蒸着装置及び成膜方法
【課題】放射線画像変換パネルの蛍光体を蒸着法で成膜するときに、突沸や再蒸発による膜欠陥がない薄膜を作製することを可能とする蒸着装置、及び、該成膜方法を用いた放射線画像変換パネルの蛍光体の成膜方法を提供することを目的とする。
【解決手段】蒸着装置１のルツボ２の蓋３に、ルツボ２の内部方向に凸部を有し凸部の側壁面８にルツボ２内部へ連通する穿孔３４を備えルツボ２に取り外し可能な蓋３を採用し、穿孔３４を通して蒸着面のいかなる場所からもルツボ２内部の原材料を直接見ることができない位置に穿孔３４を配置する。
【解決手段】蒸着装置１のルツボ２の蓋３に、ルツボ２の内部方向に凸部を有し凸部の側壁面８にルツボ２内部へ連通する穿孔３４を備えルツボ２に取り外し可能な蓋３を採用し、穿孔３４を通して蒸着面のいかなる場所からもルツボ２内部の原材料を直接見ることができない位置に穿孔３４を配置する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、蒸着装置、及び、該蒸着装置を用いた放射線画像変換パネルの蛍光体の成膜方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、Ｘ線画像のような放射線画像は医療現場において病状の診断に広く用いられている。特に、増感紙−フィルム系による放射線画像は、長い歴史のなかで高感度化と高画質化が図られた結果、高い信頼性と優れたコストパフォーマンスを併せ持った撮像システムとして、いまなお、世界中の医療現場で用いられている。
【０００３】
しかしながらこれら画像情報はいわゆるアナログ画像情報であって、近年発展を続けているデジタル画像情報のような、自由な画像処理や瞬時の電送ができない。
【０００４】
そして、近年ではコンピューテッドラジオグラフィ（ＣＲ）やフラットパネル型の放射線ディテクタ（ＦＰＤ）等に代表されるデジタル方式の放射線画像検出装置が登場している。これらは、デジタルの放射線画像が直接得られ、陰極管や液晶パネル等の画像表示装置に画像を直接表示することが可能なので、必ずしも写真フィルム上への画像形成が必要なものではない。その結果、これらのデジタル方式のＸ線画像検出装置は、銀塩写真方式による画像形成の必要性を低減させ、病院や診療所での診断作業の利便性を大幅に向上させている。
【０００５】
ところで、近年、高輝度、高感度、高鮮鋭性の輝尽性蛍光体を用いた放射線像変換方法として、ＣＲでは臭化セシウム（ＣｓＢｒ）などのハロゲン化アルカリを母体にＥｕを賦活した輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネルが提案されている。特にＥｕを賦活剤とすることで、従来不可能であったＸ線変換効率の向上が可能になるとされている。同様にＦＰＤではヨウ化セシウム（ＣｓＩ）などのハロゲン化アルカリを母体にＴｌを賦活した蛍光体を用いた放射線画像変換パネルが提案されている。
【０００６】
また、診断画像の解析において、より高鮮鋭性の放射線画像変換パネルが要求されており、鮮鋭性改善のための手段として、例えば形成される輝尽性蛍光体の形状そのものをコントロールして感度及び鮮鋭性の改良を図る試みがされている。
【０００７】
これらの試みの１つとして、例えば、気相堆積法によって支持体上に、支持体の法線方向に対し一定の傾きをもった細長い柱状結晶を形成した輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルが提案されている（例えば特許文献１参照）。
【０００８】
しかしながら、気相体積法（蒸着法）では、ルツボ内の粉末原料が固体から液体に変わる際、もしくは液体に変わった後に、突沸（スプラッシュ）が発生する。その突沸が画像欠陥となり放射線画像変換パネルの収率を大きく低下させている。
【０００９】
これを解決する手段として、ルツボの開口部にノズルをつけて直接突沸が基板に付着しないようにする方法開示されている（例えば特許文献２、３参照）。
【００１０】
また、突沸による画像欠陥を解消する方法として、２枚のカバーを用いて直接突沸した材料が基板に付着しないようにする方法が開示されている（例えば特許文献４参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開平２−５８０００号公報
【特許文献２】特開平８−２６９６９６号公報
【特許文献３】特開平８−２７４０９０号公報
【特許文献４】特開２００９−１０８４０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
特許文献２、３で開示されている技術のように、ルツボの開口部の上にノズルなどの筒状のものをつけるとその部分の温度がルツボより低くなってしまい、蒸着膜の組成の変化を惹起してしまう。またノズル部分を別途加熱しようとすれば、余分に加熱装置が必要であり、既存の装置に込み入れる際に大きな障害になってしまう。
【００１３】
また、特許文献４で開示されている技術のように、カバーを２枚重ねると内側のカバーを抜けてきた上記が外側のカバーへ付着し、原料溜まりが生じる。かかる原料溜まりが再蒸発することにより、基板に原料が付着し、画像欠陥を発生させる可能性がある。
【００１４】
本発明は、放射線画像変換パネルの蛍光体を蒸着法で成膜するときに、突沸や再蒸発による膜欠陥がない薄膜を作製することを可能とする蒸着装置、及び、該成膜方法を用いた放射線画像変換パネルの蛍光体の成膜方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
前述の目的は、下記に記載する発明により達成される。
【００１６】
１．ルツボと、
前記ルツボの内部方向に凸部を有し、前記凸部の側壁面に前記ルツボ内部へ連通する穿孔を備え、前記ルツボに取り外し可能な蓋と、
前記ルツボを加熱する加熱手段と、
を有し、
前記加熱手段による加熱により蒸発された前記ルツボ内部の原材料を、前記穿孔を通して蒸着面に成膜する基板を所定の位置に搭載可能な蒸着装置であって、
前記蒸着面のいかなる場所からも前記ルツボ内部の前記原材料を直接見ることができない位置に前記穿孔を配置することを特徴とする蒸着装置。
【００１７】
２．前記凸部は前記ルツボの内部方向に広がり形状を有していることを特徴とする前記１記載の蒸着装置。
【００１８】
３．蓋３の材質と前記ルツボの材質の熱膨張率の差は一方の熱膨張率を基準として５０％以内であることを特徴とする前記１または２記載の蒸着装置。
【００１９】
