発光パネル及びその製造方法、発光装置、並びに、電子機器
【課題】押圧力や歪みによる不良の発生を抑制して製造歩留まりや品質の向上を図ることができるとともに、良好な画質を実現することができる発光パネル及びその製造方法、発光装置、並びに、電子機器を提供する。
【解決手段】画素アレイ１１１に配列された隣接する画素ＰＩＸ間の隔壁２５上の互いに離間した位置に、素子基板１１側（隔壁２５）と対向基板１２側の双方に接着されて素子基板１１と対向基板１２とを接着する複数の接着層３１が設けられている。各接着層３１は、例えば光硬化性あるいは熱硬化性の樹脂材料により形成される。これにより、素子基板１１の一面側と対向基板１２の接着面側との間隙は、表示パネル１１０の素子基板１１と対向基板１２が対向する略全域において、素子基板１１の一面側に形成された画素アレイ１１１の上面に対向基板１２が接触しないように、所定の値で、かつ、略均一に設定される。
【解決手段】画素アレイ１１１に配列された隣接する画素ＰＩＸ間の隔壁２５上の互いに離間した位置に、素子基板１１側（隔壁２５）と対向基板１２側の双方に接着されて素子基板１１と対向基板１２とを接着する複数の接着層３１が設けられている。各接着層３１は、例えば光硬化性あるいは熱硬化性の樹脂材料により形成される。これにより、素子基板１１の一面側と対向基板１２の接着面側との間隙は、表示パネル１１０の素子基板１１と対向基板１２が対向する略全域において、素子基板１１の一面側に形成された画素アレイ１１１の上面に対向基板１２が接触しないように、所定の値で、かつ、略均一に設定される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光パネル及びその製造方法、発光装置、並びに、電子機器に関し、特に、発光素子が形成された素子基板に対向して封止基板を接合した封止構造を有する発光パネル及びその製造方法、該発光パネルを備えた発光装置、並びに、該発光装置を実装した電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話機や携帯音楽プレーヤ等の電子機器の表示デバイスとして、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と略記する）等の発光素子を二次元配列した表示パネル（発光素子型表示パネル）を適用したものが知られている。特に、アクティブマトリクス駆動方式を適用した発光素子型表示パネルにおいては、広く普及している液晶表示装置に比較して、表示応答速度が速く、視野角依存性も小さく、また、高輝度・高コントラスト化、表示画質の高精細化等が可能であるという特長を有している。加えて、発光素子型表示パネルは、液晶表示装置のようにバックライトや導光板を必要としないので、一層の薄型軽量化が可能であるという特長を有している。
【０００３】
ここで、発光素子型表示パネルに適用される発光素子の代表例である有機ＥＬ素子は、概略、対向して配置された陽極（アノード電極）と陰極（カソード電極）との間に、正孔輸送層、有機発光層及び電子輸送層が積層された素子構造を有している。そして、有機ＥＬ素子は、一般に、絶縁性の素子基板の一面側に形成され、外気（水分や酸素等）による素子特性の劣化や物理的衝撃等の外的環境から保護するために、素子基板の一面側に対向するように封止基板を接合した（貼り合わせた）構成や、素子基板の一面側を封止樹脂で封止した構成が採用されている。有機ＥＬ素子の素子構造や封止構造については、例えば特許文献１に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−０８０３０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述したような封止構造のうち、素子基板の一面側に封止基板を接合した封止構造においては、特許文献１にも記載されているように、通常、封止基板の周縁部において封止材を介して素子基板に接合されている。ここで、封止基板の内面と、素子基板に形成される有機ＥＬ素子、及び、当該有機ＥＬ素子を発光駆動させるための能動素子（薄膜トランジスタ等）や配線の上面との間には、ある程度の間隙が設けられている。
【０００６】
しかしながら、素子基板に封止基板を貼り合わせる製造工程において、封止基板を素子基板側に押圧したときや、封止基板が貼り合わせられた表示パネルを搭載した電子機器において、使用時に外部から表示パネルに押圧力が加えられたとき、また、表示パネル自体に熱等に起因する歪みが生じたとき等に、封止基板の内面が素子基板側に接触して、例えば素子基板側に形成された薄膜トランジスタの素子破損やトランジスタ特性の変動、有機層や配線層、層間絶縁膜の剥離、配線間ショート、封止破損等の不良を招いて、製造歩留まりや品質の低下を招くという問題を有していた。
【０００７】
また、表示パネルが、素子基板側に形成された有機ＥＬ素子から放射された光を、封止基板を介して発光面側（視野側）に出射して画像を表示するトップエミッション型の発光構造を有している場合には、上述したような押圧力により、素子基板と封止基板間の距離（基板間ギャップ）が不均一になるため、出射光の光軸がずれて画像ににじみやぼけが生じて、画質の劣化を招くという問題を有していた。
【０００８】
そこで、本発明は、上述した問題点に鑑み、押圧力や歪みによる不良の発生を抑制して製造歩留まりや品質の向上を図ることができるとともに、良好な画質を実現することができる発光パネル及びその製造方法、発光装置、並びに、電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１記載の発明に係る発光パネルは、発光素子を有する少なくとも一つの画素と、前記画素の前記発光素子の形成領域を区画する隔壁と、が一面側に設けられた第１の基板と、一面側が前記第１の基板の前記一面側に対向して設けられ、前記第１の基板の前記一面側を封止する第２の基板と、前記第１の基板の前記隔壁上に互いに離間して設けられて、前記第１の基板の前記一面側と前記第２の基板の前記一面側とに接着される、絶縁性を有する複数の接着層と、を備えていることを特徴とする。
【００１０】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の発光パネルにおいて、前記発光素子は、発光層と、該発光層を介して互いに対向する一対の電極とを有し、該一対の電極のいずれか一方をなす電極層が前記隔壁上に延在して設けられ、前記各接着層は、少なくとも前記隔壁上に延在する前記電極層の一部が除去された開口部に対応する領域に設けられていることを特徴とする。
請求項３記載の発明は、請求項１又は２に記載の発光パネルにおいて、前記画素は、前記発光素子を発光駆動させるためのスイッチング素子と、前記発光素子を発光駆動させるための各種信号が印加される複数の配線と、を具備し、前記スイッチング素子及び前記複数の配線の少なくとも一部は、前記隔壁の下層に設けられ、前記各接着層は、前記隔壁上の、少なくとも前記スイッチング素子の形成領域、及び、前記複数の配線の交差領域に対応する領域以外の予め設定された領域に設けられていることを特徴とする。
請求項４記載の発明は、請求項１乃至３のいずれかに記載の発光パネルにおいて、前記各接着層は、接着性を有して前記第１の基板の前記一面側と前記第２の基板の前記一面側とに接着される樹脂材料を所定の条件により硬化して形成されていることを特徴とする。
請求項５記載の発明は、請求項４記載の発光パネルにおいて、前記樹脂材料は遮光性を有していることを特徴とする。
【００１１】
請求項６記載の発明に係る発光パネルの製造方法は、第１の基板の一面側に、発光素子を有する少なくとも一つの画素と、該画素の前記発光素子の形成領域を区画する隔壁と、を形成する工程と、前記第１の基板の前記一面側を封止するための第２基板を準備する工程と、前記第１の基板の前記隔壁上の互いに離間した複数の領域又は前記隔壁上の複数の領域に対応する前記第２基板の一面側の複数の領域の何れか一方に、接着性を有する樹脂材料による接着材層を形成する工程と、前記第１の基板の前記一面側に前記第２基板の前記一面側を対向させ、押圧力を印加して、前記各接着材層を介して、前記第１の基板と前記第２基板とを貼り合わせる工程と、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせた状態で、前記各接着材層を所定の条件により硬化させて複数の接着層を形成し、該接着層を介して前記第１の基板の前記一面側と前記第２の基板の前記一面側とを接着する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１２】
請求項７記載の発明は、請求項６記載の発光パネルの製造方法において、前記発光素子は、発光層と、該発光層を介して互いに対向する一対の電極と、を備え、前記第１の基板の前記一面側に前記画素を形成する工程は、前記発光素子の前記一対の電極のいずれか一方をなす電極層を前記隔壁上に延在させて形成する工程と、前記隔壁上に延在する前記電極層の一部を除去した開口部を形成する工程と、を含み、前記接着材層を形成する工程は、少なくとも前記開口部に対応する領域に前記接着材層を形成する工程を含むことを特徴とする。
請求項８記載の発明は、請求項６又は７に記載の発光パネルの製造方法において、前記複数の接着材層を形成する工程は、前記樹脂材料として不透明な色素が添加された遮光性を有する第２の樹脂材料を準備し、該第２の樹脂材料により前記接着材層を形成する工程を含むことを特徴とする。
【００１３】
請求項９記載の発明に係る発光装置は、発光素子を有する少なくとも一つの画素と、該画素に接続された選択ライン及びデータラインと、前記画素の前記発光素子の形成領域を区画する隔壁と、が一面側に設けられた第１の基板と、一面側が前記第１の基板の前記一面側に対向して設けられ、前記第１の基板の前記一面側を封止する第２の基板と、前記第１の基板の前記隔壁上に互いに離間して設けられて、前記第１の基板の前記一面側と前記第２の基板の前記一面側とに接着される、絶縁性を有する複数の接着層と、を具備する発光パネルと、前記各選択ラインを介して、前記画素を選択状態に設定するための選択信号を印加する選択駆動回路と、前記各データラインを介して、前記選択状態に設定された前記画素に画像データに応じた階調信号を書き込む信号駆動回路と、を備えていることを特徴とする。
【００１４】
請求項１０記載の発明は、請求項９記載の発光装置において、前記発光素子は、発光層と、該発光層を介して互いに対向する一対の電極とを有し、該一対の電極のいずれか一方をなす電極層が前記隔壁上に延在して設けられ、前記各接着層は、前記隔壁上に延在する前記電極層の一部が除去された開口部内に対応する領域に設けられていることを特徴とする。
請求項１１記載の発明に係る電子機器は、請求項９又は１０に記載の発光装置が実装されてなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係る発光パネル及びその製造方法、発光装置、並びに、電子機器によれば、押圧力や歪みによる不良の発生を抑制して製造歩留まりや品質の向上を図ることができるとともに、良好な画質を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明に係る発光装置を適用した表示装置に適用される表示パネルの第１の実施形態を示す概略平面図である。
【図２】第１の実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの要部構成の一例を示す概略断面図である。
【図３】第１の実施形態に係る表示パネルの製造方法の一例を示す工程断面図である。
【図４】第１の実施形態に係る表示パネルの製造方法の他の例を示す工程断面図である。
【図５】第２の実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの要部構成を示す概略断面図である。
【図６】第２の実施形態に係る表示パネルの製造方法の一例を示す工程断面図である。
【図７】第２の実施形態に係る表示パネルの製造方法の他の例を示す工程断面図である。
【図８】第３の実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの要部構成を示す概略断面図である。
【図９】第３の実施形態に係る表示パネルの製造方法の一例を示す工程断面図である。
【図１０】第３の実施形態に係る表示パネルの製造方法の他の例を示す工程断面図である。
【図１１】第４の実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの要部構成を示す概略断面図である。
【図１２】本発明に係る表示パネル（発光パネル）を適用した表示装置の第１の具体例を示す概略構成図である。
【図１３】第１の適用例に係る画素の一例を示す平面レイアウト図である。
【図１４】第１の適用例に係る画素の要部断面図である。
【図１５】本発明に係る表示パネルを適用した表示装置の第２の具体例を示す概略構成図である。
【図１６】第２の適用例に係る画素の一例を示す平面レイアウト図である。
【図１７】第２の適用例に係る画素の要部断面図である。
【図１８】本発明に係る発光装置を適用したデジタルカメラの構成例を示す斜視図である。
【図１９】本発明に係る発光装置を適用した薄型テレビジョンの構成例を示す斜視図である。
【図２０】本発明に係る発光装置を適用したパーソナルコンピュータの構成例を示す斜視図である。
【図２１】本発明に係る発光装置を適用した携帯電話機の構成例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明に係る発光パネル及びその製造方法、発光装置並びに電子機器について、実施形態を示して詳しく説明する。
＜第１の実施形態＞
まず、本発明に係る発光装置について説明する。ここでは、本発明に係る発光装置を表示装置として適用し、また、発光素子として有機ＥＬ素子を適用した場合について説明する。
【００１８】
（表示装置）
図１は、本発明に係る発光装置を適用した表示装置に適用される表示パネルの第１の実施形態を示す概略平面図である。図２は、本実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの要部構成の一例を示す概略断面図である。図２（ａ）は、図１に示した表示パネルにおけるIIＡ−IIＡ線（本明細書においては図１中に示したローマ数字の「２」に対応する記号として便宜的に「II」を用いる。）に沿った断面を示す図である。また、図２（ｂ）は、本実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの要部構成の他の例を示す概略断面図である。なお、図示の都合上、図２においてのみ対向基板を表示し、図１においては省略した。
【００１９】
本発明の第１の実施形態に係る表示装置に適用される表示パネル（発光パネル）１１０は、例えば図１、図２（ａ）に示すように、平板ガラス等の絶縁性の素子基板（第１の基板）１１と対向基板（第２の基板）１２とが対向して接合（接着）された構成を有している。素子基板１１の一面側（図１の紙面手前側、及び、図２（ａ）の上面側）には、発光素子である有機ＥＬ素子ＯＥＬを有する複数の画素ＰＩＸが二次元配列された画素アレイ１１１が設けられている。各画素ＰＩＸに設けられる有機ＥＬ素子ＯＥＬは、例えば図２（ａ）に示すように、アノード電極となる画素電極２１と、有機ＥＬ層（発光機能層）２２と、カソード電極となる対向電極２３とが順次積層された素子構造を有している。また、隣接して配列された画素ＰＩＸ間には、画素電極２１に接続されて有機ＥＬ素子ＯＥＬを駆動するための薄膜トランジスタ等を有する発光駆動回路ＤＣと、発光駆動回路ＤＣを覆う絶縁膜２４及び隔壁（バンク）２５が形成され、少なくとも各有機ＥＬ素子ＯＥＬを構成する画素電極２１及び有機ＥＬ層２２が、隣接する画素ＰＩＸ間で相互に隔離されている。
【００２０】
対向して配置された素子基板１１と対向基板１２は、図１、図２（ａ）に示すように、画素アレイ１１１の外周領域に設けられたシール部（封止部）４０を介して接合され、画素アレイ１１１が封止空間５０内に封止されて外的環境の影響を受けないように保護されている。シール部４０は、例えば図２（ａ）に示すように、フィラー４１入りの粘着材（シール材）４２からなり、当該シール部４０が画素アレイ１１１の外周領域に連続的に設けられることにより、素子基板１１と平板ガラスからなる対向基板１２が接合されて封止される。シール部４０は、具体的には、所定の粒径を有する非導電性（絶縁性）の樹脂ビーズからなるフィラー４１を、非導電性の光硬化性あるいは熱硬化性の樹脂材料を有する粘着材４２に拡散したものが適用される。
【００２１】
また、シール部４０の他の構造としては、例えば図２（ｂ）に示すように、平板ガラスの縁辺部（上述した画素アレイ１１１の外周領域に対応する領域）を連続的に残すようにザグリ加工したザグリガラスを対向基板１２として用いて、当該ザグリ部１２ｚにおいて粘着材（シール材）４２を介して、素子基板１１と対向基板１２を接合して封止したものであってもよい。なお、以下に示す各実施形態においては、表示パネル１１０の構造として、説明の都合上、図２（ａ）に示したフィラー４１入り粘着材４２を介して、素子基板１１と平板ガラスからなる対向基板１２を接合したパネル構造を用いた場合について説明する。なお、封止空間５０内の例えば対向基板１２の接合面（後述する接着面に対応、図２（ａ）下面側）側に、図示を省略した乾燥剤や乾燥シートを設けるようにしてもよい。この場合、封止空間５０内の水分（湿気）や腐食性の気体が乾燥剤や乾燥シートにより除去又は低減されて、画素アレイ１１１（特に、有機ＥＬ素子ＯＥＬ）の素子特性の劣化や接続不良の発生を抑制することができる。
【００２２】
そして、本実施形態に係る表示パネル１１０においては、特に、図２（ａ）に示すように、対向基板１２とシール部４０により形成される封止空間５０内に封止された画素アレイ１１１（隣接する画素ＰＩＸ間）の隔壁２５と対向基板１２との間に、接着層（スペーサ）３１からなる接着部３０が設けられている。接着層３１は、隔壁２５上と対向基板１２との間に設けられて、素子基板１１側（隔壁２５）と対向基板１２側の双方に接着されている。接着層３１は、後述する図１３や図１６に示すように、隔壁２５上と対向基板１２との間の互いに離間した位置に複数設けられている。ここで、接着層３１は、素子基板１１と対向基板１２との間のギャップ（間隙）を設定することができるとともに、接着性を有して素子基板１１と対向基板１２とを強固に接着することができる材料を適用する。具体的には、接着層３１は、例えば光硬化性あるいは熱硬化性の樹脂材料を有して形成される。また、接着層３１は、少なくとも素子基板１１及び対向基板１２との接着面となる当該接着層３１の表面が、光硬化性あるいは熱硬化性の樹脂材料からなるものであってもよい。これにより、素子基板１１の一面側（図面上面側）と対向基板１２の接着面側との間隙は、シール部４０及び接着部３０が設けられていない領域における表示パネル１１０の素子基板１１と対向基板１２が対向する領域において、素子基板１１の一面側に形成された画素アレイ１１１の上面に対向基板１２が接触しないように、所定の値で、かつ、略均一に設定される。
【００２３】
なお、図１に示すように、素子基板１１上の画素アレイ１１１の周辺領域には、上記各画素ＰＩＸを駆動するための信号や電源を供給するための引き出し配線Ｌｒが設けられている。引き出し配線Ｌｒは一端側が画素アレイ１１１（各画素ＰＩＸ）に接続され、他端側が例えば素子基板１１の端部に設けられた接続端子ＴＭに接続されている。接続端子ＴＭは、例えばフィルム基板（フレキシブルプリント基板）ＦＰＣ等を介して、素子基板１１の外部に設けられた各種のドライバ（例えば選択ドライバ１２０やデータドライバ１３０；詳しくは後述する）、あるいは、これらの各ドライバ機能を備えたドライバチップに接続されている。
【００２４】
また、図２（ａ）、（ｂ）においては、素子基板１１上に、有機ＥＬ素子ＯＥＬの画素電極２１が直接形成された素子構造を示したが、本発明はこれに限定されるものではない。有機ＥＬ素子ＯＥＬは、例えば、素子基板１１上に図示を省略した絶縁膜（ゲート絶縁膜や層間絶縁膜等）を介して画素電極２１が形成された素子構造を有するものであってもよい。また、図２（ａ）、（ｂ）においては、素子基板１１上の有機ＥＬ素子ＯＥＬの対向電極２３が露出した状態で、対向基板１２により封止されたパネル構造を示したが、本発明はこれに限定されるものではない。表示パネル１１０は、有機ＥＬ素子ＯＥＬを含む画素アレイ１１１を、例えばシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等を有する保護層（保護絶縁膜）により被覆した状態で、素子基板１１に対向基板１２を対向するように接合及び接着した構造を有するものであってもよい。
【００２５】
さらに、図２（ａ）、（ｂ）においては、図示の都合上、画素アレイ１１１として、素子基板１１の一面側に、有機ＥＬ素子ＯＥＬと、絶縁膜２４及び隔壁２５のみが設けられた構成を示したが、有機ＥＬ素子ＯＥＬを発光駆動するための配線や能動素子（薄膜トランジスタ等）が適宜設けられているものであってもよい。なお、表示パネルの具体例については後述する。
【００２６】
（表示パネルの製造方法）
次に、本実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの製造方法について説明する。ここで、本実施形態においては、各画素ＰＩＸに設けられる有機ＥＬ素子ＯＥＬから放射された光が対向基板１２を透過して発光面側（図２の上面側）に出射されるトップエミッション型の表示パネル１１０について説明するが、有機ＥＬ素子ＯＥＬから放射された光が素子基板１１を透過して発光面側（図２の下面側）に出射されるボトムエミッション型の表示パネルであってもよい。
【００２７】
図３は、本実施形態に係る表示パネルの製造方法の一例を示す工程断面図である。ここでは、図２（ａ）に示した断面構造を有する表示パネルについて製造方法を説明する。
上述した表示パネル１１０の製造方法は、まず、図３（ａ）に示すように、素子基板１１の一面側（図面上面側）に、画素アレイ１１１の各画素ＰＩＸに含まれる有機ＥＬ素子ＯＥＬを形成する。有機ＥＬ素子ＯＥＬは、素子基板１１上に、画素電極２１と、例えば正孔輸送層、発光層及び電子輸送層を有する有機ＥＬ層（発光機能層）２２と、対向電極２３を順次積層することにより形成される。
【００２８】
具体的には、素子基板１１の一面側に、画素ＰＩＸの形成領域ごとに有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード電極となる画素電極２１と画素電極２１に接続されて有機ＥＬ素子ＯＥＬを駆動するための薄膜トランジスタ等を有する発光駆動回路ＤＣを形成する。次いで、発光駆動回路ＤＣを覆い、隣接する画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＥＬ相互を電気的に絶縁するとともに、個別の発光特性を設定するために、画素ＰＩＸの境界領域に絶縁膜２４及び隔壁２５を形成する。ここで、隔壁２５は、素子基板１１表面から対向基板１２方向に突出するように、例えば感光性の絶縁材料であるポリイミド系の樹脂材料により形成される。これにより、隔壁２５は、後述する有機ＥＬ層２２の形成工程において、隣接する画素ＰＩＸ間で、有機化合物含有液の漏出や乗り越えを抑制して、隣接画素相互の混色を防止する。
【００２９】
