画像表示装置及びその製造方法

【課題】青色発光蛍光体の青色成分の高輝度化を図ることによって高精細・高コントラストの蛍光面を容易に実現可能とする画像表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】可視光透過性のフェースプレート２を有する真空外囲器と、フェースプレート２の内面に形成された青色発光蛍光膜７と、真空外囲器内に収容されて蛍光膜７に電子線を投射する電子銃１０とを備え、青色発光蛍光膜７は、フェースプレート２の内面側からＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ蛍光体膜７ａとＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆：Ｅｕ²⁺蛍光体膜７ｂとを順次積層して形成され、ＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆：Ｅｕ²⁺蛍光体の平均粒径がＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ蛍光体の平均粒径よりも小さくすることにより、高密度電子線照射に対する発光効率の低下、所謂輝度飽和が少なくなるので、高密度励起状態で高輝度が得られる。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像表示装置及びその製造方法に係り、特に蛍光面を構成する青色発光蛍光体の青色発光成分の高輝度化に好適な蛍光体膜構造及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
画像表示装置として、例えば、投写型陰極線管を用いた投写型テレビジョン装置がある。投写型テレビジョン装置は、赤色画像用，緑色画像用及び青色画像用の３本の投写型陰極線管を映写スクリーンから所定距離だけ離れた位置に配置し、３本の投写型陰極線管のフェースプレートに表示された再生画像を投写レンズを通して映写スクリーン上に重ね合わせて投写表示する。
【０００３】
この種の投写型陰極線管は、ガラス製の真空外囲器と、フェースプレートを有するパネル部と、内部に電子銃を収納した細長い円筒状のネック部と、パネル部とネック部とを連接する略漏斗形状のファンネル部とから構成されている。
【０００４】
また、この投写型陰極線管では、そのパネル部のフェースプレート内面に蛍光面を有し、電子銃から出射する高密度の電子線を、偏向ヨークで形成される垂直及び水平偏向磁界で偏向し、蛍光面上を二次元走査させる。電子線が蛍光面に射突したことによって発生する光を投写レンズで映写スクリーン上に拡大投影する。
【０００５】
また、投写型陰極線管では、高密度の電子ビームが緑色，青色，赤色の何れかからなる単色蛍光体膜に投射されたとき、電子ビームの内、これらの単色蛍光体膜内の蛍光体粒子に当らず、蛍光体の発光に寄与しない電子ビームの割合が多い。また、蛍光体粒子間を散乱しながら、透過し、フェースプレートに投射される電子がある。このため、フェースプレートは、フェースプレートに電子ビームが衝突してフェースプレート自体が茶色味を帯びる現象であるブラウニングが生じる。
【０００６】
このように電子ビーム中で蛍光体粒子の発光に寄与しない電子ビームが比較的多く存在することと、その発光に寄与しない電子ビームがフェースプレートに投射することによりフェースプレートにブラウニングが生じることから、高輝度の表示画像を有する投写型陰極線管を得ることが難しかった。
【０００７】
また、フェースプレートにこのようなブラウニングが生じると、フェースプレートは、特に緑領域から青領域の光を吸収する。そのため、ブラウニングは、緑色用投写型陰極線管及び青色用投写型陰極線管の長寿命化を妨げる一つの要因となっていた。
【０００８】
なお、このようなブラウニングの発生は、前述した投写型陰極線管に限るものではなく、電界放射型画像表示装置，ディスプレイモニター管，テレビ受像機，その他の陰極線管，パネルガラスの内面に蛍光体を有しない陰極線管あるいは蛍光体以外の層を有する陰極線管などにおいても同様に発生する。
【０００９】
下記特許文献１には、この種のブラウニングの対策技術が開示されている。この特許文献１では、ＺｎＳ：Ａｇ系蛍光体と、ＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆：Ｅｕ²⁺蛍光体とを混合して青色発光蛍光体膜を成膜する技術が開示されている。その要点は、平均粒径の大きいＺｎＳ：Ａｇ系蛍光体と、平均粒径の小さいＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆：Ｅｕ²⁺蛍光体とを混合することにより、蛍光体膜の充填密度を高めて電子線によるフェースプレート到達を抑制してガラスブラウニングを低減させた画像表示装置が開示されている。
【００１０】
【特許文献１】特開２００３−１９７１３５号公報
【００１１】
