複数レチクル処理のためのレチクルのアライメントおよびオーバーレイ並びに半導体
【課題】複数のレチクルレイアウトを生成するための方法を提供する。
【解決手段】レチクルが準備され（工程３０４）、露光・現像によりパターン化フォトレジスト層が形成される（工程３０８）。ＣＤを低減するために、パターン形成されたフォトレジスト層の形状の側壁を覆うように側壁層が蒸着される（工程３１２）。エッチング層内に形状をエッチングされる（工程３１６）ことにより、１組のエッチング形状の間に、２組のエッチング形状が形成される。次いで、パターン化フォトレジスト層および蒸着層は、剥離される（工程３２０）。
【解決手段】レチクルが準備され（工程３０４）、露光・現像によりパターン化フォトレジスト層が形成される（工程３０８）。ＣＤを低減するために、パターン形成されたフォトレジスト層の形状の側壁を覆うように側壁層が蒸着される（工程３１２）。エッチング層内に形状をエッチングされる（工程３１６）ことにより、１組のエッチング形状の間に、２組のエッチング形状が形成される。次いで、パターン化フォトレジスト層および蒸着層は、剥離される（工程３２０）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子の形成に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハの処理では、周知のパターン化処理およびエッチング処理を用いて、ウエハ内に半導体素子の形状が設けられる。これらの処理では、フォトレジスト（ＰＲ）材料が、ウエハに蒸着された後に、レチクルによってフィルタリングされた光に露出される。レチクルとは、一般に、光がレチクルを通して伝わることを防ぐ幾何形状の型を有するようパターン化されたガラス板である。
【０００３】
レチクルを通過した後、光は、フォトレジスト材料の表面に当たる。光は、現像剤がフォトレジスト材料の一部を除去できるように、フォトレジスト材料の化学組成を変化させる。ポジ型フォトレジスト材料の場合には、露光された領域が除去され、ネガ型フォトレジスト材料の場合には、露光されていない領域が除去される。その後、ウエハをエッチングして、もはやフォトレジスト材料によって保護されていない領域から下層の材料を除去することにより、ウエハ内の所望の形状を規定する。
【０００４】
様々な世代のフォトレジストが知られている。深紫外線（ＤＵＶ）フォトレジストは、２４８ｎｍの光で露光される。理解を助けるために、図１Ａに、積層体１００の断面図を示す。積層体１００は、基板１０４と、基板１０４の上のエッチングされる層１０８と、層１０８の上のＡＲＬ（反射防止層）１１０と、ＡＲＬ１１０の上のパターン化フォトレジスト層１１２とを備える。フォトレジストパターンは、限界寸法（ＣＤ）を有し、限界寸法は、最小の形状の幅１１６であってよい。波長によって決まる光学特性のために、波長の長い光で露光されたフォトレジストは、理論的な最小限界寸法が大きくなる。
【０００５】
次いで、図１Ｂに示すように、形状１２０が、フォトレジストパターンを通してエッチングされてよい。理想的には、形状のＣＤ（形状の幅）は、フォトレジスト１１２における形状のＣＤ１１６に等しくなる。実際には、形状のＣＤ１１６は、ファセッティング、フォトレジストの腐食、または、アンダーカットによって、フォトレジスト１１２のＣＤよりも大きくなる場合がある。形状は、先細りになる場合もあり、その場合、形状のＣＤが、フォトレジストのＣＤと少なくとも同程度の大きさであっても、形状の底部付近では、形状の幅が小さくなっている。かかる先細りによって、信頼性のない形状が形成されうる。
【０００６】
より小さいＣＤを有する形状を提供するために、より短い波長の光を用いて形状を形成することが追求されている。１９３ｎｍフォトレジストは、１９３ｎｍの光で露光される。位相シフトレチクルなどの技術を用いると、１９３ｎｍフォトレジストによって、９０ないし１００ｎｍのＣＤを有するフォトレジストパターンを形成できる。これにより、９０ないし１００ｎｍのＣＤを有する形状を提供できる。１５７ｎｍフォトレジストは、１５７ｎｍの光で露光される。位相シフトレチクルなどの技術を用いると、９０ｎｍ以下のＣＤを有するフォトレジストパターンを形成できる。これにより、９０ｎｍ以下のＣＤを有する形状を提供できる。
【０００７】
短い波長用のフォトレジストを用いると、長い波長用のフォトレジストの場合に比べて、さらなる問題が生じうる。理論的な限界に近いＣＤを実現するためには、リソグラフィ装置は、より精密であることが好ましく、すなわち、高価なリソグラフィ機器が必要になる。現在、１９３ｎｍフォトレジストおよび１５７ｎｍフォトレジストは、より長い波長用のフォトレジストに比べて、選択性が高くないと共にプラズマエッチング条件下で変形しやすい。
【０００８】
メモリ素子の形成など、導電層のエッチングの際には、性能を損なうことなく、素子の密度を増大させることが望ましい。
【０００９】
図２Ａは、従来技術において、導電線の間の間隔が非常に小さい場合に、導電線を生成するためにパターニングされたフォトレジスト層を示す断面図である。ウエハなどの基板２０４の上には、バリア層２０６が配置されてよい。バリア層２０６の上には、金属層またはポリシリコン層などの誘電体層２０８が形成される。誘電体層２０８の上には、ＤＡＲＣなどの反射防止層（ＡＲＬ）２１０が形成される。ＡＲＬ２１０の上には、パターン化フォトレジスト層２１２ａが形成される。この例では、パターン化フォトレジスト線２１４ａは、図に示すように、線幅Ｌとして規定された幅を有する。間隔２２２は、図に示すように、幅Ｓを有する。ピッチ長Ｐは、図に示すように、線幅および間隔幅の合計Ｐ＝Ｌ＋Ｓとして規定される。このピッチ長を低減することが望ましい。
