発光装置
【課題】発光装置を形成する際の点欠陥や線欠陥を防止することによって、歩留まりを向
上させる。
【解決手段】発光素子を駆動するための回路と、発光素子を駆動するための回路が形成さ
れていない基板に設けられた発光素子とが電気的に接続されている。つまり、発光素子と
発光素子を駆動するための回路とをそれぞれ別の基板に設け、発光素子と発光素子を駆動
するための回路を電気的に接続する。発光素子と発光素子を駆動する回路とをそれぞれ別
の基板に設けることによって、発光素子の形成と発光素子を駆動する回路の形成をそれぞ
れ別工程で行うため、それぞれの工程での自由度が向上し、プロセス変更にも容易に対応
することができる。また、従来と比べて発光素子の形成面の段差を低減できる。
上させる。
【解決手段】発光素子を駆動するための回路と、発光素子を駆動するための回路が形成さ
れていない基板に設けられた発光素子とが電気的に接続されている。つまり、発光素子と
発光素子を駆動するための回路とをそれぞれ別の基板に設け、発光素子と発光素子を駆動
するための回路を電気的に接続する。発光素子と発光素子を駆動する回路とをそれぞれ別
の基板に設けることによって、発光素子の形成と発光素子を駆動する回路の形成をそれぞ
れ別工程で行うため、それぞれの工程での自由度が向上し、プロセス変更にも容易に対応
することができる。また、従来と比べて発光素子の形成面の段差を低減できる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置及び発光装置の作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、発光素子を有する発光装置を作製する際には、ガラス基板などの基板上に半導体プ
ロセスを用いて発光素子を駆動するための半導体回路を形成し、当該半導体回路上に絶縁
膜（平坦化膜）を形成し、その上に発光素子を形成していた。つまり、基板上に下から順
番に積み上げるようにして発光素子を駆動するための半導体回路と発光素子とを形成して
いた。
【０００３】
従来の作製工程によって作製した発光装置は、発光素子を駆動するための半導体回路上に
絶縁膜を形成して、その上に発光素子を形成しているため、発光素子よりも下層に形成さ
れる素子や配線などに起因する段差などが存在する（特許文献１等参照）。そのため、発
光素子の形成エリアが限定されていた。
【０００４】
また、発光素子よりも下層に形成される素子や配線などに起因する段差などによってカバ
レッジ不良などが発生することがある。このカバレッジ不良などが原因となって点欠陥や
線欠陥などが発生することがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平８−２３４６８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、発光装置を形成する際の点欠陥や線欠陥を防止することによって、歩留まりを
向上させることを課題とする。
また、段差のない平坦な面を最大限利用して発光素子を形成できるようにすることを課題
とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の発光装置は、発光素子を駆動する回路と、発光素子を駆動する回路が形成されて
いない基板に設けられた発光素子とが電気的に接続されていることを特徴とする。つまり
、発光素子と発光素子を駆動する回路とをそれぞれ別の基板に設け、発光素子と発光素子
を駆動する回路を電気的に接続することを特徴とする。
【０００８】
なお、発光装置には、アクティブマトリクス型の発光装置と、パッシブマトリクス型の発
光装置とがあるが、本発明の発光装置はどちらの場合でも実施することができる。
【０００９】
また、発光素子としては、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子などが挙げられるが、本発明にお
いては、どちらも用いることができる。
【００１０】
本発明の発光装置は、発光素子が形成された第１の基板と、前記発光素子を駆動するため
の画素回路が形成され、前記第１の基板と対向するように設けられた第２の基板と、を有
し、前記発光素子と前記画素回路とが電気的に接続されていることを特徴とする。
【００１１】
本発明の発光装置は、発光素子が形成された第１の基板と、前記発光素子を駆動するため
の画素回路が形成され、前記第１の基板の発光素子が形成された面と対向するように設け
られた封止用の第２の基板と、を有し、前記発光素子と前記画素回路とが電気的に接続さ
れていることを特徴とする。
【００１２】
本発明の発光装置は、発光素子が形成された第１の基板と、前記発光素子を駆動するため
の画素回路が形成され、前記第１の基板の発光素子が形成されていない面と対向するよう
に設けられた第２の基板と、前記第１の基板の発光素子が形成された面と対向するように
設けられた封止用の第３の基板と、を有し、前記発光素子と前記画素回路とが電気的に接
続されていることを特徴とする。
【００１３】
本発明の発光装置は、発光素子が形成された第１の基板と、前記発光素子を駆動するため
のロウドライバ及びカラムドライバが形成され、前記第１の基板と対向するように設けら
れた封止用の第２の基板と、を有し、前記発光素子と前記ロウドライバまたは前記カラム
ドライバとが電気的に接続されていることを特徴とする。
【００１４】
本発明の発光装置は、発光素子が形成された第１の基板と、撮像素子及び前記発光素子を
駆動するための画素回路が形成され、前記第１の基板と対向するように設けられた第２の
基板と、を有し、前記発光素子と前記画素回路とが電気的に接続されていることを特徴と
する。
【００１５】
本発明の発光装置は、発光素子及び撮像素子が形成された第１の基板と、前記発光素子を
駆動するための画素回路が形成され、前記第１の基板と対向するように設けられた第２の
基板と、を有し、前記発光素子と前記画素回路とが電気的に接続されていることを特徴と
する。
【００１６】
本発明の発光装置は、第１の基板と、前記第１の基板と対向するように設けられた第２の
基板とを有し、前記第１の基板上には、発光素子の第１の電極と、前記発光素子の第１の
電極上に形成された発光物質を含む層とを有し、前記第２の基板上には、前記発光素子を
駆動する駆動用トランジスタと、前記駆動用トランジスタ上に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成され、前記駆動用トランジスタのソース領域またはドレイン領域
と電気的に接続された電極とを有し、前記駆動用トランジスタのソース領域またはドレイ
ン領域と電気的に接続された電極と前記発光材料を含む層とが電気的に接続されているこ
とを特徴とする。
【００１７】
また、上記の本発明の発光装置の有する基板は可撓性を有していても良い。その際、発光
装置の有する基板の厚さは１００μｍ以下、好ましくは２０〜５０μｍとすればよい。
【００１８】
本発明の発光装置は、発光素子が形成された第１の基板と、前記発光素子を駆動するため
の画素回路を有し、前記第１の基板と対向するように設けられたフィルムと、を有し、前
記発光素子と前記画素回路とが電気的に接続されていることを特徴とする。この場合、第
１の基板の厚さを１００μｍ以下、好ましくは２０〜５０μｍとしてもよい。
【００１９】
本発明の発光装置の作製方法は、第１の基板上に発光素子を形成し、第２の基板上に前記
発光素子を駆動するための画素回路を形成し、互いに対向するように前記第１の基板と前
記第２の基板を貼り合わせることによって、前記発光素子と前記画素回路とを電気的に接
続することを特徴とする。
【００２０】
本発明の発光装置の作製方法は、第１の基板上に発光素子を形成し、第２の基板上に剥離
層を形成し、前記剥離層上に前記発光素子を駆動するための画素回路を含む層を形成し、
前記発光素子を駆動するための画素回路を有する層を前記第２の基板から剥離し、互いに
対向するように前記第１の基板と前記発光素子を駆動するための画素回路を有する層を貼
り合わせることによって、前記発光素子と前記画素回路とを電気的に接続することを特徴
とする。
【００２１】
本発明の発光装置の作製方法は、第１の基板上に発光素子を形成し、第２の基板上に前記
発光素子を駆動するための画素回路を含む層を形成し、前記第２の基板の厚さを薄くする
処理を施し、互いに対向するように前記第１の基板と前記第２の基板を貼り合わせること
によって、前記発光素子と前記画素回路とを電気的に接続することを特徴とする。このと
き、前記第２の基板の厚さを薄くする処理によって、前記第２の基板の厚さを１００μｍ
以下としてもよい。
【発明の効果】
【００２２】
本発明は、発光素子と発光素子を駆動する回路とをそれぞれ別の基板に設けることによっ
て、発光素子の形成と発光素子を駆動する回路の形成をそれぞれ別工程で行うため、それ
ぞれの工程での自由度が向上し、プロセス変更にも容易に対応することができる。
また、従来では、発光素子を駆動する回路上に平坦化膜を形成し、その上に発光素子を形
成していたが、本発明では発光素子を駆動する回路を形成する基板とは別の基板上に発光
素子を形成するため、従来と比べて発光素子の形成面の段差を低減できる。よって、点欠
陥や線欠陥などの発光素子の形成不具合を減らすことができるため、発光装置を形成する
際の歩留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】実施の形態１について説明する図
【図２】実施の形態２について説明する図
【図３】実施の形態３について説明する図
【図４】実施の形態６について説明する図
【図５】実施の形態６について説明する図
【図６】実施の形態６について説明する図
【図７】実施の形態６について説明する図
【図８】実施の形態６について説明する図
【図９】実施の形態８について説明する図
【図１０】アクティブマトリクス型の発光装置について説明する図
【図１１】アクティブマトリクス型の発光装置の画素部の例について説明する図
【図１２】アクティブマトリクス型の発光装置の画素の例について説明する図
【図１３】パッシブマトリクス型の発光装置について説明する図
【図１４】パッシブマトリクス型の発光装置の画素部について説明する図
【図１５】実施の形態４について説明する図
【図１６】実施の形態５について説明する図
【図１７】実施の形態７について説明する図
【図１８】実施の形態７について説明する図
【図１９】実施の形態７について説明する図
【図２０】実施の形態７について説明する図
【図２１】実施の形態７について説明する図
【図２２】撮像素子を有する発光装置の画素構成例を示す図
【図２３】実施例１の表示モードと読み取りモードを説明する図
【図２４】実施の形態１の作製工程について説明する図
【図２５】実施の形態１の作製工程について説明する図
【図２６】実施の形態２の作製工程について説明する図
【図２７】実施の形態２の作製工程について説明する図
【図２８】実施の形態３の作製工程について説明する図
【図２９】実施の形態３の作製工程について説明する図
【図３０】実施例２の電子機器を示す図
【図３１】実施の形態１１について説明する図
【図３２】実施の形態１１について説明する図
【図３３】実施の形態１０について説明する図
【図３４】実施の形態１０について説明する図
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下に本発明を実施するための形態について説明する。
【００２５】
（実施の形態１）
本実施の形態では、第１の基板に形成された発光素子と、第２の基板に形成されたトラン
ジスタとが電気的に接続されているアクティブマトリクス型の発光装置の第１の例につい
て説明する。つまり、上記本発明の発光装置の第１の構成において、アクティブマトリク
ス型の発光装置である場合における第１の例について説明する。
【００２６】
図１０にアクティブマトリクス型の発光装置の概略図を示す。
図１０に示すように、アクティブマトリクス型の発光装置は、ソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ
）、ゲート信号線（Ｇ１〜Ｇｙ）、画素部６０１、ソース信号線駆動回路６０２、ゲート
信号線駆動回路６０３を有する。
【００２７】
画素部６０１における等価回路図を図１１に示す。
画素部６０１には、ソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）と、電源供給線（Ｖ１〜Ｖｘ）と、ゲー
ト信号線（Ｇ１〜Ｇｙ）とによって形成された複数の画素６０４がマトリクス状に配置さ
れている。
【００２８】
画素６０４の拡大図を図１２に示す。画素６０４は、画素を選択するためのスイッチング
用のトランジスタ（以下、スイッチング用トランジスタという）６０５と、発光素子６０
７と、発光素子６０７を駆動するためのトランジスタ（以下、駆動用トランジスタという
）６０６と、コンデンサ６０８を有する。
【００２９】
スイッチング用トランジスタ６０５のゲート電極は、ゲート信号線Ｇ（Ｇ１〜Ｇｘ）に接
続されている。スイッチング用トランジスタ６０５のソース領域とドレイン領域は、一方
がソース信号線Ｓ（Ｓ１〜Ｓｘ）に、もう一方が駆動用トランジスタ６０６のゲート電極
、及びコンデンサ６０８の第１の電極にそれぞれ接続されている。
【００３０】
コンデンサ６０８はスイッチング用トランジスタ６０５が非選択状態（オフ状態）にある
時、駆動用トランジスタ６０６のゲート電圧（ゲート電極とソース領域間の電位差）を保
持するために設けられている。なお本実施の形態ではコンデンサ６０８を設ける構成を示
したが、この構成に限定されず、コンデンサ６０８を設けない構成にしても良い。
【００３１】
また、駆動用トランジスタ６０６のソース領域とドレイン領域は、一方が電源供給線Ｖ（
Ｖ１〜Ｖｘ）に接続され、もう一方は発光素子６０７の一方の電極に接続される。電源供
給線Ｖはコンデンサ６０８の第２の電極に接続されている。
【００３２】
発光素子６０７の他方の電極には対向電位が与えられている。また電源供給線Ｖは電源電
位が与えられている。電源電位と対向電位は、本発明の発光装置に、外付けのＩＣ等によ
り設けられた電源によって与えられる。
【００３３】
スイッチング用トランジスタ６０５、駆動用トランジスタ６０６は、Ｎチャネル型のトラ
ンジスタでもＰチャネル型のトランジスタでもどちらでも用いることができる。ただし駆
動用トランジスタ６０６のソース領域またはドレイン領域が発光素子６０７の陽極と接続
されている場合、駆動用トランジスタ６０６はＰチャネル型のトランジスタであることが
望ましい。また、駆動用トランジスタ６０６のソース領域またはドレイン領域が発光素子
６０７の陰極と接続されている場合、駆動用トランジスタ６０６はＮチャネル型のトラン
ジスタであることが望ましい。
【００３４】
またスイッチング用トランジスタ６０５、駆動用トランジスタ６０６は、シングルゲート
構造ではなく、ダブルゲート構造やトリプルゲート構造などのマルチゲート構造を有して
いても良い。
【００３５】
本実施の形態では、以上のような構成を有するアクティブマトリクス型の発光装置におい
て、発光素子６０７を第１の基板に形成し、発光素子６０７を駆動するための画素回路６
０９を第２の基板に形成する。そして、発光素子６０７と発光素子６０７を駆動するため
の画素回路６０９とが電気的に接続されるようにする。つまり、発光素子６０７は第１の
基板に形成し、画素回路６０９の有するソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）、ゲート信号線（Ｇ
１〜Ｇｙ）、電源供給線（Ｖ１〜Ｖｘ）、スイッチング用トランジスタ６０５、駆動用ト
ランジスタ６０６、コンデンサ６０８は第２の基板に形成し、発光素子６０７と駆動用ト
ランジスタ６０６とが電気的に接続されるようにする。
【００３６】
図１に本実施の形態の発光装置の一部の断面図を示す。図１は、画素回路６０９を構成す
るトランジスタが薄膜トランジスタで形成されている場合について示している。
【００３７】
図１において、発光素子２０６が複数形成された第１の基板２０３と、薄膜トランジスタ
２０２が複数形成された第２の基板２００とが対向して設けられている。
なお、本実施の形態では、第２の基板２００が第１の基板２０３の発光素子が形成されて
いる側の面と対向するように、第１の基板２０３と第２の基板２００が貼り合わせられて
いる。よって、第２の基板２００は封止用の基板の役割を果たしている。
【００３８】
図１の発光素子２０６は、図１２の発光素子６０７に相当する。
また、図１の薄膜トランジスタ２０２は、図１２の駆動用トランジスタ６０６に相当する
。
【００３９】
なお、第２の基板に形成する薄膜トランジスタの構造は図１に記載された構造に限られる
ものではなく、公知の薄膜トランジスタの構造を適用することができる。
【００４０】
また、図１においては、画素回路６０９を構成する各トランジスタが薄膜トランジスタで
形成されている場合について示しているが、画素回路６０９を構成するトランジスタは、
薄膜トランジスタ以外のトランジスタで形成してもよい。例えば、第２の基板２００とし
て半導体基板を用い、該半導体基板にＭＯＳトランジスタなどを作り込むことによって第
２の基板２００に形成される画素回路を形成するようにしても良い。
【００４１】
図１の断面図において、第２の基板２００に駆動用トランジスタ６０６が形成されている
部分しか示されていないが、第２の基板２００には、駆動用トランジスタ６０６以外の画
素回路６０９を構成する素子（スイッチング用トランジスタ６０５、コンデンサ６０８）
も形成されている。
【００４２】
第１の基板２０３、第２の基板２００としては、ガラス基板、石英基板、透光性を有する
樹脂基板などの透光性基板を用いればよい。
【００４３】
なお、発光素子２０６からの光が第１の基板２０３の方向にのみ放出されるように構成さ
れた発光素子の場合には、第２の基板２００は必ずしも透光性基板である必要はない。よ
って、第２の基板２００として、透光性を有しない樹脂基板、半導体基板、セラミック基
板、金属基板などの透光性を有しない基板を用いることも可能である。
【００４４】
また、発光素子２０６からの光が第２の基板２００の方向にのみ放出されるように構成さ
れた発光素子の場合には、第１の基板２０３は必ずしも透光性基板である必要はない。よ
って、第１の基板２０３として、透光性を有しない樹脂基板、半導体基板、セラミック基
板、金属基板などの透光性を有しない基板を用いることも可能である。
【００４５】
また、第１の基板２０３、第２の基板２００は、以上で挙げた基板を可撓性を有する程度
に薄膜化したものを用いてもよい。
【００４６】
第１の基板２０３上に形成されている発光素子２０６は、第１の電極２０４、発光物質を
含む層２０８、第２の電極２０９を有する。
【００４７】
第１の電極２０４は、全ての発光素子で共通の電極として第１の基板２０３上に形成され
ている。そして、第１の電極２０４上には、発光物質を含む層２０８が形成され、発光物
質を含む層２０８上には、第２の電極２０９が形成されている。そして、第２の電極２０
９上には、絶縁膜２１０が形成されており、絶縁膜２１０上には、第２の電極２０９と電
気的に接続された電極２１９が形成されている。
【００４８】
発光素子２０６からの光が第１の基板２０３の方向にのみ放出されるように構成された発
光素子の場合には、第１の電極２０４は透光性を有する導電膜で形成する。この場合、例
えば、第１の電極２０４としてインジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏ
ｘｉｄｅ）や酸化インジウムに酸化亜鉛を含有したＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏ
ｘｉｄｅ）などの透明導電膜、透光性を有するほど薄い膜厚で形成された金属膜などを用
い、第２の電極２０９としてアルミニウム膜（アルミニウム合金膜や添加物を含むアルミ
ニウム膜を含む）などの金属膜を用いれば良い。
【００４９】
また、発光素子２０６からの光が第２の基板２００の方向にのみ放出されるように構成さ
れた発光素子の場合には、第２の電極２０９は透光性を有する導電膜で形成する。この場
合、例えば、第１の電極２０４としてアルミニウム膜（アルミニウム合金膜や添加物を含
むアルミニウム膜を含む）などの金属膜を用い、第２の電極２０９としてインジウム錫酸
化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）や酸化インジウムに酸化亜鉛を含有
したＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などの透明導電膜、透光性を有する
ほど薄い膜厚で形成された金属膜などを用いれば良い。
【００５０】
また、発光素子２０６からの光が第１の基板２０３の方向及び第２の基板２００の方向に
放出されるように構成された発光素子の場合には、第１の電極２０４及び第２の電極２０
９は透光性を有する導電膜で形成する。透光性を有する導電膜としては、例えば、第１の
電極２０４及び第２の電極２０９としてインジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔ
ｉｎ Ｏｘｉｄｅ）や酸化インジウムに酸化亜鉛を含有したＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉ
ｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などの透明導電膜、透光性を有するほど薄い膜厚で形成された金属膜
などが挙げられる。
【００５１】
また第１の電極２０４及び第２の電極２０９は仕事関数を考慮して材料を選択する必要
がある。但し第１の電極２０４及び第２の電極２０９は、画素回路の構成によりいずれも
陽極、又は陰極となりうる。
【００５２】
発光物質を含む層２０８は、電圧を印加することにより発光する材料を含む層であり、公
知の層構成とすればよい。発光素子が有機ＥＬ素子である場合には、以下に示す例が挙げ
られる。例えば、第１の電極２０４を陽極とした場合、第１の電極２０４側から順に、Ｈ
ＩＬ（ホール注入層）、ＨＴＬ（ホール輸送層）、ＥＭＬ（発光層）、ＥＴＬ（電子輸送
層）、ＥＩＬ（電子注入層）の順に積層する構成や、第１の電極２０４側から順に、ＨＴ
Ｌ（ホール輸送層）、ＥＭＬ（発光層）、ＥＴＬ（電子輸送層）の順に積層する構成など
が挙げられる。また、第１の電極２０４を陰極とした場合、第１の電極２０４側から順に
、ＥＩＬ（電子注入層）、ＥＴＬ（電子輸送層）、ＥＭＬ（発光層）、ＨＴＬ（ホール輸
送層）、ＨＩＬ（ホール注入層）の順に積層する構成や、第１の電極２０４側から順に、
ＥＴＬ（電子輸送層）、ＥＭＬ（発光層）、ＨＴＬ（ホール輸送層）の順に積層する構成
などが挙げられる。
【００５３】
また、発光物質を含む層２０８に含まれる発光物質には、一重項励起状態から基底状態に
戻る際のエネルギーを発光に変換し得る材料（蛍光材料）と三重項励起状態から基底状態
に戻る際のエネルギーを発光に変換し得る材料（リン光材料）とがあるが、本発明の発光
装置に用いる発光材料としては、どちらを用いてもよい。
【００５４】
一方、第１の基板２０３と対向して設けられている第２の基板２００上には、発光素子２
０６を駆動するための薄膜トランジスタ（駆動用トランジスタ）２０２が形成されている
。図１においては、薄膜トランジスタ２０２は、第２の基板上に下地膜２０１を介して形
成された半導体膜２１７と、ゲート絶縁膜２１６と、ゲート電極２１５とを有する。
【００５５】
薄膜トランジスタ２０２上には第１の層間絶縁膜２２０が形成されており、第１の層間絶
縁膜２２０上には、薄膜トランジスタ２０２の有する半導体膜２１７と電気的に接続され
る電極２１２が形成されている。そして、電極２１２上に第２の層間絶縁膜２２１が形成
されており、第２の層間絶縁膜２２１上には、電極２１２と電気的に接続される電極２１
８が形成されている。よって、電極２１８は薄膜トランジスタ２０２と電気的に接続され
ている。
【００５６】
以上で説明した構造を有する第１の基板２０３と第２の基板２００とが、異方性導電膜２
１１によって貼り合わせられている。異方性導電膜２１１としては、ＡＣＰ（Ａｎｉｓｏ
ｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）やＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ
Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）などが挙げられる。異方性導電膜２１１を用いて、
第１の基板２０３と第２の基板２００とを貼り合わせることによって、電極２１８と電極
２１９とが異方性導電膜２１１に含まれる導電性粒子２０５を介して電気的に接続される
。つまり、第１の基板２０３に形成されている発光素子２０６と第２の基板２００に形成
されている薄膜トランジスタ２０２は電気的に接続された状態となっている。
【００５７】
なお、図１では、第１の基板２０３と第２の基板２００とを異方性導電膜２１１によって
貼り合わせることによって、電極２１８と電極２１９とを電気的に接続する場合を例とし
て示しているが、電極２１８と電極２１９とを電気的に接続するための方法は、特にこれ
に限定されるものではなく、公知の接続方法を用いればよい。例えば、ＮＣＰ（Ｎｏｎ
Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）を用いて電極２１８と電極２１９とを電気的に接続
するようにしても良いし、超音波を用いた共晶接合によって電極２１８と電極２１９とを
電気的に接続するようにしても良い。
【００５８】
また、第１の基板２０３と第２の基板２００を貼り合わせる際に、必要に応じて第１の基
板２０３と第２の基板２００の間にスペーサーを設けても良い。
【００５９】
また、図１においては、発光素子２０６の第１の電極２０４と電源との接続などは特に記
載していないが、第１の電極２０４と電気的に接続された接続端子を画素部６０１の周囲
もしくはソース信号線駆動回路６０２やゲート信号線駆動回路６０３よりも外側の領域に
設け、その接続端子によって外付けのＩＣ等により設けられた電源と接続することによっ
て、第１の電極２０４に対向電位が与えられている。
【００６０】
なお、以上においては、各画素に設けられている発光素子を駆動するための画素回路が図
１２で示した画素回路６０９の場合について説明したが、各画素に設けられている発光素
子を駆動するための画素回路の構成は、図１２で示した画素回路６０９に限られるもので
はない。図１２に示した画素回路６０９の構成は、一例として示したものであって、その
他の様々な画素回路においても本実施の形態を実施することができる。
【００６１】
図１２で示した画素回路６０９は、発光素子６０７を駆動するための薄膜トランジスタで
ある駆動用トランジスタ６０６が発光素子６０７と接続される回路構成となっている。そ
のため、発光素子６０７と駆動用トランジスタ６０６とが、異方性導電膜を介して電気的
に接続される構成となっている。よって、他の画素回路の構成に適用する場合には、その
画素回路の構成において発光素子と接続される素子が、異方性導電膜を介して発光素子と
電気的に接続されるようにすればよい。画素回路の多くの場合において、発光素子と接続
される素子は、発光素子を駆動するための薄膜トランジスタである。よって、たいていの
場合には、発光素子を駆動するための薄膜トランジスタと発光素子とが異方性導電膜を介
して電気的に接続される構成となる。
【００６２】
図１で示した断面構造を有する発光装置の第１の基板２０３側の作製工程について以下に
説明する。
【００６３】
まず、図２４（Ａ）に示すように、第１の基板２０３上に、第１の電極２０４を形成する
。第１の電極２０４は、発光素子の構造に応じて上記で挙げた材料などを適宜選択して形
成すればよい。
【００６４】
次に、図２４（Ｂ）に示すように、メタルマスクを用いた蒸着により第１の電極２０４上
に発光物質を含む層２０８を形成し、そしてその発光物質を含む層２０８上にメタルマス
クを用いた蒸着により第２の電極２０９を形成する。また、発光物質を含む層２０８、第
２の電極２０９を形成する方法としては、メタルマスクを用いる方法以外に、インクジェ
ット法や印刷法などによって形成することもできる。
【００６５】
図２４（Ｃ）に示すように、第２の電極２０９に通じる開口を有する絶縁膜２１０を第１
の電極２０４、発光物質を含む層２０８、及び第２の電極２０９上に形成する。絶縁膜２
１０には、無機材料（酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、ＤＬＣ膜等）、
感光性又は非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド
、レジスト又はベンゾシクロブテン）、シロキサン（シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との
結合で骨格構造が構成される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアル
キル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いてもよい。ま
たは置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。）、
及びそれらの積層構造を用いることができる。特に、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、
ＤＬＣ膜などを用いれば、水分や酸素、その他の不純物が外部から発光素子２０６に侵入
することを防止することができる。
【００６６】
そして、図２４（Ｄ）に示すように、第２の電極２０９と電気的に接続された電極２１９
を形成する。
【００６７】
なお、第２の電極２０９と電気的に接続された電極２１９の形成方法としては、図２４（
Ｃ）〜（Ｄ）を用いて説明した方法以外に、以下の方法で形成することができる。
【００６８】
図２４（Ｂ）に示す状態まで形成した後に、図２５（Ａ）に示すように第１の電極２０４
、発光物質を含む層２０８及び第２の電極２０９上に絶縁膜２１０を形成し、絶縁膜２１
０上に導電膜２３０を１μｍ〜数十μｍの膜厚、好ましくは１０〜２０μｍの膜厚で形成
する。導電膜２３０は、例えばスクリーン印刷により、Ａｕペースト、Ａｇペースト、Ｃ
ｕペースト、Ｎｉペースト、Ａｌペーストなどの導電性材料やハンダなどを用いて形成す
ればよい。
【００６９】
そして、図２５（Ｂ）に示すように、導電膜２３０にレーザーを照射する。この際、導電
膜２３０が第２の電極２０９の深さまで打ち込まれ、第２の電極２０９で止まるように（
つまり、導電膜２３０が絶縁膜２１０を貫通して、第２の電極２０９で止まるように）レ
ーザーの出力を調節する。これにより、図２５（Ｃ）に示すように第２の電極２０９と電
気的に接続された電極２１９が形成される。
【００７０】
なお、本実施の形態は他の実施の形態に記載された技術と適宜組み合わせて行うことがで
きる。
【００７１】
（実施の形態２）
本実施の形態では、第１の基板に形成された発光素子と、第２の基板に形成されたトラン
ジスタとが電気的に接続されているアクティブマトリクス型の発光装置の第２の例につい
て説明する。つまり、上記本発明の発光装置の第１の構成において、アクティブマトリク
ス型の発光装置である場合における第２の例について説明する。
【００７２】
本実施の形態の発光装置は、実施の形態１で説明した発光装置における発光素子の断面構
造とは異なる断面構造の発光素子を有する。
なお、以下においては、実施の形態１と同様、画素回路の構成が図１２に示す画素回路６
０９の場合を例にして説明することとする。
【００７３】
本実施の形態で示す発光装置において、第２の基板側の構成は、実施の形態１と同様であ
る。よって、第２の基板については説明を省略し、実施の形態１と同じ構成のものは同じ
符号で示すものとする。
【００７４】
なお、本実施の形態においても、実施の形態１と同様、画素回路６０９を構成するトラン
ジスタは、薄膜トランジスタ以外のトランジスタで形成してもよい。例えば、第２の基板
として半導体基板を用い、該半導体基板にＭＯＳトランジスタなどを作り込むことによっ
て第２の基板に形成される画素回路を形成するようにしても良い。
【００７５】
図２に本実施の形態の発光装置の一部の断面図を示す。
図２において、発光素子３０６が複数形成された第１の基板３０３と、薄膜トランジスタ
２０２が複数形成された第２の基板２００とが対向して設けられている。
なお、本実施の形態では、第２の基板２００が第１の基板３０３の発光素子が形成されて
いる側の面と対向するように、第１の基板３０３と第２の基板２００が貼り合わせられて
いる。よって、第２の基板２００は封止用の基板の役割を果たしている。
【００７６】
図２の発光素子３０６は、図１２の発光素子６０７に相当する。
また、図２の薄膜トランジスタ２０２は、図１２の駆動用トランジスタ６０６に相当する
。
【００７７】
第１の基板３０３、第２の基板２００としては、ガラス基板、石英基板、透光性を有する
樹脂基板などの透光性基板を用いればよい。なお、発光素子３０６からの光が第１の基板
３０３の方向にのみ放出されるように構成された発光素子の場合には、第２の基板２００
は必ずしも透光性基板である必要はない。よって、第２の基板２００として、透光性を有
しない樹脂基板、半導体基板、セラミック基板、金属基板などの透光性を有しない基板を
用いることも可能である。
【００７８】
また、発光素子３０６からの光が第２の基板２００の方向にのみ放出されるように構成さ
れた発光素子の場合には、第１の基板３０３は必ずしも透光性基板である必要はない。よ
って、第１の基板３０３として、透光性を有しない樹脂基板、半導体基板、セラミック基
板、金属基板などの透光性を有しない基板を用いることも可能である。
【００７９】
また、第１の基板３０３、第２の基板２００は、以上で挙げた基板を可撓性を有する程度
に薄膜化したものを用いてもよい。
【００８０】
第１の基板３０３上に形成されている発光素子３０６は、第１の電極３０４、発光物質を
含む層３０８、第２の電極３０９を有する。
【００８１】
第１の基板３０３上には、第１の電極３０４が形成されている。また、第１の基板３０３
上には、第１の電極３０４の端部を覆うように第１の絶縁膜３０７が形成されている。そ
して、第１の電極３０４上には、発光物質を含む層３０８が形成され、発光物質を含む層
３０８上には、第２の電極３０９が形成されている。発光物質を含む層３０８、及び第２
の電極３０９の一部は第１の絶縁膜３０７上に形成されている。そして、第２の電極３０
９上には、第２の絶縁膜３１０が形成されており、第１の絶縁膜３０７上に位置する第２
の絶縁膜３１０上には、第２の電極３０９と電気的に接続された電極３１９が形成されて
いる。
【００８２】
なお、第１の電極３０４、第２の電極３０９などに用いる材料については、実施の形態１
に記載されている材料を用いればよい。また、発光物質を含む層３０８の層構成について
も、実施の形態１で説明したように公知の層構成とすればよい。
【００８３】
以上で説明した構造を有する第１の基板３０３と第２の基板２００とが、異方性導電膜２
１１によって貼り合わせられている。異方性導電膜２１１としては、ＡＣＰ（Ａｎｉｓｏ
ｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）やＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ
Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）などが挙げられる。異方性導電膜２１１を用いて、
第１の基板３０３と第２の基板２００とを貼り合わせることによって、電極２１８と電極
３１９とが異方性導電膜２１１に含まれる導電性粒子２０５を介して電気的に接続される
。つまり、第１の基板３０３に形成されている発光素子３０６と第２の基板２００に形成
されている薄膜トランジスタ２０２は電気的に接続された状態となっている。
【００８４】
なお、図２では、第１の基板３０３と第２の基板２００とを異方性導電膜２１１によって
貼り合わせることによって、電極２１８と電極３１９とを電気的に接続する場合を例とし
て示しているが、電極２１８と電極３１９とを電気的に接続するための方法は、特にこれ
に限定されるものではなく、公知の接続方法を用いればよい。例えば、ＮＣＰ（Ｎｏｎ
Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）を用いて電極２１８と電極３１９とを電気的に接続
するようにしても良いし、超音波を用いた共晶接合によって電極２１８と電極３１９とを
電気的に接続するようにしても良い。
【００８５】
また、第１の基板３０３と第２の基板２００を貼り合わせる際に、必要に応じて第１の基
板３０３と第２の基板２００の間にスペーサーを設けても良い。
【００８６】
また、図２においては、発光素子３０６の第１の電極３０４と電源との接続などは特に記
載していないが、第１の電極３０４と電気的に接続された接続端子を画素部６０１の周囲
もしくはソース信号線駆動回路６０２やゲート信号線駆動回路６０３よりも外側の領域に
設け、その接続端子によって外付けのＩＣ等により設けられた電源と接続することによっ
て、第１の電極３０４に対向電位が与えられている。
【００８７】
なお、以上においては、各画素に設けられている発光素子を駆動するための画素回路が図
１２で示した画素回路６０９の場合について説明したが、各画素に設けられている発光素
子を駆動するための画素回路の構成は、図１２で示した画素回路６０９に限られるもので
はない。図１２に示した画素回路６０９の構成は、一例として示したものであって、その
他の様々な画素回路においても本実施の形態を実施することができる。
【００８８】
図１２で示した画素回路６０９は、発光素子６０７を駆動するための薄膜トランジスタで
ある駆動用トランジスタ６０６が発光素子６０７と接続される回路構成となっている。そ
のため、発光素子６０７と駆動用トランジスタ６０６とが、異方性導電膜を介して電気的
に接続される構成となっている。よって、他の画素回路の構成に適用する場合には、その
画素回路の構成において発光素子と接続される素子が、異方性導電膜を介して発光素子と
電気的に接続されるようにすればよい。画素回路の多くの場合において、発光素子と接続
される素子は、発光素子を駆動するための薄膜トランジスタである。よって、たいていの
場合には、発光素子を駆動するための薄膜トランジスタと発光素子とが異方性導電膜を介
して電気的に接続される構成となる。
【００８９】
図２で示した断面構造を有する発光装置の第１の基板３０３側の作製工程について以下に
説明する。
【００９０】
まず、図２６（Ａ）に示すように、第１の基板３０３上に、第１の電極３０４を形成し、
第１の電極３０４の端部を覆うように第１の絶縁膜３０７を形成する。
【００９１】
第１の電極３０４は、発光素子の構造に応じて実施の形態１で挙げた材料などを適宜選択
して形成すればよい。
【００９２】
第１の絶縁膜３０７には、無機材料（酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、
ＤＬＣ等）、感光性又は非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリ
イミドアミド、レジスト又はベンゾシクロブテン）、シロキサン（シリコン（Ｓｉ）と酸
素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基
（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用い
てもよい。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いて
もよい。）、及びそれらの積層構造を用いることができる。第１の絶縁膜３０７は曲率半
径が連続的に変化する形状が好ましい。このような形状とすることによって、第１の絶縁
膜３０７上に形成される発光物質を含む層３０８、第２の電極３０９の被覆性が向上する
。
【００９３】
次に、図２６（Ｂ）に示すように、第１の電極３０４及び第１の絶縁膜３０７上にメタル
マスクを用いた蒸着により発光物質を含む層３０８を形成し、そしてその発光物質を含む
層３０８上にメタルマスクを用いた蒸着により第２の電極３０９を形成する。また、発光
物質を含む層３０８、第２の電極３０９を形成する方法としては、メタルマスクを用いる
方法以外に、インクジェット法や印刷法などによって形成することもできる。
【００９４】
図２６（Ｃ）に示すように、第２の電極３０９及び第１の絶縁膜３０７上に第２の絶縁膜
３１０を形成する。第２の絶縁膜３１０としては、無機材料（酸化シリコン、窒化シリコ
ン、酸化窒化シリコン、ＤＬＣ膜等）、感光性又は非感光性の有機材料（ポリイミド、ア
クリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジスト又はベンゾシクロブテン）、シロキサ
ン（シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される。置換基として、少
なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基
として、フルオロ基を用いてもよい。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基
と、フルオロ基とを用いてもよい。）、及びそれらの積層構造を用いることができる。特
に、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、ＤＬＣ膜などを用いれば、水分や酸素、その他の
不純物が外部から発光素子３０６に侵入することを防止することができる。
【００９５】
次に、図２６（Ｄ）に示すように、第１の絶縁膜３０７上に位置する第２の絶縁膜３１０
上に導電膜３２０を１μｍ〜数十μｍの膜厚、好ましくは１０〜２０μｍの膜厚で形成す
る。導電膜３２０は、例えばスクリーン印刷により、Ａｕペースト、Ａｇペースト、Ｃｕ
ペースト、Ｎｉペースト、Ａｌペーストなどの導電性材料やハンダなどを用いて形成すれ
ばよい。
【００９６】
そして、導電膜３２０にレーザーを照射する。この際、導電膜３２０が第１の電極３０４
の深さまで打ち込まれ、第１の電極３０４で止まるように（つまり、導電膜３２０が第２
の絶縁膜３１０と第１の絶縁膜３０７を貫通して、第１の電極３０４で止まるように）レ
ーザーの出力を調節する。これにより、図２７に示すように第１の電極３０４と電気的に
接続された電極３１９が形成される。
【００９７】
なお、本実施の形態は他の実施の形態に記載された技術と適宜組み合わせて行うことがで
きる。
【００９８】
（実施の形態３）
本実施の形態では、第１の基板に形成された発光素子と、第２の基板に形成されたトラン
ジスタとが電気的に接続されているアクティブマトリクス型の発光装置の第３の例につい
て説明する。つまり、上記本発明の発光装置の第１の構成において、アクティブマトリク
ス型の発光装置である場合における第３の例について説明する。
【００９９】
本実施の形態の発光装置は、実施の形態１、２で説明した発光装置における発光素子の断
面構造とは異なる断面構造の発光素子を有する。
なお、以下本実施の形態においては、実施の形態１、２と同様、画素回路の構成が図１２
に示す画素回路６０９の場合を例にして説明することとする。
【０１００】
本実施の形態で示す発光装置において、第２の基板側の構成は、実施の形態１と同様であ
る。よって、第２の基板については説明を省略し、実施の形態１と同じ構成のものは同じ
符号で示すものとする。
【０１０１】
なお、本実施の形態においても、実施の形態１と同様、画素回路６０９を構成するトラン
ジスタは、薄膜トランジスタ以外のトランジスタで形成してもよい。例えば、第２の基板
として半導体基板を用い、該半導体基板にＭＯＳトランジスタなどを作り込むことによっ
て第２の基板に形成される画素回路を形成するようにしても良い。
【０１０２】
図３に本実施の形態の発光装置の一部の断面図を示す。
図３において、発光素子４０６が複数形成された第１の基板４０３と、薄膜トランジスタ
２０２が複数形成された第２の基板２００とが対向して設けられており、第３の基板４２
０が第１の基板４０３と対向して設けられている。
【０１０３】
実施の形態１、２においては、第１の基板の発光素子が形成されている側の面が第２の基
板と対向するように設けられていたが、本実施の形態では、第１の基板の発光素子が設け
られていない側の面が第２の基板と対向するように設けられている。よって、第１の基板
４０３の発光素子が形成されている側の面を封止するために第１の基板４０３の発光素子
が形成されている側の面に対向するように封止用の第３の基板４２０を設ける。
【０１０４】
図３の発光素子４０６は、図１２の発光素子６０７に相当する。
また、図３の薄膜トランジスタ２０２は、図１２の駆動用トランジスタ６０６に相当する
。
【０１０５】
図３の断面図において、第２の基板２００に駆動用トランジスタ６０６が形成されている
部分しか示されていないが、第２の基板２００には、駆動用トランジスタ６０６以外の画
素回路６０９を構成する素子（スイッチング用トランジスタ６０５、コンデンサ６０８）
も形成されている。
【０１０６】
第１の基板４０３、第２の基板２００、第３の基板４２０としては、ガラス基板、石英基
板、透光性を有する樹脂基板などの透光性基板を用いればよい。
ただし、本実施の形態においては、第１の基板４０３の発光素子が形成されていない側の
面に発光素子の一方の電極と電気的に接続する電極を形成するため、第１の基板は厚さを
１００μｍ以下とするのが好ましく、２０〜５０μｍとするのがさらに好ましい。
【０１０７】
なお、発光素子４０６からの光が第３の基板４２０の方向にのみ放出されるように構成さ
れた発光素子の場合には、第１の基板４０３、第２の基板２００は必ずしも透光性基板で
ある必要はない。よって、第１の基板４０３、第２の基板２００として、透光性を有しな
い樹脂基板、半導体基板、セラミック基板、金属基板などの透光性を有しない基板を用い
ることも可能である。
【０１０８】
また、発光素子４０６からの光が第２の基板２００の方向にのみ放出されるように構成さ
れた発光素子の場合には、第３の基板４２０は必ずしも透光性基板である必要はない。よ
って、第３の基板４２０として、透光性を有しない樹脂基板、半導体基板、セラミック基
板、金属基板などの透光性を有しない基板を用いることも可能である。
【０１０９】
また、第１の基板４０３、第２の基板２００は、以上で挙げた基板を可撓性を有する程度
に薄膜化したものを用いてもよい。
【０１１０】
第１の基板４０３上に形成されている発光素子４０６は、第１の電極４０４、発光物質を
含む層４０８、第２の電極４０９を有する。
【０１１１】
そして、第１の電極４０４の端部を覆うように第１の絶縁膜４０７が形成されている。第
