表示装置
【課題】消費電力の上昇を抑えつつ、輝度を向上させると共に広い視野角を確保することが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】発光領域１５Ａの開口率が相対的に小さな正面輝度優先の第１領域（例えば画素１０１）と、発光領域１５Ａの開口率が相対的に大きな視野角輝度優先の第２領域（例えば画素１０２）と、第１領域および第２領域を駆動する駆動手段とを備えている。第１領域および第２領域それぞれの開口率の大きさに対応して、第１領域では第２領域と比較して発光領域１５Ａから表示面側に取り出される光は広がりにくくなり、第２領域では発光領域１５Ａからの取り出し光の広がりは第１領域と比較して広くなる。
【解決手段】発光領域１５Ａの開口率が相対的に小さな正面輝度優先の第１領域（例えば画素１０１）と、発光領域１５Ａの開口率が相対的に大きな視野角輝度優先の第２領域（例えば画素１０２）と、第１領域および第２領域を駆動する駆動手段とを備えている。第１領域および第２領域それぞれの開口率の大きさに対応して、第１領域では第２領域と比較して発光領域１５Ａから表示面側に取り出される光は広がりにくくなり、第２領域では発光領域１５Ａからの取り出し光の広がりは第１領域と比較して広くなる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光素子などを表示素子として備えた表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶ディスプレイに代わる表示装置として、有機層を含む自発光型の有機発光素子を用いた有機ＥＬディスプレイが実用化されている。有機ＥＬディスプレイは、自発光型であるので、液晶などと比較して視野角が広く、また、高精細度の高速ビデオ信号に対応しても十分な応答性を有するものである。
【０００３】
このような有機ＥＬディスプレイに用いられる有機発光素子では、一対の電極の間に、発光層を含む有機層を有し、電極間に電圧を印加することにより、発光層において正孔と電子とが再結合し、発光する。この発光光は、一方の電極から取り出される。
【０００４】
この有機ＥＬディスプレイでは、消費電力の上昇を抑えつつ、輝度を向上させるための種々の検討がなされている。例えば、有機発光素子の光取り出し側に、側壁に反射膜を有する開口を備えたリフレクタ構造を設ける技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。このリフレクタ構造を設けた有機ＥＬディスプレイでは、発光素子からの光は開口の側壁の反射面により表示面に対して垂直方向に反射される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特表２００５−５３１１０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記したリフレクタ構造を有するディスプレイでは、正面輝度を向上させことができる一方、視野角を確保することが難しいという問題がある。その理由は以下の通りである。表示面に対して垂直方向の輝度を確保しようとすると、リフレクタ構造の開口を狭くする（開口率を小さくする）必要がある。この場合には、表示面に対して斜め方向の輝度が低下することになるため、視野角が狭くなる。その一方で、表示面に対して斜め方向の輝度を確保しようとすると、リフレクタ構造の開口を広くする（開口率を大きくする）必要がある。この場合には、視野角は確保されやすくなるが、表示面に対して垂直方向に取り出される光量が十分に得られにくくなるため、高い駆動電圧を印加する必要がある。
【０００７】
すなわち、従来の有機ＥＬディスプレイでは、消費電力を上昇させずに正面輝度を確保しようとすると斜め方向の輝度が低下し、斜め方向の輝度を確保しようとすると正面輝度が低下しやすかった。
【０００８】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、消費電力の上昇を抑えつつ、輝度を向上させると共に広い視野角を確保することが可能な表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の表示装置は、発光領域の開口率が相対的に小さな正面輝度優先の第１領域と、発光領域の開口率が相対的に大きな視野角輝度優先の第２領域と、第１領域および第２領域を駆動する駆動手段とを備えたものである。
【００１０】
本発明の表示装置では、正面輝度優先の第１領域において発光領域の開口率が相対的に小さく、視野角輝度優先の第２領域において発光領域の開口率が相対的に大きくなっている。このため、第１領域では、少なくとも第２領域と比較して発光領域から表示面側に取り出される光（取り出し光）は広がりにくくなる。その一方で、第２領域では、発光領域からの取り出し光の広がりは第１領域と比較して広くなる。よって、駆動手段によって第１領域および第２領域が同様に駆動されると、第１領域および第２領域からの取り出し光が合わさって、表示面に対して正面方向の光量が増加する一方で、斜め方向の光量も確保される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の表示装置によれば、発光領域の開口率が相対的に小さな正面輝度優先の第１領域と、発光領域の開口率が相対的に大きな視野角輝度優先の第２領域と、第１領域および第２領域を駆動する駆動手段とを備えているので、表示面に対して正面方向および斜め方向の輝度のバランスが良好なるため、消費電力の上昇を抑えつつ、輝度を向上させると共に、広い視野角を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の回路構成を表す図である。
【図２】図１に示した画素駆動回路の一例を表す図である。
【図３】図１に示した表示領域の構成を表す平面図である。
【図４】図３に示した正面輝度優先の画素の断面構成（図４（Ａ））、視野角輝度優先の画素の断面構成（図４（Ｂ））を表す図である。
【図５】図４に示した有機層を拡大して表す断面図である。
【図６】図４に示した画素回路形成層の平面構成を表す図である。
【図７】図４に示した画素回路形成層の他の断面構成を表す図である。
【図８】図３に示した画素を駆動する場合のタイミングチャートである。
【図９】図３に示した画素を駆動する場合の他のタイミングチャートである。
【図１０】図３に示した画素の表示面に対する正面方向および斜め方向の輝度分布を表す特性図である。
【図１１】本発明の第２の実施の形態に係る表示装置に設けられた画素の平面構成を表す図である。
【図１２】図１１に示した画素を駆動するための画素駆動回路の一例を表す図である。
【図１３】図１２に示した画素駆動回路の平面構成を表す図である。
【図１４】各実施の形態の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図１５】各実施の形態の表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。
【図１６】（Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図１７】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図１８】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図１９】（Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。説明する順序は以下の通りである。
１．第１の実施の形態（正面輝度優先の画素と視野角輝度優先の画素とを有する例）
２．第２の実施の形態（１画素に正面輝度優先の領域および視野角輝度優先の領域を含む例）
３．モジュールおよび適用例
【００１４】
＜１．第１の実施の形態（正面輝度優先の画素と視野角輝度優先の画素とを有する例）＞
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の回路構成を表すものである。この表示装置は、極薄型の有機発光カラーディスプレイ装置などとして用いられるものであり、基体１１に表示領域１１０が形成されている。表示領域１１０の周辺には、例えば映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０、走査線駆動回路１３０および電源供給線駆動回路１４０が形成されている。
【００１５】
表示領域１１０には、マトリクス状に二次元配置された複数の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂと、それらを駆動するための画素駆動回路１５０とが形成されている。画素駆動回路１５０において、列方向には複数の信号線１２０Ａ（１２０Ａ１，１２０Ａ２，・・・，１２０Ａｍ，・・・）が配置され、行方向には複数の走査線１３０Ａ（１３０Ａ１，・・・，１３０Ａｎ，・・・）および複数の電源供給線１４０Ａ（１４０Ａ１，・・・，１４０Ａｎ，・・・）が配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの各交差点に、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか一つが対応して設けられている。各信号線１２０Ａは信号線駆動回路１２０に接続され、各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、各電源供給線１４０Ａは電源供給線駆動回路１４０に接続されている。
【００１６】
信号線駆動回路１２０は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧を、信号線１２０Ａを介して選択された有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに供給するものである。
【００１７】
走査線駆動回路１３０は、入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト（転送）するシフトレジスタなどによって構成されている。走査線駆動回路１３０は、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂへの映像信号の書き込みに際し行単位でそれらを走査し、各走査線１３０Ａに走査信号を順次供給するものである。
【００１８】
電源供給線駆動回路１４０は、入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト（転送）するシフトレジスタなどによって構成されている。電源供給線駆動回路１４０は、走査線駆動回路１３０による行単位の走査と同期して、各電源供給線１４０Ａに対し互いに異なる第１電位および第２電位のいずれかを適宜供給する。これにより、後述する駆動トランジスタＴｒ１の導通状態または非導通状態の選択が行われる。
【００１９】
図２は、画素駆動回路１５０の一例を表したものである。この画素駆動回路１５０は、後述する第１電極１２の下層に形成され、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、その間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓと、電源供給線１４０Ａおよび共通電源供給線（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１と直列に接続された有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）とを有するアクティブ型の駆動回路である。駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））により構成され、その構成は例えば逆スタガー構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガー構造（トップゲート型）でもよく特に限定されない。
【００２０】
書き込みトランジスタＴｒ２は、例えばドレイン電極が信号線１２０Ａと接続されており、信号線駆動回路１２０からの映像信号が供給されるようになっている。また、書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極は走査線１３０Ａと接続されており、走査線駆動回路１３０からの走査信号が供給されるようになっている。さらに、書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極は、駆動トランジスタＴｒ１のゲート電極と接続されている。
【００２１】
駆動トランジスタＴｒ１は、例えばドレイン電極が電源供給線１４０Ａと接続されており、電源供給線駆動回路１４０による第１電位または第２電位のいずれかに設定される。駆動トランジスタＴｒ１のソース電極は、有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）と接続されている。
【００２２】
保持容量Ｃｓは、駆動トランジスタＴｒ１のゲート電極（書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極）と、駆動トランジスタＴｒ１のソース電極との間に形成されるものである。
【００２３】
図３に、表示領域１１０の平面構成の一例を表す。表示領域１１０には、正面輝度優先の画素１０１と視野角輝度優先の画素１０２とが隣り合い、全体としてマトリックス状に二次元配置されている。各画素１０１，１０２には、基体１１の上に、赤色の光を発生する有機発光素子１０Ｒと、緑色の光を発生する有機発光素子１０Ｇと、青色の光を発生する有機発光素子１０Ｂとが形成されている。画素１０１の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの上には、第１のリフレクタ構造２０Ａが形成されている。このリフレクタ構造２０Ａは、側壁に反射面２２Ａを有する複数の円形状の開口２１Ａを有するものである。これにより画素１０１における発光領域１５Ａの開口率は相対的に小さくなっている。画素１０２の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの上には、第２のリフレクタ構造２０Ｂが形成されている。このリフレクタ構造２０Ｂは、側壁に反射面２２Ｂを有する矩形状の開口２１Ｂを有するものである。これにより発光領域１５Ａの開口率が相対的に大きくなっている。このため、画素１０１では、少なくとも画素１０２と比較して、発光領域１５Ａから表示面側に取り出される光（取り出し光）は、広がりにくくなる。その一方で、画素１０２では、発光領域１５Ａからの取り出し光の広がりは第１領域と比較して広くなる。よって、画素１０１，１０２が同時に駆動されると、画素１０１，１０２それぞれの取り出し光が合わさって、表示面に対して正面方向の光量が増加する一方で、斜め方向の光量も確保される。
【００２４】
次に、図３と共に図４，図５を参照して、画素１０１，１０２における有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂおよびリフレクタ構造２０Ａ，２０Ｂの詳細な構成について説明する。なお、画素１０１，１０２では、リフレクタ構造２０Ａ，２０Ｂの構成が異なることを除き、他は共通の構成を有している。また、画素１０１，１０２それぞれに形成された有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂでは、有機層１４の構成が一部異なることを除き、他は共通の構成を有している。よって、以下では、共通の部分については、代表として有機発光素子１０Ｒについて説明する。
【００２５】
図４は画素１０１，１０２の断面構成を表したものであり、詳細には図４（Ａ）は図３に示した画素１０１のＩＶ（Ａ）−ＩＶ（Ａ）線に沿った断面図であり、図４（Ｂ）は図３に示した画素１０２のＩＶ（Ｂ）−ＩＶ（Ｂ）線に沿った断面図である。図５は図４に示した有機層１４を拡大して表す断面図である。
【００２６】
