画像表示装置
【課題】タッチパネル等の入力機能を持たせるために、表示素子とは別にフォトセンサ等を表示パネル上に内蔵する場合、画素の開口率低下を招くこととなり、自発光素子ディスプレイの消費電力増加、寿命低下の原因となる。
【解決手段】自発光素子に定電流源を直接接続するスイッチを設け、自発光素子の特性の検出、座標生成を可能とし、その情報をシステム通信信号に変換することにより、温度変動を伴う入力をシステム側に転送する。
【解決手段】自発光素子に定電流源を直接接続するスイッチを設け、自発光素子の特性の検出、座標生成を可能とし、その情報をシステム通信信号に変換することにより、温度変動を伴う入力をシステム側に転送する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、EL(エレクトロルミネッセンス)素子や有機EL素子その他の自発光タイプの表示素子である自発光素子を搭載した表示装置およびその駆動方法に関する。
【背景技術】
【0002】
EL(エレクトロルミネッセンス)素子や有機EL素子等に代表される自発光素子において、その発光輝度は自発光素子を流れる電流量に比例するという性質があり、自発光素子を流れる電流量を制御することで階調表示が可能になる。以上のような自発光素子を複数配置して表示装置を作成することができる。
【0003】
一方で、表示装置に入力機能を持たせる技術としてタッチパネルがあるが、表示装置表面に貼り合わせる形態をとるため、輝度等の表示品質の低下やコスト増加の要因となっている。
【0004】
この問題を解決する一手段として、表示装置内部に光センサを内蔵することにより、タッチパネル等のデバイスを貼り合わせることなく、入力機能を持たせる技術が特許文献1に開示されている。
【0005】
【特許文献1】特開2004−45875号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、上記特許文献の技術は、液晶ディスプレイの表示エリアのガラス基板上に表示素子とは別にフォトダイオードを形成する必要があり、透過率の低下につながることとなる。上記自発光表示素子に適用する場合においても、開口率の低下を招くため、消費電力の上昇、寿命低下につながる恐れがある。
【0007】
本発明はこれらの問題点に鑑みてなされたものであり、表示用の自発光素子の温度特性を測定することにより、特性変動の生じた素子の座標を検出することを可能とし、表示エリア内に新たなセンシングの素子を追加することなく、タッチパネルといった入力機能一体型の表示装置およびその駆動方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明は、表示用と検出用の独立した電源と、電源と各素子を独立して接続するためのスイッチと、そのスイッチを制御する回路と、各素子の状態を読み出す機能と、表示素子から検出された電圧を比較する検出機能と、各々の検出結果の位置を生成する座標生成機能を持つというものである。
【0009】
本発明によれば、複数の表示画素により構成された表示部と、該画素領域に表示信号電圧を入力するための信号線と、該表示信号電圧を制御する表示制御回路と、該画素領域内の画素状態を出力するための出力線を有する画像表示装置において、該画素領域に検出用電源と切り替えスイッチと検出回路、座標変換回路を備え、該検出用電源が該出力線、該切り替えスイッチを介して該表示画素に接続され、該出力線が該検出回路に接続され、該検出回路が該検出情報格納回路に接続され、該検出情報格納回路が該表示制御回路に接続することにより、該画素ごとの温度上昇と座標を検出し、システム側にその情報を転送することにより、該画像表示装置を入力装置として使用することが可能となる。
【発明の効果】
【0010】
本発明によれば、自発光素子の温度特性を検出することにより、表示エリア内に新たなセンシングの素子を追加することなく、また、開口率の低下や消費電力の上昇、寿命低下を抑制しつつ、タッチパネル等の入力機能を持つ自発光表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0011】
以下、本発明の第一の実施形態および第二の実施形態を説明する。
【実施例1】
【0012】
以下、本発明の第一の実施形態を図面を用いて詳細に説明する。
【0013】
図1は本発明の一実施形態である自発光素子表示装置の例である。図1において、1は水平同期信号、2は垂直同期信号、3はデータイネーブル、4は表示データ、5は同期クロックである。垂直同期信号1は表示一画面周期(1フレーム周期)の信号、水平同期信号2は一水平周期の信号、データイネーブル信号3は表示データ4が有効である期間(表示有効期間)を示す信号で、全ての信号が同期クロック5に同期して入力される。本実施形態では、これら表示データが、一画面分が左上端の画素から順次ラスタスキャン形式で転送され、1画素分の情報は6ビットのデジタルデータからなるものとして以下説明する。6は表示および検出制御回路、7はデータ線制御信号、8は走査線制御信号、9は検出走査線制御信号、10は検出線制御信号であり、表示および検出制御回路6は、垂直同期信号1、水平同期信号2、データイネーブル信号3、表示データ4、同期クロック5から、表示制御のためのデータ線制御信号7と走査線制御信号8、および後述する表示素子の特性検出のための検出走査線制御信号9と検出線制御信号10を生成する。11はデータ線駆動回路、12はデータ線駆動信号であり、データ線駆動回路11は、データ線制御信号7に従って自発光素子で構成される画素(後述)に書き込む信号電圧、ならびに三角波信号(後述)を生成しデータ線駆動信号12として出力する。13は発光用電圧生成回路、14は発光用電圧であり、発光用電圧生成回路13は、自発光素子(後述)を発光させるための電流を供給する電源電圧を生成、発光用電圧14として出力する。15は走査線駆動回路、16は走査線選択信号であり、17は自発光素子ディスプレイであり、自発光素子ディスプレイ17とは、表示素子として発光ダイオードや有機EL等を用いたディスプレイをいう。自発光素子ディスプレイ17は、マトリクス状に配置された複数の自発光素子(画素部)を有する。自発光素子ディスプレイ17への表示動作は、走査線駆動回路15から出力される走査線駆動信号16によって選択、書込み制御された画素に、データ線駆動回路11から出力されるデータ線駆動信号12に従った信号電圧に従った画素へのデータ書込み、および三角波信号によって動作する。自発光素子を駆動する電圧は発光用電圧14として供給する。なお、データ線駆動回路11、走査線駆動回路15は、各々LSIで実現してもよいし、一つのLSIで実現してもよいし、画素部と同一のガラス基板上に形成してもよい。本実施形態では、自発光素子ディスプレイ17は240×320ドットの解像度を持ち、1ドットが左からR(Red)G(Green)B(Blue)の3画素で構成されるもの、つまりディスプレイの水平方向は720画素で構成されるものとして以下説明する。自発光素子ディスプレイ17は、自発光素子に流れる電流量と、自発光素子の点燈時間によって、自発光素子が発光する輝度を調整することが可能である。自発光素子に流れる電流量が大きいほど自発光素子の輝度が高くなる。自発光素子の点燈時間が長くなるほど自発光素子の輝度が高くなる。18は素子特性検出走査回路、19は検出走査線選択信号であり、素子特性検出操作回路18は、自発光素子ディスプレイ17の自発光素子の欠陥の有無を検出する走査線を選択するための検出走査線選択信号19を生成する。20は検出線出力信号、21は特性変動座標検出回路、22は特性変動座標信号であり、検出線出力信号20は、自発光素子ディスプレイ17の検出走査線選択信号19によって選択された一水平ライン上の自発光素子の欠陥の有無を検出した結果で、特性変動座標検出回路21により、検出した特性とその座標位置を特性変動座標信号22として出力する。23はI/F変換回路、24はシステム通信信号であり、I/F変換回路23は、特性変動座標信号22を、システム側との通信I/Fに変換し、システム通信信号24として出力する。本実施形態では、システム通信信号24は汎用のI/F(例えばUSB)であるものとして以下説明する。
【0014】
図2は図1記載の表示および検出制御回路6の内部構成の一実施形態である。図2において、25は表示データタイミング調整回路、26はデータ線制御表示データであり、表示データタイミング調整回路25は、表示データ4を後述する駆動タイミングと同期するようにタイミング調整を行い、データ線制御表示データ26として出力する。27は駆動タイミング生成回路、28は水平開始信号、29は水平シフトクロック、30は垂直開始信号、31は垂直シフトクロックであり、駆動タイミング生成信号27は、従来と同様に表示水平位置の先頭を示す水平開始信号28、表示データ4を一画素ずつラッチするタイミングとなる水平シフトクロック29、表示垂直位置の先頭を示す垂直開始信号、走査線選択を順次シフトさせる垂直シフトクロック31を生成する。32は検出タイミング生成回路、33は垂直検出開始信号、34は垂直検出シフトクロック、35は水平検出開始信号、36は水平検出シフトクロックであり、検出タイミング生成信号32は、検出動作の垂直方向の先頭を示す垂直検出開始信号33、検出走査線を順次シフトさせる垂直検出シフトクロック34、検出の水平位置の先頭を示す水平検出開始信号35、検出の水平位置を順次シフトさせる水平検出シフトクロック36を生成する。
【0015】
