磁気記録媒体及びその製造方法
【課題】凹凸パターンで形成された記録層を有し、表面が充分に平坦で記録再生精度が良好な磁気記録媒体を効率的に製造する。
【解決手段】開示の磁気記録媒体の製造方法は、基材の上に磁性層を形成する工程と、前記磁性層に凹部を形成して、凹凸パターンを有する記録層を形成する工程と、前記凹部に空間を残し、前記凹部の内面上に酸化性材料又は窒化性材料を成膜する工程と、成膜された前記材料を酸化又は窒化して、酸化材料又は窒化材料で前記空間を充填する工程と、前記記録層上の余剰の前記酸化材料又は前記窒化材料を除去して平坦化する工程とを含む。
【解決手段】開示の磁気記録媒体の製造方法は、基材の上に磁性層を形成する工程と、前記磁性層に凹部を形成して、凹凸パターンを有する記録層を形成する工程と、前記凹部に空間を残し、前記凹部の内面上に酸化性材料又は窒化性材料を成膜する工程と、成膜された前記材料を酸化又は窒化して、酸化材料又は窒化材料で前記空間を充填する工程と、前記記録層上の余剰の前記酸化材料又は前記窒化材料を除去して平坦化する工程とを含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ハードディスク等の磁気記録媒体は、記録層を形成する磁性粒子の微細化、ヘッド加工の微細化等の改良により著しい面記録密度の向上が図られてきた。しかし、従来の磁気記録媒体における記録層の磁性膜は、平面状に形成された連続膜であるため、面記録密度を高めるために記録ビットを微細化すると、隣接する記録ビット同士の磁気記録情報が干渉し合って記録情報の信頼性が低下する問題がある。このため、記録ビットの微細化による面記録密度の向上には限界がある。これに対処するため、一層の面記録密度の向上が可能である磁気記録媒体として、記録層を凹凸パターンで形成してなるディスクリートトラックメディアやディスクリートビットメディア等のパターンドメディアタイプの磁気記録媒体が提案されている（例えば、特許文献１、特許文献２参照。）。
【０００３】
上記パターンドメディアタイプの磁気記録媒体では、ヘッド・スライダの浮上高さを安定化させるため、媒体表面を平坦化する必要があり、そのために凹凸パターンの記録層上に非磁性材料を成膜して凹部を充填する必要がある。この非磁性材料を成膜する手法としては、スパッタリング等の成膜技術を利用することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−２３５３５６号公報
【特許文献２】特開２００６−１５５８６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、従来の指向性の良いスパッタリング等による成膜では、元の凹凸パターンの高低差をそのまま反映して非磁性材料が成長する。このため、非磁性材料により凹部を充填しても、媒体表面には元の凹凸パターンの高低差がそのまま残ることになり、その後の平坦化作業に長時間を要する。また、上記従来のスパッタリング等による成膜では、凹凸パターンの凹部を非磁性材料で完全に満たす必要があり、成膜作業に時間とコストを要する。さらに、上記従来のスパッタリング等による成膜では、成膜作業と平坦化作業とを何度も繰り返す必要がある場合があり、作業工程が煩雑となる。
【０００６】
一方、非磁性材料を等方的に成長させて成膜し、元の凹凸パターンの高低差を出来るだけ小さくすることも考えられる。しかし、指向性を低下させてスパッタリング等により成膜すると、非磁性材料が凹凸パターンの凸部の頂点を中心に成長する。このため、凹凸パターンの凹部に非磁性材料が充分に充填されないことになる。
【０００７】
本発明は上記問題を解決したもので、凹凸パターンで形成された記録層を有し、表面が充分に平坦で記録再生精度が良好な磁気記録媒体を効率的に製造できる磁気記録媒体の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
開示の磁気記録媒体の製造方法は、基材の上に磁性層を形成する工程と、前記磁性層に凹部を形成して、凹凸パターンを有する記録層を形成する工程と、前記凹部に空間を残し、前記凹部の内面上に酸化性材料又は窒化性材料を成膜する工程と、成膜された前記材料を酸化又は窒化して、酸化材料又は窒化材料で前記空間を充填する工程と、前記記録層上の余剰の前記酸化材料又は前記窒化材料を除去して平坦化する工程とを含む。
【発明の効果】
【０００９】
開示の磁気記録媒体の製法方法によれば、凹凸パターンで形成された記録層を有し、表面が充分に平坦で記録再生精度が良好な磁気記録媒体を効率的に製造できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本発明の磁気記録媒体の製造工程の一例を模式的に示す第１工程断面図である。
【図２】図２は、本発明の磁気記録媒体の製造工程の一例を模式的に示す第２工程断面図である。
【図３】図３は、本発明の磁気記録媒体の製造工程の一例を模式的に示す第３工程断面図である。
【図４】図４は、本発明の磁気記録媒体の製造工程の一例を模式的に示す第４工程断面図である。
【図５】図５は、本発明の磁気記録媒体の製造工程の一例を模式的に示す第５工程断面図である。
【図６】図６は、実施例１の記録層のＳＰＭ断面図である。
【図７】図７は、比較例１の記録層のＳＰＭ断面図である。
【図８】図８は、実施例１及び比較例１の凹凸パターンの高低差とＣＭＰ平坦化作業時間との関係を示す図である。
【図９】図９は、実施例２及び比較例２の凹凸パターンの高低差とＣＭＰ平坦化作業時間との関係を示す図である。
【図１０】図１０は、実施例３及び比較例３の凹凸パターンの高低差とＣＭＰ平坦化作業時間との関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
先ず、本発明の磁気記録媒体の製造方法について説明する。本発明の磁気記録媒体の製造方法の一例は、基材の上に磁性層を形成する工程と、上記磁性層に凹部を形成して、凹凸パターンを有する記録層を形成する工程と、上記凹部に空間を残し、上記凹部の内面上に酸化性材料又は窒化性材料を成膜する工程と、成膜された上記材料を酸化又は窒化して、酸化材料又は窒化材料で上記空間を充填する工程と、上記記録層上の余剰の上記酸化材料又は上記窒化材料を除去して平坦化する工程とを含む。
