説明

磁気記録媒体、磁気記録装置および磁気記録媒体製造方法

【課題】記録密度を向上させることができるとともに、サイドイレーズ現象を十分に抑制することができる磁気記録媒体、磁気記録装置および磁気記録媒体製造方法を提供すること。
【解決手段】パターンドメディアの記録層を、保磁力の大きい第1磁性記録層10dと、保磁力の小さい第2磁性記録層10eとを基板10a上に順に積層するとともに、第2磁性記録層10eの半径方向の辺を、第1磁性記録層10dの半径方向の辺よりも短い形状にする。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、垂直磁気記録用の磁気記録媒体、かかる磁気記録媒体を有する磁気記録装置、かかる磁気記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、磁気ディスクには、高密度に情報を記録することが可能である垂直磁気記録媒体が用いられている。また、最近では、記録密度のさらなる向上を目的として、パターンドメディアと呼ばれる垂直磁気記録媒体が研究されている。
【0003】
パターンドメディアとは、微小な磁性粒子が非磁性体によって隔離されて配置されている媒体である。パターンドメディアには多数の磁性粒子を配置することが可能であり、多くの磁性粒子を配置するほど、記録密度を向上させることが可能になる。ただし、磁性粒子を多く配置させるほど、磁性粒子間の距離が短くなり、磁性粒子にライト処理を行う際に隣接磁性粒子の記録磁区が反転するなどのサイドイレーズ現象が発生しやすくなるという問題を招く。
【0004】
サイドイレーズ現象を抑制する技術としては、2層構造の記録層を有するECC(Exchange Coupled Composite)媒体と呼ばれる垂直磁気記録媒体が知られている。ECC媒体では、印加磁界角度に対するスイッチング磁界の変化が緩やかになるため、磁性粒子の磁化反転を抑制することが可能になる。
【0005】
【特許文献1】特開2000−48340号公報
【特許文献2】特開2001−148110号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、上述したパターンドメディアの各磁性粒子を、単にECC媒体のような構造にしただけでは、サイドイレーズ現象を十分に抑制することができないという問題があった。サイドイレーズ現象が頻繁に発生すると、ビット誤り率(BER:Bit Error Rate)が高くなり、磁気記録媒体の品質が低下する。
【0007】
開示の技術は、上述した従来技術による問題点を解消するためになされたものであり、記録密度を向上させることができるとともに、サイドイレーズ現象を十分に抑制することができる磁気記録媒体、磁気記録装置および磁気記録媒体製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本願に開示する磁気記録媒体は、情報を記録する磁性粒子を非磁性体によって隔離して複数有する垂直磁気記録用の磁気記録媒体であって、前記磁性粒子は、第1磁性記録層の上に第2磁性記録層を積層して形成され、前記第2磁性記録層の半径方向の辺の長さが、前記第1磁性記録層の半径方向の辺の長さよりも短いことを要件とする。
【0009】
また、本願に開示する磁気記録媒体製造方法は、垂直磁気記録用の磁気記録媒体を製造する磁気記録媒体製造方法であって、基板上に、軟磁性材料、非磁性材料、保磁力の大きい磁性材料、保磁力の小さい磁性材料を順に積層する積層ステップと、前記積層ステップにおいて積層された層のうち、前記保磁力の大きい磁性材料により形成された第1磁性記録層と、前記保磁力の小さい磁性材料により形成された第2磁性記録層との一部に非磁性材料を注入する第一の非磁性材料注入ステップと、前記第2磁性記録層の半径方向の辺の長さが、前記第1磁性記録層の半径方向の辺の長さよりも短くなるように、前記第2磁性記録層の一部に非磁性材料を注入する第二の非磁性材料注入ステップとを含んだことを要件とする。
【0010】
なお、本願に開示する磁気記録媒体および磁気記録媒体製造方法の構成要素、表現または構成要素の任意の組合せを、方法、装置、システム、コンピュータプログラム、記録媒体、データ構造などに適用したものも、他の態様として有効である。
【発明の効果】
