【課題】時間階調方式で表示する時に発生する擬似輪郭を低減する。
【解決手段】ｎビット（ｎは整数）で階調を表現する場合、２進数で表示される階調の各ビットを３個のビット群に分け、１フレームを２個のサブフレーム群に分割する。そして第１ビット群に属するビットに相当するａ個（ａは０＜ａ＜ｎの整数）のサブフレームを３個以上に分割して、各サブフレーム群に概ね半数ずつ配置し、第２ビット群に属するビットに相当するｂ個（ｂは０＜ｂ＜ｎの整数）のサブフレームを２個に分割して、各サブフレーム群に１つずつ配置し、第３ビット群に属するビットに相当するｃ個（ｃは０≦ｃ＜ｎの整数：ａ＋ｂ＋ｃ＝ｎ）のサブフレームを、少なくとも１個のサブフレーム群に配置する。このとき、各サブフレーム群で、第１ビット群および第２ビット群に属するビットに相当する複数のサブフレームとの出現順序が概ね同じになるように配置する。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置およびその駆動方法、特に時間階調方式を適用した表示装置に関する
。
【背景技術】
【０００２】
近年、画素を発光ダイオード（ＬＥＤ）などの発光素子で形成した、いわゆる自発光型
の表示装置が注目を浴びている。このような自発光型の表示装置に用いられる発光素子と
しては、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎ
ｇ Ｄｉｏｄｅ）、有機ＥＬ素子、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍ
ｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）素子などとも言う）が注目を集めており、ＥＬディスプレイ
などに用いられるようになってきている。ＯＬＥＤなどの発光素子は自発光型であるため
、液晶ディスプレイに比べて画素の視認性が高く、バックライトが不要で応答速度が速い
等の利点がある。また発光素子の輝度は、そこを流れる電流値によって制御される。
【０００３】
このような表示装置の発光階調を制御する駆動方式として、デジタル階調方式とアナロ
グ階調方式とがある。デジタル階調方式はデジタル制御で発光素子をオンオフさせ、階調
を表現している。一方、アナログ階調方式には、発光素子の発光強度をアナログ制御する
方式と発光素子の発光時間をアナログ制御する方式がある。
【０００４】
デジタル階調方式の場合、発光・非発光の２状態しかないため、このままでは、２階調
しか表現できない。そこで、別の手法を組み合わせて、多階調化を図ることが行われてい
る。多階調化のための手法としては、時間階調方式を用いることが多い。
【０００５】
デジタル制御で画素の表示状態を制御して、時間階調を組み合わせて階調を表現するデ
ィスプレイとしては、デジタル階調方式を用いた有機ＥＬディスプレイの他にも、いくつ
かが存在する。例えば、プラズマディスプレイなどである。
【０００６】
時間階調方式とは、発光している期間の長さや、発光する回数を制御して、階調を表現
する方法である。つまり、１フレームを複数のサブフレームに分割し、各サブフレームに
、発光回数や発光時間などの重み付けを行い、重み付けの総量（発光回数の総和や、発光
時間の総和）に、階調ごとに差を付けることによって、階調を表現している。このような
時間階調方式を用いると、擬似輪郭（または偽輪郭）などと呼ばれる表示不良が生じるこ
とが知られており、その対策が検討されている（特許文献１参照）。
【０００７】
また、フレーム周波数を上げて、擬似輪郭を低減することが行われている。その方法の
１つとして、サブフレームの長さを半分にして、１フレーム内のサブフレーム数を２倍に
するというものがある。これは、実質的にフレーム周波数を２倍にしたものと同じである
（特許文献２参照）。この方法を、本明細書中では倍速フレーム方式と呼ぶこととする。
【０００８】
ここで、５ビット表示（３２階調）の場合を考える。まず、従来の時間階調方式による
サブフレームの選択方法、つまり、各階調において各々のサブフレームを点灯させるか否
かを図４３に示す。図４３では、１フレームを５個のサブフレーム（ＳＦ１〜ＳＦ５）に
分割し、各サブフレームの点灯期間の長さを、ＳＦ１＝１、ＳＦ２＝２、ＳＦ３＝４、Ｓ
Ｆ４＝８、ＳＦ５＝１６としている。つまり、点灯期間の長さが２のべき乗になっている
。なお、階調数の１と点灯期間の長さの１とが対応するものとする。これらの点灯期間を
組み合わせることにより、３２階調（５ビット階調）の表示が可能となる。
【０００９】
ここで、図４３の見方について述べる。○印がついているサブフレームでは点灯し、×
印がついているサブフレームでは非点灯となる。そして、各階調数において、どのサブフ
レームで点灯するかを選択することにより、階調を表現する。例えば、階調数０では、Ｓ
Ｆ１〜ＳＦ５は、非点灯になる。階調数１では、ＳＦ２〜ＳＦ５は非点灯となり、ＳＦ１
は点灯となる。階調数７では、ＳＦ４、ＳＦ５は非点灯となり、ＳＦ１〜ＳＦ３は点灯と
なる。
【００１０】
次に、図４３の場合に倍速フレーム方式を適用した例を図４４に示す。図４３の各サブ
フレームを２等分することにより、１０個のサブフレーム（ＳＦ１〜ＳＦ１０）ができ、
点灯期間の長さは、ＳＦ１＝０．５、ＳＦ２＝１、ＳＦ３＝２、ＳＦ４＝４、ＳＦ５＝８
、ＳＦ６＝０．５、ＳＦ７＝１、ＳＦ８＝２、ＳＦ９＝４、ＳＦ１０＝８となる。これに
より、フレーム周波数が実質的に２倍になる。
【００１１】
また、６ビット表示（６４階調）の場合についても同様に考えることができる。図４５
に示すような６ビット表示用の時間階調方式によるサブフレーム構成に倍速フレーム方式
を適用した例を図４６に示す。図４５の各サブフレームを２等分することにより、１２個
のサブフレーム（ＳＦ１〜ＳＦ１２）ができ、点灯期間の長さは、ＳＦ１＝０．５、ＳＦ
２＝１、ＳＦ３＝２、ＳＦ４＝４、ＳＦ５＝８、ＳＦ６＝１６、ＳＦ７＝０．５、ＳＦ８
＝１、ＳＦ９＝２、ＳＦ１０＝４、ＳＦ１１＝８、ＳＦ１２＝１６となる。なお、階調数
の１と点灯期間の長さの１とが対応するものとする。５ビット表示の場合と同様に、各階
調数において、どのサブフレームで点灯するかを選択することにより、階調を表現する。
【００１２】
このように、各サブフレームを２等分することにより、フレーム周波数を実質的に２倍
にすることができる。
【００１３】
また、フレーム周波数を上げる別の方式として、特許文献３に記載の方法がある。
【００１４】
特許文献３では、８ビット表示（２５６階調）の場合について説明している。この場合
のサブフレームの選択方法を図４７に示す。８ビット表示の場合、従来の時間階調方式で
は、１フレームを８個のサブフレームに分割し、各サブフレームの点灯期間の長さを、１
、２、４、８、１６、３２、６４、１２８のように２のべき乗としている。一方、特許文
献３では、前記８個のサブフレームのうち、点灯期間の長い方から順に４個のサブフレー
ムのみ分割した例を示している。この場合のサブフレームの選択方法を図４７（Ａ）に示
す。
【００１５】
また、特許文献３では、各サブフレームの点灯期間の長さを２のべき乗にするのではな
く、１、２、４、８、１６、３２、４８、６４、８０のように、上位５ビット間の隣り合
ったビット間の差分が１６という等差数列を用いて２５６階調を表現する場合において、
点灯期間の長い方から順に５個のサブフレームのみを分割した例を示している。この場合
のサブフレームの選択方法を図４７（Ｂ）に示す。
【００１６】
このような方法を用いることにより、実質的にフレーム周波数を上げることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１７】
【特許文献１】特許第２９０３９８４号
【特許文献２】特開２００４−１５１１６２号
【特許文献３】特開２００１−４２８１８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
しかし、倍速フレーム方式でも、点灯期間の選び方が大きく変わってしまうところでは
、擬似輪郭が生じていた。
【００１９】
まず、５ビット表示の場合について考える。例えば、図４４で示したサブフレームを用
いて、画素Ａでは階調数１５を表現し、その隣の画素Ｂでは、階調数１６を表現するとす
る。その場合の、各サブフレームにおける点灯・非点灯の状態を、図４８に示す。ここで
、視線が動かずに、ずっと画素Ａのみ、もしくは、画素Ｂのみを見ていた場合を図４８（
Ａ）に示す。この場合、擬似輪郭は生じない。なぜなら、視線が通った場所の明るさの和
によって、目が明るさを感じるためである。よって、画素Ａでは、階調数が１５（＝４＋
２＋１＋０．５＋４＋２＋１＋０．５）であると感じ、画素Ｂでは、階調数が１６（＝８
＋８）であると感じる。すなわち、正しい階調を目が感じていることになる。
【００２０】
一方、視線が、画素Ａから画素Ｂへ、もしくは、画素Ｂから画素Ａに移ったとする。そ
の場合を図４８（Ｂ）に示す。この場合、視線の動き方によって、あるときは、階調数が
１５．５（＝４＋２＋１＋０．５＋８）と感じ、あるときは、階調数が２３．５（＝８＋
８＋４＋２＋１＋０．５）と感じてしまう。本来は、階調数が１５と１６に見えるべきで
あるのに、階調数が１５．５や２３．５のように見えてしまい、擬似輪郭が発生してしま
う。
【００２１】
次に、６ビット表示（６４階調）の場合を図４９に示す。例えば、画素Ａでは階調数３
１を表現し、その隣の画素Ｂでは、階調数３２を表現すると仮定すると、５ビット表示の
場合と同様に、視線の動き方によって、あるときは、階調数が３１．５（＝８＋４＋２＋
１＋０．５＋１６）と感じ、あるときは、階調数が４７．５（＝１６＋１６＋８＋４＋２
＋１＋０．５）と感じてしまう。本来は、階調数が３１と３２に見えるべきであるのに、
階調数が３１．５や４７．５のように見えてしまい、擬似輪郭が発生してしまう。
【００２２】
さらに、図４７（Ａ）の場合を図５０（Ａ）に、図４７（Ｂ）の場合を図５０（Ｂ）に
示す。例えば、画素Ａでは階調数１２７を表現し、その隣の画素Ｂでは、階調数１２８を
表現すると仮定すると、これまでに示した例と同様に、視線の動き方によって感じる階調
数が異なってしまう。例えば、図５０（Ａ）の場合、あるときは、階調数が１２１（＝６
４＋３２＋１６＋８＋１）と感じ、あるときは、階調数が１３４（＝３２＋１６＋８＋８
＋４＋２＋６４）と感じてしまう。また、図５０（Ｂ）の場合、あるときは、階調数が１
２０（＝４０＋２４＋３２＋１６＋８）と感じ、あるときは、階調数が１３４（＝３２＋
１６＋８＋８＋４＋２＋４０＋２４）と感じてしまう。いずれにしても、本来は、階調数
が１２７と１２８に見えるべきであるのに、感じる階調数に幅が生じてしまうため擬似輪
郭が発生してしまう。
【００２３】
また、倍速フレーム方式では、サブフレーム数が多くなるので、デューティー比（１フ
レームにおける点灯期間の割合）が小さくなってしまう。よって、平均輝度を、倍速フレ
ーム方式を用いない場合と同じにするために発光素子に加わる電圧が大きくなり、消費電
力が大きくなったり、発光素子の信頼性が低下したりしていた。
【００２４】
本発明はこのような問題点に鑑み、少ないサブフレーム数で構成され、擬似輪郭を低減
できる表示装置、およびその駆動方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２５】
前述した課題を解決するために、本発明においては以下に説明するような駆動方法を考
案した。
【００２６】
本発明は、１フレームを複数のサブフレームに分割して階調を表現する表示装置の駆動
方法において、ｎビット（ここで、ｎは整数）で階調を表現する場合、２進数で表示され
る階調の各ビットを第１ビット群、第２ビット群、第３ビット群の３種類に区別し、１フ
レームを、２個のサブフレーム群に分割し、第１ビット群に属するビットに相当するａ個
（ここで、ａは０＜ａ＜ｎの整数）のサブフレームを、３個以上に分割して、１フレーム
の２個の各サブフレーム群に概ね半数ずつ配置し、第２ビット群に属するビットに相当す
るｂ個（ここで、ｂは０＜ｂ＜ｎの整数）のサブフレームを、２個に分割し、１フレーム
の２個の各サブフレーム群に１つずつ配置し、第３ビット群に属するビットに相当するｃ
個（ここで、ｃは０≦ｃ＜ｎの整数で、ａ＋ｂ＋ｃ＝ｎを満たす）のサブフレームを、１
フレームの２個のサブフレーム群のうち少なくとも１個のサブフレーム群に配置し、１フ
レームの２個のサブフレーム群で、第１ビット群に属するビットに相当する複数のサブフ
レームと、前記第２ビット群に属するビットに相当する複数のサブフレームとの出現順序
が概ね同じであることを特徴としている。ここで概ね半数とは、例えばサブフレームをｘ
分割した場合にｙ個とｚ個（ｚ＝ｘ−ｙ：ｙ＞ｚ）とに分けて各サブフレーム群に配置し
た際の、ｙに対するｚの割合（つまり、ｚ／ｙ）が０．５以上となる場合を言うものとす
る。つまり、あるサブフレームを３分割した場合に、サブフレームを、１個と２個とに分
けて各サブフレーム群に配置するような場合を含む。もちろん、完全に半数であっても良
いから、１≧ｚ／ｙ≧０．５で示される範囲内であればよい。より好ましくは、１≧ｚ／
ｙ≧０．６５、さらに好ましくは１≧ｚ／ｙ≧０．８の範囲が良い。半数に近いほど理想
的な条件となり本発明の擬似輪郭低減の効果が大きくなるため、好ましい。
【００２７】
また、本発明は、１フレームを複数のサブフレームに分割して階調を表現する表示装置
の駆動方法において、ｎビット（ここで、ｎは整数）で階調を表現する場合、２進数で表
示される階調の各ビットを第１ビット群、第２ビット群、第３ビット群の３種類に区別し
、１フレームを、ｋ個（ここで、ｋはｋ≧３の整数）のサブフレーム群に分割し、第１ビ
ット群に属するビットに相当するａ個（ここで、ａは０＜ａ＜ｎの整数）のサブフレーム
を、（ｋ＋１）個以上に分割して、１フレームのｋ個の各サブフレーム群に概ね同数ずつ
配置し、第２ビット群に属するビットに相当するｂ個（ここで、ｂは０＜ｂ＜ｎの整数）
のサブフレームを、ｋ個に分割し、１フレームのｋ個の各サブフレーム群に１つずつ配置
し、前記第３ビット群に属するビットに相当するｃ個（ここで、ｃは０≦ｃ＜ｎの整数で
、ａ＋ｂ＋ｃ＝ｎを満たす）のサブフレームを、（ｋ−１）個以下に分割するか、もしく
は分割せずに、１フレームのｋ個のサブフレーム群のうち少なくとも１個のサブフレーム
群に配置し、１フレームのｋ個のサブフレーム群で、第１ビット群に属するビットに相当
する複数のサブフレームと、第２ビット群に属するビットに相当する複数のサブフレーム
との出現順序が概ね同じであることを特徴としている。ここで概ね同数とは、各サブフレ
ーム群に分割して配置したサブフレームについて、配置された個数が最大のものをＹ、最
小のものをＺとした際の、Ｙに対するＺの割合（つまり、Ｚ／Ｙ）が０．５以上となる場
合を言うものとする。つまり、あるサブフレームを４分割して３個のサブフレーム群に配
置する場合に、サブフレームを、１個、１個、２個（つまりＺ＝１、Ｙ＝２）、に分けて
各サブフレーム群に配置するような場合を含む。もちろん、完全に同数であっても良いか
ら、１≧Ｚ／Ｙ≧０．５で示される範囲内であればよい。より好ましくは、１≧Ｚ／Ｙ≧
０．６５、さらに好ましくは１≧Ｚ／Ｙ≧０．８の範囲が良い。同数に近いほど理想的な
条件となり本発明の擬似輪郭低減の効果が大きくなるため、好ましい。
【００２８】
ここで、サブフレーム群とは、複数のサブフレームで構成されるグループを指す。なお
、１フレームを複数のサブフレーム群に分割する場合、各サブフレーム群を構成するサブ
フレームの数に限定はない。ただし、概ね等しいサブフレーム数で構成するのが望ましい
。また、各サブフレーム群の点灯期間の長さに限定はない。ただし、各サブフレーム群で
、点灯期間の長さを概ね等しくするのが望ましい。
【００２９】
また、本明細書中では、２進数で表示される階調数において、その各ビットを３種類の
ビット群、つまり、第１ビット群、第２ビット群、第３ビット群に分けることとする。こ
の３種類のビット群は、階調の各ビットに対応するサブフレームの分割数の違いによって
区別される。つまり、第１ビット群を、階調の各ビットに対応するサブフレームを、サブ
フレーム群の個数よりも多い個数に分割するビットを有する群とし、第２ビット群を、階
調の各ビットに対応するサブフレームを、サブフレーム群の個数と同じ個数に分割するビ
ットを有する群とし、第３ビット群を、階調の各ビットに対応するサブフレームを、サブ
フレーム群の個数未満の個数に分割するか、もしくは、分割しないビットを有する群と定
義する。よって、上位のビット（重みが大きいビット）が必ず第１ビット群で、中位のビ
ット（重みが中程度のビット）が必ず第２ビット群で、下位のビット（重みが小さいビッ
ト）が必ず第３ビット群である、ということではない。例えば、上位のビットでも、サブ
フレーム群の個数と同じ個数に分割する場合は第２ビット群に属し、サブフレーム群の個
数未満の個数に分割する場合は第３ビット群に属する。同様に、下位のビットでも、サブ
フレーム群の個数よりも多い個数に分割する場合は第１ビット群に属し、サブフレーム群
の個数と同じ個数に分割する場合は第２ビット群に属する。
【００３０】
なお、サブフレームの分割とは、サブフレームの有する点灯期間の長さを分けることを
言う。
【００３１】
また、第１ビット群に属するビットに相当する複数のサブフレームと、第２ビット群に
属するビットに相当する複数のサブフレームとの出現順序が概ね同じである、ということ
は、完全に一致する場合だけではなく、第１ビット群に属するビットに相当する複数のサ
ブフレームと、第２ビット群に属するビットに相当する複数のサブフレームとの間に、第
３ビット群に属するビットに対応するサブフレームがある場合も含むものとする。
【００３２】
なお、本発明におけるトランジスタには、様々な形態のトランジスタを適用させること
が出来る。よって、適用可能なトランジスタの種類に限定はない。したがって、非晶質シ
リコンや多結晶シリコンに代表される非単結晶半導体膜を用いた薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）、半導体基板やＳＯＩ基板を用いて形成されるＭＯＳ型トランジスタ、接合型トラン
ジスタ、バイポーラトランジスタ、ＺｎＯ、ａ−ＩｎＧａＺｎＯ（アモルファスＩｎＧａ
ＺｎＯ）などの化合物半導体を用いたトランジスタ、有機半導体やカーボンナノチューブ
を用いたトランジスタ、その他のトランジスタを適用することができる。また、トランジ
スタが配置されている基板の種類は、様々なものを用いることができ、特定のものに限定
されることはない。従って例えば、単結晶基板、ＳＯＩ基板、ガラス基板、プラスチック
基板、紙基板、セロファン基板、石材基板などに配置することが出来る。また、ある基板
でトランジスタを形成し、その後、別の基板にトランジスタを移動させて、別の基板上に
配置するようにしてもよい。
【００３３】
なお、本発明において、接続されているとは、電気的に接続されている場合と直接接続
されている場合とを含むものとする。したがって、本発明が開示する構成において、所定
の接続関係に加え、その間に電気的な接続を可能とする他の素子（例えば、スイッチやト
ランジスタや容量素子やインダクタや抵抗素子やダイオードなど）が配置されていてもよ
い。あるいは、間に他の素子を挟まずに、配置されていてもよい。なお、電気的な接続を
可能とする他の素子を間に介さずに接続されていて、直接接続されている場合のみを含む
場合であって、電気的に接続されている場合を含まない場合には、直接接続されている、
あるいは、直接的に接続されている、と記載するものとする。なお、電気的に接続されて
いる、と記載する場合は、電気的に接続されている場合と直接接続されている場合とを含
むものとする。
【００３４】
なお、本発明において、半導体装置とは半導体素子（トランジスタやダイオードなど）
を含む回路を有する装置をいう。また、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般
でもよい。また、表示装置とは、表示素子（液晶素子や発光素子など）を有する装置のこ
とを言う。なお、基板上に液晶素子やＥＬ素子などの表示素子を含む複数の画素やそれら
の画素を駆動させる周辺駆動回路が形成された表示パネル本体のことでもよい。さらに、
フレキシブルプリントサーキット（ＦＰＣ）やプリント配線基盤（ＰＷＢ）が取り付けら
れたものも含んでもよい。また、発光装置とは、特にＥＬ素子やＦＥＤで用いる素子など
の自発光型の表示素子を有している表示装置をいう。液晶表示装置とは、液晶素子を有し
ている表示装置をいう。
【００３５】
なお、トランジスタはその構造上、ソースとドレインの区別が困難である。さらに、回
路の動作によっては、電位の高低が入れ替わる場合もある。したがって、本明細書中では
、ソースとドレインは特に特定せず、第１電極、第２電極と記述する。例えば、第１電極
がソースである場合には、第２電極とはドレインを指し、逆に第１電極がドレインである
場合には、第２電極とはソースを指すものとする。
【発明の効果】
【００３６】
本発明では、擬似輪郭を低減することが可能となる。したがって、表示品位が向上し、
綺麗な画像をみることが出来るようになる。また、従来の倍速フレーム方式よりもデュー
ティー比が向上するため、発光素子にかかる電圧を小さくすることができる。これにより
、消費電力を低減し、発光素子の劣化を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の駆動方式によるサブフレームの選択方法の一例を示す図。
【図２】本発明の駆動方式において、擬似輪郭が低減する原因を示す図。
【図３】本発明の駆動方式によるサブフレームの選択方法の一例を示す図。
【図４】本発明の駆動方式によるサブフレームの選択方法の一例を示す図。
【図５】本発明の駆動方式において、擬似輪郭が低減する原因を示す図。
【図６】本発明の駆動方式によるサブフレームの選択方法の一例を示す図。
【図７】本発明の駆動方式によるサブフレームの選択方法の一例を示す図。
【図８】本発明の駆動方式によるサブフレームの選択方法の一例を示す図。
【図９】本発明の駆動方式によるサブフレームの選択方法の一例を示す図。
【図１０】本発明の駆動方式によるサブフレームの選択方法の一例を示す図。
【図１１】本発明の駆動方式によるサブフレームの選択方法の一例を示す図。
【図１２】本発明の駆動方式によるサブフレームの選択方法の一例を示す図。
【図１３】本発明の駆動方式によるサブフレームの選択方法の一例を示す図。
【図１４】本発明の駆動方式によるサブフレームの選択方法の一例を示す図。
【図１５】本発明の駆動方式でガンマ補正を行った場合のサブフレームの選択方法の一例を示す図。
【図１６】本発明の駆動方式でガンマ補正を行った場合の階調数と輝度の関係を示す図。
【図１７】本発明の駆動方式でガンマ補正を行った場合のサブフレームの選択方法の一例を示す図。
【図１８】本発明の駆動方式でガンマ補正を行った場合の階調数と輝度の関係を示す図。
【図１９】本発明の駆動方式において、擬似輪郭が低減する原因を示す図。
【図２０】本発明の駆動方式において、擬似輪郭が低減する原因を示す図。
【図２１】本発明の駆動方式におけるサブフレームの出現順序の一例を示す図。
【図２２】本発明の駆動方式によるサブフレームの選択方法の一例を示す図。
【図２３】本発明の駆動方式によるサブフレームの選択方法の一例を示す図。
【図２４】画素の信号を書き込む期間と点灯期間が分離されている場合のタイミングチャートの一例を示す図。
【図２５】画素の信号を書き込む期間と点灯期間が分離されている場合の画素構成の一例を示す図。
【図２６】画素の信号を書き込む期間と点灯期間が分離されていない場合のタイミングチャートの一例を示す図。
【図２７】画素の信号を書き込む期間と点灯期間が分離されていない場合の画素構成の一例を示す図。
【図２８】１ゲート選択期間中に２行分選択するためのタイミングチャートの一例を示す図。
【図２９】画素の信号を消去する動作を行う場合のタイミングチャートの一例を示す図。
【図３０】画素の信号を消去する動作を行う場合の画素構成の一例を示す図。
【図３１】画素の信号を消去する動作を行う場合の画素構成の一例を示す図。
【図３２】画素の信号を消去する動作を行う場合の画素構成の一例を示す図。
【図３３】画素の信号を消去する動作を行う場合のタイミングチャートの一例を示す図。
【図３４】本発明の駆動方式を用いた表示装置の一例を示す図。
【図３５】本発明の駆動方式を用いた表示装置の一例を示す図。
【図３６】本発明の駆動方式を用いた表示装置の画素部レイアウトの一例を示す図。
【図３７】本発明の駆動方式を制御するハードウェアの一例を示す図。
【図３８】本発明の駆動方式を用いた携帯電話の一例を示す図。
【図３９】本発明の駆動方式を用いた表示パネルの一例を示す図。
【図４０】本発明の駆動方式を用いたＥＬモジュールの一例を示す図。
【図４１】本発明の駆動方式を用いたＥＬテレビ受像機の一例を示す図。
【図４２】本発明の駆動方式が適用される電子機器の一例を示す図。
【図４３】従来の時間階調方式によるサブフレームの選択方法を示す図。
【図４４】従来の倍速フレーム方式によるサブフレームの選択方法の一例を示す図。
【図４５】従来の時間階調方式によるサブフレームの選択方法を示す図。
【図４６】従来の倍速フレーム方式によるサブフレームの選択方法の一例を示す図。
【図４７】従来の倍速フレーム方式によるサブフレームの選択方法の一例を示す図。
【図４８】従来の倍速フレーム方式において、擬似輪郭が発生する原因を示す図。
【図４９】従来の倍速フレーム方式において、擬似輪郭が発生する原因を示す図。
【図５０】従来の倍速フレーム方式において、擬似輪郭が発生する原因を示す図。
【図５１】本発明の駆動方式によるサブフレームの選択方法の一例を示す図。
【図５２】本発明に用いることができる薄膜トランジスタの作製工程の一例を示す図。
【図５３】本発明の画素構成を有する表示パネルを説明する図。
【図５４】本発明の画素構成の有する表示装置に適用可能な発光素子の例を示す図。
【図５５】発光素子の出射構造を説明する図。
【図５６】カラーフィルターを用いてフルカラー表示を行う表示パネルの断面図。
【図５７】表示パネルの部分断面図。
【図５８】表示パネルの部分断面図。
【図５９】表示パネルの部分断面図。
【図６０】表示パネルの部分断面図。
【図６１】表示パネルの部分断面図。
【図６２】表示パネルの部分断面図。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。ただし、本発明は多くの異な
る態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくそ
の形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本
実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００３９】
（実施の形態１）
本実施形態では、本発明の駆動方式を５ビット表示（３２階調）の場合、及び６ビット
表示（６４階調）の場合に適用した例について述べる。
【００４０】
本実施形態の駆動方式は、一例として、従来の時間階調方式において、第１ビット群に
属するビットに対応するサブフレームを４つに分割し、第２ビット群に属するビットに対
