磁気記録媒体およびその製造方法ならびにそれを用いた磁気記録読取装置
【課題】基体の大きさに制限がなく、製造に真空チャンバー等の高価な機器を必要としない磁気記録媒体やその製造方法ならびにそれを用いた磁気記録読取装置を提供する。
【解決手段】磁気記録媒体１は、第１の官能基を有する第１の膜化合物の形成する被膜で被覆された基体１４の表面に、第１の官能基とカップリング反応により結合を形成する第１のカップリング反応基を有する第１のカップリング剤の形成する被膜で被覆された反応性磁性微粒子４２が配列した磁性微粒子層が、第１の官能基と第１のカップリング反応基とのカップリング反応により形成される結合を介して１層結合固定されている。あるいは、さらにその上に第１のカップリング反応基と反応する膜化合物の被膜で被覆された磁性微粒子２４および反応性磁性微粒子４２が交互に結合固定されている。
【解決手段】磁気記録媒体１は、第１の官能基を有する第１の膜化合物の形成する被膜で被覆された基体１４の表面に、第１の官能基とカップリング反応により結合を形成する第１のカップリング反応基を有する第１のカップリング剤の形成する被膜で被覆された反応性磁性微粒子４２が配列した磁性微粒子層が、第１の官能基と第１のカップリング反応基とのカップリング反応により形成される結合を介して１層結合固定されている。あるいは、さらにその上に第１のカップリング反応基と反応する膜化合物の被膜で被覆された磁性微粒子２４および反応性磁性微粒子４２が交互に結合固定されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体およびその製造方法ならびにそれを用いた磁気記録読取装置に関するものである。さらに詳しくは、表面に熱反応性、光反応性、ラジカル反応性、またはイオン反応性を付与した金属や金属酸化物よりなる磁性微粒子がカップリング剤を介した積層して磁気記録層を形成している磁気記録媒体およびその製造方法ならびにそれを用いた磁気記録読取装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、テープやディスク等の基体の表面に、磁気記録層としてバインダー樹脂中に分散した磁性金属微粒子や磁性金属酸化物微粒子を塗布硬化させた磁気記録媒体や、基体の表面に磁性金属あるいは磁性金属酸化物を蒸着した磁気記録媒体（例えば、特許文献１参照）が市販されている。
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−３１２３２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
塗布型の磁気記録媒体は、製造コストは低いという長所を有するものの、バインダー樹脂を必要とするため高密度記録が難しい。一方、蒸着型の磁気記録媒体は、バインダーを必要としないため記録の高密度化が比較的容易に達成できるものの、大型の真空設備を要するため製造コストが高いという欠点があった。また、いずれの方法も、磁気記録層と基体との接着強度が十分でなく、耐剥離性に乏しいという欠点があった。
【０００５】
さらに、任意の基体表面に磁性微粒子を１層のみ配列させた、粒子サイズレベルで均一な厚さを有する磁性微粒子膜よりなる磁気記録層（以下、単層磁気記録媒体という。）、および磁性微粒子膜を複数層累積した磁気記録層（以下、累積磁気記録媒体という。）ならびにそれらの製造方法は未だ開発および提供されていなかった。
また、使用する磁性微粒子のサイズや積層数によって磁気記録層の膜厚を制御するという技術的思想はこれまで提案されていない。
【０００６】
本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、磁性微粒子を用い、各種磁性微粒子本来の機能を損なうことなく、任意の基体表面に磁性微粒子を１層のみ並べた粒子サイズレベルで均一厚みの被膜（単層磁気記録媒体）や磁性微粒子を１層のみ並べた膜を複数層累積した被膜（累積磁気記録媒体）およびそれらの製造方法ならびにそれを用いた磁気記録読取装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的に沿う第１の発明に係る磁気記録媒体は、第１の官能基を有する第１の膜化合物の形成する被膜で被覆された基体の表面に、第２の官能基を有する第２の膜化合物の形成する被膜で被覆された磁性微粒子が配列した磁性微粒子層が１層結合固定された磁気記録媒体であって、前記被覆された磁性微粒子は、前記第１の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１の第１のカップリング反応基と、前記第２の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１の第２のカップリング反応基とを有する第１のカップリング剤と、前記第１および前記第２の官能基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記被覆された基体上に固定された磁気記録層を有する。
なお、「カップリング反応」とは、官能基間の付加反応、または縮合反応により生成する任意の反応をいい、熱反応、および光反応のいずれであってもよい。
【０００８】
第１の発明に係る磁気記録媒体において、前記第１の膜化合物と前記第２の膜化合物とが同一の化合物であることが好ましい。
【０００９】
第１の発明に係る磁気記録媒体において、前記第１および第２の膜化合物の形成する被膜の一方または双方が単分子膜であることが好ましい。
【００１０】
第２の発明に係る磁気記録媒体は、第１の官能基を有する第１の膜化合物の形成する被膜で被覆された基体の表面に、磁性微粒子が配列した磁性微粒子層が前記被覆された基体側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数）まで順次積層した磁気記録層を有し、第ｘ番目（ｘは、１≦ｍ≦ｎである整数）の前記磁性微粒子層を形成している前記磁性微粒子の表面は、第（ｘ＋１）の官能基を有する第ｍの膜化合物の形成する被膜で被覆されており、前記磁性微粒子層の第（ｘ−１）層と第ｘ層は、第ｘの官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１の第ｘのカップリング反応基と、前記第（ｘ＋１）の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１の第（ｘ＋１）のカップリング反応基とを有する第ｘのカップリング剤と、前記第ｘの官能基と前記第ｘのカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合、および前記第（ｘ＋１）の官能基と前記第（ｘ＋１）のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して互いに固定されている。
この場合において、前記第１〜第（ｎ＋１）の膜化合物、ならびに前記第１〜第ｎのカップリング剤がそれぞれ同一の化合物であることが好ましい。
また、前記第１〜第（ｎ＋１）の膜化合物が形成する被膜が全て単分子膜であることが好ましい。
【００１１】
第１および第２の発明に係る磁気記録媒体において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）結合であってもよい。
【００１２】
第１および第２の発明に係る磁気記録媒体において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とイソシアネート基との反応により形成されたＮＨ−ＣＯＮＨ結合であってもよい。
【００１３】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法は、分子の両端にそれぞれ第１の官能基および第１の結合基を有する第１の膜化合物の形成する被膜で被覆された基体の表面に、分子の両端にそれぞれ第２の官能基および第２の結合基を有する第２の膜化合物の形成する被膜で被覆された磁性微粒子が配列した磁性微粒子層が１層結合固定された磁気記録層を有する磁気記録媒体の製造方法であって、前記第１の膜化合物を含む溶液を基体の表面に接触させ、前記第１の結合基と前記基体の表面との間で結合を形成させ、前記第１の膜化合物の形成する被膜で前記基体の表面が被覆された被覆基体を調製する工程Ａと、前記第２の膜化合物を含む溶液を磁性微粒子の表面に接触させ、前記第２の結合基と前記第１の磁性微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記第２の膜化合物の形成する被膜で前記磁性微粒子の表面が被覆された第１の被覆磁性微粒子を調製する工程Ｂと、前記第１の官能基とカップリング反応して結合を形成する１または２以上の第１のカップリング反応基と、前記第２の官能基とカップリング反応して結合を形成する１または２以上の第２のカップリング反応基とを有する第１のカップリング剤を、前記被覆された基体および前記第１の被覆磁性微粒子の表面にそれぞれ接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応、および前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により結合を形成させ、前記第１の被覆磁性微粒子からなる１層の磁性微粒子層を、前記被覆基体の表面に結合固定し、次いで、前記被覆基体の表面に固定されなかった前記第１の被覆磁性微粒子を除去する工程Ｃとを有する。
【００１４】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記工程Ｃを磁場中で行うことが好ましい。
【００１５】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記工程Ｃでは、前記第１のカップリング剤を、まず、前記被覆基体の表面に接触させ、該第１のカップリング剤の被膜を有する反応性基体を調製し、次いで、該反応性基体の表面に前記第１の被覆磁性微粒子を接触させ、該反応性基体の表面に前記第１の被覆磁性微粒子を固定してもよい。
【００１６】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記工程Ｃでは、まず、前記第１の被覆磁性微粒子の表面に前記第１のカップリング剤を接触させ、前記第１のカップリング剤の被膜を有する第１の反応性磁性微粒子を調製し、次いで、該第１の反応性磁性微粒子の表面を前記被覆基体と接触させ、該被覆基体の表面に前記第１の反応性磁性微粒子を固定してもよい。
【００１７】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記第１の膜化合物と前記第２の膜化合物とが同一の化合物であることが好ましい。
【００１８】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記工程Ａおよび前記工程Ｂにおいて、未反応の前記第１および第２の膜化合物は洗浄除去され、前記被覆基体および前記第１の被覆磁性微粒子の表面で前記第１および第２の膜化合物がそれぞれ形成する被膜は、単分子膜であることが好ましい。
【００１９】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記基体上には、前記磁性微粒子層が前記基体側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数）まで順次積層した磁気記録層を有する磁気記録媒体の製造方法であって、分子の両端にそれぞれ第３の官能基および第３の結合基を有する第３の膜化合物を含む溶液を前記磁性微粒子の表面に接触させ、前記第３の結合基と前記磁性微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記第３の膜化合物の形成する被膜で表面が被覆された第２の被覆磁性微粒子を被覆し、次いで、前記第２の被覆磁性微粒子の表面に、前記第２のカップリング反応基と、前記第３の官能基とカップリング反応して結合を形成する１または２以上の第３のカップリング反応基とを有する第２のカップリング剤を接触させ、前記第３の官能基と前記第３のカップリング反応基とのカップリング反応により形成させた結合を介して固定された前記第２のカップリング剤の形成する被膜を表面に有する第２の反応性磁性微粒子を調製する工程Ｄと、前記磁気記録層の表層に位置する前記第１の被覆磁性微粒子の磁性微粒子層の表面に前記第２の反応性磁性微粒子を接触させ、前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により結合を形成させ、前記第２の反応性磁性微粒子を前記第１の被覆磁性微粒子の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第２の反応性磁性微粒子を除去する工程Ｅと、前記磁気記録媒体の表層に位置する前記第２の反応磁性微粒子の磁性微粒子層の表面に前記第１の被覆磁性微粒子を接触させ、前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により結合を形成させ、前記第１の被覆磁性微粒子を前記第２の反応性磁性微粒子の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第１の被覆磁性微粒子を除去する工程Ｆと、前記工程ＥおよびＦをこの順序で繰返し行い、ｎ層の前記磁性微粒子層からなる前記磁気記録層を形成する工程Ｇとをさらに有していてもよい。なお、工程Ｇは、ｎの値に応じて、工程Ｅおよび工程Ｆのいずれで終えてもよい。
【００２０】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記基体上には、前記磁性微粒子層が前記基体側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数）まで順次積層した磁気記録層を有する磁気記録媒体の製造方法であって、前記第３の膜化合物を含む溶液を前記磁性微粒子の表面に接触させ、前記第３の結合基と前記磁性微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記第３の膜化合物の形成する被膜で前記磁性微粒子の表面が被覆された第２の被膜磁性微粒子を調製する工程Ｄと、前記第１の反応性磁性微粒子の磁性微粒子層の表面に前記第２の被覆磁性微粒子を接触させ、前記第３の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応により結合を形成させ、前記第２の被覆磁性微粒子を前記第１の反応性磁性微粒子の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第２の被覆磁性微粒子を除去する工程Ｅと、前記第２の被覆磁性微粒子の磁性微粒子層の表面に前記第１の反応性磁性微粒子を接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応により結合を形成させ、前記第１の反応性磁性微粒子を前記第２の被覆磁性微粒子の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第１の反応性磁性微粒子を除去する工程Ｆと、前記工程ＥおよびＦをこの順序で繰返し行い、ｎ層の前記磁性微粒子層からなる前記磁気記録層を形成する工程Ｇとをさらに有していてもよい。なお、工程Ｇは、ｎの値に応じて、工程Ｅおよび工程Ｆのいずれで終えてもよい。
【００２１】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記工程Ｅ〜Ｇを磁場中で行うことが好ましい。
【００２２】
第３の発明に係る絶縁性磁気記録媒体の製造方法において、前記第１および第２の膜化合物が同一の化合物であることが好ましい。
また、前記工程Ｄにおいて、未反応の前記第１の膜化合物は洗浄除去され、前記第２の磁性微粒子の表面上で前記第１の膜化合物が形成する被膜は、単分子膜であることが好ましい。
【００２３】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記第１および第２の膜化合物、あるいは前記第１〜第３の膜化合物は全てアルコキシシラン化合物であり、前記膜化合物を含む溶液は、さらに縮合触媒として、カルボン酸金属塩、カルボン酸エステル金属塩、カルボン酸金属塩ポリマー、カルボン酸金属塩キレート、チタン酸エステル、およびチタン酸エステルキレートからなる群から選択される１または２以上の化合物を含んでいてもよい。
【００２４】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記第１および第２の膜化合物、あるいは前記第１〜第３の膜化合物は全てアルコキシシラン化合物であり、前記膜化合物を含む溶液は、さらに縮合触媒として、ケチミン化合物、有機酸、アルジミン化合物、エナミン化合物、オキサゾリジン化合物、およびアミノアルキルアルコキシシラン化合物からなる群より選択される１または２以上の化合物をさらに含んでいてもよい。
【００２５】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、さらに助触媒として、ケチミン化合物、有機酸、アルジミン化合物、エナミン化合物、オキサゾリジン化合物、およびアミノアルキルアルコキシシラン化合物からなる群より選択される１または２以上の化合物をさらに含んでいてもよい。
【００２６】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）結合であってもよい。
【００２７】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とイソシアネート基との反応により形成されたＮＨ−ＣＯＮＨ結合であってもよい。
【００２８】
第４の発明に係る磁気記録読取装置は、第１および第２の発明に係る磁気記録媒体を用いている。
【発明の効果】
【００２９】
請求項１〜８記載の磁気記録媒体、請求項９〜２５記載の磁気記録媒体の製造方法、および請求項２６記載の磁気記録読取装置においては、記録密度が高く、耐剥離性に優れた磁気記録媒体、および製造コストが低く、特殊な真空チャンバーや高温を必要としない塗布法で製造できる方法を提供できる。
また、基体の表面に磁性微粒子が配列した磁性微粒子層が１層結合固定されているので、磁気記録媒体の剥離強度を高めることができる。
さらに、カップリング反応により形成された結合を介して磁気記録媒体を１層ずつ積層固定することにより磁気記録層を形成するので、磁気記録層の膜厚の厳密な制御を容易に行うことができる。
【００３０】
特に、請求項２記載の磁気記録媒体においては、第１の膜化合物と第２の膜化合物とが同一の化合物であるので、製造コストを低減できる。
【００３１】
請求項３記載の磁気記録媒体においては、第１および第２の膜化合物の形成する被膜の一方または双方が単分子膜であるので、基体および磁性微粒子のいずれか一方または双方の本来の物性や機能を保持することができる。
【００３２】
請求項４記載の磁気記録媒体においては、基材側から空気との界面側に向かって磁性微粒子層が順次積層した磁気記録層について、積層された磁性微粒子層の数、各層の磁性微粒子層を構成する磁性微粒子の材質、粒径等を任意に定めることができるため、磁気記録媒体の膜厚、磁気特性、空隙率等を容易に制御できる。また、各層の磁性微粒子層の材質に応じて、最適な膜化合物およびカップリング剤を選択できる。
【００３３】
請求項５記載の磁気記録媒体においては、第１〜第（ｎ＋１）の膜化合物ならびに第１〜第ｎのカップリング剤がそれぞれ同一の化合物であるので、製造コストをさらに低減できる。
請求項６記載の磁気記録媒体においては、第１〜第（ｎ＋１）の膜化合物の形成する被膜が全て単分子膜であるので、基材および微粒子の本来の物性や機能を損なうことがない。
【００３４】
請求項７記載の磁気記録媒体においては、カップリング反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）結合であるので、加熱により強固な結合を形成できる。
【００３５】
請求項８記載の磁気記録媒体においては、カップリング反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とイソシアネート基との反応により形成されたＮＨ−ＣＯＮＨ結合であるので、加熱により強固な結合を形成できる。
【００３６】
請求項１０記載の磁気記録媒体の製造方法においては、工程Ｃを磁場中で行うので、磁気記録層の磁気異方性が増大し、磁気記録特性を向上できる。
【００３７】
請求項１１記載の磁気記録媒体の製造方法においては、工程Ｃにおいて、まず、被覆基体の表面に、第１のカップリング剤を接触させ、第１のカップリング剤の被膜を有する反応性基体を調製するので、第２の膜化合物の形成する被膜で覆われた磁性微粒子に対して前処理を行うことなく、第２の官能基と第２のカップリング反応基とのカップリング反応により、第２の膜化合物の形成する被膜で覆われた磁性微粒子を表面に結合固定することができる。
【００３８】
請求項１２記載の磁気記録媒体の製造方法においては、工程Ｃにおいて、まず、第１の被覆磁性微粒子の表面に第１のカップリング剤を接触させ、第１のカップリング剤の被膜を有する第１の反応性磁性微粒子を調製するので、第１の膜化合物の形成する被膜で覆われた基体に対して前処理を行うことなく、第１の官能基と第１のカップリング反応基とのカップリング反応により、第１の膜化合物の形成する被膜で覆われた基体の表面に第２の膜化合物の形成する被膜で覆われた磁性微粒子を表面に結合固定することができる。
【００３９】
請求項１３記載の磁気記録媒体の製造方法においては、第１および第２の膜化合物とが同一の化合物であるので、製造コストを低減できる。
【００４０】
請求項１４記載の磁気記録媒体の製造方法においては、第１および第２の膜化合物がそれぞれ形成する被膜が単分子膜であるので、基体および磁性微粒子の本来の物性や機能を保持することができる。
【００４１】
請求項１５記載の磁気記録媒体の製造方法においては、３種類の膜化合物、および２種類のカップリング剤を用いて任意の膜厚の磁気記録媒体を製造できる。
【００４２】
請求項１６記載の磁気記録媒体の製造方法においては、３種類の膜化合物、および１種類のカップリング剤を用いて任意の膜厚の磁気記録媒体を製造できるので、製造コストを低減できる。
【００４３】
請求項１７記載の磁気記録媒体の製造方法においては、工程Ｅ〜Ｇを磁場中で行うので、磁気記録層の磁気異方性が増大し、磁気記録特性を向上できる。
【００４４】
請求項１８記載の磁気記録媒体の製造方法においては、第１〜第３の膜化合物ならびに第１および第２のカップリング剤にそれぞれ同一の化合物を使用するので、製造コストを大幅に低減できる。
請求項１９記載の磁気記録媒体の製造方法においては、第１〜第３の膜化合物の形成する被膜が全て単分子膜であるので、基体および磁性微粒子の本来の物性や機能を損なうことがない。