１の電極４０４及び第１の絶縁膜４０７上には発光物質を含む層４０８が形成されており
、発光物質を含む層４０８上には第２の電極４０９が形成されている。よって、発光物質
を含む層４０８、及び第２の電極４０９の一部は第１の絶縁膜４０７上に形成されている
。なお、第２の電極４０９は、全ての発光素子で共通の電極として形成されている。
【０１１２】
そして、第１の基板４０３の発光素子４０６が形成されていない側の面には、第１の電極
４０４と電気的に接続された電極４１９が形成されている。
【０１１３】
また、第１の基板４０３は、第３の基板４２０によって封止されている。図３においては
、第１の基板４０３の発光素子４０６が形成されている側の面と対向するように封止用の
第３の基板４２０が第１の基板４０３と接着材４１１によって貼り合わせられている。図
３においては、第１の基板４０３と第３の基板４２０との間に全面にわたって形成された
接着材４１１を用いて第１の基板４０３と第３の基板４２０とを貼り合わせることによっ
て封止を行っている場合について示しているが、その他の公知の封止方法を用いてもよい
。
【０１１４】
なお、第１の電極４０４、第２の電極４０９などに用いる材料については、実施の形態１
に記載されている材料を用いればよい。また、発光物質を含む層４０８の層構成について
も、実施の形態１で説明したように公知の層構成とすればよい。
【０１１５】
以上で説明した構造を有する第１の基板４０３と第２の基板２００とが、異方性導電膜２
１１によって貼り合わせられている。異方性導電膜２１１としては、ＡＣＰ（Ａｎｉｓｏ
ｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）やＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ
Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）などが挙げられる。異方性導電膜２１１を用いて、
第１の基板４０３と第２の基板２００とを貼り合わせることによって、電極２１８と電極
４１９とが異方性導電膜２１１に含まれる導電性粒子２０５を介して電気的に接続される
。つまり、第１の基板４０３に形成されている発光素子４０６と第２の基板２００に形成
されている薄膜トランジスタ２０２は電気的に接続された状態となっている。
【０１１６】
なお、図３では、第１の基板４０３と第２の基板２００とを異方性導電膜２１１によって
貼り合わせることによって、電極２１８と電極４１９とを電気的に接続する場合を例とし
て示しているが、電極２１８と電極４１９とを電気的に接続するための方法は、特にこれ
に限定されるものではなく、公知の接続方法を用いればよい。例えば、ＮＣＰ（Ｎｏｎ
Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）を用いて電極２１８と電極４１９とを電気的に接続
するようにしても良いし、超音波を用いた共晶接合によって電極２１８と電極４１９とを
電気的に接続するようにしても良い。
【０１１７】
また、第１の基板４０３と第２の基板２００を貼り合わせる際に、必要に応じて第１の基
板４０３と第２の基板２００の間にスペーサーを設けても良い。
【０１１８】
また、図３においては、発光素子４０６の第１の電極４０４と電源との接続などは特に記
載していないが、第１の電極４０４と電気的に接続された接続端子を画素部６０１の周囲
もしくはソース信号線駆動回路６０２やゲート信号線駆動回路６０３よりも外側の領域に
設け、その接続端子によって外付けのＩＣ等により設けられた電源と接続することによっ
て、第１の電極４０４に対向電位が与えられている。
【０１１９】
なお、以上においては、各画素に設けられている発光素子を駆動するための画素回路が図
１２で示した画素回路６０９の場合について説明したが、各画素に設けられている発光素
子を駆動するための画素回路の構成は、図１２で示した画素回路６０９に限られるもので
はない。図１２に示した画素回路６０９の構成は、一例として示したものであって、その
他の様々な画素回路においても本実施の形態を実施することができる。
【０１２０】
図１２で示した画素回路６０９は、発光素子６０７を駆動するための薄膜トランジスタで
ある駆動用トランジスタ６０６が発光素子６０７と接続される回路構成となっている。そ
のため、発光素子６０７と駆動用トランジスタ６０６とが、異方性導電膜を介して電気的
に接続される構成となっている。よって、他の画素回路の構成に適用する場合には、その
画素回路の構成において発光素子と接続される素子が、異方性導電膜を介して発光素子と
電気的に接続されるようにすればよい。画素回路の多くの場合において、発光素子と接続
される素子は、発光素子を駆動するための薄膜トランジスタである。よって、たいていの
場合には、発光素子を駆動するための薄膜トランジスタと発光素子とが異方性導電膜を介
して電気的に接続される構成となる。
【０１２１】
図３で示した断面構造を有する発光装置の第１の基板４０３側の作製工程について以下に
説明する。
【０１２２】
まず、図２８（Ａ）に示すように、第１の基板４０３上に、第１の電極４０４を形成し、
第１の電極４０４の端部を覆うように第１の絶縁膜４０７を形成する。
【０１２３】
第１の電極４０４は、発光素子の構造に応じて実施の形態１で挙げた材料などを適宜選択
して形成すればよい。
【０１２４】
第１の絶縁膜４０７には、無機材料（酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、
ＤＬＣ等）、感光性又は非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリ
イミドアミド、レジスト又はベンゾシクロブテン）、シロキサン（シリコン（Ｓｉ）と酸
素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基
（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用い
てもよい。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いて
もよい。）、及びそれらの積層構造を用いることができる。第１の絶縁膜４０７は曲率半
径が連続的に変化する形状が好ましい。このような形状とすることによって、第１の絶縁
膜４０７上に形成される発光物質を含む層４０８、第２の電極４０９の被覆性が向上する
。
【０１２５】
次に、図２８（Ｂ）に示すように、第１の電極４０４及び第１の絶縁膜４０７上にメタル
マスクを用いた蒸着により発光物質を含む層４０８を形成し、そしてその発光物質を含む
層４０８上にメタルマスクを用いた蒸着により第２の電極４０９を形成する。また、発光
物質を含む層４０８、第２の電極４０９を形成する方法としては、メタルマスクを用いる
方法以外に、インクジェット法や印刷法などによって形成することもできる。
【０１２６】
そして、第２の電極４０９上に第２の絶縁膜４１０を形成する。第２の絶縁膜４１０とし
ては、無機材料（酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、ＤＬＣ膜等）、感光
性又は非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レ
ジスト又はベンゾシクロブテン）、シロキサン（シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合
で骨格構造が構成される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル
基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いてもよい。または
置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。）、及び
それらの積層構造を用いることができる。特に、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、ＤＬ
Ｃ膜などを用いれば、水分や酸素、その他の不純物が外部から発光素子４０６に侵入する
ことを防止することができる。
【０１２７】
次に、図２８（Ｃ）に示すように研削手段または研磨手段４３０によって第１の基板４０
３の厚さを薄くする処理を行う。この際、第１の基板４０３の厚さを１００μｍ以下、好
ましくは２０〜５０μｍとする。ここでは、第１の基板４０３の厚さを薄くする方法とし
て、研削手段または研磨手段を用いたが、ウエットエッチングを行う方法によって行って
もよい。
【０１２８】
なお、第１の基板４０３として、可撓性を有する樹脂基板などを用いた場合には、第１の
基板４０３の厚さを薄くする処理を行う必要はない。
【０１２９】
次に、図２８（Ｄ）に示すように、第１の基板４０３の発光素子が形成されている側とは
逆側の面に導電膜４３１を１μｍ〜数十μｍの膜厚、好ましくは１０〜２０μｍの膜厚で
形成する。導電膜４３１は、例えばスクリーン印刷により、Ａｕペースト、Ａｇペースト
、Ｃｕペースト、Ｎｉペースト、Ａｌペーストなどの導電性材料やハンダなどを用いて形
成すればよい。なお、この際、第１の基板４０３を介して第１の電極４０４と対向するよ
うにして導電膜４３１を形成する。
【０１３０】
そして、導電膜４３１にレーザーを照射する。この際、導電膜４３１が第１の電極４０４
まで打ち込まれ、第１の電極４０４で止まるように（つまり、導電膜４３１が第１の基板
４０３を貫通して、第１の電極４０４で止まるように）レーザーの出力を調節する。これ
により、図２９に示すように第１の電極４０４と電気的に接続された電極４１９が形成さ
れる。
【０１３１】
なお、本実施の形態は他の実施の形態に記載された技術と適宜組み合わせて行うことがで
きる。
【０１３２】
（実施の形態４）
本実施の形態では、上記本発明の第１の構成において、第２の基板にさらに撮像素子を形
成した発光装置の例について説明する。つまり、発光素子が形成された第１の基板と、発
光素子を駆動する画素回路及び撮像素子が形成された第２の基板とを有し、発光素子と発
光素子を駆動する画素回路とが電気的に接続されている発光装置の例について説明する。
【０１３３】
まず、本実施の形態の発光装置の画素部の構成について説明する。
図２２（Ａ）に本実施の形態の画素部の構成例を示す。
画素部１２０１は、マトリクス状に配置された複数の画素１２０２を有し、各画素１２０
２は、発光素子を含む副画素と、撮像素子（センサ）を含む副画素を具備する。各画素１
２０２の構成は様々であり、例えば、ＲＧＢの各色の光を発する発光素子を含む副画素３
個（１２５０〜１２５２）と、撮像素子を含む副画素３個（１２５３〜１２５５）の合わ
せて６個の副画素を１画素とする場合（図２２（Ｂ））、ＲＧＢの各色の光を発する発光
素子を含む副画素３個（１２５６〜１２５８）と、撮像素子を含む副画素１２５９の合わ
せて４個の副画素を１画素とする場合（図２２（Ｃ））、白色の光を発する発光素子を含
む副画素１２６０と、撮像素子を含む副画素１２６１の合わせて２個の副画素を１画素と
する場合（図２２（Ｄ））が挙げられる。
【０１３４】
本実施の形態の発光装置においては、どのような画素構成でもよい。従って、上記のいず
れの場合を用いてもよく、センサの感度や、表示面の明るさなどを考慮にいれて選択する
とよい。勿論、撮像素子を含む副画素の個数が多い方が、読み取り精度は向上する。また
、撮像素子を含む副画素は、その占有面積の小さいものを多数設けた方が読み取り精度は
向上する。
【０１３５】
なお、図２２（Ｂ）（Ｃ）に示す画素はカラー表示を行い、図２２（Ｄ）に示す画素はモ
ノクロ表示を行う。モノクロ表示を行う表示機能を有する場合、その読み取り機能はモノ
クロに限定される。一方、カラー表示を行う表示機能を有する場合、その読み取り機能は
モノクロ又はカラーとなる。なお、被写体の情報をカラーで読み取る際には、ＲＧＢの各
色に対応した発光素子を順番に点灯させて、各々で被写体の情報を読み取る。その後、Ｒ
ＧＢの各色における読み取った情報を合成し、この合成された情報を用いると、カラー画
像の表示を行うことができる。
【０１３６】
次に、発光素子を含む副画素１つと、撮像素子を含む副画素１つを１画素とした場合、つ
まり画素構成を図２２（Ｄ）の画素構成とした場合の１画素１２０２の等価回路図の例を
図２２（Ｅ）に示す。図２２（Ｅ）において、発光素子１２１４を含む副画素１２１９と
、撮像素子１２１８を含む副画素１２２０を１画素１２０２とする。そして、列方向に信
号線１２２４、電源線１２２６、信号線１２４５、電源線１２２７が配置され、行方向に
走査線１２２１、１２２２、１２２３が配置される。副画素１２１９は、スイッチング用
トランジスタ１２１１、駆動用トランジスタ１２１２及び容量素子１２１３を含み、副画
素１２２０は、スイッチング用トランジスタ１２１５、バッファ用トランジスタ１２１６
及びリセット用トランジスタ１２１７を含む。なお、以下においては、１画素１２０２が
図２２（Ｅ）に示す回路構成である場合を例として説明するが、図２２（Ｅ）の回路構成
はあくまで一例であり、各副画素の回路構成は、上記記載に限定されない。公知の回路構
成を用いることができる。
【０１３７】
本実施の形態の発光装置は、発光素子１２１４が第１の基板に設けられ、発光素子１２１
４以外の１画素１２０２を構成する素子が第２の基板に設けられている。つまり、本実施
の形態の発光装置は、発光素子１２１４が第１の基板に設けられ、発光素子を駆動するた
めの画素回路１２２８及び撮像素子を含む副画素１２２０が第２の基板に設けられている
。
【０１３８】
図１５に本実施の形態の発光装置の１画素における断面図を示す。
図１５において、発光素子８０６が形成された第１の基板８０３と、薄膜トランジスタ８
０２及び撮像素子８２１が形成された第２の基板８００とが対向して設けられている。
なお、本実施の形態では、第２の基板８００が第１の基板８０３の発光素子が形成されて
いる側の面と対向するように、第１の基板８０３と第２の基板８００が貼り合わせられて
いる。よって、第２の基板８００は封止用の基板の役割を果たしている。
【０１３９】
なお、図１５においては、第１の基板８０３に形成された発光素子８０６の構造は、実施
の形態１の発光素子の構造と同じ場合について示しているが、第１の基板８０３に形成す
る発光素子８０６の構造はこの構造に限定されるものではなく、実施の形態２、３などで
示した発光素子の構造としてもよい。
【０１４０】
図１５の発光素子８０６は、図２２（Ｅ）の発光素子１２１４に相当し、図１５の薄膜ト
ランジスタ８０２は、図２２（Ｅ）の駆動用トランジスタ１２１２に相当する。
また、図１５の撮像素子８２１は、図２２（Ｅ）の撮像素子１２１８に相当する。
【０１４１】
図１５において、左側の領域が撮像素子を含む副画素１２２０に相当する領域であり、右
側の領域が発光素子を有する副画素１２１９に相当する領域である。
【０１４２】
図１５において、第２の基板８００上の撮像素子を含む副画素１２２０に相当する領域に
は、撮像素子１２１８（図１５においては撮像素子８２１に相当）が形成されている部分
しか示されていないが、第２の基板８００上には、撮像素子を含む副画素１２２０を構成
する他の素子（図２２（Ｅ）のスイッチング用トランジスタ１２１５、バッファ用トラン
ジスタ１２１６及びリセット用トランジスタ１２１７）も形成されている。
【０１４３】
また、図１５において、第２の基板８００上の発光素子を含む副画素１２１９に相当する
領域には、駆動用トランジスタ１２１２（図１５においては薄膜トランジスタ８０２に相
当）が形成されている部分しか示されていないが、第２の基板８００上には、発光素子を
含む副画素１２１９の有する画素回路１２２８を構成する他の素子（図２２（Ｅ）のスイ
ッチング用トランジスタ１２１１及び容量素子１２１３）も形成されている。
【０１４４】
第１の基板８０３、第２の基板８００としては、ガラス基板、石英基板、透光性を有する
樹脂基板などの透光性基板を用いればよい。
【０１４５】
なお、発光素子８０６からの光が第１の基板８０３の方向にのみ放出されるように構成さ
れた発光素子の場合には、第２の基板８００は必ずしも透光性基板である必要はない。よ
って、第２の基板８００として、透光性を有しない樹脂基板、半導体基板、セラミック基
板、金属基板などの透光性を有しない基板を用いることも可能である。
【０１４６】
また、発光素子８０６からの光が第２の基板８００の方向にのみ放出されるように構成さ
れた発光素子の場合には、第１の基板８０３は必ずしも透光性基板である必要はない。よ
って、第１の基板８０３として、透光性を有しない樹脂基板、半導体基板、セラミック基
板、金属基板などの透光性を有しない基板を用いることも可能である。
【０１４７】
また、第１の基板８０３、第２の基板８００は、以上で挙げた基板を可撓性を有する程度
に薄膜化したものを用いてもよい。
【０１４８】
第１の基板８０３上に形成されている発光素子８０６は、第１の電極８０４、発光物質を
含む層８０８、第２の電極８０９を有する。
【０１４９】
第１の電極８０４は、全ての発光素子で共通の電極として第１の基板８０３上に形成され
ている。そして、第１の電極８０４上には、発光物質を含む層８０８が形成され、発光物
質を含む層８０８上には、第２の電極８０９が形成されている。そして、第２の電極８０
９上には、絶縁膜８１０が形成されており、絶縁膜８１０上には、第２の電極８０９と電
気的に接続された電極８１９が形成されている。
【０１５０】
なお、第１の電極８０４、第２の電極８０９などに用いる材料については、実施の形態１
に記載されている材料を用いればよい。また、発光物質を含む層８０８の層構成について
も、実施の形態１で説明したように公知の層構成とすればよい。
【０１５１】
一方、第１の基板８０３と対向して設けられている第２の基板８００上には、発光素子８
０６を駆動するための薄膜トランジスタ（駆動用トランジスタ）８０２及び撮像素子８２
１が形成されている。
【０１５２】
図１５においては、薄膜トランジスタ８０２は、第２の基板８００上に下地膜８０１を介
して形成された結晶質半導体膜８１７と、ゲート絶縁膜８１６と、ゲート電極８１５とを
有する。なお、薄膜トランジスタ８０２は、ここではＮ型の薄膜トランジスタとして形成
されているが、Ｐ型の薄膜トランジスタとして形成してもよい。
【０１５３】
図１５においては、撮像素子８２１は、第２の基板８００上に下地膜８０１を介して形成
された結晶質半導体膜と、ゲート絶縁膜８１６とを有する。そして、撮像素子８２１の有
する結晶質半導体膜は、薄膜トランジスタ８０２の有する結晶質半導体膜８１７と同じ層
に形成された結晶質半導体膜であり、Ｐ型半導体８２３、Ｉ型半導体８２４、Ｎ型半導体
８２５を有する。
【０１５４】
なお、図１５においては、薄膜トランジスタ８０２の有する半導体膜及び撮像素子８２１
の有する半導体膜が結晶質半導体膜である場合について示しているが、薄膜トランジスタ
８０２、撮像素子８２１の有する半導体膜は、非晶質半導体膜であってもよい。
【０１５５】
薄膜トランジスタ８０２及び撮像素子８２１上には第１の層間絶縁膜８２０が形成されて
おり、第１の層間絶縁膜８２０上には、電極８１２、８２６が形成されている。電極８１
２は、薄膜トランジスタ８０２の有する結晶質半導体膜８１７と電気的に接続される電極
であり、電極８２６は、撮像素子８２１の有する半導体膜のＰ型半導体８２３、Ｎ型半導
体８２５にそれぞれ電気的に接続される電極である。そして、電極８１２、８２６、及び
第１の層間絶縁膜８２０上には、第２の層間絶縁膜８３０が形成されており、第２の層間
絶縁膜８３０上には、電極８１２と電気的に接続される電極８１８が形成されている。よ
って、電極８１８と薄膜トランジスタ８０２は電気的に接続されている。
【０１５６】
以上で説明した構造を有する第１の基板８０３と第２の基板８００とが、異方性導電膜８
１１によって貼り合わせられている。異方性導電膜８１１としては、ＡＣＰ（Ａｎｉｓｏ
ｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）やＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ
Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）などが挙げられる。異方性導電膜８１１を用いて、
第１の基板８０３と第２の基板８００とを貼り合わせることによって、電極８１８と電極
８１９とが異方性導電膜８１１に含まれる導電性粒子８０５を介して電気的に接続される
。つまり、第１の基板８０３に形成されている発光素子８０６と第２の基板８００に形成
されている薄膜トランジスタ８０２は電気的に接続された状態となっている。
【０１５７】
なお、図１５では、第１の基板８０３と第２の基板８００とを異方性導電膜８１１によっ
て貼り合わせることによって、電極８１８と電極８１９とを電気的に接続する場合を例と
して示しているが、電極８１８と電極８１９とを電気的に接続するための方法は、特にこ
れに限定されるものではなく、公知の接続方法を用いればよい。例えば、ＮＣＰ（Ｎｏｎ
Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）を用いて電極８１８と電極８１９とを電気的に接
続するようにしても良いし、超音波を用いた共晶接合によって電極８１８と電極８１９と
を電気的に接続するようにしても良い。
【０１５８】
また、第１の基板８０３と第２の基板８００を貼り合わせる際に、必要に応じて第１の基
板８０３と第２の基板８００の間にスペーサーを設けても良い。
【０１５９】
また、図１５においては、発光素子８０６の第１の電極８０４と電源との接続などは特に
記載していないが、第１の電極８０４と電気的に接続された接続端子を画素部６０１の周
囲もしくはソース信号線駆動回路６０２やゲート信号線駆動回路６０３よりも外側の領域
に設け、その接続端子によって外付けのＩＣ等により設けられた電源と接続することによ
って、第１の電極８０４に対向電位が与えられている。
【０１６０】
なお、以上においては、１画素１２０２が図２２（Ｅ）に示す回路構成である場合を例と
して説明したが、図２２（Ｅ）の回路構成はあくまで一例であり、各副画素の回路構成は
、上記記載に限定されるものではなく、公知の回路構成を用いることができる。よって、
発光素子を含む副画素の有する発光素子を駆動するための画素回路１２２８の回路構成も
上記の記載に限定されるものではなく、公知の様々な画素回路を用いることができる。
【０１６１】
図２２（Ｅ）で示した画素回路１２２８は、発光素子１２１４を駆動するための薄膜トラ
ンジスタである駆動用トランジスタ１２１２が発光素子１２１４と接続される回路構成と
なっている。そのため、発光素子１２１４（図１５の発光素子８０６に相当）と駆動用ト
ランジスタ１２１２（図１５の薄膜トランジスタ８０２に相当）とが、異方性導電膜８１
１を介して電気的に接続される構成となっている。よって、他の画素回路の構成に適用す
る場合には、その画素回路の構成において発光素子と接続される素子が、異方性導電膜を
介して発光素子と電気的に接続されるようにすればよい。画素回路の多くの場合において
、発光素子と接続される素子は、発光素子を駆動するためのトランジスタ（駆動用トラン
ジスタ）である。よって、たいていの場合には、発光素子を駆動するためのトランジスタ
と発光素子とが異方性導電膜を介して電気的に接続される構成となる。
【０１６２】
以上において説明した本実施の形態の発光装置の動作について以下に説明する。
なお、図１５においては、発光素子８０６から発せられる光が第１の基板８０３側の方向
にのみ射出される構造の発光素子の場合について示すが、この場合に限定されるものでは
なく、発光素子８０６から発せられる光が第２の基板８００側の方向にのみ射出される構
造の発光素子としてもよい。ただし、図１５に示すように発光素子８０６から発せられる
光が第１の基板８０３側の方向にのみ射出される構造の発光素子の場合のほうが発光素子
８０６から発せられる光が通過する層が少ないため発光素子の光が有効に利用されるため
好ましい。また、図１５に示すように発光素子８０６から発せられる光が第１の基板８０
３側の方向にのみ射出される構造の発光素子の場合、第２の基板側は開口率を考慮するこ
となく、回路を形成することができる。よって、第２の基板に形成する画素回路１２２８
や副画素１２２０は、素子数が多い回路構成としても特に問題がない。
【０１６３】
発光素子８０６から発せられる光は、被写体８２２において反射して、その反射した光は
撮像素子８２１に入射する。そうすると、撮像素子８２１の両電極間の電位差は変化し、
その変化した電位差に応じて両電極間に電流が流れ、その流れた電流量を検知することで
、被写体８２２の情報を得ることができる。そして、その得られた情報は、発光素子８０
６により表示される。つまり、発光素子８０６は、被写体８２２の情報を読み取る際の光
源としての役割と、画像を表示する役割の２つの役割を果たす。したがって、本発明の発
光装置は、被写体８２２の情報を読み取るイメージセンサ機能と、画像を表示する表示機
能の２つの機能を有する。このような２つの機能を有しているにも関わらず、イメージセ
ンサ機能を用いる際には通常必要である光源や光散乱板を別個に設ける必要がないため、
大幅な小型化、薄型化及び軽量化が実現する。
【０１６４】
なお、以上においては、発光素子８０６から発せられる光が第１の基板８０３側の方向に
のみ射出される構造の発光素子の場合について説明したが、発光素子８０６から発せられ
る光が第２の基板８００側の方向にのみ射出される構造の発光素子の場合には、被写体８
２２を第２の基板８００側に設けて被写体８２２の情報を読み取るようにすればよい。
【０１６５】
なお、本実施の形態は他の実施の形態に記載された技術と適宜組み合わせて行うことがで
きる。
【０１６６】
（実施の形態５）
本実施の形態では、上記本発明の第１の構成において、第１の基板にさらに撮像素子を形
成した発光装置の例について説明する。つまり、発光素子及び撮像素子が形成された第１
の基板と、発光素子を駆動する画素回路が形成された第２の基板とを有し、発光素子と発
光素子を駆動する画素回路とが電気的に接続されている発光装置の例について説明する。
【０１６７】
なお、以下においては、実施の形態４と同様に、１画素が図２２（Ｅ）に示す回路構成で
ある場合を例として説明する。
【０１６８】
本実施の形態の発光装置は、図２２（Ｅ）の回路構成において、発光素子１２１４及び撮
像素子１２１８が第１の基板に設けられ、発光素子１２１４及び撮像素子１２１８以外の
１画素１２０２を構成する素子が第２の基板に設けられている。つまり、発光素子を含む
副画素１２１９において、発光素子１２１４は第１の基板に形成され、発光素子１２１４
を駆動するための画素回路１２２８は第２の基板に形成される。また、撮像素子を含む副
画素１２２０において、撮像素子１２１８は第１の基板に形成され、撮像素子を含む副画
素１２２０の撮像素子１２１８以外の素子は第２の基板に形成される。
【０１６９】
図１６に本実施の形態の発光装置の１画素における断面図を示す。
図１６において、発光素子９０６及び撮像素子９２１が形成された第１の基板９０３と、
薄膜トランジスタ９０２及び薄膜トランジスタ９２７が形成された第２の基板９００とが
対向して設けられている。
なお、本実施の形態では、第２の基板９００が第１の基板９０３の発光素子が形成されて
いる側の面と対向するように、第１の基板９０３と第２の基板９００が貼り合わせられて
いる。よって、第２の基板９００は封止用の基板の役割を果たしている。
【０１７０】
なお、図１６においては、第１の基板９０３に形成された発光素子の構造は、実施の形態
１の発光素子の構造と同じ場合について示しているが、第１の基板９０３に形成する発光
素子の構造はこの構造に限定されるものではなく、実施の形態２、３などで示した発光素
子の構造としてもよい。
【０１７１】
図１６の発光素子９０６は、図２２の発光素子１２１４に相当し、図１６の薄膜トランジ
スタ９０２は、図２２（Ｅ）の駆動用トランジスタ１２１２に相当する。
また、図１６の撮像素子９２１は、図２２（Ｅ）の撮像素子１２１８に相当し、図１６の
薄膜トランジスタ９２７は、図２２（Ｅ）のリセット用トランジスタ１２１７に相当する
。
【０１７２】
図１６において、左側の領域が撮像素子を含む副画素１２２０に相当する領域であり、右
側の領域が発光素子を有する副画素１２１９に相当する領域である。
【０１７３】
また、図１６において、第２の基板９００上の撮像素子を含む副画素１２２０に相当する
領域には、リセット用トランジスタ１２１７（図１６においては薄膜トランジスタ９２７
に相当）が形成されている部分しか示されていないが、第２の基板９００上には、撮像素
子を含む副画素１２２０を構成する素子のうち、撮像素子１２１８及びリセット用トラン
ジスタ１２１７以外の素子（図２２（Ｅ）のスイッチング用トランジスタ１２１５及びバ
ッファ用トランジスタ１２１６）も形成されている。
【０１７４】
また、図１６において、第２の基板９００上の発光素子を含む副画素１２１９に相当する
領域には、駆動用トランジスタ１２１２（図１６においては薄膜トランジスタ９０２に相
当）が形成されている部分しか示されていないが、第２の基板９００上には、発光素子を
含む副画素１２１９の有する画素回路１２２８を構成する他の素子（図２２（Ｅ）のスイ
ッチング用トランジスタ１２１１及び容量素子１２１３）も形成されている。
【０１７５】
第１の基板９０３、第２の基板９００としては、ガラス基板、石英基板、透光性を有する
樹脂基板などの透光性基板を用いればよい。
【０１７６】
なお、発光素子９０６からの光が第１の基板９０３の方向にのみ放出されるように構成さ
れた発光素子の場合には、第２の基板９００は必ずしも透光性基板である必要はない。よ
って、第２の基板９００として、透光性を有しない樹脂基板、半導体基板、セラミック基
板、金属基板などの透光性を有しない基板を用いることも可能である。
【０１７７】
また、発光素子９０６からの光が第２の基板９００の方向にのみ放出されるように構成さ
れた発光素子の場合には、第１の基板９０３は必ずしも透光性基板である必要はない。よ
って、第１の基板９０３として、透光性を有しない樹脂基板、半導体基板、セラミック基
板、金属基板などの透光性を有しない基板を用いることも可能である。
【０１７８】
また、第１の基板９０３、第２の基板９００は、以上で挙げた基板を可撓性を有する程度
に薄膜化したものを用いてもよい。
【０１７９】
第１の基板９０３上に形成されている発光素子９０６は、第１の電極９０４、発光物質を
含む層９０８、第２の電極９０９を有する。
【０１８０】
第１の電極９０４は、第１の基板９０３上に形成されている。そして、第１の電極９０４
上には、発光物質を含む層９０８が形成され、発光物質を含む層９０８上には、第２の電
極９０９が形成されている。そして、第２の電極９０９上には、絶縁膜９１０が形成され
ており、絶縁膜９１０上には、第２の電極９０９と電気的に接続された電極９１９が形成
されている。
【０１８１】
また、第１の基板９０３上に形成されている撮像素子９２１は、縦接合の撮像素子であり
、第１の基板９０３上に形成された第１の電極９０７、第１の電極９０７上に形成された
Ｐ型半導体９２３、Ｉ型半導体９２４、Ｎ型半導体９２５を有する。そして、Ｎ型半導体
９２５上には、絶縁膜９１０が形成されており、絶縁膜９１０上には、Ｎ型半導体９２５
と電気的に接続された電極９２６が形成されている。
【０１８２】
一方、第１の基板９０３と対向して設けられている第２の基板９００上には、発光素子９
０６を駆動するための薄膜トランジスタ９０２（図２２（Ｅ）の駆動用トランジスタ１２
１２に相当）及び薄膜トランジスタ９２７（図２２（Ｅ）のリセット用トランジスタ１２
１７に相当）が形成されている。
【０１８３】
図１６においては、薄膜トランジスタ９０２は、第２の基板９００上に下地膜９０１を介
して形成された結晶質半導体膜９１７と、ゲート絶縁膜９１６と、ゲート電極９１５とを
有する。なお、薄膜トランジスタ９０２は、ここではＮ型の薄膜トランジスタとして形成
されているが、Ｐ型の薄膜トランジスタとして形成してもよい。
【０１８４】
また、図１６においては、薄膜トランジスタ９２７は、第２の基板９００上に下地膜９０
１を介して形成された結晶質半導体膜９２８と、ゲート絶縁膜９１６と、ゲート電極９２
９を有する。そして、薄膜トランジスタ９２７の有する結晶質半導体膜９２８は、薄膜ト
ランジスタ９０２の有する結晶質半導体膜９１７と同じ層に形成された結晶質半導体膜で
ある。
【０１８５】
なお、本実施の形態の発光装置は、撮像素子及び発光素子を第１の基板に形成し、撮像素
子を含む副画素の撮像素子以外の素子（図２２（Ｅ）の、スイッチング用トランジスタ１
２１５、バッファ用トランジスタ１２１６、及びリセット用トランジスタ１２１７）、及
び発光素子を含む副画素の発光素子以外の素子（図２２（Ｅ）のスイッチング用トランジ
スタ１２１１、駆動用トランジスタ１２１２、及び容量素子１２１３）を第２の基板に形
成する構成としているため、撮像素子を構成する半導体膜を非晶質半導体膜で形成し、撮
像素子を含む副画素の撮像素子以外の素子（図２２（Ｅ）の、スイッチング用トランジス
タ１２１５、バッファ用トランジスタ１２１６、及びリセット用トランジスタ１２１７）
、及び発光素子を含む副画素の発光素子以外の素子（図２２（Ｅ）のスイッチング用トラ
ンジスタ１２１１、駆動用トランジスタ１２１２、及び容量素子１２１３）を構成する半
導体膜を結晶質半導体膜で形成することができる。つまり、撮像素子と１画素の有するト
ランジスタとを別な基板に設ける構成としたため、撮像素子を構成する半導体膜を非晶質
半導体膜とし、１画素の有するトランジスタを構成する半導体膜を結晶質半導体膜とする
ことができる。
【０１８６】
ここで、撮像素子を構成する半導体膜としては、光導電率が優れていることから、結晶質
半導体よりも非晶質半導体を用いることが好ましいとされている。また、トランジスタを
構成する半導体膜としては、非晶質半導体に比べて結晶質半導体のほうが移動度が高いこ
とから、結晶質半導体膜を用いることが好ましいとされている。しかし、結晶質半導体膜
を有するトランジスタと同じ基板上に形成する場合、トランジスタを構成する結晶質半導
体膜と同じ層の半導体膜を用いる構成となってしまうため、撮像素子を構成する半導体膜
も結晶質の半導体膜を用いる必要があった。
【０１８７】
しかし、本実施の形態のような構成にすることにより、撮像素子を構成する半導体膜は非
晶質半導体膜で形成し、トランジスタなどの素子を構成する半導体膜は、結晶質半導体膜
で形成することができるため、撮像素子の感度が良好であり、且つ、１画素を構成するト
ランジスタなどの素子は駆動速度の速いものとすることができる。
【０１８８】
薄膜トランジスタ９０２及び薄膜トランジスタ９２７上には第１の層間絶縁膜９２０が形
成されており、第１の層間絶縁膜９２０上には、電極９１２、９１３が形成されている。
電極９１２は、薄膜トランジスタ９０２の有する結晶質半導体膜９１７と電気的に接続さ
れる電極であり、電極９１３は、薄膜トランジスタ９２７の有する結晶質半導体膜９２８
に電気的に接続される電極である。そして、電極９１２、９１３、及び第１の層間絶縁膜
９２０上には、第２の層間絶縁膜９３１が形成されており、第２の層間絶縁膜９３１上に
は、電極９１２と電気的に接続される電極９１８と、電極９１３と電気的に接続される電
極９３０が形成されている。よって、電極９１８と薄膜トランジスタ９０２は電気的に接
続されており、電極９３０と薄膜トランジスタ９２７は電気的に接続されている。
【０１８９】
以上で説明した構造を有する第１の基板９０３と第２の基板９００とが、異方性導電膜９
１１によって貼り合わせられている。異方性導電膜９１１としては、ＡＣＰ（Ａｎｉｓｏ
ｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）やＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ
Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）などが挙げられる。異方性導電膜９１１を用いて、
第１の基板９０３と第２の基板９００とを貼り合わせることによって、電極９１８と電極
９１９とが異方性導電膜９１１に含まれる導電性粒子９０５を介して電気的に接続され、
電極９３０と電極９２６とが異方性導電膜９１１に含まれる導電性粒子９０５を介して電
気的に接続される。つまり、第１の基板９０３に形成されている発光素子９０６と第２の
基板９００に形成されている薄膜トランジスタ９０２は電気的に接続された状態となって
いる。また、第１の基板９０３に形成されている撮像素子９２１と第２の基板９００に形
成されている薄膜トランジスタ９２７は電気的に接続された状態となっている。
【０１９０】
なお、図１６では、第１の基板９０３と第２の基板９００とを異方性導電膜９１１によっ
て貼り合わせることによって、電極９１８と電極９１９、電極９３０と電極９２６とを電
気的に接続する場合を例として示しているが、電極９１８と電極９１９、電極９３０と電
極９２６とを電気的に接続するための方法は、特にこれに限定されるものではなく、公知
の接続方法を用いればよい。例えば、ＮＣＰ（Ｎｏｎ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔ
ｅ）を用いて電極９１８と電極９１９、電極９３０と電極９２６とを電気的に接続するよ
うにしても良いし、超音波を用いた共晶接合によって電極９１８と電極９１９、電極９３
０と電極９２６とを電気的に接続するようにしても良い。
【０１９１】
また、第１の基板９０３と第２の基板９００を貼り合わせる際に、必要に応じて第１の基
板９０３と第２の基板９００の間にスペーサーを設けても良い。
【０１９２】
また、図１６においては、発光素子９０６の第１の電極９０４と電源との接続などは特に
記載していないが、第１の電極９０４と電気的に接続された接続端子を画素部６０１の周
囲もしくはソース信号線駆動回路６０２やゲート信号線駆動回路６０３よりも外側の領域
に設け、その接続端子によって外付けのＩＣ等により設けられた電源と接続することによ
って、第１の電極９０４に対向電位が与えられている。
【０１９３】
なお、以上においては、１画素１２０２が図２２（Ｅ）に示す回路構成である場合を例と
して説明したが、図２２（Ｅ）の回路構成はあくまで一例であり、各副画素の回路構成は
、上記記載に限定されるものではなく、公知の回路構成を用いることができる。よって、
発光素子を含む副画素の有する発光素子を駆動するための画素回路１２２８の回路構成も
上記の記載に限定されるものではなく、公知の様々な画素回路を用いることができる。
【０１９４】
図２２（Ｅ）で示した画素回路１２２８は、発光素子１２１４を駆動するための薄膜トラ
ンジスタである駆動用トランジスタ１２１２のソースまたはドレインが発光素子１２１４
の一方の電極と接続された回路構成となっている。そのため、発光素子１２１４（図１６
の発光素子９０６に相当）と駆動用トランジスタ１２１２（図１６の薄膜トランジスタ９
０２に相当）とが、異方性導電膜９１１を介して電気的に接続される構成となっている。
よって、他の画素回路の構成に適用する場合には、その画素回路の構成において発光素子
と接続される素子が、異方性導電膜を介して発光素子と電気的に接続されるようにすれば
よい。画素回路の多くの場合において、発光素子と接続される素子は、発光素子を駆動す
るためのトランジスタ（駆動用トランジスタ）である。よって、たいていの場合には、発
光素子を駆動するためのトランジスタと発光素子とが異方性導電膜を介して電気的に接続
される構成となる。
【０１９５】
また、図２２（Ｅ）で示した撮像素子を含む副画素１２２０は、撮像素子１２１８とリセ
ット用トランジスタ１２１７のソースまたはドレインが接続された回路構成となっている
。そのため、撮像素子１２１８（図１６の撮像素子９２１に相当）とリセット用トランジ
スタ１２１７（図１６の薄膜トランジスタ９２７に相当）とが、異方性導電膜９１１を介
して電気的に接続される構成となっている。よって、他の撮像素子を含む副画素の構成に
適用する場合には、その撮像素子を含む副画素の構成において撮像素子と接続される素子
が、異方性導電膜を介して撮像素子と電気的に接続されるようにすればよい。なお、図１
６の断面図では示されていないが、撮像素子１２１８の一方の電極は、バッファ用トラン
ジスタ１２１６のゲート電極にも接続されている。
【０１９６】
以上において説明した本実施の形態の発光装置の動作について以下に説明する。
なお、図１６においては、発光素子９０６から発せられる光が第１の基板９０３側の方向
にのみ射出される構造の発光素子の場合について示すが、この場合に限定されるものでは
なく、発光素子９０６から発せられる光が第２の基板９００側の方向にのみ射出される構
造の発光素子としてもよい。ただし、図１６に示すように発光素子９０６から発せられる
光が第１の基板９０３側の方向にのみ射出される構造の発光素子の場合のほうが、発光素
子９０６から発せられる光が通過する層が少ないため発光素子の光が有効に利用されるた
め好ましい。また、図１６に示すように発光素子９０６から発せられる光が第１の基板９
０３側の方向にのみ射出される構造の発光素子の場合、第２の基板側は開口率を考慮する
ことなく、回路を形成することができる。よって、第２の基板に形成する画素回路１２２
８や副画素１２２０は、素子数が多い回路構成としても特に問題がない。
【０１９７】
発光素子９０６から発せられる光は、被写体９２２において反射して、その反射した光は
撮像素子９２１に入射する。そうすると、撮像素子９２１の両電極間の電位差は変化し、
その変化した電位差に応じて両電極間に電流が流れ、その流れた電流量を検知することで
、被写体９２２の情報を得ることができる。そして、その得られた情報は、発光素子９０
６により表示される。つまり、発光素子９０６は、被写体９２２の情報を読み取る際の光
源としての役割と、画像を表示する役割の２つの役割を果たす。したがって、本発明の発
光装置は、被写体９２２の情報を読み取るイメージセンサ機能と、画像を表示する表示機
能の２つの機能を有する。このような２つの機能を有しているにも関わらず、イメージセ
ンサ機能を用いる際には通常必要である光源や光散乱板を別個に設ける必要がないため、
大幅な小型化、薄型化及び軽量化が実現する。
【０１９８】
なお、以上においては、発光素子９０６から発せられる光が第１の基板９０３側の方向に
のみ射出される構造の発光素子の場合について説明したが、発光素子９０６から発せられ
る光が第２の基板９００側の方向にのみ射出される構造の発光素子の場合には、被写体９
２２を第２の基板９００側に設けて被写体９２２の情報を読み取るようにすればよい。
【０１９９】
なお、本実施の形態は他の実施の形態に記載された技術と適宜組み合わせて行うことがで
きる。
【０２００】
（実施の形態６）
本実施の形態においては、上記本発明の発光装置の第２の構成の第１の例について説明す
る。
【０２０１】
発光素子が形成された第１の基板の作製工程は、実施の形態１〜３で説明した作製工程と
同様であるため、ここでは、発光素子を駆動する回路を有するフィルムを作製する工程に
ついてまず説明する。
【０２０２】
図４（Ａ）に示すように、基板１００上に剥離層１０１を形成する。剥離層１０１として
、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法等により、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍ
ｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバル
ト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒ
ｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、珪素（Ｓｉ）か
ら選択された元素または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料からなる層
を、単層又は積層して形成する。珪素を含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶の
いずれの場合でもよい。
【０２０３】
基板１００としては、石英基板、半導体基板、ガラス基板、金属基板などを用いればよい
。
【０２０４】
剥離層１０１が単層構造の場合、好ましくは、タングステン、モリブデン、タングステン
とモリブデンの混合物、タングステンの酸化物、タングステンの酸化窒化物、タングステ
ンの窒化酸化物、モリブデンの酸化物、モリブデンの酸化窒化物、モリブデンの窒化酸化
物、タングステンとモリブデンの混合物の酸化物、タングステンとモリブデンの混合物の
酸化窒化物、タングステンとモリブデンの混合物の窒化酸化物のいずれかを含む層を形成
する。なお、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデ
ンの合金に相当する。
【０２０５】
剥離層１０１が積層構造の場合、好ましくは、１層目として、タングステン、モリブデン
、タングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成し、２層目として、タングステンの
酸化物、モリブデンの酸化物、タングステンとモリブデンの混合物の酸化物、タングステ
ンの酸化窒化物、モリブデンの酸化窒化物、タングステンとモリブデンの混合物の酸化窒
化物を形成する。このように、剥離層１０１を積層構造とする場合、金属膜と金属酸化膜
との積層構造とすることが好ましい。金属酸化膜の形成方法の一例としては、スパッタ法
により直接金属酸化膜を形成する方法、基板１００上に形成した金属膜の表面を熱処理ま
たは酸素雰囲気下でのプラズマ処理により当該金属膜の表面を酸化して金属酸化膜を形成
する方法などが挙げられる。
【０２０６】
金属膜としては、前述したタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）以外に、チタン（Ｔ
ｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジル
コニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム
（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）から選択された元素または前記元素
を主成分とする合金材料若しくは化合物材料からなる膜を用いることができる。
【０２０７】
なお、剥離層１０１を形成する前に、基板１００上に酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化
珪素膜、窒化酸化珪素膜などの絶縁膜を形成し、当該絶縁膜上に剥離層１０１を形成する