応するサブフレームを２つに分割し、第３ビット群に属するビットに対応するサブフレー
ムは分割しない。そして、１フレームを前半と後半の２個のサブフレーム群に分け、分割
した第１ビット群に属するビットを各サブフレーム群に２つずつ配置する。また、分割し
た第２ビット群に属するビットを各サブフレーム群に１つずつ配置し、第３ビット群に属
するビットの各々を２個のサブフレーム群のどちらか一方もしくは両方に配置する。この
とき、各サブフレーム群で、第１ビット群および第２ビット群に属するビットに対応する
サブフレームの出現順序を概ね同じにする。なお、第３ビット群に属するビットについて
は、分割しないと考えてもよいし、一旦２つに分割した後に１つのサブフレームに統合し
たと考えてもよい。
【００４１】
まず、５ビット表示（３２階調）の場合について考える。始めに、各階調におけるサブ
フレームの選択方法、つまり、各階調において各々のサブフレームを点灯させるか否かに
ついて述べる。ここで、５ビットで階調を表現した場合の本発明におけるサブフレームの
選択方法の一例を図１に示す。図１では、従来の時間階調方式（図４３）において、第１
ビット群に１ビット分、第２ビット群に２ビット分、第３ビット群に２ビット分を割り当
てるとし、第１ビット群に属するビットにＳＦ５、第２ビット群に属するビットにＳＦ３
、ＳＦ４、第３ビット群に属するビットにＳＦ１、ＳＦ２を割り当てる。そして、ＳＦ５
を４等分し、ＳＦ３、ＳＦ４をそれぞれ２等分し、ＳＦ１、ＳＦ２は分割しない。次に、
４分割した第１ビット群に属するビットを２個のサブフレーム群に２個ずつ配置し、２分
割した第２ビット群に属するビットを各サブフレーム群に１個ずつ配置し、第３ビット群
に属するビットを各サブフレーム群に配置する。つまり、第１ビット群に属するビットを
図１のＳＦ４、ＳＦ５、ＳＦ９、ＳＦ１０に配置し、第２ビット群に属するビットを図１
のＳＦ２、ＳＦ３、ＳＦ７、ＳＦ８に配置し、第３ビット群に属するビットを図１のＳＦ
１とＳＦ６に配置する。その結果、サブフレーム数は１０個となり、各サブフレームの点
灯期間の長さは、ＳＦ１＝１、ＳＦ２＝２、ＳＦ３＝４、ＳＦ４＝４、ＳＦ５＝４、ＳＦ
６＝２、ＳＦ７＝２、ＳＦ８＝４、ＳＦ９＝４、ＳＦ１０＝４となる。
【００４２】
このように各サブフレームを分割することにより、サブフレーム数を従来の倍速フレー
ム方式と同じ数に保つことができるため、フレーム周波数を従来の倍速フレーム方式と同
じにすることができ、フレーム周波数を実質的に２倍にすることができる。
【００４３】
次に、階調数の表現方法、つまり、各サブフレームの選択方法の一例について述べる。
特に、点灯期間の長さが等しいサブフレームに関して、サブフレームの選択に次のような
規則性があることが望ましい。
【００４４】
例えば、点灯期間の長さが２であるＳＦ２、ＳＦ６、ＳＦ７のうち、ＳＦ２とＳＦ７を
同時に点灯させる。元来は点灯期間が４のサブフレームであり、それをＳＦ２とＳＦ７に
分割したためである。同様に、点灯期間の長さが４であるＳＦ３〜ＳＦ５、ＳＦ８〜ＳＦ
１０のうち、ＳＦ３とＳＦ８およびＳＦ４、ＳＦ５、ＳＦ９、ＳＦ１０をそれぞれ同時に
点灯させる。ＳＦ３とＳＦ８は元来点灯期間が８のサブフレームを分割したものであり、
ＳＦ４、ＳＦ５、ＳＦ９、ＳＦ１０は元来点灯期間が１６のサブフレームを４分割したも
のであるからである。よって、例えば、階調数２を表現する場合には、点灯期間の長さが
２であるＳＦ２、ＳＦ６、ＳＦ７のうち、ＳＦ６を点灯させる。階調数４を表現する場合
は、点灯期間の長さが２であるＳＦ２、ＳＦ６、ＳＦ７のうち、同時に点灯するＳＦ２、
ＳＦ７を点灯させる。階調数８を表現する場合は、点灯期間の長さが４であるＳＦ３〜Ｓ
Ｆ５、ＳＦ８〜ＳＦ１０のうち、同時に点灯するＳＦ３、ＳＦ８を点灯させる。階調数１
６を表現する場合は、点灯期間の長さが４であるＳＦ３〜ＳＦ５、ＳＦ８〜ＳＦ１０のう
ち、同時に点灯するＳＦ４、ＳＦ５、ＳＦ９、ＳＦ１０を点灯させる。さらに階調数が大
きい場合も同様に、点灯、非点灯を選択する。
【００４５】
本発明の駆動方式を用いると、擬似輪郭を低減させることができる。例えば、図１にお
いて、画素Ａでは、階調数１５を表示し、画素Ｂでは、階調数１６で表示しているとする
。その場合の、各サブフレームにおける点灯・非点灯の状態を、図２に示す。ここで、視
線が動いたとすると、視線の追い方によって、あるときは階調数が１５（＝４＋４＋４＋
２＋１）と感じ、あるときは、階調数が１６（＝４＋２＋２＋４＋４）と感じる。この場
合を図２（Ａ）に示す。本来は、階調数が１５と１６に見えるべきであり、正しく見えて
いる。よって、擬似輪郭が低減される。
【００４６】
また、視線が急激に動いた場合を図２（Ｂ）に示す。視線が急激に動いたとすると、視
線の追い方によって、あるときは階調数が１５（＝４＋２＋４＋４＋１）と感じ、あると
きは、階調数が１６（＝４＋４＋２＋４＋２）と感じる。本来は、階調数が１５と１６に
見えるべきであり、正しく見えている。よって、擬似輪郭が低減される。
【００４７】
なお、各サブフレームにおける点灯期間の長さ（または、ある時間における点灯回数、
つまり、重み付けの量）は１、２、４としたが、これに限定されない。また、ＳＦ１＝１
、ＳＦ２＝２、ＳＦ３＝４、ＳＦ４＝４、ＳＦ５＝４、ＳＦ６＝２、ＳＦ７＝２、ＳＦ８
＝４、ＳＦ９＝４、ＳＦ１０＝４としたが、サブフレームの番号と点灯期間の長さとの対
応関係はこれに限定されない。
【００４８】
また、各サブフレームの選択方法は、これに限定されない。例えば、階調数４を表現す
る場合、本実施形態では、点灯期間の長さが２であるＳＦ２、ＳＦ６、ＳＦ７のうち、同
時に点灯するＳＦ２、ＳＦ７を点灯させたが、ＳＦ２、ＳＦ６を点灯させてもよい。
【００４９】
なお、第１ビット群および第２ビット群に属するビットに相当する複数のサブフレーム
の出現順序が概ね同じである、ということは、完全に一致する場合だけではなく、第１ビ
ット群に属するビットに相当する複数のサブフレームと、第２ビット群に属するビットに
相当する複数のサブフレームの間に、第３ビット群に属するビットに対応するサブフレー
ムがある場合も含むものとする。したがって、第３ビット群に属するビットに対応するサ
ブフレームの位置が、前半のサブフレーム群と後半のサブフレーム群とで異なっていても
、第１ビット群および第２ビット群に属するビットに対応するサブフレームの出現順序が
同じであればよい。この例を図５１に示す。図５１では、従来の時間階調方式（図４３）
において、第３ビット群に属するビットとして割り当てたＳＦ１とＳＦ２を、図５１のＳ
Ｆ３とＳＦ９に配置している。
【００５０】
なお、図１では、第３ビット群に属するビットに対応するサブフレームを２個のサブフ
レーム群に各々配置したが、これに限定されない。２個ともどちらか一方のサブフレーム
群に配置してもよい。例えば、図１において、第３ビット群に属する２個のビットを前半
のサブフレーム群に配置した例を図３に示す。図３では、従来の時間階調方式（図４３）
において、第３ビット群に属するビットとして割り当てたＳＦ１、ＳＦ２を、前半のサブ
フレーム群に配置している。つまり、第３ビット群に属するビットを図３のＳＦ１とＳＦ
２に配置している。
【００５１】
なお、点灯期間の長さは、全体の階調数（ビット数）や全体のサブフレーム数などによ
り、適宜変わるものである。よって、点灯期間の長さが同じであっても、全体の階調数（
ビット数）や全体のサブフレーム数が変われば、実際に点灯している期間の長さ（例えば
、何μｓであるか）については、変わる可能性がある。
【００５２】
なお、点灯期間は、ある時間内において、点灯し続ける場合に用いるものであり、点灯
回数は、ある時間内において、点滅し続ける場合に用いるものである。点灯回数を用いる
代表的なディスプレイは、プラズマディスプレイである。点灯期間を用いる代表的なディ
スプレイは、有機ＥＬディスプレイである。
【００５３】
次に、６ビット表示（６４階調）の場合について考える。ここで、６ビットで階調を表
現した場合の本発明におけるサブフレームの選択方法の一例を図４に示す。
【００５４】
図４では、従来の時間階調方式（図４５）において、第１ビット群に１ビット分、第２
ビット群に３ビット分、第３ビット群に２ビット分を割り当てるとし、第１ビット群に属
するビットにＳＦ６、第２ビット群に属するビットにＳＦ３、ＳＦ４、ＳＦ５、第３ビッ
ト群に属するビットにＳＦ１、ＳＦ２を割り当てる。そして、ＳＦ６を４等分し、ＳＦ３
、ＳＦ４、ＳＦ５をそれぞれ２等分し、ＳＦ１、ＳＦ２は分割しない。次に、４分割した
第１ビット群に属するビットを２個のサブフレーム群に２個ずつ配置し、２分割した第２
ビット群に属するビットを各サブフレーム群に１個ずつ配置し、第３ビット群に属するビ
ットを各サブフレーム群に配置する。つまり、第１ビット群に属するビットを図４のＳＦ
５、ＳＦ６、ＳＦ１１、ＳＦ１２に配置し、第２ビット群に属するビットを図４のＳＦ２
、ＳＦ３、ＳＦ４、ＳＦ８、ＳＦ９、ＳＦ１０に配置し、第３ビット群に属するビットを
図４のＳＦ１とＳＦ７に配置する。その結果、サブフレーム数は１２個となり、各サブフ
レームの点灯期間の長さは、ＳＦ１＝１、ＳＦ２＝２、ＳＦ３＝４、ＳＦ４＝８、ＳＦ５
＝８、ＳＦ６＝８、ＳＦ７＝２、ＳＦ８＝２、ＳＦ９＝４、ＳＦ１０＝８、ＳＦ１１＝８
、ＳＦ１２＝８となる。
【００５５】
５ビット表示の場合と同様に、本発明の駆動方式を用いると、擬似輪郭を低減させるこ
とができる。例えば、図４で示したサブフレームを用いて、画素Ａでは、階調数３１を表
示し、画素Ｂでは、階調数３２で表示しているとする。その場合の、各サブフレームにお
ける点灯・非点灯の状態を、図５に示す。ここで、視線が動いたとすると、視線の追い方
によって、あるときは階調数が３１（＝８＋８＋８＋４＋２＋１）と感じ、あるときは、
階調数が３２（＝８＋４＋２＋２＋８＋８）と感じる。この場合を図５（Ａ）に示す。本
来は、階調数が３１と３２に見えるべきであり、正しく見えている。よって、擬似輪郭が
低減される。
【００５６】
また、視線が急激に動いた場合を図５（Ｂ）に示す。視線が急激に動いたとすると、視
線の追い方によって、あるときは階調数が２７（＝８＋４＋２＋８＋４＋１）と感じ、あ
るときは、階調数が３６（＝８＋８＋２＋８＋８＋２）と感じる。本来は、階調数が３１
と３２に見えるべきであるのに、階調数が２７や３６のように見えてしまい、擬似輪郭が
発生してしまう。しかし、従来の倍速フレーム方式（図４６）よりも階調のずれが小さい
ため、擬似輪郭が低減される。
【００５７】
なお、５ビット表示の場合と同様に、各サブフレームにおける点灯期間の長さ（または
、ある時間における点灯回数、つまり、重み付けの量）は１、２、４、８であるとしたが
、これに限定されない。また、ＳＦ１＝１、ＳＦ２＝２、ＳＦ３＝４、ＳＦ４＝８、ＳＦ
５＝８、ＳＦ６＝８、ＳＦ７＝２、ＳＦ８＝２、ＳＦ９＝４、ＳＦ１０＝８、ＳＦ１１＝
８、ＳＦ１２＝８であるとしたが、サブフレームの番号と点灯期間の長さとの対応はこれ
に限定されない。また、サブフレームの選択方法は、これに限定されない。
【００５８】
なお、本実施形態において、各ビット群に何ビット分を割り当てるかは、これまでに説
明した例に限定されない。ただし、第１ビット群と第２ビット群に関しては、少なくとも
１ビット分は割り当てる方が望ましい。
【００５９】
例えば、５ビット表示の場合に、第１ビット群に１ビット分、第２ビット群に３ビット
分、第３ビット群に１ビット分を割り当てた例を図６に示す。従来の時間階調方式（図４
３）において、第１ビット群に属するビットにＳＦ５、第２ビット群に属するビットにＳ
Ｆ２〜ＳＦ４、第３ビット群に属するビットにＳＦ１を割り当てる。そして、ＳＦ５を４
分割し、ＳＦ２〜ＳＦ４を２分割し、ＳＦ１は分割しない。次に、４分割した第１ビット
群に属するビットを２個のサブフレーム群に２個ずつ配置し、２分割した第２ビット群に
属するビットを各サブフレーム群に１個ずつ配置し、第３ビット群に属するビットを一方
のサブフレーム群に配置する。つまり、第１ビット群に属するビットを図６のＳＦ５、Ｓ
Ｆ６、ＳＦ１０、ＳＦ１１に配置し、第２ビット群に属するビットを図６のＳＦ２〜ＳＦ
４、ＳＦ７〜ＳＦ９に配置し、第３ビット群に属するビットを図６のＳＦ１に配置する。
その結果、サブフレーム数は１１個となり、各サブフレームの点灯期間の長さは、ＳＦ１
＝１、ＳＦ２＝１、ＳＦ３＝２、ＳＦ４＝４、ＳＦ５＝４、ＳＦ６＝４、ＳＦ７＝１、Ｓ
Ｆ８＝２、ＳＦ９＝４、ＳＦ１０＝４、ＳＦ１１＝４となる。
【００６０】
また、例えば、５ビット表示の場合に、第１ビット群に２ビット分、第２ビット群に１
ビット分、第３ビット群に２ビット分を割り当てた例を図７に示す。従来の時間階調方式
（図４３）において、第１ビット群に属するビットにＳＦ４、ＳＦ５、第２ビット群に属
するビットにＳＦ３、第３ビット群に属するビットにＳＦ１、ＳＦ２を割り当てる。そし
て、ＳＦ４、ＳＦ５を４分割し、ＳＦ３を２分割し、ＳＦ１、ＳＦ２は分割しない。次に
、４分割した第１ビット群に属するビットを２個のサブフレーム群に２個ずつ配置し、２
分割した第２ビット群に属するビットを各サブフレーム群に１個ずつ配置し、第３ビット
群に属するビットを各サブフレーム群に配置する。つまり、第１ビット群に属するビット
を図７のＳＦ３〜ＳＦ６、ＳＦ９〜ＳＦ１２に配置し、第２ビット群に属するビットを図
７のＳＦ２、ＳＦ８に配置し、第３ビット群に属するビットを図７のＳＦ１、ＳＦ７に配
置する。その結果、サブフレーム数は１２個となり、各サブフレームの点灯期間は、ＳＦ
１＝１、ＳＦ２＝２、ＳＦ３＝２、ＳＦ４＝２、ＳＦ５＝４、ＳＦ６＝４、ＳＦ７＝２、
ＳＦ８＝２、ＳＦ９＝２、ＳＦ１０＝２、ＳＦ１１＝４、ＳＦ１２＝４となる。
【００６１】
また、例えば、５ビット表示の場合に、第１ビット群に１ビット分、第２ビット群に４
ビット分、第３ビット群に０ビット分を割り当てた例を図８に示す。従来の時間階調方式
（図４３）において、第１ビット群に属するビットにＳＦ５、第２ビット群に属するビッ
トに残りのＳＦ１〜ＳＦ４を割り当てる。そして、ＳＦ５を４分割し、残りのＳＦ１〜Ｓ
Ｆ４を２分割する。次に、４分割した第１ビット群に属するビットを２個のサブフレーム
群に２個ずつ配置し、２分割した第２ビット群に属するビットを各サブフレーム群に１個
ずつ配置する。つまり、第１ビット群に属するビットを図８のＳＦ５、ＳＦ６、ＳＦ１１
、ＳＦ１２に配置し、第２ビット群に属するビットを図８のＳＦ１〜ＳＦ４、ＳＦ７〜Ｓ
Ｆ１０に配置する。その結果、サブフレーム数は１２個となり、各サブフレームの点灯期
間の長さは、ＳＦ１＝０．５、ＳＦ２＝１、ＳＦ３＝２、ＳＦ４＝４、ＳＦ５＝４、ＳＦ
６＝４、ＳＦ７＝０．５、ＳＦ８＝１、ＳＦ９＝２、ＳＦ１０＝４、ＳＦ１１＝４、ＳＦ
１２＝４となる。
【００６２】
なお、図８は、図６において第３ビット群に属するビットを分割して、前半のサブフレ
ーム群と後半のサブフレーム群に配置したものとみなせる。その結果、第３ビット群に属
するビットについては、実質的にフレーム周波数が上がったとみなせる。そのため、目を
誤魔化しやすくなり、擬似輪郭を低減できる。
【００６３】
なお、本実施形態では、第１ビット群に属するビットとして、最上位のビット（重みが
最大のビット）を選択していたが、第１ビット群に属するビットとして選択するビットは
これに限定されない。第１ビット群に属するビットとして、どのビットを選択してもよい
。同様に、第２ビット群および第３ビット群に属するビットとして、どのビットを選択し
てもよい。
【００６４】
例えば、５ビット表示の場合に、第１ビット群に属するビットとして、２番目に上位の
ビットを選択した例を図９に示す。従来の時間階調方式（図４３）において、第１ビット
群に１ビット分、第２ビット群に２ビット分、第３ビット群に２ビット分を割り当てると
し、第１ビット群に属するビットに、２番目に上位のビットに対応するＳＦ４、第２ビッ
ト群に属するビットにＳＦ３、ＳＦ５、第３ビット群に属するビットにＳＦ１、ＳＦ２を
割り当てる。そして、ＳＦ４を４分割し、ＳＦ３、ＳＦ５をそれぞれ２分割し、ＳＦ１、
ＳＦ２は分割しない。次に、４分割した第１ビット群に属するビットを２個のサブフレー
ム群に２個ずつ配置し、２分割した第２ビット群に属するビットを各サブフレーム群に１
個ずつ配置し、第３ビット群に属するビットを各サブフレーム群に配置する。つまり、第
１ビット群に属するビットを図９のＳＦ３、ＳＦ４、ＳＦ８、ＳＦ９に配置し、第２ビッ
ト群に属するビットを図９のＳＦ２、ＳＦ５、ＳＦ７、ＳＦ１０に配置し、第３ビット群
に属するビットを図９のＳＦ１とＳＦ６に配置する。その結果、サブフレーム数は１０個
となり、各サブフレームの点灯期間は、ＳＦ１＝１、ＳＦ２＝２、ＳＦ３＝２、ＳＦ４＝
２、ＳＦ５＝８、ＳＦ６＝２、ＳＦ７＝２、ＳＦ８＝２、ＳＦ９＝２、ＳＦ１０＝８とな
る。
【００６５】
なお、図９に示した例のように、最上位のビットに対応するサブフレームについても、
サブフレームの分割数が、サブフレーム群の個数と同じであれば、第２ビット群に属する
こととなる。
【００６６】
なお、本実施形態では、従来の時間階調方式に対して、第１ビット群に属するビットに
対応するサブフレームを４個に分割した例を示したが、第１ビット群に属するビットに対
応するサブフレームの分割数はこれに限定されない。第１ビット群に属するビットに対応
するサブフレームの分割数は、サブフレーム群の個数よりも大きければよい。つまり、サ
ブフレーム群が２個の場合、分割数は３個以上ならばよい。例えば、第１ビット群に属す
るビットに対応するサブフレームを３分割して、２個のサブフレーム群に２個分と１個分
を配置してもよい。なお、第１ビット群に属するビットに対応するサブフレームは、サブ
フレーム群の倍数となるように分割することが望ましい。つまり、サブフレーム群が２個
の場合、（２×ｍ）個（ここで、ｍはｍ≧２の整数）に分割することが望ましい。なぜな
ら、分割した第１ビット群に属するビットを各サブフレーム群に均等に配置して、ちらつ
きを防止したり、擬似輪郭を防止したりすることができるからである。例えば、第１ビッ
ト群に属するビットに対応するサブフレームを６分割してもよい。ただし、これに限定さ
れない。
【００６７】
なお、本実施形態では、従来の時間階調方式に対して、第１ビット群に属するビットに
対応するサブフレームを全て４つに分割した例を示したが、第１ビット群に属するビット
に対応する全てのサブフレームの分割数を同じにしなくてもよい。第１ビット群の中で分
割数が異なっていてもよい。
【００６８】
例えば、図７の場合と同様に、従来の時間階調方式（図４３）において、第１ビット群
に属するビットにＳＦ４、ＳＦ５、第２ビット群に属するビットにＳＦ３、第３ビット群
に属するビットにＳＦ１、ＳＦ２を割り当て、第１ビット群に属するビットに割り当てた
ＳＦ４を４分割し、ＳＦ５を６分割した例を図１０に示す。まず、第１ビット群に属する
ビットに割り当てたＳＦ４を４分割し、ＳＦ５を６分割する。次に、６分割した第１ビッ
ト群に属するビットを２個のサブフレーム群に３個ずつ配置し、４分割した第１ビット群
に属するビットを２個のサブフレーム群に２個ずつ配置する。つまり、６分割した第１ビ
ット群に属するビットを図１０のＳＦ５〜ＳＦ７、ＳＦ１２〜ＳＦ１４に配置し、４分割
した第１ビット群に属するビットを図１０のＳＦ３、ＳＦ４、ＳＦ１０、ＳＦ１１に配置
する。その結果、サブフレーム数は１４個となり、各サブフレームの点灯期間は、ＳＦ１
＝１、ＳＦ２＝２、ＳＦ３＝２、ＳＦ４＝２、ＳＦ５＝８／３、ＳＦ６＝８／３、ＳＦ７
＝８／３、ＳＦ８＝２、ＳＦ９＝２、ＳＦ１０＝２、ＳＦ１１＝２、ＳＦ１２＝８／３、
ＳＦ１３＝８／３、ＳＦ１４＝８／３となる。
【００６９】
なお、本実施形態では、従来の時間階調方式に対して、第１ビット群に属するビットに
対応するサブフレームを４つに等分割し、第２ビット群に属するビットに対応するサブフ
レームを２つに等分割した例を示したが、サブフレームの分割の幅はこれに限定されない
。必ずしも等分割にしなくてもよい。
【００７０】
例えば、５ビット表示の場合、従来の時間階調方式（図４３）において、第１ビット群
に属するビットに対応するサブフレーム（ＳＦ５）の点灯期間（長さ１６）を２、６、２
、６と分割してもよい。この例を図１１（Ａ）に示す。図１１（Ａ）では、第１ビット群
に属するビットに割り当てたＳＦ５を２、６、２、６と分割し、点灯期間２をＳＦ４とＳ
Ｆ９に、点灯期間６をＳＦ５とＳＦ１０に配置している。また、第１ビット群に属するビ
ットに対応するサブフレーム（ＳＦ５）の点灯期間（長さ１６）を２、６、３、５と分割
してもよい。この例を図１１（Ｂ）に示す。図１１（Ｂ）では、第１ビット群に属するビ
ットに割り当てたＳＦ５を２、６、３、５と分割し、点灯期間２をＳＦ４に、点灯期間６
をＳＦ５に、点灯期間３をＳＦ９に、点灯期間５をＳＦ１０に配置している。
【００７１】
また、例えば、５ビット表示の場合、従来の時間階調方式（図４３）において、第２ビ
ット群に属するビットに対応するサブフレーム（ＳＦ４）の点灯期間（長さ８）を３、５
と分割してもよい。この例を図１２に示す。図１２では、第２ビット群に属するビットに
割り当てたＳＦ４を３、５と分割し、点灯期間３をＳＦ３に、点灯期間５をＳＦ８に配置
している。
【００７２】
なお、本実施形態では、２個のサブフレーム群で、第１ビット群および第２ビット群に
属するビットに対応するサブフレームの出現順序は同じにしたが、サブフレームの出現順
序を全く同じにするということに限定されない。２個のサブフレーム群で、いくつかのサ
ブフレームの順序が異なっていてもよい。例えば、図１の場合において、ＳＦ８とＳＦ９
を入れ替えてもよい。つまり、ＳＦ１、ＳＦ２、ＳＦ３、ＳＦ４、ＳＦ５、ＳＦ６、ＳＦ
７、ＳＦ９、ＳＦ８、ＳＦ１０と配置してもよい。
【００７３】
なお、これまでに説明した、各ビット群に割り当てるビット数、各ビット群に属するビ
ットとして選択するビット、第１ビット群に属するビットの分割数、サブフレームの分割
の幅、サブフレームの出現順序についての内容を、互いに組み合わせて用いてもよい。
【００７４】
これまでは、本発明の駆動方式を用いて、５ビットや６ビットの階調を表現する場合に
ついて述べてきたが、同様にすることにより、様々なビット数に対応させることが可能と
なる。例えば、ｎビット（ここで、ｎは整数）で階調を表現する場合、従来の時間階調方
式では、総サブフレーム数はｎ個となる。また、最上位のビットに対応するサブフレーム
の点灯期間の長さは２^ｎ−１となる。一方、従来の時間階調方式に対して、Ｌ個（ここで
、ＬはＬ≧３の整数）に分割する第１ビット群に属するビットの数をａ（ここで、ａは０
＜ａ＜ｎの整数）、２分割する第２ビット群に属するビットの数をｂ（ここで、ｂは０＜
ｂ＜ｎの整数）、分割しない第３ビット群に属するビットの数をｃ（ここで、ｃは０≦ｃ
＜ｎの整数で、ａ＋ｂ＋ｃ＝ｎを満たす）と仮定すると、本発明の駆動方式における総サ
ブフレーム数は、（Ｌ×ａ＋２×ｂ＋ｃ）個となる。また、第１ビット群に属するビット
として、最上位のビットを選択し、このビットに対応するサブフレームをＬ個に等分割し
た場合、このビットに対応する分割後のサブフレームの点灯期間の長さは（２^ｎ−１／Ｌ
）となる。例えば、図１の場合、ｎ＝５、Ｌ＝４、ａ＝１、ｂ＝２、ｃ＝２なので、総サ
ブフレーム数は４×１＋２×２＋２＝１０個となり、第１ビット群に属するビットに対応
するサブフレームの分割後の点灯期間の長さは２^５−１／４＝４となる。同様に、図４の
場合、ｎ＝６、Ｌ＝４、ａ＝１、ｂ＝３、ｃ＝２なので、総サブフレーム数は４×１＋２
×３＋２＝１２個となり、第１ビット群に属するビットに対応するサブフレームの分割後
の点灯期間の長さは２^６−１／４＝８となる。また、図７の場合、ｎ＝５、Ｌ＝４、ａ＝
２、ｂ＝１、ｃ＝２なので、総サブフレーム数は４×２＋２×１＋２＝１２個となり、第
１ビット群に属するビットのうち、最上位のビットに対応するサブフレームの分割後の点
灯期間の長さは２^５−１／４＝４となる。
【００７５】
このように、本発明の駆動方式を用いることにより、サブフレーム数を多くせずに、擬
似輪郭を低減したり、階調数を大きくして表示させたりすることが可能となる。
【００７６】
なお、１つの階調を表現する場合、サブフレームの選択の仕方が複数ある場合がある。
よって、ある階調におけるサブフレームの選択の仕方を、時間、または、場所によって変
更してもよい。つまり、時刻によって、サブフレームの選択の仕方を変えてもよいし、画
素によって、サブフレームの選択の仕方を変えてもよい。さらに、時刻によって変えて、
かつ、画素によっても変えてもよい。
【００７７】
例えば、ある階調を表現するとき、フレーム数が奇数番目のときと、偶数番目のときと
で、サブフレームの選択の仕方を変えてもよい。ここで、５ビット表示の場合の実施例を
図１３に示す。例えば、フレーム数が奇数番目のときは、図１３（Ａ）に示したサブフレ
ームの選択方法で階調を表現し、偶数番目のときは、図１３（Ｂ）に示したサブフレーム
の選択方法で階調を表現すればよい。図１３（Ａ）と図１３（Ｂ）では、階調数が１６、
２３に対するサブフレームの選択方法が異なっている。ところで、５ビット表示の場合、
階調数１６、２３では擬似輪郭が出やすくなる。そこで、擬似輪郭が出やすい階調数に対
するサブフレームの選択方法を、フレーム数が奇数番目のときと、偶数番目のときとで変
えることにより、擬似輪郭を低減することができる。
【００７８】
なお、図１３（Ａ）と図１３（Ｂ）では、擬似輪郭が出やすい階調数に対するサブフレ
ームの選択方法を変えたが、任意の階調数に対して、サブフレームの選択方法を変えても
よい。
【００７９】
また、別の実施例を図１４に示す。フレーム数が奇数番目のときは、図１４（Ａ）に示
したサブフレームの選択方法で階調を表現し、偶数番目のときは、図１４（Ｂ）に示した
サブフレームの選択方法で階調を表現すればよい。図１４（Ａ）と図１４（Ｂ）では、Ｓ
Ｆ４、ＳＦ５、ＳＦ９、ＳＦ１０の点灯期間の長さが異なっている。
【００８０】
また、ある階調を表現するとき、奇数行目の画素を表示するときと、偶数行目の画素を
表示するときとで、サブフレームの選択の仕方を変えてもよい。また、ある階調を表現す
るとき、奇数列目の画素を表示するときと、偶数列目の画素を表示するときとで、サブフ
レームの選択の仕方を変えてもよい。
【００８１】
なお、本発明の駆動方式に、さらに別の階調表現方法を組み合わせてもよい。例えば、
面積階調方式と組み合わせてもよい。面積階調方式は、１つの画素をさらに複数のサブ画
素に分割して、点灯している面積を変えることにより、階調を表現する方式である。その
ため、擬似輪郭をさらに抑制することが可能となる。
【００８２】
これまでは、階調数が増えると、それに線形に比例して点灯期間が増えている場合につ
いて述べた。そこで本実施形態では、ガンマ補正を行った場合について述べる。ガンマ補
正とは、階調数が増えると、非線形で点灯期間が増えていくようにしたものを指す。人間
の目は、輝度が線形に大きくなっても、比例して明るくなっているとは感じない。輝度が
高くなるほど、明るさの差を感じにくい。よって、人間の目で、明るさの差を感じるよう
にするためには、階調数が増えていくにしたがって、点灯期間をより長くとる、つまり、
ガンマ補正を行う必要がある。なお、階調数をｘ、輝度をｙとすると、ガンマ補正におけ
る輝度と階調数の関係は、以下の（１）式で表される。
【数１】