【００４５】
請求項２０および２２記載の磁気記録媒体の製造方法においては、膜化合物を含む溶液が、さらに縮合触媒として、カルボン酸金属塩、カルボン酸エステル金属塩、カルボン酸金属塩ポリマー、カルボン酸金属塩キレート、チタン酸エステル、およびチタン酸エステルキレートからなる群から選択される１または２以上の化合物を含むので、反応性磁性微粒子の調製時間を短縮し、磁気記録媒体の製造をより高効率に行うことができる。
【００４６】
請求項２１および２３記載の磁気記録媒体の製造方法においては、膜化合物を含む溶液が、ケチミン化合物、有機酸、アルジミン化合物、エナミン化合物、オキサゾリジン化合物、アミノアルキルアルコキシシラン化合物からからなる群より選択される１または２以上の化合物をさらに含むので、反応性磁性微粒子の調製時間を短縮し、磁気記録媒体の製造をより高効率に行うことができる。特に、これらの化合物と上述の縮合触媒の両者をともに含む場合には、調製時間をさらに短縮できる。
【００４７】
請求項２４記載の磁気記録媒体の製造方法においては、カップリング反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）結合であるので、加熱により強固な結合を形成できる。
【００４８】
請求項２５記載の磁気記録媒体の製造方法においては、カップリング反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とイソシアネート基との反応により形成されたＮＨ−ＣＯＮＨ結合であるので、加熱により強固な結合を形成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４９】
続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施の形態につき説明し、本発明の理解に供する。
ここで、図１（ａ）は本発明の第１の実施の形態に係る磁気記録媒体の一例であるハードディスクドライブ用プラッタの断面構造を模式的に表した説明図、図１（ｂ）は本発明の第２の実施の形態に係るハードディスクドライブ用プラッタの断面構造を模式的に表した説明図、図２は、本発明の第１および第２の実施の形態に係るハードディスクドライブ用プラッタの製造方法において、エポキシ化アルミニウム基体を製造する工程を説明するために分子レベルまで拡大した概念図であり、図２（ａ）は反応前のアルミニウム基体の断面構造、図２（ｂ）はエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜が形成されたアルミニウム基体の断面構造をそれぞれ表し、図３は、同ハードディスクドライブ用プラッタの製造方法において、エポキシ化マグネタイト微粒子を製造する工程を説明するために分子レベルまで拡大した概念図であり、図３（ａ）は反応前のマグネタイト微粒子の断面構造、図３（ｂ）はエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜が形成されたマグネタイト微粒子の断面構造をそれぞれ表し、図４は、エポキシ化アルミニウム基体の表面に、エポキシ基と２−メチルイミダゾールのアミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して固定された２−メチルイミダゾールの被膜を有する反応性アルミニウム基体の断面構造を模式的に表した説明図、図５は、エポキシ化マグネタイト微粒子の表面に、エポキシ基と２−メチルイミダゾールのアミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して固定された２−メチルイミダゾールの被膜を有する反応性マグネタイト微粒子の断面構造を模式的に表した説明図である。
【００５０】
次に、本発明の第１の実施の形態に係るハードディスクドライブ用プラッタ１について説明する。
図１（ａ）に示すように、ハードディスクドライブ用プラッタ１は、反応性アルミニウム基体（反応性基体の一例）３２の表面に、エポキシ化マグネタイト微粒子（第１の被覆磁性微粒子の一例）２４が配列した磁性微粒子層が１層結合固定されている。磁性微粒子層は、エポキシ化アルミニウム基体１４側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数で、本実施の形態においてはｎ＝２）まで順次積層している。
【００５１】
反応性アルミニウム基体３２の表面は、エポキシ基を有する膜化合物（第１の膜化合物の一例）の単分子膜１３で被覆され、さらにその表面は、２−メチルイミダゾール（第１のカップリング剤の一例）のアミノ基（第１のカップリング反応基の一例）とエポキシ基とのカップリング反応により形成された結合を介して固定された２−メチルイミダゾールの被膜で被覆されている。
２層目の磁性微粒子層を形成しているエポキシ化マグネタイト微粒子２４の表面は、２−メチルイミダゾール（第３のカップリング剤の一例）のアミノ基（第３のカップリング反応基の一例）とエポキシ基とのカップリング反応により形成された結合を介して固定された２−メチルイミダゾールの被膜でさらに被覆されている。
反応性アルミニウム基体３２と第１層目の磁性微粒子層を形成するエポキシ化マグネタイト微粒子２４、および奇数層目の磁性微粒子層を形成するエポキシ化マグネタイト微粒子２４と第２層目の磁性微粒子層を形成する反応性マグネタイト微粒子４２との間は、エポキシ基と２−メチルイミダゾールのアミノ基またはイミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して互いに結合固定されている。
【００５２】
ハードディスクドライブ用プラッタ１の製造方法は、図２（ａ）、（ｂ）、図３（ａ）、（ｂ）、図４、および図５に示すように、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物（第１の膜化合物の一例）を含む溶液をアルミニウム基体（基体の一例）１１の表面に接触させ、アルコキシシリル基（第１の結合基の一例）とアルミニウム基体１１の表面との間で結合を形成させ、エポキシ化アルミニウム基体１４（被覆基体の一例）を調製する工程Ａ（図２参照）と、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物（第２の膜化合物の一例）をマグネタイト微粒子（磁性微粒子の一例）２１の表面に接触させ、アルコキシシリル基（第２の結合基の一例）とマグネタイト微粒子２１の表面との間で結合を形成させ、エポキシ化マグネタイト微粒子２４を調製する工程Ｂ（図３参照）と、まず、エポキシ化アルミニウム基体１４の表面に、２−メチルイミダゾールを接触させ、エポキシ基とアミノ基とをカップリング反応させて反応性アルミニウム基体３２を調製し、次いで、反応性アルミニウム基体３２の表面にエポキシ化マグネタイト微粒子２４を接触させ、エポキシ基とイミノ基（第２のカップリング反応基の一例）とのカップリング反応により結合を形成させ、エポキシ化アルミニウム基体１４の表面にエポキシ化マグネタイト微粒子２４を固定し、次いで、固定されなかったエポキシ化マグネタイト微粒子２４を除去する工程Ｃ（図４参照）と、エポキシ化アルコキシシラン化合物（第３の膜化合物の一例）を含む溶液をマグネタイト微粒子２１の表面に接触させ、アルコキシシリル基（第３の結合基の一例）とマグネタイト微粒子２１の表面との間で結合を形成させ、エポキシ化マグネタイト微粒子（第２の被覆磁性微粒子の一例）２４を調製し、次いで、エポキシ化マグネタイト微粒子２４の表面に、２−メチルイミダゾール（第２のカップリング剤の一例）を接触させ、エポキシ基（第３の官能基の一例）とアミノ基とのカップリング反応により形成させた結合を介して固定された２−メチルイミダゾールの形成する被膜を表面に有する反応性マグネタイト微粒子（第２の反応性磁性微粒子の一例）４２を調製する工程Ｄ（図５参照）と、エポキシ化マグネタイト微粒子２４の磁性微粒子層を有するハードディスクドライブ用プラッタ１の表面に反応性マグネタイト微粒子４２を接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により結合を形成させ、反応性マグネタイト微粒子４２をエポキシ化マグネタイト微粒子２４の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった反応性マグネタイト微粒子４２を除去する工程Ｅと、反応性マグネタイト微粒子４２の磁性微粒子層を有するハードディスクドライブ用プラッタ１の表面にエポキシ化マグネタイト微粒子２４を接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により結合を形成させ、エポキシ化マグネタイト微粒子２４を反応性マグネタイト微粒子４２の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかったエポキシ化マグネタイト微粒子２４を除去する工程Ｆとを有する。
【００５３】
以下、工程Ａ〜Ｆについてより詳細に説明する。
工程Ａでは、エポキシ基を有する膜化合物をアルミニウム基体１１に接触させ、エポキシ基を有する膜化合物の単分子膜１３で表面が覆われたエポキシ化アルミニウム基体１４を製造する（図２）。
なお、アルミニウム基体３１の大きさ（直径）および厚さには特に制限はないが、製造されるハードディスクドライブのサイズに応じて適宜選択され、例えば、８インチ、５インチ、３．５インチ、２．５インチ、１．８インチ、１．３インチ、１インチ、０．８５インチのいずれかである。
【００５４】
エポキシ基を有する膜化合物としては、アルミニウム基体１１の表面に吸着または結合し、自己組織化により単分子膜を形成することのできる任意の化合物を用いることができるが、直鎖状アルキレン基の一方の末端にエポキシ基（オキシラン環）を含む官能基を、他方の末端にアルコキシシリル基（第１の結合基の一例）をそれぞれ有し、下記の一般式（化１）で表されるアルコキシシラン化合物が好ましい。
【００５５】
【化１】
【００５６】
上式において、官能基Ｅはエポキシ基を有する官能基を、ｍは３〜２０の整数を、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基をそれぞれ表す。
用いることのできるエポキシ基を有する膜化合物の具体例としては、下記（１）〜（１２）に示したアルコキシシラン化合物が挙げられる。
【００５７】
（１） （ＣＨ２ＯＣＨ）ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
（２） （ＣＨ２ＯＣＨ）ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）７Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
（３） （ＣＨ２ＯＣＨ）ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）１１Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
（４） （ＣＨ２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ２）２）ＣＨ（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
（５） （ＣＨ２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ２）２）ＣＨ（ＣＨ２）４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
（６） （ＣＨ２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ２）２）ＣＨ（ＣＨ２）６Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
（７） （ＣＨ２ＯＣＨ）ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
（８） （ＣＨ２ＯＣＨ）ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）７Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
（９） （ＣＨ２ＯＣＨ）ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）１１Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
（１０） （ＣＨ２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ２）２）ＣＨ（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
（１１） （ＣＨ２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ２）２）ＣＨ（ＣＨ２）４Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
（１２） （ＣＨ２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ２）２）ＣＨ（ＣＨ２）６Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
【００５８】
ここで、（ＣＨ２ＯＣＨ）ＣＨ２Ｏ−基は、化２で表される官能基（グリシジルオキシ基）を表し、（ＣＨ２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ２）２）ＣＨ−基は、化３で表される官能基（３，４−エポキシシクロヘキシル基）を表す。
【００５９】
【化２】
【００６０】
【化３】
【００６１】
エポキシ化アルミニウム基体１４の製造は、エポキシ基およびアルコキシシリル基（第２の結合基の一例）を含むアルコキシシラン化合物と、アルコキシシリル基とアルミニウム基体１１の表面のヒドロキシル基１２との縮合反応を促進するための縮合触媒と、非水系の有機溶媒とを混合した反応液をアルミニウム基体１１の表面に塗布し、室温の空気中で反応させることにより行われる。塗布は、ドクターブレード法、ディップコート法、スピンコート法、スプレー法、スクリーン印刷法等の任意の方法により行うことができる。
【００６２】
縮合触媒としては、カルボン酸金属塩、カルボン酸エステル金属塩、カルボン酸金属塩ポリマー、カルボン酸金属塩キレート、チタン酸エステルおよびチタン酸エステルキレート等の金属塩が利用可能である。
縮合触媒の添加量は、好ましくはアルコキシシラン化合物の０．２〜５質量％であり、より好ましくは０．５〜１質量％である。
【００６３】
カルボン酸金属塩の具体例としては、酢酸第１スズ、ジブチルスズジラウレート、ジブチルスズジオクテート、ジブチルスズジアセテート、ジオクチルスズジラウレート、ジオクチルスズジオクテート、ジオクチルスズジアセテート、ジオクタン酸第１スズ、ナフテン酸鉛、ナフテン酸コバルト、２−エチルヘキセン酸鉄が挙げられる。
【００６４】
カルボン酸エステル金属塩の具体例としては、ジオクチルスズビスオクチリチオグリコール酸エステル塩、ジオクチルスズマレイン酸エステル塩が挙げられる。
カルボン酸金属塩ポリマーの具体例としては、ジブチルスズマレイン酸塩ポリマー、ジメチルスズメルカプトプロピオン酸塩ポリマーが挙げられる。
カルボン酸金属塩キレートの具体例としては、ジブチルスズビスアセチルアセテート、ジオクチルスズビスアセチルラウレートが挙げられる。
【００６５】
チタン酸エステルの具体例としては、テトラブチルチタネート、テトラノニルチタネートが挙げられる。
チタン酸エステルキレート類の具体例としては、ビス（アセチルアセトニル）ジ−プロピルチタネートが挙げられる。
【００６６】
アルコキシシリル基とアルミニウム基体１１の表面のヒドロキシル基１２とが縮合反応を起こし、下記の化４で示されるような構造を有するエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜１３を生成する。なお、酸素原子から延びた３本の単結合はアルミニウム基体１１の表面または隣接するシラン化合物のケイ素（Ｓｉ）原子と結合しており、そのうち少なくとも１本はアルミニウム基体１１の表面のケイ素原子と結合している。
【００６７】
【化４】
【００６８】
アルコキシシリル基は、水分の存在下で分解するので、反応は相対湿度４５％以下の空気中で行うことが好ましい。なお、縮合反応は、アルミニウム基体１１の表面に付着した油脂分や水分により阻害されるので、アルミニウム基体１１をよく洗浄して乾燥することにより、これらの不純物を予め除去しておくことが好ましい。
縮合触媒として上述の金属塩のいずれかを用いた場合、縮合反応の完了までに要する時間は２時間程度である。
【００６９】
上述の金属塩の代わりに、ケチミン化合物、有機酸、アルジミン化合物、エナミン化合物、オキサゾリジン化合物、アミノアルキルアルコキシシラン化合物からなる群より選択される１または２以上の化合物を縮合触媒として用いた場合、反応時間を１／２〜２／３程度まで短縮できる。
【００７０】
あるいは、これらの化合物を助触媒として、上述の金属塩と混合（質量比１：９〜９：１の範囲で使用可能だが、１：１前後が好ましい）して用いると、反応時間をさらに短縮できる。
【００７１】
例えば、縮合触媒として、ジブチルスズオキサイドの代わりにケチミン化合物であるジャパンエポキシレジン社のＨ３を用い、その他の条件は同一にしてエポキシ化マグネタイト微粒子２１の製造を行うと、エポキシ化マグネタイト微粒子２１の品質を損なうことなく反応時間を１時間程度にまで短縮できる。
【００７２】
さらに、縮合触媒として、ジャパンエポキシレジン社のＨ３とジブチルスズビスアセチルアセトネートとの混合物（混合比は１：１）を用い、その他の条件は同一にしてエポキシ化マグネタイト微粒子２１の製造を行うと、反応時間を２０分程度に短縮できる。
【００７３】
なお、ここで用いることができるケチミン化合物は特に限定されるものではないが、例えば、２，５，８−トリアザ−１，８−ノナジエン、３，１１−ジメチル−４，７，１０−トリアザ−３，１０−トリデカジエン、２，１０−ジメチル−３，６，９−トリアザ−２，９−ウンデカジエン、２，４，１２，１４−テトラメチル−５，８，１１−トリアザ−４，１１−ペンタデカジエン、２，４，１５，１７−テトラメチル−５，８，１１，１４−テトラアザ−４，１４−オクタデカジエン、２，４，２０，２２−テトラメチル−５，１２，１９−トリアザ−４，１９−トリエイコサジエン等が挙げられる。
【００７４】
また、用いることができる有機酸としても特に限定されるものではないが、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、マロン酸等が挙げられる。
【００７５】
反応液の製造には、有機塩素系溶媒、炭化水素系溶媒、フッ化炭素系溶媒、シリコーン系溶媒、およびこれらの混合溶媒を用いることができる。アルコキシシラン化合物の加水分解を防止するために、乾燥剤または蒸留により使用する溶媒から水分を除去しておくことが好ましい。また、溶媒の沸点は５０〜２５０℃であることが好ましい。
【００７６】
具体的に使用可能な溶媒としては、非水系の石油ナフサ、ソルベントナフサ、石油エーテル、石油ベンジン、イソパラフィン、ノルマルパラフィン、デカリン、工業ガソリン、ノナン、デカン、灯油、ジメチルシリコーン、フェニルシリコーン、アルキル変性シリコーン、ポリエーテルシリコーン、ジメチルホルムアミド等を挙げることができる。
さらに、メタノール、エタノール、プロパノール等のアルコール系溶媒、あるいはそれらの混合物を用いることもできる。
【００７７】
また、用いることができるフッ化炭素系溶媒としては、フロン系溶媒、フロリナート（米国３Ｍ社製）、アフルード（旭硝子株式会社製）等がある。なお、これらは１種単独で用いても良いし、良く混ざるものなら２種以上を組み合わせてもよい。さらに、ジクロロメタン、クロロホルム等の有機塩素系溶媒を添加してもよい。
【００７８】
反応液におけるアルコキシシラン化合物の好ましい濃度は、０．５〜３質量％である。
【００７９】
反応後、溶媒で洗浄し、未反応物として表面に残った余分なアルコキシシラン化合物および縮合触媒を除去すると、エポキシ基を有する膜化合物の単分子膜１３で表面が覆われたエポキシ化アルミニウム基体１４が得られる。このようにして製造されるエポキシ化アルミニウム基体１４の断面構造の模式図を図２（ｂ）に示す。
【００８０】
洗浄溶媒としては、アルコキシシラン化合物を溶解できる任意の溶媒を用いることができるが、安価であり、溶解性が高く、風乾により容易に除去することのできるジクロロメタン、クロロホルム、Ｎ−メチルピロリドン等が好ましい。
【００８１】
反応後、生成したエポキシ化アルミニウム基体１４を溶媒で洗浄せずに空気中に放置すると、表面に残ったアルコキシシラン化合物の一部が空気中の水分により加水分解を受け、生成したシラノール基がアルコキシシリル基と縮合反応を起こす。その結果、エポキシ化アルミニウム基体１４の表面にポリシロキサンよりなる極薄のポリマー膜が形成される。このポリマー膜は、エポキシ化アルミニウム基体１４の表面に必ずしも共有結合により固定されていないが、エポキシ基を含んでいるため、エポキシ化アルミニウム基体１４に対してエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜１３と同様の反応性を有している。そのため、洗浄を行わなくても、工程Ｃ以降の製造工程に特に支障をきたすことはない。
【００８２】
なお、本実施の形態においては、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物を用いたが、直鎖状アルキレン基の一方の末端にアミノ基を、他方の末端にアルコキシシリル基をそれぞれ有し、下記の一般式（化５）で表されるアルコキシシラン化合物を用いてもよい。なお、アミノ基と反応するカップリング剤としては、両端にグリシジル基を有する化合物が使用できる。
【００８３】
【化５】
【００８４】
上式において、ｍは３〜２０の整数を、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基をそれぞれ表す。
用いることのできるアミノ基を有する膜化合物の具体例としては、下記（２１）〜（２８）に示したアルコキシシラン化合物が挙げられる。
【００８５】
（２１） Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
（２２） Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）５Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