【００１２】
開示の磁気記録媒体の製造方法では、上記凹凸パターンの凹部の内面上に酸化性材料又は窒化性材料を成膜した後、この成膜された上記材料を酸化又は窒化して膨張させることにより、凹部を酸化材料又は窒化材料で充填することができる。このため、元の凹凸パターンの高低差の反映を出来るだけ小さく抑えて凹部に非磁性材料を充填でき、その後の平坦化作業を短時間に効率的に行うことができる。
【００１３】
上記酸化性材料及び上記窒化性材料は、タンタル、アルミニウム、タングステン、クロム及びケイ素からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属であることが好ましい。これらの金属は、酸化又は窒化されることにより膨張し、元の凹凸パターンの高低差を吸収しながら凹部を非磁性材料で充填できる。
【００１４】
また、上記酸化性材料又は上記窒化性材料を成膜する工程において、成膜された上記材料の上記凹部の底面からの最小膜厚が、上記凹部の総高さに上記材料の酸化又は窒化による最大膨張率の逆数を掛けた値を下限値とし、上記凹部の総高さ未満を上限値とする範囲内にあることが好ましい。これにより、確実に上記凹部を非磁性材料で充填できる。
【００１５】
次に、本発明の磁気記録媒体について説明する。本発明の磁気記録媒体の一例は、磁性層と非磁性層とからなる凹凸パターンを有する記録層を含む。また、上記記録層は、上記磁性層を貫通する凹部を有し、上記凹部には、非磁性材料が充填されて上記非磁性層を形成し、上記非磁性材料は、非磁性金属と、上記非磁性金属の酸化物又は窒化物とを含む。
【００１６】
開示の磁気記録媒体は、記録層を凹凸パターンで形成し、凹凸パターンの凹部には非磁性材料が充填されているため、記録ビットを微細化しても、隣接する記録ビット同士の磁気記録情報が干渉し合うことを防止できる。これにより、記録情報の信頼性を維持しつつ、面記録密度の向上を実現できる。また、開示の磁気記録媒体は、上記開示の磁気記録媒体の製造方法により効率的に製造可能である。
【００１７】
また、上記非磁性層は、上記非磁性金属からなる第１非磁性層と、上記非磁性金属の酸化物又は窒化物からなる第２非磁性層とを含み、上記第１非磁性層は、上記凹部の底面側に配置されていてもよい。
【００１８】
また、上記凹部に充填された上記非磁性材料に含まれる酸素元素又は窒素元素の濃度は、上記凹部の底面側から上方に向かって増加していてもよい。
【００１９】
以下、本発明の磁気記録媒体の製造方法の一例を図面に基づき説明する。図１〜図５は、本発明の磁気記録媒体の製造工程の一例を模式的に示す工程断面図である。
【００２０】
先ず、図１に示すように、非磁性基板１０の上に下地金属層１１と、磁性層１２とをスパッタリング等により積層して形成する。
【００２１】
非磁性基板１０は、非磁性材料で形成されていれば特に限定されず、例えば、ガラス基板、シリコン基板、非磁性金属基板、セラミック基板、カーボン基板、樹脂基板等を使用できる。
【００２２】
下地金属層１１に用いる金属としては、例えば、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｅ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｇ、Ａｌ、Ｓｉの単体又はこれらの合金を使用できる。下地金属層は、磁性層の結晶性制御や平坦性制御の効果があり、媒体高記録密度化のためには設ける方が望ましいが、下地金属層１１を設けない場合には、非磁性基板１０の上に磁性層１２を直接形成すればよい。
【００２３】
磁性層１２に用いる磁性材料としては、例えば、ＰｔＣｏ、ＳｍＣｏ、ＦｅＣｏ等を使用できる。
【００２４】
次に、図２に示すように、ドライエッチング等により磁性層１２を貫通する凹部１３を形成して、凹凸パターンを有する記録層を形成する。
【００２５】
次に、図３に示すように、凹部１３の内面上に非磁性金属を指向性の高いスパッタリング等により成膜して第１非磁性膜１４を形成する。この際、第１非磁性膜１４の凹部１３の底面からの最小膜厚Ｔｍｉｎは、凹部１３の総高さＴｍａｘに上記非磁性金属の酸化又は窒化による最大膨張率の逆数を掛けた値を下限値とし、凹部１３の総高さＴｍａｘ未満を上限値とする範囲内に設定する。この場合、凹部１３を第１磁性膜１４で完全に充填する必要がないため、成膜時間を短縮することができる。
【００２６】
次に、図４に示すように、第１非磁性膜１４の非磁性金属を、酸素ガス又は窒素ガスを用いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）等のドライエッチングにより酸化又は窒化して膨張させ、第１非磁性膜１４の外側に第２非磁性膜１５を形成する。これにより、凹部１３は、非磁性金属からなる第１非磁性膜１４と、非磁性金属の酸化物又は窒化物からなる第２非磁性膜１５により充填される。この際、第２非磁性膜１５は等方的に成長するため、最外面である第２非磁性層膜１５の表面１５ａの凹凸の高低差は、元の記録層の凹凸パターンの高低差に比べて小さくなる。
【００２７】
上記ＲＩＥ等の実施条件は、非磁性金属の種類に合わせて適宜設定できる。上記非磁性金属は、酸化又は窒化により膨張する非磁性金属であればよく、特にＴａ、Ａｌ、Ｗ、Ｃｒ、Ｓｉの単体又は合金が好ましい。
【００２８】
例えば、酸素ガスを用いたＲＩＥでＴａを酸化する場合、Ｔａは酸化されると例えばＴａ2Ｏ5となり、その体積が２倍程度となる。即ち、Ｔａの酸化による最大膨張率は２倍程度であり、少なくとも凹部１３の底面から１／２程度の深さまでＴａからなる第１非磁性膜１４を形成すれば、酸化後は凹部１３は、Ｔａ及びＴａ2Ｏ5を含む非磁性材料により完全に充填される。この場合、第１非磁性層１４の成膜時間も、凹部１３を第１非磁性層１４で完全に充填する場合に比べて半分程度にすることができる。但し、ＲＩＥのエッチング時間を長くする又は酸素ガス圧を高くすることなどにより、凹部１３における第１非磁性膜１４の形成深さを、凹部１３の底面から１／２程度を下回る深さとすることもできる。
【００２９】