図3は図1記載の自発光素子ディスプレイ17の内部構成の一実施形態である。自発光素子として、有機EL素子を用いた場合の例を示す。図3において、37は第一データ線出力、38は第二データ線出力、39はR選択信号、40はG選択信号、41はB選択信号、42は第一R選択スイッチ、43は第一G選択スイッチ、44は第一B選択スイッチ、45は第二R選択スイッチであり、第一データ線出力37は、R選択信号39によって切り替えられる第一R選択スイッチ42、G選択信号40によって切り替えられる第一G選択スイッチ43、B選択信号41によって切り替えられる第一B選択スイッチ44に接続され、以降、第二、第三、…、第二四〇まで、データ線出力は全てRGBの選択スイッチに接続される。本実施形態では、R選択信号39、G選択信号40、B選択信号41は、一水平期間を三分割して“ON”状態となる信号であり、一本のデータ線出力によりRGBの三本のデータ線に信号電圧を出力するものとして以下説明する。46は第一Rデータ線、47は第一Gデータ線、48は第一Bデータ線、49は第二Rデータ線、50は第一走査線、51は第二走査線、52は第一行第一列R画素、53は第一行第一列G画素、54は第一行第一列B画素、55は第一行第二列R画素、56は第二行第一列R画素、57は第二行第一列G画素、58は第二行第一列B画素、59は第二行第二列R画素であり、第一Rデータ線46、第一Gデータ線47、第一Bデータ線48、第二Rデータ線49は、各々の信号電圧を画素へ入力するためのデータ線である。第一走査線50、第二走査線51は、各々第一走査線選択信号、第二走査線選択信号(後述)を画素へ入力するための信号線である。各々の走査線選択信号によって選択される走査線上の画素に、各々のデータ線を介して信号電圧を書込み、信号電圧に従って画素の輝度を制御する。このときの発光用の電源が発光用電圧14となる。ここでは、画素の内部の構成を第一行第一列R画素52にのみ示しているが、第一行第一列G画素53、第一行第一列B画素54、第一行第二列R画素55、第二行第一列R画素56、第二行第一列G画素57、第二行第一列B画素58、第二行第二列R画素59についても同様の構成である。60はデータ書込みスイッチ、61は書込み容量、62は駆動トランジスタ、63は有機ELであり、データ書込みスイッチ60は、第1走査線50によってオン状態となり、第一Rデータ線46からの信号電圧を、書込み容量61に蓄積する。駆動トランジスタ62は、書込み容量61に蓄積された信号電圧に従った駆動電流を、有機EL63に供給する。したがって、有機EL63の発光輝度は、書込み容量61に書き込む信号電圧、および、発光用電圧14によって決まることを示している。また、先に説明したとおり、自発光素子ディスプレイ17の画素数は、解像度が240×320となっているため、走査線は、水平方向の線が、垂直方向に第1ラインから第320ラインまで320本並び、データ線は、R、G、B、各々垂直方向の線が、水平方向に第1ドットから第240ドットまで240本、合計720本並んでいるものとする。64は検出スイッチ、65は第一検出走査線、66は第二検出走査線、67は第一検出線、68は第二検出線、69は第三検出線、70は第四検出線であり、検出スイッチ64は、第一検出走査線65で選択されたとき有機EL63の特性を第一検出線67に出力するためのスイッチであり、第二検出走査線66、第二検出線68、第三検出線69、第四検出線70も同様に、各々の画素の検出スイッチを介して有機EL素子に接続される。ここでも、検出線は720本並んでいるものとして以下説明する。
【0016】
図4は図1記載の特性変動座標検出回路21の内部構成の一実施形態である。図4において、71は検出用電源、72は第一検出線スイッチ、73は第二検出線スイッチ、74は第三検出線スイッチ、75は第四検出線スイッチ、76は検出出力線であり、第一検出線スイッチ72、第二検出線スイッチ73、第三検出線スイッチ74、第四検出線スイッチ75は、後述するシフトレジスタによって水平方向に順次シフトして選択することにより、定電流源である検出用電源71を第一検出線67、第二検出線68、第三検出線69、第四検出線70、…、第七二〇検出線に順次接続したときの有機EL素子の特性を検出出力線76に出力する。検出用電源71とは、電流が一定又は電流変動が所定範囲内の電力を出力する回路である。77はシフトレジスタ、78は第一検出線選択信号、79は第二検出線選択信号、80は第三検出線選択信号、81は第四検出線選択信号であり、水平検出開始信号35、水平検出シフトクロック36に従って、先に説明した検出線スイッチを順次切り替えるための第一検出線選択信号78、第二検出線選択信号79、第三検出線選択信号80、第四検出線選択信号81を出力する。82は特性変動位置座標変換回路であり、水平検出開始信号35、水平検出シフトクロック36、垂直検出開始信号33から画素の位置情報と、検出出力線76から順次出力する有機EL素子の特性変動情報を、特性変動座標信号22として出力する。
【0017】
図5は図4記載の特性変動位置座標変換回路82の内部構成の一実施形態である。83はA/D変換回路、84は特性変動検出結果であり、A/D変換回路83は検出出力線76にアナログ値(電圧)で出力される有機ELの特性変動をデジタルデータに変換し、特性変動検出結果84として出力する。85は垂直カウント回路、86は垂直座標信号、87は水平カウント回路、88は水平座標信号であり、垂直カウント回路85は垂直検出開始信号33を基準として水平検出開始信号35の数をカウントして、特性変動検出結果84の垂直位置を表す垂直座標信号86として出力する。水平カウント回路87は水平検出開始信号35を基準として水平検出シフトクロック36の数をカウントして、特性変動検出結果84の水平位置を表す水平座標信号88として出力する。
【0018】
図6は図1記載の走査線駆動回路15、素子特性検出走査回路18、特性変動座標検出回路21の、表示および検出における動作の一実施例、特に表示に関する動作を示す図である。図6において、89は一水平期間、90は垂直開始信号波形、91は垂直シフトクロック波形、92はR選択信号波形、93はG選択信号波形、94はB選択信号波形、95は第一走査線選択信号波形、96は第二走査線選択信号波形、97は第三走査線選択信号波形であり、従来と同様に、垂直開始信号波形90は垂直シフトクロック波形91に従って順次シフトされ、第一走査線選択信号波形95、第二走査線選択信号波形96、第三走査線選択信号波形97となる。一水平期間89の期間中、各々の走査線選択信号が“ハイ”状態となり、R選択信号波形92、G選択信号波形93、B選択信号波形94は一水平期間89を三分割して“ハイ”状態となる。98は表示信号書込み期間、99は表示帰線期間、100は検出期間、101は表示駆動期間、102は一表示期間、103は第一検出走査線選択信号波形、104は第二検出走査線選択信号波形、105は第三検出走査線選択信号波形であり、表示信号書込み期間98は各走査線選択信号が一画面分全走査線を選択しデータ信号を書き込む期間、表示帰線期間99はデータ信号の書込みが終了し、検出動作を開始するまでの期間で、全画素が発光している期間でもあり、表示信号書込み期間98と表示帰線期間99を合わせた期間が表示駆動期間101である。検出期間100の期間中で検出走査線選択信号は順次“ハイ”状態となり、表示駆動期間101と検出期間100を合わせて期間が一表示期間102となる。一般的に一フレームと呼ばれる期間である。
【0019】
図7は図1記載の走査線駆動回路15、素子特性検出走査回路18、特性変動座標検出回路21の、表示および検出における動作の一実施例、特に検出に関する動作を示す図である。106は垂直座標信号波形、107は垂直検出開始信号波形、108は垂直検出シフトクロック波形であり、検出期間100において垂直検出開始信号波形107は垂直検出シフトクロック波形108に従って順次シフトされ、第一検出走査線選択信号波形103、第二検出走査線選択信号波形104、第三検出走査線選択信号波形105となり、各々の“ハイ”期間で選択される検出走査線位置を示す垂直座標信号波形106となる。109は水平検出開始信号波形、110は水平検出シフトクロック、111は第一検出線選択信号波形、112は第二検出線選択信号波形、113は第三検出線選択信号波形、114は水平座標信号波形、115は一画素特性検出期間、116は一水平ライン特性検出期間であり、一水平ライン特性検出期間116において水平検出開始信号波形109は水平検出シフトクロック波形110に従って順次シフトされ、各々一画素特性検出期間115の期間中“ハイ”となる第一検出線選択信号波形111、第二検出線選択信号波形112、第三検出線選択信号波形113となり、各々選択される検出線の位置を示す水平座標信号波形114となる。
【0020】
図8は図1記載の走査線駆動回路15、素子特性検出走査回路18、特性変動座標検出回路21の、表示および検出における動作が図6と比較して低速で行った場合の一実施例、特に表示に関する動作を示す図である。117は低速検出時第一検出走査線選択信号波形、118は低速検出時第二検出走査線選択信号波形、119は低速検出時第三検出走査線選択信号波形であり、各低速検出時検出走査線選択信号波形は、検出期間100の期間中“ハイ”状態、つまり、一表示期間102で一走査線分の検出を行うことを示している。
【0021】
図9は図1記載の走査線駆動回路15、素子特性検出走査回路18、特性変動座標検出回路21の、表示および検出における動作が図7と比較して低速で行った場合の一実施例、特に検出に関する動作を示す図である。120は低速検出時垂直座標信号波形、121は低速検出時水平座標信号波形、122は低速検出時水平検出開始信号波形、123は低速検出時水平検出シフトクロック波形、124は低速検出時第一検出線選択信号波形、125は低速検出時第二検出線選択信号波形、126は低速検出時第三検出線選択信号波形、127は低速検出時一画素特性検出期間であり、先に説明したとおり、検出期間100の期間中で一走査線分の検出を行うため、選択される走査線の位置を示す低速検出時垂直座標信号波形120は、一つのアドレスを示すこととなる。また、この期間中、低速検出時水平検出開始信号波形122は低速検出時水平検出シフトクロック波形123に従って順次シフトされ、各々低速検出時一画素特性検出期間127の期間中“ハイ”状態となる低速検出時第一検出線選択信号波形124、低速検出時第二検出線選択信号波形125、低速検出時第三検出線選択信号波形126となり、各々選択される検出線の位置を示す低速検出時水平座標信号波形121となる。
【0022】
図10は図3記載の有機EL63の検出特性の一実施例を示す図である。図10において、128は電圧軸、129は電流軸、130は低温時有機EL電流対電圧特性、131は低温定電流印加時電圧、132は中温時有機EL電流対電圧特性、133は中温定電流印加時電圧、134は高温時有機EL電流対電圧特性、135は高温定電流印加時電圧であり、有機EL電流対電圧特性130、132、134が、各々低温時、それより高めの中温時、さらに高めの高温時における有機EL63に印加する電圧と電流の関係を示す曲線である。ここで、特性検出時には定電流源である検出用電源71を接続することから、各々の温度状態における有機EL電流対電圧特性130、132、134の曲線上の、定電流を印加した場合の電圧の値となる各々の温度状態における定電流印加時電圧131、133、135が検出される特性変動電圧となることを示している。
【0023】
図11は本発明の指タッチ動作への適用の一実施形態である。136は表示領域、137は非接触領域、138は指接触動作、139は指接触領域、140は指摩擦動作、141は指摩擦領域であり、指接触領域139は指接触動作138により、非接触領域137と比較して高温となる。さらに、指摩擦領域141は指摩擦動作140により、指接触領域139と比較して高温となる。