（２３） Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）７Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
（２４） Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）９Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
（２５） Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）５Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
（２６） Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）５Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
（２７） Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）７Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
（２８） Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）９Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
【００８６】
ただひ、この場合に反応液において用いることのできる縮合触媒のうち、スズ（Ｓｎ）塩を含む化合物は、アミノ基と反応して沈殿を生成するため、アミノ基を有するアルコキシシラン化合物に対しては縮合触媒として用いることができない。
したがって、アミノ基を有するアルコキシシラン化合物を用いる場合には、カルボン酸スズ塩、カルボン酸エステルスズ塩、カルボン酸スズ塩ポリマー、カルボン酸スズ塩キレートを除き、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物の場合と同様の化合物を単独でまたは２種類以上を混合して縮合触媒として用いることができる。
用いることのできる助触媒の種類およびそれらの組み合わせ、溶媒の種類、アルコキシシラン化合物、縮合触媒、および助触媒の濃度、反応条件ならびに反応時間についてはエポキシ基を有するアルコキシシラン化合物の場合と同様であるので、説明を省略する。
【００８７】
本実施の形態においては、基体材料としてアルミニウムをとして用いたが、ガラス、ポリカーボネート等の合成樹脂を用いることもできる。
また、磁気記録媒体として、フレキシブルディスクや磁気テープを製造する場合には、ポリエチレンやポリエステル等の合成樹脂フィルムまたは紙等の材料を基体材料として用いることができる。
基体材料の表面に水酸基、アミノ基等の活性水素基を有する場合には、アルミニウムの場合と同様に、膜化合物としてアルコキシシラン化合物を用いることができる。この様な基体の具体例としては、ガラス、紙等が挙げられる。合成樹脂を用いる場合には、プラズマ処理等により活性水素基を有する化合物をグラフトする等の処理を行うことにより、アルコキシシラン化合物を用いることができる場合がある。
（以上工程Ａ）
【００８８】
工程Ｂでは、工程Ａにおいて用いたものと同様のエポキシ基を有する膜化合物をマグネタイト微粒子２１と接触させ、エポキシ基を有する膜化合物の単分子膜２３で表面が覆われたエポキシ化マグネタイト微粒子２４を製造する（図３）。
【００８９】
用いることのできるマグネタイト微粒子２１の粒径に特に制限はないが、１０ｎｍ〜１μｍの範囲内であることが好ましい。マグネタイト微粒子２１の粒径が１０ｎｍ未満である場合には、膜化合物の分子サイズの影響が無視できなくなり、粒径が１μｍを上回る場合には、形成される磁気記録層の厚さに対してマグネタイト微粒子２１の直径が大きくなり過ぎるため、空隙率が増大して磁気記録特性が悪化する。
【００９０】
エポキシ化マグネタイト微粒子２４の製造は、エポキシ基を含むアルコキシシラン化合物と、アルコキシシリル基とマグネタイト微粒子２１の表面のヒドロキシル基２２との縮合反応を促進するための縮合触媒と、非水系の有機溶媒とを混合した反応液中にマグネタイト微粒子２１を分散させ、室温の空気中で反応させることにより行われる。
【００９１】
工程Ｂにおいて用いることのできるエポキシ基を有するアルコキシシラン化合物の種類、縮合触媒、助触媒の種類およびそれらの組み合わせ、溶媒の種類、アルコキシシラン化合物、縮合触媒、および助触媒の濃度、反応条件ならびに反応時間については工程Ａと同様であるので、説明を省略する。
【００９２】
反応後、溶媒で洗浄し、未反応物として表面に残った余分なアルコキシシラン化合物および縮合触媒を除去すると、エポキシ基を有する膜化合物の単分子膜２３で表面が覆われたエポキシ化マグネタイト微粒子２４が得られる。このようにして製造されるエポキシ化マグネタイト微粒子２４の断面構造の模式図を図３（ｂ）に示す。
【００９３】
洗浄溶媒としては、工程Ａと同様の洗浄溶媒を用いることができる。
反応後、生成したエポキシ化マグネタイト微粒子２４を溶媒で洗浄せずに空気中に放置すると、表面に残ったアルコキシシラン化合物の一部が空気中の水分により加水分解を受け、生成したシラノール基がアルコキシシリル基と縮合反応を起こす。その結果、エポキシ化マグネタイト微粒子２４の表面にポリシロキサンよりなる極薄のポリマー膜が形成される。このポリマー膜は、エポキシ化マグネタイト微粒子２４の表面に共有結合により固定されていないが、エポキシ基を含んでいるため、エポキシ化マグネタイト微粒子２４に対してエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜２３と同様の反応性を有している。そのため、洗浄を行わなくても、工程Ｃ以降の製造工程に特に支障をきたすことはない。
【００９４】
なお、本実施の形態においてはエポキシ基を有するアルコキシシラン化合物を用いたが、工程Ａと同様、直鎖状アルキレン基の一方の末端にアミノ基を、他方の末端にアルコキシシリル基をそれぞれ有するアルコキシシラン化合物を用いてもよい。
また、本実施の形態においては工程Ａと同一のアルコキシシラン化合物を用いているが、異なるアルコキシシラン化合物を用いてもよい。ただし、工程Ｃにおいて用いるカップリング剤のカップリング反応基と反応して結合を形成する官能基を有するものでなければならない。
【００９５】
また、本実施の形態においては、微粒子としてマグネタイト微粒子を用いたが、γ−Ｆｅ２Ｏ３、酸化クロム、Ｃｏ含有酸化鉄等の酸化物系磁性微粒子、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｐｔ合金等の他の金属系磁性微粒子を用いることもできる。また、磁気記録媒体として、光磁気ディスクを製造する場合には、ＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＦｅＣｏ等のカー効果を有する磁性微粒子を用いることもできる。
磁性微粒子の直径の好ましい範囲は、磁性微粒子の種類によって異なる場合がある。例えば、Ｆｅ−Ｐｔ合金の場合、微粒子の好ましい直径の下限値は５ｎｍ程度である。
【００９６】
マグネタイト微粒子以外の微粒子であっても、その表面に水酸基、アミノ基等の活性水素基を有する場合には、マグネタイトの場合と同様に、膜化合物としてアルコキシシラン化合物を用いることができる。
【００９７】
本実施の形態においては、第１および第２の膜化合物として、ともにエポキシ基を有する膜化合物を用いているが、両者は同一の化合物であってもよく、また異なる化合物であってもよい。さらに、第１および第２の膜化合物が異なる官能基（例えば、一方がエポキシ基で他方がイソシアネート基）を有していてもよい。
（以上工程Ｂ）
【００９８】
工程Ｃでは、まず、エポキシ化アルミニウム基体１４の表面に、２−メチルイミダゾールを接触させ、エポキシ基とアミノ基とをカップリング反応させて反応性アルミニウム基体３２を調製し、次いで、反応性アルミニウム基体３２の表面にエポキシ化マグネタイト微粒子２４を接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により結合を形成させ、エポキシ化アルミニウム基体１４の表面にエポキシ化マグネタイト微粒子２４を固定し、次いで、固定されなかったエポキシ化マグネタイト微粒子２４を除去する
【００９９】
２−メチルイミダゾールはエポキシ基と反応するアミノ基およびイミノ基をそれぞれ１−位および３−位に有しており、下記の化６に示すような架橋反応により結合を形成する。
【０１００】
【化６】
【０１０１】
反応性アルミニウム基体３２の製造は、２−メチルイミダゾールと溶媒とを混合した反応液をエポキシ化アルミニウム基体１４の表面に塗布し、加熱して反応させることにより行われる。塗布は、ドクターブレード法、ディップコート法、スピンコート法、スプレー法、スクリーン印刷法等の任意の方法により行うことができる。
膜前駆体の製造には、２−メチルイミダゾールが可溶な任意の溶媒を用いることができるが、価格、室温での揮発性、および毒性等を考慮すると、イソプロピルアルコール、エタノール等の低級アルコール系溶媒が好ましい。
２−メチルイミダゾールの添加量、塗布する溶液の濃度、反応温度および反応時間は、用いる基体および磁性微粒子の種類、形成するハードディスクドライブ用プラッタの膜厚等に応じて適宜調節される。
【０１０２】
反応後、溶媒で洗浄し、未反応物として表面に残った余分な２−メチルイミダゾールを除去すると、反応性単分子膜３１で表面が覆われた反応性アルミニウム基体３２が得られる（図４）。
【０１０３】
このようにして得られた反応性アルミニウム基体３２の表面にエポキシ化マグネタイト微粒子２４の分散液を塗布後加熱し、エポキシ化マグネタイト微粒子２１上のエポキシ基と、反応性単分子膜３１上の２−メチルイミダゾールに由来するイミノ基とのカップリング反応によりエポキシ化マグネタイト微粒子２４を反応性アルミニウム基体３２の表面に結合固定し、単層の磁性微粒子層を有するハードディスクドライブ用プラッタ１を製造する。
加熱温度は、１００〜２００℃が好ましい。加熱温度が１００℃未満だと、カップリング反応の進行に長時間を要し、２００℃を上回ると、エポキシ基を有する単分子膜２３や反応性単分子膜３１の分解反応が起こり、均一なハードディスクドライブ用プラッタ１が得られない。
【０１０４】
反応後、水やアルコール等の溶媒で洗浄することにより、過剰のエポキシ化マグネタイト微粒子２４を除去する。
【０１０５】
本実施の形態においては、カップリング剤として２−メチルイミダゾールを用いたが、下記化７で表される任意のイミダゾール誘導体を用いることができる。
【０１０６】
【化７】
【０１０７】
化７で表されるイミダゾール誘導体の具体例としては、下記（３１）〜（３８）に示すものが挙げられる。
（３１） ２−メチルイミダゾール（Ｒ２＝Ｍｅ、Ｒ４＝Ｒ５＝Ｈ）
（３２） ２−ウンデシルイミダゾール（Ｒ２＝Ｃ１１Ｈ２３、Ｒ４＝Ｒ５＝Ｈ）
（３３） ２−ペンタデシルイミダゾール（Ｒ２＝Ｃ１５Ｈ３１、Ｒ４＝Ｒ５＝Ｈ）
（３４） ２−メチル−４−エチルイミダゾール（Ｒ２＝Ｍｅ、Ｒ４＝Ｅｔ、Ｒ５＝Ｈ）
（３５） ２−フェニルイミダゾール（Ｒ２＝Ｐｈ、Ｒ４＝Ｒ５＝Ｈ）
（３６） ２−フェニル−４−エチルイミダゾール（Ｒ２＝Ｐｈ、Ｒ４＝Ｅｔ、Ｒ５＝Ｈ）
（３７） ２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール（Ｒ２＝Ｐｈ、Ｒ４＝Ｍｅ、Ｒ５＝ＣＨ２ＯＨ）
（３８） ２−フェニル−４，５−ビス（ヒドロキシメチル）イミダゾール（Ｒ２＝Ｐｈ、Ｒ４＝Ｒ５＝ＣＨ２ＯＨ）
なお、Ｍｅ、Ｅｔ、およびＰｈは、それぞれメチル基、エチル基、およびフェニル基を表す。
【０１０８】
また、エポキシ樹脂の硬化剤として用いられる無水フタル酸、無水マレイン酸等の酸無水物、ジシアンジアミド、ノボラック等のフェノール誘導体等の化合物をカップリング剤として用いてもよい。この場合、カップリング反応を促進するためにイミダゾール誘導体を触媒として用いてもよい。
【０１０９】
なお、本実施の形態においては官能基としてエポキシ基を有する膜化合物を用いた場合について説明しているが、官能基としてアミノ基またはイミノ基を有する膜化合物を用いる場合には、カップリング反応基として２もしくは３以上のエポキシ基または２もしくは３以上のイソシアネート基を有するカップリング剤を用いる。イソシアネート基を有する化合物の具体例としては、ｐ−フェニレンジイソシアネート、ヘキサメチレン−１，６−ジイソシアネート、トルエン−２，６−ジイソシアネート、トルエン−２，４−ジイソシアネート等が挙げられる。
これらのジイソシアネート化合物の添加量は、２−メチルイミダゾールの場合と同様、エポキシ化マグネタイト微粒子の５〜１５重量％が好ましい。この場合、膜前駆体の製造に用いることのできる溶媒としては、キシレン等の芳香族有機溶媒が挙げられる。
また、アミノ基を有する膜化合物を用いる場合には、架橋剤としては、エチレングリコールジグリシジルエーテル等の２または３以上のエポキシ基を有する化合物を用いることもできる。
（以上工程Ｃ）
【０１１０】
工程Ｄでは、エポキシ化アルコキシシラン化合物を含む溶液をマグネタイト微粒子２１の表面に接触させ、アルコキシシリル基とマグネタイト微粒子２１の表面との間で結合を形成させ、エポキシ化マグネタイト微粒子２４を調製し、次いで、エポキシ化マグネタイト微粒子２４の表面に、２−メチルイミダゾールを接触させ、エポキシ基と２−メチルイミダゾールに由来するアミノ基とのカップリング反応により形成させた結合を介して固定された２−メチルイミダゾールの形成する被膜を表面に有する反応性マグネタイト微粒子４２を調製する（図５）。
用いられる２−メチルイミダゾール溶液の濃度、反応条件等は、溶液を塗布するのではなく、エポキシ化マグネタイト微粒子２４を溶液中に分散させて加熱することを除くと、工程Ｃにおける反応性アルミニウム基体３２の調製の場合と同様であるので、詳しい説明を省略する。他に用いることのできるカップリング剤についても、工程Ｃにおける反応性アルミニウム基体４２の調製の場合と同様である。
【０１１１】
本実施の形態においては、第３の膜化合物として、ともにエポキシ基を有する膜化合物を用いているが、第１および第２の膜化合物の一方または双方と同一の化合物であってもよく、また異なる化合物であってもよい。さらに、第１および第２の膜化合物と異なる官能基（例えば、アミノ基）を有していてもよい。
（以上工程Ｄ）
【０１１２】
工程Ｅでは、工程Ｃで反応性アルミニウム基体３２の表面に結合固定させたエポキシ化マグネタイト微粒子２４の磁性微粒子層の表面に、工程Ｄで調製した反応性マグネタイト微粒子４２を接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により結合を形成させ、反応性マグネタイト微粒子４２をエポキシ化マグネタイト微粒子２４の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった反応性マグネタイト微粒子４２を除去する。
また、工程Ｆでは、工程Ｅで結合固定させた反応性マグネタイト微粒子４２の磁性微粒子層の表面にエポキシ化マグネタイト微粒子２４を接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により結合を形成させ、エポキシ化マグネタイト微粒子２４を反応性マグネタイト微粒子４２の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかったエポキシ化マグネタイト微粒子２４を除去する。
工程Ｅ、Ｆにおける反応条件については、工程Ｄと同様であるので、詳しい説明を省略する。
（以上工程ＥおよびＦ）
【０１１３】
本実施の形態においては、磁性微粒子層が２層積層した磁気記録層を有するハードディスクドライブ用プラッタの調製について説明したが、工程ＥおよびＦをこの順序で繰り返し行って、ｎ（ｎは２以上の整数）層の磁性微粒子層が積層した磁気記録層を形成する工程Ｇをさらに行ってもよい。なお、工程Ｇは、ｎの値に応じて、工程Ｅおよび工程Ｆのいずれで終えてもよい。
【０１１４】
工程Ｃ、Ｅ〜Ｇを磁場中で行うことにより（磁場配向処理）、エポキシ化マグネタイト微粒子２４および反応性マグネタイト微粒子４２の配向性を向上させ、より磁気記録特性の改善されたハードディスクドライブ用プラッタ１を得ることができる。磁場の印加には、永久磁石、電磁石、および超伝導磁石のいずれを用いてもよい。引加する磁場の強度および方向は、製造するハードディスクドライブ用プラッタ１に用いられる磁性微粒子、記録容量等に応じて適宜決定される。
なお、本実施の形態においてはエポキシ化アルミニウム基体を用いたが、工程Ｂを省略して普通のアルミニウム基体を基体として用いてもよい。
また、フレキシブルディスクや磁気テープの製造の際には、基体の熱変形や燃焼を防止するため、加熱温度は、例えば、５０〜１００℃が好ましい。
【０１１５】
次に、本発明の第２の実施の形態に係るハードディスクドライブ用プラッタ２について説明する。
図１（ｂ）に示すように、ハードディスクドライブ用プラッタ２は、エポキシ化アルミニウム基体１４の表面に、反応性マグネタイト微粒子４２が配列した磁性微粒子層が１層結合固定されている。磁性微粒子層は、エポキシ化アルミニウム基体１４側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数で、本実施の形態においてはｎ＝２）まで順次積層している。
【０１１６】
エポキシ化アルミニウム基体１４の表面は、エポキシ基を有する膜化合物の単分子膜１３で被覆されている。
１層目の磁性微粒子層を形成している反応性マグネタイト微粒子４２（第1の反応性磁性微粒子の一例）の表面は、２−メチルイミダゾールのアミノ基とエポキシ基とのカップリング反応により形成された結合を介して固定された２−メチルイミダゾールの被膜でさらに被覆されている。
エポキシ化アルミニウム基体１４と第１層目の磁性微粒子層を形成する反応性マグネタイト微粒子４２、および奇数層目の磁性微粒子層を形成する反応性マグネタイト微粒子４２と偶数層目の磁性微粒子層を形成するエポキシ化マグネタイト微粒子２４との間は、エポキシ基と２−メチルイミダゾールのアミノ基またはイミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して互いに結合固定されている。
【０１１７】
ハードディスクドライブ用プラッタ２の製造方法は、図２（ａ）、（ｂ）、図３（ａ）、（ｂ）、および図５に示すように、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物を含む溶液をアルミニウム基体１１の表面に接触させ、アルコキシシリル基とアルミニウム基体１１の表面との間で結合を形成させ、エポキシ化アルミニウム基体１４を調製する工程Ａと、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物をマグネタイト微粒子２１の表面に接触させ、アルコキシシリル基とマグネタイト微粒子２１の表面との間で結合を形成させ、エポキシ化マグネタイト微粒子２４を調製する工程Ｂと、まず、エポキシ化マグネタイト微粒子２４の表面に、２−メチルイミダゾールを接触させ、エポキシ基とアミノ基とをカップリング反応させて反応性アルミニウム基体３２を調製し、次いで、反応性アルミニウム基体３２の表面に反応性マグネタイト微粒子４２を接触させ、エポキシ基とイミノ基（第２のカップリング反応基の一例）とのカップリング反応により結合を形成させ、エポキシ化アルミニウム基体１４の表面に反応性マグネタイト微粒子４２を固定し、次いで、固定されなかった反応性マグネタイト微粒子４２を除去する工程Ｃと、エポキシ化アルコキシシラン化合物を含む溶液をマグネタイト微粒子２１の表面に接触させ、アルコキシシリル基とマグネタイト微粒子２１の表面との間で結合を形成させ、エポキシ化マグネタイト微粒子２４を調製する工程Ｄと、反応性マグネタイト微粒子４２の磁性微粒子層を有するハードディスクドライブ用プラッタ１の表面にエポキシ化マグネタイト微粒子２４を接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により結合を形成させ、反応性エポキシ化マグネタイト微粒子２４を反応性マグネタイト微粒子４２の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかったエポキシ化マグネタイト微粒子２４を除去する工程Ｅと、エポキシ化マグネタイト微粒子２４の磁性微粒子層を有するハードディスクドライブ用プラッタ１の表面に反応性マグネタイト微粒子４２を接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により結合を形成させ、反応性マグネタイト微粒子４２をエポキシ化マグネタイト微粒子２４の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった反応性マグネタイト微粒子４２を除去する工程Ｆとを有する。
【０１１８】
工程Ａ〜Ｆにおける、エポキシ化アルミニウム基体１４、エポキシ化マグネタイト微粒子２４、反応性アルミニウム基体３２、および反応性マグネタイト微粒子４２の調製、ならびにこれらの反応については、第１の実施の形態にかかるハードディスクドライブ用プラッタ１の場合と同様であるので、詳しい説明は省略する。
【０１１９】
以上、本発明の第１および第２の実施の形態に係るハードディスク用プラッタおよびその製造方法について説明したが、フレキシブルディスク、光磁気ディスク、磁気テープ（オーディオ用およびデータ保存用のいずれでもよく、アナログおよびデジタル記録用のいずれであってもよい）、磁気カード（銀行用カード、クレジットカード、電話および交通機関用プリペイドカード、鉄道用乗車券および定期券等）等の任意の磁気記録媒体に対して、本発明は適用できる。
【実施例】
【０１２０】
次に、本発明の作用効果を確認するために行った実施例について説明する。
【０１２１】
実施例１：エポキシ化アルミニウム基体の調製
アルミニウム基体を用意し、洗浄後よく乾燥した。
３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（化８、信越化学工業株式会社製）０．９９重量部、およびジブチルスズビスアセチルアセトナート（縮合触媒）０．０１重量部を秤量し、これを１００重量部のヘキサメチルジシロキサン溶媒に溶解し、反応液を調製した。
【０１２２】
【化８】
【０１２３】
このようにして得られた反応液をアルミニウム基体に塗布し、空気中（相対湿度４５％）で２時間程度反応させた。
その後、クロロホルムで洗浄し、余分なアルコキシシラン化合物およびジブチルスズビスアセチルアセトナートを除去した。
【０１２４】
実施例２；エポキシ化マグネタイト微粒子の調製
粒径が１００ｎｍ程度の無水のマグネタイト微粒子を用意し、よく乾燥した。