ただし、Ａは、輝度ｙを０≦ｙ≦１に規格化するための定数である。ここで、階調数ｘの
指数であるγがガンマ補正の程度を示すパラメータとなっている。
【００８３】
ガンマ補正を行うための最も単純な方法は、実際に表示するビット数（階調数）よりも
、多くのビット数（階調数）で表示できるようにしておく、というものである。例えば、
６ビット（６４階調）で表示を行うとき、実際には、８ビット（２５６階調）を表示でき
るようにしておく。そして、実際に表示するときには、階調数の輝度が非線形になるよう
にして、６ビット（６４階調）で表示する。これにより、ガンマ補正を実現出来る。
【００８４】
一例として、６ビットで表示できるようにしておいて、ガンマ補正を行って５ビットで
表示する場合のサブフレームの選択方法を図１５に示す。図１５は、全階調にわたってγ
＝２．２となるようなガンマ補正を行って５ビットで表示する場合のサブフレームの選択
方法を示している。なお、γ＝２．２という値は人間の視覚特性を最もよく補うような値
となっており、輝度が高くなっても、最も適切な明るさの差を感じることができるように
なる。図１５では、ガンマ補正済みの５ビットでの階調数が３までは、実際には６ビット
の階調数０のサブフレームの選択方法で表示させる。同様に、ガンマ補正済みの５ビット
での階調数が４のときは、実際には６ビットの階調数１で表示させ、ガンマ補正済みの５
ビットでの階調数が６のときは、実際には６ビットの階調数２で表示させる。また、階調
数ｘと輝度ｙのグラフを図１６に示す。図１６（Ａ）は、全階調での階調数ｘと輝度ｙの
関係を示し、図１６（Ｂ）は、低階調側での階調数ｘと輝度ｙのグラフを示す。このよう
に、ガンマ補正済みの５ビットでの階調数と、６ビットでの階調数との対応表を作成し、
それに応じて、表示させればよい。これにより、γ＝２．２となるようなガンマ補正を実
現出来る。
【００８５】
ただし、図１６（Ｂ）から分かるように、図１５の場合、階調数０〜階調数３や、階調
数４〜階調数５、階調数６〜階調数７までは、同じ輝度で表示させることになる。なぜな
ら、６ビット表示では階調数が十分でないため、輝度の違いを表現できないからである。
この対策方法として、次の２つが考えられる。
【００８６】
１つ目の方法は、表示できるビット数をさらに増やすことである。６ビットではなく、
７ビット以上、好ましくは８ビット以上で表示できるようにする。その結果、低階調領域
（輝度が小さい領域）においてもなめらかな表示を行うことができる。
【００８７】
２つ目の方法は、低階調領域ではγ＝２．２の関係を満足しないが、輝度が線形で変化
するようにして、なめらかに表示させる方法である。この場合のサブフレームの選択方法
を図１７に示す。図１７では、５ビットでの階調数が１７までは、６ビットでの階調数と
同じである。しかし、ガンマ補正済みの５ビットでの階調数が１８のときは、実際には６
ビットの階調数１９のサブフレームの選択方法で点灯させる。同様に、ガンマ補正済みの
５ビットでの階調数が１９のときは、実際には６ビットの階調数２１で表示させ、ガンマ
補正済みの５ビットでの階調数が２０のときは、実際には６ビットの階調数２４で表示さ
せる。また、階調数ｘと輝度ｙのグラフを図１８に示す。図１８（Ａ）は、全階調での階
調数ｘと輝度ｙの関係を示し、図１８（Ｂ）は、低階調側での階調数ｘと輝度ｙのグラフ
を示す。低階調領域では、輝度が線形に変化している。このようなガンマ補正を行うこと
により、低階調側がよりなめらかに表示できるようになる。
【００８８】
つまり、低階調領域については、輝度を線形に比例するように変化させ、それ以外の階
調領域については、輝度を非線形に変化させることにより、低階調領域がよりなめらかに
表示できるようになる。
【００８９】
なお、ガンマ補正済みの５ビットでの階調数と、６ビットでの階調数との対応表は、適
宜変更することが可能である。よって、対応表を変更することにより、ガンマ補正の程度
（すなわち、γの値）を容易に変更することが可能である。よって、γ＝２．２に限定さ
れない。
【００９０】
また、何ビット（例えばｐビット、ここでｐは整数）を表示できるようにしておいて、
ガンマ補正済みで何ビット（例えばｑビット、ここでｑは整数）で表示するのかについて
も、これに限定されない。ガンマ補正済みで表示する場合、階調をなめらかに表現するた
めには、ビット数ｐを出来るだけ大きくしておくことが望ましい。ただし、あまり大きく
しすぎると、サブフレーム数が多くなってしまうなど、弊害も出てきてしまう。よって、
ビット数ｑとビット数ｐとの関係は、ｑ＋２≦ｐ≦ｑ＋５、とすることが望ましい。これ
により、階調をなめらかに表現しつつ、サブフレーム数も増えすぎない、ということを実
現できる。
【００９１】
ここまでは、階調の表現方法、つまり、サブフレームの選択方法について述べた。次に
、サブフレームの出現順序について述べる。ここでは、例として、５ビット表示（図１）
の場合を用いるが、これに限定されず、他の図に対しても同様に適用できる。
【００９２】
まず、最も基本的なものは、ＳＦ１、ＳＦ２、ＳＦ３、ＳＦ４、ＳＦ５、ＳＦ６、ＳＦ
７、ＳＦ８、ＳＦ９、ＳＦ１０という順序で１フレームが構成される、というものである
。このサブフレームの配置の仕方は、最も点灯期間が短いものからサブフレームが始まり
、その後は、点灯期間の短いものから前半のサブフレーム群（ＳＦ１〜ＳＦ５）と後半の
サブフレーム群（ＳＦ６〜ＳＦ１０）に交互に配置する、というものである。図１がこの
サブフレームの出現順序に対応する。
【００９３】
または、その逆の順序として、ＳＦ１０、ＳＦ９、ＳＦ８、ＳＦ７、ＳＦ６、ＳＦ５、
ＳＦ４、ＳＦ３、ＳＦ２、ＳＦ１という順序で１フレームが構成される、というものでも
よい。このサブフレームの配置の仕方は、最も点灯期間が長いものからサブフレームが始
まり、その後は、点灯期間の長いものから前半のサブフレーム群と後半のサブフレーム群
に交互に配置する、というものである。
【００９４】
または、第１ビット群に属するビットに対応するサブフレームの間のどこかに、第２ビ
ット群もしくは第３ビット群に属するビットに対応するサブフレームが挿入されている、
というものでもよい。例えば、ＳＦ１、ＳＦ２、ＳＦ４、ＳＦ３、ＳＦ５、ＳＦ６、ＳＦ
７、ＳＦ９、ＳＦ８、ＳＦ１０のように、第２ビット群に属するビットに対応するＳＦ３
が第１ビット群に属するビットに対応するＳＦ４とＳＦ５の間に、第２ビット群に属する
ビットに対応するＳＦ８が第１ビット群に属するビットに対応するＳＦ９とＳＦ１０の間
にそれぞれ挿入されている。なお、第２ビット群もしくは第３ビット群に属するビットで
のサブフレームを挿入する場所は、これに限定されない。また、挿入するサブフレーム数
も、これに限定されない。
【００９５】
このように、第２ビット群もしくは第３ビット群に属するビットに対応するサブフレー
ムを、第１ビット群に属するビットに対応するサブフレームの間に挿入することにより、
目が誤魔化されるため、擬似輪郭がより見えにくくなる。
【００９６】
そこで、５ビットの場合で、ＳＦ１、ＳＦ２、ＳＦ４、ＳＦ３、ＳＦ５、ＳＦ６、ＳＦ
７、ＳＦ９、ＳＦ８、ＳＦ１０という順序で並べた場合について、図１９に示す。画素Ａ
では、階調数１５を表示し、画素Ｂでは、階調数１６で表示しているとする。ここで、視
線が動いたとすると、視線の追い方によって、あるときは階調数が１５（＝４＋４＋４＋
２＋１）と感じ、あるときは、階調数が１６（＝４＋２＋２＋４＋４）と感じる。この場
合を図１９（Ａ）に示す。本来は、階調数が１５と１６に見えるべきであり、正しく見え
ている。よって、擬似輪郭が低減される。
【００９７】
また、視線が急激に動いた場合を図１９（Ｂ）に示す。視線が急激に動いたとすると、
視線の追い方によって、あるときは階調数が１５（＝４＋４＋４＋２＋１）と感じ、ある
ときは、階調数が１６（＝２＋４＋４＋４＋２）と感じる。本来は、階調数が１５と１６
に見えるべきであり、正しく見えている。よって、擬似輪郭が低減される。
【００９８】
なお、第２ビット群もしくは第３ビット群に属するビットに対応するサブフレームを、
第１ビット群に属するビットに対応するサブフレームの間に挿入する場合、第１ビット群
に属するビットに対応するサブフレームの点灯期間に最も近い点灯期間をもつサブフレー
ムを挿入すると、擬似輪郭がより低減される。例えば、最も基本的なＳＦ１、ＳＦ２、Ｓ
Ｆ４、ＳＦ３、ＳＦ５、ＳＦ６、ＳＦ７、ＳＦ９、ＳＦ８、ＳＦ１０という構成において
、第１ビット群に属するビットに対応するサブフレーム（総点灯期間１６：ＳＦ４、ＳＦ
５、ＳＦ９、ＳＦ１０）の間に、第１ビット群に属するビットと点灯期間が最も近いサブ
フレーム（総点灯期間８：ＳＦ３、ＳＦ８）を挿入することにより、図１９に示すように
擬似輪郭を低減できる。
【００９９】
次は、第１ビット群に属するビットに対応するサブフレームのいずれかと、第２ビット
群もしくは第３ビット群に属するビットに対応するサブフレームのいずれかを入れ替える
、というものである。例えば、ＳＦ１、ＳＦ４、ＳＦ３、ＳＦ２、ＳＦ５、ＳＦ６、ＳＦ
９、ＳＦ８、ＳＦ７、ＳＦ１０という感じで、第１ビット群に属するビットに対応するＳ
Ｆ４と第２ビット群に属するビットに対応するＳＦ２、第１ビット群に属するビットに対
応するＳＦ９と第２ビット群に属するビットに対応するＳＦ７を入れ替える。なお、入れ
替えるサブフレームの場所は、これに限定されない。また、入れ替えるサブフレーム数も
、これに限定されない。
【０１００】
このように、第１ビット群に属するビットに対応するサブフレームと、第２ビット群も
しくは第３ビット群に属するビットに対応するサブフレームの順序を入れ替えることによ
り、目が誤魔化されるため、擬似輪郭がより見えにくくなる。
【０１０１】
そこで、５ビットの場合で、ＳＦ１、ＳＦ４、ＳＦ３、ＳＦ２、ＳＦ５、ＳＦ６、ＳＦ
９、ＳＦ８、ＳＦ７、ＳＦ１０という順序で並べた場合について、図２０に示す。画素Ａ
では、階調数１５を表示し、画素Ｂでは、階調数１６を表示しているとする。ここで、視
線が動いたとすると、視線の追い方によって、あるときは階調数が１２（＝２＋４＋２＋
４）と感じ、あるときは、階調数が１７（＝４＋４＋４＋４＋１）と感じてしまう。この
場合を図２０（Ａ）に示す。本来は、階調数が１５と１６に見えるべきであるが、階調数
が１２や１７のように見えている。しかし、従来の倍速フレーム方式（図４４）よりも階
調のずれが小さいため、擬似輪郭が低減される。
【０１０２】
また、視線が急激に動いた場合を図２０（Ｂ）に示す。視線が急激に動いたとすると、
視線の追い方によって、あるときは階調数が１５（＝４＋２＋４＋４＋１）と感じ、ある
ときは、階調数が１６（＝４＋４＋２＋４＋２）と感じる。本来は、階調数が１５と１６
に見えるべきであり、正しく見えている。よって、擬似輪郭が低減される。
【０１０３】
このように、第１ビット群に属するビットに対応するサブフレームの間のどこかに、第
２ビット群もしくは第３ビット群に属するビットに対応するサブフレームを挿入する場合
や、第１ビット群に属するビットに対応するサブフレームのいずれかと、第２ビット群も
しくは第３ビット群に属するビットに対応するサブフレームのいずれかを入れ替える場合
は、第１ビット群に属するビットに対応するサブフレームの順序を決定し、そのサブフレ
ームの間に、第２ビット群もしくは第３ビット群に属するビットに対応するサブフレーム
を挿入する形で、全体のサブフレームの出現順序を決めればよい。
【０１０４】
このとき、第２ビット群もしくは第３ビット群に属するビットでのサブフレームは、各
サブフレーム群で点灯期間が短い順に並んでもよいし、その逆順でもよい。あるいは、真
ん中から徐々に点灯していくようにしてもよい。あるいは、全くランダムな順序に並んで
いてもよい。このようにすることにより、目が誤魔化されやすくなるため、擬似輪郭がよ
り見えにくくなる。
【０１０５】
また、第１ビット群に属するビットに対応するサブフレームの間に、第２ビット群もし
くは第３ビット群に属するビットに対応するサブフレームを挿入する場合、そのサブフレ
ーム数に限定はない。
【０１０６】
また、第２ビット群もしくは第３ビット群に属するビットに対応するサブフレームの順
序を決定し、そのサブフレームの間に、第１ビット群に属するビットに対応するサブフレ
ームを挿入する形で、サブフレームの出現順序を決めてもよい。
【０１０７】
このように、第１ビット群に属するビットに対応するサブフレームの間に、第２ビット
群もしくは第３ビット群に属するビットに対応するサブフレームを配置して、サブフレー
ムが偏在しないようにする。その結果、目が誤魔化されて、擬似輪郭を低減出来る。
【０１０８】
例として、図１の場合について、サブフレームの出現順序のパターン例を図２１に示す
。
【０１０９】
１番目のパターンとしては、ＳＦ１、ＳＦ２、ＳＦ３、ＳＦ４、ＳＦ５、ＳＦ６、ＳＦ
７、ＳＦ８、ＳＦ９、ＳＦ１０、というものである。このサブフレームの配置の仕方は、
最も点灯期間が短いものからサブフレームが始まり、その後は、点灯期間の短いものから
前半のサブフレーム群（ＳＦ１〜ＳＦ５）と後半のサブフレーム群（ＳＦ６〜ＳＦ１０）
に交互に配置する、というものである。
【０１１０】
２番目のパターンとしては、ＳＦ１０、ＳＦ９、ＳＦ８、ＳＦ７、ＳＦ６、ＳＦ５、Ｓ
Ｆ４、ＳＦ３、ＳＦ２、ＳＦ１、というものである。このサブフレームの配置の仕方は、
最も点灯期間が長いものからサブフレームが始まり、その後は、点灯期間の長いものから
前半のサブフレーム群（ＳＦ１〜ＳＦ５）と後半のサブフレーム群（ＳＦ６〜ＳＦ１０）
に交互に配置する、というものである。
【０１１１】
３番目のパターンとしては、ＳＦ６、ＳＦ７、ＳＦ８、ＳＦ９、ＳＦ１０、ＳＦ１、Ｓ
Ｆ２、ＳＦ３、ＳＦ４、ＳＦ５、というものである。これは、１番目のパターンに対して
、前半のサブフレーム群と後半のサブフレーム群の配置を入れ替えたものである。
【０１１２】
４番目のパターンとしては、ＳＦ１、ＳＦ２、ＳＦ４、ＳＦ３、ＳＦ５、ＳＦ６、ＳＦ
７、ＳＦ９、ＳＦ８、ＳＦ１０というものである。これは、１番目のパターンに対して、
第２ビット群に属するビットに対応するサブフレームのいずれかを、第１ビット群に属す
るビットに対応するサブフレームの間に挿入したものである。
【０１１３】
５番目のパターンとしては、ＳＦ２、ＳＦ３、ＳＦ４、ＳＦ１、ＳＦ５、ＳＦ７、ＳＦ
８、ＳＦ９、ＳＦ６、ＳＦ１０というものである。これは、１番目のパターンに対して、
第３ビット群に属するビットに対応するサブフレームを、第１ビット群に属するビットに
対応するサブフレームの間に挿入したものである。
【０１１４】
６番目のパターンとしては、ＳＦ１、ＳＦ４、ＳＦ３、ＳＦ２、ＳＦ５、ＳＦ６、ＳＦ
９、ＳＦ８、ＳＦ７、ＳＦ１０というものである。これは、１番目のパターンに対して、
第１ビット群に属するビットに対応するサブフレームのいずれかと、第２ビット群に属す
るビットに対応するサブフレームのいずれかを入れ替えたものである。
【０１１５】
７番目のパターンとしては、ＳＦ４、ＳＦ２、ＳＦ３、ＳＦ１、ＳＦ５、ＳＦ９、ＳＦ
７、ＳＦ８、ＳＦ６、ＳＦ１０というものである。これは、１番目のパターンに対して、
第１ビット群に属するビットに対応するサブフレームのいずれかと、第３ビット群に属す
るビットに対応するサブフレームを入れ替えたものである。
【０１１６】
８番目のパターンとしては、ＳＦ２、ＳＦ３、ＳＦ１、ＳＦ４、ＳＦ５、ＳＦ７、ＳＦ
８、ＳＦ６、ＳＦ９、ＳＦ１０というものである。これは、１番目のパターンに対して、
第３ビット群に属するビットに対応するサブフレームを、第１ビット群に属するビットに
対応するサブフレームと、第２ビット群に属するビットに対応するサブフレームの間に挿
入したものである。
【０１１７】
９番目のパターンとしては、ＳＦ２、ＳＦ４、ＳＦ３、ＳＦ５、ＳＦ１、ＳＦ７、ＳＦ
９、ＳＦ８、ＳＦ１０、ＳＦ６というものである。これは、第１ビット群、第２ビット群
、および第３ビット群に属するビットにおけるサブフレームの出現順序をランダムにした
ものである。
【０１１８】
上記パターンの一例として示したように、複数のサブフレーム群のうち少なくとも１つ
で、第１ビット群に属するビットに相当する全てのサブフレームが点灯し、その後、第２
ビット群もしくは第３ビット群に属するビットに相当する全てのサブフレームが点灯する
、とすることが望ましい。
【０１１９】
また、複数のサブフレーム群のうち少なくとも１つで、第２ビット群もしくは第３ビッ
ト群に属するビットに相当する全てのサブフレームが点灯し、その後、第１ビット群に属
するビットに相当する全てのサブフレームが点灯する、とすることが望ましい。
【０１２０】
また、複数のサブフレーム群のうち少なくとも１つで、第１ビット群に属するビットに
相当する複数のサブフレームのうちの１つのサブフレームが点灯し、その後、第２ビット
群もしくは第３ビット群に属するビットに相当する複数のサブフレームのうち少なくとも
１つのサブフレームが点灯し、その後、第１ビット群に属するビットに相当する複数のサ
ブフレームのうちの別の１つのサブフレームが点灯する、とすることが望ましい。
【０１２１】
また、各サブフレーム群で、第２ビット群もしくは第３ビット群に属するビットに相当
する複数のサブフレームのうちの１つのサブフレームが点灯し、その後、第１ビット群に
属するビットに相当する複数のサブフレームのうち少なくとも１つのサブフレームが点灯
し、その後、第２ビット群もしくは第３ビット群に属するビットに相当する複数のサブフ
レームのうちの別の１つのサブフレームが点灯する、とすることが望ましい。
【０１２２】
なお、サブフレームの出現順序は、時刻によって変化してもよい。例えば、１フレーム
目と２フレーム目とで、サブフレームの出現順序が変わってもよい。また、サブフレーム
の出現順序は、場所によって変わってもよい。例えば、画素Ａと画素Ｂとで、サブフレー
ムの出現順序が変わってもよい。また、それらを組み合わせて、サブフレームの出現順序
が、時刻によって変化して、かつ、場所によって変化してもよい。
【０１２３】
（実施の形態２）
実施の形態１では、１フレームを２個のサブフレーム群に分けた場合について述べた。
しかし、本発明の駆動方式では、１フレームを３個以上のサブフレーム群に分けることも
可能である。そこで、本実施形態では、一例として、１フレームを３個以上のサブフレー
ム群に分けた場合を例に挙げて説明する。なお、サブフレーム群の個数は、２や３に限定
されず、適宜決めればよい。
【０１２４】
本実施形態の駆動方式は、一例として、まず、従来の時間階調方式において、第１ビッ
ト群に属するビットに対応するサブフレームを６つに分割し、第２ビット群に属するビッ
トに対応するサブフレームを３つに分割し、第３ビット群に属するビットに対応するサブ
フレームは分割しない。そして、１フレームを３個のサブフレーム群に分け、分割した第
１ビット群に属するビットを各サブフレーム群に２つずつ配置する。また、分割した第２
ビット群に属するビットを各サブフレーム群に１つずつ配置し、第３ビット群に属するビ
ットの各々を３個のサブフレーム群のうち少なくとも１個のサブフレーム群に配置する。
このとき、各サブフレーム群で、第１ビット群および第２ビット群に属するビットに対応
するサブフレームの出現順序を同じにする。なお、第３ビット群に属するビットについて
は、分割しないと考えてもよいし、一旦３つに分割した後に１つのサブフレームに統合し
たと考えてもよい。
【０１２５】
例えば、５ビット表示の場合の実施例を図２２に示す。図２２では、従来の時間階調方
式（図４３）において、第１ビット群に１ビット分、第２ビット群に２ビット分、第３ビ
ット群に２ビット分を割り当てることとし、第１ビット群に属するビットにＳＦ５、第２
ビット群に属するビットにＳＦ３、ＳＦ４、第３ビット群に属するビットにＳＦ１、ＳＦ
２を割り当てる。そして、ＳＦ５を６等分し、ＳＦ３、ＳＦ４をそれぞれ３等分し、ＳＦ
１、ＳＦ２は分割しない。次に、６分割した第１ビット群に属するビットを３個のサブフ
レーム群に２個ずつ配置し、３分割した第２ビット群に属するビットを各サブフレーム群
に１個ずつ配置し、第３ビット群に属するビットを３個のサブフレーム群のうち少なくと
も１個に配置する。つまり、第１ビット群に属するビットを図２２のＳＦ４、ＳＦ５、Ｓ
Ｆ９、ＳＦ１０、ＳＦ１３、ＳＦ１４に配置し、第２ビット群に属するビットを図２２の
ＳＦ２、ＳＦ３、ＳＦ７、ＳＦ８、ＳＦ１１、ＳＦ１２に配置し、第３ビット群に属する
ビットを図２２のＳＦ１とＳＦ６に配置する。その結果、サブフレーム数は１４個となり
、各サブフレームでの点灯期間は、ＳＦ１＝１、ＳＦ２＝４／３、ＳＦ３＝８／３、ＳＦ
４＝８／３、ＳＦ５＝８／３、ＳＦ６＝２、ＳＦ７＝４／３、ＳＦ８＝８／３、ＳＦ９＝
８／３、ＳＦ１０＝８／３、ＳＦ１１＝４／３、ＳＦ１２＝８／３、ＳＦ１３＝８／３、
ＳＦ１４＝８／３となる。
【０１２６】
このように、各サブフレームを分割することにより、フレーム周波数を実質的に３倍よ
りも大きくすることができる。
【０１２７】
なお、各サブフレームにおける点灯期間の長さ（または、ある時間における点灯回数、
つまり、重み付けの量）はこれに限定されない。また、サブフレームの番号と点灯期間の
長さとの対応はこれに限定されない。また、サブフレームの選択方法もこれに限定されな
い。
【０１２８】
なお、本実施形態では、第３ビット群に属するビットに対応するサブフレームを分割し
なかったが、サブフレーム群の個数未満の個数までなら分割してもよい。
【０１２９】
例えば、図２２において、第３ビット群に属するビットに割り当てたＳＦ１、ＳＦ６を
さらに２分割した例を図２３に示す。図２３では、図２２においてＳＦ１、ＳＦ６をさら
に２分割し、図２３のＳＦ１、ＳＦ６、ＳＦ１１、ＳＦ１２に配置する。その結果、サブ
フレーム数は１６個となり、各サブフレームでの点灯期間は、ＳＦ１＝０．５、ＳＦ２＝
４／３、ＳＦ３＝８／３、ＳＦ４＝８／３、ＳＦ５＝８／３、ＳＦ６＝１、ＳＦ７＝４／
３、ＳＦ８＝８／３、ＳＦ９＝８／３、ＳＦ１０＝８／３、ＳＦ１１＝０．５、ＳＦ１２
＝１、ＳＦ１３＝４／３、ＳＦ１４＝８／３、ＳＦ１５＝８／３、ＳＦ１６＝８／３とな
る。なお、分割した第３ビット群に属するビットを配置するサブフレーム群はこれに限定
されない。
【０１３０】
なお、本実施形態において、各ビット群に何ビット分を割り当てるかは、これまでに説
明した例に限定されない。ただし、第１ビット群と第２ビット群に関しては、少なくとも
１ビット分は割り当てることが望ましい。
【０１３１】
なお、本実施形態では、第１ビット群に属するビットとして、最上位のビットを選択し
たが、第１ビット群に属するビットとして選択するビットはこれに限定されない。第１ビ
ット群に属するビットとして、どのビットを選んでもよい。同様に、第２ビット群および
第３ビット群として、どのビットを選択してもよい。
【０１３２】
なお、本実施形態では、従来の時間階調方式に対して、第１ビット群に属するビットに
対応するサブフレームを６つに等分割した例を示したが、第１ビット群に属するビットに
対応するサブフレームの分割数はこれに限定されない。例えば、第１ビット群に属するビ
ットに対応するサブフレームを５分割して、３個のサブフレーム群に２個、２個、１個と
配置してもよい。なお、第１ビット群に属するビットに対応するサブフレームは、サブフ
レーム群の倍数となるように分割することが望ましい。つまり、サブフレーム群が３個の
場合、（３×ｍ）個（ここで、ｍはｍ≧２の整数）に分割することが望ましい。なぜなら
、分割した第１ビット群に属するビットを各サブフレーム群に均等に配置して、ちらつき
を防止したり、擬似輪郭を防止したりすることができるからである。例えば、第１ビット
群に属するビットに対応するサブフレームを９分割してもよい。ただし、これに限定され
ない。
【０１３３】
なお、本実施形態では、従来の時間階調方式に対して、第１ビット群に属するビットに
対応するサブフレームを全て６つに分割した例を示したが、第１ビット群に属するビット
に対応する全てのサブフレームの分割数を同じにしなくてもよい。第１ビット群の中で分
割数が異なっていてもよい。また、第３ビット群に属するビットについても同様に、全て
の第３ビット群に属するビットに対応するサブフレームの分割数を同じにしなくてもよい
。
【０１３４】
なお、本実施形態では、従来の時間階調方式に対して、第１ビット群に属するビットに
対応するサブフレームを６つに等分割し、第２ビット群に属するビットに対応するサブフ
レームを３つに等分割した例を示したが、サブフレームの分割の幅はこれに限定されない
。必ずしも等分割にしなくてもよい。例えば、５ビット表示の場合、従来の時間階調方式
（図４３）において、第１ビット群に属するビットに対応するサブフレーム（ＳＦ５）の
点灯期間（長さ１６）を２、２、４、２、３、３と分割してもよい。
【０１３５】
なお、本実施形態では、３個のサブフレーム群で、第１ビット群および第２ビット群に
属するビットに対応するサブフレームの出現順序は同じにしたが、サブフレームの出現順
序を全く同じにするということに限定されない。３個のサブフレーム群で、いくつかのサ
ブフレームの順序が異なっていてもよい。例えば、図２２の場合において、ＳＦ７とＳＦ
８、ＳＦ１１とＳＦ１２を入れ替えてもよい。つまり、ＳＦ１、ＳＦ２、ＳＦ３、ＳＦ４
、ＳＦ５、ＳＦ６、ＳＦ８、ＳＦ７、ＳＦ９、ＳＦ１０、ＳＦ１２、ＳＦ１１、ＳＦ１３
、ＳＦ１４と配置してもよい。
【０１３６】
なお、これまでに説明した、各ビット群として割り当てるビット数、各ビット群に属す
るビットとして選択するビット、第１ビット群および第３ビット群に属するビットの分割
数、サブフレームの分割の幅、サブフレームの出現順序についての内容を、互いに組み合
わせて用いてもよい。
【０１３７】
また、これまでに説明した、各ビット群として割り当てるビット数、各ビット群に属す
るビットとして選択するビット、第１ビット群および第３ビット群に属するビットの分割
数、サブフレームの分割の幅、サブフレームの出現順序についての内容は、サブフレーム
群の個数が３個以上の場合にも適用できる。
【０１３８】
一般に、１フレームをｋ個（ここで、ｋはｋ≧３の整数）のサブフレーム群に分ける場
合を考える。この場合、まず、従来の時間階調方式において、第１ビット群に属するビッ
トに対応するサブフレームを（ｋ＋１）個以上に分割し、第２ビット群に属するビットに
対応するサブフレームをｋ個に分割し、第３ビット群に属するビットに対応するサブフレ
ームは（ｋ−１）個以下に分割するか、もしくは、分割しない。そして、分割した第１ビ
ット群に属するビットを各サブフレーム群に概ね同数ずつ配置する。また、分割した第２
ビット群に属するビットを各サブフレーム群に１つずつ配置し、第３ビット群に属するビ
ットの各々を、ｋ個のサブフレーム群のうち少なくとも１個のサブフレーム群に配置する
。このとき、各サブフレーム群で、第１ビット群および第２ビット群に属するビットに対
応するサブフレームの出現順序を概ね同じにする。
【０１３９】