ようにしてもよい。基板１００と剥離層１０１との間にこのような絶縁膜を設けることに
より、基板１００が含む不純物が上層に侵入してしまうことを防止することができる。ま
た、後にレーザーを照射する工程があるが、その工程の際、基板１００がエッチングされ
てしまうことを防止することができる。なお、ここで、酸化窒化珪素膜と、窒化酸化珪素
膜とでは、前者は窒素よりも酸素を多く含み、後者は酸素よりも窒素を多く含むという意
味で使い分けている。
【０２０８】
次に、図４（Ｂ）に示すように、剥離層１０１に接するように第１の絶縁膜１０２を形成
する。第１の絶縁膜１０２は下地膜として機能する膜である。第１の絶縁膜１０２として
、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法等により、珪素の酸化物、珪素の窒化物、窒素を
含む珪素の酸化物、酸素を含む珪素の窒化物等を形成する。
【０２０９】
図４（Ｃ）に示すように、第１の絶縁膜１０２上に公知の方法で発光素子を駆動する回路
を含む層１０４を形成する。以下においては、発光素子を駆動する回路が、発光素子を駆
動する画素回路の場合について説明するものとする。
【０２１０】
発光素子を駆動する回路を含む層１０４として例えば、複数の薄膜トランジスタ１０３と
、複数の薄膜トランジスタ１０３を覆う第２の絶縁膜１１０と、第２の絶縁膜１１０に接
し複数の薄膜トランジスタ１０３のソース領域又はドレイン領域に電気的に接続する電極
１１１とを形成する。薄膜トランジスタ１０３は、島状の半導体膜１０７、ゲート絶縁膜
１０８、ゲート電極１０９などを有する。
【０２１１】
なお、薄膜トランジスタ１０３の構造は、図４（Ｃ）に示す構造に限られるものではなく
、図４（Ｃ）に示す構造以外の構造を有する薄膜トランジスタを用いても良い。例えば、
薄膜トランジスタ１０３として、ゲート電極の両端にサイドウォールが形成され、ＬＤＤ
領域（低濃度不純物領域）を有するトップゲート型の薄膜トランジスタや、ボトムゲート
型の薄膜トランジスタ、シリサイド領域を有する薄膜トランジスタなど、公知の薄膜トラ
ンジスタの構造を適用することができる。
【０２１２】
次に、図５（Ａ）に示すように、発光素子を駆動する回路を含む層１０４上に第３の絶縁
膜１１２を形成し、第３の絶縁膜１１２上に薄膜トランジスタ１０３のソース領域又はド
レイン領域に電気的に接続する電極１１１と電気的に接続された電極１１３を金属膜など
を用いて形成する。ここでは電極１１３として、ＴｉＮ膜をスパッタ法で形成する。
【０２１３】
第３の絶縁膜１１２は、公知の手段により、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、
窒化酸化珪素膜などの無機材料、ポリイミド、ポリアミド、ベンゾシクロブテン、アクリ
ル、エポキシなどの有機材料、シロキサンなどにより、単層または積層で形成する。
【０２１４】
また、図５（Ａ）においては、電極１１１と接続するように電極１１３を形成しているが
、この場合に特に限定されるものではない。画素回路のなかで、発光素子と電気的に接続
したい素子と電気的に接続する電極を形成すればよい。
【０２１５】
電極１１３を形成した後、図５（Ｂ）に示すように、電極１１３上に強度確保層１１４と
して樹脂膜を２０〜３０μｍの膜厚で形成する。ここでは、樹脂膜として、熱硬化型樹脂
、ＵＶ（紫外線）硬化型樹脂、熱可塑性樹脂等の樹脂材料をスクリーン印刷を用いて電極
１１３上に塗布した後、焼成することにより形成する。
【０２１６】
次に、図５（Ｃ）に示すようにＵＶレーザーを照射して、図６（Ａ）に示すように開口部
１１５、１１６を形成する。このように、開口部１１５、１１６を形成することにより、
剥離層１０１が一部除去されることがきっかけとなり、基板１００から、第１の絶縁膜１
０２、発光素子を駆動する回路を含む層１０４、第３の絶縁膜１１２、電極１１３、強度
確保層１１４を有する積層体１１８を簡単に分離することができる。この分離は、剥離層
１０１の内部、又は剥離層１０１と第１の絶縁膜１０２の間を境界として行われる。
【０２１７】
また、本実施の形態ではＵＶレーザーを用いたが、本発明に用いるレーザーの種類は、開
口部１１５を形成できるものであれば特に制約はない。レーザー発振器は、レーザー媒質
、励起源、共振器により構成されている。レーザーは、媒質により分類すると、気体レー
ザー、液体レーザー、固体レーザーがあり、発振の特徴により分類すると、自由電子レー
ザー、半導体レーザー、Ｘ線レーザーがあるが、本発明では、いずれのレーザーを用いて
もよい。なお、好ましくは、気体レーザー又は固体レーザーを用いるとよく、さらに好ま
しくは固体レーザーを用いるとよい。
【０２１８】
気体レーザーは、ヘリウムネオンレーザー、炭酸ガスレーザー、エキシマレーザー、アル
ゴンイオンレーザーがある。エキシマレーザーは、希ガスエキシマレーザー、希ガスハラ
イドエキシマレーザーがある。希ガスエキシマレーザーは、アルゴン、クリプトン、キセ
ノンの３種類の励起分子による発振がある。アルゴンイオンレーザーは、希ガスイオンレ
ーザー、金属蒸気イオンレーザーがある。
【０２１９】
液体レーザーは、無機液体レーザー、有機キレートレーザー、色素レーザーがある。無機
液体レーザーと有機キレートレーザーは、固体レーザーに利用されているネオジムなどの
希土類イオンをレーザー媒質として利用する。
【０２２０】
固体レーザーが用いるレーザー媒質は、固体の母体に、レーザー作用をする活性種がドー
プされたものである。固体の母体とは、結晶又はガラスである。結晶とは、ＹＡＧ（イッ
トリウム・アルミニウム・ガーネット結晶）、ＹＬＦ、ＹＶＯ４、ＹＡｌＯ３、サファイ
ア、ルビー、アレキサンドライドである。また、レーザー作用をする活性種とは、例えば
、３価のイオン（Ｃｒ３＋、Ｎｄ３＋、Ｙｂ３＋、Ｔｍ３＋、Ｈｏ３＋、Ｅｒ３＋、Ｔｉ
３＋）である。
【０２２１】
なお、媒質としてセラミック（多結晶）を用いると、短時間かつ低コストで自由な形状に
媒質を形成することが可能である。媒質として単結晶を用いる場合、通常、直径数ｍｍ、
長さ数十ｍｍの円柱状のものが用いられているが、媒質としてセラミック（多結晶）を用
いる場合はさらに大きいものを作ることが可能である。また、発光に直接寄与する媒質中
のＮｄ、Ｙｂなどのドーパントの濃度は、単結晶中でも多結晶中でも大きくは変えられな
いため、濃度を増加させることによるレーザーの出力向上にはある程度限界がある。しか
しながら、媒質としてセラミックを用いると、単結晶と比較して媒質の大きさを著しく大
きくすることができるため大幅な出力向上が期待できる。さらに、媒質としてセラミック
を用いると、平行六面体形状や直方体形状の媒質を容易に形成することが可能である。こ
のような形状の媒質を用いて、発振光を媒質の内部でジグザグに進行させると、発振光路
を長くとることができる。そのため、増幅が大きくなり、大出力で発振させることが可能
になる。また、このような形状の媒質から射出されるレーザービームは射出時の断面形状
が四角形状であるため、丸状のビームと比較すると、線状ビームに整形するのに有利であ
る。このように射出されたレーザービームを、光学系を用いて整形することによって、短
辺の長さ１ｍｍ以下、長辺の長さ数ｍｍ〜数ｍの線状ビームを容易に得ることが可能とな
る。また、励起光を媒質に均一に照射することにより、線状ビームは長辺方向にエネルギ
ー分布の均一なものとなる。この線状ビームを半導体膜に照射することによって、半導体
膜の全面をより均一にアニールすることが可能になる。線状ビームの両端まで均一なアニ
ールが必要な場合は、その両端にスリットを配置し、エネルギーの減衰部を遮光するなど
の工夫が必要となる。
【０２２２】
なお、本発明に用いるレーザーには、連続発振型（ＣＷ）のレーザーやパルス発振型のレ
ーザーを用いることができる。なお、レーザーの照射条件、例えば、周波数、パワー密度
、エネルギー密度、ビームプロファイル等は、第１の絶縁膜１０２、発光素子を駆動する
回路を含む層１０４、第３の絶縁膜１１２、電極１１３、強度確保層１１４の厚さやその
材料等を考慮して適宜制御する。
【０２２３】
なお、基板１００から、第１の絶縁膜１０２、発光素子を駆動する回路を含む層１０４、
第３の絶縁膜１１２、電極１１３、強度確保層１１４を有する積層体１１８を分離する際
には、図６（Ｂ）に示すように、強度確保層１１４の表面を、第１のフィルム１１７に接
着させて、白抜き矢印の方向に第１のフィルム１１７を引っ張ることによって、基板１０
０から、第１の絶縁膜１０２、発光素子を駆動する回路を含む層１０４、第３の絶縁膜１
１２、電極１１３、強度確保層１１４を有する積層体１１８を分離する。この際、剥離層
１０１の内部又は剥離層１０１と第１の絶縁膜１０２の境界において、基板１００と積層
体１１８とが分離する。基板１００から分離した後の積層体１１８は、第１の絶縁膜１０
２が最表面となる。強度確保層１１４は、第１のフィルム１１７を引っ張ることによって
基板１００と積層体１１８とを分離する際に強度を確保するための膜である。強度確保層
１１４を有することによって、この工程において、積層体１１８が破れてしまうのを防ぐ
ことができる。
【０２２４】
第１のフィルム１１７は、樹脂材料でなるベースフィルム上に接着層が設けられている構
造を有するフィルムであり、例えば、ホットメルトフィルム、ＵＶ（紫外線）剥離フィル
ム、熱剥離フィルムなどが挙げられる。ベースフィルムとして使用される材料は、ポリエ
ステル、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）
等があげられる。
【０２２５】
ホットメルトフィルムはベースフィルム上にベースフィルムよりも軟化点の低い樹脂から
なる接着層が形成された構成となっている。また、接着層として使用される材料は、ポリ
エチレン樹脂、ポリエステル、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）等が挙げられる。ま
た、ＵＶ（紫外線）剥離フィルムは、ベースフィルム上にＵＶ（紫外線）を照射すること
によって粘着力が弱くなる樹脂材料からなる接着層が形成された構成となっている。また
、熱剥離フィルムは、ベースフィルム上に加熱することによって粘着力が弱くなる樹脂材
料からなる接着層が形成された構成となっている。
【０２２６】
そして、図６（Ｃ）に示すように、第１の絶縁膜１０２の表面（薄膜回路の裏面側）、つ
まり第１の絶縁膜１０２の発光素子を駆動する回路を含む層１０４が形成されていない側
の面に、電極１１３と重なる位置で、導電膜１１９を１μｍ〜数十μｍの膜厚、好ましく
は１０〜２０μｍの膜厚で形成する。導電膜１１９は、例えばスクリーン印刷により、Ａ
ｕペースト、Ａｇペースト、Ｃｕペースト、Ｎｉペースト、Ａｌペーストなどの導電性材
料やハンダなどを用いて形成すればよい。この導電膜１１９の膜厚が０．１μｍ以下とな
ると膜厚が薄すぎて、後の工程において電極１１３との電気的接続がとりにくいため、導
電膜１１９の膜厚は０．１μ以上とするのが好ましい。
【０２２７】
そして、図７（Ａ）に示すように、導電膜１１９にレーザーを照射する。この際、導電膜
１１９が電極１１３まで打ち込まれ、電極１１３で止まるように（つまり、導電膜１１９
が発光素子を駆動する回路を含む層１０４及び第３の絶縁膜１１２を貫通して、電極１１
３で止まるように）レーザーの出力を調節する。これにより、導電膜１１９と電極１１３
が電気的に接続され、図７（Ｂ）に示すような状態となる。図７（Ｂ）において、１２０
は電極１１３と電気的に接続された電極を示す。
【０２２８】
図７（Ｂ）に示すように、レーザーが照射された箇所において、第１の絶縁膜１０２、発
光素子を駆動する回路を含む層１０４、第３の絶縁膜１１２に穴が形成され、その穴の側
壁部分に沿って電極１１３の内部まで導電膜１１９を構成する材料が侵出している状態と
なっている。
【０２２９】
なお、ここでは、導電膜１１９が電極１１３まで打ち込まれ、電極１１３で止まるように
レーザーの出力を調節した例を示しているが、強度確保層１１４及び第１のフィルム１１
７を貫通するような穴が形成されるようにレーザーの出力を調節してもよい。
【０２３０】
以上のようにして、本発明の第２の構成の発光素子を駆動する回路を有するフィルム１２
１及び第１のフィルム１１７を有する積層体１２２を作製する。以上のようにして作製し
た発光素子を駆動する回路を有するフィルム１２１及び第１のフィルム１１７を有する積
層体１２２を第１の基板と貼り合わせる工程について以下に説明する。
【０２３１】
なお、以下においては、この積層体を実施の形態１で説明した構造の発光素子が形成され
た第１の基板と貼り合わせる場合について説明するが、第１の基板に形成する発光素子は
この構造に限定されるものではない。第１の基板に形成する発光素子は、実施の形態２や
３で説明した発光素子の構造と同様の構造としても良い。
【０２３２】
図７（Ｃ）に示すように、発光素子を駆動する回路を有するフィルム１２１の電極１２０
が形成されている側の面を、第１の基板の発光素子が形成されている側の面と対向するよ
うにして第１の基板２０３と発光素子を駆動する回路を有するフィルム１２１とを異方性
導電膜２１１によって貼り合わせる。異方性導電膜２１１は、導電性粒子２０５を有する
材料である。異方性導電膜２１１としては、ＡＣＰ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄ
ｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）やＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ
Ｆｉｌｍ）などが挙げられる。そのため、異方性導電膜２１１を用いて、第１の基板２
０３と発光素子を駆動する回路を有するフィルム１２１とを貼り合わせることによって、
電極１２０と電極２１９とが異方性導電膜２１１に含まれる導電性粒子２０５を介して電
気的に接続される。
【０２３３】
そして、この異方性導電膜２１１を硬化させるために加熱処理を施す。第１のフィルム１
１７として熱剥離フィルムを用いた場合には、この加熱処理によって第１のフィルム１１
７を強度確保層１１４から剥離することができる。第１のフィルム１１７を強度確保層１
１４から剥離した後の状態を図８に示す。
【０２３４】
なお、ここでは、異方性導電膜２１１を硬化させるための加熱処理の際に、第１のフィル
ム１１７を剥がす場合について説明したが、この方法に限定されない。第１のフィルム１
１７としてＵＶ（紫外線）剥離フィルムを用いて、異方性導電膜２１１を硬化させるため
の加熱処理後に、ＵＶ（紫外線）照射を行うことによって、第１のフィルム１１７を強度
確保層１１４から剥離するようにしてもよい。
【０２３５】
また、図８においては、第１のフィルム１１７が強度確保層１１４から剥離された場合に
ついて示しているが、第１のフィルム１１７を剥離せず、強度確保層１１４上に接着した
ままの状態で第１の基板２０３と発光素子を駆動する回路を有するフィルム１２１とを貼
り合わせることも可能である。その場合には、第１のフィルム１１７として、熱剥離フィ
ルムやＵＶ（紫外線）剥離フィルム以外のフィルム（ホットメルトフィルムなど）を用い
ることができる。
【０２３６】
また、以上においては、第１の基板２０３と発光素子を駆動する回路を有するフィルム１
２１とを異方性導電膜２１１によって貼り合わせることによって、電極１２０と電極２１
９とを電気的に接続する場合を例として示しているが、電極１２０と電極２１９とを電気
的に接続するための方法は、特にこれに限定されるものではなく、公知の接続方法を用い
ればよい。例えば、ＮＣＰ（Ｎｏｎ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）を用いて電極
１２０と電極２１９とを電気的に接続するようにしても良いし、超音波を用いた共晶接合
によって電極１２０と電極２１９とを電気的に接続するようにしても良い。
【０２３７】
図８に示す発光装置の断面構造について以下に説明する。
【０２３８】
なお、以下においては、実施の形態１と同様、画素回路の構成が図１２に示す画素回路６
０９の場合を例にして説明することとする。
また、発光素子が形成された第１の基板に形成された発光素子の構造は、実施の形態１と
同じ構造であるため、実施の形態１と同じ構成のものは同じ符号で示し、ここでは説明を
省略する。
【０２３９】
図８において、発光素子２０６が複数形成された第１の基板２０３と、発光素子を駆動す
る回路を有するフィルム１２１とが対向して設けられている。
なお、本実施の形態においては、発光素子を駆動する回路を有するフィルム１２１が第１
の基板２０３の発光素子が形成されている面と対向するように、第１の基板２０３と発光
素子を駆動する回路を有するフィルム１２１とが貼り合わせられている。よって、発光素
子を駆動する回路を有するフィルム１２１は封止用の基板の役割を果たしている。
【０２４０】
図８の発光素子２０６は、図１２の発光素子６０７に相当する。
また、図８の薄膜トランジスタ１０３は、図１２の駆動用トランジスタ６０６に相当する
。
【０２４１】
図８の断面図において、発光素子を駆動する回路を有するフィルム１２１に薄膜トランジ
スタ１０３（駆動用トランジスタ６０６に相当）が形成されている部分しか示されていな
いが、発光素子を駆動する回路を有するフィルム１２１には、駆動用トランジスタ６０６
以外の画素回路６０９を構成する素子（スイッチング用トランジスタ６０５、コンデンサ
６０８）も形成されている。
【０２４２】
ここで、第１の基板２０３としては、ガラス基板、石英基板、透光性を有する樹脂基板な
どの透光性基板を用いればよい。
【０２４３】
また、発光素子を駆動する回路を有するフィルム１２１は、有機絶縁膜や無機絶縁膜など
を含む構造となっている。
【０２４４】
なお、発光素子２０６からの光が第１の基板２０３の方向にのみ放出されるように構成さ
れた発光素子の場合には、発光素子を駆動する回路を有するフィルム１２１は透光性を有
する必要はない。よって、発光素子を駆動する回路を有するフィルム１２１として、透光
性を有しない有機絶縁膜や無機絶縁膜が含まれていても良い。
【０２４５】
また、発光素子２０６からの光が発光素子を駆動する回路を有するフィルム１２１の方向
にのみ放出されるように構成された発光素子の場合には、第１の基板２０３は必ずしも透
光性基板である必要はない。よって、第１の基板２０３として、透光性を有しない樹脂基
板、半導体基板、セラミック基板、金属基板などの透光性を有しない基板を用いることも
可能である。この場合、発光素子２０６が薄膜トランジスタ１０３となるべく重ならない
ように薄膜トランジスタ１０３と発光素子２０６との配置を工夫する必要がある。
【０２４６】
以上で説明した構造を有する第１の基板２０３と発光素子を駆動する回路を有するフィル
ム１２１とが、異方性導電膜２１１によって貼り合わせられている。異方性導電膜２１１
としては、ＡＣＰ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）やＡ
ＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）などが挙げられる。
異方性導電膜２１１を用いて、第１の基板２０３と発光素子を駆動する回路を有するフィ
ルム１２１とを貼り合わせることによって、電極１２０と電極２１９とが異方性導電膜２
１１に含まれる導電性粒子２０５を介して電気的に接続される。つまり、第１の基板２０
３に形成されている発光素子２０６と発光素子を駆動する回路を有するフィルム１２１に
形成されている薄膜トランジスタ１０３は電気的に接続された状態となっている。
【０２４７】
なお、図８では、第１の基板２０３と発光素子を駆動する回路を有するフィルム１２１と
を異方性導電膜２１１によって貼り合わせることによって、電極１２０と電極２１９とを
電気的に接続する場合を例として示しているが、電極１２０と電極２１９とを電気的に接
続するための方法は、特にこれに限定されるものではなく、公知の接続方法を用いればよ
い。例えば、ＮＣＰ（Ｎｏｎ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）を用いて電極１２０
と電極２１９とを電気的に接続するようにしても良いし、超音波を用いた共晶接合によっ
て電極１２０と電極２１９とを電気的に接続するようにしても良い。
【０２４８】
また、第１の基板２０３と発光素子を駆動する回路を有するフィルム１２１を貼り合わせ
る際に、必要に応じて第１の基板２０３と発光素子を駆動する回路を有するフィルム１２
１の間にスペーサーを設けても良い。
【０２４９】
また、図８においては、発光素子２０６の第１の電極２０４と電源との接続などは特に記
載していないが、第１の電極２０４と電気的に接続された接続端子を画素部６０１の周囲
もしくはソース信号線駆動回路６０２やゲート信号線駆動回路６０３よりも外側の領域に
設け、その接続端子によって外付けのＩＣ等により設けられた電源と接続することによっ
て、第１の電極２０４に対向電位が与えられている。
【０２５０】
なお、以上においては、各画素に設けられている発光素子を駆動するための画素回路が図
１２で示した画素回路６０９の場合について説明したが、各画素に設けられている発光素
子を駆動するための画素回路の構成は、図１２で示した画素回路６０９に限られるもので
はない。図１２に示した画素回路６０９の構成は、一例として示したものであって、その
他の様々な画素回路においても本実施の形態を実施することができる。
【０２５１】
図１２で示した画素回路６０９は、発光素子６０７を駆動するためのトランジスタである
駆動用トランジスタ６０６が発光素子６０７と接続される回路構成となっている。そのた
め、発光素子６０７と駆動用トランジスタ６０６とが、異方性導電膜を介して電気的に接
続される構成となっている。よって、他の画素回路の構成に適用する場合には、その画素
回路の構成において発光素子と接続される素子が、異方性導電膜を介して発光素子と電気
的に接続されるようにすればよい。画素回路の多くの場合において、発光素子と接続され
る素子は、発光素子を駆動するための薄膜トランジスタである。よって、たいていの場合
には、発光素子を駆動するための薄膜トランジスタと発光素子とが異方性導電膜を介して
電気的に接続される構成となる。
【０２５２】
本実施の形態で説明した発光装置は、発光素子を駆動する画素回路を基板上に形成した後
、基板から剥離することによって発光素子を駆動する画素回路を有するフィルムを作製し
ているため、発光装置の厚さを薄くすることが可能である。よって、電子機器などに本実
施の形態の発光装置を用いることによって、電子機器の厚さ方向の寸法をより小さくする
ことができる。よって、携帯電話機、携帯用ゲーム機器、モバイルコンピュータ、パーソ
ナルコンピュータ、カメラ（デジタルカメラ、ビデオカメラなど）など、より小型化が求
められている電子機器（特に携帯用の電子機器）に適用すると電子機器を小型化すること
ができるため好ましい。
【０２５３】
また、発光素子が形成される第１の基板を可撓性を有する基板とすれば、可撓性を有する
発光装置とすることができる。
この場合、発光素子を形成する基板としては、樹脂基板などが挙げられる。そして、樹脂
基板上にインクジェットや印刷法などで発光素子を形成すればよい。
【０２５４】
なお、本実施の形態は他の実施の形態に記載された技術と適宜組み合わせて行うことがで
きる。よって、例えば、本実施の形態において、実施の形態４のように第２の基板に撮像
素子を設ける構成としたり、実施の形態５のように第１の基板に撮像素子を設ける構成と
したりすることもできる。
【０２５５】
（実施の形態７）
本実施の形態においては、上記本発明の第１の構成において、発光素子を駆動する回路が
形成された第２の基板の厚さを薄くする場合の例について説明する。
【０２５６】
発光素子が形成された第１の基板の作製工程は、実施の形態１〜３で説明した作製工程と
同様であるため、ここでは、発光素子を駆動する回路が形成された第２の基板を作製する
工程についてまず説明する。
【０２５７】
図１７（Ａ）に示すように、基板１０００上に第１の絶縁膜１００１を形成する。この第
１の絶縁膜１００１は下地膜として機能する膜である。第１の絶縁膜１００１として、プ
ラズマＣＶＤ法やスパッタリング法等により、珪素の酸化物、珪素の窒化物、窒素を含む
珪素の酸化物、酸素を含む珪素の窒化物等を形成する。
【０２５８】
なお、基板１０００としては、石英基板、半導体基板、ガラス基板、金属基板などを用い
ればよい。
【０２５９】
図１７（Ｂ）に示すように、第１の絶縁膜１００１上に公知の方法で発光素子を駆動する
回路を含む層１００４を形成する。以下においては、発光素子を駆動する回路が、発光素
子を駆動する画素回路の場合について説明するものとする。
【０２６０】
発光素子を駆動する回路を含む層１００４として例えば、複数の薄膜トランジスタ１００
３と、複数の薄膜トランジスタ１００３を覆う第２の絶縁膜１０１０と、第２の絶縁膜１
０１０に接し複数の薄膜トランジスタ１００３のソース領域又はドレイン領域に接続する
電極１０１１とを形成する。薄膜トランジスタ１００３は、島状の半導体膜１００７、ゲ
ート絶縁膜１００８、ゲート電極１００９などを有する。
【０２６１】
発光素子を駆動する回路を含む層１００４の形成方法については、実施の形態６において
説明した形成方法と同様の方法で行えばよい。
【０２６２】
なお、薄膜トランジスタ１００３の構造は、図１７（Ｂ）に示す構造に限られるものでは
なく、図１７（Ｂ）に示す以外の構造を有する薄膜トランジスタを用いてもよい。例えば
、薄膜トランジスタ１００３として、ゲート電極にサイドウォールが形成され、ＬＤＤ領
域（低濃度不純物領域）を有するトップゲート型の薄膜トランジスタや、ボトムゲート型
の薄膜トランジスタ、シリサイド領域を有する薄膜トランジスタなど、公知の薄膜トラン
ジスタの構造を適用することができる。
【０２６３】
そして、図１７（Ｃ）に示すように、発光素子を駆動する回路を含む層１００４上に第３
の絶縁膜１０１２を形成し、第３の絶縁膜１０１２上に電極１０１１と電気的に接続され
た電極１０１３を形成する。
【０２６４】
第３の絶縁膜１０１２は、公知の手段により、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜
、窒化酸化珪素膜などの無機材料、ポリイミド、ポリアミド、ベンゾシクロブテン、アク
リル、エポキシなどの有機材料、シロキサンなどにより、単層または積層で形成する。
【０２６５】
また、図１７（Ｃ）においては、電極１０１１と接続するように電極１０１３を形成して
いるが、この場合に特に限定されるものではない。薄膜回路のなかで、外部回路と電気的
に接続したい箇所に電極を形成すればよい。
【０２６６】
次に、図１８（Ａ）に示すように、電極１０１３上に第４の絶縁膜１０１４を形成する。
第４の絶縁膜１０１４は、公知の手段により、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜
、窒化酸化珪素膜などの無機材料、ポリイミド、ポリアミド、ベンゾシクロブテン、アク
リル、エポキシなどの有機材料、シロキサンなどにより、単層または積層で形成する。
【０２６７】
そして、図１８（Ｂ）に示すように、第４の絶縁膜１０１４上に基板１０１５を接着材を
用いて接着する。基板１０１５としては、石英基板、半導体基板、ガラス基板、金属基板
、樹脂基板などを用いることができる。接着材として熱をかけることにより粘着力が弱く
なる接着材やＵＶ（紫外線）照射により粘着力が弱くなる接着材を用いることが好ましい
。また、基板１０１５として、ホットメルトフィルム、ＵＶ（紫外線）剥離フィルム、熱
剥離フィルムなど、ベースフィルム上に接着層が設けられている構造を有するフィルムを
用いても良い。この場合には、第４の絶縁膜１０１４上に基板１０１５を接着する際に接
着材を用いる必要がない。
【０２６８】
ここで、基板１０１５を接着しない場合、後ほど行う基板１０００の厚さを薄くする工程
（薄膜化工程）において、基板１０００の厚さが薄くなるにつれて、発光素子を駆動する
回路を含む層１００４と第３の絶縁膜１０１２と電極１０１３と第４の絶縁膜１０１４と
からなる積層体がカールしてしまう。しかし、基板１０１５を接着することによって、後
ほど行う基板１０００の厚さを薄くする工程において、発光素子を駆動する回路を含む層
１００４と第３の絶縁膜１０１２と電極１０１３と第４の絶縁膜１０１４とからなる積層
体がカールしてしまうのを防ぐことができる。
【０２６９】
第４の絶縁膜１０１４上に基板１０１５を接着したら、基板１０００の厚さを薄くする処
理を行う。この処理によって基板１０００の厚さを１００μｍ以下、好ましくは２０〜５
０μｍとする。ここでは、図１８（Ｃ）に示すように、研削手段または研磨手段１０１６
を用いて基板１０００の厚さを薄くする。この際、研削手段のみによって基板の研削を行
って基板１０００の厚さを薄くしても良いし、研磨手段のみによって基板の研磨を行って
基板１０００の厚さを薄くしても良いが、研削手段によって基板の研削を行った後、研磨
手段によって基板の研磨を行うのが好ましい。
【０２７０】
なお、研削または研磨を行うことによって基板１０００の厚さを薄くする処理を行う場合
、基板１０００と第１の絶縁膜１００１との間に、基板１０００よりもビッカース硬度の
高い材料からなる層を形成すれば、第１の絶縁膜１００１まで研削または研磨してしまう
ことを防ぐことができる。
【０２７１】
また、ここでは基板１０００の厚さを薄くする手段として研削手段または研磨手段を用い
たが、これに限定されるものではない。
基板１０００の厚さを薄くする手段としてウエットエッチングを用いても良い。
この場合、基板１０００と第１の絶縁膜１００１との間に、基板１０００のエッチングを
行う際に使用するエッチング液に対して耐性を有する膜を形成すれば、第１の絶縁膜１０
０１までエッチングされてしまうことがないので好ましい。
【０２７２】
なお、研削とウエットエッチングを組み合わせたり、研磨とウエットエッチングを組み合
わせたり、研削と研磨とウエットエッチングを組み合わせて基板１０００の厚さを薄くす
るようにしてもよい。
【０２７３】
基板１０００の厚さを薄くする処理を行って、基板１０００の厚さが薄くなった状態を図
１９（Ａ）に示す。図１９（Ａ）においては、基板１０００が残っている状態を示してい
るが、基板１０００が完全に除去された状態であっても良いし、基板１０００の一部のみ
が第１の絶縁膜１００１の表面に残っている状態であってもよい。なお、本実施の形態に
おいて基板１０００が完全に除去された状態である場合は、実施の形態６で作製した発光
素子を駆動する回路を含むフィルムと同様の構造となる。よって、本実施の形態の第２の
基板側の構造において、基板１０００が完全に除去された状態の場合は、発光素子を駆動
する回路を含むフィルムと呼ぶこととする。
【０２７４】
そして、図１９（Ｂ）に示すように、基板１０００の第１の絶縁膜１００１が形成されて
いない側の面、つまり薄膜回路の裏面側に、電極１０１３と重なる位置で、導電膜１０１
７を１μｍ〜数十μｍの膜厚、好ましくは１０〜２０μｍの膜厚で形成する。導電膜１０
１７は、例えばスクリーン印刷により、Ａｕペースト、Ａｇペースト、Ｃｕペースト、Ｎ
ｉペースト、Ａｌペーストなどの導電性材料やハンダなどを用いて形成すればよい。この
導電膜１０１７の膜厚が０．１μｍ以下となると膜厚が薄すぎて、後の工程において電極
１０１３との電気的接続がとりにくいため、導電膜１０１７の膜厚は０．１μｍ以上とす
るのが好ましい。
【０２７５】
そして、図１９（Ｃ）に示すように、導電膜１０１７にレーザーを照射する。この際、導
電膜１０１７が電極１０１３まで打ち込まれ、電極１０１３で止まるように（つまり、導
電膜１０１７が基板１０００、発光素子を駆動する回路を含む層１００４及び第３の絶縁
膜１０１２を貫通して、電極１０１３で止まるように）レーザーの出力を調節する。これ
により、導電膜１０１７と電極１０１３が電気的に接続され、図２０（Ａ）に示すような
状態となる。図２０（Ａ）において、１０１８は電極１０１３と電気的に接続された電極
を示す。
【０２７６】
図２０（Ａ）に示すように、レーザーが照射された箇所において、基板１０００、発光素
子を駆動する回路を含む層１００４、第３の絶縁膜１０１２に穴が形成され、その穴の側
壁部分に沿って電極１０１３の内部まで導電膜１０１７を構成する材料が侵出している状
態となっている。
【０２７７】
なお、ここでは、導電膜１０１７が電極１０１３まで打ち込まれ、電極１０１３で止まる
ようにレーザーの出力を調節した例を示しているが、第４の絶縁膜１０１４及び基板１０
１５を貫通するような穴が形成されるようにレーザーの出力を調節してもよい。
【０２７８】
以上のようにして、本発明の第１の構成の発光素子を駆動する回路が形成された第２の基
板１０００を作製する。以上のようにして作製した発光素子を駆動する回路が形成された
第２の基板１０００を第１の基板と貼り合わせる工程について以下に説明する。なお、以
下においては、第２の基板１０００を実施の形態１で説明した構造の発光素子が形成され
た第１の基板と貼り合わせる場合について説明するが、第１の基板に形成する発光素子は
この構造に限定されるものではない。第１の基板に形成する発光素子は、実施の形態２や
３で説明した発光素子の構造と同様の構造としても良い。
【０２７９】
図２０（Ｂ）に示すように、発光素子を駆動する回路が形成された第２の基板１０００の
電極１０１８が形成されている側の面を、第１の基板２０３の発光素子が形成されている
側の面と対向するようにして第１の基板２０３と発光素子を駆動する回路が形成された第
２の基板１０００とを異方性導電膜２１１を用いて貼り合わせる。異方性導電膜２１１は
、導電性粒子２０５を有する材料である。異方性導電膜２１１としては、ＡＣＰ（Ａｎｉ
ｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）やＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐ
ｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）などが挙げられる。そのため、異方性導電膜２
１１を用いて、第１の基板２０３と発光素子を駆動する回路が形成された第２の基板１０
００とを貼り合わせることによって、電極２１９と電極１０１８が導電性粒子２０５を介
して電気的に接続される。
【０２８０】
そして、この異方性導電膜２１１を硬化させるために加熱処理を施す。基板１０１５を第
４の絶縁膜１０１４上に接着する際に、熱をかけることにより粘着力が弱くなる接着材を
用いて基板１０１５と第４の絶縁膜１０１４とを接着した場合、この加熱処理工程におい
て、基板１０１５を第４の絶縁膜１０１４から剥離することができる。
また、基板１０１５として熱剥離フィルムを用いた場合にも、この加熱処理工程において
熱剥離フィルムを第４の絶縁膜１０１４から剥離することができる。基板１０１５を第４
の絶縁膜１０１４から剥離した後の状態を図２１に示す。
【０２８１】
なお、ここでは、異方性導電膜２１１を硬化させるための加熱処理の際に、基板１０１５
を剥がす場合について説明したが、この方法に限定されない。基板１０１５を第４の絶縁
膜１０１４上に接着する際に、ＵＶ（紫外線）照射により粘着力が弱くなる接着材を用い
て基板１０１５と第４の絶縁膜１０１４とを接着するようにして、異方性導電膜２１１を
硬化させるための加熱処理後に、ＵＶ（紫外線）照射を行うことによって、基板１０１５
を第４の絶縁膜１０１４から剥離するようにしてもよい。
また、基板１０１５としてＵＶ（紫外線）剥離フィルムを用いるようにして、異方性導電
膜２１１を硬化させるための加熱処理後に、ＵＶ（紫外線）照射を行うことによって、基
板１０１５（ＵＶ（紫外線）剥離フィルム）を第４の絶縁膜１０１４から剥離するように
してもよい。
【０２８２】
また、図２１においては、基板１０１５が第４の絶縁膜１０１４から剥離された場合につ
いて示している。しかし、第４の絶縁膜１０１４上に接着された基板１０１５を剥離せず
、第４の絶縁膜１０１４上に接着したままの状態で第１の基板２０３と第２の基板１００
０とを貼り合わせることも可能である。その場合には、基板１０１５として、熱剥離フィ
ルムやＵＶ（紫外線）剥離フィルム以外のフィルム（ホットメルトフィルムなど）を用い
ることができる。
【０２８３】
また、以上においては、第１の基板２０３と第２の基板１０００とを異方性導電膜２１１
によって貼り合わせることによって、電極２１９と電極１０１８とを電気的に接続する場
合を例として示しているが、電極２１９と電極１０１８とを電気的に接続するための方法
は、特にこれに限定されるものではなく、公知の接続方法を用いればよい。例えば、ＮＣ
Ｐ（Ｎｏｎ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）を用いて電極２１９と電極１０１８と
を電気的に接続するようにしても良いし、超音波を用いた共晶接合によって電極２１９と
電極１０１８とを電気的に接続するようにしても良い。
【０２８４】
図２１に示す発光装置の断面構造について以下に説明する。
【０２８５】
なお、以下においては、実施の形態１と同様、画素回路の構成が図１２に示す画素回路６
０９の場合を例にして説明することとする。
また、第１の基板に形成された発光素子の構造は、実施の形態１と同じ構造であるため、
実施の形態１と同じ構成のものは同じ符号で示し、ここでは説明を省略する。
【０２８６】
図２１において、発光素子２０６が複数形成された第１の基板２０３と、第２の基板１０
００とが対向して設けられている。
なお、本実施の形態においては、第２の基板１０００が第１の基板２０３の発光素子が形
成されている面と対向するように、第１の基板２０３と第２の基板１０００が貼り合わせ
られている。よって、第２の基板１０００は封止用の基板の役割を果たしている。
【０２８７】
図２１の発光素子２０６は、図１２の発光素子６０７に相当する。
また、図２１の薄膜トランジスタ１００３は、図１２の駆動用トランジスタ６０６に相当
する。
【０２８８】
図２１の断面図において、第２の基板１０００上に薄膜トランジスタ１００３（駆動用ト
ランジスタ６０６に相当）が形成されている部分しか示されていないが、第２の基板１０
００上には、駆動用トランジスタ６０６以外の画素回路６０９を構成する素子（スイッチ
ング用トランジスタ６０５、コンデンサ６０８）も形成されている。
【０２８９】
ここで、第１の基板２０３としては、ガラス基板、石英基板、透光性を有する樹脂基板な
どの透光性基板を用いればよい。
【０２９０】
なお、発光素子２０６からの光が第１の基板２０３の方向にのみ放出されるように構成さ
れた発光素子の場合には、第２の基板１０００は透光性を有する必要はない。
【０２９１】
また、発光素子２０６からの光が第２の基板１０００の方向にのみ放出されるように構成
された発光素子の場合には、第１の基板２０３は必ずしも透光性基板である必要はない。
よって、第１の基板２０３として、透光性を有しない樹脂基板、半導体基板、セラミック
基板、金属基板などの透光性を有しない基板を用いることも可能である。
【０２９２】
以上で説明した構造を有する第１の基板２０３と第２の基板１０００とが、異方性導電膜
２１１によって貼り合わせられている。異方性導電膜２１１としては、ＡＣＰ（Ａｎｉｓ
ｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）やＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉ
ｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）などが挙げられる。異方性導電膜２１１を用いて
、第１の基板２０３と第２の基板１０００とを貼り合わせることによって、電極２１９と
電極１０１８とが異方性導電膜２１１に含まれる導電性粒子２０５を介して電気的に接続
される。つまり、第１の基板２０３に形成されている発光素子２０６と第２の基板１００
０に形成されている薄膜トランジスタ１００３は電気的に接続された状態となっている。
【０２９３】
なお、図２１では、第１の基板２０３と第２の基板１０００とを異方性導電膜２１１によ
って貼り合わせることによって、電極２１９と電極１０１８とを電気的に接続する場合を
例として示しているが、電極２１９と電極１０１８とを電気的に接続するための方法は、
特にこれに限定されるものではなく、公知の接続方法を用いればよい。例えば、ＮＣＰ（
Ｎｏｎ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）を用いて電極２１９と電極１０１８とを電
気的に接続するようにしても良いし、超音波を用いた共晶接合によって電極２１９と電極
１０１８とを電気的に接続するようにしても良い。
【０２９４】
また、第１の基板２０３と第２の基板１０００を貼り合わせる際に、必要に応じて第１の
基板２０３と第２の基板１０００の間にスペーサーを設けても良い。
【０２９５】
また、図２１においては、発光素子２０６の第１の電極２０４と電源との接続などは特に
記載していないが、第１の電極２０４と電気的に接続された接続端子を画素部６０１の周
囲もしくはソース信号線駆動回路６０２やゲート信号線駆動回路６０３よりも外側の領域
に設け、その接続端子によって外付けのＩＣ等により設けられた電源と接続することによ
って、第１の電極２０４に対向電位が与えられている。
【０２９６】
なお、以上においては、各画素に設けられている発光素子を駆動するための画素回路が図
１２で示した画素回路６０９の場合について説明したが、各画素に設けられている発光素
子を駆動するための画素回路の構成は、図１２で示した画素回路６０９に限られるもので
はない。図１２に示した画素回路６０９の構成は、一例として示したものであって、その
他の様々な画素回路においても本実施の形態を実施することができる。
【０２９７】
図１２で示した画素回路６０９は、発光素子６０７を駆動するためのトランジスタである
駆動用トランジスタ６０６が発光素子６０７と接続される回路構成となっている。そのた
め、発光素子６０７と駆動用トランジスタ６０６とが、異方性導電膜を介して電気的に接
続される構成となっている。よって、他の画素回路の構成に適用する場合には、その画素
回路の構成において発光素子と接続される素子が、異方性導電膜を介して発光素子と電気
的に接続されるようにすればよい。画素回路の多くの場合において、発光素子と接続され
る素子は、発光素子を駆動するための薄膜トランジスタである。よって、たいていの場合
には、発光素子を駆動するための薄膜トランジスタと発光素子とが異方性導電膜を介して
電気的に接続される構成となる。
【０２９８】
本実施の形態で説明した発光装置は、発光素子を駆動する画素回路を形成した基板の厚さ
を薄くする処理（薄膜化処理）を行っているため、発光装置の厚さを薄くすることが可能
である。よって、電子機器などに本実施の形態の発光装置を用いることによって、電子機
器の厚さ方向の寸法をより小さくすることができる。よって、携帯電話機、携帯用ゲーム
機器、モバイルコンピュータ、パーソナルコンピュータ、カメラ（デジタルカメラ、ビデ
オカメラなど）など、より小型化が求められている電子機器（特に携帯用の電子機器）に
適用すると電子機器を小型化することができるため好ましい。
【０２９９】
また、発光素子を駆動する画素回路を形成した基板の厚さを可撓性を有する程度に薄くし
、発光素子を形成する基板も可撓性を有する基板とすれば、可撓性を有する発光装置とす
ることができる。
この場合、発光素子を形成する基板としては、樹脂基板などが挙げられる。そして、樹脂
基板上にインクジェットや印刷法などで発光素子を形成すればよい。
【０３００】
なお、本実施の形態は他の実施の形態に記載された技術と適宜組み合わせて行うことがで
きる。よって、例えば、本実施の形態において、実施の形態４のように第２の基板に撮像
素子を設ける構成としたり、実施の形態５のように第１の基板に撮像素子を設ける構成と
したりすることもできる。
【０３０１】
（実施の形態８）
本実施の形態では、第１の基板に形成された発光素子と、第２の基板に形成されたトラン
ジスタとが電気的に接続されているパッシブマトリクス型の発光装置の例について説明す
る。つまり、上記本発明の発光装置の第１の構成において、パッシブマトリクス型の発光
装置である場合における例について説明する。
【０３０２】
図１３にパッシブマトリクス型の発光装置の概略図を示す。
図１３に示すように、パッシブマトリクス型の発光装置は、画素部７０１、第１の駆動回
路（以下、「カラムドライバ」という）７０２、第２の駆動回路（以下、「ロウドライバ
」という）７０３、カラムドライバと接続された駆動ライン（Ｃ１〜Ｃｎ）、ロウドライ
バと接続された駆動ライン（Ｒ１〜Ｒｍ）などを有する。
【０３０３】
画素部７０１の等価回路図を図１４に示す。駆動ラインＣ１〜Ｃｎと駆動ラインＲ１〜Ｒ
ｍとが直交するように形成されており、駆動ラインＣ１〜Ｃｎと駆動ラインＲ１〜Ｒｍと
のそれぞれの交点部分には、発光素子７０４が形成されている。
【０３０４】
本実施の形態では、以上のような構成を有するパッシブマトリクス型の発光装置において
、駆動ラインＣ１〜Ｃｎ、駆動ラインＲ１〜Ｒｍ、発光素子７０４を第１の基板に形成し
、カラムドライバ７０２、ロウドライバ７０３を第２の基板に形成する。そして、カラム
ドライバ７０２と駆動ラインＣ１〜Ｃｎとが電気的に接続されるようにし、ロウドライバ
７０３と駆動ラインＲ１〜Ｒｍとが電気的に接続されるようにする。
【０３０５】
図９（Ａ）に本実施の形態の発光装置の第１の基板の上面図を示す。
図９（Ａ）において、第１の基板５２０上には、駆動ラインＣ１〜Ｃｎに相当する配線５
２１、駆動ラインＲ１〜Ｒｍに相当する配線５２３、発光物質を含む層５２２が形成され
ている。配線５２１と５２３とは互いに直交するように形成されている。
【０３０６】
図９（Ａ）のＡ−Ａ’における断面図を図９（Ｂ）に、Ｂ−Ｂ’における断面図を図９（
Ｃ）にそれぞれ示す。なお、図９（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ、第１の基板上に、第１の
基板と対向して第２の基板が設けられている状態での断面図を示す。
【０３０７】
図９（Ｂ）を用いて、図９（Ａ）のＡ−Ａ’における断面構造について以下に説明する。
第１の基板５２０上には、駆動ラインＲ１〜Ｒｍに相当する配線５２３が形成されており
、駆動ラインＲ１〜Ｒｍに相当する配線５２３上には、絶縁膜５２７がストライプ状に形
成されている。そして、絶縁膜５２７上には、絶縁膜５２７よりも狭い幅を有する隔壁５
３０が形成されている。隔壁５３０は下部の幅に比べて上部の幅が大きくなるように形成
されている。そして、駆動ラインＲ１〜Ｒｍに相当する配線５２３上、及び隔壁５３０上
には、それぞれ発光物質を含む層５２２が形成されており、発光物質を含む層５２２上に
は、駆動ラインＣ１〜Ｃｎに相当する配線５２１が形成されている。