有機発光素子１０Ｒは、基体１１の側から順に、陽極としての第１電極１２と、電極間絶縁膜１３および発光層１４Ｃを含む有機層１４と、陰極としての第２電極１５とを含んでいる。有機層１４の電極間絶縁膜１３に取り囲まれた領域が発光領域１５Ａとなり、その発光領域１５Ａからの光取り出し側に画素１０１ではリフレクタ構造２０Ａ、画素１０２ではリフレクタ構造２０Ｂがそれぞれ設けられている。リフレクタ構造２０Ａ，２０Ｂはそれぞれ光取り出し用の開口２１Ａ，２１Ｂを有している。開口２１Ａ，２１Ｂの内部およびリフレクタ構造２０Ａ，２０Ｂの上には保護層２５が形成され、この保護層２５の上に封止基板２６が設けられて封止されている。また、有機発光素子１０Ｒは補助配線１１３によって取り囲まれている。
【００２７】
有機発光素子１０Ｒでは、第１電極１２は光反射性を有する反射膜として機能する一方、第２電極１５は光透過性を有する透過膜あるいは半透過膜として機能を発揮する。これら第１電極１２および第２電極１５により、発光層１４Ｃにおいて発生した光が封止基板２６側から取り出される。
【００２８】
第１電極１２は、高い反射率を有する材料によって構成されることが発光効率を高める上で望ましい。第１電極１２は、例えば厚さが１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、銀（Ａｇ），アルミニウム（Ａｌ），クロム（Ｃｒ），チタン（Ｔｉ），鉄（Ｆｅ），コバルト（Ｃｏ），ニッケル（Ｎｉ），モリブデン（Ｍｏ），銅（Ｃｕ），タンタル（Ｔａ），タングステン（Ｗ），白金（Ｐｔ），ネオジウム（Ｎｄ）あるいは金（Ａｕ）などの金属元素の単体またはそれらの合金により構成されている。第１電極１２は、光反射性を有していれば多層構造を有していてもよい。多層構造を有する第１電極１２は、例えば上記した高い反射率の金属材料により構成された層の上あるいは下に、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）あるいは酸化スズ（ＳｎＯ2 ）などの透明導電材料によって構成された層を有していてもよい。第１電極１２は、基体１１の表面の一部を覆うと共に接続孔１１４を充填するように形成されている。これにより、第１電極１２は、接続孔１１４を介して駆動トランジスタＴｒ１（のうちの金属層２１６Ｓ）と導通された状態となる。
【００２９】
電極間絶縁膜１３は、各第１電極１２同士の間の隙間を埋めると共に第１電極１２の端面および周縁部の上面を覆うように設けられている。この電極間絶縁膜１３により、第１電極１２と第２電極１５との絶縁性を確保すると共に、有機発光素子１０Ｒの発光領域１５Ａの開口を正確に所望の形状とする。電極間絶縁膜１３の材料としては、例えばポリイミド等の有機材料が挙げられる。
【００３０】
有機層１４は、第１電極１２の上面に設けられ、例えば図５に示したように、第１電極１２の側から順に、正孔注入層１４Ａ、正孔輸送層１４Ｂ、発光層１４Ｃ、および電子輸送層１４Ｄを有している。以上は有機発光素子１０Ｇ，１０Ｂについても同様である。
【００３１】
正孔注入層１４Ａは、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、電流のリークを防止するためのバッファ層である。正孔輸送層１４Ｂは、発光層１４Ｃへの正孔輸送効率を高めるためのものである。発光層１４Ｃは、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層１４Ｄは、発光層１４Ｃへの電子輸送効率を高めるためのものである。なお、電子輸送層１４Ｄと第２電極１５との間には、ＬｉＦ，Ｌｉ2 Ｏなどよりなる電子注入層（図示せず）を設けてもよい。
【００３２】
有機層１４は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光色によってそれぞれ構成が異なっている。以下、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂそれぞれの有機層１４の詳細について説明する。
【００３３】
有機発光素子１０Ｒの正孔注入層１４Ａは、例えば、厚さが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）あるいは４，４’，４”−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）により構成されている。有機発光素子１０Ｒの正孔輸送層１４Ｂは、例えば、厚さが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ）により構成されている。有機発光素子１０Ｒの発光層１４Ｃは、例えば、厚さが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ3 ）に２，６−ビス［４−［Ｎ−（４−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニル］アミノスチリル］ナフタレン−１，５−ジカルボニトリル（ＢＳＮ−ＢＣＮ）を４０体積％混合したものにより構成されている。有機発光素子１０Ｒの電子輸送層１４Ｄは、例えば、厚さが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ3 により構成されている。
【００３４】
有機発光素子１０Ｇの正孔注入層１４Ａは、例えば、厚さが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ｍ−ＭＴＤＡＴＡあるいは２−ＴＮＡＴＡにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの正孔輸送層１４Ｂは、例えば、厚さが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、α−ＮＰＤにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの発光層１４Ｃは、例えば、厚さが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ3 にクマリン６（Ｃｏｕｍａｒｉｎ６）を３体積％混合したものにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの電子輸送層１４Ｄは、例えば、厚さが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ3 により構成されている。
【００３５】
有機発光素子１０Ｂの正孔注入層１４Ａは、例えば、厚さが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ｍ−ＭＴＤＡＴＡあるいは２−ＴＮＡＴＡにより構成されている。有機発光素子１０Ｂの正孔輸送層１４Ｂは、例えば、厚さが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、α−ＮＰＤにより構成されている。有機発光素子１０Ｂの発光層１４Ｃは、例えば、厚さが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、スピロ６Φ（ｓｐｉｒｏ６Φ）により構成されている。有機発光素子１０Ｂの電子輸送層１４Ｄは、例えば、厚さが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ3 により構成されている。
【００３６】
第２電極１５は、例えば、厚さが５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、例えばアルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ），ナトリウム（Ｎａ）などの金属元素の単体または合金により構成されている。中でも、マグネシウムと銀との合金（ＭｇＡｇ合金）、またはアルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）との合金（ＡｌＬｉ合金）が好ましい。第２電極１５は、例えば全ての有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通に設けられており、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第１電極１２と対向配置されている。さらに第２電極１５は、有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）の第１電極１２を取り囲む補助配線１１３と電気的に接続されている。補助配線１１３は銅（Ｃｕ）の電気抵抗の低い導電性材料により構成され、第２電極１５の電圧降下を抑制するためのものである。
【００３７】
リフレクタ構造２０Ａ，２０Ｂは、いずれも基材２１および反射膜２２により構成されている。
【００３８】
リフレクタ構造２０Ａは、発光領域１５Ａからの光を表示面に対して正面方向（垂直方向）に効率よく取り出すためのものである。このため、リフレクタ構造２０Ａは、図３に示したように平面形状が円形状、図４（Ａ）に示したように断面形状がテーパ状の開口２１Ａを複数有している（ここでは各発光領域１５Ａの上に２列×６行の開口２１Ａを有する）。開口２１Ａの側壁には反射膜２２が設けられており、反射面２２Ａとなっている。すなわち、リフレクタ構造２０Ａでは、各開口２１Ａは、封止基板２６側の開口径が第２電極１５側の開口径よりも大きくなるように反射面２２Ａが傾斜している。これにより、画素１０１の発光領域１５Ａから表示面に対して正面方向に射出された光はそのまま正面方向に取り出され、斜め方向に射出された光は開口２１Ａの側壁に反射されて正面方向に取り出される。その結果、画素１０１では表示面に対して斜め方向の輝度よりも、正面輝度がより高くなる。
【００３９】
一方、リフレクタ構造２０Ｂは、発光領域１５Ａからの光を表示面に対して正面方向および斜め方向に効率よく取り出すためのものである。このため、リフレクタ構造２０Ｂは、図３に示したように平面形状が発光領域１５Ａと相似形（矩形状）、図４（Ｂ）に示したように断面形状がテーパ状の開口２１Ｂを有している。開口２１Ｂの側壁にも反射膜２２が設けられており、反射面２２Ｂとなっている。すなわち、リフレクタ構造２０Ｂでは、開口２１Ｂの開口面積は各開口２１Ａの開口面積よりも大きく、言い換えればリフレクタ構造２０Ａよりも発光領域１５の開口率が大きくなっている。この結果、画素１０２では、画素１０１と比較して、正面輝度は低くなるが、表示面に対して斜め方向の輝度が高くなる。
【００４０】
リフレクタ構造２０Ａ，２０Ｂの基材２１は、開口２１Ａ，２１Ｂの形状を所望のものとするためのものであり、例えば紫外線硬化型の樹脂や、熱硬化型の樹脂により構成されている。反射膜２２は、発光領域１５Ａからの光を表示面側に効率よく反射させるためのものであり、例えば、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）あるいは銀（Ａｇ）の単体、またはそれらのうちの１種あるいは２種以上を含む合金などにより構成されている。
【００４１】
保護層２５は、有機層１４に水分などが侵入することを防止するためのものであり、透過水性および吸水性の低い材料により構成されると共に十分な厚さを有している。また、保護層２５は、発光層１４Ｃで発生した光に対する透過性が高く、例えば８０％以上の透過率を有する材料により構成されている。このような保護層２５は、例えば、厚さが２μｍないし３μｍ程度であり、無機アモルファス性の絶縁性材料により構成されている。具体的には、アモルファスシリコン（α−Ｓｉ），アモルファス炭化シリコン（α−ＳｉＣ），アモルファス窒化シリコン（α−Ｓｉ1-x Ｎx （０＜ｘ＜１））およびアモルファスカーボン（α−Ｃ）が好ましい。これらの無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを構成しないので透水性が低く、良好な保護層２５となる。また、保護層２５は、ＩＴＯのような透明導電材料により構成されていてもよい。
【００４２】
封止基板２６は、保護層２５の上に接着層（図示せず）を介して接着されている。封止基板２６は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光に対して透明なガラスなどの材料により構成されている。なお、封止基板２６には、例えば、カラーフィルタ（図示せず）が設けられていてもよい。これにより、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光を取り出すと共に、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂならびにリフレクタ構造２０Ａ，２０Ｂなどにおいて反射された外光を吸収し、コントラストが改善される。
【００４３】
カラーフィルタは、封止基板２６のどちら側の面に設けられてもよいが、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの側に設けられることが好ましい。カラーフィルタが表面に露出せず、接着層により保護されるからである。また、リフレクタ構造２０Ａ，２０Ｂの上端とカラーフィルタとの間の距離が狭くなることにより、発光層１４Ｃから射出した光が隣接する他の色のカラーフィルタに入射して混色を生じることを避けることができるからである。カラーフィルタは、赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタ（いずれも図示せず）を有しており、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに対応して順に配置されている。赤色フィルタ、緑色フィルタおよび青色フィルタは、それぞれ例えば矩形形状で隙間なく形成されている。これら赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタは、顔料を混入した樹脂によりそれぞれ構成されており、顔料を選択することにより、目的とする赤、緑あるいは青の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整されている。
【００４４】
次に、図３，図４に加え、図６，図７を参照して、基体１１の詳細な構成を説明する。図６は図４に示した画素駆動回路形成層１２の平面構成を表し、図３に示した有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）の平面図に対応する画素駆動回路１５０を表す概略図である。図７は、有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）を含む階層において、図６中のＶＩＩ（Ａ）−ＶＩＩ（Ａ）線における断面構成（図７（Ａ））および図６中のＶＩＩ（Ｂ）−ＶＩＩ（Ｂ）線における断面構成（図７（Ｂ））を表している。なお、図６中のＩＶ−ＩＶ線における断面構成は、図４（Ａ）または図４（Ｂ）の断面図に対応している。
【００４５】