【0024】
以下、図1〜11を用いて、本実施形態における入力機能であるタッチパネル動作について説明する。
【0025】
まず、図1を用いて、表示データの流れを説明する。図1で、表示および検出制御回路6は、水平同期信号1、垂直同期信号2、データイネーブル3、同期クロック5に従って、従来と同様の自発光素子ディスプレイ17の表示タイミングとなるデータ線制御信号7、走査線制御信号8を生成するとともに、自発光素子ディスプレイ17の画素の状態を検出するためのタイミングとなる検出走査線制御信号9、検出線制御信号10を生成する。詳細は後で説明する。データ線駆動回路11、走査線駆動回路15、発光用電圧生成回路13の動作は従来と同様である。素子特性検出走査回路18は従来の表示動作の期間と別に設けられた検出期間において、検出する画素を走査するため、検出走査線制御信号9から検出走査線選択信号19を生成する。特性変動座標検出回路21は、検出走査線選択信号19によって選択された走査線上の画素の特性となる検出線出力信号20の状態から温度上昇の状態を判断し、検出線制御信号10からその温度状態に対応した位置を判断することにより、状態とアドレス情報からなる特性変動座標信号22を生成する。詳細は後で説明する。I/F回路23は、特性変動座標信号22を、システム側との通信I/Fに変換し、システム通信信号24として出力する。
【0026】
図2、6〜9を用いて、図1記載の表示および検出制御回路6のタイミング生成の詳細について説明する。
【0027】
図2で、駆動タイミング生成回路27は、水平開始信号28、水平シフトクロック29、垂直開始信号30、垂直シフトクロック31は従来と同様に、図6、8で示すように生成する。検出タイミング生成回路32は、図6に示すように、一表示期間102の期間中において、表示駆動期間101とは別に設けた検出期間100の期間内で検出走査線を走査するためのタイミング信号である垂直検出開始信号33、垂直検出シフトクロック34を生成し、図7に示すように、選択された検出走査線上の画素の状態を水平方向に順次出力するためのタイミング信号である水平検出開始信号35、水平検出シフトクロック36を生成する。ここで、図6、7では、検出期間100の期間内で検出走査線を一画面分走査する、つまり一表示期間102の期間内で一画面分の検出を終了することとしているが、検出に時間を要する場合は半分でも四分の一でも良く、その場合は複数の表示期間内で一画面分の検出を終了すれば良い。図8、9に示すように、検出期間100の期間内で一水平ラインの検出でも良く、その場合は三二〇表示期間で一画面分の検出を終了することとなり、本発明は、検出期間100を表示駆動期間101と別に設けること以外、検出する走査線数等を制限するものではない。
【0028】
図3〜5、10、11を用いて、図1記載の自発光素子ディスプレイ17、特性変動座標検出回路21のタッチパネル動作の詳細について説明する。
【0029】
図3で、第一検出走査線65、第二検出走査線66を介して順次出力される走査線選択信号により、各々の画素の検出スイッチを介して各々の画素の有機ELが、第一検出線67、第二検出線68、第三検出線69、第四検出線70から第三二〇検出線(図示せず)に接続され、各々の特性が検出線出力信号20として出力される。
【0030】
図4で検出線出力信号20は、検出水平開始信号35、検出水平シフトクロック36に従ってシフトレジスタ77で生成される第一検出線選択信号78、第二検出線選択信号79、第三検出線選択信号80、第四検出線選択信号81に従って、第一検出線スイッチ72、第二検出線スイッチ73、第三検出線スイッチ74、第四検出線スイッチ75を介して、水平方向に順次シフトして切り替えられ、検出出力線76に出力される。このとき、図3記載の有機EL63は、図4記載の定電流源である検出用電源71に接続されることとなるため、図10に示す特性を持つ有機EL63は、図11に示す非接触領域137では低温定電流印加時電圧131を、指接触領域139では中温定電流印加時電圧133を、指摩擦領域141では高温定電流印加時電圧135を、タッチパネル情報として検出線出力信号20、検出出力線76を介して出力さすることとなる。システム側では、検出出力線76を介して入力された定電流印加時電圧を、電圧しきい値と比較して、定電流印加時電圧が低温定電流印加時電圧131と中温定電流印加時電圧133と高温定電流印加時電圧135との何れであるかを判定し、その結果に応じて非接触と指接触動作と指摩擦動作の何れであるかを判定する。
【0031】
図5で、検出出力線76を介して出力されるアナログ値の特性電圧は、A/D変換回路83によりデジタル値に変換され、特性変動検出結果84として、垂直検出開始信号33、水平検出開始信号35に従って生成する垂直座標信号86と、水平検出開始信号35、水平検出シフトクロック36に従って生成する水平座標信号88と合わせて、特性変動座標信号22として出力する。
【0032】
以上の動作により、図1において特性変動座標検出回路21が、自発光素子ディスプレイ17内の画素に指を触れた箇所の温度状態と位置の情報を、システム通信信号24として出力することにより、自発光素子ディスプレイ17がタッチパネルとしても動作することが可能となる。なお、本実施形態では、温度変動を伴う入力動作として指接触および指摩擦の適用例を示しているが、温度変動を伴う人間の呼気や、熱を発生するペン、あるいは大画面システムにおいてはポインタといった非接触な入力まで、様々な入力に対して適用可能であり本発明はこれらを限定するものではない。
【実施例2】
【0033】
以下、本発明の第二の実施形態を、図面を用いて詳細に説明する。
【0034】
図12は本発明の一実施形態である自発光素子表示装置の例である。図12において、図1と同様の符号を付した部分は、第一の実施形態と同様のもので、同様の動作をするものである。142は表示/検出切替制御回路、143は表示/検出切替制御信号、144はデータ線駆動および特性変動座標検出回路、145はデータ線駆動および検出線出力信号、146はデータ線および検出線共通自発光素子ディスプレイであり、表示/検出切替制御回路142は、従来と同様のデータ線制御信号7、走査線制御信号8、検出走査線制御信号9を生成するとともに、従来の検出線制御信号にデータ線駆動と検出動作を切り替える信号を加えた表示/検出切替制御信号143を生成する。データ線駆動および特性変動座標検出回路144は、従来のデータ線駆動回路と黒点欠陥位置判別回路の両方を機能を持ち、データ線駆動および検出線出力信号145を共通のデータ線を介してデータ線および検出線共通自発光素子ディスプレイ146と接続される。
【0035】
図13は図12記載のデータ線駆動および特性変動座標検出回路144の内部構成の一実施形態である。図13において、図4と同様の符号を付した部分は、第一の実施形態と同様のもので、同様の動作をするものである。147は一水平ラッチおよびアナログ変換回路、148は第一データ線駆動信号出力、149は第二データ線駆動信号出力、150は第三データ線駆動信号出力、151は第四データ線駆動信号出力であり、一水平ラッチおよびアナログ変換回路147は、従来や第一の実施形態と同様に、入力されるデータ線制御表示データ26を水平開始信号28を先頭として水平シフトクロック29に従って取り込み、一水平分のデータを第一データ線駆動信号出力148、第二データ線駆動信号出力149、第三データ線駆動信号出力150、第四データ線駆動信号出力151として出力し、ここでは、第一の実施形態と同様、第二四〇データ線駆動信号出力まで出力するものとして以下説明する。152は検出切替信号、153は第一データ線検出切替スイッチ、154は第二データ線検出切替スイッチ、155は第三データ線検出切替スイッチ、156は第四データ線検出切替スイッチ、157は第一データ線および検出線、158は第二データ線および検出線、159は第三データ線および検出線、160は第四データ線および検出線であり、ここでは、第一の実施形態とは異なり、検出線の本数はデータ線と共通とするため240本とする。第一データ線検出切替スイッチ153、第二データ線検出切替スイッチ154、第三データ線検出切替スイッチ155、第四データ線検出切替スイッチ156、…、第二四〇データ線検出切替スイッチは、検出切替信号152に従って、表示駆動時は第一データ線駆動信号出力148、第二データ線駆動信号出力149、第三データ線駆動信号出力150、第四データ線駆動信号出力151、…、第二四〇データ線駆動信号出力を、第一データ線および検出線157、第二データ線および検出線158、第三データ線および検出線159、第四データ線および検出線160、…、第二四〇データ線および検出線に出力することにより第一の実施形態の表示動作と同様の動作を行い、検出時には第一検出線67、第二検出線68、第三検出線69、第四検出線70、…、第二四〇検出線を、第一データ線および検出線157、第二データ線および検出線158、第三データ線および検出線159、第四データ線および検出線160、…、第二四〇データ線および検出線に接続することにより第一の実施形態の検出動作を一水平期間内でR、G、Bで分割して行う。161はRGB切替制御回路、162はR表示検出選択信号、163はG表示検出選択信号、164はB表示検出選択信号であり、RGB切替制御回路161は、第一の実施形態と同様に一水平期間をR、G、Bに三分割してデータ線信号書込みを行う他に、検出も同様に三分割するための切替信号となるR表示および検出選択信号162、G表示および検出選択信号163、B表示および検出選択信号164を生成する。
【0036】
図14は図12記載のデータ線および検出線共通自発光素子ディスプレイ146の内部構成の一実施形態である。図14において図3と同様の符号を付した部分は、第一の実施形態と同様のもので、同様の動作をするものである。162は第一R表示検出共通線、163は第一G表示検出共通線、164は第一B表示検出共通線、165は第二R表示検出共通線であり、ここでは、R表示検出共通線、G表示検出共通線、B表示検出共通線は各々240本、合計720本並んでいるものとして以下説明する。第一R表示検出共通線162、第一G表示検出共通線163、第一B表示検出共通線164、第二R表示検出共通線165、…、第二四〇R表示検出共通線、第二四〇G表示検出共通線、第二四〇B表示検出共通線は、各々表示駆動時は各画素のデータ書込みスイッチ60をオン状態とすることにより書込み容量61に接続され第一の実施形態と同様の信号電圧書込み動作を行い、検出時には各画素の検出スイッチ64をオン状態とすることにより有機EL63に接続され第一の実施形態と同様の特性検出動作を行う。
【0037】