次いで、各画素ＰＩＸの形成領域において、絶縁膜２４及び隔壁２５に被覆されず、露出する画素電極２１上に、インクジェット法やノズルプリンティング法等を用いて、有機高分子系の正孔輸送性材料を含む溶液（有機化合物含有液）を塗布し、加熱乾燥して正孔輸送層を形成する。次いで、正孔輸送層が形成された画素電極２１上に、上記と同様の手法を用いて、有機高分子系の発光材料を含む溶液（有機化合物含有液）を塗布し、加熱乾燥して発光層を形成する。さらに、発光層が形成された画素電極２１上に、上記と同様の手法を用いて、有機高分子系の電子輸送性材料を含む溶液（有機化合物含有液）を塗布し、加熱乾燥して電子輸送層を形成する。この一連の工程により、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層が積層された有機ＥＬ層２２が形成される。次いで、画素アレイ１１１に配列された各画素ＰＩＸに共通するように、単一の電極層（べた電極）からなる対向電極２３を形成する。ここで、対向電極２３は、図３（ａ）に示すように、各画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＥＬの形成領域だけでなく、画素ＰＩＸ間の境界領域に形成された隔壁２５上にも延在するように設けられている。
【００３０】
有機ＥＬ素子ＯＥＬがトップエミッション型の発光構造を有している場合には、画素電極２１は、例えばアルミニウム等の光反射率が高い金属膜により形成され、対向電極２３は、例えば錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）等からなる透明電極膜により形成される。また、有機ＥＬ素子ＯＥＬがボトムエミッション型の発光構造を有する場合には、画素電極２１は、例えば錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）等からなる透明電極膜により形成され、対向電極２３は、例えばアルミニウム等の光反射率が高い金属膜により形成される。
【００３１】
次いで、図１、図３（ｂ）に示すように、素子基板１１の画素アレイ１１１の外周領域に、所定の粒径を有するフィラー４１が拡散された、光硬化性あるいは熱硬化性の粘着材を塗布して粘着材層４２ｘを塗布して形成する。また、素子基板１１の画素アレイ１１１内の隔壁２５上面に（厳密には、隔壁２５の上面に形成された対向電極２３上に）、印刷法や転写法等を用いて、所定の厚みの光硬化性あるいは熱硬化性の樹脂層（接着性を有する接着材層）３１ｘを形成する。ここで、隔壁２５上に形成される樹脂層３１ｘの厚みは、素子基板１１表面から当該樹脂層３１ｘの上面までの寸法が、画素アレイ１１１の外周領域に形成される粘着材層４２ｘに拡散されるフィラー４１の粒径（直径）と同等、もしくは、フィラー４１の粒径よりも僅かに大きくなるように、隔壁２５の突出高さに応じて適切に設定される。
【００３２】
次いで、図３（ｂ）に示すように、素子基板１１の一面側に対向基板１２を対向するように貼り合わせる。このとき、素子基板１１に対して対向基板１２が所定の力で押圧されることにより、画素アレイ１１１の外周領域に形成された粘着材層４２ｘ中のフィラー４１、及び、画素アレイ１１１内の隔壁２５上に形成された樹脂層３１ｘが撓む。これにより、画素アレイ１１１の外周領域においては、粘着材層４２ｘが素子基板１１の一面側及び対向基板１２の接着面側の双方の表面に接着される。また、同時に、画素アレイ１１１内の隔壁２５及び対向基板１２の接着面側の双方の表面に、樹脂層３１ｘが接着される。
【００３３】
次いで、画素アレイ１１１の外周領域に形成された粘着材層４２ｘ中のフィラー４１の撓みをなくした状態（あるいは、当該撓みがなくなる程度の力で対向基板１２を押圧した状態）で、図３（ｃ）に示すように、対向基板１２が貼り合わせられた素子基板１１に対して、所定の波長の光（例えば紫外線）ＵＶを照射、あるいは、所定の温度で熱処理することにより、粘着材層４２ｘ及び樹脂層３１ｘを硬化させる。これにより、粘着材層４２ｘ及び樹脂層３１ｘは、各々、素子基板１１と対向基板１２の双方に接着して硬化する。すなわち、図２（ａ）に示したように、画素アレイ１１１の外周領域においては、硬化した粘着材層４２ｘによる粘着材４２を介して、また、画素アレイ１１１内の隔壁２５上においては、硬化した樹脂層３１ｘによる接着層３１を介して、素子基板１１及び対向基板１２が固着され、素子基板１１上の画素アレイ１１１が対向基板１２及びフィラー４１入り粘着材４２により形成される封止空間５０内に封止される。このとき、素子基板１１と対向基板１２間のギャップ（間隙）は、画素アレイ１１１の外周領域においては、フィラー４１の粒径に基づいて設定され、また、画素アレイ１１１内においては、接着層３１の厚みに基づいて設定される。ここで、上述した樹脂層３１ｘの形成工程において説明したように、接着層３１となる樹脂層３１ｘの厚みは、画素アレイ１１１の外周領域に塗布されるフィラー４１の粒径に基づいて設定される。したがって、接着層３１も、画素アレイ１１１内における素子基板１１と対向基板１２間のギャップが、外周領域におけるギャップ（フィラー４１の粒径）と同等になるように、その厚みが調整されて硬化する。なお、図３（ｃ）に示した封止工程は、例えば、所定の気圧の不活性ガス雰囲気中で行われる。
【００３４】
このように、本実施形態においては、素子基板１１の画素アレイ１１１の外周領域においてはフィラー４１が拡散された粘着材４２を介して、また、画素アレイ１１１内においては隔壁２５上の接着層３１を介して、素子基板１１に対向基板１２が接着される。これにより、本実施形態においては、素子基板１１と対向基板１２との間のギャップ（間隙）が画素アレイ１１１の略全域で均一化されるとともに、素子基板１１と対向基板１２とが強固に接着される。
【００３５】
したがって、本実施形態によれば、素子基板１１に対向基板１２を貼り合わせる工程において、対向基板１２を素子基板１１側に押圧したときや、本実施形態に係る表示パネル１１０を搭載した電子機器において、使用時に外部から表示パネル１１０に押圧力が加えられたとき、また、表示パネル自体に熱等に起因する歪みが生じたときであっても、対向基板１２が素子基板１１の画素アレイ１１１に直接接触することを回避することができる。また、外部から表示パネル１１０に押圧力が加えられたような場合であっても、樹脂材料等の比較的弾性の高い隔壁２５及び接着層３１を介して、素子基板１１と対向基板１２が接着されているので、素子基板１１上の画素アレイ１１１（各画素ＰＩＸ）内に生じる歪みを抑制することができる。それ故、本実施形態によれば、有機ＥＬ素子ＯＥＬや他の能動素子、配線等の破損や特性劣化、封止破損の発生を防止又は抑制することができ、製造歩留まりや品質の向上を図ることができる。
【００３６】
また、本実施形態によれば、特に、表示パネル１１０（有機ＥＬ素子ＯＥＬ）がトップエミッション型の発光構造を有している場合、上述したような押圧力により素子基板１１と対向基板１２間のギャップ（間隙）が不均一になる現象を抑制することができるので、有機ＥＬ素子ＯＥＬからの出射光の経路（角度及び距離）が均一化されて画像のにじみやぼけの発生を抑制して、良好な画質を実現することができる。このような本実施形態における作用効果は、素子基板１１に対向基板１２を接合するパネル構造を有する表示パネル全般において有効であるが、基板の変形が生じやすく、強度が重要視される大型の表示パネルにおいて特に有効である。
【００３７】
なお、上述した製造方法（図３参照）においては、画素アレイ１１１内に設けられる接着層３１となる樹脂層３１ｘを、素子基板１１側の隔壁２５上に形成した後、対向基板１２を貼り合わせて、樹脂層３１ｘを光硬化又は熱硬化させる工程について説明した。本実施形態は、この製造方法に限定されるものではなく、以下に示すように、例えば対向基板１２の接着面側に樹脂層３１ｘを形成した後、当該対向基板１２を画素アレイ１１１が形成された素子基板１１に貼り合わせて、樹脂層３１ｘを光硬化又は熱硬化させる工程を適用するものであってもよい。
【００３８】
図４は、本実施形態に係る表示パネルの製造方法の他の例を示す工程断面図である。ここで、上述した製造方法（図３参照）と同等の工程については、説明を簡略化する。
本実施形態に係る表示パネルの製造方法の他の例は、図４（ｂ）に示すように、素子基板１１の画素アレイ１１１の外周領域に、所定の粒径を有するフィラー４１が拡散された粘着材層４２ｘを塗布して形成する。また、対向基板１２の接着面側であって、かつ、画素アレイ１１１内の隔壁２５の形成領域（すなわち、画素ＰＩＸ間の境界領域）に対応する領域に、印刷法や転写法等を用いて、所定の厚みの樹脂層３１ｘを形成する。次いで、当該対向基板１２を、素子基板１１の一面側に対向するように貼り合わせ、図４（ｃ）に示すように、紫外線ＵＶを照射、あるいは、熱処理することにより、画素アレイ１１１の外周領域の粘着材層４２ｘ、及び、画素アレイ１１１内の樹脂層３１ｘを硬化させる。これにより、素子基板１１と対向基板１２が接着層３１を介して、略均一なギャップ（間隙）で接着されるとともに、画素アレイ１１１の外周領域及び内部において強固に接着される。
【００３９】
＜第２の実施形態＞
次に、本発明に係る表示装置に適用される表示パネルの第２の実施形態について説明する。ここで、上述した第１の実施形態と同等の構成については説明を簡略化する。
図５は、第２の実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの要部構成を示す概略断面図である。図５は、図２（ａ）、（ｂ）と同様に、図１に示した表示パネルにおけるIIＡ−IIＡ線に沿った断面を示す図である。なお、上述した第１及び第２の実施形態と同等の構成については同一の符号を付して示す。
【００４０】
上述した第１の実施形態においては、表示パネル１１０を構成する素子基板１１と対向基板１２とのギャップを均一化するとともに、素子基板１１と対向基板１２を強固に接着するための接着層３１を、素子基板１１側に形成される隔壁２５上の対向電極２３上面に直接接着、又は、直接形成したパネル構造について説明した。第２の実施形態に係る表示パネル１１０においては、図５に示すように、上記の接着層３１を、素子基板１１側に形成される隔壁２５上の対向電極２３を部分的に除去して、露出した隔壁２５上面に直接形成、又は、直接接着したパネル構造を有している。
【００４１】
すなわち、本実施形態においては、図５（ａ）に示すように、素子基板１１と対向基板１２は、画素アレイ１１１の外周領域のシール部４０においては、上述した第１及び第２の実施形態と同様に、フィラー４１入り粘着材４２を介して接合される。一方、画素アレイ１１１内の接着部３０においては、素子基板１１と対向基板１２は、図５に示すように、対向電極２３を部分的に除去して形成された開口部２３ｃ内に露出する隔壁２５の上面に直接接着された接着層３１を介して接着されている。ここで、接着層３１は、上述した第１の実施形態と同様に、光硬化性あるいは熱硬化性の接着性を有する樹脂材料を硬化させることにより形成される。これにより、素子基板１１と対向基板１２との間のギャップ（間隙）が画素アレイ１１１の略全域で均一化されるとともに、素子基板１１と対向基板１２とが強固に接着される。特に、本実施形態においては、隔壁２５として、例えば感光性の絶縁材料であるポリイミド系の樹脂材料を適用することにより、光硬化性あるいは熱硬化性の樹脂材料を有する接着層３１との接着性を向上させることができるので、素子基板１１と対向基板１２とをより強固に接着することができる。なお、上記図５（ａ）に示した構成においては、接着層３１が開口部２３ｃ内に設けられるものとしたが、これに限るものではなく、図５（ｂ）に示すように、接着層３１が開口部２３ｃより広い領域に設けられ、接着層３１の一部の開口部２３ｃに対応する領域で、接着層３１が隔壁２５の上面に直接接着されるようにしたものであってもよい。
【００４２】
次に、本実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの製造方法について説明する。
図６は、本実施形態に係る表示パネルの製造方法の一例を示す工程断面図である。図７は、本実施形態に係る表示パネルの製造方法の他の例を示す工程断面図である。
図５に示した断面構造を有する表示パネル１１０の製造方法は、まず、図６（ａ）に示すように、一面側に有機ＥＬ素子ＯＥＬを含む画素アレイ１１１が形成された素子基板１１において、画素アレイ１１１内の隔壁２５上の対向電極２３を、レーザアブレーション法やリフトオフ法等を用いて部分的に除去して、隔壁２５の上面が露出する開口部２３ｃを形成する。ここで、レーザアブレーション法においては、高強度、短パルス、短波長のレーザを無機、有機物あるいは金属等からなる対向電極２３の表面に照射することにより、吸収熱による蒸発やプラズマを伴って表面相が剥離される。また、リフトオフ法においては、光剥離材を積層形成した隔壁２５上に対向電極２３を形成した後、所定の波長の光を照射することにより、光剥離材からガスが発生して、光剥離材が形成された領域の対向電極２３が除去される。次いで、図６（ｂ）に示すように、素子基板１１の画素アレイ１１１の外周領域に、フィラー４１入り粘着材層４２ｘを塗布して形成する。また、上記開口部２３ｃ内に露出する隔壁２５の上面に直接接着するように、印刷法や転写法等を用いて、所定の厚みの樹脂層３１ｘを形成する。ここで、隔壁２５上に直接形成される樹脂層３１ｘの厚みは、素子基板１１表面から当該樹脂層３１ｘの上面までの寸法が、画素アレイ１１１の外周領域に形成される粘着材層４２ｘに拡散されるフィラー４１の粒径（直径）と同等、もしくは、フィラー４１の粒径よりも僅かに大きくなるように、隔壁２５の突出高さに応じて適切に設定される。次いで、素子基板１１の一面側に対向基板１２を、対向するように貼り合わせ、図６（ｃ）に示すように、紫外線ＵＶを照射、あるいは、熱処理することにより、画素アレイ１１１の外周領域の粘着材層４２ｘ、及び、画素アレイ１１１内の樹脂層３１ｘを硬化させる。
【００４３】
これにより、素子基板１１と対向基板１２がフィラー４１入り粘着材４２及び接着層３１を介して、略均一なギャップ（間隙）で接着されるとともに、画素アレイ１１１の外周領域及び内部において強固に接合される。したがって、本実施形態においても、表示パネル１１０に押圧力が印加された場合や、歪みが生じた場合であっても、素子や配線の破損、特性劣化の発生を防止して、製造歩留まりや品質の向上を図ることができる。
【００４４】
また、図５に示した断面構造を有する表示パネル１１０の製造方法の他の例は、まず、図７（ａ）に示すように、上記図６（ａ）と同様に、素子基板１１における画素アレイ１１１内の隔壁２５上の対向電極２３を、レーザアブレーション法やリフトオフ法等を用いて部分的に除去して、隔壁２５の上面が露出する開口部２３ｃを形成する。また、図７（ｂ）に示すように、素子基板１１の画素アレイ１１１の外周領域に、フィラー４１入り粘着材層４２ｘを塗布して形成する。次いで、対向基板１２の接着面側であって、かつ、画素アレイ１１１内の対向電極２３に形成された開口部２３ｃに対応する領域に、印刷法や転写法等を用いて、所定の厚みの樹脂層３１ｘを形成する。次いで、当該対向基板１２を、素子基板１１の一面側に対向するように貼り合わせ、図７（ｃ）に示すように、紫外線ＵＶを照射、あるいは、熱処理することにより、画素アレイ１１１の外周領域の粘着材層４２ｘ、及び、画素アレイ１１１内の樹脂層３１ｘを硬化させる。これにより、素子基板１１と対向基板１２がフィラー４１入り粘着材４２及び接着層３１を介して、略均一なギャップ（間隙）で接着されるとともに、画素アレイ１１１の外周領域及び内部において強固に接合される。
【００４５】
＜第３の実施形態＞
次に、本発明に係る表示装置に適用される表示パネルの第３の実施形態について説明する。ここで、上述した第１乃至第２の実施形態と同等の構成については説明を簡略化する。
図８は、第３の実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの要部構成を示す概略断面図である。図８（ａ）、（ｂ）は、図２（ａ）、（ｂ）と同様に、図１に示した表示パネルにおけるIIＡ−IIＡ線に沿った断面を示す図である。なお、上述した第１乃至第３の実施形態と同等の構成については同一の符号を付して示す。
【００４６】
上述した第１及び第２の実施形態においては、表示パネル１１０を構成する素子基板１１と対向基板１２とのギャップを均一化するとともに、素子基板１１と対向基板１２を強固に接着するための手段として、光硬化性あるいは熱硬化性の樹脂材料のみを有する接着層３１を適用した場合について説明した。第３の実施形態に係る表示パネル１１０においては、図８（ａ）、（ｂ）に示すように、上記と同様の樹脂材料にフィラー３４を入れたものからなる、フィラー３４入りの接着層３５を適用したパネル構造を有している。
【００４７】
すなわち、本実施形態においては、図８（ａ）に示すように、素子基板１１と対向基板１２は、画素アレイ１１１の外周領域のシール部４０においては、上述した第１乃至第３の実施形態と同様に、フィラー４１入り粘着材４２を介して接着される。一方、画素アレイ１１１内の接着部３０においては、素子基板１１と対向基板１２は、図８（ａ）に示すように、所定の粒径（直径）を有するフィラー３４が拡散され、光硬化性あるいは熱硬化性の樹脂材料を有する接着層３５（フィラー３４入り接着層３５）を介して接着されている。これにより、素子基板１１と対向基板１２との間のギャップ（間隙）が画素アレイ１１１の略全域で均一化されるとともに、素子基板１１と対向基板１２とが強固に接着される。特に、本実施形態においては、画素アレイ１１１内の隔壁２５上面に形成されるフィラー３４入り接着層３５のフィラー３４の粒径（直径）を予め設定することにより、素子基板１１の表面からの高さ（すなわち、素子基板１１表面からフィラー３４入り接着層３５の上面までの寸法）を比較的精度良く設定することができるので、素子基板１１と対向基板１２との間のギャップをより均一化することができる。
【００４８】
なお、本実施形態に係る表示パネル１１０は、図８（ａ）に示したようなパネル構造に限らず、図８（ｂ）に示すように、フィラー３４入り接着層３５が、素子基板１１側に形成される隔壁２５上の対向電極２３を部分的に除去して形成された開口部２３ｃ内に露出する隔壁２５の上面に直接接着されたパネル構造を有するものであってもよい。
【００４９】
この場合においても、素子基板１１と対向基板１２との間のギャップ（間隙）を、接着層３５に拡散されるフィラー３４の粒径（直径）に基づいて比較的精度良く設定することができるので、当該ギャップをより均一化することができる。また、隔壁２５として、例えば感光性の絶縁材料であるポリイミド系の樹脂材料を適用することにより、光硬化性あるいは熱硬化性の樹脂材料を有する接着層３５との接着性を向上させることができるので、素子基板１１と対向基板１２とをより強固に接着することができる。
【００５０】
次に、本実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの製造方法について説明する。
図９は、本実施形態に係る表示パネルの製造方法の一例を示す工程断面図である。図１０は、本実施形態に係る表示パネルの製造方法の他の例を示す工程断面図である。図９、図１０においては、図８（ａ）に示した断面構造を有する表示パネルの製造方法を示すが、図８（ｂ）に示した断面構造を有する表示パネルにおいても、上述した第２の実施形態を参照して、同様の製造方法を適用することができる。
【００５１】
図８（ａ）に示した断面構造を有する表示パネル１１０の製造方法は、まず、図９（ａ）に示すように、一面側に有機ＥＬ素子ＯＥＬを含む画素アレイ１１１が形成された素子基板１１において、図９（ｂ）に示すように、素子基板１１の画素アレイ１１１の外周領域に、フィラー４１入り粘着材層４２ｘを塗布して形成する。また、画素アレイ１１１内の隔壁２５上に、印刷法や転写法、塗布法等を用いて、所定の粒径を有するフィラー３４が拡散された接着材層３５ｘを形成する。ここで、隔壁２５上に形成される接着材層３５ｘに拡散されるフィラー３４の粒径（直径）は、素子基板１１表面から当該フィラー３４入り接着材層３５ｘの上面までの寸法が、画素アレイ１１１の外周領域に形成される粘着材層４２ｘに拡散されるフィラー４１の粒径（直径）と同等、もしくは、フィラー４１の粒径よりも僅かに大きくなるように、隔壁２５の突出高さに応じて適切に設定される。次いで、素子基板１１の一面側に対向基板１２を、対向するように貼り合わせ、図９（ｃ）に示すように、紫外線ＵＶを照射、あるいは、熱処理することにより、画素アレイ１１１の外周領域の粘着材層４２ｘ、及び、画素アレイ１１１内の接着材層３５ｘを硬化させる。
【００５２】
これにより、素子基板１１と対向基板１２がフィラー４１入り粘着材４２及びフィラー３４入り接着層３５を介して、略均一なギャップ（間隙）で接着されるとともに、画素アレイ１１１の外周領域及び内部において強固に接着される。したがって、本実施形態においても、表示パネル１１０に押圧力が印加された場合や、歪みが生じた場合であっても、素子や配線の破損、特性劣化の発生を防止して、製造歩留まりや品質の向上を図ることができる。
【００５３】
また、図８（ａ）に示した断面構造を有する表示パネル１１０の製造方法の他の例は、図１０（ｂ）に示すように、素子基板１１の画素アレイ１１１の外周領域に、フィラー４１入り粘着材層４２ｘを塗布して形成する。また、対向基板１２の接着面側であって、かつ、画素アレイ１１１内の対向電極２３に形成された開口部２３ｃに対応する領域に、印刷法や転写法、塗布法等を用いて、所定の粒径を有するフィラー３４が拡散された接着材層３５ｘを形成する。次いで、当該対向基板１２を、素子基板１１の一面側に対向するように貼り合わせ、図１０（ｃ）に示すように、紫外線ＵＶを照射、あるいは、熱処理することにより、画素アレイ１１１の外周領域の粘着材層４２ｘ、及び、画素アレイ１１１内の接着材層３５ｘを硬化させる。これにより、素子基板１１と対向基板１２がフィラー４１入り粘着材４２及びフィラー３４入り接着層３５を介して、略均一なギャップ（間隙）で接着されるとともに、画素アレイ１１１の外周領域及び内部において強固に接着される。
【００５４】
＜第４の実施形態＞
次に、本発明に係る表示装置に適用される表示パネルの第４の実施形態について説明する。ここで、上述した第１乃至第３の実施形態と同等の構成については説明を簡略化する。
図１１は、第４の実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの要部構成を示す概略断面図である。図１１は、図２（ａ）と同様に、図１に示した表示パネルにおけるIIＡ−IIＡ線に沿った断面を示す図である。なお、上述した第１乃至第３の実施形態と同等の構成については同一の符号を付して示す。
【００５５】
上述した第１乃至第３の実施形態においては、表示パネル１１０を構成する素子基板１１と対向基板１２とのギャップを均一化するとともに、素子基板１１と対向基板１２を強固に接着するため手段として、光硬化性あるいは熱硬化性の樹脂材料を有する接着層３１、又は、接着層３５を適用したパネル構造について説明した。第４の実施形態においては、トップエミッション型の発光構造を有する表示パネル１１０の接着部３０が遮光性を有していることを特徴とする。
【００５６】
本実施形態に係る表示パネル１１０は、例えば図１１に示すように、接着部３０において素子基板１１と対向基板１２を接着するための手段として、接着層３１、又は、接着層３５に替えて、光硬化性あるいは熱硬化性の樹脂材料からなり、接着性を有し、かつ、遮光性を有する接着層３６を適用したパネル構造を有する。ここで、接着層３６は、例えば、上述した第１の実施形態に示したような接着層３１の樹脂材料に不透明な色素を添加することにより形成することができる。本実施形態においては、接着部３０の接着層３６が遮光性を有していることにより、トップエミッション型の発光構造を有する表示パネルにおいて、外光の反射に起因する表示画像の視認性の劣化を抑制して、良好な画質の表示装置を実現することができる。
【００５７】
次に、上述した各実施形態に示した表示パネルが適用される表示装置と画素の具体例について、図面を参照して説明する。なお、以下に示す表示装置は、アクティブマトリクス駆動方式に対応した構成を有する場合について説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。本発明は、例えばパッシブマトリクス駆動方式等、他の駆動方式に対応した表示装置に適用されるものであってもよい。