このとき、例えば、ｎビット（ここで、ｎは整数）で階調を表現する場合、従来の時間
階調方式では、総サブフレーム数はｎ個となる。また、最上位のビットに対応するサブフ
レームの点灯期間の長さは２^ｎ−１となる。一方、従来の時間階調方式に対して、Ｌ_１個
（ここで、Ｌ_１はＬ_１≧ｋ＋１の整数）に分割する第１ビット群に属するビットの数をａ
（ここで、ａは０＜ａ＜ｎの整数）、ｋ個に分割する第２ビット群に属するビットの数を
ｂ（ここで、ｂは０＜ｂ＜ｎの整数）、Ｌ_２個（ここで、Ｌ_２は１＜Ｌ_２≦ｋ−１の整数
）に分割するか、もしくは、分割しない（つまり、Ｌ_２＝１に対応する）第３ビット群に
属するビットの数をｃ（ここで、ｃは０≦ｃ＜ｎの整数で、ａ＋ｂ＋ｃ＝ｎを満たす）と
仮定すると、本発明の駆動方式における総サブフレーム数は、（Ｌ_１×ａ＋ｋ×ｂ＋Ｌ_２
×ｃ）個となる。また、第１ビット群に属するビットとして、最上位のビットを選択し、
このビットに対応するサブフレームをＬ_１個に等分割した場合、このビットに対応するサ
ブフレームの分割後の点灯期間の長さは（２^ｎ−１／Ｌ_１）となる。例えば、図２２の場
合、ｋ＝３、ｎ＝５、Ｌ_１＝６、Ｌ_２＝１、ａ＝１、ｂ＝２、ｃ＝２なので、総サブフレ
ーム数は６×１＋３×２＋１×２＝１４個となり、第１ビット群に属するビットに対応す
るサブフレームの分割後の点灯期間の長さは２^５−１／６＝８／３となる。
【０１４０】
なお、本実施の形態で述べた内容は、実施の形態１で述べた内容を、サブフレーム群の
個数という観点で拡張したものである。よって、実施の形態１と自由に組み合わせること
ができる。
【０１４１】
（実施の形態３）
本実施形態では、タイミングチャートの例について述べる。サブフレームの選択方法は
、一例として、図１のものを用いることにするが、これに限定されず、他のサブフレーム
の選択方法や他の階調数などにも適用可能である。
【０１４２】
また、サブフレームが出現する順番は、一例として、ＳＦ１、ＳＦ２、ＳＦ３、ＳＦ４
、ＳＦ５、ＳＦ６、ＳＦ７、ＳＦ８、ＳＦ９、ＳＦ１０とするが、これに限定されず、他
の順番であっても適用可能である。
【０１４３】
まず、画素に信号を書き込む期間と点灯する期間とが分離されている場合のタイミング
チャートを図２４に示す。まず、信号書き込み期間において、１画面分の信号を全画素に
入力する。この間は、画素は点灯しない。信号書き込み期間が終了したのち、点灯期間が
始まり、画素が点灯する。そのときの点灯期間の長さは、１である。次に、次のサブフレ
ームが始まり、信号書き込み期間において、１画面分の信号を全画素に入力する。この間
は、画素は点灯しない。信号書き込み期間が終了したのち、点灯期間が始まり、画素が点
灯する。そのときの点灯期間の長さは、２である。
【０１４４】
これらを繰り返すことにより、点灯期間の長さが、１、２、４、４、４、２、２、４、
４、４という順序で配置される。
【０１４５】
このように、画素に信号を書き込む期間と点灯する期間とが分離されている駆動方法は
、プラズマディスプレイに適用することが好適である。なお、プラズマディスプレイに用
いる場合は、初期化の動作などが必要になる。しかしながら、図２４では、簡単のため、
省略している。
【０１４６】
また、この駆動方法は、ＥＬディスプレイ（有機ＥＬディスプレイ、無機ＥＬディスプ
レイ又は無機と有機とを含む素子からなるディスプレイなど）やフィールドエミッション
ディスプレイやデジタル・マイクロミラー・デバイス（ＤＭＤ）を用いたディスプレイな
どに適用することも好適である。
【０１４７】
その場合の画素構成を図２５に示す。図２５に示した画素は、第１トランジスタ２５０
１、第２トランジスタ２５０３、保持容量２５０２、表示素子２５０４、信号線２５０５
、走査線２５０７、第１電源線２５０６、第２電源線２５０８から構成される。
【０１４８】
第１トランジスタ２５０１は、ゲート電極が、走査線２５０７に接続され、第１電極が
、信号線２５０５に接続され、第２電極が、保持容量２５０２の第２電極、及び第２トラ
ンジスタ２５０３のゲート電極に接続される。第２トランジスタ２５０３は、第１電極が
、第１電源線２５０６に接続され、第２電極が、表示素子２５０４の第１電極に接続され
る。保持容量２５０２は、第１電極が、第１電源線２５０６に接続される。表示素子２５
０４は、第２電極が、第２電源線２５０８に接続される。
【０１４９】
なお、第１トランジスタは、信号線２５０５に入力された信号を保持容量２５０２に入
力するために、信号線２５０５と保持容量２５０２の第２電極とを接続するためのスイッ
チとして機能する。
【０１５０】
なお、第２トランジスタは、表示素子２５０４に電流を供給する機能を有する。
【０１５１】
次に、図２５に示した画素構成の動作について説明する。まず、信号書き込み期間にお
いては、走査線２５０７の電位を、信号線２５０５の最も高い電位、もしくは、第１電源
線２５０６の電位よりも高くすることにより、走査線２５０７を選択し、第１トランジス
タ２５０１をオン状態にして、信号線２５０５から信号を保持容量２５０２に入力する。
【０１５２】
なお、信号書き込み期間においては、第１電源線２５０６と第２電源線２５０８の電位
を制御することにより、表示素子２５０４には電圧が加わらないようにしておく。例えば
、第２電源線２５０８をフローティングにすればよい。もしくは、第２電源線２５０８の
電位を第１電源線２５０６の電位と同程度、もしくはそれよりも高くしてもよい。その結
果、信号書き込み期間において、表示素子２５０４が点灯することを避けることが出来る
。
【０１５３】
次に、点灯期間においては、第１電源線２５０６と第２電源線２５０８の電位を制御す
ることにより、表示素子２５０４には電圧が加わるようにする。例えば、第２電源線２５
０８の電位を第１電源線２５０６の電位よりも、低くすればよい。これにより、信号書き
込み期間で保持容量２５０２に保持した信号に応じて、第２トランジスタ２５０３の電流
が制御され、第１電源線２５０６から、表示素子２５０４を通って、第２電源線２５０８
に電流が流れる。その結果、表示素子２７０４が点灯する。
【０１５４】
次に、画素に信号を書き込む期間と点灯する期間とが分離されていない場合のタイミン
グチャートを図２６に示す。各行において、信号書き込み動作を行うと、すぐに点灯期間
が開始する。
【０１５５】
ある行において、信号を書き込み、所定の点灯期間が終了したのち、次のサブフレーム
における信号の書き込み動作を開始する。これを繰り返すことにより、点灯期間の長さが
、１、２、４、４、４、２、２、４、４、４という順序で配置される。
【０１５６】
このようにすることで、信号の書き込み動作が遅くても、１フレーム内に多くのサブフ
レームを配置することが可能となる。
【０１５７】
このような駆動方法は、プラズマディスプレイに適用することが好適である。なお、プ
ラズマディスプレイに用いる場合は、初期化の動作などが必要になるが、図２６では、簡
単のため、省略している。
【０１５８】
また、この駆動方法は、ＥＬディスプレイやフィールドエミッションディスプレイやデ
ジタル・マイクロミラー・デバイス（ＤＭＤ）を用いたディスプレイなどに適用すること
も好適である。
【０１５９】
その場合の画素構成を図２７に示す。図２７に示した画素は、第１トランジスタ２７０
１、第２トランジスタ２７１１、第３トランジスタ２７０３、保持容量２７０２、表示素
子２７０４、第１信号線２７０５、第２信号線２７１５、第１走査線２７０７、第２走査
線２７１７、第１電源線２７０６、第２電源線２７０８から構成される。
【０１６０】
第１トランジスタ２７０１は、ゲート電極が、第１走査線２７０７に接続され、第１電
極が、第１信号線２７０５に接続され、第２電極が、保持容量２７０２の第２電極、及び
第２トランジスタ２７１１の第２電極、及び第３トランジスタ２７０３のゲート電極に接
続される。第２トランジスタ２７１１は、ゲート電極が、第２走査線２７１７に接続され
、第１電極が、第２信号線２７１５に接続される。第３トランジスタ２７０３は、第１電
極が、第１電源線２７０６に接続され、第２電極が、表示素子２７０４の第１電極に接続
される。保持容量２７０２は、第１電極が、第１電源線２７０６に接続される。表示素子
２７０４は、第２電極が、第２電源線２７０８に接続される。
【０１６１】
なお、第１トランジスタは、第１信号線２７０５に入力された信号を保持容量２７０２
に入力するために、第１信号線２７０５と保持容量２７０２の第２電極とを接続するため
のスイッチとして機能する。
【０１６２】
なお、第２トランジスタは、第２信号線２７１５から入力された信号を保持容量２７０
２に入力するために、第２信号線２７１５と保持容量２７０２の第２電極とを接続するた
めのスイッチとして機能する。
【０１６３】
なお、第３トランジスタは、表示素子２７０４に電流を供給する機能を有する。
【０１６４】
次に、図２７に示した画素構成の動作について説明する。まず、第１の信号書き込み動
作を開始する。第１走査線２７０７の電位を、第１信号線２７０５の最も高い電位、もし
くは、第１電源線２７０６の電位よりも高くすることにより、第１走査線２７０７を選択
し、第１トランジスタ２７０１をオン状態にして、第１信号線２７０５から信号を保持容
量２７０２に入力する。これにより、保持容量２７０２に保持された信号に応じて、第３
トランジスタ２７０３の電流が制御され、第１電源線２７０６から、表示素子２７０４を
通って、第２電源線２７０８に電流が流れる。その結果、表示素子２７０４が点灯する。
【０１６５】
所定の点灯期間が終了した後、次のサブフレームにおける信号の書き込み動作（第２の
書き込み動作）を開始する。第２走査線２７１７の電位を、第２信号線２７１５の最も高
い電位、もしくは、第１電源線２７０６の電位よりも高くすることにより、第２走査線２
７１７を選択し、第２トランジスタ２７１１をオン状態にして、第２信号線２７１５から
信号を保持容量２７０２に入力する。これにより、保持容量２７０２に保持された信号に
応じて、第３トランジスタ２７０３の電流が制御され、第１電源線２７０６から、表示素
子２７０４を通って、第２電源線２７０８に電流が流れる。その結果、表示素子２７０４
が点灯する。
【０１６６】
第１走査線２７０７と第２走査線２７１７とは、別々に制御出来る。同様に、第１信号
線２７０５と第２信号線２７１５とは、別々に制御出来る。よって、同時に２行分の画素
に信号を入力することが可能であるため、図２６のような駆動法が実現出来る。
【０１６７】
なお、図２５の回路を用いて、図２６のような駆動法を実現することも可能である。そ
の場合のタイミングチャートを図２８に示す。図２８に示すように、１ゲート選択期間を
複数（図２８では２つ）に分割する。そして、分割された選択期間内で、各々の走査線の
電位を高くすることにより、各々の走査線を選択し、対応する信号を信号線２５０５に入
力する。例えば、ある１ゲート選択期間において、前半はｉ行目を選択し、後半はｊ行目
を選択する。すると、１ゲート選択期間において、あたかも同時に２行分を選択したかの
ように動作させることが可能となる。
【０１６８】
なお、このような駆動方法の詳細については、例えば、特開２００１−３２４９５８号
公報等に記載されており、その内容を本願と組み合わせて適用することが出来る。
【０１６９】
次に、画素の信号を消去する動作を行う場合のタイミングチャートを図２９に示す。各
行において、信号書き込み動作を行い、次の信号書き込み動作が来る前に、画素の信号を
消去する。このようにすることにより、点灯期間の長さを容易に制御できるようになる。
【０１７０】
ある行において、信号を書き込み、所定の点灯期間が終了したのち、次のサブフレーム
における信号の書き込み動作を開始する。もし、点灯期間が短い場合は、信号消去動作を
行い、強制的に非点灯状態にする。これらを繰り返すことにより、点灯期間の長さが、１
、２、４、４、４、２、２、４、４、４という順序で配置される。
【０１７１】
なお、図２９では、点灯期間が１と２の場合において、信号消去動作を行っているが、
これに限定されない。他の点灯期間において、消去動作を行ってもよい。
【０１７２】
このようにすることで、信号の書き込み動作が遅くても、１フレーム内に多くのサブフ
レームを配置することが可能となる。また、消去動作を行う場合は、消去用のデータをビ
デオ信号と同様に取得する必要がないため、信号線駆動回路の駆動周波数も低減出来る。
【０１７３】
このような駆動方法は、プラズマディスプレイに適用することが好適である。なお、プ
ラズマディスプレイに用いる場合は、初期化の動作などが必要になるが、図２９では、簡
単のため、省略している。
【０１７４】
また、この駆動方法は、ＥＬディスプレイやフィールドエミッションディスプレイやデ
ジタル・マイクロミラー・デバイス（ＤＭＤ）を用いたディスプレイなどに適用すること
も好適である。
【０１７５】
その場合の画素構成を図３０に示す。図３０に示した画素は、第１トランジスタ３００
１、第２トランジスタ３０１１、第３トランジスタ３００３、保持容量３００２、表示素
子３００４、信号線３００５、第１走査線３００７、第２走査線３０１７、第１電源線３
００６、第２電源線３００８から構成される。
【０１７６】
第１トランジスタ３００１は、ゲート電極が、第１走査線３００７に接続され、第１電
極が、信号線３００５に接続され、第２電極が、保持容量３００２の第２電極、及び第２
トランジスタ３０１１の第２電極、及び第３トランジスタ３００３のゲート電極に接続さ
れる。第２トランジスタ３０１１は、ゲート電極が、第２走査線３０１７に接続され、第
１電極が、第１電源線３００６に接続される。第３トランジスタ３００３は、第１電極が
、第１電源線３００６に接続され、第２電極が、表示素子３００４の第１電極に接続され
る。保持容量３００２は、第１電極が、第１電源線３００６に接続される。表示素子３０
０４は、第２電極が、第２電源線３００８に接続される。
【０１７７】
なお、第１トランジスタは、信号線３００５に入力された信号を保持容量３００２に入
力するために、信号線３００５と保持容量３００２の第２電極とを接続するためのスイッ
チとして機能する。
【０１７８】
なお、第２トランジスタは、第３トランジスタをオフ状態にするために、第３トランジ
スタ３００３のゲート電極と第１電源線３００６とを接続するためのスイッチとして機能
する。
【０１７９】
なお、第３トランジスタは、表示素子３００４に電流を供給する機能を有する。
【０１８０】
次に、図３０に示した画素構成の動作について説明する。まず、信号を書き込む場合は
、第１走査線３００７の電位を、信号線３００５の最も高い電位、もしくは、第１電源線
３００６の電位よりも高くすることにより、第１走査線３００７を選択し、第１トランジ
スタ３００１をオン状態にして、信号線３００５から信号を保持容量３００２に入力する
。これにより、保持容量３００２に保持された信号に応じて、第３トランジスタ３００３
の電流が制御され、第１電源線３００６から、表示素子３００４を通って、第２電源線３
００８に電流が流れる。その結果、表示素子３００４が点灯する。
【０１８１】
信号を消去したい場合は、第２走査線３０１７の電位を、信号線３００５の最も高い電
位、もしくは、第１電源線３００６の電位よりも高くすることにより、第２走査線３０１
７を選択し、第２トランジスタ３０１１をオン状態にして、第３トランジスタ３００３が
オフ状態になるようにする。これにより、第１電源線３００６から、表示素子３００４を
通って、第２電源線３００８には、電流が流れないようになる。その結果、非点灯期間を
作ることができ、点灯期間の長さを自由に制御できるようになる。
【０１８２】
図３０では、第２トランジスタ３０１１を用いて非点灯期間をつくったが、別の方法を
用いることも出来る。強制的に非点灯期間をつくるためには、表示素子３００４に電流が
供給されないようにすればよい。よって、第１電源線３００６から、表示素子３００４を
通って、第２電源線３００８に電流が流れる経路のどこかに、スイッチを配置して、その
スイッチのオンオフを制御して、非点灯期間を作ればよい。あるいは、第３トランジスタ
３００３のゲート・ソース間電圧を制御して、第３トランジスタが強制的にオフになるよ
うにすればよい。
【０１８３】
図３０の第３トランジスタに相当するトランジスタを強制的にオフにする場合の画素構
成の例を図３１に示す。図３１に示した画素は、第１トランジスタ３１０１、第２トラン
ジスタ３１０３、保持容量３１０２、表示素子３１０４、信号線３１０５、第１走査線３
１０７、第２走査線３１１７、第１電源線３１０６、第２電源線３１０８、ダイオード３
１１１から構成される。ここで、第２トランジスタ３１０３が、図３０の第３トランジス
タ３００３に相当する。
【０１８４】
第１トランジスタ３１０１は、ゲート電極が、第１走査線３１０７に接続され、第１電
極が、信号線３１０５に接続され、第２電極が、保持容量３１０２の第２電極、及び第２
トランジスタ３１０３のゲート電極、及びダイオード３１１１の第２電極に接続される。
第２トランジスタ３１０３は、第１電極が、第１電源線３１０６に接続され、第２電極が
、表示素子３１０４の第１電極に接続される。保持容量３１０２は、第１電極が、第１電
源線３１０６に接続される。表示素子３１０４は、第２電極が、第２電源線３１０８に接
続される。ダイオード３１１１は、第１電極が、第２走査線３１１７に接続される。
【０１８５】
なお、第１トランジスタは、信号線３１０５に入力された信号を保持容量３１０２に入
力するために、信号線３１０５と保持容量３１０２の第２電極とを接続するためのスイッ
チとして機能する。
【０１８６】
なお、第２トランジスタは、表示素子３１０４に電流を供給する機能を有する。
【０１８７】
なお、保持容量３１０２は、第２トランジスタ３１０３のゲート電位を保持する機能を
有する。よって、第２トランジスタ３１０３のゲート電極と第１電源線３１０６の間に接
続されているが、これに限定されない。第２トランジスタ３１０３のゲート電位を保持で
きるように配置されていればよい。また、第２トランジスタ３１０３のゲート容量などを
用いて、第２トランジスタ３１０３のゲート電位を保持できる場合は、保持容量３１０２
を省いてもよい。
【０１８８】
次に、図３１に示した画素構成の動作について説明する。まず、信号を書き込む場合は
、第１走査線３１０７の電位を、信号線３１０５の最も高い電位、もしくは、第１電源線
３１０６の電位よりも高くすることにより、第１走査線３１０７を選択し、第１トランジ
スタ３１０１をオン状態にして、信号線３１０５から信号を保持容量３１０２に入力する
。これにより、保持容量３１０２に保持された信号に応じて、第２トランジスタ３１０３
の電流が制御され、第１電源線３１０６から、表示素子３１０４を通って、第２電源線３
１０８に電流が流れる。その結果、表示素子３１０４が点灯する。
【０１８９】
信号を消去したい場合は、第２走査線３１１７の電位を、信号線３１０５の最も高い電
位、もしくは、第１電源線３１０６の電位よりも高くすることにより、第２走査線３１１
７を選択し、ダイオード３１１１がオンして、第２走査線３１１７から第２トランジスタ
３１０３のゲート電極へ電流が流れるようにする。その結果、第２トランジスタ３１０３
がオフ状態になる。これにより、第１電源線３１０６から、表示素子３１０４を通って、
第２電源線３１０８には、電流が流れないようになる。その結果、非点灯期間を作ること
ができ、点灯期間の長さを自由に制御できるようになる。
【０１９０】
信号を保持しておきたい場合は、第２走査線３１１７の電位を、信号線３１０５の最も
低い電位よりも低くすることにより、第２走査線３１１７を非選択しておく。すると、ダ
イオード３１１１がオフするので、第２トランジスタ３１０３のゲート電位は保持される
。
【０１９１】
なお、ダイオード３１１１は、整流性がある素子であれば、なんでもよい。ＰＮ型ダイ
オードでもよいし、ＰＩＮ型ダイオードでもよいし、ショットキー型ダイオードでもよい
し、ツェナー型ダイオードでもよい。
【０１９２】
また、トランジスタを用いて、ダイオード接続（ゲート電極とドレイン電極を接続）し
て、用いてもよい。その場合の回路図を図３２に示す。ダイオード３１１１として、ダイ
オード接続されたトランジスタ３２１１を用いている。なお、トランジスタ３２１１は、
Ｎチャネル型を用いているが、これに限定されない。Ｐチャネル型を用いてもよい。
【０１９３】
さらに別の回路として、図２５の回路を用いて、図２９のような駆動法を実現すること
も可能である。その場合のタイミングチャートを図２８に示す。図２８に示すように、１
ゲート選択期間を複数（図２８では２つ）に分割する。そして、分割された選択期間内で
、各々の走査線の電位を高くすることにより、各々の走査線を選択し、その時に対応する
信号（ビデオ信号と消去するための信号）を信号線２５０５に入力する。例えば、ある１
ゲート選択期間において、前半はｉ行目を選択し、後半はｊ行目を選択する。そして、ｉ
行目が選択されているときは、ビデオ信号を入力する。一方、ｊ行目が選択されていると
きは、駆動トランジスタがオフするような信号を入力する。すると、１ゲート選択期間に
おいて、あたかも同時に２行分を選択したかのように動作させることが可能となる。
【０１９４】
なお、このような駆動方法の詳細については、例えば、特開２００１−３２４９５８号
公報等に記載されており、その内容を本願と組み合わせて適用することが出来る。
【０１９５】
ところで、本発明の一例では、従来の時間階調方式において、第１ビット群に属するビ
ットを４分割し、第２ビット群に属するビットを２分割し、第３ビット群に属するビット
を分割しない方法を用いている。これにより、デューティー比が従来の倍速フレーム方式
よりも高くなる。なぜなら、第１ビット群に属するビットを４分割することにより、点灯
期間が最長となるサブフレームの数、つまり、消去動作が必要でないサブフレームの数が
増えるため、消去動作が必要となるサブフレーム数が少なくなり、１フレームあたりの消
去期間を短くすることができるためである。
【０１９６】
例えば、５ビット表示で従来の倍速フレーム方式を適用した場合（図４４）で、画素の
信号を消去する動作を行う場合のタイミングチャートを図３３に示す。従来の倍速フレー
ム方式（図３３）と本発明の駆動方式（図２９）を比較すると、点灯期間が最長となるサ
ブフレーム数（消去動作が必要でないサブフレーム数）は、従来の倍速フレーム方式（図
３３）では２個なのに対して、本発明の駆動方式（図２９）では６個となる。つまり、本
発明の駆動方式の方が、合計の消去期間が短いことが分かる。
【０１９７】
このように、本発明の駆動方式を用いると、従来の倍速フレーム方式よりもデューティ
ー比を高くすることができるため、発光素子にかかる電圧を小さくすることができ、消費
電力を低減できる。また、発光素子の劣化を抑えることもできる。
【０１９８】
なお、本実施の形態において示したタイミングチャートや画素構成や駆動方法は、一例
であり、これに限定されない。様々なタイミングチャートや画素構成や駆動方法に適用す
ることが可能である。
【０１９９】
なお、サブフレームの出現順序は、時刻によって変化してもよい。例えば、１フレーム
目と２フレーム目とで、サブフレームの出現順序が変わってもよい。また、サブフレーム
の出現順序は、場所によって変わってもよい。例えば、画素Ａと画素Ｂとで、サブフレー
ムの出現順序が変わってもよい。また、それらを組み合わせて、サブフレームの出現順序
が、時刻によって変化して、かつ、場所によって変化してもよい。
【０２００】
なお、本実施の形態において、１フレーム内に、点灯期間や信号書き込み期間や非点灯
期間が配置されていたが、これに限定されない。それ以外の動作期間が配置されていても
よい。例えば、表示素子に加える電圧を、通常とは逆の極性にするような期間、いわゆる
、逆バイアス期間を設けてもよい。逆バイアス期間を設けることにより、表示素子の信頼
性が向上する場合がある。なお、本実施の形態で示した画素構成は一例に過ぎず、これら
に限定されない。また、画素を構成するトランジスタの構成は、これらに限定されない。
【０２０１】
なお、本実施の形態で述べた内容は、実施の形態１、実施の形態２で述べた内容と自由
に組み合わせて実施することができる。
【０２０２】
（実施の形態４）
本実施形態では、表示装置、および、信号線駆動回路や走査線駆動回路などの構成とそ
の動作について説明する。
【０２０３】
表示装置は、図３４（Ａ）に示すように、画素部３４０１、走査線駆動回路３４０２、
信号線駆動回路３４０３を有している。
【０２０４】
走査線駆動回路３４０２は、画素部３４０１に選択信号を順次出力する。走査線駆動回
路３４０２の構成の一例を図３４（Ｂ）に示す。走査線駆動回路は、シフトレジスタ３４
０４やバッファ回路３４０５などから構成されている。シフトレジスタ３４０４は、クロ
ック信号（Ｇ−ＣＬＫ）、スタートパルス（Ｇ−ＳＰ）、クロック反転信号（Ｇ−ＣＬＫ
Ｂ）が入力され、これらの信号のタイミングに従って、順次サンプリングパルスが出力さ
れる。出力されたサンプリングパルスは、バッファ回路３４０５で増幅され、各走査線か
ら画素部３４０１へ入力される。なお、走査線駆動回路３４０２には、シフトレジスタ３
４０４やバッファ回路３４０５の他にレベルシフタ回路やパルス幅制御回路などが配置さ
れている場合も多い。
【０２０５】
信号線駆動回路３４０３は、画素部３４０１にビデオ信号を順次出力する。画素部３４
０１では、ビデオ信号に従って、光の状態を制御することにより、画像を表示する。信号
線駆動回路３４０３から画素部３４０１へ入力するビデオ信号は、電圧である場合が多い
。つまり、各画素に配置された表示素子や表示素子を制御する素子は、信号線駆動回路３
４０３から入力されるビデオ信号（電圧）によって、状態を変化させる。画素に配置する
表示素子の例としては、ＥＬ素子やＦＥＤ（フィールドエミッションディスプレイ）で用
いる素子や液晶やＤＭＤ（デジタル・マイクロミラー・デバイス）などがあげられる。
【０２０６】
なお、走査線駆動回路３４０２や信号線駆動回路３４０３は、複数配置されていてもよ
い。
【０２０７】
信号線駆動回路３４０３の構成の一例を図３４（Ｃ）に示す。信号線駆動回路３４０３
は、シフトレジスタ３４０６、第１ラッチ回路（ＬＡＴ１）３４０７、第２ラッチ回路（
ＬＡＴ２）３４０８、増幅回路３４０９などから構成されている。増幅回路３４０９は、
デジタル信号をアナログ信号に変換する機能を有していてもよいし、ガンマ補正を行う機
能を有していてもよい。
【０２０８】
また、画素は、ＥＬ素子などの表示素子を有している。その表示素子に電流（ビデオ信
号）を出力する回路、すなわち、電流源回路を有していることもある。
【０２０９】
そこで、信号線駆動回路３４０３の動作を簡単に説明する。シフトレジスタ３４０６は
、クロック信号（Ｓ−ＣＬＫ）、スタートパルス（Ｓ−ＳＰ）、クロック反転信号（Ｓ−
ＣＬＫＢ）が入力され、これらの信号のタイミングに従って、順次サンプリングパルスが