【００１０】
ピッチ幅を低減する方法の１つは、間隔幅を低減することである。図２Ｂは、従来技術において、線の間の間隔が非常に小さい場合に、導電線または誘電体トレンチ線を生成するためのパターン化フォトレジスト層を示す断面図である。ウエハなどの基板２０４の上には、バリア層２０６が配置されてよい。バリア層２０６の上には、金属層、ポリシリコン層、または、誘電体層など、導電層または誘電体層２０８が形成される。層２０８の上には、ＤＡＲＣなどの反射防止層（ＡＲＬ）２１０が形成される。ＡＲＬ２１０の上には、パターン化フォトレジスト層２１２が形成される。この例では、パターン化フォトレジスト層２１２ｂは、パターン化された線２１４ｂを形成しており、パターン化された線２１４ｂの間の空間には、フォトレジスト残留物２１８が形成されている。小さい空間から残留物を除去することは困難であるため、パターン化された線２１４ｂの間の空間が小さすぎると、フォトレジスト残留物２１８が生じる。これにより、実現できる導電線の密度が制限されうる。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述の課題を解決するために、本発明の目的に従って、複数のレチクルレイアウトを生成するための方法が提供されている。形状レイアウトピッチを有する形状レイアウトが受信される。複数のレチクルレイアウトが形状レイアウトから生成され、それら複数のレチクルレイアウトの各レチクルレイアウトは、レチクルレイアウトピッチを有し、各レチクルレイアウトピッチは、形状レイアウトピッチの少なくとも２倍である。
【００１２】
本発明の別の態様では、コンピュータ読み取り可能な媒体を備えた装置が提供されている。コンピュータ読み取り可能な媒体は、形状レイアウトピッチを有する形状レイアウトを受信するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、形状レイアウトから複数のレチクルレイアウトを生成するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、を備え、それら複数のレチクルレイアウトの各レチクルレイアウトは、レチクルレイアウトピッチを有し、各レチクルレイアウトピッチは、形状レイアウトピッチの少なくとも２倍である。
【００１３】
添付の図面を参照しつつ行う本発明の詳細な説明において、本発明の上述の特徴およびその他の特徴を詳述する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１Ａ】従来技術に従ってエッチングされた積層体を示す断面図である。
【図１Ｂ】従来技術に従ってエッチングされた積層体を示す断面図である。
【図２Ａ】従来技術に従って形成されたパターン化フォトレジスト層を示す断面図である。
【図２Ｂ】従来技術に従って形成されたパターン化フォトレジスト層を示す断面図である。
【図３】本発明の一実施形態で利用可能な処理を示す概略フローチャートである。
【図４Ａ】本発明の一実施形態に従って処理された積層体を示す断面図である。
【図４Ｂ】本発明の一実施形態に従って処理された積層体を示す断面図である。
【図４Ｃ】本発明の一実施形態に従って処理された積層体を示す断面図である。
【図４Ｄ】本発明の一実施形態に従って処理された積層体を示す断面図である。
【図４Ｅ】本発明の一実施形態に従って処理された積層体を示す断面図である。
【図４Ｆ】本発明の一実施形態に従って処理された積層体を示す断面図である。
【図４Ｇ】本発明の一実施形態に従って処理された積層体を示す断面図である。
【図４Ｈ】本発明の一実施形態に従って処理された積層体を示す断面図である。
【図５】パターン化フォトレジスト層を覆うように側壁層を形成する処理を示すフローチャートである。
【図６Ａ】本発明の実施形態で用いられる制御部の実施に適したコンピュータシステムを示す概略構成図である。
【図６Ｂ】本発明の実施形態で用いられる制御部の実施に適したコンピュータシステムを示すブロック図である。
【図７】パターン化フォトレジスト層を示す上面図である。
【図８】パターン化フォトレジスト層の側壁の上に側壁層を形成した後の図７のパターン化フォトレジスト層を示す上面図である。
【図９】レチクルを準備する処理を示すフローチャートである。
【図１０】シュリンク補正を行った図７のパターン化フォトレジスト層を示す上面図である。
【図１１】レチクルを準備する別の処理を示すフローチャートである。
【図１２】レチクルを準備するためのシステムを示す説明図である。
【図１３】形状レイアウトを示す上面図である。
【図１４Ａ】レチクルレイアウト処理を用いて生成されたレチクルレイアウトによって規定されるパターン化層を示す上面図である。
【図１４Ｂ】レチクルレイアウト処理を用いて生成されたレチクルレイアウトによって規定されるパターン化層を示す上面図である。
【図１５Ａ】シュリンク補正後のレチクルレイアウトによって規定されるパターン化層を示す上面図である。
【図１５Ｂ】シュリンク補正後のレチクルレイアウトによって規定されるパターン化層を示す上面図である。
【図１６Ａ】第１のレチクルレイアウトから形成されたパターン化フォトレジスト層を示す上面図である。
【図１６Ｂ】側壁層を形成した後の図１６Ａのパターン化フォトレジスト層を示す上面図である。
【図１７Ａ】第２のレチクルレイアウトから形成されたパターン化フォトレジスト層を示す上面図である。
【図１７Ｂ】側壁層を形成した後の図１７Ａのパターン化フォトレジスト層を示す上面図である。