また、近年では、投写型陰極線管（投写管）に用いられる蛍光体は、高密度の電子線励起状態で使用されるため、その条件下で優れた発光特性を有する材料が強く求められている。特に、
（１）発光効率の励起依存性（輝度飽和）が小さいこと。
（２）発光効率の経時変化が少ない（優れた輝度寿命を示す）こと。
（３）発光色調の変化が小さいこと。
などが要求されている。
【００１２】
また、他の大画面ディスプレイ（例えばＬＣＯＳを用いた投写システム）との競合において、投写管では、映像の更なる解像度向上のために薄膜化して蛍光膜中の光散乱を抑制することが効果的である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、特許文献１に記載の画像表示装置では、平均粒径の大きい蛍光体粒子間に平均粒径の小さい蛍光体を略均一に分散させて蛍光体膜を形成する成膜方法は、技術的に極めて困難であり、量産性の観点から非現実的であるという課題があった。
【００１４】
また、電子線照射による発光体特性（特に輝度飽和）が互いに異なる複数の蛍光体をフェースプレート内面の同一面上に配置することでは、それぞれの蛍光体特性が混在した形態となり易いので、蛍光体特性の良いところのみを発揮させることが困難であるという課題があった。
【００１５】
したがって、蛍光体膜の高輝度化が容易に得られないことから、高輝度・高コントラストの表示画像が得られる投写型陰極線管を容易に実現することが困難であった。
【００１６】
本発明は前述した従来の課題を解決するためになされたものであり、その目的は、画像表示装置の性能向上に対して実現不可能となつていた青色発光蛍光体の青色成分の高輝度化を図ることによって、高精細・高コントラストの蛍光面を容易に実現可能とする画像表示装置を提供することにある。
【００１７】
また、本発明の他の目的は、青色発光蛍光膜の青色成分の高輝度化を図ることによって高精細・高コントラストの表示画像が容易に且つ生産性良く得られる画像表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
このような目的を達成するために本発明による画像表示装置は、可視光透過性のフェースプレートを有する真空外囲器と、フェースプレートの内面に形成された青色発光蛍光体膜を有する蛍光面と、真空外囲器内に収容されて蛍光面に電子線を投射する電子線源とを備え、青色発光蛍光体膜は、フェースプレートの内面側からＺｎＳ：Ａｇ系蛍光体とＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆：Ｅｕ²⁺蛍光体とが順次積層して形成され、ＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆：Ｅｕ²⁺蛍光体の平均粒径がＺｎＳ：Ａｇ系蛍光体の平均粒径よりも小さくしたもの積層することにより、照射電流に対する発光効率の低下、所謂輝度飽和を低減するので、高密度励起状態で高輝度が得られる。
【００１９】
また、本発明による他の画像表示装置は、好ましくは、上記構成において、ＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆：Ｅｕ²⁺蛍光体は、発光センタであるＥｕ²⁺の濃度をＣａ置換サイトに対する比として、１％以上３％以下の範囲とすることを特徴としている。
【００２０】
また、本発明による画像表示装置の製造方法は、フェースプレートの内面にＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ蛍光体膜を形成した後に当該ＺｎＳ：Ａｇ系蛍光体よりも平均粒径の小さいＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆：Ｅｕ²⁺蛍光体膜を形成することにより、高密度電子線照射に対する発光効率の低下、所謂輝度飽和が少なくなるので、高密度励起状態で高輝度が得られる蛍光面が容易に実現できる。
【００２１】
また、本発明によるが画像表示装置の製造方法は、好ましくは、上記製造方法において、ＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆：Ｅｕ²⁺蛍光体を複数回に亘って塗布することにより、蛍光面の電子線源側でＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆：Ｅｕ²⁺蛍光体が高い充填密度で成膜される。
【００２２】
なお、本発明は、前記各構成及び後述する実施の形態に記載される構成に限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱することなく、種々の変更が可能であることは言うまでもない。
【発明の効果】
【００２３】
本発明による画像表示装置によれば、青色発光蛍光体としてＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆：Ｅｕ²⁺蛍光体を用いたことにより、照射電流に対する輝度飽和が少ないので、特に高密度励起の状態において高輝度発光が得られ、画面輝度の高い蛍光面が得られるという極めて優れた効果を有する。
