自発光素子の製造方法および製造装置
【課題】 自発光素子の耐侯性を向上させることのできる自発光素子の製造方法を提供等を目的とする。
【解決手段】 基板上に下部電極を形成し、下部電極上に発光層を含む複数の成膜層を積層した上に上部電極を形成する自発光素子の製造方法において、下部電極表面上に第１層目の成膜層を真空状態で成膜する第１層目成膜工程、第１層目の成膜層を成膜した基板を真空状態で加熱処理する加熱工程、加熱工程後に第１層目の成膜層表面上に第２層目の成膜層を真空状態で成膜する第２層目成膜工程、を含むことを特徴とする自発光素子の製造方法。
【解決手段】 基板上に下部電極を形成し、下部電極上に発光層を含む複数の成膜層を積層した上に上部電極を形成する自発光素子の製造方法において、下部電極表面上に第１層目の成膜層を真空状態で成膜する第１層目成膜工程、第１層目の成膜層を成膜した基板を真空状態で加熱処理する加熱工程、加熱工程後に第１層目の成膜層表面上に第２層目の成膜層を真空状態で成膜する第２層目成膜工程、を含むことを特徴とする自発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、自発光素子の製造方法およびその製造装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話、車載用モニタ、家電の操作モニタ、ＰＣやテレビ等のドットマトリックスのディスプレイパネルの他に時計や宣伝用パネルの固定表示ディスプレイ、スキャナやプリンタの光源、照明、液晶のバックライト等の各種情報機器の表示部等に自発光素子が利用されている。自発光素子をドットマトリックス状に並べたものやアイコン部（固定表示部）を形成した表示部や平面状、球面状の照明器具としたものがあり、表示部の大きさも小型用から大型スクリーンなど様々である。
【０００３】
このような自発光素子の代表的なものとして有機ＥＬ素子がある。有機ＥＬ素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機ＥＬ（ＯＥＬ）デバイス、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス、自発光素子、電場発光光源とも呼ばれ、材料に高分子有機材料、低分子有機材料等を用いるものがある。以下、上下電極に挟まれた発光層を有するものを「有機ＥＬ素子」と呼称する。
【０００４】
有機ＥＬ素子は、アノード（陽極、正孔注入電極）とカソード（陰極、電子注入電極）との間に成膜層を挟み込んだ構造をとっている。両電極に電圧を印加することにより、アノードから成膜層内に注入・輸送された正孔とカソードから成膜層内に注入・輸送された電子が成膜層の一つである発光層内にて再結合し、この再結合にて発光層を形成する発光材料が励起し、その励起状態から基底状態に遷移する過程で発光を得ている。
【０００５】
有機ＥＬ素子を構成する成膜層に電流を流すため、成膜層はナノオーダーという薄い状態で成膜しなければならない。このような薄い膜を成膜する場合には、ゴミなどの異物の存在により上下電極間でショート、リーク電流が生じやすくなるといった問題があった。リーク電流は、表示ディスプレイに自発光素子を用いた場合、リーク電流の発生により、クロストロークや、輝度ムラ等の表示品質の低下を招き、さらには不要な有機ＥＬ素子の発熱などの発光に寄与しないエネルギー消費が起こり、発光効率が低下してしまう。
【０００６】
有機ＥＬ素子の電極間ショートやリーク電流を防ぐために、下部電極上に接する第１層目の成膜層を加熱処理するメルト法（以下、有機ＥＬ素子を構成する成膜層を加熱処理する技術を「メルト法」と定義する）がある（下記特許文献１参照）。真空蒸着にて成膜した成膜層をメルト法により加熱処理することで、下部電極上に形成された異物等や突起部を包理することで、電極間のリーク電流の発生を防いでいる。
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−６８２７２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１に記載のような従来技術は下部電極上に付着した異物等を包理することが可能であるが、メルト法による加熱工程を大気圧の窒素雰囲気下で行うために、加熱工程や加熱工程前後の工程において第１層目の成膜層上に異物等が付着しやすくなるといった問題等を有している。
【０００９】
また、特許文献１に記載のような従来技術には、メルト法による上下電極間のリーク電流を防ぎ、有機ＥＬ素子の誤発光や表示不良等を解決する手段を示唆しているが、単にメルト法による第１層目の成膜層の加熱工程だけでは、有機ＥＬ素子の寿命低下や素子の劣化による耐候性の低下、加えて耐候性の低下に従って起こる電圧上昇等といった問題を解決することはできない。
【００１０】
そこで、本発明は、このような問題に対処することを課題の一例とするものである。すなわち、有機ＥＬ素子に代表される自発光素子の長寿命化および耐候性の向上等を可能とする自発光素子の製造方法および製造装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明による自発光素子の製造方法および製造装置は、以下の各独立請求項に係る構成を少なくとも具備するものである。
【００１２】
本発明請求項１に記載の自発光素子の製造方法は、基板上に下部電極を形成し、下部電極上に発光層を含む複数の成膜層を積層した上に上部電極を形成する自発光素子の製造方法において、下部電極表面上に第１層目の成膜層を真空状態で成膜する第１層目成膜工程と、第１層目の成膜層を成膜した基板を真空状態で加熱処理する加熱工程と、加熱工程後に第１層目の成膜層表面上に第２層目の成膜層を真空状態で成膜する第２層目成膜工程と、を含むことを特徴とする。
【００１３】
本発明請求項５に記載の自発光素子の製造装置は、基板上に下部電極を形成し、下部電極上に発光層を含む複数の成膜層を積層した上に上部電極を形成する自発光素子の製造装置において、下部電極表面上に第１層目の成膜層を真空状態で成膜する第１の成膜室と、第１層目の成膜層を成膜した基板を真空状態で加熱処理する加熱室と、第１層目の成膜層表面上に第２層目の成膜層を真空状態で成膜する第２の成膜室と、を含むことを特徴とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明の実施形態について、図１に記載の自発光素子の一つである有機ＥＬ素子の説明図および図２に記載の自発光素子の一つである有機ＥＬ素子の成膜装置の概略図に基づいて説明する。以下に本発明に適用する有機ＥＬ素子の構造、使用する材料、製造方法および製造装置を記載するが、特にこれに限ったものではなく、有機ＥＬ素子が奏する作用効果を奏し、発明の要旨を逸脱しない範囲であれば、設計変更などがあっても本実施の形態の範囲に含まれる。