【図１８】第２組の形状がエッチングされた後の基板を示す上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下では、添付図面に例示されたいくつかの好ましい実施形態を参照しつつ、本発明の詳細な説明を行う。以下の説明では、本発明の完全な理解を促すために、数多くの具体的な詳細事項が示されている。しかしながら、当業者にとって明らかなように、本発明は、これらの具体的な詳細事項の一部または全てがなくとも実施することが可能である。また、本発明が不必要に不明瞭となるのを避けるため、周知の処理工程および／または構造については、詳細な説明を省略した。
【００１６】
本発明は、小さい限界寸法（ＣＤ）を有する形状を提供する。具体的には、本発明は、形状をエッチングするために用いるフォトレジストパターンのＣＤよりも小さいＣＤを有する形状を提供する。
【００１７】
理解しやすいように、本発明の一実施形態で利用可能な処理を示す概略フローチャートを図３に示す。レチクルが準備される（工程３０４）。この工程については、後に詳述する。次いで、パターン化フォトレジスト層が形成される（工程３０８）。この工程についても、後に詳述する。図４Ａは、本発明の一実施形態におけるパターン化フォトレジスト層を示す断面図である。ウエハなどの基板４０４の上には、バリア層４０６が配置されてよい。バリア層４０６の上には、導電金属層、ポリシリコン層、または、誘電体層など、エッチング層４０８が形成される。エッチング層４０８の上には、ＤＡＲＣなどの反射防止層（ＡＲＬ）４１０が形成される。ＡＲＬ４１０の上には、第１のパターン化フォトレジスト層４１２が形成される。この例では、パターン化された線４１４は、図に示すように、線幅Ｌpとして規定された幅を有する。フォトレジスト層における空間４２２は、図に示すように、幅Ｓpを有する。パターン化フォトレジスト層のピッチ長Ｐpは、図に示すように、線幅および空間幅の合計Ｐp＝Ｌp＋Ｓpとして規定される。これらの幅は、パターニングされたフォトレジスト層を形成するために用いられるリソグラフィ技術の分解能によって決定される。このピッチ長を低減することが望ましい。
【００１８】
ＣＤを低減するために、パターン化フォトレジスト層を覆うように側壁層が形成される（工程３１２）。図５は、ＣＤを低減するために、パターン化フォトレジストを覆うように側壁層を形成する工程３１２の詳細なフローチャートであり、その工程では、複数のガスを利用する。この実施形態では、ＣＤを低減するために、パターン化フォトレジスト層を覆うように側壁層を形成する工程３１２は、蒸着段階５０４と、プロフィル成形段階５０８とを含む。蒸着段階は、第１のガスを用いてプラズマを形成し、パターン化フォトレジスト層の側壁を覆うように側壁層を蒸着させる。プロフィル成形段階５０８は、第２のガスを用いてプラズマを形成し、ほぼ垂直な側壁を形成するように蒸着物のプロフィルを成形する。
【００１９】
図４Ｂは、第１のパターン化フォトレジスト層４１２を示す断面図であり、第１のパターン化フォトレジスト層の側壁を覆うように側壁層４２０が蒸着されている。側壁層４２０は、パターン化フォトレジスト層の空間内に側壁層形状４２４を形成しており、側壁層形状４２４は、第１のパターン化フォトレジスト層の空間ＣＤよりも小さい低減空間ＣＤを有する。蒸着された第１のパターン化フォトレジスト層の低減空間ＣＤは、第１のパターン化フォトレジスト層形状の空間ＣＤの５０％であることが好ましい。また、側壁層は、ほぼ垂直な側壁４２８を有することが望ましく、それらの側壁４２８は、図に示すように、非常に画一的である。ほぼ垂直の側壁の一例は、下端から上端まで形状の底部に対して８８°ないし９０°の角度をなす側壁である。画一的な側壁は、形状の上部から底部までほぼ同じ厚さを有する蒸着層を有する。画一的でない側壁は、ファセッティングやブレッドローフィング（bread-loafing）を形成し、ほぼ垂直な側壁にならない。（ファセッティングの形成による）先細りの側壁、または、ブレッドローフィングの生じた側壁は、蒸着層のＣＤを増大させて、エッチングパターン化フォトレジスト層の質を悪くする場合がある。側壁における蒸着物は、第１のパターン化フォトレジスト層の形状の底部における蒸着物よりも厚いことが好ましい。第１のパターン化フォトレジスト層形状の底部には、層が蒸着しないことが、より好ましい。
【００２０】
次いで、側壁層の間の空間を通してエッチング層４０８内に、第１組の形状がエッチングされる（工程３１６）。図４Ｃは、エッチング層４０８内にエッチングされた第１組の形状４３２を示す図である。この例では、エッチング層４０８内にエッチングされた第１組の形状４３２は、蒸着層の形状の空間ＣＤに等しいＣＤ幅を有する。実際には、第１組の形状４３２の形状のＣＤは、蒸着層４２０の形状のＣＤよりもやや大きくてよい。ただし、蒸着層の形状のＣＤは、フォトレジスト４１２のＣＤよりも大幅に小さいため、エッチング層４０８の形状のＣＤも、フォトレジスト４１２のＣＤよりも小さい。蒸着層のＣＤが、フォトレジストのＣＤよりも少しだけ小さい場合、すなわち、蒸着層に、ファセッティングまたはブレッドローフィングが生じた場合には、エッチングされる層のＣＤは、フォトレジストのＣＤよりも小さくならない。さらに、ファセッティングまたはブレッドローフィングの生じた蒸着層により、エッチングされる層において、ファセッティングされた形状または不規則な形の形状が生じうる。フォトレジスト形状の底部における蒸着物を最小限に抑えることが望ましい。この例では、エッチング層４０８においてエッチングされた形状のＣＤは、フォトレジストの形状のＣＤよりも約５０％小さい。
【００２１】
次いで、パターニング化フォトレジスト層および蒸着層は、剥離される（工程３２０）。これは、１つの工程として実行されてもよし、蒸着層の除去工程とフォトレジストの剥離工程とを含む２つの別個の工程として実行されてもよい。剥離処理のために、アッシングが用いられてよい。図４Ｄは、蒸着層およびフォトレジスト層を除去した後の基板４００を示す図である。
