５ａと接触するので、第２基板１３の表面に液晶１５ａが伝ってシール剤１４を乗り越え、外部に液晶１５ａが漏れると考えられる。
【００６１】
そこで、機種Ｄ’のように、液晶ノズル４２の孔径４２ａを９０μｍから１５０μｍに大きくすることによって、第１基板１２に機種Ｄと同じ量の液晶１５ａを滴下した際、液晶１５ａの高さＨ１を機種Ｄと比較して低くすることが可能となる。これにより、例えば、液晶１５ａの高さＨ１が１１．２μｍになり、シール剤１４の高さＨ２（１２μｍ）より低くなる。よって、第２基板１３を用いて封止する際、液晶１５ａより先にシール剤１４が第２基板１３と接触するので、第１基板１２と第２基板１３との間に隙間がなくなり、液晶１５ａが外部に漏れ出すことを防ぐことができる。
【００６２】
なお、機種Ｄ’と同様に、機種Ａから機種Ｃにおいて液晶ノズル４２の孔径４２ａを９０μｍから１５０μｍに変更した場合、液晶量が機種Ｄと比較して少ないため、液晶１５ａの吐出量のばらつきが大きくなると考えられる。よって、必要な液晶量に合わせて液晶ノズル４２の孔径４２ａの大きさを設定することが好ましい。
【００６３】
以上詳述したように、本実施形態の液晶装置１０の製造方法によれば、以下に示す効果が得られる。
【００６４】
（１）本実施形態の液晶装置１０の製造方法によれば、例えば、液晶ノズル４２の孔径４２ａの大きさを従来と比較して大きくしたので、第１基板１２上に従来と同じ液晶量を吐出した際、シール剤１４の高さＨ２より液晶１５ａの高さＨ１を低くすることが可能となる。よって、第１基板１２と第２基板１３とを貼り合わせた際、液晶１５ａより先にシール剤１４が第２基板１３と接触するので、シール剤１４で囲まれた空間と外部との間に隙間が無くなる。これにより、液晶１５ａが第２基板１３の表面を伝ってシール剤１４を乗り越え外部に漏れることを防ぐことが可能となり、第１基板１２と第２基板１３との間に必要量の液晶１５ａを確保することができる。その結果、液晶装置１０の透過率やコントラストがばらつくことを抑えることが可能となり、表示品質を向上させることができる。
【００６５】
（２）本実施形態の液晶装置１０の製造方法によれば、液晶ノズル４２の孔径４２ａを従来より大きくする（つまり、９０μｍから１５０μｍに変更する）だけなので、新たな設備を導入する必要がなく、かかるコストを抑えることができる。加えて、生産能力を低下させることなく、より簡便な方法で形成することができる。
【００６６】
なお、本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。
【００６７】
（変形例１）
上記したように、第１基板１２上に滴下した液晶１５ａの高さＨ１をシール剤１４の高さＨ２より低くする方法として、液晶ノズル４２の孔径４２ａの大きさを大きくすることに限定されず、例えば、シール剤ノズル４１の孔径の大きさを小さくするようにしてもよい。これによれば、第１基板１２上にシール剤１４を塗布した際、シール剤１４の高さを従来と比較して高くすることが可能となり、液晶１５ａの高さＨ１よりシール剤１４の高さＨ２を高くすることができる。よって、第１基板１２と第２基板１３とを貼り合わせた際、液晶１５ａより先にシール剤１４を第２基板１３に接触させることができ、液晶１５ａが外部に漏れることを防ぐことができる。
【００６８】
（変形例２）
上記したように、液晶１５ａの高さＨ１をシール剤１４の高さＨ２より低くする方法として、液晶１５ａを滴下する際の第１基板１２を載置するステージに熱を加えて、液晶１５ａの粘度を低くし、液晶１５ａの高さを低くする方法を加えるようにしてもよい。なお、ステージへの加熱に限定されず、直接液晶１５ａを加熱するようにしてもよい。また、第１配向膜２８や第２配向膜３２の種類によって液晶１５ａの表面張力が変わることが考えられるので、配向膜２８，３２の種類も考慮しながら液晶ノズル４２の孔径４２ａの大きさを調整することが好ましい。
【符号の説明】
【００６９】