また、上記ＲＩＥのバイアス電力を低く設定することにより、Ｔａ膜の厚さは目減りすることなく、Ｔａ膜は酸素原子を取り込んで膨張することになる。例えば、Ｔａ膜の酸素ガスによるＲＩＥの場合、バイアス電力は２５０Ｗ以下程度が好ましい。バイアス電力が２５０Ｗを超えると、酸素ガスイオンにより物理的なエッチング効果が増加して、Ｔａ酸化膜の成長速度が遅くなる傾向がある。
【００３０】
次に化学機械研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）等により、記録層上の余剰の非磁性材料を除去して平坦化して、図５に示すように、磁気記録媒体２０を得る。第２非磁性層膜１５の表面１５ａの凹凸の高低差は、元の記録層の凹凸パターンの高低差に比べて小さくなっているため、平坦化作業時間を大幅に短縮できる。
【００３１】
即ち、上記製造方法により製造された磁気記録媒体は、図５に示すように、凹凸パターンを有する記録層を含み、磁性層１２を貫通する凹部１３には、非磁性金属と、非磁性金属の酸化物又は窒化物とを含む非磁性材料が充填されている。
【００３２】
但し、製造条件等によっては、上記のように第１非磁性膜１４と第２非磁性膜１５とが完全に分離して形成されるのではなく、例えば、凹部１３に充填された非磁性材料に含まれる酸素元素又は窒素元素の濃度が、凹部１３の底面側から上方に向かって増加するような傾斜材料構造をとる場合もある。このような場合の酸素元素又は窒素元素の濃度は、蛍光Ｘ線分析（ＸＲＦ）装置等により測定できる。
【実施例】
【００３３】
次に、本発明を実施例に基づき具体的に説明する。但し、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。
【００３４】
（実施例１）
次のようにして磁気記録媒体を作製した。先ず、厚さ０．６ｍｍのガラス基板の上に合計厚さ３０ｎｍのＴａ、Ｐｔ、Ｒｕからなる下地金属層をスパッタリングにより形成した。次に、下地金属層の上に厚さ１０ｎｍのＰｔＣｏからなる磁性層をスパッタリングにより形成した。
【００３５】
次に、ドライエッチングにより磁性層を貫通する深さ２５ｎｍ、直径１８ｎｍの円筒状の凹部を形成して、凹凸パターンを有する凸状の記録層を形成した。続いて、凹部の内面上にＴａを指向性の高いスパッタリングにより成膜して、凹部の底面から１２ｎｍ程度の深さまでＴａ膜を形成した。
【００３６】
次に、酸素ガスを用いたＲＩＥによりＴａ膜を酸化させて膨張させた。ＲＩＥの実施条件としては、ガス圧：１．５Ｐａ、放電電力：アンテナ側／バイアス側＝２００Ｗ／５０Ｗ、エッチング時間：１２０秒とした。
【００３７】
ここで、ＲＩＥ後の記録層の凹凸パターンの高低差を走査型プローブ顕微鏡（ＳＰＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｐｒｏｂｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）で測定した結果、約８ｎｍであった。図６に上記記録層のＳＰＭ断面図を示す。
【００３８】
次に、上記記録層上の余剰の非磁性材料を除去するため、ＣＰＭにより平坦化作業を行って、本実施例の磁気記録媒体を得た。凹凸パターンの高低差はＳＰＭで確認し、平坦化作業は、凹凸パターンの高低差が０ｎｍになるまで行った。
【００３９】
（比較例１）
凹凸パターンを有する記録層の凹部の内面上にＴａを指向性の高いスパッタリングにより成膜して、凹部をほぼ完全にＴａ膜で充填し、その後、酸素ガスを用いたＲＩＥを行わなかった以外は、実施例１と同様にして本比較例の磁気記録媒体を作製した。
【００４０】
本比較例でもＴａを凹部に充填した後の記録層の凹凸パターンの高低差をＳＰＭで測定した結果、約２５ｎｍであった。図７に上記記録層のＳＰＭ断面図を示す。
【００４１】
さらに、図８に実施例１及び比較例１の凹凸パターンの高低差とＣＭＰ平坦化作業時間との関係を示す。図８から明らかなように、実施例１では、比較例１に比べて、ＣＭＰ平坦化作業時間を１／３程度まで短縮できることが分かる。
【００４２】
（実施例２）
Ｔａに代えてＡｌを用いた以外は、実施例１と同様にして本実施例の磁気記録媒体を作製した。本実施例でもＲＩＥ後の記録層の凹凸パターンの高低差をＳＰＭで測定した結果、約１２ｎｍであった。
【００４３】
（比較例２）
凹凸パターンを有する記録層の凹部の内面上にＡｌを指向性の高いスパッタリングにより成膜して、凹部をほぼ完全にＡｌ膜で充填し、その後、酸素ガスを用いたＲＩＥを行わなかった以外は、実施例２と同様にして本比較例の磁気記録媒体を作製した。
【００４４】
本比較例でもＡｌを凹部に充填した後の記録層の凹凸パターンの高低差をＳＰＭで測定した結果、約３０ｎｍであった。
【００４５】
図９に実施例２及び比較例２の凹凸パターンの高低差とＣＭＰ平坦化作業時間との関係を示す。図９から明らかなように、実施例２では、比較例２に比べて、ＣＭＰ平坦化作業時間を１／２以下にまで短縮できることが分かる。
【００４６】
（実施例３）
Ｔａに代えてＳｉを用い、ＲＩＥを下記のように行った以外は、実施例１と同様にして本実施例の磁気記録媒体を作製した。
【００４７】
即ち、窒素ガスを用いたＲＩＥによりＳｉ膜を窒化させて膨張させた。ＲＩＥの実施条件としては、ガス圧：１．５Ｐａ、放電電力：アンテナ側／バイアス側＝２００Ｗ／５０Ｗ、エッチング時間：１２０秒とした。
【００４８】
本実施例でもＲＩＥ後の記録層の凹凸パターンの高低差をＳＰＭで測定した結果、約１５ｎｍであった。
【００４９】
（比較例３）
凹凸パターンを有する記録層の凹部の内面上にＳｉＮを指向性の高いスパッタリングにより成膜して、凹部をほぼ完全にＳｉＮ膜で充填し、その後、窒素ガスを用いたＲＩＥを行わなかった以外は、実施例３と同様にして本比較例の磁気記録媒体を作製した。
【００５０】
本比較例でもＳｉＮを凹部に充填した後の記録層の凹凸パターンの高低差をＳＰＭで測定した結果、約２７ｎｍであった。
【００５１】
図１０に実施例３及び比較例３の凹凸パターンの高低差とＣＭＰ平坦化作業時間との関係を示す。図１０から明らかなように、実施例３では、比較例３に比べて、ＣＭＰ平坦化作業時間を１／２程度まで短縮できることが分かる。
【００５２】
（実施例４）
酸素ガスを用いたＲＩＥに代えて、下記のようにしてＴａ膜を酸化させて膨張させた以外は、実施例１と同様にして本実施例の磁気記録媒体を作製した。
【００５３】