以上、本実施形態では、データ線と検出線を共通として切替えて使用する以外の動作は第一の実施形態と同様である。
【産業上の利用可能性】
【0038】
表示装置単体、携帯電話やDSC、PDAといった情報処理端末の表示装置として利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【0039】
【図1】本発明の第一の実施形態である自発光素子表示装置の例
【図2】図1記載の表示および検出制御回路6の内部構成の一実施形態
【図3】図1記載の自発光素子ディスプレイ17の内部構成の一実施形態
【図4】図1記載の特性変動座標検出回路21の内部構成の一実施形態
【図5】図4記載の特性変動位置座標変換回路82の内部構成の一実施形態
【図6】図1記載の走査線駆動回路15、素子特性検出走査回路18、特性変動座標検出回路21の、表示および検出における動作の一実施例、特に表示に関する動作を示す図
【図7】図1記載の走査線駆動回路15、素子特性検出走査回路18、特性変動座標検出回路21の、表示および検出における動作の一実施例、特に検出に関する動作を示す図
【図8】図1記載の走査線駆動回路15、素子特性検出走査回路18、特性変動座標検出回路21の、表示および検出における動作が図6と比較して低速で行った場合の一実施例、特に表示に関する動作を示す図
【図9】図1記載の走査線駆動回路15、素子特性検出走査回路18、特性変動座標検出回路21の、表示および検出における動作が図7と比較して低速で行った場合の一実施例、特に検出に関する動作を示す図
【図10】図3記載の有機EL63の検出特性の一実施例を示す図
【図11】本発明の指タッチ動作への適用の一実施形態
【図12】本発明の第二の実施形態である自発光素子表示装置の例
【図13】図12記載のデータ線駆動および特性変動座標検出回路144の内部構成の一実施形態
【図14】図12記載のデータ線および検出線共通自発光素子ディスプレイ146の内部構成の一実施形態
【符号の説明】
【0040】
6…表示および検出制御回路、11…データ線駆動回路、13…発光用電圧生成回路、15…走査線駆動回路、17…自発光素子ディスプレイ、18…素子特性検出走査回路、21…特性変動座標検出回路、23…I/F変換回路、25…表示データタイミング調整回路、27…駆動タイミング生成回路、32…検出タイミング生成回路、42…第一R選択スイッチ、43…第一G選択スイッチ、44…第一B選択スイッチ、45…第二R選択スイッチ、60…データ書込みスイッチ、61…書込み容量、62…駆動トランジスタ、63…有機EL、71…検出用電源、72…第一検出線スイッチ、73…第二検出線スイッチ、74…第三検出線スイッチ、75…第四検出線スイッチ、77…シフトレジスタ、82…特性変動位置座標変換回路、83…A/D変換回路、85…垂直カウント回路、87…水平カウント回路、130…低温時有機EL電流対電圧特性、132…中温時有機EL電流対電圧特性、134…高温時有機EL電流対電圧特性、142…表示/検出切り替え制御回路、144…データ線駆動および特性変動座標検出回路、146…データ線および検出線共通自発光素子ディスプレイ、147…一水平ラッチおよびアナログ変換回路、153…第一データ線検出切替スイッチ、154…第二データ線検出切替スイッチ、155…第三データ線検出切替スイッチ、156…第四データ線検出切替スイッチ、161…RGB切替制御回路。
【技術分野】
【0001】
本発明は、EL(エレクトロルミネッセンス)素子や有機EL素子その他の自発光タイプの表示素子である自発光素子を搭載した表示装置およびその駆動方法に関する。
【背景技術】
【0002】
EL(エレクトロルミネッセンス)素子や有機EL素子等に代表される自発光素子において、その発光輝度は自発光素子を流れる電流量に比例するという性質があり、自発光素子を流れる電流量を制御することで階調表示が可能になる。以上のような自発光素子を複数配置して表示装置を作成することができる。
【0003】
一方で、表示装置に入力機能を持たせる技術としてタッチパネルがあるが、表示装置表面に貼り合わせる形態をとるため、輝度等の表示品質の低下やコスト増加の要因となっている。
【0004】
この問題を解決する一手段として、表示装置内部に光センサを内蔵することにより、タッチパネル等のデバイスを貼り合わせることなく、入力機能を持たせる技術が特許文献1に開示されている。
【0005】
【特許文献1】特開2004−45875号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、上記特許文献の技術は、液晶ディスプレイの表示エリアのガラス基板上に表示素子とは別にフォトダイオードを形成する必要があり、透過率の低下につながることとなる。上記自発光表示素子に適用する場合においても、開口率の低下を招くため、消費電力の上昇、寿命低下につながる恐れがある。
【0007】
本発明はこれらの問題点に鑑みてなされたものであり、表示用の自発光素子の温度特性を測定することにより、特性変動の生じた素子の座標を検出することを可能とし、表示エリア内に新たなセンシングの素子を追加することなく、タッチパネルといった入力機能一体型の表示装置およびその駆動方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明は、表示用と検出用の独立した電源と、電源と各素子を独立して接続するためのスイッチと、そのスイッチを制御する回路と、各素子の状態を読み出す機能と、表示素子から検出された電圧を比較する検出機能と、各々の検出結果の位置を生成する座標生成機能を持つというものである。
【0009】
本発明によれば、複数の表示画素により構成された表示部と、該画素領域に表示信号電圧を入力するための信号線と、該表示信号電圧を制御する表示制御回路と、該画素領域内の画素状態を出力するための出力線を有する画像表示装置において、該画素領域に検出用電源と切り替えスイッチと検出回路、座標変換回路を備え、該検出用電源が該出力線、該切り替えスイッチを介して該表示画素に接続され、該出力線が該検出回路に接続され、該検出回路が該検出情報格納回路に接続され、該検出情報格納回路が該表示制御回路に接続することにより、該画素ごとの温度上昇と座標を検出し、システム側にその情報を転送することにより、該画像表示装置を入力装置として使用することが可能となる。
【発明の効果】
【0010】
本発明によれば、自発光素子の温度特性を検出することにより、表示エリア内に新たなセンシングの素子を追加することなく、また、開口率の低下や消費電力の上昇、寿命低下を抑制しつつ、タッチパネル等の入力機能を持つ自発光表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0011】
以下、本発明の第一の実施形態および第二の実施形態を説明する。
【実施例1】
【0012】
以下、本発明の第一の実施形態を図面を用いて詳細に説明する。
【0013】
図1は本発明の一実施形態である自発光素子表示装置の例である。図1において、1は水平同期信号、2は垂直同期信号、3はデータイネーブル、4は表示データ、5は同期クロックである。垂直同期信号1は表示一画面周期(1フレーム周期)の信号、水平同期信号2は一水平周期の信号、データイネーブル信号3は表示データ4が有効である期間(表示有効期間)を示す信号で、全ての信号が同期クロック5に同期して入力される。本実施形態では、これら表示データが、一画面分が左上端の画素から順次ラスタスキャン形式で転送され、1画素分の情報は6ビットのデジタルデータからなるものとして以下説明する。6は表示および検出制御回路、7はデータ線制御信号、8は走査線制御信号、9は検出走査線制御信号、10は検出線制御信号であり、表示および検出制御回路6は、垂直同期信号1、水平同期信号2、データイネーブル信号3、表示データ4、同期クロック5から、表示制御のためのデータ線制御信号7と走査線制御信号8、および後述する表示素子の特性検出のための検出走査線制御信号9と検出線制御信号10を生成する。11はデータ線駆動回路、12はデータ線駆動信号であり、データ線駆動回路11は、データ線制御信号7に従って自発光素子で構成される画素(後述)に書き込む信号電圧、ならびに三角波信号(後述)を生成しデータ線駆動信号12として出力する。13は発光用電圧生成回路、14は発光用電圧であり、発光用電圧生成回路13は、自発光素子(後述)を発光させるための電流を供給する電源電圧を生成、発光用電圧14として出力する。15は走査線駆動回路、16は走査線選択信号であり、17は自発光素子ディスプレイであり、自発光素子ディスプレイ17とは、表示素子として発光ダイオードや有機EL等を用いたディスプレイをいう。自発光素子ディスプレイ17は、マトリクス状に配置された複数の自発光素子(画素部)を有する。自発光素子ディスプレイ17への表示動作は、走査線駆動回路15から出力される走査線駆動信号16によって選択、書込み制御された画素に、データ線駆動回路11から出力されるデータ線駆動信号12に従った信号電圧に従った画素へのデータ書込み、および三角波信号によって動作する。自発光素子を駆動する電圧は発光用電圧14として供給する。なお、データ線駆動回路11、走査線駆動回路15は、各々LSIで実現してもよいし、一つのLSIで実現してもよいし、画素部と同一のガラス基板上に形成してもよい。本実施形態では、自発光素子ディスプレイ17は240×320ドットの解像度を持ち、1ドットが左からR(Red)G(Green)B(Blue)の3画素で構成されるもの、つまりディスプレイの水平方向は720画素で構成されるものとして以下説明する。自発光素子ディスプレイ17は、自発光素子に流れる電流量と、自発光素子の点燈時間によって、自発光素子が発光する輝度を調整することが可能である。自発光素子に流れる電流量が大きいほど自発光素子の輝度が高くなる。自発光素子の点燈時間が長くなるほど自発光素子の輝度が高くなる。18は素子特性検出走査回路、19は検出走査線選択信号であり、素子特性検出操作回路18は、自発光素子ディスプレイ17の自発光素子の欠陥の有無を検出する走査線を選択するための検出走査線選択信号19を生成する。20は検出線出力信号、21は特性変動座標検出回路、22は特性変動座標信号であり、検出線出力信号20は、自発光素子ディスプレイ17の検出走査線選択信号19によって選択された一水平ライン上の自発光素子の欠陥の有無を検出した結果で、特性変動座標検出回路21により、検出した特性とその座標位置を特性変動座標信号22として出力する。23はI/F変換回路、24はシステム通信信号であり、I/F変換回路23は、特性変動座標信号22を、システム側との通信I/Fに変換し、システム通信信号24として出力する。本実施形態では、システム通信信号24は汎用のI/F(例えばUSB)であるものとして以下説明する。