【０３０８】
また、駆動ラインＲ１〜Ｒｍに相当する配線５２３上には、駆動ラインＲ１〜Ｒｍに相当
する配線５２３に電気的に接続された電極５１９が形成されている。
【０３０９】
一方、第１の基板５２０と対向して設けられている第２の基板５００上には、ロウドライ
バ７０３の有する薄膜トランジスタ５０２が形成されている。図９（Ｂ）においては、薄
膜トランジスタ５０２は、第２の基板上に下地膜５０１を介して形成された半導体膜５１
７と、ゲート絶縁膜５１６と、ゲート電極５１５とを有する。
【０３１０】
薄膜トランジスタ５０２上には第１の層間絶縁膜５２６が形成されており、第１の層間絶
縁膜５２６上には、薄膜トランジスタ５０２の有する半導体膜５１７と電気的に接続され
る電極５２９が形成されている。そして、電極５２９及び第１の層間絶縁膜５２６上には
、第２の層間絶縁膜５２８が形成されており、第２の層間絶縁膜５２８上には、電極５２
９と電気的に接続される電極５１８が形成されている。よって、薄膜トランジスタ５０２
と電極５１８は電気的に接続されている。
【０３１１】
以上で説明した構造を有する第１の基板５２０と第２の基板５００とが、異方性導電膜５
２４によって貼り合わせられている。異方性導電膜５２４としては、ＡＣＰ（Ａｎｉｓｏ
ｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）やＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ
Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）などが挙げられる。異方性導電膜５２４を用いて、
第１の基板５２０と第２の基板５００とを貼り合わせることによって、電極５１８と電極
５１９とが異方性導電膜５２４に含まれる導電性粒子５０５を介して電気的に接続される
。つまり、第１の基板５２０に形成されている配線５２３と第２の基板５００に形成され
ている薄膜トランジスタ５０２は電気的に接続された状態となっている。
【０３１２】
次に、図９（Ｃ）を用いて、図９（Ａ）のＢ−Ｂ’における断面構造について以下に説明
する。第１の基板５２０上には、駆動ラインＲ１〜Ｒｍに相当する配線５２３が形成され
ており、駆動ラインＲ１〜Ｒｍに相当する配線５２３上には、発光物質を含む層５２２が
形成されており、発光物質を含む層５２２上には、駆動ラインＣ１〜Ｃｎに相当する配線
５２１が形成されている。
【０３１３】
また、駆動ラインＣ１〜Ｃｎに相当する配線５２１上には、駆動ラインＣ１〜Ｃｎに相当
する配線５２１に電気的に接続された電極５４９が形成されている。
【０３１４】
一方、第１の基板５２０と対向して設けられている第２の基板５００上には、カラムドラ
イバ７０２の有する薄膜トランジスタ５３２が形成されている。図９（Ｃ）においては、
薄膜トランジスタ５３２は、第２の基板上に下地膜５０１を介して形成された半導体膜５
４７と、ゲート絶縁膜５１６と、ゲート電極５４５とを有する。
【０３１５】
薄膜トランジスタ５３２上には第１の層間絶縁膜５２６が形成されており、第１の層間絶
縁膜５２６上には、薄膜トランジスタ５３２の有する半導体膜５４７と電気的に接続され
る電極５５０が形成されている。そして、電極５５０及び第１の層間絶縁膜５２６上には
、第２の層間絶縁膜５２８が形成されており、第２の層間絶縁膜５２８上には電極５５０
と電気的に接続される電極５４８が形成されている。
【０３１６】
以上で説明した構造を有する第１の基板５２０と第２の基板５００とが、異方性導電膜５
２４によって貼り合わせられている。異方性導電膜５２４としては、ＡＣＰ（Ａｎｉｓｏ
ｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）やＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ
Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）などが挙げられる。異方性導電膜５２４を用いて、
第１の基板５２０と第２の基板５００とを貼り合わせることによって、電極５４８と電極
５４９とが異方性導電膜５２４に含まれる導電性粒子５０５を介して電気的に接続される
。つまり、第１の基板５２０に形成されている配線５２１と第２の基板５００に形成され
ている薄膜トランジスタ５３２は電気的に接続された状態となっている。
【０３１７】
なお、図９では、第１の基板５２０と第２の基板５００とを異方性導電膜５２４によって
貼り合わせることによって、電極５１８と電極５１９、電極５４８と電極５４９とを電気
的に接続する場合を例として示しているが、電極５１８と電極５１９、電極５４８と電極
５４９とを電気的に接続するための方法は、特にこれに限定されるものではなく、公知の
接続方法を用いればよい。例えば、ＮＣＰ（Ｎｏｎ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ
）を用いて電極５１８と電極５１９、電極５４８と電極５４９とを電気的に接続するよう
にしても良いし、超音波を用いた共晶接合によって電極５１８と電極５１９、電極５４８
と電極５４９とを電気的に接続するようにしても良い。
【０３１８】
また、第１の基板５２０と第２の基板５００を貼り合わせる際に、必要に応じて第１の基
板５２０と第２の基板５００の間にスペーサーを設けても良い。
【０３１９】
本実施の形態の発光装置は、以上で説明したような構成とすることにより、発光素子を駆
動するためのカラムドライバ７０２、及びロウドライバ７０３と発光素子とを異なる基板
に形成することができる。
【０３２０】
このような構成とすることにより、駆動回路を封止用の基板に形成することができるため
、発光装置を小型化することができる。
【０３２１】
なお、本実施の形態は他の実施の形態に記載された技術と適宜組み合わせて行うことがで
きる。よって、例えば、本実施の形態において、実施の形態６のように発光素子を駆動す
る回路を第２の基板に形成する代わりに発光素子を駆動する画素回路を有するフィルムを
用いる構成としたり、実施の形態７のように第２の基板を薄膜化する構成とすることも可
能である。
【０３２２】
（実施の形態９）
本実施の形態では、第１の基板に形成された発光素子と、第２の基板に形成されたトラン
ジスタとが電気的に接続されているアクティブマトリクス型の発光装置の第４の例につい
て説明する。つまり、上記本発明の発光装置の第１の構成において、アクティブマトリク
ス型の発光装置である場合における第４の例について説明する。
【０３２３】
なお、以下においては、実施の形態１と同様、画素回路の構成が図１２に示す画素回路６
０９の場合を例にして説明することとする。
【０３２４】
なお、本実施の形態においても、実施の形態１と同様、画素回路６０９を構成するトラン
ジスタは、薄膜トランジスタ以外のトランジスタで形成してもよい。例えば、第２の基板
として半導体基板を用い、該半導体基板にＭＯＳトランジスタなどを作り込むことによっ
て第２の基板に形成される画素回路を形成するようにしても良い。
【０３２５】
図３３（Ａ）に本実施の形態の発光装置の一部の断面図を示す。
【０３２６】
図３３（Ａ）において、発光素子１５０６が複数形成された第１の基板１５０３と、薄膜
トランジスタ１５０２が複数形成された第２の基板１５００とが対向して設けられている
。
なお、図３３（Ａ）においては、第２の基板１５００が第１の基板１５０３の発光素子が
形成されている面と対向するように、第１の基板１５０３と第２の基板１５００が貼り合
わせられている。よって、第２の基板１５００は封止用の基板の役割を果たしている。
【０３２７】
図３３（Ａ）の発光素子１５０６は、図１２の発光素子６０７に相当する。
また、図３３（Ａ）の薄膜トランジスタ１５０２は、図１２の駆動用トランジスタ６０６
に相当する。
【０３２８】
第１の基板１５０３、第２の基板１５００としては、ガラス基板、石英基板、透光性を有
する樹脂基板などの透光性基板を用いればよい。なお、発光素子１５０６からの光が第１
の基板１５０３の方向にのみ放出されるように構成された発光素子の場合には、第２の基
板１５００は必ずしも透光性基板である必要はない。よって、第２の基板１５００として
、透光性を有しない樹脂基板、半導体基板、セラミック基板、金属基板などの透光性を有
しない基板を用いることも可能である。
【０３２９】
また、発光素子１５０６からの光が第２の基板１５００の方向にのみ放出されるように構
成された発光素子の場合には、第１の基板１５０３は必ずしも透光性基板である必要はな
い。よって、第１の基板１５０３として、透光性を有しない樹脂基板、半導体基板、セラ
ミック基板、金属基板などの透光性を有しない基板を用いることも可能である。
【０３３０】
また、第１の基板１５０３、第２の基板１５００は、以上で挙げた基板を可撓性を有する
程度に薄膜化したものを用いてもよい。
【０３３１】
第１の基板１５０３上に形成されている発光素子１５０６は、第１の電極１５０４、発光
物質を含む層１５０８、第２の電極１５０９を有する。
【０３３２】
第１の基板１５０３上には、発光素子の第１の電極１５０４が形成されている。そして、
発光素子の第１の電極１５０４上には、発光物質を含む層１５０８が形成され、発光物質
を含む層１５０８上には、発光素子の第２の電極１５０９が形成されている。
【０３３３】
なお、発光素子の第１の電極１５０４、発光素子の第２の電極１５０９などに用いる材料
については、実施の形態１に記載されている材料を用いればよい。また、発光物質を含む
層１５０８の層構成についても、実施の形態１で説明したように公知の層構成とすればよ
い。
【０３３４】
一方、第１の基板１５０３と対向して設けられている第２の基板１５００上には、発光素
子１５０６を駆動するための薄膜トランジスタ（駆動用トランジスタ）１５０２が形成さ
れている。図３３（Ａ）においては、薄膜トランジスタ１５０２は、第２の基板１５００
上に下地膜１５０１を介して形成された半導体膜１５１７と、ゲート絶縁膜１５１６と、
ゲート電極１５１５とを有する。
【０３３５】
薄膜トランジスタ１５０２上には第１の層間絶縁膜１５２０が形成されており、第１の層
間絶縁膜１５２０上には、薄膜トランジスタ１５０２の有する半導体膜１５１７のソース
領域またはドレイン領域と電気的に接続される電極１５１８が形成されている。
【０３３６】
そして、電極１５１８、及び第１の層間絶縁膜１５２０上には、第２の層間絶縁膜１５２
１が形成されており、第２の層間絶縁膜１５２１上には、電極１５１８の一方と電気的に
接続される電極１５１９Ａが形成されている。
【０３３７】
以上で説明した構造を有する第１の基板１５０３と第２の基板１５００とが、異方性導電
膜１５１１によって貼り合わせられている。異方性導電膜１５１１としては、ＡＣＰ（Ａ
ｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）やＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒ
ｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）などが挙げられる。異方性導電膜１５１１
を用いて、第１の基板１５０３と第２の基板１５００とを貼り合わせることによって、発
光素子の第２の電極１５０９と電極１５１９Ａとが異方性導電膜１５１１に含まれる導電
性粒子１５０５を介して電気的に接続される。つまり、第１の基板１５０３に形成されて
いる発光素子１５０６と第２の基板１５００に形成されている薄膜トランジスタ１５０２
は電気的に接続された状態となっている。
【０３３８】
なお、図３３（Ａ）では、第１の基板１５０３と第２の基板１５００とを異方性導電膜１
５１１によって貼り合わせることによって、発光素子の第２の電極１５０９と電極１５１
９Ａとを電気的に接続する場合を例として示しているが、発光素子の第２の電極１５０９
と電極１５１９Ａとを電気的に接続するための方法は、特にこれに限定されるものではな
く、公知の接続方法を用いればよい。例えば、ＮＣＰ（Ｎｏｎ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ
Ｐａｓｔｅ）を用いて発光素子の第２の電極１５０９と電極１５１９Ａとを電気的に接続
するようにしても良いし、超音波を用いた共晶接合によって発光素子の第２の電極１５０
９と電極１５１９Ａとを電気的に接続するようにしても良い。
【０３３９】
また、第１の基板１５０３と第２の基板１５００を貼り合わせる際に、必要に応じて第１
の基板１５０３と第２の基板１５００の間にスペーサーを設けても良い。
【０３４０】
また、図３３においては、発光素子１５０６の第１の電極１５０４と電源との接続などは
特に記載していないが、第１の電極１５０４と電気的に接続された接続端子を画素部６０
１の周囲もしくはソース信号線駆動回路６０２やゲート信号線駆動回路６０３よりも外側
の領域に設け、その接続端子によって外付けのＩＣ等により設けられた電源と接続するこ
とによって、第１の電極１５０４に対向電位が与えられている。
【０３４１】
図３３（Ｂ）にＮＣＰ（Ｎｏｎ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）を用いて発光素子
の第２の電極１５０９と電極１５１９Ｂとを電気的に接続する場合の例について示す。
【０３４２】
図３３（Ｂ）に示す構成の場合、第２の電極１５０９と電極１５１９Ｂとが接するように
、第１の基板１５０３と第２の基板１５００とがＮＣＰ１５３１によって貼り合わせられ
ている。
【０３４３】
この場合、第２の層間絶縁膜１５２１上に形成される電極を１５１９Ｂに示すように図３
３（Ａ）の１５１９Ａよりも大きく形成し、発光素子の第２の電極１５０９と接続しやす
くすると良い。また、この場合、第１の基板１５０３と第２の基板１５００とを貼り合わ
せる際に、真空にして貼り合わせると良い。
【０３４４】
図３３（Ｂ）に示す構成において、発光素子１５０６からの光が第２の基板１５００の方
向にのみ放出されるように構成された発光素子の場合には、電極１５１９Ｂは、透光性を
有する導電膜で形成する。
【０３４５】
また、図３３（Ｂ）に示す構成において、発光素子１５０６からの光が第１の基板１５０
３及び第２の基板１５００に放出されるように構成された発光素子の場合には、電極１５
１９Ｂを反射機能を有する金属膜で形成するか、若しくは透光性を有する導電膜で形成す
る。電極１５１９Ｂを反射機能を有する金属膜で形成した場合、発光素子１５０６から第
２の基板１５００側の方向に放出された光は電極１５１９Ｂによって第１の基板１５０３
の方向に反射されるため、発光素子１５０６からの光は第１の基板１５０３側からのみ取
り出される。電極１５１９Ｂを透光性を有する導電膜で形成した場合、発光素子１５０６
からの光は第１の基板１５０３及び第２の基板１５００の両側から取り出すことができる
。
【０３４６】
図３３（Ａ）、（Ｂ）に示す構造の場合、実施の形態１〜３で示した構造と比較して、発
光素子の第２の電極上に絶縁膜を設け、該絶縁膜上に発光素子の第２の電極と電気的に接
続された電極を形成する工程を省くことができる。よって、実施の形態１〜３で示した構
造と比較して、発光装置の作製工程を短縮化することができる。
【０３４７】
また、図３３（Ａ）、（Ｂ）においては、第１の基板１５０３上に発光素子の第１の電極
１５０４、発光物質を含む層１５０８、発光素子の第２の電極１５０９が形成されている
構成について示しているが、発光素子の第２の電極１５０９を第１の基板１５０３上に形
成しないような構成とすることも可能である。
【０３４８】
このような構成の例を図３４（Ａ）に示す。
図３４（Ａ）において、発光素子１６０６が複数形成された第１の基板１６０３と、薄膜
トランジスタ１５０２が複数形成された第２の基板１５００とが対向して設けられている
。
【０３４９】
図３４においては、第２の基板１５００が第１の基板１６０３の発光素子の第１の電極１
６０４及び発光物質を含む層１６０８が形成されている面と対向するように、第１の基板
１６０３と第２の基板１５００が貼り合わせられている。よって、第２の基板１５００は
封止用の基板の役割を果たしている。
【０３５０】
なお、図３４（Ａ）において、第２の基板１５００側の構成は、図３３（Ｂ）と同じであ
るため、図３３（Ｂ）と同じ符号で示し、ここでは説明を省略する。
【０３５１】
図３４（Ａ）の発光素子１６０６は、図１２の発光素子６０７に相当する。
また、図３４（Ａ）の薄膜トランジスタ１５０２は、図１２の駆動用トランジスタ６０６
に相当する。
【０３５２】
第１の基板１６０３、第２の基板１５００としては、ガラス基板、石英基板、透光性を有
する樹脂基板などの透光性基板を用いればよい。なお、発光素子１６０６からの光が第１
の基板１６０３の方向にのみ放出されるように構成された発光素子の場合には、第２の基
板１５００は必ずしも透光性基板である必要はない。よって、第２の基板１５００として
、透光性を有しない樹脂基板、半導体基板、セラミック基板、金属基板などの透光性を有
しない基板を用いることも可能である。
【０３５３】
また、発光素子１６０６からの光が第２の基板１５００の方向にのみ放出されるように構
成された発光素子の場合には、第１の基板１６０３は必ずしも透光性基板である必要はな
い。よって、第１の基板１６０３として、透光性を有しない樹脂基板、半導体基板、セラ
ミック基板、金属基板などの透光性を有しない基板を用いることも可能である。
【０３５４】
第１の基板１６０３上には、発光素子の第１の電極１６０４が形成されている。そして、
発光素子の第１の電極１６０４上には、発光物質を含む層１６０８が形成されている。
【０３５５】
なお、発光素子の第１の電極１６０４などに用いる材料については、実施の形態１に記載
されている材料を用いればよい。また、発光物質を含む層１６０８の層構成についても、
実施の形態１で説明したように公知の層構成とすればよい。
【０３５６】
以上で説明した構造を有する第１の基板１６０３と第２の基板１５００とが、異方性導電
膜１６１１によって貼り合わせられている。異方性導電膜１６１１としては、ＡＣＰ（Ａ
ｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）やＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒ
ｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）などが挙げられる。異方性導電膜１６１１
を用いて、第１の基板１６０３と第２の基板１５００とを貼り合わせることによって、発
光物質を含む層１６０８と電極１５１９Ｂとが異方性導電膜１６１１に含まれる導電性粒
子１６０５を介して電気的に接続される。
【０３５７】
この場合においては、導電性粒子１６０５が発光素子１６０６の第２の電極の機能を果た
すこととなる。よって、発光素子１６０６は、第１の電極１６０４、発光物質を含む層１
６０８、導電性粒子１６０５から構成されていることとなる。そして、このような構成を
有する発光素子１６０６が薄膜トランジスタ１５０２と電気的に接続されている。
【０３５８】
なお、図３４（Ａ）では、第１の基板１６０３と第２の基板１５００とを異方性導電膜１
６１１によって貼り合わせることによって、導電性粒子１６０５を介して発光物質を含む
層１６０８と電極１５１９Ｂとを電気的に接続している場合を例として示しているが、発
光物質を含む層１６０８と電極１５１９Ｂとを電気的に接続するための方法は、特にこれ
に限定されるものではなく、公知の接続方法を用いればよい。例えば、ＮＣＰ（Ｎｏｎ
Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）を用いて発光物質を含む層１６０８と電極１５１９
Ｂとを電気的に接続するようにしても良いし、超音波を用いた共晶接合によって発光物質
を含む層１６０８と電極１５１９Ｂとを電気的に接続するようにしても良い。
【０３５９】
また、第１の基板１６０３と第２の基板１５００を貼り合わせる際に、必要に応じて第１
の基板１６０３と第２の基板１５００の間にスペーサーを設けても良い。
【０３６０】
図３４（Ｂ）にＮＣＰ（Ｎｏｎ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）を用いて発光物質
を含む層１６０８と電極１５１９Ｂとを電気的に接続する場合の例について示す。
【０３６１】
図３４（Ｂ）に示す構成の場合、発光物質を含む層１６０８と電極１５１９Ｂとが接する
ように、第１の基板１６０３と第２の基板１５００とがＮＣＰ１６３１によって貼り合わ
せられている。
【０３６２】
この場合においては、電極１５１９Ｂが発光素子１６０６の第２の電極の機能を果たすこ
ととなる。よって、発光素子１６０６は、第１の電極１６０４、発光物質を含む層１６０
８、電極１５１９Ｂから構成されていることとなる。そして、このような構成を有する発
光素子１６０６が薄膜トランジスタ１５０２と電気的に接続されている。
【０３６３】
なお、図３４（Ｂ）に示す構成の場合、第１の基板１６０３と第２の基板１５００とを貼
り合わせる際に、真空にして貼り合わせると良い。
【０３６４】
図３４（Ａ）（Ｂ）に示す構成において、第１の電極１６０４をアルミニウムなどの金属
膜で形成し、電極１５１９Ｂを透光性を有する導電膜で形成した場合、発光素子１６０６
からの光は第２の基板１５００側からのみ取り出される。第１の電極１６０４を透光性を
有する導電膜で形成し、電極１５１９Ｂをアルミニウムなどの金属膜で形成した場合、発
光素子１６０６からの光は第１の基板１６０３側からのみ取り出される。また、第１の電
極１６０４及び電極１５１９Ｂを透光性を有する導電膜で形成した場合、発光素子１６０
６からの光は第１の基板１６０３及び第２の基板１５００の両側から取り出すことができ
る。
【０３６５】
図３４（Ａ）（Ｂ）に示す構成は、電極１５１９Ｂが発光素子の第２の電極の役割を兼ね
る構造となっているため、第１の基板上に第２の電極を形成する必要がない。よって、図
３３（Ａ）（Ｂ）の構造に比べて、発光装置の作製工程を短縮することができる。
【０３６６】
なお、以上においては、各画素に設けられている発光素子を駆動するための画素回路が図
１２で示した画素回路６０９の場合について説明したが、各画素に設けられている発光素
子を駆動するための画素回路の構成は、図１２で示した画素回路６０９に限られるもので
はない。図１２に示した画素回路６０９の構成は、一例として示したものであって、その
他の様々な画素回路においても本実施の形態を実施することができる。
【０３６７】
図１２で示した画素回路６０９は、発光素子６０７を駆動するための薄膜トランジスタで
ある駆動用トランジスタ６０６が発光素子６０７と接続される回路構成となっている。そ
のため、発光素子６０７と駆動用トランジスタ６０６とが、異方性導電膜を介して電気的
に接続される構成となっている。よって、他の画素回路の構成に適用する場合には、その
画素回路の構成において発光素子と接続される素子が、異方性導電膜を介して発光素子と
電気的に接続されるようにすればよい。画素回路の多くの場合において、発光素子と接続
される素子は、発光素子を駆動するための薄膜トランジスタである。よって、たいていの
場合には、発光素子を駆動するための薄膜トランジスタと発光素子とが異方性導電膜を介
して電気的に接続される構成となる。
【０３６８】
なお、本実施の形態は他の実施の形態に記載された技術と適宜組み合わせて行うことがで
きる。よって、例えば、本実施の形態において、実施の形態６のように発光素子を駆動す
る回路を第２の基板に形成する代わりに発光素子を駆動する画素回路を有するフィルムを
用いる構成としたり、実施の形態７のように第２の基板を薄膜化する構成とすることも可
能である。
【０３６９】
（実施の形態１０）
本実施の形態１、２、４、５、８、９において、第１の基板と第２の基板とを貼り合わせ
た後に、第１の基板及び第２の基板の厚さを薄くする処理（薄膜化処理）を行うことも可
能である。
【０３７０】
この場合、第１の基板と第２の基板とを貼り合わせたあとに、第１の基板及び第２の基板
の薄膜化処理を行うため、第１の基板と第２の基板を同時に薄膜化処理を行うことができ
る。
【０３７１】
なお、基板の薄膜化処理を行う方法としては、研削手段または研磨手段を用いて基板を研
削または研磨する方法や、ウエットエッチングによって基板をエッチングする方法などが
挙げられる。
【０３７２】
本実施の形態で説明した発光装置は、第１の基板及び第２の基板の厚さを薄くする処理（
薄膜化処理）を行っているため、発光装置の厚さを薄くすることが可能である。よって、
電子機器などに本実施の形態の発光装置を用いることによって、電子機器の厚さ方向の寸
法をより小さくすることができる。よって、携帯電話機、携帯用ゲーム機器、モバイルコ
ンピュータ、パーソナルコンピュータ、カメラ（デジタルカメラ、ビデオカメラなど）な
ど、より小型化が求められている電子機器（特に携帯用の電子機器）に適用すると電子機
器を小型化することができるため好ましい。
【０３７３】
第１の基板及び第２の基板は可撓性を有する程度の厚さ（例えば１００μｍ以下、好まし
くは２０〜５０μｍ）まで薄膜化処理を行えば、可撓性を有する発光装置とすることがで
きる。
【０３７４】
なお、実施の形態３においては、第１の基板、第２の基板、第３の基板を貼り合わせた後
に、第２の基板及び第３の基板の厚さを薄くする処理（薄膜化処理）を行う。この場合、
第２の基板及び第３の基板を可撓性を有する程度の厚さ（例えば１００μｍ以下、好まし
くは２０〜５０μｍ）まで薄膜化処理を行い、第１の基板として可撓性を有する基板を用
いれば、可撓性を有する発光装置とすることができる。
【０３７５】
（実施の形態１１）
実施の形態１〜１０において説明した発光装置において、発光素子が形成された第１の基
板と発光素子を駆動する回路が形成された第２の基板を貼り合わせる方法について説明す
る。なお、実施の形態６においては、発光素子を駆動する回路が形成された第２の基板を
発光素子を駆動する回路を有するフィルムに置き換えて考えるものとする。また、実施の
形態７の第２の基板１０００が完全に除去された構造の場合においても、発光素子を駆動
する回路が形成された第２の基板を、発光素子を駆動する回路を有するフィルムに置き換
えて考えるものとする。
【０３７６】
発光素子が形成されている第１の基板と発光素子を駆動する回路が形成されている第２の
基板とを貼り合わせる方法としては、１枚の第１の基板に対して１枚の第２の基板を貼り
合わせる方法が考えられる。１枚の第１の基板に対して１枚の第２の基板を貼り合わせる
方法の例を図３１（Ａ）に示す。
【０３７７】
図３１（Ａ）において、発光素子が形成された第１の基板１４００に対向するように、発
光素子を駆動する回路が形成された第２の基板１４０１が貼り合わせられている。第２の
基板には周辺駆動回路１４０３が形成されており、第２の基板１４０１に形成されている
外部接続端子がＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）１４０４
と接続されている。
【０３７８】
また、第１の基板と第２の基板を貼り合わせる他の方法としては、１枚の第２の基板に対
して複数の第１の基板を貼り合わせる方法がある。１枚の第２の基板に対して複数の第１
の基板を貼り合わせる方法の１例として１枚の第２の基板と４枚の第１の基板を貼り合わ
せる場合について図３１（Ｂ）に示す。なお、図３１（Ｂ）においては、１枚の第２の基
板と４枚の第１の基板を貼り合わせる場合について示しているが、第１の基板の枚数は、
４枚に限定されるものではなく、複数であれば４枚よりも少なくても多くてもよい。よっ
て、例えば、１枚の第２の基板に対向するように第１の基板を１００行×１００列配置し
て貼り合わせるような構成としても良い。
【０３７９】
図３１（Ｂ）において、発光素子を駆動する回路が形成されている第２の基板１４０１に
対向するように発光素子が形成されている第１の基板１４１１、１４１２、１４１３、１
４１４が貼り合わせられている。この第１の基板１４１１、１４１２、１４１３、１４１
４はそれぞれ同じ大きさで形成しても良いし、異なる大きさで形成しても良いが、同じ大
きさで形成するほうが量産する際には好ましい。なお、図３１（Ａ）と同じ符号のものは
図３１（Ａ）と同じものを示すものとする。
【０３８０】
また、図３１（Ａ）（Ｂ）においては、第２の基板上に周辺駆動回路１４０３を１つ形成
している場合について示しているが、周辺駆動回路を形成する位置や周辺駆動回路の個数
は図３１（Ａ）（Ｂ）の構成に限定されない。
【０３８１】
さらに、第１の基板と第２の基板を貼り合わせる他の方法としては、１枚の第１の基板に
対して複数の第２の基板を貼り合わせる方法がある。１枚の第１の基板に対して複数の第
２の基板を貼り合わせる方法の１例として１枚の第１の基板と４枚の第２の基板を貼り合
わせる場合について図３２（Ａ）に示す。なお、図３２（Ａ）においては、１枚の第１の
基板と４枚の第２の基板を貼り合わせる場合について示しているが、第２の基板の枚数は
、４枚に限定されるものではなく、複数であれば４枚よりも少なくても多くてもよい。よ
って、例えば、１枚の第１の基板に対向するように第２の基板を１００行×１００列配置
して貼り合わせるような構成としても良い。
【０３８２】
図３２（Ａ）において、発光素子が形成されている第１の基板１４００に対向するように
発光素子を駆動する回路が形成されている第２の基板１４３１、１４３２、１４３３、１
４３４が貼り合わせられている。図３２（Ａ）の例では、４枚の第２の基板のうち１４３
２、１４３３にはそれぞれ周辺駆動回路１４２３、１４２４が形成されている。
【０３８３】
周辺駆動回路１４２３、１４２４は、それぞれ異なる基板に形成されているため、そのま
まの状態では、電気的に接続されていない。周辺駆動回路１４２３と１４２４を電気的に
接続する必要がある場合には、ワイヤボンディングで周辺駆動回路１４２３と１４２４を
電気的に接続したり、周辺駆動回路１４２３と１４２４を電気的に接続するための配線を
インクジェットで形成するようにすればよい。
【０３８４】
また、第２の基板１４３１、１４３２、１４３３、１４３４は、それぞれ同じ大きさで形
成しても良いし、異なる大きさで形成しても良い。なお、図３２においては、第２の基板
１４３２、１４３３に周辺駆動回路が形成されている場合について示しているが、周辺駆
動回路を形成する位置や周辺駆動回路の個数は図３２の構成に限定されない。
【０３８５】
なお、図３１（Ａ）、（Ｂ）においては、ＦＰＣが図示されているが、図３２（Ａ）、（
Ｂ）においては、１枚の第１の基板に対して４枚の第２の基板１４３１、１４３２、１４
３３、１４３４が貼り合わせられていることがわかるようにするために、ＦＰＣを図示し
ていない。しかし、図３２（Ａ）、（Ｂ）の構成においても、第２の基板に形成されてい
る外部接続端子と接続されるようにＦＰＣが設けられている。この際、ＦＰＣは、第２の
基板１４３２、１４３３にそれぞれ１つずつ接続するようにして設けても良いし、第２の
基板１４３２、１４３３に共通した１つのＦＰＣを接続するように設けても良い。
【０３８６】
また、複数の第１の基板と複数の第２の基板とを貼り合わせることも可能である。なお、
この際、第１の基板の枚数と第２の基板の枚数は必ずしも同じ枚数にする必要はない。つ
まり、第１の基板の枚数と第２の基板の枚数は異なっていてもよい。図３２（Ｂ）に第１
の基板の枚数と第２の基板の枚数が異なる場合の例について示す。図３２（Ｂ）において
は、９枚の第１の基板１４４１〜１４４９と４枚の第２の基板１４３１〜１４３４が貼り
合わせられている。発光素子が形成された第１の基板と第２の基板の大きさが異なる場合
は、図３２（Ｂ）に示すように、隣接する第１の基板同士の境界線と隣接する第２の基板
同士の境界線とが重ならないため、同じ枚数の第１の基板と第２の基板を貼り合わせた場
合に比べて、第１の基板と第２の基板を貼り合わせ後における強度が増し、割れにくくな
る。本発明においては、発光素子が形成された第１の基板と、発光素子を駆動する回路が
形成された第２の基板をそれぞれ別工程で作製するため、第１の基板と第２の基板の枚数
を異ならせて貼り合わせることも可能であるし、第１の基板と第２の基板の大きさを異な
らせて貼り合わせることも可能である。
【０３８７】
なお、図３１、３２においては、第２の基板の周辺駆動回路が形成されている領域上には
第１の基板が存在しないように第１の基板が設けられているが、第２の基板の周辺駆動回
路が形成されている領域と対向する部分にも第１の基板が存在するようにして第１の基板
と第２の基板とを貼り合わせるようにしても良い。
【０３８８】
また、図３１、３２においては、第２の基板上に周辺駆動回路が形成されている場合につ
いて示しているが、特にこの構成に限定されるものではなく、周辺駆動回路の一部または
全てをＩＣ等で形成するようにしても良い。
【０３８９】
以上で説明したように、１枚の第１の基板に対して複数の第２の基板を貼り合わせたり、
１枚の第２の基板に対して複数の第１の基板を貼り合わせたり、複数の第１の基板と複数
の第２の基板を貼り合わせたりすることによって、発光装置を大型化する際に容易に大型
化することが可能となる。よって、ＴＶなどの大型化が求められている表示装置に本実施
の形態の構成を適用することによって、より大型の表示装置を作製することができる。
【０３９０】
なお、以上においては、図３１、３２を用いてアクティブマトリクス型の発光装置の場合
を例として説明したが、パッシブマトリクス型の発光装置においても適用することができ
る。
【実施例１】
【０３９１】
実施の形態４、５で説明した発光装置は、表示機能と読み取り機能の２つの機能を有する
。ここでは、表示機能と読み取り機能の切り換えの方法について、図２３（Ａ）のフロー
チャートを用いて説明する。
【０３９２】
まず、発光装置を起動する。発光装置を起動すると、自動的に表示モードになり、表示部
がオン、センサ部がオフになる。このとき、表示部とは発光素子を含む全ての副画素を指
し、センサ部とは撮像素子を含む全ての副画素を指す。そして、表示部では、ヒンジ用切
り換え回路１３０４又は切り換え回路１３０２から供給される信号に従って、通常表示、
水平反転表示、１８０°回転表示又は垂直反転表示を行う。一方、ボタン１３１０等の外
部からの信号に従って、読み取りモードになると、表示部及びセンサ部は両者ともオンに
なる。そして、光源として表示部を用いて、センサ部は被写体の情報を読み取る。
【０３９３】
このときの動作について、折り畳み型携帯端末の筐体１３２０を用いて名刺１３３０を読
み取る動作を例に挙げて、図２３（Ｂ）（Ｃ）を用いて説明する。まず、読み取りモード
の際は、表示パネル上に外光が入らないように名刺１３３０を置いて、該名刺１３３０の
情報を読み取る（図２３（Ｂ））。この読み取られた情報は、携帯端末内の記憶媒体に記
憶される。続いて、表示モードの際は、読み取られた名刺１３３０の情報を基に、表示部
により表示を行う（図２３（Ｃ））。
【０３９４】
このように、本実施の形態の発光装置は、被写体の情報を読み取るイメージセンサ機能と
、画像を表示する表示機能の２つの機能を有する。このような２つの機能を有しているに
も関わらず、イメージセンサ機能を用いる際には通常必要である光源や光散乱板を別個に
設ける必要がないため、大幅な小型化、薄型化及び軽量化が実現する。このとき、発光素
子は、被写体の情報を読み取る際の光源としての役割と、画像を表示する役割の２つの役
割を果たす。
【実施例２】
【０３９５】
本発明の発光装置を表示部に組み込むことによって様々な電子機器を作製することができ
る。電子機器としては、カメラ（ビデオカメラ、デジタルカメラなど）など、ゴーグル型
ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置
（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯
情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話機、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記
録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓ
ｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）
などが挙げられる。それらの電子機器の具体例を図３０に示す。
【０３９６】
図３０（Ａ）はテレビであり、筐体２００１、支持台２００２、表示部２００３、スピ
ーカー部２００４、ビデオ入力端子２００５等を含む。本発明の発光装置は表示部２００
３に適用することができる。なお、パーソナルコンピュータ用、ＴＶ放送受信用、広告表
示用などの全ての情報表示用のテレビが含まれる。
【０３９７】
図３０（Ｂ）はデジタルカメラであり、本体２１０１、表示部２１０２、受像部２１０
３、操作キー２１０４、外部接続ポート２１０５、シャッター２１０６等を含む。本発明
の発光装置は、表示部２１０２に適用することができる。
【０３９８】
図３０（Ｃ）はパーソナルコンピュータであり、本体２２０１、筐体２２０２、表示部
２２０３、キーボード２２０４、外部接続ポート２２０５、ポインティングマウス２２０
６等を含む。本発明の発光装置は、表示部２２０３に適用することができる。
【０３９９】
図３０（Ｄ）はモバイルコンピュータであり、本体２３０１、表示部２３０２、スイッ
チ２３０３、操作キー２３０４、赤外線ポート２３０５等を含む。本発明の発光装置は、
表示部２３０２に適用することができる。
【０４００】
図３０（Ｅ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）
であり、本体２４０１、筐体２４０２、表示部Ａ２４０３、表示部Ｂ２４０４、記録媒体
（ＤＶＤ等）読み込み部２４０５、操作キー２４０６、スピーカー部２４０７等を含む。
表示部Ａ２４０３は主として画像情報を表示し、表示部Ｂ２４０４は主として文字情報を
表示するが、本発明の発光装置は表示部Ａ、Ｂ２４０３、２４０４に適用することができ
る。なお、記録媒体を備えた画像再生装置には家庭用ゲーム機器なども含まれる。
【０４０１】
図３０（Ｆ）はゲーム機器であり、本体２５０１、表示部２５０５、操作スイッチ２５
０４等を含む。本発明の発光装置は表示部２５０２に適用することができる。
【０４０２】
図３０（Ｇ）はビデオカメラであり、本体２６０１、表示部２６０２、筐体２６０３、
外部接続ポート２６０４、リモコン受信部２６０５、受像部２６０６、バッテリー２６０
７、音声入力部２６０８、操作キー２６０９、接眼部２６１０等を含む。本発明の発光装
置は、表示部２６０２に適用することができる。
【０４０３】
図３０（Ｈ）は携帯電話機であり、本体２７０１、筐体２７０２、表示部２７０３、音
声入力部２７０４、音声出力部２７０５、操作キー２７０６、外部接続ポート２７０７、
アンテナ２７０８等を含む。本発明の発光装置は、表示部２７０３に適用することができ
る。
【０４０４】
以上の様に、本発明の発光装置は、あらゆる電子機器の表示部として用いることができ
る。なお、本実施例の電子機器は、実施の形態１〜１１、実施例１のいずれの構成を用い
て作製された発光装置を用いても良い。
【符号の説明】
【０４０５】
１００ 基板
１０１ 剥離層
１０２ 第１の絶縁膜
１０３ 薄膜トランジスタ
１０４ 発光素子を駆動する回路を含む層
１０７ 半導体膜
１０８ ゲート絶縁膜
１０９ ゲート電極
１１０ 第２の絶縁膜
１１１ 電極
１１２ 第３の絶縁膜
１１３ 電極
１１４ 強度確保層
１１５ 開口部
１１６ 開口部
１１７ フィルム
１１８ 積層体
１１９ 導電膜
１２０ 電極
１２１ フィルム
１２２ 積層体
２００ 第２の基板
２０１ 下地膜
２０２ 薄膜トランジスタ
２０３ 第１の基板
２０４ 第１の電極
２０５ 導電性粒子
２０６ 発光素子
２０８ 発光物質を含む層
２０９ 第２の電極
２１０ 絶縁膜
２１１ 異方性導電膜
２１２ 電極
２１５ ゲート電極
２１６ ゲート絶縁膜
２１７ 半導体膜
２１８ 電極
２１９ 電極
２２０ 第１の層間絶縁膜
２２１ 第２の層間絶縁膜
２３０ 導電膜
３０３ 第１の基板
３０４ 第１の電極
３０６ 発光素子
３０７ 第１の絶縁膜
３０８ 発光物質を含む層
３０９ 第２の電極
３１０ 第２の絶縁膜
３１９ 電極
３２０ 導電膜
４０３ 第１の基板
４０４ 第１の電極
４０６ 発光素子
４０７ 第１の絶縁膜
４０８ 発光物質を含む層
４０９ 第２の電極
４１０ 第２の絶縁膜
４１１ 接着材
４１９ 電極
４２０ 第３の基板
４３０ 研磨手段
４３１ 導電膜
５００ 第２の基板
５０１ 下地膜
５０２ 薄膜トランジスタ
５０５ 導電性粒子
５１５ ゲート電極
５１６ ゲート絶縁膜
５１７ 半導体膜
５１８ 電極
５１９ 電極
５２０ 第１の基板
５２１ 配線
５２２ 発光物質を含む層
５２３ 配線
５２４ 異方性導電膜
５２６ 第１の層間絶縁膜
５２７ 絶縁膜
５２８ 第２の層間絶縁膜
５２９ 電極
５３０ 隔壁
５３２ 薄膜トランジスタ
５４５ ゲート電極
５４７ 半導体膜
５４８ 電極
５４９ 電極
５５０ 電極
６０１ 画素部
６０２ ソース信号線駆動回路
６０３ ゲート信号線駆動回路
６０４ 画素
６０５ スイッチング用トランジスタ
６０６ 駆動用トランジスタ
６０７ 発光素子
６０８ コンデンサ
６０９ 画素回路
７０１ 画素部
７０２ カラムドライバ
７０３ ロウドライバ
７０４ 発光素子
８００ 第２の基板
８０１ 下地膜
８０２ 薄膜トランジスタ
８０３ 第１の基板
８０４ 第１の電極
８０５ 導電性粒子
８０６ 発光素子
８０８ 発光物質を含む層
８０９ 第２の電極
８１０ 絶縁膜
８１１ 異方性導電膜
８１２ 電極
８１５ ゲート電極
８１６ ゲート絶縁膜
８１７ 結晶質半導体膜
８１８ 電極
８１９ 電極
８２０ 第１の層間絶縁膜
８２１ 撮像素子
８２２ 被写体
８２３ Ｐ型半導体
８２４ Ｉ型半導体
８２５ Ｎ型半導体
８２６ 電極
８３０ 第２の層間絶縁膜
９００ 第２の基板
９０１ 下地膜
９０２ 薄膜トランジスタ
９０３ 第１の基板
９０４ 第１の電極
９０５ 導電性粒子
９０６ 発光素子
９０７ 第１の電極
９０８ 発光物質を含む層
９０９ 第２の電極
９１０ 絶縁膜
９１１ 異方性導電膜
９１２ 電極
９１３ 電極
９１５ ゲート電極
９１６ ゲート絶縁膜
９１７ 結晶質半導体膜
９１８ 電極
９１９ 電極
９２０ 第１の層間絶縁膜
９２１ 撮像素子
９２２ 被写体
９２３ Ｐ型半導体
９２４ Ｉ型半導体
９２５ Ｎ型半導体
９２６ 電極
９２７ 薄膜トランジスタ
９２８ 結晶質半導体膜
９２９ ゲート電極
９３０ 電極
９３１ 第２の層間絶縁膜
１０００ 基板
１００１ 第１の絶縁膜
１００３ 薄膜トランジスタ
１００４ 発光素子を駆動する回路を含む層
１００７ 半導体膜
１００８ ゲート絶縁膜
１００９ ゲート電極
１０１０ 第２の絶縁膜
１０１１ 電極
１０１２ 第３の絶縁膜
１０１３ 電極
１０１４ 第４の絶縁膜
１０１５ 基板
１０１６ 研磨手段
１０１７ 導電膜
１０１８ 電極
１２０１ 画素部
１２０２ 画素
１２１１ スイッチング用トランジスタ
１２１２ 駆動用トランジスタ
１２１３ 容量素子
１２１４ 発光素子
１２１５ スイッチング用トランジスタ
１２１６ バッファ用トランジスタ
１２１７ リセット用トランジスタ
１２１８ 撮像素子
１２１９ 発光素子を含む副画素
１２２０ 撮像素子を含む副画素
１２２１ 走査線
１２２４ 信号線
１２２６ 電源線
１２２７ 電源線
１２２８ 画素回路
１２４５ 信号線
１２５０ 発光素子を含む副画素
１２５１ 発光素子を含む副画素
１２５２ 発光素子を含む副画素
１２５３ 撮像素子を含む副画素
１２５４ 撮像素子を含む副画素
１２５５ 撮像素子を含む副画素
１２５６ 発光素子を含む副画素
１２５７ 発光素子を含む副画素
１２５８ 発光素子を含む副画素
１２５９ 撮像素子を含む副画素
１２６０ 発光素子を含む副画素
１２６１ 撮像素子を含む副画素
１３０２ 切り換え回路
１３０４ ヒンジ用切り換え回路
１３１０ ボタン
１３２０ 筐体
１４００ 第１の基板
１４０１ 第２の基板
１４０３ 周辺駆動回路
１４０４ ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）
１４１１ 第１の基板
１４１２ 第１の基板
１４１３ 第１の基板
１４１４ 第１の基板
１４２３ 周辺駆動回路
１４２４ 周辺駆動回路
１４３１ 第２の基板
１４３２ 第２の基板
１４３３ 第２の基板
１４３４ 第２の基板
１４４１ 第１の基板
１４４２ 第１の基板
１４４３ 第１の基板
１４４４ 第１の基板
１４４５ 第１の基板
１４４６ 第１の基板
１４４７ 第１の基板
１４４８ 第１の基板
１４４９ 第１の基板
１５００ 第２の基板
１５０１ 下地膜
１５０２ 薄膜トランジスタ
１５０３ 第１の基板
１５０４ 第１の電極
１５０５ 導電性粒子
１５０６ 発光素子
１５０８ 発光物質を含む層
１５０９ 第２の電極
１５１１ 異方性導電膜
１５１５ ゲート電極
１５１６ ゲート絶縁膜
１５１７ 半導体膜
１５１８ 電極
１５２０ 第１の層間絶縁膜
１５２１ 第２の層間絶縁膜
１５３１ ＮＣＰ
１６０３ 第１の基板
１６０４ 第１の電極
１６０５ 導電性粒子
１６０６ 発光素子
１６０８ 発光物質を含む層
１６１１ 異方性導電膜
１６３１ ＮＣＰ
２００１ 筐体
２００２ 支持台
２００３ 表示部
２００４ スピーカー部
２００５ ビデオ入力端子
２１０１ 本体
２１０２ 表示部
２１０３ 受像部
２１０４ 操作キー
２１０５ 外部接続ポート
２１０６ シャッター
２２０１ 本体
２２０２ 筐体
２２０３ 表示部
２２０４ キーボード
２２０５ 外部接続ポート
２２０６ ポインティングマウス
２３０１ 本体
２３０２ 表示部
２３０３ スイッチ
２３０４ 操作キー
２３０５ 赤外線ポート
２４０１ 本体
２４０２ 筐体
２４０３ 表示部Ａ
２４０４ 表示部Ｂ
２４０５ 記録媒体読み込み部
２４０６ 操作キー
２４０７ スピーカー部
２５０１ 本体
２５０２ 表示部
２５０４ 操作スイッチ
２５０５ 表示部
２６０１ 本体
２６０２ 表示部
２６０３ 筐体
２６０４ 外部接続ポート
２６０５ リモコン受信部
２６０６ 受像部
２６０７ バッテリー
２６０８ 音声入力部
２６０９ 操作キー
２６１０ 接眼部
２７０１ 本体
２７０２ 筐体
２７０３ 表示部
２７０４ 音声入力部
２７０５ 音声出力部
２７０６ 操作キー
２７０７ 外部接続ポート
２７０８ アンテナ
１５１９Ａ 電極
１５１９Ｂ 電極
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置及び発光装置の作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、発光素子を有する発光装置を作製する際には、ガラス基板などの基板上に半導体プ