出力される。
【０２１０】
シフトレジスタ３４０６より出力されたサンプリングパルスは、第１ラッチ回路（ＬＡ
Ｔ１）３４０７に入力される。第１ラッチ回路（ＬＡＴ１）３４０７には、ビデオ信号線
３４１０より、ビデオ信号が入力されており、サンプリングパルスが入力されるタイミン
グに従って、各列でビデオ信号を保持していく。
【０２１１】
第１ラッチ回路（ＬＡＴ１）３４０７において、最終列までビデオ信号の保持が完了す
ると、水平帰線期間中に、ラッチ制御線３４１１よりラッチパルス（Ｌａｔｃｈ Ｐｕｌ
ｓｅ）が入力され、第１ラッチ回路（ＬＡＴ１）３４０７に保持されていたビデオ信号は
、一斉に第２ラッチ回路（ＬＡＴ２）３４０８に転送される。その後、第２ラッチ回路（
ＬＡＴ２）３４０８に保持されたビデオ信号は、１行分が同時に、増幅回路３４０９へと
入力される。そして、増幅回路３４０９から出力される信号は、画素部３４０１へ入力さ
れる。
【０２１２】
第２ラッチ回路（ＬＡＴ２）３４０８に保持されたビデオ信号が増幅回路３４０９に入
力され、そして、画素部３４０１に入力されている間、シフトレジスタ３４０６において
は再びサンプリングパルスが出力される。つまり、同時に２つの動作が行われる。これに
より、線順次駆動が可能となる。以後、この動作を繰り返す。
【０２１３】
なお、信号線駆動回路やその一部（電流源回路や増幅回路など）は、画素部３４０１と
同一基板上に存在せず、例えば、外付けのＩＣチップを用いて構成されることもある。
【０２１４】
なお、信号線駆動回路や走査線駆動回路などの構成は、図３４に限定されない。例えば
、点順次駆動で画素に信号を供給する場合もある。その場合の一例を図３５に示す。信号
線駆動回路３５０３は、シフトレジスタ３５０４とサンプリング回路３５０５から構成さ
れている。シフトレジスタ３５０４から、サンプリングパルスがサンプリング回路３５０
５に出力される。ビデオ信号線３５０６より、ビデオ信号が入力され、サンプリングパル
スに応じて、画素部３５０１へビデオ信号が出力される。そして、走査線駆動回路３５０
２により選択されている行の画素に次々と信号が入力される。
【０２１５】
なお、すでに述べたように、本発明におけるトランジスタは、どのようなタイプのトラ
ンジスタでもよいし、どのような基板に形成されていてもよい。したがって、図３４や図
３５で示したような回路が、全てガラス基板に形成されていてもよいし、プラスチック基
板に形成されていてもよいし、単結晶基板に形成されていてもよいし、ＳＯＩ基板に形成
されていてもよい。あるいは、図３４や図３５における回路の一部が、ある基板に形成さ
れており、図３４や図３５における回路の別の一部が、別の基板に形成されていてもよい
。つまり、図３４や図３５における回路の全てが同じ基板上に形成されていなくてもよい
。例えば、図３４や図３５において、画素部と走査線駆動回路を、ガラス基板上にＴＦＴ
を用いて形成し、信号線駆動回路（もしくはその一部）は、単結晶基板上に形成し、その
ＩＣチップをＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）で接続してガラス基板上に配置して
もよい。あるいは、そのＩＣチップをＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏ Ｂｏｎｄｉｎｇ）や
プリント基板を用いてガラス基板と接続してもよい。
【０２１６】
なお、本実施の形態で説明した内容は、実施の形態１〜実施の形態３で説明した内容を
利用したものに相当する。したがって、実施の形態１〜実施の形態３で説明した内容は、
本実施の形態にも適用できる。
【０２１７】
（実施の形態５）
本実施形態では、本発明の表示装置における画素のレイアウトについて述べる。例とし
ては、図３２に示した回路図について、そのレイアウト図を図３６に示す。なお、図３６
中に付した番号は、図３２に付した番号と対応している。なお、回路図やレイアウト図は
、図３２や図３６に限定されない。
【０２１８】
図３６に示した画素は、第１トランジスタ３１０１、第２トランジスタ３１０３、保持
容量３１０２、表示素子３１０４、信号線３１０５、第１走査線３１０７、第２走査線３
１１７、第１電源線３１０６、第２電源線３１０８、ダイオード接続されたトランジスタ
３２１１から構成される。
【０２１９】
第１のトランジスタ３１０１は、ゲート電極が、第１走査線３１０７に接続され、第１
電極が、信号線３１０５に接続され、第２電極が、保持容量３１０２の第２電極、及び第
２トランジスタ３１０３のゲート電極、及びダイオード接続されたトランジスタ３２１１
の第２電極に接続される。第２トランジスタ３１０３は、第１電極が、第１電源線３１０
６に接続され、第２電極が、表示素子３１０４の第１電極に接続される。保持容量３１０
２は、第１電極が、第１電源線３１０６に接続される。表示素子３１０４は、第２電極が
、第２電源線３１０８に接続される。ダイオード接続されたトランジスタ３２１１は、ゲ
ート電極が、ダイオード接続されたトランジスタ３２１１の第２電極と接続され、第１電
極が、第２走査線３１１７に接続される。
【０２２０】
信号線３１０５、第１電源線３１０６は、第２配線によって形成され、第１走査線３１
０７、第２走査線３１１７は、第１配線によって形成されている。
【０２２１】
トップゲート構造の場合は、基板、半導体層、ゲート絶縁膜、第１配線、層間絶縁膜、
第２配線、の順で膜が構成される。ボトムゲート構造の場合は、基板、第１配線、ゲート
絶縁膜、半導体層、層間絶縁膜、第２配線、の順で膜が構成される。
【０２２２】
なお、本実施の形態で述べた内容は、実施の形態１〜実施の形態４で述べた内容と自由
に組み合わせて実施することができる。
【０２２３】
（実施の形態６）
本実施形態では、実施の形態１から実施の形態５までで述べた駆動方法を制御するハー
ドウェアについて述べる。
【０２２４】
大まかな構成図を図３７に示す。基板３７０１の上に、画素部３７０４が配置されてい
る。信号線駆動回路３７０６や走査線駆動回路３７０５が配置されている場合が多い。そ
れ以外にも、電源回路やプリチャージ回路やタイミング生成回路などが配置されているこ
ともある。また、信号線駆動回路３７０６や走査線駆動回路３７０５が配置されていない
場合もある。その場合、基板３７０１に配置されていないものは、ＩＣに形成されること
が多い。ＩＣは、基板３７０１の上に、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）によって
配置されている場合が多い。あるいは、周辺回路基板３７０２と基板３７０１とを接続す
る接続基板３７０７の上に、ＩＣが配置される場合もある。
【０２２５】
周辺回路基板３７０２には、信号３７０３が入力される。そして、コントローラ３７０
８が制御して、メモリ３７０９やメモリ３７１０などに信号が保存される。信号３７０３
がアナログ信号の場合は、アナログ・デジタル変換を行った後、メモリ３７０９やメモリ
３７１０などに保存されることが多い。そして、コントローラ３７０８がメモリ３７０９
やメモリ３７１０などに保存された信号を用いて、基板３７０１に信号を出力する。
【０２２６】
実施の形態１〜実施の形態５で述べた駆動方法を実現するために、コントローラ３７０
８が、サブフレームの出現順序などを制御して、基板３７０１に信号を出力する。
【０２２７】
なお、本実施の形態で述べた内容は、実施の形態１〜実施の形態５で述べた内容と自由
に組み合わせて実施することができる。
【０２２８】
（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の表示装置に用いることができる薄膜トランジスタの作製工
程の一例について図５２を用いて説明する。なお、本実施の形態においては、結晶性半導
体からなるトップゲート型の薄膜トランジスタの作製工程について説明するが、本発明に
用いることができる薄膜トランジスタはこれに限られない。例えば、非晶質半導体からな
る薄膜トランジスタを用いても良いし、ボトムゲート型の薄膜トランジスタを用いても良
い。
【０２２９】
まず、基板１１２００上に、下地膜１１２０１を形成する。基板１１２００としては、
バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス等からなるガラス基板、シリコン
基板、耐熱性を有するプラスチック基板又は樹脂基板等を用いることができる。プラスチ
ック基板又は樹脂基板として、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナ
フタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、アクリル、ポリイミド等を用
いることができる。下地膜１１２０１は、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング
法、スピンコート法等の方法により、珪素を含む酸化物材料、窒化物材料を用いて、単層
又は積層して形成される。下地膜１１２０１を形成することで、基板１１２００からの汚
染物質による半導体膜の劣化を防ぐことができる。
【０２３０】
次に、下地膜１１２０１上に半導体膜１１２０２を形成する（図５２（Ａ）参照）。半
導体膜１１２０２は２５〜２００ｎｍ（好ましくは５０〜１５０ｎｍ）の厚さでスパッタ
法、ＬＰＣＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法等により成膜すればよい。本実施の形態では
、非晶質半導体膜を形成し、結晶化を行うこととする。半導体膜１１２０２の材料として
は、珪素やゲルマニウムを用いることができるが、これに限られない。
【０２３１】
結晶化の方法としては、レーザー結晶化法、熱結晶化法、またはニッケルなどの結晶化
を助長する元素を用いた熱結晶化法等を用いれば良い。結晶化を助長する元素を導入しな
い場合は、非晶質珪素膜にレーザー光を照射する前に、窒素雰囲気下５００℃で１時間加
熱することによって非晶質珪素膜の含有水素濃度を１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下
にまで放出させる。これは水素を多く含んだ非晶質珪素膜にレーザー光を照射すると膜が
破壊されてしまうためである。
【０２３２】
触媒となる元素を非晶質半導体膜へ導入する場合の導入方法としては、当該触媒元素を
非晶質半導体膜の表面又はその内部に存在させ得る手法であれば特に限定はなく、例えば
スパッタ法、ＣＶＤ法、プラズマ処理法（プラズマＣＶＤ法も含む）、吸着法、金属塩の
溶液を塗布する方法等を使用することができる。このうち溶液を用いる方法は簡便であり
、金属元素の濃度調整が容易であるという点で有用である。また、このとき、非晶質半導
体膜の表面全体に水溶液を行き渡らせるため、酸素雰囲気中でのＵＶ光の照射、熱酸化法
、ヒドロキシラジカルを含むオゾン水又は過酸化水素による処理等により、酸化膜を成膜
することが望ましい。
【０２３３】
また、非晶質半導体膜の結晶化は、熱処理とレーザー光照射による結晶化を組み合わせ
てもよく、熱処理やレーザー光照射を単独で、複数回行っても良い。レーザー結晶化や金
属元素を用いた結晶化を組み合わせて用いても良い。
【０２３４】
次に、非晶質半導体膜を結晶化した結晶性を有する半導体膜１１２０２上に、フォトリ
ソグラフィ工程を用いてレジストによるマスクを作製し、マスクを用いてエッチングを行
い、半導体領域１１２０３を形成する。マスクは、感光剤を含む市販のレジスト材料を用
いてもよく、例えば、代表的なポジ型レジストであるノボラック樹脂と感光剤であるナフ
トキノンジアジド化合物、ネガ型レジストであるベース樹脂、ジフェニルシランジオール
及び酸発生剤等を用いてもよい。いずれの材料を用いるとしても、その表面張力と粘度は
、溶媒の濃度を調整したり、界面活性剤等を加えたりして適宜調整することができる。
【０２３５】
なお、本実施の形態のフォトリソグラフィ工程において、レジストを塗布する前に、半
導体膜表面に、膜厚が数ｎｍ程度の絶縁膜を形成してもよい。この工程により半導体膜と
レジストとが直接接触することを回避することが可能であり、不純物が半導体膜中に侵入
するのを防止できる。
【０２３６】
次に、半導体領域１１２０３上に、ゲート絶縁膜１１２０４を形成する。なお、本実施
の形態においては、ゲート絶縁膜を単層構造としたが、２層以上の積層構造としても良い
。積層構造とする場合、同チャンバー内で真空を保ったまま、同一温度下で、反応ガスを
切り変えながら連続的に絶縁膜を形成するとよい。真空を保った状態で連続的に形成する
と、積層する膜同士の界面が汚染されるのを防ぐことができる。
【０２３７】
ゲート絶縁膜１１２０４の材料としては、酸化珪素（ＳｉＯ_ｘ：ｘ＞０）、窒化珪素（
ＳｉＮ_ｘ：ｘ＞０）、酸化窒化珪素（ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ：ｘ＞ｙ＞０）、窒化酸化珪素（Ｓｉ
Ｎ_ｘＯ_ｙ：ｘ＞ｙ＞０）等を適宜用いることができる。なお、低い成膜温度でゲートリー
ク電流の少ない緻密な絶縁膜を形成するには、アルゴン等の希ガス元素を反応ガスに含ま
せ、形成される絶縁膜中に混入させると良い。本実施の形態では、ゲート絶縁膜１１２０
４として、ＳｉＨ_４及びＮ_２Ｏを反応ガスとして酸化珪素膜を膜厚１０ｎｍ〜１００ｎｍ
（好ましくは２０ｎｍ〜８０ｎｍ）、例えば６０ｎｍで形成する。なお、ゲート絶縁膜１
１２０４の膜厚については、この範囲に限られない。
【０２３８】
次に、ゲート絶縁膜１１２０４上にゲート電極１１２０５を形成する（図５２（Ｂ）参
照）。ゲート電極１１２０５の厚さは１０ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましい。なお
、本実施の形態では、シングルゲート構造のＴＦＴの作製方法を示すが、ゲート電極を２
以上設けるマルチゲート構造としても良い。マルチゲート構造とすることで、オフ時のリ
ーク電流を低減したＴＦＴを作製できる。ゲート電極１１２０５の材料としては、用途に
応じて、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ
）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）
、パラジウム（Ｐｄ）、炭素（Ｃ）、アルミニウム（Ａｌ）、マンガン（Ｍｎ）、チタン
（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）等の導電性を有する元素、又はこれらの元素を主成分とする
合金材料若しくは化合物材料等を用いることができる。また、酸化インジウムに酸化錫を
混合したインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）に酸化珪素を混
合したインジウム錫珪素酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化インジウムに酸化亜鉛を混合したイン
ジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、または酸化スズ（ＳｎＯ_２）等を用
いることもできる。なお、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）とは、ＩＴＯに２〜２０ｗｔ
％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合させたターゲットを用いてスパッタリングにより形成され
る透明導電材料である。
【０２３９】
次に、ゲート電極１１２０５をマスクとして、半導体領域１１２０３に不純物元素を添
加する。ここでは、例えば、不純物元素としてリン（Ｐ）を５×１０^１９〜５×１０^２０
／ｃｍ^３程度の濃度で含まれるように添加し、ｎ型を示す半導体領域を形成することがで
きる。また、ｐ型を示す不純物元素を添加して、ｐ型を示す半導体領域を形成しても良い
。ｎ型を示す不純物元素としては、リン（Ｐ）やヒ素（Ａｓ）等を用いることができる。
ｐ型を示す不純物元素としては、ボロン（Ｂ）やアルミニウム（Ａｌ）やガリウム（Ｇａ
）等を用いることができる。なお、不純物元素を低濃度に添加したＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌ
ｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）領域を形成しても良い。ＬＤＤ領域を形成することで、オ
フ時のリーク電流を低減したＴＦＴを作製できる。
【０２４０】
次に、ゲート絶縁膜１１２０４及びゲート電極１１２０５を覆うように、絶縁膜１１２
０６を形成する（図５２（Ｃ）参照）。絶縁膜１１２０６の材料としては、酸化珪素（Ｓ
ｉＯ_ｘ：ｘ＞０）、窒化珪素（ＳｉＮ_ｘ：ｘ＞０）、酸化窒化珪素（ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ：ｘ＞
ｙ＞０）、窒化酸化珪素（ＳｉＮ_ｘＯ_ｙ：ｘ＞ｙ＞０）等を適宜用いることができる。な
お、本実施の形態においては、絶縁膜１１２０６を単層構造としたが、２層以上の積層構
造としてもよい。また、絶縁膜１１２０６上に層間絶縁膜を１層又は２層以上設ける構成
としても良い。
【０２４１】
次に、フォトリソグラフィ工程を用いてレジストによるマスクを作製し、ゲート絶縁膜
１１２０４及び絶縁膜１１２０６のエッチングを行い、半導体領域１１２０３の不純物元
素を添加した領域が露出するように、開口部を形成する。その後、半導体領域１１２０３
に電気的に接続するように、電極となる導電膜１１２０７を形成する（図５２（Ｄ）参照
）。導電膜の材料としては、ゲート電極１１２０５と同様の材料を用いることができる。
【０２４２】
次に、フォトリソグラフィ工程を用いてレジストによるマスク（図示しない）を形成し
、マスクを介して導電膜１１２０７を所望の形状に加工し、ソース電極及びドレイン電極
１１２０８、１１２０９を形成する（図５２（Ｅ）参照）。
【０２４３】
なお、本実施の形態において、エッチング加工は、プラズマエッチング（ドライエッチ
ング）又はウエットエッチングのどちらを採用しても良いが、大面積基板を処理するには
プラズマエッチングが適している。エッチングガスとしては、ＣＦ_４、ＮＦ_３、ＳＦ_６、
ＣＨＦ_３等のフッ素系又はＣｌ_２、ＢＣｌ_３、ＳｉＣｌ_４もしくはＣＣｌ_４等を代表とす
る塩素系ガス、あるいはＯ_２ガスを用い、ＨｅやＡｒ等の不活性ガスを適宜加えても良い
。
【０２４４】
以上の工程で、結晶性半導体からなるトップゲート型の薄膜トランジスタを作製するこ
とができる。
【０２４５】
なお、本実施の形態で述べた内容は、実施の形態１〜実施の形態６で述べた内容と自由
に組み合わせて実施することができる。
【０２４６】
（実施の形態８）
本実施の形態では、本発明の表示パネルについて図５３などを用いて説明する。なお、
図５３（ａ）は、表示パネルを示す上面図、図５３（ｂ）は図５３（ａ）をＡ−Ａ’で切
断した断面図である。点線で示された信号線駆動回路（Ｄａｔａ ｌｉｎｅ）１１０１、
画素部１１０２、第１の走査線駆動回路（Ｇ１ ｌｉｎｅ）１１０３、第２の走査線駆動
回路（Ｇ２ ｌｉｎｅ）１１０６を有する。また、封止基板１１０４、シール材１１０５
を有し、シール材１１０５で囲まれた内側は、空間１１０７になっている。
【０２４７】
なお、配線１１０８は第１の走査線駆動回路１１０３、第２の走査線駆動回路１１０６
及び信号線駆動回路１１０１に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端
子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）１１０９からビデオ信号、クロック
信号、スタート信号等を受け取る。ＦＰＣ１１０９と表示パネルとの接合部上にはＩＣチ
ップ（メモリ回路や、バッファ回路などが形成された半導体チップ）がＣＯＧ（Ｃｈｉｐ
Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）等で実装されている。なお、ここではＦＰＣしか図示されていない
が、このＦＰＣにはプリント配線基盤（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書
における表示装置とは、表示パネル本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り
付けられた状態をも含むものとする。また、ＩＣチップなどが実装されたものを含むもの
とする。
【０２４８】
次に、断面構造について図５３（ｂ）を用いて説明する。基板１１１０上には画素部１
１０２とその周辺駆動回路（第１の走査線駆動回路１１０３、第２の走査線駆動回路１１
０６及び信号線駆動回路１１０１）が形成されているが、ここでは、信号線駆動回路１１
０１と、画素部１１０２が示されている。
【０２４９】
なお、信号線駆動回路１１０１はＮチャネル型ＴＦＴ１１２０やＮチャネル型ＴＦＴ１
１２１のように単極性のトランジスタで構成されている。なお、第１の走査線駆動回路１
１０３及び第２の走査線駆動回路１１０６も同様にＮチャネル型トランジスタで構成する
のが好ましい。なお、画素構成には本発明の画素構成を適用することにより単極性のトラ
ンジスタで形成することができるため単極性表示パネルを作製することができる。また、
本実施の形態では、基板上に周辺駆動回路を一体形成した表示パネルを示すが、必ずしも
その必要はなく、周辺駆動回路の全部若しくは一部をＩＣチップなどに形成し、ＣＯＧな
どで実装しても良い。その場合には駆動回路は単極性にする必要がなくＰチャネル型トラ
ンジスタを組み合わせて用いることができる。
【０２５０】
また、画素部１１０２はスイッチング用ＴＦＴ１１１１と、駆動用ＴＦＴ１１１２とを
含む画素を構成する複数の回路を有している。なお、駆動用ＴＦＴ１１１２のソース電極
は第１の電極１１１３と接続されている。また、第１の電極１１１３の端部を覆って絶縁
物１１１４が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることに
より形成する。
【０２５１】
また、カバレッジを良好なものとするため、絶縁物１１１４の上端部または下端部に曲
率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物１１１４の材料としてポジ型の
感光性アクリルを用いた場合、絶縁物１１１４の上端部のみに曲率半径（０．２μｍ〜３
μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物１１１４として、感光性の
光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光によってエッチャントに溶解
性となるポジ型のいずれも使用することができる。
【０２５２】
第１の電極１１１３上には、有機化合物を含む層１１１６、および第２の電極１１１７
がそれぞれ形成されている。ここで、陽極として機能する第１の電極１１１３に用いる材
料としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、ＩＴＯ（インジウ
ムスズ酸化物）膜、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）膜、窒化チタン膜、クロム膜、タン
グステン膜、Ｚｎ膜、Ｐｔ膜などの単層膜の他、窒化チタンとアルミニウムを主成分とす
る膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との３層構
造等を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好な
オーミックコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることができる。
【０２５３】
また、有機化合物を含む層１１１６は、蒸着マスクを用いた蒸着法、またはインクジェ
ット法によって形成される。有機化合物を含む層１１１６には、元素周期律第４族金属錯
体をその一部に用いることとし、その他、組み合わせて用いることのできる材料としては
、低分子系材料であっても高分子系材料であっても良い。また、有機化合物を含む層に用
いる材料としては、通常、有機化合物を単層もしくは積層で用いる場合が多いが、本実施
の形態においては、有機化合物からなる膜の一部に無機化合物を用いる構成も含めること
とする。さらに、公知の三重項材料を用いることも可能である。
【０２５４】
さらに、有機化合物を含む層１１１６上に形成される第２の電極（陰極）１１１７に用
いる材料としては、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合
金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、ＣａＦ_２、またはＣａ_３Ｎ_２）を用いればよい。なお
、有機化合物を含む層１１１６で生じた光が第２の電極１１１７を透過させる場合には、
第２の電極（陰極）１１１７として、膜厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜（ＩＴＯ（
酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ_２Ｏ_３―ＺｎＯ）、
酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積層を用いるのが良い。
【０２５５】
さらにシール材１１０５で封止基板１１０４を基板１１１０と貼り合わせることにより
、基板１１１０、封止基板１１０４、およびシール材１１０５で囲まれた空間１１０７に
発光素子１１１８が備えられた構造になっている。なお、空間１１０７には、不活性気体
（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材１１０５で充填される構成も含む
ものとする。
【０２５６】
なお、シール材１１０５にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材
料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板１１
０４に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒ
ｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、マイラー
、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。
【０２５７】
以上のようにして、本発明の画素構成を有する表示パネルを得ることができる。
【０２５８】