【００１５】
図１に記載の有機ＥＬ素子の説明図では、複数の有機ＥＬ素子１が基板２上に形成されることで一つの有機ＥＬパネル３が構成されている。ここで、基板２上に直接有機ＥＬ素子１が形成されてもよく、有機ＥＬ素子１と基板２との間にＴＦＴやカラーフィルタ等が挿入されていても良く、有機ＥＬ素子１は単数でも複数形成しても構わない。
【００１６】
有機ＥＬ素子１は、下部電極１１、下部電極１１の表面上に第１層目の成膜層１２が成膜されている。第１層目の成膜層１２は成膜後に下記に説明するメルト法により、加熱工程を施している。その第１層目の成膜層１２上に順次第２層目の成膜層１３、第３層目の成膜層１４、上部電極１５が積層形成されている。図での説明を省くが、下部電極１１間に絶縁膜を形成して発光画素部を形成してもよい。加えて、図での説明を省くが、上部電極１５を積層した後、有機ＥＬ素子２に封止を行ってもよい。絶縁膜や封止については公知技術であり、詳細な説明を省くが、絶縁膜の材料や形状、封止工程の種類を気密封止、膜封止、固体封止など特に限定するものではない。
【００１７】
基板２としては、平板状、フィルム状、球面状等、形状は特にこだわらず、材質としてはガラス、プラスチック、石英、金属等、特に透明性を有するか否かは問わない。また、透明性を有するものとしては、ガラス、透明プラスチックが好ましい。
【００１８】
下部電極１１、上部電極１５については、一方が陰極、他方が陽極に設定されることになる。この場合、陽極は仕事関数の高い材料で構成するのがよく、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）等の金属膜やＩＴＯ、ＩＺＯ等の酸化金属膜等の透明導電膜が用いられる。また陰極は仕事関数の低い材料で構成するのがよいが、特に、アルカリ金属（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓ）、アルカリ土類金属（Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）、希土類金属等、仕事関数の低い金属、その化合物、又はそれらを含む合金を用いることができる。また、下部電極１１、上部電極１５ともに透過性を有する材料により構成した場合には、光の放出側と反対の電極側に反射膜を設けた構成とすることもできる。また、下部電極１１、上部電極１５ともに透過性を有する材料により構成し、基板２と下部電極１１との間に反射膜を設け上面発光素子の構成としても構わない。
【００１９】
基板２上に下部電極１１を蒸着、スパッタリング等の方法で薄膜として形成し、フォトリソグラフィ等によって所望の形状にパターニングする。複数の成膜層は下部電極１１と上部電極１５の一対の電極で挟んだ構成となっており、数本ストライプ状に形成した下部電極に直交するように上部電極を数本形成し、下部電極１４と上部電極１５とでマトリックスを形成するようにする。上部電極１５は蒸着やスパッタリング等の方法で薄膜を形成する。
【００２０】
有機ＥＬ素子１は、第１層目の成膜層１２を正孔輸送層、第２層目の成膜層１３を発光層、第３層目の成膜層１４を電子輸送層とした組み合わせで形成しても良い。このとき、下部電極１は正極、上部電極１５は負極とする。また、下部電極１１または上部電極１５の正負の状態で逆に積層し、第１層目の成膜層１２を電子輸送層、第２層目の成膜層１３を発光層、第３層目の成膜層１４を正孔輸送層とした有機ＥＬ素子１構成でも構わない。更に、発光層、正孔輸送層、電子輸送層はそれぞれ１層だけでなく複数層積層して設けても良く、正孔輸送層、電子輸送層についてはどちらかの層を省略しても、両方の層を省略しても構わない。また、正孔注入、電子注入、正孔ブロック、電子ブロック等の機能を有する成膜層を用途に応じて挿入することも可能である。
【００２１】
正孔輸送層は、正孔移動度が高い機能を有していれば良く、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。具体例としては、銅フタロシアニン等のポリフィリン化合物、４，４’−ビス[Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ]−ビフェニル（ＮＰＢ）等の芳香族第三アミン、４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４’−[４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル]スチルベンゼン等のスチルベン化合物や、トリアゾール誘導体、スチリルアミン化合物等の有機材料が用いられる。また、ポリカーボネート等の高分子中に低分子の正孔輸送用の有機材料を分散させた高分子分散系の材料、高分子材料であるＰＥＤＯＴ等のポリアニリン誘導体も使用できる。
【００２２】
発光層は、公知の発光材料が使用可能であり、具体例としては、４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）−ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）等の芳香族ジメチリディン化合物、１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン等のスチリルベンゼン化合物、３−（４−ビフェニル）−４−フェニル−５−ｔ−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）等のトリアゾール誘導体、アントラキノン誘導体、フルオノレン誘導体等の蛍光性有機材料、（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）等の蛍光性有機金属化合物、ポリパラフィニレンビニレン（ＰＰＶ）系、ポリアニリン系、ポリフルオレン系、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）系等の高分子材料、白金錯体やイリジウム錯体等の三重項励起子からのりん光を発光に利用できる有機材料を使用できる。上述したような発光材料のみから構成されても良いし、正孔輸送材料、電子輸送材料、添加剤（ドナー、アクセプター等）または発光性ドーパント等が含有されても良いし、これらが高分子材料又は無機材料中に分散されても良い。