１０…液晶装置、１２…第１基板、１３…第２基板、１４…シール剤、１５…液晶層、１５ａ…液晶、１８…額縁遮光膜、１９…表示領域、２１…画素領域、２２…データ線駆動回路、２４…走査線駆動回路、２６…上下導通端子、２７…画素電極、２８…第１配向膜、３１…共通電極、３２…第２配向膜、３３…ＴＦＴ素子、３４…データ線、３５…走査線、３６…容量電極、３７…蓄積容量、３８…接続端子、４１…シール剤ノズル、４２…液晶ノズル、４２ａ…孔径、１００…大型基板、２００…第１大型基板、３００…第２大型基板。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶滴下方式によって製造される液晶装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置は、一対の透光性材料からなる基板をシール剤によって互いに貼り合わせ、それらの基板間に形成される間隙（セルギャップ）内に液晶を封入することにより形成される。従来から、セルギャップ内に液晶を封入する方法として、例えば、液晶滴下法式（ＯＤＦ：One Drop Fill）が知られている。
【０００３】
液晶滴下方式は、対向配置される一対の基板うち、一方の基板の面に液晶表示領域を囲むようにして枠状のシール剤を塗布し、液晶をシール剤の枠内に滴下しその後直ちに、他方の基板を重ね合わせてシール剤を硬化させて封止する方法である。
【０００４】
しかし、他方の基板を貼り合わせる際、シール剤より液晶の方が早く他方の基板と接触すると、液晶が他方の基板の表面を伝ってシール剤を乗り越えて外部に漏れ出し、必要量の液晶が確保できないという問題があった。
【０００５】
この問題に対して、例えば、特許文献１及び特許文献２では、一方の基板を傾けて液晶を広げたり、一方の基板に振動を加えて液晶を広げたりして、先に液晶が他方の基板と接触しないようにしている方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−５２３１２号公報
【特許文献２】特開２００７−３５６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、基板を傾ける装置が必要になったり、基板に振動を加える装置が必要になったりと、設備を新たに導入しなければならないという課題がある。また、傾けたり振動させたりする時間が必要になるため、生産能力が低下するという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００９】
［適用例１］本適用例に係る液晶装置の製造方法は、第１基板上において表示領域を囲むようにシール剤を塗布する塗布工程と、前記第１基板上の前記シール剤で囲まれた中に、液晶の高さが前記シール剤の高さより低くなるように前記液晶を滴下する滴下工程と、前記シール剤を介して前記第１基板に前記第１基板と対向する第２基板を貼り付ける貼付工程と、を有することを特徴とする。
【００１０】
この方法によれば、シール剤の高さより液晶の高さが低くなるように液晶を滴下するので、第１基板に第２基板を貼り合わせた際、液晶よりシール剤が先に第２基板に接触する。よって、液晶が第２基板の表面を伝ってシール剤を乗り越え外部に漏れることを防ぐことが可能となり、第１基板と第２基板との間に必要量の液晶を確保することができる。
【００１１】
［適用例２］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記第１基板上に前記液滴を滴下する液晶ノズルを有し、前記滴下工程は、前記第１基板上に前記液晶を滴下した際に、前記シール剤の高さより前記液晶の高さが低くなるように前記液晶ノズルの孔径の大きさを変えることが好ましい。
【００１２】
この方法によれば、液晶ノズルの孔径の大きさを変えることによってシール剤の高さより液晶の高さを低くするので、液晶より先にシール剤が第２基板に接触する。よって、液晶がシール剤を乗り越えることを防ぐことができる。また、液晶ノズルの孔径の大きさを変更するだけなので、新たな設備を導入する必要がなく、かかるコストを抑えることができる。加えて、生産能力を低下させることなく、より簡便な方法で形成することができる。
【００１３】
［適用例３］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記第１基板上に前記シール剤を塗布するシール剤ノズルを有し、前記塗布工程は、前記滴下工程において前記第１基板上に前記液晶を滴下した際に、前記シール剤の高さより前記液晶の高さが低くなるように前記シール剤ノズルの孔径の大きさを変えることが好ましい。