３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（化８）０．９９重量部、およびジブチルスズビスアセチルアセトナート（縮合触媒）０．０１重量部を秤量し、これを１００重量部のヘキサメチルジシロキサン溶媒に溶解し、反応液を調製した。
【０１２５】
このようにして得られた反応液中にマグネタイト微粒子を混合し、撹拌しながら空気中（相対湿度４５％）で２時間程度反応させた。
その後、トリクレンで洗浄し、余分なアルコキシシラン化合物およびジブチルスズビスアセチルアセトナートを除去した。
【０１２６】
実施例３：反応性アルミニウム基体の調製
実施例１で調製したエポキシ化アルミニウム基体の表面に、２−メチルイミダゾールのエタノール溶液を塗布し、１００℃で加熱すると、エポキシ基と２−メチルイミダゾールのアミノ基とが反応して反応性アルミニウム基体が得られた。エタノールで洗浄することにより余分な２−メチルイミダゾールを除去した。
【０１２７】
実施例４：反応性マグネタイト微粒子の調製
実施例２で調製したエポキシ化マグネタイト微粒子を、２−メチルイミダゾールのエタノール溶液中に分散して、１００℃で加熱すると、エポキシ基と２−メチルイミダゾールのアミノ基とが反応して反応性アルミニウム基体が得られた。エタノールで洗浄することにより余分な２−メチルイミダゾールを除去した。
【０１２８】
実施例５：ハードディスクドライブ用プラッタの調製（１）
実施例３で調製した反応性アルミニウム基体の表面に、実施例２で調製したエポキシ化マグネタイト微粒子のエタノール分散液を塗布し、１００℃で加熱した。反応後、水で洗浄し、余分なエポキシ化マグネタイト微粒子を除去した。
このようにして得られた、磁性微粒子層が１層積層した単層ハードディスクドライブ用プラッタの表面に、実施例４で調製した反応性マグネタイト微粒子のエタノール分散液をさらに塗布し、１００℃で加熱した。反応後、水で洗浄し、余分な反応性マグネタイト微粒子を除去すると、２層の磁性微粒子層が積層した累積ハードディスクドライブ用プラッタが得られた。
単層ハードディスクドライブ用プラッタにおいて、磁性微粒子層の厚さは約１００ｎｍで、かつ均一性が高かったため、干渉色は観測されなかった。
【０１２９】
実施例６：ハードディスクドライブ用プラッタの調製（２）
実施例１で調製したエポキシ化アルミニウム基体の表面に、実施例４で調製した反応性マグネタイト微粒子のエタノール分散液を塗布し、１００℃で加熱した。反応後、水で洗浄し、余分な反応性マグネタイト微粒子を除去した。
このようにして得られた、磁性微粒子層が１層積層した単層ハードディスクドライブ用プラッタの表面に、実施例２で調製したエポキシ化マグネタイト微粒子のエタノール分散液をさらに塗布し、１００℃で加熱した。反応後、水で洗浄し、余分なエポキシ化マグネタイト微粒子を除去すると、２層の磁性微粒子層が積層した累積ハードディスクドライブ用プラッタが得られた。
累積ハードディスクドライブ用プラッタにおいて、磁性微粒子層の厚さは約２００ｎｍで、かつ均一性が高かったため、干渉色は観測されなかった。
【０１３０】
実施例７：ハードディスクドライブ用プラッタの調製（３）
３−アミノプロピルトリメトキシシラン（化９、信越化学工業株式会社製）０．９９重量部、および酢酸（縮合触媒）０．０１重量部を秤量し、これを１００重量部のヘキサメチルジシロキサン−ジメチルホルムアミド混合溶媒（１：１ｖ／ｖ）に溶解した反応液を用いて、実施例１および実施例２と同様の処理を行い、アミノ化アルミニウム基体および粒径が約１００ｎｍのアミノ化マグネタイト微粒子を調製した。
また、カップリング剤として、ｐ−フェニレンジイソシアネートを用いて、実施例３および実施例４と同様の処理を行い、カップリング反応基としてイソシアネート基を有する反応性アルミニウム基体および反応性マグネタイト微粒子を調製した。
これらの原料を用いて、実施例５および実施例６と同様の処理を行うと、１層または２層の磁性微粒子層が積層した累積ハードディスクドライブ用プラッタが得られた。
２層ハードディスクドライブ用プラッタにおいて、磁性微粒子層の厚さは約２００ｎｍで、かつ均一性が高かったため、干渉色は観測されなかった。
【０１３１】
【化９】
【図面の簡単な説明】
【０１３２】
【図１】（ａ）は本発明の第１の実施の形態に係るハードディスクドライブ用プラッタの断面構造を模式的に表した説明図、（ｂ）は本発明の第２の実施の形態に係るハードディスクドライブ用プラッタの断面構造を模式的に表した説明図である。
【図２】本発明の第１および第２の実施の形態に係るハードディスクドライブ用プラッタの製造方法において、エポキシ化アルミニウム基体を製造する工程を説明するために分子レベルまで拡大した概念図であり、（ａ）は反応前のアルミニウム基体の断面構造、（ｂ）はエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜が形成されたアルミニウム基体の断面構造をそれぞれ表す。
【図３】同ハードディスクドライブ用プラッタの製造方法において、エポキシ化マグネタイト微粒子を製造する工程を説明するために分子レベルまで拡大した概念図であり、（ａ）は反応前のマグネタイト微粒子の断面構造、（ｂ）はエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜が形成されたマグネタイト微粒子の断面構造をそれぞれ表す。
【図４】エポキシ化アルミニウム基体の表面に、エポキシ基と２−メチルイミダゾールのアミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して固定された２−メチルイミダゾールの被膜を有する反応性アルミニウム基体の断面構造を模式的に表した説明図である。
【図５】エポキシ化マグネタイト微粒子の表面に、エポキシ基と２−メチルイミダゾールのアミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して固定された２−メチルイミダゾールの被膜を有する反応性マグネタイト微粒子の断面構造を模式的に表した説明図である。
【符号の説明】
【０１３３】
１、２：ハードディスクドライブ用プラッタ、１１：アルミニウム基体、１２、２２：ヒドロキシル基、１３、２３：エポキシ基を有する膜化合物の単分子膜、１４：エポキシ化アルミニウム基体、２１：マグネタイト微粒子、２４：エポキシ化マグネタイト微粒子、３１、４１：反応性単分子膜、３２：反応性アルミニウム基体、４２：反応性マグネタイト微粒子
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体およびその製造方法ならびにそれを用いた磁気記録読取装置に関するものである。さらに詳しくは、表面に熱反応性、光反応性、ラジカル反応性、またはイオン反応性を付与した金属や金属酸化物よりなる磁性微粒子がカップリング剤を介した積層して磁気記録層を形成している磁気記録媒体およびその製造方法ならびにそれを用いた磁気記録読取装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、テープやディスク等の基体の表面に、磁気記録層としてバインダー樹脂中に分散した磁性金属微粒子や磁性金属酸化物微粒子を塗布硬化させた磁気記録媒体や、基体の表面に磁性金属あるいは磁性金属酸化物を蒸着した磁気記録媒体（例えば、特許文献１参照）が市販されている。
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−３１２３２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
塗布型の磁気記録媒体は、製造コストは低いという長所を有するものの、バインダー樹脂を必要とするため高密度記録が難しい。一方、蒸着型の磁気記録媒体は、バインダーを必要としないため記録の高密度化が比較的容易に達成できるものの、大型の真空設備を要するため製造コストが高いという欠点があった。また、いずれの方法も、磁気記録層と基体との接着強度が十分でなく、耐剥離性に乏しいという欠点があった。
【０００５】
さらに、任意の基体表面に磁性微粒子を１層のみ配列させた、粒子サイズレベルで均一な厚さを有する磁性微粒子膜よりなる磁気記録層（以下、単層磁気記録媒体という。）、および磁性微粒子膜を複数層累積した磁気記録層（以下、累積磁気記録媒体という。）ならびにそれらの製造方法は未だ開発および提供されていなかった。
また、使用する磁性微粒子のサイズや積層数によって磁気記録層の膜厚を制御するという技術的思想はこれまで提案されていない。
【０００６】
本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、磁性微粒子を用い、各種磁性微粒子本来の機能を損なうことなく、任意の基体表面に磁性微粒子を１層のみ並べた粒子サイズレベルで均一厚みの被膜（単層磁気記録媒体）や磁性微粒子を１層のみ並べた膜を複数層累積した被膜（累積磁気記録媒体）およびそれらの製造方法ならびにそれを用いた磁気記録読取装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的に沿う第１の発明に係る磁気記録媒体は、第１の官能基を有する第１の膜化合物の形成する被膜で被覆された基体の表面に、第２の官能基を有する第２の膜化合物の形成する被膜で被覆された磁性微粒子が配列した磁性微粒子層が１層結合固定された磁気記録媒体であって、前記被覆された磁性微粒子は、前記第１の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１の第１のカップリング反応基と、前記第２の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１の第２のカップリング反応基とを有する第１のカップリング剤と、前記第１および前記第２の官能基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記被覆された基体上に固定された磁気記録層を有する。
なお、「カップリング反応」とは、官能基間の付加反応、または縮合反応により生成する任意の反応をいい、熱反応、および光反応のいずれであってもよい。
【０００８】
第１の発明に係る磁気記録媒体において、前記第１の膜化合物と前記第２の膜化合物とが同一の化合物であることが好ましい。
【０００９】
第１の発明に係る磁気記録媒体において、前記第１および第２の膜化合物の形成する被膜の一方または双方が単分子膜であることが好ましい。
【００１０】
第２の発明に係る磁気記録媒体は、第１の官能基を有する第１の膜化合物の形成する被膜で被覆された基体の表面に、磁性微粒子が配列した磁性微粒子層が前記被覆された基体側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数）まで順次積層した磁気記録層を有し、第ｘ番目（ｘは、１≦ｍ≦ｎである整数）の前記磁性微粒子層を形成している前記磁性微粒子の表面は、第（ｘ＋１）の官能基を有する第ｍの膜化合物の形成する被膜で被覆されており、前記磁性微粒子層の第（ｘ−１）層と第ｘ層は、第ｘの官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１の第ｘのカップリング反応基と、前記第（ｘ＋１）の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１の第（ｘ＋１）のカップリング反応基とを有する第ｘのカップリング剤と、前記第ｘの官能基と前記第ｘのカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合、および前記第（ｘ＋１）の官能基と前記第（ｘ＋１）のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して互いに固定されている。
この場合において、前記第１〜第（ｎ＋１）の膜化合物、ならびに前記第１〜第ｎのカップリング剤がそれぞれ同一の化合物であることが好ましい。
また、前記第１〜第（ｎ＋１）の膜化合物が形成する被膜が全て単分子膜であることが好ましい。
【００１１】
第１および第２の発明に係る磁気記録媒体において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）結合であってもよい。
【００１２】
第１および第２の発明に係る磁気記録媒体において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とイソシアネート基との反応により形成されたＮＨ−ＣＯＮＨ結合であってもよい。
【００１３】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法は、分子の両端にそれぞれ第１の官能基および第１の結合基を有する第１の膜化合物の形成する被膜で被覆された基体の表面に、分子の両端にそれぞれ第２の官能基および第２の結合基を有する第２の膜化合物の形成する被膜で被覆された磁性微粒子が配列した磁性微粒子層が１層結合固定された磁気記録層を有する磁気記録媒体の製造方法であって、前記第１の膜化合物を含む溶液を基体の表面に接触させ、前記第１の結合基と前記基体の表面との間で結合を形成させ、前記第１の膜化合物の形成する被膜で前記基体の表面が被覆された被覆基体を調製する工程Ａと、前記第２の膜化合物を含む溶液を磁性微粒子の表面に接触させ、前記第２の結合基と前記第１の磁性微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記第２の膜化合物の形成する被膜で前記磁性微粒子の表面が被覆された第１の被覆磁性微粒子を調製する工程Ｂと、前記第１の官能基とカップリング反応して結合を形成する１または２以上の第１のカップリング反応基と、前記第２の官能基とカップリング反応して結合を形成する１または２以上の第２のカップリング反応基とを有する第１のカップリング剤を、前記被覆された基体および前記第１の被覆磁性微粒子の表面にそれぞれ接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応、および前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により結合を形成させ、前記第１の被覆磁性微粒子からなる１層の磁性微粒子層を、前記被覆基体の表面に結合固定し、次いで、前記被覆基体の表面に固定されなかった前記第１の被覆磁性微粒子を除去する工程Ｃとを有する。
【００１４】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記工程Ｃを磁場中で行うことが好ましい。
【００１５】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記工程Ｃでは、前記第１のカップリング剤を、まず、前記被覆基体の表面に接触させ、該第１のカップリング剤の被膜を有する反応性基体を調製し、次いで、該反応性基体の表面に前記第１の被覆磁性微粒子を接触させ、該反応性基体の表面に前記第１の被覆磁性微粒子を固定してもよい。
【００１６】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記工程Ｃでは、まず、前記第１の被覆磁性微粒子の表面に前記第１のカップリング剤を接触させ、前記第１のカップリング剤の被膜を有する第１の反応性磁性微粒子を調製し、次いで、該第１の反応性磁性微粒子の表面を前記被覆基体と接触させ、該被覆基体の表面に前記第１の反応性磁性微粒子を固定してもよい。
【００１７】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記第１の膜化合物と前記第２の膜化合物とが同一の化合物であることが好ましい。
【００１８】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記工程Ａおよび前記工程Ｂにおいて、未反応の前記第１および第２の膜化合物は洗浄除去され、前記被覆基体および前記第１の被覆磁性微粒子の表面で前記第１および第２の膜化合物がそれぞれ形成する被膜は、単分子膜であることが好ましい。
【００１９】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記基体上には、前記磁性微粒子層が前記基体側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数）まで順次積層した磁気記録層を有する磁気記録媒体の製造方法であって、分子の両端にそれぞれ第３の官能基および第３の結合基を有する第３の膜化合物を含む溶液を前記磁性微粒子の表面に接触させ、前記第３の結合基と前記磁性微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記第３の膜化合物の形成する被膜で表面が被覆された第２の被覆磁性微粒子を被覆し、次いで、前記第２の被覆磁性微粒子の表面に、前記第２のカップリング反応基と、前記第３の官能基とカップリング反応して結合を形成する１または２以上の第３のカップリング反応基とを有する第２のカップリング剤を接触させ、前記第３の官能基と前記第３のカップリング反応基とのカップリング反応により形成させた結合を介して固定された前記第２のカップリング剤の形成する被膜を表面に有する第２の反応性磁性微粒子を調製する工程Ｄと、前記磁気記録層の表層に位置する前記第１の被覆磁性微粒子の磁性微粒子層の表面に前記第２の反応性磁性微粒子を接触させ、前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により結合を形成させ、前記第２の反応性磁性微粒子を前記第１の被覆磁性微粒子の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第２の反応性磁性微粒子を除去する工程Ｅと、前記磁気記録媒体の表層に位置する前記第２の反応磁性微粒子の磁性微粒子層の表面に前記第１の被覆磁性微粒子を接触させ、前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により結合を形成させ、前記第１の被覆磁性微粒子を前記第２の反応性磁性微粒子の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第１の被覆磁性微粒子を除去する工程Ｆと、前記工程ＥおよびＦをこの順序で繰返し行い、ｎ層の前記磁性微粒子層からなる前記磁気記録層を形成する工程Ｇとをさらに有していてもよい。なお、工程Ｇは、ｎの値に応じて、工程Ｅおよび工程Ｆのいずれで終えてもよい。
【００２０】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記基体上には、前記磁性微粒子層が前記基体側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数）まで順次積層した磁気記録層を有する磁気記録媒体の製造方法であって、前記第３の膜化合物を含む溶液を前記磁性微粒子の表面に接触させ、前記第３の結合基と前記磁性微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記第３の膜化合物の形成する被膜で前記磁性微粒子の表面が被覆された第２の被膜磁性微粒子を調製する工程Ｄと、前記第１の反応性磁性微粒子の磁性微粒子層の表面に前記第２の被覆磁性微粒子を接触させ、前記第３の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応により結合を形成させ、前記第２の被覆磁性微粒子を前記第１の反応性磁性微粒子の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第２の被覆磁性微粒子を除去する工程Ｅと、前記第２の被覆磁性微粒子の磁性微粒子層の表面に前記第１の反応性磁性微粒子を接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応により結合を形成させ、前記第１の反応性磁性微粒子を前記第２の被覆磁性微粒子の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第１の反応性磁性微粒子を除去する工程Ｆと、前記工程ＥおよびＦをこの順序で繰返し行い、ｎ層の前記磁性微粒子層からなる前記磁気記録層を形成する工程Ｇとをさらに有していてもよい。なお、工程Ｇは、ｎの値に応じて、工程Ｅおよび工程Ｆのいずれで終えてもよい。
【００２１】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記工程Ｅ〜Ｇを磁場中で行うことが好ましい。
【００２２】
第３の発明に係る絶縁性磁気記録媒体の製造方法において、前記第１および第２の膜化合物が同一の化合物であることが好ましい。
また、前記工程Ｄにおいて、未反応の前記第１の膜化合物は洗浄除去され、前記第２の磁性微粒子の表面上で前記第１の膜化合物が形成する被膜は、単分子膜であることが好ましい。
【００２３】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記第１および第２の膜化合物、あるいは前記第１〜第３の膜化合物は全てアルコキシシラン化合物であり、前記膜化合物を含む溶液は、さらに縮合触媒として、カルボン酸金属塩、カルボン酸エステル金属塩、カルボン酸金属塩ポリマー、カルボン酸金属塩キレート、チタン酸エステル、およびチタン酸エステルキレートからなる群から選択される１または２以上の化合物を含んでいてもよい。
【００２４】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記第１および第２の膜化合物、あるいは前記第１〜第３の膜化合物は全てアルコキシシラン化合物であり、前記膜化合物を含む溶液は、さらに縮合触媒として、ケチミン化合物、有機酸、アルジミン化合物、エナミン化合物、オキサゾリジン化合物、およびアミノアルキルアルコキシシラン化合物からなる群より選択される１または２以上の化合物をさらに含んでいてもよい。
【００２５】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、さらに助触媒として、ケチミン化合物、有機酸、アルジミン化合物、エナミン化合物、オキサゾリジン化合物、およびアミノアルキルアルコキシシラン化合物からなる群より選択される１または２以上の化合物をさらに含んでいてもよい。
【００２６】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）結合であってもよい。
【００２７】
第３の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とイソシアネート基との反応により形成されたＮＨ−ＣＯＮＨ結合であってもよい。
【００２８】
第４の発明に係る磁気記録読取装置は、第１および第２の発明に係る磁気記録媒体を用いている。
【発明の効果】
【００２９】