【００５８】
＜表示装置への適用例と画素の具体例＞
次に、上述した各実施形態に示した表示パネル（発光パネル）が適用される表示装置（発光装置）と画素の具体例について、図面を参照して説明する。
（第１の適用例）
図１２は、本発明に係る表示パネル（発光パネル）を適用した表示装置の第１の具体例を示す概略構成図である。図１２（ａ）は、本適用例に係る表示装置を示す概略ブロック図であり、図１２（ｂ）は、本適用例に係る表示装置に適用される画素の等価回路図である。なお、ここでは、上述した各実施形態に示した各図（図１〜図１１）を適宜参照しながら説明する。
【００５９】
図１２（ａ）に示すように、第１の適用例に係る表示装置（発光装置）１００は、概略、上述した各実施形態に示した表示パネル（発光パネル）１１０と、表示パネル１１０に配列された各画素ＰＩＸを選択状態に設定するための選択ドライバ（選択駆動回路）１２０と、各画素ＰＩＸに画像データに応じた階調信号を供給するためのデータドライバ（信号駆動回路）１３０と、システムコントローラ１４０と、を備えている。
【００６０】
本適用例に係る表示パネル１１０に配列される画素ＰＩＸは、例えば図１２（ｂ）に示すように、発光駆動回路ＤＣと、電流駆動型の発光素子である有機ＥＬ素子ＯＥＬと、を備えている。発光駆動回路ＤＣは、画像データに応じた電流値の発光駆動電流を生成して、有機ＥＬ素子ＯＥＬに供給する。有機ＥＬ素子ＯＥＬは、発光駆動回路ＤＣから供給される発光駆動電流に基づいて、画像データに応じた輝度階調で発光する。
【００６１】
発光駆動回路ＤＣは、例えば図１２（ｂ）に示すように、トランジスタ（スイッチング素子）Ｔｒ１１、Ｔｒ１２とキャパシタＣｓとを備えている。トランジスタＴｒ１１は、ゲート端子が選択ラインＬｓに接続され、ドレイン端子がデータラインＬｄに接続され、ソース端子が接点Ｎ１１に接続されている。トランジスタＴｒ１２は、ゲート端子が接点Ｎ１１に接続され、ドレイン端子が高電位の電源電圧Ｖsaに接続され、ソース端子が接点Ｎ１２に接続されている。キャパシタＣｓは、トランジスタＴｒ１２のゲート端子（接点Ｎ１１）及びソース端子（接点Ｎ１２）間に接続されている。
【００６２】
また、有機ＥＬ素子（表示素子）ＯＥＬは、アノード（アノード電極；上述した画素電極２１）が上記発光駆動回路ＤＣの接点Ｎ１２に接続され、カソード（カソード電極；上述した対向電極２３）が所定の低電位電源（基準電圧Ｖsc；例えば接地電位Ｖgnd）に接続されている。
【００６３】
ここでは、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２はいずれも、ｎチャネル型の薄膜トランジスタを適用することができる。なお、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２がｐチャネル型であれば、ソース端子及びドレイン端子が互いに逆になる。また、キャパシタＣｓは、トランジスタＴｒ１２のゲート、ソース間に形成される寄生容量、又は、該ゲート、ソース間に付加的に設けられた補助容量、もしくは、これらの寄生容量と補助容量からなる容量成分である。
【００６４】
画素ＰＩＸに接続される選択ラインＬｓは、例えば表示パネル１１０の行方向（図１２（ａ）の左右方向）に配設されて、選択ドライバ１２０に接続されている。そして、選択ラインＬｓには、選択ドライバ１２０から選択レベル又は非選択レベルの選択電圧（選択信号）Ｖselが印加される。また、画素ＰＩＸに接続されるデータラインＬｄは、例えば表示パネル１１０の列方向（図１２（ａ）の上下方向）に配設されて、データドライバ１３０に接続されている。データラインＬｄには、データドライバ１３０から画像データに応じた階調電圧（階調信号）Ｖdataが印加される。
【００６５】
システムコントローラ１４０は、表示装置１００の外部から供給される画像データに基づいて、輝度階調データを含むデジタルデータからなる表示データを生成してデータドライバ１３０に供給する。また、コントローラ１４０は、画像データに基づいて生成又は抽出されるタイミング信号に基づいて、選択ドライバ１２０及びデータドライバ１３０の動作状態を制御して、表示パネル１１０における所定の画像表示動作を実行するための選択制御信号及びデータ制御信号を生成して出力する。
【００６６】
これにより、選択ドライバ１２０は、選択制御信号に基づいて、各行の選択ラインＬｓに所定のタイミングで選択レベルの選択電圧Ｖselを印加することにより、各行の画素ＰＩＸを選択状態に設定する。データドライバ１３０は、データ制御信号に基づいて、画像データに応じた階調電圧Ｖdataを生成して、各データラインＬｄを介して、選択状態に設定された画素ＰＩＸに供給する。
【００６７】
そして、このような回路構成を有する画素ＰＩＸを備えた表示装置における表示駆動動作を簡単に説明すると、まず、所定の選択期間に、選択ドライバ１２０から選択ラインＬｓに対して、選択レベル（ハイレベル）の選択電圧Ｖselを印加することにより、トランジスタＴｒ１１をオン動作させて、画素ＰＩＸを選択状態に設定する。このタイミングに同期して、データドライバ１３０から画像データに応じた電圧値の階調電圧ＶdataをデータラインＬｄに印加することにより、トランジスタＴｒ１１を介して接点Ｎ１１に、階調電圧Ｖdataに応じた電位が印加される。
【００６８】
これにより、トランジスタＴｒ１２が階調電圧Ｖdataに応じた導通状態でオン動作して、ドレイン、ソース間に所定の電流値の発光駆動電流が流れ、有機ＥＬ素子ＯＥＬは、階調電圧Ｖdata（すなわち画像データ）に応じた輝度階調で発光する。このとき、トランジスタＴｒ１２のゲート、ソース間に接続されたキャパシタＣｓには、接点Ｎ１１に印加された階調電圧Ｖdataに基づいて電荷が蓄積（充電）される。
【００６９】
次いで、上記選択期間終了後の非選択期間において、選択ドライバ１２０から選択ラインＬｓに対して、非選択レベル（ローレベル）の選択電圧Ｖselを印加することにより、トランジスタＴｒ１１をオフ動作させて、画素ＰＩＸを非選択状態に設定する。このとき、上記キャパシタＣｓに蓄積された電荷（すなわち、ゲート、ソース間の電位差）が保持されて、トランジスタＴｒ１２のゲート端子に階調電圧Ｖdataに相当する電圧が印加される。したがって、トランジスタＴｒ１２のドレイン、ソース間に上記の発光動作状態（選択期間）と同等の電流値の発光駆動電流が流れて、有機ＥＬ素子ＯＥＬは発光状態を継続する。そして、このような表示駆動動作を、表示パネル１１０に二次元配列された全ての画素ＰＩＸについて、例えば各行ごとに順次実行することにより、所望の画像情報が表示される。
【００７０】
次に、上述したような回路構成を有する画素（発光駆動回路及び有機ＥＬ素子）の具体的なデバイス構造（平面レイアウト及び断面構造）について説明する。ここでは、上述した実施形態と同様に、表示パネル１１０がトップエミッション型の発光構造を有する場合について示すが、ボトムエミッション型の発光構造を有するものであってもよい。
【００７１】
図１３は、本適用例に係る画素の一例を示す平面レイアウト図である。ここでは、図１２（ｂ）に示した発光駆動回路ＤＣの各トランジスタ及び配線等が形成された層を主に示し、各トランジスタの電極及び各配線層を明瞭にするために、便宜的にハッチングを施して示した。ここで、同じハッチングを施した電極及び配線層は同層に設けられている。また、図１４は、本適用例に係る画素の要部断面図である。ここでは、図１４は、図１３に示した平面レイアウトを有する画素におけるXIVＢ−XIVＢ線（本明細書においては図１３中に示したローマ数字の「１４」に対応する記号として便宜的に「XIV」を用いる。）に沿った断面を示す。
【００７２】
図１２（ｂ）に示した画素ＰＩＸは、具体的には、図１３、図１４に示すように、ガラス等の絶縁性の素子基板１１の一面側（図１４の上面側）に設定された画素形成領域Ｒpxごとに設けられている。この画素形成領域Ｒpxには、少なくとも、有機ＥＬ素子ＯＥＬの形成領域（ＥＬ素子形成領域）Ｒelと、隣接する画素ＰＩＸとの間の境界領域と、が設定されている。
【００７３】
図１３に示した画素ＰＩＸにおいて、画素形成領域Ｒpxの図面上方及び下方の縁辺領域には、各々、行方向（図面左右方向）に延在するように選択ラインＬｓ及び電源ラインＬａが配設されている。一方、画素形成領域Ｒpxの図面右方側の領域には、選択ラインＬｓ及び電源ラインＬａに直交して、列方向（図面上下方向）に延在するようにデータラインＬｄが配設されている。
【００７４】
また、図１３に示した表示パネル１１０においては、画素形成領域Ｒpx内のＥＬ素子形成領域Ｒelに開口部が設けられた隔壁２５が設けられている。すなわち、素子基板１１上に、行方向（図面左右方向）及び列方向（図面上下方向）に隣接して配列される各画素ＰＩＸ間の境界領域には、図１３、図１４に示すように、素子基板１１表面から突出する格子状の隔壁２５が設けられている。そして、この隔壁２５により囲まれ、かつ、画素電極２１が露出した領域（すなわち、上記開口部）がＥＬ素子形成領域Ｒelとして画定されている。
【００７５】
選択ラインＬｓは、例えば図１３、図１４に示すように、データラインＬｄ及び電源ラインＬａよりも下層側（素子基板１１側）に設けられている。選択ラインＬｓは、トランジスタＴｒ１１、トランジスタＴｒ１２のゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇと同層に設けられている。ここで、選択ラインＬｓは、図１３に示すように、トランジスタＴｒ１１のゲート電極Ｔｒ１１ｇと一体的に形成されている。
【００７６】
また、データラインＬｄは、例えば図１３、図１４に示すように、電源ラインＬａよりも下層側（素子基板１１側）に設けられている。データラインＬｄは、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄと同層に設けられている。ここで、データラインＬｄは、図１３に示すように、トランジスタＴｒ１１のドレイン電極Ｔｒ１１ｄと一体的に形成されている。
【００７７】
また、電源ラインＬａは、例えば図１３、図１４に示すように、後述するトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２及び選択ラインＬｓ、データラインＬｄを被覆する絶縁膜２４上に設けられている。電源ラインＬａは、図１３に示すように、下層の絶縁膜２４に設けられたコンタクトホールＨＬ１２を介して、トランジスタＴｒ１２のドレイン電極Ｔｒ１１ｄに直接接続されている。
【００７８】
また、図１３に示した画素ＰＩＸにおいては、発光駆動回路ＤＣに設けられるトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２が、例えば、データラインＬｄに沿って列方向（図面上下方向）に延在するように配置されている。具体的には、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のチャネルの幅方向が、データラインＬｄに平行に延在するように設定されている。また、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２は、いずれも図１４に示すような電界効果型の薄膜トランジスタ構造を有している。なお、以下のトランジスタＴｒ１１についての説明では、図示の都合上、図１４に示したトランジスタＴｒ１２の断面構造を参照しながら説明するものとする。
【００７９】
トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２は、図１３、図１４に示すように、素子基板１１上に形成されたゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇを被覆するようにゲート絶縁膜１３が設けられ、該ゲート絶縁膜１３上の、ゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇに対応する領域に半導体層ＳＭＣ（図１３では省略）が設けられている。また、半導体層ＳＭＣに形成されるチャネル領域上にはチャネル保護層ＢＬが設けられ、当該チャネル保護層ＢＬを挟んで対向するようにソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄが設けられている。ソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄと半導体層ＳＭＣとの間には不純物層ＯＨＭが設けられ、これにより、半導体層ＳＭＣとソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄが各々オーミック接続している。
【００８０】
そして、図１２（ｂ）に示した発光駆動回路ＤＣの回路構成に対応するように、トランジスタＴｒ１１は、図１３に示すように、ゲート電極Ｔｒ１１ｇが選択ラインＬｓと一体的に形成されている。また、ドレイン電極Ｔｒ１１ｄは、図１３に示すように、データラインＬｄと一体的に形成されている。また、ソース電極Ｔｒ１１ｓは、図１３に示すように、ゲート絶縁膜１３に設けられたコンタクトホールＨＬ１１を介して、トランジスタＴｒ１２のゲート電極Ｔｒ１２ｇに接続されている。ここで、コンタクトホールＨＬ１１は、図１２（ｂ）に示した発光駆動回路ＤＣの接点Ｎ１１に対応する。
【００８１】
また、トランジスタＴｒ１２は、図１３に示すように、ゲート電極Ｔｒ１２ｇがゲート絶縁膜１３に設けられたコンタクトホールＨＬ１１を介して、トランジスタＴｒ１１のソース電極Ｔｒ１１ｓに接続されている。また、ドレイン電極Ｔｒ１２ｄは、図１３に示すように、絶縁膜２４に設けられたコンタクトホールＨＬ１２を介して、電源ラインＬａに接続されている。また、ソース電極Ｔｒ１２ｓは、図１３、図１４に示すように、有機ＥＬ素子ＯＥＬの画素電極２１と一体的に形成されている。
【００８２】
有機ＥＬ素子ＯＥＬは、図１３、図１４に示すように、上記画素電極（アノード電極）２１と、有機ＥＬ層（発光機能層）２２と、対向電極（カソード電極）２３と、を順次積層した素子構造を有している。ここで、有機ＥＬ素子ＯＥＬがトップエミッション型の発光構造を有している場合には、例えば画素電極２１は、アルミニウム単体やアルミニウム合金等の光反射率の高い電極材料を含んで形成されている。また、対向電極２３は、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）等の透光性（高い光透過率）を有する透明な電極材料により形成されている。
【００８３】
画素電極２１は、図１３、図１４に示すように、トランジスタＴｒ１２のソース電極Ｔｒ１２ｓと一体的に形成されている。有機ＥＬ層２２は、図１３、図１４に示すように、素子基板１１上に突出して形成された隔壁２５に設けられた開口部により画定されるＥＬ素子形成領域Ｒelに露出する画素電極２１上に形成される。
【００８４】
対向電極２３は、素子基板１１上に二次元配列された各画素ＰＩＸの画素電極２１に対して、共通に対向するように、単一の電極層（べた電極）により形成されている。また、対向電極２３は、図１３、図１４に示すように、各画素ＰＩＸのＥＬ素子形成領域Ｒelだけでなく、当該ＥＬ素子形成領域Ｒelを画定する隔壁２５上にも延在するように設けられている。さらに、対向電極２３は、図示を省略したコンタクト部や引き出し配線を介して、低電位電源（基準電圧Ｖsc）に接続されている。
【００８５】
隔壁２５は、例えば図１３、図１４に示すように、素子基板１１上に配列された画素ＰＩＸ相互の境界領域に形成された絶縁膜２４、及び、当該絶縁膜２４上の電源ラインＬａを被覆する保護絶縁膜（図示を省略）を被覆するように、素子基板１１の表面から突出するように設けられている。隔壁２５には、上記有機ＥＬ素子ＯＥＬの画素電極２１が露出する開口部が設けられている。ここで、隔壁２５は、上述した各実施形態に示したように、例えば感光性の絶縁材料であるポリイミド系の樹脂材料により形成される。
【００８６】
そして、上述した発光駆動回路ＤＣ、有機ＥＬ素子ＯＥＬ及び隔壁２５が形成された素子基板１１の一面側には、ガラス等からなる透明な対向基板１２が素子基板１１と所定の間隙を有するように貼り合わされて封止されている。
【００８７】
このようなデバイス構造を有する画素ＰＩＸにおいて、本適用例においては、図１３、図１４に示すように、各画素ＰＩＸ間に設けられる隔壁２５上の任意の位置Ｐsetに、画素アレイ１１１内の素子基板１１側と対向基板１２側を接着するための接着部３０が設けられている。ここで、接着部３０は、上述した各実施形態に示した、接着層３１や、フィラー３４入り接着層３５又は遮光性を有する接着層３６の何れかにより構成されている。また、接着部３０が配置される位置Ｐsetは、隔壁２５上であれば特に限定するものではないが、上述した各実施形態に示したように、表示パネル１１０に外部から印加される押圧力等による薄膜トランジスタの素子破損や素子特性の変動、有機層や配線層、層間絶縁膜の剥離、配線間ショート、封止破損等を防止、抑制する観点を加味すると、極力、下層にトランジスタや、配線相互の交差、電極の重なり等がない領域（例えば図１３、図１４の位置Ｐset）の隔壁２５上に１乃至数カ所配置することが望ましい。また、本適用例においては、図１３に示す位置Ｐsetに配置される接着部３０の平面パターンについても特に限定するものではないが、例えば方形や円形を有するものであってもよいし、隔壁２５の平面パターンに沿って、図面上下方向や左右方向に延在する直線状の平面パターンを有するものであってもよい。
【００８８】
なお、本適用例においては、図１３、図１４に示したように、表示パネル１１０の画素アレイ１１１内の１画素のみに注目して説明したが、画素アレイ１１１内の全ての画素ＰＩＸの画素形成領域Ｒpxごとに、接着部３０を１乃至数カ所設けるものであってもよいし、数画素ＰＩＸからなる領域ごとに１乃至数カ所設けるものであってもよいし、表示パネル１１０のパネルサイズによっては、画素アレイ１１１全体に１乃至数カ所のみ設けるものであってもよい。
【００８９】
これにより、上述した各実施形態に示したように、表示パネル１１０に押圧力が加えられたり、歪みが生じたりした場合等であっても、対向基板１２が素子基板１１の画素アレイ１１１に直接接触することを回避することができる。また、表示パネル１１０に押圧力が加えられたり、歪みが生じたりした場合であっても、素子基板１１と対向基板１２が樹脂材料等からなる隔壁２５及び接着部３０を介して接着されているので、素子基板１１上の画素アレイ１１１（各画素ＰＩＸ）内における歪みを抑制することができる。したがって、有機ＥＬ素子ＯＥＬやトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２、キャパシタＣｓ、各配線等における破損や特性劣化、封止破損の発生を防止又は抑制することができ、製造歩留まりや品質の向上を図ることができる。
【００９０】
また、本適用例によれば、トップエミッション型の発光構造を有する表示パネル１１０（有機ＥＬ素子ＯＥＬ）において、上述したような押圧力や歪みにより素子基板１１と対向基板１２間の距離（基板間ギャップ）が不均一になる現象を抑制することができるので、有機ＥＬ素子ＯＥＬからの出射光の経路が均一化されて画像のにじみやぼけの発生を抑制して、良好な画質を実現することができる。
【００９１】
また、トップエミッション型の発光構造を有する表示パネル１１０（有機ＥＬ素子ＯＥＬ）において、遮光性を有する接着層３６による接着部３０を、画素アレイ１１１の各画素ＰＩＸ間の境界領域に設けられる隔壁２５の平面パターンに対応して、格子状やストライプ状の平面パターンを有するように設けることにより、当該接着部３０を、隔壁２５の下層に設けられるトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２や各配線による外光の反射を抑制するためのブラックマトリクスとして機能させることができる。したがって、外光の反射に起因する表示画像の視認性の劣化を抑制して、良好な画質の表示装置を実現することができる。
【００９２】
（第２の適用例）
図１５は、本発明に係る表示パネルを適用した表示装置の第２の具体例を示す概略構成図である。図１５（ａ）は、本適用例に係る表示装置を示す概略ブロック図であり、図１５（ｂ）は、本適用例に係る表示装置に適用される画素の等価回路図である。ここで、上述した第１の適用例と同等の構成については、同一又は同等の符号を付してその説明を簡略化する。
【００９３】
図１５（ａ）に示すように、第２の適用例に係る表示装置１００は、概略、上述した各実施形態に示した表示パネル（発光パネル）１１０と、選択ドライバ１２０と、データドライバ１３０と、システムコントローラ１４０と、電源ドライバ１５０と、を備えている。すなわち、本適用例に示す表示装置１００は、第１の適用例に示した表示装置１００に、電源ドライバ１５０を付加した構成を有している。
【００９４】
本適用例に係る表示パネル１１０に配列される画素ＰＩＸは、例えば図１５（ｂ）に示すように、上述した第１の適用例と同様に、発光駆動回路ＤＣと、有機ＥＬ素子ＯＥＬと、を備えている。発光駆動回路ＤＣは、例えば図１５（ｂ）に示すように、トランジスタＴｒ２１〜Ｔｒ２３とキャパシタＣｓとを備えている。トランジスタＴｒ２１は、ゲート端子が選択ラインＬｓに接続され、ドレイン端子が電源ラインＬａに接続され、ソース端子が接点Ｎ２１に接続されている。トランジスタＴｒ２２は、ゲート端子が選択ラインＬｓに接続され、ソース端子がデータラインＬｄに接続され、ドレイン端子が接点Ｎ２２に接続されている。トランジスタＴｒ２３は、ゲート端子が接点Ｎ２１に接続され、ドレイン端子が電源ラインＬａに接続され、ソース端子が接点Ｎ２２に接続されている。キャパシタＣｓは、トランジスタＴｒ２３のゲート端子（接点Ｎ２１）及びソース端子（接点Ｎ２２）に接続されている。
【００９５】
また、有機ＥＬ素子ＯＥＬは、アノード（アノード電極；画素電極２１）が上記発光駆動回路ＤＣの接点Ｎ２２に接続され、カソード（カソード電極；対向電極２３）が所定の低電位電源（基準電圧Ｖsc；例えば接地電位Ｖgnd）に接続されている。
【００９６】
ここで、本適用例においても、トランジスタＴｒ２１〜Ｔｒ２３はいずれも、ｎチャネル型の薄膜トランジスタを適用することができる。また、キャパシタＣｓは、トランジスタＴｒ２３のゲート、ソース間に形成される寄生容量、又は、該ゲート、ソース間に付加的に設けられた補助容量、もしくは、これらの寄生容量と補助容量からなる容量成分である。
【００９７】
画素ＰＩＸに接続される電源ラインＬａは、例えば表示パネル１１０の行方向（図１５（ａ）の左右方向）に配設されて、電源ドライバ１５０に接続されている。電源ドライバ１５０は、コントローラ１４０から供給される電源制御信号に基づいて、所定のタイミングで電源ラインＬａに発光レベル又は非発光レベルの電源電圧Ｖsaを印加する。
【００９８】
そして、このような回路構成を有する画素ＰＩＸを備えた表示装置における表示駆動動作を簡単に説明すると、まず、選択期間に、選択ドライバ１２０から選択ラインＬｓに対して、選択レベル（ハイレベル）の選択電圧Ｖselを印加するとともに、電源ドライバ１５０から電源ラインＬａに非発光レベル（基準電圧Ｖsc以下の電圧レベル；例えば負電圧）の電源電圧Ｖsaを印加することにより、トランジスタＴｒ２１、Ｔｒ２２をオン動作させて、画素ＰＩＸを選択状態に設定する。このタイミングに同期して、データドライバ１３０から画像データに応じた負の電圧値の階調電圧ＶdataをデータラインＬｄに印加することにより、トランジスタＴｒ２２を介して接点Ｎ２２に、階調電圧Ｖdataに応じた電位が印加される。
【００９９】
これにより、トランジスタＴｒ２３がオン動作して、トランジスタＴｒ２３のゲート、ソース間に生じた電位差に応じた書込電流が、電源ラインＬａからトランジスタＴｒ２３、接点Ｎ２２、トランジスタＴｒ２２を介してデータラインＬｄ方向に流れる。このとき、トランジスタＴｒ２３のゲート、ソース間に接続されたキャパシタＣｓには、接点Ｎ２１及びＮ２２間に生じた電位差に応じた電荷が蓄積される。