４．前記蓋と、前記ルツボの材質が、融点が９００℃以上３６００℃以下の金属、もしくは熱伝導率が１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上４００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下のセラミックスであることを特徴とする前記１から３のいずれか１項に記載の蒸着装置。
【００２０】
５．下記一般式（１）で表されるハロゲン化アルカリを母体とする放射線画像変換パネルの蛍光体を成膜するのに用いられることを特徴とする前記１から４のいずれか１項に記載の蒸着装置。
一般式（１）
Ｍ１Ｘ・ａＭ２Ｘ′２・ｂＭ３Ｘ″３：ｅＡ
［式中、Ｍ１はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓから選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属を表し、Ｍ２はＭ１以外のＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属を表し、Ｍ３はＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、及びＬｕから選ばれる少なくとも一種の三価金属を表し、Ｘ、Ｘ′及びＸ″はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、及びＩから選ばれる少なくとも一種のハロゲンを表し、Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、及びＴｌから選ばれる少なくとも一種の希土類元素を表し、ａ、ｂ、ｅはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｅ≦０．２の範囲の数値を表す。］
６．前記１から５のいずれか１項に記載の蒸着装置を用いて製造することを特徴とする放射線画像変換パネルの蛍光体の成膜方法。
【発明の効果】
【００２１】
放射線画像変換パネルの蛍光体を蒸着法で成膜するときに、突沸や再蒸発による膜欠陥がない薄膜を作製することを可能とする蒸着装置、及び、該成膜方法を用いた放射線画像変換パネルの蛍光体の成膜方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】蒸着装置１の主要部の断面図である。
【図２】側壁面３２が、フランジ部３１に垂直に形成されている場合の主要部の蒸着装置１の断面図である。
【図３】比較の蒸着装置の主要部の一例を表す断面図である。
【図４】比較の蒸着装置の主要部の一例を表す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下に本発明の実施形態を図面により説明するが、本発明は以下に説明する実施形態に限られるものではない。なお、各図において同一の符号を付した構成は、同一の構成であることを示し、その説明を省略する。
【００２４】
図１は、本実施形態にかかる蒸着装置１の主要部の断面図である。
【００２５】
本発明の蒸着装置１は、ルツボ２と、ルツボ２から取り外し可能な蓋３と、ルツボ２を加熱する加熱手段７とから構成される。
【００２６】
蓋３は凸部を有する形状を成しており、フランジ部３１、側壁面３２、底面３３を備えている。底面３３はフランジ部３１に対して、ルツボ２内部に向けられる。
【００２７】
側壁面３２は、ルツボの内部方向に、フランジ部３１から底面３３に向かって広がり形状を有している。図１において、フランジ部３１の垂線と側壁面３２とのなす角度θは、０度＜θ＜９０度であることが好ましく、より好ましくは、０度＜θ＜８５度であり、特に好ましくは、０度＜θ＜８０度である。
【００２８】
側壁面３２には側壁面３２を連通する穿孔３４が形成されている。
【００２９】
蓋３はルツボ２に対して取り外し可能であり、蓋３を開けてルツボ２に蒸着すべき原材料を充填する。穿孔３４を有する蓋３が取り外し可能であるので、蒸発材料の充填や、ルツボ２の洗浄も容易である。
【００３０】
真空装置９内には原材料を蒸着させて堆積させる被蒸着体である基板５が搭載可能に構成されている。
【００３１】
蓋３の材質とルツボ２の材質の熱膨張率の差は一方の熱膨張率を基準として５０％以内であることが好ましい。ルツボ２や蓋３が加熱された際、熱膨張率の差が大きいと、ルツボ２と蓋３の間に隙間が生じて原材料が穿孔３４以外の場所から真空装置９内に飛び出して被蒸着体である基板５に堆積し、放射線画像変換パネルの特性が悪化する場合がある。しかし、蓋３の材質とルツボ２の材質の熱膨張率の差は一方の熱膨張率を基準として５０％以内に設定しておけば、かかる不具合は発生しない。
【００３２】
蒸着装置１と、基板５とは、真空装置９内の所定の位置に配置されている。蒸着対象である基板５は、所定の基板ホルダー１０に取り付けられている。
【００３３】
穿孔３４を有する蓋３は、上記のように、ルツボ２の内部方向に凸部を有する構造であり、凸部の側壁面８にルツボ２内部へ連通する穿孔３４を有することによって、基板の蒸着面のいかなる場所からも、ルツボ２中の原材料が直接見えない構造になっている。すなわち、図１において、基板５の端部から穿孔３４方向に描かれた直線１３は、ルツボ２内の原材料の上面１２は見えないようになる。
【００３４】
これに対し、図２のように、側壁面３２が、フランジ部３１に垂直に形成されている場合には、基板５の端部から穿孔３４に通して描かれた直線１３は、ルツボ２内の原材料の上面１２に到達してしまう。図２は、側壁面３２が、フランジ部３１に垂直に形成されている場合の蒸着装置１の主要部の断面図である。
【００３５】
このように、側壁面３２は、ルツボの内部方向に、フランジ部３１から底面３３に向かって広がり形状を有することによって、ルツボ２内部から、突沸によって直線的に飛行する突沸粒子はルツボから基板にぶつかることはない。
【００３６】
従って、突沸粒子が付着することによる膜欠陥がない薄膜を成膜することができる。
【００３７】
本発明の蒸着装置１においては、蓋３とルツボ２には固定用の出っ張りを設けることで、蓋３とルツボ２を金属ワイヤー１５等で固定でき（図１参照）、好ましい。金属ワイヤー１５で固定することでルツボ２内の内圧が上がっても、蓋３が外れることはない。
【００３８】
本発明の蒸着装置１においては、蓋３とルツボ２の材質は、融点が９００℃以上３６００℃以下、好ましくは１４００℃以上３５００℃以下、さらに好ましくは２０００℃以上３１００℃以下の金属であることが好ましい。このような金属としては、例えば、金、銀、コバルト、タングステン、ジルコニウム、タンタル、チタン、鉄、銅、ニオブ、ニッケル、ネオジウム、白金、モリブデン、マンガン、ステンレスなどが挙げられる。上記において、融点が上記範囲のようであることにより高い耐久性、蒸着レートの安定性、膜厚の高い均一性の効果を奏することができる。
