表示装置および表示装置の製造方法
【課題】複数の発光色に対応する各有機ＥＬ素子を夫々独立した材料および膜厚で構成する場合でも、リーク電流を抑制できる表示装置および表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】有機層１３は、正孔注入層１３ａ、正孔輸送層１３ｂ、発光層１３ｃおよび電子輸送層１３ｄから構成される。正孔輸送層１３ｂの端面を、この端面に沿って発光層１３ｃを形成することによって覆い、正孔輸送層１３ｂの端面が、第２電極１５に接触しないようにする。
【解決手段】有機層１３は、正孔注入層１３ａ、正孔輸送層１３ｂ、発光層１３ｃおよび電子輸送層１３ｄから構成される。正孔輸送層１３ｂの端面を、この端面に沿って発光層１３ｃを形成することによって覆い、正孔輸送層１３ｂの端面が、第２電極１５に接触しないようにする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、表示装置および表示装置の製造方法に関する。さらに詳しくは、有機ＥＬ素子を用いた自発光型の表示装置および表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶ディスプレイに代わる表示装置として、有機ＥＬ（Electro Luminescence））素子を用いた有機ＥＬディスプレイが注目されている。有機ＥＬディスプレイは、有機材料に電流を流すことで材料自らが発光する自発光型ディスプレイで、バックライトが不要であることに加え、優れた色再現性や高コントラスト、動画に適した応答性、広視野角などの優れた特徴を有している。
【０００３】
フルカラーのディスプレイでは、一般的に例えばＲサブ画素、Ｇサブ画素、Ｂサブ画素で１つの画素を構成する。有機ＥＬディスプレイでフルカラー化を実現する方式としては、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）およびＢ（青）の各色を発光する有機ＥＬ素子を独立に形成するＲＧＢ塗り分け方式が一般的である。
【０００４】
ＲＧＢ塗り分け方式の有機ＥＬディスプレイでは、図２２に示すように、基板１１１上に第１電極１１２、有機層１１３および第２電極１１５が積層されて有機ＥＬ素子１２１を構成する。有機ＥＬ素子１２１Ｒは赤色を発光しＲサブ画素を構成する。有機ＥＬ素子１２１Ｇは、緑色を発光しＧサブ画素を構成する。有機ＥＬ素子１２１Ｂは、青色を発光しＢサブ画素を構成する。図２２に示す有機ＥＬディスプレイでは、有機ＥＬ素子１２１Ｒ、１２１Ｇ、および１２１Ｂの各成膜範囲は重複せず、夫々独立されている。
【０００５】
また、ＲＧＢ塗り分け方式の有機ＥＬディスプレイでは、図２３に示す有機ＥＬディスプレイにおいて、矢印ａに示すように、有機ＥＬ素子１２１Ｒ、１２１Ｇ、１２１Ｂの各有機層１１３の成膜範囲の一部が、互いに重複されているものもある。
【０００６】
図２２および図２３に示す、ＲＧＢ塗り分け方式の有機ＥＬディスプレイでは、有機層１１３の端面が剥き出しの状態となり、有機層１１３の端面と、第２電極１１５とが接触する構造となる。
【０００７】
図２４に示すように、有機層１１３の端面と、第２電極１１５とが接触すると、有機層１１３を構成する層のうち、抵抗の低い層を介して、第１電極１１１と第２電極１１５との間にリーク電流が生じるおそれがある。すなわち、図２４の例では、正孔注入層１１３ａ、正孔輸送層１１３ｂ、発光層１１３ｃおよび電子輸送層１１３ｄのうち、抵抗の低い正孔輸送層１１３ｂを介して第１電極１１１と第２電極１１５との間に図中の矢印で流れを示すリーク電流が流れるおそれがある。
【０００８】
このリーク電流は、有機層１１３の端面という制御困難な部分の状態によって大小が変化するため、有機ＥＬディスプレイのパネル面内の発光むらを引き起こしてしまう。
【０００９】
そこで、このリーク電流を防止する技術が検討されている。例えば、特許文献１には、電子輸送層をＲＧＢで共通の層で構成し、有機ＥＬディスプレイのパネル全面に一様に成膜することよって、リーク電流を防止する技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特許第３２０６６４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、特許文献１に記載の技術では、例えばフルカラーのディスプレイで、ＲＧＢの各発光に対応する有機ＥＬ素子の電子輸送層を、同じ材料、同じ膜厚で構成する必要がある。一方、通常、有機ＥＬディスプレイでは、ＲＧＢの各発光に対応する有機ＥＬ素子の特性を最大限に発揮させるために、有機層をＲＧＢの各発光ごとに異なる材料および膜厚で構成する。
【００１２】
特許文献１に記載の技術では、リーク電流を抑制できるが、電子輸送層をＲＧＢの各発光で共通の構成にする必要があるため、ＲＧＢの各発光に対応する有機ＥＬ素子を構成する材料の選択が制限され、優れた特性の有機ＥＬ素子を構成することが困難になる。
【００１３】
したがって、この発明の目的は、複数の発光色に対応する各有機ＥＬ素子を夫々独立した材料および膜厚で構成する場合でも、リーク電流を抑制できる表示装置および表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上述した課題を解決するために、第１の発明は、第１電極と、第２電極と、第１電極および第２電極の間に設けられ、有機材料で構成される有機層とを有し、有機層は、発光層を含む複数の層から構成され、複数の層のうちの少なくとも１層からなる第１の層の端面が、第１の層の上方に位置する層のうちの少なくとも１層からなる第２の層によって、覆われた表示装置である。
【００１５】
第２の発明は、第１電極と、第２電極と、第１電極および第２電極の間に設けられ、発光層を含む、有機材料で構成される複数の層で構成される有機層とを有する表示装置の製造方法であって、有機層の形成工程は、複数の層のうちの少なくとも１層からなる第１の層を形成する第１の工程と、第１の層より上方に位置する層のうちの少なくとも１層からなる第２の層を、第１の層の端面に沿って形成する第２の工程とを有する表示装置の製造方法である。
【００１６】
第１の発明では、リーク電流の原因となる第１の層の端面を、第２の層で覆うようにする。これにより、リーク電流の原因となる第１の層の端面と、第２電極との接触を避けることができるため、リーク電流を抑制することができる。
【００１７】
第２の発明では、リーク電流の原因となる第１の層の端面に沿って、第２の層を形成する。これにより、リーク電流の原因となる第１の層の端面と、第２電極との接触を避けることができるため、リーク電流を抑制することができる。
【発明の効果】
【００１８】
この発明によれば、複数の発光色に対応する各有機ＥＬ素子を夫々独立した材料および膜厚で構成する場合でも、リーク電流を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】この発明の第１の実施の形態による表示装置の構成を示す断面図である。
【図２】この発明の第１の実施の形態による表示装置の有機層の構成を示す要部断面図である。
【図３】この発明の第２の実施の形態による表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図４】この発明の第２の実施の形態による表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図５】この発明の第２の実施の形態における有機層の製造工程を説明するための断面図である。
【図６】この発明の第２の実施の形態における有機層の製造工程を説明するための断面図である。
【図７】この発明の第３の実施の形態による表示装置の構成を示す断面図である。
【図８】この発明の第３の実施の形態による表示装置の有機層の構成を示す要部断面図である。
【図９】この発明の第４の実施の形態における有機層の製造工程を説明するための断面図である。
【図１０】この発明の第４の実施の形態における有機層の製造工程を説明するための断面図である。
【図１１】この発明の第６の実施の形態による表示装置の製造方法の成膜領域を説明するための平面図である。
【図１２】この発明の第６の実施の形態による表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１３】この発明の第７の実施の形態における有機層の製造工程を説明するための断面図である。
【図１４】この発明の第７の実施の形態における有機層の製造工程を説明するための断面図である。
【図１５】表示装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図１６】表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図１７】表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。
【図１８】表示装置の適用例２の外観を表す斜視図である。
【図１９】表示装置の適用例３の外観を表す斜視図である。
【図２０】表示装置の適用例４の外観を表す斜視図である。
【図２１】表示装置の適用例５の外観を表す略線図である。
【図２２】従来の表示装置の構成を示す断面図である。
【図２３】従来の表示装置の構成を示す断面図である。
【図２４】従来の表示装置の有機層の構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、この発明の実施の形態について図面を参照して説明する。以下に説明する実施の形態は、この発明の具体的な例であり、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、この発明の範囲は、以下の説明において、特にこの発明を限定する旨の記載がない限り、実施の形態に限定されないものとする。なお、説明は、以下の順序で行い、実施の形態の全図において、同一または対応する部分には同一の符号を付す。
１．第１の実施の形態（表示装置の第１の例）
２．第２の実施の形態（表示装置の製造方法の第１の例）
３．第３の実施の形態（表示装置の第２の例）
４．第４の実施の形態（表示装置の製造方法の第２の例）
５．第５の実施の形態（表示装置の第３の例）
６．第６の実施の形態（表示装置の製造方法の第３の例）
７．第７の実施の形態（表示装置の製造方法の第４の例）
８．表示装置の適用例
９．他の実施の形態（変形例）
【００２１】
１．第１の実施の形態
（表示装置の構成）
この発明の第１の実施の形態による表示装置について説明する。図１は、この発明の第１の実施の形態による表示装置の構成例を示す断面図である。この表示装置は、発光した光を基板１１の上面側から取り出す構成の上面発光型（いわゆるトップエミッション型）の表示装置である。この表示装置は、基板１１上に設けられた第１電極１２と、第２電極１５との間に、有機層１３が挟まれた構造の有機ＥＬ素子２１を有する。
【００２２】
[基板]
基板１１は、可視領域に吸収の無い透明基板で構成されており、例えば、シリコン基板、ガラス基板やプラスチック基板などを用いることができる。
【００２３】
[第１電極]
第１電極１２（陽極）は、発光層１３ｃに正孔を注入する電極であり、基板１１上の所定の位置で電圧−電流が印加できるように、マトリックス状にパターニングされている。第１電極１２の材料としては、銀合金、アルミニウム−ネオジウム合金などを用いることができる。
【００２４】
[絶縁層]
絶縁層１８は、第１電極１２と第２電極１５との絶縁性を確保するために設けられる。
絶縁層１８の材料としては、例えばポリイミドなどの感光性樹脂を用いる。絶縁層１８は、第１電極１２上に感光性樹脂を塗布してフォトリソグラフィによりパターニングすることによって、第１電極１２が露出する部分を有するように形成される。この第１電極１２の露出部分に、発光層１３ｃを含む有機層１３、および第２電極１５が積層される。この第１電極１２の露出部分の上方は、Ｒ、Ｇ、Ｂの各発光に対応する各有機層１３が形成されて発光する発光領域とされる。
【００２５】
[有機層]
有機層１３は、正孔注入層１３ａ、正孔輸送層１３ｂ、発光層１３ｃおよび電子輸送層１３ｄから構成される。正孔注入層１３ａ、正孔輸送層１３ｂ、発光層１３ｃおよび電子輸送層１３ｄは、基板１１側からこの順で積層されている。
【００２６】
正孔注入層１３ａは、第１電極１２から正孔をスムーズに受け入れるために設けられた層である。正孔輸送層１３ｂは、正孔を発光層１３ｃにスムーズに移動させるために設けられた層である。電子輸送層１３ｄは、第２電極１５から電子を受け取って発光層１３ｃまで輸送する層である。
【００２７】
発光層１３ｃは、正孔と電子とが再結合することにより発光する層である。有機ＥＬ素子２１ＲではＲを発光する。有機ＥＬ素子２１ＧではＧを発光する。有機ＥＬ素子２１ＢではＢを発光する。有機ＥＬ素子２１では、第１電極１２と第２電極１５との間に、必要な電圧−電流を加えると、第１電極１２から正孔が第２電極１５から電子が発光層１３ｃに注入され、発光層１３ｃで正孔と電子とが再結合することにより発光する。
【００２８】
有機層２１を構成する正孔注入層１３ａ、正孔輸送層１３ｂ、発光層１３ｃおよび電子輸送層１３ｄには、それぞれの機能に適した材料を用いることができる。有機層２１を構成する各層の材料および厚さは、Ｒ、Ｇ、Ｂの各発光に対応して適宜選択される。発光効率、駆動電圧、発光寿命などの特性を最大限に発揮するために、有機層２１を構成する各層は、Ｒ、Ｇ、Ｂの各発光に応じて、好適な材料および厚さで構成される。
【００２９】
正孔注入層１３ａを構成する材料としては、ヘキサアザトリフェニレン誘導体、芳香族アミン誘導体などを用いることができる。正孔注入層１３ａの厚さは、例えば３ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲内で選択される。
【００３０】
正孔輸送層１３ｂを構成する材料としては、Ｎ，Ｎ'−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−［１，１'−ビフェニル］−４，４'−ジアミン（ＴＰＤ）、４，４'，４''−トリス［３−メチルフェニル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、４，４'，４''−トリス［１−ナフチル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン（１−ＴＮＡＴＡ）、４，４'，４''−トリス［２−ナフチル（フェニル）アミノ］トリスフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）、４，４'，４''−トリス［ビフェニル−４−イル−（３−メチルフェニル）アミノ］トリフェニルアミン（ｐ−ＰＭＴＤＡＴＡ）、４，４'，４''−トリス［９，９−ジメチル−２−フルオレニル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン（ＴＦＡＴＡ）、４，４'，４''−トリ（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）フェニルアミノ］ベンゼン（ｐ−ＤＰＡ−ＴＤＡＢ）、１，３，５−トリス｛４−［メチルフェニル（フェニル）アミノ］フェニル｝ベンゼン（ＭＴＤＡＰＢ）、Ｎ，Ｎ''−ジ（ビフェニル−４−イル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−［１，１'−ビフェニル］−４，４'−ジアミン（ｐ−ＢＰＤ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラキス（９，９−ジメチル−２−フルオレニル）−［１，１'−ビフェニル］−４，４'−ジアミン（ＦＦＤ）などを用いることができる。正孔輸送層１３ｂの厚さは、例えば５ｎｍ以上３００ｎｍ以下の範囲内で選択される。
【００３１】
発光層１３ｃを構成する材料としては、例えば、低分子蛍光色素、高分子、金属錯体などを用いることができる。発光層１３ｃを構成する材料は、発光色に応じて適宜選択して用いる。発光層１３ｃの厚さは、例えば５ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲内で選択される。
【００３２】
発光層１３ｃは、例えば、ホスト材料に、ドーパントとなる材料を微量添加して構成してもよい。ホスト材料としては、例えば、フェニレン核、ナフタレン核、アントラセン核、ピレン核、ナフタセン核、クリセン核、ペリレン核を有する芳香族炭化水素化合物などを用いることができる。この芳香族炭化水素化合物としては、具体的には、例えば、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）、ルブレンなどが挙げられる。
【００３３】
ドーパントとなる材料としては、例えば、ナフタレン誘導体、アミン化合物、ピレン誘導体、アントラセン誘導体、ナフタセン誘導体、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ピラン系色素などの有機化合物を用いることができる。
【００３４】