【００１４】
この方法によれば、シール剤ノズルの孔径の大きさを変えることによって液晶の高さよりシール剤の高さを高くするので、液晶より先にシール剤が第２基板に接触する。よって、液晶がシール剤を乗り越えることを防ぐことができる。また、シール剤ノズルの孔径の大きさを変更するだけなので、新たな設備を導入する必要がなく、かかるコストを抑えることができる。加えて、生産能力を低下させることなく、より簡便な方法で形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】液晶装置を備える一対の大型基板の構造を示す模式平面図。
【図２】液晶装置の構造を示す模式平面図。
【図３】図２に示す液晶装置のＢ−Ｂ'線に沿う模式断面図。
【図４】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図５】液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャート。
【図６】液晶装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図。
【図７】液晶装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図。
【図８】液晶装置の機種別における製造条件と液晶漏れ状況とを示す図表。
【図９】液晶装置の機種別におけるシール剤及び液晶高さと液晶漏れとの関係を示すグラフ。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。本実施形態では、投射型映像装置である液晶プロジェクターにおいてライトバルブとして用いられるＴＦＴ（Thin Film Transistor）アクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例に挙げて説明する。
【００１７】
なお、以下の形態において、「○○上に」と記載された場合、○○の上に接するように配置される場合、または○○の上に他の構成物を介して配置される場合、または○○の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００１８】
＜液晶装置を備える大型基板の構成＞
図１は、液晶装置を備える一対の大型基板（マザー基板）の構造を示す模式図である。（ａ）は一対の大型基板の構造を模式的に示す斜視図であり、（ｂ）は一対の大型基板の構造を示す模式平面図である。以下、大型基板の構造を、図１を参照しながら説明する。
【００１９】
図１に示すように、一対の大型基板１００は、第１大型基板２００と第２大型基板３００とが、液晶層１５（図３参照）を挟持してシール剤１４を介して貼り合わされており、複数の液晶装置１０が互いの基板にマトリクス状に面付けされている。大型基板１００の大きさは、例えば、８インチである。大型基板１００（２００，３００）のそれぞれの厚みは、例えば、１．２ｍｍである。大型基板１００の材質は、例えば、石英である。
【００２０】
Ａ部は、大型基板１００における１つの液晶装置１０を構成する部分（四角形の第１基板又は第２基板となる部分）である。なお、大型基板１００は、平面的に円形であることに限定されず、円周の一部が切り欠かれたオリフラを有する形状であってもよい。以下、液晶装置１０の構造について説明する。
【００２１】
＜液晶装置の構成＞
図２は、液晶装置の構造を示す模式平面図である。図３は、図２に示す液晶装置のＢ−Ｂ'線に沿う模式断面図である。以下、液晶装置の構造を、図２及び図３を参照しながら説明する。
【００２２】
図２及び図３に示すように、液晶装置１０は、液晶プロジェクターのライトバルブ等に用いられるものであり、例えば、薄膜トランジスター（以下、「ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子」と称する。）を画素のスイッチング素子として用いたＴＦＴアクティブマトリクス方式の液晶装置である。液晶装置１０は、一対の基板を構成する第１基板１２と第２基板１３とが、平面視略矩形枠状のシール剤１４を介して貼り合わされている。