【0011】
本願に開示した磁気記録媒体によれば、記録密度を向上させることができるとともに、サイドイレーズ現象を十分に抑制することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【0012】
以下に、本願に開示する磁気記録媒体、磁気記録装置および磁気記録媒体製造方法の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施例により本願に開示する磁気記録媒体、磁気記録装置および磁気記録媒体製造方法が限定されるものではない。
【実施例】
【0013】
まず、本実施例に係る磁気記録媒体10を含む磁気記録装置1の構成について説明する。図1は、磁気記録装置1の構成を示す図である。図1において、磁気記録媒体10は、各種情報を高密度に記録する垂直磁気記録媒体であり、スピンドルモータ11により回転駆動される。
【0014】
磁気記録媒体10の読み書きは、ヘッド支持機構であるアーム12の一方の先端に設けられたヘッド13によって行われる。ヘッド13は、磁気記録媒体10の回転によって生じる揚力によって、磁気記録媒体10の表面からわずかに浮いた状態を維持して読み書きを実行する。また、アーム12のもう一方の端に設けられたヘッド駆動機構であるボイスコイルモータ14の駆動により、アーム12が軸15を中心とする円弧上を回動し、ヘッド13が磁気記録媒体10のトラック横断方向にシーク移動し、読み書きする対象のトラックを変更する。
【0015】
次に、本実施例に係る磁気記録媒体10の構造について説明する。なお、以下では、本実施例に係る磁気記録媒体10の特徴を明らかにするために、まず、従来のパターンドメディアの構造、および、2層の記録層を有するパターンドメディアの構造について説明し、次に、本実施例に係る磁気記録媒体10の構造について説明する。
【0016】
図2−1および図2−2を用いて、従来のパターンドメディア20の構造について説明する。図2−1は、従来のパターンドメディア20の表面の一部を拡大した図(本明細書では、「上面図」という)を示す図である。図2−2は、図2−1に示したA−A線の断面図を示す図である。図2−1では、縦軸方向を、パターンドメディア20の円周方向(磁性粒子のビット長方向)とし、横軸方向を、パターンドメディア20の半径方向(トラック横断方向)としている。
【0017】
パターンドメディアとは、磁性粒子が規則的に配置されている垂直磁気記録媒体である。図2−1では、パターンドメディア20が有する複数の磁性粒子のうち、一部の磁性粒子J201〜J218を示している。各々の磁性粒子J201〜J218間は、非磁性体により形成されている。また、図2−1に示すように、各々の磁性粒子J201〜J218は、円周方向の辺H21よりも、半径方向の辺H22の方が長くなるように形成されている。一般に、パターンドメディアは、円周方向の辺よりも半径方向の辺の方が長くなるように形成されることが多い。また、図2−2に示すように、磁性粒子J201〜J218は、所定の基板(例えば、ガラス基板など)20a上に配置されている。
【0018】
図2−1に示したようなパターンドメディア20に対してライト処理を行うと、サイドイレーズ現象が発生しやすいという問題がある。例えば、図2−1に示したパターンドメディア20において、ライト処理対象の磁性粒子が、磁性粒子J201〜J206であるとする。かかる場合、ヘッド13によって磁性粒子J201〜J206に磁界が加えられる。このとき、ヘッド13からの漏れ磁界によって、ライト処理対象でない磁性粒子J207〜J212が磁化反転するなどのサイドイレーズ現象が発生するおそれがある。
【0019】
特に、磁性体の形状磁気異方性という性質により、磁性体は、形状の長い方向へ磁化反転しやすい。このため、円周方向の辺H21よりも半径方向の辺H22の方が長くなるように設計されているパターンドメディア20では、各磁性粒子が磁化反転しやすいので、サイドイレーズ現象が発生しやすい。
【0020】