電子輸送層１３ｄを構成する材料としては、例えば、キノリン、ペリレン、ビススチリル、ピラジン、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、フルオレノン、またはこれらの誘導体などを用いることができる。具体的には、例えば、Ａｌｑ３（８−ヒドロキシノリンアルミニウム）などを用いることができる。電子輸送層１３ｄの厚さは、例えば５ｎｍ以上３００ｎｍ以下の範囲内で選択される。
【００３５】
[第２電極]
第２電極（陰極）１５は、発光層１３ｃに電子を注入する電極である。第２電極１５の材料としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ナトリウム（Ｎａ）、ＭｇＡｇ合金などを用いることができる。なお、第２電極１５は、上記の材料で構成される層およびＬｉＦなどのアルカリ金属のハロゲン化物で構成される層の２層で構成してもよい。
【００３６】
表示装置の１画素は、Ｒサブ画素、Ｇサブ画素およびＢサブ画素の３つのサブ画素で構成され、有機ＥＬ素子２１は１つのサブ画素を構成する。有機ＥＬ素子２１ＲはＲサブ画素を構成し、有機ＥＬ素子２１ＧはＧサブ画素を構成し、有機ＥＬ素子２１ＢはＢサブ画素を構成する。なお、本明細書において、有機ＥＬ素子２１Ｒ、有機ＥＬ素子２１Ｇおよび有機ＥＬ素子２１Ｂを区別しない場合は、有機ＥＬ素子２１と表記する。
【００３７】
有機ＥＬ素子２１Ｒ、有機ＥＬ素子２１Ｇおよび有機ＥＬ素子２１Ｂは、マトリックス状に配置されている。また、有機ＥＬ素子２１Ｒ、有機ＥＬ素子２１Ｇおよび有機ＥＬ素子２１Ｂは並置されている。
【００３８】
各有機ＥＬ素子２１は、基板１１上に形成されたＴＦＴ（薄膜トランジスタ；Thin Film Transister）（図示省略）に接続され、独立して発光が制御される。このＴＦＴは、例えば、プラズマＣＶＤによる製膜とフォトリソグラフィによるパターン形成とを繰り返すことにより形成される。
【００３９】
有機ＥＬ素子２１では、図２に示すように、正孔輸送層１３ｂの端面を、この端面に沿って形成された発光層１３ｃによって覆う構造とする。これにより、正孔輸送層１３ｂの端面が、第２電極１５に接触しないようにしている。
【００４０】
すなわち、発光層１３ｃは正孔輸送層１３ｂより高い抵抗を有し、この発光層１３ｃによって、正孔輸送層１３ｂの端面を覆う構造とする。これにより、正孔輸送層１３ｂの端面は、発光層１３ｃから露出しないようにされる。この構造では、正孔輸送層１３ｂの端面と第２電極１５との間には、発光層１３ｃが介在するので、正孔輸送層１３ｂの端面と第２電極１５とが接触することはない。
【００４１】
この構造とすることで、正孔輸送層１３ｂと第２電極１５との間の電流の流れを、発光層１３ｃによって遮断することができる。すなわち、図中の矢印に示すような第１電極１２からの電流の流れを、発光層１３ｃによって遮断することができる。これにより、正孔輸送層１３ｂの端面を介して第２電極１５にリークする電流を抑制することができる。
【００４２】
このように、第１の実施の形態では、正孔輸送層１３ｂの端面を介して第２電極１５にリークする電流を抑制対象とする。すなわち、有機層１３を構成する各層のうち正孔輸送層１３ｂの抵抗が低いため、正孔輸送層１３ｂの端面と第２電極１５とが接触すると、正孔輸送層１３ｂの端面からリーク電流が生じてしまう。そこで、第１の実施の形態では、リーク電流の原因となる正孔輸送層１３ｂの端面と、第２電極１５との間に、正孔輸送層１３ｂより抵抗の高い発光層１３ｃを介在させて、これにより、正孔輸送層１３ｂの端面を介して第２電極１５にリークする電流を抑制する。
【００４３】
[保護膜]
保護膜１７は、透明誘電体からなるパッシベーション膜である。保護膜１７の材料としては、酸化シリコン（ＳｉＯ2）、窒化シリコン（ＳｉＮ）などを用いることができる。パッシベーション膜の膜厚は、例えば５００ｎｍ〜１００００ｎｍである。
【００４４】
[封止基板]
封止基板１９は、保護膜１７上に形成された接着層（図示省略）に対して接着され、有機ＥＬ素子２１を封止する。封止基板１９は、例えばガラスなどの透明な材料で構成される。
【００４５】
＜効果＞
この発明の第１の実施の形態では、リーク電流の原因となる正孔輸送層１３ｂの端面を、正孔輸送層１３ｂの端面に沿って形成された発光層１３ｃで覆うようにする。これにより、正孔輸送層１３ｂと第２電極１５との接触を避けることができるため、リーク電流を抑制することができる。
【００４６】
２．第２の実施の形態
（表示装置の製造方法）
上述の表示装置の製造方法について、図３〜図６を参照しながら説明する。以下の説明では、まず、図３〜図４を参照しながら表示装置の製造方法の全体の流れについて、簡単に説明し、次に、図５〜図６を参照しながら、この発明の要部である有機層１３の形成工程について詳細に説明する。
【００４７】
[第１電極および絶縁層の形成]
まず、図３Ａに示すように、ＴＦＴ（図示省略）が形成された基板１１上に、第１電極１２を形成した後、絶縁層１８を形成する。第１電極１２は、真空蒸着により基板全面に、第１電極１２を形成した後、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、マトリックス状にパターニングする。
【００４８】
絶縁層１８は、パターン形成された第１電極１２の周縁を覆うようにパターン形成する。これにより、第１電極１２が露出する部分を形成する。この第１電極１２が露出する部分において、有機層１３等を形成することにより、発光領域を形成する。絶縁層１８は、例えば感光性樹脂をスピンコーティングで塗布した後、フォトリソグラフィにより、パターン形成する。
【００４９】
[有機層の形成]
次に、図３Ｂ〜図３Ｃおよび図４Ｄに示すように、真空蒸着法により、第１電極１２上にＲの発光領域に対応する有機層１３、Ｇの発光領域に対応する有機層１３、およびＢの発光領域に対応する有機層１３をこの順で形成する。
【００５０】
なお、以下では、Ｒの発光領域に対応する有機層１３を有機層１３（Ｒ）と適宜称する。Ｇの発光領域に対応する有機層１３を有機層１３（Ｇ）と適宜称する。Ｂの発光領域に対応する有機層１３を有機層１３（Ｂ）と適宜称する。また、有機層１３（Ｒ）、有機層１３（Ｇ）および有機層（Ｂ）の形成の順は、この順に限定されるものではない。例えば、有機層（Ｂ）、有機層１３（Ｇ）、有機層１３（Ｒ）の順で形成してもよい。有機層１３の形成については、後に図５〜図６を参照して詳細に説明する。
【００５１】
[第２電極の形成]
次に、図４Ｅに示すように、真空蒸着法により、第２電極１５を形成する。第２電極１５は有機層１３の全面および絶縁層１８の一部に第２電極１５となる材料を真空蒸着する。
【００５２】
[保護膜の形成等]
その後、図４Ｆに示すように、第２電極１５上に保護膜１７を真空蒸着し、さらに、保護膜１７上に紫外線硬化型樹脂をスピンコーティングすることにより接着層（図示省略）を形成し、封止基板１９を保護膜１７に対して接着層を介して接着する。以上により、表示装置を得ることができる。
【００５３】
[有機層の形成]
図５〜図６を参照しながら、上述の有機層１３の形成についてより詳細に説明する。以下に説明する工程により、Ｒの発光領域に対応する有機層１３（Ｒ）、Ｇの発光領域に対応する有機層１３（Ｇ）、およびＢの発光領域に対応する有機層１３（Ｂ）を上述のように順次形成する。
【００５４】
[正孔注入層の形成]
まず、図５Ａに示す基板１１に形成された第１電極１２および絶縁層１８上に、図５Ｂに示すように、正孔注入層１３ａを形成する。正孔注入層１３ａは、真空蒸着法で形成する。正孔注入層１３ａは、蒸着源（図示省略）と第１電極１２と間にマスク３１を配置した状態で、正孔注入層１３ａとなる有機材料を真空蒸着する。
【００５５】
この有機材料は、マスク３１の開口を通過して、第１電極１２の露出部分および第１電極１２の周縁部に設けられた絶縁層１８の一部に堆積する。これにより、マスク３１の開口に対応した成膜領域に、正孔注入層１３ａがパターン形成される。
【００５６】
なお、マスク３１の開口の夫々は、例えば矩形状に設定される。マスク３１の開口サイズは、後述の工程で用いる、矩形状の開口を有するマスク３２より、開口サイズが大きく設定される。例えば、マスク３１の開口の各４辺は、マスク３２の開口の各４辺より、夫々大きく設定される。例えば、各４辺同士の差は、０．５μｍ以上となるように設定される。
【００５７】
[正孔輸送層の形成]
次に、図５Ｃに示すように、正孔注入層１３ａ上に、正孔輸送層１３ｂを形成する。正孔輸送層１３ｂは、真空蒸着法で形成する。正孔輸送層１３ｂは、蒸着源（図示省略）と正孔注入層１３ａとの間にマスク３２を配置した状態で、発光層１３ｃの材料となる有機材料を真空蒸着する。この有機材料は、マスク３２の開口を通過して、正孔注入層１３ａ上に堆積する。これにより、マスク３２の開口に対応した成膜領域に、正孔輸送層１３ｂがパターン形成される。
【００５８】
[発光層の形成]
次に、図６Ｄに示すように、正孔輸送層１３ｂ上に、発光層１３ｃを形成する。発光層１３ｃは、真空蒸着法で形成する。発光層１３ｃは、蒸着源（図示省略）と正孔輸送層１３ｂとの間にマスク３１を配置した状態で、発光層１３ｃとなる有機材料を真空蒸着する。この有機材料は、マスク３１の開口を通過して、正孔輸送層１３ｂ上に堆積する。また、この有機材料は、正孔輸送層１３ｂの端面に沿って、正孔注入層１３ａ上に堆積する。これにより、マスク３１の開口に対応した成膜領域に、発光層１３ｃがパターン形成される。
【００５９】
図６Ｄに示す工程で用いるマスク３１は、上述のマスク３２より、開口サイズが大きいものである。したがって、マスク３１の開口に対応する発光層１３ｃの成膜領域は、マスク３２に対応する正孔輸送層１３ｂの成膜領域より大きくなる。これにより、発光層１３ｃの成膜領域と正孔輸送層１３ｂの成膜領域とが重複しない領域では、正孔輸送層１３ｂの端面に沿って正孔注入層１３ａ上に発光層１３ｃとなる有機材料が堆積していき正孔輸送層１３ｂの端面が、発光層１３ｃで覆われる構造を形成する。
【００６０】
[電子輸送層の形成]
次に、図６Ｅに示すように、発光層１３ｃ上に、電子輸送層１３ｄを形成する。電子輸送層１３ｄは、真空蒸着法で形成する。電子輸送層１３ｄは、蒸着源（図示省略）と発光層との間にマスク３１を配置した状態で、電子輸送層１３ｄとなる有機材料を真空蒸着する。この有機材料は、マスク３１の開口を通過して、発光層１３ｃ上に堆積する。これにより、マスク３１の開口に対応した成膜領域に、電子輸送層１３ｄがパターン形成される。
【００６１】
以上説明した有機層１３の形成工程では、正孔注入層１３ａ、正孔輸送層１３ｂ、発光層１３ｃ、電子輸送層１３ｄの順で成膜を行う。成膜の際に、上記層のうち抵抗の低いリーク電流の原因となる層（ここでは正孔輸送層１３ｂ）の上方に形成される発光層１３ｃの成膜領域を、リーク電流の原因となる層の成膜領域より広くするようにしている。なお、発光層１３ｃの抵抗は、リーク電流の原因となる層より高く設定される。
【００６２】
＜効果＞
この発明の第２の実施の形態では、有機層１３の形成において、リーク電流の原因となる抵抗の低い正孔輸送層１３ｂの上方の発光層１３ｃの成膜領域を、リーク電流の原因となる層の成膜領域より広くするようにしている。これにより、正孔輸送層１３ｂの端面に沿って発光層１３ｃを形成し、リーク電流の原因となる層の端面と、第２電極１５との接触により生じるリーク電流を抑制することができる。
【００６３】
３．第３の実施の形態
(表示装置の構成)
この発明の第３の実施の形態による表示装置について説明する。図７は、この発明の第３の実施の形態による表示装置の構成を示す断面図である。この第３の実施の形態による表示装置は、有機層１３の構成を除き、第１の実施の形態による表示装置の構成と同様である。したがって、以下では、有機層１３の構成を中心に説明し、その他の説明を省略する。
【００６４】
図７に示すように、有機層１３は、第１の実施の形態と同様、正孔注入層１３ａ、正孔輸送層１３ｂ、発光層１３ｃおよび電子輸送層１３ｄから構成される。正孔注入層１３ａ、正孔輸送層１３ｂ、発光層１３ｃおよび電子輸送層１３ｄは、基板１１側からこの順で積層されている。
【００６５】
有機ＥＬ素子２１では、図８に示すように、正孔注入層１３ａおよび正孔輸送層１３ｂの端面を、これらの端面に沿って形成された発光層１３ｃによって覆う構造とする。これにより、正孔注入層１３ａの端面および正孔輸送層１３ｂの端面が、第２電極１５に接触しないようにしている。
【００６６】
すなわち、発光層１３ｃは、正孔注入層１３ａおよび正孔輸送層１３ｂより高い抵抗を有し、この発光層１３ｃによって、正孔注入層１３ａおよび正孔輸送層１３ｂの端面を覆う構造とする。これにより、正孔注入層１３ａおよび正孔輸送層１３ｂの端面が発光層１３ｃから露出しないようにされる。この構造では、正孔注入層１３ａおよび正孔輸送層１３ｂの端面と第２電極１５との間には、発光層１３ｃが介在するので、正孔注入層１３ａおよび正孔輸送層１３ｂの端面と第２電極１５とが接触することはない。
【００６７】
この構造とすることで、正孔注入層１３ａおよび正孔輸送層１３ｂと第２電極１５との間の電流の流れを、発光層１３ｃによって遮断することができる。すなわち、図中の矢印に示すような第１電極１２からの電流の流れを、発光層１３ｃによって、遮断することができる。これにより、正孔注入層１３ａおよび正孔輸送層１３ｂの端面を介して第２電極１５にリークする電流を抑制することができる。
【００６８】
このように、第３の実施の形態では、正孔注入層１３ａおよび正孔輸送層１３ｂの端面を介して第２電極１５にリークする電流を抑制対象としている。すなわち、有機層１３を構成する各層のうち正孔注入層１３ａおよび正孔輸送層１３ｂの抵抗が低いため、正孔注入層１３ａおよび正孔輸送層１３ｂの端面の少なくとも何れかと第２電極１５と接触すると、これらの端面からリーク電流が生じてしまう。そこで、第３の実施の形態では、リーク電流の原因となる正孔注入層１３ａおよび正孔輸送層１３ｂの端面と第２電極１５との間に、こららの層より抵抗の高い発光層１３ｃを介在させる。これにより、正孔注入層１３ａおよび正孔輸送層１３ｂの端面を介して第２電極１５にリークする電流を抑制する。
【００６９】
＜効果＞
この発明の第３の実施の形態では、リーク電流の原因となる正孔注入層１３ａおよび正孔輸送層１３ｂの端面を、これらの端面に沿って形成された発光層１３ｃで覆うようにする。これにより、正孔注入層１３ａの端面および正孔輸送層１３ｂの端面と第２電極１５との接触を避けることができるので、リーク電流を抑制することができる。
【００７０】
４．第４の実施の形態
（表示装置の製造方法）
上述の表示装置の製造方法について説明する。なお、この表示装置の製造方法は、有機層１３の形成以外は第２の実施の形態と同様であるので、以下の説明では、有機層１３の形成について詳細に説明し、その他の説明は省略する。
【００７１】
[有機層の形成]
図９を参照しながら、有機層１３の形成について説明する。以下に説明する工程により、Ｒの発光領域に対応する有機層１３（Ｒ）、Ｇの発光領域に対応する有機層１３（Ｇ）、およびＢの発光領域に対応する有機層１３（Ｂ）を上述のように順次形成する。
【００７２】
[正孔注入層の形成]
まず、図９Ａに示す基板１１に形成された第１電極１２および絶縁層１８上に、図９Ｂに示すように、正孔注入層１３ａを形成する。正孔注入層１３ａは、真空蒸着法で形成する。正孔注入層１３ａは、蒸着源（図示省略）と第１電極との間にマスク３２を配置した状態で、正孔注入層１３ａとなる有機材料を真空蒸着する。
【００７３】
この有機材料は、マスク３２の開口部を通過して、第１電極１２の露出部分および第１電極１２の周縁部に設けられた絶縁層１８の一部に堆積する。これにより、マスク３２の開口に対応した成膜領域に、正孔注入層１３ａがパターン形成される。
【００７４】
なお、マスク３２は、後述の工程で用いるマスク３１より、開口サイズが小さく設定される。例えば、マスク３２および後述の工程で用いるマスク３１の開口は例えば矩形状である。例えば、マスク３２の開口の各４辺の長さは、マスク３１の開口の各４辺の長さより夫々小さく設定される。例えば、各４辺同士の差が夫々０．５μｍ以上となるように設定される。
【００７５】
[正孔輸送層の形成]
次に、図９Ｃに示すように、正孔注入層１３ａ上に、正孔輸送層１３ｂを形成する。正孔輸送層１３ｂは、真空蒸着法で形成する。正孔輸送層１３ｂは、蒸着源（図示省略）と正孔注入層１３ａとの間にマスク３２を配置した状態で、正孔輸送層１３ｂとなる有機材料を、真空蒸着する。この有機材料は、マスク３２の開口を通過して、正孔注入層１３ａ上に堆積する。これにより、マスク３２の開口に対応した成膜領域に、正孔輸送層１３ｂがパターン形成される。
【００７６】
[発光層の形成]
次に、図１０Ｄに示すように、正孔輸送層１３ｂ上に、発光層１３ｃを形成する。発光層１３ｃは、真空蒸着法で形成する。発光層１３ｃは、蒸着源（図示省略）と正孔輸送層１３ｂとの間にマスク３１を配置した状態で、発光層１３ｃの材料となる有機材料を、真空蒸着する。この有機材料は、マスク３１の開口を通過して、正孔輸送層１３ｂの上面に堆積する。また、この有機材料は、正孔注入層１３ａの端面および正孔輸送層１３ｂの端面に沿って、絶縁層１８の一部に発光層１３ｃとなる材料が堆積する。これにより、マスク３１の開口に対応した成膜領域に、発光層１３ｃがパターン形成される。