請求項１〜８記載の磁気記録媒体、請求項９〜２５記載の磁気記録媒体の製造方法、および請求項２６記載の磁気記録読取装置においては、記録密度が高く、耐剥離性に優れた磁気記録媒体、および製造コストが低く、特殊な真空チャンバーや高温を必要としない塗布法で製造できる方法を提供できる。
また、基体の表面に磁性微粒子が配列した磁性微粒子層が１層結合固定されているので、磁気記録媒体の剥離強度を高めることができる。
さらに、カップリング反応により形成された結合を介して磁気記録媒体を１層ずつ積層固定することにより磁気記録層を形成するので、磁気記録層の膜厚の厳密な制御を容易に行うことができる。
【００３０】
特に、請求項２記載の磁気記録媒体においては、第１の膜化合物と第２の膜化合物とが同一の化合物であるので、製造コストを低減できる。
【００３１】
請求項３記載の磁気記録媒体においては、第１および第２の膜化合物の形成する被膜の一方または双方が単分子膜であるので、基体および磁性微粒子のいずれか一方または双方の本来の物性や機能を保持することができる。
【００３２】
請求項４記載の磁気記録媒体においては、基材側から空気との界面側に向かって磁性微粒子層が順次積層した磁気記録層について、積層された磁性微粒子層の数、各層の磁性微粒子層を構成する磁性微粒子の材質、粒径等を任意に定めることができるため、磁気記録媒体の膜厚、磁気特性、空隙率等を容易に制御できる。また、各層の磁性微粒子層の材質に応じて、最適な膜化合物およびカップリング剤を選択できる。
【００３３】
請求項５記載の磁気記録媒体においては、第１〜第（ｎ＋１）の膜化合物ならびに第１〜第ｎのカップリング剤がそれぞれ同一の化合物であるので、製造コストをさらに低減できる。
請求項６記載の磁気記録媒体においては、第１〜第（ｎ＋１）の膜化合物の形成する被膜が全て単分子膜であるので、基材および微粒子の本来の物性や機能を損なうことがない。
【００３４】
請求項７記載の磁気記録媒体においては、カップリング反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）結合であるので、加熱により強固な結合を形成できる。
【００３５】
請求項８記載の磁気記録媒体においては、カップリング反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とイソシアネート基との反応により形成されたＮＨ−ＣＯＮＨ結合であるので、加熱により強固な結合を形成できる。
【００３６】
請求項１０記載の磁気記録媒体の製造方法においては、工程Ｃを磁場中で行うので、磁気記録層の磁気異方性が増大し、磁気記録特性を向上できる。
【００３７】
請求項１１記載の磁気記録媒体の製造方法においては、工程Ｃにおいて、まず、被覆基体の表面に、第１のカップリング剤を接触させ、第１のカップリング剤の被膜を有する反応性基体を調製するので、第２の膜化合物の形成する被膜で覆われた磁性微粒子に対して前処理を行うことなく、第２の官能基と第２のカップリング反応基とのカップリング反応により、第２の膜化合物の形成する被膜で覆われた磁性微粒子を表面に結合固定することができる。
【００３８】
請求項１２記載の磁気記録媒体の製造方法においては、工程Ｃにおいて、まず、第１の被覆磁性微粒子の表面に第１のカップリング剤を接触させ、第１のカップリング剤の被膜を有する第１の反応性磁性微粒子を調製するので、第１の膜化合物の形成する被膜で覆われた基体に対して前処理を行うことなく、第１の官能基と第１のカップリング反応基とのカップリング反応により、第１の膜化合物の形成する被膜で覆われた基体の表面に第２の膜化合物の形成する被膜で覆われた磁性微粒子を表面に結合固定することができる。
【００３９】
請求項１３記載の磁気記録媒体の製造方法においては、第１および第２の膜化合物とが同一の化合物であるので、製造コストを低減できる。
【００４０】
請求項１４記載の磁気記録媒体の製造方法においては、第１および第２の膜化合物がそれぞれ形成する被膜が単分子膜であるので、基体および磁性微粒子の本来の物性や機能を保持することができる。
【００４１】
請求項１５記載の磁気記録媒体の製造方法においては、３種類の膜化合物、および２種類のカップリング剤を用いて任意の膜厚の磁気記録媒体を製造できる。
【００４２】
請求項１６記載の磁気記録媒体の製造方法においては、３種類の膜化合物、および１種類のカップリング剤を用いて任意の膜厚の磁気記録媒体を製造できるので、製造コストを低減できる。
【００４３】
請求項１７記載の磁気記録媒体の製造方法においては、工程Ｅ〜Ｇを磁場中で行うので、磁気記録層の磁気異方性が増大し、磁気記録特性を向上できる。
【００４４】
請求項１８記載の磁気記録媒体の製造方法においては、第１〜第３の膜化合物ならびに第１および第２のカップリング剤にそれぞれ同一の化合物を使用するので、製造コストを大幅に低減できる。
請求項１９記載の磁気記録媒体の製造方法においては、第１〜第３の膜化合物の形成する被膜が全て単分子膜であるので、基体および磁性微粒子の本来の物性や機能を損なうことがない。
【００４５】
請求項２０および２２記載の磁気記録媒体の製造方法においては、膜化合物を含む溶液が、さらに縮合触媒として、カルボン酸金属塩、カルボン酸エステル金属塩、カルボン酸金属塩ポリマー、カルボン酸金属塩キレート、チタン酸エステル、およびチタン酸エステルキレートからなる群から選択される１または２以上の化合物を含むので、反応性磁性微粒子の調製時間を短縮し、磁気記録媒体の製造をより高効率に行うことができる。
【００４６】
請求項２１および２３記載の磁気記録媒体の製造方法においては、膜化合物を含む溶液が、ケチミン化合物、有機酸、アルジミン化合物、エナミン化合物、オキサゾリジン化合物、アミノアルキルアルコキシシラン化合物からからなる群より選択される１または２以上の化合物をさらに含むので、反応性磁性微粒子の調製時間を短縮し、磁気記録媒体の製造をより高効率に行うことができる。特に、これらの化合物と上述の縮合触媒の両者をともに含む場合には、調製時間をさらに短縮できる。
【００４７】
請求項２４記載の磁気記録媒体の製造方法においては、カップリング反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）結合であるので、加熱により強固な結合を形成できる。
【００４８】
請求項２５記載の磁気記録媒体の製造方法においては、カップリング反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とイソシアネート基との反応により形成されたＮＨ−ＣＯＮＨ結合であるので、加熱により強固な結合を形成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４９】
続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施の形態につき説明し、本発明の理解に供する。
ここで、図１（ａ）は本発明の第１の実施の形態に係る磁気記録媒体の一例であるハードディスクドライブ用プラッタの断面構造を模式的に表した説明図、図１（ｂ）は本発明の第２の実施の形態に係るハードディスクドライブ用プラッタの断面構造を模式的に表した説明図、図２は、本発明の第１および第２の実施の形態に係るハードディスクドライブ用プラッタの製造方法において、エポキシ化アルミニウム基体を製造する工程を説明するために分子レベルまで拡大した概念図であり、図２（ａ）は反応前のアルミニウム基体の断面構造、図２（ｂ）はエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜が形成されたアルミニウム基体の断面構造をそれぞれ表し、図３は、同ハードディスクドライブ用プラッタの製造方法において、エポキシ化マグネタイト微粒子を製造する工程を説明するために分子レベルまで拡大した概念図であり、図３（ａ）は反応前のマグネタイト微粒子の断面構造、図３（ｂ）はエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜が形成されたマグネタイト微粒子の断面構造をそれぞれ表し、図４は、エポキシ化アルミニウム基体の表面に、エポキシ基と２−メチルイミダゾールのアミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して固定された２−メチルイミダゾールの被膜を有する反応性アルミニウム基体の断面構造を模式的に表した説明図、図５は、エポキシ化マグネタイト微粒子の表面に、エポキシ基と２−メチルイミダゾールのアミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して固定された２−メチルイミダゾールの被膜を有する反応性マグネタイト微粒子の断面構造を模式的に表した説明図である。
【００５０】
次に、本発明の第１の実施の形態に係るハードディスクドライブ用プラッタ１について説明する。
図１（ａ）に示すように、ハードディスクドライブ用プラッタ１は、反応性アルミニウム基体（反応性基体の一例）３２の表面に、エポキシ化マグネタイト微粒子（第１の被覆磁性微粒子の一例）２４が配列した磁性微粒子層が１層結合固定されている。磁性微粒子層は、エポキシ化アルミニウム基体１４側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数で、本実施の形態においてはｎ＝２）まで順次積層している。
【００５１】
反応性アルミニウム基体３２の表面は、エポキシ基を有する膜化合物（第１の膜化合物の一例）の単分子膜１３で被覆され、さらにその表面は、２−メチルイミダゾール（第１のカップリング剤の一例）のアミノ基（第１のカップリング反応基の一例）とエポキシ基とのカップリング反応により形成された結合を介して固定された２−メチルイミダゾールの被膜で被覆されている。
２層目の磁性微粒子層を形成しているエポキシ化マグネタイト微粒子２４の表面は、２−メチルイミダゾール（第３のカップリング剤の一例）のアミノ基（第３のカップリング反応基の一例）とエポキシ基とのカップリング反応により形成された結合を介して固定された２−メチルイミダゾールの被膜でさらに被覆されている。
反応性アルミニウム基体３２と第１層目の磁性微粒子層を形成するエポキシ化マグネタイト微粒子２４、および奇数層目の磁性微粒子層を形成するエポキシ化マグネタイト微粒子２４と第２層目の磁性微粒子層を形成する反応性マグネタイト微粒子４２との間は、エポキシ基と２−メチルイミダゾールのアミノ基またはイミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して互いに結合固定されている。
【００５２】
ハードディスクドライブ用プラッタ１の製造方法は、図２（ａ）、（ｂ）、図３（ａ）、（ｂ）、図４、および図５に示すように、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物（第１の膜化合物の一例）を含む溶液をアルミニウム基体（基体の一例）１１の表面に接触させ、アルコキシシリル基（第１の結合基の一例）とアルミニウム基体１１の表面との間で結合を形成させ、エポキシ化アルミニウム基体１４（被覆基体の一例）を調製する工程Ａ（図２参照）と、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物（第２の膜化合物の一例）をマグネタイト微粒子（磁性微粒子の一例）２１の表面に接触させ、アルコキシシリル基（第２の結合基の一例）とマグネタイト微粒子２１の表面との間で結合を形成させ、エポキシ化マグネタイト微粒子２４を調製する工程Ｂ（図３参照）と、まず、エポキシ化アルミニウム基体１４の表面に、２−メチルイミダゾールを接触させ、エポキシ基とアミノ基とをカップリング反応させて反応性アルミニウム基体３２を調製し、次いで、反応性アルミニウム基体３２の表面にエポキシ化マグネタイト微粒子２４を接触させ、エポキシ基とイミノ基（第２のカップリング反応基の一例）とのカップリング反応により結合を形成させ、エポキシ化アルミニウム基体１４の表面にエポキシ化マグネタイト微粒子２４を固定し、次いで、固定されなかったエポキシ化マグネタイト微粒子２４を除去する工程Ｃ（図４参照）と、エポキシ化アルコキシシラン化合物（第３の膜化合物の一例）を含む溶液をマグネタイト微粒子２１の表面に接触させ、アルコキシシリル基（第３の結合基の一例）とマグネタイト微粒子２１の表面との間で結合を形成させ、エポキシ化マグネタイト微粒子（第２の被覆磁性微粒子の一例）２４を調製し、次いで、エポキシ化マグネタイト微粒子２４の表面に、２−メチルイミダゾール（第２のカップリング剤の一例）を接触させ、エポキシ基（第３の官能基の一例）とアミノ基とのカップリング反応により形成させた結合を介して固定された２−メチルイミダゾールの形成する被膜を表面に有する反応性マグネタイト微粒子（第２の反応性磁性微粒子の一例）４２を調製する工程Ｄ（図５参照）と、エポキシ化マグネタイト微粒子２４の磁性微粒子層を有するハードディスクドライブ用プラッタ１の表面に反応性マグネタイト微粒子４２を接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により結合を形成させ、反応性マグネタイト微粒子４２をエポキシ化マグネタイト微粒子２４の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった反応性マグネタイト微粒子４２を除去する工程Ｅと、反応性マグネタイト微粒子４２の磁性微粒子層を有するハードディスクドライブ用プラッタ１の表面にエポキシ化マグネタイト微粒子２４を接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により結合を形成させ、エポキシ化マグネタイト微粒子２４を反応性マグネタイト微粒子４２の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかったエポキシ化マグネタイト微粒子２４を除去する工程Ｆとを有する。
【００５３】
以下、工程Ａ〜Ｆについてより詳細に説明する。
工程Ａでは、エポキシ基を有する膜化合物をアルミニウム基体１１に接触させ、エポキシ基を有する膜化合物の単分子膜１３で表面が覆われたエポキシ化アルミニウム基体１４を製造する（図２）。
なお、アルミニウム基体３１の大きさ（直径）および厚さには特に制限はないが、製造されるハードディスクドライブのサイズに応じて適宜選択され、例えば、８インチ、５インチ、３．５インチ、２．５インチ、１．８インチ、１．３インチ、１インチ、０．８５インチのいずれかである。
【００５４】
エポキシ基を有する膜化合物としては、アルミニウム基体１１の表面に吸着または結合し、自己組織化により単分子膜を形成することのできる任意の化合物を用いることができるが、直鎖状アルキレン基の一方の末端にエポキシ基（オキシラン環）を含む官能基を、他方の末端にアルコキシシリル基（第１の結合基の一例）をそれぞれ有し、下記の一般式（化１）で表されるアルコキシシラン化合物が好ましい。
【００５５】
【化１】
【００５６】
上式において、官能基Ｅはエポキシ基を有する官能基を、ｍは３〜２０の整数を、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基をそれぞれ表す。
用いることのできるエポキシ基を有する膜化合物の具体例としては、下記（１）〜（１２）に示したアルコキシシラン化合物が挙げられる。
【００５７】
（１） （ＣＨ２ＯＣＨ）ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
（２） （ＣＨ２ＯＣＨ）ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）７Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
（３） （ＣＨ２ＯＣＨ）ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）１１Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
（４） （ＣＨ２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ２）２）ＣＨ（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
（５） （ＣＨ２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ２）２）ＣＨ（ＣＨ２）４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
（６） （ＣＨ２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ２）２）ＣＨ（ＣＨ２）６Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
（７） （ＣＨ２ＯＣＨ）ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
（８） （ＣＨ２ＯＣＨ）ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）７Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
（９） （ＣＨ２ＯＣＨ）ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）１１Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
（１０） （ＣＨ２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ２）２）ＣＨ（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
（１１） （ＣＨ２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ２）２）ＣＨ（ＣＨ２）４Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
（１２） （ＣＨ２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ２）２）ＣＨ（ＣＨ２）６Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
【００５８】
ここで、（ＣＨ２ＯＣＨ）ＣＨ２Ｏ−基は、化２で表される官能基（グリシジルオキシ基）を表し、（ＣＨ２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ２）２）ＣＨ−基は、化３で表される官能基（３，４−エポキシシクロヘキシル基）を表す。
【００５９】
【化２】
【００６０】
【化３】
【００６１】
エポキシ化アルミニウム基体１４の製造は、エポキシ基およびアルコキシシリル基（第２の結合基の一例）を含むアルコキシシラン化合物と、アルコキシシリル基とアルミニウム基体１１の表面のヒドロキシル基１２との縮合反応を促進するための縮合触媒と、非水系の有機溶媒とを混合した反応液をアルミニウム基体１１の表面に塗布し、室温の空気中で反応させることにより行われる。塗布は、ドクターブレード法、ディップコート法、スピンコート法、スプレー法、スクリーン印刷法等の任意の方法により行うことができる。
【００６２】
縮合触媒としては、カルボン酸金属塩、カルボン酸エステル金属塩、カルボン酸金属塩ポリマー、カルボン酸金属塩キレート、チタン酸エステルおよびチタン酸エステルキレート等の金属塩が利用可能である。
縮合触媒の添加量は、好ましくはアルコキシシラン化合物の０．２〜５質量％であり、より好ましくは０．５〜１質量％である。
【００６３】
カルボン酸金属塩の具体例としては、酢酸第１スズ、ジブチルスズジラウレート、ジブチルスズジオクテート、ジブチルスズジアセテート、ジオクチルスズジラウレート、ジオクチルスズジオクテート、ジオクチルスズジアセテート、ジオクタン酸第１スズ、ナフテン酸鉛、ナフテン酸コバルト、２−エチルヘキセン酸鉄が挙げられる。
【００６４】
カルボン酸エステル金属塩の具体例としては、ジオクチルスズビスオクチリチオグリコール酸エステル塩、ジオクチルスズマレイン酸エステル塩が挙げられる。
カルボン酸金属塩ポリマーの具体例としては、ジブチルスズマレイン酸塩ポリマー、ジメチルスズメルカプトプロピオン酸塩ポリマーが挙げられる。
カルボン酸金属塩キレートの具体例としては、ジブチルスズビスアセチルアセテート、ジオクチルスズビスアセチルラウレートが挙げられる。
【００６５】
チタン酸エステルの具体例としては、テトラブチルチタネート、テトラノニルチタネートが挙げられる。
チタン酸エステルキレート類の具体例としては、ビス（アセチルアセトニル）ジ−プロピルチタネートが挙げられる。
【００６６】
アルコキシシリル基とアルミニウム基体１１の表面のヒドロキシル基１２とが縮合反応を起こし、下記の化４で示されるような構造を有するエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜１３を生成する。なお、酸素原子から延びた３本の単結合はアルミニウム基体１１の表面または隣接するシラン化合物のケイ素（Ｓｉ）原子と結合しており、そのうち少なくとも１本はアルミニウム基体１１の表面のケイ素原子と結合している。
【００６７】
【化４】
【００６８】
アルコキシシリル基は、水分の存在下で分解するので、反応は相対湿度４５％以下の空気中で行うことが好ましい。なお、縮合反応は、アルミニウム基体１１の表面に付着した油脂分や水分により阻害されるので、アルミニウム基体１１をよく洗浄して乾燥することにより、これらの不純物を予め除去しておくことが好ましい。
縮合触媒として上述の金属塩のいずれかを用いた場合、縮合反応の完了までに要する時間は２時間程度である。
【００６９】
上述の金属塩の代わりに、ケチミン化合物、有機酸、アルジミン化合物、エナミン化合物、オキサゾリジン化合物、アミノアルキルアルコキシシラン化合物からなる群より選択される１または２以上の化合物を縮合触媒として用いた場合、反応時間を１／２〜２／３程度まで短縮できる。
【００７０】
あるいは、これらの化合物を助触媒として、上述の金属塩と混合（質量比１：９〜９：１の範囲で使用可能だが、１：１前後が好ましい）して用いると、反応時間をさらに短縮できる。
【００７１】
例えば、縮合触媒として、ジブチルスズオキサイドの代わりにケチミン化合物であるジャパンエポキシレジン社のＨ３を用い、その他の条件は同一にしてエポキシ化マグネタイト微粒子２１の製造を行うと、エポキシ化マグネタイト微粒子２１の品質を損なうことなく反応時間を１時間程度にまで短縮できる。
【００７２】
さらに、縮合触媒として、ジャパンエポキシレジン社のＨ３とジブチルスズビスアセチルアセトネートとの混合物（混合比は１：１）を用い、その他の条件は同一にしてエポキシ化マグネタイト微粒子２１の製造を行うと、反応時間を２０分程度に短縮できる。