【００３９】
もしくは、本発明の蒸着装置１においては、蓋３とルツボ２の材質は、熱伝導率が１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上４００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下、好ましくは５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上３５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下、さらに好ましくは８０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上３００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下のセラミックスでも可能であり好ましい。このようなセラミックスとしては、例えば、窒化アルミ、炭化珪素、アルミナ、窒化ボロン、カーボンなどが挙げられる。
【００４０】
上記において、熱伝導率が上記範囲のようであることによりルツボ２が均一に加熱され、蒸着レートの安定性、膜厚・賦活剤の高い面内均一性の効果を奏することができる。
【００４１】
蓋３とルツボ２を固定するのに用いられる金属ワイヤーは、融点が９００℃以上３６００℃以下、好ましくは１４００℃以上３５００℃以下、さらに好ましくは２０００℃以上３１００℃以下の金属が好ましく、例えば、金、銀、コバルト、タングステン、ジルコニウム、タンタル、チタン、鉄、銅、ニオブ、ニッケル、ネオジウム、白金、モリブデン、マンガン、ステンレスなどが挙げられ、径は０．２〜１．０ｍｍが好ましい。上記において、融点が上記範囲のようであることにより蒸着中にワイヤーが緩んだり切れたりしないので、蒸着レート安定性の効果を奏することができる。
（蛍光体の成膜方法）
ルツボ２は真空装置９内のクヌーセンセル（間接加熱蒸発源、以下Ｋセルと表記する）にセットされ、被蒸着対象の基板５をセット後、真空排気される。
【００４２】
蒸着装置１はルツボ２に直接電流を流し抵抗加熱する方法やルツボを周りのヒーターで間接的に加熱する方法、高周波誘導加熱でルツボ、蒸発材料を加熱する方法などにより加熱されることができる。
【００４３】
基板５は平坦な金属の基板５が用いられ、例えばアルミニウム、マグネシウム合金などを用いることができるが、樹脂、セラミックでもよい。また基板５上に反射層や保護層を設けてもよい。
【００４４】
真空装置９内は、好ましくは１．０×１０−３Ｐａ程度まで真空に排気した後、Ａｒガス、酸素ガス、窒素ガス等のガスを導入し、５．０×１０−２Ｐａ程度のガス圧に真空度を調節する等して適宜に調整される。基板５を回転して基板５を好ましくは６０〜２５０℃に加熱したあと、ルツボ２を加熱する。初期溶融中はルツボ２の上にシャッターをして所定の温度（好ましくは７００〜９００℃）になったところでシャッターを開け、基板５に蛍光体材料（例えば、ＣｓＢｒ：Ｅｕ、ＣｓＩ：Ｔｌ等）を蒸着する。膜厚が所望所定の厚さ（１００〜１０００μｍ、（好ましくは５００μｍ等））となったところで蒸着を終了し、冷却後、基板５に蛍光体を成膜した基板５を取り出す。さらに、必要に応じて、輝尽性蛍光体層の支持体とは反対の側の面に、物理的にあるいは化学的に前記蛍光体層を保護するための保護層を設けてもよい。保護層は、保護層用の塗布液を蛍光体層の表面に直接塗布して形成もよいし、また、予め別途形成した保護層を蛍光体層に接着してもよい。
【００４５】
当該保護膜は種々の材料を用いて形成することができる。例えば、ＣＶＤ法によりポリパラキシリレン膜を形成する。即ち、蛍光体を成膜した基板５の表面全体にポリパラキシリレン膜を形成し、保護膜とすることができる。
【００４６】
また、別の態様の保護膜として、高分子保護フィルムを設けることもできる。
【００４７】
上記の高分子保護フィルムの厚さは、空隙部の形成性、蛍光体層の保護性、鮮鋭性、防湿性、作業性等を考慮し、１２μｍ以上、１００μｍ以下が好ましく、更には２０μｍ以上、６０μｍ以下が好ましい。また、ヘイズ率が鮮鋭性、放射線画像ムラ、製造安定性、作業性等を考慮し、３％以上、４０％以下が好ましく、更には３％以上、１０％以下が好ましい。ヘイズ率は日本電色工業株式会社ＮＤＨ ５０００Ｗにより測定した値を示す。
【００４８】
必要とするヘイズ率は市販されている高分子フィルムから適宜選択し、容易に入手することが可能である。以上により基板５に蛍光体を成膜した本発明の放射線画像変換パネルが得られる。
【００４９】
本発明の蒸着装置１を用いて好適に成膜し製造される放射線画像変換パネルの蛍光体としては、ＣｓＢｒ：Ｅｕ、ＣｓＩ：Ｔｌ等、が挙げられるが、中でも、下記一般式（１）で表されるハロゲン化アルカリを母体とする放射線画像変換パネルの蛍光体が好ましい。
一般式（１）
Ｍ１Ｘ・ａＭ２Ｘ′２・ｂＭ３Ｘ″３：ｅＡ
［式中、Ｍ１はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓから選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属を表し、Ｍ２はＭ１以外のＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属を表し、Ｍ３はＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、及びＬｕから選ばれる少なくとも一種の三価金属を表し、Ｘ、Ｘ′及びＸ″はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、及びＩから選ばれる少なくとも一種のハロゲンを表し、Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、及びＴｌから選ばれる少なくとも一種の希土類元素を表し、ａ、ｂ、ｅはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｅ≦０．２の範囲の数値を表す。］
【実施例】
【００５０】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されない。
【００５１】
本発明の蒸着装置１は図１に示した蒸着装置を使用する。比較の蒸着装置は、図３及び図４に示した蒸着装置を使用する。
《本発明の放射線画像変換パネルＰ１の作製》
図１に示す本発明の蒸着装置１を使用して、蒸着装置１の窒化アルミ製のルツボ２に、ＣｓＢｒ：Ｅｕを４００ｇ充填し、側面に穿孔３４を有する窒化アルミ製の蓋（取り外し可能であり穿孔３４を有する蓋）を金属ワイヤー１５（金属：タンタル、融点：３０１７℃）でルツボ２に固定した。