基体１１は、ガラス，シリコン（Ｓｉ）ウェハあるいは樹脂などよりなる基板１１１の上に、画素駆動回路１５０を含む画素駆動回路形成層１１２が設けられたものである。基板１１１の表面には、第１階層の金属層として、駆動トランジスタＴｒ１のゲート電極である金属層２１１Ｇと、書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極である金属層２２１Ｇと、信号線１２０Ａとがそれぞれ設けられている。これら金属層２１１Ｇ，２２１Ｇおよび信号線１２０Ａは、窒化ケイ素や酸化ケイ素などからなるゲート絶縁膜２１２によって覆われている。ゲート絶縁膜２１２上の、金属層２１１Ｇ，２２１Ｇに対応する領域には、アモルファスシリコンなどの半導体薄膜からなるチャネル層２１３，２２３が設けられている。チャネル層２１３，２２３上には、その中心領域であるチャネル領域２１３Ｒ，２２３Ｒを占めるように絶縁性のチャネル保護膜２１４，２２４が設けられており、その両側の領域には、ｎ型アモルファスシリコンなどのｎ型半導体薄膜からなるソース領域２１５Ｓ，２２５Ｓおよびドレイン領域２１５Ｄ，２２５Ｄが設けられている。これらのドレイン領域２１５Ｄ，２２５Ｄおよびソース領域２１５Ｓ，２２５Ｓは、チャネル保護膜２１４，２２４によって互いに分離されており、それらの端面がチャネル領域２１３Ｒ，２２３Ｒを挟んで互いに離間している。さらに、ドレイン領域２１５Ｄ，２２５Ｄおよびソース領域２１５Ｓ，２２５Ｓをそれぞれ覆うように、第２階層の金属層として、ドレイン配線およびドレイン電極としての金属層２１６Ｄ，２２６Ｄ、ならびにソース配線およびソース電極としての金属層２１６Ｓ，２２６Ｓが設けられている。金属層２１６Ｄ，２２６Ｄおよび金属層２１６Ｓ，２２６Ｓは、例えばチタン（Ｔｉ）層、アルミニウム（Ａｌ）層、およびチタン層を順に積層した構造を有するものである。第２階層の金属層としては、上記の金属層２１６Ｄ，２２６Ｄおよび金属層２１６Ｓ，２２６Ｓの他に、走査線１３０Ａおよび電源供給線１４０Ａが設けられている。さらに、全体が窒化ケイ素などからなるパッシベーション膜２１７によって覆われ、その上にポリイミド等の有機材料あるいは酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）等の無機材料からなる平坦化絶縁膜２１８が設けられている。なお、ここでは、逆スタガー構造（いわゆるボトムゲート型）の駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２について説明したが、スタガー構造（いわゆるトップゲート型）のものであってもよい。
【００４６】
この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。
【００４７】
まず、基板１１１の上に、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２を含む画素駆動回路１５０を形成する。具体的には、まず、基板１１１上に、例えばスパッタリングにより金属膜を形成する。そののち、例えばフォトリソグラフィ法やドライエッチング、あるいはウェットエッチングによりその金属膜をパターニングして、図６，図７に示した金属層２１１Ｇ，２２１Ｇおよび信号線１２０Ａを基板１１１上に形成する。次いで、全面をゲート絶縁膜２１２によって覆う。続いて、ゲート絶縁膜２１２の上に、チャネル層２１３，２２３、チャネル保護膜２１４，２２４、ドレイン領域２１５Ｄ，２２５Ｄおよびソース領域２１５Ｓ，２２５Ｓ、ならびに金属層２１６Ｄ，２２６Ｄおよび金属層２１６Ｓ，２２６Ｓを順に、所定の形状に形成する。ここで、金属層２１６Ｄ，２２６Ｄおよび金属層２１６Ｓ，２２６Ｓの形成と併せて、走査線１３０Ａおよび電源供給線１４０Ａを第２の金属層として各々形成する。その際、金属層２２１Ｇと走査線１３０Ａとを接続する接続部、金属層２２６Ｄと信号線１２０Ａとを接続する接続部、金属層２２６Ｓと金属層２１１Ｇとを接続する接続部を予め形成しておく。これにより画素駆動回路１５０が形成される。そののち、全体をパッシベーション膜２１７で覆う。続いて、パッシベーション膜２１７の上に平坦化絶縁膜２１８を形成することにより、画素駆動回路形成層１１２が形成され、基体１１が完成する。
【００４８】
次に、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成する。具体的には、例えばフォトリソグラフィ法やドライエッチング、あるいはウェットエッチングにより、平坦化絶縁膜２１８に接続孔１１４となる開口を設ける。続いて、例えばスパッタリングによって上述の第１電極１２の構成材料からなる金属膜を全面成膜したのち、その金属膜上に所定のマスクを用いて所定形状のレジストパターンを形成し、さらにそのレジストパターンをマスクとして用い、金属膜の選択的なエッチングを行う。これにより第１電極１２および補助配線１１３を形成する。その際、第１電極１２については、接続孔１１４を充填するように形成する。そののち、補助配線１１３の第２電極１５との接続部を除いて、補助配線１１３と第１電極１２の周縁とを覆うように電極間絶縁膜１３を形成する。続いて、第１電極１２を完全に覆うように正孔注入層１４Ａ、正孔輸送層１４Ｂ、発光層１４Ｃおよび電子輸送層１４Ｄを順次積層することにより、有機層１４を形成する。続いて、補助配線１１３の第２電極１５との接続部に堆積した有機層１４を、例えばレーザ光を照射することにより除去する。こののち、有機層１４を挟んで第１電極１２と対向し、かつ、補助電極１１３を覆うように全面に亘って第２電極１５を形成する。この際、補助電極１１３と第２電極１５とが接続される。以上により、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが完成する。
【００４９】
続いて、リフレクタ構造２０Ａ，２０Ｂを形成する。具体的には、まず、例えば基材２１の構成材料により、基材層を形成する。続いて、フォトリソグラフィ法やエッチング法により基材層をパターニングすることにより、画素１０１となる有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光領域１５Ａの上には複数の円形状の開口、画素１０２となる有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光領域１５Ａの上には矩形状の開口を形成する。こののち、これらの開口の側壁を選択的に覆うように反射膜２２を形成する。これにより、円形状の開口２１Ａを複数備えたリフレクタ構造２０Ａと共に、矩形状の開口２１Ｂを備えたリフレクタ構造２０Ｂが完成する。
【００５０】
最後に、リフレクタ構造２０Ａ，２０Ｂの開口２１Ａ，２１Ｂの内部およびリフレクタ構造２０Ａ，２０Ｂの上部を覆うように保護層２５を形成したのち、保護層２５の上に、接着層を形成し、この接着層を間にして封止基板２６を貼り合わせる。以上により、表示装置が完成する。
【００５１】
この表示装置では、以下のようにして映像が表示される。各画素１０１，１０２に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極（金属層２２１Ｇ）を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。その一方で、電源供給線駆動回路１４０が、走査線駆動回路１３０による行単位の走査と同期して、各電源供給線１４０Ａに対し第２電位よりも高い第１電位を供給する。これにより駆動トランジスタＴｒ１の導通状態が選択され、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄが注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、第１電極１２により反射されると共に第２電極１５により透過される。第２電極１５を透過した光は、開口２１Ａ，２１Ｂ内の保護層２５と、その上に設けられた封止基板２６とを透過して取り出され、この取り出し光に基づいて映像が表示される。
【００５２】
この表示装置では、信号線１３０Ａに沿った、隣り合う画素１０１，１０２を一組として、同時に駆動させると広い視野角を確保することができ、異なるタイミングで駆動させると視野を正面方向に狭めることができる。詳細には図８，図９を参照して説明する。図８は広い視野角を確保する場合において画素１０１，１０２を駆動するためのタイミングチャートを表し、図９は視野を正面方向に狭める場合において画素１０１，１０２を駆動するためのタイミングチャートを表している。
【００５３】
まず、図８を参照して広い視野角を確保する場合について説明する。この場合には、列方向に隣り合った画素１０１，１０２を一組として、以下のように一組の画素１０１，１０２を駆動する。まず、列方向に隣り合った一組の画素１０１，１０２に対して走査線駆動回路１３０から、画素１０１の書き込みトランジスタＴｒ２に対して第２電位（Ｌｏｗ）よりも高い第１電位（Ｈｉｇｈ）の走査信号ＷＳ１を供給する（図８（Ｂ））と共に、画素１０２の書き込みトランジスタＴｒ２に対して第２電位（Ｌｏｗ）よりも高い第１電位（Ｈｉｇｈ）の走査信号ＷＳ２を供給する（図８（Ｃ））。これらの第１電位の走査信号ＷＳ１，ＷＳ２と同期して、電源供給線駆動回路１４０が、画素１０１，１０２の各行の電源供給線１４０Ａに対して第２電位（Ｌｏｗ）よりも高い第１電位（Ｈｉｇｈ）を供給する（図８（Ａ））。これにより、画素１０１，１０２双方の駆動トランジスタＴｒ１のゲート電位とソース電位とが所定の電位に上昇したのち、一定になる（図８（Ｅ））。ここで、一旦、第２電位の走査信号ＷＳ１，ＷＳ２を書き込みトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２に対して供給したのち（図８（Ｂ），（Ｃ））、信号線駆動回路１２０から画素１０１，１０２の列の信号線１２０Ａに第２電位（Ｌｏｗ）よりも高い第１電位（Ｈｉｇｈ）の画像信号Ｖｓｉｇを供給する（図８（Ｄ））。この第１電位の画像信号Ｖｓｉｇが供給されたのち、第１電位の走査信号ＷＳ１，ＷＳ２を同じ書き込み時間となるように供給する（図８（Ｂ），（Ｃ））。これにより、画素１０１，１０２双方の駆動トランジスタＴｒ１のゲート電位とソース電位とがさらに上昇し、画素１０１，１０２双方の駆動トランジスタＴｒ１の導通状態が選択される。画素１０１，１０２双方の駆動トランジスタＴｒ１の導通状態が選択されると、画素１０１，１０２双方の駆動トランジスタＴｒ１のゲート電位とソース電位との電位差ΔＶ（図８（Ｅ））に応じて、画素１０１，１０２の各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄが注入され、画素１０１，１０２の発光領域１５Ａが発光する。発光領域１５Ａからの光は、画素１０１ではリフレクタ構造２０Ａにより表示面に対して正面方向（垂直方向）に効率よく取り出され、画素１０２ではリフレクタ構造２０Ｂにより表示面に対して正面方向および斜め方向に取り出される。よって、図１０に示したように、正面方向および斜め方向の輝度が確保される。図１０は、表示面に対して垂直方向を０°とした場合の各方向（−２００°〜２００°）における、正面輝度優先の画素１０１の輝度分布（Ｃ１０１）と視野角輝度優先の画素１０２の輝度分布（Ｃ１０２）とを表している。
【００５４】
その一方で、視野を正面方向に狭める場合（図９参照）には、列方向に隣り合った画素１０１，１０２を一組として以下のように駆動する。まず、広い視野角を確保する場合と同様に、列方向に隣り合った一組の画素１０１，１０２に第１電位の走査信号ＷＳ１，ＷＳ２（図９（Ｂ），（Ｃ））と共に、画素１０１，１０２の行の電源供給線１４０Ａに対し第１電位（図９（Ａ））を供給する。次いで、この場合も同様に、一旦、第２電位の走査信号ＷＳ１，ＷＳ２を供給したのち（図９（Ｂ），（Ｃ））、信号線駆動回路１２０から画素１０１，１０２の列に第１電位の画像信号Ｖｓｉｇを供給する（図９（Ｄ））。この第１電位の画像信号Ｖｓｉｇが供給されたのち、視野を正面方向に狭める場合には、第１電位の走査信号ＷＳ１を、第１電位の走査信号ＷＳ２よりも短い書き込み時間となるように供給する（図９（Ｂ），（Ｃ））。これにより、画素１０１の駆動トランジスタＴｒ１のゲート電位とソース電位との電位差ΔＶ（図９（Ｅ））が大きくなる一方で、画素１０２の駆動トランジスタＴｒ１のゲート電位とソース電位との電位差ΔＶが画素１０１の駆動トランジスタＴｒ１の電位差よりも小さくなる（図９（Ｆ））。これによって、選択的に画素１０１が駆動されることになり、画素１０１の発光領域１５Ａが主に発光する。その結果、画素１０１の発光領域１５Ａからの光は、リフレクタ構造２０Ａにより表示面に対して正面方向に効率よく取り出されるため、視野が正面方向に狭まる。
【００５５】
このように本実施の形態の表示装置では、画素１０１，１０２と、画素１０１，１０２を駆動するための画素駆動回路１５０などの駆動手段とを備えている。画素１０１は発光領域１５Ａの開口率が相対的に小さな正面輝度優先の領域を含み、画素１０２は発光領域１５Ａの開口率が相対的に大きな視野角輝度優先の領域を含んでいる。画素１０１，１０２はそれぞれ隣り合い、画素１０１は、側壁が反射面２２Ａの複数の円形状の開口２１Ａを備えたリフレクタ構造２０Ａを有し、画素１０２は、側壁が反射面２２Ｂの矩形状の開口２１Ｂを備えたリフレクタ構造２０Ｂを有する。このため、画素１０１では少なくとも画素１０２と比較して発光領域１５Ａから表示面側に取り出される光は広がりにくくなり、一方、画素１０２では、発光領域１５Ａからの取り出し光の広がりは画素１０１と比較して広くなる。よって、例えば図８に示したように画素１０１，１０２が同様に駆動されると、画素１０１，１０２それぞれの取り出し光が合わさって、表示面に対して正面方向の光量が増加する一方で、斜め方向の光量も確保される。従って、表示面に対して正面方向および斜め方向の輝度のバランスが良好になるため、消費電力の上昇を抑えつつ、輝度を向上させると共に広い視野角を確保することができる。
【００５６】
特に、本実施の形態では、画素１０１を駆動するための駆動手段と、画素１０２を駆動する駆動手段とを別々に備えている。これにより、例えば図９に示したように駆動することによって、画素１０１，１０２が個別に駆動されるため、視野角を正面方向に狭めたり、広い視野角を確保するようにしたり、表示装置の視野角を制御できる。よって、例えば携帯端末機器のディスプレイとして用いた場合に、のぞき見防止フィルタなどの視野角を制御するための各種フィルタを表示面に貼らなくてもよい。その上、フィルタによる光吸収が生じないことから、低消費電力型のディスプレイとすることもできる。
【００５７】
なお、本実施の形態では、画素１０１のリフレクタ構造２０Ａは、複数の円形状の開口２１Ａを有する場合について説明したが、開口２１Ａの形状および開口２１Ａの数は画素１０２側との関係で相対的に小さな開口率を有するようにすればよい。例えば、開口２１Ａの平面形状は、四角形や多角形であってもよいし、楕円形状であってもよいが、正面輝度を高めるためには、円形状であることが望ましい。開口２１Ａの数は、２つ以上であることが望ましい。
【００５８】
また、本実施の形態では、画素１０２がリフレクタ構造２０Ｂを有する場合について説明したが、視野角を優先する画素１０２にはリフレクタ構造２０Ｂを設けなくてもよい。この場合においても上記した表示装置と同様の作用効果を得ることができる。
【００５９】
＜２．第２の実施の形態（画素に正面輝度優先の領域と視野角輝度優先の領域とを含む例＞
次に、図１１〜図１３を参照して第２の実施の形態に係る表示装置を説明するが、第１の実施の形態と共通の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。図１１は本発明の第２の実施の形態に係る表示装置の表示領域１１０に設けられた画素２０１の平面構成を表している。本実施の形態の表示装置は、表示領域１１０において、画素２０１に正面輝度優先の領域と視野角輝度優先の領域とを含んでいる。すなわち、本実施の形態では、正面輝度優先の画素１０１および視野角輝度優先の画素１０２に代えて画素２０１を設けたことを除き、第１の実施の形態の表示装置と同様の構成を有している。
【００６０】
この表示装置では、表示領域１１０に画素２０１がマトリックス状に設けられ、画素２０１には、後述する画素駆動回路２５０が設けられた基体１１の上に、赤色の光を発生する有機発光素子５０Ｒと、緑色の光を発生する有機発光素子５０Ｇと、青色の光を発生する有機発光素子５０Ｂとがこの順に並んで形成されている。有機発光素子５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂは、それぞれ発光領域５５Ａ，５５Ｂを有している。有機発光素子５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂの発光領域５５Ａの上には、リフレクタ構造６０Ａが形成されている。このリフレクタ構造６０Ａは、側壁が反射面（反射膜；図示せず）の複数の円形状の開口６１Ａを有するものである。これにより発光領域５５Ａの開口率が相対的に小さくなっている。発光領域５５Ｂの上には、リフレクタ構造６０Ｂが形成されている。このリフレクタ構造６０Ｂは、側壁が反射面（図示せず）の矩形状の開口６１Ｂを有するものである。これにより発光領域５５Ｂの開口率が相対的に大きくなっている。なお、図１１中のＡ−Ａ線に沿った断面構成は図４（Ａ）に示した断面構成に対応し、図１１中のＢ−Ｂ線に沿った断面構成は図４（Ｂ）に示した断面構成に対応する。