【００７３】
なお、ここで用いることができるケチミン化合物は特に限定されるものではないが、例えば、２，５，８−トリアザ−１，８−ノナジエン、３，１１−ジメチル−４，７，１０−トリアザ−３，１０−トリデカジエン、２，１０−ジメチル−３，６，９−トリアザ−２，９−ウンデカジエン、２，４，１２，１４−テトラメチル−５，８，１１−トリアザ−４，１１−ペンタデカジエン、２，４，１５，１７−テトラメチル−５，８，１１，１４−テトラアザ−４，１４−オクタデカジエン、２，４，２０，２２−テトラメチル−５，１２，１９−トリアザ−４，１９−トリエイコサジエン等が挙げられる。
【００７４】
また、用いることができる有機酸としても特に限定されるものではないが、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、マロン酸等が挙げられる。
【００７５】
反応液の製造には、有機塩素系溶媒、炭化水素系溶媒、フッ化炭素系溶媒、シリコーン系溶媒、およびこれらの混合溶媒を用いることができる。アルコキシシラン化合物の加水分解を防止するために、乾燥剤または蒸留により使用する溶媒から水分を除去しておくことが好ましい。また、溶媒の沸点は５０〜２５０℃であることが好ましい。
【００７６】
具体的に使用可能な溶媒としては、非水系の石油ナフサ、ソルベントナフサ、石油エーテル、石油ベンジン、イソパラフィン、ノルマルパラフィン、デカリン、工業ガソリン、ノナン、デカン、灯油、ジメチルシリコーン、フェニルシリコーン、アルキル変性シリコーン、ポリエーテルシリコーン、ジメチルホルムアミド等を挙げることができる。
さらに、メタノール、エタノール、プロパノール等のアルコール系溶媒、あるいはそれらの混合物を用いることもできる。
【００７７】
また、用いることができるフッ化炭素系溶媒としては、フロン系溶媒、フロリナート（米国３Ｍ社製）、アフルード（旭硝子株式会社製）等がある。なお、これらは１種単独で用いても良いし、良く混ざるものなら２種以上を組み合わせてもよい。さらに、ジクロロメタン、クロロホルム等の有機塩素系溶媒を添加してもよい。
【００７８】
反応液におけるアルコキシシラン化合物の好ましい濃度は、０．５〜３質量％である。
【００７９】
反応後、溶媒で洗浄し、未反応物として表面に残った余分なアルコキシシラン化合物および縮合触媒を除去すると、エポキシ基を有する膜化合物の単分子膜１３で表面が覆われたエポキシ化アルミニウム基体１４が得られる。このようにして製造されるエポキシ化アルミニウム基体１４の断面構造の模式図を図２（ｂ）に示す。
【００８０】
洗浄溶媒としては、アルコキシシラン化合物を溶解できる任意の溶媒を用いることができるが、安価であり、溶解性が高く、風乾により容易に除去することのできるジクロロメタン、クロロホルム、Ｎ−メチルピロリドン等が好ましい。
【００８１】
反応後、生成したエポキシ化アルミニウム基体１４を溶媒で洗浄せずに空気中に放置すると、表面に残ったアルコキシシラン化合物の一部が空気中の水分により加水分解を受け、生成したシラノール基がアルコキシシリル基と縮合反応を起こす。その結果、エポキシ化アルミニウム基体１４の表面にポリシロキサンよりなる極薄のポリマー膜が形成される。このポリマー膜は、エポキシ化アルミニウム基体１４の表面に必ずしも共有結合により固定されていないが、エポキシ基を含んでいるため、エポキシ化アルミニウム基体１４に対してエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜１３と同様の反応性を有している。そのため、洗浄を行わなくても、工程Ｃ以降の製造工程に特に支障をきたすことはない。
【００８２】
なお、本実施の形態においては、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物を用いたが、直鎖状アルキレン基の一方の末端にアミノ基を、他方の末端にアルコキシシリル基をそれぞれ有し、下記の一般式（化５）で表されるアルコキシシラン化合物を用いてもよい。なお、アミノ基と反応するカップリング剤としては、両端にグリシジル基を有する化合物が使用できる。
【００８３】
【化５】
【００８４】
上式において、ｍは３〜２０の整数を、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基をそれぞれ表す。
用いることのできるアミノ基を有する膜化合物の具体例としては、下記（２１）〜（２８）に示したアルコキシシラン化合物が挙げられる。
【００８５】
（２１） Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
（２２） Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）５Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
（２３） Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）７Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
（２４） Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）９Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
（２５） Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）５Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
（２６） Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）５Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
（２７） Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）７Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
（２８） Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）９Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
【００８６】
ただひ、この場合に反応液において用いることのできる縮合触媒のうち、スズ（Ｓｎ）塩を含む化合物は、アミノ基と反応して沈殿を生成するため、アミノ基を有するアルコキシシラン化合物に対しては縮合触媒として用いることができない。
したがって、アミノ基を有するアルコキシシラン化合物を用いる場合には、カルボン酸スズ塩、カルボン酸エステルスズ塩、カルボン酸スズ塩ポリマー、カルボン酸スズ塩キレートを除き、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物の場合と同様の化合物を単独でまたは２種類以上を混合して縮合触媒として用いることができる。
用いることのできる助触媒の種類およびそれらの組み合わせ、溶媒の種類、アルコキシシラン化合物、縮合触媒、および助触媒の濃度、反応条件ならびに反応時間についてはエポキシ基を有するアルコキシシラン化合物の場合と同様であるので、説明を省略する。
【００８７】
本実施の形態においては、基体材料としてアルミニウムをとして用いたが、ガラス、ポリカーボネート等の合成樹脂を用いることもできる。
また、磁気記録媒体として、フレキシブルディスクや磁気テープを製造する場合には、ポリエチレンやポリエステル等の合成樹脂フィルムまたは紙等の材料を基体材料として用いることができる。
基体材料の表面に水酸基、アミノ基等の活性水素基を有する場合には、アルミニウムの場合と同様に、膜化合物としてアルコキシシラン化合物を用いることができる。この様な基体の具体例としては、ガラス、紙等が挙げられる。合成樹脂を用いる場合には、プラズマ処理等により活性水素基を有する化合物をグラフトする等の処理を行うことにより、アルコキシシラン化合物を用いることができる場合がある。
（以上工程Ａ）
【００８８】
工程Ｂでは、工程Ａにおいて用いたものと同様のエポキシ基を有する膜化合物をマグネタイト微粒子２１と接触させ、エポキシ基を有する膜化合物の単分子膜２３で表面が覆われたエポキシ化マグネタイト微粒子２４を製造する（図３）。
【００８９】
用いることのできるマグネタイト微粒子２１の粒径に特に制限はないが、１０ｎｍ〜１μｍの範囲内であることが好ましい。マグネタイト微粒子２１の粒径が１０ｎｍ未満である場合には、膜化合物の分子サイズの影響が無視できなくなり、粒径が１μｍを上回る場合には、形成される磁気記録層の厚さに対してマグネタイト微粒子２１の直径が大きくなり過ぎるため、空隙率が増大して磁気記録特性が悪化する。
【００９０】
エポキシ化マグネタイト微粒子２４の製造は、エポキシ基を含むアルコキシシラン化合物と、アルコキシシリル基とマグネタイト微粒子２１の表面のヒドロキシル基２２との縮合反応を促進するための縮合触媒と、非水系の有機溶媒とを混合した反応液中にマグネタイト微粒子２１を分散させ、室温の空気中で反応させることにより行われる。
【００９１】
工程Ｂにおいて用いることのできるエポキシ基を有するアルコキシシラン化合物の種類、縮合触媒、助触媒の種類およびそれらの組み合わせ、溶媒の種類、アルコキシシラン化合物、縮合触媒、および助触媒の濃度、反応条件ならびに反応時間については工程Ａと同様であるので、説明を省略する。
【００９２】
反応後、溶媒で洗浄し、未反応物として表面に残った余分なアルコキシシラン化合物および縮合触媒を除去すると、エポキシ基を有する膜化合物の単分子膜２３で表面が覆われたエポキシ化マグネタイト微粒子２４が得られる。このようにして製造されるエポキシ化マグネタイト微粒子２４の断面構造の模式図を図３（ｂ）に示す。
【００９３】
洗浄溶媒としては、工程Ａと同様の洗浄溶媒を用いることができる。
反応後、生成したエポキシ化マグネタイト微粒子２４を溶媒で洗浄せずに空気中に放置すると、表面に残ったアルコキシシラン化合物の一部が空気中の水分により加水分解を受け、生成したシラノール基がアルコキシシリル基と縮合反応を起こす。その結果、エポキシ化マグネタイト微粒子２４の表面にポリシロキサンよりなる極薄のポリマー膜が形成される。このポリマー膜は、エポキシ化マグネタイト微粒子２４の表面に共有結合により固定されていないが、エポキシ基を含んでいるため、エポキシ化マグネタイト微粒子２４に対してエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜２３と同様の反応性を有している。そのため、洗浄を行わなくても、工程Ｃ以降の製造工程に特に支障をきたすことはない。
【００９４】
なお、本実施の形態においてはエポキシ基を有するアルコキシシラン化合物を用いたが、工程Ａと同様、直鎖状アルキレン基の一方の末端にアミノ基を、他方の末端にアルコキシシリル基をそれぞれ有するアルコキシシラン化合物を用いてもよい。
また、本実施の形態においては工程Ａと同一のアルコキシシラン化合物を用いているが、異なるアルコキシシラン化合物を用いてもよい。ただし、工程Ｃにおいて用いるカップリング剤のカップリング反応基と反応して結合を形成する官能基を有するものでなければならない。
【００９５】
また、本実施の形態においては、微粒子としてマグネタイト微粒子を用いたが、γ−Ｆｅ２Ｏ３、酸化クロム、Ｃｏ含有酸化鉄等の酸化物系磁性微粒子、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｐｔ合金等の他の金属系磁性微粒子を用いることもできる。また、磁気記録媒体として、光磁気ディスクを製造する場合には、ＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＦｅＣｏ等のカー効果を有する磁性微粒子を用いることもできる。
磁性微粒子の直径の好ましい範囲は、磁性微粒子の種類によって異なる場合がある。例えば、Ｆｅ−Ｐｔ合金の場合、微粒子の好ましい直径の下限値は５ｎｍ程度である。
【００９６】
マグネタイト微粒子以外の微粒子であっても、その表面に水酸基、アミノ基等の活性水素基を有する場合には、マグネタイトの場合と同様に、膜化合物としてアルコキシシラン化合物を用いることができる。
【００９７】
本実施の形態においては、第１および第２の膜化合物として、ともにエポキシ基を有する膜化合物を用いているが、両者は同一の化合物であってもよく、また異なる化合物であってもよい。さらに、第１および第２の膜化合物が異なる官能基（例えば、一方がエポキシ基で他方がイソシアネート基）を有していてもよい。
（以上工程Ｂ）
【００９８】
工程Ｃでは、まず、エポキシ化アルミニウム基体１４の表面に、２−メチルイミダゾールを接触させ、エポキシ基とアミノ基とをカップリング反応させて反応性アルミニウム基体３２を調製し、次いで、反応性アルミニウム基体３２の表面にエポキシ化マグネタイト微粒子２４を接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により結合を形成させ、エポキシ化アルミニウム基体１４の表面にエポキシ化マグネタイト微粒子２４を固定し、次いで、固定されなかったエポキシ化マグネタイト微粒子２４を除去する
【００９９】
２−メチルイミダゾールはエポキシ基と反応するアミノ基およびイミノ基をそれぞれ１−位および３−位に有しており、下記の化６に示すような架橋反応により結合を形成する。
【０１００】
【化６】
【０１０１】
反応性アルミニウム基体３２の製造は、２−メチルイミダゾールと溶媒とを混合した反応液をエポキシ化アルミニウム基体１４の表面に塗布し、加熱して反応させることにより行われる。塗布は、ドクターブレード法、ディップコート法、スピンコート法、スプレー法、スクリーン印刷法等の任意の方法により行うことができる。
膜前駆体の製造には、２−メチルイミダゾールが可溶な任意の溶媒を用いることができるが、価格、室温での揮発性、および毒性等を考慮すると、イソプロピルアルコール、エタノール等の低級アルコール系溶媒が好ましい。
２−メチルイミダゾールの添加量、塗布する溶液の濃度、反応温度および反応時間は、用いる基体および磁性微粒子の種類、形成するハードディスクドライブ用プラッタの膜厚等に応じて適宜調節される。
【０１０２】
反応後、溶媒で洗浄し、未反応物として表面に残った余分な２−メチルイミダゾールを除去すると、反応性単分子膜３１で表面が覆われた反応性アルミニウム基体３２が得られる（図４）。
【０１０３】
このようにして得られた反応性アルミニウム基体３２の表面にエポキシ化マグネタイト微粒子２４の分散液を塗布後加熱し、エポキシ化マグネタイト微粒子２１上のエポキシ基と、反応性単分子膜３１上の２−メチルイミダゾールに由来するイミノ基とのカップリング反応によりエポキシ化マグネタイト微粒子２４を反応性アルミニウム基体３２の表面に結合固定し、単層の磁性微粒子層を有するハードディスクドライブ用プラッタ１を製造する。
加熱温度は、１００〜２００℃が好ましい。加熱温度が１００℃未満だと、カップリング反応の進行に長時間を要し、２００℃を上回ると、エポキシ基を有する単分子膜２３や反応性単分子膜３１の分解反応が起こり、均一なハードディスクドライブ用プラッタ１が得られない。
【０１０４】
反応後、水やアルコール等の溶媒で洗浄することにより、過剰のエポキシ化マグネタイト微粒子２４を除去する。
【０１０５】
本実施の形態においては、カップリング剤として２−メチルイミダゾールを用いたが、下記化７で表される任意のイミダゾール誘導体を用いることができる。
【０１０６】
【化７】
【０１０７】
化７で表されるイミダゾール誘導体の具体例としては、下記（３１）〜（３８）に示すものが挙げられる。
（３１） ２−メチルイミダゾール（Ｒ２＝Ｍｅ、Ｒ４＝Ｒ５＝Ｈ）
（３２） ２−ウンデシルイミダゾール（Ｒ２＝Ｃ１１Ｈ２３、Ｒ４＝Ｒ５＝Ｈ）
（３３） ２−ペンタデシルイミダゾール（Ｒ２＝Ｃ１５Ｈ３１、Ｒ４＝Ｒ５＝Ｈ）
（３４） ２−メチル−４−エチルイミダゾール（Ｒ２＝Ｍｅ、Ｒ４＝Ｅｔ、Ｒ５＝Ｈ）
（３５） ２−フェニルイミダゾール（Ｒ２＝Ｐｈ、Ｒ４＝Ｒ５＝Ｈ）
（３６） ２−フェニル−４−エチルイミダゾール（Ｒ２＝Ｐｈ、Ｒ４＝Ｅｔ、Ｒ５＝Ｈ）
（３７） ２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール（Ｒ２＝Ｐｈ、Ｒ４＝Ｍｅ、Ｒ５＝ＣＨ２ＯＨ）
（３８） ２−フェニル−４，５−ビス（ヒドロキシメチル）イミダゾール（Ｒ２＝Ｐｈ、Ｒ４＝Ｒ５＝ＣＨ２ＯＨ）
なお、Ｍｅ、Ｅｔ、およびＰｈは、それぞれメチル基、エチル基、およびフェニル基を表す。
【０１０８】
また、エポキシ樹脂の硬化剤として用いられる無水フタル酸、無水マレイン酸等の酸無水物、ジシアンジアミド、ノボラック等のフェノール誘導体等の化合物をカップリング剤として用いてもよい。この場合、カップリング反応を促進するためにイミダゾール誘導体を触媒として用いてもよい。
【０１０９】
なお、本実施の形態においては官能基としてエポキシ基を有する膜化合物を用いた場合について説明しているが、官能基としてアミノ基またはイミノ基を有する膜化合物を用いる場合には、カップリング反応基として２もしくは３以上のエポキシ基または２もしくは３以上のイソシアネート基を有するカップリング剤を用いる。イソシアネート基を有する化合物の具体例としては、ｐ−フェニレンジイソシアネート、ヘキサメチレン−１，６−ジイソシアネート、トルエン−２，６−ジイソシアネート、トルエン−２，４−ジイソシアネート等が挙げられる。
これらのジイソシアネート化合物の添加量は、２−メチルイミダゾールの場合と同様、エポキシ化マグネタイト微粒子の５〜１５重量％が好ましい。この場合、膜前駆体の製造に用いることのできる溶媒としては、キシレン等の芳香族有機溶媒が挙げられる。
また、アミノ基を有する膜化合物を用いる場合には、架橋剤としては、エチレングリコールジグリシジルエーテル等の２または３以上のエポキシ基を有する化合物を用いることもできる。
（以上工程Ｃ）
【０１１０】
工程Ｄでは、エポキシ化アルコキシシラン化合物を含む溶液をマグネタイト微粒子２１の表面に接触させ、アルコキシシリル基とマグネタイト微粒子２１の表面との間で結合を形成させ、エポキシ化マグネタイト微粒子２４を調製し、次いで、エポキシ化マグネタイト微粒子２４の表面に、２−メチルイミダゾールを接触させ、エポキシ基と２−メチルイミダゾールに由来するアミノ基とのカップリング反応により形成させた結合を介して固定された２−メチルイミダゾールの形成する被膜を表面に有する反応性マグネタイト微粒子４２を調製する（図５）。
用いられる２−メチルイミダゾール溶液の濃度、反応条件等は、溶液を塗布するのではなく、エポキシ化マグネタイト微粒子２４を溶液中に分散させて加熱することを除くと、工程Ｃにおける反応性アルミニウム基体３２の調製の場合と同様であるので、詳しい説明を省略する。他に用いることのできるカップリング剤についても、工程Ｃにおける反応性アルミニウム基体４２の調製の場合と同様である。
【０１１１】
本実施の形態においては、第３の膜化合物として、ともにエポキシ基を有する膜化合物を用いているが、第１および第２の膜化合物の一方または双方と同一の化合物であってもよく、また異なる化合物であってもよい。さらに、第１および第２の膜化合物と異なる官能基（例えば、アミノ基）を有していてもよい。
（以上工程Ｄ）
【０１１２】
工程Ｅでは、工程Ｃで反応性アルミニウム基体３２の表面に結合固定させたエポキシ化マグネタイト微粒子２４の磁性微粒子層の表面に、工程Ｄで調製した反応性マグネタイト微粒子４２を接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により結合を形成させ、反応性マグネタイト微粒子４２をエポキシ化マグネタイト微粒子２４の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった反応性マグネタイト微粒子４２を除去する。
また、工程Ｆでは、工程Ｅで結合固定させた反応性マグネタイト微粒子４２の磁性微粒子層の表面にエポキシ化マグネタイト微粒子２４を接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により結合を形成させ、エポキシ化マグネタイト微粒子２４を反応性マグネタイト微粒子４２の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかったエポキシ化マグネタイト微粒子２４を除去する。
工程Ｅ、Ｆにおける反応条件については、工程Ｄと同様であるので、詳しい説明を省略する。
（以上工程ＥおよびＦ）
【０１１３】
本実施の形態においては、磁性微粒子層が２層積層した磁気記録層を有するハードディスクドライブ用プラッタの調製について説明したが、工程ＥおよびＦをこの順序で繰り返し行って、ｎ（ｎは２以上の整数）層の磁性微粒子層が積層した磁気記録層を形成する工程Ｇをさらに行ってもよい。なお、工程Ｇは、ｎの値に応じて、工程Ｅおよび工程Ｆのいずれで終えてもよい。
【０１１４】
工程Ｃ、Ｅ〜Ｇを磁場中で行うことにより（磁場配向処理）、エポキシ化マグネタイト微粒子２４および反応性マグネタイト微粒子４２の配向性を向上させ、より磁気記録特性の改善されたハードディスクドライブ用プラッタ１を得ることができる。磁場の印加には、永久磁石、電磁石、および超伝導磁石のいずれを用いてもよい。引加する磁場の強度および方向は、製造するハードディスクドライブ用プラッタ１に用いられる磁性微粒子、記録容量等に応じて適宜決定される。
なお、本実施の形態においてはエポキシ化アルミニウム基体を用いたが、工程Ｂを省略して普通のアルミニウム基体を基体として用いてもよい。
また、フレキシブルディスクや磁気テープの製造の際には、基体の熱変形や燃焼を防止するため、加熱温度は、例えば、５０〜１００℃が好ましい。
【０１１５】
次に、本発明の第２の実施の形態に係るハードディスクドライブ用プラッタ２について説明する。
図１（ｂ）に示すように、ハードディスクドライブ用プラッタ２は、エポキシ化アルミニウム基体１４の表面に、反応性マグネタイト微粒子４２が配列した磁性微粒子層が１層結合固定されている。磁性微粒子層は、エポキシ化アルミニウム基体１４側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数で、本実施の形態においてはｎ＝２）まで順次積層している。
【０１１６】
エポキシ化アルミニウム基体１４の表面は、エポキシ基を有する膜化合物の単分子膜１３で被覆されている。
１層目の磁性微粒子層を形成している反応性マグネタイト微粒子４２（第1の反応性磁性微粒子の一例）の表面は、２−メチルイミダゾールのアミノ基とエポキシ基とのカップリング反応により形成された結合を介して固定された２−メチルイミダゾールの被膜でさらに被覆されている。