【００２３】
第１基板１２及び第２基板１３は、例えば、石英などの透光性材料から構成されている。液晶装置１０は、シール剤１４に囲まれた領域（表示領域１９）内に液晶層１５が封入された構成になっている。
【００２４】
液晶層１５としては、例えば、正の誘電率異方性を有する液晶材料が用いられる。液晶装置１０は、シール剤１４の内周近傍に沿って遮光性材料からなる平面視矩形枠状の額縁遮光膜１８が第２基板１３に形成されており、この額縁遮光膜１８の内側の領域が表示領域１９となっている。
【００２５】
額縁遮光膜１８は、例えば、遮光性材料であるアルミ（Ａｌ）で形成されており、第２基板１３側の表示領域１９の外周を区画するように設けられている。
【００２６】
表示領域１９内には、画素領域２１がマトリクス状に設けられている。画素領域２１は、表示領域１９の最小表示単位となる１画素を構成している。シール剤１４の外側の領域には、データ線駆動回路２２及び接続端子３８が第１基板１２の一辺（図２における下側）に沿って形成されている。接続端子３８には、外部と接続するためのフレキシブル配線基板（図示せず）が電気的に接続される。
【００２７】
また、シール剤１４の内側の領域には、この一辺に隣接する二辺に沿って走査線駆動回路２４がそれぞれ形成されている。第２基板１３側に形成された額縁遮光膜１８は、例えば、第１基板１２上に形成された走査線駆動回路２４などに対向する位置（平面的に重なる位置）に形成されている。
【００２８】
一方、第２基板１３の各角部（例えば、シール剤１４のコーナー部の４箇所）には、第１基板１２と第２基板１３との間の電気的導通をとるための、上下導通端子２６が配設されている。
【００２９】
また、図３に示すように、第１基板１２の液晶層１５側には、複数の画素電極２７が形成されており、これら画素電極２７を覆うように所定の方向に配向処理が施された第１配向膜２８が形成されている。画素電極２７は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電材料からなる導電膜である。第１配向膜２８は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。
【００３０】
一方、第２基板１３の液晶層１５側には、格子状の遮光膜（ＢＭ：ブラックマトリクス）（図示せず）が形成され、その上に平面ベタ状の共通電極３１が形成されている。そして、共通電極３１上には、第２配向膜３２が形成されている。共通電極３１は、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる導電膜である。
【００３１】
液晶層１５は、画素電極２７からの電界が印加されていない状態で第１配向膜２８及び第２配向膜３２によって所定の配向状態をとる。液晶装置１０は透過型であって、第１基板１２及び第２基板１３における光の入射側と出射側とにそれぞれ偏光板（図示せず）等が配置されて用いられる。なお、液晶装置１０の構成は、これに限定されず、反射型や半透過型の構成であってもよい。
【００３２】
図４は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の電気的な構成を、図４を参照しながら説明する。
【００３３】
図４に示すように、液晶装置１０は、表示領域１９を構成する複数の画素領域２１を有している。各画素領域２１には、それぞれ画素電極２７が配置されている。また、画素領域２１には、ＴＦＴ素子３３が形成されている。
【００３４】
ＴＦＴ素子３３は、画素電極２７へ通電制御を行うスイッチング素子である。ＴＦＴ素子３３のソース側には、データ線３４が電気的に接続されている。各データ線３４には、例えば、データ線駆動回路２２（図２参照）から画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎが供給されるようになっている。
【００３５】
また、ＴＦＴ素子３３のゲート側には、走査線３５が電気的に接続されている。走査線３５には、例えば、走査線駆動回路２４（図２参照）から所定のタイミングでパルス的に走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍが供給されるようになっている。また、ＴＦＴ素子３３のドレイン側には、画素電極２７が電気的に接続されている。