図3を用いて具体的に説明する。図3は、磁性粒子の磁化反転を説明するための図である。図3は、図2−1に示した磁性粒子J207およびJ213を示している。ここでは、磁性粒子J207が、ライト処理対象の磁性粒子であるものとする。かかる場合、ヘッド13によって磁性粒子J207に磁界M1が加えられる。このとき、磁性粒子J213には、ヘッド13からの漏れ磁界M2が加わる。前述したように、形状磁気異方性という性質により、磁性粒子J213は、辺が長い半径方向側に磁化反転しやすい。したがって、図3に示すように、磁性粒子J213は、漏れ磁界M2の影響を受けて磁化反転しやすい。このように、円周方向の辺よりも半径方向の辺の方が長い磁性粒子によって形成される従来のパターンドメディアには、サイドイレーズ現象が発生しやすいという問題があった。
【0021】
続いて、図4−1および図4−2を用いて、2層の記録層を有するパターンドメディアの構造について説明する。図4−1は、2層の記録層を有するパターンドメディア30の上面図を示す図である。図4−2は、図4−1に示したB−B線の断面図を示す図である。
【0022】
図4−1に示したパターンドメディア30は、図2−1に示したパターンドメディア20と同様に、磁性粒子が規則的に配置されおり、各々の磁性粒子間は、非磁性体により形成されている。なお、図4−1では、パターンドメディア30が有する複数の磁性粒子のうち、一部の磁性粒子J301〜J318を示している。
【0023】
また、図4−2に示すように、パターンドメディア30は、基板30a上に、保磁力の大きい第1磁性記録層30dと、保磁力の小さい第2磁性記録層30eとが順に積層されて記録層が形成されている。第1磁性記録層30dと第2磁性記録層30eとは、ECC媒体と同様に、非磁性中間層を介して積層されている。なお、パターンドメディア30は、図4−2に示した層以外の層も有するが、図4−2では、図示を省略している。
【0024】
図4−1および図4−2に示したようなパターンドメディア30は、ECC媒体と同様に、2層の記録層によって形成されているので、印加磁界角度に対するスイッチング磁界の変化が緩やかになる。このため、パターンドメディア30は、パターンドメディア20と比較すると、サイドイレーズ現象が発生しにくくなる。しかし、ECC媒体構造であっても、サイドイレーズ現象を十分に抑制できるとは言えず、特に、記録密度をさらに向上させる上で、ECC媒体によるサイドイレーズ現象の抑制効力は十分でなかった。
【0025】
そこで、本実施例に係る磁気記録媒体10では、パターンドメディアの記録層として、基板上に、保磁力の大きい第1磁性記録層と、保磁力の小さい第2磁性記録層とを順に積層するとともに、第2磁性記録層の半径方向の辺を、第1磁性記録層の半径方向の辺よりも短い形状にする。上述したように、磁性粒子には、長い形状方向へ磁化反転しやすい形状磁気異方性という性質があるので、第2磁性記録層の半径方向の辺を短くすることで、磁気粒子を半径方向に磁化反転しにくくすることができる。すなわち、本実施例に係る磁気記録媒体10は、パターンドメディアを採用することで、記録密度を向上させることができるとともに、第2磁性記録層の半径方向の辺を短くすることで、サイドイレーズ現象を十分に抑制することができる。なお、磁気記録媒体10は、図5−2に示した層以外の層も有するが、図5−2では、図示を省略している。
【0026】
図5−1および図5−2を用いて、本実施例に係る磁気記録媒体10の構造について説明する。図5−1は、本実施例に係る磁気記録媒体10の上面図を示す図である。図5−2は、図5−1に示したC−C線の断面図を示す図である。
【0027】
図5−1に示すように、磁気記録媒体10は、従来のパターンドメディア20と同様に、磁性粒子が規則的に配置されおり、各々の磁性粒子間は非磁性体により形成されている。また、図5−2に示すように、本実施例に係る磁気記録媒体10は、第2磁性記録層10eの半径方向の辺H13が、第1磁性記録層10dの半径方向の辺H12よりも短い形状になる。これにより、磁気記録媒体10では、漏れ磁界を与えられた磁性粒子を半径方向に磁化反転しにくくすることができる。
【0028】
なお、磁気記録媒体10において、第2磁性記録層10eの半径方向の辺H13と、円周方向の辺H11とを等しい長さにすることが望ましい。これは、形状磁気異方性の性質により、半径方向の辺H13と円周方向の辺H11とが等しい長さの場合、磁化反転しやすい方向が、半径方向と、円周方向とで等しくなるためである。これにより、磁性粒子の磁化方向の安定度が増し、より磁化反転しにくくすることができる。