エポキシ化アルミニウム基体１４と第１層目の磁性微粒子層を形成する反応性マグネタイト微粒子４２、および奇数層目の磁性微粒子層を形成する反応性マグネタイト微粒子４２と偶数層目の磁性微粒子層を形成するエポキシ化マグネタイト微粒子２４との間は、エポキシ基と２−メチルイミダゾールのアミノ基またはイミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して互いに結合固定されている。
【０１１７】
ハードディスクドライブ用プラッタ２の製造方法は、図２（ａ）、（ｂ）、図３（ａ）、（ｂ）、および図５に示すように、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物を含む溶液をアルミニウム基体１１の表面に接触させ、アルコキシシリル基とアルミニウム基体１１の表面との間で結合を形成させ、エポキシ化アルミニウム基体１４を調製する工程Ａと、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物をマグネタイト微粒子２１の表面に接触させ、アルコキシシリル基とマグネタイト微粒子２１の表面との間で結合を形成させ、エポキシ化マグネタイト微粒子２４を調製する工程Ｂと、まず、エポキシ化マグネタイト微粒子２４の表面に、２−メチルイミダゾールを接触させ、エポキシ基とアミノ基とをカップリング反応させて反応性アルミニウム基体３２を調製し、次いで、反応性アルミニウム基体３２の表面に反応性マグネタイト微粒子４２を接触させ、エポキシ基とイミノ基（第２のカップリング反応基の一例）とのカップリング反応により結合を形成させ、エポキシ化アルミニウム基体１４の表面に反応性マグネタイト微粒子４２を固定し、次いで、固定されなかった反応性マグネタイト微粒子４２を除去する工程Ｃと、エポキシ化アルコキシシラン化合物を含む溶液をマグネタイト微粒子２１の表面に接触させ、アルコキシシリル基とマグネタイト微粒子２１の表面との間で結合を形成させ、エポキシ化マグネタイト微粒子２４を調製する工程Ｄと、反応性マグネタイト微粒子４２の磁性微粒子層を有するハードディスクドライブ用プラッタ１の表面にエポキシ化マグネタイト微粒子２４を接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により結合を形成させ、反応性エポキシ化マグネタイト微粒子２４を反応性マグネタイト微粒子４２の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかったエポキシ化マグネタイト微粒子２４を除去する工程Ｅと、エポキシ化マグネタイト微粒子２４の磁性微粒子層を有するハードディスクドライブ用プラッタ１の表面に反応性マグネタイト微粒子４２を接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により結合を形成させ、反応性マグネタイト微粒子４２をエポキシ化マグネタイト微粒子２４の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった反応性マグネタイト微粒子４２を除去する工程Ｆとを有する。
【０１１８】
工程Ａ〜Ｆにおける、エポキシ化アルミニウム基体１４、エポキシ化マグネタイト微粒子２４、反応性アルミニウム基体３２、および反応性マグネタイト微粒子４２の調製、ならびにこれらの反応については、第１の実施の形態にかかるハードディスクドライブ用プラッタ１の場合と同様であるので、詳しい説明は省略する。
【０１１９】
以上、本発明の第１および第２の実施の形態に係るハードディスク用プラッタおよびその製造方法について説明したが、フレキシブルディスク、光磁気ディスク、磁気テープ（オーディオ用およびデータ保存用のいずれでもよく、アナログおよびデジタル記録用のいずれであってもよい）、磁気カード（銀行用カード、クレジットカード、電話および交通機関用プリペイドカード、鉄道用乗車券および定期券等）等の任意の磁気記録媒体に対して、本発明は適用できる。
【実施例】
【０１２０】
次に、本発明の作用効果を確認するために行った実施例について説明する。
【０１２１】
実施例１：エポキシ化アルミニウム基体の調製
アルミニウム基体を用意し、洗浄後よく乾燥した。
３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（化８、信越化学工業株式会社製）０．９９重量部、およびジブチルスズビスアセチルアセトナート（縮合触媒）０．０１重量部を秤量し、これを１００重量部のヘキサメチルジシロキサン溶媒に溶解し、反応液を調製した。
【０１２２】
【化８】
【０１２３】
このようにして得られた反応液をアルミニウム基体に塗布し、空気中（相対湿度４５％）で２時間程度反応させた。
その後、クロロホルムで洗浄し、余分なアルコキシシラン化合物およびジブチルスズビスアセチルアセトナートを除去した。
【０１２４】
実施例２；エポキシ化マグネタイト微粒子の調製
粒径が１００ｎｍ程度の無水のマグネタイト微粒子を用意し、よく乾燥した。
３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（化８）０．９９重量部、およびジブチルスズビスアセチルアセトナート（縮合触媒）０．０１重量部を秤量し、これを１００重量部のヘキサメチルジシロキサン溶媒に溶解し、反応液を調製した。
【０１２５】
このようにして得られた反応液中にマグネタイト微粒子を混合し、撹拌しながら空気中（相対湿度４５％）で２時間程度反応させた。
その後、トリクレンで洗浄し、余分なアルコキシシラン化合物およびジブチルスズビスアセチルアセトナートを除去した。
【０１２６】
実施例３：反応性アルミニウム基体の調製
実施例１で調製したエポキシ化アルミニウム基体の表面に、２−メチルイミダゾールのエタノール溶液を塗布し、１００℃で加熱すると、エポキシ基と２−メチルイミダゾールのアミノ基とが反応して反応性アルミニウム基体が得られた。エタノールで洗浄することにより余分な２−メチルイミダゾールを除去した。
【０１２７】
実施例４：反応性マグネタイト微粒子の調製
実施例２で調製したエポキシ化マグネタイト微粒子を、２−メチルイミダゾールのエタノール溶液中に分散して、１００℃で加熱すると、エポキシ基と２−メチルイミダゾールのアミノ基とが反応して反応性アルミニウム基体が得られた。エタノールで洗浄することにより余分な２−メチルイミダゾールを除去した。
【０１２８】
実施例５：ハードディスクドライブ用プラッタの調製（１）
実施例３で調製した反応性アルミニウム基体の表面に、実施例２で調製したエポキシ化マグネタイト微粒子のエタノール分散液を塗布し、１００℃で加熱した。反応後、水で洗浄し、余分なエポキシ化マグネタイト微粒子を除去した。
このようにして得られた、磁性微粒子層が１層積層した単層ハードディスクドライブ用プラッタの表面に、実施例４で調製した反応性マグネタイト微粒子のエタノール分散液をさらに塗布し、１００℃で加熱した。反応後、水で洗浄し、余分な反応性マグネタイト微粒子を除去すると、２層の磁性微粒子層が積層した累積ハードディスクドライブ用プラッタが得られた。
単層ハードディスクドライブ用プラッタにおいて、磁性微粒子層の厚さは約１００ｎｍで、かつ均一性が高かったため、干渉色は観測されなかった。
【０１２９】
実施例６：ハードディスクドライブ用プラッタの調製（２）
実施例１で調製したエポキシ化アルミニウム基体の表面に、実施例４で調製した反応性マグネタイト微粒子のエタノール分散液を塗布し、１００℃で加熱した。反応後、水で洗浄し、余分な反応性マグネタイト微粒子を除去した。
このようにして得られた、磁性微粒子層が１層積層した単層ハードディスクドライブ用プラッタの表面に、実施例２で調製したエポキシ化マグネタイト微粒子のエタノール分散液をさらに塗布し、１００℃で加熱した。反応後、水で洗浄し、余分なエポキシ化マグネタイト微粒子を除去すると、２層の磁性微粒子層が積層した累積ハードディスクドライブ用プラッタが得られた。
累積ハードディスクドライブ用プラッタにおいて、磁性微粒子層の厚さは約２００ｎｍで、かつ均一性が高かったため、干渉色は観測されなかった。
【０１３０】
実施例７：ハードディスクドライブ用プラッタの調製（３）
３−アミノプロピルトリメトキシシラン（化９、信越化学工業株式会社製）０．９９重量部、および酢酸（縮合触媒）０．０１重量部を秤量し、これを１００重量部のヘキサメチルジシロキサン−ジメチルホルムアミド混合溶媒（１：１ｖ／ｖ）に溶解した反応液を用いて、実施例１および実施例２と同様の処理を行い、アミノ化アルミニウム基体および粒径が約１００ｎｍのアミノ化マグネタイト微粒子を調製した。
また、カップリング剤として、ｐ−フェニレンジイソシアネートを用いて、実施例３および実施例４と同様の処理を行い、カップリング反応基としてイソシアネート基を有する反応性アルミニウム基体および反応性マグネタイト微粒子を調製した。
これらの原料を用いて、実施例５および実施例６と同様の処理を行うと、１層または２層の磁性微粒子層が積層した累積ハードディスクドライブ用プラッタが得られた。
２層ハードディスクドライブ用プラッタにおいて、磁性微粒子層の厚さは約２００ｎｍで、かつ均一性が高かったため、干渉色は観測されなかった。
【０１３１】
【化９】
【図面の簡単な説明】
【０１３２】
【図１】（ａ）は本発明の第１の実施の形態に係るハードディスクドライブ用プラッタの断面構造を模式的に表した説明図、（ｂ）は本発明の第２の実施の形態に係るハードディスクドライブ用プラッタの断面構造を模式的に表した説明図である。
【図２】本発明の第１および第２の実施の形態に係るハードディスクドライブ用プラッタの製造方法において、エポキシ化アルミニウム基体を製造する工程を説明するために分子レベルまで拡大した概念図であり、（ａ）は反応前のアルミニウム基体の断面構造、（ｂ）はエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜が形成されたアルミニウム基体の断面構造をそれぞれ表す。
【図３】同ハードディスクドライブ用プラッタの製造方法において、エポキシ化マグネタイト微粒子を製造する工程を説明するために分子レベルまで拡大した概念図であり、（ａ）は反応前のマグネタイト微粒子の断面構造、（ｂ）はエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜が形成されたマグネタイト微粒子の断面構造をそれぞれ表す。
【図４】エポキシ化アルミニウム基体の表面に、エポキシ基と２−メチルイミダゾールのアミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して固定された２−メチルイミダゾールの被膜を有する反応性アルミニウム基体の断面構造を模式的に表した説明図である。
【図５】エポキシ化マグネタイト微粒子の表面に、エポキシ基と２−メチルイミダゾールのアミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して固定された２−メチルイミダゾールの被膜を有する反応性マグネタイト微粒子の断面構造を模式的に表した説明図である。
【符号の説明】
【０１３３】
１、２：ハードディスクドライブ用プラッタ、１１：アルミニウム基体、１２、２２：ヒドロキシル基、１３、２３：エポキシ基を有する膜化合物の単分子膜、１４：エポキシ化アルミニウム基体、２１：マグネタイト微粒子、２４：エポキシ化マグネタイト微粒子、３１、４１：反応性単分子膜、３２：反応性アルミニウム基体、４２：反応性マグネタイト微粒子
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の官能基を有する第１の膜化合物の形成する被膜で被覆された基体の表面に、第２の官能基を有する第２の膜化合物の形成する被膜で被覆された磁性微粒子が配列した磁性微粒子層が１層結合固定された磁気記録媒体であって、
前記被覆された磁性微粒子は、前記第１の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１の第１のカップリング反応基と、前記第２の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１の第２のカップリング反応基とを有する第１のカップリング剤と、前記第１および前記第２の官能基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記被覆された基体上に固定された磁気記録層を有することを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
請求項１記載の磁気記録媒体において、前記第１の膜化合物と前記第２の膜化合物とが同一の化合物であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項３】
請求項１および２のいずれか１項に記載の磁気記録媒体において、前記第１および第２の膜化合物の形成する被膜の一方または双方が単分子膜であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項４】
第１の官能基を有する第１の膜化合物の形成する被膜で被覆された基体の表面に、磁性微粒子が配列した磁性微粒子層が前記被覆された基体側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数）まで順次積層した磁気記録層を有し、
第ｘ番目（ｘは、１≦ｍ≦ｎである整数）の前記磁性微粒子層を形成している前記磁性微粒子の表面は、第（ｘ＋１）の官能基を有する第ｍの膜化合物の形成する被膜で被覆されており、
前記磁性微粒子層の第（ｘ−１）層と第ｘ層は、第ｘの官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１の第ｘのカップリング反応基と、前記第（ｘ＋１）の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１の第（ｘ＋１）のカップリング反応基とを有する第ｘのカップリング剤と、前記第ｘの官能基と前記第ｘのカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合、および前記第（ｘ＋１）の官能基と前記第（ｘ＋１）のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して互いに固定されていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項５】
請求項４記載の磁気記録媒体において、前記第１〜第（ｎ＋１）の膜化合物、ならびに前記第１〜第ｎのカップリング剤がそれぞれ同一の化合物であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項６】
請求項４および５のいずれか１項に記載の磁気記録媒体において、前記第１〜第（ｎ＋１）の膜化合物が形成する被膜が全て単分子膜であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の磁気記録媒体において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）結合であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の磁気記録媒体において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とイソシアネート基との反応により形成されたＮＨ−ＣＯＮＨ結合であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項９】
分子の両端にそれぞれ第１の官能基および第１の結合基を有する第１の膜化合物の形成する被膜で被覆された基体の表面に、分子の両端にそれぞれ第２の官能基および第２の結合基を有する第２の膜化合物の形成する被膜で被覆された磁性微粒子が配列した磁性微粒子層が１層結合固定された磁気記録層を有する磁気記録媒体の製造方法であって、
前記第１の膜化合物を含む溶液を基体の表面に接触させ、前記第１の結合基と前記基体の表面との間で結合を形成させ、前記第１の膜化合物の形成する被膜で前記基体の表面が被覆された被覆基体を調製する工程Ａと、
前記第２の膜化合物を含む溶液を磁性微粒子の表面に接触させ、前記第２の結合基と前記第１の磁性微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記第２の膜化合物の形成する被膜で前記磁性微粒子の表面が被覆された第１の被覆磁性微粒子を調製する工程Ｂと、
前記第１の官能基とカップリング反応して結合を形成する１または２以上の第１のカップリング反応基と、前記第２の官能基とカップリング反応して結合を形成する１または２以上の第２のカップリング反応基とを有する第１のカップリング剤を、前記被覆された基体および前記第１の被覆磁性微粒子の表面にそれぞれ接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応、および前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により結合を形成させ、前記第１の被覆磁性微粒子からなる１層の磁性微粒子層を、前記被覆基体の表面に結合固定し、次いで、前記被覆基体の表面に固定されなかった前記第１の被覆磁性微粒子を除去する工程Ｃとを有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記工程Ｃを磁場中で行うことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１１】
請求項９および１０のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記工程Ｃでは、前記第１のカップリング剤を、まず、前記被覆基体の表面に接触させ、該第１のカップリング剤の被膜を有する反応性基体を調製し、次いで、該反応性基体の表面に前記第１の被覆磁性微粒子を接触させ、該反応性基体の表面に前記第１の被覆磁性微粒子を固定することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１２】
請求項９および１０のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記工程Ｃでは、まず、前記第１の被覆磁性微粒子の表面に前記第１のカップリング剤を接触させ、前記第１のカップリング剤の被膜を有する第１の反応性磁性微粒子を調製し、次いで、該第１の反応性磁性微粒子の表面を前記被覆基体と接触させ、該被覆基体の表面に前記第１の反応性磁性微粒子を固定することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１３】
請求項９〜１２のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記第１の膜化合物と前記第２の膜化合物とが同一の化合物であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１４】
請求項９〜１３のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記工程Ａおよび前記工程Ｂにおいて、未反応の前記第１および第２の膜化合物は洗浄除去され、前記被覆基体および前記第１の被覆磁性微粒子の表面で前記第１および第２の膜化合物がそれぞれ形成する被膜は、単分子膜であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１５】
請求項１１記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記基体上には、前記磁性微粒子層が前記基体側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数）まで順次積層した磁気記録層を有する磁気記録媒体の製造方法であって、
分子の両端にそれぞれ第３の官能基および第３の結合基を有する第３の膜化合物を含む溶液を前記磁性微粒子の表面に接触させ、前記第３の結合基と前記磁性微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記第３の膜化合物の形成する被膜で表面が被覆された第２の被覆磁性微粒子を被覆し、次いで、前記第２の被覆磁性微粒子の表面に、前記第２のカップリング反応基と、前記第３の官能基とカップリング反応して結合を形成する１または２以上の第３のカップリング反応基とを有する第２のカップリング剤を接触させ、前記第３の官能基と前記第３のカップリング反応基とのカップリング反応により形成させた結合を介して固定された前記第２のカップリング剤の形成する被膜を表面に有する第２の反応性磁性微粒子を調製する工程Ｄと、
前記第１の被覆磁性微粒子の磁性微粒子層の表面に前記第２の反応性磁性微粒子を接触させ、前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により結合を形成させ、前記第２の反応性磁性微粒子を前記第１の被覆磁性微粒子の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第２の反応性磁性微粒子を除去する工程Ｅと、
前記第２の反応磁性微粒子の磁性微粒子層の表面に前記第１の被覆磁性微粒子を接触させ、前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により結合を形成させ、前記第１の被覆磁性微粒子を前記第２の反応性磁性微粒子の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第１の被覆磁性微粒子を除去する工程Ｆと、
前記工程ＥおよびＦをこの順序で繰返し行い、ｎ層の前記磁性微粒子層からなる前記磁気記録層を形成する工程Ｇとをさらに有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１６】
請求項１２記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記基体上には、前記磁性微粒子層が前記基体側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数）まで順次積層した磁気記録層を有する磁気記録媒体の製造方法であって、
前記第３の膜化合物を含む溶液を前記磁性微粒子の表面に接触させ、前記第３の結合基と前記磁性微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記第３の膜化合物の形成する被膜で前記磁性微粒子の表面が被覆された第２の被膜磁性微粒子を調製する工程Ｄと、