【００２２】
さらなる形状をエッチングすべきか否か判断される（工程３２４）。この例では、第２組のエッチング形状がエッチングされる。したがって、第２のレチクルが準備される（工程３０４）。このレチクルを準備する工程については、後に詳述する。エッチング形状（この例では、第１組のエッチング形状）の上に、第２のパターン化フォトレジスト層が形成される（工程３０８）。図４Ｅは、エッチング層４０８の上に第２のパターン化フォトレジスト層４４２が形成された基板４０４を示す図であり、第２のパターン化フォトレジスト層４４２は、第１組の形状４３２を覆っており、第１組のエッチング形状４３２の間には、第２のパターン化フォトレジスト層の空間４４４が形成されている。
【００２３】
ＣＤを低減するために、第２のパターン化フォトレジスト層の形状の側壁を覆うように側壁層が蒸着される（工程３１２）。図４Ｆは、第２のパターン化フォトレジスト層４４２を示す断面図であり、第２のパターン化フォトレジスト層４４２の側壁を覆うように側壁層４５０が蒸着されている。側壁層４５０は、パターン化フォトレジスト層の空間内に側壁層形状４５４を形成しており、側壁層形状４５４は、第２のフォトレジスト層の空間ＣＤよりも小さい低減空間ＣＤを有する。側壁層の形状の低減された空間ＣＤは、第２のパターン化フォトレジスト層の形状の空間ＣＤの５０％であることが好ましい。また、パターン化フォトレジスト層の形状４２２は、ほぼ垂直な側壁を有することが望ましく、それらの側壁は、図に示すように、非常に画一的である。ほぼ垂直の側壁の一例は、下端から上端まで形状の底部に対して８８°ないし９０°の角度をなす側壁である。側壁における蒸着物は、フォトレジストの形状の底部における蒸着物よりも厚いことが好ましい。フォトレジストの形状の底部には、層が蒸着しないことが、より好ましい。
【００２４】
図４Ｇに示すように、エッチング層内に形状をエッチングする（工程３１６）ことにより、第１組のエッチング形状４３２の間に、第２組のエッチング形状４５２を形成する。次いで、図４Ｈに示すように、パターン化フォトレジスト層および蒸着層は、剥離される（工程３２０）。エッチング層の線幅は、Ｌfとして示されている。エッチング層内の形状の空間幅は、Ｓfとして示されている。形状のピッチ長は、Ｐfとして示されており、Ｐf＝Ｌf＋Ｓfである。形状のピッチＰf、形状の線幅Ｌf、および、形状の空間幅Ｓfと比較するために、図４Ａのパターン化フォトレジスト層のピッチＰp、フォトレジストの線幅Ｌp、および、フォトレジストの間隔Ｓpを、図４Ｇに示した。この実施形態では、形状間の線幅Ｌfは、パターン化フォトレジスト層の線幅Ｌpの半分であり、形状の空間幅Ｓfは、パターン化フォトレジスト層の空間幅Ｓpの半分であるため、形状のピッチ長Ｐfは、パターン化フォトレジスト層のピッチ長Ｐpの半分である。したがって、この処理は、同じフォトレジストリソグラフィ処理を利用しつつ、ピッチ長、線幅、および形状幅を半分に低減することにより、２つのマスキング工程を用いて、エッチング形状の分解能を２倍にできる。この例では、図に示すように、第１のパターン化フォトレジスト層による第１組のエッチング形状は、第２のパターン化フォトレジスト層による第２組のエッチング形状と、同じ深さ、または、ほぼ同じ深さまで、エッチングされる。
【００２５】
この実施形態で用いるパターン化フォトレジスト層は２つだけなので、繰り返し工程（工程３２４）において、処理を繰り返さないよう判断される。
【００２６】
シュリンク補正プロセッサ：
図７は、パターン化フォトレジスト層７０４を示す上面図である。パターン化フォトレジスト層は、３つの細い長方形の開口部７０８と、楕円形部分７１６を有する大きい長方形の開口部７１２と、円形部分７２４を有する開いた形状７２０とを備える。図８は、パターン化フォトレジスト層８０４の側壁の上に側壁層を形成した後のパターン化フォトレジスト層８０４を示す上面図である。それらの側壁は、一様に寸法を小さくした同じ形状が得られるような均等な方法でＣＤを低減していないことに注意されたい。その代わり、図８に示すように、形状の幅およびレイアウトに応じて、異なるサイズおよび形の形状について、ＣＤのシュリンクに偏りが生じている。図８からわかるように、間隔の異なる線は、シュリンクのしかたが異なる。さらに、円形部分８２４は、円形状を維持するが、楕円形部分８１６は、短軸よりも長軸に沿った方向に大きく拡大される。また。線８０８の角は、ｘ軸およびｙ軸方向の両方に拡大されて、線の側壁よりも大きく拡大し、丸い突出部８３２を形成する。同様の理由で、他の角も、他の丸い突出部８３６を形成する。
【００２７】
側壁層で覆われた時に、ＣＤの低減された形状を生成し、シュリンク処理の形状依存を補正するパターン化フォトレジスト層を実現するレチクルを準備することが望ましい。
【００２８】
図９は、レチクルを準備する工程３０４のフローチャートである。形状のレイアウトが準備される（工程９０４）。形状のレイアウトから、レチクルのレイアウトが生成される（工程９０８）。レチクルのレイアウトに対して、シュリンク補正が実行される（工程９１２）。図１０は、シュリンク補正を有するパターン化フォトレジスト層１００４を示す上面図である。シュリンク補正の規則により、レイアウトの各角に、拡大空間１０３６が設けられる。さらに、形状の相対的な大きさが変更される。例えば、楕円形部分１０１６の長さを増大することなく、楕円形部分１０１６の幅が増大される。
【００２９】