【0029】
次に、本実施例に係る磁気記録媒体10の製造方法について説明する。図6は、本実施例に係る磁気記録媒体10の製造方法を説明するための図である。まず、基板10a上に軟磁性層10b、中間層10c、第1磁性記録層10d、第2磁性記録層10e、保護膜10fを製膜する(ステップS1)。例えば、製膜は、スパッタリング法を用いて行うことができる。
【0030】
ここで、磁気記録媒体10では、基板10aとして、ガラス基板を使用している。また、軟磁性層10bとして、Co、Fe、Ni、Cr、Nb、Zr、Ta、B、Ptのいずれかを含む合金を使用している。また、中間層10cとして、Ru、Ta、Cr、Ti、Wのいずれかを含む合金を使用している。また、第1磁性記録層10dとして、CoPt合金、FePt合金、CoPd合金、もしくは、CoPt多層膜、CoPd多層膜を使用している。また、第2磁性記録層10eとして、FeCo合金、FeCoNi合金、CoIr合金を使用している。
【0031】
また、磁気記録媒体10では、軟磁性層10bの膜厚を15[nm(ナノメートル)]とし、中間層10cの膜厚を1〜3[nm]とし、第1磁性記録層10dの膜厚を2[nm]以上とし、第2磁性記録層10eの膜厚を1[nm]以上としている。
【0032】
製膜後、真空中で、第1磁性記録層10dおよび第2磁性記録層10eにイオンを注入して、イオン注入部を非磁性体にする(ステップS2)。ここで、磁気記録媒体10では、第1磁性記録層10dの各磁性粒子の半径方向の辺が、円周方向の辺よりも長くなるようにイオン注入を行う。
【0033】
続いて、真空中で、第2磁性記録層10eにイオンを注入して、イオン注入部を非磁性体にする(ステップS3)。ここで、磁気記録媒体10では、第2磁性記録層10eの磁性粒子の円周方向の辺が、第1磁性記録層10dの円周方向の辺と等しい長さであり、かつ、第2磁性記録層10eの各磁性粒子の半径方向の辺が、第1磁性記録層10dの半径方向の辺よりも短くなるようにイオン注入を行う。
【0034】
続いて、第2磁性記録層10eの表面に潤滑剤を塗布して、潤滑層10gを製膜する(ステップS4)。このようにして製造された磁気記録媒体10は、図6に示した磁性粒子J101のように、第1磁性記録層10dと第2磁性記録層10eとの断面形状が凸型となる。
【0035】
なお、図6では、イオン注入によって第1磁性記録層10dおよび第2磁性記録層10eの一部を非磁性体にする例を示したが、他の手法によって、非磁性体にしてもよい。例えば、モールドで加圧することで、非磁性体を生成してもよい。
【0036】
次に、本実施例に係る磁気記録媒体10の効果について、従来の磁気記録媒体と比較して説明する。図7は、本実施例に係る磁気記録媒体10の効果を説明するための図である。図7では、従来例として、図2に示したパターンドメディア20を示し、比較例として、図4に示したパターンドメディア30を示す。また、本実施例に係る磁気記録媒体10として、円周方向の辺の長さと、半径方向の辺の長さとの比が異なる2つの磁気記録媒体10(A)および10(B)を示す。それぞれの媒体の構造は以下の通りである。
【0037】
パターンドメディア20の構造については、記録層の円周方向の辺の長さと半径方向の辺の長さとの比を「1:3」とし、記録層の膜厚を6[nm]とした。また、パターンドメディア30の構造については、第1磁性記録層および第2磁性記録層の円周方向の辺の長さと半径方向の辺の長さとの比を「1:3」とし、第1磁性記録層の膜厚を6[nm]とし、第2磁性記録層の膜厚を2[nm]とした。
【0038】
また、磁気記録媒体10(A)および10(B)の構造としては、各層の膜厚を、図6において説明した膜厚と同様とした。また、磁気記録媒体10(A)は、第2磁性記録層の円周方向の辺の長さと半径方向の辺の長さとの比を「1:2」とした。また、磁気記録媒体10(B)は、第2磁性記録層の円周方向の辺の長さと半径方向の辺の長さとの比を「1:1」とした。
【0039】
図7に示したグラフの横軸は、磁性粒子に対する印加磁界角度を示す。印加磁界角度とは、磁気記録媒体10の表面に対する垂直方向を基準として、かかる基準に対するヘッド13からの磁界の角度を示す。例えば、図3において、磁性粒子J207の表面に対する垂直方向を基準として、かかる基準に対する磁界M1の印加磁界角度は、0[°]である。