【００７７】
図１０Ｄに示す工程で用いるマスク３１は、上述のマスク３２より、開口サイズが大きいものである。したがって、マスク３１の開口に対応する発光層１３ｃの成膜領域は、マスク３２に対応する、正孔注入層１３ａおよび正孔輸送層１３ｂの成膜領域より大きくなる。これにより、発光層１３ｃの成膜領域と、正孔注入層１３ａおよび正孔輸送層１３ｂの成膜領域とが重複しない領域では、以下のように発光層１３ｃとなる有機材料が堆積していく。すなわち、正孔注入層１３ａの端面および正孔輸送層１３ｂの端面に沿って絶縁層１８の一部に発光層１３ｃとなる有機材料が堆積していき、正孔注入層１３ａの端面および正孔輸送層１３ｂの端面が、発光層１３ｃで覆われる構造を形成する。
【００７８】
[電子輸送層の形成]
次に、図１０Ｅに示すように、発光層１３ｃ上に、電子輸送層１３ｄを形成する。電子輸送層１３ｄは、真空蒸着法で形成する。電子輸送層１３ｄは、蒸着源（図示省略）と発光層１３ｃとの間にマスク３１を配置した状態で、電子輸送層１３ｄとなる有機材料を、真空蒸着する。この有機材料は、マスク３１の開口部を通過して、発光層１３ｃ上に堆積する。これにより、マスク３１の開口部に対応した成膜領域に、電子輸送層１３ｄがパターン形成される。
【００７９】
以上説明した有機層１３の形成工程では、正孔注入層１３ａ、正孔輸送層１３ｂ、発光層１３ｃ、電子輸送層１３ｄの順で成膜を行う。成膜の際に、リーク電流の原因となる層（ここでは正孔注入層１３ａおよび正孔輸送層１３ｂ）の上方の発光層１３ｃの成膜領域を、リーク電流の原因となる層の成膜領域より広くするようにしている。なお、発光層１３ｃは、正孔注入層１３ａおよび正孔輸送層１３ｂより高い抵抗を有する。
【００８０】
＜効果＞
この発明の第４の実施の形態では、有機層の形成において、リーク電流の原因となる抵抗の低い正孔輸送層１３ａおよび正孔注入層１３ｂの上方の発光層１３ｃの成膜領域を、正孔輸送層１３ａおよび正孔注入層１３ｂの成膜領域より広くするようにしている。これにより、正孔注入層１３ａの端面および正孔輸送層１３ｂの端面を、この端面に沿って形成された発光層１３ｃで覆う構造を形成する。よって、リーク電流の原因となる層の端面と、第２電極１５との接触により生じるリーク電流を抑制することができる。
【００８１】
５．第５の実施の形態
（表示装置の構成）
この発明の第５の実施の形態による表示装置の構成について説明する。この発明の第５の実施の形態による表示装置の構成は、図１に示す表示装置において、正孔輸送層１３ｂの材料および厚さが、有機ＥＬ素子２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂで共通とされている。その他については、第１の実施の形態と同様である。
【００８２】
＜効果＞
この発明の第５の実施の形態では、この発明の第１の実施の形態と同様の効果を有する。
【００８３】
６．第６の実施の形態
（表示装置の製造方法）
上述の表示装置の製造方法について説明する。この表示装置の製造方法では、材料および厚さが共通する、有機層１３（Ｒ）、有機層１３（Ｇ）および有機層１３（Ｂ）の正孔輸送層１３ｂを一括で形成する。正孔輸送層１３ｂは、共通するその構成材料を同じ膜厚で一括成膜することによって形成する。その後、各有機層１３ごとに正孔輸送層１３ｂ以外の層を順次その構成材料を成膜することによって形成する。
【００８４】
このときの成膜領域について、図１１を参照して説明する。図１１に示すように、線Ｑ１囲まれる矩形状の成膜領域（以下、狭い成膜領域Ｑ１と称する）、および線Ｑ２で囲まれる矩形状の成膜領域（以下、広い成膜領域Ｑ２と称する）のいずれかの成膜領域が、有機層１３の各層となる材料の成膜領域に設定される。
【００８５】
狭い成膜領域Ｑ１は、リーク原因となる抵抗の低い正孔輸送層１３ｂを構成する材料の成膜領域に設定される。広い成膜領域Ｑ２は、その他の有機層１３を構成する材料の成膜領域に設定される。以下、図１１〜図１３を参照しながら、この発明の第６の実施の形態による表示装置の製造方法について説明する。
【００８６】
[第１電極および絶縁層１８の形成]
まず、図１２Ａに示すように、ＴＦＴ（図示省略）が形成された基板１１上に、第１電極１２を形成した後、絶縁層１８を形成する。第１電極１２は、真空蒸着により基板全面に、第１電極１２となる材料を形成した後、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、マトリックス状にパターニングする。
【００８７】
絶縁層１８は、パターニングされた第１電極１２の周縁を覆うようにパターン形成する。これにより、第１電極１２が露出する部分を形成する。絶縁層１８は、感光性樹脂を、例えばスピンコーティングで塗布した後、フォトリソグラフィにより、パターン形成する。
【００８８】
[正孔注入層の形成]
その後、Ｒ、Ｇ、Ｂの各発光領域に対応する各有機層１３の正孔注入層１３ａを、真空蒸着法により、順次パターン形成する。このときの成膜領域は、図１１に示す広い成膜領域Ｑ２である。なお、図示は省略しているが、広い成膜領域Ｑ２に対応した開口サイズのマスクを用いる。
【００８９】
[正孔輸送層の形成]
次に、図１２Ｂに示すように、真空蒸着法により、Ｒ、Ｇ、Ｂの各発光領域に対応する正孔輸送層１３ｂを、同じ膜厚で同時に一括で形成する。成膜領域は、図１１に示す狭い成膜領域Ｑ１とされる。このとき、狭い成膜領域Ｑ１に対応した開口サイズのマスク５３を用いる。
【００９０】
[発光層および電子輸送層の形成]
次に、図１２Ｃに示すように、Ｒの発光領域に対応する発光層１３ｃ、電子輸送層１３ｄを順次パターン形成する。このときの成膜領域は、広い成膜領域Ｑ２とされる。このとき用いるマスク５５の開口サイズは、広い成膜領域Ｑ２に対応している。
【００９１】
次に、図１３Ｄに示すように、Ｇの発光領域に対応する発光層１３ｃ、電子輸送層１３ｄを順次パターン形成する。このときの成膜領域は、図１１に示す広い成膜領域Ｑ２とされる。このとき用いるマスク５５の開口は、広い成膜領域Ｑ２に対応している。
【００９２】
次に、図１３Ｅに示すように、Ｂの発光領域に対応する発光層１３ｃ、電子輸送層１３ｄを順次パターン形成する。このときの成膜領域は、図１１に示す広い成膜領域Ｑ２とされる。このとき用いるマスク５５の開口サイズは、広い成膜領域Ｑ２に対応している。
【００９３】
[第２電極等の形成]
次に、図１３Ｆに示すように、第２電極１５および保護膜１７を形成する。第２電極１５は、真空蒸着法により形成する。第２電極１５は電子輸送層１３ｄの全面および絶縁層１８の一部に真空蒸着する。その後、第２電極１５上に、保護膜１７を真空蒸着し、さらに、保護膜１７上に紫外線硬化型樹脂をスピンコーティングし接着層（図示省略）を形成した後、封止基板１９を保護膜１７に対して接着層を介して接着する。以上により、表示装置を得ることができる。
【００９４】
＜効果＞
この発明の第６の実施の形態による表示装置の製造方法は、第２の実施の形態と同様の効果を有する。
【００９５】
７．第７の実施の形態
（表示装置の製造方法）
この発明の第７の実施の形態による表示装置の製造方法について説明する。この発明の要部である有機層１３の形成が、第２の実施の形態と異なり、その他は、第２の実施の形態と同様である。したがって、以下では、有機層１３の形成について説明し、その他の説明は省略する。
【００９６】
[有機層の形成]
図１４および図１５を参照しながら、有機層１３の形成について説明する。以下に説明する工程により、Ｒの発光領域に対応する有機層１３（Ｒ）、Ｇの発光領域に対応する有機層１３（Ｇ）およびＢの発光領域に対応する有機層１３（Ｂ）を形成する。
【００９７】
[正孔注入層１３ａの形成]
まず、図１４Ａに示す基板１１に形成された第１電極１２および絶縁層１８上に、正孔注入層１３ａを形成する。正孔注入層１３ａは、転写法で形成する。すなわち、まず、図１４Ｂに示すように、転写基板３０を、第１電極１２と正孔注入層１３ａとなる有機材料で構成する転写層３３ａとが互いに対向するように配置した状態とする。
【００９８】
転写基板３０は、基板３１上に、ＳｉＮx、ＳｉＯ2などから構成される酸化保護層３５、Ｃｒ、Ｍｏなどから構成される光熱変換層３４、および熱転写する有機材料から構成される転写層３３がこの順で積層された構造を有する。転写層３３は、光熱変換層３４上において、正孔注入層１３ａを形成する領域に対応した所定領域Ｐ１（図中点線で囲まれた領域）にパターン形成されている。転写層３３は後述する工程によって、熱転写される。
【００９９】
次に、基板３１側から、レーザ光Ｌを照射する。光熱変換層３４にレーザ光Ｌの照射エネルギーを吸収させ、その熱を利用して、正孔注入層１３ａとなる材料で構成された転写層３３を、第１電極１２上に熱転写する。レーザ光は、例えば波長８００ｎｍ程度のレーザ光を用いる。これにより、第１電極１２の露出部分および絶縁層１８上において、所定領域Ｐ１に対応した領域に、正孔注入層１３ａがパターン形成される。
【０１００】
なお、正孔注入層１３ａとなる材料で構成された転写層３３が形成される所定領域Ｐ１は、例えば矩形状の領域である。この所定領域Ｐ１は、後述の工程において、正孔輸送層１３ｂとなる材料で構成された転写層３３が形成される所定領域Ｐ２より、広い領域が設定される。例えば、矩形状の所定領域Ｐ１の各４辺は、矩形状の所定領域Ｐ２の各４辺より、それぞれ大きく設定される。例えば、各４辺同士の差は、それぞれ例えば０．５μｍ以上となるように設定されることが好ましい。
【０１０１】
[正孔輸送層１３ｂの形成]
次に、正孔注入層１３ａ上に、正孔輸送層１３ｂを形成する。正孔輸送層１３ｂは、転写法で形成する。すなわち、図１４Ｃに示すように、まず、転写基板３０を、正孔注入層１３ａと、正孔輸送層１３ｂとなる有機材料で構成する転写層３３とが互いに対向するように配置した状態とする。なお、転写層３３は、光熱変換層３４上において、正孔輸送層１３ｂを形成する領域に対応した所定領域Ｐ２（図中点線で囲まれた領域）でパターン形成されている。
【０１０２】
次に、基板３１側から、レーザ光Ｌを照射する。光熱変換層３４にレーザ光Ｌの照射エネルギーを吸収させ、その熱を利用して、正孔輸送層１３ｂとなる材料で構成された転写層３３を、正孔注入層１３上に熱転写する。これにより、所定領域Ｐ２に対応した領域に、正孔輸送層１３ｂがパターン形成される。
【０１０３】
[発光層の形成]
次に、正孔輸送層１３ｂ上に、発光層１３ｃを形成する。発光層１３ｃは、転写法で形成する。すなわち、図１５Ｄに示すように、まず、転写基板３０を、正孔輸送層１３ｂと発光層１３ｃとなる有機材料で構成する転写層３３とが互いに対向するように配置した状態とする。なお、転写層３３は、光熱変換層３４上において、発光層１３ｃを形成する領域に対応した所定領域Ｐ１にパターン形成されている。
【０１０４】
次に、基板３１側から、レーザ光Ｌを照射する。光熱変換層にレーザ光Ｌの照射エネルギーを吸収させ、その熱を利用して、発光層１３ｃとなる材料で構成された転写層３３を、正孔輸送層１３ｂ上に熱転写する。これにより、所定領域Ｐ１に対応した領域に、発光層１３ｃがパターン形成される。
【０１０５】
図１５Ｄに示す工程においては、所定領域Ｐ１は、上述の所定領域Ｐ２より、広い範囲とされる。したがって、発光層１３ｃの形成領域は、正孔輸送層１３ｂの形成領域より広い範囲となる。これにより、所定領域Ｐ１において、所定領域Ｐ２と重複しない領域では、正孔輸送層１３ｂの端面に沿って発光層１３ｃとなる有機材料が、絶縁層１８の一部に形成され、正孔輸送層１３ｂの端面が、発光層１３ｃによって覆われる構造を形成する。
【０１０６】
[電子輸送層の形成]
次に、発光層１３ｃ上に、電子輸送層１３ｄを形成する。電子輸送層１３ｄは、転写法で形成する。すなわち、図１５Ｅに示すように、まず、転写基板３０を、発光層１３ｃと、電子輸送層１３ｄとなる有機材料で構成する転写層３３とが互いに対向するように配置した状態とする。なお、転写層３３は、光熱変換層３４上において、電子輸送層１３ｄを形成する領域に対応した所定領域Ｐ１にパターン形成する。
【０１０７】
次に、基板３１側から、レーザ光Ｌを照射する。光熱変換層３４にレーザ光Ｌの照射エネルギーを吸収させ、その熱を利用して、電子輸送層１３ｄとなる有機材料で構成された転写層３３を、発光層１３ｃ上に熱転写する。これにより、図１５Ｆに示すように、所定領域Ｐ１に対応した位置に、電子輸送層１３ｄがパターン形成される。以上により有機層１３を形成できる。
【０１０８】
＜効果＞
この発明の第７の実施の形態では、第２の実施の形態と同様の効果を有する。
【０１０９】
８．表示装置の適用例
上述した第１、３および５の各実施の形態で説明した表示装置の適用例について説明する。第１、３および５の各実施の形態による表示装置は、テレビジョン装置、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
【０１１０】
（モジュール）
第１、３および５の各実施の形態による表示装置は、例えば、図１６に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールの表示領域８０には、複数の有機ＥＬ素子２１Ｒ、２１Ｇおよび２１Ｂがマトリック状に配置されている。また、表示領域８０には、複数の走査線と複数の信号線とが縦横に配線され、走査線と複数の信号線との各交差部には、有機ＥＬ素子２１、スイッチング用のＴＦＴ、駆動用のＴＦＴなどで構成された画素駆動回路が設けられている。表示領域８０の周辺領域には、輝度情報に応じた映像信号を信号線に供給する信号線駆動回路９０と走査線を走査駆動する走査線駆動回路１００とが設けられている。
【０１１１】
このモジュールは、例えば、基板１１の一辺に、封止基板１９および接着層から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路９０および走査線駆動回路１００の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。
【０１１２】
（適用例１）
図１７は、第１、３および５の各実施の形態による表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、第１、３および５の各実施の形態による表示装置により構成されている。
【０１１３】
（適用例２）
図１８は、第１、３および５の各実施の形態による表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、第１、３および５の各実施の形態による表示装置により構成されている。
【０１１４】
（適用例３）
図１９は、第１、３および５の各実施の形態による表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０、文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、第１、３および５の各実施の形態による表示装置により構成されている。
【０１１５】
（適用例４）
図２０は、第１、３および５の各実施の形態による表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０、この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０、撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、第１、３および５の各実施の形態による表示装置により構成されている。
【０１１６】
（適用例５）
図２１は、第１、３および５の各実施の形態による表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０、サブディスプレイ７５０、ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、第１、３および５の実施の形態による表示装置により構成されている。
【実施例】
【０１１７】
以下、実施例によりこの発明を具体的に説明するが、この発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。以下の実施例では、本発明の具体的な実施例、およびこれらの実施例に対する比較例の有機ＥＬパネルの製造手順と、これらの評価結果を説明する。
【０１１８】
＜実施例１＞
実施例１においては、上述の実施の形態で有機ＥＬパネルを作製した。以下にその製造手順を説明する。
【０１１９】
[陽極および絶縁層の形成]
まず、厚さ０．７ｍｍのＴＦＴ基板１１上に、アルミニウム−ネオジム（１０％）の陽極（第１電極１２）を１２０ｎｍの膜厚で形成した。
【０１２０】
次に、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、陽極を以下の条件でパターニングした。
画素数：水平３２０×垂直２４０（個）
画素ピッチ：水平０．３ｍｍ×垂直０．３ｍｍ
【０１２１】
次に、ポリイミドを用いてフォトリソグラフィにより、陽極上に絶縁層１８をパターン形成することで、１色あたり２２５μｍ×７５μｍの発光領域を形成した。