【００２３】
電子輸送層は、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していれば良く、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。具体例としては、ニトロ置換フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体等の有機材料、８−キノリノール誘導体の金属錯体、メタルフタロシアニン等が使用できる。
【００２４】
正孔輸送層、前記発光層、前記電子輸送層は、上述の材料に限ったものではなく、適宜選択可能であり、スピンコーティング法、ディッピング法等の塗布法、インクジェット法、スクリーン印刷法等の印刷法等のウェットプロセス、又は、蒸着法、レーザ転写法（ＬＩＴＩ）等のドライプロセスで形成することができる。
【００２５】
図２には、前述した有機ＥＬ素子の製造方法を実現するクラスタ型（枚葉型）の製造装置の一例を示す。有機ＥＬ素子の製造方法および製造装置についての工程および構成を説明する。この製造装置は２連の成膜装置２０，３０と封止装置４０を備えるように構成されており、搬入側の成膜装置２０には基板搬送室５１が連接され、成膜装置２０，３０および封止装置４０間にはそれぞれ受渡室５２、５３が連接され、封止装置４０の搬送室側には排出室５４が連接されている。図２以外の符号は図１で使用した符号を利用する。
【００２６】
成膜装置２０には、中央に真空搬送室２１が設置されており、真空搬送室２１内に搬送用ロボット２２が配備され、その周囲に複数の成膜室２３，２４，２５と基板に加熱工程を行う加熱室２６が配備されている。成膜装置３０には、成膜装置２０と同様に、中央に真空搬送室３１が配置されており、真空搬送室３１内に搬送用ロボット３２が配備され、その周囲に複数の成膜室３３，３４，３５，３６が配備されている。また、封止装置４０にも中央に搬送室４１が設備されており、搬送室４１内に搬送用ロボット４２が配備され、その周囲に封止基板搬送室４３，封止基板ストック室４４，貼合室４５，検査室４６が配備されている。そして、各成膜室２３，２４，２５，３３，３４，３５，３６や加熱室２６、封止基板搬送室４３、封止基板ストック室４４、貼合室４５の入り口、基板搬送室５１、受渡室５２，５３、封止基板搬送室４３、排出室５４の出入り口には真空ゲートＧが配備されている。
【００２７】
このような製造装置によれば、前処理工程および洗浄工程済み基板２（下部電極１１付き基板２）が基板搬送室５１内に搬入されて、成膜装置２０の真空搬送室２１内の搬送用ロボット２２の動作によって、基板２が成膜室２３（第１の成膜層１２を成膜する第１の成膜室）に移される。また、本発明の第１の基板搬送工程は、搬送用ロボット２２を用いることに限定するわけではなく、搬送用ロボット２２を利用せずにベルトコンベア等で移動させるインライン方式の製造方法であっても構わない。成膜室２３内は１０−２〜１０−６Ｐａまで減圧または真空状態に設定されており、基板２の下部電極１１上に第１の成膜層１２を抵抗加熱蒸着にて成膜する（第１層目成膜工程）。
【００２８】
次いで、搬送用ロボット２２の動作により、基板２が成膜室２３から加熱室２６に基板搬送室２１を介して搬送される（第１の基板搬送工程）。このとき、基板搬送室２１、加熱室２６および成膜室２３内は１０−２〜１０−６Ｐａまで減圧または真空状態に設定されている。
【００２９】
加熱室２６内では、第１の成膜層１２を形成する有機材料のガラス転移点以上融点以下の温度で加熱する（加熱工程）。加熱工程は真空雰囲気化の加熱室２６内で、基板２を基板ホルダ等に固定し、基板２に対し加熱温度を加える。加熱温度としては、第１層目を構成する有機材料のガラス転移点以上融点以下の加熱温度で、一定時間加熱手段を施す。例えば、ガラス転移点が９５℃の有機材料の場合、１２５℃程度の温度で、２０分程度の加熱時間で加熱手段を加える。加熱手段は、基板をヒータで加熱する方法、ハライドランプなどで加熱する方法等で行う。
【００３０】
加熱工程後には、搬送用ロボット２２の動作により、基板２が加熱室２６から成膜室２４（第２の成膜層１３を成膜する第２の成膜室）に基板搬送室２１を介して搬送される（第２の基板搬送工程）。このとき、加熱室２６，基板搬送室２１および成膜室２４内は１０−２〜１０−６Ｐａまで減圧または真空状態に設定されている。また、本発明の第２の基板搬送工程は、搬送用ロボット２２を用いることに限定するわけではなく、搬送用ロボット２２を利用せずにベルトコンベア等で移動させるインライン方式の製造方法であっても構わない。さらに、図では、第１の基板搬送工程と第２の基板搬送工程を同じ基板搬送室２１を使って説明したが、これに限らず異なる基板搬送室を用いてもかまわない。
【００３１】
次いで、１０−２〜１０−６Ｐａまで真空状態に設定した成膜室２４内にて第１の成膜層１２上に第２の成膜層１３を抵抗加熱蒸着にて成膜する（第２層目成膜工程）。更に、基板２を受渡室５２で、成膜装置２０側の搬送用ロボット２２から成膜装置３０側の搬送用ロボット３２への受渡がなされ、成膜装置３０側の成膜室３３，３４，３５，３６にて第３の成膜層１４やそれ以上積層する際の成膜層、上部電極１５を順次成膜する。
【００３２】
上部電極１５の成膜が行われた後、基板２が受渡室５３を介して封止装置４０に搬送される。封止装置４０では、まず、基板２が検査室４６に搬送されて、基板２上に形成された有機ＥＬ素子１の発光特性の測定が行われ、色度ずれ等の不良がないかを確認される。また、基板２が封止基板搬送室４３から搬送され、封止基板ストック室４４に保管してある封止基板と検査室４６にて検査工程を終了した基板２とを搬送室４０内の搬送用ロボット４２により、貼合室４５に搬送され、接着剤を介して両者の貼り合わせが行われる。貼り合わせが完了した有機ＥＬパネルが排出室５４を介して装置外へ搬出される。
【００３３】
本発明の実施の形態および以下に説明する実施例において、真空状態とは、成膜室２３，２４，２５，３３，３４，３５および３６、加熱室２６、真空搬送室２１，３１内の圧力を１０−２〜１０−６Ｐａの範囲にした状態をいう。さらに、成膜とは、成膜室２３，２４，２５，３３，３４，３５および３６にて、抵抗加熱法を利用した真空蒸着を行った例を示したが、これに限定するわけではなく、ＥＢ蒸着やスパッタ蒸着といった物理蒸着法、スピンコートや塗布、印刷法、さらにはＣＶＤ法といった化学蒸法着も採用することが可能である。
【００３４】