即ち、ロータリーポンプと酸素ガスボンベとを繋いだ密閉容器の中にＴａ膜を形成した記録層を配置した。次に、ロータリーポンプで密閉容器内の空気を排気しながら、酸素ガスを３０分間注入した後にバルブを閉めて密閉容器内を酸素ガスで満たした。その後、その密閉容器ごと６０℃に保った恒温装置内で１週間保管した。
【００５４】
本実施例では、恒温装置に１週間保管した後の記録層の凹凸パターンの高低差をＳＰＭで測定した結果、約１０ｎｍであった。本実施例では、Ｔａ膜の酸化には長時間を要したが、ＣＭＰ平坦化作業時間は実施例１〜３と同様に短縮できた。また、本実施例の酸化方法は、一度に大量の媒体を処理できる長所がある。
【００５５】
以上の実施例１〜４を含む実施形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
【００５６】
（付記１） 磁性層と非磁性層とからなる凹凸パターンを有する記録層を含む磁気記録媒体であって、
前記記録層は、前記磁性層を貫通する凹部を有し、
前記凹部には、非磁性材料が充填されて前記非磁性層を形成し、
前記非磁性材料は、非磁性金属と、前記非磁性金属の酸化物又は窒化物とを含む磁気記録媒体。
【００５７】
（付記２） 前記非磁性金属が、タンタル、アルミニウム、タングステン、クロム及びケイ素からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属である付記１に記載の磁気記録媒体。
【００５８】
（付記３） 前記非磁性層が、前記非磁性金属からなる第１非磁性層と、前記非磁性金属の酸化物又は窒化物からなる第２非磁性層とを含み、前記第１非磁性層は、前記凹部の底面側に配置されている付記１又は２に記載の磁気記録媒体。
【００５９】
（付記４） 前記凹部に充填された前記非磁性材料に含まれる酸素元素又は窒素元素の濃度が、前記凹部の底面側から上方に向かって増加している付記１又は２に記載の磁気記録媒体。
【００６０】
（付記５） 付記１〜４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法であって、
非磁性基材の上に磁性層を形成する工程と、
前記磁性層を貫通する凹部を形成して、凹凸パターンを有する記録層を形成する工程と、
前記凹部の内面上に非磁性金属を成膜する工程と、
成膜された前記非磁性金属を酸化又は窒化して、前記非磁性金属と、前記非磁性金属の酸化物又は窒化物とを含む非磁性材料で前記凹部を充填する工程と、
前記記録層上の余剰の前記非磁性材料を除去して平坦化する工程とを含む磁気記録媒体の製造方法。
【００６１】
（付記６） 前記非磁性金属が、タンタル、アルミニウム、タングステン、クロム及びケイ素からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属である付記５に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【００６２】
（付記７） 前記非磁性金属を成膜する工程において、成膜された前記非磁性金属の前記凹部の底面からの最小膜厚が、前記凹部の総高さに前記非磁性金属の酸化又は窒化による最大膨張率の逆数を掛けた値を下限値とし、前記凹部の総高さを上限値とする範囲内にある付記５又は６に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【符号の説明】
【００６３】
１０ 非磁性基板
１１ 下地金属層
１２ 磁性層
１３ 凹部
１４ 第１磁性膜
１５ 第２磁性膜
２０ 磁気記録媒体
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ハードディスク等の磁気記録媒体は、記録層を形成する磁性粒子の微細化、ヘッド加工の微細化等の改良により著しい面記録密度の向上が図られてきた。しかし、従来の磁気記録媒体における記録層の磁性膜は、平面状に形成された連続膜であるため、面記録密度を高めるために記録ビットを微細化すると、隣接する記録ビット同士の磁気記録情報が干渉し合って記録情報の信頼性が低下する問題がある。このため、記録ビットの微細化による面記録密度の向上には限界がある。これに対処するため、一層の面記録密度の向上が可能である磁気記録媒体として、記録層を凹凸パターンで形成してなるディスクリートトラックメディアやディスクリートビットメディア等のパターンドメディアタイプの磁気記録媒体が提案されている（例えば、特許文献１、特許文献２参照。）。
【０００３】
上記パターンドメディアタイプの磁気記録媒体では、ヘッド・スライダの浮上高さを安定化させるため、媒体表面を平坦化する必要があり、そのために凹凸パターンの記録層上に非磁性材料を成膜して凹部を充填する必要がある。この非磁性材料を成膜する手法としては、スパッタリング等の成膜技術を利用することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−２３５３５６号公報
【特許文献２】特開２００６−１５５８６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、従来の指向性の良いスパッタリング等による成膜では、元の凹凸パターンの高低差をそのまま反映して非磁性材料が成長する。このため、非磁性材料により凹部を充填しても、媒体表面には元の凹凸パターンの高低差がそのまま残ることになり、その後の平坦化作業に長時間を要する。また、上記従来のスパッタリング等による成膜では、凹凸パターンの凹部を非磁性材料で完全に満たす必要があり、成膜作業に時間とコストを要する。さらに、上記従来のスパッタリング等による成膜では、成膜作業と平坦化作業とを何度も繰り返す必要がある場合があり、作業工程が煩雑となる。
【０００６】
一方、非磁性材料を等方的に成長させて成膜し、元の凹凸パターンの高低差を出来るだけ小さくすることも考えられる。しかし、指向性を低下させてスパッタリング等により成膜すると、非磁性材料が凹凸パターンの凸部の頂点を中心に成長する。このため、凹凸パターンの凹部に非磁性材料が充分に充填されないことになる。
【０００７】