【００５２】
ルツボ２を真空装置９内のＫセルにセットし、５００ｍｍ□の基板（種類：ポリイミド樹脂シート）をセット後、真空引きする。
【００５３】
蒸着装置１はＫセルを使用する。
【００５４】
真空装置内を１．０×１０−３Ｐａまで真空に排気した後、Ａｒを導入し、５．０×１０−２Ｐａに真空度を調節する。基板５を回転して基板５を１００℃に加熱した後、ルツボ２を加熱する。初期溶融中はルツボ２の上にシャッターをして所定の温度（８００℃）になったところでシャッターを開け、基板５にＣｓＢｒ：Ｅｕを蒸着する。膜厚が１５０μｍとなったところで蒸着を終了し、基板５に蛍光体を成膜した基板５を冷却後取り出して、基板５に蛍光体を成膜した本発明の放射線画像変換パネルＰ１を作製した。
《本発明の放射線画像変換パネルＰ４の作製》
蛍光体材料ＣｓＩ：Ｔｌを使用した他は上記「《本発明の放射線画像変換パネルＰ１の作製》」の場合と同様にして、基板５に蛍光体を成膜した本発明の放射線画像変換パネルＰ４をそれぞれ作製した。
《比較の放射線画像変換パネルＰ２、Ｐ３の作製》
図１に示す本発明の蒸着装置１をそれぞれ使用する代わりに、図３に示す比較の蒸着装置２０（上面に穿孔１４を有する蓋１６を使用）、図４に示す比較の蒸着装置３０（仕切板１１を２枚重ねるルツボ２を使用）、をそれぞれ使用した他は、上記《本発明の放射線画像変換パネルＰ１の作製》の場合と同様にして、基板５に蛍光体を成膜した本発明の放射線画像変換パネルＰ２、Ｐ３をそれぞれ作製した。
《比較の放射線画像変換パネルＰ５、Ｐ６の作製》
蛍光体材料ＣｓＩ：Ｔｌを使用した他は上記「《本発明の放射線画像変換パネルＰ２、Ｐ３の作製》」の場合と同様にして、基板５に蛍光体を成膜した本発明の放射線画像変換パネルＰ５、Ｐ６をそれぞれ作製した。
《評価方法》
作製した放射線画像変換パネルの表面を顕微鏡（倍率：１００倍）で観察し、５００ｍｍ□内にある５０μｍ以上の突起物の数を調べた。結果を表１に示す。
【００５５】
【表１】
【００５６】
比較例Ｐ２、Ｐ５の正面に穿孔１４を有す蓋を付したルツボ２で作製した膜は５０μｍ以上の突起がそれぞれ１０個、８個あり。比較例Ｐ３、Ｐ６の蓋なしのルツボ２で作製した膜は５０μｍ以上の突起がそれぞれ９７個、５２個あったのに対して、側面に穿孔３４を有する蓋Ａ、Ｂを使用した場合０個であった。
【００５７】
表１から、本発明の場合には、気相蒸着法で薄膜を作製するときに突沸による膜欠陥がない薄膜を成膜することができることがわかる。
【００５８】
以上のように、蒸着装置のルツボ２の蓋３に、ルツボ２の内部方向に凸部を有し凸部の側壁面８にルツボ２内部へ連通する穿孔３４を備えルツボ２に取り外し可能な蓋３を採用し、穿孔３４を通して蒸着面のいかなる場所からもルツボ２内部の原材料を直接見ることができない位置に穿孔３４を配置することで、突沸粒子が付着することによる膜欠陥がない薄膜を成膜することができる。従って、放射線画像変換パネルの蛍光体を蒸着法で成膜するときに、突沸や再蒸発による膜欠陥がない薄膜を作製することを可能とする蒸着装置、及び、該成膜方法を用いた放射線画像変換パネルの蛍光体の成膜方法を提供することができる。
【符号の説明】
【００５９】
１、２０、３０ 蒸着装置
２ ルツボ
３、１６ 蓋
５ 基板
８ 側壁面
９ 真空装置
１０ 基板ホルダー
１４、３４ 穿孔
１５ 金属ワイヤー
３１ フランジ部
３２ 側壁面
３３ 底面
【技術分野】
【０００１】
本発明は、蒸着装置、及び、該蒸着装置を用いた放射線画像変換パネルの蛍光体の成膜方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、Ｘ線画像のような放射線画像は医療現場において病状の診断に広く用いられている。特に、増感紙−フィルム系による放射線画像は、長い歴史のなかで高感度化と高画質化が図られた結果、高い信頼性と優れたコストパフォーマンスを併せ持った撮像システムとして、いまなお、世界中の医療現場で用いられている。
【０００３】
しかしながらこれら画像情報はいわゆるアナログ画像情報であって、近年発展を続けているデジタル画像情報のような、自由な画像処理や瞬時の電送ができない。
【０００４】
そして、近年ではコンピューテッドラジオグラフィ（ＣＲ）やフラットパネル型の放射線ディテクタ（ＦＰＤ）等に代表されるデジタル方式の放射線画像検出装置が登場している。これらは、デジタルの放射線画像が直接得られ、陰極管や液晶パネル等の画像表示装置に画像を直接表示することが可能なので、必ずしも写真フィルム上への画像形成が必要なものではない。その結果、これらのデジタル方式のＸ線画像検出装置は、銀塩写真方式による画像形成の必要性を低減させ、病院や診療所での診断作業の利便性を大幅に向上させている。
【０００５】
ところで、近年、高輝度、高感度、高鮮鋭性の輝尽性蛍光体を用いた放射線像変換方法として、ＣＲでは臭化セシウム（ＣｓＢｒ）などのハロゲン化アルカリを母体にＥｕを賦活した輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネルが提案されている。特にＥｕを賦活剤とすることで、従来不可能であったＸ線変換効率の向上が可能になるとされている。同様にＦＰＤではヨウ化セシウム（ＣｓＩ）などのハロゲン化アルカリを母体にＴｌを賦活した蛍光体を用いた放射線画像変換パネルが提案されている。
【０００６】
また、診断画像の解析において、より高鮮鋭性の放射線画像変換パネルが要求されており、鮮鋭性改善のための手段として、例えば形成される輝尽性蛍光体の形状そのものをコントロールして感度及び鮮鋭性の改良を図る試みがされている。
【０００７】
これらの試みの１つとして、例えば、気相堆積法によって支持体上に、支持体の法線方向に対し一定の傾きをもった細長い柱状結晶を形成した輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルが提案されている（例えば特許文献１参照）。
【０００８】
しかしながら、気相体積法（蒸着法）では、ルツボ内の粉末原料が固体から液体に変わる際、もしくは液体に変わった後に、突沸（スプラッシュ）が発生する。その突沸が画像欠陥となり放射線画像変換パネルの収率を大きく低下させている。
【０００９】
これを解決する手段として、ルツボの開口部にノズルをつけて直接突沸が基板に付着しないようにする方法開示されている（例えば特許文献２、３参照）。
【００１０】
また、突沸による画像欠陥を解消する方法として、２枚のカバーを用いて直接突沸した材料が基板に付着しないようにする方法が開示されている（例えば特許文献４参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開平２−５８０００号公報