通常、現在のリソグラフィおよびエッチング処理においては、線短縮と呼ばれる現象があり、リソグラフィ処理によって、パターン化フォトレジストの線が短縮される。リソグラフィは、パターン化フォトレジストの線の端部を丸めるため、光学近接効果補正（ＯＰＣ）を必要とする。また、エッチングの際に、パターン化された線の端部は、より多くスパッタリングに曝されるため、より短くなる。Ｇモードでは、パターン化された線の上に層が形成されることで、パターン化された線は大きくなり、線の間の形状は小さくなる。したがって、シュリンク補正を用いると、ＯＰＣを用いることなく、リソグラフィによる線短縮を補正することができる。したがって、シュリンク補正を用いると、ＯＰＣを排除または最小限に抑えることが可能であり、形状が線端部の短縮の原因になることがなくなる。
【００３０】
次いで、シュリンク補正を備えたレチクルのレイアウトから、レチクルが生成される（工程９１６）。
【００３１】
複数のレチクルの生成：
図４Ａないし４Ｆに示した例において、少なくとも２つの別個のパターン化フォトレジスト層を必要とする少なくとも２つのエッチング処理を用いた場合には、レチクルおよびアライメントの問題に対処する必要がある。この例では、レチクルをピッチの約半分だけずらせば（移動させれば）、第１のエッチング用のパターン化フォトレジスト層を形成するためのレチクルを、第２のエッチングに用いてよい。２つのパターン化フォトレジスト層のアライメント（第１および第２の露光に同じレチクルを用いた場合）は、従来のボックスインボックス・アライメントを用いると、問題が生じる。例えば、第１のマスクおよびシュリンクの後に、アライメントボックスの寸法は、線および空間がシュリンクされたのと同じ２００ｎｍだけ低減される。ここで、半分のピッチを実現するために、第２のパターン化フォトレジスト層が、元々の線および空間のピッチに対して２００ｎｍずらされる場合、第２のパターン化フォトレジスト層のアライメントは、実際には、４００ｎｍだけ調整される必要がある。通常、リソグラフィのツールは、これらのアライメントキーを整列させるよう構成されており、位置ずれさせることは、従来の方法における変更を必要とし、混乱の元であって、潜在的に大きな歩留まり損失となりうる。アライメントの調整は、ｘおよびｙ方向の両方について行う必要があるため、この問題は大きくなる。
【００３２】
さらに、次の層（一般に、ホール（コンタクトまたはビア））のアライメントについては、アライメントキーが、第１のシュリンクに関連する内側端部と第２のシュリンクによる第２の端部とを含む２つの端部を有するため、さらなる問題が生じる。これが影響する場合があり、ホールを線および空間に整列させる必要のあるアライメントアルゴリズムによって読み違えられる場合もある。さらに、２つの端部は、互いに近接しているために、アライメントの感度を低減しうる。感度の問題（不明瞭な端部）は、少量のシュリンク（１０分の数ｎｍ程度）を必要とする非常に小さいＣＤについては悪化する場合があり、端部は、互いに判別できなくなり、鋭い端部がなくなる。
【００３３】
さらに、作成されるパターンが、一様な間隔で寸法の等しい複数の平行線よりも複雑なパターンである用途では、レチクルを単純にずらす以上のことを行う必要がある。
【００３４】
図１１は、２以上のエッチングを用いる場合のレチクルを準備する工程３０４のフローチャートである。形状レイアウトが準備される（工程１１０４）。形状レイアウトから、少なくとも２つのレチクルレイアウトが生成される（工程１１０８）。少なくとも２つのレチクルレイアウトの各々に対して、シュリンク補正が実行される（工程１１１２）。シュリンク補正を備えた少なくとも２つのレチクルレイアウトから、少なくとも２つのレチクルが生成される（工程１１１６）。
【００３５】
実施例：
本発明の一実施形態を利用するシステムの一例として、図１２に示すシステム１２００が、複数マスクエッチング処理のためのレチクルの準備に用いられると共に、シュリンク制御の規則の変更についての検証を行うために用いられる。形状の配置に関する形状レイアウトが、レイアウト１２０４において、作成および／または提示される（工程１１０４）。この実施形態において、レチクルレイアウト１２０８は、複数エッチング処理で用いるために、形状レイアウトから少なくとも２つのレチクルレイアウトを生成する（工程１１０８）。レチクルレイアウトは、形状レイアウトから複数のレチクルを生成できると共に、用いられるシュリンク処理に従って形状を拡大できるコンピュータコードを必要とする。
【００３６】
シュリンク補正プロセッサ１２１２は、少なくとも２つのレチクルレイアウトに対してシュリンク補正を実行するために用いられる（工程１１１２）。シュリンク補正プロセッサ１２１２は、シュリンク補正を備えた少なくとも２つのレチクルレイアウトのレチクルデータ１２１６を生成するために用いられる（工程１１１６）。このシステム１２００の例における他の構成要素は、図３の残りの工程と、シュリンク補正プロセッサ１２１２に対して追加の規則を提供する検証処理とを実行するために用いられる。
【００３７】
シュリンク補正プロセッサに対する追加の規則を生成する助けとなるように、試験用チップレイアウトを作成してもよいし、レチクルデータ１２１６を用いて試験用チップレイアウト１２３４を作成してもよい。試験用チップレイアウトは、ウエハ上にプリントされ１２３６、試験チップ上にパターン化フォトレジスト層を形成する。パターン化フォトレジスト層を覆うように側壁層を形成するために、パターン化フォトレジスト層を覆うように層が形成される１２３７。次いで、線幅の測定１２３８が実行される。一実施形態では、線幅の測定は、側壁層を備えたパターン化フォトレジスト層パターンについて実行されてよい。別の実施形態では、エッチングが実行された後に、エッチング形状に対して測定が実行される。これらの測定は、経験的モデルフィッティングエンジン１２６０およびパラメータ抽出エンジン１２４０への入力として供給される。経験的モデルフィッティングエンジンの出力は、経験的モデル１２６４を生成するために用いられ、経験的モデル１２６４は、改善された規則をシュリンク補正プロセッサ１２１２に供給するために用いられる。