【0014】
図2は図1記載の表示および検出制御回路6の内部構成の一実施形態である。図2において、25は表示データタイミング調整回路、26はデータ線制御表示データであり、表示データタイミング調整回路25は、表示データ4を後述する駆動タイミングと同期するようにタイミング調整を行い、データ線制御表示データ26として出力する。27は駆動タイミング生成回路、28は水平開始信号、29は水平シフトクロック、30は垂直開始信号、31は垂直シフトクロックであり、駆動タイミング生成信号27は、従来と同様に表示水平位置の先頭を示す水平開始信号28、表示データ4を一画素ずつラッチするタイミングとなる水平シフトクロック29、表示垂直位置の先頭を示す垂直開始信号、走査線選択を順次シフトさせる垂直シフトクロック31を生成する。32は検出タイミング生成回路、33は垂直検出開始信号、34は垂直検出シフトクロック、35は水平検出開始信号、36は水平検出シフトクロックであり、検出タイミング生成信号32は、検出動作の垂直方向の先頭を示す垂直検出開始信号33、検出走査線を順次シフトさせる垂直検出シフトクロック34、検出の水平位置の先頭を示す水平検出開始信号35、検出の水平位置を順次シフトさせる水平検出シフトクロック36を生成する。
【0015】
図3は図1記載の自発光素子ディスプレイ17の内部構成の一実施形態である。自発光素子として、有機EL素子を用いた場合の例を示す。図3において、37は第一データ線出力、38は第二データ線出力、39はR選択信号、40はG選択信号、41はB選択信号、42は第一R選択スイッチ、43は第一G選択スイッチ、44は第一B選択スイッチ、45は第二R選択スイッチであり、第一データ線出力37は、R選択信号39によって切り替えられる第一R選択スイッチ42、G選択信号40によって切り替えられる第一G選択スイッチ43、B選択信号41によって切り替えられる第一B選択スイッチ44に接続され、以降、第二、第三、…、第二四〇まで、データ線出力は全てRGBの選択スイッチに接続される。本実施形態では、R選択信号39、G選択信号40、B選択信号41は、一水平期間を三分割して“ON”状態となる信号であり、一本のデータ線出力によりRGBの三本のデータ線に信号電圧を出力するものとして以下説明する。46は第一Rデータ線、47は第一Gデータ線、48は第一Bデータ線、49は第二Rデータ線、50は第一走査線、51は第二走査線、52は第一行第一列R画素、53は第一行第一列G画素、54は第一行第一列B画素、55は第一行第二列R画素、56は第二行第一列R画素、57は第二行第一列G画素、58は第二行第一列B画素、59は第二行第二列R画素であり、第一Rデータ線46、第一Gデータ線47、第一Bデータ線48、第二Rデータ線49は、各々の信号電圧を画素へ入力するためのデータ線である。第一走査線50、第二走査線51は、各々第一走査線選択信号、第二走査線選択信号(後述)を画素へ入力するための信号線である。各々の走査線選択信号によって選択される走査線上の画素に、各々のデータ線を介して信号電圧を書込み、信号電圧に従って画素の輝度を制御する。このときの発光用の電源が発光用電圧14となる。ここでは、画素の内部の構成を第一行第一列R画素52にのみ示しているが、第一行第一列G画素53、第一行第一列B画素54、第一行第二列R画素55、第二行第一列R画素56、第二行第一列G画素57、第二行第一列B画素58、第二行第二列R画素59についても同様の構成である。60はデータ書込みスイッチ、61は書込み容量、62は駆動トランジスタ、63は有機ELであり、データ書込みスイッチ60は、第1走査線50によってオン状態となり、第一Rデータ線46からの信号電圧を、書込み容量61に蓄積する。駆動トランジスタ62は、書込み容量61に蓄積された信号電圧に従った駆動電流を、有機EL63に供給する。したがって、有機EL63の発光輝度は、書込み容量61に書き込む信号電圧、および、発光用電圧14によって決まることを示している。また、先に説明したとおり、自発光素子ディスプレイ17の画素数は、解像度が240×320となっているため、走査線は、水平方向の線が、垂直方向に第1ラインから第320ラインまで320本並び、データ線は、R、G、B、各々垂直方向の線が、水平方向に第1ドットから第240ドットまで240本、合計720本並んでいるものとする。64は検出スイッチ、65は第一検出走査線、66は第二検出走査線、67は第一検出線、68は第二検出線、69は第三検出線、70は第四検出線であり、検出スイッチ64は、第一検出走査線65で選択されたとき有機EL63の特性を第一検出線67に出力するためのスイッチであり、第二検出走査線66、第二検出線68、第三検出線69、第四検出線70も同様に、各々の画素の検出スイッチを介して有機EL素子に接続される。ここでも、検出線は720本並んでいるものとして以下説明する。
【0016】
図4は図1記載の特性変動座標検出回路21の内部構成の一実施形態である。図4において、71は検出用電源、72は第一検出線スイッチ、73は第二検出線スイッチ、74は第三検出線スイッチ、75は第四検出線スイッチ、76は検出出力線であり、第一検出線スイッチ72、第二検出線スイッチ73、第三検出線スイッチ74、第四検出線スイッチ75は、後述するシフトレジスタによって水平方向に順次シフトして選択することにより、定電流源である検出用電源71を第一検出線67、第二検出線68、第三検出線69、第四検出線70、…、第七二〇検出線に順次接続したときの有機EL素子の特性を検出出力線76に出力する。検出用電源71とは、電流が一定又は電流変動が所定範囲内の電力を出力する回路である。77はシフトレジスタ、78は第一検出線選択信号、79は第二検出線選択信号、80は第三検出線選択信号、81は第四検出線選択信号であり、水平検出開始信号35、水平検出シフトクロック36に従って、先に説明した検出線スイッチを順次切り替えるための第一検出線選択信号78、第二検出線選択信号79、第三検出線選択信号80、第四検出線選択信号81を出力する。82は特性変動位置座標変換回路であり、水平検出開始信号35、水平検出シフトクロック36、垂直検出開始信号33から画素の位置情報と、検出出力線76から順次出力する有機EL素子の特性変動情報を、特性変動座標信号22として出力する。
【0017】
図5は図4記載の特性変動位置座標変換回路82の内部構成の一実施形態である。83はA/D変換回路、84は特性変動検出結果であり、A/D変換回路83は検出出力線76にアナログ値(電圧)で出力される有機ELの特性変動をデジタルデータに変換し、特性変動検出結果84として出力する。85は垂直カウント回路、86は垂直座標信号、87は水平カウント回路、88は水平座標信号であり、垂直カウント回路85は垂直検出開始信号33を基準として水平検出開始信号35の数をカウントして、特性変動検出結果84の垂直位置を表す垂直座標信号86として出力する。水平カウント回路87は水平検出開始信号35を基準として水平検出シフトクロック36の数をカウントして、特性変動検出結果84の水平位置を表す水平座標信号88として出力する。
【0018】
図6は図1記載の走査線駆動回路15、素子特性検出走査回路18、特性変動座標検出回路21の、表示および検出における動作の一実施例、特に表示に関する動作を示す図である。図6において、89は一水平期間、90は垂直開始信号波形、91は垂直シフトクロック波形、92はR選択信号波形、93はG選択信号波形、94はB選択信号波形、95は第一走査線選択信号波形、96は第二走査線選択信号波形、97は第三走査線選択信号波形であり、従来と同様に、垂直開始信号波形90は垂直シフトクロック波形91に従って順次シフトされ、第一走査線選択信号波形95、第二走査線選択信号波形96、第三走査線選択信号波形97となる。一水平期間89の期間中、各々の走査線選択信号が“ハイ”状態となり、R選択信号波形92、G選択信号波形93、B選択信号波形94は一水平期間89を三分割して“ハイ”状態となる。98は表示信号書込み期間、99は表示帰線期間、100は検出期間、101は表示駆動期間、102は一表示期間、103は第一検出走査線選択信号波形、104は第二検出走査線選択信号波形、105は第三検出走査線選択信号波形であり、表示信号書込み期間98は各走査線選択信号が一画面分全走査線を選択しデータ信号を書き込む期間、表示帰線期間99はデータ信号の書込みが終了し、検出動作を開始するまでの期間で、全画素が発光している期間でもあり、表示信号書込み期間98と表示帰線期間99を合わせた期間が表示駆動期間101である。検出期間100の期間中で検出走査線選択信号は順次“ハイ”状態となり、表示駆動期間101と検出期間100を合わせて期間が一表示期間102となる。一般的に一フレームと呼ばれる期間である。
【0019】
図7は図1記載の走査線駆動回路15、素子特性検出走査回路18、特性変動座標検出回路21の、表示および検出における動作の一実施例、特に検出に関する動作を示す図である。106は垂直座標信号波形、107は垂直検出開始信号波形、108は垂直検出シフトクロック波形であり、検出期間100において垂直検出開始信号波形107は垂直検出シフトクロック波形108に従って順次シフトされ、第一検出走査線選択信号波形103、第二検出走査線選択信号波形104、第三検出走査線選択信号波形105となり、各々の“ハイ”期間で選択される検出走査線位置を示す垂直座標信号波形106となる。109は水平検出開始信号波形、110は水平検出シフトクロック、111は第一検出線選択信号波形、112は第二検出線選択信号波形、113は第三検出線選択信号波形、114は水平座標信号波形、115は一画素特性検出期間、116は一水平ライン特性検出期間であり、一水平ライン特性検出期間116において水平検出開始信号波形109は水平検出シフトクロック波形110に従って順次シフトされ、各々一画素特性検出期間115の期間中“ハイ”となる第一検出線選択信号波形111、第二検出線選択信号波形112、第三検出線選択信号波形113となり、各々選択される検出線の位置を示す水平座標信号波形114となる。
【0020】
図8は図1記載の走査線駆動回路15、素子特性検出走査回路18、特性変動座標検出回路21の、表示および検出における動作が図6と比較して低速で行った場合の一実施例、特に表示に関する動作を示す図である。117は低速検出時第一検出走査線選択信号波形、118は低速検出時第二検出走査線選択信号波形、119は低速検出時第三検出走査線選択信号波形であり、各低速検出時検出走査線選択信号波形は、検出期間100の期間中“ハイ”状態、つまり、一表示期間102で一走査線分の検出を行うことを示している。