【０１００】
ここで、電源ラインＬａには、基準電圧Ｖsc以下の電源電圧Ｖsaが印加され、さらに、書込電流が画素ＰＩＸからデータラインＬｄ方向に引き抜くように設定されている。これにより、有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード（接点Ｎ２２）に印加される電位は、カソードの電位（基準電圧Ｖsc）よりも低くなるため、有機ＥＬ素子ＯＥＬには電流が流れず、有機ＥＬ素子ＯＥＬは発光しない（非発光動作）。そして、このような書込動作を、表示パネル１１０に二次元配列された全ての画素ＰＩＸについて、各行ごとに順次実行する。
【０１０１】
次いで、上記選択期間終了後の非選択期間において、選択ドライバ１２０から選択ラインＬｓに対して、非選択レベル（ローレベル）の選択電圧Ｖselを印加することにより、トランジスタＴｒ２１、Ｔｒ２２をオフ動作させて、画素ＰＩＸを非選択状態に設定する。このとき、上記キャパシタＣｓに蓄積された電荷（すなわち、ゲート、ソース間の電位差）が保持されるので、トランジスタＴｒ２３はオン状態を維持する。そして、電源ドライバ１５０から電源ラインＬａに発光レベル（基準電圧Ｖscよりも高い電圧レベル）の電源電圧Ｖsaを印加することにより、電源ラインＬａからトランジスタＴｒ２３、接点Ｎ２２を介して、有機ＥＬ素子ＯＥＬに所定の発光駆動電流が流れる。
【０１０２】
ここで、キャパシタＣｓに蓄積される電荷（電圧成分）は、トランジスタＴｒ２３において階調電圧Ｖdataに対応する書込電流を流す場合の電位差に相当するので、有機ＥＬ素子ＯＥＬに流れる発光駆動電流は、当該書込電流と略同等の電流値となる。これにより、各画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＥＬは、書込動作時に書き込まれた画像データ（階調電圧Ｖdata）に応じた輝度階調で発光し、表示パネル１１０に所望の画像情報が表示される。
【０１０３】
次に、上述したような回路構成を有する画素（発光駆動回路及び有機ＥＬ素子）の具体的なデバイス構造（平面レイアウト及び断面構造）について説明する。ここでも、上述した実施形態と同様に、表示パネル１１０がトップエミッション型の発光構造を有する場合について示すが、ボトムエミッション型の発光構造を有するものであってもよい。
【０１０４】
図１６は、本適用例に係る画素の一例を示す平面レイアウト図である。ここでは、図１５（ｂ）に示した発光駆動回路ＤＣの各トランジスタ及び配線等が形成された層を主に示し、各トランジスタの電極及び各配線層を明瞭にするために、便宜的にハッチングを施して示した。ここで、同じハッチングを施した電極及び配線層は同層に設けられている。また、図１７は、本適用例に係る画素の要部断面図である。ここでは、図１７は、図１６に示した平面レイアウトを有する画素におけるXVIIＣ−XVIIＣ線（本明細書においては図１６中に示したローマ数字の「１７」に対応する記号として便宜的に「XVII」を用いる。）に沿った断面を示す。なお、図１６、図１７において、上述した第１の適用例と同等の構成については、同一又は同等の符号を付してその説明を簡略化する。
【０１０５】
図１６に示した画素ＰＩＸにおいて、画素形成領域Ｒpxの図面上方及び下方の縁辺領域には、各々、行方向（図面左右方向）に延在するように選択ラインＬｓ及び電源ラインＬａが配設されている。一方、画素形成領域Ｒpxの図面左方及び図面右方の領域には、各々、上記電源ラインＬａ及び選択ラインＬｓに直交して、列方向（図面上下方向）に延在するようにデータラインＬｄ及び補助電源ラインＬayが配設されている。
【０１０６】
また、図１６に示した表示パネル１１０においては、例えば図１７に示すように、画素形成領域Ｒpx内のＥＬ素子形成領域Ｒelに開口部が設けられた隔壁２５が設けられている。すなわち、本適用例においても、素子基板１１上の画素アレイ１１１に隣接して配列される各画素ＰＩＸ間の境界領域には、図１６、図１７に示すように、素子基板１１表面から突出する格子状の隔壁２５が設けられている。そして、この隔壁２５により囲まれ、かつ、画素電極２１が露出した領域（すなわち、上記開口部）がＥＬ素子形成領域Ｒelとして画定されている。
【０１０７】
データラインＬｄは、例えば図１６、図１７に示すように、選択ラインＬｓ及び電源ラインＬａ、補助電源ラインＬayよりも下層側（素子基板１１側）に設けられている。データラインＬｄは、トランジスタＴｒ２１〜Ｔｒ２３のゲート電極Ｔｒ２１ｇ〜Ｔｒ２３ｇと同層に設けられている。また、データラインＬｄは、図１６に示すように、上層のゲート絶縁膜１３に設けられたコンタクトホールＨＬ２４を介して、トランジスタＴｒ２２のソース電極Ｔｒ２２ｓに直接接続されている。
【０１０８】
また、選択ラインＬｓ及び電源ラインＬａは、例えば図１６、図１７に示すように、相互に同層に設けられ、かつ、トランジスタＴｒ２１〜Ｔｒ２３及びデータラインＬｄ、補助電源ラインＬayを被覆する絶縁膜２４上に設けられている。選択ラインＬｓは、図１６に示すように、下層の絶縁膜２４及びゲート絶縁膜１３に設けられたコンタクトホールＨＬ２２を介して、トランジスタＴｒ２１、Ｔｒ２２のゲート電極Ｔｒ２１ｇ、Ｔｒ２２ｇに直接接続されている。また、電源ラインＬａは、例えば図１６、図１７に示すように、下層の絶縁膜２４に設けられたコンタクトホールＨＬ２３を介して、補助電源ラインＬayに直接接続されている。
【０１０９】
補助電源ラインＬayは、例えば図１６、図１７に示すように、トランジスタＴｒ２１〜Ｔｒ２３のソース電極Ｔｒ２１ｓ〜Ｔｒ２３ｓ及びドレイン電極Ｔｒ２１ｄ〜Ｔｒ２３ｄと同層に設けられている。ここで、補助電源ラインＬayは、図１６に示すように、トランジスタＴｒ２１、Ｔｒ２３のドレイン電極Ｔｒ２１ｄ、Ｔｒ２３ｄと一体的に形成されている。
【０１１０】
また、図１６に示した画素ＰＩＸにおいては、発光駆動回路ＤＣに設けられるトランジスタＴｒ２２が、例えば、データラインＬｄに沿って列方向（図面上下方向）に延在するように配置されている。また、トランジスタＴｒ２１、Ｔｒ２３が、例えば、補助電源ラインＬayに沿って列方向に延在するように配置されている。
【０１１１】
トランジスタＴｒ２１〜Ｔｒ２３は、図１６、図１７に示すように、素子基板１１上に形成されたゲート電極Ｔｒ２１ｇ〜Ｔｒ２３ｇを被覆するようにゲート絶縁膜１３が設けられ、該ゲート絶縁膜１３上の、ゲート電極Ｔｒ２１ｇ〜Ｔｒ２３ｇに対応する領域に半導体層ＳＭＣ（図１６では省略）が設けられている。また、半導体層ＳＭＣに形成されるチャネル領域上にはチャネル保護層ＢＬが設けられ、当該チャネル保護層ＢＬを挟んで対向するようにソース電極Ｔｒ２１ｓ〜Ｔｒ２３ｓ及びドレイン電極Ｔｒ２１ｄ〜Ｔｒ２３ｄが設けられている。ソース電極Ｔｒ２１ｓ〜Ｔｒ２３ｓ及びドレイン電極Ｔｒ２１ｄ〜Ｔｒ２３ｄと半導体層ＳＭＣとの間には不純物層ＯＨＭ（図示を省略）が設けられている。
【０１１２】
そして、図１５（ｂ）に示した発光駆動回路ＤＣの回路構成に対応するように、トランジスタＴｒ２１は、図１６に示すように、ゲート電極Ｔｒ２１ｇがトランジスタＴｒ２２のゲート電極Ｔｒ２２ｇと一体的に形成されている。また、ゲート電極Ｔｒ２１ｇは、ゲート絶縁膜１３及び絶縁膜２４に設けられたコンタクトホールＨＬ２２を介して、選択ラインＬｓに接続されている。また、ドレイン電極Ｔｒ２１ｄは、図１６に示すように、補助電源ラインＬayと一体的に形成されている。また、ソース電極Ｔｒ２１ｓは、図１６に示すように、ゲート絶縁膜１３に設けられたコンタクトホールＨＬ２１を介して、トランジスタＴｒ２３のゲート電極Ｔｒ２３ｇ及びキャパシタＣｓの下部電極Ｅcaに接続されている。ここで、コンタクトホールＨＬ２１は、図１５（ｂ）に示した発光駆動回路ＤＣの接点Ｎ２１に対応する。
【０１１３】
また、トランジスタＴｒ２２は、図１６に示すように、ゲート電極Ｔｒ２２ｇがトランジスタＴｒ２１のゲート電極Ｔｒ２１ｇと一体的に形成されている。また、ゲート電極Ｔｒ２２ｇは、ゲート絶縁膜１３及び絶縁膜２４に設けられたコンタクトホールＨＬ２２を介して、選択ラインＬｓに接続されている。また、ドレイン電極Ｔｒ２２ｄは、図１６に示すように、キャパシタＣｓの上部電極Ｅcbを兼ねる画素電極２１に接続されている。また、ソース電極Ｔｒ２２ｓは、図１６に示すように、ゲート絶縁膜１３に設けられたコンタクトホールＨＬ２４を介して、データラインＬｄに接続されている。
【０１１４】
また、トランジスタＴｒ２３は、図１６、図１７に示すように、ゲート電極Ｔｒ２３ｇがゲート絶縁膜１３に設けられたコンタクトホールＨＬ２２を介して、トランジスタＴｒ２１のソース電極Ｔｒ２１ｓに接続されている。また、ゲート電極Ｔｒ２３ｇは、キャパシタＣｓの下部電極Ｅcaに接続されている。また、ドレイン電極Ｔｒ２３ｄは、図１６、図１７に示すように、補助電源ラインＬayと一体的に形成されている。また、ソース電極Ｔｒ２３ｓは、図１６、図１７に示すように、キャパシタＣｓの上部電極Ｅcbを兼ねる画素電極２１に接続されている。
【０１１５】
キャパシタＣｓは、図１６、図１７に示すように、素子基板１１上に設けられた下部電極Ｅcaと、該下部電極Ｅcaに対向し、アルミニウム等の光反射率が高い金属膜からなる上部電極Ｅcbと、下部電極Ｅca及び上部電極Ｅcb間に介在するゲート絶縁膜１３と、を有している。ここで、ゲート絶縁膜１３は、キャパシタＣｓの誘電体層として兼用されている。また、上部電極Ｅcbは、有機ＥＬ素子ＯＥＬの画素電極２１として兼用されている。すなわち、キャパシタＣｓは、有機ＥＬ素子ＯＥＬの下層側（素子基板１１側）に設けられている。そして、下部電極Ｅcaは、図１６、図１７に示すように、トランジスタＴｒ２１のソース電極Ｔｒ２１ｓ及びトランジスタＴｒ２３のゲート電極Ｔｒ２３ｇに接続されている。また、上部電極Ｅcbとして兼用される画素電極２１は、図１６、図１７に示すように、トランジスタＴｒ２２のドレイン電極Ｔｒ２２ｄ及びトランジスタＴｒ２３のソース電極Ｔｒ２３ｓと一体的に形成されている。ここで、画素電極２１とドレイン電極Ｔｒ２２ｄ及びソース電極Ｔｒ２３ｓとの接続部は、図１５（ｂ）に示した発光駆動回路ＤＣの接点Ｎ２２に対応する。
【０１１６】
有機ＥＬ素子ＯＥＬは、上述した第１の適用例と同様に、図１６、図１７に示すように、トランジスタＴｒ２２のドレイン電極Ｔｒ２２ｄ及びトランジスタＴｒ２３のソース電極Ｔｒ１２ｓに接続された画素電極（アノード電極）２１と、有機ＥＬ層（発光機能層）２２と、対向電極（カソード電極）２３と、を順次積層した素子構造を有している。
【０１１７】
また、隔壁２５は、上述した第１の適用例と同様に、図１６、図１７に示すように、素子基板１１上に配列された画素ＰＩＸ相互の境界領域に形成された絶縁膜２４及び保護絶縁膜（図示を省略）を被覆するように、素子基板１１表面から突出するように設けられている。隔壁２５は、上記有機ＥＬ素子ＯＥＬの画素電極２１が露出する開口部を有するように格子状の平面パターンを有している。ここで、隔壁２５は、上述した各実施形態に示したように、例えば感光性の絶縁材料であるポリイミド系の樹脂材料により形成される。
【０１１８】
そして、上述した発光駆動回路ＤＣ、有機ＥＬ素子ＯＥＬ及び隔壁２５が形成された素子基板１１の一面側には、対向基板１２が素子基板１１と所定の間隙を有するように貼り合わされて封止されている。
【０１１９】
このようなデバイス構造を有する画素ＰＩＸにおいて、上述した第１の適用例と同様に、図１６、図１７に示すように、各画素ＰＩＸ間に設けられる隔壁２５上の任意の位置Ｐsetに、画素アレイ１１１内の素子基板１１側と対向基板１２側を接着するための、１乃至複数の接着部３０が設けられている。ここで、接着部３０は、上述した各実施形態に示した、接着層３１や、フィラー３４入り接着層３５又は遮光性を有する接着層３６の何れかにより構成されている。また、接着部３０が配置される位置Ｐsetは、隔壁２５上であれば特に限定するものではないが、下層にトランジスタや、配線相互の交差、電極の重なり等がない領域（例えば図１６、図１７の位置Ｐset）の隔壁２５上に配置することが望ましい。また、本適用例においては、図１６に示す位置Ｐsetに配置される接着部３０の平面パターンについても特に限定するものではないが、例えば方形や円形を有するものであってもよいし、隔壁２５の平面パターンに沿って、図面上下方向や左右方向に延在する直線上の平面パターンを有するものであってもよい。
【０１２０】
これにより、上述した各実施形態に示したように、表示パネル１１０に押圧力が加えられたり、歪みが生じたりした場合等であっても、対向基板１２が素子基板１１の画素アレイ１１１に直接接触することを回避することができるとともに、画素アレイ１１１（各画素ＰＩＸ）内における歪みを抑制することができる。したがって、有機ＥＬ素子ＯＥＬやトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２、Ｔｒ２１〜Ｔｒ２３、キャパシタＣｓ、各配線等における破損や特性劣化、封止破損の発生を防止又は抑制することができ、製造歩留まりや品質の向上を図ることができる。
【０１２１】
また、本適用例によれば、上述したような押圧力が加えられたり、歪みが生じたりした場合であっても、素子基板１１と対向基板１２間の距離（基板間ギャップ）を均一化することができるので、トップエミッション型の発光構造を有する表示パネル１１０において、有機ＥＬ素子ＯＥＬからの出射光の経路が均一化されて画像のにじみやぼけの発生を抑制して、良好な画質を実現することができる。
【０１２２】
また、各画素ＰＩＸ間の境界領域に設けられる隔壁２５の平面パターンに対応して、格子状やストライプ状の平面パターンを有するように、遮光性を有する接着部３０をブラックマトリクスとして設けることにより、隔壁２５の下層に設けられるトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２、Ｔｒ２１〜Ｔｒ２３や各配線による外光の反射を抑制することができるので、トップエミッション型の発光構造を有する表示パネル１１０（有機ＥＬ素子ＯＥＬ）において、外光の反射に起因する表示画像の視認性の劣化を抑制して、良好な画質の表示装置を実現することができる。また、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２、Ｔｒ２１〜Ｔｒ２３の薄膜トランジスタがボトムゲート構造を有し、表示パネル１１０がトップエミッション型の発光構造を有している場合に、各薄膜トランジスタの半導体層への外光の入射を抑制して、薄膜トランジスタの特性を安定させ誤動作が発生しないようにすることができる。
【０１２３】
＜電子機器の適用例＞
次に、上述した各実施形態に係る表示装置を適用した電子機器について図面を参照して説明する。
【０１２４】
上述した各実施形態に示したパネル構造を有する表示パネル１１０を備える表示装置１００は、例えばデジタルカメラや薄型テレビジョン、パーソナルコンピュータ、携帯電話機等、種々の電子機器の表示デバイスとして良好に適用できるものである。
【０１２５】
図１８は、本発明に係る発光装置を適用したデジタルカメラの構成例を示す斜視図であり、図１９は、本発明に係る発光装置を適用した薄型テレビジョンの構成例を示す斜視図であり、図２０は、本発明に係る発光装置を適用したパーソナルコンピュータの構成例を示す斜視図であり、図２１は、本発明に係る発光装置を適用した携帯電話機の構成例を示す図である。
【０１２６】
図１８において、デジタルカメラ２１０は、大別して、本体部２１１と、レンズ部２１２と、操作部２１３と、上述した各実施形態に示した表示パネル１１０を備える表示装置１００を適用した表示部２１４と、シャッターボタン２１５とを備えている。これによれば、表示部２１４における画素アレイ（発光素子）や駆動回路等の破損や特性劣化を防止又は抑制することができ、製造歩留まりや品質の向上を図ることができる。また、表示部２１４を構成する基板間のギャップ（間隙）を均一化することができ、表示画質を向上させることができる。
【０１２７】
また、図１９において、薄型テレビジョン２２０は、大別して、本体部２２１と、上述した各実施形態に示した表示パネル１１０を備える表示装置１００を適用した表示部２２２と、操作用コントローラ（リモコン）２２３と、を備えている。これによれば、表示部２２２における画素アレイ（発光素子）や駆動回路等の破損や特性劣化を防止又は抑制することができ、製造歩留まりや品質の向上を図ることができる。また、表示部２２２を構成する基板間のギャップ（間隙）を均一化することができ、表示画質を向上させることができる。
【０１２８】
また、図２０において、パーソナルコンピュータ２３０は、大別して、本体部２３１と、キーボード２３２と、上述した各実施形態に示した表示パネル１１０を備える表示装置１００を適用した表示部２３３とを備えている。この場合においても、表示部２３３における画素アレイ（発光素子）や駆動回路等の破損や特性劣化を防止又は抑制することができ、製造歩留まりや品質の向上を図ることができる。また、表示部２３３を構成する基板間のギャップ（間隙）を均一化することができ、表示画質を向上させることができる。
【０１２９】
また、図２１において、携帯電話機２４０は、大別して、操作部２４１と、受話口２４２と、送話口２４３と、上述した各実施形態に示した表示パネル１１０を備える表示装置１００を適用した表示部２４４とを備えている。この場合においても、表示部２４４における画素アレイ（発光素子）や駆動回路等の破損や特性劣化を防止又は抑制することができ、製造歩留まりや品質の向上を図ることができる。また、表示部２４４を構成する基板間のギャップ（間隙）を均一化することができ、表示画質を向上させることができる。
【０１３０】
なお、上述した各電子機器においては、本発明に係る発光パネルを、複数の画素が２次元配列された表示パネルとして適用した場合について詳しく説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。本発明に係る発光装置は、例えば発光素子を有する複数の画素が一方向に配列された発光素子アレイを備え、感光体ドラムに画像データに応じて発光素子アレイから出射した光を照射して露光する露光装置に適用するものであってもよい。
【符号の説明】
【０１３１】
１１ 素子基板
１２ 対向基板
１３ ゲート絶縁膜
２１ 画素電極
２２ 有機ＥＬ層
２３ 対向電極
２４ 絶縁膜
２５ 隔壁
３０ 接着部
３１ 接着層
３４ フィラー
３５ 接着層
３６ 接着層
４０ シール部
４１ フィラー
４２ 粘着材
５０ 封止空間
１００ 表示装置
１１０ 表示パネル
１１１ 画素アレイ
ＰＩＸ 画素
ＯＥＬ 有機ＥＬ素子
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光パネル及びその製造方法、発光装置、並びに、電子機器に関し、特に、発光素子が形成された素子基板に対向して封止基板を接合した封止構造を有する発光パネル及びその製造方法、該発光パネルを備えた発光装置、並びに、該発光装置を実装した電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話機や携帯音楽プレーヤ等の電子機器の表示デバイスとして、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と略記する）等の発光素子を二次元配列した表示パネル（発光素子型表示パネル）を適用したものが知られている。特に、アクティブマトリクス駆動方式を適用した発光素子型表示パネルにおいては、広く普及している液晶表示装置に比較して、表示応答速度が速く、視野角依存性も小さく、また、高輝度・高コントラスト化、表示画質の高精細化等が可能であるという特長を有している。加えて、発光素子型表示パネルは、液晶表示装置のようにバックライトや導光板を必要としないので、一層の薄型軽量化が可能であるという特長を有している。
【０００３】
ここで、発光素子型表示パネルに適用される発光素子の代表例である有機ＥＬ素子は、概略、対向して配置された陽極（アノード電極）と陰極（カソード電極）との間に、正孔輸送層、有機発光層及び電子輸送層が積層された素子構造を有している。そして、有機ＥＬ素子は、一般に、絶縁性の素子基板の一面側に形成され、外気（水分や酸素等）による素子特性の劣化や物理的衝撃等の外的環境から保護するために、素子基板の一面側に対向するように封止基板を接合した（貼り合わせた）構成や、素子基板の一面側を封止樹脂で封止した構成が採用されている。有機ＥＬ素子の素子構造や封止構造については、例えば特許文献１に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−０８０３０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述したような封止構造のうち、素子基板の一面側に封止基板を接合した封止構造においては、特許文献１にも記載されているように、通常、封止基板の周縁部において封止材を介して素子基板に接合されている。ここで、封止基板の内面と、素子基板に形成される有機ＥＬ素子、及び、当該有機ＥＬ素子を発光駆動させるための能動素子（薄膜トランジスタ等）や配線の上面との間には、ある程度の間隙が設けられている。
【０００６】
しかしながら、素子基板に封止基板を貼り合わせる製造工程において、封止基板を素子基板側に押圧したときや、封止基板が貼り合わせられた表示パネルを搭載した電子機器において、使用時に外部から表示パネルに押圧力が加えられたとき、また、表示パネル自体に熱等に起因する歪みが生じたとき等に、封止基板の内面が素子基板側に接触して、例えば素子基板側に形成された薄膜トランジスタの素子破損やトランジスタ特性の変動、有機層や配線層、層間絶縁膜の剥離、配線間ショート、封止破損等の不良を招いて、製造歩留まりや品質の低下を招くという問題を有していた。
【０００７】
また、表示パネルが、素子基板側に形成された有機ＥＬ素子から放射された光を、封止基板を介して発光面側（視野側）に出射して画像を表示するトップエミッション型の発光構造を有している場合には、上述したような押圧力により、素子基板と封止基板間の距離（基板間ギャップ）が不均一になるため、出射光の光軸がずれて画像ににじみやぼけが生じて、画質の劣化を招くという問題を有していた。
【０００８】
そこで、本発明は、上述した問題点に鑑み、押圧力や歪みによる不良の発生を抑制して製造歩留まりや品質の向上を図ることができるとともに、良好な画質を実現することができる発光パネル及びその製造方法、発光装置、並びに、電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１記載の発明に係る発光パネルは、発光素子を有する少なくとも一つの画素と、前記画素の前記発光素子の形成領域を区画する隔壁と、が一面側に設けられた第１の基板と、一面側が前記第１の基板の前記一面側に対向して設けられ、前記第１の基板の前記一面側を封止する第２の基板と、前記第１の基板の前記隔壁上に互いに離間して設けられて、前記第１の基板の前記一面側と前記第２の基板の前記一面側とに接着される、絶縁性を有する複数の接着層と、を備えていることを特徴とする。
【００１０】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の発光パネルにおいて、前記発光素子は、発光層と、該発光層を介して互いに対向する一対の電極とを有し、該一対の電極のいずれか一方をなす電極層が前記隔壁上に延在して設けられ、前記各接着層は、少なくとも前記隔壁上に延在する前記電極層の一部が除去された開口部に対応する領域に設けられていることを特徴とする。