【００３８】
さらに、パラメータ抽出１２４０を用いて、経験的モデルフィッティングに用いたのと同じデータからプロセスパラメータを抽出して、物理的モデル１２４４が生成される。マスクレイアウト検証（ＭＬＶ）１２２０は、レチクルデータ１２１６を物理的モデル１２４４と比較する。１２２４において、その比較が十分に近くない場合、そのデータは、経験的モデルフィッティングエンジン１２６０に供給される。経験的モデルフィッティングエンジンの出力は、経験的モデル１２６４を生成するために用いられ、経験的モデル１２６４は、改善された規則をシュリンク補正プロセッサ１２１２に供給するために用いられる。次に、シュリンク補正プロセッサ１２１２は、新しいレチクルデータ１２１６を供給する。１２２４において、その比較が十分に近い場合、そのレチクルデータは、レチクルの生成１２８０に用いられてよい（工程３０４）。そのレチクルは、パターン化フォトレジスト層の形成１２８１に用いられる（工程３０８）。パターン化フォトレジスト層１２８２を覆うように側壁層が形成される１２８２（工程３１２）。パターン化フォトレジスト層を通してエッチング層に、形状がエッチングされ（工程３１６）、チップが作成される１２８４。
【００３９】
複数のレチクルを生成するのに形状レイアウトを適用するため、および、レチクルレイアウトにシュリンク補正を適用するために、様々な他の処理を用いてもよい。例えば、シュリンク補正を実行して、シュリンク補正形状およびそれらの特性のリストをユーザに提供してもよい。次いで、ユーザは、補正の指針を入力する。別の実施形態では、データレチクルテープを最初に作成してもよい。次いで、データレチクルテープのデータに、シュリンク補正を適用して、形状およびそれらの特性のリストをユーザに提供する。次いで、ユーザは、補正の指針を入力する。その後、それらの補正は、ファイルで供給される。これらの処理を、より自動的な方法に置き換えてもよい。別の変形例では、補正の指針は、事前にプログラミングされており、ＳＣＰＰが、自動的に、それらの指針をレイアウトおよびレチクルファイルに適用する。
【００４０】
図６Ａおよび６Ｂは、本発明の実施形態で用いられる形状レイアウトの受信、レチクルの生成、および、シュリンク補正の実行に適したコンピュータシステム６００を示す図である。図６Ａは、コンピュータシステムの物理的形状の一例を示す。もちろん、コンピュータシステムは、集積回路、プリント基板、および、小型携帯デバイスから大型スーパコンピュータまで、多くの物理的形状を有してよい。コンピュータシステム６００は、モニタ６０２と、ディスプレイ６０４と、筐体６０６と、ディスクドライブ６０８と、キーボード６１０と、マウス６１２とを備える。ディスク６１４は、コンピュータシステム６００とデータをやり取りするために用いられるコンピュータ読み取り可能な媒体である。
【００４１】
図６Ｂは、コンピュータシステム６００のブロック図の一例である。システムバス６２０には、様々なサブシステムが取り付けられている。１または複数のプロセッサ６２２（中央処理装置すなわちＣＰＵとも呼ぶ）が、メモリ６２４などの記憶装置に接続されている。メモリ６２４は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）および読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）を含む。当技術分野で周知のように、ＲＯＭは、ＣＰＵに対して単方向的にデータや命令を転送するよう機能し、ＲＡＭは、通例、双方向的にデータや命令を転送するために用いられる。これらの種類のメモリは両方とも、後に示す任意の適切なコンピュータ読み取り可能媒体を備えてよい。ＣＰＵ６２２には、さらに、固定ディスク６２６が、双方向的に接続されており、さらなるデータ記憶容量を提供している。固定ディスク６２６は、後に示すコンピュータ読み取り可能媒体のいずれを備えてもよい。固定ディスク６２６は、プログラムやデータなどを格納するために用いられてよく、通例は、一次記憶装置よりも遅い二次記憶媒体（ハードディスクなど）である。固定ディスク６２６内に保持された情報は、必要に応じて、メモリ６２４内の仮想メモリとして標準的な方法で組み込まれてよいことを理解されたい。リムーバブルディスク６１４は、後に示すコンピュータ読み取り可能媒体のいずれの形態を取ってもよい。
【００４２】
ＣＰＵ６２２は、さらに、ディスプレイ６０４、キーボード６１０、マウス６１２、および、スピーカ６３０など、様々な入力／出力装置、および、処理の制御のためのフィードバックおよびフォワードシステムに接続されている。一般に、入力／出力装置は、ビデオディスプレイ、トラックボール、マウス、キーボード、マイク、タッチセンサ式ディスプレイ、トランスデューサ式カードリーダ、磁気または紙テープリーダ、タブレット、スタイラス、音声または手書き認識装置、バイオメトリクスリーダ、または、他のコンピュータ、のいずれであってもよい。ＣＰＵ６２２は、必要に応じて、ネットワークインターフェース６４０を用いて、他のコンピュータや電気通信ネットワークに接続されてもよい。かかるネットワークインターフェースを用いて、ＣＰＵは、上述の方法の工程を実行する途中で、ネットワークから情報を受信、または、ネットワークに情報を出力してよい。さらに、本発明の方法の実施形態は、ＣＰＵ６２２単体で実行されてもよいし、インターネットなどのネットワークを介して、処理の一部を分担する遠隔ＣＰＵと協働で実行されてもよい。