そして、本発明の実施の形態は、クラスタ型の製造装置の説明を行ったが、インライン型の製造装置を用いても良く、有機ＥＬ素子の形態についても特に限定するものではない。例えば、基板側から光を取り出すボトムエミッション方式であっても、基板と逆側から取り出すトップエミッション方式であってもよく、駆動方式もアクティブ駆動方式でも、パッシブ駆動方式であっても良い。
【実施例１】
【００３５】
＜実施例１＞ガラス製の基板上に下部電極としてＩＴＯをスパッタリングで膜厚１１０ｎｍに成膜する。次いで、フォトレジストＡＺ６１１２（東京応化工業製）を、ＩＴＯ上に２ｍｍの幅でパターン形成した。レジストをパターン形成した基板を、塩化第２鉄水溶液と塩酸の混合液中に浸漬させた。これにより、レジストに覆われていない部分のＩＴＯ膜がエッチングされた。エッチングされたガラス基板を、アセトン中に浸漬させた。これにより、レジストが除去され、２ｍｍの幅に設けられたＩＴＯ電極のストライプパターンが形成された。
【００３６】
ＩＴＯ電極のストライプパターンが形成されたガラス基板を、界面活性剤にて洗浄する。その後、ＵＶオゾン洗浄を１０分間行った。ＵＶオゾン洗浄を行った基板を、製造装置内の成膜室に投入した。１０−４Ｐａに減圧してある成膜室にて抵抗加熱蒸着を用いて、第１の成膜層としてＮ−フェニル−ｐ−フェニレンジアミン（ＰＰＤ）を毎秒０．１６ｎｍの成膜速度にて２０ｎｍの厚さに成膜した。
【００３７】
次に、１０−４Ｐａの真空状態を維持しながらＰＰＤ成膜後の基板を基板搬送室を介して加熱室に搬送した。加熱室に基板を固定し、ヒータを利用してＰＰＤのガラス転移点（Ｔｇ＝１５０℃）以上の１８０℃で２０分基板を加熱し、加熱工程を行った。次いで、１０−４Ｐａの真空状態を維持しながら基板を搬送室を介して第２の成膜室に搬送し、ＰＰＤ上に第２の成膜層としてＮＰＢを毎秒２．０ｎｍの成膜速度にて１０ｎｍの厚さに成膜した。
【００３８】
次に、１０−４Ｐａの真空状態を維持しながらＮＰＢ成膜後の基板を搬送室を介して成膜室に搬送し、発光層兼電子輸送層のＡｌｑ３を毎秒０．５ｎｍの成膜速度で、６０ｎｍの厚さになるまで成膜した。次に、Ａｌｑ３成膜後の基板を搬送室を介して次の成膜室に搬送し、電子注入層のＬｉ２Ｏを毎秒０．３ｎｍの成膜速度で、０．７ｎｍの厚さになるまで成膜した。さらに、Ｌｉ２Ｏ成膜後の基板を基板搬送室を介して上部電極の成膜室に搬送し、上部電極用のシャドウマスクを施し、アルミニウムを毎秒１ｎｍの速度で１００ｎｍの厚さに真空成膜した。このとき、アルミニウムの膜は、ＩＴＯ膜のストライプと直交するような方向で、２ｍｍ幅のストライプ状に成膜した。最後に、ガラス封止して実施例サンプルを形成した。
【００３９】
＜比較例１＞比較例としての有機ＥＬ素子について説明する。比較例としての有機ＥＬ素子は、実施例１として上述した有機ＥＬ素子のＰＰＤに行う加熱工程を大気圧窒素雰囲気下で行ったものを比較サンプルとして作成した。つまり、窒素雰囲気下の加熱室中のを大気圧にて加熱工程を行った。
【００４０】
＜評価＞実施例サンプルと比較サンプルを次に示す耐候性試験と半減寿命試験により比較評価した。耐侯性試験は、６３℃の条件で保存し、ＳＵＮＴＥＳＴ製の有機ＥＬ素子耐候性試験機により、サンプルの電圧上昇を検討した。実施例サンプルと比較サンプルの耐候性試験結果を図３に示す。図３より、同じ素子構成であるが、比較サンプルより実施例サンプルの方が電圧上昇を低く抑えており、有機ＥＬ素子の耐候性が優れている結果が得られた。
【００４１】
半減寿命試験は、８５℃におけるサンプルの点灯時間における残存輝度の割合を測定し検討した。実施例サンプルと比較サンプルの半減寿命測定結果を図４に示す。図４より、同じ素子構成であるが、比較サンプルより実施例サンプルの方が有機ＥＬ素子の寿命が長い結果が得られた。したがって、図３および図４の比較結果により、実施例サンプルの方が比較サンプルよりも耐候性および寿命特性の点で優れていることが分かった。
【００４２】
以上のとおりであって、本発明の実施形態或いは実施例は、基板上に下部電極を形成し、下部電極上に発光層を含む複数の成膜層を積層した上に上部電極を形成する自発光素子の製造方法あるいは製造装置において、仮に下部電極等の成膜不良や異物等の付着があった場合であっても、成膜欠陥部の形成を防止することができる。また、耐候性の向上や長寿命化を図ることのできる自発光素子の製造方法および製造装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】自発光素子の一つである有機ＥＬ素子の説明図
【図２】自発光素子の一つである有機ＥＬ素子の成膜装置の概略図
【図３】実施例１における実施例サンプルと比較サンプルの耐侯性試験結果
【図４】実施例１における実施例サンプルと比較サンプルの半減寿命試験結果
【符号の説明】
【００４４】
１・・・有機ＥＬ素子
２・・・基板
３・・・有機ＥＬパネル
２０・・・成膜装置
２６・・・加熱室
２１，３１・・・搬送室
【技術分野】
【０００１】
本発明は、自発光素子の製造方法およびその製造装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話、車載用モニタ、家電の操作モニタ、ＰＣやテレビ等のドットマトリックスのディスプレイパネルの他に時計や宣伝用パネルの固定表示ディスプレイ、スキャナやプリンタの光源、照明、液晶のバックライト等の各種情報機器の表示部等に自発光素子が利用されている。自発光素子をドットマトリックス状に並べたものやアイコン部（固定表示部）を形成した表示部や平面状、球面状の照明器具としたものがあり、表示部の大きさも小型用から大型スクリーンなど様々である。
【０００３】
このような自発光素子の代表的なものとして有機ＥＬ素子がある。有機ＥＬ素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機ＥＬ（ＯＥＬ）デバイス、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス、自発光素子、電場発光光源とも呼ばれ、材料に高分子有機材料、低分子有機材料等を用いるものがある。以下、上下電極に挟まれた発光層を有するものを「有機ＥＬ素子」と呼称する。
【０００４】
有機ＥＬ素子は、アノード（陽極、正孔注入電極）とカソード（陰極、電子注入電極）との間に成膜層を挟み込んだ構造をとっている。両電極に電圧を印加することにより、アノードから成膜層内に注入・輸送された正孔とカソードから成膜層内に注入・輸送された電子が成膜層の一つである発光層内にて再結合し、この再結合にて発光層を形成する発光材料が励起し、その励起状態から基底状態に遷移する過程で発光を得ている。
【０００５】