【0021】
図9は図1記載の走査線駆動回路15、素子特性検出走査回路18、特性変動座標検出回路21の、表示および検出における動作が図7と比較して低速で行った場合の一実施例、特に検出に関する動作を示す図である。120は低速検出時垂直座標信号波形、121は低速検出時水平座標信号波形、122は低速検出時水平検出開始信号波形、123は低速検出時水平検出シフトクロック波形、124は低速検出時第一検出線選択信号波形、125は低速検出時第二検出線選択信号波形、126は低速検出時第三検出線選択信号波形、127は低速検出時一画素特性検出期間であり、先に説明したとおり、検出期間100の期間中で一走査線分の検出を行うため、選択される走査線の位置を示す低速検出時垂直座標信号波形120は、一つのアドレスを示すこととなる。また、この期間中、低速検出時水平検出開始信号波形122は低速検出時水平検出シフトクロック波形123に従って順次シフトされ、各々低速検出時一画素特性検出期間127の期間中“ハイ”状態となる低速検出時第一検出線選択信号波形124、低速検出時第二検出線選択信号波形125、低速検出時第三検出線選択信号波形126となり、各々選択される検出線の位置を示す低速検出時水平座標信号波形121となる。
【0022】
図10は図3記載の有機EL63の検出特性の一実施例を示す図である。図10において、128は電圧軸、129は電流軸、130は低温時有機EL電流対電圧特性、131は低温定電流印加時電圧、132は中温時有機EL電流対電圧特性、133は中温定電流印加時電圧、134は高温時有機EL電流対電圧特性、135は高温定電流印加時電圧であり、有機EL電流対電圧特性130、132、134が、各々低温時、それより高めの中温時、さらに高めの高温時における有機EL63に印加する電圧と電流の関係を示す曲線である。ここで、特性検出時には定電流源である検出用電源71を接続することから、各々の温度状態における有機EL電流対電圧特性130、132、134の曲線上の、定電流を印加した場合の電圧の値となる各々の温度状態における定電流印加時電圧131、133、135が検出される特性変動電圧となることを示している。
【0023】
図11は本発明の指タッチ動作への適用の一実施形態である。136は表示領域、137は非接触領域、138は指接触動作、139は指接触領域、140は指摩擦動作、141は指摩擦領域であり、指接触領域139は指接触動作138により、非接触領域137と比較して高温となる。さらに、指摩擦領域141は指摩擦動作140により、指接触領域139と比較して高温となる。
【0024】
以下、図1〜11を用いて、本実施形態における入力機能であるタッチパネル動作について説明する。
【0025】
まず、図1を用いて、表示データの流れを説明する。図1で、表示および検出制御回路6は、水平同期信号1、垂直同期信号2、データイネーブル3、同期クロック5に従って、従来と同様の自発光素子ディスプレイ17の表示タイミングとなるデータ線制御信号7、走査線制御信号8を生成するとともに、自発光素子ディスプレイ17の画素の状態を検出するためのタイミングとなる検出走査線制御信号9、検出線制御信号10を生成する。詳細は後で説明する。データ線駆動回路11、走査線駆動回路15、発光用電圧生成回路13の動作は従来と同様である。素子特性検出走査回路18は従来の表示動作の期間と別に設けられた検出期間において、検出する画素を走査するため、検出走査線制御信号9から検出走査線選択信号19を生成する。特性変動座標検出回路21は、検出走査線選択信号19によって選択された走査線上の画素の特性となる検出線出力信号20の状態から温度上昇の状態を判断し、検出線制御信号10からその温度状態に対応した位置を判断することにより、状態とアドレス情報からなる特性変動座標信号22を生成する。詳細は後で説明する。I/F回路23は、特性変動座標信号22を、システム側との通信I/Fに変換し、システム通信信号24として出力する。
【0026】
図2、6〜9を用いて、図1記載の表示および検出制御回路6のタイミング生成の詳細について説明する。
【0027】
図2で、駆動タイミング生成回路27は、水平開始信号28、水平シフトクロック29、垂直開始信号30、垂直シフトクロック31は従来と同様に、図6、8で示すように生成する。検出タイミング生成回路32は、図6に示すように、一表示期間102の期間中において、表示駆動期間101とは別に設けた検出期間100の期間内で検出走査線を走査するためのタイミング信号である垂直検出開始信号33、垂直検出シフトクロック34を生成し、図7に示すように、選択された検出走査線上の画素の状態を水平方向に順次出力するためのタイミング信号である水平検出開始信号35、水平検出シフトクロック36を生成する。ここで、図6、7では、検出期間100の期間内で検出走査線を一画面分走査する、つまり一表示期間102の期間内で一画面分の検出を終了することとしているが、検出に時間を要する場合は半分でも四分の一でも良く、その場合は複数の表示期間内で一画面分の検出を終了すれば良い。図8、9に示すように、検出期間100の期間内で一水平ラインの検出でも良く、その場合は三二〇表示期間で一画面分の検出を終了することとなり、本発明は、検出期間100を表示駆動期間101と別に設けること以外、検出する走査線数等を制限するものではない。
【0028】
図3〜5、10、11を用いて、図1記載の自発光素子ディスプレイ17、特性変動座標検出回路21のタッチパネル動作の詳細について説明する。
【0029】
図3で、第一検出走査線65、第二検出走査線66を介して順次出力される走査線選択信号により、各々の画素の検出スイッチを介して各々の画素の有機ELが、第一検出線67、第二検出線68、第三検出線69、第四検出線70から第三二〇検出線(図示せず)に接続され、各々の特性が検出線出力信号20として出力される。
【0030】
図4で検出線出力信号20は、検出水平開始信号35、検出水平シフトクロック36に従ってシフトレジスタ77で生成される第一検出線選択信号78、第二検出線選択信号79、第三検出線選択信号80、第四検出線選択信号81に従って、第一検出線スイッチ72、第二検出線スイッチ73、第三検出線スイッチ74、第四検出線スイッチ75を介して、水平方向に順次シフトして切り替えられ、検出出力線76に出力される。このとき、図3記載の有機EL63は、図4記載の定電流源である検出用電源71に接続されることとなるため、図10に示す特性を持つ有機EL63は、図11に示す非接触領域137では低温定電流印加時電圧131を、指接触領域139では中温定電流印加時電圧133を、指摩擦領域141では高温定電流印加時電圧135を、タッチパネル情報として検出線出力信号20、検出出力線76を介して出力さすることとなる。システム側では、検出出力線76を介して入力された定電流印加時電圧を、電圧しきい値と比較して、定電流印加時電圧が低温定電流印加時電圧131と中温定電流印加時電圧133と高温定電流印加時電圧135との何れであるかを判定し、その結果に応じて非接触と指接触動作と指摩擦動作の何れであるかを判定する。
【0031】
図5で、検出出力線76を介して出力されるアナログ値の特性電圧は、A/D変換回路83によりデジタル値に変換され、特性変動検出結果84として、垂直検出開始信号33、水平検出開始信号35に従って生成する垂直座標信号86と、水平検出開始信号35、水平検出シフトクロック36に従って生成する水平座標信号88と合わせて、特性変動座標信号22として出力する。
【0032】
以上の動作により、図1において特性変動座標検出回路21が、自発光素子ディスプレイ17内の画素に指を触れた箇所の温度状態と位置の情報を、システム通信信号24として出力することにより、自発光素子ディスプレイ17がタッチパネルとしても動作することが可能となる。なお、本実施形態では、温度変動を伴う入力動作として指接触および指摩擦の適用例を示しているが、温度変動を伴う人間の呼気や、熱を発生するペン、あるいは大画面システムにおいてはポインタといった非接触な入力まで、様々な入力に対して適用可能であり本発明はこれらを限定するものではない。
【実施例2】
【0033】
以下、本発明の第二の実施形態を、図面を用いて詳細に説明する。
【0034】
図12は本発明の一実施形態である自発光素子表示装置の例である。図12において、図1と同様の符号を付した部分は、第一の実施形態と同様のもので、同様の動作をするものである。142は表示/検出切替制御回路、143は表示/検出切替制御信号、144はデータ線駆動および特性変動座標検出回路、145はデータ線駆動および検出線出力信号、146はデータ線および検出線共通自発光素子ディスプレイであり、表示/検出切替制御回路142は、従来と同様のデータ線制御信号7、走査線制御信号8、検出走査線制御信号9を生成するとともに、従来の検出線制御信号にデータ線駆動と検出動作を切り替える信号を加えた表示/検出切替制御信号143を生成する。データ線駆動および特性変動座標検出回路144は、従来のデータ線駆動回路と黒点欠陥位置判別回路の両方を機能を持ち、データ線駆動および検出線出力信号145を共通のデータ線を介してデータ線および検出線共通自発光素子ディスプレイ146と接続される。
【0035】