ロセスを用いて発光素子を駆動するための半導体回路を形成し、当該半導体回路上に絶縁
膜（平坦化膜）を形成し、その上に発光素子を形成していた。つまり、基板上に下から順
番に積み上げるようにして発光素子を駆動するための半導体回路と発光素子とを形成して
いた。
【０００３】
従来の作製工程によって作製した発光装置は、発光素子を駆動するための半導体回路上に
絶縁膜を形成して、その上に発光素子を形成しているため、発光素子よりも下層に形成さ
れる素子や配線などに起因する段差などが存在する（特許文献１等参照）。そのため、発
光素子の形成エリアが限定されていた。
【０００４】
また、発光素子よりも下層に形成される素子や配線などに起因する段差などによってカバ
レッジ不良などが発生することがある。このカバレッジ不良などが原因となって点欠陥や
線欠陥などが発生することがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平８−２３４６８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、発光装置を形成する際の点欠陥や線欠陥を防止することによって、歩留まりを
向上させることを課題とする。
また、段差のない平坦な面を最大限利用して発光素子を形成できるようにすることを課題
とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の発光装置は、発光素子を駆動する回路と、発光素子を駆動する回路が形成されて
いない基板に設けられた発光素子とが電気的に接続されていることを特徴とする。つまり
、発光素子と発光素子を駆動する回路とをそれぞれ別の基板に設け、発光素子と発光素子
を駆動する回路を電気的に接続することを特徴とする。
【０００８】
なお、発光装置には、アクティブマトリクス型の発光装置と、パッシブマトリクス型の発
光装置とがあるが、本発明の発光装置はどちらの場合でも実施することができる。
【０００９】
また、発光素子としては、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子などが挙げられるが、本発明にお
いては、どちらも用いることができる。
【００１０】
本発明の発光装置は、発光素子が形成された第１の基板と、前記発光素子を駆動するため
の画素回路が形成され、前記第１の基板と対向するように設けられた第２の基板と、を有
し、前記発光素子と前記画素回路とが電気的に接続されていることを特徴とする。
【００１１】
本発明の発光装置は、発光素子が形成された第１の基板と、前記発光素子を駆動するため
の画素回路が形成され、前記第１の基板の発光素子が形成された面と対向するように設け
られた封止用の第２の基板と、を有し、前記発光素子と前記画素回路とが電気的に接続さ
れていることを特徴とする。
【００１２】
本発明の発光装置は、発光素子が形成された第１の基板と、前記発光素子を駆動するため
の画素回路が形成され、前記第１の基板の発光素子が形成されていない面と対向するよう
に設けられた第２の基板と、前記第１の基板の発光素子が形成された面と対向するように
設けられた封止用の第３の基板と、を有し、前記発光素子と前記画素回路とが電気的に接
続されていることを特徴とする。
【００１３】
本発明の発光装置は、発光素子が形成された第１の基板と、前記発光素子を駆動するため
のロウドライバ及びカラムドライバが形成され、前記第１の基板と対向するように設けら
れた封止用の第２の基板と、を有し、前記発光素子と前記ロウドライバまたは前記カラム
ドライバとが電気的に接続されていることを特徴とする。
【００１４】
本発明の発光装置は、発光素子が形成された第１の基板と、撮像素子及び前記発光素子を
駆動するための画素回路が形成され、前記第１の基板と対向するように設けられた第２の
基板と、を有し、前記発光素子と前記画素回路とが電気的に接続されていることを特徴と
する。
【００１５】
本発明の発光装置は、発光素子及び撮像素子が形成された第１の基板と、前記発光素子を
駆動するための画素回路が形成され、前記第１の基板と対向するように設けられた第２の
基板と、を有し、前記発光素子と前記画素回路とが電気的に接続されていることを特徴と
する。
【００１６】
本発明の発光装置は、第１の基板と、前記第１の基板と対向するように設けられた第２の
基板とを有し、前記第１の基板上には、発光素子の第１の電極と、前記発光素子の第１の
電極上に形成された発光物質を含む層とを有し、前記第２の基板上には、前記発光素子を
駆動する駆動用トランジスタと、前記駆動用トランジスタ上に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成され、前記駆動用トランジスタのソース領域またはドレイン領域
と電気的に接続された電極とを有し、前記駆動用トランジスタのソース領域またはドレイ
ン領域と電気的に接続された電極と前記発光材料を含む層とが電気的に接続されているこ
とを特徴とする。
【００１７】
また、上記の本発明の発光装置の有する基板は可撓性を有していても良い。その際、発光
装置の有する基板の厚さは１００μｍ以下、好ましくは２０〜５０μｍとすればよい。
【００１８】
本発明の発光装置は、発光素子が形成された第１の基板と、前記発光素子を駆動するため
の画素回路を有し、前記第１の基板と対向するように設けられたフィルムと、を有し、前
記発光素子と前記画素回路とが電気的に接続されていることを特徴とする。この場合、第
１の基板の厚さを１００μｍ以下、好ましくは２０〜５０μｍとしてもよい。
【００１９】
本発明の発光装置の作製方法は、第１の基板上に発光素子を形成し、第２の基板上に前記
発光素子を駆動するための画素回路を形成し、互いに対向するように前記第１の基板と前
記第２の基板を貼り合わせることによって、前記発光素子と前記画素回路とを電気的に接
続することを特徴とする。
【００２０】
本発明の発光装置の作製方法は、第１の基板上に発光素子を形成し、第２の基板上に剥離
層を形成し、前記剥離層上に前記発光素子を駆動するための画素回路を含む層を形成し、
前記発光素子を駆動するための画素回路を有する層を前記第２の基板から剥離し、互いに
対向するように前記第１の基板と前記発光素子を駆動するための画素回路を有する層を貼
り合わせることによって、前記発光素子と前記画素回路とを電気的に接続することを特徴
とする。
【００２１】
本発明の発光装置の作製方法は、第１の基板上に発光素子を形成し、第２の基板上に前記
発光素子を駆動するための画素回路を含む層を形成し、前記第２の基板の厚さを薄くする
処理を施し、互いに対向するように前記第１の基板と前記第２の基板を貼り合わせること
によって、前記発光素子と前記画素回路とを電気的に接続することを特徴とする。このと
き、前記第２の基板の厚さを薄くする処理によって、前記第２の基板の厚さを１００μｍ
以下としてもよい。
【発明の効果】
【００２２】
本発明は、発光素子と発光素子を駆動する回路とをそれぞれ別の基板に設けることによっ
て、発光素子の形成と発光素子を駆動する回路の形成をそれぞれ別工程で行うため、それ
ぞれの工程での自由度が向上し、プロセス変更にも容易に対応することができる。
また、従来では、発光素子を駆動する回路上に平坦化膜を形成し、その上に発光素子を形
成していたが、本発明では発光素子を駆動する回路を形成する基板とは別の基板上に発光
素子を形成するため、従来と比べて発光素子の形成面の段差を低減できる。よって、点欠
陥や線欠陥などの発光素子の形成不具合を減らすことができるため、発光装置を形成する
際の歩留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】実施の形態１について説明する図
【図２】実施の形態２について説明する図
【図３】実施の形態３について説明する図
【図４】実施の形態６について説明する図
【図５】実施の形態６について説明する図
【図６】実施の形態６について説明する図
【図７】実施の形態６について説明する図
【図８】実施の形態６について説明する図
【図９】実施の形態８について説明する図
【図１０】アクティブマトリクス型の発光装置について説明する図
【図１１】アクティブマトリクス型の発光装置の画素部の例について説明する図
【図１２】アクティブマトリクス型の発光装置の画素の例について説明する図
【図１３】パッシブマトリクス型の発光装置について説明する図
【図１４】パッシブマトリクス型の発光装置の画素部について説明する図
【図１５】実施の形態４について説明する図
【図１６】実施の形態５について説明する図
【図１７】実施の形態７について説明する図
【図１８】実施の形態７について説明する図
【図１９】実施の形態７について説明する図
【図２０】実施の形態７について説明する図
【図２１】実施の形態７について説明する図
【図２２】撮像素子を有する発光装置の画素構成例を示す図
【図２３】実施例１の表示モードと読み取りモードを説明する図
【図２４】実施の形態１の作製工程について説明する図
【図２５】実施の形態１の作製工程について説明する図
【図２６】実施の形態２の作製工程について説明する図
【図２７】実施の形態２の作製工程について説明する図
【図２８】実施の形態３の作製工程について説明する図
【図２９】実施の形態３の作製工程について説明する図
【図３０】実施例２の電子機器を示す図
【図３１】実施の形態１１について説明する図
【図３２】実施の形態１１について説明する図
【図３３】実施の形態１０について説明する図
【図３４】実施の形態１０について説明する図
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下に本発明を実施するための形態について説明する。
【００２５】
（実施の形態１）
本実施の形態では、第１の基板に形成された発光素子と、第２の基板に形成されたトラン
ジスタとが電気的に接続されているアクティブマトリクス型の発光装置の第１の例につい
て説明する。つまり、上記本発明の発光装置の第１の構成において、アクティブマトリク
ス型の発光装置である場合における第１の例について説明する。
【００２６】
図１０にアクティブマトリクス型の発光装置の概略図を示す。
図１０に示すように、アクティブマトリクス型の発光装置は、ソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ
）、ゲート信号線（Ｇ１〜Ｇｙ）、画素部６０１、ソース信号線駆動回路６０２、ゲート
信号線駆動回路６０３を有する。
【００２７】
画素部６０１における等価回路図を図１１に示す。
画素部６０１には、ソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）と、電源供給線（Ｖ１〜Ｖｘ）と、ゲー
ト信号線（Ｇ１〜Ｇｙ）とによって形成された複数の画素６０４がマトリクス状に配置さ
れている。
【００２８】
画素６０４の拡大図を図１２に示す。画素６０４は、画素を選択するためのスイッチング
用のトランジスタ（以下、スイッチング用トランジスタという）６０５と、発光素子６０
７と、発光素子６０７を駆動するためのトランジスタ（以下、駆動用トランジスタという
）６０６と、コンデンサ６０８を有する。
【００２９】
スイッチング用トランジスタ６０５のゲート電極は、ゲート信号線Ｇ（Ｇ１〜Ｇｘ）に接
続されている。スイッチング用トランジスタ６０５のソース領域とドレイン領域は、一方
がソース信号線Ｓ（Ｓ１〜Ｓｘ）に、もう一方が駆動用トランジスタ６０６のゲート電極
、及びコンデンサ６０８の第１の電極にそれぞれ接続されている。
【００３０】
コンデンサ６０８はスイッチング用トランジスタ６０５が非選択状態（オフ状態）にある
時、駆動用トランジスタ６０６のゲート電圧（ゲート電極とソース領域間の電位差）を保
持するために設けられている。なお本実施の形態ではコンデンサ６０８を設ける構成を示
したが、この構成に限定されず、コンデンサ６０８を設けない構成にしても良い。
【００３１】
また、駆動用トランジスタ６０６のソース領域とドレイン領域は、一方が電源供給線Ｖ（
Ｖ１〜Ｖｘ）に接続され、もう一方は発光素子６０７の一方の電極に接続される。電源供
給線Ｖはコンデンサ６０８の第２の電極に接続されている。
【００３２】
発光素子６０７の他方の電極には対向電位が与えられている。また電源供給線Ｖは電源電
位が与えられている。電源電位と対向電位は、本発明の発光装置に、外付けのＩＣ等によ
り設けられた電源によって与えられる。
【００３３】
スイッチング用トランジスタ６０５、駆動用トランジスタ６０６は、Ｎチャネル型のトラ
ンジスタでもＰチャネル型のトランジスタでもどちらでも用いることができる。ただし駆
動用トランジスタ６０６のソース領域またはドレイン領域が発光素子６０７の陽極と接続
されている場合、駆動用トランジスタ６０６はＰチャネル型のトランジスタであることが
望ましい。また、駆動用トランジスタ６０６のソース領域またはドレイン領域が発光素子
６０７の陰極と接続されている場合、駆動用トランジスタ６０６はＮチャネル型のトラン
ジスタであることが望ましい。
【００３４】
またスイッチング用トランジスタ６０５、駆動用トランジスタ６０６は、シングルゲート
構造ではなく、ダブルゲート構造やトリプルゲート構造などのマルチゲート構造を有して
いても良い。
【００３５】
本実施の形態では、以上のような構成を有するアクティブマトリクス型の発光装置におい
て、発光素子６０７を第１の基板に形成し、発光素子６０７を駆動するための画素回路６
０９を第２の基板に形成する。そして、発光素子６０７と発光素子６０７を駆動するため
の画素回路６０９とが電気的に接続されるようにする。つまり、発光素子６０７は第１の
基板に形成し、画素回路６０９の有するソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）、ゲート信号線（Ｇ
１〜Ｇｙ）、電源供給線（Ｖ１〜Ｖｘ）、スイッチング用トランジスタ６０５、駆動用ト
ランジスタ６０６、コンデンサ６０８は第２の基板に形成し、発光素子６０７と駆動用ト
ランジスタ６０６とが電気的に接続されるようにする。
【００３６】
図１に本実施の形態の発光装置の一部の断面図を示す。図１は、画素回路６０９を構成す
るトランジスタが薄膜トランジスタで形成されている場合について示している。
【００３７】
図１において、発光素子２０６が複数形成された第１の基板２０３と、薄膜トランジスタ
２０２が複数形成された第２の基板２００とが対向して設けられている。
なお、本実施の形態では、第２の基板２００が第１の基板２０３の発光素子が形成されて
いる側の面と対向するように、第１の基板２０３と第２の基板２００が貼り合わせられて
いる。よって、第２の基板２００は封止用の基板の役割を果たしている。
【００３８】
図１の発光素子２０６は、図１２の発光素子６０７に相当する。
また、図１の薄膜トランジスタ２０２は、図１２の駆動用トランジスタ６０６に相当する
。
【００３９】
なお、第２の基板に形成する薄膜トランジスタの構造は図１に記載された構造に限られる
ものではなく、公知の薄膜トランジスタの構造を適用することができる。
【００４０】
また、図１においては、画素回路６０９を構成する各トランジスタが薄膜トランジスタで
形成されている場合について示しているが、画素回路６０９を構成するトランジスタは、
薄膜トランジスタ以外のトランジスタで形成してもよい。例えば、第２の基板２００とし
て半導体基板を用い、該半導体基板にＭＯＳトランジスタなどを作り込むことによって第
２の基板２００に形成される画素回路を形成するようにしても良い。
【００４１】
図１の断面図において、第２の基板２００に駆動用トランジスタ６０６が形成されている
部分しか示されていないが、第２の基板２００には、駆動用トランジスタ６０６以外の画
素回路６０９を構成する素子（スイッチング用トランジスタ６０５、コンデンサ６０８）
も形成されている。
【００４２】
第１の基板２０３、第２の基板２００としては、ガラス基板、石英基板、透光性を有する
樹脂基板などの透光性基板を用いればよい。
【００４３】
なお、発光素子２０６からの光が第１の基板２０３の方向にのみ放出されるように構成さ
れた発光素子の場合には、第２の基板２００は必ずしも透光性基板である必要はない。よ
って、第２の基板２００として、透光性を有しない樹脂基板、半導体基板、セラミック基
板、金属基板などの透光性を有しない基板を用いることも可能である。
【００４４】
また、発光素子２０６からの光が第２の基板２００の方向にのみ放出されるように構成さ
れた発光素子の場合には、第１の基板２０３は必ずしも透光性基板である必要はない。よ
って、第１の基板２０３として、透光性を有しない樹脂基板、半導体基板、セラミック基
板、金属基板などの透光性を有しない基板を用いることも可能である。
【００４５】
また、第１の基板２０３、第２の基板２００は、以上で挙げた基板を可撓性を有する程度
に薄膜化したものを用いてもよい。
【００４６】
第１の基板２０３上に形成されている発光素子２０６は、第１の電極２０４、発光物質を
含む層２０８、第２の電極２０９を有する。
【００４７】
第１の電極２０４は、全ての発光素子で共通の電極として第１の基板２０３上に形成され
ている。そして、第１の電極２０４上には、発光物質を含む層２０８が形成され、発光物
質を含む層２０８上には、第２の電極２０９が形成されている。そして、第２の電極２０
９上には、絶縁膜２１０が形成されており、絶縁膜２１０上には、第２の電極２０９と電
気的に接続された電極２１９が形成されている。
【００４８】
発光素子２０６からの光が第１の基板２０３の方向にのみ放出されるように構成された発
光素子の場合には、第１の電極２０４は透光性を有する導電膜で形成する。この場合、例
えば、第１の電極２０４としてインジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏ
ｘｉｄｅ）や酸化インジウムに酸化亜鉛を含有したＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏ
ｘｉｄｅ）などの透明導電膜、透光性を有するほど薄い膜厚で形成された金属膜などを用
い、第２の電極２０９としてアルミニウム膜（アルミニウム合金膜や添加物を含むアルミ
ニウム膜を含む）などの金属膜を用いれば良い。
【００４９】
また、発光素子２０６からの光が第２の基板２００の方向にのみ放出されるように構成さ
れた発光素子の場合には、第２の電極２０９は透光性を有する導電膜で形成する。この場
合、例えば、第１の電極２０４としてアルミニウム膜（アルミニウム合金膜や添加物を含
むアルミニウム膜を含む）などの金属膜を用い、第２の電極２０９としてインジウム錫酸
化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）や酸化インジウムに酸化亜鉛を含有
したＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などの透明導電膜、透光性を有する
ほど薄い膜厚で形成された金属膜などを用いれば良い。
【００５０】
また、発光素子２０６からの光が第１の基板２０３の方向及び第２の基板２００の方向に
放出されるように構成された発光素子の場合には、第１の電極２０４及び第２の電極２０
９は透光性を有する導電膜で形成する。透光性を有する導電膜としては、例えば、第１の
電極２０４及び第２の電極２０９としてインジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔ
ｉｎ Ｏｘｉｄｅ）や酸化インジウムに酸化亜鉛を含有したＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉ
ｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などの透明導電膜、透光性を有するほど薄い膜厚で形成された金属膜
などが挙げられる。
【００５１】
また第１の電極２０４及び第２の電極２０９は仕事関数を考慮して材料を選択する必要
がある。但し第１の電極２０４及び第２の電極２０９は、画素回路の構成によりいずれも
陽極、又は陰極となりうる。
【００５２】
発光物質を含む層２０８は、電圧を印加することにより発光する材料を含む層であり、公
知の層構成とすればよい。発光素子が有機ＥＬ素子である場合には、以下に示す例が挙げ
られる。例えば、第１の電極２０４を陽極とした場合、第１の電極２０４側から順に、Ｈ
ＩＬ（ホール注入層）、ＨＴＬ（ホール輸送層）、ＥＭＬ（発光層）、ＥＴＬ（電子輸送
層）、ＥＩＬ（電子注入層）の順に積層する構成や、第１の電極２０４側から順に、ＨＴ
Ｌ（ホール輸送層）、ＥＭＬ（発光層）、ＥＴＬ（電子輸送層）の順に積層する構成など
が挙げられる。また、第１の電極２０４を陰極とした場合、第１の電極２０４側から順に
、ＥＩＬ（電子注入層）、ＥＴＬ（電子輸送層）、ＥＭＬ（発光層）、ＨＴＬ（ホール輸
送層）、ＨＩＬ（ホール注入層）の順に積層する構成や、第１の電極２０４側から順に、
ＥＴＬ（電子輸送層）、ＥＭＬ（発光層）、ＨＴＬ（ホール輸送層）の順に積層する構成
などが挙げられる。
【００５３】
また、発光物質を含む層２０８に含まれる発光物質には、一重項励起状態から基底状態に
戻る際のエネルギーを発光に変換し得る材料（蛍光材料）と三重項励起状態から基底状態
に戻る際のエネルギーを発光に変換し得る材料（リン光材料）とがあるが、本発明の発光
装置に用いる発光材料としては、どちらを用いてもよい。
【００５４】
一方、第１の基板２０３と対向して設けられている第２の基板２００上には、発光素子２
０６を駆動するための薄膜トランジスタ（駆動用トランジスタ）２０２が形成されている
。図１においては、薄膜トランジスタ２０２は、第２の基板上に下地膜２０１を介して形
成された半導体膜２１７と、ゲート絶縁膜２１６と、ゲート電極２１５とを有する。
【００５５】
薄膜トランジスタ２０２上には第１の層間絶縁膜２２０が形成されており、第１の層間絶
縁膜２２０上には、薄膜トランジスタ２０２の有する半導体膜２１７と電気的に接続され
る電極２１２が形成されている。そして、電極２１２上に第２の層間絶縁膜２２１が形成
されており、第２の層間絶縁膜２２１上には、電極２１２と電気的に接続される電極２１
８が形成されている。よって、電極２１８は薄膜トランジスタ２０２と電気的に接続され
ている。
【００５６】
以上で説明した構造を有する第１の基板２０３と第２の基板２００とが、異方性導電膜２
１１によって貼り合わせられている。異方性導電膜２１１としては、ＡＣＰ（Ａｎｉｓｏ
ｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）やＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ
Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）などが挙げられる。異方性導電膜２１１を用いて、
第１の基板２０３と第２の基板２００とを貼り合わせることによって、電極２１８と電極
２１９とが異方性導電膜２１１に含まれる導電性粒子２０５を介して電気的に接続される
。つまり、第１の基板２０３に形成されている発光素子２０６と第２の基板２００に形成
されている薄膜トランジスタ２０２は電気的に接続された状態となっている。
【００５７】
なお、図１では、第１の基板２０３と第２の基板２００とを異方性導電膜２１１によって
貼り合わせることによって、電極２１８と電極２１９とを電気的に接続する場合を例とし
て示しているが、電極２１８と電極２１９とを電気的に接続するための方法は、特にこれ
に限定されるものではなく、公知の接続方法を用いればよい。例えば、ＮＣＰ（Ｎｏｎ
Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）を用いて電極２１８と電極２１９とを電気的に接続
するようにしても良いし、超音波を用いた共晶接合によって電極２１８と電極２１９とを
電気的に接続するようにしても良い。
【００５８】
また、第１の基板２０３と第２の基板２００を貼り合わせる際に、必要に応じて第１の基
板２０３と第２の基板２００の間にスペーサーを設けても良い。
【００５９】
また、図１においては、発光素子２０６の第１の電極２０４と電源との接続などは特に記
載していないが、第１の電極２０４と電気的に接続された接続端子を画素部６０１の周囲
もしくはソース信号線駆動回路６０２やゲート信号線駆動回路６０３よりも外側の領域に
設け、その接続端子によって外付けのＩＣ等により設けられた電源と接続することによっ
て、第１の電極２０４に対向電位が与えられている。
【００６０】
なお、以上においては、各画素に設けられている発光素子を駆動するための画素回路が図
１２で示した画素回路６０９の場合について説明したが、各画素に設けられている発光素
子を駆動するための画素回路の構成は、図１２で示した画素回路６０９に限られるもので
はない。図１２に示した画素回路６０９の構成は、一例として示したものであって、その
他の様々な画素回路においても本実施の形態を実施することができる。
【００６１】
図１２で示した画素回路６０９は、発光素子６０７を駆動するための薄膜トランジスタで
ある駆動用トランジスタ６０６が発光素子６０７と接続される回路構成となっている。そ
のため、発光素子６０７と駆動用トランジスタ６０６とが、異方性導電膜を介して電気的
に接続される構成となっている。よって、他の画素回路の構成に適用する場合には、その
画素回路の構成において発光素子と接続される素子が、異方性導電膜を介して発光素子と
電気的に接続されるようにすればよい。画素回路の多くの場合において、発光素子と接続
される素子は、発光素子を駆動するための薄膜トランジスタである。よって、たいていの
場合には、発光素子を駆動するための薄膜トランジスタと発光素子とが異方性導電膜を介
して電気的に接続される構成となる。
【００６２】
図１で示した断面構造を有する発光装置の第１の基板２０３側の作製工程について以下に
説明する。
【００６３】
まず、図２４（Ａ）に示すように、第１の基板２０３上に、第１の電極２０４を形成する
。第１の電極２０４は、発光素子の構造に応じて上記で挙げた材料などを適宜選択して形
成すればよい。
【００６４】
次に、図２４（Ｂ）に示すように、メタルマスクを用いた蒸着により第１の電極２０４上
に発光物質を含む層２０８を形成し、そしてその発光物質を含む層２０８上にメタルマス
クを用いた蒸着により第２の電極２０９を形成する。また、発光物質を含む層２０８、第
２の電極２０９を形成する方法としては、メタルマスクを用いる方法以外に、インクジェ
ット法や印刷法などによって形成することもできる。
【００６５】
図２４（Ｃ）に示すように、第２の電極２０９に通じる開口を有する絶縁膜２１０を第１
の電極２０４、発光物質を含む層２０８、及び第２の電極２０９上に形成する。絶縁膜２
１０には、無機材料（酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、ＤＬＣ膜等）、
感光性又は非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド
、レジスト又はベンゾシクロブテン）、シロキサン（シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との
結合で骨格構造が構成される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアル
キル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いてもよい。ま
たは置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。）、
及びそれらの積層構造を用いることができる。特に、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、
ＤＬＣ膜などを用いれば、水分や酸素、その他の不純物が外部から発光素子２０６に侵入
することを防止することができる。
【００６６】
そして、図２４（Ｄ）に示すように、第２の電極２０９と電気的に接続された電極２１９
を形成する。
【００６７】
なお、第２の電極２０９と電気的に接続された電極２１９の形成方法としては、図２４（
Ｃ）〜（Ｄ）を用いて説明した方法以外に、以下の方法で形成することができる。
【００６８】
図２４（Ｂ）に示す状態まで形成した後に、図２５（Ａ）に示すように第１の電極２０４
、発光物質を含む層２０８及び第２の電極２０９上に絶縁膜２１０を形成し、絶縁膜２１
０上に導電膜２３０を１μｍ〜数十μｍの膜厚、好ましくは１０〜２０μｍの膜厚で形成
する。導電膜２３０は、例えばスクリーン印刷により、Ａｕペースト、Ａｇペースト、Ｃ
ｕペースト、Ｎｉペースト、Ａｌペーストなどの導電性材料やハンダなどを用いて形成す
ればよい。
【００６９】
そして、図２５（Ｂ）に示すように、導電膜２３０にレーザーを照射する。この際、導電
膜２３０が第２の電極２０９の深さまで打ち込まれ、第２の電極２０９で止まるように（
つまり、導電膜２３０が絶縁膜２１０を貫通して、第２の電極２０９で止まるように）レ
ーザーの出力を調節する。これにより、図２５（Ｃ）に示すように第２の電極２０９と電
気的に接続された電極２１９が形成される。
【００７０】
なお、本実施の形態は他の実施の形態に記載された技術と適宜組み合わせて行うことがで
きる。
【００７１】
（実施の形態２）
本実施の形態では、第１の基板に形成された発光素子と、第２の基板に形成されたトラン
ジスタとが電気的に接続されているアクティブマトリクス型の発光装置の第２の例につい
て説明する。つまり、上記本発明の発光装置の第１の構成において、アクティブマトリク
ス型の発光装置である場合における第２の例について説明する。
【００７２】
本実施の形態の発光装置は、実施の形態１で説明した発光装置における発光素子の断面構
造とは異なる断面構造の発光素子を有する。
なお、以下においては、実施の形態１と同様、画素回路の構成が図１２に示す画素回路６
０９の場合を例にして説明することとする。
【００７３】
本実施の形態で示す発光装置において、第２の基板側の構成は、実施の形態１と同様であ
る。よって、第２の基板については説明を省略し、実施の形態１と同じ構成のものは同じ
符号で示すものとする。
【００７４】
なお、本実施の形態においても、実施の形態１と同様、画素回路６０９を構成するトラン
ジスタは、薄膜トランジスタ以外のトランジスタで形成してもよい。例えば、第２の基板
として半導体基板を用い、該半導体基板にＭＯＳトランジスタなどを作り込むことによっ
て第２の基板に形成される画素回路を形成するようにしても良い。
【００７５】
図２に本実施の形態の発光装置の一部の断面図を示す。
図２において、発光素子３０６が複数形成された第１の基板３０３と、薄膜トランジスタ
２０２が複数形成された第２の基板２００とが対向して設けられている。
なお、本実施の形態では、第２の基板２００が第１の基板３０３の発光素子が形成されて
いる側の面と対向するように、第１の基板３０３と第２の基板２００が貼り合わせられて
いる。よって、第２の基板２００は封止用の基板の役割を果たしている。
【００７６】
図２の発光素子３０６は、図１２の発光素子６０７に相当する。
また、図２の薄膜トランジスタ２０２は、図１２の駆動用トランジスタ６０６に相当する
。
【００７７】
第１の基板３０３、第２の基板２００としては、ガラス基板、石英基板、透光性を有する
樹脂基板などの透光性基板を用いればよい。なお、発光素子３０６からの光が第１の基板
３０３の方向にのみ放出されるように構成された発光素子の場合には、第２の基板２００
は必ずしも透光性基板である必要はない。よって、第２の基板２００として、透光性を有
しない樹脂基板、半導体基板、セラミック基板、金属基板などの透光性を有しない基板を
用いることも可能である。
【００７８】
また、発光素子３０６からの光が第２の基板２００の方向にのみ放出されるように構成さ
れた発光素子の場合には、第１の基板３０３は必ずしも透光性基板である必要はない。よ
って、第１の基板３０３として、透光性を有しない樹脂基板、半導体基板、セラミック基
板、金属基板などの透光性を有しない基板を用いることも可能である。
【００７９】
また、第１の基板３０３、第２の基板２００は、以上で挙げた基板を可撓性を有する程度
に薄膜化したものを用いてもよい。
【００８０】
第１の基板３０３上に形成されている発光素子３０６は、第１の電極３０４、発光物質を
含む層３０８、第２の電極３０９を有する。
【００８１】
第１の基板３０３上には、第１の電極３０４が形成されている。また、第１の基板３０３
上には、第１の電極３０４の端部を覆うように第１の絶縁膜３０７が形成されている。そ
して、第１の電極３０４上には、発光物質を含む層３０８が形成され、発光物質を含む層
３０８上には、第２の電極３０９が形成されている。発光物質を含む層３０８、及び第２
の電極３０９の一部は第１の絶縁膜３０７上に形成されている。そして、第２の電極３０
９上には、第２の絶縁膜３１０が形成されており、第１の絶縁膜３０７上に位置する第２
の絶縁膜３１０上には、第２の電極３０９と電気的に接続された電極３１９が形成されて
いる。
【００８２】
なお、第１の電極３０４、第２の電極３０９などに用いる材料については、実施の形態１
に記載されている材料を用いればよい。また、発光物質を含む層３０８の層構成について
も、実施の形態１で説明したように公知の層構成とすればよい。
【００８３】
以上で説明した構造を有する第１の基板３０３と第２の基板２００とが、異方性導電膜２
１１によって貼り合わせられている。異方性導電膜２１１としては、ＡＣＰ（Ａｎｉｓｏ
ｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）やＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ
Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）などが挙げられる。異方性導電膜２１１を用いて、
第１の基板３０３と第２の基板２００とを貼り合わせることによって、電極２１８と電極
３１９とが異方性導電膜２１１に含まれる導電性粒子２０５を介して電気的に接続される
。つまり、第１の基板３０３に形成されている発光素子３０６と第２の基板２００に形成
されている薄膜トランジスタ２０２は電気的に接続された状態となっている。
【００８４】
なお、図２では、第１の基板３０３と第２の基板２００とを異方性導電膜２１１によって
貼り合わせることによって、電極２１８と電極３１９とを電気的に接続する場合を例とし
て示しているが、電極２１８と電極３１９とを電気的に接続するための方法は、特にこれ
に限定されるものではなく、公知の接続方法を用いればよい。例えば、ＮＣＰ（Ｎｏｎ
Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）を用いて電極２１８と電極３１９とを電気的に接続
するようにしても良いし、超音波を用いた共晶接合によって電極２１８と電極３１９とを
電気的に接続するようにしても良い。
【００８５】
また、第１の基板３０３と第２の基板２００を貼り合わせる際に、必要に応じて第１の基
板３０３と第２の基板２００の間にスペーサーを設けても良い。
【００８６】
また、図２においては、発光素子３０６の第１の電極３０４と電源との接続などは特に記
載していないが、第１の電極３０４と電気的に接続された接続端子を画素部６０１の周囲
もしくはソース信号線駆動回路６０２やゲート信号線駆動回路６０３よりも外側の領域に
設け、その接続端子によって外付けのＩＣ等により設けられた電源と接続することによっ
て、第１の電極３０４に対向電位が与えられている。
【００８７】
なお、以上においては、各画素に設けられている発光素子を駆動するための画素回路が図
１２で示した画素回路６０９の場合について説明したが、各画素に設けられている発光素
子を駆動するための画素回路の構成は、図１２で示した画素回路６０９に限られるもので
はない。図１２に示した画素回路６０９の構成は、一例として示したものであって、その
他の様々な画素回路においても本実施の形態を実施することができる。
【００８８】
図１２で示した画素回路６０９は、発光素子６０７を駆動するための薄膜トランジスタで
ある駆動用トランジスタ６０６が発光素子６０７と接続される回路構成となっている。そ
のため、発光素子６０７と駆動用トランジスタ６０６とが、異方性導電膜を介して電気的
に接続される構成となっている。よって、他の画素回路の構成に適用する場合には、その
画素回路の構成において発光素子と接続される素子が、異方性導電膜を介して発光素子と
電気的に接続されるようにすればよい。画素回路の多くの場合において、発光素子と接続
される素子は、発光素子を駆動するための薄膜トランジスタである。よって、たいていの
場合には、発光素子を駆動するための薄膜トランジスタと発光素子とが異方性導電膜を介
して電気的に接続される構成となる。
【００８９】
図２で示した断面構造を有する発光装置の第１の基板３０３側の作製工程について以下に
説明する。
【００９０】
まず、図２６（Ａ）に示すように、第１の基板３０３上に、第１の電極３０４を形成し、
第１の電極３０４の端部を覆うように第１の絶縁膜３０７を形成する。
【００９１】
第１の電極３０４は、発光素子の構造に応じて実施の形態１で挙げた材料などを適宜選択
して形成すればよい。
【００９２】
第１の絶縁膜３０７には、無機材料（酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、
ＤＬＣ等）、感光性又は非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリ
イミドアミド、レジスト又はベンゾシクロブテン）、シロキサン（シリコン（Ｓｉ）と酸
素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基
（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用い
てもよい。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いて
もよい。）、及びそれらの積層構造を用いることができる。第１の絶縁膜３０７は曲率半
径が連続的に変化する形状が好ましい。このような形状とすることによって、第１の絶縁
膜３０７上に形成される発光物質を含む層３０８、第２の電極３０９の被覆性が向上する
。
【００９３】
次に、図２６（Ｂ）に示すように、第１の電極３０４及び第１の絶縁膜３０７上にメタル
マスクを用いた蒸着により発光物質を含む層３０８を形成し、そしてその発光物質を含む
層３０８上にメタルマスクを用いた蒸着により第２の電極３０９を形成する。また、発光
物質を含む層３０８、第２の電極３０９を形成する方法としては、メタルマスクを用いる
方法以外に、インクジェット法や印刷法などによって形成することもできる。
【００９４】
図２６（Ｃ）に示すように、第２の電極３０９及び第１の絶縁膜３０７上に第２の絶縁膜
３１０を形成する。第２の絶縁膜３１０としては、無機材料（酸化シリコン、窒化シリコ
ン、酸化窒化シリコン、ＤＬＣ膜等）、感光性又は非感光性の有機材料（ポリイミド、ア
クリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジスト又はベンゾシクロブテン）、シロキサ
ン（シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される。置換基として、少
なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基
として、フルオロ基を用いてもよい。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基
と、フルオロ基とを用いてもよい。）、及びそれらの積層構造を用いることができる。特
に、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、ＤＬＣ膜などを用いれば、水分や酸素、その他の
不純物が外部から発光素子３０６に侵入することを防止することができる。
【００９５】
次に、図２６（Ｄ）に示すように、第１の絶縁膜３０７上に位置する第２の絶縁膜３１０
上に導電膜３２０を１μｍ〜数十μｍの膜厚、好ましくは１０〜２０μｍの膜厚で形成す
る。導電膜３２０は、例えばスクリーン印刷により、Ａｕペースト、Ａｇペースト、Ｃｕ
ペースト、Ｎｉペースト、Ａｌペーストなどの導電性材料やハンダなどを用いて形成すれ
ばよい。
【００９６】
そして、導電膜３２０にレーザーを照射する。この際、導電膜３２０が第１の電極３０４
の深さまで打ち込まれ、第１の電極３０４で止まるように（つまり、導電膜３２０が第２
の絶縁膜３１０と第１の絶縁膜３０７を貫通して、第１の電極３０４で止まるように）レ
ーザーの出力を調節する。これにより、図２７に示すように第１の電極３０４と電気的に
接続された電極３１９が形成される。
【００９７】
なお、本実施の形態は他の実施の形態に記載された技術と適宜組み合わせて行うことがで
きる。
【００９８】
（実施の形態３）
本実施の形態では、第１の基板に形成された発光素子と、第２の基板に形成されたトラン
ジスタとが電気的に接続されているアクティブマトリクス型の発光装置の第３の例につい
て説明する。つまり、上記本発明の発光装置の第１の構成において、アクティブマトリク
ス型の発光装置である場合における第３の例について説明する。
【００９９】
本実施の形態の発光装置は、実施の形態１、２で説明した発光装置における発光素子の断
面構造とは異なる断面構造の発光素子を有する。
なお、以下本実施の形態においては、実施の形態１、２と同様、画素回路の構成が図１２
に示す画素回路６０９の場合を例にして説明することとする。
【０１００】
本実施の形態で示す発光装置において、第２の基板側の構成は、実施の形態１と同様であ
る。よって、第２の基板については説明を省略し、実施の形態１と同じ構成のものは同じ
符号で示すものとする。
【０１０１】
なお、本実施の形態においても、実施の形態１と同様、画素回路６０９を構成するトラン
ジスタは、薄膜トランジスタ以外のトランジスタで形成してもよい。例えば、第２の基板
として半導体基板を用い、該半導体基板にＭＯＳトランジスタなどを作り込むことによっ
て第２の基板に形成される画素回路を形成するようにしても良い。
【０１０２】
図３に本実施の形態の発光装置の一部の断面図を示す。
図３において、発光素子４０６が複数形成された第１の基板４０３と、薄膜トランジスタ
２０２が複数形成された第２の基板２００とが対向して設けられており、第３の基板４２
０が第１の基板４０３と対向して設けられている。
【０１０３】
実施の形態１、２においては、第１の基板の発光素子が形成されている側の面が第２の基
板と対向するように設けられていたが、本実施の形態では、第１の基板の発光素子が設け
られていない側の面が第２の基板と対向するように設けられている。よって、第１の基板
４０３の発光素子が形成されている側の面を封止するために第１の基板４０３の発光素子
が形成されている側の面に対向するように封止用の第３の基板４２０を設ける。
【０１０４】
図３の発光素子４０６は、図１２の発光素子６０７に相当する。
また、図３の薄膜トランジスタ２０２は、図１２の駆動用トランジスタ６０６に相当する
。
【０１０５】
図３の断面図において、第２の基板２００に駆動用トランジスタ６０６が形成されている
部分しか示されていないが、第２の基板２００には、駆動用トランジスタ６０６以外の画
素回路６０９を構成する素子（スイッチング用トランジスタ６０５、コンデンサ６０８）
も形成されている。
【０１０６】
第１の基板４０３、第２の基板２００、第３の基板４２０としては、ガラス基板、石英基
板、透光性を有する樹脂基板などの透光性基板を用いればよい。
ただし、本実施の形態においては、第１の基板４０３の発光素子が形成されていない側の
面に発光素子の一方の電極と電気的に接続する電極を形成するため、第１の基板は厚さを
１００μｍ以下とするのが好ましく、２０〜５０μｍとするのがさらに好ましい。
【０１０７】
なお、発光素子４０６からの光が第３の基板４２０の方向にのみ放出されるように構成さ
れた発光素子の場合には、第１の基板４０３、第２の基板２００は必ずしも透光性基板で
ある必要はない。よって、第１の基板４０３、第２の基板２００として、透光性を有しな
い樹脂基板、半導体基板、セラミック基板、金属基板などの透光性を有しない基板を用い
ることも可能である。
【０１０８】
また、発光素子４０６からの光が第２の基板２００の方向にのみ放出されるように構成さ
れた発光素子の場合には、第３の基板４２０は必ずしも透光性基板である必要はない。よ
って、第３の基板４２０として、透光性を有しない樹脂基板、半導体基板、セラミック基
板、金属基板などの透光性を有しない基板を用いることも可能である。
【０１０９】
また、第１の基板４０３、第２の基板２００は、以上で挙げた基板を可撓性を有する程度
に薄膜化したものを用いてもよい。
【０１１０】
第１の基板４０３上に形成されている発光素子４０６は、第１の電極４０４、発光物質を
含む層４０８、第２の電極４０９を有する。
【０１１１】
そして、第１の電極４０４の端部を覆うように第１の絶縁膜４０７が形成されている。第
１の電極４０４及び第１の絶縁膜４０７上には発光物質を含む層４０８が形成されており
、発光物質を含む層４０８上には第２の電極４０９が形成されている。よって、発光物質
を含む層４０８、及び第２の電極４０９の一部は第１の絶縁膜４０７上に形成されている
。なお、第２の電極４０９は、全ての発光素子で共通の電極として形成されている。
【０１１２】
そして、第１の基板４０３の発光素子４０６が形成されていない側の面には、第１の電極
４０４と電気的に接続された電極４１９が形成されている。
【０１１３】
また、第１の基板４０３は、第３の基板４２０によって封止されている。図３においては
、第１の基板４０３の発光素子４０６が形成されている側の面と対向するように封止用の
第３の基板４２０が第１の基板４０３と接着材４１１によって貼り合わせられている。図
３においては、第１の基板４０３と第３の基板４２０との間に全面にわたって形成された
接着材４１１を用いて第１の基板４０３と第３の基板４２０とを貼り合わせることによっ
て封止を行っている場合について示しているが、その他の公知の封止方法を用いてもよい
。
【０１１４】
なお、第１の電極４０４、第２の電極４０９などに用いる材料については、実施の形態１
に記載されている材料を用いればよい。また、発光物質を含む層４０８の層構成について
も、実施の形態１で説明したように公知の層構成とすればよい。
【０１１５】
以上で説明した構造を有する第１の基板４０３と第２の基板２００とが、異方性導電膜２
１１によって貼り合わせられている。異方性導電膜２１１としては、ＡＣＰ（Ａｎｉｓｏ
ｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）やＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ
Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）などが挙げられる。異方性導電膜２１１を用いて、
第１の基板４０３と第２の基板２００とを貼り合わせることによって、電極２１８と電極
４１９とが異方性導電膜２１１に含まれる導電性粒子２０５を介して電気的に接続される
。つまり、第１の基板４０３に形成されている発光素子４０６と第２の基板２００に形成
されている薄膜トランジスタ２０２は電気的に接続された状態となっている。
【０１１６】
なお、図３では、第１の基板４０３と第２の基板２００とを異方性導電膜２１１によって
貼り合わせることによって、電極２１８と電極４１９とを電気的に接続する場合を例とし
て示しているが、電極２１８と電極４１９とを電気的に接続するための方法は、特にこれ
に限定されるものではなく、公知の接続方法を用いればよい。例えば、ＮＣＰ（Ｎｏｎ
Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）を用いて電極２１８と電極４１９とを電気的に接続
するようにしても良いし、超音波を用いた共晶接合によって電極２１８と電極４１９とを
電気的に接続するようにしても良い。
【０１１７】
また、第１の基板４０３と第２の基板２００を貼り合わせる際に、必要に応じて第１の基
板４０３と第２の基板２００の間にスペーサーを設けても良い。
【０１１８】
また、図３においては、発光素子４０６の第１の電極４０４と電源との接続などは特に記
載していないが、第１の電極４０４と電気的に接続された接続端子を画素部６０１の周囲
もしくはソース信号線駆動回路６０２やゲート信号線駆動回路６０３よりも外側の領域に
設け、その接続端子によって外付けのＩＣ等により設けられた電源と接続することによっ
て、第１の電極４０４に対向電位が与えられている。
【０１１９】
なお、以上においては、各画素に設けられている発光素子を駆動するための画素回路が図
１２で示した画素回路６０９の場合について説明したが、各画素に設けられている発光素
子を駆動するための画素回路の構成は、図１２で示した画素回路６０９に限られるもので
はない。図１２に示した画素回路６０９の構成は、一例として示したものであって、その
他の様々な画素回路においても本実施の形態を実施することができる。
【０１２０】
図１２で示した画素回路６０９は、発光素子６０７を駆動するための薄膜トランジスタで
ある駆動用トランジスタ６０６が発光素子６０７と接続される回路構成となっている。そ
のため、発光素子６０７と駆動用トランジスタ６０６とが、異方性導電膜を介して電気的
に接続される構成となっている。よって、他の画素回路の構成に適用する場合には、その
画素回路の構成において発光素子と接続される素子が、異方性導電膜を介して発光素子と
電気的に接続されるようにすればよい。画素回路の多くの場合において、発光素子と接続
される素子は、発光素子を駆動するための薄膜トランジスタである。よって、たいていの
場合には、発光素子を駆動するための薄膜トランジスタと発光素子とが異方性導電膜を介
して電気的に接続される構成となる。
【０１２１】
図３で示した断面構造を有する発光装置の第１の基板４０３側の作製工程について以下に
説明する。
【０１２２】
まず、図２８（Ａ）に示すように、第１の基板４０３上に、第１の電極４０４を形成し、
第１の電極４０４の端部を覆うように第１の絶縁膜４０７を形成する。
【０１２３】
第１の電極４０４は、発光素子の構造に応じて実施の形態１で挙げた材料などを適宜選択
して形成すればよい。
【０１２４】
第１の絶縁膜４０７には、無機材料（酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、
ＤＬＣ等）、感光性又は非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリ
イミドアミド、レジスト又はベンゾシクロブテン）、シロキサン（シリコン（Ｓｉ）と酸
素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基
（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用い
てもよい。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いて
もよい。）、及びそれらの積層構造を用いることができる。第１の絶縁膜４０７は曲率半
径が連続的に変化する形状が好ましい。このような形状とすることによって、第１の絶縁
膜４０７上に形成される発光物質を含む層４０８、第２の電極４０９の被覆性が向上する
。
【０１２５】
次に、図２８（Ｂ）に示すように、第１の電極４０４及び第１の絶縁膜４０７上にメタル
マスクを用いた蒸着により発光物質を含む層４０８を形成し、そしてその発光物質を含む
層４０８上にメタルマスクを用いた蒸着により第２の電極４０９を形成する。また、発光
物質を含む層４０８、第２の電極４０９を形成する方法としては、メタルマスクを用いる
方法以外に、インクジェット法や印刷法などによって形成することもできる。
【０１２６】
そして、第２の電極４０９上に第２の絶縁膜４１０を形成する。第２の絶縁膜４１０とし
ては、無機材料（酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、ＤＬＣ膜等）、感光
性又は非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レ
ジスト又はベンゾシクロブテン）、シロキサン（シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合
で骨格構造が構成される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル
基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いてもよい。または
置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。）、及び
それらの積層構造を用いることができる。特に、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、ＤＬ
Ｃ膜などを用いれば、水分や酸素、その他の不純物が外部から発光素子４０６に侵入する
ことを防止することができる。
【０１２７】
次に、図２８（Ｃ）に示すように研削手段または研磨手段４３０によって第１の基板４０
３の厚さを薄くする処理を行う。この際、第１の基板４０３の厚さを１００μｍ以下、好
ましくは２０〜５０μｍとする。ここでは、第１の基板４０３の厚さを薄くする方法とし
て、研削手段または研磨手段を用いたが、ウエットエッチングを行う方法によって行って
もよい。
【０１２８】
なお、第１の基板４０３として、可撓性を有する樹脂基板などを用いた場合には、第１の
基板４０３の厚さを薄くする処理を行う必要はない。
【０１２９】
次に、図２８（Ｄ）に示すように、第１の基板４０３の発光素子が形成されている側とは
逆側の面に導電膜４３１を１μｍ〜数十μｍの膜厚、好ましくは１０〜２０μｍの膜厚で
形成する。導電膜４３１は、例えばスクリーン印刷により、Ａｕペースト、Ａｇペースト
、Ｃｕペースト、Ｎｉペースト、Ａｌペーストなどの導電性材料やハンダなどを用いて形
成すればよい。なお、この際、第１の基板４０３を介して第１の電極４０４と対向するよ
うにして導電膜４３１を形成する。
【０１３０】
そして、導電膜４３１にレーザーを照射する。この際、導電膜４３１が第１の電極４０４
まで打ち込まれ、第１の電極４０４で止まるように（つまり、導電膜４３１が第１の基板
４０３を貫通して、第１の電極４０４で止まるように）レーザーの出力を調節する。これ
により、図２９に示すように第１の電極４０４と電気的に接続された電極４１９が形成さ
れる。
【０１３１】
なお、本実施の形態は他の実施の形態に記載された技術と適宜組み合わせて行うことがで
きる。
【０１３２】
（実施の形態４）
本実施の形態では、上記本発明の第１の構成において、第２の基板にさらに撮像素子を形
成した発光装置の例について説明する。つまり、発光素子が形成された第１の基板と、発
光素子を駆動する画素回路及び撮像素子が形成された第２の基板とを有し、発光素子と発
光素子を駆動する画素回路とが電気的に接続されている発光装置の例について説明する。
【０１３３】
まず、本実施の形態の発光装置の画素部の構成について説明する。
図２２（Ａ）に本実施の形態の画素部の構成例を示す。
画素部１２０１は、マトリクス状に配置された複数の画素１２０２を有し、各画素１２０
２は、発光素子を含む副画素と、撮像素子（センサ）を含む副画素を具備する。各画素１
２０２の構成は様々であり、例えば、ＲＧＢの各色の光を発する発光素子を含む副画素３
個（１２５０〜１２５２）と、撮像素子を含む副画素３個（１２５３〜１２５５）の合わ
せて６個の副画素を１画素とする場合（図２２（Ｂ））、ＲＧＢの各色の光を発する発光
素子を含む副画素３個（１２５６〜１２５８）と、撮像素子を含む副画素１２５９の合わ
せて４個の副画素を１画素とする場合（図２２（Ｃ））、白色の光を発する発光素子を含
む副画素１２６０と、撮像素子を含む副画素１２６１の合わせて２個の副画素を１画素と
する場合（図２２（Ｄ））が挙げられる。
【０１３４】
本実施の形態の発光装置においては、どのような画素構成でもよい。従って、上記のいず
れの場合を用いてもよく、センサの感度や、表示面の明るさなどを考慮にいれて選択する
とよい。勿論、撮像素子を含む副画素の個数が多い方が、読み取り精度は向上する。また
、撮像素子を含む副画素は、その占有面積の小さいものを多数設けた方が読み取り精度は
向上する。
【０１３５】
なお、図２２（Ｂ）（Ｃ）に示す画素はカラー表示を行い、図２２（Ｄ）に示す画素はモ
ノクロ表示を行う。モノクロ表示を行う表示機能を有する場合、その読み取り機能はモノ
クロに限定される。一方、カラー表示を行う表示機能を有する場合、その読み取り機能は
モノクロ又はカラーとなる。なお、被写体の情報をカラーで読み取る際には、ＲＧＢの各
色に対応した発光素子を順番に点灯させて、各々で被写体の情報を読み取る。その後、Ｒ
ＧＢの各色における読み取った情報を合成し、この合成された情報を用いると、カラー画
像の表示を行うことができる。
【０１３６】
次に、発光素子を含む副画素１つと、撮像素子を含む副画素１つを１画素とした場合、つ
まり画素構成を図２２（Ｄ）の画素構成とした場合の１画素１２０２の等価回路図の例を
図２２（Ｅ）に示す。図２２（Ｅ）において、発光素子１２１４を含む副画素１２１９と
、撮像素子１２１８を含む副画素１２２０を１画素１２０２とする。そして、列方向に信
号線１２２４、電源線１２２６、信号線１２４５、電源線１２２７が配置され、行方向に
走査線１２２１、１２２２、１２２３が配置される。副画素１２１９は、スイッチング用
トランジスタ１２１１、駆動用トランジスタ１２１２及び容量素子１２１３を含み、副画
素１２２０は、スイッチング用トランジスタ１２１５、バッファ用トランジスタ１２１６
及びリセット用トランジスタ１２１７を含む。なお、以下においては、１画素１２０２が
図２２（Ｅ）に示す回路構成である場合を例として説明するが、図２２（Ｅ）の回路構成
はあくまで一例であり、各副画素の回路構成は、上記記載に限定されない。公知の回路構
成を用いることができる。
【０１３７】
本実施の形態の発光装置は、発光素子１２１４が第１の基板に設けられ、発光素子１２１
４以外の１画素１２０２を構成する素子が第２の基板に設けられている。つまり、本実施
の形態の発光装置は、発光素子１２１４が第１の基板に設けられ、発光素子を駆動するた
めの画素回路１２２８及び撮像素子を含む副画素１２２０が第２の基板に設けられている
。
【０１３８】
図１５に本実施の形態の発光装置の１画素における断面図を示す。
図１５において、発光素子８０６が形成された第１の基板８０３と、薄膜トランジスタ８
０２及び撮像素子８２１が形成された第２の基板８００とが対向して設けられている。
なお、本実施の形態では、第２の基板８００が第１の基板８０３の発光素子が形成されて
いる側の面と対向するように、第１の基板８０３と第２の基板８００が貼り合わせられて
いる。よって、第２の基板８００は封止用の基板の役割を果たしている。
【０１３９】
なお、図１５においては、第１の基板８０３に形成された発光素子８０６の構造は、実施
の形態１の発光素子の構造と同じ場合について示しているが、第１の基板８０３に形成す
る発光素子８０６の構造はこの構造に限定されるものではなく、実施の形態２、３などで
示した発光素子の構造としてもよい。
【０１４０】
図１５の発光素子８０６は、図２２（Ｅ）の発光素子１２１４に相当し、図１５の薄膜ト
ランジスタ８０２は、図２２（Ｅ）の駆動用トランジスタ１２１２に相当する。
また、図１５の撮像素子８２１は、図２２（Ｅ）の撮像素子１２１８に相当する。
【０１４１】
図１５において、左側の領域が撮像素子を含む副画素１２２０に相当する領域であり、右
側の領域が発光素子を有する副画素１２１９に相当する領域である。
【０１４２】
図１５において、第２の基板８００上の撮像素子を含む副画素１２２０に相当する領域に
は、撮像素子１２１８（図１５においては撮像素子８２１に相当）が形成されている部分
しか示されていないが、第２の基板８００上には、撮像素子を含む副画素１２２０を構成
する他の素子（図２２（Ｅ）のスイッチング用トランジスタ１２１５、バッファ用トラン
ジスタ１２１６及びリセット用トランジスタ１２１７）も形成されている。
【０１４３】
また、図１５において、第２の基板８００上の発光素子を含む副画素１２１９に相当する
領域には、駆動用トランジスタ１２１２（図１５においては薄膜トランジスタ８０２に相
当）が形成されている部分しか示されていないが、第２の基板８００上には、発光素子を
含む副画素１２１９の有する画素回路１２２８を構成する他の素子（図２２（Ｅ）のスイ
ッチング用トランジスタ１２１１及び容量素子１２１３）も形成されている。
【０１４４】
第１の基板８０３、第２の基板８００としては、ガラス基板、石英基板、透光性を有する
樹脂基板などの透光性基板を用いればよい。
【０１４５】
なお、発光素子８０６からの光が第１の基板８０３の方向にのみ放出されるように構成さ
れた発光素子の場合には、第２の基板８００は必ずしも透光性基板である必要はない。よ
って、第２の基板８００として、透光性を有しない樹脂基板、半導体基板、セラミック基
板、金属基板などの透光性を有しない基板を用いることも可能である。
【０１４６】
また、発光素子８０６からの光が第２の基板８００の方向にのみ放出されるように構成さ
れた発光素子の場合には、第１の基板８０３は必ずしも透光性基板である必要はない。よ
って、第１の基板８０３として、透光性を有しない樹脂基板、半導体基板、セラミック基
板、金属基板などの透光性を有しない基板を用いることも可能である。
【０１４７】
また、第１の基板８０３、第２の基板８００は、以上で挙げた基板を可撓性を有する程度
に薄膜化したものを用いてもよい。
【０１４８】
第１の基板８０３上に形成されている発光素子８０６は、第１の電極８０４、発光物質を
含む層８０８、第２の電極８０９を有する。
【０１４９】
第１の電極８０４は、全ての発光素子で共通の電極として第１の基板８０３上に形成され
ている。そして、第１の電極８０４上には、発光物質を含む層８０８が形成され、発光物
質を含む層８０８上には、第２の電極８０９が形成されている。そして、第２の電極８０
９上には、絶縁膜８１０が形成されており、絶縁膜８１０上には、第２の電極８０９と電
気的に接続された電極８１９が形成されている。
【０１５０】
なお、第１の電極８０４、第２の電極８０９などに用いる材料については、実施の形態１
に記載されている材料を用いればよい。また、発光物質を含む層８０８の層構成について
も、実施の形態１で説明したように公知の層構成とすればよい。
【０１５１】
一方、第１の基板８０３と対向して設けられている第２の基板８００上には、発光素子８
０６を駆動するための薄膜トランジスタ（駆動用トランジスタ）８０２及び撮像素子８２
１が形成されている。
【０１５２】
図１５においては、薄膜トランジスタ８０２は、第２の基板８００上に下地膜８０１を介
して形成された結晶質半導体膜８１７と、ゲート絶縁膜８１６と、ゲート電極８１５とを
有する。なお、薄膜トランジスタ８０２は、ここではＮ型の薄膜トランジスタとして形成
されているが、Ｐ型の薄膜トランジスタとして形成してもよい。
【０１５３】
図１５においては、撮像素子８２１は、第２の基板８００上に下地膜８０１を介して形成
された結晶質半導体膜と、ゲート絶縁膜８１６とを有する。そして、撮像素子８２１の有
する結晶質半導体膜は、薄膜トランジスタ８０２の有する結晶質半導体膜８１７と同じ層
に形成された結晶質半導体膜であり、Ｐ型半導体８２３、Ｉ型半導体８２４、Ｎ型半導体
８２５を有する。
【０１５４】
なお、図１５においては、薄膜トランジスタ８０２の有する半導体膜及び撮像素子８２１
の有する半導体膜が結晶質半導体膜である場合について示しているが、薄膜トランジスタ
８０２、撮像素子８２１の有する半導体膜は、非晶質半導体膜であってもよい。
【０１５５】
薄膜トランジスタ８０２及び撮像素子８２１上には第１の層間絶縁膜８２０が形成されて
おり、第１の層間絶縁膜８２０上には、電極８１２、８２６が形成されている。電極８１
２は、薄膜トランジスタ８０２の有する結晶質半導体膜８１７と電気的に接続される電極
であり、電極８２６は、撮像素子８２１の有する半導体膜のＰ型半導体８２３、Ｎ型半導
体８２５にそれぞれ電気的に接続される電極である。そして、電極８１２、８２６、及び
第１の層間絶縁膜８２０上には、第２の層間絶縁膜８３０が形成されており、第２の層間
絶縁膜８３０上には、電極８１２と電気的に接続される電極８１８が形成されている。よ
って、電極８１８と薄膜トランジスタ８０２は電気的に接続されている。
【０１５６】
以上で説明した構造を有する第１の基板８０３と第２の基板８００とが、異方性導電膜８
１１によって貼り合わせられている。異方性導電膜８１１としては、ＡＣＰ（Ａｎｉｓｏ
ｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）やＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ
Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）などが挙げられる。異方性導電膜８１１を用いて、
第１の基板８０３と第２の基板８００とを貼り合わせることによって、電極８１８と電極
８１９とが異方性導電膜８１１に含まれる導電性粒子８０５を介して電気的に接続される
。つまり、第１の基板８０３に形成されている発光素子８０６と第２の基板８００に形成
されている薄膜トランジスタ８０２は電気的に接続された状態となっている。
【０１５７】
なお、図１５では、第１の基板８０３と第２の基板８００とを異方性導電膜８１１によっ
て貼り合わせることによって、電極８１８と電極８１９とを電気的に接続する場合を例と
して示しているが、電極８１８と電極８１９とを電気的に接続するための方法は、特にこ
れに限定されるものではなく、公知の接続方法を用いればよい。例えば、ＮＣＰ（Ｎｏｎ
Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）を用いて電極８１８と電極８１９とを電気的に接
続するようにしても良いし、超音波を用いた共晶接合によって電極８１８と電極８１９と
を電気的に接続するようにしても良い。
【０１５８】
また、第１の基板８０３と第２の基板８００を貼り合わせる際に、必要に応じて第１の基
板８０３と第２の基板８００の間にスペーサーを設けても良い。
【０１５９】
また、図１５においては、発光素子８０６の第１の電極８０４と電源との接続などは特に
記載していないが、第１の電極８０４と電気的に接続された接続端子を画素部６０１の周
囲もしくはソース信号線駆動回路６０２やゲート信号線駆動回路６０３よりも外側の領域
に設け、その接続端子によって外付けのＩＣ等により設けられた電源と接続することによ
って、第１の電極８０４に対向電位が与えられている。
【０１６０】
なお、以上においては、１画素１２０２が図２２（Ｅ）に示す回路構成である場合を例と
して説明したが、図２２（Ｅ）の回路構成はあくまで一例であり、各副画素の回路構成は
、上記記載に限定されるものではなく、公知の回路構成を用いることができる。よって、
発光素子を含む副画素の有する発光素子を駆動するための画素回路１２２８の回路構成も
上記の記載に限定されるものではなく、公知の様々な画素回路を用いることができる。
【０１６１】
図２２（Ｅ）で示した画素回路１２２８は、発光素子１２１４を駆動するための薄膜トラ
ンジスタである駆動用トランジスタ１２１２が発光素子１２１４と接続される回路構成と
なっている。そのため、発光素子１２１４（図１５の発光素子８０６に相当）と駆動用ト
ランジスタ１２１２（図１５の薄膜トランジスタ８０２に相当）とが、異方性導電膜８１
１を介して電気的に接続される構成となっている。よって、他の画素回路の構成に適用す
る場合には、その画素回路の構成において発光素子と接続される素子が、異方性導電膜を
介して発光素子と電気的に接続されるようにすればよい。画素回路の多くの場合において
、発光素子と接続される素子は、発光素子を駆動するためのトランジスタ（駆動用トラン
ジスタ）である。よって、たいていの場合には、発光素子を駆動するためのトランジスタ
と発光素子とが異方性導電膜を介して電気的に接続される構成となる。
【０１６２】
以上において説明した本実施の形態の発光装置の動作について以下に説明する。
なお、図１５においては、発光素子８０６から発せられる光が第１の基板８０３側の方向
にのみ射出される構造の発光素子の場合について示すが、この場合に限定されるものでは
なく、発光素子８０６から発せられる光が第２の基板８００側の方向にのみ射出される構
造の発光素子としてもよい。ただし、図１５に示すように発光素子８０６から発せられる
光が第１の基板８０３側の方向にのみ射出される構造の発光素子の場合のほうが発光素子
８０６から発せられる光が通過する層が少ないため発光素子の光が有効に利用されるため
好ましい。また、図１５に示すように発光素子８０６から発せられる光が第１の基板８０
３側の方向にのみ射出される構造の発光素子の場合、第２の基板側は開口率を考慮するこ
となく、回路を形成することができる。よって、第２の基板に形成する画素回路１２２８
や副画素１２２０は、素子数が多い回路構成としても特に問題がない。
【０１６３】
発光素子８０６から発せられる光は、被写体８２２において反射して、その反射した光は
撮像素子８２１に入射する。そうすると、撮像素子８２１の両電極間の電位差は変化し、
その変化した電位差に応じて両電極間に電流が流れ、その流れた電流量を検知することで
、被写体８２２の情報を得ることができる。そして、その得られた情報は、発光素子８０
６により表示される。つまり、発光素子８０６は、被写体８２２の情報を読み取る際の光
源としての役割と、画像を表示する役割の２つの役割を果たす。したがって、本発明の発
光装置は、被写体８２２の情報を読み取るイメージセンサ機能と、画像を表示する表示機
能の２つの機能を有する。このような２つの機能を有しているにも関わらず、イメージセ
ンサ機能を用いる際には通常必要である光源や光散乱板を別個に設ける必要がないため、
大幅な小型化、薄型化及び軽量化が実現する。
【０１６４】
なお、以上においては、発光素子８０６から発せられる光が第１の基板８０３側の方向に
のみ射出される構造の発光素子の場合について説明したが、発光素子８０６から発せられ
る光が第２の基板８００側の方向にのみ射出される構造の発光素子の場合には、被写体８
２２を第２の基板８００側に設けて被写体８２２の情報を読み取るようにすればよい。
【０１６５】
なお、本実施の形態は他の実施の形態に記載された技術と適宜組み合わせて行うことがで
きる。
【０１６６】
（実施の形態５）
本実施の形態では、上記本発明の第１の構成において、第１の基板にさらに撮像素子を形
成した発光装置の例について説明する。つまり、発光素子及び撮像素子が形成された第１
の基板と、発光素子を駆動する画素回路が形成された第２の基板とを有し、発光素子と発
光素子を駆動する画素回路とが電気的に接続されている発光装置の例について説明する。
【０１６７】
なお、以下においては、実施の形態４と同様に、１画素が図２２（Ｅ）に示す回路構成で
ある場合を例として説明する。
【０１６８】
本実施の形態の発光装置は、図２２（Ｅ）の回路構成において、発光素子１２１４及び撮
像素子１２１８が第１の基板に設けられ、発光素子１２１４及び撮像素子１２１８以外の
１画素１２０２を構成する素子が第２の基板に設けられている。つまり、発光素子を含む
副画素１２１９において、発光素子１２１４は第１の基板に形成され、発光素子１２１４
を駆動するための画素回路１２２８は第２の基板に形成される。また、撮像素子を含む副
画素１２２０において、撮像素子１２１８は第１の基板に形成され、撮像素子を含む副画
素１２２０の撮像素子１２１８以外の素子は第２の基板に形成される。
【０１６９】
図１６に本実施の形態の発光装置の１画素における断面図を示す。
図１６において、発光素子９０６及び撮像素子９２１が形成された第１の基板９０３と、
薄膜トランジスタ９０２及び薄膜トランジスタ９２７が形成された第２の基板９００とが
対向して設けられている。
なお、本実施の形態では、第２の基板９００が第１の基板９０３の発光素子が形成されて
いる側の面と対向するように、第１の基板９０３と第２の基板９００が貼り合わせられて
いる。よって、第２の基板９００は封止用の基板の役割を果たしている。
【０１７０】
なお、図１６においては、第１の基板９０３に形成された発光素子の構造は、実施の形態
１の発光素子の構造と同じ場合について示しているが、第１の基板９０３に形成する発光
素子の構造はこの構造に限定されるものではなく、実施の形態２、３などで示した発光素
子の構造としてもよい。
【０１７１】
図１６の発光素子９０６は、図２２の発光素子１２１４に相当し、図１６の薄膜トランジ
スタ９０２は、図２２（Ｅ）の駆動用トランジスタ１２１２に相当する。
また、図１６の撮像素子９２１は、図２２（Ｅ）の撮像素子１２１８に相当し、図１６の
薄膜トランジスタ９２７は、図２２（Ｅ）のリセット用トランジスタ１２１７に相当する
。
【０１７２】
図１６において、左側の領域が撮像素子を含む副画素１２２０に相当する領域であり、右
側の領域が発光素子を有する副画素１２１９に相当する領域である。
【０１７３】
また、図１６において、第２の基板９００上の撮像素子を含む副画素１２２０に相当する
領域には、リセット用トランジスタ１２１７（図１６においては薄膜トランジスタ９２７
に相当）が形成されている部分しか示されていないが、第２の基板９００上には、撮像素
子を含む副画素１２２０を構成する素子のうち、撮像素子１２１８及びリセット用トラン
ジスタ１２１７以外の素子（図２２（Ｅ）のスイッチング用トランジスタ１２１５及びバ
ッファ用トランジスタ１２１６）も形成されている。
【０１７４】
また、図１６において、第２の基板９００上の発光素子を含む副画素１２１９に相当する
領域には、駆動用トランジスタ１２１２（図１６においては薄膜トランジスタ９０２に相
当）が形成されている部分しか示されていないが、第２の基板９００上には、発光素子を
含む副画素１２１９の有する画素回路１２２８を構成する他の素子（図２２（Ｅ）のスイ
ッチング用トランジスタ１２１１及び容量素子１２１３）も形成されている。
【０１７５】
第１の基板９０３、第２の基板９００としては、ガラス基板、石英基板、透光性を有する
樹脂基板などの透光性基板を用いればよい。
【０１７６】
なお、発光素子９０６からの光が第１の基板９０３の方向にのみ放出されるように構成さ
れた発光素子の場合には、第２の基板９００は必ずしも透光性基板である必要はない。よ
って、第２の基板９００として、透光性を有しない樹脂基板、半導体基板、セラミック基
板、金属基板などの透光性を有しない基板を用いることも可能である。
【０１７７】
また、発光素子９０６からの光が第２の基板９００の方向にのみ放出されるように構成さ
れた発光素子の場合には、第１の基板９０３は必ずしも透光性基板である必要はない。よ
って、第１の基板９０３として、透光性を有しない樹脂基板、半導体基板、セラミック基
板、金属基板などの透光性を有しない基板を用いることも可能である。
【０１７８】
また、第１の基板９０３、第２の基板９００は、以上で挙げた基板を可撓性を有する程度
に薄膜化したものを用いてもよい。
【０１７９】
第１の基板９０３上に形成されている発光素子９０６は、第１の電極９０４、発光物質を
含む層９０８、第２の電極９０９を有する。
【０１８０】
第１の電極９０４は、第１の基板９０３上に形成されている。そして、第１の電極９０４
上には、発光物質を含む層９０８が形成され、発光物質を含む層９０８上には、第２の電
極９０９が形成されている。そして、第２の電極９０９上には、絶縁膜９１０が形成され
ており、絶縁膜９１０上には、第２の電極９０９と電気的に接続された電極９１９が形成
されている。
【０１８１】
また、第１の基板９０３上に形成されている撮像素子９２１は、縦接合の撮像素子であり
、第１の基板９０３上に形成された第１の電極９０７、第１の電極９０７上に形成された
Ｐ型半導体９２３、Ｉ型半導体９２４、Ｎ型半導体９２５を有する。そして、Ｎ型半導体
９２５上には、絶縁膜９１０が形成されており、絶縁膜９１０上には、Ｎ型半導体９２５
と電気的に接続された電極９２６が形成されている。
【０１８２】
一方、第１の基板９０３と対向して設けられている第２の基板９００上には、発光素子９
０６を駆動するための薄膜トランジスタ９０２（図２２（Ｅ）の駆動用トランジスタ１２
１２に相当）及び薄膜トランジスタ９２７（図２２（Ｅ）のリセット用トランジスタ１２
１７に相当）が形成されている。
【０１８３】
図１６においては、薄膜トランジスタ９０２は、第２の基板９００上に下地膜９０１を介
して形成された結晶質半導体膜９１７と、ゲート絶縁膜９１６と、ゲート電極９１５とを
有する。なお、薄膜トランジスタ９０２は、ここではＮ型の薄膜トランジスタとして形成
されているが、Ｐ型の薄膜トランジスタとして形成してもよい。
【０１８４】
また、図１６においては、薄膜トランジスタ９２７は、第２の基板９００上に下地膜９０
１を介して形成された結晶質半導体膜９２８と、ゲート絶縁膜９１６と、ゲート電極９２
９を有する。そして、薄膜トランジスタ９２７の有する結晶質半導体膜９２８は、薄膜ト
ランジスタ９０２の有する結晶質半導体膜９１７と同じ層に形成された結晶質半導体膜で
ある。
【０１８５】
なお、本実施の形態の発光装置は、撮像素子及び発光素子を第１の基板に形成し、撮像素
子を含む副画素の撮像素子以外の素子（図２２（Ｅ）の、スイッチング用トランジスタ１
２１５、バッファ用トランジスタ１２１６、及びリセット用トランジスタ１２１７）、及
び発光素子を含む副画素の発光素子以外の素子（図２２（Ｅ）のスイッチング用トランジ
スタ１２１１、駆動用トランジスタ１２１２、及び容量素子１２１３）を第２の基板に形
成する構成としているため、撮像素子を構成する半導体膜を非晶質半導体膜で形成し、撮
像素子を含む副画素の撮像素子以外の素子（図２２（Ｅ）の、スイッチング用トランジス
タ１２１５、バッファ用トランジスタ１２１６、及びリセット用トランジスタ１２１７）
、及び発光素子を含む副画素の発光素子以外の素子（図２２（Ｅ）のスイッチング用トラ
ンジスタ１２１１、駆動用トランジスタ１２１２、及び容量素子１２１３）を構成する半
導体膜を結晶質半導体膜で形成することができる。つまり、撮像素子と１画素の有するト
ランジスタとを別な基板に設ける構成としたため、撮像素子を構成する半導体膜を非晶質
半導体膜とし、１画素の有するトランジスタを構成する半導体膜を結晶質半導体膜とする
ことができる。
【０１８６】
ここで、撮像素子を構成する半導体膜としては、光導電率が優れていることから、結晶質
半導体よりも非晶質半導体を用いることが好ましいとされている。また、トランジスタを
構成する半導体膜としては、非晶質半導体に比べて結晶質半導体のほうが移動度が高いこ
とから、結晶質半導体膜を用いることが好ましいとされている。しかし、結晶質半導体膜
を有するトランジスタと同じ基板上に形成する場合、トランジスタを構成する結晶質半導
体膜と同じ層の半導体膜を用いる構成となってしまうため、撮像素子を構成する半導体膜
も結晶質の半導体膜を用いる必要があった。
【０１８７】
しかし、本実施の形態のような構成にすることにより、撮像素子を構成する半導体膜は非
晶質半導体膜で形成し、トランジスタなどの素子を構成する半導体膜は、結晶質半導体膜
で形成することができるため、撮像素子の感度が良好であり、且つ、１画素を構成するト
ランジスタなどの素子は駆動速度の速いものとすることができる。
【０１８８】
薄膜トランジスタ９０２及び薄膜トランジスタ９２７上には第１の層間絶縁膜９２０が形
成されており、第１の層間絶縁膜９２０上には、電極９１２、９１３が形成されている。
電極９１２は、薄膜トランジスタ９０２の有する結晶質半導体膜９１７と電気的に接続さ
れる電極であり、電極９１３は、薄膜トランジスタ９２７の有する結晶質半導体膜９２８
に電気的に接続される電極である。そして、電極９１２、９１３、及び第１の層間絶縁膜
９２０上には、第２の層間絶縁膜９３１が形成されており、第２の層間絶縁膜９３１上に
は、電極９１２と電気的に接続される電極９１８と、電極９１３と電気的に接続される電
極９３０が形成されている。よって、電極９１８と薄膜トランジスタ９０２は電気的に接
続されており、電極９３０と薄膜トランジスタ９２７は電気的に接続されている。
【０１８９】
以上で説明した構造を有する第１の基板９０３と第２の基板９００とが、異方性導電膜９
１１によって貼り合わせられている。異方性導電膜９１１としては、ＡＣＰ（Ａｎｉｓｏ
ｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）やＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ
Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）などが挙げられる。異方性導電膜９１１を用いて、
第１の基板９０３と第２の基板９００とを貼り合わせることによって、電極９１８と電極
９１９とが異方性導電膜９１１に含まれる導電性粒子９０５を介して電気的に接続され、
電極９３０と電極９２６とが異方性導電膜９１１に含まれる導電性粒子９０５を介して電
気的に接続される。つまり、第１の基板９０３に形成されている発光素子９０６と第２の
基板９００に形成されている薄膜トランジスタ９０２は電気的に接続された状態となって
いる。また、第１の基板９０３に形成されている撮像素子９２１と第２の基板９００に形
成されている薄膜トランジスタ９２７は電気的に接続された状態となっている。
【０１９０】
なお、図１６では、第１の基板９０３と第２の基板９００とを異方性導電膜９１１によっ
て貼り合わせることによって、電極９１８と電極９１９、電極９３０と電極９２６とを電
気的に接続する場合を例として示しているが、電極９１８と電極９１９、電極９３０と電
極９２６とを電気的に接続するための方法は、特にこれに限定されるものではなく、公知
の接続方法を用いればよい。例えば、ＮＣＰ（Ｎｏｎ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔ
ｅ）を用いて電極９１８と電極９１９、電極９３０と電極９２６とを電気的に接続するよ
うにしても良いし、超音波を用いた共晶接合によって電極９１８と電極９１９、電極９３
０と電極９２６とを電気的に接続するようにしても良い。
【０１９１】
また、第１の基板９０３と第２の基板９００を貼り合わせる際に、必要に応じて第１の基
板９０３と第２の基板９００の間にスペーサーを設けても良い。
【０１９２】
また、図１６においては、発光素子９０６の第１の電極９０４と電源との接続などは特に
記載していないが、第１の電極９０４と電気的に接続された接続端子を画素部６０１の周
囲もしくはソース信号線駆動回路６０２やゲート信号線駆動回路６０３よりも外側の領域
に設け、その接続端子によって外付けのＩＣ等により設けられた電源と接続することによ
って、第１の電極９０４に対向電位が与えられている。
【０１９３】
なお、以上においては、１画素１２０２が図２２（Ｅ）に示す回路構成である場合を例と
して説明したが、図２２（Ｅ）の回路構成はあくまで一例であり、各副画素の回路構成は
、上記記載に限定されるものではなく、公知の回路構成を用いることができる。よって、
発光素子を含む副画素の有する発光素子を駆動するための画素回路１２２８の回路構成も
上記の記載に限定されるものではなく、公知の様々な画素回路を用いることができる。
【０１９４】
図２２（Ｅ）で示した画素回路１２２８は、発光素子１２１４を駆動するための薄膜トラ
ンジスタである駆動用トランジスタ１２１２のソースまたはドレインが発光素子１２１４
の一方の電極と接続された回路構成となっている。そのため、発光素子１２１４（図１６
の発光素子９０６に相当）と駆動用トランジスタ１２１２（図１６の薄膜トランジスタ９
０２に相当）とが、異方性導電膜９１１を介して電気的に接続される構成となっている。
よって、他の画素回路の構成に適用する場合には、その画素回路の構成において発光素子
と接続される素子が、異方性導電膜を介して発光素子と電気的に接続されるようにすれば
よい。画素回路の多くの場合において、発光素子と接続される素子は、発光素子を駆動す
るためのトランジスタ（駆動用トランジスタ）である。よって、たいていの場合には、発
光素子を駆動するためのトランジスタと発光素子とが異方性導電膜を介して電気的に接続
される構成となる。
【０１９５】
また、図２２（Ｅ）で示した撮像素子を含む副画素１２２０は、撮像素子１２１８とリセ
ット用トランジスタ１２１７のソースまたはドレインが接続された回路構成となっている
。そのため、撮像素子１２１８（図１６の撮像素子９２１に相当）とリセット用トランジ
スタ１２１７（図１６の薄膜トランジスタ９２７に相当）とが、異方性導電膜９１１を介
して電気的に接続される構成となっている。よって、他の撮像素子を含む副画素の構成に
適用する場合には、その撮像素子を含む副画素の構成において撮像素子と接続される素子
が、異方性導電膜を介して撮像素子と電気的に接続されるようにすればよい。なお、図１
６の断面図では示されていないが、撮像素子１２１８の一方の電極は、バッファ用トラン
ジスタ１２１６のゲート電極にも接続されている。
【０１９６】
以上において説明した本実施の形態の発光装置の動作について以下に説明する。
なお、図１６においては、発光素子９０６から発せられる光が第１の基板９０３側の方向
にのみ射出される構造の発光素子の場合について示すが、この場合に限定されるものでは
なく、発光素子９０６から発せられる光が第２の基板９００側の方向にのみ射出される構
造の発光素子としてもよい。ただし、図１６に示すように発光素子９０６から発せられる
光が第１の基板９０３側の方向にのみ射出される構造の発光素子の場合のほうが、発光素
子９０６から発せられる光が通過する層が少ないため発光素子の光が有効に利用されるた
め好ましい。また、図１６に示すように発光素子９０６から発せられる光が第１の基板９
０３側の方向にのみ射出される構造の発光素子の場合、第２の基板側は開口率を考慮する
ことなく、回路を形成することができる。よって、第２の基板に形成する画素回路１２２
８や副画素１２２０は、素子数が多い回路構成としても特に問題がない。
【０１９７】
発光素子９０６から発せられる光は、被写体９２２において反射して、その反射した光は
撮像素子９２１に入射する。そうすると、撮像素子９２１の両電極間の電位差は変化し、
その変化した電位差に応じて両電極間に電流が流れ、その流れた電流量を検知することで
、被写体９２２の情報を得ることができる。そして、その得られた情報は、発光素子９０
６により表示される。つまり、発光素子９０６は、被写体９２２の情報を読み取る際の光
源としての役割と、画像を表示する役割の２つの役割を果たす。したがって、本発明の発
光装置は、被写体９２２の情報を読み取るイメージセンサ機能と、画像を表示する表示機
能の２つの機能を有する。このような２つの機能を有しているにも関わらず、イメージセ
ンサ機能を用いる際には通常必要である光源や光散乱板を別個に設ける必要がないため、
大幅な小型化、薄型化及び軽量化が実現する。
【０１９８】
なお、以上においては、発光素子９０６から発せられる光が第１の基板９０３側の方向に
のみ射出される構造の発光素子の場合について説明したが、発光素子９０６から発せられ
る光が第２の基板９００側の方向にのみ射出される構造の発光素子の場合には、被写体９
２２を第２の基板９００側に設けて被写体９２２の情報を読み取るようにすればよい。
【０１９９】
なお、本実施の形態は他の実施の形態に記載された技術と適宜組み合わせて行うことがで
きる。
【０２００】
（実施の形態６）
本実施の形態においては、上記本発明の発光装置の第２の構成の第１の例について説明す
る。
【０２０１】
発光素子が形成された第１の基板の作製工程は、実施の形態１〜３で説明した作製工程と
同様であるため、ここでは、発光素子を駆動する回路を有するフィルムを作製する工程に
ついてまず説明する。
【０２０２】
図４（Ａ）に示すように、基板１００上に剥離層１０１を形成する。剥離層１０１として
、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法等により、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍ
ｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバル
ト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒ
ｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、珪素（Ｓｉ）か
ら選択された元素または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料からなる層
を、単層又は積層して形成する。珪素を含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶の
いずれの場合でもよい。
【０２０３】
基板１００としては、石英基板、半導体基板、ガラス基板、金属基板などを用いればよい
。
【０２０４】
剥離層１０１が単層構造の場合、好ましくは、タングステン、モリブデン、タングステン
とモリブデンの混合物、タングステンの酸化物、タングステンの酸化窒化物、タングステ
ンの窒化酸化物、モリブデンの酸化物、モリブデンの酸化窒化物、モリブデンの窒化酸化
物、タングステンとモリブデンの混合物の酸化物、タングステンとモリブデンの混合物の
酸化窒化物、タングステンとモリブデンの混合物の窒化酸化物のいずれかを含む層を形成
する。なお、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデ
ンの合金に相当する。
【０２０５】
剥離層１０１が積層構造の場合、好ましくは、１層目として、タングステン、モリブデン
、タングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成し、２層目として、タングステンの
酸化物、モリブデンの酸化物、タングステンとモリブデンの混合物の酸化物、タングステ
ンの酸化窒化物、モリブデンの酸化窒化物、タングステンとモリブデンの混合物の酸化窒
化物を形成する。このように、剥離層１０１を積層構造とする場合、金属膜と金属酸化膜
との積層構造とすることが好ましい。金属酸化膜の形成方法の一例としては、スパッタ法
により直接金属酸化膜を形成する方法、基板１００上に形成した金属膜の表面を熱処理ま
たは酸素雰囲気下でのプラズマ処理により当該金属膜の表面を酸化して金属酸化膜を形成
する方法などが挙げられる。
【０２０６】
金属膜としては、前述したタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）以外に、チタン（Ｔ
ｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジル
コニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム
（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）から選択された元素または前記元素
を主成分とする合金材料若しくは化合物材料からなる膜を用いることができる。
【０２０７】
なお、剥離層１０１を形成する前に、基板１００上に酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化
珪素膜、窒化酸化珪素膜などの絶縁膜を形成し、当該絶縁膜上に剥離層１０１を形成する
ようにしてもよい。基板１００と剥離層１０１との間にこのような絶縁膜を設けることに
より、基板１００が含む不純物が上層に侵入してしまうことを防止することができる。ま
た、後にレーザーを照射する工程があるが、その工程の際、基板１００がエッチングされ
てしまうことを防止することができる。なお、ここで、酸化窒化珪素膜と、窒化酸化珪素
膜とでは、前者は窒素よりも酸素を多く含み、後者は酸素よりも窒素を多く含むという意
味で使い分けている。
【０２０８】
次に、図４（Ｂ）に示すように、剥離層１０１に接するように第１の絶縁膜１０２を形成
する。第１の絶縁膜１０２は下地膜として機能する膜である。第１の絶縁膜１０２として
、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法等により、珪素の酸化物、珪素の窒化物、窒素を
含む珪素の酸化物、酸素を含む珪素の窒化物等を形成する。
【０２０９】
図４（Ｃ）に示すように、第１の絶縁膜１０２上に公知の方法で発光素子を駆動する回路
を含む層１０４を形成する。以下においては、発光素子を駆動する回路が、発光素子を駆
動する画素回路の場合について説明するものとする。
【０２１０】
発光素子を駆動する回路を含む層１０４として例えば、複数の薄膜トランジスタ１０３と
、複数の薄膜トランジスタ１０３を覆う第２の絶縁膜１１０と、第２の絶縁膜１１０に接
し複数の薄膜トランジスタ１０３のソース領域又はドレイン領域に電気的に接続する電極
１１１とを形成する。薄膜トランジスタ１０３は、島状の半導体膜１０７、ゲート絶縁膜
１０８、ゲート電極１０９などを有する。
【０２１１】