図５３示すように、信号線駆動回路１１０１、画素部１１０２、第１の走査線駆動回路
１１０３及び第２の走査線駆動回路１１０６を一体形成することで、表示装置の低コスト
化が図れる。また、この場合において、信号線駆動回路１１０１、画素部１１０２、第１
の走査線駆動回路１１０３及び第２の走査線駆動回路１１０６に用いられるトランジスタ
を単極性とすることで作製工程の簡略化が図れるためさらなる低コスト化が図れる。また
、信号線駆動回路１１０１、画素部１１０２、第１の走査線駆動回路１１０３及び第２の
走査線駆動回路１１０６に用いられるトランジスタの半導体層にアモルファスシリコンを
適用することでさらなる低コスト化を図ることができる。
【０２５９】
なお、表示パネルの構成としては、図５３（ａ）に示したように信号線駆動回路１１０
１、画素部１１０２、第１の走査線駆動回路１１０３及び第２の走査線駆動回路１１０６
を一体形成した構成に限られず、信号線駆動回路１１０１に相当する信号線駆動回路をＩ
Ｃチップ上に形成して、ＣＯＧ等で表示パネルに実装した構成としても良い。
【０２６０】
つまり、高速動作が要求される信号線駆動回路のみを、ＣＭＯＳ等を用いてＩＣチップ
に形成し、低消費電力化を図る。また、ＩＣチップはシリコンウエハ等の半導体チップと
することで、より高速動作且つ低消費電力化を図れる。
【０２６１】
そして、走査線駆動回路を画素部と一体形成することで、低コスト化が図れる。そして
、この走査線駆動回路及び画素部は単極性のトランジスタで構成することでさらなる低コ
スト化が図れる。画素部の有する画素の構成としては実施の形態３で示したようにＮチャ
ネル型のトランジスタで構成することができる。また、トランジスタの半導体層にアモル
ファスシリコンを用いることで、作製工程が簡略化し、さらなる低コスト化が図れる。
【０２６２】
こうして、高精細な表示装置の低コスト化が図れる。また、ＦＰＣ１１０９と基板１１
１０との接続部において機能回路（メモリやバッファ）が形成されたＩＣチップを実装す
ることで基板面積を有効利用することができる。
【０２６３】
また、図５３（ａ）の信号線駆動回路１１０１、第１の走査線駆動回路１１０３及び第
２の走査線駆動回路１１０６に相当する信号線駆動回路、第１の走査線駆動回路及び第２
の走査線駆動回路をＩＣチップ上に形成して、ＣＯＧ等で表示パネルに実装した構成とし
ても良い。この場合には高精細な表示装置をより低消費電力にすることが可能である。よ
って、より消費電力が少ない表示装置とするため、画素部に用いられるトランジスタの半
導体層にはポリシリコンを用いることが望ましい。
【０２６４】
また、画素部１１０２のトランジスタの半導体層にアモルファスシリコンを用いること
により低コスト化を図ることができる。さらに、大型の表示パネルを作製することも可能
となる。
【０２６５】
なお、走査線駆動回路及び信号線駆動回路は、画素の行方向及び列方向に設けることに
限られない。
【０２６６】
次に、発光素子１１１８に適用可能な発光素子の例を図５４に示す。
【０２６７】
基板１２０１の上に陽極１２０２、正孔注入材料からなる正孔注入層１２０３、その上
に正孔輸送材料からなる正孔輸送層１２０４、発光層１２０５、電子輸送材料からなる電
子輸送層１２０６、電子注入材料からなる電子注入層１２０７、そして陰極１２０８を積
層させた素子構造である。ここで、発光層１２０５は、一種類の発光材料のみから形成さ
れることもあるが、２種類以上の材料から形成されてもよい。また本発明の素子の構造は
、この構造に限定されない。
【０２６８】
また、図５４で示した各機能層を積層した積層構造の他、高分子化合物を用いた素子、
発光層に三重項励起状態から発光する三重項発光材料を利用した高効率素子など、バリエ
ーションは多岐にわたる。ホールブロック層によってキャリヤの再結合領域を制御し、発
光領域を二つの領域にわけることによって得られる白色発光素子などにも応用可能である
。
【０２６９】
図５４に示す本発明の素子作製方法は、まず、陽極１２０２（ＩＴＯ）を有する基板１
２０１に正孔注入材料、正孔輸送材料、発光材料を順に蒸着する。次に電子輸送材料、電
子注入材料を蒸着し、最後に陰極１２０８を蒸着で形成する。
【０２７０】
次に、正孔注入材料、正孔輸送材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料の材料に
好適な材料を以下に列挙する。
【０２７１】
正孔注入材料としては、有機化合物でればポルフィリン系の化合物や、フタロシアニン
（以下「Ｈ_２Ｐｃ」と記す）、銅フタロシアニン（以下「ＣｕＰｃ」と記す）などが有効
である。また、使用する正孔輸送材料よりもイオン化ポテンシャルの値が小さく、かつ、
正孔輸送機能をもつ材料であれば、これも正孔注入材料として使用できる。導電性高分子
化合物に化学ドーピングを施した材料もあり、ポリスチレンスルホン酸（以下「ＰＳＳ」
と記す）をドープしたポリエチレンジオキシチオフェン（以下「ＰＥＤＯＴ」と記す）や
、ポリアニリンなどが挙げられる。また、絶縁体の高分子化合物も陽極の平坦化の点で有
効であり、ポリイミド（以下「ＰＩ」と記す）がよく用いられる。さらに、無機化合物も
用いられ、金や白金などの金属薄膜の他、酸化アルミニウム（以下「アルミナ」と記す）
の超薄膜などがある。
【０２７２】
正孔輸送材料として最も広く用いられているのは、芳香族アミン系（すなわち、ベンゼ
ン環−窒素の結合を有するもの）の化合物である。広く用いられている材料として、４，
４’−ビス（ジフェニルアミノ）−ビフェニル（以下、「ＴＡＤ」と記す）や、その誘導
体である４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフ
ェニル（以下、「ＴＰＤ」と記す）、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェ
ニル−アミノ］−ビフェニル（以下、「α−ＮＰＤ」と記す）がある。４，４’，４”−
トリス（Ｎ，Ｎ− ジフェニル−アミノ）−トリフェニルアミン（以下、「ＴＤＡＴＡ」
と記す）、４，４’，４”−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ− フェニル−ア
ミノ］−トリフェニルアミン（以下、「ＭＴＤＡＴＡ」と記す）などのスターバースト型
芳香族アミン化合物が挙げられる。
【０２７３】
電子輸送材料としては、金属錯体がよく用いられ、トリス（８−キノリノラト）アルミ
ニウム（以下、「Ａｌｑ_３」と記す）、ＢＡｌｑ、トリス（４−メチル−８−キノリノラ
ト）アルミニウム（以下、「Ａｌｍｑ」と記す）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］
−キノリナト）ベリリウム（以下、「Ｂｅｂｑ」と記す）などのキノリン骨格またはベン
ゾキノリン骨格を有する金属錯体などがある。また、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニ
ル）−ベンゾオキサゾラト］亜鉛（以下、「Ｚｎ（ＢＯＸ）_２」と記す）、ビス［２−（
２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾチアゾラト］亜鉛（以下、「Ｚｎ（ＢＴＺ）_２」と記
す）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体もある。さらに、金属
錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１
，３，４−オキサジアゾール（以下、「ＰＢＤ」と記す）、ＯＸＤ−７などのオキサジア
ゾール誘導体、ＴＡＺ、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェ
ニル）−５−（４−ビフェニリル）−１、２、４−トリアゾール（以下、「ｐ−ＥｔＴＡ
Ｚ」と記す）などのトリアゾール誘導体、バソフェナントロリン（以下、「ＢＰｈｅｎ」
と記す）、ＢＣＰなどのフェナントロリン誘導体が電子輸送性を有する。
【０２７４】
電子注入材料としては、上で述べた電子輸送材料を用いることができる。その他に、フ
ッ化カルシウム、フッ化リチウム、フッ化セシウムなどの金属ハロゲン化物や、酸化リチ
ウムなどのアルカリ金属酸化物のような絶縁体の、超薄膜がよく用いられる。また、リチ
ウムアセチルアセトネート（以下、「Ｌｉ（ａｃａｃ）」と記す）や８−キノリノラト−
リチウム（以下、「Ｌｉｑ」と記す）などのアルカリ金属錯体も有効である。
【０２７５】
発光材料としては、先に述べたＡｌｑ_３、Ａｌｍｑ、ＢｅＢｑ、ＢＡｌｑ、Ｚｎ（ＢＯ
Ｘ）_２、Ｚｎ（ＢＴＺ）_２などの金属錯体の他、各種蛍光色素が有効である。蛍光色素と
しては、青色の４，４’−ビス（２，２ − ジフェニル−ビニル）−ビフェニルや、赤
橙色の４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−
４Ｈ−ピランなどがある。また、三重項発光材料も可能であり、白金ないしはイリジウム
を中心金属とする錯体が主体である。三重項発光材料として、トリス（２−フェニルピリ
ジン）イリジウム、ビス（２−（４’−トリル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）アセチルアセ
トナトイリジウム（以下「ａｃａｃＩｒ（ｔｐｙ）_２」と記す）、 ２，３，７，８，１
２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン−白金などが知ら
れている。
【０２７６】
以上で述べたような各機能を有する材料を、各々組み合わせ、高信頼性の発光素子を作
製することができる。
【０２７７】
また、図５４とは逆の順番に層を形成した発光素子を用いることもできる。つまり、基
板１２０１の上に陰極１２０８、電子注入材料からなる電子注入層１２０７、その上に電
子輸送材料からなる電子輸送層１２０６、発光層１２０５、正孔輸送材料からなる正孔輸
送層１２０４、正孔注入材料からなる正孔注入層１２０３、そして陽極１２０２を積層さ
せた素子構造である。
【０２７８】
また、発光素子は発光を取り出すために少なくとも陽極又は陰極の一方が透明であれば
よい。そして、基板上にＴＦＴ及び発光素子を形成し、基板とは逆側の面から発光を取り
出す上面射出や、基板側の面から発光を取り出す下面射出や、基板側及び基板とは反対側
の面から発光を取り出す両面射出構造の発光素子があり、本発明の画素構成はどの射出構
造の発光素子にも適用することができる。
【０２７９】
上面射出構造の発光素子について図５５（ａ）を用いて説明する。
【０２８０】
基板１３００上に駆動用ＴＦＴ１３０１が形成され、駆動用ＴＦＴ１３０１のソース電
極に接して第１の電極１３０２が形成され、その上に有機化合物を含む層１３０３と第２
の電極１３０４が形成されている。
【０２８１】
また、第１の電極１３０２は発光素子の陽極である。そして第２の電極１３０４は発光
素子の陰極である。つまり、第１の電極１３０２と第２の電極１３０４とで有機化合物を
含む層１３０３が挟まれているところが発光素子となる。
【０２８２】
また、ここで、陽極として機能する第１の電極１３０２に用いる材料としては、仕事関
数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、窒化チタン膜、クロム膜、タングステ
ン膜、Ｚｎ膜、Ｐｔ膜などの単層膜の他、窒化チタンとアルミニウムを主成分とする膜と
の積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との３層構造等を
用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好なオーミ
ックコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることができる。光を反射する金属膜
を用いることで光を透過させない陽極を形成することができる。
【０２８３】
また、陰極として機能する第２の電極１３０４に用いる材料としては、仕事関数の小さ
い材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、
ＣａＦ_２、またはＣａ_３Ｎ_２）からなる金属薄膜と、透明導電膜（ＩＴＯ（インジウムス
ズ酸化物）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積層を用い
るのが良い。こうして薄い金属薄膜と、透明性を有する透明導電膜を用いることで光を透
過させることが可能な陰極を形成することができる。
【０２８４】
こうして、図５５（ａ）の矢印に示すように発光素子からの光を上面に取り出すことが
可能になる。つまり、図５３の表示パネルに適用した場合には、基板１１１０側に光が射
出することになる。従って上面射出構造の発光素子を表示装置に用いる場合には封止基板
１１０４は光透過性を有する基板を用いる。
【０２８５】
また、光学フィルムを設ける場合には、封止基板１１０４に光学フィルムを設ければよ
い。
【０２８６】
なお、第１の電極１３０２を陰極として機能するＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ等の仕
事関数の小さい材料からなる金属膜を用いて形成することもできる。この場合には、第２
の電極１３０４にはＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）膜、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ
）などの透明導電膜を用いることができる。よって、この構成によれば、上面射出の透過
率を高くすることができる。
【０２８７】
また、下面射出構造の発光素子について図５５（ｂ）を用いて説明する。射出構造以外
は図５５（ａ）と同じ構造の発光素子であるため同じ符号を用いて説明する。
【０２８８】
ここで、陽極として機能する第１の電極１３０２に用いる材料としては、仕事関数の大
きい材料を用いることが望ましい。例えば、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）膜、インジ
ウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）膜などの透明導電膜を用いることができる。透明性を有する透
明導電膜を用いることで光を透過させることが可能な陽極を形成することができる。
【０２８９】
また、陰極として機能する第２の電極１３０４に用いる材料としては、仕事関数の小さ
い材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、
ＣａＦ_２、またはＣａ_３Ｎ_２）からなる金属膜を用いることができる。こうして、光を反
射する金属膜を用いることで光が透過しない陰極を形成することができる。
【０２９０】
こうして、図５５（ｂ）の矢印に示すように発光素子からの光を下面に取り出すことが
可能になる。つまり、図５３の表示パネルに適用した場合には、基板１１１０側に光が射
出することになる。従って下面射出構造の発光素子を表示装置に用いる場合には基板１１
１０は光透過性を有する基板を用いる。
【０２９１】
また、光学フィルムを設ける場合には、基板１１１０に光学フィルムを設ければよい。
【０２９２】
両面射出構造の発光素子について図５５（ｃ）を用いて説明する。射出構造以外は図５
５（ａ）と同じ構造の発光素子であるため同じ符号を用いて説明する。
【０２９３】
ここで、陽極として機能する第１の電極１３０２に用いる材料としては、仕事関数の大
きい材料を用いることが望ましい。例えば、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）膜、インジ
ウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）膜などの透明導電膜を用いることができる。透明性を有する透
明導電膜を用いることで光を透過させることが可能な陽極を形成することができる。
【０２９４】
また、陰極として機能する第２の電極１３０４に用いる材料としては、仕事関数の小さ
い材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、
ＣａＦ_２、またはＣａ_３Ｎ_２）からなる金属薄膜と、透明導電膜（ＩＴＯ（インジウムス
ズ酸化物）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ_２Ｏ_３―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）
等）との積層を用いるのが良い。こうして薄い金属薄膜と、透明性を有する透明導電膜を
用いることで光を透過させることが可能な陰極を形成することができる。
【０２９５】
こうして、図５５（ｃ）の矢印に示すように発光素子からの光を両面に取り出すことが
可能になる。つまり、図５３の表示パネルに適用した場合には、基板１１１０側と封止基
板１１０４側に光が射出することになる。従って両面射出構造の発光素子を表示装置に用
いる場合には基板１１１０および封止基板１１０４は、ともに光透過性を有する基板を用
いる。
【０２９６】
また、光学フィルムを設ける場合には、基板１１１０および封止基板１１０４の両方に
光学フィルムを設ければよい。
【０２９７】
また、白色の発光素子とカラーフィルターを用いてフルカラー表示を実現する表示装置
にも本発明を適用することが可能である。
【０２９８】
図５６に示すように、基板１４００上に駆動用ＴＦＴ１４０１が形成され、駆動用ＴＦ
Ｔ１４０１のソース電極に接して第１の電極１４０３が形成され、その上に有機化合物を
含む層１４０４と第２の電極１４０５が形成されている。
【０２９９】
また、第１の電極１４０３は発光素子の陽極である。そして第２の電極１４０５は発光
素子の陰極である。つまり、第１の電極１４０３と第２の電極１４０５とで有機化合物を
含む層１４０４が挟まれているところが発光素子となる。図５６の構成では白色光を発光
する。そして、発光素子の上部に赤色のカラーフィルター１４０６Ｒ、緑色のカラーフィ
ルター１４０６Ｇ、青色のカラーフィルター１４０６Ｂを設けられており、フルカラー表
示を行うことができる。また、これらのカラーフィルターを隔離するブラックマトリクス
（ＢＭともいう）１４０７が設けられている。
【０３００】
上述した発光素子の構成は組み合わせて用いることができ、本発明の画素構成を有する
表示装置に適宜用いることができる。また、上述した表示パネルの構成や、発光素子は例
示であり、もちろん本発明の画素構成は他の構成の表示装置に適用することもできる。
【０３０１】
次に、表示パネルの画素部の部分断面図を示す。
【０３０２】
まず、トランジスタの半導体層にポリシリコン（ｐ−Ｓｉ：Ｈ）膜を用いた場合につい
て図５７を及び図５８を用いて説明する。
【０３０３】
ここで、半導体層は、例えば基板上にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜を公知の成
膜法で形成する。なお、アモルファスシリコン膜に限定する必要はなく、非晶質構造を含
む半導体膜（微結晶半導体膜を含む）であれば良い。さらに非晶質シリコンゲルマニウム
膜などの非晶質構造を含む化合物半導体膜でも良い。
【０３０４】
そして、アモルファスシリコン膜をレーザ結晶化法や、ＲＴＡやファーネスアニール炉
を用いた熱結晶化法や、結晶化を助長する金属元素を用いた熱結晶化法などとにより結晶
化させる。もちろん、これらを組み合わせて行っても良い。
【０３０５】
上述した結晶化によって、非晶質半導体膜に部分的に結晶化された領域が形成される。
【０３０６】
さらに、部分的に結晶性が高められた結晶性半導体膜を所望の形状にパターニングして
、結晶化された領域から島状の半導体膜を形成する。この半導体膜をトランジスタの半導
体層に用いる。
【０３０７】
図５７に示すように、基板１５１０１上に下地膜１５１０２が形成され、その上に半導
体層が形成されている。半導体層は駆動トランジスタ１５１１８のチャネル形成領域１５
１０３、ＬＤＤ領域１５１０４及びソース又はドレイン領域となる不純物領域１５１０５
、並びに容量素子１５１１９の下部電極となるチャネル形成領域１５１０６、ＬＤＤ領域
１５１０７及び不純物領域１５１０８を有する。なお、チャネル形成領域１５１０３及び
チャネル形成領域１５１０６はチャネルドープが行われていても良い。
【０３０８】
基板はガラス基板、石英基板、セラミック基板などを用いることができる。また、下地
膜１５１０２としては、窒化アルミ（ＡｌＮ）や酸化珪素（ＳｉＯ_２）、酸化窒化珪素（
ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ）などの単層やこれらの積層を用いることができる。
【０３０９】
半導体層上にはゲート絶縁膜１５０９を介してゲート電極１５１１０及び容量素子の上
部電極１５１１１が形成されている。
【０３１０】
駆動トランジスタ１５１１８及び容量素子１５１１９を覆って層間絶縁膜１５１１２が
形成され、層間絶縁膜１５１１２上にコンタクトホールを介して配線１５１１３が不純物
領域１５１０５と接している。配線１５１１３に接して画素電極１５１１４が形成され、
画素電極１５１１４の端部及び配線１５１１３を覆って絶縁物１５１１５が形成されてい
る。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。そして、画
素電極１５１１４上に有機化合物を含む層１５１１６及び対向電極１５１１７が形成され
、画素電極１５１１４と対向電極１５１１７とで有機化合物を含む層１５１１６が挟まれ
た領域では発光素子１５１２０が形成されている。
【０３１１】
また、図５７（ｂ）に示すように、容量素子１５１１９の下部電極の一部を構成するＬ
ＤＤ領域が、上部電極１５１１１と重なるような領域１５２０２を設けても良い。なお、
図５７（ａ）と共通するところは共通の符号を用い、説明は省略する。
【０３１２】
また、図５８（ａ）に示すように、駆動トランジスタ１５１１８の不純物領域１５１０
５と接する配線１５１１３と同じ層に形成された第２の上部電極１５３０１を有していて
も良い。なお、図５７（ａ）と共通するところは共通の符号を用い、説明は省略する。第
２の上部電極１５３０１と上部電極１５１１１とで層間絶縁膜１５１１２挟みこみ、第２
の容量素子を構成している。また、第２の上部電極１５３０１は不純物領域１５１０８と
接しているため、上部電極１５１１１とチャネル形成領域１５１０６とでゲート絶縁膜１
５１０９を挟みこんで構成される第１の容量素子と、上部電極と第２の上部電極１５３０
１とで層間絶縁膜１５１１２を挟みこんで構成される第２の容量素子と、が並列に接続さ
れ、第１の容量素子と第２の容量素子からなる容量素子１５３０２を構成している。この
容量素子１５３０２の容量は第１の容量素子と第２の容量素子の容量を加算した合成容量
であるため、小さい面積で大きな容量の容量素子を形成することができる。つまり、本発
明の画素構成の容量素子として用いるとより開口率の向上が図れる。
【０３１３】
また、図５８（ｂ）に示すような容量素子の構成としても良い。基板１６１０１上に下
地膜１６１０２が形成され、その上に半導体層が形成されている。半導体層は駆動トラン
ジスタ１６１１８のチャネル形成領域１６１０３、ＬＤＤ領域１６１０４及びソース又は
ドレイン領域となる不純物領域１６１０５を有する。なお、チャネル形成領域１６１０３
はチャネルドープが行われていても良い。
【０３１４】
基板はガラス基板、石英基板、セラミック基板などを用いることができる。また、下地
膜１６１０２としては、窒化アルミ（ＡｌＮ）や酸化珪素（ＳｉＯ_２）、酸化窒化珪素（
ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ）などの単層やこれらの積層を用いることができる。
【０３１５】
半導体層上にはゲート絶縁膜１６１０６を介してゲート電極１６１０７及び第１の電極
１６１０８が形成されている。
【０３１６】
駆動トランジスタ１６１１８及び第１の電極１６１０８を覆って第１の層間絶縁膜１６
１０９が形成され、第１の層間絶縁膜１６１０９上にコンタクトホールを介して配線１６
１１０が不純物領域１６１０５と接している。また、配線１６１１０と同じ材料からなる
同層の第２の電極１６１１１が形成される。
【０３１７】
さらに、配線１６１１０及び第２の電極１６１１１を覆うように第２の層間絶縁膜１６
１１２が形成され、第２の層間絶縁膜１６１１２上にコンタクトホールを介して、配線１
６１１０と接して画素電極１６１１３が形成されている。また、画素電極１６１１３のと
同じ材料からなる同層の第３の電極１６１１４が形成されている。ここで、第１の電極１
６１０８、第２の電極１６１１１及び第３の電極１６１１４からなる容量素子１６１１９
が形成される。
【０３１８】
画素電極１６１１３上に有機化合物を含む層１６１１６及び対向電極１６１１７が形成
され、画素電極１６１１３と対向電極１６１１７とで有機化合物を含む層１６１１６が挟
まれた領域では発光素子１６１２０が形成されている。
【０３１９】
上述したように、結晶性半導体膜を半導体層に用いたトランジスタの構成は図５７及び
図５８に示したような構成が挙げられる。なお、図５７及び図５８に示したトランジスタ
の構造はトップゲートの構造のトランジスタの一例である。つまり、ＬＤＤ領域はゲート
電極と重なっていても良いし、ゲート電極と重なっていなくても良いし、又はＬＤＤ領域
の一部の領域が重なっていてもよい。さらに、ゲート電極はテーパー形状でもよく、ゲー
ト電極のテーパー部の下部にＬＤＤ領域が自己整合的に設けられていても良い。また、ゲ
ート電極は二つに限られず三以上のマルチゲート構造でも良いし、一つのゲート電極でも
良い。
【０３２０】
本発明の画素を構成するトランジスタの半導体層（チャネル形成領域やソース領域やド
レイン領域など）に結晶性半導体膜を用いることで、走査線駆動回路及び信号線駆動回路
を画素部と一体形成することが容易になる。また、信号線駆動回路の一部を画素部と一体
形成し、一部はＩＣチップ上に形成して図５３の表示パネルに示すようにＣＯＧ等で実装
しても良い。このような構成とすることで、製造コストの削減を図ることができる。
【０３２１】
また、半導体層にポリシリコン（ｐ−Ｓｉ：Ｈ）を用いたトランジスタの構成として、
基板と半導体層の間にゲート電極が挟まれた構造、つまり、半導体層の下にゲート電極が
位置するボトムゲートのトランジスタを適用した表示パネルの部分断面を図５９に示す。
【０３２２】
基板１２７０１上に下地膜１２７０２が形成されている。さらに下地膜１２７０２上に
ゲート電極１２７０３が形成されている。また、ゲート電極と同層に同じ材料からなる第
１の電極１２７０４が形成されている。ゲート電極１２７０３の材料にはリンが添加され