【００６１】
すなわち、画素２０１では、発光領域５５Ａから表示面側に取り出される光はリフレクタ構造６０Ａにより広がりにくくなり、一方、発光領域５５Ｂからの取り出し光はリフレクタ構造６０Ｂにより発光領域５５Ａからの取り出し光と比較して斜め方向にも広がることになる。よって、画素２０１では、発光領域５５Ａ，５５Ｂからの取り出し光が合わさって、表示面に対して正面方向の光量が増加する一方で斜め方向の光量も確保される。
【００６２】
有機発光素子５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂの発光領域５５Ａ，５５Ｂは、それぞれ基体１１側から順に、陽極としての第１電極、電極間絶縁膜、有機層および陰極としての第２電極（いずれも図示せず）を有している。有機発光素子５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂの第１電極、電極間絶縁膜、有機層および第２電極は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第１電極１２、電極間絶縁膜１３、有機層１４および第２電極１５とそれぞれ同様の構成を有している。
【００６３】
リフレクタ構造６０Ａ，６０Ｂは、上記したリフレクタ構造２０Ａ，２０Ｂと同様の構成を有している。
【００６４】
有機発光素子５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂおよびリフレクタ構造６０Ａ，６０Ｂは、第１の実施の形態の表示装置と同様に、保護層および封止基板（いずれも図示せず）により封止されている。
【００６５】
図１２は、有機発光素子５０Ｒ（または５０Ｇ，５０Ｂ）に対応した画素駆動回路２５０の一例を表したものである。この画素駆動回路２５０は、上記した画素駆動回路１５０と同様にアクティブ型の駆動回路であり、有機発光素子５０Ｒ（または５０Ｇ，５０Ｂ）の発光領域５５Ａ，５５Ｂそれぞれの第１電極の下層に形成されている。この画素駆動回路２５０は、駆動トランジスタＤｒ１および書き込みトランジスタＷｒ１と、その間の保持容量Ｃｓ１と、電源供給線１４０Ａおよび共通電源供給線（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＤｒ１と直列に接続された有機発光素子５０Ｒ（または５０Ｇ，５０Ｂ）の発光領域５５Ａと共に、駆動トランジスタＤｒ２および書き込みトランジスタＷｒ２と、その間のキャパシタＣｓ２と、電源供給線１４０Ａおよび共通電源供給線の間において駆動トランジスタＤｒ２と直列に接続された有機発光素子５０Ｒ（または５０Ｇ，５０Ｂ）の発光領域５５Ｂを有している。
【００６６】
書き込みトランジスタＷｒ１，Ｗｒ２は、例えばそれぞれのドレイン電極が同じ信号線１２０Ａと接続されており、信号線駆動回路１２０からの映像信号が供給されるようになっている。また、書き込みトランジスタＷｒ１，Ｗｒ２それぞれのゲート電極は同じ走査線１３０Ａと接続されており、走査線駆動回路１３０からの走査信号が供給されるようになっている。さらに、書き込みトランジスタＷｒ１のソース電極は駆動トランジスタＤｒ１のゲート電極、書き込みトランジスタＷｒ２のソース電極は駆動トランジスタＤｒ２のゲート電極と接続されている。
【００６７】
駆動トランジスタＤｒ１，Ｄｒ２は、例えばそれぞれのドレイン電極が電源供給線１４０Ａと接続されており、電源供給線駆動回路１４０による第１電位または第２電位のいずれかに設定される。駆動トランジスタＤｒ１のソース電極は有機発光素子５０Ｒ（または５０Ｇ，５０Ｂ）の発光領域５５Ａ、駆動トランジスタＤｒ２のソース電極は有機発光素子５０Ｒ（または５０Ｇ，５０Ｂ）の発光領域５５Ｂと接続されている。具体的には、駆動トランジスタＤｒ１のソース電極は発光領域５５Ａに対応する第１電極と接続孔２７１を介して接続し、駆動トランジスタＤｒ２のソース電極は発光領域５５Ｂに対応する第１電極と接続孔２７２を介して接続している。
【００６８】
保持容量Ｃｓ１は、駆動トランジスタＤｒ１のゲート電極（書き込みトランジスタＷｒ１のソース電極）と、駆動トランジスタＤｒ１のソース電極との間に形成されるものである。保持容量Ｃｓ２は、駆動トランジスタＤｒ２のゲート電極（書き込みトランジスタＷｒ２のソース電極）と、駆動トランジスタＤｒ２のソース電極との間に形成されるものである。
【００６９】
次に、図１１，図１２に加え、図１３を参照して、有機発光素子５０Ｒ（または５０Ｇ，５０Ｂ）が形成される基体１１の詳細な構成を説明する。ここでの基体１１も、基板１１１に、画素駆動回路２５０を含む画素駆動回路形成層１１２が設けられたものである。
【００７０】
基板１１１の表面には、第１階層の金属層として、駆動トランジスタＤｒ１のゲート電極である金属層２３１Ｇと、駆動トランジスタＤｒ２のゲート電極である金属層２４１Ｇと、書き込みトランジスタＷｒ１のゲート電極である金属層２５１Ｇと、書き込みトランジスタＷｒ２のゲート電極である金属層２６１Ｇと、信号線１２０Ａとがそれぞれ設けられている。これら金属層２３１Ｇ，２４１Ｇ，２５１Ｇ，２６１Ｇおよび信号線１２０Ａは、窒化ケイ素や酸化ケイ素などからなるゲート絶縁膜によって覆われている。ゲート絶縁膜上の、金属層２３１Ｇ，２４１Ｇ，２５１Ｇ，２６１Ｇに対応する領域には、アモルファスシリコンなどの半導体薄膜からなるチャネル層がそれぞれ設けられている。駆動トランジスタＤｒ１，Ｄｒ２および書き込みトランジスタＷｒ１，Ｗｒ２それぞれのチャネル層上には、その中心領域であるチャネル領域を占めるように絶縁性のチャネル保護膜が設けられており、各チャネル保護膜両側の領域には、ｎ型アモルファスシリコンなどのｎ型半導体薄膜からなるソース領域およびドレイン領域が設けられている。これらのドレイン領域およびソース領域は、チャネル保護膜によって互いに分離されており、それらの端面がチャネル領域を挟んで互いに離間している。さらに、駆動トランジスタＤｒ１，Ｄｒ２および書き込みトランジスタＷｒ１，Ｗｒ２それぞれのドレイン領域およびソース領域をそれぞれ覆うように、第２階層の金属層として、ドレイン配線およびドレイン電極としての金属層２３２Ｄ，２４２Ｄ，２５２Ｄ，２６２Ｄならびにソース配線およびソース電極としての金属層２３２Ｓ，２４２Ｓ，２５２Ｓ，２６２Ｓが設けられている。金属層２３２Ｄ，２４２Ｄ，２５２Ｄ，２６２Ｄおよび金属層２３２Ｓ，２４２Ｓ，２５２Ｓ，２６２Ｓは、例えばチタン層、アルミニウム層、およびチタン層を順に積層した構造を有するものである。第２階層の金属層としては、上記の金属層２３２Ｄ，２４２Ｄ，２５２Ｄ，２６２Ｄおよび金属層２３２Ｓ，２４２Ｓ，２５２Ｓ，２６２Ｓのほか、走査線１３０Ａおよび電源供給線１４０Ａが設けられている。このような画素駆動回路２５０は、画素駆動回路１５０と同様にパッシベーション膜２１７によって覆われ、その上に平坦化絶縁膜２１８が設けられている。
【００７１】
この表示装置は、上記した第１の実施の形態における表示装置と同様に製造することができる。
【００７２】
この表示装置では、画素２０１に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＷｒ１，Ｗｒ２のゲート電極（金属層２３１Ｇ，２４１Ｇ）を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＷｒ１，Ｗｒ２を介して保持容量Ｃｓ１，Ｃｓ２に保持される。その一方で、電源供給線駆動回路１４０が、走査線駆動回路１３０による行単位の走査と同期して、電源供給線１４０Ａに対し第２電位よりも高い第１電位を供給する。これにより駆動トランジスタＤｒ１，Ｄｒ２の導通状態が選択され、各有機発光素子５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂに駆動電流Ｉｄが注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、第１電極により反射されると共に第２電極により透過される。第２電極を透過した光は、開口６１Ａ，６１Ｂ内の保護層と、その上に設けられた封止基板を透過して取り出される。
【００７３】
このように本実施の形態の表示装置では、複数の画素２０１と、画素２０１を駆動するための画素駆動回路２５０等とを備えている。画素２０１は、発光領域５５Ａの開口率が相対的に小さな正面輝度優先の領域と、発光領域５５Ｂの開口率が相対的に大きい視野角輝度優先の領域とを含んでいる。画素２０１の発光領域５５Ａの光取り出し側には、側壁が反射面の複数の円形状の開口６１Ａを備えたリフレクタ構造６０Ａ、発光領域５５Ｂの光取り出し側には、側壁が反射面の矩形状の開口６１Ｂを備えたリフレクタ構造６０Ｂが設けられている。このため、画素２０１では、発光領域５５Ａから表示面側に取り出される光は広がりにくくなり正面方向に射出され、一方、発光領域５５Ｂからの取り出し光は発光領域５５Ｂからの取り出し光と比較して斜め方向にも広がることになる。よって、画素２０１では、発光領域５５Ａ，５５Ｂからの取り出し光が合わさって、表示面に対して正面方向の光量が増加する一方で、斜め方向の光量も確保される。従って、表示面に対して正面方向および斜め方向の輝度のバランスが良好になるため、消費電力の上昇を抑えつつ、輝度を向上させると共に広い視野角を確保することができる。この場合、各画素２０１が正面輝度優先の領域と視野角輝度優先の領域とを含んでいるので、それぞれの領域を個別の画素とする場合と比較して、表示される映像の解像度を向上させることができる。
【００７４】
なお、本実施の形態では、画素駆動回路２５０において書き込みトランジスタＷｒ１，Ｗｒ２のゲート電極である金属層２５１Ｇ，２６１Ｇを同じ走査線１３０Ａに接続する場合について説明したが、別々の走査線１３０Ａに接続するようにしてもよい。これにより、発光領域５５Ａ，５５Ｂを個別に駆動することができるため、第１の実施の形態の表示装置と同様に、視野角を正面方向に狭めたり、広い視野角を確保するようにしたり、視野角を制御できる。
【００７５】
＜３．モジュールおよび適用例＞
以下、上述した各実施の形態で説明した表示装置の適用例について説明する。上記各実施の形態の表示装置は、テレビジョン装置、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
【００７６】
（モジュール）
上記各実施の形態の表示装置は、例えば、図１４に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基体１１の一辺に、封止基板２６および接着層から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。
【００７７】
（適用例１）
図１５は、上記各実施の形態の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００７８】
（適用例２）
図１６は、上記各実施の形態の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００７９】
（適用例３）
図１７は、上記各実施の形態の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０、文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００８０】
（適用例４）
図１８は、上記各実施の形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０、この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０、撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００８１】
（適用例５）
図１９は、上記各実施の形態の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０、サブディスプレイ７５０、ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００８２】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、有機発光素子の第１電極を陽極、第２電極を陰極とする場合について説明したが、陽極および陰極を逆にして、第１電極を陰極、第２電極を陽極としてもよい。
【００８３】
また、上記実施の形態では、赤色、緑色および青色の有機発光素子それぞれの構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。例えば、第１電極と有機層との間に、酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ2 Ｏ3 ）やＩＴＯなどからなる正孔注入用薄膜層を備えていてもよい。
【００８４】
さらにまた、上記実施の形態では、アクティブマトリクス型の表示装置の場合について説明したが、本発明はパッシブマトリクス型の表示装置への適用も可能である。更にまた、アクティブマトリクス駆動のための画素駆動回路の構成は、上記実施の形態等で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。その場合、画素駆動回路の変更に応じて、信号線駆動回路や走査線駆動回路のほかに、必要な駆動回路を追加してもよい。
【符号の説明】
【００８５】
１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂ…有機発光素子、１１…基体、１２…第１電極、１３…電極間絶縁膜、１４…有機層、１４Ａ…正孔注入層、１４Ｂ…正孔輸送層、１４Ｃ…発光層、１４Ｄ…電子輸送層、１５…第２電極、１５Ａ，５５Ａ，５５Ｂ…発光領域、２０Ａ，２０Ｂ，６０Ａ，６０Ｂ…リフレクタ構造、２１…基材、２１Ａ，２１Ｂ，６１Ａ，６１Ｂ…開口、２２…反射膜、２２Ａ，２２Ｂ…斜面、２５…保護層、２６…封止基板、１０１，１０２，２０１…画素、１１０…表示領域、１１１…基板、１１２…画素駆動回路形成層、１１３…補助配線、１１４，２７１，２７２…接続孔、１２０…信号線駆動回路、１２０Ａ（１２０Ａ１〜１２０Ａｍ）…信号線、１３０…走査線駆動回路、１３０Ａ（１３０Ａ１〜１３０Ａｎ）…走査線、１４０…電源供給線駆動回路、１４０Ａ（１４０Ａ１〜１４０Ａｎ）…電源供給線、１５０，２５０…画素駆動回路、Ｔｒ１，Ｄｒ１，Ｄｒ２…駆動トランジスタ、Ｔｒ２，Ｗｒ１，Ｗｒ２…書き込みトランジスタ、Ｃｓ，Ｃｓ１，Ｃｓ２…保持容量。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光素子などを表示素子として備えた表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶ディスプレイに代わる表示装置として、有機層を含む自発光型の有機発光素子を用いた有機ＥＬディスプレイが実用化されている。有機ＥＬディスプレイは、自発光型であるので、液晶などと比較して視野角が広く、また、高精細度の高速ビデオ信号に対応しても十分な応答性を有するものである。
【０００３】
このような有機ＥＬディスプレイに用いられる有機発光素子では、一対の電極の間に、発光層を含む有機層を有し、電極間に電圧を印加することにより、発光層において正孔と電子とが再結合し、発光する。この発光光は、一方の電極から取り出される。
【０００４】
この有機ＥＬディスプレイでは、消費電力の上昇を抑えつつ、輝度を向上させるための種々の検討がなされている。例えば、有機発光素子の光取り出し側に、側壁に反射膜を有する開口を備えたリフレクタ構造を設ける技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。このリフレクタ構造を設けた有機ＥＬディスプレイでは、発光素子からの光は開口の側壁の反射面により表示面に対して垂直方向に反射される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特表２００５−５３１１０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記したリフレクタ構造を有するディスプレイでは、正面輝度を向上させことができる一方、視野角を確保することが難しいという問題がある。その理由は以下の通りである。表示面に対して垂直方向の輝度を確保しようとすると、リフレクタ構造の開口を狭くする（開口率を小さくする）必要がある。この場合には、表示面に対して斜め方向の輝度が低下することになるため、視野角が狭くなる。その一方で、表示面に対して斜め方向の輝度を確保しようとすると、リフレクタ構造の開口を広くする（開口率を大きくする）必要がある。この場合には、視野角は確保されやすくなるが、表示面に対して垂直方向に取り出される光量が十分に得られにくくなるため、高い駆動電圧を印加する必要がある。