有機ＥＬ素子を構成する成膜層に電流を流すため、成膜層はナノオーダーという薄い状態で成膜しなければならない。このような薄い膜を成膜する場合には、ゴミなどの異物の存在により上下電極間でショート、リーク電流が生じやすくなるといった問題があった。リーク電流は、表示ディスプレイに自発光素子を用いた場合、リーク電流の発生により、クロストロークや、輝度ムラ等の表示品質の低下を招き、さらには不要な有機ＥＬ素子の発熱などの発光に寄与しないエネルギー消費が起こり、発光効率が低下してしまう。
【０００６】
有機ＥＬ素子の電極間ショートやリーク電流を防ぐために、下部電極上に接する第１層目の成膜層を加熱処理するメルト法（以下、有機ＥＬ素子を構成する成膜層を加熱処理する技術を「メルト法」と定義する）がある（下記特許文献１参照）。真空蒸着にて成膜した成膜層をメルト法により加熱処理することで、下部電極上に形成された異物等や突起部を包理することで、電極間のリーク電流の発生を防いでいる。
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−６８２７２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１に記載のような従来技術は下部電極上に付着した異物等を包理することが可能であるが、メルト法による加熱工程を大気圧の窒素雰囲気下で行うために、加熱工程や加熱工程前後の工程において第１層目の成膜層上に異物等が付着しやすくなるといった問題等を有している。
【０００９】
また、特許文献１に記載のような従来技術には、メルト法による上下電極間のリーク電流を防ぎ、有機ＥＬ素子の誤発光や表示不良等を解決する手段を示唆しているが、単にメルト法による第１層目の成膜層の加熱工程だけでは、有機ＥＬ素子の寿命低下や素子の劣化による耐候性の低下、加えて耐候性の低下に従って起こる電圧上昇等といった問題を解決することはできない。
【００１０】
そこで、本発明は、このような問題に対処することを課題の一例とするものである。すなわち、有機ＥＬ素子に代表される自発光素子の長寿命化および耐候性の向上等を可能とする自発光素子の製造方法および製造装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明による自発光素子の製造方法および製造装置は、以下の各独立請求項に係る構成を少なくとも具備するものである。
【００１２】
本発明請求項１に記載の自発光素子の製造方法は、基板上に下部電極を形成し、下部電極上に発光層を含む複数の成膜層を積層した上に上部電極を形成する自発光素子の製造方法において、下部電極表面上に第１層目の成膜層を真空状態で成膜する第１層目成膜工程と、第１層目の成膜層を成膜した基板を真空状態で加熱処理する加熱工程と、加熱工程後に第１層目の成膜層表面上に第２層目の成膜層を真空状態で成膜する第２層目成膜工程と、を含むことを特徴とする。
【００１３】
本発明請求項５に記載の自発光素子の製造装置は、基板上に下部電極を形成し、下部電極上に発光層を含む複数の成膜層を積層した上に上部電極を形成する自発光素子の製造装置において、下部電極表面上に第１層目の成膜層を真空状態で成膜する第１の成膜室と、第１層目の成膜層を成膜した基板を真空状態で加熱処理する加熱室と、第１層目の成膜層表面上に第２層目の成膜層を真空状態で成膜する第２の成膜室と、を含むことを特徴とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明の実施形態について、図１に記載の自発光素子の一つである有機ＥＬ素子の説明図および図２に記載の自発光素子の一つである有機ＥＬ素子の成膜装置の概略図に基づいて説明する。以下に本発明に適用する有機ＥＬ素子の構造、使用する材料、製造方法および製造装置を記載するが、特にこれに限ったものではなく、有機ＥＬ素子が奏する作用効果を奏し、発明の要旨を逸脱しない範囲であれば、設計変更などがあっても本実施の形態の範囲に含まれる。
【００１５】
図１に記載の有機ＥＬ素子の説明図では、複数の有機ＥＬ素子１が基板２上に形成されることで一つの有機ＥＬパネル３が構成されている。ここで、基板２上に直接有機ＥＬ素子１が形成されてもよく、有機ＥＬ素子１と基板２との間にＴＦＴやカラーフィルタ等が挿入されていても良く、有機ＥＬ素子１は単数でも複数形成しても構わない。
【００１６】
有機ＥＬ素子１は、下部電極１１、下部電極１１の表面上に第１層目の成膜層１２が成膜されている。第１層目の成膜層１２は成膜後に下記に説明するメルト法により、加熱工程を施している。その第１層目の成膜層１２上に順次第２層目の成膜層１３、第３層目の成膜層１４、上部電極１５が積層形成されている。図での説明を省くが、下部電極１１間に絶縁膜を形成して発光画素部を形成してもよい。加えて、図での説明を省くが、上部電極１５を積層した後、有機ＥＬ素子２に封止を行ってもよい。絶縁膜や封止については公知技術であり、詳細な説明を省くが、絶縁膜の材料や形状、封止工程の種類を気密封止、膜封止、固体封止など特に限定するものではない。
【００１７】
基板２としては、平板状、フィルム状、球面状等、形状は特にこだわらず、材質としてはガラス、プラスチック、石英、金属等、特に透明性を有するか否かは問わない。また、透明性を有するものとしては、ガラス、透明プラスチックが好ましい。
【００１８】
下部電極１１、上部電極１５については、一方が陰極、他方が陽極に設定されることになる。この場合、陽極は仕事関数の高い材料で構成するのがよく、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）等の金属膜やＩＴＯ、ＩＺＯ等の酸化金属膜等の透明導電膜が用いられる。また陰極は仕事関数の低い材料で構成するのがよいが、特に、アルカリ金属（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓ）、アルカリ土類金属（Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）、希土類金属等、仕事関数の低い金属、その化合物、又はそれらを含む合金を用いることができる。また、下部電極１１、上部電極１５ともに透過性を有する材料により構成した場合には、光の放出側と反対の電極側に反射膜を設けた構成とすることもできる。また、下部電極１１、上部電極１５ともに透過性を有する材料により構成し、基板２と下部電極１１との間に反射膜を設け上面発光素子の構成としても構わない。
【００１９】