【特許文献２】特開平８−２６９６９６号公報
【特許文献３】特開平８−２７４０９０号公報
【特許文献４】特開２００９−１０８４０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
特許文献２、３で開示されている技術のように、ルツボの開口部の上にノズルなどの筒状のものをつけるとその部分の温度がルツボより低くなってしまい、蒸着膜の組成の変化を惹起してしまう。またノズル部分を別途加熱しようとすれば、余分に加熱装置が必要であり、既存の装置に込み入れる際に大きな障害になってしまう。
【００１３】
また、特許文献４で開示されている技術のように、カバーを２枚重ねると内側のカバーを抜けてきた上記が外側のカバーへ付着し、原料溜まりが生じる。かかる原料溜まりが再蒸発することにより、基板に原料が付着し、画像欠陥を発生させる可能性がある。
【００１４】
本発明は、放射線画像変換パネルの蛍光体を蒸着法で成膜するときに、突沸や再蒸発による膜欠陥がない薄膜を作製することを可能とする蒸着装置、及び、該成膜方法を用いた放射線画像変換パネルの蛍光体の成膜方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
前述の目的は、下記に記載する発明により達成される。
【００１６】
１．ルツボと、
前記ルツボの内部方向に凸部を有し、前記凸部の側壁面に前記ルツボ内部へ連通する穿孔を備え、前記ルツボに取り外し可能な蓋と、
前記ルツボを加熱する加熱手段と、
を有し、
前記加熱手段による加熱により蒸発された前記ルツボ内部の原材料を、前記穿孔を通して蒸着面に成膜する基板を所定の位置に搭載可能な蒸着装置であって、
前記蒸着面のいかなる場所からも前記ルツボ内部の前記原材料を直接見ることができない位置に前記穿孔を配置することを特徴とする蒸着装置。
【００１７】
２．前記凸部は前記ルツボの内部方向に広がり形状を有していることを特徴とする前記１記載の蒸着装置。
【００１８】
３．蓋３の材質と前記ルツボの材質の熱膨張率の差は一方の熱膨張率を基準として５０％以内であることを特徴とする前記１または２記載の蒸着装置。
【００１９】
４．前記蓋と、前記ルツボの材質が、融点が９００℃以上３６００℃以下の金属、もしくは熱伝導率が１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上４００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下のセラミックスであることを特徴とする前記１から３のいずれか１項に記載の蒸着装置。
【００２０】
５．下記一般式（１）で表されるハロゲン化アルカリを母体とする放射線画像変換パネルの蛍光体を成膜するのに用いられることを特徴とする前記１から４のいずれか１項に記載の蒸着装置。
一般式（１）
Ｍ１Ｘ・ａＭ２Ｘ′２・ｂＭ３Ｘ″３：ｅＡ
［式中、Ｍ１はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓから選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属を表し、Ｍ２はＭ１以外のＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属を表し、Ｍ３はＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、及びＬｕから選ばれる少なくとも一種の三価金属を表し、Ｘ、Ｘ′及びＸ″はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、及びＩから選ばれる少なくとも一種のハロゲンを表し、Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、及びＴｌから選ばれる少なくとも一種の希土類元素を表し、ａ、ｂ、ｅはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｅ≦０．２の範囲の数値を表す。］
６．前記１から５のいずれか１項に記載の蒸着装置を用いて製造することを特徴とする放射線画像変換パネルの蛍光体の成膜方法。
【発明の効果】
【００２１】
放射線画像変換パネルの蛍光体を蒸着法で成膜するときに、突沸や再蒸発による膜欠陥がない薄膜を作製することを可能とする蒸着装置、及び、該成膜方法を用いた放射線画像変換パネルの蛍光体の成膜方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】蒸着装置１の主要部の断面図である。
【図２】側壁面３２が、フランジ部３１に垂直に形成されている場合の主要部の蒸着装置１の断面図である。
【図３】比較の蒸着装置の主要部の一例を表す断面図である。
【図４】比較の蒸着装置の主要部の一例を表す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下に本発明の実施形態を図面により説明するが、本発明は以下に説明する実施形態に限られるものではない。なお、各図において同一の符号を付した構成は、同一の構成であることを示し、その説明を省略する。
【００２４】
図１は、本実施形態にかかる蒸着装置１の主要部の断面図である。
【００２５】
本発明の蒸着装置１は、ルツボ２と、ルツボ２から取り外し可能な蓋３と、ルツボ２を加熱する加熱手段７とから構成される。
【００２６】
蓋３は凸部を有する形状を成しており、フランジ部３１、側壁面３２、底面３３を備えている。底面３３はフランジ部３１に対して、ルツボ２内部に向けられる。
【００２７】
側壁面３２は、ルツボの内部方向に、フランジ部３１から底面３３に向かって広がり形状を有している。図１において、フランジ部３１の垂線と側壁面３２とのなす角度θは、０度＜θ＜９０度であることが好ましく、より好ましくは、０度＜θ＜８５度であり、特に好ましくは、０度＜θ＜８０度である。
【００２８】
側壁面３２には側壁面３２を連通する穿孔３４が形成されている。
【００２９】
蓋３はルツボ２に対して取り外し可能であり、蓋３を開けてルツボ２に蒸着すべき原材料を充填する。穿孔３４を有する蓋３が取り外し可能であるので、蒸発材料の充填や、ルツボ２の洗浄も容易である。
【００３０】
真空装置９内には原材料を蒸着させて堆積させる被蒸着体である基板５が搭載可能に構成されている。
【００３１】