【０００７】
すなわち、従来の有機ＥＬディスプレイでは、消費電力を上昇させずに正面輝度を確保しようとすると斜め方向の輝度が低下し、斜め方向の輝度を確保しようとすると正面輝度が低下しやすかった。
【０００８】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、消費電力の上昇を抑えつつ、輝度を向上させると共に広い視野角を確保することが可能な表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の表示装置は、発光領域の開口率が相対的に小さな正面輝度優先の第１領域と、発光領域の開口率が相対的に大きな視野角輝度優先の第２領域と、第１領域および第２領域を駆動する駆動手段とを備えたものである。
【００１０】
本発明の表示装置では、正面輝度優先の第１領域において発光領域の開口率が相対的に小さく、視野角輝度優先の第２領域において発光領域の開口率が相対的に大きくなっている。このため、第１領域では、少なくとも第２領域と比較して発光領域から表示面側に取り出される光（取り出し光）は広がりにくくなる。その一方で、第２領域では、発光領域からの取り出し光の広がりは第１領域と比較して広くなる。よって、駆動手段によって第１領域および第２領域が同様に駆動されると、第１領域および第２領域からの取り出し光が合わさって、表示面に対して正面方向の光量が増加する一方で、斜め方向の光量も確保される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の表示装置によれば、発光領域の開口率が相対的に小さな正面輝度優先の第１領域と、発光領域の開口率が相対的に大きな視野角輝度優先の第２領域と、第１領域および第２領域を駆動する駆動手段とを備えているので、表示面に対して正面方向および斜め方向の輝度のバランスが良好なるため、消費電力の上昇を抑えつつ、輝度を向上させると共に、広い視野角を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の回路構成を表す図である。
【図２】図１に示した画素駆動回路の一例を表す図である。
【図３】図１に示した表示領域の構成を表す平面図である。
【図４】図３に示した正面輝度優先の画素の断面構成（図４（Ａ））、視野角輝度優先の画素の断面構成（図４（Ｂ））を表す図である。
【図５】図４に示した有機層を拡大して表す断面図である。
【図６】図４に示した画素回路形成層の平面構成を表す図である。
【図７】図４に示した画素回路形成層の他の断面構成を表す図である。
【図８】図３に示した画素を駆動する場合のタイミングチャートである。
【図９】図３に示した画素を駆動する場合の他のタイミングチャートである。
【図１０】図３に示した画素の表示面に対する正面方向および斜め方向の輝度分布を表す特性図である。
【図１１】本発明の第２の実施の形態に係る表示装置に設けられた画素の平面構成を表す図である。
【図１２】図１１に示した画素を駆動するための画素駆動回路の一例を表す図である。
【図１３】図１２に示した画素駆動回路の平面構成を表す図である。
【図１４】各実施の形態の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図１５】各実施の形態の表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。
【図１６】（Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図１７】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図１８】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図１９】（Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。説明する順序は以下の通りである。
１．第１の実施の形態（正面輝度優先の画素と視野角輝度優先の画素とを有する例）
２．第２の実施の形態（１画素に正面輝度優先の領域および視野角輝度優先の領域を含む例）
３．モジュールおよび適用例
【００１４】
＜１．第１の実施の形態（正面輝度優先の画素と視野角輝度優先の画素とを有する例）＞
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の回路構成を表すものである。この表示装置は、極薄型の有機発光カラーディスプレイ装置などとして用いられるものであり、基体１１に表示領域１１０が形成されている。表示領域１１０の周辺には、例えば映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０、走査線駆動回路１３０および電源供給線駆動回路１４０が形成されている。
【００１５】
表示領域１１０には、マトリクス状に二次元配置された複数の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂと、それらを駆動するための画素駆動回路１５０とが形成されている。画素駆動回路１５０において、列方向には複数の信号線１２０Ａ（１２０Ａ１，１２０Ａ２，・・・，１２０Ａｍ，・・・）が配置され、行方向には複数の走査線１３０Ａ（１３０Ａ１，・・・，１３０Ａｎ，・・・）および複数の電源供給線１４０Ａ（１４０Ａ１，・・・，１４０Ａｎ，・・・）が配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの各交差点に、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか一つが対応して設けられている。各信号線１２０Ａは信号線駆動回路１２０に接続され、各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、各電源供給線１４０Ａは電源供給線駆動回路１４０に接続されている。
【００１６】
信号線駆動回路１２０は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧を、信号線１２０Ａを介して選択された有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに供給するものである。
【００１７】
走査線駆動回路１３０は、入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト（転送）するシフトレジスタなどによって構成されている。走査線駆動回路１３０は、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂへの映像信号の書き込みに際し行単位でそれらを走査し、各走査線１３０Ａに走査信号を順次供給するものである。
【００１８】
電源供給線駆動回路１４０は、入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト（転送）するシフトレジスタなどによって構成されている。電源供給線駆動回路１４０は、走査線駆動回路１３０による行単位の走査と同期して、各電源供給線１４０Ａに対し互いに異なる第１電位および第２電位のいずれかを適宜供給する。これにより、後述する駆動トランジスタＴｒ１の導通状態または非導通状態の選択が行われる。
【００１９】
図２は、画素駆動回路１５０の一例を表したものである。この画素駆動回路１５０は、後述する第１電極１２の下層に形成され、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、その間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓと、電源供給線１４０Ａおよび共通電源供給線（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１と直列に接続された有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）とを有するアクティブ型の駆動回路である。駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））により構成され、その構成は例えば逆スタガー構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガー構造（トップゲート型）でもよく特に限定されない。
【００２０】
書き込みトランジスタＴｒ２は、例えばドレイン電極が信号線１２０Ａと接続されており、信号線駆動回路１２０からの映像信号が供給されるようになっている。また、書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極は走査線１３０Ａと接続されており、走査線駆動回路１３０からの走査信号が供給されるようになっている。さらに、書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極は、駆動トランジスタＴｒ１のゲート電極と接続されている。
【００２１】
駆動トランジスタＴｒ１は、例えばドレイン電極が電源供給線１４０Ａと接続されており、電源供給線駆動回路１４０による第１電位または第２電位のいずれかに設定される。駆動トランジスタＴｒ１のソース電極は、有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）と接続されている。
【００２２】
保持容量Ｃｓは、駆動トランジスタＴｒ１のゲート電極（書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極）と、駆動トランジスタＴｒ１のソース電極との間に形成されるものである。
【００２３】
図３に、表示領域１１０の平面構成の一例を表す。表示領域１１０には、正面輝度優先の画素１０１と視野角輝度優先の画素１０２とが隣り合い、全体としてマトリックス状に二次元配置されている。各画素１０１，１０２には、基体１１の上に、赤色の光を発生する有機発光素子１０Ｒと、緑色の光を発生する有機発光素子１０Ｇと、青色の光を発生する有機発光素子１０Ｂとが形成されている。画素１０１の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの上には、第１のリフレクタ構造２０Ａが形成されている。このリフレクタ構造２０Ａは、側壁に反射面２２Ａを有する複数の円形状の開口２１Ａを有するものである。これにより画素１０１における発光領域１５Ａの開口率は相対的に小さくなっている。画素１０２の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの上には、第２のリフレクタ構造２０Ｂが形成されている。このリフレクタ構造２０Ｂは、側壁に反射面２２Ｂを有する矩形状の開口２１Ｂを有するものである。これにより発光領域１５Ａの開口率が相対的に大きくなっている。このため、画素１０１では、少なくとも画素１０２と比較して、発光領域１５Ａから表示面側に取り出される光（取り出し光）は、広がりにくくなる。その一方で、画素１０２では、発光領域１５Ａからの取り出し光の広がりは第１領域と比較して広くなる。よって、画素１０１，１０２が同時に駆動されると、画素１０１，１０２それぞれの取り出し光が合わさって、表示面に対して正面方向の光量が増加する一方で、斜め方向の光量も確保される。
【００２４】
次に、図３と共に図４，図５を参照して、画素１０１，１０２における有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂおよびリフレクタ構造２０Ａ，２０Ｂの詳細な構成について説明する。なお、画素１０１，１０２では、リフレクタ構造２０Ａ，２０Ｂの構成が異なることを除き、他は共通の構成を有している。また、画素１０１，１０２それぞれに形成された有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂでは、有機層１４の構成が一部異なることを除き、他は共通の構成を有している。よって、以下では、共通の部分については、代表として有機発光素子１０Ｒについて説明する。
【００２５】
図４は画素１０１，１０２の断面構成を表したものであり、詳細には図４（Ａ）は図３に示した画素１０１のＩＶ（Ａ）−ＩＶ（Ａ）線に沿った断面図であり、図４（Ｂ）は図３に示した画素１０２のＩＶ（Ｂ）−ＩＶ（Ｂ）線に沿った断面図である。図５は図４に示した有機層１４を拡大して表す断面図である。
【００２６】
有機発光素子１０Ｒは、基体１１の側から順に、陽極としての第１電極１２と、電極間絶縁膜１３および発光層１４Ｃを含む有機層１４と、陰極としての第２電極１５とを含んでいる。有機層１４の電極間絶縁膜１３に取り囲まれた領域が発光領域１５Ａとなり、その発光領域１５Ａからの光取り出し側に画素１０１ではリフレクタ構造２０Ａ、画素１０２ではリフレクタ構造２０Ｂがそれぞれ設けられている。リフレクタ構造２０Ａ，２０Ｂはそれぞれ光取り出し用の開口２１Ａ，２１Ｂを有している。開口２１Ａ，２１Ｂの内部およびリフレクタ構造２０Ａ，２０Ｂの上には保護層２５が形成され、この保護層２５の上に封止基板２６が設けられて封止されている。また、有機発光素子１０Ｒは補助配線１１３によって取り囲まれている。
【００２７】
有機発光素子１０Ｒでは、第１電極１２は光反射性を有する反射膜として機能する一方、第２電極１５は光透過性を有する透過膜あるいは半透過膜として機能を発揮する。これら第１電極１２および第２電極１５により、発光層１４Ｃにおいて発生した光が封止基板２６側から取り出される。
【００２８】
第１電極１２は、高い反射率を有する材料によって構成されることが発光効率を高める上で望ましい。第１電極１２は、例えば厚さが１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、銀（Ａｇ），アルミニウム（Ａｌ），クロム（Ｃｒ），チタン（Ｔｉ），鉄（Ｆｅ），コバルト（Ｃｏ），ニッケル（Ｎｉ），モリブデン（Ｍｏ），銅（Ｃｕ），タンタル（Ｔａ），タングステン（Ｗ），白金（Ｐｔ），ネオジウム（Ｎｄ）あるいは金（Ａｕ）などの金属元素の単体またはそれらの合金により構成されている。第１電極１２は、光反射性を有していれば多層構造を有していてもよい。多層構造を有する第１電極１２は、例えば上記した高い反射率の金属材料により構成された層の上あるいは下に、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）あるいは酸化スズ（ＳｎＯ2 ）などの透明導電材料によって構成された層を有していてもよい。第１電極１２は、基体１１の表面の一部を覆うと共に接続孔１１４を充填するように形成されている。これにより、第１電極１２は、接続孔１１４を介して駆動トランジスタＴｒ１（のうちの金属層２１６Ｓ）と導通された状態となる。
【００２９】
電極間絶縁膜１３は、各第１電極１２同士の間の隙間を埋めると共に第１電極１２の端面および周縁部の上面を覆うように設けられている。この電極間絶縁膜１３により、第１電極１２と第２電極１５との絶縁性を確保すると共に、有機発光素子１０Ｒの発光領域１５Ａの開口を正確に所望の形状とする。電極間絶縁膜１３の材料としては、例えばポリイミド等の有機材料が挙げられる。
【００３０】
有機層１４は、第１電極１２の上面に設けられ、例えば図５に示したように、第１電極１２の側から順に、正孔注入層１４Ａ、正孔輸送層１４Ｂ、発光層１４Ｃ、および電子輸送層１４Ｄを有している。以上は有機発光素子１０Ｇ，１０Ｂについても同様である。
【００３１】