【００４３】
さらに、本発明の実施形態は、様々なコンピュータによる動作を実行するためのコンピュータコードを有するコンピュータ読み取り可能な媒体を備えたコンピュータストレージ製品に関する。媒体およびコンピュータコードは、本発明のために、特別に設計および構成されてもよいし、コンピュータソフトウェア分野における当業者にとって周知および利用可能なものであってもよい。コンピュータ読み取り可能な媒体の例としては、ハードディスク、フレキシブルディスク、磁気テープなどの磁気媒体；ＣＤ−ＲＯＭ、ホログラフィック素子などの光学媒体；フロプティカルディスクなどの光磁気媒体；特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、プログラム可能論理回路（ＰＬＤ）、ＲＯＭおよびＲＡＭなど、プログラムコードを格納および実行するよう特別に構成されたハードウェア装置、が挙げられるが、それらに限定されない。コンピュータコードの例としては、コンパイラによって生成されたコードなどのマシンコードや、インタープリタを用いてコンピュータによって実行される高級言語コードを含むファイルが挙げられる。コンピュータ読み取り可能な媒体は、搬送波で具現化されたコンピュータデータ信号によって転送されると共にプロセッサが実行可能な一連の命令を表すコンピュータコードであってもよい。
【００４４】
レイアウトの例：
図１２に示したシステムにおいて図１１の処理を利用する具体的な例では、最初に、１２０４において、形状レイアウトが準備される（工程１１０４）。図１３は、形状レイアウトを示す上面図であり、ウエハ内にエッチングされる形状１３０８を備えた形状パターン１３０４を示している。形状レイアウトのピッチＰFは、図に示すように、形状レイアウトの形状間の最小ピッチである。形状レイアウトは、レチクルレイアウトプロセッサ１２０８に供給され、レチクルレイアウトプロセッサ１２０８は、形状レイアウトから少なくとも２つの（複数の）レチクルレイアウトを生成する（工程１１０８）。
【００４５】
以下では、本発明の一実施形態の作用を説明するために、図を用いて説明する。図１４Ａおよび１４Ｂは、レチクルレイアウト処理（工程１１０８）を用いて生成された第１のレチクルレイアウト１４０４および第２のレチクルレイアウト１４０８によって規定されたパターン化層を示す上面図である。第１のレチクルレイアウト１４０４によって規定されたパターン化層は、形状パターン１３０４の形状よりも少なくて大きい形状１４２４を有し、形状１４２４の間のパターン線が狭い。同様に、第２のレチクルレイアウト１４０８によって規定されたパターン化層は、形状パターン１３０４の形状よりも少なくて大きい形状１４２８を有する。さらに、第１のレチクルレイアウト１４０４によって規定されたパターン化層は、１つのアライメントパターン１４３４を有しており、第２のレチクルレイアウト１４０８によって規定されたパターン化層は、２つのアライメントパターン１４３８を有している。第２のレチクルレイアウト１４０８によって規定されたパターン化層のアライメントパターンの内の一方は、第１のレチクルレイアウト１４０４によって規定されたパターン化層のアライメントパターン１４３４に対応し、第２のレチクルレイアウト１４０４によって規定されたパターン化層のアライメントパターンの内の他方は、第１のレチクルレイアウト１４０４によって規定されたパターン化層のアライメントパターンと対応しない。第１のレチクルレイアウトによって規定されたパターン化層は、第１のレチクルレイアウトピッチＰM1を有しており、それは、図１４Ａに示すように、第１のレチクルレイアウトによって規定されたパターン化層の形状間の最小ピッチである。第２のレチクルレイアウトによって規定されたパターン化層は、第２のレチクルレイアウトピッチＰM2を有しており、それは、図１４Ａに示すように、第２のレチクルレイアウトによって規定されたパターン化層の形状間の最小ピッチである。図１４Ａおよび図１４Ｂに示すように、第１のレチクルレイアウトピッチＰM1および第２のレチクルレイアウトピッチＰM2は、それぞれ、形状レイアウトピッチＰFの少なくとも２倍である。これは、限界最小ピッチを用いたリソグラフィが、限界最小ピッチの半分以下のピッチを有する形状レイアウトを提供することを可能にするため、リソグラフィの分解能を少なくとも２倍に増大できる。
【００４６】
第１のレチクルレイアウトおよび第２のレチクルレイアウトは、シュリンク補正プロセッサ１２１２に送られ、少なくとも２つのレチクルレイアウトに対してシュリンク補正が実行される（工程１１１２）。図１５Ａは、シュリンク補正が実行された後の第１のレチクルレイアウト１５０４によって規定されたパターン化層を示す上面図である。角における比較的大きいシュリンクに対処するために、レチクルの角には、角切り欠き部１５４４が設けられる。図１５Ｂは、シュリンク補正が実行された後の第２のレチクルレイアウト１５０８によって規定されたパターン化層を示す上面図である。角における比較的大きいシュリンクに対処するために、レチクルの角には、角切り欠き部１５４８が設けられる。角切り欠き部を設ける際のシュリンク補正規則は、シュリンク補正プロセッサ１２１２によって提供された多くの規則の内の１つであってよい。
【００４７】
シュリンク補正を備えた少なくとも２つのレチクルのレイアウトから、少なくとも２つのレチクルが生成される（工程１１１６）。この工程の一部は、レチクルデータ１２１６を作成することによって実現されてよい。レチクルデータに対して、マスクレイアウト検証１２２０が実行されてよい。マスク検証データが、レチクルデータに問題がないことを示す場合には、そのレチクルデータからレチクルが形成される。