蓋３の材質とルツボ２の材質の熱膨張率の差は一方の熱膨張率を基準として５０％以内であることが好ましい。ルツボ２や蓋３が加熱された際、熱膨張率の差が大きいと、ルツボ２と蓋３の間に隙間が生じて原材料が穿孔３４以外の場所から真空装置９内に飛び出して被蒸着体である基板５に堆積し、放射線画像変換パネルの特性が悪化する場合がある。しかし、蓋３の材質とルツボ２の材質の熱膨張率の差は一方の熱膨張率を基準として５０％以内に設定しておけば、かかる不具合は発生しない。
【００３２】
蒸着装置１と、基板５とは、真空装置９内の所定の位置に配置されている。蒸着対象である基板５は、所定の基板ホルダー１０に取り付けられている。
【００３３】
穿孔３４を有する蓋３は、上記のように、ルツボ２の内部方向に凸部を有する構造であり、凸部の側壁面８にルツボ２内部へ連通する穿孔３４を有することによって、基板の蒸着面のいかなる場所からも、ルツボ２中の原材料が直接見えない構造になっている。すなわち、図１において、基板５の端部から穿孔３４方向に描かれた直線１３は、ルツボ２内の原材料の上面１２は見えないようになる。
【００３４】
これに対し、図２のように、側壁面３２が、フランジ部３１に垂直に形成されている場合には、基板５の端部から穿孔３４に通して描かれた直線１３は、ルツボ２内の原材料の上面１２に到達してしまう。図２は、側壁面３２が、フランジ部３１に垂直に形成されている場合の蒸着装置１の主要部の断面図である。
【００３５】
このように、側壁面３２は、ルツボの内部方向に、フランジ部３１から底面３３に向かって広がり形状を有することによって、ルツボ２内部から、突沸によって直線的に飛行する突沸粒子はルツボから基板にぶつかることはない。
【００３６】
従って、突沸粒子が付着することによる膜欠陥がない薄膜を成膜することができる。
【００３７】
本発明の蒸着装置１においては、蓋３とルツボ２には固定用の出っ張りを設けることで、蓋３とルツボ２を金属ワイヤー１５等で固定でき（図１参照）、好ましい。金属ワイヤー１５で固定することでルツボ２内の内圧が上がっても、蓋３が外れることはない。
【００３８】
本発明の蒸着装置１においては、蓋３とルツボ２の材質は、融点が９００℃以上３６００℃以下、好ましくは１４００℃以上３５００℃以下、さらに好ましくは２０００℃以上３１００℃以下の金属であることが好ましい。このような金属としては、例えば、金、銀、コバルト、タングステン、ジルコニウム、タンタル、チタン、鉄、銅、ニオブ、ニッケル、ネオジウム、白金、モリブデン、マンガン、ステンレスなどが挙げられる。上記において、融点が上記範囲のようであることにより高い耐久性、蒸着レートの安定性、膜厚の高い均一性の効果を奏することができる。
【００３９】
もしくは、本発明の蒸着装置１においては、蓋３とルツボ２の材質は、熱伝導率が１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上４００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下、好ましくは５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上３５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下、さらに好ましくは８０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上３００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下のセラミックスでも可能であり好ましい。このようなセラミックスとしては、例えば、窒化アルミ、炭化珪素、アルミナ、窒化ボロン、カーボンなどが挙げられる。
【００４０】
上記において、熱伝導率が上記範囲のようであることによりルツボ２が均一に加熱され、蒸着レートの安定性、膜厚・賦活剤の高い面内均一性の効果を奏することができる。
【００４１】
蓋３とルツボ２を固定するのに用いられる金属ワイヤーは、融点が９００℃以上３６００℃以下、好ましくは１４００℃以上３５００℃以下、さらに好ましくは２０００℃以上３１００℃以下の金属が好ましく、例えば、金、銀、コバルト、タングステン、ジルコニウム、タンタル、チタン、鉄、銅、ニオブ、ニッケル、ネオジウム、白金、モリブデン、マンガン、ステンレスなどが挙げられ、径は０．２〜１．０ｍｍが好ましい。上記において、融点が上記範囲のようであることにより蒸着中にワイヤーが緩んだり切れたりしないので、蒸着レート安定性の効果を奏することができる。
（蛍光体の成膜方法）
ルツボ２は真空装置９内のクヌーセンセル（間接加熱蒸発源、以下Ｋセルと表記する）にセットされ、被蒸着対象の基板５をセット後、真空排気される。
【００４２】
蒸着装置１はルツボ２に直接電流を流し抵抗加熱する方法やルツボを周りのヒーターで間接的に加熱する方法、高周波誘導加熱でルツボ、蒸発材料を加熱する方法などにより加熱されることができる。
【００４３】
基板５は平坦な金属の基板５が用いられ、例えばアルミニウム、マグネシウム合金などを用いることができるが、樹脂、セラミックでもよい。また基板５上に反射層や保護層を設けてもよい。
【００４４】
真空装置９内は、好ましくは１．０×１０−３Ｐａ程度まで真空に排気した後、Ａｒガス、酸素ガス、窒素ガス等のガスを導入し、５．０×１０−２Ｐａ程度のガス圧に真空度を調節する等して適宜に調整される。基板５を回転して基板５を好ましくは６０〜２５０℃に加熱したあと、ルツボ２を加熱する。初期溶融中はルツボ２の上にシャッターをして所定の温度（好ましくは７００〜９００℃）になったところでシャッターを開け、基板５に蛍光体材料（例えば、ＣｓＢｒ：Ｅｕ、ＣｓＩ：Ｔｌ等）を蒸着する。膜厚が所望所定の厚さ（１００〜１０００μｍ、（好ましくは５００μｍ等））となったところで蒸着を終了し、冷却後、基板５に蛍光体を成膜した基板５を取り出す。さらに、必要に応じて、輝尽性蛍光体層の支持体とは反対の側の面に、物理的にあるいは化学的に前記蛍光体層を保護するための保護層を設けてもよい。保護層は、保護層用の塗布液を蛍光体層の表面に直接塗布して形成もよいし、また、予め別途形成した保護層を蛍光体層に接着してもよい。
【００４５】
当該保護膜は種々の材料を用いて形成することができる。例えば、ＣＶＤ法によりポリパラキシリレン膜を形成する。即ち、蛍光体を成膜した基板５の表面全体にポリパラキシリレン膜を形成し、保護膜とすることができる。
【００４６】
また、別の態様の保護膜として、高分子保護フィルムを設けることもできる。
【００４７】
上記の高分子保護フィルムの厚さは、空隙部の形成性、蛍光体層の保護性、鮮鋭性、防湿性、作業性等を考慮し、１２μｍ以上、１００μｍ以下が好ましく、更には２０μｍ以上、６０μｍ以下が好ましい。また、ヘイズ率が鮮鋭性、放射線画像ムラ、製造安定性、作業性等を考慮し、３％以上、４０％以下が好ましく、更には３％以上、１０％以下が好ましい。ヘイズ率は日本電色工業株式会社ＮＤＨ ５０００Ｗにより測定した値を示す。