【００２４】
また、ＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆：Ｅｕ²⁺蛍光体の発光は、電子線の照射量で青色色調が変化しないので、蛍光面に赤，緑，青色発光蛍光体を用いた蛍光面を有する画像表示装置では、３色共に蛍光体の色調変動が小さいので、明るさを大きく変動させてもホワイトバランスが安定し、色調の変化が少ない高輝度・高品位の蛍光面が得られるという極めて優れた効果が得られる。
【００２５】
また、本発明による画像表示装置の製造方法によれば、高輝度でしかも色調の変化の少ない高品位の蛍光面が容易にしかも生産性を良く得られるなどの極めて優れた効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の具体的な実施の形態について、実施例の図面を参照して詳細に説明する。
【実施例１】
【００２７】
図１は、本発明による画像表示装置の実施例１による投写型陰極線管の構成を説明する要部断面図である、図１において、１はパネル部、２はフェースプレート、３はネック部、４はファンネル部、５は蛍光面、６はフェースプレート２の内面に形成されて電子線を反射させる金属反射膜、７は金属反射膜７上に形成された青色発光蛍光体膜である。この青色発光蛍光体膜７は、金属反射膜７側からＺｎＳ：Ａｇ系の蛍光体として例えばＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ蛍光体膜７ａと青色発光用のＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆：Ｅｕ²⁺蛍光体膜７ｂが順次積層されて形成されている。８はアルミニウム膜、９は偏向ヨーク、１０は電子銃、１１は電子銃１０から投射される電子線、１２は投写型陰極線管である。
【００２８】
この投写型陰極線管１２を構成するガラス製の真空外囲器（バルブ）は、大口径の透光性フェースプレート２を有するパネル部１と、内部に電子銃１０を収納した細長い円筒状のネック部３と、パネル部１とネック部３とを連接するファンネル部４とから構成される。
【００２９】
パネル部１は、フェースプレート２の内面に形成された反射膜６と、蛍光膜（第１の青色発光蛍光膜７ａ及び第２の青色発光蛍光膜７ｂ）７との２層構造からなる蛍光面５と、この蛍光面５上に形成されたアルミニウム膜８とを有している。
【００３０】
また、反射膜６は、フェースプレート１の内面と蛍光膜７との間に設けられ、電子銃１０から投射された電子線１１に対して高い反射特性を示すように構成されている。この反射膜６は、例えば、平均膜厚が約０．２μｍの酸化ビスマス（Ｂｉ₂Ｏ₃）の金属化合物の薄膜である。また、ネック部３とファンネル部４との連接部分の外側には、偏向ヨーク９が装着され、電子銃１０から放射された１本の電子線１１は、偏向ヨーク９で所定の方向に走査偏向された後、蛍光面５に投射される。
【００３１】
上記構成による投写型陰極線管１２における画像表示動作は、既知の投写型陰極線管における画像表示動作と殆ど同じであり、また、緑色画像表示用投写型陰極線管，青色画像表示用投写型陰極線管及び赤色画像表示用投写型陰極線管を用いて映写スクリーン上にそれらの表示画像を合成状態で投写させ、拡大された合成カラー画像を表示させる投写型テレビジョン装置の動作も既知のこの種の投写型テレビジョン装置の動作と同じであるので、これらの動作についての説明はいずれも省略する。
【００３２】
図２は、図１に示した投写型陰極線管のフェースプレート２及び蛍光面５の一部Ａの具体的構造を示す拡大断面図であり、前述した図１と同一部分には同一符号を付してある。図２において、このフェースプレート２の内面には、このフェースプレート２の内面に形成された金属反射膜６と、この金属反射膜６上に設けられた青色発光の蛍光体膜７とが配置される。この場合、金属反射膜６は、例えば平均膜厚が約０．２μｍの酸化ビスマス（Ｂｉ₂Ｏ₃）を主成分とする薄膜である。
【００３３】
また、金属反射膜６上に形成される青色発光蛍光体膜７を構成するＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ蛍光体膜７ａは、例えば、平均粒径が約１２μｍのＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ蛍光体により形成され、ＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆：Ｅｕ²⁺蛍光体膜７ｂは、ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ蛍光体膜７ａを構成するＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ蛍光体の平均粒径よりも小さい例えば、平均粒径が約３μｍのＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆：Ｅｕ²⁺蛍光体により形成されている。