【0040】
図7に示したグラフの縦軸は、磁性粒子の磁化方向が180[°]反転する磁界の強さ(以下、磁性粒子の磁化方向が180[°]反転する磁界の強さを「飽和磁界Hs」という)を示す。具体的には、図7に示したグラフの縦軸は、印加磁界角度0[°]における飽和磁界Hs([0°])を基準値「1」として、基準値「1」に対する印加磁界角度x[°]における飽和磁界の割合である「Hs(x[°])/Hs(0[°])」を示す。
【0041】
すなわち、図7に示したパターンドメディア20の例では、印加磁界角度30[°]における飽和磁界Hs(30[°])は、印加磁界角度0[°]における飽和磁界Hs(0[°])の60[%]であることを示している。通常、ライト処理対象の磁性粒子に対しては、印加磁界角度0[°]で磁界が加えられるので、印加磁界角度30[°]で加えられる磁界は、漏れ磁界を示している。すなわち、図7に示したパターンドメディア20は、飽和磁界Hs(0[°])の60[%]の磁界の強さを有する漏れ磁界が印加磁界角度30[°]で加えられると、磁性粒子の磁化方向が180[°]反転することを示している。
【0042】
また、図7に示した磁気記録媒体10(B)の例では、印加磁界角度30[°]における飽和磁界Hs(30[°])は、印加磁界角度0[°]における飽和磁界Hs(0[°])の80[%]であることを示している。言い換えれば、飽和磁界Hs(0[°])の80[%]の磁界の強さを有する漏れ磁界が印加磁界角度30[°]で加えられると、磁性粒子の磁化方向が180[°]反転することを示している。
【0043】
このように、磁気記録媒体10(B)は、パターンドメディア20よりも、印加磁界角度に対する飽和磁界Hsの変化が緩やかであり、磁性粒子が磁化反転しにくいことが分かる。すなわち、磁気記録媒体10(B)は、パターンドメディア20よりも、サイドイレーズ現象が発生しにくいことが分かる。同様に、図7に示すように、磁気記録媒体10(B)は、パターンドメディア30よりも、印加磁界角度に対する飽和磁界Hsの変化が緩やかであり、サイドイレーズ現象が発生しにくいことが分かる。
【0044】
また、図7に示すように、磁気記録媒体10(B)は、磁気記録媒体10(A)よりも印加磁界角度に対する飽和磁界の変化が緩やかであるので、第2磁性記録層の半径方向の辺の長さを短くするほど、サイドイレーズ現象が発生しにくいことが分かる。
【0045】
上述してきたように、本実施例に係る磁気記録媒体10は、パターンドメディアの記録層として、基板10a上に、保磁力の大きい第1磁性記録層と、保磁力の小さい第2磁性記録層とが順に積層され、第2磁性記録層の半径方向の辺が、第1磁性記録層の半径方向の辺よりも短い形状であるので、記録密度を向上させることができるとともに、サイドイレーズ現象を十分に抑制することができる。
【0046】
なお、上記実施例では、パターンドメディアの記録層を、2層の記録層により積層する例を示したが、ディスクリートトラック媒体の記録層を、2層の記録層により積層して、表面側の第2磁性記録層の半径方向の辺を、基板側の第1磁性記録層の半径方向の辺よりも短くするようにしてもよい。これにより、ディスクリートトラック媒体においても、サイドイレーズ現象を、より抑制することができる。
【0047】
以上の実施例を含む実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
【0048】
(付記1)情報を記録する磁性粒子を非磁性体によって隔離して複数有する垂直磁気記録用の磁気記録媒体であって、
前記磁性粒子は、第1磁性記録層の上に第2磁性記録層を積層して形成され、
前記第2磁性記録層の半径方向の辺の長さが、前記第1磁性記録層の半径方向の辺の長さよりも短いことを特徴とする磁気記録媒体。
【0049】
(付記2)前記第2磁性記録層の半径方向の辺の長さと、該第2磁性記録層の円周方向の辺の長さとが等しいことを特徴とする付記1に記載の磁気記録媒体。
【0050】
(付記3)前記第1磁性記録層の円周方向の辺の長さが、該第1磁性記録層の半径方向の辺の長さよりも短いことを特徴とする付記1または2に記載の磁気記録媒体。
【0051】