前記第１の反応性磁性微粒子の磁性微粒子層の表面に前記第２の被覆磁性微粒子を接触させ、前記第３の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応により結合を形成させ、前記第２の被覆磁性微粒子を前記第１の反応性磁性微粒子の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第２の被覆磁性微粒子を除去する工程Ｅと、
前記第２の被覆磁性微粒子の磁性微粒子層の表面に前記第１の反応性磁性微粒子を接触させ、前記第３の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応により結合を形成させ、前記第１の反応性磁性微粒子を前記第２の被覆磁性微粒子の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第１の反応性磁性微粒子を除去する工程Ｆと、
前記工程ＥおよびＦをこの順序で繰返し行い、ｎ層の前記磁性微粒子層からなる前記磁気記録層を形成する工程Ｇとをさらに有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１７】
請求項１５および１６のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記工程Ｅ〜Ｇを磁場中で行うことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１８】
請求項１５〜１７のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記第１〜第３の膜化合物が同一の化合物であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１９】
請求項１５〜１８のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記工程Ｄにおいて、未反応の前記第３の膜化合物は洗浄除去され、前記第２の被覆磁性微粒子の表面上で前記第３の膜化合物が形成する被膜は、単分子膜であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２０】
請求項９〜１４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記第１および第２の膜化合物は全てアルコキシシラン化合物であり、前記第１および第２の膜化合物を含む溶液は、さらに、カルボン酸金属塩、カルボン酸エステル金属塩、カルボン酸金属塩ポリマー、カルボン酸金属塩キレート、チタン酸エステル、およびチタン酸エステルキレートからなる群から選択される１または２以上の化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２１】
請求項９〜１４および２０のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記第１および第２の膜化合物は全てアルコキシシラン化合物であり、前記第１および第２の膜化合物を含む溶液は、さらに、ケチミン化合物、有機酸、アルジミン化合物、エナミン化合物、オキサゾリジン化合物、およびアミノアルキルアルコキシシラン化合物からなる群より選択される１または２以上の化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２２】
請求項１５〜１９のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記第１〜第３の膜化合物は全てアルコキシシラン化合物であり、前記第１〜第３の膜化合物を含む溶液は、さらに、カルボン酸金属塩、カルボン酸エステル金属塩、カルボン酸金属塩ポリマー、カルボン酸金属塩キレート、チタン酸エステル、およびチタン酸エステルキレートからなる群から選択される１または２以上の化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２３】
請求項１５〜１９、および２２のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記第１〜第３の膜化合物は全てアルコキシシラン化合物であり、前記第１〜第３の膜化合物を含む溶液は、さらに、ケチミン化合物、有機酸、アルジミン化合物、エナミン化合物、オキサゾリジン化合物、およびアミノアルキルアルコキシシラン化合物からなる群より選択される１または２以上の化合物をさらに含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２４】
請求項９〜２３のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）結合であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２５】
請求項９〜２３のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とイソシアネート基との反応により形成されたＮＨ−ＣＯＮＨ結合であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２６】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の磁気記録媒体を用いた磁気記録読取装置。
【請求項１】
第１の官能基を有する第１の膜化合物の形成する被膜で被覆された基体の表面に、第２の官能基を有する第２の膜化合物の形成する被膜で被覆された磁性微粒子が配列した磁性微粒子層が１層結合固定された磁気記録媒体であって、
前記被覆された磁性微粒子は、前記第１の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１の第１のカップリング反応基と、前記第２の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１の第２のカップリング反応基とを有する第１のカップリング剤と、前記第１および前記第２の官能基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記被覆された基体上に固定された磁気記録層を有することを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
請求項１記載の磁気記録媒体において、前記第１の膜化合物と前記第２の膜化合物とが同一の化合物であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項３】
請求項１および２のいずれか１項に記載の磁気記録媒体において、前記第１および第２の膜化合物の形成する被膜の一方または双方が単分子膜であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項４】
第１の官能基を有する第１の膜化合物の形成する被膜で被覆された基体の表面に、磁性微粒子が配列した磁性微粒子層が前記被覆された基体側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数）まで順次積層した磁気記録層を有し、
第ｘ番目（ｘは、１≦ｍ≦ｎである整数）の前記磁性微粒子層を形成している前記磁性微粒子の表面は、第（ｘ＋１）の官能基を有する第ｍの膜化合物の形成する被膜で被覆されており、
前記磁性微粒子層の第（ｘ−１）層と第ｘ層は、第ｘの官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１の第ｘのカップリング反応基と、前記第（ｘ＋１）の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１の第（ｘ＋１）のカップリング反応基とを有する第ｘのカップリング剤と、前記第ｘの官能基と前記第ｘのカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合、および前記第（ｘ＋１）の官能基と前記第（ｘ＋１）のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して互いに固定されていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項５】
請求項４記載の磁気記録媒体において、前記第１〜第（ｎ＋１）の膜化合物、ならびに前記第１〜第ｎのカップリング剤がそれぞれ同一の化合物であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項６】
請求項４および５のいずれか１項に記載の磁気記録媒体において、前記第１〜第（ｎ＋１）の膜化合物が形成する被膜が全て単分子膜であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の磁気記録媒体において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）結合であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の磁気記録媒体において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とイソシアネート基との反応により形成されたＮＨ−ＣＯＮＨ結合であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項９】
分子の両端にそれぞれ第１の官能基および第１の結合基を有する第１の膜化合物の形成する被膜で被覆された基体の表面に、分子の両端にそれぞれ第２の官能基および第２の結合基を有する第２の膜化合物の形成する被膜で被覆された磁性微粒子が配列した磁性微粒子層が１層結合固定された磁気記録層を有する磁気記録媒体の製造方法であって、
前記第１の膜化合物を含む溶液を基体の表面に接触させ、前記第１の結合基と前記基体の表面との間で結合を形成させ、前記第１の膜化合物の形成する被膜で前記基体の表面が被覆された被覆基体を調製する工程Ａと、
前記第２の膜化合物を含む溶液を磁性微粒子の表面に接触させ、前記第２の結合基と前記第１の磁性微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記第２の膜化合物の形成する被膜で前記磁性微粒子の表面が被覆された第１の被覆磁性微粒子を調製する工程Ｂと、
前記第１の官能基とカップリング反応して結合を形成する１または２以上の第１のカップリング反応基と、前記第２の官能基とカップリング反応して結合を形成する１または２以上の第２のカップリング反応基とを有する第１のカップリング剤を、前記被覆された基体および前記第１の被覆磁性微粒子の表面にそれぞれ接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応、および前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により結合を形成させ、前記第１の被覆磁性微粒子からなる１層の磁性微粒子層を、前記被覆基体の表面に結合固定し、次いで、前記被覆基体の表面に固定されなかった前記第１の被覆磁性微粒子を除去する工程Ｃとを有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記工程Ｃを磁場中で行うことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１１】
請求項９および１０のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記工程Ｃでは、前記第１のカップリング剤を、まず、前記被覆基体の表面に接触させ、該第１のカップリング剤の被膜を有する反応性基体を調製し、次いで、該反応性基体の表面に前記第１の被覆磁性微粒子を接触させ、該反応性基体の表面に前記第１の被覆磁性微粒子を固定することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１２】
請求項９および１０のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記工程Ｃでは、まず、前記第１の被覆磁性微粒子の表面に前記第１のカップリング剤を接触させ、前記第１のカップリング剤の被膜を有する第１の反応性磁性微粒子を調製し、次いで、該第１の反応性磁性微粒子の表面を前記被覆基体と接触させ、該被覆基体の表面に前記第１の反応性磁性微粒子を固定することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１３】
請求項９〜１２のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記第１の膜化合物と前記第２の膜化合物とが同一の化合物であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１４】
請求項９〜１３のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記工程Ａおよび前記工程Ｂにおいて、未反応の前記第１および第２の膜化合物は洗浄除去され、前記被覆基体および前記第１の被覆磁性微粒子の表面で前記第１および第２の膜化合物がそれぞれ形成する被膜は、単分子膜であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１５】
請求項１１記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記基体上には、前記磁性微粒子層が前記基体側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数）まで順次積層した磁気記録層を有する磁気記録媒体の製造方法であって、
分子の両端にそれぞれ第３の官能基および第３の結合基を有する第３の膜化合物を含む溶液を前記磁性微粒子の表面に接触させ、前記第３の結合基と前記磁性微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記第３の膜化合物の形成する被膜で表面が被覆された第２の被覆磁性微粒子を被覆し、次いで、前記第２の被覆磁性微粒子の表面に、前記第２のカップリング反応基と、前記第３の官能基とカップリング反応して結合を形成する１または２以上の第３のカップリング反応基とを有する第２のカップリング剤を接触させ、前記第３の官能基と前記第３のカップリング反応基とのカップリング反応により形成させた結合を介して固定された前記第２のカップリング剤の形成する被膜を表面に有する第２の反応性磁性微粒子を調製する工程Ｄと、
前記第１の被覆磁性微粒子の磁性微粒子層の表面に前記第２の反応性磁性微粒子を接触させ、前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により結合を形成させ、前記第２の反応性磁性微粒子を前記第１の被覆磁性微粒子の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第２の反応性磁性微粒子を除去する工程Ｅと、
前記第２の反応磁性微粒子の磁性微粒子層の表面に前記第１の被覆磁性微粒子を接触させ、前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により結合を形成させ、前記第１の被覆磁性微粒子を前記第２の反応性磁性微粒子の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第１の被覆磁性微粒子を除去する工程Ｆと、
前記工程ＥおよびＦをこの順序で繰返し行い、ｎ層の前記磁性微粒子層からなる前記磁気記録層を形成する工程Ｇとをさらに有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１６】
請求項１２記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記基体上には、前記磁性微粒子層が前記基体側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数）まで順次積層した磁気記録層を有する磁気記録媒体の製造方法であって、
前記第３の膜化合物を含む溶液を前記磁性微粒子の表面に接触させ、前記第３の結合基と前記磁性微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記第３の膜化合物の形成する被膜で前記磁性微粒子の表面が被覆された第２の被膜磁性微粒子を調製する工程Ｄと、
前記第１の反応性磁性微粒子の磁性微粒子層の表面に前記第２の被覆磁性微粒子を接触させ、前記第３の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応により結合を形成させ、前記第２の被覆磁性微粒子を前記第１の反応性磁性微粒子の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第２の被覆磁性微粒子を除去する工程Ｅと、
前記第２の被覆磁性微粒子の磁性微粒子層の表面に前記第１の反応性磁性微粒子を接触させ、前記第３の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応により結合を形成させ、前記第１の反応性磁性微粒子を前記第２の被覆磁性微粒子の磁性微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第１の反応性磁性微粒子を除去する工程Ｆと、
前記工程ＥおよびＦをこの順序で繰返し行い、ｎ層の前記磁性微粒子層からなる前記磁気記録層を形成する工程Ｇとをさらに有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１７】
請求項１５および１６のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記工程Ｅ〜Ｇを磁場中で行うことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１８】
請求項１５〜１７のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記第１〜第３の膜化合物が同一の化合物であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１９】
請求項１５〜１８のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記工程Ｄにおいて、未反応の前記第３の膜化合物は洗浄除去され、前記第２の被覆磁性微粒子の表面上で前記第３の膜化合物が形成する被膜は、単分子膜であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２０】
請求項９〜１４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記第１および第２の膜化合物は全てアルコキシシラン化合物であり、前記第１および第２の膜化合物を含む溶液は、さらに、カルボン酸金属塩、カルボン酸エステル金属塩、カルボン酸金属塩ポリマー、カルボン酸金属塩キレート、チタン酸エステル、およびチタン酸エステルキレートからなる群から選択される１または２以上の化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２１】
請求項９〜１４および２０のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記第１および第２の膜化合物は全てアルコキシシラン化合物であり、前記第１および第２の膜化合物を含む溶液は、さらに、ケチミン化合物、有機酸、アルジミン化合物、エナミン化合物、オキサゾリジン化合物、およびアミノアルキルアルコキシシラン化合物からなる群より選択される１または２以上の化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２２】
請求項１５〜１９のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記第１〜第３の膜化合物は全てアルコキシシラン化合物であり、前記第１〜第３の膜化合物を含む溶液は、さらに、カルボン酸金属塩、カルボン酸エステル金属塩、カルボン酸金属塩ポリマー、カルボン酸金属塩キレート、チタン酸エステル、およびチタン酸エステルキレートからなる群から選択される１または２以上の化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２３】
請求項１５〜１９、および２２のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記第１〜第３の膜化合物は全てアルコキシシラン化合物であり、前記第１〜第３の膜化合物を含む溶液は、さらに、ケチミン化合物、有機酸、アルジミン化合物、エナミン化合物、オキサゾリジン化合物、およびアミノアルキルアルコキシシラン化合物からなる群より選択される１または２以上の化合物をさらに含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２４】
請求項９〜２３のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）結合であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２５】
請求項９〜２３のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とイソシアネート基との反応により形成されたＮＨ−ＣＯＮＨ結合であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２６】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の磁気記録媒体を用いた磁気記録読取装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２００８−２７６８９０（Ｐ２００８−２７６８９０Ａ）
【公開日】平成２０年１１月１３日（２００８．１１．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−１２１８７５（Ｐ２００７−１２１８７５）
【出願日】平成１９年５月２日（２００７．５．２）
【出願人】（３０４０２８３４６）国立大学法人 香川大学 (285)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年１１月１３日（２００８．１１．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年５月２日（２００７．５．２）
【出願人】（３０４０２８３４６）国立大学法人 香川大学 (285)
【Ｆターム（参考）】
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