【０１２２】
次に、Ｂの発光領域に対応する有機層１３（Ｂ）、Ｇの発光領域に対応する有機層１３（Ｇ）およびＲの発光領域に対応する有機層１３（Ｒ）をこの順で、以下のようにして形成した。
【０１２３】
[有機層１３（Ｂ）の形成]
Ｂの発光領域に対応する有機層１３（Ｂ）を以下のようにして形成した。なお、有機層１３（Ｂ）の形成において、有機層１３（Ｂ）を構成する各層の形成に用いるマスクは以下のようにした。
【０１２４】
正孔注入層１３ａの形成 開口サイズ２４５μｍ×９５μｍのマスクを使用
正孔輸送層１３ｂの形成 開口サイズ２４５μｍ×９５μｍのマスクを使用
発光層１３ｃの形成 開口サイズ２５０μｍ×１００μｍのマスクを使用
電子輸送層１３ｄの形成 開口サイズ２５０μｍ×１００μｍのマスクを使用
【０１２５】
[正孔注入層１３ａの形成]
まず、真空蒸着法により、開口サイズ２４５μｍ×９５μｍのマスクを用いて、陽極上に、正孔注入層１３ａとして、式（１）で表される化合物の膜を、１５ｎｍの膜厚（蒸着速度０．２〜０．４／ｓｅｃ）で形成した。
【０１２６】
【化１】
【０１２７】
[正孔輸送層の形成]
次に、真空蒸着法により、開口サイズ２４５μｍ×９５μｍのマスクを用いて、正孔注入層１３ａ上に、正孔輸送層１３ｂとして、α−ＮＰＤ(Ｎ，Ｎ'−ビス（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニル[１，１'-ビフェニル]−４，４'―ジアミン)の膜を１３０ｎｍの膜厚（蒸着速度１．０〜１．２／ｓｅｃ）で形成した。
【０１２８】
[発光層（Ｂ）の形成]
次に、真空蒸着法により、開口サイズ２５０μｍ×１００μｍのマスクを用いて、発光層１３ｃを形成した。発光層１３ｃの形成では、ホスト材料として、ＡＤＮ（９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン）を用い、ドーパントとしてＢＤ−０５２ｘ（出光興産株式会社：商品名）を用いた。これらの材料を、真空蒸着法により、ドーパント濃度が膜厚比で５％になるように、３２ｎｍの合計膜厚で成膜した。
【０１２９】
[電子輸送層の形成]
次に、真空蒸着法により、開口サイズ２５０μｍ×１００μｍのマスクを用いて、Ａｌｑ３（８−ヒドロキシキノリンアルミニウム）の膜を１８ｎｍの膜厚で形成した。
【０１３０】
[有機層１３（Ｇ）の形成]
Ｇの発光領域に対応する有機層１３（Ｇ）を以下のようにして形成した。なお、有機層１３（Ｇ）の形成において、有機層１３（Ｇ）を構成する各層の形成に用いるマスクは以下のようにした。
【０１３１】
正孔注入層１３ａの形成 開口サイズ２４５μｍ×９５μｍのマスクを使用
正孔輸送層１３ｂの形成 開口サイズ２４５μｍ×９５μｍのマスクを使用
発光層１３ｃの形成 開口サイズ２５０μｍ×１００μｍのマスクを使用
電子輸送層１３ｄの形成 開口サイズ２５０μｍ×１００μｍのマスクを使用
【０１３２】
[正孔注入層１３ａの形成]
まず、真空蒸着法により、開口サイズ２４５μｍ×９５μｍのマスクを用いて、陽極上に、正孔注入層１３ａとして、（式１）で表される化合物の膜を、１５ｎｍの膜厚（蒸着速度０．２〜０．４／ｓｅｃ）で形成した。
【０１３３】
[正孔輸送層の形成]
次に、真空蒸着法により、開口サイズ２４５μｍ×９５μｍのマスクを用いて、正孔注入層１３ａ上に、正孔輸送層１３ｂとして、α−ＮＰＤ(Ｎ，Ｎ'−ビス（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニル[１，１'-ビフェニル]−４，４'―ジアミン)を１７０ｎｍの膜厚（蒸着速度１．０〜１．２／ｓｅｃ）で形成した。
【０１３４】
[発光層（Ｇ）の形成]
次に、真空蒸着法により、開口サイズ２５０×１００μｍのマスクを用いて、発光層１３ｃを形成した。発光層１３ｃの形成では、ホスト材料として、ＡＤＮ（９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン）を用い、ドーパントとして式（２）で表される化合物を用いた。これらの材料を、真空蒸着法により、ドーパント濃度が膜厚比で６％になるように、２８ｎｍの合計膜厚で成膜した。
【０１３５】
【化２】
【０１３６】
[電子輸送層の形成]
次に、真空蒸着法により、開口サイズ２５０μｍ×１００μｍのマスクを用いて、Ａｌｑ３（８−ヒドロキシキノリンアルミニウム）の膜を４０ｎｍの膜厚で形成した。
【０１３７】
[有機層１３（Ｒ）の形成]
Ｒの発光領域に対応する有機層１３（Ｒ）を以下のようにして形成した。なお、有機層１３（Ｒ）の形成において、有機層１３（Ｒ）を構成する各層の形成に用いるマスクは以下のようにした。
【０１３８】
正孔注入層１３ａの形成 開口サイズ２４５μｍ×９５μｍのマスクを使用
正孔輸送層１３ｂの形成 開口サイズ２４５μｍ×９５μｍのマスクを使用
発光層１３ｃの形成 開口サイズ２５０μｍ×１００μｍのマスクを使用
電子輸送層１３ｄの形成 開口サイズ２５０μｍ×１００μｍのマスクを使用
【０１３９】
[正孔注入層１３ａの形成]
まず、真空蒸着法により、開口サイズ２４５μｍ×９５μｍのマスクを用いて、陽極上に、正孔注入層１３ａとして、式（１）で表される化合物の膜を、１５ｎｍの膜厚（蒸着速度０．２〜０．４／ｓｅｃ）で形成した。
【０１４０】
[正孔輸送層の形成]
次に、真空蒸着法により、開口サイズ２４５μｍ×９５μｍのマスクを用いて、正孔注入層１３ａ上に、正孔輸送層１３ｂとして、α−ＮＰＤ(Ｎ，Ｎ'−ビス（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニル[１，１'-ビフェニル]−４，４'―ジアミン)を１９０ｎｍの膜厚（蒸着速度１．０〜１．２／ｓｅｃ）で形成した。
【０１４１】
[発光層（Ｒ）の形成]
次に、真空蒸着法により、開口サイズ２５０×１００μｍのマスクを用いて、発光層１３ｃを形成した。発光層１３ｃの形成では、ホスト材料として、ルブレンを用い、ドーパントとして式（３）で表されるジベンゾ[ｆ，ｆ’]ジインデン[１,２,３−ｃｄ：１’,２’,３’−ｌｍ]ぺリレン誘導体を用いた。これらの材料を、真空蒸着法により、ドーパント濃度が膜厚比で１％になるように、４３ｎｍの合計膜厚で成膜した。
【０１４２】
【化３】
【０１４３】
[電子輸送層の形成]
次に、真空蒸着法により、開口サイズ２５０×１００μｍのマスクを用いて、Ａｌｑ３（８−ヒドロキシキノリンアルミニウム）の膜を５０ｎｍの膜厚で形成した。
【０１４４】
[陰極の形成]
以上のようにして、形成した有機層１３および絶縁層１８上に、２層構造の陰極（第２電極１５）を形成した。まず、陰極の第１層として、真空蒸着法により、ＬｉＦの膜を約０．３ｎｍの膜厚（０．０１ｎｍ／ｓｅｃ以下）で形成した。次に、陰極の第２層として、真空蒸着法により、ＭｇＡｇの膜を１０ｎｍの膜厚（０．０１ｎｍ／ｓｅｃ以下）で形成した。
【０１４５】
[保護膜の形成]
次に、真空蒸着法により、保護層１７としてＳｉＯ2の膜を、有機層１３および陰極全体をカバーするように５０ｎｍの膜厚で形成した。
【０１４６】
以上により、ＲＧＢ３色を独立して発光する有機ＥＬパネル（画素数：水平３２０×垂直２４０、画素ピッチ：水平０．３×垂直０．３ｍｍ）を作製した。
【０１４７】
[評価]
以上のようにして作製した有機ＥＬパネルの有機ＥＬ素子２１に対して、０Ｖ〜７Ｖまでの電流―電圧特性を測定した。その結果、有機ＥＬ素子２１Ｂでは、閾値電圧は３．０Ｖであった。また、有機ＥＬ素子２１Ｇでは、閾値電圧は３．２Ｖであった。有機ＥＬ素子Ｒでは、閾値電圧は３．５Ｖであった。
【０１４８】
リーク電流を評価するため、閾値電圧より０．２Ｖ低い電圧での１ピクセルあたりの電流密度を測定した。その結果、有機ＥＬ素子２１Ｂでは、測定によって得られた電流密度が２．８×１０-10[ｍＡ／ｃｍ2]であった。有機ＥＬ素子２１Ｇでは、測定によって得られた電流密度が２．０×１０-10[ｍＡ／ｃｍ2]であった。有機ＥＬ素子２１Ｒでは、測定によって得られた電流密度が１．３×１０-10[ｍＡ／ｃｍ2]であった。
【０１４９】
また、この方法で作製した有機ＥＬパネルでは、３ｎｉｔ以下の低輝度領域においてもリーク電流を起因とする発光ムラは確認されなかった。
【０１５０】
＜比較例１＞
真空蒸着法により、開口サイズ２４５μｍ×９５μｍのマスクのみで有機層１３を形成した。すなわち、有機層１３（Ｂ）、有機層１３（Ｇ）、有機層１３（Ｒ）の形成において、各層の形成に用いるマスクを以下のようにした。
【０１５１】
正孔注入層１３ａの形成 開口サイズ２４５μｍ×９５μｍのマスクを使用
正孔輸送層１３ｂの形成 開口サイズ２４５μｍ×９５μｍのマスクを使用
発光層１３ｃの形成 開口サイズ２４５μｍ×９５μｍのマスクを使用
電子輸送層１３ｄの形成 開口サイズ２４５μｍ×９５μｍのマスクを使用
【０１５２】
以上の点以外は、実施例１と同様にして、ＲＧＢの３色を独立して発光する有機ＥＬパネル（画素数：水平３２０×垂直２４０（個）、画素ピッチ：水平０．３ｍｍ×垂直０．３ｍｍを作製した。
【０１５３】
[評価]
以上のようにして作製した有機ＥＬパネルの有機ＥＬ素子２１に対して、０Ｖ〜７Ｖまでの電流―電圧特性を測定した。その結果、閾値電圧は変化がなかった。すなわち、有機ＥＬ素子２１Ｂでは、閾値電圧は３．０Ｖであった。また、有機ＥＬ素子２１Ｇでは、閾値電圧は３．２Ｖであった。有機ＥＬ素子Ｒでは、閾値電圧は３．５Ｖであった。
【０１５４】
リーク電流を評価するため、閾値電圧より０．２Ｖ低い電圧での１ピクセルあたりの電流密度を測定した。その結果、有機ＥＬ素子２１Ｂでは、測定によって得られた電流密度が１．２×１０-8[ｍＡ／ｃｍ2]であった。有機ＥＬ素子２１Ｇでは、測定によって得られた電流密度が７．２×１０-9[ｍＡ／ｃｍ2]であった。有機ＥＬ素子２１Ｒでは、測定によって得られた電流密度が８．３×１０-9[ｍＡ／ｃｍ2]であった。
【０１５５】
すなわち、この比較例１の結果と上述の実施例１の結果とを比べると、実施例１では、比較例１に比べてリーク電流が一桁以上低減されたことがわかった。
【０１５６】
また、比較例１の有機ＥＬパネルでは、３ｎｉｔ以下の低輝度領域においてリーク電流を起因とする発光ムラが確認された。
【０１５７】
９．他の実施の形態
この発明は、上述したこの発明の実施形態に限定されるものでは無く、この発明の要旨を逸脱しない範囲内で様々な変形や応用が可能である。例えば、上述の実施の形態において挙げた数値、構造、形状、材料等はあくまでも例にすぎず、必要に応じて、これらと異なる数値、構造、形状、材料等を用いてもよい。
【０１５８】
例えば、第１〜第７の実施の形態では、有機層１３の構成は、正孔注入層１３ａ／正孔輸送層１３ｂ／発光層１３ｃ／電子輸送層１３ｄとしたがこれに限定されるものではない。必要に応じて、適宜、有機層を構成する層数を増加したり、減少してもよい。この場合、抵抗の低いリーク原因となる層の端面に沿って、リーク原因となる層より抵抗の高い他の層を形成することによって、リーク原因となる層の端面を覆うようにする。これにより、リーク原因となる層の端面と第２電極とが接触しない構造とすることで、リーク電流を抑制することができる。
【０１５９】
例えば、第１〜第７の実施の形態では、上面発光型の表示装置について説明したが、下面発光型（ボトムエミッション型）の表示装置にも適用することができる。また、各有機ＥＬ素子にＴＦＴが接続され、このＴＦＴによって、各有機ＥＬ素子の発光を独立して制御するアクティブマトリックス方式に限定されるものではない。例えばパッシブマトリックス方式にも適用可能である。
【０１６０】
第２、第４、第６の実施の形態では、有機層１３を構成する各層を真空蒸着法で形成する例について説明し、第７の実施の形態では、有機層１３を構成する各層を転写法で形成する例について説明したが、これに限定されるものではない。
【０１６１】
例えば、有機層１３を印刷法で形成してもよい。このとき、有機層１３を構成する層の印刷パターンの範囲を、各構成層ごとに適宜設定する。すなわち、抵抗の低いリーク電流の原因となる層を、狭い範囲の印刷パターンとする。そして、リーク電流の原因となる層より抵抗の高い層を、広い範囲の印刷パターンとする。これにより、リーク電流の原因となる層の端面をリーク電流の原因とならない層で覆う構造を形成し、リーク電流を抑制することができる。
【０１６２】
また、第２、第４、第６の実施の形態では、有機層１３を構成する各層を全て真空蒸着法で形成する例について説明し、第７の実施の形態では、有機層１３を構成する各層を全て転写法で形成する例について説明したが、これに限定されるものではない。
【０１６３】
例えば、有機層１３の各層を、真空蒸着法および転写法の両方を用いて形成してもよい。すなわち、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層を真空蒸着法で形成し、発光層のみを転写法で形成してもよい。勿論、真空蒸着法および印刷法の両方を用いて形成してもよく、転写法および印刷法の両方、または、真空蒸着法、印刷法および転写法を用いて、形成してもよい。
【０１６４】
また、第１〜第７の実施の形態では、有機層１３をマトリックス状に配置した例につい説明したがこれに限定されるものではない。例えば、異なる発光色（例えばＲ、Ｇ、Ｂ）に対応する各有機層をストライプ状に配置するように構成した表示装置にも適用可能である。このように構成した有機層の形成では、ストライプ状のマスクを用いるが、このストライプ状のマスクを用いた場合でも、有機層を構成する各層に応じて、マスクの開口サイズを変えることによって、リークの原因となる抵抗の低い層の端面を覆う構造を形成することができる。
【０１６５】
また、第７の実施の形態では、転写層をパターン形成してから熱転写したが、転写層を基板の全面に形成して、レーザの照射範囲を選択的に変えるようにしてもよい。
【０１６６】
また、必要に応じて、第１、第３の実施の形態の有機ＥＬ素子を組み合わせて表示装置を構成することも可能である。例えば、有機ＥＬ素子２１Ｒを第１の実施の形態の構成とし、有機ＥＬ素子２１Ｇおよび有機ＥＬ素子２１Ｂを第３の実施の形態の構成として、表示装置を構成することも可能である。
【符号の説明】
【０１６７】
１１・・・基板
１３・・・有機層
１３ａ・・・正孔注入層
１３ｂ・・・正孔輸送層
１３ｃ・・・発光層
１３ｂ・・・転写層
１３ｄ・・・電子輸送層
１５・・・電極
１７・・・保護膜
１８・・・絶縁層
１９・・・封止基板
３０・・・転写基板
３３・・・転写層
３４・・・光熱変換層
３５・・・酸化保護層
【技術分野】
【０００１】
この発明は、表示装置および表示装置の製造方法に関する。さらに詳しくは、有機ＥＬ素子を用いた自発光型の表示装置および表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶ディスプレイに代わる表示装置として、有機ＥＬ（Electro Luminescence））素子を用いた有機ＥＬディスプレイが注目されている。有機ＥＬディスプレイは、有機材料に電流を流すことで材料自らが発光する自発光型ディスプレイで、バックライトが不要であることに加え、優れた色再現性や高コントラスト、動画に適した応答性、広視野角などの優れた特徴を有している。
【０００３】
フルカラーのディスプレイでは、一般的に例えばＲサブ画素、Ｇサブ画素、Ｂサブ画素で１つの画素を構成する。有機ＥＬディスプレイでフルカラー化を実現する方式としては、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）およびＢ（青）の各色を発光する有機ＥＬ素子を独立に形成するＲＧＢ塗り分け方式が一般的である。
【０００４】
ＲＧＢ塗り分け方式の有機ＥＬディスプレイでは、図２２に示すように、基板１１１上に第１電極１１２、有機層１１３および第２電極１１５が積層されて有機ＥＬ素子１２１を構成する。有機ＥＬ素子１２１Ｒは赤色を発光しＲサブ画素を構成する。有機ＥＬ素子１２１Ｇは、緑色を発光しＧサブ画素を構成する。有機ＥＬ素子１２１Ｂは、青色を発光しＢサブ画素を構成する。図２２に示す有機ＥＬディスプレイでは、有機ＥＬ素子１２１Ｒ、１２１Ｇ、および１２１Ｂの各成膜範囲は重複せず、夫々独立されている。
【０００５】
また、ＲＧＢ塗り分け方式の有機ＥＬディスプレイでは、図２３に示す有機ＥＬディスプレイにおいて、矢印ａに示すように、有機ＥＬ素子１２１Ｒ、１２１Ｇ、１２１Ｂの各有機層１１３の成膜範囲の一部が、互いに重複されているものもある。
【０００６】
図２２および図２３に示す、ＲＧＢ塗り分け方式の有機ＥＬディスプレイでは、有機層１１３の端面が剥き出しの状態となり、有機層１１３の端面と、第２電極１１５とが接触する構造となる。
【０００７】
図２４に示すように、有機層１１３の端面と、第２電極１１５とが接触すると、有機層１１３を構成する層のうち、抵抗の低い層を介して、第１電極１１１と第２電極１１５との間にリーク電流が生じるおそれがある。すなわち、図２４の例では、正孔注入層１１３ａ、正孔輸送層１１３ｂ、発光層１１３ｃおよび電子輸送層１１３ｄのうち、抵抗の低い正孔輸送層１１３ｂを介して第１電極１１１と第２電極１１５との間に図中の矢印で流れを示すリーク電流が流れるおそれがある。
【０００８】