なお、薄膜トランジスタ１０３の構造は、図４（Ｃ）に示す構造に限られるものではなく
、図４（Ｃ）に示す構造以外の構造を有する薄膜トランジスタを用いても良い。例えば、
薄膜トランジスタ１０３として、ゲート電極の両端にサイドウォールが形成され、ＬＤＤ
領域（低濃度不純物領域）を有するトップゲート型の薄膜トランジスタや、ボトムゲート
型の薄膜トランジスタ、シリサイド領域を有する薄膜トランジスタなど、公知の薄膜トラ
ンジスタの構造を適用することができる。
【０２１２】
次に、図５（Ａ）に示すように、発光素子を駆動する回路を含む層１０４上に第３の絶縁
膜１１２を形成し、第３の絶縁膜１１２上に薄膜トランジスタ１０３のソース領域又はド
レイン領域に電気的に接続する電極１１１と電気的に接続された電極１１３を金属膜など
を用いて形成する。ここでは電極１１３として、ＴｉＮ膜をスパッタ法で形成する。
【０２１３】
第３の絶縁膜１１２は、公知の手段により、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、
窒化酸化珪素膜などの無機材料、ポリイミド、ポリアミド、ベンゾシクロブテン、アクリ
ル、エポキシなどの有機材料、シロキサンなどにより、単層または積層で形成する。
【０２１４】
また、図５（Ａ）においては、電極１１１と接続するように電極１１３を形成しているが
、この場合に特に限定されるものではない。画素回路のなかで、発光素子と電気的に接続
したい素子と電気的に接続する電極を形成すればよい。
【０２１５】
電極１１３を形成した後、図５（Ｂ）に示すように、電極１１３上に強度確保層１１４と
して樹脂膜を２０〜３０μｍの膜厚で形成する。ここでは、樹脂膜として、熱硬化型樹脂
、ＵＶ（紫外線）硬化型樹脂、熱可塑性樹脂等の樹脂材料をスクリーン印刷を用いて電極
１１３上に塗布した後、焼成することにより形成する。
【０２１６】
次に、図５（Ｃ）に示すようにＵＶレーザーを照射して、図６（Ａ）に示すように開口部
１１５、１１６を形成する。このように、開口部１１５、１１６を形成することにより、
剥離層１０１が一部除去されることがきっかけとなり、基板１００から、第１の絶縁膜１
０２、発光素子を駆動する回路を含む層１０４、第３の絶縁膜１１２、電極１１３、強度
確保層１１４を有する積層体１１８を簡単に分離することができる。この分離は、剥離層
１０１の内部、又は剥離層１０１と第１の絶縁膜１０２の間を境界として行われる。
【０２１７】
また、本実施の形態ではＵＶレーザーを用いたが、本発明に用いるレーザーの種類は、開
口部１１５を形成できるものであれば特に制約はない。レーザー発振器は、レーザー媒質
、励起源、共振器により構成されている。レーザーは、媒質により分類すると、気体レー
ザー、液体レーザー、固体レーザーがあり、発振の特徴により分類すると、自由電子レー
ザー、半導体レーザー、Ｘ線レーザーがあるが、本発明では、いずれのレーザーを用いて
もよい。なお、好ましくは、気体レーザー又は固体レーザーを用いるとよく、さらに好ま
しくは固体レーザーを用いるとよい。
【０２１８】
気体レーザーは、ヘリウムネオンレーザー、炭酸ガスレーザー、エキシマレーザー、アル
ゴンイオンレーザーがある。エキシマレーザーは、希ガスエキシマレーザー、希ガスハラ
イドエキシマレーザーがある。希ガスエキシマレーザーは、アルゴン、クリプトン、キセ
ノンの３種類の励起分子による発振がある。アルゴンイオンレーザーは、希ガスイオンレ
ーザー、金属蒸気イオンレーザーがある。
【０２１９】
液体レーザーは、無機液体レーザー、有機キレートレーザー、色素レーザーがある。無機
液体レーザーと有機キレートレーザーは、固体レーザーに利用されているネオジムなどの
希土類イオンをレーザー媒質として利用する。
【０２２０】
固体レーザーが用いるレーザー媒質は、固体の母体に、レーザー作用をする活性種がドー
プされたものである。固体の母体とは、結晶又はガラスである。結晶とは、ＹＡＧ（イッ
トリウム・アルミニウム・ガーネット結晶）、ＹＬＦ、ＹＶＯ４、ＹＡｌＯ３、サファイ
ア、ルビー、アレキサンドライドである。また、レーザー作用をする活性種とは、例えば
、３価のイオン（Ｃｒ３＋、Ｎｄ３＋、Ｙｂ３＋、Ｔｍ３＋、Ｈｏ３＋、Ｅｒ３＋、Ｔｉ
３＋）である。
【０２２１】
なお、媒質としてセラミック（多結晶）を用いると、短時間かつ低コストで自由な形状に
媒質を形成することが可能である。媒質として単結晶を用いる場合、通常、直径数ｍｍ、
長さ数十ｍｍの円柱状のものが用いられているが、媒質としてセラミック（多結晶）を用
いる場合はさらに大きいものを作ることが可能である。また、発光に直接寄与する媒質中
のＮｄ、Ｙｂなどのドーパントの濃度は、単結晶中でも多結晶中でも大きくは変えられな
いため、濃度を増加させることによるレーザーの出力向上にはある程度限界がある。しか
しながら、媒質としてセラミックを用いると、単結晶と比較して媒質の大きさを著しく大
きくすることができるため大幅な出力向上が期待できる。さらに、媒質としてセラミック
を用いると、平行六面体形状や直方体形状の媒質を容易に形成することが可能である。こ
のような形状の媒質を用いて、発振光を媒質の内部でジグザグに進行させると、発振光路
を長くとることができる。そのため、増幅が大きくなり、大出力で発振させることが可能
になる。また、このような形状の媒質から射出されるレーザービームは射出時の断面形状
が四角形状であるため、丸状のビームと比較すると、線状ビームに整形するのに有利であ
る。このように射出されたレーザービームを、光学系を用いて整形することによって、短
辺の長さ１ｍｍ以下、長辺の長さ数ｍｍ〜数ｍの線状ビームを容易に得ることが可能とな
る。また、励起光を媒質に均一に照射することにより、線状ビームは長辺方向にエネルギ
ー分布の均一なものとなる。この線状ビームを半導体膜に照射することによって、半導体
膜の全面をより均一にアニールすることが可能になる。線状ビームの両端まで均一なアニ
ールが必要な場合は、その両端にスリットを配置し、エネルギーの減衰部を遮光するなど
の工夫が必要となる。
【０２２２】
なお、本発明に用いるレーザーには、連続発振型（ＣＷ）のレーザーやパルス発振型のレ
ーザーを用いることができる。なお、レーザーの照射条件、例えば、周波数、パワー密度
、エネルギー密度、ビームプロファイル等は、第１の絶縁膜１０２、発光素子を駆動する
回路を含む層１０４、第３の絶縁膜１１２、電極１１３、強度確保層１１４の厚さやその
材料等を考慮して適宜制御する。
【０２２３】
なお、基板１００から、第１の絶縁膜１０２、発光素子を駆動する回路を含む層１０４、
第３の絶縁膜１１２、電極１１３、強度確保層１１４を有する積層体１１８を分離する際
には、図６（Ｂ）に示すように、強度確保層１１４の表面を、第１のフィルム１１７に接
着させて、白抜き矢印の方向に第１のフィルム１１７を引っ張ることによって、基板１０
０から、第１の絶縁膜１０２、発光素子を駆動する回路を含む層１０４、第３の絶縁膜１
１２、電極１１３、強度確保層１１４を有する積層体１１８を分離する。この際、剥離層
１０１の内部又は剥離層１０１と第１の絶縁膜１０２の境界において、基板１００と積層
体１１８とが分離する。基板１００から分離した後の積層体１１８は、第１の絶縁膜１０
２が最表面となる。強度確保層１１４は、第１のフィルム１１７を引っ張ることによって
基板１００と積層体１１８とを分離する際に強度を確保するための膜である。強度確保層
１１４を有することによって、この工程において、積層体１１８が破れてしまうのを防ぐ
ことができる。
【０２２４】
第１のフィルム１１７は、樹脂材料でなるベースフィルム上に接着層が設けられている構
造を有するフィルムであり、例えば、ホットメルトフィルム、ＵＶ（紫外線）剥離フィル
ム、熱剥離フィルムなどが挙げられる。ベースフィルムとして使用される材料は、ポリエ
ステル、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）
等があげられる。
【０２２５】
ホットメルトフィルムはベースフィルム上にベースフィルムよりも軟化点の低い樹脂から
なる接着層が形成された構成となっている。また、接着層として使用される材料は、ポリ
エチレン樹脂、ポリエステル、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）等が挙げられる。ま
た、ＵＶ（紫外線）剥離フィルムは、ベースフィルム上にＵＶ（紫外線）を照射すること
によって粘着力が弱くなる樹脂材料からなる接着層が形成された構成となっている。また
、熱剥離フィルムは、ベースフィルム上に加熱することによって粘着力が弱くなる樹脂材
料からなる接着層が形成された構成となっている。
【０２２６】
そして、図６（Ｃ）に示すように、第１の絶縁膜１０２の表面（薄膜回路の裏面側）、つ
まり第１の絶縁膜１０２の発光素子を駆動する回路を含む層１０４が形成されていない側
の面に、電極１１３と重なる位置で、導電膜１１９を１μｍ〜数十μｍの膜厚、好ましく
は１０〜２０μｍの膜厚で形成する。導電膜１１９は、例えばスクリーン印刷により、Ａ
ｕペースト、Ａｇペースト、Ｃｕペースト、Ｎｉペースト、Ａｌペーストなどの導電性材
料やハンダなどを用いて形成すればよい。この導電膜１１９の膜厚が０．１μｍ以下とな
ると膜厚が薄すぎて、後の工程において電極１１３との電気的接続がとりにくいため、導
電膜１１９の膜厚は０．１μ以上とするのが好ましい。
【０２２７】
そして、図７（Ａ）に示すように、導電膜１１９にレーザーを照射する。この際、導電膜
１１９が電極１１３まで打ち込まれ、電極１１３で止まるように（つまり、導電膜１１９
が発光素子を駆動する回路を含む層１０４及び第３の絶縁膜１１２を貫通して、電極１１
３で止まるように）レーザーの出力を調節する。これにより、導電膜１１９と電極１１３
が電気的に接続され、図７（Ｂ）に示すような状態となる。図７（Ｂ）において、１２０
は電極１１３と電気的に接続された電極を示す。
【０２２８】
図７（Ｂ）に示すように、レーザーが照射された箇所において、第１の絶縁膜１０２、発
光素子を駆動する回路を含む層１０４、第３の絶縁膜１１２に穴が形成され、その穴の側
壁部分に沿って電極１１３の内部まで導電膜１１９を構成する材料が侵出している状態と
なっている。
【０２２９】
なお、ここでは、導電膜１１９が電極１１３まで打ち込まれ、電極１１３で止まるように
レーザーの出力を調節した例を示しているが、強度確保層１１４及び第１のフィルム１１
７を貫通するような穴が形成されるようにレーザーの出力を調節してもよい。
【０２３０】
以上のようにして、本発明の第２の構成の発光素子を駆動する回路を有するフィルム１２
１及び第１のフィルム１１７を有する積層体１２２を作製する。以上のようにして作製し
た発光素子を駆動する回路を有するフィルム１２１及び第１のフィルム１１７を有する積
層体１２２を第１の基板と貼り合わせる工程について以下に説明する。
【０２３１】
なお、以下においては、この積層体を実施の形態１で説明した構造の発光素子が形成され
た第１の基板と貼り合わせる場合について説明するが、第１の基板に形成する発光素子は
この構造に限定されるものではない。第１の基板に形成する発光素子は、実施の形態２や
３で説明した発光素子の構造と同様の構造としても良い。
【０２３２】
図７（Ｃ）に示すように、発光素子を駆動する回路を有するフィルム１２１の電極１２０
が形成されている側の面を、第１の基板の発光素子が形成されている側の面と対向するよ
うにして第１の基板２０３と発光素子を駆動する回路を有するフィルム１２１とを異方性
導電膜２１１によって貼り合わせる。異方性導電膜２１１は、導電性粒子２０５を有する
材料である。異方性導電膜２１１としては、ＡＣＰ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄ
ｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）やＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ
Ｆｉｌｍ）などが挙げられる。そのため、異方性導電膜２１１を用いて、第１の基板２
０３と発光素子を駆動する回路を有するフィルム１２１とを貼り合わせることによって、
電極１２０と電極２１９とが異方性導電膜２１１に含まれる導電性粒子２０５を介して電
気的に接続される。
【０２３３】
そして、この異方性導電膜２１１を硬化させるために加熱処理を施す。第１のフィルム１
１７として熱剥離フィルムを用いた場合には、この加熱処理によって第１のフィルム１１
７を強度確保層１１４から剥離することができる。第１のフィルム１１７を強度確保層１
１４から剥離した後の状態を図８に示す。
【０２３４】
なお、ここでは、異方性導電膜２１１を硬化させるための加熱処理の際に、第１のフィル
ム１１７を剥がす場合について説明したが、この方法に限定されない。第１のフィルム１
１７としてＵＶ（紫外線）剥離フィルムを用いて、異方性導電膜２１１を硬化させるため
の加熱処理後に、ＵＶ（紫外線）照射を行うことによって、第１のフィルム１１７を強度
確保層１１４から剥離するようにしてもよい。
【０２３５】
また、図８においては、第１のフィルム１１７が強度確保層１１４から剥離された場合に
ついて示しているが、第１のフィルム１１７を剥離せず、強度確保層１１４上に接着した
ままの状態で第１の基板２０３と発光素子を駆動する回路を有するフィルム１２１とを貼
り合わせることも可能である。その場合には、第１のフィルム１１７として、熱剥離フィ
ルムやＵＶ（紫外線）剥離フィルム以外のフィルム（ホットメルトフィルムなど）を用い
ることができる。
【０２３６】
また、以上においては、第１の基板２０３と発光素子を駆動する回路を有するフィルム１
２１とを異方性導電膜２１１によって貼り合わせることによって、電極１２０と電極２１
９とを電気的に接続する場合を例として示しているが、電極１２０と電極２１９とを電気
的に接続するための方法は、特にこれに限定されるものではなく、公知の接続方法を用い
ればよい。例えば、ＮＣＰ（Ｎｏｎ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）を用いて電極
１２０と電極２１９とを電気的に接続するようにしても良いし、超音波を用いた共晶接合
によって電極１２０と電極２１９とを電気的に接続するようにしても良い。
【０２３７】
図８に示す発光装置の断面構造について以下に説明する。
【０２３８】
なお、以下においては、実施の形態１と同様、画素回路の構成が図１２に示す画素回路６
０９の場合を例にして説明することとする。
また、発光素子が形成された第１の基板に形成された発光素子の構造は、実施の形態１と
同じ構造であるため、実施の形態１と同じ構成のものは同じ符号で示し、ここでは説明を
省略する。
【０２３９】
図８において、発光素子２０６が複数形成された第１の基板２０３と、発光素子を駆動す
る回路を有するフィルム１２１とが対向して設けられている。
なお、本実施の形態においては、発光素子を駆動する回路を有するフィルム１２１が第１
の基板２０３の発光素子が形成されている面と対向するように、第１の基板２０３と発光
素子を駆動する回路を有するフィルム１２１とが貼り合わせられている。よって、発光素
子を駆動する回路を有するフィルム１２１は封止用の基板の役割を果たしている。
【０２４０】
図８の発光素子２０６は、図１２の発光素子６０７に相当する。
また、図８の薄膜トランジスタ１０３は、図１２の駆動用トランジスタ６０６に相当する
。
【０２４１】
図８の断面図において、発光素子を駆動する回路を有するフィルム１２１に薄膜トランジ
スタ１０３（駆動用トランジスタ６０６に相当）が形成されている部分しか示されていな
いが、発光素子を駆動する回路を有するフィルム１２１には、駆動用トランジスタ６０６
以外の画素回路６０９を構成する素子（スイッチング用トランジスタ６０５、コンデンサ
６０８）も形成されている。
【０２４２】
ここで、第１の基板２０３としては、ガラス基板、石英基板、透光性を有する樹脂基板な
どの透光性基板を用いればよい。
【０２４３】
また、発光素子を駆動する回路を有するフィルム１２１は、有機絶縁膜や無機絶縁膜など
を含む構造となっている。
【０２４４】
なお、発光素子２０６からの光が第１の基板２０３の方向にのみ放出されるように構成さ
れた発光素子の場合には、発光素子を駆動する回路を有するフィルム１２１は透光性を有
する必要はない。よって、発光素子を駆動する回路を有するフィルム１２１として、透光
性を有しない有機絶縁膜や無機絶縁膜が含まれていても良い。
【０２４５】
また、発光素子２０６からの光が発光素子を駆動する回路を有するフィルム１２１の方向
にのみ放出されるように構成された発光素子の場合には、第１の基板２０３は必ずしも透
光性基板である必要はない。よって、第１の基板２０３として、透光性を有しない樹脂基
板、半導体基板、セラミック基板、金属基板などの透光性を有しない基板を用いることも
可能である。この場合、発光素子２０６が薄膜トランジスタ１０３となるべく重ならない
ように薄膜トランジスタ１０３と発光素子２０６との配置を工夫する必要がある。
【０２４６】
以上で説明した構造を有する第１の基板２０３と発光素子を駆動する回路を有するフィル
ム１２１とが、異方性導電膜２１１によって貼り合わせられている。異方性導電膜２１１
としては、ＡＣＰ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）やＡ
ＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）などが挙げられる。
異方性導電膜２１１を用いて、第１の基板２０３と発光素子を駆動する回路を有するフィ
ルム１２１とを貼り合わせることによって、電極１２０と電極２１９とが異方性導電膜２
１１に含まれる導電性粒子２０５を介して電気的に接続される。つまり、第１の基板２０
３に形成されている発光素子２０６と発光素子を駆動する回路を有するフィルム１２１に
形成されている薄膜トランジスタ１０３は電気的に接続された状態となっている。
【０２４７】
なお、図８では、第１の基板２０３と発光素子を駆動する回路を有するフィルム１２１と
を異方性導電膜２１１によって貼り合わせることによって、電極１２０と電極２１９とを
電気的に接続する場合を例として示しているが、電極１２０と電極２１９とを電気的に接
続するための方法は、特にこれに限定されるものではなく、公知の接続方法を用いればよ
い。例えば、ＮＣＰ（Ｎｏｎ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）を用いて電極１２０
と電極２１９とを電気的に接続するようにしても良いし、超音波を用いた共晶接合によっ
て電極１２０と電極２１９とを電気的に接続するようにしても良い。
【０２４８】
また、第１の基板２０３と発光素子を駆動する回路を有するフィルム１２１を貼り合わせ
る際に、必要に応じて第１の基板２０３と発光素子を駆動する回路を有するフィルム１２
１の間にスペーサーを設けても良い。
【０２４９】
また、図８においては、発光素子２０６の第１の電極２０４と電源との接続などは特に記
載していないが、第１の電極２０４と電気的に接続された接続端子を画素部６０１の周囲
もしくはソース信号線駆動回路６０２やゲート信号線駆動回路６０３よりも外側の領域に
設け、その接続端子によって外付けのＩＣ等により設けられた電源と接続することによっ
て、第１の電極２０４に対向電位が与えられている。
【０２５０】
なお、以上においては、各画素に設けられている発光素子を駆動するための画素回路が図
１２で示した画素回路６０９の場合について説明したが、各画素に設けられている発光素
子を駆動するための画素回路の構成は、図１２で示した画素回路６０９に限られるもので
はない。図１２に示した画素回路６０９の構成は、一例として示したものであって、その
他の様々な画素回路においても本実施の形態を実施することができる。
【０２５１】
図１２で示した画素回路６０９は、発光素子６０７を駆動するためのトランジスタである
駆動用トランジスタ６０６が発光素子６０７と接続される回路構成となっている。そのた
め、発光素子６０７と駆動用トランジスタ６０６とが、異方性導電膜を介して電気的に接
続される構成となっている。よって、他の画素回路の構成に適用する場合には、その画素
回路の構成において発光素子と接続される素子が、異方性導電膜を介して発光素子と電気
的に接続されるようにすればよい。画素回路の多くの場合において、発光素子と接続され
る素子は、発光素子を駆動するための薄膜トランジスタである。よって、たいていの場合
には、発光素子を駆動するための薄膜トランジスタと発光素子とが異方性導電膜を介して
電気的に接続される構成となる。
【０２５２】
本実施の形態で説明した発光装置は、発光素子を駆動する画素回路を基板上に形成した後
、基板から剥離することによって発光素子を駆動する画素回路を有するフィルムを作製し
ているため、発光装置の厚さを薄くすることが可能である。よって、電子機器などに本実
施の形態の発光装置を用いることによって、電子機器の厚さ方向の寸法をより小さくする
ことができる。よって、携帯電話機、携帯用ゲーム機器、モバイルコンピュータ、パーソ
ナルコンピュータ、カメラ（デジタルカメラ、ビデオカメラなど）など、より小型化が求
められている電子機器（特に携帯用の電子機器）に適用すると電子機器を小型化すること
ができるため好ましい。
【０２５３】
また、発光素子が形成される第１の基板を可撓性を有する基板とすれば、可撓性を有する
発光装置とすることができる。
この場合、発光素子を形成する基板としては、樹脂基板などが挙げられる。そして、樹脂
基板上にインクジェットや印刷法などで発光素子を形成すればよい。
【０２５４】
なお、本実施の形態は他の実施の形態に記載された技術と適宜組み合わせて行うことがで
きる。よって、例えば、本実施の形態において、実施の形態４のように第２の基板に撮像
素子を設ける構成としたり、実施の形態５のように第１の基板に撮像素子を設ける構成と
したりすることもできる。
【０２５５】
（実施の形態７）
本実施の形態においては、上記本発明の第１の構成において、発光素子を駆動する回路が
形成された第２の基板の厚さを薄くする場合の例について説明する。
【０２５６】
発光素子が形成された第１の基板の作製工程は、実施の形態１〜３で説明した作製工程と
同様であるため、ここでは、発光素子を駆動する回路が形成された第２の基板を作製する
工程についてまず説明する。
【０２５７】
図１７（Ａ）に示すように、基板１０００上に第１の絶縁膜１００１を形成する。この第
１の絶縁膜１００１は下地膜として機能する膜である。第１の絶縁膜１００１として、プ
ラズマＣＶＤ法やスパッタリング法等により、珪素の酸化物、珪素の窒化物、窒素を含む
珪素の酸化物、酸素を含む珪素の窒化物等を形成する。
【０２５８】
なお、基板１０００としては、石英基板、半導体基板、ガラス基板、金属基板などを用い
ればよい。
【０２５９】
図１７（Ｂ）に示すように、第１の絶縁膜１００１上に公知の方法で発光素子を駆動する
回路を含む層１００４を形成する。以下においては、発光素子を駆動する回路が、発光素
子を駆動する画素回路の場合について説明するものとする。
【０２６０】
発光素子を駆動する回路を含む層１００４として例えば、複数の薄膜トランジスタ１００
３と、複数の薄膜トランジスタ１００３を覆う第２の絶縁膜１０１０と、第２の絶縁膜１
０１０に接し複数の薄膜トランジスタ１００３のソース領域又はドレイン領域に接続する
電極１０１１とを形成する。薄膜トランジスタ１００３は、島状の半導体膜１００７、ゲ
ート絶縁膜１００８、ゲート電極１００９などを有する。
【０２６１】
発光素子を駆動する回路を含む層１００４の形成方法については、実施の形態６において
説明した形成方法と同様の方法で行えばよい。
【０２６２】
なお、薄膜トランジスタ１００３の構造は、図１７（Ｂ）に示す構造に限られるものでは
なく、図１７（Ｂ）に示す以外の構造を有する薄膜トランジスタを用いてもよい。例えば
、薄膜トランジスタ１００３として、ゲート電極にサイドウォールが形成され、ＬＤＤ領
域（低濃度不純物領域）を有するトップゲート型の薄膜トランジスタや、ボトムゲート型
の薄膜トランジスタ、シリサイド領域を有する薄膜トランジスタなど、公知の薄膜トラン
ジスタの構造を適用することができる。
【０２６３】
そして、図１７（Ｃ）に示すように、発光素子を駆動する回路を含む層１００４上に第３
の絶縁膜１０１２を形成し、第３の絶縁膜１０１２上に電極１０１１と電気的に接続され
た電極１０１３を形成する。
【０２６４】
第３の絶縁膜１０１２は、公知の手段により、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜
、窒化酸化珪素膜などの無機材料、ポリイミド、ポリアミド、ベンゾシクロブテン、アク
リル、エポキシなどの有機材料、シロキサンなどにより、単層または積層で形成する。
【０２６５】
また、図１７（Ｃ）においては、電極１０１１と接続するように電極１０１３を形成して
いるが、この場合に特に限定されるものではない。薄膜回路のなかで、外部回路と電気的
に接続したい箇所に電極を形成すればよい。
【０２６６】
次に、図１８（Ａ）に示すように、電極１０１３上に第４の絶縁膜１０１４を形成する。
第４の絶縁膜１０１４は、公知の手段により、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜
、窒化酸化珪素膜などの無機材料、ポリイミド、ポリアミド、ベンゾシクロブテン、アク
リル、エポキシなどの有機材料、シロキサンなどにより、単層または積層で形成する。
【０２６７】
そして、図１８（Ｂ）に示すように、第４の絶縁膜１０１４上に基板１０１５を接着材を
用いて接着する。基板１０１５としては、石英基板、半導体基板、ガラス基板、金属基板
、樹脂基板などを用いることができる。接着材として熱をかけることにより粘着力が弱く
なる接着材やＵＶ（紫外線）照射により粘着力が弱くなる接着材を用いることが好ましい
。また、基板１０１５として、ホットメルトフィルム、ＵＶ（紫外線）剥離フィルム、熱
剥離フィルムなど、ベースフィルム上に接着層が設けられている構造を有するフィルムを
用いても良い。この場合には、第４の絶縁膜１０１４上に基板１０１５を接着する際に接
着材を用いる必要がない。
【０２６８】
ここで、基板１０１５を接着しない場合、後ほど行う基板１０００の厚さを薄くする工程
（薄膜化工程）において、基板１０００の厚さが薄くなるにつれて、発光素子を駆動する
回路を含む層１００４と第３の絶縁膜１０１２と電極１０１３と第４の絶縁膜１０１４と
からなる積層体がカールしてしまう。しかし、基板１０１５を接着することによって、後
ほど行う基板１０００の厚さを薄くする工程において、発光素子を駆動する回路を含む層
１００４と第３の絶縁膜１０１２と電極１０１３と第４の絶縁膜１０１４とからなる積層
体がカールしてしまうのを防ぐことができる。
【０２６９】
第４の絶縁膜１０１４上に基板１０１５を接着したら、基板１０００の厚さを薄くする処
理を行う。この処理によって基板１０００の厚さを１００μｍ以下、好ましくは２０〜５
０μｍとする。ここでは、図１８（Ｃ）に示すように、研削手段または研磨手段１０１６
を用いて基板１０００の厚さを薄くする。この際、研削手段のみによって基板の研削を行
って基板１０００の厚さを薄くしても良いし、研磨手段のみによって基板の研磨を行って
基板１０００の厚さを薄くしても良いが、研削手段によって基板の研削を行った後、研磨
手段によって基板の研磨を行うのが好ましい。
【０２７０】
なお、研削または研磨を行うことによって基板１０００の厚さを薄くする処理を行う場合
、基板１０００と第１の絶縁膜１００１との間に、基板１０００よりもビッカース硬度の
高い材料からなる層を形成すれば、第１の絶縁膜１００１まで研削または研磨してしまう
ことを防ぐことができる。
【０２７１】
また、ここでは基板１０００の厚さを薄くする手段として研削手段または研磨手段を用い
たが、これに限定されるものではない。
基板１０００の厚さを薄くする手段としてウエットエッチングを用いても良い。
この場合、基板１０００と第１の絶縁膜１００１との間に、基板１０００のエッチングを
行う際に使用するエッチング液に対して耐性を有する膜を形成すれば、第１の絶縁膜１０
０１までエッチングされてしまうことがないので好ましい。
【０２７２】
なお、研削とウエットエッチングを組み合わせたり、研磨とウエットエッチングを組み合
わせたり、研削と研磨とウエットエッチングを組み合わせて基板１０００の厚さを薄くす
るようにしてもよい。
【０２７３】
基板１０００の厚さを薄くする処理を行って、基板１０００の厚さが薄くなった状態を図
１９（Ａ）に示す。図１９（Ａ）においては、基板１０００が残っている状態を示してい
るが、基板１０００が完全に除去された状態であっても良いし、基板１０００の一部のみ
が第１の絶縁膜１００１の表面に残っている状態であってもよい。なお、本実施の形態に
おいて基板１０００が完全に除去された状態である場合は、実施の形態６で作製した発光
素子を駆動する回路を含むフィルムと同様の構造となる。よって、本実施の形態の第２の
基板側の構造において、基板１０００が完全に除去された状態の場合は、発光素子を駆動
する回路を含むフィルムと呼ぶこととする。
【０２７４】
そして、図１９（Ｂ）に示すように、基板１０００の第１の絶縁膜１００１が形成されて
いない側の面、つまり薄膜回路の裏面側に、電極１０１３と重なる位置で、導電膜１０１
７を１μｍ〜数十μｍの膜厚、好ましくは１０〜２０μｍの膜厚で形成する。導電膜１０
１７は、例えばスクリーン印刷により、Ａｕペースト、Ａｇペースト、Ｃｕペースト、Ｎ
ｉペースト、Ａｌペーストなどの導電性材料やハンダなどを用いて形成すればよい。この
導電膜１０１７の膜厚が０．１μｍ以下となると膜厚が薄すぎて、後の工程において電極
１０１３との電気的接続がとりにくいため、導電膜１０１７の膜厚は０．１μｍ以上とす
るのが好ましい。
【０２７５】
そして、図１９（Ｃ）に示すように、導電膜１０１７にレーザーを照射する。この際、導
電膜１０１７が電極１０１３まで打ち込まれ、電極１０１３で止まるように（つまり、導
電膜１０１７が基板１０００、発光素子を駆動する回路を含む層１００４及び第３の絶縁
膜１０１２を貫通して、電極１０１３で止まるように）レーザーの出力を調節する。これ
により、導電膜１０１７と電極１０１３が電気的に接続され、図２０（Ａ）に示すような
状態となる。図２０（Ａ）において、１０１８は電極１０１３と電気的に接続された電極
を示す。
【０２７６】
図２０（Ａ）に示すように、レーザーが照射された箇所において、基板１０００、発光素
子を駆動する回路を含む層１００４、第３の絶縁膜１０１２に穴が形成され、その穴の側
壁部分に沿って電極１０１３の内部まで導電膜１０１７を構成する材料が侵出している状
態となっている。
【０２７７】
なお、ここでは、導電膜１０１７が電極１０１３まで打ち込まれ、電極１０１３で止まる
ようにレーザーの出力を調節した例を示しているが、第４の絶縁膜１０１４及び基板１０
１５を貫通するような穴が形成されるようにレーザーの出力を調節してもよい。
【０２７８】
以上のようにして、本発明の第１の構成の発光素子を駆動する回路が形成された第２の基
板１０００を作製する。以上のようにして作製した発光素子を駆動する回路が形成された
第２の基板１０００を第１の基板と貼り合わせる工程について以下に説明する。なお、以
下においては、第２の基板１０００を実施の形態１で説明した構造の発光素子が形成され
た第１の基板と貼り合わせる場合について説明するが、第１の基板に形成する発光素子は
この構造に限定されるものではない。第１の基板に形成する発光素子は、実施の形態２や
３で説明した発光素子の構造と同様の構造としても良い。
【０２７９】
図２０（Ｂ）に示すように、発光素子を駆動する回路が形成された第２の基板１０００の
電極１０１８が形成されている側の面を、第１の基板２０３の発光素子が形成されている
側の面と対向するようにして第１の基板２０３と発光素子を駆動する回路が形成された第
２の基板１０００とを異方性導電膜２１１を用いて貼り合わせる。異方性導電膜２１１は
、導電性粒子２０５を有する材料である。異方性導電膜２１１としては、ＡＣＰ（Ａｎｉ
ｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）やＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐ
ｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）などが挙げられる。そのため、異方性導電膜２
１１を用いて、第１の基板２０３と発光素子を駆動する回路が形成された第２の基板１０
００とを貼り合わせることによって、電極２１９と電極１０１８が導電性粒子２０５を介
して電気的に接続される。
【０２８０】
そして、この異方性導電膜２１１を硬化させるために加熱処理を施す。基板１０１５を第
４の絶縁膜１０１４上に接着する際に、熱をかけることにより粘着力が弱くなる接着材を
用いて基板１０１５と第４の絶縁膜１０１４とを接着した場合、この加熱処理工程におい
て、基板１０１５を第４の絶縁膜１０１４から剥離することができる。
また、基板１０１５として熱剥離フィルムを用いた場合にも、この加熱処理工程において
熱剥離フィルムを第４の絶縁膜１０１４から剥離することができる。基板１０１５を第４
の絶縁膜１０１４から剥離した後の状態を図２１に示す。
【０２８１】
なお、ここでは、異方性導電膜２１１を硬化させるための加熱処理の際に、基板１０１５
を剥がす場合について説明したが、この方法に限定されない。基板１０１５を第４の絶縁
膜１０１４上に接着する際に、ＵＶ（紫外線）照射により粘着力が弱くなる接着材を用い
て基板１０１５と第４の絶縁膜１０１４とを接着するようにして、異方性導電膜２１１を
硬化させるための加熱処理後に、ＵＶ（紫外線）照射を行うことによって、基板１０１５
を第４の絶縁膜１０１４から剥離するようにしてもよい。
また、基板１０１５としてＵＶ（紫外線）剥離フィルムを用いるようにして、異方性導電
膜２１１を硬化させるための加熱処理後に、ＵＶ（紫外線）照射を行うことによって、基
板１０１５（ＵＶ（紫外線）剥離フィルム）を第４の絶縁膜１０１４から剥離するように
してもよい。
【０２８２】
また、図２１においては、基板１０１５が第４の絶縁膜１０１４から剥離された場合につ
いて示している。しかし、第４の絶縁膜１０１４上に接着された基板１０１５を剥離せず
、第４の絶縁膜１０１４上に接着したままの状態で第１の基板２０３と第２の基板１００
０とを貼り合わせることも可能である。その場合には、基板１０１５として、熱剥離フィ
ルムやＵＶ（紫外線）剥離フィルム以外のフィルム（ホットメルトフィルムなど）を用い
ることができる。
【０２８３】
また、以上においては、第１の基板２０３と第２の基板１０００とを異方性導電膜２１１
によって貼り合わせることによって、電極２１９と電極１０１８とを電気的に接続する場
合を例として示しているが、電極２１９と電極１０１８とを電気的に接続するための方法
は、特にこれに限定されるものではなく、公知の接続方法を用いればよい。例えば、ＮＣ
Ｐ（Ｎｏｎ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）を用いて電極２１９と電極１０１８と
を電気的に接続するようにしても良いし、超音波を用いた共晶接合によって電極２１９と
電極１０１８とを電気的に接続するようにしても良い。
【０２８４】
図２１に示す発光装置の断面構造について以下に説明する。
【０２８５】
なお、以下においては、実施の形態１と同様、画素回路の構成が図１２に示す画素回路６
０９の場合を例にして説明することとする。
また、第１の基板に形成された発光素子の構造は、実施の形態１と同じ構造であるため、
実施の形態１と同じ構成のものは同じ符号で示し、ここでは説明を省略する。
【０２８６】
図２１において、発光素子２０６が複数形成された第１の基板２０３と、第２の基板１０
００とが対向して設けられている。
なお、本実施の形態においては、第２の基板１０００が第１の基板２０３の発光素子が形
成されている面と対向するように、第１の基板２０３と第２の基板１０００が貼り合わせ
られている。よって、第２の基板１０００は封止用の基板の役割を果たしている。
【０２８７】
図２１の発光素子２０６は、図１２の発光素子６０７に相当する。
また、図２１の薄膜トランジスタ１００３は、図１２の駆動用トランジスタ６０６に相当
する。
【０２８８】
図２１の断面図において、第２の基板１０００上に薄膜トランジスタ１００３（駆動用ト
ランジスタ６０６に相当）が形成されている部分しか示されていないが、第２の基板１０
００上には、駆動用トランジスタ６０６以外の画素回路６０９を構成する素子（スイッチ
ング用トランジスタ６０５、コンデンサ６０８）も形成されている。
【０２８９】
ここで、第１の基板２０３としては、ガラス基板、石英基板、透光性を有する樹脂基板な
どの透光性基板を用いればよい。
【０２９０】
なお、発光素子２０６からの光が第１の基板２０３の方向にのみ放出されるように構成さ
れた発光素子の場合には、第２の基板１０００は透光性を有する必要はない。
【０２９１】
また、発光素子２０６からの光が第２の基板１０００の方向にのみ放出されるように構成
された発光素子の場合には、第１の基板２０３は必ずしも透光性基板である必要はない。
よって、第１の基板２０３として、透光性を有しない樹脂基板、半導体基板、セラミック
基板、金属基板などの透光性を有しない基板を用いることも可能である。
【０２９２】
以上で説明した構造を有する第１の基板２０３と第２の基板１０００とが、異方性導電膜
２１１によって貼り合わせられている。異方性導電膜２１１としては、ＡＣＰ（Ａｎｉｓ
ｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）やＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉ
ｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）などが挙げられる。異方性導電膜２１１を用いて
、第１の基板２０３と第２の基板１０００とを貼り合わせることによって、電極２１９と
電極１０１８とが異方性導電膜２１１に含まれる導電性粒子２０５を介して電気的に接続
される。つまり、第１の基板２０３に形成されている発光素子２０６と第２の基板１００
０に形成されている薄膜トランジスタ１００３は電気的に接続された状態となっている。
【０２９３】
なお、図２１では、第１の基板２０３と第２の基板１０００とを異方性導電膜２１１によ
って貼り合わせることによって、電極２１９と電極１０１８とを電気的に接続する場合を
例として示しているが、電極２１９と電極１０１８とを電気的に接続するための方法は、
特にこれに限定されるものではなく、公知の接続方法を用いればよい。例えば、ＮＣＰ（
Ｎｏｎ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）を用いて電極２１９と電極１０１８とを電
気的に接続するようにしても良いし、超音波を用いた共晶接合によって電極２１９と電極
１０１８とを電気的に接続するようにしても良い。
【０２９４】
また、第１の基板２０３と第２の基板１０００を貼り合わせる際に、必要に応じて第１の
基板２０３と第２の基板１０００の間にスペーサーを設けても良い。
【０２９５】
また、図２１においては、発光素子２０６の第１の電極２０４と電源との接続などは特に
記載していないが、第１の電極２０４と電気的に接続された接続端子を画素部６０１の周
囲もしくはソース信号線駆動回路６０２やゲート信号線駆動回路６０３よりも外側の領域
に設け、その接続端子によって外付けのＩＣ等により設けられた電源と接続することによ
って、第１の電極２０４に対向電位が与えられている。
【０２９６】
なお、以上においては、各画素に設けられている発光素子を駆動するための画素回路が図
１２で示した画素回路６０９の場合について説明したが、各画素に設けられている発光素
子を駆動するための画素回路の構成は、図１２で示した画素回路６０９に限られるもので
はない。図１２に示した画素回路６０９の構成は、一例として示したものであって、その
他の様々な画素回路においても本実施の形態を実施することができる。
【０２９７】
図１２で示した画素回路６０９は、発光素子６０７を駆動するためのトランジスタである
駆動用トランジスタ６０６が発光素子６０７と接続される回路構成となっている。そのた
め、発光素子６０７と駆動用トランジスタ６０６とが、異方性導電膜を介して電気的に接
続される構成となっている。よって、他の画素回路の構成に適用する場合には、その画素
回路の構成において発光素子と接続される素子が、異方性導電膜を介して発光素子と電気
的に接続されるようにすればよい。画素回路の多くの場合において、発光素子と接続され
る素子は、発光素子を駆動するための薄膜トランジスタである。よって、たいていの場合
には、発光素子を駆動するための薄膜トランジスタと発光素子とが異方性導電膜を介して
電気的に接続される構成となる。
【０２９８】
本実施の形態で説明した発光装置は、発光素子を駆動する画素回路を形成した基板の厚さ
を薄くする処理（薄膜化処理）を行っているため、発光装置の厚さを薄くすることが可能
である。よって、電子機器などに本実施の形態の発光装置を用いることによって、電子機
器の厚さ方向の寸法をより小さくすることができる。よって、携帯電話機、携帯用ゲーム
機器、モバイルコンピュータ、パーソナルコンピュータ、カメラ（デジタルカメラ、ビデ
オカメラなど）など、より小型化が求められている電子機器（特に携帯用の電子機器）に
適用すると電子機器を小型化することができるため好ましい。
【０２９９】
また、発光素子を駆動する画素回路を形成した基板の厚さを可撓性を有する程度に薄くし
、発光素子を形成する基板も可撓性を有する基板とすれば、可撓性を有する発光装置とす
ることができる。
この場合、発光素子を形成する基板としては、樹脂基板などが挙げられる。そして、樹脂
基板上にインクジェットや印刷法などで発光素子を形成すればよい。
【０３００】
なお、本実施の形態は他の実施の形態に記載された技術と適宜組み合わせて行うことがで
きる。よって、例えば、本実施の形態において、実施の形態４のように第２の基板に撮像
素子を設ける構成としたり、実施の形態５のように第１の基板に撮像素子を設ける構成と
したりすることもできる。
【０３０１】
（実施の形態８）
本実施の形態では、第１の基板に形成された発光素子と、第２の基板に形成されたトラン
ジスタとが電気的に接続されているパッシブマトリクス型の発光装置の例について説明す
る。つまり、上記本発明の発光装置の第１の構成において、パッシブマトリクス型の発光
装置である場合における例について説明する。
【０３０２】
図１３にパッシブマトリクス型の発光装置の概略図を示す。
図１３に示すように、パッシブマトリクス型の発光装置は、画素部７０１、第１の駆動回
路（以下、「カラムドライバ」という）７０２、第２の駆動回路（以下、「ロウドライバ
」という）７０３、カラムドライバと接続された駆動ライン（Ｃ１〜Ｃｎ）、ロウドライ
バと接続された駆動ライン（Ｒ１〜Ｒｍ）などを有する。
【０３０３】
画素部７０１の等価回路図を図１４に示す。駆動ラインＣ１〜Ｃｎと駆動ラインＲ１〜Ｒ
ｍとが直交するように形成されており、駆動ラインＣ１〜Ｃｎと駆動ラインＲ１〜Ｒｍと
のそれぞれの交点部分には、発光素子７０４が形成されている。
【０３０４】
本実施の形態では、以上のような構成を有するパッシブマトリクス型の発光装置において
、駆動ラインＣ１〜Ｃｎ、駆動ラインＲ１〜Ｒｍ、発光素子７０４を第１の基板に形成し
、カラムドライバ７０２、ロウドライバ７０３を第２の基板に形成する。そして、カラム
ドライバ７０２と駆動ラインＣ１〜Ｃｎとが電気的に接続されるようにし、ロウドライバ
７０３と駆動ラインＲ１〜Ｒｍとが電気的に接続されるようにする。
【０３０５】
図９（Ａ）に本実施の形態の発光装置の第１の基板の上面図を示す。
図９（Ａ）において、第１の基板５２０上には、駆動ラインＣ１〜Ｃｎに相当する配線５
２１、駆動ラインＲ１〜Ｒｍに相当する配線５２３、発光物質を含む層５２２が形成され
ている。配線５２１と５２３とは互いに直交するように形成されている。
【０３０６】
図９（Ａ）のＡ−Ａ’における断面図を図９（Ｂ）に、Ｂ−Ｂ’における断面図を図９（
Ｃ）にそれぞれ示す。なお、図９（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ、第１の基板上に、第１の
基板と対向して第２の基板が設けられている状態での断面図を示す。
【０３０７】
図９（Ｂ）を用いて、図９（Ａ）のＡ−Ａ’における断面構造について以下に説明する。
第１の基板５２０上には、駆動ラインＲ１〜Ｒｍに相当する配線５２３が形成されており
、駆動ラインＲ１〜Ｒｍに相当する配線５２３上には、絶縁膜５２７がストライプ状に形
成されている。そして、絶縁膜５２７上には、絶縁膜５２７よりも狭い幅を有する隔壁５
３０が形成されている。隔壁５３０は下部の幅に比べて上部の幅が大きくなるように形成
されている。そして、駆動ラインＲ１〜Ｒｍに相当する配線５２３上、及び隔壁５３０上
には、それぞれ発光物質を含む層５２２が形成されており、発光物質を含む層５２２上に
は、駆動ラインＣ１〜Ｃｎに相当する配線５２１が形成されている。
【０３０８】
また、駆動ラインＲ１〜Ｒｍに相当する配線５２３上には、駆動ラインＲ１〜Ｒｍに相当
する配線５２３に電気的に接続された電極５１９が形成されている。
【０３０９】
一方、第１の基板５２０と対向して設けられている第２の基板５００上には、ロウドライ
バ７０３の有する薄膜トランジスタ５０２が形成されている。図９（Ｂ）においては、薄
膜トランジスタ５０２は、第２の基板上に下地膜５０１を介して形成された半導体膜５１
７と、ゲート絶縁膜５１６と、ゲート電極５１５とを有する。
【０３１０】
薄膜トランジスタ５０２上には第１の層間絶縁膜５２６が形成されており、第１の層間絶
縁膜５２６上には、薄膜トランジスタ５０２の有する半導体膜５１７と電気的に接続され
る電極５２９が形成されている。そして、電極５２９及び第１の層間絶縁膜５２６上には
、第２の層間絶縁膜５２８が形成されており、第２の層間絶縁膜５２８上には、電極５２
９と電気的に接続される電極５１８が形成されている。よって、薄膜トランジスタ５０２
と電極５１８は電気的に接続されている。
【０３１１】
以上で説明した構造を有する第１の基板５２０と第２の基板５００とが、異方性導電膜５
２４によって貼り合わせられている。異方性導電膜５２４としては、ＡＣＰ（Ａｎｉｓｏ
ｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）やＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ
Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）などが挙げられる。異方性導電膜５２４を用いて、