正孔注入層１４Ａは、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、電流のリークを防止するためのバッファ層である。正孔輸送層１４Ｂは、発光層１４Ｃへの正孔輸送効率を高めるためのものである。発光層１４Ｃは、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層１４Ｄは、発光層１４Ｃへの電子輸送効率を高めるためのものである。なお、電子輸送層１４Ｄと第２電極１５との間には、ＬｉＦ，Ｌｉ2 Ｏなどよりなる電子注入層（図示せず）を設けてもよい。
【００３２】
有機層１４は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光色によってそれぞれ構成が異なっている。以下、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂそれぞれの有機層１４の詳細について説明する。
【００３３】
有機発光素子１０Ｒの正孔注入層１４Ａは、例えば、厚さが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）あるいは４，４’，４”−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）により構成されている。有機発光素子１０Ｒの正孔輸送層１４Ｂは、例えば、厚さが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ）により構成されている。有機発光素子１０Ｒの発光層１４Ｃは、例えば、厚さが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ3 ）に２，６−ビス［４−［Ｎ−（４−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニル］アミノスチリル］ナフタレン−１，５−ジカルボニトリル（ＢＳＮ−ＢＣＮ）を４０体積％混合したものにより構成されている。有機発光素子１０Ｒの電子輸送層１４Ｄは、例えば、厚さが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ3 により構成されている。
【００３４】
有機発光素子１０Ｇの正孔注入層１４Ａは、例えば、厚さが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ｍ−ＭＴＤＡＴＡあるいは２−ＴＮＡＴＡにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの正孔輸送層１４Ｂは、例えば、厚さが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、α−ＮＰＤにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの発光層１４Ｃは、例えば、厚さが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ3 にクマリン６（Ｃｏｕｍａｒｉｎ６）を３体積％混合したものにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの電子輸送層１４Ｄは、例えば、厚さが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ3 により構成されている。
【００３５】
有機発光素子１０Ｂの正孔注入層１４Ａは、例えば、厚さが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ｍ−ＭＴＤＡＴＡあるいは２−ＴＮＡＴＡにより構成されている。有機発光素子１０Ｂの正孔輸送層１４Ｂは、例えば、厚さが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、α−ＮＰＤにより構成されている。有機発光素子１０Ｂの発光層１４Ｃは、例えば、厚さが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、スピロ６Φ（ｓｐｉｒｏ６Φ）により構成されている。有機発光素子１０Ｂの電子輸送層１４Ｄは、例えば、厚さが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ3 により構成されている。
【００３６】
第２電極１５は、例えば、厚さが５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、例えばアルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ），ナトリウム（Ｎａ）などの金属元素の単体または合金により構成されている。中でも、マグネシウムと銀との合金（ＭｇＡｇ合金）、またはアルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）との合金（ＡｌＬｉ合金）が好ましい。第２電極１５は、例えば全ての有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通に設けられており、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第１電極１２と対向配置されている。さらに第２電極１５は、有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）の第１電極１２を取り囲む補助配線１１３と電気的に接続されている。補助配線１１３は銅（Ｃｕ）の電気抵抗の低い導電性材料により構成され、第２電極１５の電圧降下を抑制するためのものである。
【００３７】
リフレクタ構造２０Ａ，２０Ｂは、いずれも基材２１および反射膜２２により構成されている。
【００３８】
リフレクタ構造２０Ａは、発光領域１５Ａからの光を表示面に対して正面方向（垂直方向）に効率よく取り出すためのものである。このため、リフレクタ構造２０Ａは、図３に示したように平面形状が円形状、図４（Ａ）に示したように断面形状がテーパ状の開口２１Ａを複数有している（ここでは各発光領域１５Ａの上に２列×６行の開口２１Ａを有する）。開口２１Ａの側壁には反射膜２２が設けられており、反射面２２Ａとなっている。すなわち、リフレクタ構造２０Ａでは、各開口２１Ａは、封止基板２６側の開口径が第２電極１５側の開口径よりも大きくなるように反射面２２Ａが傾斜している。これにより、画素１０１の発光領域１５Ａから表示面に対して正面方向に射出された光はそのまま正面方向に取り出され、斜め方向に射出された光は開口２１Ａの側壁に反射されて正面方向に取り出される。その結果、画素１０１では表示面に対して斜め方向の輝度よりも、正面輝度がより高くなる。
【００３９】
一方、リフレクタ構造２０Ｂは、発光領域１５Ａからの光を表示面に対して正面方向および斜め方向に効率よく取り出すためのものである。このため、リフレクタ構造２０Ｂは、図３に示したように平面形状が発光領域１５Ａと相似形（矩形状）、図４（Ｂ）に示したように断面形状がテーパ状の開口２１Ｂを有している。開口２１Ｂの側壁にも反射膜２２が設けられており、反射面２２Ｂとなっている。すなわち、リフレクタ構造２０Ｂでは、開口２１Ｂの開口面積は各開口２１Ａの開口面積よりも大きく、言い換えればリフレクタ構造２０Ａよりも発光領域１５の開口率が大きくなっている。この結果、画素１０２では、画素１０１と比較して、正面輝度は低くなるが、表示面に対して斜め方向の輝度が高くなる。
【００４０】
リフレクタ構造２０Ａ，２０Ｂの基材２１は、開口２１Ａ，２１Ｂの形状を所望のものとするためのものであり、例えば紫外線硬化型の樹脂や、熱硬化型の樹脂により構成されている。反射膜２２は、発光領域１５Ａからの光を表示面側に効率よく反射させるためのものであり、例えば、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）あるいは銀（Ａｇ）の単体、またはそれらのうちの１種あるいは２種以上を含む合金などにより構成されている。
【００４１】
保護層２５は、有機層１４に水分などが侵入することを防止するためのものであり、透過水性および吸水性の低い材料により構成されると共に十分な厚さを有している。また、保護層２５は、発光層１４Ｃで発生した光に対する透過性が高く、例えば８０％以上の透過率を有する材料により構成されている。このような保護層２５は、例えば、厚さが２μｍないし３μｍ程度であり、無機アモルファス性の絶縁性材料により構成されている。具体的には、アモルファスシリコン（α−Ｓｉ），アモルファス炭化シリコン（α−ＳｉＣ），アモルファス窒化シリコン（α−Ｓｉ1-x Ｎx （０＜ｘ＜１））およびアモルファスカーボン（α−Ｃ）が好ましい。これらの無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを構成しないので透水性が低く、良好な保護層２５となる。また、保護層２５は、ＩＴＯのような透明導電材料により構成されていてもよい。
【００４２】
封止基板２６は、保護層２５の上に接着層（図示せず）を介して接着されている。封止基板２６は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光に対して透明なガラスなどの材料により構成されている。なお、封止基板２６には、例えば、カラーフィルタ（図示せず）が設けられていてもよい。これにより、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光を取り出すと共に、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂならびにリフレクタ構造２０Ａ，２０Ｂなどにおいて反射された外光を吸収し、コントラストが改善される。
【００４３】
カラーフィルタは、封止基板２６のどちら側の面に設けられてもよいが、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの側に設けられることが好ましい。カラーフィルタが表面に露出せず、接着層により保護されるからである。また、リフレクタ構造２０Ａ，２０Ｂの上端とカラーフィルタとの間の距離が狭くなることにより、発光層１４Ｃから射出した光が隣接する他の色のカラーフィルタに入射して混色を生じることを避けることができるからである。カラーフィルタは、赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタ（いずれも図示せず）を有しており、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに対応して順に配置されている。赤色フィルタ、緑色フィルタおよび青色フィルタは、それぞれ例えば矩形形状で隙間なく形成されている。これら赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタは、顔料を混入した樹脂によりそれぞれ構成されており、顔料を選択することにより、目的とする赤、緑あるいは青の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整されている。
【００４４】
次に、図３，図４に加え、図６，図７を参照して、基体１１の詳細な構成を説明する。図６は図４に示した画素駆動回路形成層１２の平面構成を表し、図３に示した有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）の平面図に対応する画素駆動回路１５０を表す概略図である。図７は、有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）を含む階層において、図６中のＶＩＩ（Ａ）−ＶＩＩ（Ａ）線における断面構成（図７（Ａ））および図６中のＶＩＩ（Ｂ）−ＶＩＩ（Ｂ）線における断面構成（図７（Ｂ））を表している。なお、図６中のＩＶ−ＩＶ線における断面構成は、図４（Ａ）または図４（Ｂ）の断面図に対応している。
【００４５】
基体１１は、ガラス，シリコン（Ｓｉ）ウェハあるいは樹脂などよりなる基板１１１の上に、画素駆動回路１５０を含む画素駆動回路形成層１１２が設けられたものである。基板１１１の表面には、第１階層の金属層として、駆動トランジスタＴｒ１のゲート電極である金属層２１１Ｇと、書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極である金属層２２１Ｇと、信号線１２０Ａとがそれぞれ設けられている。これら金属層２１１Ｇ，２２１Ｇおよび信号線１２０Ａは、窒化ケイ素や酸化ケイ素などからなるゲート絶縁膜２１２によって覆われている。ゲート絶縁膜２１２上の、金属層２１１Ｇ，２２１Ｇに対応する領域には、アモルファスシリコンなどの半導体薄膜からなるチャネル層２１３，２２３が設けられている。チャネル層２１３，２２３上には、その中心領域であるチャネル領域２１３Ｒ，２２３Ｒを占めるように絶縁性のチャネル保護膜２１４，２２４が設けられており、その両側の領域には、ｎ型アモルファスシリコンなどのｎ型半導体薄膜からなるソース領域２１５Ｓ，２２５Ｓおよびドレイン領域２１５Ｄ，２２５Ｄが設けられている。これらのドレイン領域２１５Ｄ，２２５Ｄおよびソース領域２１５Ｓ，２２５Ｓは、チャネル保護膜２１４，２２４によって互いに分離されており、それらの端面がチャネル領域２１３Ｒ，２２３Ｒを挟んで互いに離間している。さらに、ドレイン領域２１５Ｄ，２２５Ｄおよびソース領域２１５Ｓ，２２５Ｓをそれぞれ覆うように、第２階層の金属層として、ドレイン配線およびドレイン電極としての金属層２１６Ｄ，２２６Ｄ、ならびにソース配線およびソース電極としての金属層２１６Ｓ，２２６Ｓが設けられている。金属層２１６Ｄ，２２６Ｄおよび金属層２１６Ｓ，２２６Ｓは、例えばチタン（Ｔｉ）層、アルミニウム（Ａｌ）層、およびチタン層を順に積層した構造を有するものである。第２階層の金属層としては、上記の金属層２１６Ｄ，２２６Ｄおよび金属層２１６Ｓ，２２６Ｓの他に、走査線１３０Ａおよび電源供給線１４０Ａが設けられている。さらに、全体が窒化ケイ素などからなるパッシベーション膜２１７によって覆われ、その上にポリイミド等の有機材料あるいは酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）等の無機材料からなる平坦化絶縁膜２１８が設けられている。なお、ここでは、逆スタガー構造（いわゆるボトムゲート型）の駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２について説明したが、スタガー構造（いわゆるトップゲート型）のものであってもよい。
【００４６】
この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。
【００４７】
まず、基板１１１の上に、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２を含む画素駆動回路１５０を形成する。具体的には、まず、基板１１１上に、例えばスパッタリングにより金属膜を形成する。そののち、例えばフォトリソグラフィ法やドライエッチング、あるいはウェットエッチングによりその金属膜をパターニングして、図６，図７に示した金属層２１１Ｇ，２２１Ｇおよび信号線１２０Ａを基板１１１上に形成する。次いで、全面をゲート絶縁膜２１２によって覆う。続いて、ゲート絶縁膜２１２の上に、チャネル層２１３，２２３、チャネル保護膜２１４，２２４、ドレイン領域２１５Ｄ，２２５Ｄおよびソース領域２１５Ｓ，２２５Ｓ、ならびに金属層２１６Ｄ，２２６Ｄおよび金属層２１６Ｓ，２２６Ｓを順に、所定の形状に形成する。ここで、金属層２１６Ｄ，２２６Ｄおよび金属層２１６Ｓ，２２６Ｓの形成と併せて、走査線１３０Ａおよび電源供給線１４０Ａを第２の金属層として各々形成する。その際、金属層２２１Ｇと走査線１３０Ａとを接続する接続部、金属層２２６Ｄと信号線１２０Ａとを接続する接続部、金属層２２６Ｓと金属層２１１Ｇとを接続する接続部を予め形成しておく。これにより画素駆動回路１５０が形成される。そののち、全体をパッシベーション膜２１７で覆う。続いて、パッシベーション膜２１７の上に平坦化絶縁膜２１８を形成することにより、画素駆動回路形成層１１２が形成され、基体１１が完成する。