た多結晶シリコンを用いることができる。多結晶シリコンの他に、金属とシリコンの化合
物であるシリサイドでもよい。
【０３２３】
また、ゲート電極１２７０３及び第１の電極１２７０４を覆うようにゲート絶縁膜１２
７０５が形成されている。ゲート絶縁膜１２７０５としては酸化珪素膜や窒化珪素膜など
が用いられる。
【０３２４】
また、ゲート絶縁膜１２７０５上に、半導体層が形成されている。半導体層は駆動トラ
ンジスタ１２７２２のチャネル形成領域１２７０６、ＬＤＤ領域１２７０７及びソース又
はドレイン領域となる不純物領域１２７０８、並びに容量素子１２７２３の第２の電極と
なるチャネル形成領域１２７０９、ＬＤＤ領域１２７１０及び不純物領域１２７１１を有
する。なお、チャネル形成領域１２７０６及びチャネル形成領域１２７０９はチャネルド
ープが行われていても良い。
【０３２５】
基板はガラス基板、石英基板、セラミック基板などを用いることができる。また、下地
膜１２７０２としては、窒化アルミ（ＡｌＮ）や酸化珪素（ＳｉＯ_２）、酸化窒化珪素（
ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ）などの単層やこれらの積層を用いることができる。
【０３２６】
半導体層を覆って第１の層間絶縁膜１２７１２が形成され、第１の層間絶縁膜１２７１
２上にコンタクトホールを介して配線１２７１３が不純物領域１２７０８と接している。
また、配線１２７１３と同層に同じ材料で第３の電極１２７１４が形成されている。第１
の電極１２７０４、第２の電極、第３の電極１２７１４によって容量素子１２７２３が構
成されている。
【０３２７】
また、第１の層間絶縁膜１２７１２には開口部１２７１５が形成されている。駆動トラ
ンジスタ１２７２２、容量素子１２７２３及び開口部１２７１５を覆うように第２の層間
絶縁膜１２７１６が形成され、第２の層間絶縁膜１２７１６上にコンタクトホールを介し
て、画素電極１２７１７が形成されている。また、画素電極１２７１７の端部を覆って絶
縁物１２７１８が形成されている。例えば、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いること
ができる。そして、画素電極１２７１７上に有機化合物を含む層１２７１９及び対向電極
１２７２０が形成され、画素電極１２７１７と対向電極１２７２０とで有機化合物を含む
層１２７１９が挟まれた領域では発光素子１２７２１が形成されている。そして、発光素
子１２７２１の下部に開口部１２７１５が位置している。つまり、発光素子１２７２１か
らの発光を基板側から取り出すときには開口部１２７１５を有するため透過率を高めるこ
とができる。
【０３２８】
また、図５９（ａ）において画素電極１２７１７と同層に同じ材料を用いて第４の電極
１２７２４を形成して、図５９（ｂ）のような構成としてもよい。すると、第１の電極１
２７０４、第２の電極、第３の電極１２７１４及び第４の電極１２７２４によって構成さ
れる容量素子１２７２５を形成することができる。
【０３２９】
次に、トランジスタの半導体層にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）膜を用いた場
合について説明する。図６０にはトップゲートのトランジスタ、図６１及び図６２にはボ
トムゲートのトランジスタの場合について示す。
【０３３０】
アモルファスシリコンを半導体層に用いたトップゲート構造のトランジスタの断面を図
６０（ａ）に示す。図６０（ａ）に示すように、基板１２８０１上に下地膜１２８０２が
形成されている。さらに下地膜１２８０２上に画素電極１２８０３が形成されている。ま
た、画素電極１２８０３と同層に同じ材料からなる第１の電極１２８０４が形成されてい
る。
【０３３１】
基板はガラス基板、石英基板、セラミック基板などを用いることができる。また、下地
膜１２８０２としては、窒化アルミ（ＡｌＮ）や酸化珪素（ＳｉＯ_２）、酸化窒化珪素（
ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ）などの単層やこれらの積層を用いることができる。
【０３３２】
また、下地膜１２８０２上に配線１２８０５及び配線１２８０６が形成され、画素電極
１２８０３の端部が配線１２８０５で覆われている。配線１２８０５及び配線１２８０６
の上部にＮ型の導電型を有するＮ型半導体層１２８０７及びＮ型半導体層１２８０８が形
成されている。また、配線１２８０５と配線１２８０６の間であって、下地膜１２８０２
上に半導体層１２８０９が形成されている。そして、半導体層１２８０９の一部はＮ型半
導体層１２８０７及びＮ型半導体層１２８０８上にまで延長されている。なお、この半導
体層はアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）、微結晶半導体（μ−Ｓｉ：Ｈ）等の非結
晶性を有する半導体膜で形成されている。また、半導体層１２８０９上にゲート絶縁膜１
２８１０が形成されている。また、ゲート絶縁膜１２８１０と同層の同じ材料からなる絶
縁膜１２８１１が第１の電極１２８０４上にも形成されている。なお、ゲート絶縁膜１２
８１０としては酸化珪素膜や窒化珪素膜などが用いられる。
【０３３３】
また、ゲート絶縁膜１２８１０上に、ゲート電極１２８１２が形成されている。また、
ゲート電極と同層に同じ材料でなる第２の電極１２８１３が第１の電極１２８０４上に絶
縁膜１２８１１を介して形成されている。第１の電極１２８０４及び第２の電極１２８１
３で絶縁膜１２８１１を挟まれた容量素子１２８１９が形成されている。また、画素電極
１２８０３の端部、駆動トランジスタ１２８１８及び容量素子１２８１９を覆い、層間絶
縁膜１２８１４が形成されている。
【０３３４】
層間絶縁膜１２８１４及びその開口部に位置する画素電極１２８０３上に有機化合物を
含む層１２８１５及び対向電極１２８１６が形成され、画素電極１２８０３と対向電極１
２８１６とで有機化合物を含む層１２８１５が挟まれた領域では発光素子１２８１７が形
成されている。
【０３３５】
また、図６０（ａ）に示す第１の電極１２８０４を図６０（ｂ）に示すように第１の電
極１２８２０で形成してもよい。第１の電極１２８２０は配線１２８０５及び１２８０６
と同層の同一材料で形成されている。
【０３３６】
また、アモルファスシリコンを半導体層に用いたボトムゲート構造のトランジスタを用
いた表示パネルの部分断面を図６１に示す。
【０３３７】
基板１２９０１上に下地膜１２９０２が形成されている。さらに下地膜１２９０２上に
ゲート電極１２９０３が形成されている。また、ゲート電極と同層に同じ材料からなる第
１の電極１２９０４が形成されている。ゲート電極１２９０３の材料にはリンが添加され
た多結晶シリコンを用いることができる。多結晶シリコンの他に、金属とシリコンの化合
物であるシリサイドでもよい。
【０３３８】
また、ゲート電極１２９０３及び第１の電極１２９０４を覆うようにゲート絶縁膜１２
９０５が形成されている。ゲート絶縁膜１２９０５としては酸化珪素膜や窒化珪素膜など
が用いられる。
【０３３９】
また、ゲート絶縁膜１２９０５上に、半導体層１２９０６が形成されている。また、半
導体層１２９０６と同層に同じ材料からなる半導体層１２９０７が形成されている。
【０３４０】
基板はガラス基板、石英基板、セラミック基板などを用いることができる。また、下地
膜１２９０２としては、窒化アルミ（ＡｌＮ）や酸化珪素（ＳｉＯ_２）、酸化窒化珪素（
ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ）などの単層やこれらの積層を用いることができる。
【０３４１】
半導体層１２９０６上にはＮ型の導電性を有するＮ型半導体層１２９０８、１２９０９
が形成され、半導体層１２９０７上にはＮ型半導体層１２９１０が形成されている。
【０３４２】
Ｎ型半導体層１２９０８、１２９０９上にはそれぞれ配線１２９１１、１２９１２が形
成され、Ｎ型半導体層１２９１０上には配線１２９１１及び１２９１２と同層の同一材料
からなる導電層１２９１３が形成されている。
【０３４３】
半導体層１２９０７、Ｎ型半導体層１２９１０及び導電層１２９１３からなる第２の電
極が構成される。なお、この第２の電極と第１の電極１２９０４でゲート絶縁膜１２９０
５を挟み込んだ構造の容量素子１２９２０が形成されている。
【０３４４】
また、配線１２９１１の一方の端部は延在し、その延在した配線１２９１１上部に接し
て画素電極１２９１４が形成されている。
【０３４５】
また、画素電極１２９１４の端部、駆動トランジスタ１２９１９及び容量素子１２９２
０を覆うように絶縁物１２９１５が形成されている。
【０３４６】
画素電極１２９１４及び絶縁物１２９１５上には有機化合物を含む層１２９１６及び対
向電極１２９１７が形成され、画素電極１２９１４と対向電極１２９１７とで有機化合物
を含む層１２９１６が挟まれた領域では発光素子１２９１８が形成されている。
【０３４７】
容量素子の第２の電極の一部となる半導体層１２９０７及びＮ型半導体層１２９１０は
設けなくても良い。つまり第２の電極は導電層１２９１３とし、第１の電極１２９０４と
導電層１２９１３でゲート絶縁膜が挟まれた構造の容量素子としてもよい。
【０３４８】
なお、図６１（ａ）において、配線１２９１１を形成する前に画素電極１２９１４を形
成することで、図６１（ｂ）に示すような、画素電極１２９１４からなる第２の電極１２
９２１と第１の電極１２９０４でゲート絶縁膜１２９０５が挟まれた構造の容量素子１２
９２２を形成することができる。
【０３４９】
なお、図６１では、逆スタガ型のチャネルエッチ構造のトランジスタについて示したが
、もちろんチャネル保護構造のトランジスタでも良い。チャネル保護構造のトランジスタ
の場合について、図６２（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。
【０３５０】
図６２（ａ）に示すチャネル保護型構造のトランジスタは図６１（ａ）に示したチャネ
ルエッチ構造の駆動トランジスタ１２９１９の半導体層１２９０６のチャネルが形成され
る領域上にエッチングのマスクとなる絶縁物１３００１が設けられている点が異なり、他
の共通しているところは共通の符号を用いている。
【０３５１】
また、同様に、図６２（ｂ）に示すチャネル保護型構造のトランジスタは図６１（ｂ）
に示したチャネルエッチ構造の駆動トランジスタ１２９１９の半導体層１２９０６のチャ
ネルが形成される領域上にエッチングのマスクとなる絶縁物１３００１が設けられている
点が異なり、他の共通しているところは共通の符号を用いている。
【０３５２】
本発明の画素を構成するトランジスタの半導体層（チャネル形成領域やソース領域やド
レイン領域など）に非晶質半導体膜を用いることで、製造コストを削減することができる
。
【０３５３】
なお、本発明の画素構成の適用することができるトランジスタの構造や、容量素子の構
造は上述した構成に限られず、さまざまな構成のトランジスタの構造や、容量素子の構造
を用いることができる。
【０３５４】
なお、本実施の形態で述べた内容は、実施の形態１〜実施の形態７で述べた内容と自由
に組み合わせて実施することができる。
【０３５５】
（実施の形態９）
本発明の表示装置、または本発明の駆動方法を用いた表示装置を表示部に有する携帯電
話機の構成例について図３８を用いて説明する。
【０３５６】
表示パネル３８１０はハウジング３８００に脱着自在に組み込まれる。ハウジング３８
００は表示パネル３８１０のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる
。表示パネル３８１０を固定したハウジング３８００はプリント基板３８０１に嵌入され
モジュールとして組み立てられる。
【０３５７】
表示パネル３８１０はＦＰＣ３８１１を介してプリント基板３８０１に接続される。プ
リント基板３８０１には、スピーカー３８０２、マイクロフォン３８０３、送受信回路３
８０４、ＣＰＵ及びコントローラなどを含む信号処理回路３８０５が形成されている。こ
のようなモジュールと、入力手段３８０６、バッテリー３８０７を組み合わせ、筐体３８
０９及び３８１２に収納する。表示パネル３８１０の画素部は筐体３８０９に形成された
開口窓から視認できように配置する。
【０３５８】
表示パネル３８１０は、画素部と一部の周辺駆動回路（複数の駆動回路のうち動作周波
数の低い駆動回路）を基板上にＴＦＴを用いて一体形成し、一部の周辺駆動回路（複数の
駆動回路のうち動作周波数の高い駆動回路）をＩＣチップ上に形成してもよい。そのＩＣ
チップをＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）で表示パネル３８１０に実装してもよい
。あるいは、そのＩＣチップをＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏ Ｂｏｎｄｉｎｇ）やプリン
ト基板を用いてガラス基板と接続してもよい。なお、一部の周辺駆動回路を基板上に画素
部と一体形成し、他の周辺駆動回路を形成したＩＣチップをＣＯＧ等で実装した表示パネ
ルの構成の一例を図３９（Ａ）に示す。図３９（Ａ）の表示パネルは、基板３９００、信
号線駆動回路３９０１、画素部３９０２、走査線駆動回路３９０３、走査線駆動回路３９
０４、ＦＰＣ３９０５、ＩＣチップ３９０６、ＩＣチップ３９０７、封止基板３９０８、
シール材３９０９を有する。このような構成とすることで、表示装置の低消費電力を図り
、携帯電話機の一回の充電による使用時間を長くすることができる。また、携帯電話機の
低コスト化を図ることができる。
【０３５９】
また、走査線や信号線に設定する信号をバッファによりインピーダンス変換することで
、１行毎の画素の書き込み時間を短くすることができる。よって高精細な表示装置を提供
することができる。
【０３６０】
また、さらに消費電力の低減を図るため、図３９（Ｂ）に示すように基板上にＴＦＴを
用いて画素部を形成し、全ての周辺駆動回路をＩＣチップ上に形成し、そのＩＣチップを
ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）などで表示パネルに実装してもよい。なお、図３
９（Ｂ）の表示パネルは、基板３９１０、信号線駆動回路３９１１、画素部３９１２、走
査線駆動回路３９１３、走査線駆動回路３９１４、ＦＰＣ３９１５、ＩＣチップ３９１６
、ＩＣチップ３９１７、封止基板３９１８、シール材３９１９を有する。
【０３６１】
本発明の表示装置、およびその駆動法を用いることにより、擬似輪郭の低減された、綺
麗な画像で見ることが出来る。よって、人間の肌のように、階調が微妙に変化するような
画像であっても、綺麗に表示出来るようになる。
【０３６２】
また、本実施例に示した構成は携帯電話機の一例であって、本発明の表示装置はこのよ
うな構成の携帯電話機に限らず様々な構成の携帯電話機に適用することができる。
【０３６３】
なお、本実施形態で述べた内容は、実施の形態１〜実施の形態８で述べた内容と自由に
組み合わせて実施することができる。
【０３６４】
（実施の形態１０）
図４０は表示パネル４００１と、回路基板４００２を組み合わせたＥＬモジュールを示
している。表示パネル４００１は画素部４００３、走査線駆動回路４００４及び信号線駆
動回路４００５を有している。回路基板４００２には、例えば、コントロール回路４００
６や信号分割回路４００７などが形成されている。表示パネル４００１と回路基板４００
２は接続配線４００８によって接続されている。接続配線にはＦＰＣ等を用いることがで
きる。
【０３６５】
コントロール回路４００６が、実施の形態６における、コントローラ３７０８やメモリ
３７０９やメモリ３７１０などに相当する。主に、コントロール回路４００６において、
サブフレームの出現順序などを制御している。
【０３６６】
表示パネル４００１は、画素部と一部の周辺駆動回路（複数の駆動回路のうち動作周波
数の低い駆動回路）を基板上にＴＦＴを用いて一体形成し、一部の周辺駆動回路（複数の
駆動回路のうち動作周波数の高い駆動回路）をＩＣチップ上に形成してもよい。そのＩＣ
チップをＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）などで表示パネル４００１に実装すると
よい。あるいは、そのＩＣチップをＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏ Ｂｏｎｄｉｎｇ）やプ
リント基板を用いて表示パネル４００１に実装してもよい。
【０３６７】
また、走査線や信号線に設定する信号を、バッファによりインピーダンス変換すること
で、１行毎の画素の書き込み時間を短くすることができる。よって高精細な表示装置を提
供することができる。
【０３６８】
また、さらに消費電力の低減を図るため、ガラス基板上にＴＦＴを用いて画素部を形成
し、全ての信号線駆動回路をＩＣチップ上に形成し、そのＩＣチップをＣＯＧ（Ｃｈｉｐ
Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）などで表示パネルに実装してもよい。
【０３６９】
このＥＬモジュールによりＥＬテレビ受像機を完成させることができる。図４１は、Ｅ
Ｌテレビ受像機の主要な構成を示すブロック図である。チューナ４１０１は映像信号と音
声信号を受信する。映像信号は、映像信号増幅回路４１０２と、そこから出力される信号
を赤、緑、青の各色に対応した色信号に変換する映像信号処理回路４１０３と、その映像
信号を駆動回路の入力仕様に変換するためのコントロール回路４００６により処理される
。コントロール回路４００６は、走査線側と信号線側にそれぞれ信号を出力する。デジタ
ル駆動する場合には、信号線側に信号分割回路４００７を設け、入力デジタル信号をＭ個
に分割して供給する構成としてもよい。
【０３７０】
チューナ４１０１で受信した信号のうち、音声信号は音声信号増幅回路４１０４に送ら
れ、その出力は音声信号処理回路４１０５を経てスピーカー４１０６に供給される。制御
回路４１０７は受信局（受信周波数）や音量の制御情報を入力部４１０８から受け、チュ
ーナ４１０１や音声信号処理回路４１０５に信号を送出する。
【０３７１】
ＥＬモジュールを筐体に組みこんで、テレビ受像機を完成させることができる。ＥＬモ
ジュールにより、テレビ受像機の表示部が形成される。また、スピーカー、ビデオ入力端
子などが適宜備えられている。
【０３７２】
勿論、本発明はテレビ受像機に限定されず、パーソナルコンピュータのモニタをはじめ
、鉄道の駅や空港などにおける情報表示盤や、街頭における広告表示盤などの表示媒体と
して様々な用途に適用することができる。
【０３７３】
このように、本発明の表示装置、およびその駆動法を用いることにより、擬似輪郭が低
減された、綺麗な画像で見ることが出来る。よって、人間の肌のように、階調が微妙に変
化するような画像であっても、綺麗に表示出来るようになる。
【０３７４】
なお、本実施形態で述べた内容は、実施の形態１〜実施の形態９で述べた内容と自由に
組み合わせて実施することができる。
【０３７５】
（実施の形態１１）
本発明の半導体装置を用いた電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ等のカメ
ラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム
、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、パーソナルコンピュータ、ゲ
ーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話機、携帯型ゲーム機、電子書
籍等）、記憶媒体読込部を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａ
ｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記憶媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレ
イを備えた装置）等が挙げられる。それらの電子機器の具体例を図４２に示す。
【０３７６】
図４２（Ａ）は自発光型のディスプレイであり、筐体４２０１、支持台４２０２、表示
部４２０３、スピーカー部４２０４、ビデオ入力端子４２０５等を含む。本発明は、表示
部４２０３を構成する表示装置に用いることができる。また本発明により、擬似輪郭の低
減された、綺麗な画像で見ることができるようになり、図４２（Ａ）に示すディスプレイ
が完成される。自発光型であるためバックライトが必要なく、液晶ディスプレイよりも薄
い表示部とすることができる。なお、ディスプレイは、パーソナルコンピュータ用、ＴＶ
放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示用表示装置が含まれる。
【０３７７】
図４２（Ｂ）はデジタルスチルカメラであり、本体４２０６、表示部４２０７、受像部
４２０８、操作キー４２０９、外部接続ポート４２１０、シャッター４２１１等を含む。
本発明は、表示部４２０７を構成する表示装置に用いることができる。また本発明により
、擬似輪郭の低減された、綺麗な画像で見ることができるようになり、図４２（Ｂ）に示
すデジタルスチルカメラが完成される。
【０３７８】
図４２（Ｃ）はパーソナルコンピュータであり、本体４２１２、筐体４２１３、表示部
４２１４、キーボード４２１５、外部接続ポート４２１６、ポインティングマウス４２１
７等を含む。本発明は、表示部４２１４を構成する表示装置に用いることができる。また
本発明により、擬似輪郭の低減された、綺麗な画像で見ることができるようになり、図４
２（Ｃ）に示すパーソナルコンピュータが完成される。
【０３７９】
図４２（Ｄ）はモバイルコンピュータであり、本体４２１８、表示部４２１９、スイッ
チ４２２０、操作キー４２２１、赤外線ポート４２２２等を含む。本発明は、表示部４２
１９を構成する表示装置に用いることができる。また本発明により、擬似輪郭の低減され
た、綺麗な画像で見ることができるようになり、図４２（Ｄ）に示すモバイルコンピュー
タが完成される。
【０３８０】
図４２（Ｅ）は記憶媒体読込部を備えた画像再生装置（具体的には、例えばＤＶＤ再生
装置）であり、本体４２２３、筐体４２２４、表示部Ａ４２２５、表示部Ｂ４２２６、記
憶媒体（ＤＶＤ等）読込部４２２７、操作キー４２２８、スピーカー部４２２９等を含む
。表示部Ａ４２２５は主に画像情報を表示し、表示部Ｂ４２２６は主に文字情報を表示す
るが、本発明は、表示部Ａ４２２５、表示部Ｂ４２２６を構成する表示装置に用いること
ができる。なお、記録媒体読込部を備えた画像再生装置には家庭用ゲーム機器なども含ま
れる。また本発明により、擬似輪郭の低減された、綺麗な画像で見ることができるように
なり、図４２（Ｅ）に示す画像再生装置が完成される。
【０３８１】
図４２（Ｆ）はゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）であり、本体
４２３０、表示部４２３１、アーム部４２３２等を含む。本発明は、表示部４２３１を構
成する表示装置に用いることができる。また本発明により、擬似輪郭の低減された、綺麗
な画像で見ることができるようになり、図４２（Ｆ）に示すゴーグル型ディスプレイが完
成される。
【０３８２】
図４２（Ｇ）はビデオカメラであり、本体４２３３、表示部４２３４、筐体４２３５、
外部接続ポート４２３６、リモコン受信部４２３７、受像部４２３８、バッテリー４２３
９、音声入力部４２４０、操作キー４２４１等を含む。本発明は、表示部４２３４を構成
する表示装置に用いることができる。また本発明により、擬似輪郭の低減された、綺麗な
画像で見ることができるようになり、図４２（Ｇ）に示すビデオカメラが完成される。
【０３８３】
図４２（Ｈ）は携帯電話機であり、本体４２４２、筐体４２４３、表示部４２４４、音
声入力部４２４５、音声出力部４２４６、操作キー４２４７、外部接続ポート４２４８、
アンテナ４２４９等を含む。本発明は、表示部４２４４を構成する表示装置に用いること
ができる。なお、表示部４２４４は黒色の背景に白色の文字を表示することで携帯電話機
の消費電流を抑えることができる。また本発明により、擬似輪郭の低減された、綺麗な画
像で見ることができるようになり、図４２（Ｈ）に示す携帯電話機が完成される。
【０３８４】
なお、発光輝度が高い発光材料を用いれば、出力した画像情報を含む光をレンズ等で拡
大投影してフロント型若しくはリア型のプロジェクターに用いることも可能となる。
【０３８５】
また、近年では上記電子機器はインターネットやＣＡＴＶ（ケーブルテレビ）などの電
子通信回線を通じて配信された情報を表示することが多くなっており、特に動画情報を表
示する機会が増してきている。発光材料の応答速度は非常に高いため、発光型の表示装置
は動画表示に好ましい。
【０３８６】
また、発光型の表示装置は発光している部分が電力を消費するため、発光部分が極力少
なくなるように情報を表示することが望ましい。従って、携帯情報端末、特に携帯電話機
や音響再生装置のような文字情報を主とする表示部に発光型の表示装置を用いる場合には
、非発光部分を背景として文字情報を発光部分で形成するように駆動することが望ましい
。
【０３８７】
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に用いることが
可能である。また、本実施の形態の電子機器は、実施の形態１〜実施の形態１０に示した
いずれの構成の表示装置を用いてもよい。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
１フレームを複数のサブフレームに分割して階調を表現する表示装置の駆動方法であって、
ｎビット（ここで、ｎは整数）で階調を表現する場合に、
２進数で表示される階調の各ビットを第１ビット群、第２ビット群、第３ビット群の３種類に区別し、
前記１フレームを、２個のサブフレーム群に分割し、
前記第１ビット群に属するビットに相当するａ個（ここで、ａは０＜ａ＜ｎの整数）のサブフレームを、それぞれ３個以上に分割して、前記１フレームの２個の各サブフレーム群に概ね半数ずつ配置し、
前記第２ビット群に属するビットに相当するｂ個（ここで、ｂは０＜ｂ＜ｎの整数）のサブフレームを、それぞれ２個に分割し、前記１フレームの２個の各サブフレーム群に１つずつ配置し、
前記第３ビット群に属するビットに相当するｃ個（ここで、ｃは０≦ｃ＜ｎの整数で、ａ＋ｂ＋ｃ＝ｎを満たす）のサブフレームを、前記１フレームの２個のサブフレーム群のうち少なくとも１個のサブフレーム群に配置し、
前記１フレームの２個のサブフレーム群の、前記第１ビット群に属するビットに相当する複数のサブフレームと、前記第２ビット群に属するビットに相当する複数のサブフレームとの出現順序が概ね同じであることを特徴とする表示装置の駆動方法。