【００３４】
つまり、ＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆：Ｅｕ²⁺蛍光体膜７ｂを構成するＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆：Ｅｕ²⁺蛍光体の平均粒径がＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ蛍光体膜７ａを構成するＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ蛍光体の平均粒径より小さいので、ＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆：Ｅｕ²⁺蛍光体膜７ｂが高密度で充填されて成膜される。
【００３５】
次に、この青色発光蛍光膜７の成膜方法について説明する。青色発光蛍光膜７は、ＺｎＳ：Ａｇ系蛍光体膜の形成工程の後にＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆：Ｅｕ²⁺蛍光体膜の形成工程を行なって形成される。青色発光蛍光体膜７を構成するＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ蛍光体膜７ａは、通常市販されている平均粒径約１２μｍのＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ蛍光体を用い、酢酸バリウムと水ガラスとの混合体による沈降塗布法にて成膜する。
【００３６】
次に、ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ蛍光体膜７ａ上にＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆：Ｅｕ²⁺蛍光体膜７ｂを成膜する。このＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆：Ｅｕ²⁺蛍光体は次のようにして生成する。まず、最初に高純度原料の炭酸カルシウム（ＣａＣＯ₃）９．８０８ｇ，酸化マグネシウム（ＭｇＯ）約４．０３０ｇ，酸化ユーロピウム（Ｅｕ₂Ｏ₃）０．３５２ｇ及び酸化珪素（ＳｉＯ₂）１２．０１７ｇを瑪瑙乳鉢内で軽く混合し、さらに、その混合物にエタノールを少量加えた状態で混合した。この原料混合物を空気中で約１２０℃にて約１時間程度乾燥させた後にアルミナ坩堝に入れ、窒素ガス：水素ガス（体積比９９：１）混合気体中で約１５５０℃にて約３時間程度熱処理した。
【００３７】
この時、アルミナ坩堝にアルミナ製の蓋を載せた（セラミックス用接着剤は使用せず）。得られた生成物を瑪瑙乳鉢内に移し、純水を加えて軽く解しながら、篩を通した後、空気中にて約１２０℃にて乾燥させた。得られた生成物は、平均粒径が約３μｍの白色粉末状であり、約２５４ｎｍの紫外線を照射すると、青色発光を示した。また、Ｘ線回折パターンはＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆蛍光体とほぼ一致した。
【００３８】
このようにして得られたＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆：Ｅｕ²⁺蛍光体を用いて７型投写型陰極線管を作製した。蛍光面作製には、水ガラス（Ｋ₂Ｏ・ｎＳｉＯ₂，ｎ；３．４）をバインダとし、電解質として酢酸バリウム（Ｂａ（ＣＨ₃ＣＯＯ）₂）を用いた。この時、膜重量が約４ｍｇ／ｃｍ²になるようにＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆：Ｅｕ²⁺蛍光体の投入量を調節した。
【００３９】
このようにして作製された青色発光蛍光面に加速電圧約３０ｋＶ，照射面積約１１０ｍｍ×９０ｍｍ，照射電流約０．５ｍＡでジャストフォーカスさせた状態で蛍光面に電子線を照射して光検出器（シリコンのフォトダイオードにＲａｄｉｏｍｅｔｒｉｃフィルタを装着したもの）を用いて発光強度を測定した。
【００４０】
分光放射輝度計による測定も行なったが、比較対象のＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ蛍光体膜は、励起強度（照射電流）や試料温度によって発光色調が変わるので、光子のエネルギー比率として比較し易い上記フィルタを光検出器に組み合わせて行なった。
【００４１】
従来から市販されている代表的な青色発光用のＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ蛍光体のみを用いて作製した投写型陰極線管との発光強度と電流の関係を下記表１に示した。
【００４２】
【表１】

【００４３】