このリーク電流は、有機層１１３の端面という制御困難な部分の状態によって大小が変化するため、有機ＥＬディスプレイのパネル面内の発光むらを引き起こしてしまう。
【０００９】
そこで、このリーク電流を防止する技術が検討されている。例えば、特許文献１には、電子輸送層をＲＧＢで共通の層で構成し、有機ＥＬディスプレイのパネル全面に一様に成膜することよって、リーク電流を防止する技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特許第３２０６６４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、特許文献１に記載の技術では、例えばフルカラーのディスプレイで、ＲＧＢの各発光に対応する有機ＥＬ素子の電子輸送層を、同じ材料、同じ膜厚で構成する必要がある。一方、通常、有機ＥＬディスプレイでは、ＲＧＢの各発光に対応する有機ＥＬ素子の特性を最大限に発揮させるために、有機層をＲＧＢの各発光ごとに異なる材料および膜厚で構成する。
【００１２】
特許文献１に記載の技術では、リーク電流を抑制できるが、電子輸送層をＲＧＢの各発光で共通の構成にする必要があるため、ＲＧＢの各発光に対応する有機ＥＬ素子を構成する材料の選択が制限され、優れた特性の有機ＥＬ素子を構成することが困難になる。
【００１３】
したがって、この発明の目的は、複数の発光色に対応する各有機ＥＬ素子を夫々独立した材料および膜厚で構成する場合でも、リーク電流を抑制できる表示装置および表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上述した課題を解決するために、第１の発明は、第１電極と、第２電極と、第１電極および第２電極の間に設けられ、有機材料で構成される有機層とを有し、有機層は、発光層を含む複数の層から構成され、複数の層のうちの少なくとも１層からなる第１の層の端面が、第１の層の上方に位置する層のうちの少なくとも１層からなる第２の層によって、覆われた表示装置である。
【００１５】
第２の発明は、第１電極と、第２電極と、第１電極および第２電極の間に設けられ、発光層を含む、有機材料で構成される複数の層で構成される有機層とを有する表示装置の製造方法であって、有機層の形成工程は、複数の層のうちの少なくとも１層からなる第１の層を形成する第１の工程と、第１の層より上方に位置する層のうちの少なくとも１層からなる第２の層を、第１の層の端面に沿って形成する第２の工程とを有する表示装置の製造方法である。
【００１６】
第１の発明では、リーク電流の原因となる第１の層の端面を、第２の層で覆うようにする。これにより、リーク電流の原因となる第１の層の端面と、第２電極との接触を避けることができるため、リーク電流を抑制することができる。
【００１７】
第２の発明では、リーク電流の原因となる第１の層の端面に沿って、第２の層を形成する。これにより、リーク電流の原因となる第１の層の端面と、第２電極との接触を避けることができるため、リーク電流を抑制することができる。
【発明の効果】
【００１８】
この発明によれば、複数の発光色に対応する各有機ＥＬ素子を夫々独立した材料および膜厚で構成する場合でも、リーク電流を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】この発明の第１の実施の形態による表示装置の構成を示す断面図である。
【図２】この発明の第１の実施の形態による表示装置の有機層の構成を示す要部断面図である。
【図３】この発明の第２の実施の形態による表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図４】この発明の第２の実施の形態による表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図５】この発明の第２の実施の形態における有機層の製造工程を説明するための断面図である。
【図６】この発明の第２の実施の形態における有機層の製造工程を説明するための断面図である。
【図７】この発明の第３の実施の形態による表示装置の構成を示す断面図である。
【図８】この発明の第３の実施の形態による表示装置の有機層の構成を示す要部断面図である。
【図９】この発明の第４の実施の形態における有機層の製造工程を説明するための断面図である。
【図１０】この発明の第４の実施の形態における有機層の製造工程を説明するための断面図である。
【図１１】この発明の第６の実施の形態による表示装置の製造方法の成膜領域を説明するための平面図である。
【図１２】この発明の第６の実施の形態による表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１３】この発明の第７の実施の形態における有機層の製造工程を説明するための断面図である。
【図１４】この発明の第７の実施の形態における有機層の製造工程を説明するための断面図である。
【図１５】表示装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図１６】表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図１７】表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。
【図１８】表示装置の適用例２の外観を表す斜視図である。
【図１９】表示装置の適用例３の外観を表す斜視図である。
【図２０】表示装置の適用例４の外観を表す斜視図である。
【図２１】表示装置の適用例５の外観を表す略線図である。
【図２２】従来の表示装置の構成を示す断面図である。
【図２３】従来の表示装置の構成を示す断面図である。
【図２４】従来の表示装置の有機層の構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、この発明の実施の形態について図面を参照して説明する。以下に説明する実施の形態は、この発明の具体的な例であり、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、この発明の範囲は、以下の説明において、特にこの発明を限定する旨の記載がない限り、実施の形態に限定されないものとする。なお、説明は、以下の順序で行い、実施の形態の全図において、同一または対応する部分には同一の符号を付す。
１．第１の実施の形態（表示装置の第１の例）
２．第２の実施の形態（表示装置の製造方法の第１の例）
３．第３の実施の形態（表示装置の第２の例）
４．第４の実施の形態（表示装置の製造方法の第２の例）
５．第５の実施の形態（表示装置の第３の例）
６．第６の実施の形態（表示装置の製造方法の第３の例）
７．第７の実施の形態（表示装置の製造方法の第４の例）
８．表示装置の適用例
９．他の実施の形態（変形例）
【００２１】
１．第１の実施の形態
（表示装置の構成）
この発明の第１の実施の形態による表示装置について説明する。図１は、この発明の第１の実施の形態による表示装置の構成例を示す断面図である。この表示装置は、発光した光を基板１１の上面側から取り出す構成の上面発光型（いわゆるトップエミッション型）の表示装置である。この表示装置は、基板１１上に設けられた第１電極１２と、第２電極１５との間に、有機層１３が挟まれた構造の有機ＥＬ素子２１を有する。
【００２２】
[基板]
基板１１は、可視領域に吸収の無い透明基板で構成されており、例えば、シリコン基板、ガラス基板やプラスチック基板などを用いることができる。
【００２３】
[第１電極]
第１電極１２（陽極）は、発光層１３ｃに正孔を注入する電極であり、基板１１上の所定の位置で電圧−電流が印加できるように、マトリックス状にパターニングされている。第１電極１２の材料としては、銀合金、アルミニウム−ネオジウム合金などを用いることができる。
【００２４】
[絶縁層]
絶縁層１８は、第１電極１２と第２電極１５との絶縁性を確保するために設けられる。
絶縁層１８の材料としては、例えばポリイミドなどの感光性樹脂を用いる。絶縁層１８は、第１電極１２上に感光性樹脂を塗布してフォトリソグラフィによりパターニングすることによって、第１電極１２が露出する部分を有するように形成される。この第１電極１２の露出部分に、発光層１３ｃを含む有機層１３、および第２電極１５が積層される。この第１電極１２の露出部分の上方は、Ｒ、Ｇ、Ｂの各発光に対応する各有機層１３が形成されて発光する発光領域とされる。
【００２５】
[有機層]
有機層１３は、正孔注入層１３ａ、正孔輸送層１３ｂ、発光層１３ｃおよび電子輸送層１３ｄから構成される。正孔注入層１３ａ、正孔輸送層１３ｂ、発光層１３ｃおよび電子輸送層１３ｄは、基板１１側からこの順で積層されている。
【００２６】
正孔注入層１３ａは、第１電極１２から正孔をスムーズに受け入れるために設けられた層である。正孔輸送層１３ｂは、正孔を発光層１３ｃにスムーズに移動させるために設けられた層である。電子輸送層１３ｄは、第２電極１５から電子を受け取って発光層１３ｃまで輸送する層である。
【００２７】
発光層１３ｃは、正孔と電子とが再結合することにより発光する層である。有機ＥＬ素子２１ＲではＲを発光する。有機ＥＬ素子２１ＧではＧを発光する。有機ＥＬ素子２１ＢではＢを発光する。有機ＥＬ素子２１では、第１電極１２と第２電極１５との間に、必要な電圧−電流を加えると、第１電極１２から正孔が第２電極１５から電子が発光層１３ｃに注入され、発光層１３ｃで正孔と電子とが再結合することにより発光する。
【００２８】
有機層２１を構成する正孔注入層１３ａ、正孔輸送層１３ｂ、発光層１３ｃおよび電子輸送層１３ｄには、それぞれの機能に適した材料を用いることができる。有機層２１を構成する各層の材料および厚さは、Ｒ、Ｇ、Ｂの各発光に対応して適宜選択される。発光効率、駆動電圧、発光寿命などの特性を最大限に発揮するために、有機層２１を構成する各層は、Ｒ、Ｇ、Ｂの各発光に応じて、好適な材料および厚さで構成される。
【００２９】
正孔注入層１３ａを構成する材料としては、ヘキサアザトリフェニレン誘導体、芳香族アミン誘導体などを用いることができる。正孔注入層１３ａの厚さは、例えば３ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲内で選択される。
【００３０】
正孔輸送層１３ｂを構成する材料としては、Ｎ，Ｎ'−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−［１，１'−ビフェニル］−４，４'−ジアミン（ＴＰＤ）、４，４'，４''−トリス［３−メチルフェニル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、４，４'，４''−トリス［１−ナフチル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン（１−ＴＮＡＴＡ）、４，４'，４''−トリス［２−ナフチル（フェニル）アミノ］トリスフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）、４，４'，４''−トリス［ビフェニル−４−イル−（３−メチルフェニル）アミノ］トリフェニルアミン（ｐ−ＰＭＴＤＡＴＡ）、４，４'，４''−トリス［９，９−ジメチル−２−フルオレニル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン（ＴＦＡＴＡ）、４，４'，４''−トリ（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）フェニルアミノ］ベンゼン（ｐ−ＤＰＡ−ＴＤＡＢ）、１，３，５−トリス｛４−［メチルフェニル（フェニル）アミノ］フェニル｝ベンゼン（ＭＴＤＡＰＢ）、Ｎ，Ｎ''−ジ（ビフェニル−４−イル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−［１，１'−ビフェニル］−４，４'−ジアミン（ｐ−ＢＰＤ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラキス（９，９−ジメチル−２−フルオレニル）−［１，１'−ビフェニル］−４，４'−ジアミン（ＦＦＤ）などを用いることができる。正孔輸送層１３ｂの厚さは、例えば５ｎｍ以上３００ｎｍ以下の範囲内で選択される。
【００３１】
発光層１３ｃを構成する材料としては、例えば、低分子蛍光色素、高分子、金属錯体などを用いることができる。発光層１３ｃを構成する材料は、発光色に応じて適宜選択して用いる。発光層１３ｃの厚さは、例えば５ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲内で選択される。
【００３２】
発光層１３ｃは、例えば、ホスト材料に、ドーパントとなる材料を微量添加して構成してもよい。ホスト材料としては、例えば、フェニレン核、ナフタレン核、アントラセン核、ピレン核、ナフタセン核、クリセン核、ペリレン核を有する芳香族炭化水素化合物などを用いることができる。この芳香族炭化水素化合物としては、具体的には、例えば、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）、ルブレンなどが挙げられる。
【００３３】
ドーパントとなる材料としては、例えば、ナフタレン誘導体、アミン化合物、ピレン誘導体、アントラセン誘導体、ナフタセン誘導体、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ピラン系色素などの有機化合物を用いることができる。
【００３４】
電子輸送層１３ｄを構成する材料としては、例えば、キノリン、ペリレン、ビススチリル、ピラジン、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、フルオレノン、またはこれらの誘導体などを用いることができる。具体的には、例えば、Ａｌｑ３（８−ヒドロキシノリンアルミニウム）などを用いることができる。電子輸送層１３ｄの厚さは、例えば５ｎｍ以上３００ｎｍ以下の範囲内で選択される。
【００３５】
[第２電極]
第２電極（陰極）１５は、発光層１３ｃに電子を注入する電極である。第２電極１５の材料としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ナトリウム（Ｎａ）、ＭｇＡｇ合金などを用いることができる。なお、第２電極１５は、上記の材料で構成される層およびＬｉＦなどのアルカリ金属のハロゲン化物で構成される層の２層で構成してもよい。
【００３６】
表示装置の１画素は、Ｒサブ画素、Ｇサブ画素およびＢサブ画素の３つのサブ画素で構成され、有機ＥＬ素子２１は１つのサブ画素を構成する。有機ＥＬ素子２１ＲはＲサブ画素を構成し、有機ＥＬ素子２１ＧはＧサブ画素を構成し、有機ＥＬ素子２１ＢはＢサブ画素を構成する。なお、本明細書において、有機ＥＬ素子２１Ｒ、有機ＥＬ素子２１Ｇおよび有機ＥＬ素子２１Ｂを区別しない場合は、有機ＥＬ素子２１と表記する。
【００３７】
有機ＥＬ素子２１Ｒ、有機ＥＬ素子２１Ｇおよび有機ＥＬ素子２１Ｂは、マトリックス状に配置されている。また、有機ＥＬ素子２１Ｒ、有機ＥＬ素子２１Ｇおよび有機ＥＬ素子２１Ｂは並置されている。
【００３８】
各有機ＥＬ素子２１は、基板１１上に形成されたＴＦＴ（薄膜トランジスタ；Thin Film Transister）（図示省略）に接続され、独立して発光が制御される。このＴＦＴは、例えば、プラズマＣＶＤによる製膜とフォトリソグラフィによるパターン形成とを繰り返すことにより形成される。
【００３９】
有機ＥＬ素子２１では、図２に示すように、正孔輸送層１３ｂの端面を、この端面に沿って形成された発光層１３ｃによって覆う構造とする。これにより、正孔輸送層１３ｂの端面が、第２電極１５に接触しないようにしている。
【００４０】
すなわち、発光層１３ｃは正孔輸送層１３ｂより高い抵抗を有し、この発光層１３ｃによって、正孔輸送層１３ｂの端面を覆う構造とする。これにより、正孔輸送層１３ｂの端面は、発光層１３ｃから露出しないようにされる。この構造では、正孔輸送層１３ｂの端面と第２電極１５との間には、発光層１３ｃが介在するので、正孔輸送層１３ｂの端面と第２電極１５とが接触することはない。
【００４１】
この構造とすることで、正孔輸送層１３ｂと第２電極１５との間の電流の流れを、発光層１３ｃによって遮断することができる。すなわち、図中の矢印に示すような第１電極１２からの電流の流れを、発光層１３ｃによって遮断することができる。これにより、正孔輸送層１３ｂの端面を介して第２電極１５にリークする電流を抑制することができる。
【００４２】
このように、第１の実施の形態では、正孔輸送層１３ｂの端面を介して第２電極１５にリークする電流を抑制対象とする。すなわち、有機層１３を構成する各層のうち正孔輸送層１３ｂの抵抗が低いため、正孔輸送層１３ｂの端面と第２電極１５とが接触すると、正孔輸送層１３ｂの端面からリーク電流が生じてしまう。そこで、第１の実施の形態では、リーク電流の原因となる正孔輸送層１３ｂの端面と、第２電極１５との間に、正孔輸送層１３ｂより抵抗の高い発光層１３ｃを介在させて、これにより、正孔輸送層１３ｂの端面を介して第２電極１５にリークする電流を抑制する。
【００４３】
[保護膜]