請求項３記載の発明は、請求項１又は２に記載の発光パネルにおいて、前記画素は、前記発光素子を発光駆動させるためのスイッチング素子と、前記発光素子を発光駆動させるための各種信号が印加される複数の配線と、を具備し、前記スイッチング素子及び前記複数の配線の少なくとも一部は、前記隔壁の下層に設けられ、前記各接着層は、前記隔壁上の、少なくとも前記スイッチング素子の形成領域、及び、前記複数の配線の交差領域に対応する領域以外の予め設定された領域に設けられていることを特徴とする。
請求項４記載の発明は、請求項１乃至３のいずれかに記載の発光パネルにおいて、前記各接着層は、接着性を有して前記第１の基板の前記一面側と前記第２の基板の前記一面側とに接着される樹脂材料を所定の条件により硬化して形成されていることを特徴とする。
請求項５記載の発明は、請求項４記載の発光パネルにおいて、前記樹脂材料は遮光性を有していることを特徴とする。
【００１１】
請求項６記載の発明に係る発光パネルの製造方法は、第１の基板の一面側に、発光素子を有する少なくとも一つの画素と、該画素の前記発光素子の形成領域を区画する隔壁と、を形成する工程と、前記第１の基板の前記一面側を封止するための第２基板を準備する工程と、前記第１の基板の前記隔壁上の互いに離間した複数の領域又は前記隔壁上の複数の領域に対応する前記第２基板の一面側の複数の領域の何れか一方に、接着性を有する樹脂材料による接着材層を形成する工程と、前記第１の基板の前記一面側に前記第２基板の前記一面側を対向させ、押圧力を印加して、前記各接着材層を介して、前記第１の基板と前記第２基板とを貼り合わせる工程と、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせた状態で、前記各接着材層を所定の条件により硬化させて複数の接着層を形成し、該接着層を介して前記第１の基板の前記一面側と前記第２の基板の前記一面側とを接着する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１２】
請求項７記載の発明は、請求項６記載の発光パネルの製造方法において、前記発光素子は、発光層と、該発光層を介して互いに対向する一対の電極と、を備え、前記第１の基板の前記一面側に前記画素を形成する工程は、前記発光素子の前記一対の電極のいずれか一方をなす電極層を前記隔壁上に延在させて形成する工程と、前記隔壁上に延在する前記電極層の一部を除去した開口部を形成する工程と、を含み、前記接着材層を形成する工程は、少なくとも前記開口部に対応する領域に前記接着材層を形成する工程を含むことを特徴とする。
請求項８記載の発明は、請求項６又は７に記載の発光パネルの製造方法において、前記複数の接着材層を形成する工程は、前記樹脂材料として不透明な色素が添加された遮光性を有する第２の樹脂材料を準備し、該第２の樹脂材料により前記接着材層を形成する工程を含むことを特徴とする。
【００１３】
請求項９記載の発明に係る発光装置は、発光素子を有する少なくとも一つの画素と、該画素に接続された選択ライン及びデータラインと、前記画素の前記発光素子の形成領域を区画する隔壁と、が一面側に設けられた第１の基板と、一面側が前記第１の基板の前記一面側に対向して設けられ、前記第１の基板の前記一面側を封止する第２の基板と、前記第１の基板の前記隔壁上に互いに離間して設けられて、前記第１の基板の前記一面側と前記第２の基板の前記一面側とに接着される、絶縁性を有する複数の接着層と、を具備する発光パネルと、前記各選択ラインを介して、前記画素を選択状態に設定するための選択信号を印加する選択駆動回路と、前記各データラインを介して、前記選択状態に設定された前記画素に画像データに応じた階調信号を書き込む信号駆動回路と、を備えていることを特徴とする。
【００１４】
請求項１０記載の発明は、請求項９記載の発光装置において、前記発光素子は、発光層と、該発光層を介して互いに対向する一対の電極とを有し、該一対の電極のいずれか一方をなす電極層が前記隔壁上に延在して設けられ、前記各接着層は、前記隔壁上に延在する前記電極層の一部が除去された開口部内に対応する領域に設けられていることを特徴とする。
請求項１１記載の発明に係る電子機器は、請求項９又は１０に記載の発光装置が実装されてなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係る発光パネル及びその製造方法、発光装置、並びに、電子機器によれば、押圧力や歪みによる不良の発生を抑制して製造歩留まりや品質の向上を図ることができるとともに、良好な画質を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明に係る発光装置を適用した表示装置に適用される表示パネルの第１の実施形態を示す概略平面図である。
【図２】第１の実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの要部構成の一例を示す概略断面図である。
【図３】第１の実施形態に係る表示パネルの製造方法の一例を示す工程断面図である。
【図４】第１の実施形態に係る表示パネルの製造方法の他の例を示す工程断面図である。
【図５】第２の実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの要部構成を示す概略断面図である。
【図６】第２の実施形態に係る表示パネルの製造方法の一例を示す工程断面図である。
【図７】第２の実施形態に係る表示パネルの製造方法の他の例を示す工程断面図である。
【図８】第３の実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの要部構成を示す概略断面図である。
【図９】第３の実施形態に係る表示パネルの製造方法の一例を示す工程断面図である。
【図１０】第３の実施形態に係る表示パネルの製造方法の他の例を示す工程断面図である。
【図１１】第４の実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの要部構成を示す概略断面図である。
【図１２】本発明に係る表示パネル（発光パネル）を適用した表示装置の第１の具体例を示す概略構成図である。
【図１３】第１の適用例に係る画素の一例を示す平面レイアウト図である。
【図１４】第１の適用例に係る画素の要部断面図である。
【図１５】本発明に係る表示パネルを適用した表示装置の第２の具体例を示す概略構成図である。
【図１６】第２の適用例に係る画素の一例を示す平面レイアウト図である。
【図１７】第２の適用例に係る画素の要部断面図である。
【図１８】本発明に係る発光装置を適用したデジタルカメラの構成例を示す斜視図である。
【図１９】本発明に係る発光装置を適用した薄型テレビジョンの構成例を示す斜視図である。
【図２０】本発明に係る発光装置を適用したパーソナルコンピュータの構成例を示す斜視図である。
【図２１】本発明に係る発光装置を適用した携帯電話機の構成例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明に係る発光パネル及びその製造方法、発光装置並びに電子機器について、実施形態を示して詳しく説明する。
＜第１の実施形態＞
まず、本発明に係る発光装置について説明する。ここでは、本発明に係る発光装置を表示装置として適用し、また、発光素子として有機ＥＬ素子を適用した場合について説明する。
【００１８】
（表示装置）
図１は、本発明に係る発光装置を適用した表示装置に適用される表示パネルの第１の実施形態を示す概略平面図である。図２は、本実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの要部構成の一例を示す概略断面図である。図２（ａ）は、図１に示した表示パネルにおけるIIＡ−IIＡ線（本明細書においては図１中に示したローマ数字の「２」に対応する記号として便宜的に「II」を用いる。）に沿った断面を示す図である。また、図２（ｂ）は、本実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの要部構成の他の例を示す概略断面図である。なお、図示の都合上、図２においてのみ対向基板を表示し、図１においては省略した。
【００１９】
本発明の第１の実施形態に係る表示装置に適用される表示パネル（発光パネル）１１０は、例えば図１、図２（ａ）に示すように、平板ガラス等の絶縁性の素子基板（第１の基板）１１と対向基板（第２の基板）１２とが対向して接合（接着）された構成を有している。素子基板１１の一面側（図１の紙面手前側、及び、図２（ａ）の上面側）には、発光素子である有機ＥＬ素子ＯＥＬを有する複数の画素ＰＩＸが二次元配列された画素アレイ１１１が設けられている。各画素ＰＩＸに設けられる有機ＥＬ素子ＯＥＬは、例えば図２（ａ）に示すように、アノード電極となる画素電極２１と、有機ＥＬ層（発光機能層）２２と、カソード電極となる対向電極２３とが順次積層された素子構造を有している。また、隣接して配列された画素ＰＩＸ間には、画素電極２１に接続されて有機ＥＬ素子ＯＥＬを駆動するための薄膜トランジスタ等を有する発光駆動回路ＤＣと、発光駆動回路ＤＣを覆う絶縁膜２４及び隔壁（バンク）２５が形成され、少なくとも各有機ＥＬ素子ＯＥＬを構成する画素電極２１及び有機ＥＬ層２２が、隣接する画素ＰＩＸ間で相互に隔離されている。
【００２０】
対向して配置された素子基板１１と対向基板１２は、図１、図２（ａ）に示すように、画素アレイ１１１の外周領域に設けられたシール部（封止部）４０を介して接合され、画素アレイ１１１が封止空間５０内に封止されて外的環境の影響を受けないように保護されている。シール部４０は、例えば図２（ａ）に示すように、フィラー４１入りの粘着材（シール材）４２からなり、当該シール部４０が画素アレイ１１１の外周領域に連続的に設けられることにより、素子基板１１と平板ガラスからなる対向基板１２が接合されて封止される。シール部４０は、具体的には、所定の粒径を有する非導電性（絶縁性）の樹脂ビーズからなるフィラー４１を、非導電性の光硬化性あるいは熱硬化性の樹脂材料を有する粘着材４２に拡散したものが適用される。
【００２１】
また、シール部４０の他の構造としては、例えば図２（ｂ）に示すように、平板ガラスの縁辺部（上述した画素アレイ１１１の外周領域に対応する領域）を連続的に残すようにザグリ加工したザグリガラスを対向基板１２として用いて、当該ザグリ部１２ｚにおいて粘着材（シール材）４２を介して、素子基板１１と対向基板１２を接合して封止したものであってもよい。なお、以下に示す各実施形態においては、表示パネル１１０の構造として、説明の都合上、図２（ａ）に示したフィラー４１入り粘着材４２を介して、素子基板１１と平板ガラスからなる対向基板１２を接合したパネル構造を用いた場合について説明する。なお、封止空間５０内の例えば対向基板１２の接合面（後述する接着面に対応、図２（ａ）下面側）側に、図示を省略した乾燥剤や乾燥シートを設けるようにしてもよい。この場合、封止空間５０内の水分（湿気）や腐食性の気体が乾燥剤や乾燥シートにより除去又は低減されて、画素アレイ１１１（特に、有機ＥＬ素子ＯＥＬ）の素子特性の劣化や接続不良の発生を抑制することができる。
【００２２】
そして、本実施形態に係る表示パネル１１０においては、特に、図２（ａ）に示すように、対向基板１２とシール部４０により形成される封止空間５０内に封止された画素アレイ１１１（隣接する画素ＰＩＸ間）の隔壁２５と対向基板１２との間に、接着層（スペーサ）３１からなる接着部３０が設けられている。接着層３１は、隔壁２５上と対向基板１２との間に設けられて、素子基板１１側（隔壁２５）と対向基板１２側の双方に接着されている。接着層３１は、後述する図１３や図１６に示すように、隔壁２５上と対向基板１２との間の互いに離間した位置に複数設けられている。ここで、接着層３１は、素子基板１１と対向基板１２との間のギャップ（間隙）を設定することができるとともに、接着性を有して素子基板１１と対向基板１２とを強固に接着することができる材料を適用する。具体的には、接着層３１は、例えば光硬化性あるいは熱硬化性の樹脂材料を有して形成される。また、接着層３１は、少なくとも素子基板１１及び対向基板１２との接着面となる当該接着層３１の表面が、光硬化性あるいは熱硬化性の樹脂材料からなるものであってもよい。これにより、素子基板１１の一面側（図面上面側）と対向基板１２の接着面側との間隙は、シール部４０及び接着部３０が設けられていない領域における表示パネル１１０の素子基板１１と対向基板１２が対向する領域において、素子基板１１の一面側に形成された画素アレイ１１１の上面に対向基板１２が接触しないように、所定の値で、かつ、略均一に設定される。
【００２３】
なお、図１に示すように、素子基板１１上の画素アレイ１１１の周辺領域には、上記各画素ＰＩＸを駆動するための信号や電源を供給するための引き出し配線Ｌｒが設けられている。引き出し配線Ｌｒは一端側が画素アレイ１１１（各画素ＰＩＸ）に接続され、他端側が例えば素子基板１１の端部に設けられた接続端子ＴＭに接続されている。接続端子ＴＭは、例えばフィルム基板（フレキシブルプリント基板）ＦＰＣ等を介して、素子基板１１の外部に設けられた各種のドライバ（例えば選択ドライバ１２０やデータドライバ１３０；詳しくは後述する）、あるいは、これらの各ドライバ機能を備えたドライバチップに接続されている。
【００２４】
また、図２（ａ）、（ｂ）においては、素子基板１１上に、有機ＥＬ素子ＯＥＬの画素電極２１が直接形成された素子構造を示したが、本発明はこれに限定されるものではない。有機ＥＬ素子ＯＥＬは、例えば、素子基板１１上に図示を省略した絶縁膜（ゲート絶縁膜や層間絶縁膜等）を介して画素電極２１が形成された素子構造を有するものであってもよい。また、図２（ａ）、（ｂ）においては、素子基板１１上の有機ＥＬ素子ＯＥＬの対向電極２３が露出した状態で、対向基板１２により封止されたパネル構造を示したが、本発明はこれに限定されるものではない。表示パネル１１０は、有機ＥＬ素子ＯＥＬを含む画素アレイ１１１を、例えばシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等を有する保護層（保護絶縁膜）により被覆した状態で、素子基板１１に対向基板１２を対向するように接合及び接着した構造を有するものであってもよい。
【００２５】
さらに、図２（ａ）、（ｂ）においては、図示の都合上、画素アレイ１１１として、素子基板１１の一面側に、有機ＥＬ素子ＯＥＬと、絶縁膜２４及び隔壁２５のみが設けられた構成を示したが、有機ＥＬ素子ＯＥＬを発光駆動するための配線や能動素子（薄膜トランジスタ等）が適宜設けられているものであってもよい。なお、表示パネルの具体例については後述する。
【００２６】
（表示パネルの製造方法）
次に、本実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの製造方法について説明する。ここで、本実施形態においては、各画素ＰＩＸに設けられる有機ＥＬ素子ＯＥＬから放射された光が対向基板１２を透過して発光面側（図２の上面側）に出射されるトップエミッション型の表示パネル１１０について説明するが、有機ＥＬ素子ＯＥＬから放射された光が素子基板１１を透過して発光面側（図２の下面側）に出射されるボトムエミッション型の表示パネルであってもよい。
【００２７】
図３は、本実施形態に係る表示パネルの製造方法の一例を示す工程断面図である。ここでは、図２（ａ）に示した断面構造を有する表示パネルについて製造方法を説明する。
上述した表示パネル１１０の製造方法は、まず、図３（ａ）に示すように、素子基板１１の一面側（図面上面側）に、画素アレイ１１１の各画素ＰＩＸに含まれる有機ＥＬ素子ＯＥＬを形成する。有機ＥＬ素子ＯＥＬは、素子基板１１上に、画素電極２１と、例えば正孔輸送層、発光層及び電子輸送層を有する有機ＥＬ層（発光機能層）２２と、対向電極２３を順次積層することにより形成される。
【００２８】
具体的には、素子基板１１の一面側に、画素ＰＩＸの形成領域ごとに有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード電極となる画素電極２１と画素電極２１に接続されて有機ＥＬ素子ＯＥＬを駆動するための薄膜トランジスタ等を有する発光駆動回路ＤＣを形成する。次いで、発光駆動回路ＤＣを覆い、隣接する画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＥＬ相互を電気的に絶縁するとともに、個別の発光特性を設定するために、画素ＰＩＸの境界領域に絶縁膜２４及び隔壁２５を形成する。ここで、隔壁２５は、素子基板１１表面から対向基板１２方向に突出するように、例えば感光性の絶縁材料であるポリイミド系の樹脂材料により形成される。これにより、隔壁２５は、後述する有機ＥＬ層２２の形成工程において、隣接する画素ＰＩＸ間で、有機化合物含有液の漏出や乗り越えを抑制して、隣接画素相互の混色を防止する。
【００２９】
次いで、各画素ＰＩＸの形成領域において、絶縁膜２４及び隔壁２５に被覆されず、露出する画素電極２１上に、インクジェット法やノズルプリンティング法等を用いて、有機高分子系の正孔輸送性材料を含む溶液（有機化合物含有液）を塗布し、加熱乾燥して正孔輸送層を形成する。次いで、正孔輸送層が形成された画素電極２１上に、上記と同様の手法を用いて、有機高分子系の発光材料を含む溶液（有機化合物含有液）を塗布し、加熱乾燥して発光層を形成する。さらに、発光層が形成された画素電極２１上に、上記と同様の手法を用いて、有機高分子系の電子輸送性材料を含む溶液（有機化合物含有液）を塗布し、加熱乾燥して電子輸送層を形成する。この一連の工程により、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層が積層された有機ＥＬ層２２が形成される。次いで、画素アレイ１１１に配列された各画素ＰＩＸに共通するように、単一の電極層（べた電極）からなる対向電極２３を形成する。ここで、対向電極２３は、図３（ａ）に示すように、各画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＥＬの形成領域だけでなく、画素ＰＩＸ間の境界領域に形成された隔壁２５上にも延在するように設けられている。
【００３０】
有機ＥＬ素子ＯＥＬがトップエミッション型の発光構造を有している場合には、画素電極２１は、例えばアルミニウム等の光反射率が高い金属膜により形成され、対向電極２３は、例えば錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）等からなる透明電極膜により形成される。また、有機ＥＬ素子ＯＥＬがボトムエミッション型の発光構造を有する場合には、画素電極２１は、例えば錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）等からなる透明電極膜により形成され、対向電極２３は、例えばアルミニウム等の光反射率が高い金属膜により形成される。
【００３１】
次いで、図１、図３（ｂ）に示すように、素子基板１１の画素アレイ１１１の外周領域に、所定の粒径を有するフィラー４１が拡散された、光硬化性あるいは熱硬化性の粘着材を塗布して粘着材層４２ｘを塗布して形成する。また、素子基板１１の画素アレイ１１１内の隔壁２５上面に（厳密には、隔壁２５の上面に形成された対向電極２３上に）、印刷法や転写法等を用いて、所定の厚みの光硬化性あるいは熱硬化性の樹脂層（接着性を有する接着材層）３１ｘを形成する。ここで、隔壁２５上に形成される樹脂層３１ｘの厚みは、素子基板１１表面から当該樹脂層３１ｘの上面までの寸法が、画素アレイ１１１の外周領域に形成される粘着材層４２ｘに拡散されるフィラー４１の粒径（直径）と同等、もしくは、フィラー４１の粒径よりも僅かに大きくなるように、隔壁２５の突出高さに応じて適切に設定される。
【００３２】
次いで、図３（ｂ）に示すように、素子基板１１の一面側に対向基板１２を対向するように貼り合わせる。このとき、素子基板１１に対して対向基板１２が所定の力で押圧されることにより、画素アレイ１１１の外周領域に形成された粘着材層４２ｘ中のフィラー４１、及び、画素アレイ１１１内の隔壁２５上に形成された樹脂層３１ｘが撓む。これにより、画素アレイ１１１の外周領域においては、粘着材層４２ｘが素子基板１１の一面側及び対向基板１２の接着面側の双方の表面に接着される。また、同時に、画素アレイ１１１内の隔壁２５及び対向基板１２の接着面側の双方の表面に、樹脂層３１ｘが接着される。
【００３３】
次いで、画素アレイ１１１の外周領域に形成された粘着材層４２ｘ中のフィラー４１の撓みをなくした状態（あるいは、当該撓みがなくなる程度の力で対向基板１２を押圧した状態）で、図３（ｃ）に示すように、対向基板１２が貼り合わせられた素子基板１１に対して、所定の波長の光（例えば紫外線）ＵＶを照射、あるいは、所定の温度で熱処理することにより、粘着材層４２ｘ及び樹脂層３１ｘを硬化させる。これにより、粘着材層４２ｘ及び樹脂層３１ｘは、各々、素子基板１１と対向基板１２の双方に接着して硬化する。すなわち、図２（ａ）に示したように、画素アレイ１１１の外周領域においては、硬化した粘着材層４２ｘによる粘着材４２を介して、また、画素アレイ１１１内の隔壁２５上においては、硬化した樹脂層３１ｘによる接着層３１を介して、素子基板１１及び対向基板１２が固着され、素子基板１１上の画素アレイ１１１が対向基板１２及びフィラー４１入り粘着材４２により形成される封止空間５０内に封止される。このとき、素子基板１１と対向基板１２間のギャップ（間隙）は、画素アレイ１１１の外周領域においては、フィラー４１の粒径に基づいて設定され、また、画素アレイ１１１内においては、接着層３１の厚みに基づいて設定される。ここで、上述した樹脂層３１ｘの形成工程において説明したように、接着層３１となる樹脂層３１ｘの厚みは、画素アレイ１１１の外周領域に塗布されるフィラー４１の粒径に基づいて設定される。したがって、接着層３１も、画素アレイ１１１内における素子基板１１と対向基板１２間のギャップが、外周領域におけるギャップ（フィラー４１の粒径）と同等になるように、その厚みが調整されて硬化する。なお、図３（ｃ）に示した封止工程は、例えば、所定の気圧の不活性ガス雰囲気中で行われる。
【００３４】
このように、本実施形態においては、素子基板１１の画素アレイ１１１の外周領域においてはフィラー４１が拡散された粘着材４２を介して、また、画素アレイ１１１内においては隔壁２５上の接着層３１を介して、素子基板１１に対向基板１２が接着される。これにより、本実施形態においては、素子基板１１と対向基板１２との間のギャップ（間隙）が画素アレイ１１１の略全域で均一化されるとともに、素子基板１１と対向基板１２とが強固に接着される。
【００３５】
したがって、本実施形態によれば、素子基板１１に対向基板１２を貼り合わせる工程において、対向基板１２を素子基板１１側に押圧したときや、本実施形態に係る表示パネル１１０を搭載した電子機器において、使用時に外部から表示パネル１１０に押圧力が加えられたとき、また、表示パネル自体に熱等に起因する歪みが生じたときであっても、対向基板１２が素子基板１１の画素アレイ１１１に直接接触することを回避することができる。また、外部から表示パネル１１０に押圧力が加えられたような場合であっても、樹脂材料等の比較的弾性の高い隔壁２５及び接着層３１を介して、素子基板１１と対向基板１２が接着されているので、素子基板１１上の画素アレイ１１１（各画素ＰＩＸ）内に生じる歪みを抑制することができる。それ故、本実施形態によれば、有機ＥＬ素子ＯＥＬや他の能動素子、配線等の破損や特性劣化、封止破損の発生を防止又は抑制することができ、製造歩留まりや品質の向上を図ることができる。
【００３６】
また、本実施形態によれば、特に、表示パネル１１０（有機ＥＬ素子ＯＥＬ）がトップエミッション型の発光構造を有している場合、上述したような押圧力により素子基板１１と対向基板１２間のギャップ（間隙）が不均一になる現象を抑制することができるので、有機ＥＬ素子ＯＥＬからの出射光の経路（角度及び距離）が均一化されて画像のにじみやぼけの発生を抑制して、良好な画質を実現することができる。このような本実施形態における作用効果は、素子基板１１に対向基板１２を接合するパネル構造を有する表示パネル全般において有効であるが、基板の変形が生じやすく、強度が重要視される大型の表示パネルにおいて特に有効である。