【００３６】
走査線３５から供給された走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍにより、スイッチング素子であるＴＦＴ素子３３が一定期間だけオン状態となることで、データ線３４から供給された画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎが、画素電極２７を介して画素領域２１に所定のタイミングで書き込まれるようになっている。
【００３７】
画素領域２１に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎは、画素電極２７と共通電極３１（図３参照）との間で形成される液晶容量で一定期間保持される。なお、保持された画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎがリークするのを防止するために、画素電極２７に電気的に接続された画素電位側容量電極と、容量線の一例であるシールド層（図示せず）に電気的に接続された容量電極３６との間に蓄積容量３７が形成されている。
【００３８】
このように、液晶層１５に電圧信号が印加されると、印加された電圧レベルにより、液晶分子の配向状態が変化する。これにより、液晶層１５に入射した光が変調されて、画像光が生成されるようになっている。
【００３９】
＜液晶装置の製造方法＞
図５は、液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャートである。図６及び図７は、液晶装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図である。以下、液晶装置の製造方法を、図５〜図７を参照しながら説明する。以下、図１に示すマザー基板のうち１つの液晶装置の製造方法を説明する。なお、図６及び図７は、ＴＦＴ素子３３や配線などが設けられた層の図示を省略している。
【００４０】
最初に、第１基板１２側の製造方法を説明する。図５に示すように、ステップＳ１１では、石英基板などからなる第１基板１２上にＴＦＴ素子３３及び画素電極２７等を形成する。具体的には、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、第１基板１２上にＴＦＴ素子３３及び画素電極２７（図６（ａ）参照）などを形成する。画素電極２７は、例えば、第１基板１２の一方の表面にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電性材料をスパッタし、この導電膜をエッチングすることによって形成することができる。
【００４１】
ステップＳ１２では、画素電極２７の上方に第１配向膜２８を形成する（図６（ａ）参照）。第１配向膜２８の製造方法としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着する斜方蒸着法が用いられる。
【００４２】
ステップＳ１３（塗布工程）では、第１基板１２上にシール剤１４を塗布する。具体的には、図６（ｂ）に示すように、シール剤ノズル４１から第１基板１２上の表示領域１９の周縁部に（表示領域１９を囲むように）、一筆書きで切れ目なくシール剤１４を塗布する。シール剤１４としては、例えば、紫外線硬化型エポキシ樹脂が挙げられる。なお、紫外線などの光硬化型樹脂に限定されず、熱硬化型樹脂などを用いるようにしてもよい。
【００４３】
また、シール剤１４には、第１基板１２と第２基板１３との間隔（基板１２，１３間ギャップ或いはセルギャップ）を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のギャップ材が含まれている。
【００４４】
ステップＳ１４（滴下工程）では、第１基板１２上に液晶１５ａを滴下する。具体的には、図６（ｃ）に示すように、シール剤１４で囲まれた領域に液晶１５ａを滴下する。滴下する方法としては、例えば、液晶ノズル４２（インクジェットヘッド）などを用いることができる。また、液晶１５ａは、囲まれた領域（表示領域１９）の中央部に滴下することが望ましい。