本発明は上記問題を解決したもので、凹凸パターンで形成された記録層を有し、表面が充分に平坦で記録再生精度が良好な磁気記録媒体を効率的に製造できる磁気記録媒体の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
開示の磁気記録媒体の製造方法は、基材の上に磁性層を形成する工程と、前記磁性層に凹部を形成して、凹凸パターンを有する記録層を形成する工程と、前記凹部に空間を残し、前記凹部の内面上に酸化性材料又は窒化性材料を成膜する工程と、成膜された前記材料を酸化又は窒化して、酸化材料又は窒化材料で前記空間を充填する工程と、前記記録層上の余剰の前記酸化材料又は前記窒化材料を除去して平坦化する工程とを含む。
【発明の効果】
【０００９】
開示の磁気記録媒体の製法方法によれば、凹凸パターンで形成された記録層を有し、表面が充分に平坦で記録再生精度が良好な磁気記録媒体を効率的に製造できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本発明の磁気記録媒体の製造工程の一例を模式的に示す第１工程断面図である。
【図２】図２は、本発明の磁気記録媒体の製造工程の一例を模式的に示す第２工程断面図である。
【図３】図３は、本発明の磁気記録媒体の製造工程の一例を模式的に示す第３工程断面図である。
【図４】図４は、本発明の磁気記録媒体の製造工程の一例を模式的に示す第４工程断面図である。
【図５】図５は、本発明の磁気記録媒体の製造工程の一例を模式的に示す第５工程断面図である。
【図６】図６は、実施例１の記録層のＳＰＭ断面図である。
【図７】図７は、比較例１の記録層のＳＰＭ断面図である。
【図８】図８は、実施例１及び比較例１の凹凸パターンの高低差とＣＭＰ平坦化作業時間との関係を示す図である。
【図９】図９は、実施例２及び比較例２の凹凸パターンの高低差とＣＭＰ平坦化作業時間との関係を示す図である。
【図１０】図１０は、実施例３及び比較例３の凹凸パターンの高低差とＣＭＰ平坦化作業時間との関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
先ず、本発明の磁気記録媒体の製造方法について説明する。本発明の磁気記録媒体の製造方法の一例は、基材の上に磁性層を形成する工程と、上記磁性層に凹部を形成して、凹凸パターンを有する記録層を形成する工程と、上記凹部に空間を残し、上記凹部の内面上に酸化性材料又は窒化性材料を成膜する工程と、成膜された上記材料を酸化又は窒化して、酸化材料又は窒化材料で上記空間を充填する工程と、上記記録層上の余剰の上記酸化材料又は上記窒化材料を除去して平坦化する工程とを含む。
【００１２】
開示の磁気記録媒体の製造方法では、上記凹凸パターンの凹部の内面上に酸化性材料又は窒化性材料を成膜した後、この成膜された上記材料を酸化又は窒化して膨張させることにより、凹部を酸化材料又は窒化材料で充填することができる。このため、元の凹凸パターンの高低差の反映を出来るだけ小さく抑えて凹部に非磁性材料を充填でき、その後の平坦化作業を短時間に効率的に行うことができる。
【００１３】
上記酸化性材料及び上記窒化性材料は、タンタル、アルミニウム、タングステン、クロム及びケイ素からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属であることが好ましい。これらの金属は、酸化又は窒化されることにより膨張し、元の凹凸パターンの高低差を吸収しながら凹部を非磁性材料で充填できる。
【００１４】
また、上記酸化性材料又は上記窒化性材料を成膜する工程において、成膜された上記材料の上記凹部の底面からの最小膜厚が、上記凹部の総高さに上記材料の酸化又は窒化による最大膨張率の逆数を掛けた値を下限値とし、上記凹部の総高さ未満を上限値とする範囲内にあることが好ましい。これにより、確実に上記凹部を非磁性材料で充填できる。
【００１５】
次に、本発明の磁気記録媒体について説明する。本発明の磁気記録媒体の一例は、磁性層と非磁性層とからなる凹凸パターンを有する記録層を含む。また、上記記録層は、上記磁性層を貫通する凹部を有し、上記凹部には、非磁性材料が充填されて上記非磁性層を形成し、上記非磁性材料は、非磁性金属と、上記非磁性金属の酸化物又は窒化物とを含む。
【００１６】
開示の磁気記録媒体は、記録層を凹凸パターンで形成し、凹凸パターンの凹部には非磁性材料が充填されているため、記録ビットを微細化しても、隣接する記録ビット同士の磁気記録情報が干渉し合うことを防止できる。これにより、記録情報の信頼性を維持しつつ、面記録密度の向上を実現できる。また、開示の磁気記録媒体は、上記開示の磁気記録媒体の製造方法により効率的に製造可能である。
【００１７】
また、上記非磁性層は、上記非磁性金属からなる第１非磁性層と、上記非磁性金属の酸化物又は窒化物からなる第２非磁性層とを含み、上記第１非磁性層は、上記凹部の底面側に配置されていてもよい。
【００１８】
また、上記凹部に充填された上記非磁性材料に含まれる酸素元素又は窒素元素の濃度は、上記凹部の底面側から上方に向かって増加していてもよい。
【００１９】
以下、本発明の磁気記録媒体の製造方法の一例を図面に基づき説明する。図１〜図５は、本発明の磁気記録媒体の製造工程の一例を模式的に示す工程断面図である。
【００２０】
先ず、図１に示すように、非磁性基板１０の上に下地金属層１１と、磁性層１２とをスパッタリング等により積層して形成する。
【００２１】
非磁性基板１０は、非磁性材料で形成されていれば特に限定されず、例えば、ガラス基板、シリコン基板、非磁性金属基板、セラミック基板、カーボン基板、樹脂基板等を使用できる。
【００２２】
下地金属層１１に用いる金属としては、例えば、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｅ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｇ、Ａｌ、Ｓｉの単体又はこれらの合金を使用できる。下地金属層は、磁性層の結晶性制御や平坦性制御の効果があり、媒体高記録密度化のためには設ける方が望ましいが、下地金属層１１を設けない場合には、非磁性基板１０の上に磁性層１２を直接形成すればよい。
【００２３】
磁性層１２に用いる磁性材料としては、例えば、ＰｔＣｏ、ＳｍＣｏ、ＦｅＣｏ等を使用できる。
【００２４】