【００３７】
なお、上述した製造方法（図３参照）においては、画素アレイ１１１内に設けられる接着層３１となる樹脂層３１ｘを、素子基板１１側の隔壁２５上に形成した後、対向基板１２を貼り合わせて、樹脂層３１ｘを光硬化又は熱硬化させる工程について説明した。本実施形態は、この製造方法に限定されるものではなく、以下に示すように、例えば対向基板１２の接着面側に樹脂層３１ｘを形成した後、当該対向基板１２を画素アレイ１１１が形成された素子基板１１に貼り合わせて、樹脂層３１ｘを光硬化又は熱硬化させる工程を適用するものであってもよい。
【００３８】
図４は、本実施形態に係る表示パネルの製造方法の他の例を示す工程断面図である。ここで、上述した製造方法（図３参照）と同等の工程については、説明を簡略化する。
本実施形態に係る表示パネルの製造方法の他の例は、図４（ｂ）に示すように、素子基板１１の画素アレイ１１１の外周領域に、所定の粒径を有するフィラー４１が拡散された粘着材層４２ｘを塗布して形成する。また、対向基板１２の接着面側であって、かつ、画素アレイ１１１内の隔壁２５の形成領域（すなわち、画素ＰＩＸ間の境界領域）に対応する領域に、印刷法や転写法等を用いて、所定の厚みの樹脂層３１ｘを形成する。次いで、当該対向基板１２を、素子基板１１の一面側に対向するように貼り合わせ、図４（ｃ）に示すように、紫外線ＵＶを照射、あるいは、熱処理することにより、画素アレイ１１１の外周領域の粘着材層４２ｘ、及び、画素アレイ１１１内の樹脂層３１ｘを硬化させる。これにより、素子基板１１と対向基板１２が接着層３１を介して、略均一なギャップ（間隙）で接着されるとともに、画素アレイ１１１の外周領域及び内部において強固に接着される。
【００３９】
＜第２の実施形態＞
次に、本発明に係る表示装置に適用される表示パネルの第２の実施形態について説明する。ここで、上述した第１の実施形態と同等の構成については説明を簡略化する。
図５は、第２の実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの要部構成を示す概略断面図である。図５は、図２（ａ）、（ｂ）と同様に、図１に示した表示パネルにおけるIIＡ−IIＡ線に沿った断面を示す図である。なお、上述した第１及び第２の実施形態と同等の構成については同一の符号を付して示す。
【００４０】
上述した第１の実施形態においては、表示パネル１１０を構成する素子基板１１と対向基板１２とのギャップを均一化するとともに、素子基板１１と対向基板１２を強固に接着するための接着層３１を、素子基板１１側に形成される隔壁２５上の対向電極２３上面に直接接着、又は、直接形成したパネル構造について説明した。第２の実施形態に係る表示パネル１１０においては、図５に示すように、上記の接着層３１を、素子基板１１側に形成される隔壁２５上の対向電極２３を部分的に除去して、露出した隔壁２５上面に直接形成、又は、直接接着したパネル構造を有している。
【００４１】
すなわち、本実施形態においては、図５（ａ）に示すように、素子基板１１と対向基板１２は、画素アレイ１１１の外周領域のシール部４０においては、上述した第１及び第２の実施形態と同様に、フィラー４１入り粘着材４２を介して接合される。一方、画素アレイ１１１内の接着部３０においては、素子基板１１と対向基板１２は、図５に示すように、対向電極２３を部分的に除去して形成された開口部２３ｃ内に露出する隔壁２５の上面に直接接着された接着層３１を介して接着されている。ここで、接着層３１は、上述した第１の実施形態と同様に、光硬化性あるいは熱硬化性の接着性を有する樹脂材料を硬化させることにより形成される。これにより、素子基板１１と対向基板１２との間のギャップ（間隙）が画素アレイ１１１の略全域で均一化されるとともに、素子基板１１と対向基板１２とが強固に接着される。特に、本実施形態においては、隔壁２５として、例えば感光性の絶縁材料であるポリイミド系の樹脂材料を適用することにより、光硬化性あるいは熱硬化性の樹脂材料を有する接着層３１との接着性を向上させることができるので、素子基板１１と対向基板１２とをより強固に接着することができる。なお、上記図５（ａ）に示した構成においては、接着層３１が開口部２３ｃ内に設けられるものとしたが、これに限るものではなく、図５（ｂ）に示すように、接着層３１が開口部２３ｃより広い領域に設けられ、接着層３１の一部の開口部２３ｃに対応する領域で、接着層３１が隔壁２５の上面に直接接着されるようにしたものであってもよい。
【００４２】
次に、本実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの製造方法について説明する。
図６は、本実施形態に係る表示パネルの製造方法の一例を示す工程断面図である。図７は、本実施形態に係る表示パネルの製造方法の他の例を示す工程断面図である。
図５に示した断面構造を有する表示パネル１１０の製造方法は、まず、図６（ａ）に示すように、一面側に有機ＥＬ素子ＯＥＬを含む画素アレイ１１１が形成された素子基板１１において、画素アレイ１１１内の隔壁２５上の対向電極２３を、レーザアブレーション法やリフトオフ法等を用いて部分的に除去して、隔壁２５の上面が露出する開口部２３ｃを形成する。ここで、レーザアブレーション法においては、高強度、短パルス、短波長のレーザを無機、有機物あるいは金属等からなる対向電極２３の表面に照射することにより、吸収熱による蒸発やプラズマを伴って表面相が剥離される。また、リフトオフ法においては、光剥離材を積層形成した隔壁２５上に対向電極２３を形成した後、所定の波長の光を照射することにより、光剥離材からガスが発生して、光剥離材が形成された領域の対向電極２３が除去される。次いで、図６（ｂ）に示すように、素子基板１１の画素アレイ１１１の外周領域に、フィラー４１入り粘着材層４２ｘを塗布して形成する。また、上記開口部２３ｃ内に露出する隔壁２５の上面に直接接着するように、印刷法や転写法等を用いて、所定の厚みの樹脂層３１ｘを形成する。ここで、隔壁２５上に直接形成される樹脂層３１ｘの厚みは、素子基板１１表面から当該樹脂層３１ｘの上面までの寸法が、画素アレイ１１１の外周領域に形成される粘着材層４２ｘに拡散されるフィラー４１の粒径（直径）と同等、もしくは、フィラー４１の粒径よりも僅かに大きくなるように、隔壁２５の突出高さに応じて適切に設定される。次いで、素子基板１１の一面側に対向基板１２を、対向するように貼り合わせ、図６（ｃ）に示すように、紫外線ＵＶを照射、あるいは、熱処理することにより、画素アレイ１１１の外周領域の粘着材層４２ｘ、及び、画素アレイ１１１内の樹脂層３１ｘを硬化させる。
【００４３】
これにより、素子基板１１と対向基板１２がフィラー４１入り粘着材４２及び接着層３１を介して、略均一なギャップ（間隙）で接着されるとともに、画素アレイ１１１の外周領域及び内部において強固に接合される。したがって、本実施形態においても、表示パネル１１０に押圧力が印加された場合や、歪みが生じた場合であっても、素子や配線の破損、特性劣化の発生を防止して、製造歩留まりや品質の向上を図ることができる。
【００４４】
また、図５に示した断面構造を有する表示パネル１１０の製造方法の他の例は、まず、図７（ａ）に示すように、上記図６（ａ）と同様に、素子基板１１における画素アレイ１１１内の隔壁２５上の対向電極２３を、レーザアブレーション法やリフトオフ法等を用いて部分的に除去して、隔壁２５の上面が露出する開口部２３ｃを形成する。また、図７（ｂ）に示すように、素子基板１１の画素アレイ１１１の外周領域に、フィラー４１入り粘着材層４２ｘを塗布して形成する。次いで、対向基板１２の接着面側であって、かつ、画素アレイ１１１内の対向電極２３に形成された開口部２３ｃに対応する領域に、印刷法や転写法等を用いて、所定の厚みの樹脂層３１ｘを形成する。次いで、当該対向基板１２を、素子基板１１の一面側に対向するように貼り合わせ、図７（ｃ）に示すように、紫外線ＵＶを照射、あるいは、熱処理することにより、画素アレイ１１１の外周領域の粘着材層４２ｘ、及び、画素アレイ１１１内の樹脂層３１ｘを硬化させる。これにより、素子基板１１と対向基板１２がフィラー４１入り粘着材４２及び接着層３１を介して、略均一なギャップ（間隙）で接着されるとともに、画素アレイ１１１の外周領域及び内部において強固に接合される。
【００４５】
＜第３の実施形態＞
次に、本発明に係る表示装置に適用される表示パネルの第３の実施形態について説明する。ここで、上述した第１乃至第２の実施形態と同等の構成については説明を簡略化する。
図８は、第３の実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの要部構成を示す概略断面図である。図８（ａ）、（ｂ）は、図２（ａ）、（ｂ）と同様に、図１に示した表示パネルにおけるIIＡ−IIＡ線に沿った断面を示す図である。なお、上述した第１乃至第３の実施形態と同等の構成については同一の符号を付して示す。
【００４６】
上述した第１及び第２の実施形態においては、表示パネル１１０を構成する素子基板１１と対向基板１２とのギャップを均一化するとともに、素子基板１１と対向基板１２を強固に接着するための手段として、光硬化性あるいは熱硬化性の樹脂材料のみを有する接着層３１を適用した場合について説明した。第３の実施形態に係る表示パネル１１０においては、図８（ａ）、（ｂ）に示すように、上記と同様の樹脂材料にフィラー３４を入れたものからなる、フィラー３４入りの接着層３５を適用したパネル構造を有している。
【００４７】
すなわち、本実施形態においては、図８（ａ）に示すように、素子基板１１と対向基板１２は、画素アレイ１１１の外周領域のシール部４０においては、上述した第１乃至第３の実施形態と同様に、フィラー４１入り粘着材４２を介して接着される。一方、画素アレイ１１１内の接着部３０においては、素子基板１１と対向基板１２は、図８（ａ）に示すように、所定の粒径（直径）を有するフィラー３４が拡散され、光硬化性あるいは熱硬化性の樹脂材料を有する接着層３５（フィラー３４入り接着層３５）を介して接着されている。これにより、素子基板１１と対向基板１２との間のギャップ（間隙）が画素アレイ１１１の略全域で均一化されるとともに、素子基板１１と対向基板１２とが強固に接着される。特に、本実施形態においては、画素アレイ１１１内の隔壁２５上面に形成されるフィラー３４入り接着層３５のフィラー３４の粒径（直径）を予め設定することにより、素子基板１１の表面からの高さ（すなわち、素子基板１１表面からフィラー３４入り接着層３５の上面までの寸法）を比較的精度良く設定することができるので、素子基板１１と対向基板１２との間のギャップをより均一化することができる。
【００４８】
なお、本実施形態に係る表示パネル１１０は、図８（ａ）に示したようなパネル構造に限らず、図８（ｂ）に示すように、フィラー３４入り接着層３５が、素子基板１１側に形成される隔壁２５上の対向電極２３を部分的に除去して形成された開口部２３ｃ内に露出する隔壁２５の上面に直接接着されたパネル構造を有するものであってもよい。
【００４９】
この場合においても、素子基板１１と対向基板１２との間のギャップ（間隙）を、接着層３５に拡散されるフィラー３４の粒径（直径）に基づいて比較的精度良く設定することができるので、当該ギャップをより均一化することができる。また、隔壁２５として、例えば感光性の絶縁材料であるポリイミド系の樹脂材料を適用することにより、光硬化性あるいは熱硬化性の樹脂材料を有する接着層３５との接着性を向上させることができるので、素子基板１１と対向基板１２とをより強固に接着することができる。
【００５０】
次に、本実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの製造方法について説明する。
図９は、本実施形態に係る表示パネルの製造方法の一例を示す工程断面図である。図１０は、本実施形態に係る表示パネルの製造方法の他の例を示す工程断面図である。図９、図１０においては、図８（ａ）に示した断面構造を有する表示パネルの製造方法を示すが、図８（ｂ）に示した断面構造を有する表示パネルにおいても、上述した第２の実施形態を参照して、同様の製造方法を適用することができる。
【００５１】
図８（ａ）に示した断面構造を有する表示パネル１１０の製造方法は、まず、図９（ａ）に示すように、一面側に有機ＥＬ素子ＯＥＬを含む画素アレイ１１１が形成された素子基板１１において、図９（ｂ）に示すように、素子基板１１の画素アレイ１１１の外周領域に、フィラー４１入り粘着材層４２ｘを塗布して形成する。また、画素アレイ１１１内の隔壁２５上に、印刷法や転写法、塗布法等を用いて、所定の粒径を有するフィラー３４が拡散された接着材層３５ｘを形成する。ここで、隔壁２５上に形成される接着材層３５ｘに拡散されるフィラー３４の粒径（直径）は、素子基板１１表面から当該フィラー３４入り接着材層３５ｘの上面までの寸法が、画素アレイ１１１の外周領域に形成される粘着材層４２ｘに拡散されるフィラー４１の粒径（直径）と同等、もしくは、フィラー４１の粒径よりも僅かに大きくなるように、隔壁２５の突出高さに応じて適切に設定される。次いで、素子基板１１の一面側に対向基板１２を、対向するように貼り合わせ、図９（ｃ）に示すように、紫外線ＵＶを照射、あるいは、熱処理することにより、画素アレイ１１１の外周領域の粘着材層４２ｘ、及び、画素アレイ１１１内の接着材層３５ｘを硬化させる。
【００５２】
これにより、素子基板１１と対向基板１２がフィラー４１入り粘着材４２及びフィラー３４入り接着層３５を介して、略均一なギャップ（間隙）で接着されるとともに、画素アレイ１１１の外周領域及び内部において強固に接着される。したがって、本実施形態においても、表示パネル１１０に押圧力が印加された場合や、歪みが生じた場合であっても、素子や配線の破損、特性劣化の発生を防止して、製造歩留まりや品質の向上を図ることができる。
【００５３】
また、図８（ａ）に示した断面構造を有する表示パネル１１０の製造方法の他の例は、図１０（ｂ）に示すように、素子基板１１の画素アレイ１１１の外周領域に、フィラー４１入り粘着材層４２ｘを塗布して形成する。また、対向基板１２の接着面側であって、かつ、画素アレイ１１１内の対向電極２３に形成された開口部２３ｃに対応する領域に、印刷法や転写法、塗布法等を用いて、所定の粒径を有するフィラー３４が拡散された接着材層３５ｘを形成する。次いで、当該対向基板１２を、素子基板１１の一面側に対向するように貼り合わせ、図１０（ｃ）に示すように、紫外線ＵＶを照射、あるいは、熱処理することにより、画素アレイ１１１の外周領域の粘着材層４２ｘ、及び、画素アレイ１１１内の接着材層３５ｘを硬化させる。これにより、素子基板１１と対向基板１２がフィラー４１入り粘着材４２及びフィラー３４入り接着層３５を介して、略均一なギャップ（間隙）で接着されるとともに、画素アレイ１１１の外周領域及び内部において強固に接着される。
【００５４】
＜第４の実施形態＞
次に、本発明に係る表示装置に適用される表示パネルの第４の実施形態について説明する。ここで、上述した第１乃至第３の実施形態と同等の構成については説明を簡略化する。
図１１は、第４の実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの要部構成を示す概略断面図である。図１１は、図２（ａ）と同様に、図１に示した表示パネルにおけるIIＡ−IIＡ線に沿った断面を示す図である。なお、上述した第１乃至第３の実施形態と同等の構成については同一の符号を付して示す。
【００５５】
上述した第１乃至第３の実施形態においては、表示パネル１１０を構成する素子基板１１と対向基板１２とのギャップを均一化するとともに、素子基板１１と対向基板１２を強固に接着するため手段として、光硬化性あるいは熱硬化性の樹脂材料を有する接着層３１、又は、接着層３５を適用したパネル構造について説明した。第４の実施形態においては、トップエミッション型の発光構造を有する表示パネル１１０の接着部３０が遮光性を有していることを特徴とする。
【００５６】
本実施形態に係る表示パネル１１０は、例えば図１１に示すように、接着部３０において素子基板１１と対向基板１２を接着するための手段として、接着層３１、又は、接着層３５に替えて、光硬化性あるいは熱硬化性の樹脂材料からなり、接着性を有し、かつ、遮光性を有する接着層３６を適用したパネル構造を有する。ここで、接着層３６は、例えば、上述した第１の実施形態に示したような接着層３１の樹脂材料に不透明な色素を添加することにより形成することができる。本実施形態においては、接着部３０の接着層３６が遮光性を有していることにより、トップエミッション型の発光構造を有する表示パネルにおいて、外光の反射に起因する表示画像の視認性の劣化を抑制して、良好な画質の表示装置を実現することができる。
【００５７】
次に、上述した各実施形態に示した表示パネルが適用される表示装置と画素の具体例について、図面を参照して説明する。なお、以下に示す表示装置は、アクティブマトリクス駆動方式に対応した構成を有する場合について説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。本発明は、例えばパッシブマトリクス駆動方式等、他の駆動方式に対応した表示装置に適用されるものであってもよい。
【００５８】
＜表示装置への適用例と画素の具体例＞
次に、上述した各実施形態に示した表示パネル（発光パネル）が適用される表示装置（発光装置）と画素の具体例について、図面を参照して説明する。
（第１の適用例）
図１２は、本発明に係る表示パネル（発光パネル）を適用した表示装置の第１の具体例を示す概略構成図である。図１２（ａ）は、本適用例に係る表示装置を示す概略ブロック図であり、図１２（ｂ）は、本適用例に係る表示装置に適用される画素の等価回路図である。なお、ここでは、上述した各実施形態に示した各図（図１〜図１１）を適宜参照しながら説明する。
【００５９】
図１２（ａ）に示すように、第１の適用例に係る表示装置（発光装置）１００は、概略、上述した各実施形態に示した表示パネル（発光パネル）１１０と、表示パネル１１０に配列された各画素ＰＩＸを選択状態に設定するための選択ドライバ（選択駆動回路）１２０と、各画素ＰＩＸに画像データに応じた階調信号を供給するためのデータドライバ（信号駆動回路）１３０と、システムコントローラ１４０と、を備えている。
【００６０】
本適用例に係る表示パネル１１０に配列される画素ＰＩＸは、例えば図１２（ｂ）に示すように、発光駆動回路ＤＣと、電流駆動型の発光素子である有機ＥＬ素子ＯＥＬと、を備えている。発光駆動回路ＤＣは、画像データに応じた電流値の発光駆動電流を生成して、有機ＥＬ素子ＯＥＬに供給する。有機ＥＬ素子ＯＥＬは、発光駆動回路ＤＣから供給される発光駆動電流に基づいて、画像データに応じた輝度階調で発光する。
【００６１】
発光駆動回路ＤＣは、例えば図１２（ｂ）に示すように、トランジスタ（スイッチング素子）Ｔｒ１１、Ｔｒ１２とキャパシタＣｓとを備えている。トランジスタＴｒ１１は、ゲート端子が選択ラインＬｓに接続され、ドレイン端子がデータラインＬｄに接続され、ソース端子が接点Ｎ１１に接続されている。トランジスタＴｒ１２は、ゲート端子が接点Ｎ１１に接続され、ドレイン端子が高電位の電源電圧Ｖsaに接続され、ソース端子が接点Ｎ１２に接続されている。キャパシタＣｓは、トランジスタＴｒ１２のゲート端子（接点Ｎ１１）及びソース端子（接点Ｎ１２）間に接続されている。
【００６２】
また、有機ＥＬ素子（表示素子）ＯＥＬは、アノード（アノード電極；上述した画素電極２１）が上記発光駆動回路ＤＣの接点Ｎ１２に接続され、カソード（カソード電極；上述した対向電極２３）が所定の低電位電源（基準電圧Ｖsc；例えば接地電位Ｖgnd）に接続されている。
【００６３】
ここでは、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２はいずれも、ｎチャネル型の薄膜トランジスタを適用することができる。なお、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２がｐチャネル型であれば、ソース端子及びドレイン端子が互いに逆になる。また、キャパシタＣｓは、トランジスタＴｒ１２のゲート、ソース間に形成される寄生容量、又は、該ゲート、ソース間に付加的に設けられた補助容量、もしくは、これらの寄生容量と補助容量からなる容量成分である。
【００６４】
画素ＰＩＸに接続される選択ラインＬｓは、例えば表示パネル１１０の行方向（図１２（ａ）の左右方向）に配設されて、選択ドライバ１２０に接続されている。そして、選択ラインＬｓには、選択ドライバ１２０から選択レベル又は非選択レベルの選択電圧（選択信号）Ｖselが印加される。また、画素ＰＩＸに接続されるデータラインＬｄは、例えば表示パネル１１０の列方向（図１２（ａ）の上下方向）に配設されて、データドライバ１３０に接続されている。データラインＬｄには、データドライバ１３０から画像データに応じた階調電圧（階調信号）Ｖdataが印加される。
【００６５】
システムコントローラ１４０は、表示装置１００の外部から供給される画像データに基づいて、輝度階調データを含むデジタルデータからなる表示データを生成してデータドライバ１３０に供給する。また、コントローラ１４０は、画像データに基づいて生成又は抽出されるタイミング信号に基づいて、選択ドライバ１２０及びデータドライバ１３０の動作状態を制御して、表示パネル１１０における所定の画像表示動作を実行するための選択制御信号及びデータ制御信号を生成して出力する。
【００６６】
これにより、選択ドライバ１２０は、選択制御信号に基づいて、各行の選択ラインＬｓに所定のタイミングで選択レベルの選択電圧Ｖselを印加することにより、各行の画素ＰＩＸを選択状態に設定する。データドライバ１３０は、データ制御信号に基づいて、画像データに応じた階調電圧Ｖdataを生成して、各データラインＬｄを介して、選択状態に設定された画素ＰＩＸに供給する。
【００６７】
そして、このような回路構成を有する画素ＰＩＸを備えた表示装置における表示駆動動作を簡単に説明すると、まず、所定の選択期間に、選択ドライバ１２０から選択ラインＬｓに対して、選択レベル（ハイレベル）の選択電圧Ｖselを印加することにより、トランジスタＴｒ１１をオン動作させて、画素ＰＩＸを選択状態に設定する。このタイミングに同期して、データドライバ１３０から画像データに応じた電圧値の階調電圧ＶdataをデータラインＬｄに印加することにより、トランジスタＴｒ１１を介して接点Ｎ１１に、階調電圧Ｖdataに応じた電位が印加される。
【００６８】
これにより、トランジスタＴｒ１２が階調電圧Ｖdataに応じた導通状態でオン動作して、ドレイン、ソース間に所定の電流値の発光駆動電流が流れ、有機ＥＬ素子ＯＥＬは、階調電圧Ｖdata（すなわち画像データ）に応じた輝度階調で発光する。このとき、トランジスタＴｒ１２のゲート、ソース間に接続されたキャパシタＣｓには、接点Ｎ１１に印加された階調電圧Ｖdataに基づいて電荷が蓄積（充電）される。
【００６９】
次いで、上記選択期間終了後の非選択期間において、選択ドライバ１２０から選択ラインＬｓに対して、非選択レベル（ローレベル）の選択電圧Ｖselを印加することにより、トランジスタＴｒ１１をオフ動作させて、画素ＰＩＸを非選択状態に設定する。このとき、上記キャパシタＣｓに蓄積された電荷（すなわち、ゲート、ソース間の電位差）が保持されて、トランジスタＴｒ１２のゲート端子に階調電圧Ｖdataに相当する電圧が印加される。したがって、トランジスタＴｒ１２のドレイン、ソース間に上記の発光動作状態（選択期間）と同等の電流値の発光駆動電流が流れて、有機ＥＬ素子ＯＥＬは発光状態を継続する。そして、このような表示駆動動作を、表示パネル１１０に二次元配列された全ての画素ＰＩＸについて、例えば各行ごとに順次実行することにより、所望の画像情報が表示される。
【００７０】