【００４８】
必要とするヘイズ率は市販されている高分子フィルムから適宜選択し、容易に入手することが可能である。以上により基板５に蛍光体を成膜した本発明の放射線画像変換パネルが得られる。
【００４９】
本発明の蒸着装置１を用いて好適に成膜し製造される放射線画像変換パネルの蛍光体としては、ＣｓＢｒ：Ｅｕ、ＣｓＩ：Ｔｌ等、が挙げられるが、中でも、下記一般式（１）で表されるハロゲン化アルカリを母体とする放射線画像変換パネルの蛍光体が好ましい。
一般式（１）
Ｍ１Ｘ・ａＭ２Ｘ′２・ｂＭ３Ｘ″３：ｅＡ
［式中、Ｍ１はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓから選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属を表し、Ｍ２はＭ１以外のＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属を表し、Ｍ３はＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、及びＬｕから選ばれる少なくとも一種の三価金属を表し、Ｘ、Ｘ′及びＸ″はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、及びＩから選ばれる少なくとも一種のハロゲンを表し、Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、及びＴｌから選ばれる少なくとも一種の希土類元素を表し、ａ、ｂ、ｅはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｅ≦０．２の範囲の数値を表す。］
【実施例】
【００５０】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されない。
【００５１】
本発明の蒸着装置１は図１に示した蒸着装置を使用する。比較の蒸着装置は、図３及び図４に示した蒸着装置を使用する。
《本発明の放射線画像変換パネルＰ１の作製》
図１に示す本発明の蒸着装置１を使用して、蒸着装置１の窒化アルミ製のルツボ２に、ＣｓＢｒ：Ｅｕを４００ｇ充填し、側面に穿孔３４を有する窒化アルミ製の蓋（取り外し可能であり穿孔３４を有する蓋）を金属ワイヤー１５（金属：タンタル、融点：３０１７℃）でルツボ２に固定した。
【００５２】
ルツボ２を真空装置９内のＫセルにセットし、５００ｍｍ□の基板（種類：ポリイミド樹脂シート）をセット後、真空引きする。
【００５３】
蒸着装置１はＫセルを使用する。
【００５４】
真空装置内を１．０×１０−３Ｐａまで真空に排気した後、Ａｒを導入し、５．０×１０−２Ｐａに真空度を調節する。基板５を回転して基板５を１００℃に加熱した後、ルツボ２を加熱する。初期溶融中はルツボ２の上にシャッターをして所定の温度（８００℃）になったところでシャッターを開け、基板５にＣｓＢｒ：Ｅｕを蒸着する。膜厚が１５０μｍとなったところで蒸着を終了し、基板５に蛍光体を成膜した基板５を冷却後取り出して、基板５に蛍光体を成膜した本発明の放射線画像変換パネルＰ１を作製した。
《本発明の放射線画像変換パネルＰ４の作製》
蛍光体材料ＣｓＩ：Ｔｌを使用した他は上記「《本発明の放射線画像変換パネルＰ１の作製》」の場合と同様にして、基板５に蛍光体を成膜した本発明の放射線画像変換パネルＰ４をそれぞれ作製した。
《比較の放射線画像変換パネルＰ２、Ｐ３の作製》
図１に示す本発明の蒸着装置１をそれぞれ使用する代わりに、図３に示す比較の蒸着装置２０（上面に穿孔１４を有する蓋１６を使用）、図４に示す比較の蒸着装置３０（仕切板１１を２枚重ねるルツボ２を使用）、をそれぞれ使用した他は、上記《本発明の放射線画像変換パネルＰ１の作製》の場合と同様にして、基板５に蛍光体を成膜した本発明の放射線画像変換パネルＰ２、Ｐ３をそれぞれ作製した。
《比較の放射線画像変換パネルＰ５、Ｐ６の作製》
蛍光体材料ＣｓＩ：Ｔｌを使用した他は上記「《本発明の放射線画像変換パネルＰ２、Ｐ３の作製》」の場合と同様にして、基板５に蛍光体を成膜した本発明の放射線画像変換パネルＰ５、Ｐ６をそれぞれ作製した。
《評価方法》
作製した放射線画像変換パネルの表面を顕微鏡（倍率：１００倍）で観察し、５００ｍｍ□内にある５０μｍ以上の突起物の数を調べた。結果を表１に示す。
【００５５】
【表１】
【００５６】
比較例Ｐ２、Ｐ５の正面に穿孔１４を有す蓋を付したルツボ２で作製した膜は５０μｍ以上の突起がそれぞれ１０個、８個あり。比較例Ｐ３、Ｐ６の蓋なしのルツボ２で作製した膜は５０μｍ以上の突起がそれぞれ９７個、５２個あったのに対して、側面に穿孔３４を有する蓋Ａ、Ｂを使用した場合０個であった。
【００５７】
表１から、本発明の場合には、気相蒸着法で薄膜を作製するときに突沸による膜欠陥がない薄膜を成膜することができることがわかる。
【００５８】
以上のように、蒸着装置のルツボ２の蓋３に、ルツボ２の内部方向に凸部を有し凸部の側壁面８にルツボ２内部へ連通する穿孔３４を備えルツボ２に取り外し可能な蓋３を採用し、穿孔３４を通して蒸着面のいかなる場所からもルツボ２内部の原材料を直接見ることができない位置に穿孔３４を配置することで、突沸粒子が付着することによる膜欠陥がない薄膜を成膜することができる。従って、放射線画像変換パネルの蛍光体を蒸着法で成膜するときに、突沸や再蒸発による膜欠陥がない薄膜を作製することを可能とする蒸着装置、及び、該成膜方法を用いた放射線画像変換パネルの蛍光体の成膜方法を提供することができる。
【符号の説明】
【００５９】
１、２０、３０ 蒸着装置
２ ルツボ
３、１６ 蓋
５ 基板
８ 側壁面
９ 真空装置
１０ 基板ホルダー
１４、３４ 穿孔
１５ 金属ワイヤー
３１ フランジ部
３２ 側壁面
３３ 底面
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ルツボと、
前記ルツボの内部方向に凸部を有し、前記凸部の側壁面に前記ルツボ内部へ連通する穿孔を備え、前記ルツボに取り外し可能な蓋と、
前記ルツボを加熱する加熱手段と、
を有し、
前記加熱手段による加熱により蒸発された前記ルツボ内部の原材料を、前記穿孔を通して蒸着面に成膜する基板を所定の位置に搭載可能な蒸着装置であって、
前記蒸着面のいかなる場所からも前記ルツボ内部の前記原材料を直接見ることができない位置に前記穿孔を配置することを特徴とする蒸着装置。
【請求項２】
前記凸部は前記ルツボの内部方向に広がり形状を有していることを特徴とする請求項１記載の蒸着装置。