次に、図２に示すように、ドライエッチング等により磁性層１２を貫通する凹部１３を形成して、凹凸パターンを有する記録層を形成する。
【００２５】
次に、図３に示すように、凹部１３の内面上に非磁性金属を指向性の高いスパッタリング等により成膜して第１非磁性膜１４を形成する。この際、第１非磁性膜１４の凹部１３の底面からの最小膜厚Ｔｍｉｎは、凹部１３の総高さＴｍａｘに上記非磁性金属の酸化又は窒化による最大膨張率の逆数を掛けた値を下限値とし、凹部１３の総高さＴｍａｘ未満を上限値とする範囲内に設定する。この場合、凹部１３を第１磁性膜１４で完全に充填する必要がないため、成膜時間を短縮することができる。
【００２６】
次に、図４に示すように、第１非磁性膜１４の非磁性金属を、酸素ガス又は窒素ガスを用いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）等のドライエッチングにより酸化又は窒化して膨張させ、第１非磁性膜１４の外側に第２非磁性膜１５を形成する。これにより、凹部１３は、非磁性金属からなる第１非磁性膜１４と、非磁性金属の酸化物又は窒化物からなる第２非磁性膜１５により充填される。この際、第２非磁性膜１５は等方的に成長するため、最外面である第２非磁性層膜１５の表面１５ａの凹凸の高低差は、元の記録層の凹凸パターンの高低差に比べて小さくなる。
【００２７】
上記ＲＩＥ等の実施条件は、非磁性金属の種類に合わせて適宜設定できる。上記非磁性金属は、酸化又は窒化により膨張する非磁性金属であればよく、特にＴａ、Ａｌ、Ｗ、Ｃｒ、Ｓｉの単体又は合金が好ましい。
【００２８】
例えば、酸素ガスを用いたＲＩＥでＴａを酸化する場合、Ｔａは酸化されると例えばＴａ2Ｏ5となり、その体積が２倍程度となる。即ち、Ｔａの酸化による最大膨張率は２倍程度であり、少なくとも凹部１３の底面から１／２程度の深さまでＴａからなる第１非磁性膜１４を形成すれば、酸化後は凹部１３は、Ｔａ及びＴａ2Ｏ5を含む非磁性材料により完全に充填される。この場合、第１非磁性層１４の成膜時間も、凹部１３を第１非磁性層１４で完全に充填する場合に比べて半分程度にすることができる。但し、ＲＩＥのエッチング時間を長くする又は酸素ガス圧を高くすることなどにより、凹部１３における第１非磁性膜１４の形成深さを、凹部１３の底面から１／２程度を下回る深さとすることもできる。
【００２９】
また、上記ＲＩＥのバイアス電力を低く設定することにより、Ｔａ膜の厚さは目減りすることなく、Ｔａ膜は酸素原子を取り込んで膨張することになる。例えば、Ｔａ膜の酸素ガスによるＲＩＥの場合、バイアス電力は２５０Ｗ以下程度が好ましい。バイアス電力が２５０Ｗを超えると、酸素ガスイオンにより物理的なエッチング効果が増加して、Ｔａ酸化膜の成長速度が遅くなる傾向がある。
【００３０】
次に化学機械研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）等により、記録層上の余剰の非磁性材料を除去して平坦化して、図５に示すように、磁気記録媒体２０を得る。第２非磁性層膜１５の表面１５ａの凹凸の高低差は、元の記録層の凹凸パターンの高低差に比べて小さくなっているため、平坦化作業時間を大幅に短縮できる。
【００３１】
即ち、上記製造方法により製造された磁気記録媒体は、図５に示すように、凹凸パターンを有する記録層を含み、磁性層１２を貫通する凹部１３には、非磁性金属と、非磁性金属の酸化物又は窒化物とを含む非磁性材料が充填されている。
【００３２】
但し、製造条件等によっては、上記のように第１非磁性膜１４と第２非磁性膜１５とが完全に分離して形成されるのではなく、例えば、凹部１３に充填された非磁性材料に含まれる酸素元素又は窒素元素の濃度が、凹部１３の底面側から上方に向かって増加するような傾斜材料構造をとる場合もある。このような場合の酸素元素又は窒素元素の濃度は、蛍光Ｘ線分析（ＸＲＦ）装置等により測定できる。
【実施例】
【００３３】
次に、本発明を実施例に基づき具体的に説明する。但し、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。
【００３４】
（実施例１）
次のようにして磁気記録媒体を作製した。先ず、厚さ０．６ｍｍのガラス基板の上に合計厚さ３０ｎｍのＴａ、Ｐｔ、Ｒｕからなる下地金属層をスパッタリングにより形成した。次に、下地金属層の上に厚さ１０ｎｍのＰｔＣｏからなる磁性層をスパッタリングにより形成した。
【００３５】
次に、ドライエッチングにより磁性層を貫通する深さ２５ｎｍ、直径１８ｎｍの円筒状の凹部を形成して、凹凸パターンを有する凸状の記録層を形成した。続いて、凹部の内面上にＴａを指向性の高いスパッタリングにより成膜して、凹部の底面から１２ｎｍ程度の深さまでＴａ膜を形成した。
【００３６】
次に、酸素ガスを用いたＲＩＥによりＴａ膜を酸化させて膨張させた。ＲＩＥの実施条件としては、ガス圧：１．５Ｐａ、放電電力：アンテナ側／バイアス側＝２００Ｗ／５０Ｗ、エッチング時間：１２０秒とした。
【００３７】
ここで、ＲＩＥ後の記録層の凹凸パターンの高低差を走査型プローブ顕微鏡（ＳＰＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｐｒｏｂｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）で測定した結果、約８ｎｍであった。図６に上記記録層のＳＰＭ断面図を示す。
【００３８】
次に、上記記録層上の余剰の非磁性材料を除去するため、ＣＰＭにより平坦化作業を行って、本実施例の磁気記録媒体を得た。凹凸パターンの高低差はＳＰＭで確認し、平坦化作業は、凹凸パターンの高低差が０ｎｍになるまで行った。
【００３９】
（比較例１）
凹凸パターンを有する記録層の凹部の内面上にＴａを指向性の高いスパッタリングにより成膜して、凹部をほぼ完全にＴａ膜で充填し、その後、酸素ガスを用いたＲＩＥを行わなかった以外は、実施例１と同様にして本比較例の磁気記録媒体を作製した。
【００４０】
本比較例でもＴａを凹部に充填した後の記録層の凹凸パターンの高低差をＳＰＭで測定した結果、約２５ｎｍであった。図７に上記記録層のＳＰＭ断面図を示す。
【００４１】