次に、上述したような回路構成を有する画素（発光駆動回路及び有機ＥＬ素子）の具体的なデバイス構造（平面レイアウト及び断面構造）について説明する。ここでは、上述した実施形態と同様に、表示パネル１１０がトップエミッション型の発光構造を有する場合について示すが、ボトムエミッション型の発光構造を有するものであってもよい。
【００７１】
図１３は、本適用例に係る画素の一例を示す平面レイアウト図である。ここでは、図１２（ｂ）に示した発光駆動回路ＤＣの各トランジスタ及び配線等が形成された層を主に示し、各トランジスタの電極及び各配線層を明瞭にするために、便宜的にハッチングを施して示した。ここで、同じハッチングを施した電極及び配線層は同層に設けられている。また、図１４は、本適用例に係る画素の要部断面図である。ここでは、図１４は、図１３に示した平面レイアウトを有する画素におけるXIVＢ−XIVＢ線（本明細書においては図１３中に示したローマ数字の「１４」に対応する記号として便宜的に「XIV」を用いる。）に沿った断面を示す。
【００７２】
図１２（ｂ）に示した画素ＰＩＸは、具体的には、図１３、図１４に示すように、ガラス等の絶縁性の素子基板１１の一面側（図１４の上面側）に設定された画素形成領域Ｒpxごとに設けられている。この画素形成領域Ｒpxには、少なくとも、有機ＥＬ素子ＯＥＬの形成領域（ＥＬ素子形成領域）Ｒelと、隣接する画素ＰＩＸとの間の境界領域と、が設定されている。
【００７３】
図１３に示した画素ＰＩＸにおいて、画素形成領域Ｒpxの図面上方及び下方の縁辺領域には、各々、行方向（図面左右方向）に延在するように選択ラインＬｓ及び電源ラインＬａが配設されている。一方、画素形成領域Ｒpxの図面右方側の領域には、選択ラインＬｓ及び電源ラインＬａに直交して、列方向（図面上下方向）に延在するようにデータラインＬｄが配設されている。
【００７４】
また、図１３に示した表示パネル１１０においては、画素形成領域Ｒpx内のＥＬ素子形成領域Ｒelに開口部が設けられた隔壁２５が設けられている。すなわち、素子基板１１上に、行方向（図面左右方向）及び列方向（図面上下方向）に隣接して配列される各画素ＰＩＸ間の境界領域には、図１３、図１４に示すように、素子基板１１表面から突出する格子状の隔壁２５が設けられている。そして、この隔壁２５により囲まれ、かつ、画素電極２１が露出した領域（すなわち、上記開口部）がＥＬ素子形成領域Ｒelとして画定されている。
【００７５】
選択ラインＬｓは、例えば図１３、図１４に示すように、データラインＬｄ及び電源ラインＬａよりも下層側（素子基板１１側）に設けられている。選択ラインＬｓは、トランジスタＴｒ１１、トランジスタＴｒ１２のゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇと同層に設けられている。ここで、選択ラインＬｓは、図１３に示すように、トランジスタＴｒ１１のゲート電極Ｔｒ１１ｇと一体的に形成されている。
【００７６】
また、データラインＬｄは、例えば図１３、図１４に示すように、電源ラインＬａよりも下層側（素子基板１１側）に設けられている。データラインＬｄは、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄと同層に設けられている。ここで、データラインＬｄは、図１３に示すように、トランジスタＴｒ１１のドレイン電極Ｔｒ１１ｄと一体的に形成されている。
【００７７】
また、電源ラインＬａは、例えば図１３、図１４に示すように、後述するトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２及び選択ラインＬｓ、データラインＬｄを被覆する絶縁膜２４上に設けられている。電源ラインＬａは、図１３に示すように、下層の絶縁膜２４に設けられたコンタクトホールＨＬ１２を介して、トランジスタＴｒ１２のドレイン電極Ｔｒ１１ｄに直接接続されている。
【００７８】
また、図１３に示した画素ＰＩＸにおいては、発光駆動回路ＤＣに設けられるトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２が、例えば、データラインＬｄに沿って列方向（図面上下方向）に延在するように配置されている。具体的には、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のチャネルの幅方向が、データラインＬｄに平行に延在するように設定されている。また、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２は、いずれも図１４に示すような電界効果型の薄膜トランジスタ構造を有している。なお、以下のトランジスタＴｒ１１についての説明では、図示の都合上、図１４に示したトランジスタＴｒ１２の断面構造を参照しながら説明するものとする。
【００７９】
トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２は、図１３、図１４に示すように、素子基板１１上に形成されたゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇを被覆するようにゲート絶縁膜１３が設けられ、該ゲート絶縁膜１３上の、ゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇに対応する領域に半導体層ＳＭＣ（図１３では省略）が設けられている。また、半導体層ＳＭＣに形成されるチャネル領域上にはチャネル保護層ＢＬが設けられ、当該チャネル保護層ＢＬを挟んで対向するようにソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄが設けられている。ソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄと半導体層ＳＭＣとの間には不純物層ＯＨＭが設けられ、これにより、半導体層ＳＭＣとソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄが各々オーミック接続している。
【００８０】
そして、図１２（ｂ）に示した発光駆動回路ＤＣの回路構成に対応するように、トランジスタＴｒ１１は、図１３に示すように、ゲート電極Ｔｒ１１ｇが選択ラインＬｓと一体的に形成されている。また、ドレイン電極Ｔｒ１１ｄは、図１３に示すように、データラインＬｄと一体的に形成されている。また、ソース電極Ｔｒ１１ｓは、図１３に示すように、ゲート絶縁膜１３に設けられたコンタクトホールＨＬ１１を介して、トランジスタＴｒ１２のゲート電極Ｔｒ１２ｇに接続されている。ここで、コンタクトホールＨＬ１１は、図１２（ｂ）に示した発光駆動回路ＤＣの接点Ｎ１１に対応する。
【００８１】
また、トランジスタＴｒ１２は、図１３に示すように、ゲート電極Ｔｒ１２ｇがゲート絶縁膜１３に設けられたコンタクトホールＨＬ１１を介して、トランジスタＴｒ１１のソース電極Ｔｒ１１ｓに接続されている。また、ドレイン電極Ｔｒ１２ｄは、図１３に示すように、絶縁膜２４に設けられたコンタクトホールＨＬ１２を介して、電源ラインＬａに接続されている。また、ソース電極Ｔｒ１２ｓは、図１３、図１４に示すように、有機ＥＬ素子ＯＥＬの画素電極２１と一体的に形成されている。
【００８２】
有機ＥＬ素子ＯＥＬは、図１３、図１４に示すように、上記画素電極（アノード電極）２１と、有機ＥＬ層（発光機能層）２２と、対向電極（カソード電極）２３と、を順次積層した素子構造を有している。ここで、有機ＥＬ素子ＯＥＬがトップエミッション型の発光構造を有している場合には、例えば画素電極２１は、アルミニウム単体やアルミニウム合金等の光反射率の高い電極材料を含んで形成されている。また、対向電極２３は、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）等の透光性（高い光透過率）を有する透明な電極材料により形成されている。
【００８３】
画素電極２１は、図１３、図１４に示すように、トランジスタＴｒ１２のソース電極Ｔｒ１２ｓと一体的に形成されている。有機ＥＬ層２２は、図１３、図１４に示すように、素子基板１１上に突出して形成された隔壁２５に設けられた開口部により画定されるＥＬ素子形成領域Ｒelに露出する画素電極２１上に形成される。
【００８４】
対向電極２３は、素子基板１１上に二次元配列された各画素ＰＩＸの画素電極２１に対して、共通に対向するように、単一の電極層（べた電極）により形成されている。また、対向電極２３は、図１３、図１４に示すように、各画素ＰＩＸのＥＬ素子形成領域Ｒelだけでなく、当該ＥＬ素子形成領域Ｒelを画定する隔壁２５上にも延在するように設けられている。さらに、対向電極２３は、図示を省略したコンタクト部や引き出し配線を介して、低電位電源（基準電圧Ｖsc）に接続されている。
【００８５】
隔壁２５は、例えば図１３、図１４に示すように、素子基板１１上に配列された画素ＰＩＸ相互の境界領域に形成された絶縁膜２４、及び、当該絶縁膜２４上の電源ラインＬａを被覆する保護絶縁膜（図示を省略）を被覆するように、素子基板１１の表面から突出するように設けられている。隔壁２５には、上記有機ＥＬ素子ＯＥＬの画素電極２１が露出する開口部が設けられている。ここで、隔壁２５は、上述した各実施形態に示したように、例えば感光性の絶縁材料であるポリイミド系の樹脂材料により形成される。
【００８６】
そして、上述した発光駆動回路ＤＣ、有機ＥＬ素子ＯＥＬ及び隔壁２５が形成された素子基板１１の一面側には、ガラス等からなる透明な対向基板１２が素子基板１１と所定の間隙を有するように貼り合わされて封止されている。
【００８７】
このようなデバイス構造を有する画素ＰＩＸにおいて、本適用例においては、図１３、図１４に示すように、各画素ＰＩＸ間に設けられる隔壁２５上の任意の位置Ｐsetに、画素アレイ１１１内の素子基板１１側と対向基板１２側を接着するための接着部３０が設けられている。ここで、接着部３０は、上述した各実施形態に示した、接着層３１や、フィラー３４入り接着層３５又は遮光性を有する接着層３６の何れかにより構成されている。また、接着部３０が配置される位置Ｐsetは、隔壁２５上であれば特に限定するものではないが、上述した各実施形態に示したように、表示パネル１１０に外部から印加される押圧力等による薄膜トランジスタの素子破損や素子特性の変動、有機層や配線層、層間絶縁膜の剥離、配線間ショート、封止破損等を防止、抑制する観点を加味すると、極力、下層にトランジスタや、配線相互の交差、電極の重なり等がない領域（例えば図１３、図１４の位置Ｐset）の隔壁２５上に１乃至数カ所配置することが望ましい。また、本適用例においては、図１３に示す位置Ｐsetに配置される接着部３０の平面パターンについても特に限定するものではないが、例えば方形や円形を有するものであってもよいし、隔壁２５の平面パターンに沿って、図面上下方向や左右方向に延在する直線状の平面パターンを有するものであってもよい。
【００８８】
なお、本適用例においては、図１３、図１４に示したように、表示パネル１１０の画素アレイ１１１内の１画素のみに注目して説明したが、画素アレイ１１１内の全ての画素ＰＩＸの画素形成領域Ｒpxごとに、接着部３０を１乃至数カ所設けるものであってもよいし、数画素ＰＩＸからなる領域ごとに１乃至数カ所設けるものであってもよいし、表示パネル１１０のパネルサイズによっては、画素アレイ１１１全体に１乃至数カ所のみ設けるものであってもよい。
【００８９】
これにより、上述した各実施形態に示したように、表示パネル１１０に押圧力が加えられたり、歪みが生じたりした場合等であっても、対向基板１２が素子基板１１の画素アレイ１１１に直接接触することを回避することができる。また、表示パネル１１０に押圧力が加えられたり、歪みが生じたりした場合であっても、素子基板１１と対向基板１２が樹脂材料等からなる隔壁２５及び接着部３０を介して接着されているので、素子基板１１上の画素アレイ１１１（各画素ＰＩＸ）内における歪みを抑制することができる。したがって、有機ＥＬ素子ＯＥＬやトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２、キャパシタＣｓ、各配線等における破損や特性劣化、封止破損の発生を防止又は抑制することができ、製造歩留まりや品質の向上を図ることができる。
【００９０】
また、本適用例によれば、トップエミッション型の発光構造を有する表示パネル１１０（有機ＥＬ素子ＯＥＬ）において、上述したような押圧力や歪みにより素子基板１１と対向基板１２間の距離（基板間ギャップ）が不均一になる現象を抑制することができるので、有機ＥＬ素子ＯＥＬからの出射光の経路が均一化されて画像のにじみやぼけの発生を抑制して、良好な画質を実現することができる。
【００９１】
また、トップエミッション型の発光構造を有する表示パネル１１０（有機ＥＬ素子ＯＥＬ）において、遮光性を有する接着層３６による接着部３０を、画素アレイ１１１の各画素ＰＩＸ間の境界領域に設けられる隔壁２５の平面パターンに対応して、格子状やストライプ状の平面パターンを有するように設けることにより、当該接着部３０を、隔壁２５の下層に設けられるトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２や各配線による外光の反射を抑制するためのブラックマトリクスとして機能させることができる。したがって、外光の反射に起因する表示画像の視認性の劣化を抑制して、良好な画質の表示装置を実現することができる。
【００９２】
（第２の適用例）
図１５は、本発明に係る表示パネルを適用した表示装置の第２の具体例を示す概略構成図である。図１５（ａ）は、本適用例に係る表示装置を示す概略ブロック図であり、図１５（ｂ）は、本適用例に係る表示装置に適用される画素の等価回路図である。ここで、上述した第１の適用例と同等の構成については、同一又は同等の符号を付してその説明を簡略化する。
【００９３】
図１５（ａ）に示すように、第２の適用例に係る表示装置１００は、概略、上述した各実施形態に示した表示パネル（発光パネル）１１０と、選択ドライバ１２０と、データドライバ１３０と、システムコントローラ１４０と、電源ドライバ１５０と、を備えている。すなわち、本適用例に示す表示装置１００は、第１の適用例に示した表示装置１００に、電源ドライバ１５０を付加した構成を有している。
【００９４】
本適用例に係る表示パネル１１０に配列される画素ＰＩＸは、例えば図１５（ｂ）に示すように、上述した第１の適用例と同様に、発光駆動回路ＤＣと、有機ＥＬ素子ＯＥＬと、を備えている。発光駆動回路ＤＣは、例えば図１５（ｂ）に示すように、トランジスタＴｒ２１〜Ｔｒ２３とキャパシタＣｓとを備えている。トランジスタＴｒ２１は、ゲート端子が選択ラインＬｓに接続され、ドレイン端子が電源ラインＬａに接続され、ソース端子が接点Ｎ２１に接続されている。トランジスタＴｒ２２は、ゲート端子が選択ラインＬｓに接続され、ソース端子がデータラインＬｄに接続され、ドレイン端子が接点Ｎ２２に接続されている。トランジスタＴｒ２３は、ゲート端子が接点Ｎ２１に接続され、ドレイン端子が電源ラインＬａに接続され、ソース端子が接点Ｎ２２に接続されている。キャパシタＣｓは、トランジスタＴｒ２３のゲート端子（接点Ｎ２１）及びソース端子（接点Ｎ２２）に接続されている。
【００９５】
また、有機ＥＬ素子ＯＥＬは、アノード（アノード電極；画素電極２１）が上記発光駆動回路ＤＣの接点Ｎ２２に接続され、カソード（カソード電極；対向電極２３）が所定の低電位電源（基準電圧Ｖsc；例えば接地電位Ｖgnd）に接続されている。
【００９６】
ここで、本適用例においても、トランジスタＴｒ２１〜Ｔｒ２３はいずれも、ｎチャネル型の薄膜トランジスタを適用することができる。また、キャパシタＣｓは、トランジスタＴｒ２３のゲート、ソース間に形成される寄生容量、又は、該ゲート、ソース間に付加的に設けられた補助容量、もしくは、これらの寄生容量と補助容量からなる容量成分である。
【００９７】
画素ＰＩＸに接続される電源ラインＬａは、例えば表示パネル１１０の行方向（図１５（ａ）の左右方向）に配設されて、電源ドライバ１５０に接続されている。電源ドライバ１５０は、コントローラ１４０から供給される電源制御信号に基づいて、所定のタイミングで電源ラインＬａに発光レベル又は非発光レベルの電源電圧Ｖsaを印加する。
【００９８】
そして、このような回路構成を有する画素ＰＩＸを備えた表示装置における表示駆動動作を簡単に説明すると、まず、選択期間に、選択ドライバ１２０から選択ラインＬｓに対して、選択レベル（ハイレベル）の選択電圧Ｖselを印加するとともに、電源ドライバ１５０から電源ラインＬａに非発光レベル（基準電圧Ｖsc以下の電圧レベル；例えば負電圧）の電源電圧Ｖsaを印加することにより、トランジスタＴｒ２１、Ｔｒ２２をオン動作させて、画素ＰＩＸを選択状態に設定する。このタイミングに同期して、データドライバ１３０から画像データに応じた負の電圧値の階調電圧ＶdataをデータラインＬｄに印加することにより、トランジスタＴｒ２２を介して接点Ｎ２２に、階調電圧Ｖdataに応じた電位が印加される。
【００９９】
これにより、トランジスタＴｒ２３がオン動作して、トランジスタＴｒ２３のゲート、ソース間に生じた電位差に応じた書込電流が、電源ラインＬａからトランジスタＴｒ２３、接点Ｎ２２、トランジスタＴｒ２２を介してデータラインＬｄ方向に流れる。このとき、トランジスタＴｒ２３のゲート、ソース間に接続されたキャパシタＣｓには、接点Ｎ２１及びＮ２２間に生じた電位差に応じた電荷が蓄積される。
【０１００】
ここで、電源ラインＬａには、基準電圧Ｖsc以下の電源電圧Ｖsaが印加され、さらに、書込電流が画素ＰＩＸからデータラインＬｄ方向に引き抜くように設定されている。これにより、有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード（接点Ｎ２２）に印加される電位は、カソードの電位（基準電圧Ｖsc）よりも低くなるため、有機ＥＬ素子ＯＥＬには電流が流れず、有機ＥＬ素子ＯＥＬは発光しない（非発光動作）。そして、このような書込動作を、表示パネル１１０に二次元配列された全ての画素ＰＩＸについて、各行ごとに順次実行する。
【０１０１】
次いで、上記選択期間終了後の非選択期間において、選択ドライバ１２０から選択ラインＬｓに対して、非選択レベル（ローレベル）の選択電圧Ｖselを印加することにより、トランジスタＴｒ２１、Ｔｒ２２をオフ動作させて、画素ＰＩＸを非選択状態に設定する。このとき、上記キャパシタＣｓに蓄積された電荷（すなわち、ゲート、ソース間の電位差）が保持されるので、トランジスタＴｒ２３はオン状態を維持する。そして、電源ドライバ１５０から電源ラインＬａに発光レベル（基準電圧Ｖscよりも高い電圧レベル）の電源電圧Ｖsaを印加することにより、電源ラインＬａからトランジスタＴｒ２３、接点Ｎ２２を介して、有機ＥＬ素子ＯＥＬに所定の発光駆動電流が流れる。
【０１０２】
ここで、キャパシタＣｓに蓄積される電荷（電圧成分）は、トランジスタＴｒ２３において階調電圧Ｖdataに対応する書込電流を流す場合の電位差に相当するので、有機ＥＬ素子ＯＥＬに流れる発光駆動電流は、当該書込電流と略同等の電流値となる。これにより、各画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＥＬは、書込動作時に書き込まれた画像データ（階調電圧Ｖdata）に応じた輝度階調で発光し、表示パネル１１０に所望の画像情報が表示される。
【０１０３】
次に、上述したような回路構成を有する画素（発光駆動回路及び有機ＥＬ素子）の具体的なデバイス構造（平面レイアウト及び断面構造）について説明する。ここでも、上述した実施形態と同様に、表示パネル１１０がトップエミッション型の発光構造を有する場合について示すが、ボトムエミッション型の発光構造を有するものであってもよい。
【０１０４】
図１６は、本適用例に係る画素の一例を示す平面レイアウト図である。ここでは、図１５（ｂ）に示した発光駆動回路ＤＣの各トランジスタ及び配線等が形成された層を主に示し、各トランジスタの電極及び各配線層を明瞭にするために、便宜的にハッチングを施して示した。ここで、同じハッチングを施した電極及び配線層は同層に設けられている。また、図１７は、本適用例に係る画素の要部断面図である。ここでは、図１７は、図１６に示した平面レイアウトを有する画素におけるXVIIＣ−XVIIＣ線（本明細書においては図１６中に示したローマ数字の「１７」に対応する記号として便宜的に「XVII」を用いる。）に沿った断面を示す。なお、図１６、図１７において、上述した第１の適用例と同等の構成については、同一又は同等の符号を付してその説明を簡略化する。
【０１０５】
図１６に示した画素ＰＩＸにおいて、画素形成領域Ｒpxの図面上方及び下方の縁辺領域には、各々、行方向（図面左右方向）に延在するように選択ラインＬｓ及び電源ラインＬａが配設されている。一方、画素形成領域Ｒpxの図面左方及び図面右方の領域には、各々、上記電源ラインＬａ及び選択ラインＬｓに直交して、列方向（図面上下方向）に延在するようにデータラインＬｄ及び補助電源ラインＬayが配設されている。
【０１０６】
また、図１６に示した表示パネル１１０においては、例えば図１７に示すように、画素形成領域Ｒpx内のＥＬ素子形成領域Ｒelに開口部が設けられた隔壁２５が設けられている。すなわち、本適用例においても、素子基板１１上の画素アレイ１１１に隣接して配列される各画素ＰＩＸ間の境界領域には、図１６、図１７に示すように、素子基板１１表面から突出する格子状の隔壁２５が設けられている。そして、この隔壁２５により囲まれ、かつ、画素電極２１が露出した領域（すなわち、上記開口部）がＥＬ素子形成領域Ｒelとして画定されている。
【０１０７】
データラインＬｄは、例えば図１６、図１７に示すように、選択ラインＬｓ及び電源ラインＬａ、補助電源ラインＬayよりも下層側（素子基板１１側）に設けられている。データラインＬｄは、トランジスタＴｒ２１〜Ｔｒ２３のゲート電極Ｔｒ２１ｇ〜Ｔｒ２３ｇと同層に設けられている。また、データラインＬｄは、図１６に示すように、上層のゲート絶縁膜１３に設けられたコンタクトホールＨＬ２４を介して、トランジスタＴｒ２２のソース電極Ｔｒ２２ｓに直接接続されている。
【０１０８】
また、選択ラインＬｓ及び電源ラインＬａは、例えば図１６、図１７に示すように、相互に同層に設けられ、かつ、トランジスタＴｒ２１〜Ｔｒ２３及びデータラインＬｄ、補助電源ラインＬayを被覆する絶縁膜２４上に設けられている。選択ラインＬｓは、図１６に示すように、下層の絶縁膜２４及びゲート絶縁膜１３に設けられたコンタクトホールＨＬ２２を介して、トランジスタＴｒ２１、Ｔｒ２２のゲート電極Ｔｒ２１ｇ、Ｔｒ２２ｇに直接接続されている。また、電源ラインＬａは、例えば図１６、図１７に示すように、下層の絶縁膜２４に設けられたコンタクトホールＨＬ２３を介して、補助電源ラインＬayに直接接続されている。
【０１０９】
補助電源ラインＬayは、例えば図１６、図１７に示すように、トランジスタＴｒ２１〜Ｔｒ２３のソース電極Ｔｒ２１ｓ〜Ｔｒ２３ｓ及びドレイン電極Ｔｒ２１ｄ〜Ｔｒ２３ｄと同層に設けられている。ここで、補助電源ラインＬayは、図１６に示すように、トランジスタＴｒ２１、Ｔｒ２３のドレイン電極Ｔｒ２１ｄ、Ｔｒ２３ｄと一体的に形成されている。
【０１１０】
また、図１６に示した画素ＰＩＸにおいては、発光駆動回路ＤＣに設けられるトランジスタＴｒ２２が、例えば、データラインＬｄに沿って列方向（図面上下方向）に延在するように配置されている。また、トランジスタＴｒ２１、Ｔｒ２３が、例えば、補助電源ラインＬayに沿って列方向に延在するように配置されている。
【０１１１】