基板２上に下部電極１１を蒸着、スパッタリング等の方法で薄膜として形成し、フォトリソグラフィ等によって所望の形状にパターニングする。複数の成膜層は下部電極１１と上部電極１５の一対の電極で挟んだ構成となっており、数本ストライプ状に形成した下部電極に直交するように上部電極を数本形成し、下部電極１４と上部電極１５とでマトリックスを形成するようにする。上部電極１５は蒸着やスパッタリング等の方法で薄膜を形成する。
【００２０】
有機ＥＬ素子１は、第１層目の成膜層１２を正孔輸送層、第２層目の成膜層１３を発光層、第３層目の成膜層１４を電子輸送層とした組み合わせで形成しても良い。このとき、下部電極１は正極、上部電極１５は負極とする。また、下部電極１１または上部電極１５の正負の状態で逆に積層し、第１層目の成膜層１２を電子輸送層、第２層目の成膜層１３を発光層、第３層目の成膜層１４を正孔輸送層とした有機ＥＬ素子１構成でも構わない。更に、発光層、正孔輸送層、電子輸送層はそれぞれ１層だけでなく複数層積層して設けても良く、正孔輸送層、電子輸送層についてはどちらかの層を省略しても、両方の層を省略しても構わない。また、正孔注入、電子注入、正孔ブロック、電子ブロック等の機能を有する成膜層を用途に応じて挿入することも可能である。
【００２１】
正孔輸送層は、正孔移動度が高い機能を有していれば良く、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。具体例としては、銅フタロシアニン等のポリフィリン化合物、４，４’−ビス[Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ]−ビフェニル（ＮＰＢ）等の芳香族第三アミン、４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４’−[４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル]スチルベンゼン等のスチルベン化合物や、トリアゾール誘導体、スチリルアミン化合物等の有機材料が用いられる。また、ポリカーボネート等の高分子中に低分子の正孔輸送用の有機材料を分散させた高分子分散系の材料、高分子材料であるＰＥＤＯＴ等のポリアニリン誘導体も使用できる。
【００２２】
発光層は、公知の発光材料が使用可能であり、具体例としては、４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）−ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）等の芳香族ジメチリディン化合物、１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン等のスチリルベンゼン化合物、３−（４−ビフェニル）−４−フェニル−５−ｔ−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）等のトリアゾール誘導体、アントラキノン誘導体、フルオノレン誘導体等の蛍光性有機材料、（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）等の蛍光性有機金属化合物、ポリパラフィニレンビニレン（ＰＰＶ）系、ポリアニリン系、ポリフルオレン系、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）系等の高分子材料、白金錯体やイリジウム錯体等の三重項励起子からのりん光を発光に利用できる有機材料を使用できる。上述したような発光材料のみから構成されても良いし、正孔輸送材料、電子輸送材料、添加剤（ドナー、アクセプター等）または発光性ドーパント等が含有されても良いし、これらが高分子材料又は無機材料中に分散されても良い。
【００２３】
電子輸送層は、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していれば良く、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。具体例としては、ニトロ置換フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体等の有機材料、８−キノリノール誘導体の金属錯体、メタルフタロシアニン等が使用できる。
【００２４】
正孔輸送層、前記発光層、前記電子輸送層は、上述の材料に限ったものではなく、適宜選択可能であり、スピンコーティング法、ディッピング法等の塗布法、インクジェット法、スクリーン印刷法等の印刷法等のウェットプロセス、又は、蒸着法、レーザ転写法（ＬＩＴＩ）等のドライプロセスで形成することができる。
【００２５】
図２には、前述した有機ＥＬ素子の製造方法を実現するクラスタ型（枚葉型）の製造装置の一例を示す。有機ＥＬ素子の製造方法および製造装置についての工程および構成を説明する。この製造装置は２連の成膜装置２０，３０と封止装置４０を備えるように構成されており、搬入側の成膜装置２０には基板搬送室５１が連接され、成膜装置２０，３０および封止装置４０間にはそれぞれ受渡室５２、５３が連接され、封止装置４０の搬送室側には排出室５４が連接されている。図２以外の符号は図１で使用した符号を利用する。
【００２６】
成膜装置２０には、中央に真空搬送室２１が設置されており、真空搬送室２１内に搬送用ロボット２２が配備され、その周囲に複数の成膜室２３，２４，２５と基板に加熱工程を行う加熱室２６が配備されている。成膜装置３０には、成膜装置２０と同様に、中央に真空搬送室３１が配置されており、真空搬送室３１内に搬送用ロボット３２が配備され、その周囲に複数の成膜室３３，３４，３５，３６が配備されている。また、封止装置４０にも中央に搬送室４１が設備されており、搬送室４１内に搬送用ロボット４２が配備され、その周囲に封止基板搬送室４３，封止基板ストック室４４，貼合室４５，検査室４６が配備されている。そして、各成膜室２３，２４，２５，３３，３４，３５，３６や加熱室２６、封止基板搬送室４３、封止基板ストック室４４、貼合室４５の入り口、基板搬送室５１、受渡室５２，５３、封止基板搬送室４３、排出室５４の出入り口には真空ゲートＧが配備されている。
【００２７】
このような製造装置によれば、前処理工程および洗浄工程済み基板２（下部電極１１付き基板２）が基板搬送室５１内に搬入されて、成膜装置２０の真空搬送室２１内の搬送用ロボット２２の動作によって、基板２が成膜室２３（第１の成膜層１２を成膜する第１の成膜室）に移される。また、本発明の第１の基板搬送工程は、搬送用ロボット２２を用いることに限定するわけではなく、搬送用ロボット２２を利用せずにベルトコンベア等で移動させるインライン方式の製造方法であっても構わない。成膜室２３内は１０−２〜１０−６Ｐａまで減圧または真空状態に設定されており、基板２の下部電極１１上に第１の成膜層１２を抵抗加熱蒸着にて成膜する（第１層目成膜工程）。