さらに、図８に実施例１及び比較例１の凹凸パターンの高低差とＣＭＰ平坦化作業時間との関係を示す。図８から明らかなように、実施例１では、比較例１に比べて、ＣＭＰ平坦化作業時間を１／３程度まで短縮できることが分かる。
【００４２】
（実施例２）
Ｔａに代えてＡｌを用いた以外は、実施例１と同様にして本実施例の磁気記録媒体を作製した。本実施例でもＲＩＥ後の記録層の凹凸パターンの高低差をＳＰＭで測定した結果、約１２ｎｍであった。
【００４３】
（比較例２）
凹凸パターンを有する記録層の凹部の内面上にＡｌを指向性の高いスパッタリングにより成膜して、凹部をほぼ完全にＡｌ膜で充填し、その後、酸素ガスを用いたＲＩＥを行わなかった以外は、実施例２と同様にして本比較例の磁気記録媒体を作製した。
【００４４】
本比較例でもＡｌを凹部に充填した後の記録層の凹凸パターンの高低差をＳＰＭで測定した結果、約３０ｎｍであった。
【００４５】
図９に実施例２及び比較例２の凹凸パターンの高低差とＣＭＰ平坦化作業時間との関係を示す。図９から明らかなように、実施例２では、比較例２に比べて、ＣＭＰ平坦化作業時間を１／２以下にまで短縮できることが分かる。
【００４６】
（実施例３）
Ｔａに代えてＳｉを用い、ＲＩＥを下記のように行った以外は、実施例１と同様にして本実施例の磁気記録媒体を作製した。
【００４７】
即ち、窒素ガスを用いたＲＩＥによりＳｉ膜を窒化させて膨張させた。ＲＩＥの実施条件としては、ガス圧：１．５Ｐａ、放電電力：アンテナ側／バイアス側＝２００Ｗ／５０Ｗ、エッチング時間：１２０秒とした。
【００４８】
本実施例でもＲＩＥ後の記録層の凹凸パターンの高低差をＳＰＭで測定した結果、約１５ｎｍであった。
【００４９】
（比較例３）
凹凸パターンを有する記録層の凹部の内面上にＳｉＮを指向性の高いスパッタリングにより成膜して、凹部をほぼ完全にＳｉＮ膜で充填し、その後、窒素ガスを用いたＲＩＥを行わなかった以外は、実施例３と同様にして本比較例の磁気記録媒体を作製した。
【００５０】
本比較例でもＳｉＮを凹部に充填した後の記録層の凹凸パターンの高低差をＳＰＭで測定した結果、約２７ｎｍであった。
【００５１】
図１０に実施例３及び比較例３の凹凸パターンの高低差とＣＭＰ平坦化作業時間との関係を示す。図１０から明らかなように、実施例３では、比較例３に比べて、ＣＭＰ平坦化作業時間を１／２程度まで短縮できることが分かる。
【００５２】
（実施例４）
酸素ガスを用いたＲＩＥに代えて、下記のようにしてＴａ膜を酸化させて膨張させた以外は、実施例１と同様にして本実施例の磁気記録媒体を作製した。
【００５３】
即ち、ロータリーポンプと酸素ガスボンベとを繋いだ密閉容器の中にＴａ膜を形成した記録層を配置した。次に、ロータリーポンプで密閉容器内の空気を排気しながら、酸素ガスを３０分間注入した後にバルブを閉めて密閉容器内を酸素ガスで満たした。その後、その密閉容器ごと６０℃に保った恒温装置内で１週間保管した。
【００５４】
本実施例では、恒温装置に１週間保管した後の記録層の凹凸パターンの高低差をＳＰＭで測定した結果、約１０ｎｍであった。本実施例では、Ｔａ膜の酸化には長時間を要したが、ＣＭＰ平坦化作業時間は実施例１〜３と同様に短縮できた。また、本実施例の酸化方法は、一度に大量の媒体を処理できる長所がある。
【００５５】
以上の実施例１〜４を含む実施形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
【００５６】
（付記１） 磁性層と非磁性層とからなる凹凸パターンを有する記録層を含む磁気記録媒体であって、
前記記録層は、前記磁性層を貫通する凹部を有し、
前記凹部には、非磁性材料が充填されて前記非磁性層を形成し、
前記非磁性材料は、非磁性金属と、前記非磁性金属の酸化物又は窒化物とを含む磁気記録媒体。
【００５７】
（付記２） 前記非磁性金属が、タンタル、アルミニウム、タングステン、クロム及びケイ素からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属である付記１に記載の磁気記録媒体。
【００５８】
（付記３） 前記非磁性層が、前記非磁性金属からなる第１非磁性層と、前記非磁性金属の酸化物又は窒化物からなる第２非磁性層とを含み、前記第１非磁性層は、前記凹部の底面側に配置されている付記１又は２に記載の磁気記録媒体。
【００５９】
（付記４） 前記凹部に充填された前記非磁性材料に含まれる酸素元素又は窒素元素の濃度が、前記凹部の底面側から上方に向かって増加している付記１又は２に記載の磁気記録媒体。
【００６０】
（付記５） 付記１〜４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法であって、
非磁性基材の上に磁性層を形成する工程と、
前記磁性層を貫通する凹部を形成して、凹凸パターンを有する記録層を形成する工程と、
前記凹部の内面上に非磁性金属を成膜する工程と、
成膜された前記非磁性金属を酸化又は窒化して、前記非磁性金属と、前記非磁性金属の酸化物又は窒化物とを含む非磁性材料で前記凹部を充填する工程と、
前記記録層上の余剰の前記非磁性材料を除去して平坦化する工程とを含む磁気記録媒体の製造方法。
【００６１】
（付記６） 前記非磁性金属が、タンタル、アルミニウム、タングステン、クロム及びケイ素からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属である付記５に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【００６２】
（付記７） 前記非磁性金属を成膜する工程において、成膜された前記非磁性金属の前記凹部の底面からの最小膜厚が、前記凹部の総高さに前記非磁性金属の酸化又は窒化による最大膨張率の逆数を掛けた値を下限値とし、前記凹部の総高さを上限値とする範囲内にある付記５又は６に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【符号の説明】
【００６３】
１０ 非磁性基板
１１ 下地金属層
１２ 磁性層
１３ 凹部
１４ 第１磁性膜
１５ 第２磁性膜
２０ 磁気記録媒体
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性層と非磁性層とからなる凹凸パターンを有する記録層を含む磁気記録媒体であって、