(付記4)前記第1磁性記録層は、CoPt合金、FePt合金、CoPd合金、CoPt多層膜、または、CoPd多層膜のいずれかによって形成されることを特徴とする付記1〜3のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
【0052】
(付記5)前記第2磁性記録層は、FeCo合金、FeCoNi合金、または、CoIr合金のいずれかによって形成されることを特徴とする付記1〜4のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
【0053】
(付記6)情報を記録する磁性粒子を非磁性体によって隔離して複数有する垂直磁気記録用の磁気記録媒体を有する磁気記録装置であって、
前記磁気記録媒体が有する磁性粒子は、第1磁性記録層の上に第2磁性記録層を積層して形成され、
前記第2磁性記録層の半径方向の辺の長さが、前記第1磁性記録層の半径方向の辺の長さよりも短いことを特徴とする磁気記録装置。
【0054】
(付記7)前記第2磁性記録層の半径方向の辺の長さと、該第2磁性記録層の円周方向の辺の長さとが等しいことを特徴とする付記6に記載の磁気記録装置。
【0055】
(付記8)前記第1磁性記録層の円周方向の辺の長さが、該第1磁性記録層の半径方向の辺の長さよりも短いことを特徴とする付記6または7に記載の磁気記録装置。
【0056】
(付記9)前記第1磁性記録層は、CoPt合金、FePt合金、CoPd合金、CoPt多層膜、または、CoPd多層膜のいずれかによって形成されることを特徴とする付記6〜8のいずれか一つに記載の磁気記録装置。
【0057】
(付記10)前記第2磁性記録層は、FeCo合金、FeCoNi合金、または、CoIr合金のいずれかによって形成されることを特徴とする付記6〜9のいずれか一つに記載の磁気記録装置。
【0058】
(付記11)垂直磁気記録用の磁気記録媒体を製造する磁気記録媒体製造方法であって、
基板上に、軟磁性材料、非磁性材料、保磁力の大きい磁性材料、保磁力の小さい磁性材料を順に積層する積層ステップと、
前記積層ステップにおいて積層された層のうち、前記保磁力の大きい磁性材料により形成された第1磁性記録層と、前記保磁力の小さい磁性材料により形成された第2磁性記録層との一部に非磁性材料を注入する第一の非磁性材料注入ステップと、
前記第2磁性記録層の半径方向の辺の長さが、前記第1磁性記録層の半径方向の辺の長さよりも短くなるように、前記第2磁性記録層の一部に非磁性材料を注入する第二の非磁性材料注入ステップと
を含んだことを特徴とする磁気記録媒体製造方法。
【図面の簡単な説明】
【0059】
【図1】磁気記録装置の構成を示す図である。
【図2−1】従来のパターンドメディアの上面図を示す図である。
【図2−2】図2−1に示したA−A線の断面図を示す図である。
【図3】磁性粒子の磁化反転を説明するための図である。
【図4−1】2層の記録層を有するパターンドメディアの上面図を示す図である。
【図4−2】図4−1に示したB−B線の断面図を示す図である。
【図5−1】本実施例に係る磁気記録媒体の上面図を示す図である。
【図5−2】図5−1に示したC−C線の断面図を示す図である。
【図6】本実施例に係る磁気記録媒体の製造方法を説明するための図である。
【図7】本実施例に係る磁気記録媒体の効果を説明するための図である。
【符号の説明】
【0060】
1 磁気記録装置
10 磁気記録媒体
10a、30a 基板
10b 軟磁性層
10c 中間層
10d、30d 第1磁性記録層
10e、30e 第2磁性記録層
10f 保護膜
10g 潤滑層
11 スピンドルモータ
12 アーム
13 ヘッド
14 ボイスコイルモータ
15 軸
20、30 パターンドメディア

【特許請求の範囲】
【請求項1】
情報を記録する磁性粒子を非磁性体によって隔離して複数有する垂直磁気記録用の磁気記録媒体であって、
前記磁性粒子は、第1磁性記録層の上に第2磁性記録層を積層して形成され、
前記第2磁性記録層の半径方向の辺の長さが、前記第1磁性記録層の半径方向の辺の長さよりも短いことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項2】
前記第2磁性記録層の半径方向の辺の長さと、該第2磁性記録層の円周方向の辺の長さとが等しいことを特徴とする請求項1に記載の磁気記録媒体。