【００４５】
続いて、第１基板１２側と同時に製造する第２基板１３側の製造方法を説明する。まず、ステップＳ２１では、第２基板１３上に共通電極３１などを形成する。具体的には、石英基板などの透光性材料からなる第２基板１３の一方の表面に、ＩＴＯなどの透明導電性膜をスパッタし、これをエッチングすることによって形成することができる。
【００４６】
ステップＳ２２では、共通電極３１上に第２配向膜３２を形成する。第２配向膜３２の製造方法は、第１配向膜２８の製造と同様に、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着する斜方蒸着法が用いられる。以上により、第２基板１３側が完成する。次に、第１基板１２と第２基板１３とを貼り合わせる方法を説明する。
【００４７】
ステップＳ３１では、第１基板１２に第２基板１３を貼り合わせる。具体的には、図７（ａ）に示すように、第１基板１２に塗布されたシール剤１４を介して第１基板１２と第２基板１３とを貼り合わせる。
【００４８】
このとき、図６（ｃ）に示すように、液晶ノズル４２の孔径４２ａの大きさを従来（９０μｍ）と比較して大きくしたので（１５０μｍ）、図７（ａ）に示すように、シール剤１４の高さＨ２と比較して、液晶１５ａの高さＨ１が低くなっている。
【００４９】
よって、第１基板１２と第２基板１３とを貼り合わせる際、液晶１５ａよりも先にシール剤１４が第２基板１３と接触する。これにより、第１基板１２と第２基板１３との間と、外部との間に隙間が発生することを防ぐことが可能となり、シール剤１４で囲まれた中に滴下した液晶１５ａが、外部に漏れることを防ぐことができる。
【００５０】
その結果、図７（ｂ）に示すように、第１基板１２と第２基板１３との間に滴下された液晶１５ａが、外部に漏れ出すことなくシール剤１４で囲まれた中に封止される。
【００５１】
ステップＳ３２では、図７（ｃ）に示すように、貼り合わせた大型基板１００を切断して、個々の液晶装置１０を完成させる。なお、ステップＳ３２のあと洗浄を行い、第１基板１２及び第２基板１３の表面に偏光板を装着し、更に、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）などを介して液晶駆動用ＩＣを実装することで、液晶装置１０として構成してもよい。
【００５２】
図８は、液晶装置の機種別における製造条件と液晶漏れ状況とを示す図表である。図９は、液晶装置の機種別におけるシール剤及び液晶高さと液晶漏れとの関係を示すグラフである。以下、液晶装置の機種別におけるシール剤高さ及び液晶高さと液晶漏れとの関係について、図８及び図９を参照しながら説明する。
【００５３】
図８に示す図表は、シール剤１４の高さＨ２と、液晶装置１０に必要な液晶量と、液晶ノズル４２の孔径４２ａと、液晶１５ａの高さＨ１とを、液晶装置１０の機種（機種Ａ〜機種Ｄ’）毎に示したものである。また、機種毎における液晶漏れの発生状況を示している。なお、機種Ｄ’は、機種Ｄにおける液晶ノズル４２の孔径４２ａを９０μｍから１５０μｍに変更した機種である。
【００５４】
具体的には、シール剤１４の高さＨ２は、全ての機種において１２μｍである。必要な液晶量は、機種Ａが２２０μｇ、機種Ｂが２５０μｇ、機種Ｃが３７０μｇ、機種Ｄ及び機種Ｄ’が６００μｇで同じある。
【００５５】
液晶１５ａを滴下する際に用いた液晶ノズル４２の孔径４２ａは、機種Ａ〜機種Ｄまで同じ９０μｍである。機種Ｄ’における液晶ノズル４２の孔径４２ａは、上記したように、１５０μｍである。液晶１５ａの高さＨ１は、機種Ａが６．６μｍ、機種Ｂが７．５μｍ、機種Ｃが１１．２μｍ、機種Ｄが１８．６μｍ、機種Ｄ’が１１．２μｍである。
【００５６】
液晶１５ａがシール剤１４を乗り越えて外部に漏れ出す液晶漏れの状況は、機種Ｄのみ発生した。残りの機種Ａ〜機種Ｃ、機種Ｄの改良機種である機種Ｄ’については、液晶漏れが発生しなかった。
【００５７】
一方、図９に示すグラフは、横軸に液晶装置１０の機種を示しており、縦軸に液晶１５ａの高さＨ１とシール剤１４の高さＨ２とを示している。液晶１５ａの高さＨ１及びシール剤１４の高さＨ２は、縦軸における図示上側にいくに従って高くなる。
【００５８】