保護膜１７は、透明誘電体からなるパッシベーション膜である。保護膜１７の材料としては、酸化シリコン（ＳｉＯ2）、窒化シリコン（ＳｉＮ）などを用いることができる。パッシベーション膜の膜厚は、例えば５００ｎｍ〜１００００ｎｍである。
【００４４】
[封止基板]
封止基板１９は、保護膜１７上に形成された接着層（図示省略）に対して接着され、有機ＥＬ素子２１を封止する。封止基板１９は、例えばガラスなどの透明な材料で構成される。
【００４５】
＜効果＞
この発明の第１の実施の形態では、リーク電流の原因となる正孔輸送層１３ｂの端面を、正孔輸送層１３ｂの端面に沿って形成された発光層１３ｃで覆うようにする。これにより、正孔輸送層１３ｂと第２電極１５との接触を避けることができるため、リーク電流を抑制することができる。
【００４６】
２．第２の実施の形態
（表示装置の製造方法）
上述の表示装置の製造方法について、図３〜図６を参照しながら説明する。以下の説明では、まず、図３〜図４を参照しながら表示装置の製造方法の全体の流れについて、簡単に説明し、次に、図５〜図６を参照しながら、この発明の要部である有機層１３の形成工程について詳細に説明する。
【００４７】
[第１電極および絶縁層の形成]
まず、図３Ａに示すように、ＴＦＴ（図示省略）が形成された基板１１上に、第１電極１２を形成した後、絶縁層１８を形成する。第１電極１２は、真空蒸着により基板全面に、第１電極１２を形成した後、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、マトリックス状にパターニングする。
【００４８】
絶縁層１８は、パターン形成された第１電極１２の周縁を覆うようにパターン形成する。これにより、第１電極１２が露出する部分を形成する。この第１電極１２が露出する部分において、有機層１３等を形成することにより、発光領域を形成する。絶縁層１８は、例えば感光性樹脂をスピンコーティングで塗布した後、フォトリソグラフィにより、パターン形成する。
【００４９】
[有機層の形成]
次に、図３Ｂ〜図３Ｃおよび図４Ｄに示すように、真空蒸着法により、第１電極１２上にＲの発光領域に対応する有機層１３、Ｇの発光領域に対応する有機層１３、およびＢの発光領域に対応する有機層１３をこの順で形成する。
【００５０】
なお、以下では、Ｒの発光領域に対応する有機層１３を有機層１３（Ｒ）と適宜称する。Ｇの発光領域に対応する有機層１３を有機層１３（Ｇ）と適宜称する。Ｂの発光領域に対応する有機層１３を有機層１３（Ｂ）と適宜称する。また、有機層１３（Ｒ）、有機層１３（Ｇ）および有機層（Ｂ）の形成の順は、この順に限定されるものではない。例えば、有機層（Ｂ）、有機層１３（Ｇ）、有機層１３（Ｒ）の順で形成してもよい。有機層１３の形成については、後に図５〜図６を参照して詳細に説明する。
【００５１】
[第２電極の形成]
次に、図４Ｅに示すように、真空蒸着法により、第２電極１５を形成する。第２電極１５は有機層１３の全面および絶縁層１８の一部に第２電極１５となる材料を真空蒸着する。
【００５２】
[保護膜の形成等]
その後、図４Ｆに示すように、第２電極１５上に保護膜１７を真空蒸着し、さらに、保護膜１７上に紫外線硬化型樹脂をスピンコーティングすることにより接着層（図示省略）を形成し、封止基板１９を保護膜１７に対して接着層を介して接着する。以上により、表示装置を得ることができる。
【００５３】
[有機層の形成]
図５〜図６を参照しながら、上述の有機層１３の形成についてより詳細に説明する。以下に説明する工程により、Ｒの発光領域に対応する有機層１３（Ｒ）、Ｇの発光領域に対応する有機層１３（Ｇ）、およびＢの発光領域に対応する有機層１３（Ｂ）を上述のように順次形成する。
【００５４】
[正孔注入層の形成]
まず、図５Ａに示す基板１１に形成された第１電極１２および絶縁層１８上に、図５Ｂに示すように、正孔注入層１３ａを形成する。正孔注入層１３ａは、真空蒸着法で形成する。正孔注入層１３ａは、蒸着源（図示省略）と第１電極１２と間にマスク３１を配置した状態で、正孔注入層１３ａとなる有機材料を真空蒸着する。
【００５５】
この有機材料は、マスク３１の開口を通過して、第１電極１２の露出部分および第１電極１２の周縁部に設けられた絶縁層１８の一部に堆積する。これにより、マスク３１の開口に対応した成膜領域に、正孔注入層１３ａがパターン形成される。
【００５６】
なお、マスク３１の開口の夫々は、例えば矩形状に設定される。マスク３１の開口サイズは、後述の工程で用いる、矩形状の開口を有するマスク３２より、開口サイズが大きく設定される。例えば、マスク３１の開口の各４辺は、マスク３２の開口の各４辺より、夫々大きく設定される。例えば、各４辺同士の差は、０．５μｍ以上となるように設定される。
【００５７】
[正孔輸送層の形成]
次に、図５Ｃに示すように、正孔注入層１３ａ上に、正孔輸送層１３ｂを形成する。正孔輸送層１３ｂは、真空蒸着法で形成する。正孔輸送層１３ｂは、蒸着源（図示省略）と正孔注入層１３ａとの間にマスク３２を配置した状態で、発光層１３ｃの材料となる有機材料を真空蒸着する。この有機材料は、マスク３２の開口を通過して、正孔注入層１３ａ上に堆積する。これにより、マスク３２の開口に対応した成膜領域に、正孔輸送層１３ｂがパターン形成される。
【００５８】
[発光層の形成]
次に、図６Ｄに示すように、正孔輸送層１３ｂ上に、発光層１３ｃを形成する。発光層１３ｃは、真空蒸着法で形成する。発光層１３ｃは、蒸着源（図示省略）と正孔輸送層１３ｂとの間にマスク３１を配置した状態で、発光層１３ｃとなる有機材料を真空蒸着する。この有機材料は、マスク３１の開口を通過して、正孔輸送層１３ｂ上に堆積する。また、この有機材料は、正孔輸送層１３ｂの端面に沿って、正孔注入層１３ａ上に堆積する。これにより、マスク３１の開口に対応した成膜領域に、発光層１３ｃがパターン形成される。
【００５９】
図６Ｄに示す工程で用いるマスク３１は、上述のマスク３２より、開口サイズが大きいものである。したがって、マスク３１の開口に対応する発光層１３ｃの成膜領域は、マスク３２に対応する正孔輸送層１３ｂの成膜領域より大きくなる。これにより、発光層１３ｃの成膜領域と正孔輸送層１３ｂの成膜領域とが重複しない領域では、正孔輸送層１３ｂの端面に沿って正孔注入層１３ａ上に発光層１３ｃとなる有機材料が堆積していき正孔輸送層１３ｂの端面が、発光層１３ｃで覆われる構造を形成する。
【００６０】
[電子輸送層の形成]
次に、図６Ｅに示すように、発光層１３ｃ上に、電子輸送層１３ｄを形成する。電子輸送層１３ｄは、真空蒸着法で形成する。電子輸送層１３ｄは、蒸着源（図示省略）と発光層との間にマスク３１を配置した状態で、電子輸送層１３ｄとなる有機材料を真空蒸着する。この有機材料は、マスク３１の開口を通過して、発光層１３ｃ上に堆積する。これにより、マスク３１の開口に対応した成膜領域に、電子輸送層１３ｄがパターン形成される。
【００６１】
以上説明した有機層１３の形成工程では、正孔注入層１３ａ、正孔輸送層１３ｂ、発光層１３ｃ、電子輸送層１３ｄの順で成膜を行う。成膜の際に、上記層のうち抵抗の低いリーク電流の原因となる層（ここでは正孔輸送層１３ｂ）の上方に形成される発光層１３ｃの成膜領域を、リーク電流の原因となる層の成膜領域より広くするようにしている。なお、発光層１３ｃの抵抗は、リーク電流の原因となる層より高く設定される。
【００６２】
＜効果＞
この発明の第２の実施の形態では、有機層１３の形成において、リーク電流の原因となる抵抗の低い正孔輸送層１３ｂの上方の発光層１３ｃの成膜領域を、リーク電流の原因となる層の成膜領域より広くするようにしている。これにより、正孔輸送層１３ｂの端面に沿って発光層１３ｃを形成し、リーク電流の原因となる層の端面と、第２電極１５との接触により生じるリーク電流を抑制することができる。
【００６３】
３．第３の実施の形態
(表示装置の構成)
この発明の第３の実施の形態による表示装置について説明する。図７は、この発明の第３の実施の形態による表示装置の構成を示す断面図である。この第３の実施の形態による表示装置は、有機層１３の構成を除き、第１の実施の形態による表示装置の構成と同様である。したがって、以下では、有機層１３の構成を中心に説明し、その他の説明を省略する。
【００６４】
図７に示すように、有機層１３は、第１の実施の形態と同様、正孔注入層１３ａ、正孔輸送層１３ｂ、発光層１３ｃおよび電子輸送層１３ｄから構成される。正孔注入層１３ａ、正孔輸送層１３ｂ、発光層１３ｃおよび電子輸送層１３ｄは、基板１１側からこの順で積層されている。
【００６５】
有機ＥＬ素子２１では、図８に示すように、正孔注入層１３ａおよび正孔輸送層１３ｂの端面を、これらの端面に沿って形成された発光層１３ｃによって覆う構造とする。これにより、正孔注入層１３ａの端面および正孔輸送層１３ｂの端面が、第２電極１５に接触しないようにしている。
【００６６】
すなわち、発光層１３ｃは、正孔注入層１３ａおよび正孔輸送層１３ｂより高い抵抗を有し、この発光層１３ｃによって、正孔注入層１３ａおよび正孔輸送層１３ｂの端面を覆う構造とする。これにより、正孔注入層１３ａおよび正孔輸送層１３ｂの端面が発光層１３ｃから露出しないようにされる。この構造では、正孔注入層１３ａおよび正孔輸送層１３ｂの端面と第２電極１５との間には、発光層１３ｃが介在するので、正孔注入層１３ａおよび正孔輸送層１３ｂの端面と第２電極１５とが接触することはない。
【００６７】
この構造とすることで、正孔注入層１３ａおよび正孔輸送層１３ｂと第２電極１５との間の電流の流れを、発光層１３ｃによって遮断することができる。すなわち、図中の矢印に示すような第１電極１２からの電流の流れを、発光層１３ｃによって、遮断することができる。これにより、正孔注入層１３ａおよび正孔輸送層１３ｂの端面を介して第２電極１５にリークする電流を抑制することができる。
【００６８】
このように、第３の実施の形態では、正孔注入層１３ａおよび正孔輸送層１３ｂの端面を介して第２電極１５にリークする電流を抑制対象としている。すなわち、有機層１３を構成する各層のうち正孔注入層１３ａおよび正孔輸送層１３ｂの抵抗が低いため、正孔注入層１３ａおよび正孔輸送層１３ｂの端面の少なくとも何れかと第２電極１５と接触すると、これらの端面からリーク電流が生じてしまう。そこで、第３の実施の形態では、リーク電流の原因となる正孔注入層１３ａおよび正孔輸送層１３ｂの端面と第２電極１５との間に、こららの層より抵抗の高い発光層１３ｃを介在させる。これにより、正孔注入層１３ａおよび正孔輸送層１３ｂの端面を介して第２電極１５にリークする電流を抑制する。
【００６９】
＜効果＞
この発明の第３の実施の形態では、リーク電流の原因となる正孔注入層１３ａおよび正孔輸送層１３ｂの端面を、これらの端面に沿って形成された発光層１３ｃで覆うようにする。これにより、正孔注入層１３ａの端面および正孔輸送層１３ｂの端面と第２電極１５との接触を避けることができるので、リーク電流を抑制することができる。
【００７０】
４．第４の実施の形態
（表示装置の製造方法）
上述の表示装置の製造方法について説明する。なお、この表示装置の製造方法は、有機層１３の形成以外は第２の実施の形態と同様であるので、以下の説明では、有機層１３の形成について詳細に説明し、その他の説明は省略する。
【００７１】
[有機層の形成]
図９を参照しながら、有機層１３の形成について説明する。以下に説明する工程により、Ｒの発光領域に対応する有機層１３（Ｒ）、Ｇの発光領域に対応する有機層１３（Ｇ）、およびＢの発光領域に対応する有機層１３（Ｂ）を上述のように順次形成する。
【００７２】
[正孔注入層の形成]
まず、図９Ａに示す基板１１に形成された第１電極１２および絶縁層１８上に、図９Ｂに示すように、正孔注入層１３ａを形成する。正孔注入層１３ａは、真空蒸着法で形成する。正孔注入層１３ａは、蒸着源（図示省略）と第１電極との間にマスク３２を配置した状態で、正孔注入層１３ａとなる有機材料を真空蒸着する。
【００７３】
この有機材料は、マスク３２の開口部を通過して、第１電極１２の露出部分および第１電極１２の周縁部に設けられた絶縁層１８の一部に堆積する。これにより、マスク３２の開口に対応した成膜領域に、正孔注入層１３ａがパターン形成される。
【００７４】
なお、マスク３２は、後述の工程で用いるマスク３１より、開口サイズが小さく設定される。例えば、マスク３２および後述の工程で用いるマスク３１の開口は例えば矩形状である。例えば、マスク３２の開口の各４辺の長さは、マスク３１の開口の各４辺の長さより夫々小さく設定される。例えば、各４辺同士の差が夫々０．５μｍ以上となるように設定される。
【００７５】
[正孔輸送層の形成]
次に、図９Ｃに示すように、正孔注入層１３ａ上に、正孔輸送層１３ｂを形成する。正孔輸送層１３ｂは、真空蒸着法で形成する。正孔輸送層１３ｂは、蒸着源（図示省略）と正孔注入層１３ａとの間にマスク３２を配置した状態で、正孔輸送層１３ｂとなる有機材料を、真空蒸着する。この有機材料は、マスク３２の開口を通過して、正孔注入層１３ａ上に堆積する。これにより、マスク３２の開口に対応した成膜領域に、正孔輸送層１３ｂがパターン形成される。
【００７６】
[発光層の形成]
次に、図１０Ｄに示すように、正孔輸送層１３ｂ上に、発光層１３ｃを形成する。発光層１３ｃは、真空蒸着法で形成する。発光層１３ｃは、蒸着源（図示省略）と正孔輸送層１３ｂとの間にマスク３１を配置した状態で、発光層１３ｃの材料となる有機材料を、真空蒸着する。この有機材料は、マスク３１の開口を通過して、正孔輸送層１３ｂの上面に堆積する。また、この有機材料は、正孔注入層１３ａの端面および正孔輸送層１３ｂの端面に沿って、絶縁層１８の一部に発光層１３ｃとなる材料が堆積する。これにより、マスク３１の開口に対応した成膜領域に、発光層１３ｃがパターン形成される。
【００７７】
図１０Ｄに示す工程で用いるマスク３１は、上述のマスク３２より、開口サイズが大きいものである。したがって、マスク３１の開口に対応する発光層１３ｃの成膜領域は、マスク３２に対応する、正孔注入層１３ａおよび正孔輸送層１３ｂの成膜領域より大きくなる。これにより、発光層１３ｃの成膜領域と、正孔注入層１３ａおよび正孔輸送層１３ｂの成膜領域とが重複しない領域では、以下のように発光層１３ｃとなる有機材料が堆積していく。すなわち、正孔注入層１３ａの端面および正孔輸送層１３ｂの端面に沿って絶縁層１８の一部に発光層１３ｃとなる有機材料が堆積していき、正孔注入層１３ａの端面および正孔輸送層１３ｂの端面が、発光層１３ｃで覆われる構造を形成する。
【００７８】
[電子輸送層の形成]
次に、図１０Ｅに示すように、発光層１３ｃ上に、電子輸送層１３ｄを形成する。電子輸送層１３ｄは、真空蒸着法で形成する。電子輸送層１３ｄは、蒸着源（図示省略）と発光層１３ｃとの間にマスク３１を配置した状態で、電子輸送層１３ｄとなる有機材料を、真空蒸着する。この有機材料は、マスク３１の開口部を通過して、発光層１３ｃ上に堆積する。これにより、マスク３１の開口部に対応した成膜領域に、電子輸送層１３ｄがパターン形成される。
【００７９】
以上説明した有機層１３の形成工程では、正孔注入層１３ａ、正孔輸送層１３ｂ、発光層１３ｃ、電子輸送層１３ｄの順で成膜を行う。成膜の際に、リーク電流の原因となる層（ここでは正孔注入層１３ａおよび正孔輸送層１３ｂ）の上方の発光層１３ｃの成膜領域を、リーク電流の原因となる層の成膜領域より広くするようにしている。なお、発光層１３ｃは、正孔注入層１３ａおよび正孔輸送層１３ｂより高い抵抗を有する。
【００８０】
＜効果＞
この発明の第４の実施の形態では、有機層の形成において、リーク電流の原因となる抵抗の低い正孔輸送層１３ａおよび正孔注入層１３ｂの上方の発光層１３ｃの成膜領域を、正孔輸送層１３ａおよび正孔注入層１３ｂの成膜領域より広くするようにしている。これにより、正孔注入層１３ａの端面および正孔輸送層１３ｂの端面を、この端面に沿って形成された発光層１３ｃで覆う構造を形成する。よって、リーク電流の原因となる層の端面と、第２電極１５との接触により生じるリーク電流を抑制することができる。
【００８１】
５．第５の実施の形態
（表示装置の構成）
この発明の第５の実施の形態による表示装置の構成について説明する。この発明の第５の実施の形態による表示装置の構成は、図１に示す表示装置において、正孔輸送層１３ｂの材料および厚さが、有機ＥＬ素子２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂで共通とされている。その他については、第１の実施の形態と同様である。
【００８２】
＜効果＞
この発明の第５の実施の形態では、この発明の第１の実施の形態と同様の効果を有する。
【００８３】
６．第６の実施の形態
（表示装置の製造方法）
上述の表示装置の製造方法について説明する。この表示装置の製造方法では、材料および厚さが共通する、有機層１３（Ｒ）、有機層１３（Ｇ）および有機層１３（Ｂ）の正孔輸送層１３ｂを一括で形成する。正孔輸送層１３ｂは、共通するその構成材料を同じ膜厚で一括成膜することによって形成する。その後、各有機層１３ごとに正孔輸送層１３ｂ以外の層を順次その構成材料を成膜することによって形成する。
【００８４】
このときの成膜領域について、図１１を参照して説明する。図１１に示すように、線Ｑ１囲まれる矩形状の成膜領域（以下、狭い成膜領域Ｑ１と称する）、および線Ｑ２で囲まれる矩形状の成膜領域（以下、広い成膜領域Ｑ２と称する）のいずれかの成膜領域が、有機層１３の各層となる材料の成膜領域に設定される。