この表１から明らかなように低電流では、ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ蛍光体膜の方が高い発光強度を示すが、照射電流が増加するにつれて逆転し、ＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆：Ｅｕ²⁺蛍光体膜の発光強度が励起強度に対して伸びが良いことが判る。また、発光スペクトル測定から算定したＣＩＥ色度座標（ｘ、ｙ）のうち、変化の大きいｙ値と電流との関係を下記表２に示した。
【００４４】
【表２】

【００４５】
この表２の結果から、ＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆：Ｅｕ²⁺蛍光体膜の色度座標ｙは、ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ蛍光膜のｙ値が電流によって変化する挙動に比べて小さいことが判る。このことは、画面の明るさを変えても発光色調が殆んど変動しないことを表しており、他のＹ₂Ｓｉ₂Ｏ₅：Ｔｂ³⁺緑色発光蛍光体膜及びＹ₂Ｏ₃：Ｅｕ³⁺赤色発光蛍光体膜の色調変化が同様に小さいことから、ハイライトの白色色度の変化が改善される。
【００４６】
なお、この実施例１では、ＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆：Ｅｕ²⁺蛍光体膜７ｂは、ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ蛍光体膜７ａ上に単層で形成した場合について説明したが、ＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆：Ｅｕ²⁺蛍光体膜７ｂを複数層に亘って形成することにより、ＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆：Ｅｕ²⁺蛍光体膜７ｂを構成するＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆：Ｅｕ²⁺蛍光体の平均粒径がＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ蛍光体膜７ａを構成するＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ蛍光体の平均粒径よりも小さいことから、高密度に充填されて成膜されるので、より高い発光強度が得られる。
【実施例２】
【００４７】
上記実施例１で作製した平均粒径が約３μｍのＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆：Ｅｕ²⁺（以下、ＣＭＳと略す）蛍光体と、市販されている平均粒径が約１２μｍのＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ（以下、ＺｎＳと略す）蛍光体とを混合して投写型陰極線管用蛍光体膜を作製した。膜重量は約４ｍｇ／ｃｍ²とした。作製方法は、上記実施例１と同様に水ガラスと酢酸バリウムとを用いた沈降塗布法にて形成した。ＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆：Ｅｕ²⁺蛍光体の平均粒径は上述したように平均粒径を約３μｍとし、一方、ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ蛍光体では平均粒径を約１２μｍと違いがあるので、沈降塗布法により蛍光体膜を作製した場合、例えば、混合比１：４の場合、図２に示すような蛍光膜７が容易に得られる。
【００４８】
次に、ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ蛍光体と、ＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆：Ｅｕ²⁺蛍光体とを重量比を変えて作製した投写型陰極線管の相対発光強度を下記表３に示した。なお、この発光強度の測定は、加速電圧約３０ｋＶ，照射面積約１１０ｍｍ×９０ｍｍ，照射電流約０．３５ｍＡ，照射電流約０．５ｍＡでジャストフォーカスさせた状態で蛍光面に電子線を照射して光検出器を用いて行なった。
【００４９】
【表３】

【００５０】
この表３の結果から、蛍光体膜におけるＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆：Ｅｕ²⁺蛍光体の混合比率が約２０％以上となると、発光強度がＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ蛍光体の単一系よりも高くなることが判る。
【００５１】
なお、実施例２では、青色発光蛍光体膜７は、ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ蛍光体とＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆：Ｅｕ²⁺蛍光体とを混合した混合膜で形成した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ蛍光体を混入せずにＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆：Ｅｕ²⁺蛍光体のみを用い、酢酸バリウムと水ガラスとの混合体による沈降塗布法により単色蛍光体膜で形成しても上述とほぼ同等の作用効果が得られる。