【請求項3】
前記第1磁性記録層の円周方向の辺の長さが、該第1磁性記録層の半径方向の辺の長さよりも短いことを特徴とする請求項1または2に記載の磁気記録媒体。
【請求項4】
前記第1磁性記録層は、CoPt合金、FePt合金、CoPd合金、CoPt多層膜、または、CoPd多層膜のいずれかによって形成されることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
【請求項5】
前記第2磁性記録層は、FeCo合金、FeCoNi合金、または、CoIr合金のいずれかによって形成されることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
【請求項6】
情報を記録する磁性粒子を非磁性体によって隔離して複数有する垂直磁気記録用の磁気記録媒体を有する磁気記録装置であって、
前記磁気記録媒体が有する磁性粒子は、第1磁性記録層の上に第2磁性記録層を積層して形成され、
前記第2磁性記録層の半径方向の辺の長さが、前記第1磁性記録層の半径方向の辺の長さよりも短いことを特徴とする磁気記録装置。
【請求項7】
前記第2磁性記録層の半径方向の辺の長さと、該第2磁性記録層の円周方向の辺の長さとが等しいことを特徴とする請求項6に記載の磁気記録装置。
【請求項8】
前記第1磁性記録層は、CoPt合金、FePt合金、CoPd合金、CoPt多層膜、または、CoPd多層膜のいずれかによって形成されることを特徴とする請求項6または7に記載の磁気記録装置。
【請求項9】
前記第2磁性記録層は、FeCo合金、FeCoNi合金、または、CoIr合金のいずれかによって形成されることを特徴とする請求項6〜8のいずれか一つに記載の磁気記録装置。
【請求項10】
垂直磁気記録用の磁気記録媒体を製造する磁気記録媒体製造方法であって、
基板上に、軟磁性材料、非磁性材料、保磁力の大きい磁性材料、保磁力の小さい磁性材料を順に積層する積層ステップと、
前記積層ステップにおいて積層された層のうち、前記保磁力の大きい磁性材料により形成された第1磁性記録層と、前記保磁力の小さい磁性材料により形成された第2磁性記録層との一部に非磁性材料を注入する第一の非磁性材料注入ステップと、
前記第2磁性記録層の半径方向の辺の長さが、前記第1磁性記録層の半径方向の辺の長さよりも短くなるように、前記第2磁性記録層の一部に非磁性材料を注入する第二の非磁性材料注入ステップと
を含んだことを特徴とする磁気記録媒体製造方法。

【図1】
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【図2−1】
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【図2−2】
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【図3】
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【図4−1】
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【図4−2】
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【図5−1】
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【図5−2】
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【図6】
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【図7】
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【公開番号】特開2009−283086(P2009−283086A)
【公開日】平成21年12月3日(2009.12.3)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2008−135678(P2008−135678)
【出願日】平成20年5月23日(2008.5.23)
【出願人】(000005223)富士通株式会社 (25,993)
【Fターム(参考)】