図13は図12記載のデータ線駆動および特性変動座標検出回路144の内部構成の一実施形態である。図13において、図4と同様の符号を付した部分は、第一の実施形態と同様のもので、同様の動作をするものである。147は一水平ラッチおよびアナログ変換回路、148は第一データ線駆動信号出力、149は第二データ線駆動信号出力、150は第三データ線駆動信号出力、151は第四データ線駆動信号出力であり、一水平ラッチおよびアナログ変換回路147は、従来や第一の実施形態と同様に、入力されるデータ線制御表示データ26を水平開始信号28を先頭として水平シフトクロック29に従って取り込み、一水平分のデータを第一データ線駆動信号出力148、第二データ線駆動信号出力149、第三データ線駆動信号出力150、第四データ線駆動信号出力151として出力し、ここでは、第一の実施形態と同様、第二四〇データ線駆動信号出力まで出力するものとして以下説明する。152は検出切替信号、153は第一データ線検出切替スイッチ、154は第二データ線検出切替スイッチ、155は第三データ線検出切替スイッチ、156は第四データ線検出切替スイッチ、157は第一データ線および検出線、158は第二データ線および検出線、159は第三データ線および検出線、160は第四データ線および検出線であり、ここでは、第一の実施形態とは異なり、検出線の本数はデータ線と共通とするため240本とする。第一データ線検出切替スイッチ153、第二データ線検出切替スイッチ154、第三データ線検出切替スイッチ155、第四データ線検出切替スイッチ156、…、第二四〇データ線検出切替スイッチは、検出切替信号152に従って、表示駆動時は第一データ線駆動信号出力148、第二データ線駆動信号出力149、第三データ線駆動信号出力150、第四データ線駆動信号出力151、…、第二四〇データ線駆動信号出力を、第一データ線および検出線157、第二データ線および検出線158、第三データ線および検出線159、第四データ線および検出線160、…、第二四〇データ線および検出線に出力することにより第一の実施形態の表示動作と同様の動作を行い、検出時には第一検出線67、第二検出線68、第三検出線69、第四検出線70、…、第二四〇検出線を、第一データ線および検出線157、第二データ線および検出線158、第三データ線および検出線159、第四データ線および検出線160、…、第二四〇データ線および検出線に接続することにより第一の実施形態の検出動作を一水平期間内でR、G、Bで分割して行う。161はRGB切替制御回路、162はR表示検出選択信号、163はG表示検出選択信号、164はB表示検出選択信号であり、RGB切替制御回路161は、第一の実施形態と同様に一水平期間をR、G、Bに三分割してデータ線信号書込みを行う他に、検出も同様に三分割するための切替信号となるR表示および検出選択信号162、G表示および検出選択信号163、B表示および検出選択信号164を生成する。
【0036】
図14は図12記載のデータ線および検出線共通自発光素子ディスプレイ146の内部構成の一実施形態である。図14において図3と同様の符号を付した部分は、第一の実施形態と同様のもので、同様の動作をするものである。162は第一R表示検出共通線、163は第一G表示検出共通線、164は第一B表示検出共通線、165は第二R表示検出共通線であり、ここでは、R表示検出共通線、G表示検出共通線、B表示検出共通線は各々240本、合計720本並んでいるものとして以下説明する。第一R表示検出共通線162、第一G表示検出共通線163、第一B表示検出共通線164、第二R表示検出共通線165、…、第二四〇R表示検出共通線、第二四〇G表示検出共通線、第二四〇B表示検出共通線は、各々表示駆動時は各画素のデータ書込みスイッチ60をオン状態とすることにより書込み容量61に接続され第一の実施形態と同様の信号電圧書込み動作を行い、検出時には各画素の検出スイッチ64をオン状態とすることにより有機EL63に接続され第一の実施形態と同様の特性検出動作を行う。
【0037】
以上、本実施形態では、データ線と検出線を共通として切替えて使用する以外の動作は第一の実施形態と同様である。
【産業上の利用可能性】
【0038】
表示装置単体、携帯電話やDSC、PDAといった情報処理端末の表示装置として利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【0039】
【図1】本発明の第一の実施形態である自発光素子表示装置の例
【図2】図1記載の表示および検出制御回路6の内部構成の一実施形態
【図3】図1記載の自発光素子ディスプレイ17の内部構成の一実施形態
【図4】図1記載の特性変動座標検出回路21の内部構成の一実施形態
【図5】図4記載の特性変動位置座標変換回路82の内部構成の一実施形態
【図6】図1記載の走査線駆動回路15、素子特性検出走査回路18、特性変動座標検出回路21の、表示および検出における動作の一実施例、特に表示に関する動作を示す図
【図7】図1記載の走査線駆動回路15、素子特性検出走査回路18、特性変動座標検出回路21の、表示および検出における動作の一実施例、特に検出に関する動作を示す図
【図8】図1記載の走査線駆動回路15、素子特性検出走査回路18、特性変動座標検出回路21の、表示および検出における動作が図6と比較して低速で行った場合の一実施例、特に表示に関する動作を示す図
【図9】図1記載の走査線駆動回路15、素子特性検出走査回路18、特性変動座標検出回路21の、表示および検出における動作が図7と比較して低速で行った場合の一実施例、特に検出に関する動作を示す図
【図10】図3記載の有機EL63の検出特性の一実施例を示す図
【図11】本発明の指タッチ動作への適用の一実施形態
【図12】本発明の第二の実施形態である自発光素子表示装置の例
【図13】図12記載のデータ線駆動および特性変動座標検出回路144の内部構成の一実施形態
【図14】図12記載のデータ線および検出線共通自発光素子ディスプレイ146の内部構成の一実施形態
【符号の説明】
【0040】
6…表示および検出制御回路、11…データ線駆動回路、13…発光用電圧生成回路、15…走査線駆動回路、17…自発光素子ディスプレイ、18…素子特性検出走査回路、21…特性変動座標検出回路、23…I/F変換回路、25…表示データタイミング調整回路、27…駆動タイミング生成回路、32…検出タイミング生成回路、42…第一R選択スイッチ、43…第一G選択スイッチ、44…第一B選択スイッチ、45…第二R選択スイッチ、60…データ書込みスイッチ、61…書込み容量、62…駆動トランジスタ、63…有機EL、71…検出用電源、72…第一検出線スイッチ、73…第二検出線スイッチ、74…第三検出線スイッチ、75…第四検出線スイッチ、77…シフトレジスタ、82…特性変動位置座標変換回路、83…A/D変換回路、85…垂直カウント回路、87…水平カウント回路、130…低温時有機EL電流対電圧特性、132…中温時有機EL電流対電圧特性、134…高温時有機EL電流対電圧特性、142…表示/検出切り替え制御回路、144…データ線駆動および特性変動座標検出回路、146…データ線および検出線共通自発光素子ディスプレイ、147…一水平ラッチおよびアナログ変換回路、153…第一データ線検出切替スイッチ、154…第二データ線検出切替スイッチ、155…第三データ線検出切替スイッチ、156…第四データ線検出切替スイッチ、161…RGB切替制御回路。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
複数の画素が配列された表示部と、
前記画素に表示信号電圧を入力するための信号線と、
前記表示信号電圧を制御する表示制御回路と、
前記画素内の状態を出力するための出力線を有する画像表示装置において、
検出用電源と、切替スイッチと、検出回路と、検出位置座標生成回路とを備え、
前記検出用電源は、前記出力線、前記切替スイッチを介して前記画素に接続され、
前記出力線は、前記検出回路に接続され、
前記検出回路は、前記検出位置座標生成回路に接続されることを特徴とする画像表示装置。
【請求項2】
前記切替スイッチは、一表示期間中の前記表示信号電圧を出力する期間とは別の期間に前記検出用電源と前記画素に接続することを特徴とする請求項1記載の画像表示装置。
【請求項3】
前記検出用電源は、定電流源であることを特徴とする請求項1記載の画像表示装置。
【請求項4】
前記検出回路は、前記画素の温度変動による特性変動を検出し、
前記検出位置座標生成回路は、前記特性変動の検出結果の位置に対応する座標信号を生成することを特徴とする請求項1記載の画像表示装置。
【請求項5】
前記画素内に前記表示信号電圧を赤、緑、青を時間的に分割して供給するための切替スイッチを設けることを特徴とする請求項1記載の画像表示装置。
【請求項6】
複数の画素が配列された表示部と、
前記画素に表示信号電圧を入力し、前記画素内の状態を出力するための共有線と、
前記表示信号電圧を制御する表示制御回路と共有する画像表示装置において、
共有切替スイッチと、検出用電源と、電源切替スイッチと、検出回路と、検出位置座標生成回路とを備え、
前記検出用電源は、前記共有線、前記共有切替スイッチ、前記電源切替スイッチを介して前記画素に接続され、
前記共有線は、前記検出回路に接続され、
前記検出回路は、前記検出位置座標生成回路に接続されることを特徴とする画像表示装置。
【請求項7】
前記共有切替スイッチは、一表示期間中の前記表示信号電圧を出力する期間とは別の期間に前記検出用電源と前記画素に接続することを特徴とする請求項6記載の画像表示装置。
【請求項8】
前記検出用電源は、定電流源であることを特徴とする請求項6記載の画像表示装置。
【請求項9】
前記検出回路は、前記画素の温度変動による特性変動を検出し、
前記検出位置座標生成回路は、前記特性変動の検出結果の位置に対応する座標信号を生成することを特徴とする請求項6記載の画像表示装置。
【請求項10】
前記画素内に前記表示信号電圧を赤、緑、青を時間的に分割して供給するための切替スイッチを設けることを特徴とする請求項6記載の画像表示装置。
【請求項11】
複数の画素が配列された表示部と、
前記画素に表示信号電圧を入力するための信号線と、
前記表示信号電圧を制御する表示制御回路と、
前記画素内の状態を出力するための出力線を有する画像表示装置において、
検出用電源と、切替スイッチと、検出回路と、検出位置座標生成回路と、システムI/F変換回路とを備え、
前記検出用電源は、前記出力線、前記切替スイッチを介して前記画素に接続され、
前記出力線は、前記検出回路に接続され、
前記検出回路は、前記検出位置座標生成回路に接続され、
前記検出位置座標生成回路は、前記システムI/F変換回路に接続されることを特徴とする画像表示装置。
【請求項12】
前記切替スイッチは、一表示期間中の前記表示信号電圧を出力する期間とは別の期間に前記検出用電源と前記画素に接続することを特徴とする請求項11記載の画像表示装置。
【請求項13】
前記検出用電源は、定電流源であることを特徴とする請求項11記載の画像表示装置。
【請求項14】
前記検出回路は、前記画素の温度変動による特性変動を検出し、
前記検出位置座標生成回路は、前記特性変動の検出結果の位置に対応する座標信号を生成し、
前記システムI/F変換回路は、前記検出結果と前記座標信号を、前記画像表示装置が接続されるシステムとの通信信号に変換することを特徴とする請求項11記載の画像表示装置。
【請求項15】
前記画素内に前記表示信号電圧を赤、緑、青を時間的に分割して供給するための切替スイッチを設けることを特徴とする請求項11記載の画像表示装置。
【請求項16】
複数の画素が配列された表示部と、
前記画素に表示信号電圧を入力し、前記画素内の状態を出力するための共有線と、
前記表示信号電圧を制御する表示制御回路と共有する画像表示装置において、
共有切替スイッチと検出用電源と電源切替スイッチと検出回路、検出位置座標生成回路、システムI/F変換回路を備え、
前記検出用電源は、前記共有線、前記共有切替スイッチ、前記電源切替スイッチを介して前記画素に接続され、