【請求項３】
蓋３の材質と前記ルツボの材質の熱膨張率の差は一方の熱膨張率を基準として５０％以内であることを特徴とする請求項１または２記載の蒸着装置。
【請求項４】
前記蓋と、前記ルツボの材質が、融点が９００℃以上３６００℃以下の金属、もしくは熱伝導率が１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上４００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下のセラミックスであることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の蒸着装置。
【請求項５】
下記一般式（１）で表されるハロゲン化アルカリを母体とする放射線画像変換パネルの蛍光体を成膜するのに用いられることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の蒸着装置。
一般式（１）
Ｍ１Ｘ・ａＭ２Ｘ′２・ｂＭ３Ｘ″３：ｅＡ
［式中、Ｍ１はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓから選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属を表し、Ｍ２はＭ１以外のＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属を表し、Ｍ３はＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、及びＬｕから選ばれる少なくとも一種の三価金属を表し、Ｘ、Ｘ′及びＸ″はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、及びＩから選ばれる少なくとも一種のハロゲンを表し、Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、及びＴｌから選ばれる少なくとも一種の希土類元素を表し、ａ、ｂ、ｅはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｅ≦０．２の範囲の数値を表す。］
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載の蒸着装置を用いて製造することを特徴とする放射線画像変換パネルの蛍光体の成膜方法。
【請求項１】
ルツボと、
前記ルツボの内部方向に凸部を有し、前記凸部の側壁面に前記ルツボ内部へ連通する穿孔を備え、前記ルツボに取り外し可能な蓋と、
前記ルツボを加熱する加熱手段と、
を有し、
前記加熱手段による加熱により蒸発された前記ルツボ内部の原材料を、前記穿孔を通して蒸着面に成膜する基板を所定の位置に搭載可能な蒸着装置であって、
前記蒸着面のいかなる場所からも前記ルツボ内部の前記原材料を直接見ることができない位置に前記穿孔を配置することを特徴とする蒸着装置。
【請求項２】
前記凸部は前記ルツボの内部方向に広がり形状を有していることを特徴とする請求項１記載の蒸着装置。
【請求項３】
蓋３の材質と前記ルツボの材質の熱膨張率の差は一方の熱膨張率を基準として５０％以内であることを特徴とする請求項１または２記載の蒸着装置。
【請求項４】
前記蓋と、前記ルツボの材質が、融点が９００℃以上３６００℃以下の金属、もしくは熱伝導率が１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上４００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下のセラミックスであることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の蒸着装置。
【請求項５】
下記一般式（１）で表されるハロゲン化アルカリを母体とする放射線画像変換パネルの蛍光体を成膜するのに用いられることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の蒸着装置。
一般式（１）
Ｍ１Ｘ・ａＭ２Ｘ′２・ｂＭ３Ｘ″３：ｅＡ
［式中、Ｍ１はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓから選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属を表し、Ｍ２はＭ１以外のＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属を表し、Ｍ３はＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、及びＬｕから選ばれる少なくとも一種の三価金属を表し、Ｘ、Ｘ′及びＸ″はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、及びＩから選ばれる少なくとも一種のハロゲンを表し、Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、及びＴｌから選ばれる少なくとも一種の希土類元素を表し、ａ、ｂ、ｅはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｅ≦０．２の範囲の数値を表す。］
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載の蒸着装置を用いて製造することを特徴とする放射線画像変換パネルの蛍光体の成膜方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２０１１−２１２２３（Ｐ２０１１−２１２２３Ａ）
【公開日】平成２３年２月３日（２０１１．２．３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１６６４５４（Ｐ２００９−１６６４５４）
【出願日】平成２１年７月１５日（２００９．７．１５）
【出願人】（３０３０００４２０）コニカミノルタエムジー株式会社 (2,950)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年２月３日（２０１１．２．３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年７月１５日（２００９．７．１５）
【出願人】（３０３０００４２０）コニカミノルタエムジー株式会社 (2,950)
【Ｆターム（参考）】
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