具体的には、シール剤１４の高さＨ２は、上記したように、全ての機種において１２μｍである。液晶１５ａの高さＨ１は、図８の図表において説明したように、機種Ａが６．６μｍ、機種Ｂが７．５μｍ、機種Ｃが１１．２μｍ、機種Ｄが１８．６μｍ、機種Ｄ’が１１．２μｍである。
【００５９】
このように、液晶１５ａの高さＨ１及びシール剤１４の高さＨ２において、１２μｍを境に液晶１５ａの漏れが発生する、又は液晶１５ａの漏れが発生しないことがわかる。
【００６０】
図８及び図９に示すように、シール剤１４の高さＨ２（１２．０μｍ）より液晶１５ａの高さＨ１が高くなると、液晶漏れが発生する。つまり、液晶漏れが発生した機種Ｄは、第２基板１３を封止する際、第２基板１３がシール剤１４より先に液晶１５ａと接触するので、第２基板１３の表面に液晶１５ａが伝ってシール剤１４を乗り越え、外部に液晶１５ａが漏れると考えられる。
【００６１】
そこで、機種Ｄ’のように、液晶ノズル４２の孔径４２ａを９０μｍから１５０μｍに大きくすることによって、第１基板１２に機種Ｄと同じ量の液晶１５ａを滴下した際、液晶１５ａの高さＨ１を機種Ｄと比較して低くすることが可能となる。これにより、例えば、液晶１５ａの高さＨ１が１１．２μｍになり、シール剤１４の高さＨ２（１２μｍ）より低くなる。よって、第２基板１３を用いて封止する際、液晶１５ａより先にシール剤１４が第２基板１３と接触するので、第１基板１２と第２基板１３との間に隙間がなくなり、液晶１５ａが外部に漏れ出すことを防ぐことができる。
【００６２】
なお、機種Ｄ’と同様に、機種Ａから機種Ｃにおいて液晶ノズル４２の孔径４２ａを９０μｍから１５０μｍに変更した場合、液晶量が機種Ｄと比較して少ないため、液晶１５ａの吐出量のばらつきが大きくなると考えられる。よって、必要な液晶量に合わせて液晶ノズル４２の孔径４２ａの大きさを設定することが好ましい。
【００６３】
以上詳述したように、本実施形態の液晶装置１０の製造方法によれば、以下に示す効果が得られる。
【００６４】
（１）本実施形態の液晶装置１０の製造方法によれば、例えば、液晶ノズル４２の孔径４２ａの大きさを従来と比較して大きくしたので、第１基板１２上に従来と同じ液晶量を吐出した際、シール剤１４の高さＨ２より液晶１５ａの高さＨ１を低くすることが可能となる。よって、第１基板１２と第２基板１３とを貼り合わせた際、液晶１５ａより先にシール剤１４が第２基板１３と接触するので、シール剤１４で囲まれた空間と外部との間に隙間が無くなる。これにより、液晶１５ａが第２基板１３の表面を伝ってシール剤１４を乗り越え外部に漏れることを防ぐことが可能となり、第１基板１２と第２基板１３との間に必要量の液晶１５ａを確保することができる。その結果、液晶装置１０の透過率やコントラストがばらつくことを抑えることが可能となり、表示品質を向上させることができる。
【００６５】
（２）本実施形態の液晶装置１０の製造方法によれば、液晶ノズル４２の孔径４２ａを従来より大きくする（つまり、９０μｍから１５０μｍに変更する）だけなので、新たな設備を導入する必要がなく、かかるコストを抑えることができる。加えて、生産能力を低下させることなく、より簡便な方法で形成することができる。
【００６６】
なお、本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。
【００６７】
（変形例１）
上記したように、第１基板１２上に滴下した液晶１５ａの高さＨ１をシール剤１４の高さＨ２より低くする方法として、液晶ノズル４２の孔径４２ａの大きさを大きくすることに限定されず、例えば、シール剤ノズル４１の孔径の大きさを小さくするようにしてもよい。これによれば、第１基板１２上にシール剤１４を塗布した際、シール剤１４の高さを従来と比較して高くすることが可能となり、液晶１５ａの高さＨ１よりシール剤１４の高さＨ２を高くすることができる。よって、第１基板１２と第２基板１３とを貼り合わせた際、液晶１５ａより先にシール剤１４を第２基板１３に接触させることができ、液晶１５ａが外部に漏れることを防ぐことができる。
【００６８】
（変形例２）