【００２８】
次いで、搬送用ロボット２２の動作により、基板２が成膜室２３から加熱室２６に基板搬送室２１を介して搬送される（第１の基板搬送工程）。このとき、基板搬送室２１、加熱室２６および成膜室２３内は１０−２〜１０−６Ｐａまで減圧または真空状態に設定されている。
【００２９】
加熱室２６内では、第１の成膜層１２を形成する有機材料のガラス転移点以上融点以下の温度で加熱する（加熱工程）。加熱工程は真空雰囲気化の加熱室２６内で、基板２を基板ホルダ等に固定し、基板２に対し加熱温度を加える。加熱温度としては、第１層目を構成する有機材料のガラス転移点以上融点以下の加熱温度で、一定時間加熱手段を施す。例えば、ガラス転移点が９５℃の有機材料の場合、１２５℃程度の温度で、２０分程度の加熱時間で加熱手段を加える。加熱手段は、基板をヒータで加熱する方法、ハライドランプなどで加熱する方法等で行う。
【００３０】
加熱工程後には、搬送用ロボット２２の動作により、基板２が加熱室２６から成膜室２４（第２の成膜層１３を成膜する第２の成膜室）に基板搬送室２１を介して搬送される（第２の基板搬送工程）。このとき、加熱室２６，基板搬送室２１および成膜室２４内は１０−２〜１０−６Ｐａまで減圧または真空状態に設定されている。また、本発明の第２の基板搬送工程は、搬送用ロボット２２を用いることに限定するわけではなく、搬送用ロボット２２を利用せずにベルトコンベア等で移動させるインライン方式の製造方法であっても構わない。さらに、図では、第１の基板搬送工程と第２の基板搬送工程を同じ基板搬送室２１を使って説明したが、これに限らず異なる基板搬送室を用いてもかまわない。
【００３１】
次いで、１０−２〜１０−６Ｐａまで真空状態に設定した成膜室２４内にて第１の成膜層１２上に第２の成膜層１３を抵抗加熱蒸着にて成膜する（第２層目成膜工程）。更に、基板２を受渡室５２で、成膜装置２０側の搬送用ロボット２２から成膜装置３０側の搬送用ロボット３２への受渡がなされ、成膜装置３０側の成膜室３３，３４，３５，３６にて第３の成膜層１４やそれ以上積層する際の成膜層、上部電極１５を順次成膜する。
【００３２】
上部電極１５の成膜が行われた後、基板２が受渡室５３を介して封止装置４０に搬送される。封止装置４０では、まず、基板２が検査室４６に搬送されて、基板２上に形成された有機ＥＬ素子１の発光特性の測定が行われ、色度ずれ等の不良がないかを確認される。また、基板２が封止基板搬送室４３から搬送され、封止基板ストック室４４に保管してある封止基板と検査室４６にて検査工程を終了した基板２とを搬送室４０内の搬送用ロボット４２により、貼合室４５に搬送され、接着剤を介して両者の貼り合わせが行われる。貼り合わせが完了した有機ＥＬパネルが排出室５４を介して装置外へ搬出される。
【００３３】
本発明の実施の形態および以下に説明する実施例において、真空状態とは、成膜室２３，２４，２５，３３，３４，３５および３６、加熱室２６、真空搬送室２１，３１内の圧力を１０−２〜１０−６Ｐａの範囲にした状態をいう。さらに、成膜とは、成膜室２３，２４，２５，３３，３４，３５および３６にて、抵抗加熱法を利用した真空蒸着を行った例を示したが、これに限定するわけではなく、ＥＢ蒸着やスパッタ蒸着といった物理蒸着法、スピンコートや塗布、印刷法、さらにはＣＶＤ法といった化学蒸法着も採用することが可能である。
【００３４】
そして、本発明の実施の形態は、クラスタ型の製造装置の説明を行ったが、インライン型の製造装置を用いても良く、有機ＥＬ素子の形態についても特に限定するものではない。例えば、基板側から光を取り出すボトムエミッション方式であっても、基板と逆側から取り出すトップエミッション方式であってもよく、駆動方式もアクティブ駆動方式でも、パッシブ駆動方式であっても良い。
【実施例１】
【００３５】
＜実施例１＞ガラス製の基板上に下部電極としてＩＴＯをスパッタリングで膜厚１１０ｎｍに成膜する。次いで、フォトレジストＡＺ６１１２（東京応化工業製）を、ＩＴＯ上に２ｍｍの幅でパターン形成した。レジストをパターン形成した基板を、塩化第２鉄水溶液と塩酸の混合液中に浸漬させた。これにより、レジストに覆われていない部分のＩＴＯ膜がエッチングされた。エッチングされたガラス基板を、アセトン中に浸漬させた。これにより、レジストが除去され、２ｍｍの幅に設けられたＩＴＯ電極のストライプパターンが形成された。
【００３６】
ＩＴＯ電極のストライプパターンが形成されたガラス基板を、界面活性剤にて洗浄する。その後、ＵＶオゾン洗浄を１０分間行った。ＵＶオゾン洗浄を行った基板を、製造装置内の成膜室に投入した。１０−４Ｐａに減圧してある成膜室にて抵抗加熱蒸着を用いて、第１の成膜層としてＮ−フェニル−ｐ−フェニレンジアミン（ＰＰＤ）を毎秒０．１６ｎｍの成膜速度にて２０ｎｍの厚さに成膜した。
【００３７】
次に、１０−４Ｐａの真空状態を維持しながらＰＰＤ成膜後の基板を基板搬送室を介して加熱室に搬送した。加熱室に基板を固定し、ヒータを利用してＰＰＤのガラス転移点（Ｔｇ＝１５０℃）以上の１８０℃で２０分基板を加熱し、加熱工程を行った。次いで、１０−４Ｐａの真空状態を維持しながら基板を搬送室を介して第２の成膜室に搬送し、ＰＰＤ上に第２の成膜層としてＮＰＢを毎秒２．０ｎｍの成膜速度にて１０ｎｍの厚さに成膜した。
【００３８】
次に、１０−４Ｐａの真空状態を維持しながらＮＰＢ成膜後の基板を搬送室を介して成膜室に搬送し、発光層兼電子輸送層のＡｌｑ３を毎秒０．５ｎｍの成膜速度で、６０ｎｍの厚さになるまで成膜した。次に、Ａｌｑ３成膜後の基板を搬送室を介して次の成膜室に搬送し、電子注入層のＬｉ２Ｏを毎秒０．３ｎｍの成膜速度で、０．７ｎｍの厚さになるまで成膜した。さらに、Ｌｉ２Ｏ成膜後の基板を基板搬送室を介して上部電極の成膜室に搬送し、上部電極用のシャドウマスクを施し、アルミニウムを毎秒１ｎｍの速度で１００ｎｍの厚さに真空成膜した。このとき、アルミニウムの膜は、ＩＴＯ膜のストライプと直交するような方向で、２ｍｍ幅のストライプ状に成膜した。最後に、ガラス封止して実施例サンプルを形成した。
【００３９】
＜比較例１＞比較例としての有機ＥＬ素子について説明する。比較例としての有機ＥＬ素子は、実施例１として上述した有機ＥＬ素子のＰＰＤに行う加熱工程を大気圧窒素雰囲気下で行ったものを比較サンプルとして作成した。つまり、窒素雰囲気下の加熱室中のを大気圧にて加熱工程を行った。
【００４０】