前記共有線は、前記検出回路に接続され、
前記検出回路は、前記検出位置座標生成回路に接続され、
前記検出位置座標生成回路は、前記システムI/F変換回路に接続されることを特徴とする画像表示装置。
【請求項17】
前記切替スイッチは、一表示期間中の前記表示信号電圧を出力する期間とは別の期間に前記検出用電源と前記画素に接続することを特徴とする請求項16記載の画像表示装置。
【請求項18】
前記検出用電源は、定電流源であることを特徴とする請求項16記載の画像表示装置。
【請求項19】
前記検出回路は、前記画素の温度変動による特性変動を検出し、
前記検出位置座標生成回路は、前記特性変動の検出結果の位置に対応する座標信号を生成し、
前記システムI/F変換回路は、前記検出結果と前記座標信号を、前記画像表示装置が接続されるシステムとの通信信号に変換することを特徴とする請求項16記載の画像表示装置。
【請求項20】
前記画素内に前記表示信号電圧を赤、緑、青を時間的に分割して供給するための切替スイッチを設けることを特徴とする請求項16記載の画像表示装置。
【請求項21】
タッチパネル入力機能を備えた画像表示装置において、
複数の画素が配列された表示部と、
前記画素の温度を検出する検出回路とを備え、
前記検出回路の検出結果に応じて、タッチパネル入力の有無が判定されることを特徴とする画像表示装置。
【請求項22】
前記検出結果が第1のしきい値よりも小さい場合に、タッチパネル入力なしと判定され、
前記検出結果が第1のしきい値より大きく第2のしきい値よりも小さい場合に、タッチパネル入力ありと判定され、
前記検出結果が第2のしきい値より大きい場合に、タッチパネル入力個所の移動と判定されることを特徴とする請求項21に記載の画像表示装置。
【請求項23】
タッチパネル入力機能を備えた画像表示装置において、
複数の画素が配列された表示部と、
定電流源と、
前記画素が前記定電流源に接続された場合の前記画素の電圧を検出回路とを備え、
前記検出回路の検出結果に応じて、タッチパネル入力の有無が判定されることを特徴とする画像表示装置。
【請求項24】
前記検出結果が低温に対応する電圧である場合に、タッチパネル入力なしと判定され、
前記検出結果が高温に対応する電圧である場合に、タッチパネル入力ありと判定されることを特徴とする請求項23に記載の画像表示装置。
【請求項25】
前記検出結果がさらに高温に対応する電圧である場合に、タッチパネル入力個所の移動と判定されることを特徴とする請求項24に記載の画像表示装置。
【請求項1】
複数の画素が配列された表示部と、
前記画素に表示信号電圧を入力するための信号線と、
前記表示信号電圧を制御する表示制御回路と、
前記画素内の状態を出力するための出力線を有する画像表示装置において、
検出用電源と、切替スイッチと、検出回路と、検出位置座標生成回路とを備え、
前記検出用電源は、前記出力線、前記切替スイッチを介して前記画素に接続され、
前記出力線は、前記検出回路に接続され、
前記検出回路は、前記検出位置座標生成回路に接続されることを特徴とする画像表示装置。
【請求項2】
前記切替スイッチは、一表示期間中の前記表示信号電圧を出力する期間とは別の期間に前記検出用電源と前記画素に接続することを特徴とする請求項1記載の画像表示装置。
【請求項3】
前記検出用電源は、定電流源であることを特徴とする請求項1記載の画像表示装置。
【請求項4】
前記検出回路は、前記画素の温度変動による特性変動を検出し、
前記検出位置座標生成回路は、前記特性変動の検出結果の位置に対応する座標信号を生成することを特徴とする請求項1記載の画像表示装置。
【請求項5】
前記画素内に前記表示信号電圧を赤、緑、青を時間的に分割して供給するための切替スイッチを設けることを特徴とする請求項1記載の画像表示装置。
【請求項6】
複数の画素が配列された表示部と、
前記画素に表示信号電圧を入力し、前記画素内の状態を出力するための共有線と、
前記表示信号電圧を制御する表示制御回路と共有する画像表示装置において、
共有切替スイッチと、検出用電源と、電源切替スイッチと、検出回路と、検出位置座標生成回路とを備え、
前記検出用電源は、前記共有線、前記共有切替スイッチ、前記電源切替スイッチを介して前記画素に接続され、
前記共有線は、前記検出回路に接続され、
前記検出回路は、前記検出位置座標生成回路に接続されることを特徴とする画像表示装置。
【請求項7】
前記共有切替スイッチは、一表示期間中の前記表示信号電圧を出力する期間とは別の期間に前記検出用電源と前記画素に接続することを特徴とする請求項6記載の画像表示装置。
【請求項8】
前記検出用電源は、定電流源であることを特徴とする請求項6記載の画像表示装置。
【請求項9】
前記検出回路は、前記画素の温度変動による特性変動を検出し、
前記検出位置座標生成回路は、前記特性変動の検出結果の位置に対応する座標信号を生成することを特徴とする請求項6記載の画像表示装置。
【請求項10】
前記画素内に前記表示信号電圧を赤、緑、青を時間的に分割して供給するための切替スイッチを設けることを特徴とする請求項6記載の画像表示装置。
【請求項11】
複数の画素が配列された表示部と、
前記画素に表示信号電圧を入力するための信号線と、
前記表示信号電圧を制御する表示制御回路と、
前記画素内の状態を出力するための出力線を有する画像表示装置において、
検出用電源と、切替スイッチと、検出回路と、検出位置座標生成回路と、システムI/F変換回路とを備え、
前記検出用電源は、前記出力線、前記切替スイッチを介して前記画素に接続され、
前記出力線は、前記検出回路に接続され、
前記検出回路は、前記検出位置座標生成回路に接続され、
前記検出位置座標生成回路は、前記システムI/F変換回路に接続されることを特徴とする画像表示装置。
【請求項12】
前記切替スイッチは、一表示期間中の前記表示信号電圧を出力する期間とは別の期間に前記検出用電源と前記画素に接続することを特徴とする請求項11記載の画像表示装置。
【請求項13】
前記検出用電源は、定電流源であることを特徴とする請求項11記載の画像表示装置。
【請求項14】
前記検出回路は、前記画素の温度変動による特性変動を検出し、
前記検出位置座標生成回路は、前記特性変動の検出結果の位置に対応する座標信号を生成し、
前記システムI/F変換回路は、前記検出結果と前記座標信号を、前記画像表示装置が接続されるシステムとの通信信号に変換することを特徴とする請求項11記載の画像表示装置。
【請求項15】
前記画素内に前記表示信号電圧を赤、緑、青を時間的に分割して供給するための切替スイッチを設けることを特徴とする請求項11記載の画像表示装置。
【請求項16】
複数の画素が配列された表示部と、
前記画素に表示信号電圧を入力し、前記画素内の状態を出力するための共有線と、
前記表示信号電圧を制御する表示制御回路と共有する画像表示装置において、
共有切替スイッチと検出用電源と電源切替スイッチと検出回路、検出位置座標生成回路、システムI/F変換回路を備え、
前記検出用電源は、前記共有線、前記共有切替スイッチ、前記電源切替スイッチを介して前記画素に接続され、
前記共有線は、前記検出回路に接続され、
前記検出回路は、前記検出位置座標生成回路に接続され、
前記検出位置座標生成回路は、前記システムI/F変換回路に接続されることを特徴とする画像表示装置。
【請求項17】
前記切替スイッチは、一表示期間中の前記表示信号電圧を出力する期間とは別の期間に前記検出用電源と前記画素に接続することを特徴とする請求項16記載の画像表示装置。
【請求項18】
前記検出用電源は、定電流源であることを特徴とする請求項16記載の画像表示装置。
【請求項19】
前記検出回路は、前記画素の温度変動による特性変動を検出し、
前記検出位置座標生成回路は、前記特性変動の検出結果の位置に対応する座標信号を生成し、
前記システムI/F変換回路は、前記検出結果と前記座標信号を、前記画像表示装置が接続されるシステムとの通信信号に変換することを特徴とする請求項16記載の画像表示装置。
【請求項20】
前記画素内に前記表示信号電圧を赤、緑、青を時間的に分割して供給するための切替スイッチを設けることを特徴とする請求項16記載の画像表示装置。
【請求項21】
タッチパネル入力機能を備えた画像表示装置において、
複数の画素が配列された表示部と、
前記画素の温度を検出する検出回路とを備え、
前記検出回路の検出結果に応じて、タッチパネル入力の有無が判定されることを特徴とする画像表示装置。
【請求項22】
前記検出結果が第1のしきい値よりも小さい場合に、タッチパネル入力なしと判定され、
前記検出結果が第1のしきい値より大きく第2のしきい値よりも小さい場合に、タッチパネル入力ありと判定され、
前記検出結果が第2のしきい値より大きい場合に、タッチパネル入力個所の移動と判定されることを特徴とする請求項21に記載の画像表示装置。
【請求項23】
タッチパネル入力機能を備えた画像表示装置において、
複数の画素が配列された表示部と、
定電流源と、
前記画素が前記定電流源に接続された場合の前記画素の電圧を検出回路とを備え、
前記検出回路の検出結果に応じて、タッチパネル入力の有無が判定されることを特徴とする画像表示装置。
【請求項24】
前記検出結果が低温に対応する電圧である場合に、タッチパネル入力なしと判定され、
前記検出結果が高温に対応する電圧である場合に、タッチパネル入力ありと判定されることを特徴とする請求項23に記載の画像表示装置。
【請求項25】
前記検出結果がさらに高温に対応する電圧である場合に、タッチパネル入力個所の移動と判定されることを特徴とする請求項24に記載の画像表示装置。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【公開番号】特開2008−225415(P2008−225415A)
【公開日】平成20年9月25日(2008.9.25)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2007−67807(P2007−67807)
【出願日】平成19年3月16日(2007.3.16)
【出願人】(502356528)株式会社 日立ディスプレイズ (2,552)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成20年9月25日(2008.9.25)
【国際特許分類】
【出願日】平成19年3月16日(2007.3.16)
【出願人】(502356528)株式会社 日立ディスプレイズ (2,552)
【Fターム(参考)】
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