前記記録層は、前記磁性層を貫通する凹部を有し、
前記凹部には、非磁性材料が充填されて前記非磁性層を形成し、
前記非磁性材料は、非磁性金属と、前記非磁性金属の酸化物又は窒化物とを含む磁気記録媒体。
【請求項２】
前記非磁性層が、前記非磁性金属からなる第１非磁性層と、前記非磁性金属の酸化物又は窒化物からなる第２非磁性層とを含み、前記第１非磁性層は、前記凹部の底面側に配置されている請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記凹部に充填された前記非磁性材料に含まれる酸素元素又は窒素元素の濃度が、前記凹部の底面側から上方に向かって増加している請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
基材の上に磁性層を形成する工程と、
前記磁性層に凹部を形成して、凹凸パターンを有する記録層を形成する工程と、
前記凹部に空間を残し、前記凹部の内面上に酸化性材料を成膜する工程と、
成膜された前記酸化性材料を酸化して、酸化材料で前記空間を充填する工程と、
前記記録層上の余剰の前記酸化材料を除去して平坦化する工程とを含む磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
基材の上に磁性層を形成する工程と、
前記磁性層に凹部を形成して、凹凸パターンを有する記録層を形成する工程と、
前記凹部に空間を残し、前記凹部の内面上に窒化性材料を成膜する工程と、
成膜された前記窒化性材料を窒化して、窒化材料で前記空間を充填する工程と、
前記記録層上の余剰の前記窒化材料を除去して平坦化する工程とを含む磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
前記酸化性材料又は前記窒化性材料が、タンタル、アルミニウム、タングステン、クロム及びケイ素からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属である請求項４又は５に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】
前記酸化性材料又は前記窒化性材料を成膜する工程において、成膜された前記材料の前記凹部の底面からの最小膜厚が、前記凹部の総高さに前記材料の酸化又は窒化による最大膨張率の逆数を掛けた値を下限値とし、前記凹部の総高さ未満を上限値とする範囲内にある請求項４〜６のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１】
磁性層と非磁性層とからなる凹凸パターンを有する記録層を含む磁気記録媒体であって、
前記記録層は、前記磁性層を貫通する凹部を有し、
前記凹部には、非磁性材料が充填されて前記非磁性層を形成し、
前記非磁性材料は、非磁性金属と、前記非磁性金属の酸化物又は窒化物とを含む磁気記録媒体。
【請求項２】
前記非磁性層が、前記非磁性金属からなる第１非磁性層と、前記非磁性金属の酸化物又は窒化物からなる第２非磁性層とを含み、前記第１非磁性層は、前記凹部の底面側に配置されている請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記凹部に充填された前記非磁性材料に含まれる酸素元素又は窒素元素の濃度が、前記凹部の底面側から上方に向かって増加している請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
基材の上に磁性層を形成する工程と、
前記磁性層に凹部を形成して、凹凸パターンを有する記録層を形成する工程と、
前記凹部に空間を残し、前記凹部の内面上に酸化性材料を成膜する工程と、
成膜された前記酸化性材料を酸化して、酸化材料で前記空間を充填する工程と、
前記記録層上の余剰の前記酸化材料を除去して平坦化する工程とを含む磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
基材の上に磁性層を形成する工程と、
前記磁性層に凹部を形成して、凹凸パターンを有する記録層を形成する工程と、
前記凹部に空間を残し、前記凹部の内面上に窒化性材料を成膜する工程と、
成膜された前記窒化性材料を窒化して、窒化材料で前記空間を充填する工程と、
前記記録層上の余剰の前記窒化材料を除去して平坦化する工程とを含む磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
前記酸化性材料又は前記窒化性材料が、タンタル、アルミニウム、タングステン、クロム及びケイ素からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属である請求項４又は５に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】
前記酸化性材料又は前記窒化性材料を成膜する工程において、成膜された前記材料の前記凹部の底面からの最小膜厚が、前記凹部の総高さに前記材料の酸化又は窒化による最大膨張率の逆数を掛けた値を下限値とし、前記凹部の総高さ未満を上限値とする範囲内にある請求項４〜６のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２０１０−２５７５３８（Ｐ２０１０−２５７５３８Ａ）
【公開日】平成２２年１１月１１日（２０１０．１１．１１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１０７８１５（Ｐ２００９−１０７８１５）
【出願日】平成２１年４月２７日（２００９．４．２７）
【出願人】（０００００２００４）昭和電工株式会社 (3,251)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１１月１１日（２０１０．１１．１１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年４月２７日（２００９．４．２７）
【出願人】（０００００２００４）昭和電工株式会社 (3,251)
【Ｆターム（参考）】
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