【００４８】
次に、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成する。具体的には、例えばフォトリソグラフィ法やドライエッチング、あるいはウェットエッチングにより、平坦化絶縁膜２１８に接続孔１１４となる開口を設ける。続いて、例えばスパッタリングによって上述の第１電極１２の構成材料からなる金属膜を全面成膜したのち、その金属膜上に所定のマスクを用いて所定形状のレジストパターンを形成し、さらにそのレジストパターンをマスクとして用い、金属膜の選択的なエッチングを行う。これにより第１電極１２および補助配線１１３を形成する。その際、第１電極１２については、接続孔１１４を充填するように形成する。そののち、補助配線１１３の第２電極１５との接続部を除いて、補助配線１１３と第１電極１２の周縁とを覆うように電極間絶縁膜１３を形成する。続いて、第１電極１２を完全に覆うように正孔注入層１４Ａ、正孔輸送層１４Ｂ、発光層１４Ｃおよび電子輸送層１４Ｄを順次積層することにより、有機層１４を形成する。続いて、補助配線１１３の第２電極１５との接続部に堆積した有機層１４を、例えばレーザ光を照射することにより除去する。こののち、有機層１４を挟んで第１電極１２と対向し、かつ、補助電極１１３を覆うように全面に亘って第２電極１５を形成する。この際、補助電極１１３と第２電極１５とが接続される。以上により、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが完成する。
【００４９】
続いて、リフレクタ構造２０Ａ，２０Ｂを形成する。具体的には、まず、例えば基材２１の構成材料により、基材層を形成する。続いて、フォトリソグラフィ法やエッチング法により基材層をパターニングすることにより、画素１０１となる有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光領域１５Ａの上には複数の円形状の開口、画素１０２となる有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光領域１５Ａの上には矩形状の開口を形成する。こののち、これらの開口の側壁を選択的に覆うように反射膜２２を形成する。これにより、円形状の開口２１Ａを複数備えたリフレクタ構造２０Ａと共に、矩形状の開口２１Ｂを備えたリフレクタ構造２０Ｂが完成する。
【００５０】
最後に、リフレクタ構造２０Ａ，２０Ｂの開口２１Ａ，２１Ｂの内部およびリフレクタ構造２０Ａ，２０Ｂの上部を覆うように保護層２５を形成したのち、保護層２５の上に、接着層を形成し、この接着層を間にして封止基板２６を貼り合わせる。以上により、表示装置が完成する。
【００５１】
この表示装置では、以下のようにして映像が表示される。各画素１０１，１０２に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極（金属層２２１Ｇ）を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。その一方で、電源供給線駆動回路１４０が、走査線駆動回路１３０による行単位の走査と同期して、各電源供給線１４０Ａに対し第２電位よりも高い第１電位を供給する。これにより駆動トランジスタＴｒ１の導通状態が選択され、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄが注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、第１電極１２により反射されると共に第２電極１５により透過される。第２電極１５を透過した光は、開口２１Ａ，２１Ｂ内の保護層２５と、その上に設けられた封止基板２６とを透過して取り出され、この取り出し光に基づいて映像が表示される。
【００５２】
この表示装置では、信号線１３０Ａに沿った、隣り合う画素１０１，１０２を一組として、同時に駆動させると広い視野角を確保することができ、異なるタイミングで駆動させると視野を正面方向に狭めることができる。詳細には図８，図９を参照して説明する。図８は広い視野角を確保する場合において画素１０１，１０２を駆動するためのタイミングチャートを表し、図９は視野を正面方向に狭める場合において画素１０１，１０２を駆動するためのタイミングチャートを表している。
【００５３】
まず、図８を参照して広い視野角を確保する場合について説明する。この場合には、列方向に隣り合った画素１０１，１０２を一組として、以下のように一組の画素１０１，１０２を駆動する。まず、列方向に隣り合った一組の画素１０１，１０２に対して走査線駆動回路１３０から、画素１０１の書き込みトランジスタＴｒ２に対して第２電位（Ｌｏｗ）よりも高い第１電位（Ｈｉｇｈ）の走査信号ＷＳ１を供給する（図８（Ｂ））と共に、画素１０２の書き込みトランジスタＴｒ２に対して第２電位（Ｌｏｗ）よりも高い第１電位（Ｈｉｇｈ）の走査信号ＷＳ２を供給する（図８（Ｃ））。これらの第１電位の走査信号ＷＳ１，ＷＳ２と同期して、電源供給線駆動回路１４０が、画素１０１，１０２の各行の電源供給線１４０Ａに対して第２電位（Ｌｏｗ）よりも高い第１電位（Ｈｉｇｈ）を供給する（図８（Ａ））。これにより、画素１０１，１０２双方の駆動トランジスタＴｒ１のゲート電位とソース電位とが所定の電位に上昇したのち、一定になる（図８（Ｅ））。ここで、一旦、第２電位の走査信号ＷＳ１，ＷＳ２を書き込みトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２に対して供給したのち（図８（Ｂ），（Ｃ））、信号線駆動回路１２０から画素１０１，１０２の列の信号線１２０Ａに第２電位（Ｌｏｗ）よりも高い第１電位（Ｈｉｇｈ）の画像信号Ｖｓｉｇを供給する（図８（Ｄ））。この第１電位の画像信号Ｖｓｉｇが供給されたのち、第１電位の走査信号ＷＳ１，ＷＳ２を同じ書き込み時間となるように供給する（図８（Ｂ），（Ｃ））。これにより、画素１０１，１０２双方の駆動トランジスタＴｒ１のゲート電位とソース電位とがさらに上昇し、画素１０１，１０２双方の駆動トランジスタＴｒ１の導通状態が選択される。画素１０１，１０２双方の駆動トランジスタＴｒ１の導通状態が選択されると、画素１０１，１０２双方の駆動トランジスタＴｒ１のゲート電位とソース電位との電位差ΔＶ（図８（Ｅ））に応じて、画素１０１，１０２の各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄが注入され、画素１０１，１０２の発光領域１５Ａが発光する。発光領域１５Ａからの光は、画素１０１ではリフレクタ構造２０Ａにより表示面に対して正面方向（垂直方向）に効率よく取り出され、画素１０２ではリフレクタ構造２０Ｂにより表示面に対して正面方向および斜め方向に取り出される。よって、図１０に示したように、正面方向および斜め方向の輝度が確保される。図１０は、表示面に対して垂直方向を０°とした場合の各方向（−２００°〜２００°）における、正面輝度優先の画素１０１の輝度分布（Ｃ１０１）と視野角輝度優先の画素１０２の輝度分布（Ｃ１０２）とを表している。
【００５４】
その一方で、視野を正面方向に狭める場合（図９参照）には、列方向に隣り合った画素１０１，１０２を一組として以下のように駆動する。まず、広い視野角を確保する場合と同様に、列方向に隣り合った一組の画素１０１，１０２に第１電位の走査信号ＷＳ１，ＷＳ２（図９（Ｂ），（Ｃ））と共に、画素１０１，１０２の行の電源供給線１４０Ａに対し第１電位（図９（Ａ））を供給する。次いで、この場合も同様に、一旦、第２電位の走査信号ＷＳ１，ＷＳ２を供給したのち（図９（Ｂ），（Ｃ））、信号線駆動回路１２０から画素１０１，１０２の列に第１電位の画像信号Ｖｓｉｇを供給する（図９（Ｄ））。この第１電位の画像信号Ｖｓｉｇが供給されたのち、視野を正面方向に狭める場合には、第１電位の走査信号ＷＳ１を、第１電位の走査信号ＷＳ２よりも短い書き込み時間となるように供給する（図９（Ｂ），（Ｃ））。これにより、画素１０１の駆動トランジスタＴｒ１のゲート電位とソース電位との電位差ΔＶ（図９（Ｅ））が大きくなる一方で、画素１０２の駆動トランジスタＴｒ１のゲート電位とソース電位との電位差ΔＶが画素１０１の駆動トランジスタＴｒ１の電位差よりも小さくなる（図９（Ｆ））。これによって、選択的に画素１０１が駆動されることになり、画素１０１の発光領域１５Ａが主に発光する。その結果、画素１０１の発光領域１５Ａからの光は、リフレクタ構造２０Ａにより表示面に対して正面方向に効率よく取り出されるため、視野が正面方向に狭まる。
【００５５】
このように本実施の形態の表示装置では、画素１０１，１０２と、画素１０１，１０２を駆動するための画素駆動回路１５０などの駆動手段とを備えている。画素１０１は発光領域１５Ａの開口率が相対的に小さな正面輝度優先の領域を含み、画素１０２は発光領域１５Ａの開口率が相対的に大きな視野角輝度優先の領域を含んでいる。画素１０１，１０２はそれぞれ隣り合い、画素１０１は、側壁が反射面２２Ａの複数の円形状の開口２１Ａを備えたリフレクタ構造２０Ａを有し、画素１０２は、側壁が反射面２２Ｂの矩形状の開口２１Ｂを備えたリフレクタ構造２０Ｂを有する。このため、画素１０１では少なくとも画素１０２と比較して発光領域１５Ａから表示面側に取り出される光は広がりにくくなり、一方、画素１０２では、発光領域１５Ａからの取り出し光の広がりは画素１０１と比較して広くなる。よって、例えば図８に示したように画素１０１，１０２が同様に駆動されると、画素１０１，１０２それぞれの取り出し光が合わさって、表示面に対して正面方向の光量が増加する一方で、斜め方向の光量も確保される。従って、表示面に対して正面方向および斜め方向の輝度のバランスが良好になるため、消費電力の上昇を抑えつつ、輝度を向上させると共に広い視野角を確保することができる。
【００５６】
特に、本実施の形態では、画素１０１を駆動するための駆動手段と、画素１０２を駆動する駆動手段とを別々に備えている。これにより、例えば図９に示したように駆動することによって、画素１０１，１０２が個別に駆動されるため、視野角を正面方向に狭めたり、広い視野角を確保するようにしたり、表示装置の視野角を制御できる。よって、例えば携帯端末機器のディスプレイとして用いた場合に、のぞき見防止フィルタなどの視野角を制御するための各種フィルタを表示面に貼らなくてもよい。その上、フィルタによる光吸収が生じないことから、低消費電力型のディスプレイとすることもできる。
【００５７】
なお、本実施の形態では、画素１０１のリフレクタ構造２０Ａは、複数の円形状の開口２１Ａを有する場合について説明したが、開口２１Ａの形状および開口２１Ａの数は画素１０２側との関係で相対的に小さな開口率を有するようにすればよい。例えば、開口２１Ａの平面形状は、四角形や多角形であってもよいし、楕円形状であってもよいが、正面輝度を高めるためには、円形状であることが望ましい。開口２１Ａの数は、２つ以上であることが望ましい。
【００５８】
また、本実施の形態では、画素１０２がリフレクタ構造２０Ｂを有する場合について説明したが、視野角を優先する画素１０２にはリフレクタ構造２０Ｂを設けなくてもよい。この場合においても上記した表示装置と同様の作用効果を得ることができる。
【００５９】
＜２．第２の実施の形態（画素に正面輝度優先の領域と視野角輝度優先の領域とを含む例＞
次に、図１１〜図１３を参照して第２の実施の形態に係る表示装置を説明するが、第１の実施の形態と共通の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。図１１は本発明の第２の実施の形態に係る表示装置の表示領域１１０に設けられた画素２０１の平面構成を表している。本実施の形態の表示装置は、表示領域１１０において、画素２０１に正面輝度優先の領域と視野角輝度優先の領域とを含んでいる。すなわち、本実施の形態では、正面輝度優先の画素１０１および視野角輝度優先の画素１０２に代えて画素２０１を設けたことを除き、第１の実施の形態の表示装置と同様の構成を有している。
【００６０】
この表示装置では、表示領域１１０に画素２０１がマトリックス状に設けられ、画素２０１には、後述する画素駆動回路２５０が設けられた基体１１の上に、赤色の光を発生する有機発光素子５０Ｒと、緑色の光を発生する有機発光素子５０Ｇと、青色の光を発生する有機発光素子５０Ｂとがこの順に並んで形成されている。有機発光素子５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂは、それぞれ発光領域５５Ａ，５５Ｂを有している。有機発光素子５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂの発光領域５５Ａの上には、リフレクタ構造６０Ａが形成されている。このリフレクタ構造６０Ａは、側壁が反射面（反射膜；図示せず）の複数の円形状の開口６１Ａを有するものである。これにより発光領域５５Ａの開口率が相対的に小さくなっている。発光領域５５Ｂの上には、リフレクタ構造６０Ｂが形成されている。このリフレクタ構造６０Ｂは、側壁が反射面（図示せず）の矩形状の開口６１Ｂを有するものである。これにより発光領域５５Ｂの開口率が相対的に大きくなっている。なお、図１１中のＡ−Ａ線に沿った断面構成は図４（Ａ）に示した断面構成に対応し、図１１中のＢ−Ｂ線に沿った断面構成は図４（Ｂ）に示した断面構成に対応する。
【００６１】
すなわち、画素２０１では、発光領域５５Ａから表示面側に取り出される光はリフレクタ構造６０Ａにより広がりにくくなり、一方、発光領域５５Ｂからの取り出し光はリフレクタ構造６０Ｂにより発光領域５５Ａからの取り出し光と比較して斜め方向にも広がることになる。よって、画素２０１では、発光領域５５Ａ，５５Ｂからの取り出し光が合わさって、表示面に対して正面方向の光量が増加する一方で斜め方向の光量も確保される。
【００６２】
有機発光素子５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂの発光領域５５Ａ，５５Ｂは、それぞれ基体１１側から順に、陽極としての第１電極、電極間絶縁膜、有機層および陰極としての第２電極（いずれも図示せず）を有している。有機発光素子５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂの第１電極、電極間絶縁膜、有機層および第２電極は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第１電極１２、電極間絶縁膜１３、有機層１４および第２電極１５とそれぞれ同様の構成を有している。
【００６３】
リフレクタ構造６０Ａ，６０Ｂは、上記したリフレクタ構造２０Ａ，２０Ｂと同様の構成を有している。
【００６４】
有機発光素子５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂおよびリフレクタ構造６０Ａ，６０Ｂは、第１の実施の形態の表示装置と同様に、保護層および封止基板（いずれも図示せず）により封止されている。
【００６５】
図１２は、有機発光素子５０Ｒ（または５０Ｇ，５０Ｂ）に対応した画素駆動回路２５０の一例を表したものである。この画素駆動回路２５０は、上記した画素駆動回路１５０と同様にアクティブ型の駆動回路であり、有機発光素子５０Ｒ（または５０Ｇ，５０Ｂ）の発光領域５５Ａ，５５Ｂそれぞれの第１電極の下層に形成されている。この画素駆動回路２５０は、駆動トランジスタＤｒ１および書き込みトランジスタＷｒ１と、その間の保持容量Ｃｓ１と、電源供給線１４０Ａおよび共通電源供給線（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＤｒ１と直列に接続された有機発光素子５０Ｒ（または５０Ｇ，５０Ｂ）の発光領域５５Ａと共に、駆動トランジスタＤｒ２および書き込みトランジスタＷｒ２と、その間のキャパシタＣｓ２と、電源供給線１４０Ａおよび共通電源供給線の間において駆動トランジスタＤｒ２と直列に接続された有機発光素子５０Ｒ（または５０Ｇ，５０Ｂ）の発光領域５５Ｂを有している。
【００６６】