【実施例３】
【００５２】
上記実施例１に示したＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆：Ｅｕ²⁺蛍光体をニッケル鍍金した無酸素銅製の基板上に沈降塗布して電子線照射による発光特性測定用テストピースを作製した。塗布は、投写型陰極線管作製時と同様に行い、膜重量も約４ｍｇ／ｃｍ²であった。
【００５３】
専用の評価装置を用いて電子線照射による各試料の発光特性を評価した。加速電圧約３０ｋＶ，電子線照射面積約４０ｍｍ×３０ｍｍ，照射電流約０．０１２ｍＡで蛍光膜に電子線を照射し、光検出器を用いて発光強度を測定した。発光強度の照射電流依存性を図３に、発光スペクトルを図４にそれぞれ示した。
【００５４】
図３の結果から明らかなように上記表１でも示したようにＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆：Ｅｕ²⁺蛍光体ＣＭＳの方がＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ蛍光体ＺＮＳよりも発光出力が照射電流の増加に伴い高くなる、所謂輝度飽和が少ないことが判る。
【００５５】
また、図４では、ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ蛍光体ＺＮＳに比べてＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆：Ｅｕ²⁺蛍光体ＣＭＳの発光スペクトルの半値幅が狭いことが判る。このことは、発光の色純度が高いことを示しており、投写用レンズを用いる場合、レンズの収差の影響が軽減されて高品位の映像が得られる。
【００５６】
これらのことから、高電流密度で照射される投写型陰極線管用青色蛍光面として現行のＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ蛍光体膜よりも、特に高電流照射領域において、ＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆：Ｅｕ²⁺蛍光体膜が高輝度が得られることが明らかとなった。
【００５７】
なお、前述した実施例においては、画像表示装置として投写型陰極線管を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、フィールドエミッション型ディスプレイに適用しても、照射電流密度が高いので、要求される蛍光面の輝度向上に効果的である。
【００５８】
図５は、本発明による画像表示装置として前述した図１に示す投写型陰極線管を用いた映像表示装置の一例を説明する正面図であり、図６は図５に示す映像表示装置の内部配置例の説明図である。図５及び図６は、所謂投写型テレビ受像機であり、その内部には図７に示すような赤色用の投写型陰極線管ｒＰＲＴ，緑色用の投写型陰極線管ｇＰＲＴ及び青色用の投写型陰極線管ｂＰＲＴと、投写レンズＬＮＳと、反射ミラーＭＩＲとが収納されている。なお、参照符号ＣＰＬは投写型陰極線管ＰＲＴに投写レンズＬＭＳを取り付けるためのカップリングである。
【００５９】
３本の投写型陰極線管ＰＲＴのパネルガラスＰＮＬに有する蛍光体膜に作像された各原色の色映像は、投写レンズＬＮＳと反射ミラーＭＩＲとでスクリーンＳＣＲに投影される。投影された各原色の色映像は、前記の投影時にスクリーンＳＣＲで合成されてカラー映像が再生される。なお、図５及び図６に示した映像表示装置は、あくまで一例であり、投写型陰極線管ＰＲＴの部分をスクリーンＳＣＲとは別装置として分離したものである。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明による画像表示装置の実施例１による投写型陰極線管の構成を示す要部断面図である。
【図２】図１の投写型陰極線管のＡ部を示す拡大断面図である。
【図３】単一蛍光膜における輝度−電流特性を示す図である。
【図４】単一蛍光膜における発光スペクトルを示す図である。
【図５】本発明による画像表示装置として投写型陰極線管を用いた映像表示装置の一例を説明する正面図である。
【図６】図５の映像表示装置の内部配置例を示す説明図である。
【図７】カラープロジェクタの光学系の配置例を説明する模式図である。
【符号の説明】
【００６１】
１・・・パネル部、２・・・フェースプレート、３・・・ネック部、４・・・ファンネル部、５・・・蛍光面、６・・・金属反射膜、７・・・蛍光膜、７ａ・・・ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ蛍光体膜、７ｂ・・・ＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆：Ｅｕ²⁺蛍光体膜、８・・・アルミニウム膜、９・・・偏向ヨーク、１０・・・電子銃、１１・・・電子線、１２・・・投写型陰極線管。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