第１の基板５２０と第２の基板５００とを貼り合わせることによって、電極５１８と電極
５１９とが異方性導電膜５２４に含まれる導電性粒子５０５を介して電気的に接続される
。つまり、第１の基板５２０に形成されている配線５２３と第２の基板５００に形成され
ている薄膜トランジスタ５０２は電気的に接続された状態となっている。
【０３１２】
次に、図９（Ｃ）を用いて、図９（Ａ）のＢ−Ｂ’における断面構造について以下に説明
する。第１の基板５２０上には、駆動ラインＲ１〜Ｒｍに相当する配線５２３が形成され
ており、駆動ラインＲ１〜Ｒｍに相当する配線５２３上には、発光物質を含む層５２２が
形成されており、発光物質を含む層５２２上には、駆動ラインＣ１〜Ｃｎに相当する配線
５２１が形成されている。
【０３１３】
また、駆動ラインＣ１〜Ｃｎに相当する配線５２１上には、駆動ラインＣ１〜Ｃｎに相当
する配線５２１に電気的に接続された電極５４９が形成されている。
【０３１４】
一方、第１の基板５２０と対向して設けられている第２の基板５００上には、カラムドラ
イバ７０２の有する薄膜トランジスタ５３２が形成されている。図９（Ｃ）においては、
薄膜トランジスタ５３２は、第２の基板上に下地膜５０１を介して形成された半導体膜５
４７と、ゲート絶縁膜５１６と、ゲート電極５４５とを有する。
【０３１５】
薄膜トランジスタ５３２上には第１の層間絶縁膜５２６が形成されており、第１の層間絶
縁膜５２６上には、薄膜トランジスタ５３２の有する半導体膜５４７と電気的に接続され
る電極５５０が形成されている。そして、電極５５０及び第１の層間絶縁膜５２６上には
、第２の層間絶縁膜５２８が形成されており、第２の層間絶縁膜５２８上には電極５５０
と電気的に接続される電極５４８が形成されている。
【０３１６】
以上で説明した構造を有する第１の基板５２０と第２の基板５００とが、異方性導電膜５
２４によって貼り合わせられている。異方性導電膜５２４としては、ＡＣＰ（Ａｎｉｓｏ
ｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）やＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ
Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）などが挙げられる。異方性導電膜５２４を用いて、
第１の基板５２０と第２の基板５００とを貼り合わせることによって、電極５４８と電極
５４９とが異方性導電膜５２４に含まれる導電性粒子５０５を介して電気的に接続される
。つまり、第１の基板５２０に形成されている配線５２１と第２の基板５００に形成され
ている薄膜トランジスタ５３２は電気的に接続された状態となっている。
【０３１７】
なお、図９では、第１の基板５２０と第２の基板５００とを異方性導電膜５２４によって
貼り合わせることによって、電極５１８と電極５１９、電極５４８と電極５４９とを電気
的に接続する場合を例として示しているが、電極５１８と電極５１９、電極５４８と電極
５４９とを電気的に接続するための方法は、特にこれに限定されるものではなく、公知の
接続方法を用いればよい。例えば、ＮＣＰ（Ｎｏｎ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ
）を用いて電極５１８と電極５１９、電極５４８と電極５４９とを電気的に接続するよう
にしても良いし、超音波を用いた共晶接合によって電極５１８と電極５１９、電極５４８
と電極５４９とを電気的に接続するようにしても良い。
【０３１８】
また、第１の基板５２０と第２の基板５００を貼り合わせる際に、必要に応じて第１の基
板５２０と第２の基板５００の間にスペーサーを設けても良い。
【０３１９】
本実施の形態の発光装置は、以上で説明したような構成とすることにより、発光素子を駆
動するためのカラムドライバ７０２、及びロウドライバ７０３と発光素子とを異なる基板
に形成することができる。
【０３２０】
このような構成とすることにより、駆動回路を封止用の基板に形成することができるため
、発光装置を小型化することができる。
【０３２１】
なお、本実施の形態は他の実施の形態に記載された技術と適宜組み合わせて行うことがで
きる。よって、例えば、本実施の形態において、実施の形態６のように発光素子を駆動す
る回路を第２の基板に形成する代わりに発光素子を駆動する画素回路を有するフィルムを
用いる構成としたり、実施の形態７のように第２の基板を薄膜化する構成とすることも可
能である。
【０３２２】
（実施の形態９）
本実施の形態では、第１の基板に形成された発光素子と、第２の基板に形成されたトラン
ジスタとが電気的に接続されているアクティブマトリクス型の発光装置の第４の例につい
て説明する。つまり、上記本発明の発光装置の第１の構成において、アクティブマトリク
ス型の発光装置である場合における第４の例について説明する。
【０３２３】
なお、以下においては、実施の形態１と同様、画素回路の構成が図１２に示す画素回路６
０９の場合を例にして説明することとする。
【０３２４】
なお、本実施の形態においても、実施の形態１と同様、画素回路６０９を構成するトラン
ジスタは、薄膜トランジスタ以外のトランジスタで形成してもよい。例えば、第２の基板
として半導体基板を用い、該半導体基板にＭＯＳトランジスタなどを作り込むことによっ
て第２の基板に形成される画素回路を形成するようにしても良い。
【０３２５】
図３３（Ａ）に本実施の形態の発光装置の一部の断面図を示す。
【０３２６】
図３３（Ａ）において、発光素子１５０６が複数形成された第１の基板１５０３と、薄膜
トランジスタ１５０２が複数形成された第２の基板１５００とが対向して設けられている
。
なお、図３３（Ａ）においては、第２の基板１５００が第１の基板１５０３の発光素子が
形成されている面と対向するように、第１の基板１５０３と第２の基板１５００が貼り合
わせられている。よって、第２の基板１５００は封止用の基板の役割を果たしている。
【０３２７】
図３３（Ａ）の発光素子１５０６は、図１２の発光素子６０７に相当する。
また、図３３（Ａ）の薄膜トランジスタ１５０２は、図１２の駆動用トランジスタ６０６
に相当する。
【０３２８】
第１の基板１５０３、第２の基板１５００としては、ガラス基板、石英基板、透光性を有
する樹脂基板などの透光性基板を用いればよい。なお、発光素子１５０６からの光が第１
の基板１５０３の方向にのみ放出されるように構成された発光素子の場合には、第２の基
板１５００は必ずしも透光性基板である必要はない。よって、第２の基板１５００として
、透光性を有しない樹脂基板、半導体基板、セラミック基板、金属基板などの透光性を有
しない基板を用いることも可能である。
【０３２９】
また、発光素子１５０６からの光が第２の基板１５００の方向にのみ放出されるように構
成された発光素子の場合には、第１の基板１５０３は必ずしも透光性基板である必要はな
い。よって、第１の基板１５０３として、透光性を有しない樹脂基板、半導体基板、セラ
ミック基板、金属基板などの透光性を有しない基板を用いることも可能である。
【０３３０】
また、第１の基板１５０３、第２の基板１５００は、以上で挙げた基板を可撓性を有する
程度に薄膜化したものを用いてもよい。
【０３３１】
第１の基板１５０３上に形成されている発光素子１５０６は、第１の電極１５０４、発光
物質を含む層１５０８、第２の電極１５０９を有する。
【０３３２】
第１の基板１５０３上には、発光素子の第１の電極１５０４が形成されている。そして、
発光素子の第１の電極１５０４上には、発光物質を含む層１５０８が形成され、発光物質
を含む層１５０８上には、発光素子の第２の電極１５０９が形成されている。
【０３３３】
なお、発光素子の第１の電極１５０４、発光素子の第２の電極１５０９などに用いる材料
については、実施の形態１に記載されている材料を用いればよい。また、発光物質を含む
層１５０８の層構成についても、実施の形態１で説明したように公知の層構成とすればよ
い。
【０３３４】
一方、第１の基板１５０３と対向して設けられている第２の基板１５００上には、発光素
子１５０６を駆動するための薄膜トランジスタ（駆動用トランジスタ）１５０２が形成さ
れている。図３３（Ａ）においては、薄膜トランジスタ１５０２は、第２の基板１５００
上に下地膜１５０１を介して形成された半導体膜１５１７と、ゲート絶縁膜１５１６と、
ゲート電極１５１５とを有する。
【０３３５】
薄膜トランジスタ１５０２上には第１の層間絶縁膜１５２０が形成されており、第１の層
間絶縁膜１５２０上には、薄膜トランジスタ１５０２の有する半導体膜１５１７のソース
領域またはドレイン領域と電気的に接続される電極１５１８が形成されている。
【０３３６】
そして、電極１５１８、及び第１の層間絶縁膜１５２０上には、第２の層間絶縁膜１５２
１が形成されており、第２の層間絶縁膜１５２１上には、電極１５１８の一方と電気的に
接続される電極１５１９Ａが形成されている。
【０３３７】
以上で説明した構造を有する第１の基板１５０３と第２の基板１５００とが、異方性導電
膜１５１１によって貼り合わせられている。異方性導電膜１５１１としては、ＡＣＰ（Ａ
ｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）やＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒ
ｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）などが挙げられる。異方性導電膜１５１１
を用いて、第１の基板１５０３と第２の基板１５００とを貼り合わせることによって、発
光素子の第２の電極１５０９と電極１５１９Ａとが異方性導電膜１５１１に含まれる導電
性粒子１５０５を介して電気的に接続される。つまり、第１の基板１５０３に形成されて
いる発光素子１５０６と第２の基板１５００に形成されている薄膜トランジスタ１５０２
は電気的に接続された状態となっている。
【０３３８】
なお、図３３（Ａ）では、第１の基板１５０３と第２の基板１５００とを異方性導電膜１
５１１によって貼り合わせることによって、発光素子の第２の電極１５０９と電極１５１
９Ａとを電気的に接続する場合を例として示しているが、発光素子の第２の電極１５０９
と電極１５１９Ａとを電気的に接続するための方法は、特にこれに限定されるものではな
く、公知の接続方法を用いればよい。例えば、ＮＣＰ（Ｎｏｎ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ
Ｐａｓｔｅ）を用いて発光素子の第２の電極１５０９と電極１５１９Ａとを電気的に接続
するようにしても良いし、超音波を用いた共晶接合によって発光素子の第２の電極１５０
９と電極１５１９Ａとを電気的に接続するようにしても良い。
【０３３９】
また、第１の基板１５０３と第２の基板１５００を貼り合わせる際に、必要に応じて第１
の基板１５０３と第２の基板１５００の間にスペーサーを設けても良い。
【０３４０】
また、図３３においては、発光素子１５０６の第１の電極１５０４と電源との接続などは
特に記載していないが、第１の電極１５０４と電気的に接続された接続端子を画素部６０
１の周囲もしくはソース信号線駆動回路６０２やゲート信号線駆動回路６０３よりも外側
の領域に設け、その接続端子によって外付けのＩＣ等により設けられた電源と接続するこ
とによって、第１の電極１５０４に対向電位が与えられている。
【０３４１】
図３３（Ｂ）にＮＣＰ（Ｎｏｎ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）を用いて発光素子
の第２の電極１５０９と電極１５１９Ｂとを電気的に接続する場合の例について示す。
【０３４２】
図３３（Ｂ）に示す構成の場合、第２の電極１５０９と電極１５１９Ｂとが接するように
、第１の基板１５０３と第２の基板１５００とがＮＣＰ１５３１によって貼り合わせられ
ている。
【０３４３】
この場合、第２の層間絶縁膜１５２１上に形成される電極を１５１９Ｂに示すように図３
３（Ａ）の１５１９Ａよりも大きく形成し、発光素子の第２の電極１５０９と接続しやす
くすると良い。また、この場合、第１の基板１５０３と第２の基板１５００とを貼り合わ
せる際に、真空にして貼り合わせると良い。
【０３４４】
図３３（Ｂ）に示す構成において、発光素子１５０６からの光が第２の基板１５００の方
向にのみ放出されるように構成された発光素子の場合には、電極１５１９Ｂは、透光性を
有する導電膜で形成する。
【０３４５】
また、図３３（Ｂ）に示す構成において、発光素子１５０６からの光が第１の基板１５０
３及び第２の基板１５００に放出されるように構成された発光素子の場合には、電極１５
１９Ｂを反射機能を有する金属膜で形成するか、若しくは透光性を有する導電膜で形成す
る。電極１５１９Ｂを反射機能を有する金属膜で形成した場合、発光素子１５０６から第
２の基板１５００側の方向に放出された光は電極１５１９Ｂによって第１の基板１５０３
の方向に反射されるため、発光素子１５０６からの光は第１の基板１５０３側からのみ取
り出される。電極１５１９Ｂを透光性を有する導電膜で形成した場合、発光素子１５０６
からの光は第１の基板１５０３及び第２の基板１５００の両側から取り出すことができる
。
【０３４６】
図３３（Ａ）、（Ｂ）に示す構造の場合、実施の形態１〜３で示した構造と比較して、発
光素子の第２の電極上に絶縁膜を設け、該絶縁膜上に発光素子の第２の電極と電気的に接
続された電極を形成する工程を省くことができる。よって、実施の形態１〜３で示した構
造と比較して、発光装置の作製工程を短縮化することができる。
【０３４７】
また、図３３（Ａ）、（Ｂ）においては、第１の基板１５０３上に発光素子の第１の電極
１５０４、発光物質を含む層１５０８、発光素子の第２の電極１５０９が形成されている
構成について示しているが、発光素子の第２の電極１５０９を第１の基板１５０３上に形
成しないような構成とすることも可能である。
【０３４８】
このような構成の例を図３４（Ａ）に示す。
図３４（Ａ）において、発光素子１６０６が複数形成された第１の基板１６０３と、薄膜
トランジスタ１５０２が複数形成された第２の基板１５００とが対向して設けられている
。
【０３４９】
図３４においては、第２の基板１５００が第１の基板１６０３の発光素子の第１の電極１
６０４及び発光物質を含む層１６０８が形成されている面と対向するように、第１の基板
１６０３と第２の基板１５００が貼り合わせられている。よって、第２の基板１５００は
封止用の基板の役割を果たしている。
【０３５０】
なお、図３４（Ａ）において、第２の基板１５００側の構成は、図３３（Ｂ）と同じであ
るため、図３３（Ｂ）と同じ符号で示し、ここでは説明を省略する。
【０３５１】
図３４（Ａ）の発光素子１６０６は、図１２の発光素子６０７に相当する。
また、図３４（Ａ）の薄膜トランジスタ１５０２は、図１２の駆動用トランジスタ６０６
に相当する。
【０３５２】
第１の基板１６０３、第２の基板１５００としては、ガラス基板、石英基板、透光性を有
する樹脂基板などの透光性基板を用いればよい。なお、発光素子１６０６からの光が第１
の基板１６０３の方向にのみ放出されるように構成された発光素子の場合には、第２の基
板１５００は必ずしも透光性基板である必要はない。よって、第２の基板１５００として
、透光性を有しない樹脂基板、半導体基板、セラミック基板、金属基板などの透光性を有
しない基板を用いることも可能である。
【０３５３】
また、発光素子１６０６からの光が第２の基板１５００の方向にのみ放出されるように構
成された発光素子の場合には、第１の基板１６０３は必ずしも透光性基板である必要はな
い。よって、第１の基板１６０３として、透光性を有しない樹脂基板、半導体基板、セラ
ミック基板、金属基板などの透光性を有しない基板を用いることも可能である。
【０３５４】
第１の基板１６０３上には、発光素子の第１の電極１６０４が形成されている。そして、
発光素子の第１の電極１６０４上には、発光物質を含む層１６０８が形成されている。
【０３５５】
なお、発光素子の第１の電極１６０４などに用いる材料については、実施の形態１に記載
されている材料を用いればよい。また、発光物質を含む層１６０８の層構成についても、
実施の形態１で説明したように公知の層構成とすればよい。
【０３５６】
以上で説明した構造を有する第１の基板１６０３と第２の基板１５００とが、異方性導電
膜１６１１によって貼り合わせられている。異方性導電膜１６１１としては、ＡＣＰ（Ａ
ｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）やＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒ
ｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）などが挙げられる。異方性導電膜１６１１
を用いて、第１の基板１６０３と第２の基板１５００とを貼り合わせることによって、発
光物質を含む層１６０８と電極１５１９Ｂとが異方性導電膜１６１１に含まれる導電性粒
子１６０５を介して電気的に接続される。
【０３５７】
この場合においては、導電性粒子１６０５が発光素子１６０６の第２の電極の機能を果た
すこととなる。よって、発光素子１６０６は、第１の電極１６０４、発光物質を含む層１
６０８、導電性粒子１６０５から構成されていることとなる。そして、このような構成を
有する発光素子１６０６が薄膜トランジスタ１５０２と電気的に接続されている。
【０３５８】
なお、図３４（Ａ）では、第１の基板１６０３と第２の基板１５００とを異方性導電膜１
６１１によって貼り合わせることによって、導電性粒子１６０５を介して発光物質を含む
層１６０８と電極１５１９Ｂとを電気的に接続している場合を例として示しているが、発
光物質を含む層１６０８と電極１５１９Ｂとを電気的に接続するための方法は、特にこれ
に限定されるものではなく、公知の接続方法を用いればよい。例えば、ＮＣＰ（Ｎｏｎ
Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）を用いて発光物質を含む層１６０８と電極１５１９
Ｂとを電気的に接続するようにしても良いし、超音波を用いた共晶接合によって発光物質
を含む層１６０８と電極１５１９Ｂとを電気的に接続するようにしても良い。
【０３５９】
また、第１の基板１６０３と第２の基板１５００を貼り合わせる際に、必要に応じて第１
の基板１６０３と第２の基板１５００の間にスペーサーを設けても良い。
【０３６０】
図３４（Ｂ）にＮＣＰ（Ｎｏｎ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）を用いて発光物質
を含む層１６０８と電極１５１９Ｂとを電気的に接続する場合の例について示す。
【０３６１】
図３４（Ｂ）に示す構成の場合、発光物質を含む層１６０８と電極１５１９Ｂとが接する
ように、第１の基板１６０３と第２の基板１５００とがＮＣＰ１６３１によって貼り合わ
せられている。
【０３６２】
この場合においては、電極１５１９Ｂが発光素子１６０６の第２の電極の機能を果たすこ
ととなる。よって、発光素子１６０６は、第１の電極１６０４、発光物質を含む層１６０
８、電極１５１９Ｂから構成されていることとなる。そして、このような構成を有する発
光素子１６０６が薄膜トランジスタ１５０２と電気的に接続されている。
【０３６３】
なお、図３４（Ｂ）に示す構成の場合、第１の基板１６０３と第２の基板１５００とを貼
り合わせる際に、真空にして貼り合わせると良い。
【０３６４】
図３４（Ａ）（Ｂ）に示す構成において、第１の電極１６０４をアルミニウムなどの金属
膜で形成し、電極１５１９Ｂを透光性を有する導電膜で形成した場合、発光素子１６０６
からの光は第２の基板１５００側からのみ取り出される。第１の電極１６０４を透光性を
有する導電膜で形成し、電極１５１９Ｂをアルミニウムなどの金属膜で形成した場合、発
光素子１６０６からの光は第１の基板１６０３側からのみ取り出される。また、第１の電
極１６０４及び電極１５１９Ｂを透光性を有する導電膜で形成した場合、発光素子１６０
６からの光は第１の基板１６０３及び第２の基板１５００の両側から取り出すことができ
る。
【０３６５】
図３４（Ａ）（Ｂ）に示す構成は、電極１５１９Ｂが発光素子の第２の電極の役割を兼ね
る構造となっているため、第１の基板上に第２の電極を形成する必要がない。よって、図
３３（Ａ）（Ｂ）の構造に比べて、発光装置の作製工程を短縮することができる。
【０３６６】
なお、以上においては、各画素に設けられている発光素子を駆動するための画素回路が図
１２で示した画素回路６０９の場合について説明したが、各画素に設けられている発光素
子を駆動するための画素回路の構成は、図１２で示した画素回路６０９に限られるもので
はない。図１２に示した画素回路６０９の構成は、一例として示したものであって、その
他の様々な画素回路においても本実施の形態を実施することができる。
【０３６７】
図１２で示した画素回路６０９は、発光素子６０７を駆動するための薄膜トランジスタで
ある駆動用トランジスタ６０６が発光素子６０７と接続される回路構成となっている。そ
のため、発光素子６０７と駆動用トランジスタ６０６とが、異方性導電膜を介して電気的
に接続される構成となっている。よって、他の画素回路の構成に適用する場合には、その
画素回路の構成において発光素子と接続される素子が、異方性導電膜を介して発光素子と
電気的に接続されるようにすればよい。画素回路の多くの場合において、発光素子と接続
される素子は、発光素子を駆動するための薄膜トランジスタである。よって、たいていの
場合には、発光素子を駆動するための薄膜トランジスタと発光素子とが異方性導電膜を介
して電気的に接続される構成となる。
【０３６８】
なお、本実施の形態は他の実施の形態に記載された技術と適宜組み合わせて行うことがで
きる。よって、例えば、本実施の形態において、実施の形態６のように発光素子を駆動す
る回路を第２の基板に形成する代わりに発光素子を駆動する画素回路を有するフィルムを
用いる構成としたり、実施の形態７のように第２の基板を薄膜化する構成とすることも可
能である。
【０３６９】
（実施の形態１０）
本実施の形態１、２、４、５、８、９において、第１の基板と第２の基板とを貼り合わせ
た後に、第１の基板及び第２の基板の厚さを薄くする処理（薄膜化処理）を行うことも可
能である。
【０３７０】
この場合、第１の基板と第２の基板とを貼り合わせたあとに、第１の基板及び第２の基板
の薄膜化処理を行うため、第１の基板と第２の基板を同時に薄膜化処理を行うことができ
る。
【０３７１】
なお、基板の薄膜化処理を行う方法としては、研削手段または研磨手段を用いて基板を研
削または研磨する方法や、ウエットエッチングによって基板をエッチングする方法などが
挙げられる。
【０３７２】
本実施の形態で説明した発光装置は、第１の基板及び第２の基板の厚さを薄くする処理（
薄膜化処理）を行っているため、発光装置の厚さを薄くすることが可能である。よって、
電子機器などに本実施の形態の発光装置を用いることによって、電子機器の厚さ方向の寸
法をより小さくすることができる。よって、携帯電話機、携帯用ゲーム機器、モバイルコ
ンピュータ、パーソナルコンピュータ、カメラ（デジタルカメラ、ビデオカメラなど）な
ど、より小型化が求められている電子機器（特に携帯用の電子機器）に適用すると電子機
器を小型化することができるため好ましい。
【０３７３】
第１の基板及び第２の基板は可撓性を有する程度の厚さ（例えば１００μｍ以下、好まし
くは２０〜５０μｍ）まで薄膜化処理を行えば、可撓性を有する発光装置とすることがで
きる。
【０３７４】
なお、実施の形態３においては、第１の基板、第２の基板、第３の基板を貼り合わせた後
に、第２の基板及び第３の基板の厚さを薄くする処理（薄膜化処理）を行う。この場合、
第２の基板及び第３の基板を可撓性を有する程度の厚さ（例えば１００μｍ以下、好まし
くは２０〜５０μｍ）まで薄膜化処理を行い、第１の基板として可撓性を有する基板を用
いれば、可撓性を有する発光装置とすることができる。
【０３７５】
（実施の形態１１）
実施の形態１〜１０において説明した発光装置において、発光素子が形成された第１の基
板と発光素子を駆動する回路が形成された第２の基板を貼り合わせる方法について説明す
る。なお、実施の形態６においては、発光素子を駆動する回路が形成された第２の基板を
発光素子を駆動する回路を有するフィルムに置き換えて考えるものとする。また、実施の
形態７の第２の基板１０００が完全に除去された構造の場合においても、発光素子を駆動
する回路が形成された第２の基板を、発光素子を駆動する回路を有するフィルムに置き換
えて考えるものとする。
【０３７６】
発光素子が形成されている第１の基板と発光素子を駆動する回路が形成されている第２の
基板とを貼り合わせる方法としては、１枚の第１の基板に対して１枚の第２の基板を貼り
合わせる方法が考えられる。１枚の第１の基板に対して１枚の第２の基板を貼り合わせる
方法の例を図３１（Ａ）に示す。
【０３７７】
図３１（Ａ）において、発光素子が形成された第１の基板１４００に対向するように、発
光素子を駆動する回路が形成された第２の基板１４０１が貼り合わせられている。第２の
基板には周辺駆動回路１４０３が形成されており、第２の基板１４０１に形成されている
外部接続端子がＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）１４０４
と接続されている。
【０３７８】
また、第１の基板と第２の基板を貼り合わせる他の方法としては、１枚の第２の基板に対
して複数の第１の基板を貼り合わせる方法がある。１枚の第２の基板に対して複数の第１
の基板を貼り合わせる方法の１例として１枚の第２の基板と４枚の第１の基板を貼り合わ
せる場合について図３１（Ｂ）に示す。なお、図３１（Ｂ）においては、１枚の第２の基
板と４枚の第１の基板を貼り合わせる場合について示しているが、第１の基板の枚数は、
４枚に限定されるものではなく、複数であれば４枚よりも少なくても多くてもよい。よっ
て、例えば、１枚の第２の基板に対向するように第１の基板を１００行×１００列配置し
て貼り合わせるような構成としても良い。
【０３７９】
図３１（Ｂ）において、発光素子を駆動する回路が形成されている第２の基板１４０１に
対向するように発光素子が形成されている第１の基板１４１１、１４１２、１４１３、１
４１４が貼り合わせられている。この第１の基板１４１１、１４１２、１４１３、１４１
４はそれぞれ同じ大きさで形成しても良いし、異なる大きさで形成しても良いが、同じ大
きさで形成するほうが量産する際には好ましい。なお、図３１（Ａ）と同じ符号のものは
図３１（Ａ）と同じものを示すものとする。
【０３８０】
また、図３１（Ａ）（Ｂ）においては、第２の基板上に周辺駆動回路１４０３を１つ形成
している場合について示しているが、周辺駆動回路を形成する位置や周辺駆動回路の個数
は図３１（Ａ）（Ｂ）の構成に限定されない。
【０３８１】
さらに、第１の基板と第２の基板を貼り合わせる他の方法としては、１枚の第１の基板に
対して複数の第２の基板を貼り合わせる方法がある。１枚の第１の基板に対して複数の第
２の基板を貼り合わせる方法の１例として１枚の第１の基板と４枚の第２の基板を貼り合
わせる場合について図３２（Ａ）に示す。なお、図３２（Ａ）においては、１枚の第１の
基板と４枚の第２の基板を貼り合わせる場合について示しているが、第２の基板の枚数は
、４枚に限定されるものではなく、複数であれば４枚よりも少なくても多くてもよい。よ
って、例えば、１枚の第１の基板に対向するように第２の基板を１００行×１００列配置
して貼り合わせるような構成としても良い。
【０３８２】
図３２（Ａ）において、発光素子が形成されている第１の基板１４００に対向するように
発光素子を駆動する回路が形成されている第２の基板１４３１、１４３２、１４３３、１
４３４が貼り合わせられている。図３２（Ａ）の例では、４枚の第２の基板のうち１４３
２、１４３３にはそれぞれ周辺駆動回路１４２３、１４２４が形成されている。
【０３８３】
周辺駆動回路１４２３、１４２４は、それぞれ異なる基板に形成されているため、そのま
まの状態では、電気的に接続されていない。周辺駆動回路１４２３と１４２４を電気的に
接続する必要がある場合には、ワイヤボンディングで周辺駆動回路１４２３と１４２４を
電気的に接続したり、周辺駆動回路１４２３と１４２４を電気的に接続するための配線を
インクジェットで形成するようにすればよい。
【０３８４】
また、第２の基板１４３１、１４３２、１４３３、１４３４は、それぞれ同じ大きさで形
成しても良いし、異なる大きさで形成しても良い。なお、図３２においては、第２の基板
１４３２、１４３３に周辺駆動回路が形成されている場合について示しているが、周辺駆
動回路を形成する位置や周辺駆動回路の個数は図３２の構成に限定されない。
【０３８５】
なお、図３１（Ａ）、（Ｂ）においては、ＦＰＣが図示されているが、図３２（Ａ）、（
Ｂ）においては、１枚の第１の基板に対して４枚の第２の基板１４３１、１４３２、１４
３３、１４３４が貼り合わせられていることがわかるようにするために、ＦＰＣを図示し
ていない。しかし、図３２（Ａ）、（Ｂ）の構成においても、第２の基板に形成されてい
る外部接続端子と接続されるようにＦＰＣが設けられている。この際、ＦＰＣは、第２の
基板１４３２、１４３３にそれぞれ１つずつ接続するようにして設けても良いし、第２の
基板１４３２、１４３３に共通した１つのＦＰＣを接続するように設けても良い。
【０３８６】
また、複数の第１の基板と複数の第２の基板とを貼り合わせることも可能である。なお、
この際、第１の基板の枚数と第２の基板の枚数は必ずしも同じ枚数にする必要はない。つ
まり、第１の基板の枚数と第２の基板の枚数は異なっていてもよい。図３２（Ｂ）に第１
の基板の枚数と第２の基板の枚数が異なる場合の例について示す。図３２（Ｂ）において
は、９枚の第１の基板１４４１〜１４４９と４枚の第２の基板１４３１〜１４３４が貼り
合わせられている。発光素子が形成された第１の基板と第２の基板の大きさが異なる場合
は、図３２（Ｂ）に示すように、隣接する第１の基板同士の境界線と隣接する第２の基板
同士の境界線とが重ならないため、同じ枚数の第１の基板と第２の基板を貼り合わせた場
合に比べて、第１の基板と第２の基板を貼り合わせ後における強度が増し、割れにくくな
る。本発明においては、発光素子が形成された第１の基板と、発光素子を駆動する回路が
形成された第２の基板をそれぞれ別工程で作製するため、第１の基板と第２の基板の枚数
を異ならせて貼り合わせることも可能であるし、第１の基板と第２の基板の大きさを異な
らせて貼り合わせることも可能である。
【０３８７】
なお、図３１、３２においては、第２の基板の周辺駆動回路が形成されている領域上には
第１の基板が存在しないように第１の基板が設けられているが、第２の基板の周辺駆動回
路が形成されている領域と対向する部分にも第１の基板が存在するようにして第１の基板
と第２の基板とを貼り合わせるようにしても良い。
【０３８８】
また、図３１、３２においては、第２の基板上に周辺駆動回路が形成されている場合につ
いて示しているが、特にこの構成に限定されるものではなく、周辺駆動回路の一部または
全てをＩＣ等で形成するようにしても良い。
【０３８９】
以上で説明したように、１枚の第１の基板に対して複数の第２の基板を貼り合わせたり、
１枚の第２の基板に対して複数の第１の基板を貼り合わせたり、複数の第１の基板と複数
の第２の基板を貼り合わせたりすることによって、発光装置を大型化する際に容易に大型
化することが可能となる。よって、ＴＶなどの大型化が求められている表示装置に本実施
の形態の構成を適用することによって、より大型の表示装置を作製することができる。
【０３９０】
なお、以上においては、図３１、３２を用いてアクティブマトリクス型の発光装置の場合
を例として説明したが、パッシブマトリクス型の発光装置においても適用することができ
る。
【実施例１】
【０３９１】
実施の形態４、５で説明した発光装置は、表示機能と読み取り機能の２つの機能を有する
。ここでは、表示機能と読み取り機能の切り換えの方法について、図２３（Ａ）のフロー
チャートを用いて説明する。
【０３９２】
まず、発光装置を起動する。発光装置を起動すると、自動的に表示モードになり、表示部
がオン、センサ部がオフになる。このとき、表示部とは発光素子を含む全ての副画素を指
し、センサ部とは撮像素子を含む全ての副画素を指す。そして、表示部では、ヒンジ用切
り換え回路１３０４又は切り換え回路１３０２から供給される信号に従って、通常表示、
水平反転表示、１８０°回転表示又は垂直反転表示を行う。一方、ボタン１３１０等の外
部からの信号に従って、読み取りモードになると、表示部及びセンサ部は両者ともオンに
なる。そして、光源として表示部を用いて、センサ部は被写体の情報を読み取る。
【０３９３】
このときの動作について、折り畳み型携帯端末の筐体１３２０を用いて名刺１３３０を読
み取る動作を例に挙げて、図２３（Ｂ）（Ｃ）を用いて説明する。まず、読み取りモード
の際は、表示パネル上に外光が入らないように名刺１３３０を置いて、該名刺１３３０の
情報を読み取る（図２３（Ｂ））。この読み取られた情報は、携帯端末内の記憶媒体に記
憶される。続いて、表示モードの際は、読み取られた名刺１３３０の情報を基に、表示部
により表示を行う（図２３（Ｃ））。
【０３９４】
このように、本実施の形態の発光装置は、被写体の情報を読み取るイメージセンサ機能と
、画像を表示する表示機能の２つの機能を有する。このような２つの機能を有しているに
も関わらず、イメージセンサ機能を用いる際には通常必要である光源や光散乱板を別個に
設ける必要がないため、大幅な小型化、薄型化及び軽量化が実現する。このとき、発光素
子は、被写体の情報を読み取る際の光源としての役割と、画像を表示する役割の２つの役
割を果たす。
【実施例２】
【０３９５】
本発明の発光装置を表示部に組み込むことによって様々な電子機器を作製することができ
る。電子機器としては、カメラ（ビデオカメラ、デジタルカメラなど）など、ゴーグル型
ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置
（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯
情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話機、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記
録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓ
ｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）
などが挙げられる。それらの電子機器の具体例を図３０に示す。
【０３９６】
図３０（Ａ）はテレビであり、筐体２００１、支持台２００２、表示部２００３、スピ
ーカー部２００４、ビデオ入力端子２００５等を含む。本発明の発光装置は表示部２００
３に適用することができる。なお、パーソナルコンピュータ用、ＴＶ放送受信用、広告表
示用などの全ての情報表示用のテレビが含まれる。
【０３９７】
図３０（Ｂ）はデジタルカメラであり、本体２１０１、表示部２１０２、受像部２１０
３、操作キー２１０４、外部接続ポート２１０５、シャッター２１０６等を含む。本発明
の発光装置は、表示部２１０２に適用することができる。
【０３９８】
図３０（Ｃ）はパーソナルコンピュータであり、本体２２０１、筐体２２０２、表示部
２２０３、キーボード２２０４、外部接続ポート２２０５、ポインティングマウス２２０
６等を含む。本発明の発光装置は、表示部２２０３に適用することができる。
【０３９９】
図３０（Ｄ）はモバイルコンピュータであり、本体２３０１、表示部２３０２、スイッ
チ２３０３、操作キー２３０４、赤外線ポート２３０５等を含む。本発明の発光装置は、
表示部２３０２に適用することができる。
【０４００】
図３０（Ｅ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）
であり、本体２４０１、筐体２４０２、表示部Ａ２４０３、表示部Ｂ２４０４、記録媒体
（ＤＶＤ等）読み込み部２４０５、操作キー２４０６、スピーカー部２４０７等を含む。
表示部Ａ２４０３は主として画像情報を表示し、表示部Ｂ２４０４は主として文字情報を
表示するが、本発明の発光装置は表示部Ａ、Ｂ２４０３、２４０４に適用することができ
る。なお、記録媒体を備えた画像再生装置には家庭用ゲーム機器なども含まれる。
【０４０１】
図３０（Ｆ）はゲーム機器であり、本体２５０１、表示部２５０５、操作スイッチ２５
０４等を含む。本発明の発光装置は表示部２５０２に適用することができる。
【０４０２】
図３０（Ｇ）はビデオカメラであり、本体２６０１、表示部２６０２、筐体２６０３、
外部接続ポート２６０４、リモコン受信部２６０５、受像部２６０６、バッテリー２６０
７、音声入力部２６０８、操作キー２６０９、接眼部２６１０等を含む。本発明の発光装
置は、表示部２６０２に適用することができる。
【０４０３】
図３０（Ｈ）は携帯電話機であり、本体２７０１、筐体２７０２、表示部２７０３、音
声入力部２７０４、音声出力部２７０５、操作キー２７０６、外部接続ポート２７０７、
アンテナ２７０８等を含む。本発明の発光装置は、表示部２７０３に適用することができ
る。
【０４０４】
以上の様に、本発明の発光装置は、あらゆる電子機器の表示部として用いることができ
る。なお、本実施例の電子機器は、実施の形態１〜１１、実施例１のいずれの構成を用い
て作製された発光装置を用いても良い。
【符号の説明】
【０４０５】
１００ 基板
１０１ 剥離層
１０２ 第１の絶縁膜
１０３ 薄膜トランジスタ
１０４ 発光素子を駆動する回路を含む層
１０７ 半導体膜
１０８ ゲート絶縁膜
１０９ ゲート電極
１１０ 第２の絶縁膜
１１１ 電極
１１２ 第３の絶縁膜
１１３ 電極
１１４ 強度確保層
１１５ 開口部
１１６ 開口部
１１７ フィルム
１１８ 積層体
１１９ 導電膜
１２０ 電極
１２１ フィルム
１２２ 積層体
２００ 第２の基板
２０１ 下地膜
２０２ 薄膜トランジスタ
２０３ 第１の基板
２０４ 第１の電極
２０５ 導電性粒子
２０６ 発光素子
２０８ 発光物質を含む層
２０９ 第２の電極
２１０ 絶縁膜
２１１ 異方性導電膜
２１２ 電極
２１５ ゲート電極
２１６ ゲート絶縁膜
２１７ 半導体膜
２１８ 電極
２１９ 電極
２２０ 第１の層間絶縁膜
２２１ 第２の層間絶縁膜
２３０ 導電膜
３０３ 第１の基板
３０４ 第１の電極
３０６ 発光素子
３０７ 第１の絶縁膜
３０８ 発光物質を含む層
３０９ 第２の電極
３１０ 第２の絶縁膜
３１９ 電極
３２０ 導電膜
４０３ 第１の基板
４０４ 第１の電極
４０６ 発光素子
４０７ 第１の絶縁膜
４０８ 発光物質を含む層
４０９ 第２の電極
４１０ 第２の絶縁膜
４１１ 接着材
４１９ 電極
４２０ 第３の基板
４３０ 研磨手段
４３１ 導電膜
５００ 第２の基板
５０１ 下地膜
５０２ 薄膜トランジスタ
５０５ 導電性粒子
５１５ ゲート電極
５１６ ゲート絶縁膜
５１７ 半導体膜
５１８ 電極
５１９ 電極
５２０ 第１の基板
５２１ 配線
５２２ 発光物質を含む層
５２３ 配線
５２４ 異方性導電膜
５２６ 第１の層間絶縁膜
５２７ 絶縁膜
５２８ 第２の層間絶縁膜
５２９ 電極
５３０ 隔壁
５３２ 薄膜トランジスタ
５４５ ゲート電極
５４７ 半導体膜
５４８ 電極
５４９ 電極
５５０ 電極
６０１ 画素部
６０２ ソース信号線駆動回路
６０３ ゲート信号線駆動回路
６０４ 画素
６０５ スイッチング用トランジスタ
６０６ 駆動用トランジスタ
６０７ 発光素子
６０８ コンデンサ
６０９ 画素回路
７０１ 画素部
７０２ カラムドライバ
７０３ ロウドライバ
７０４ 発光素子
８００ 第２の基板
８０１ 下地膜
８０２ 薄膜トランジスタ
８０３ 第１の基板
８０４ 第１の電極
８０５ 導電性粒子
８０６ 発光素子
８０８ 発光物質を含む層
８０９ 第２の電極
８１０ 絶縁膜
８１１ 異方性導電膜
８１２ 電極
８１５ ゲート電極
８１６ ゲート絶縁膜
８１７ 結晶質半導体膜
８１８ 電極
８１９ 電極
８２０ 第１の層間絶縁膜
８２１ 撮像素子
８２２ 被写体
８２３ Ｐ型半導体
８２４ Ｉ型半導体
８２５ Ｎ型半導体
８２６ 電極
８３０ 第２の層間絶縁膜
９００ 第２の基板
９０１ 下地膜
９０２ 薄膜トランジスタ
９０３ 第１の基板
９０４ 第１の電極
９０５ 導電性粒子
９０６ 発光素子
９０７ 第１の電極
９０８ 発光物質を含む層
９０９ 第２の電極
９１０ 絶縁膜
９１１ 異方性導電膜
９１２ 電極
９１３ 電極
９１５ ゲート電極
９１６ ゲート絶縁膜
９１７ 結晶質半導体膜
９１８ 電極
９１９ 電極
９２０ 第１の層間絶縁膜
９２１ 撮像素子
９２２ 被写体
９２３ Ｐ型半導体
９２４ Ｉ型半導体
９２５ Ｎ型半導体
９２６ 電極
９２７ 薄膜トランジスタ
９２８ 結晶質半導体膜
９２９ ゲート電極
９３０ 電極
９３１ 第２の層間絶縁膜
１０００ 基板
１００１ 第１の絶縁膜
１００３ 薄膜トランジスタ
１００４ 発光素子を駆動する回路を含む層
１００７ 半導体膜
１００８ ゲート絶縁膜
１００９ ゲート電極
１０１０ 第２の絶縁膜
１０１１ 電極
１０１２ 第３の絶縁膜
１０１３ 電極
１０１４ 第４の絶縁膜
１０１５ 基板
１０１６ 研磨手段
１０１７ 導電膜
１０１８ 電極
１２０１ 画素部
１２０２ 画素
１２１１ スイッチング用トランジスタ
１２１２ 駆動用トランジスタ
１２１３ 容量素子
１２１４ 発光素子
１２１５ スイッチング用トランジスタ
１２１６ バッファ用トランジスタ
１２１７ リセット用トランジスタ
１２１８ 撮像素子
１２１９ 発光素子を含む副画素
１２２０ 撮像素子を含む副画素
１２２１ 走査線
１２２４ 信号線
１２２６ 電源線
１２２７ 電源線
１２２８ 画素回路
１２４５ 信号線
１２５０ 発光素子を含む副画素
１２５１ 発光素子を含む副画素
１２５２ 発光素子を含む副画素
１２５３ 撮像素子を含む副画素
１２５４ 撮像素子を含む副画素
１２５５ 撮像素子を含む副画素
１２５６ 発光素子を含む副画素
１２５７ 発光素子を含む副画素
１２５８ 発光素子を含む副画素
１２５９ 撮像素子を含む副画素
１２６０ 発光素子を含む副画素
１２６１ 撮像素子を含む副画素
１３０２ 切り換え回路
１３０４ ヒンジ用切り換え回路
１３１０ ボタン
１３２０ 筐体
１４００ 第１の基板
１４０１ 第２の基板
１４０３ 周辺駆動回路
１４０４ ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）
１４１１ 第１の基板
１４１２ 第１の基板
１４１３ 第１の基板
１４１４ 第１の基板
１４２３ 周辺駆動回路
１４２４ 周辺駆動回路
１４３１ 第２の基板
１４３２ 第２の基板
１４３３ 第２の基板
１４３４ 第２の基板
１４４１ 第１の基板
１４４２ 第１の基板
１４４３ 第１の基板
１４４４ 第１の基板
１４４５ 第１の基板
１４４６ 第１の基板
１４４７ 第１の基板
１４４８ 第１の基板
１４４９ 第１の基板
１５００ 第２の基板
１５０１ 下地膜
１５０２ 薄膜トランジスタ
１５０３ 第１の基板
１５０４ 第１の電極
１５０５ 導電性粒子
１５０６ 発光素子
１５０８ 発光物質を含む層
１５０９ 第２の電極
１５１１ 異方性導電膜
１５１５ ゲート電極
１５１６ ゲート絶縁膜
１５１７ 半導体膜
１５１８ 電極
１５２０ 第１の層間絶縁膜
１５２１ 第２の層間絶縁膜
１５３１ ＮＣＰ
１６０３ 第１の基板
１６０４ 第１の電極
１６０５ 導電性粒子
１６０６ 発光素子
１６０８ 発光物質を含む層
１６１１ 異方性導電膜
１６３１ ＮＣＰ
２００１ 筐体
２００２ 支持台
２００３ 表示部
２００４ スピーカー部
２００５ ビデオ入力端子
２１０１ 本体
２１０２ 表示部
２１０３ 受像部
２１０４ 操作キー
２１０５ 外部接続ポート
２１０６ シャッター
２２０１ 本体
２２０２ 筐体
２２０３ 表示部
２２０４ キーボード
２２０５ 外部接続ポート
２２０６ ポインティングマウス
２３０１ 本体
２３０２ 表示部
２３０３ スイッチ
２３０４ 操作キー
２３０５ 赤外線ポート
２４０１ 本体
２４０２ 筐体
２４０３ 表示部Ａ
２４０４ 表示部Ｂ
２４０５ 記録媒体読み込み部
２４０６ 操作キー
２４０７ スピーカー部
２５０１ 本体
２５０２ 表示部
２５０４ 操作スイッチ
２５０５ 表示部
２６０１ 本体
２６０２ 表示部
２６０３ 筐体
２６０４ 外部接続ポート
２６０５ リモコン受信部
２６０６ 受像部
２６０７ バッテリー
２６０８ 音声入力部
２６０９ 操作キー
２６１０ 接眼部
２７０１ 本体
２７０２ 筐体
２７０３ 表示部
２７０４ 音声入力部
２７０５ 音声出力部
２７０６ 操作キー
２７０７ 外部接続ポート
２７０８ アンテナ
１５１９Ａ 電極
１５１９Ｂ 電極
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子が形成された第１の基板と、前記発光素子を駆動するための画素回路が形成され、前記第１の基板と対向するように設けられた第２の基板と、を有し、前記発光素子と前記画素回路とが電気的に接続されていることを特徴とする発光装置。
【請求項１】
発光素子が形成された第１の基板と、前記発光素子を駆動するための画素回路が形成され、前記第１の基板と対向するように設けられた第２の基板と、を有し、前記発光素子と前記画素回路とが電気的に接続されていることを特徴とする発光装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【公開番号】特開２０１２−２３８６１０（Ｐ２０１２−２３８６１０Ａ）
【公開日】平成２４年１２月６日（２０１２．１２．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−１７４６７７（Ｐ２０１２−１７４６７７）
【出願日】平成２４年８月７日（２０１２．８．７）
【分割の表示】特願２００６−２０４５１３（Ｐ２００６−２０４５１３）の分割
【原出願日】平成１８年７月２７日（２００６．７．２７）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１２月６日（２０１２．１２．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年８月７日（２０１２．８．７）
【分割の表示】特願２００６−２０４５１３（Ｐ２００６−２０４５１３）の分割
【原出願日】平成１８年７月２７日（２００６．７．２７）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
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