【００８５】
狭い成膜領域Ｑ１は、リーク原因となる抵抗の低い正孔輸送層１３ｂを構成する材料の成膜領域に設定される。広い成膜領域Ｑ２は、その他の有機層１３を構成する材料の成膜領域に設定される。以下、図１１〜図１３を参照しながら、この発明の第６の実施の形態による表示装置の製造方法について説明する。
【００８６】
[第１電極および絶縁層１８の形成]
まず、図１２Ａに示すように、ＴＦＴ（図示省略）が形成された基板１１上に、第１電極１２を形成した後、絶縁層１８を形成する。第１電極１２は、真空蒸着により基板全面に、第１電極１２となる材料を形成した後、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、マトリックス状にパターニングする。
【００８７】
絶縁層１８は、パターニングされた第１電極１２の周縁を覆うようにパターン形成する。これにより、第１電極１２が露出する部分を形成する。絶縁層１８は、感光性樹脂を、例えばスピンコーティングで塗布した後、フォトリソグラフィにより、パターン形成する。
【００８８】
[正孔注入層の形成]
その後、Ｒ、Ｇ、Ｂの各発光領域に対応する各有機層１３の正孔注入層１３ａを、真空蒸着法により、順次パターン形成する。このときの成膜領域は、図１１に示す広い成膜領域Ｑ２である。なお、図示は省略しているが、広い成膜領域Ｑ２に対応した開口サイズのマスクを用いる。
【００８９】
[正孔輸送層の形成]
次に、図１２Ｂに示すように、真空蒸着法により、Ｒ、Ｇ、Ｂの各発光領域に対応する正孔輸送層１３ｂを、同じ膜厚で同時に一括で形成する。成膜領域は、図１１に示す狭い成膜領域Ｑ１とされる。このとき、狭い成膜領域Ｑ１に対応した開口サイズのマスク５３を用いる。
【００９０】
[発光層および電子輸送層の形成]
次に、図１２Ｃに示すように、Ｒの発光領域に対応する発光層１３ｃ、電子輸送層１３ｄを順次パターン形成する。このときの成膜領域は、広い成膜領域Ｑ２とされる。このとき用いるマスク５５の開口サイズは、広い成膜領域Ｑ２に対応している。
【００９１】
次に、図１３Ｄに示すように、Ｇの発光領域に対応する発光層１３ｃ、電子輸送層１３ｄを順次パターン形成する。このときの成膜領域は、図１１に示す広い成膜領域Ｑ２とされる。このとき用いるマスク５５の開口は、広い成膜領域Ｑ２に対応している。
【００９２】
次に、図１３Ｅに示すように、Ｂの発光領域に対応する発光層１３ｃ、電子輸送層１３ｄを順次パターン形成する。このときの成膜領域は、図１１に示す広い成膜領域Ｑ２とされる。このとき用いるマスク５５の開口サイズは、広い成膜領域Ｑ２に対応している。
【００９３】
[第２電極等の形成]
次に、図１３Ｆに示すように、第２電極１５および保護膜１７を形成する。第２電極１５は、真空蒸着法により形成する。第２電極１５は電子輸送層１３ｄの全面および絶縁層１８の一部に真空蒸着する。その後、第２電極１５上に、保護膜１７を真空蒸着し、さらに、保護膜１７上に紫外線硬化型樹脂をスピンコーティングし接着層（図示省略）を形成した後、封止基板１９を保護膜１７に対して接着層を介して接着する。以上により、表示装置を得ることができる。
【００９４】
＜効果＞
この発明の第６の実施の形態による表示装置の製造方法は、第２の実施の形態と同様の効果を有する。
【００９５】
７．第７の実施の形態
（表示装置の製造方法）
この発明の第７の実施の形態による表示装置の製造方法について説明する。この発明の要部である有機層１３の形成が、第２の実施の形態と異なり、その他は、第２の実施の形態と同様である。したがって、以下では、有機層１３の形成について説明し、その他の説明は省略する。
【００９６】
[有機層の形成]
図１４および図１５を参照しながら、有機層１３の形成について説明する。以下に説明する工程により、Ｒの発光領域に対応する有機層１３（Ｒ）、Ｇの発光領域に対応する有機層１３（Ｇ）およびＢの発光領域に対応する有機層１３（Ｂ）を形成する。
【００９７】
[正孔注入層１３ａの形成]
まず、図１４Ａに示す基板１１に形成された第１電極１２および絶縁層１８上に、正孔注入層１３ａを形成する。正孔注入層１３ａは、転写法で形成する。すなわち、まず、図１４Ｂに示すように、転写基板３０を、第１電極１２と正孔注入層１３ａとなる有機材料で構成する転写層３３ａとが互いに対向するように配置した状態とする。
【００９８】
転写基板３０は、基板３１上に、ＳｉＮx、ＳｉＯ2などから構成される酸化保護層３５、Ｃｒ、Ｍｏなどから構成される光熱変換層３４、および熱転写する有機材料から構成される転写層３３がこの順で積層された構造を有する。転写層３３は、光熱変換層３４上において、正孔注入層１３ａを形成する領域に対応した所定領域Ｐ１（図中点線で囲まれた領域）にパターン形成されている。転写層３３は後述する工程によって、熱転写される。
【００９９】
次に、基板３１側から、レーザ光Ｌを照射する。光熱変換層３４にレーザ光Ｌの照射エネルギーを吸収させ、その熱を利用して、正孔注入層１３ａとなる材料で構成された転写層３３を、第１電極１２上に熱転写する。レーザ光は、例えば波長８００ｎｍ程度のレーザ光を用いる。これにより、第１電極１２の露出部分および絶縁層１８上において、所定領域Ｐ１に対応した領域に、正孔注入層１３ａがパターン形成される。
【０１００】
なお、正孔注入層１３ａとなる材料で構成された転写層３３が形成される所定領域Ｐ１は、例えば矩形状の領域である。この所定領域Ｐ１は、後述の工程において、正孔輸送層１３ｂとなる材料で構成された転写層３３が形成される所定領域Ｐ２より、広い領域が設定される。例えば、矩形状の所定領域Ｐ１の各４辺は、矩形状の所定領域Ｐ２の各４辺より、それぞれ大きく設定される。例えば、各４辺同士の差は、それぞれ例えば０．５μｍ以上となるように設定されることが好ましい。
【０１０１】
[正孔輸送層１３ｂの形成]
次に、正孔注入層１３ａ上に、正孔輸送層１３ｂを形成する。正孔輸送層１３ｂは、転写法で形成する。すなわち、図１４Ｃに示すように、まず、転写基板３０を、正孔注入層１３ａと、正孔輸送層１３ｂとなる有機材料で構成する転写層３３とが互いに対向するように配置した状態とする。なお、転写層３３は、光熱変換層３４上において、正孔輸送層１３ｂを形成する領域に対応した所定領域Ｐ２（図中点線で囲まれた領域）でパターン形成されている。
【０１０２】
次に、基板３１側から、レーザ光Ｌを照射する。光熱変換層３４にレーザ光Ｌの照射エネルギーを吸収させ、その熱を利用して、正孔輸送層１３ｂとなる材料で構成された転写層３３を、正孔注入層１３上に熱転写する。これにより、所定領域Ｐ２に対応した領域に、正孔輸送層１３ｂがパターン形成される。
【０１０３】
[発光層の形成]
次に、正孔輸送層１３ｂ上に、発光層１３ｃを形成する。発光層１３ｃは、転写法で形成する。すなわち、図１５Ｄに示すように、まず、転写基板３０を、正孔輸送層１３ｂと発光層１３ｃとなる有機材料で構成する転写層３３とが互いに対向するように配置した状態とする。なお、転写層３３は、光熱変換層３４上において、発光層１３ｃを形成する領域に対応した所定領域Ｐ１にパターン形成されている。
【０１０４】
次に、基板３１側から、レーザ光Ｌを照射する。光熱変換層にレーザ光Ｌの照射エネルギーを吸収させ、その熱を利用して、発光層１３ｃとなる材料で構成された転写層３３を、正孔輸送層１３ｂ上に熱転写する。これにより、所定領域Ｐ１に対応した領域に、発光層１３ｃがパターン形成される。
【０１０５】
図１５Ｄに示す工程においては、所定領域Ｐ１は、上述の所定領域Ｐ２より、広い範囲とされる。したがって、発光層１３ｃの形成領域は、正孔輸送層１３ｂの形成領域より広い範囲となる。これにより、所定領域Ｐ１において、所定領域Ｐ２と重複しない領域では、正孔輸送層１３ｂの端面に沿って発光層１３ｃとなる有機材料が、絶縁層１８の一部に形成され、正孔輸送層１３ｂの端面が、発光層１３ｃによって覆われる構造を形成する。
【０１０６】
[電子輸送層の形成]
次に、発光層１３ｃ上に、電子輸送層１３ｄを形成する。電子輸送層１３ｄは、転写法で形成する。すなわち、図１５Ｅに示すように、まず、転写基板３０を、発光層１３ｃと、電子輸送層１３ｄとなる有機材料で構成する転写層３３とが互いに対向するように配置した状態とする。なお、転写層３３は、光熱変換層３４上において、電子輸送層１３ｄを形成する領域に対応した所定領域Ｐ１にパターン形成する。
【０１０７】
次に、基板３１側から、レーザ光Ｌを照射する。光熱変換層３４にレーザ光Ｌの照射エネルギーを吸収させ、その熱を利用して、電子輸送層１３ｄとなる有機材料で構成された転写層３３を、発光層１３ｃ上に熱転写する。これにより、図１５Ｆに示すように、所定領域Ｐ１に対応した位置に、電子輸送層１３ｄがパターン形成される。以上により有機層１３を形成できる。
【０１０８】
＜効果＞
この発明の第７の実施の形態では、第２の実施の形態と同様の効果を有する。
【０１０９】
８．表示装置の適用例
上述した第１、３および５の各実施の形態で説明した表示装置の適用例について説明する。第１、３および５の各実施の形態による表示装置は、テレビジョン装置、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
【０１１０】
（モジュール）
第１、３および５の各実施の形態による表示装置は、例えば、図１６に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールの表示領域８０には、複数の有機ＥＬ素子２１Ｒ、２１Ｇおよび２１Ｂがマトリック状に配置されている。また、表示領域８０には、複数の走査線と複数の信号線とが縦横に配線され、走査線と複数の信号線との各交差部には、有機ＥＬ素子２１、スイッチング用のＴＦＴ、駆動用のＴＦＴなどで構成された画素駆動回路が設けられている。表示領域８０の周辺領域には、輝度情報に応じた映像信号を信号線に供給する信号線駆動回路９０と走査線を走査駆動する走査線駆動回路１００とが設けられている。
【０１１１】
このモジュールは、例えば、基板１１の一辺に、封止基板１９および接着層から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路９０および走査線駆動回路１００の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。
【０１１２】
（適用例１）
図１７は、第１、３および５の各実施の形態による表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、第１、３および５の各実施の形態による表示装置により構成されている。
【０１１３】
（適用例２）
図１８は、第１、３および５の各実施の形態による表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、第１、３および５の各実施の形態による表示装置により構成されている。
【０１１４】
（適用例３）
図１９は、第１、３および５の各実施の形態による表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０、文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、第１、３および５の各実施の形態による表示装置により構成されている。
【０１１５】
（適用例４）
図２０は、第１、３および５の各実施の形態による表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０、この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０、撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、第１、３および５の各実施の形態による表示装置により構成されている。
【０１１６】
（適用例５）
図２１は、第１、３および５の各実施の形態による表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０、サブディスプレイ７５０、ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、第１、３および５の実施の形態による表示装置により構成されている。
【実施例】
【０１１７】
以下、実施例によりこの発明を具体的に説明するが、この発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。以下の実施例では、本発明の具体的な実施例、およびこれらの実施例に対する比較例の有機ＥＬパネルの製造手順と、これらの評価結果を説明する。
【０１１８】
＜実施例１＞
実施例１においては、上述の実施の形態で有機ＥＬパネルを作製した。以下にその製造手順を説明する。
【０１１９】
[陽極および絶縁層の形成]
まず、厚さ０．７ｍｍのＴＦＴ基板１１上に、アルミニウム−ネオジム（１０％）の陽極（第１電極１２）を１２０ｎｍの膜厚で形成した。
【０１２０】
次に、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、陽極を以下の条件でパターニングした。
画素数：水平３２０×垂直２４０（個）
画素ピッチ：水平０．３ｍｍ×垂直０．３ｍｍ
【０１２１】
次に、ポリイミドを用いてフォトリソグラフィにより、陽極上に絶縁層１８をパターン形成することで、１色あたり２２５μｍ×７５μｍの発光領域を形成した。
【０１２２】
次に、Ｂの発光領域に対応する有機層１３（Ｂ）、Ｇの発光領域に対応する有機層１３（Ｇ）およびＲの発光領域に対応する有機層１３（Ｒ）をこの順で、以下のようにして形成した。
【０１２３】
[有機層１３（Ｂ）の形成]
Ｂの発光領域に対応する有機層１３（Ｂ）を以下のようにして形成した。なお、有機層１３（Ｂ）の形成において、有機層１３（Ｂ）を構成する各層の形成に用いるマスクは以下のようにした。
【０１２４】
正孔注入層１３ａの形成 開口サイズ２４５μｍ×９５μｍのマスクを使用
正孔輸送層１３ｂの形成 開口サイズ２４５μｍ×９５μｍのマスクを使用
発光層１３ｃの形成 開口サイズ２５０μｍ×１００μｍのマスクを使用
電子輸送層１３ｄの形成 開口サイズ２５０μｍ×１００μｍのマスクを使用
【０１２５】
[正孔注入層１３ａの形成]
まず、真空蒸着法により、開口サイズ２４５μｍ×９５μｍのマスクを用いて、陽極上に、正孔注入層１３ａとして、式（１）で表される化合物の膜を、１５ｎｍの膜厚（蒸着速度０．２〜０．４／ｓｅｃ）で形成した。
【０１２６】
【化１】
【０１２７】
[正孔輸送層の形成]
次に、真空蒸着法により、開口サイズ２４５μｍ×９５μｍのマスクを用いて、正孔注入層１３ａ上に、正孔輸送層１３ｂとして、α−ＮＰＤ(Ｎ，Ｎ'−ビス（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニル[１，１'-ビフェニル]−４，４'―ジアミン)の膜を１３０ｎｍの膜厚（蒸着速度１．０〜１．２／ｓｅｃ）で形成した。
【０１２８】
[発光層（Ｂ）の形成]
次に、真空蒸着法により、開口サイズ２５０μｍ×１００μｍのマスクを用いて、発光層１３ｃを形成した。発光層１３ｃの形成では、ホスト材料として、ＡＤＮ（９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン）を用い、ドーパントとしてＢＤ−０５２ｘ（出光興産株式会社：商品名）を用いた。これらの材料を、真空蒸着法により、ドーパント濃度が膜厚比で５％になるように、３２ｎｍの合計膜厚で成膜した。
【０１２９】
[電子輸送層の形成]
次に、真空蒸着法により、開口サイズ２５０μｍ×１００μｍのマスクを用いて、Ａｌｑ３（８−ヒドロキシキノリンアルミニウム）の膜を１８ｎｍの膜厚で形成した。
【０１３０】
[有機層１３（Ｇ）の形成]
Ｇの発光領域に対応する有機層１３（Ｇ）を以下のようにして形成した。なお、有機層１３（Ｇ）の形成において、有機層１３（Ｇ）を構成する各層の形成に用いるマスクは以下のようにした。
【０１３１】
正孔注入層１３ａの形成 開口サイズ２４５μｍ×９５μｍのマスクを使用
正孔輸送層１３ｂの形成 開口サイズ２４５μｍ×９５μｍのマスクを使用
発光層１３ｃの形成 開口サイズ２５０μｍ×１００μｍのマスクを使用
電子輸送層１３ｄの形成 開口サイズ２５０μｍ×１００μｍのマスクを使用
【０１３２】
[正孔注入層１３ａの形成]
まず、真空蒸着法により、開口サイズ２４５μｍ×９５μｍのマスクを用いて、陽極上に、正孔注入層１３ａとして、（式１）で表される化合物の膜を、１５ｎｍの膜厚（蒸着速度０．２〜０．４／ｓｅｃ）で形成した。
【０１３３】
[正孔輸送層の形成]
次に、真空蒸着法により、開口サイズ２４５μｍ×９５μｍのマスクを用いて、正孔注入層１３ａ上に、正孔輸送層１３ｂとして、α−ＮＰＤ(Ｎ，Ｎ'−ビス（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニル[１，１'-ビフェニル]−４，４'―ジアミン)を１７０ｎｍの膜厚（蒸着速度１．０〜１．２／ｓｅｃ）で形成した。
【０１３４】
[発光層（Ｇ）の形成]