【図１】

【図２】

【図３】

【図４】

【図５】

【図６】

【図７】

【図８】

【図９】

【図１０】

【図１１】

【図１２】

【図１３】

【図１４】

【図１５】

【図１６】

【図１７】

【図１８】

【図１９】

【図２０】

【図２１】

【図２２】

【図２３】

【図２４】

【図２５】

【図２６】

【図２７】

【図２８】

【図２９】

【図３０】

【図３１】

【図３２】

【図３３】

【図３４】

【図３５】

【図３６】

【図３７】

【図３８】

【図３９】

【図４０】

【図４１】

【図４２】

【図４３】

【図４４】

【図４５】

【図４６】

【図４７】

【図４８】

【図４９】

【図５０】

【図５１】

【図５２】

【図５３】

【図５４】

【図５５】

【図５６】

【図５７】

【図５８】

【図５９】

【図６０】

【図６１】

【図６２】

【公開番号】特開２０１２−２５６０６３（Ｐ２０１２−２５６０６３Ａ）
【公開日】平成２４年１２月２７日（２０１２．１２．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−１７４９１９（Ｐ２０１２−１７４９１９）
【出願日】平成２４年８月７日（２０１２．８．７）
【分割の表示】特願２００６−７９６７９（Ｐ２００６−７９６７９）の分割
【原出願日】平成１８年３月２２日（２００６．３．２２）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】