上記したように、液晶１５ａの高さＨ１をシール剤１４の高さＨ２より低くする方法として、液晶１５ａを滴下する際の第１基板１２を載置するステージに熱を加えて、液晶１５ａの粘度を低くし、液晶１５ａの高さを低くする方法を加えるようにしてもよい。なお、ステージへの加熱に限定されず、直接液晶１５ａを加熱するようにしてもよい。また、第１配向膜２８や第２配向膜３２の種類によって液晶１５ａの表面張力が変わることが考えられるので、配向膜２８，３２の種類も考慮しながら液晶ノズル４２の孔径４２ａの大きさを調整することが好ましい。
【符号の説明】
【００６９】
１０…液晶装置、１２…第１基板、１３…第２基板、１４…シール剤、１５…液晶層、１５ａ…液晶、１８…額縁遮光膜、１９…表示領域、２１…画素領域、２２…データ線駆動回路、２４…走査線駆動回路、２６…上下導通端子、２７…画素電極、２８…第１配向膜、３１…共通電極、３２…第２配向膜、３３…ＴＦＴ素子、３４…データ線、３５…走査線、３６…容量電極、３７…蓄積容量、３８…接続端子、４１…シール剤ノズル、４２…液晶ノズル、４２ａ…孔径、１００…大型基板、２００…第１大型基板、３００…第２大型基板。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板上において表示領域を囲むようにシール剤を塗布する塗布工程と、
前記第１基板上の前記シール剤で囲まれた中に、液晶の高さが前記シール剤の高さより低くなるように前記液晶を滴下する滴下工程と、
前記シール剤を介して前記第１基板に前記第１基板と対向する第２基板を貼り付ける貼付工程と、
を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記第１基板上に前記液滴を滴下する液晶ノズルを有し、
前記滴下工程は、前記第１基板上に前記液晶を滴下した際に、前記シール剤の高さより前記液晶の高さが低くなるように前記液晶ノズルの孔径の大きさを変えることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記第１基板上に前記シール剤を塗布するシール剤ノズルを有し、
前記塗布工程は、前記滴下工程において前記第１基板上に前記液晶を滴下した際に、前記シール剤の高さより前記液晶の高さが低くなるように前記シール剤ノズルの孔径の大きさを変えることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項１】
第１基板上において表示領域を囲むようにシール剤を塗布する塗布工程と、
前記第１基板上の前記シール剤で囲まれた中に、液晶の高さが前記シール剤の高さより低くなるように前記液晶を滴下する滴下工程と、
前記シール剤を介して前記第１基板に前記第１基板と対向する第２基板を貼り付ける貼付工程と、
を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記第１基板上に前記液滴を滴下する液晶ノズルを有し、
前記滴下工程は、前記第１基板上に前記液晶を滴下した際に、前記シール剤の高さより前記液晶の高さが低くなるように前記液晶ノズルの孔径の大きさを変えることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記第１基板上に前記シール剤を塗布するシール剤ノズルを有し、
前記塗布工程は、前記滴下工程において前記第１基板上に前記液晶を滴下した際に、前記シール剤の高さより前記液晶の高さが低くなるように前記シール剤ノズルの孔径の大きさを変えることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２０１３−１９９３１（Ｐ２０１３−１９９３１Ａ）
【公開日】平成２５年１月３１日（２０１３．１．３１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１５０６４０（Ｐ２０１１−１５０６４０）
【出願日】平成２３年７月７日（２０１１．７．７）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年１月３１日（２０１３．１．３１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年７月７日（２０１１．７．７）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]