トランジスタＴｒ２１〜Ｔｒ２３は、図１６、図１７に示すように、素子基板１１上に形成されたゲート電極Ｔｒ２１ｇ〜Ｔｒ２３ｇを被覆するようにゲート絶縁膜１３が設けられ、該ゲート絶縁膜１３上の、ゲート電極Ｔｒ２１ｇ〜Ｔｒ２３ｇに対応する領域に半導体層ＳＭＣ（図１６では省略）が設けられている。また、半導体層ＳＭＣに形成されるチャネル領域上にはチャネル保護層ＢＬが設けられ、当該チャネル保護層ＢＬを挟んで対向するようにソース電極Ｔｒ２１ｓ〜Ｔｒ２３ｓ及びドレイン電極Ｔｒ２１ｄ〜Ｔｒ２３ｄが設けられている。ソース電極Ｔｒ２１ｓ〜Ｔｒ２３ｓ及びドレイン電極Ｔｒ２１ｄ〜Ｔｒ２３ｄと半導体層ＳＭＣとの間には不純物層ＯＨＭ（図示を省略）が設けられている。
【０１１２】
そして、図１５（ｂ）に示した発光駆動回路ＤＣの回路構成に対応するように、トランジスタＴｒ２１は、図１６に示すように、ゲート電極Ｔｒ２１ｇがトランジスタＴｒ２２のゲート電極Ｔｒ２２ｇと一体的に形成されている。また、ゲート電極Ｔｒ２１ｇは、ゲート絶縁膜１３及び絶縁膜２４に設けられたコンタクトホールＨＬ２２を介して、選択ラインＬｓに接続されている。また、ドレイン電極Ｔｒ２１ｄは、図１６に示すように、補助電源ラインＬayと一体的に形成されている。また、ソース電極Ｔｒ２１ｓは、図１６に示すように、ゲート絶縁膜１３に設けられたコンタクトホールＨＬ２１を介して、トランジスタＴｒ２３のゲート電極Ｔｒ２３ｇ及びキャパシタＣｓの下部電極Ｅcaに接続されている。ここで、コンタクトホールＨＬ２１は、図１５（ｂ）に示した発光駆動回路ＤＣの接点Ｎ２１に対応する。
【０１１３】
また、トランジスタＴｒ２２は、図１６に示すように、ゲート電極Ｔｒ２２ｇがトランジスタＴｒ２１のゲート電極Ｔｒ２１ｇと一体的に形成されている。また、ゲート電極Ｔｒ２２ｇは、ゲート絶縁膜１３及び絶縁膜２４に設けられたコンタクトホールＨＬ２２を介して、選択ラインＬｓに接続されている。また、ドレイン電極Ｔｒ２２ｄは、図１６に示すように、キャパシタＣｓの上部電極Ｅcbを兼ねる画素電極２１に接続されている。また、ソース電極Ｔｒ２２ｓは、図１６に示すように、ゲート絶縁膜１３に設けられたコンタクトホールＨＬ２４を介して、データラインＬｄに接続されている。
【０１１４】
また、トランジスタＴｒ２３は、図１６、図１７に示すように、ゲート電極Ｔｒ２３ｇがゲート絶縁膜１３に設けられたコンタクトホールＨＬ２２を介して、トランジスタＴｒ２１のソース電極Ｔｒ２１ｓに接続されている。また、ゲート電極Ｔｒ２３ｇは、キャパシタＣｓの下部電極Ｅcaに接続されている。また、ドレイン電極Ｔｒ２３ｄは、図１６、図１７に示すように、補助電源ラインＬayと一体的に形成されている。また、ソース電極Ｔｒ２３ｓは、図１６、図１７に示すように、キャパシタＣｓの上部電極Ｅcbを兼ねる画素電極２１に接続されている。
【０１１５】
キャパシタＣｓは、図１６、図１７に示すように、素子基板１１上に設けられた下部電極Ｅcaと、該下部電極Ｅcaに対向し、アルミニウム等の光反射率が高い金属膜からなる上部電極Ｅcbと、下部電極Ｅca及び上部電極Ｅcb間に介在するゲート絶縁膜１３と、を有している。ここで、ゲート絶縁膜１３は、キャパシタＣｓの誘電体層として兼用されている。また、上部電極Ｅcbは、有機ＥＬ素子ＯＥＬの画素電極２１として兼用されている。すなわち、キャパシタＣｓは、有機ＥＬ素子ＯＥＬの下層側（素子基板１１側）に設けられている。そして、下部電極Ｅcaは、図１６、図１７に示すように、トランジスタＴｒ２１のソース電極Ｔｒ２１ｓ及びトランジスタＴｒ２３のゲート電極Ｔｒ２３ｇに接続されている。また、上部電極Ｅcbとして兼用される画素電極２１は、図１６、図１７に示すように、トランジスタＴｒ２２のドレイン電極Ｔｒ２２ｄ及びトランジスタＴｒ２３のソース電極Ｔｒ２３ｓと一体的に形成されている。ここで、画素電極２１とドレイン電極Ｔｒ２２ｄ及びソース電極Ｔｒ２３ｓとの接続部は、図１５（ｂ）に示した発光駆動回路ＤＣの接点Ｎ２２に対応する。
【０１１６】
有機ＥＬ素子ＯＥＬは、上述した第１の適用例と同様に、図１６、図１７に示すように、トランジスタＴｒ２２のドレイン電極Ｔｒ２２ｄ及びトランジスタＴｒ２３のソース電極Ｔｒ１２ｓに接続された画素電極（アノード電極）２１と、有機ＥＬ層（発光機能層）２２と、対向電極（カソード電極）２３と、を順次積層した素子構造を有している。
【０１１７】
また、隔壁２５は、上述した第１の適用例と同様に、図１６、図１７に示すように、素子基板１１上に配列された画素ＰＩＸ相互の境界領域に形成された絶縁膜２４及び保護絶縁膜（図示を省略）を被覆するように、素子基板１１表面から突出するように設けられている。隔壁２５は、上記有機ＥＬ素子ＯＥＬの画素電極２１が露出する開口部を有するように格子状の平面パターンを有している。ここで、隔壁２５は、上述した各実施形態に示したように、例えば感光性の絶縁材料であるポリイミド系の樹脂材料により形成される。
【０１１８】
そして、上述した発光駆動回路ＤＣ、有機ＥＬ素子ＯＥＬ及び隔壁２５が形成された素子基板１１の一面側には、対向基板１２が素子基板１１と所定の間隙を有するように貼り合わされて封止されている。
【０１１９】
このようなデバイス構造を有する画素ＰＩＸにおいて、上述した第１の適用例と同様に、図１６、図１７に示すように、各画素ＰＩＸ間に設けられる隔壁２５上の任意の位置Ｐsetに、画素アレイ１１１内の素子基板１１側と対向基板１２側を接着するための、１乃至複数の接着部３０が設けられている。ここで、接着部３０は、上述した各実施形態に示した、接着層３１や、フィラー３４入り接着層３５又は遮光性を有する接着層３６の何れかにより構成されている。また、接着部３０が配置される位置Ｐsetは、隔壁２５上であれば特に限定するものではないが、下層にトランジスタや、配線相互の交差、電極の重なり等がない領域（例えば図１６、図１７の位置Ｐset）の隔壁２５上に配置することが望ましい。また、本適用例においては、図１６に示す位置Ｐsetに配置される接着部３０の平面パターンについても特に限定するものではないが、例えば方形や円形を有するものであってもよいし、隔壁２５の平面パターンに沿って、図面上下方向や左右方向に延在する直線上の平面パターンを有するものであってもよい。
【０１２０】
これにより、上述した各実施形態に示したように、表示パネル１１０に押圧力が加えられたり、歪みが生じたりした場合等であっても、対向基板１２が素子基板１１の画素アレイ１１１に直接接触することを回避することができるとともに、画素アレイ１１１（各画素ＰＩＸ）内における歪みを抑制することができる。したがって、有機ＥＬ素子ＯＥＬやトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２、Ｔｒ２１〜Ｔｒ２３、キャパシタＣｓ、各配線等における破損や特性劣化、封止破損の発生を防止又は抑制することができ、製造歩留まりや品質の向上を図ることができる。
【０１２１】
また、本適用例によれば、上述したような押圧力が加えられたり、歪みが生じたりした場合であっても、素子基板１１と対向基板１２間の距離（基板間ギャップ）を均一化することができるので、トップエミッション型の発光構造を有する表示パネル１１０において、有機ＥＬ素子ＯＥＬからの出射光の経路が均一化されて画像のにじみやぼけの発生を抑制して、良好な画質を実現することができる。
【０１２２】
また、各画素ＰＩＸ間の境界領域に設けられる隔壁２５の平面パターンに対応して、格子状やストライプ状の平面パターンを有するように、遮光性を有する接着部３０をブラックマトリクスとして設けることにより、隔壁２５の下層に設けられるトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２、Ｔｒ２１〜Ｔｒ２３や各配線による外光の反射を抑制することができるので、トップエミッション型の発光構造を有する表示パネル１１０（有機ＥＬ素子ＯＥＬ）において、外光の反射に起因する表示画像の視認性の劣化を抑制して、良好な画質の表示装置を実現することができる。また、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２、Ｔｒ２１〜Ｔｒ２３の薄膜トランジスタがボトムゲート構造を有し、表示パネル１１０がトップエミッション型の発光構造を有している場合に、各薄膜トランジスタの半導体層への外光の入射を抑制して、薄膜トランジスタの特性を安定させ誤動作が発生しないようにすることができる。
【０１２３】
＜電子機器の適用例＞
次に、上述した各実施形態に係る表示装置を適用した電子機器について図面を参照して説明する。
【０１２４】
上述した各実施形態に示したパネル構造を有する表示パネル１１０を備える表示装置１００は、例えばデジタルカメラや薄型テレビジョン、パーソナルコンピュータ、携帯電話機等、種々の電子機器の表示デバイスとして良好に適用できるものである。
【０１２５】
図１８は、本発明に係る発光装置を適用したデジタルカメラの構成例を示す斜視図であり、図１９は、本発明に係る発光装置を適用した薄型テレビジョンの構成例を示す斜視図であり、図２０は、本発明に係る発光装置を適用したパーソナルコンピュータの構成例を示す斜視図であり、図２１は、本発明に係る発光装置を適用した携帯電話機の構成例を示す図である。
【０１２６】
図１８において、デジタルカメラ２１０は、大別して、本体部２１１と、レンズ部２１２と、操作部２１３と、上述した各実施形態に示した表示パネル１１０を備える表示装置１００を適用した表示部２１４と、シャッターボタン２１５とを備えている。これによれば、表示部２１４における画素アレイ（発光素子）や駆動回路等の破損や特性劣化を防止又は抑制することができ、製造歩留まりや品質の向上を図ることができる。また、表示部２１４を構成する基板間のギャップ（間隙）を均一化することができ、表示画質を向上させることができる。
【０１２７】
また、図１９において、薄型テレビジョン２２０は、大別して、本体部２２１と、上述した各実施形態に示した表示パネル１１０を備える表示装置１００を適用した表示部２２２と、操作用コントローラ（リモコン）２２３と、を備えている。これによれば、表示部２２２における画素アレイ（発光素子）や駆動回路等の破損や特性劣化を防止又は抑制することができ、製造歩留まりや品質の向上を図ることができる。また、表示部２２２を構成する基板間のギャップ（間隙）を均一化することができ、表示画質を向上させることができる。
【０１２８】
また、図２０において、パーソナルコンピュータ２３０は、大別して、本体部２３１と、キーボード２３２と、上述した各実施形態に示した表示パネル１１０を備える表示装置１００を適用した表示部２３３とを備えている。この場合においても、表示部２３３における画素アレイ（発光素子）や駆動回路等の破損や特性劣化を防止又は抑制することができ、製造歩留まりや品質の向上を図ることができる。また、表示部２３３を構成する基板間のギャップ（間隙）を均一化することができ、表示画質を向上させることができる。
【０１２９】
また、図２１において、携帯電話機２４０は、大別して、操作部２４１と、受話口２４２と、送話口２４３と、上述した各実施形態に示した表示パネル１１０を備える表示装置１００を適用した表示部２４４とを備えている。この場合においても、表示部２４４における画素アレイ（発光素子）や駆動回路等の破損や特性劣化を防止又は抑制することができ、製造歩留まりや品質の向上を図ることができる。また、表示部２４４を構成する基板間のギャップ（間隙）を均一化することができ、表示画質を向上させることができる。
【０１３０】
なお、上述した各電子機器においては、本発明に係る発光パネルを、複数の画素が２次元配列された表示パネルとして適用した場合について詳しく説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。本発明に係る発光装置は、例えば発光素子を有する複数の画素が一方向に配列された発光素子アレイを備え、感光体ドラムに画像データに応じて発光素子アレイから出射した光を照射して露光する露光装置に適用するものであってもよい。
【符号の説明】
【０１３１】
１１ 素子基板
１２ 対向基板
１３ ゲート絶縁膜
２１ 画素電極
２２ 有機ＥＬ層
２３ 対向電極
２４ 絶縁膜
２５ 隔壁
３０ 接着部
３１ 接着層
３４ フィラー
３５ 接着層
３６ 接着層
４０ シール部
４１ フィラー
４２ 粘着材
５０ 封止空間
１００ 表示装置
１１０ 表示パネル
１１１ 画素アレイ
ＰＩＸ 画素
ＯＥＬ 有機ＥＬ素子
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子を有する少なくとも一つの画素と、前記画素の前記発光素子の形成領域を区画する隔壁と、が一面側に設けられた第１の基板と、
一面側が前記第１の基板の前記一面側に対向して設けられ、前記第１の基板の前記一面側を封止する第２の基板と、
前記第１の基板の前記隔壁上に互いに離間して設けられて、前記第１の基板の前記一面側と前記第２の基板の前記一面側とに接着される、絶縁性を有する複数の接着層と、
を備えていることを特徴とする発光パネル。
【請求項２】
前記発光素子は、発光層と、該発光層を介して互いに対向する一対の電極とを有し、該一対の電極のいずれか一方をなす電極層が前記隔壁上に延在して設けられ、
前記各接着層は、少なくとも前記隔壁上に延在する前記電極層の一部が除去された開口部に対応する領域に設けられていることを特徴とする請求項１記載の発光パネル。
【請求項３】
前記画素は、前記発光素子を発光駆動させるためのスイッチング素子と、前記発光素子を発光駆動させるための各種信号が印加される複数の配線と、を具備し、
前記スイッチング素子及び前記複数の配線の少なくとも一部は、前記隔壁の下層に設けられ、
前記各接着層は、前記隔壁上の、少なくとも前記スイッチング素子の形成領域、及び、前記複数の配線の交差領域に対応する領域以外の予め設定された領域に設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光パネル。
【請求項４】
前記各接着層は、接着性を有して前記第１の基板の前記一面側と前記第２の基板の前記一面側とに接着される樹脂材料を所定の条件により硬化して形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の発光パネル。
【請求項５】
前記樹脂材料は遮光性を有していることを特徴とする請求項４記載の発光パネル。
【請求項６】
第１の基板の一面側に、発光素子を有する少なくとも一つの画素と、該画素の前記発光素子の形成領域を区画する隔壁と、を形成する工程と、
前記第１の基板の前記一面側を封止するための第２基板を準備する工程と、
前記第１の基板の前記隔壁上の互いに離間した複数の領域又は前記隔壁上の複数の領域に対応する前記第２基板の一面側の複数の領域の何れか一方に、接着性を有する樹脂材料による接着材層を形成する工程と、
前記第１の基板の前記一面側に前記第２基板の前記一面側を対向させ、押圧力を印加して、前記各接着材層を介して、前記第１の基板と前記第２基板とを貼り合わせる工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせた状態で、前記各接着材層を所定の条件により硬化させて複数の接着層を形成し、該接着層を介して前記第１の基板の前記一面側と前記第２の基板の前記一面側とを接着する工程と、
を含むことを特徴とする発光パネルの製造方法。
【請求項７】
前記発光素子は、発光層と、該発光層を介して互いに対向する一対の電極と、を備え、
前記第１の基板の前記一面側に前記画素を形成する工程は、前記発光素子の前記一対の電極のいずれか一方をなす電極層を前記隔壁上に延在させて形成する工程と、前記隔壁上に延在する前記電極層の一部を除去した開口部を形成する工程と、を含み、
前記接着材層を形成する工程は、少なくとも前記開口部に対応する領域に前記接着材層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項６記載の発光パネルの製造方法。
【請求項８】
前記複数の接着材層を形成する工程は、
前記樹脂材料として不透明な色素が添加された遮光性を有する第２の樹脂材料を準備し、該第２の樹脂材料により前記接着材層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項６又は７に記載の発光パネルの製造方法。
【請求項９】
発光素子を有する少なくとも一つの画素と、該画素に接続された選択ライン及びデータラインと、前記画素の前記発光素子の形成領域を区画する隔壁と、が一面側に設けられた第１の基板と、一面側が前記第１の基板の前記一面側に対向して設けられ、前記第１の基板の前記一面側を封止する第２の基板と、前記第１の基板の前記隔壁上に互いに離間して設けられて、前記第１の基板の前記一面側と前記第２の基板の前記一面側とに接着される、絶縁性を有する複数の接着層と、を具備する発光パネルと、
前記各選択ラインを介して、前記画素を選択状態に設定するための選択信号を印加する選択駆動回路と、
前記各データラインを介して、前記選択状態に設定された前記画素に画像データに応じた階調信号を書き込む信号駆動回路と、
を備えていることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
前記発光素子は、発光層と、該発光層を介して互いに対向する一対の電極とを有し、該一対の電極のいずれか一方をなす電極層が前記隔壁上に延在して設けられ、
前記各接着層は、前記隔壁上に延在する前記電極層の一部が除去された開口部内に対応する領域に設けられていることを特徴とする請求項９記載の発光装置。
【請求項１１】
請求項９又は１０に記載の発光装置が実装されてなることを特徴とする電子機器。
【請求項１】
発光素子を有する少なくとも一つの画素と、前記画素の前記発光素子の形成領域を区画する隔壁と、が一面側に設けられた第１の基板と、
一面側が前記第１の基板の前記一面側に対向して設けられ、前記第１の基板の前記一面側を封止する第２の基板と、
前記第１の基板の前記隔壁上に互いに離間して設けられて、前記第１の基板の前記一面側と前記第２の基板の前記一面側とに接着される、絶縁性を有する複数の接着層と、
を備えていることを特徴とする発光パネル。
【請求項２】
前記発光素子は、発光層と、該発光層を介して互いに対向する一対の電極とを有し、該一対の電極のいずれか一方をなす電極層が前記隔壁上に延在して設けられ、
前記各接着層は、少なくとも前記隔壁上に延在する前記電極層の一部が除去された開口部に対応する領域に設けられていることを特徴とする請求項１記載の発光パネル。
【請求項３】
前記画素は、前記発光素子を発光駆動させるためのスイッチング素子と、前記発光素子を発光駆動させるための各種信号が印加される複数の配線と、を具備し、
前記スイッチング素子及び前記複数の配線の少なくとも一部は、前記隔壁の下層に設けられ、
前記各接着層は、前記隔壁上の、少なくとも前記スイッチング素子の形成領域、及び、前記複数の配線の交差領域に対応する領域以外の予め設定された領域に設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光パネル。
【請求項４】
前記各接着層は、接着性を有して前記第１の基板の前記一面側と前記第２の基板の前記一面側とに接着される樹脂材料を所定の条件により硬化して形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の発光パネル。
【請求項５】
前記樹脂材料は遮光性を有していることを特徴とする請求項４記載の発光パネル。
【請求項６】
第１の基板の一面側に、発光素子を有する少なくとも一つの画素と、該画素の前記発光素子の形成領域を区画する隔壁と、を形成する工程と、
前記第１の基板の前記一面側を封止するための第２基板を準備する工程と、
前記第１の基板の前記隔壁上の互いに離間した複数の領域又は前記隔壁上の複数の領域に対応する前記第２基板の一面側の複数の領域の何れか一方に、接着性を有する樹脂材料による接着材層を形成する工程と、
前記第１の基板の前記一面側に前記第２基板の前記一面側を対向させ、押圧力を印加して、前記各接着材層を介して、前記第１の基板と前記第２基板とを貼り合わせる工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせた状態で、前記各接着材層を所定の条件により硬化させて複数の接着層を形成し、該接着層を介して前記第１の基板の前記一面側と前記第２の基板の前記一面側とを接着する工程と、
を含むことを特徴とする発光パネルの製造方法。
【請求項７】
前記発光素子は、発光層と、該発光層を介して互いに対向する一対の電極と、を備え、
前記第１の基板の前記一面側に前記画素を形成する工程は、前記発光素子の前記一対の電極のいずれか一方をなす電極層を前記隔壁上に延在させて形成する工程と、前記隔壁上に延在する前記電極層の一部を除去した開口部を形成する工程と、を含み、
前記接着材層を形成する工程は、少なくとも前記開口部に対応する領域に前記接着材層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項６記載の発光パネルの製造方法。
【請求項８】
前記複数の接着材層を形成する工程は、
前記樹脂材料として不透明な色素が添加された遮光性を有する第２の樹脂材料を準備し、該第２の樹脂材料により前記接着材層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項６又は７に記載の発光パネルの製造方法。
【請求項９】
発光素子を有する少なくとも一つの画素と、該画素に接続された選択ライン及びデータラインと、前記画素の前記発光素子の形成領域を区画する隔壁と、が一面側に設けられた第１の基板と、一面側が前記第１の基板の前記一面側に対向して設けられ、前記第１の基板の前記一面側を封止する第２の基板と、前記第１の基板の前記隔壁上に互いに離間して設けられて、前記第１の基板の前記一面側と前記第２の基板の前記一面側とに接着される、絶縁性を有する複数の接着層と、を具備する発光パネルと、
前記各選択ラインを介して、前記画素を選択状態に設定するための選択信号を印加する選択駆動回路と、
前記各データラインを介して、前記選択状態に設定された前記画素に画像データに応じた階調信号を書き込む信号駆動回路と、
を備えていることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
前記発光素子は、発光層と、該発光層を介して互いに対向する一対の電極とを有し、該一対の電極のいずれか一方をなす電極層が前記隔壁上に延在して設けられ、
前記各接着層は、前記隔壁上に延在する前記電極層の一部が除去された開口部内に対応する領域に設けられていることを特徴とする請求項９記載の発光装置。
【請求項１１】
請求項９又は１０に記載の発光装置が実装されてなることを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
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【図１６】
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【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【公開番号】特開２０１２−５９６３８（Ｐ２０１２−５９６３８Ａ）
【公開日】平成２４年３月２２日（２０１２．３．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２０３６７８（Ｐ２０１０−２０３６７８）
【出願日】平成２２年９月１０日（２０１０．９．１０）
【出願人】（０００００１４４３）カシオ計算機株式会社 (8,748)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年３月２２日（２０１２．３．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年９月１０日（２０１０．９．１０）
【出願人】（０００００１４４３）カシオ計算機株式会社 (8,748)
【Ｆターム（参考）】
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