書き込みトランジスタＷｒ１，Ｗｒ２は、例えばそれぞれのドレイン電極が同じ信号線１２０Ａと接続されており、信号線駆動回路１２０からの映像信号が供給されるようになっている。また、書き込みトランジスタＷｒ１，Ｗｒ２それぞれのゲート電極は同じ走査線１３０Ａと接続されており、走査線駆動回路１３０からの走査信号が供給されるようになっている。さらに、書き込みトランジスタＷｒ１のソース電極は駆動トランジスタＤｒ１のゲート電極、書き込みトランジスタＷｒ２のソース電極は駆動トランジスタＤｒ２のゲート電極と接続されている。
【００６７】
駆動トランジスタＤｒ１，Ｄｒ２は、例えばそれぞれのドレイン電極が電源供給線１４０Ａと接続されており、電源供給線駆動回路１４０による第１電位または第２電位のいずれかに設定される。駆動トランジスタＤｒ１のソース電極は有機発光素子５０Ｒ（または５０Ｇ，５０Ｂ）の発光領域５５Ａ、駆動トランジスタＤｒ２のソース電極は有機発光素子５０Ｒ（または５０Ｇ，５０Ｂ）の発光領域５５Ｂと接続されている。具体的には、駆動トランジスタＤｒ１のソース電極は発光領域５５Ａに対応する第１電極と接続孔２７１を介して接続し、駆動トランジスタＤｒ２のソース電極は発光領域５５Ｂに対応する第１電極と接続孔２７２を介して接続している。
【００６８】
保持容量Ｃｓ１は、駆動トランジスタＤｒ１のゲート電極（書き込みトランジスタＷｒ１のソース電極）と、駆動トランジスタＤｒ１のソース電極との間に形成されるものである。保持容量Ｃｓ２は、駆動トランジスタＤｒ２のゲート電極（書き込みトランジスタＷｒ２のソース電極）と、駆動トランジスタＤｒ２のソース電極との間に形成されるものである。
【００６９】
次に、図１１，図１２に加え、図１３を参照して、有機発光素子５０Ｒ（または５０Ｇ，５０Ｂ）が形成される基体１１の詳細な構成を説明する。ここでの基体１１も、基板１１１に、画素駆動回路２５０を含む画素駆動回路形成層１１２が設けられたものである。
【００７０】
基板１１１の表面には、第１階層の金属層として、駆動トランジスタＤｒ１のゲート電極である金属層２３１Ｇと、駆動トランジスタＤｒ２のゲート電極である金属層２４１Ｇと、書き込みトランジスタＷｒ１のゲート電極である金属層２５１Ｇと、書き込みトランジスタＷｒ２のゲート電極である金属層２６１Ｇと、信号線１２０Ａとがそれぞれ設けられている。これら金属層２３１Ｇ，２４１Ｇ，２５１Ｇ，２６１Ｇおよび信号線１２０Ａは、窒化ケイ素や酸化ケイ素などからなるゲート絶縁膜によって覆われている。ゲート絶縁膜上の、金属層２３１Ｇ，２４１Ｇ，２５１Ｇ，２６１Ｇに対応する領域には、アモルファスシリコンなどの半導体薄膜からなるチャネル層がそれぞれ設けられている。駆動トランジスタＤｒ１，Ｄｒ２および書き込みトランジスタＷｒ１，Ｗｒ２それぞれのチャネル層上には、その中心領域であるチャネル領域を占めるように絶縁性のチャネル保護膜が設けられており、各チャネル保護膜両側の領域には、ｎ型アモルファスシリコンなどのｎ型半導体薄膜からなるソース領域およびドレイン領域が設けられている。これらのドレイン領域およびソース領域は、チャネル保護膜によって互いに分離されており、それらの端面がチャネル領域を挟んで互いに離間している。さらに、駆動トランジスタＤｒ１，Ｄｒ２および書き込みトランジスタＷｒ１，Ｗｒ２それぞれのドレイン領域およびソース領域をそれぞれ覆うように、第２階層の金属層として、ドレイン配線およびドレイン電極としての金属層２３２Ｄ，２４２Ｄ，２５２Ｄ，２６２Ｄならびにソース配線およびソース電極としての金属層２３２Ｓ，２４２Ｓ，２５２Ｓ，２６２Ｓが設けられている。金属層２３２Ｄ，２４２Ｄ，２５２Ｄ，２６２Ｄおよび金属層２３２Ｓ，２４２Ｓ，２５２Ｓ，２６２Ｓは、例えばチタン層、アルミニウム層、およびチタン層を順に積層した構造を有するものである。第２階層の金属層としては、上記の金属層２３２Ｄ，２４２Ｄ，２５２Ｄ，２６２Ｄおよび金属層２３２Ｓ，２４２Ｓ，２５２Ｓ，２６２Ｓのほか、走査線１３０Ａおよび電源供給線１４０Ａが設けられている。このような画素駆動回路２５０は、画素駆動回路１５０と同様にパッシベーション膜２１７によって覆われ、その上に平坦化絶縁膜２１８が設けられている。
【００７１】
この表示装置は、上記した第１の実施の形態における表示装置と同様に製造することができる。
【００７２】
この表示装置では、画素２０１に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＷｒ１，Ｗｒ２のゲート電極（金属層２３１Ｇ，２４１Ｇ）を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＷｒ１，Ｗｒ２を介して保持容量Ｃｓ１，Ｃｓ２に保持される。その一方で、電源供給線駆動回路１４０が、走査線駆動回路１３０による行単位の走査と同期して、電源供給線１４０Ａに対し第２電位よりも高い第１電位を供給する。これにより駆動トランジスタＤｒ１，Ｄｒ２の導通状態が選択され、各有機発光素子５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂに駆動電流Ｉｄが注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、第１電極により反射されると共に第２電極により透過される。第２電極を透過した光は、開口６１Ａ，６１Ｂ内の保護層と、その上に設けられた封止基板を透過して取り出される。
【００７３】
このように本実施の形態の表示装置では、複数の画素２０１と、画素２０１を駆動するための画素駆動回路２５０等とを備えている。画素２０１は、発光領域５５Ａの開口率が相対的に小さな正面輝度優先の領域と、発光領域５５Ｂの開口率が相対的に大きい視野角輝度優先の領域とを含んでいる。画素２０１の発光領域５５Ａの光取り出し側には、側壁が反射面の複数の円形状の開口６１Ａを備えたリフレクタ構造６０Ａ、発光領域５５Ｂの光取り出し側には、側壁が反射面の矩形状の開口６１Ｂを備えたリフレクタ構造６０Ｂが設けられている。このため、画素２０１では、発光領域５５Ａから表示面側に取り出される光は広がりにくくなり正面方向に射出され、一方、発光領域５５Ｂからの取り出し光は発光領域５５Ｂからの取り出し光と比較して斜め方向にも広がることになる。よって、画素２０１では、発光領域５５Ａ，５５Ｂからの取り出し光が合わさって、表示面に対して正面方向の光量が増加する一方で、斜め方向の光量も確保される。従って、表示面に対して正面方向および斜め方向の輝度のバランスが良好になるため、消費電力の上昇を抑えつつ、輝度を向上させると共に広い視野角を確保することができる。この場合、各画素２０１が正面輝度優先の領域と視野角輝度優先の領域とを含んでいるので、それぞれの領域を個別の画素とする場合と比較して、表示される映像の解像度を向上させることができる。
【００７４】
なお、本実施の形態では、画素駆動回路２５０において書き込みトランジスタＷｒ１，Ｗｒ２のゲート電極である金属層２５１Ｇ，２６１Ｇを同じ走査線１３０Ａに接続する場合について説明したが、別々の走査線１３０Ａに接続するようにしてもよい。これにより、発光領域５５Ａ，５５Ｂを個別に駆動することができるため、第１の実施の形態の表示装置と同様に、視野角を正面方向に狭めたり、広い視野角を確保するようにしたり、視野角を制御できる。
【００７５】
＜３．モジュールおよび適用例＞
以下、上述した各実施の形態で説明した表示装置の適用例について説明する。上記各実施の形態の表示装置は、テレビジョン装置、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
【００７６】
（モジュール）
上記各実施の形態の表示装置は、例えば、図１４に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基体１１の一辺に、封止基板２６および接着層から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。
【００７７】
（適用例１）
図１５は、上記各実施の形態の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００７８】
（適用例２）
図１６は、上記各実施の形態の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００７９】
（適用例３）
図１７は、上記各実施の形態の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０、文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００８０】
（適用例４）
図１８は、上記各実施の形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０、この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０、撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００８１】
（適用例５）
図１９は、上記各実施の形態の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０、サブディスプレイ７５０、ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００８２】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、有機発光素子の第１電極を陽極、第２電極を陰極とする場合について説明したが、陽極および陰極を逆にして、第１電極を陰極、第２電極を陽極としてもよい。
【００８３】
また、上記実施の形態では、赤色、緑色および青色の有機発光素子それぞれの構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。例えば、第１電極と有機層との間に、酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ2 Ｏ3 ）やＩＴＯなどからなる正孔注入用薄膜層を備えていてもよい。
【００８４】
さらにまた、上記実施の形態では、アクティブマトリクス型の表示装置の場合について説明したが、本発明はパッシブマトリクス型の表示装置への適用も可能である。更にまた、アクティブマトリクス駆動のための画素駆動回路の構成は、上記実施の形態等で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。その場合、画素駆動回路の変更に応じて、信号線駆動回路や走査線駆動回路のほかに、必要な駆動回路を追加してもよい。
【符号の説明】
【００８５】
１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂ…有機発光素子、１１…基体、１２…第１電極、１３…電極間絶縁膜、１４…有機層、１４Ａ…正孔注入層、１４Ｂ…正孔輸送層、１４Ｃ…発光層、１４Ｄ…電子輸送層、１５…第２電極、１５Ａ，５５Ａ，５５Ｂ…発光領域、２０Ａ，２０Ｂ，６０Ａ，６０Ｂ…リフレクタ構造、２１…基材、２１Ａ，２１Ｂ，６１Ａ，６１Ｂ…開口、２２…反射膜、２２Ａ，２２Ｂ…斜面、２５…保護層、２６…封止基板、１０１，１０２，２０１…画素、１１０…表示領域、１１１…基板、１１２…画素駆動回路形成層、１１３…補助配線、１１４，２７１，２７２…接続孔、１２０…信号線駆動回路、１２０Ａ（１２０Ａ１〜１２０Ａｍ）…信号線、１３０…走査線駆動回路、１３０Ａ（１３０Ａ１〜１３０Ａｎ）…走査線、１４０…電源供給線駆動回路、１４０Ａ（１４０Ａ１〜１４０Ａｎ）…電源供給線、１５０，２５０…画素駆動回路、Ｔｒ１，Ｄｒ１，Ｄｒ２…駆動トランジスタ、Ｔｒ２，Ｗｒ１，Ｗｒ２…書き込みトランジスタ、Ｃｓ，Ｃｓ１，Ｃｓ２…保持容量。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光領域の開口率が相対的に小さな正面輝度優先の第１領域と、
発光領域の開口率が相対的に大きな視野角輝度優先の第２領域と、
前記第１領域および第２領域を駆動する駆動手段と
を備えた表示装置。
【請求項２】
複数の画素を有し、
前記第１領域および前記第２領域は、各々異なる画素に含まれている
請求項１記載の表示装置
【請求項３】
複数の画素を有し、
前記第１領域および第２領域は同一の画素内に含まれている
請求項１記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１領域は、有機発光素子の上に、側壁が反射面の複数の開口を備えた第１リフレクタ構造を有する
請求項２または請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第２領域は、有機発光素子の上に、側壁が反射面の開口を備えた第２リフレクタ構造を有し、
前記第２リフレクタ構造の開口の数は、前記第１リフレクタ構造の開口の数よりも少ない
請求項４記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１リフレクタ構造の各開口の平面形状は円形状であり、
前記第２リフレクタ構造の開口の平面形状は矩形状である
請求項５記載の表示装置。
【請求項７】
前記駆動手段は、前記第１領域を駆動する第１駆動手段と、前記第２領域を駆動する第２駆動手段とを有し、前記第１領域と第２領域とを同時に駆動する
請求項１記載の表示装置。
【請求項８】
前記駆動手段は、前記第１領域を駆動する第１駆動手段と、前記第２領域を駆動する第２駆動手段とを有し、前記第１領域と第２領域とを異なるタイミングで駆動する
請求項１記載の表示装置。
【請求項１】
発光領域の開口率が相対的に小さな正面輝度優先の第１領域と、
発光領域の開口率が相対的に大きな視野角輝度優先の第２領域と、
前記第１領域および第２領域を駆動する駆動手段と
を備えた表示装置。
【請求項２】
複数の画素を有し、
前記第１領域および前記第２領域は、各々異なる画素に含まれている
請求項１記載の表示装置
【請求項３】
複数の画素を有し、
前記第１領域および第２領域は同一の画素内に含まれている
請求項１記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１領域は、有機発光素子の上に、側壁が反射面の複数の開口を備えた第１リフレクタ構造を有する
請求項２または請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第２領域は、有機発光素子の上に、側壁が反射面の開口を備えた第２リフレクタ構造を有し、
前記第２リフレクタ構造の開口の数は、前記第１リフレクタ構造の開口の数よりも少ない
請求項４記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１リフレクタ構造の各開口の平面形状は円形状であり、
前記第２リフレクタ構造の開口の平面形状は矩形状である
請求項５記載の表示装置。
【請求項７】
前記駆動手段は、前記第１領域を駆動する第１駆動手段と、前記第２領域を駆動する第２駆動手段とを有し、前記第１領域と第２領域とを同時に駆動する
請求項１記載の表示装置。
【請求項８】
前記駆動手段は、前記第１領域を駆動する第１駆動手段と、前記第２領域を駆動する第２駆動手段とを有し、前記第１領域と第２領域とを異なるタイミングで駆動する
請求項１記載の表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【公開番号】特開２０１１−２３２４０（Ｐ２０１１−２３２４０Ａ）
【公開日】平成２３年２月３日（２０１１．２．３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１６８０９６（Ｐ２００９−１６８０９６）
【出願日】平成２１年７月１６日（２００９．７．１６）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年２月３日（２０１１．２．３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年７月１６日（２００９．７．１６）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
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