次に、真空蒸着法により、開口サイズ２５０×１００μｍのマスクを用いて、発光層１３ｃを形成した。発光層１３ｃの形成では、ホスト材料として、ＡＤＮ（９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン）を用い、ドーパントとして式（２）で表される化合物を用いた。これらの材料を、真空蒸着法により、ドーパント濃度が膜厚比で６％になるように、２８ｎｍの合計膜厚で成膜した。
【０１３５】
【化２】
【０１３６】
[電子輸送層の形成]
次に、真空蒸着法により、開口サイズ２５０μｍ×１００μｍのマスクを用いて、Ａｌｑ３（８−ヒドロキシキノリンアルミニウム）の膜を４０ｎｍの膜厚で形成した。
【０１３７】
[有機層１３（Ｒ）の形成]
Ｒの発光領域に対応する有機層１３（Ｒ）を以下のようにして形成した。なお、有機層１３（Ｒ）の形成において、有機層１３（Ｒ）を構成する各層の形成に用いるマスクは以下のようにした。
【０１３８】
正孔注入層１３ａの形成 開口サイズ２４５μｍ×９５μｍのマスクを使用
正孔輸送層１３ｂの形成 開口サイズ２４５μｍ×９５μｍのマスクを使用
発光層１３ｃの形成 開口サイズ２５０μｍ×１００μｍのマスクを使用
電子輸送層１３ｄの形成 開口サイズ２５０μｍ×１００μｍのマスクを使用
【０１３９】
[正孔注入層１３ａの形成]
まず、真空蒸着法により、開口サイズ２４５μｍ×９５μｍのマスクを用いて、陽極上に、正孔注入層１３ａとして、式（１）で表される化合物の膜を、１５ｎｍの膜厚（蒸着速度０．２〜０．４／ｓｅｃ）で形成した。
【０１４０】
[正孔輸送層の形成]
次に、真空蒸着法により、開口サイズ２４５μｍ×９５μｍのマスクを用いて、正孔注入層１３ａ上に、正孔輸送層１３ｂとして、α−ＮＰＤ(Ｎ，Ｎ'−ビス（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニル[１，１'-ビフェニル]−４，４'―ジアミン)を１９０ｎｍの膜厚（蒸着速度１．０〜１．２／ｓｅｃ）で形成した。
【０１４１】
[発光層（Ｒ）の形成]
次に、真空蒸着法により、開口サイズ２５０×１００μｍのマスクを用いて、発光層１３ｃを形成した。発光層１３ｃの形成では、ホスト材料として、ルブレンを用い、ドーパントとして式（３）で表されるジベンゾ[ｆ，ｆ’]ジインデン[１,２,３−ｃｄ：１’,２’,３’−ｌｍ]ぺリレン誘導体を用いた。これらの材料を、真空蒸着法により、ドーパント濃度が膜厚比で１％になるように、４３ｎｍの合計膜厚で成膜した。
【０１４２】
【化３】
【０１４３】
[電子輸送層の形成]
次に、真空蒸着法により、開口サイズ２５０×１００μｍのマスクを用いて、Ａｌｑ３（８−ヒドロキシキノリンアルミニウム）の膜を５０ｎｍの膜厚で形成した。
【０１４４】
[陰極の形成]
以上のようにして、形成した有機層１３および絶縁層１８上に、２層構造の陰極（第２電極１５）を形成した。まず、陰極の第１層として、真空蒸着法により、ＬｉＦの膜を約０．３ｎｍの膜厚（０．０１ｎｍ／ｓｅｃ以下）で形成した。次に、陰極の第２層として、真空蒸着法により、ＭｇＡｇの膜を１０ｎｍの膜厚（０．０１ｎｍ／ｓｅｃ以下）で形成した。
【０１４５】
[保護膜の形成]
次に、真空蒸着法により、保護層１７としてＳｉＯ2の膜を、有機層１３および陰極全体をカバーするように５０ｎｍの膜厚で形成した。
【０１４６】
以上により、ＲＧＢ３色を独立して発光する有機ＥＬパネル（画素数：水平３２０×垂直２４０、画素ピッチ：水平０．３×垂直０．３ｍｍ）を作製した。
【０１４７】
[評価]
以上のようにして作製した有機ＥＬパネルの有機ＥＬ素子２１に対して、０Ｖ〜７Ｖまでの電流―電圧特性を測定した。その結果、有機ＥＬ素子２１Ｂでは、閾値電圧は３．０Ｖであった。また、有機ＥＬ素子２１Ｇでは、閾値電圧は３．２Ｖであった。有機ＥＬ素子Ｒでは、閾値電圧は３．５Ｖであった。
【０１４８】
リーク電流を評価するため、閾値電圧より０．２Ｖ低い電圧での１ピクセルあたりの電流密度を測定した。その結果、有機ＥＬ素子２１Ｂでは、測定によって得られた電流密度が２．８×１０-10[ｍＡ／ｃｍ2]であった。有機ＥＬ素子２１Ｇでは、測定によって得られた電流密度が２．０×１０-10[ｍＡ／ｃｍ2]であった。有機ＥＬ素子２１Ｒでは、測定によって得られた電流密度が１．３×１０-10[ｍＡ／ｃｍ2]であった。
【０１４９】
また、この方法で作製した有機ＥＬパネルでは、３ｎｉｔ以下の低輝度領域においてもリーク電流を起因とする発光ムラは確認されなかった。
【０１５０】
＜比較例１＞
真空蒸着法により、開口サイズ２４５μｍ×９５μｍのマスクのみで有機層１３を形成した。すなわち、有機層１３（Ｂ）、有機層１３（Ｇ）、有機層１３（Ｒ）の形成において、各層の形成に用いるマスクを以下のようにした。
【０１５１】
正孔注入層１３ａの形成 開口サイズ２４５μｍ×９５μｍのマスクを使用
正孔輸送層１３ｂの形成 開口サイズ２４５μｍ×９５μｍのマスクを使用
発光層１３ｃの形成 開口サイズ２４５μｍ×９５μｍのマスクを使用
電子輸送層１３ｄの形成 開口サイズ２４５μｍ×９５μｍのマスクを使用
【０１５２】
以上の点以外は、実施例１と同様にして、ＲＧＢの３色を独立して発光する有機ＥＬパネル（画素数：水平３２０×垂直２４０（個）、画素ピッチ：水平０．３ｍｍ×垂直０．３ｍｍを作製した。
【０１５３】
[評価]
以上のようにして作製した有機ＥＬパネルの有機ＥＬ素子２１に対して、０Ｖ〜７Ｖまでの電流―電圧特性を測定した。その結果、閾値電圧は変化がなかった。すなわち、有機ＥＬ素子２１Ｂでは、閾値電圧は３．０Ｖであった。また、有機ＥＬ素子２１Ｇでは、閾値電圧は３．２Ｖであった。有機ＥＬ素子Ｒでは、閾値電圧は３．５Ｖであった。
【０１５４】
リーク電流を評価するため、閾値電圧より０．２Ｖ低い電圧での１ピクセルあたりの電流密度を測定した。その結果、有機ＥＬ素子２１Ｂでは、測定によって得られた電流密度が１．２×１０-8[ｍＡ／ｃｍ2]であった。有機ＥＬ素子２１Ｇでは、測定によって得られた電流密度が７．２×１０-9[ｍＡ／ｃｍ2]であった。有機ＥＬ素子２１Ｒでは、測定によって得られた電流密度が８．３×１０-9[ｍＡ／ｃｍ2]であった。
【０１５５】
すなわち、この比較例１の結果と上述の実施例１の結果とを比べると、実施例１では、比較例１に比べてリーク電流が一桁以上低減されたことがわかった。
【０１５６】
また、比較例１の有機ＥＬパネルでは、３ｎｉｔ以下の低輝度領域においてリーク電流を起因とする発光ムラが確認された。
【０１５７】
９．他の実施の形態
この発明は、上述したこの発明の実施形態に限定されるものでは無く、この発明の要旨を逸脱しない範囲内で様々な変形や応用が可能である。例えば、上述の実施の形態において挙げた数値、構造、形状、材料等はあくまでも例にすぎず、必要に応じて、これらと異なる数値、構造、形状、材料等を用いてもよい。
【０１５８】
例えば、第１〜第７の実施の形態では、有機層１３の構成は、正孔注入層１３ａ／正孔輸送層１３ｂ／発光層１３ｃ／電子輸送層１３ｄとしたがこれに限定されるものではない。必要に応じて、適宜、有機層を構成する層数を増加したり、減少してもよい。この場合、抵抗の低いリーク原因となる層の端面に沿って、リーク原因となる層より抵抗の高い他の層を形成することによって、リーク原因となる層の端面を覆うようにする。これにより、リーク原因となる層の端面と第２電極とが接触しない構造とすることで、リーク電流を抑制することができる。
【０１５９】
例えば、第１〜第７の実施の形態では、上面発光型の表示装置について説明したが、下面発光型（ボトムエミッション型）の表示装置にも適用することができる。また、各有機ＥＬ素子にＴＦＴが接続され、このＴＦＴによって、各有機ＥＬ素子の発光を独立して制御するアクティブマトリックス方式に限定されるものではない。例えばパッシブマトリックス方式にも適用可能である。
【０１６０】
第２、第４、第６の実施の形態では、有機層１３を構成する各層を真空蒸着法で形成する例について説明し、第７の実施の形態では、有機層１３を構成する各層を転写法で形成する例について説明したが、これに限定されるものではない。
【０１６１】
例えば、有機層１３を印刷法で形成してもよい。このとき、有機層１３を構成する層の印刷パターンの範囲を、各構成層ごとに適宜設定する。すなわち、抵抗の低いリーク電流の原因となる層を、狭い範囲の印刷パターンとする。そして、リーク電流の原因となる層より抵抗の高い層を、広い範囲の印刷パターンとする。これにより、リーク電流の原因となる層の端面をリーク電流の原因とならない層で覆う構造を形成し、リーク電流を抑制することができる。
【０１６２】
また、第２、第４、第６の実施の形態では、有機層１３を構成する各層を全て真空蒸着法で形成する例について説明し、第７の実施の形態では、有機層１３を構成する各層を全て転写法で形成する例について説明したが、これに限定されるものではない。
【０１６３】
例えば、有機層１３の各層を、真空蒸着法および転写法の両方を用いて形成してもよい。すなわち、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層を真空蒸着法で形成し、発光層のみを転写法で形成してもよい。勿論、真空蒸着法および印刷法の両方を用いて形成してもよく、転写法および印刷法の両方、または、真空蒸着法、印刷法および転写法を用いて、形成してもよい。
【０１６４】
また、第１〜第７の実施の形態では、有機層１３をマトリックス状に配置した例につい説明したがこれに限定されるものではない。例えば、異なる発光色（例えばＲ、Ｇ、Ｂ）に対応する各有機層をストライプ状に配置するように構成した表示装置にも適用可能である。このように構成した有機層の形成では、ストライプ状のマスクを用いるが、このストライプ状のマスクを用いた場合でも、有機層を構成する各層に応じて、マスクの開口サイズを変えることによって、リークの原因となる抵抗の低い層の端面を覆う構造を形成することができる。
【０１６５】
また、第７の実施の形態では、転写層をパターン形成してから熱転写したが、転写層を基板の全面に形成して、レーザの照射範囲を選択的に変えるようにしてもよい。
【０１６６】
また、必要に応じて、第１、第３の実施の形態の有機ＥＬ素子を組み合わせて表示装置を構成することも可能である。例えば、有機ＥＬ素子２１Ｒを第１の実施の形態の構成とし、有機ＥＬ素子２１Ｇおよび有機ＥＬ素子２１Ｂを第３の実施の形態の構成として、表示装置を構成することも可能である。
【符号の説明】
【０１６７】
１１・・・基板
１３・・・有機層
１３ａ・・・正孔注入層
１３ｂ・・・正孔輸送層
１３ｃ・・・発光層
１３ｂ・・・転写層
１３ｄ・・・電子輸送層
１５・・・電極
１７・・・保護膜
１８・・・絶縁層
１９・・・封止基板
３０・・・転写基板
３３・・・転写層
３４・・・光熱変換層
３５・・・酸化保護層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と、
第２電極と、
上記第１電極および上記第２電極の間に設けられ、有機材料で構成される有機層と
を有し、
上記有機層は、発光層を含む複数の層から構成され、
上記複数の層のうちの少なくとも１層からなる第１の層の端面が、該第１の層の上方に位置する層のうちの少なくとも１層からなる第２の層によって、覆われた表示装置。
【請求項２】
上記第２の層は、上記第１の層より抵抗の高い層である
請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
上記有機層は、上記発光層の他に正孔注入層および正孔輸送層を有し、
上記第１の層は、上記正孔注入層および上記正孔輸送層のうちの少なくとも何れかの層を含み、
上記第２の層は、上記発光層を含む請求項１記載の表示装置。
【請求項４】
上記有機層を構成する各層の材料構成が、発光色ごとに異なる
請求項１記載の表示装置。
【請求項５】
上記有機層を構成する各層の厚さ構成が、発光色ごとに異なる
請求項１記載の表示装置。
【請求項６】
第１電極と、第２電極と、上記第１電極および上記第２電極の間に設けられ、発光層を含む、有機材料で構成される複数の層で構成される有機層とを有する表示装置の製造方法であって、
上記有機層の形成工程は、上記複数の層のうちの少なくとも１層からなる第１の層を形成する第１の工程と、
上記第１の層より上方に位置する層のうちの少なくとも１層からなる第２の層を、上記第１の層の端面に沿って形成する第２の工程と
を有する
表示装置の製造方法。
【請求項７】
上記第２の層は、上記第１の層より抵抗の高い層である
請求項６記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
上記第１の工程において、上記第１の層の形成は、上記第１の層となる有機材料を第１の成膜範囲で成膜することによって行い、
上記第２の工程において、上記２の層の形成は、上記第２の層となる有機材料を上記第１の成膜範囲より広い第２の成膜範囲で成膜することによって行う
請求項６記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
上記有機層は、上記発光層の他に正孔注入層および正孔輸送層を有し、
上記第１の層は、上記正孔注入層および上記正孔輸送層のうちの少なくとも何れかの層を含み、
上記第２の層は、上記発光層を含む
請求項６記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
上記有機層の形成工程は、蒸着法、転写法および印刷法の少なくとも何れかによって行う
請求項６記載の表示装置の製造方法。
【請求項１】
第１電極と、
第２電極と、
上記第１電極および上記第２電極の間に設けられ、有機材料で構成される有機層と
を有し、
上記有機層は、発光層を含む複数の層から構成され、
上記複数の層のうちの少なくとも１層からなる第１の層の端面が、該第１の層の上方に位置する層のうちの少なくとも１層からなる第２の層によって、覆われた表示装置。
【請求項２】
上記第２の層は、上記第１の層より抵抗の高い層である
請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
上記有機層は、上記発光層の他に正孔注入層および正孔輸送層を有し、
上記第１の層は、上記正孔注入層および上記正孔輸送層のうちの少なくとも何れかの層を含み、
上記第２の層は、上記発光層を含む請求項１記載の表示装置。
【請求項４】
上記有機層を構成する各層の材料構成が、発光色ごとに異なる
請求項１記載の表示装置。
【請求項５】
上記有機層を構成する各層の厚さ構成が、発光色ごとに異なる
請求項１記載の表示装置。
【請求項６】
第１電極と、第２電極と、上記第１電極および上記第２電極の間に設けられ、発光層を含む、有機材料で構成される複数の層で構成される有機層とを有する表示装置の製造方法であって、
上記有機層の形成工程は、上記複数の層のうちの少なくとも１層からなる第１の層を形成する第１の工程と、
上記第１の層より上方に位置する層のうちの少なくとも１層からなる第２の層を、上記第１の層の端面に沿って形成する第２の工程と
を有する
表示装置の製造方法。
【請求項７】
上記第２の層は、上記第１の層より抵抗の高い層である
請求項６記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
上記第１の工程において、上記第１の層の形成は、上記第１の層となる有機材料を第１の成膜範囲で成膜することによって行い、
上記第２の工程において、上記２の層の形成は、上記第２の層となる有機材料を上記第１の成膜範囲より広い第２の成膜範囲で成膜することによって行う
請求項６記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
上記有機層は、上記発光層の他に正孔注入層および正孔輸送層を有し、
上記第１の層は、上記正孔注入層および上記正孔輸送層のうちの少なくとも何れかの層を含み、
上記第２の層は、上記発光層を含む
請求項６記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
上記有機層の形成工程は、蒸着法、転写法および印刷法の少なくとも何れかによって行う
請求項６記載の表示装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【公開番号】特開２０１１−２９３２２（Ｐ２０１１−２９３２２Ａ）
【公開日】平成２３年２月１０日（２０１１．２．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１７２１５４（Ｐ２００９−１７２１５４）
【出願日】平成２１年７月２３日（２００９．７．２３）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年２月１０日（２０１１．２．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年７月２３日（２００９．７．２３）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
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