＜評価＞実施例サンプルと比較サンプルを次に示す耐候性試験と半減寿命試験により比較評価した。耐侯性試験は、６３℃の条件で保存し、ＳＵＮＴＥＳＴ製の有機ＥＬ素子耐候性試験機により、サンプルの電圧上昇を検討した。実施例サンプルと比較サンプルの耐候性試験結果を図３に示す。図３より、同じ素子構成であるが、比較サンプルより実施例サンプルの方が電圧上昇を低く抑えており、有機ＥＬ素子の耐候性が優れている結果が得られた。
【００４１】
半減寿命試験は、８５℃におけるサンプルの点灯時間における残存輝度の割合を測定し検討した。実施例サンプルと比較サンプルの半減寿命測定結果を図４に示す。図４より、同じ素子構成であるが、比較サンプルより実施例サンプルの方が有機ＥＬ素子の寿命が長い結果が得られた。したがって、図３および図４の比較結果により、実施例サンプルの方が比較サンプルよりも耐候性および寿命特性の点で優れていることが分かった。
【００４２】
以上のとおりであって、本発明の実施形態或いは実施例は、基板上に下部電極を形成し、下部電極上に発光層を含む複数の成膜層を積層した上に上部電極を形成する自発光素子の製造方法あるいは製造装置において、仮に下部電極等の成膜不良や異物等の付着があった場合であっても、成膜欠陥部の形成を防止することができる。また、耐候性の向上や長寿命化を図ることのできる自発光素子の製造方法および製造装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】自発光素子の一つである有機ＥＬ素子の説明図
【図２】自発光素子の一つである有機ＥＬ素子の成膜装置の概略図
【図３】実施例１における実施例サンプルと比較サンプルの耐侯性試験結果
【図４】実施例１における実施例サンプルと比較サンプルの半減寿命試験結果
【符号の説明】
【００４４】
１・・・有機ＥＬ素子
２・・・基板
３・・・有機ＥＬパネル
２０・・・成膜装置
２６・・・加熱室
２１，３１・・・搬送室
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に下部電極を形成し、下部電極上に発光層を含む複数の成膜層を積層した上に上部電極を形成する自発光素子の製造方法において、
下部電極表面上に第１層目の成膜層を真空状態で成膜する第１層目成膜工程と、
第１層目の成膜層を成膜した基板を真空状態で加熱処理する加熱工程と、
加熱工程後に第１層目の成膜層表面上に第２層目の成膜層を真空状態で成膜する第２層目成膜工程と、を含むことを特徴とする自発光素子の製造方法。
【請求項２】
第１層目成膜工程と加熱工程との間に真空状態で基板を搬送する第１の基板搬送工程を有することを特徴とする請求項１に記載の自発光素子の製造方法。
【請求項３】
加熱工程と第２層目成膜工程との間に真空状態で基板を搬送する第２の基板搬送工程を有することを特徴とする請求項１に記載の自発光素子の製造方法。
【請求項４】
自発光素子は有機ＥＬ素子であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の自発光素子の製造方法。
【請求項５】
基板上に下部電極を形成し、下部電極上に発光層を含む複数の成膜層を積層した上に上部電極を形成する自発光素子の製造装置において、
下部電極表面上に第１層目の成膜層を真空状態で成膜する第１の成膜室と、
第１層目の成膜層を成膜した基板を真空状態で加熱処理する加熱室と、
第１層目の成膜層表面上に第２層目の成膜層を真空状態で成膜する第２の成膜室と、を含むことを特徴とする自発光素子の製造装置。
【請求項６】
真空状態で基板を搬送する基板搬送室を有することを特徴とする請求項５に記載の自発光素子の製造装置。
【請求項７】
自発光素子は有機ＥＬ素子であることを特徴とする請求項５または６に記載の自発光素子の製造装置。
【請求項１】
基板上に下部電極を形成し、下部電極上に発光層を含む複数の成膜層を積層した上に上部電極を形成する自発光素子の製造方法において、
下部電極表面上に第１層目の成膜層を真空状態で成膜する第１層目成膜工程と、
第１層目の成膜層を成膜した基板を真空状態で加熱処理する加熱工程と、
加熱工程後に第１層目の成膜層表面上に第２層目の成膜層を真空状態で成膜する第２層目成膜工程と、を含むことを特徴とする自発光素子の製造方法。
【請求項２】
第１層目成膜工程と加熱工程との間に真空状態で基板を搬送する第１の基板搬送工程を有することを特徴とする請求項１に記載の自発光素子の製造方法。
【請求項３】
加熱工程と第２層目成膜工程との間に真空状態で基板を搬送する第２の基板搬送工程を有することを特徴とする請求項１に記載の自発光素子の製造方法。
【請求項４】
自発光素子は有機ＥＬ素子であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の自発光素子の製造方法。
【請求項５】
基板上に下部電極を形成し、下部電極上に発光層を含む複数の成膜層を積層した上に上部電極を形成する自発光素子の製造装置において、
下部電極表面上に第１層目の成膜層を真空状態で成膜する第１の成膜室と、
第１層目の成膜層を成膜した基板を真空状態で加熱処理する加熱室と、
第１層目の成膜層表面上に第２層目の成膜層を真空状態で成膜する第２の成膜室と、を含むことを特徴とする自発光素子の製造装置。
【請求項６】
真空状態で基板を搬送する基板搬送室を有することを特徴とする請求項５に記載の自発光素子の製造装置。
【請求項７】
自発光素子は有機ＥＬ素子であることを特徴とする請求項５または６に記載の自発光素子の製造装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２００６−２４４９０１（Ｐ２００６−２４４９０１Ａ）
【公開日】平成１８年９月１４日（２００６．９．１４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−６０６３６（Ｐ２００５−６０６３６）
【出願日】平成１７年３月４日（２００５．３．４）
【出願人】（０００２２１９２６）東北パイオニア株式会社 (474)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年９月１４日（２００６．９．１４）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年３月４日（２００５．３．４）
【出願人】（０００２２１９２６）東北パイオニア株式会社 (474)
【Ｆターム（参考）】
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