可視光透過性のフェースプレートを有する真空外囲器と、
前記フェースプレートの内面に青色発光蛍光体膜を有する蛍光面と、
前記真空外囲器内に収容され、且つ前記蛍光面に電子線を投射する電子線源と、
を備え、
前記青色発光蛍光体膜は、前記フェースプレートの内面側からＺｎＳ：Ａｇ系蛍光体とＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆：Ｅｕ²⁺蛍光体とが順次積層して形成され、且つ前記ＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆：Ｅｕ²⁺蛍光体の平均粒径が前記ＺｎＳ：Ａｇ系蛍光体の平均粒径よりも小さいことを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
可視光透過性のフェースプレートを有する真空外囲器と、
前記フェースプレートの内面に青色発光蛍光体膜を有する蛍光面と、
前記真空外囲器内に収容され、且つ前記蛍光面に電子線を投射する電子線源と、
を備え、
前記青色発光蛍光体膜は、ＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆：Ｅｕ²⁺蛍光体からなることを特徴とする画像表示装置。
【請求項３】
可視光透過性のフェースプレートを有する真空外囲器と、
前記フェースプレートの内面に青色発光蛍光体膜を有する蛍光面と、
前記真空外囲器内に収容され、且つ前記蛍光膜に電子線を投射する電子線源と、
を備え、
前記青色発光蛍光体膜は、ＺｎＳ：Ａｇ系蛍光体とＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆：Ｅｕ²⁺蛍光体との混合膜からなることを特徴とする画像表示装置。
【請求項４】
前記ＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆：Ｅｕ²⁺蛍光体は、前記電子線源側に２０ｗｔ％以上含有することを特徴とする請求項３に記載の画像表示装置。
【請求項５】
前記ＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆：Ｅｕ²⁺蛍光体は、発光センタであるＥｕ²⁺の濃度をＣａ置換サイトに対する比として、１％以上３％以下の範囲とすることを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れかに記載の画像表示装置。
【請求項６】
前記ＺｎＳ：Ａｇ系蛍光体をＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ蛍光体とすることを特徴とする請求項１乃至請求項５の何れかに記載の画像表示装置。
【請求項７】
前記画像表示装置は、投写型陰極線管であることを特徴とする請求項１乃至請求項６の何れかに記載の画像表示装置。
【請求項８】
前記画像表示装置は、電界放出型画像表示装置であることを特徴とする請求項１乃至請求項６の何れかに記載の画像表示装置。
【請求項９】
可視光透過性のフェースプレートを有する真空外囲器と、
前記フェースプレートの内面に青色発光蛍光体膜を有する蛍光面と、
前記真空外囲器内に収容され、且つ前記蛍光面に電子線を投射する電子線源と、
を備え、
前記青色発光蛍光体膜の形成工程は、前記フェースプレートの内面にＺｎＳ：Ａｇ系蛍光体膜を形成する工程と、その後に前記ＺｎＳ：Ａｇ系蛍光体よりも平均粒径の小さいＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆：Ｅｕ²⁺蛍光体膜を形成する工程とを有することを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記ＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆：Ｅｕ²⁺蛍光体膜の形成工程は、複数回行うことを特徴とする請求項９に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記ＺｎＳ：Ａｇ系蛍光体膜形成工程では、ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ蛍光体を用いることを特徴とする請求項９または請求項１０に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記画像表示装置は、投写型陰極線管であることを特徴とする請求項９乃至請求項１１の何れかに記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記画像表示装置は、電界放出型画像表示装置であることを特徴とする請求項９乃至請求項１１の何れかに記載の画像表示装置の製造方法。

【図１】