【００４８】
その第１のレチクルは、第１のパターン化フォトレジスト層の形成に用いられる（工程３０８）。図１６Ａは、シュリンク補正後の第１のレチクルレイアウト１５０４から形成されたレチクルによって形成された第１のパターン化フォトレジスト層１６０４を示す上面図である。第１のパターン化フォトレジスト層１６０４のピッチＰP1は、第１のパターン化フォトレジスト層１６０４の形状間の最小ピッチである。パターン化フォトレジスト層を覆うように側壁層が形成される（工程３１６）。図１６Ｂは、形状サイズをシュリンクするために側壁層が形成された後のパターン化フォトレジスト層１６０８を示す上面図である。形状サイズは低減されている。切り欠き部により、シュリンク処理は、丸い突出部を伴うことなく角を形成できる。次いで、基板がエッチングされて、基板内に形状がエッチングされる（工程３１６）。次に、パターン化フォトレジスト層が剥離される（工程３２０）。
【００４９】
次いで、第２のレチクルを用いて、処理が繰り返される（工程３２４）。第２のレチクルは、シュリンク補正後の第２のレチクルレイアウト１５０８から得られる（工程３０４）。第２のレチクルは、以前にエッチングされた形状の上に第２のパターン化フォトレジスト層を形成するために用いられる（工程３０８）。図１７Ａは、点線で示された以前にエッチングされた第１組の形状１７１２の上に形成されたパターン化フォトレジスト層１７０４を示す上面図である。第２のパターン化フォトレジスト層１７０４のピッチＰP2は、第２のパターン化フォトレジスト層１７０４の形状間の最小ピッチである。パターン化フォトレジスト層を覆うように側壁層が形成される（工程３１６）。図１７Ｂは、形状サイズをシュリンクするために側壁が形成された後のパターン化フォトレジスト層１７０８を示す上面図である。形状サイズは低減されている。切り欠き部により、シュリンク処理は、丸い突出部を伴うことなく角を形成できる。次いで、基板がエッチングされて、基板内に形状がエッチングされる（工程３１６）。次に、パターン化フォトレジスト層が剥離される（工程３２０）。
【００５０】
図１８は、第２組の形状がエッチングされた後の基板を示す上面図である。その基板では、第１組の形状１７１２が、第１のレチクルから形成された第１のパターン化フォトレジスト層を用いてエッチングされ、第２組の形状１８１２が、第２のレチクルから形成された第２のパターン化フォトレジスト層を用いてエッチングされている。第１組の形状１７１２の一部が、第２組の形状１８１２の一部に隣接することで、ピッチおよび分解能が増大している。形状のピッチＰFは、形状間の最小ピッチである。図に示すように、第２組の形状がエッチングされた後の基板のピッチＰFは、第１のパターン化層および第２のパターン化層のピッチＰPの半分以下である。
【００５１】
第１および第２のパターン化層の間の関係は、デュアルダマシン処理におけるトレンチおよびビアのパターン化層の間の関係とは異なる。つまり、デュアルダマシンでは、トレンチ形状は、ピッチの増大のためにビア形状に隣接することはなく、デュアルダマシン構成を形成するためにビア形状の上に位置している。さらに、第１組の形状および第２組の形状は、ほぼ同じ深さまでエッチングされるが、トレンチは、ビアとほぼ同じ深さまではエッチングされない。しかしながら、本発明の処理は、増大されたピッチによってビアを形成するために、または、増大されたピッチを用いてトレンチを形成するために、第１および第２のパターン化フォトレジスト層を利用してもよい。この例の形状は、リソグラフィ処理のピッチ分解能の約２倍のピッチを有する。第２のアライメント形状１８０８により、次の階層の処理のためのアライメントを向上できる。
【００５２】
試験および／または開発の処理において、第１のエッチングまたは第２のエッチング後の基板は、線幅の測定１２３８を受けてよく、そのデータは、経験的モデルフィッティング１２６０および／またはパラメータ抽出エンジン１２４０に送られてよい。経験的モデルフィッティング１２６は、シュリンク補正処理を向上させるために追加の規則をシュリンク補正プロセッサ１２１２に提供できる経験的モデルを提供する。パラメータ抽出１２４０は物理的モデルを提供し、物理的モデルは、マスクレイアウト検証１２２０のために用いられる。かかる処理は、シュリンク補正処理を向上させる。
【００５３】
他の実施形態では、レチクルレイアウトの生成は、形状パターンの形状と同じサイズの形状を形成してよく、この場合、シュリンク補正規則は、形状のサイズを大きくして、パターン化された線の寸法を小さくするために用いられてよい。別の実施形態では、レチクルレイアウト１２０８およびシュリンク補正１２１２は、複数のレチクルレイアウトの生成と、シュリンク補正の実行との両方を行う１つの工程で実行されてよいが、その場合も、明確にするために、２つの工程として示されてよい。
【００５４】
シュリンク補正とＯＰＣとの違いの一部を以下に示す。ＯＰＣは、結果として形成されるパターン化フォトレジスト層が、所望の形状と同様の形になるように、レチクルに対して実行される。シュリンク補正は、結果として形成されるパターン化フォトレジスト層が、所望の形状と同様の形にならないように、レチクルに対して実行され、シュリンク補正の結果として、パターン化フォトレジスト層は、結果としての形状と異なるものになる。次に実行される側壁の形成が、パターン化フォトレジスト層を、所望の形状と同じ形にする。ＯＰＣは、高分解能のパターン化フォトレジスト層を提供するために実行される。シュリンク補正は、低分解能のパターン化フォトレジストにより、ウエハ上に高分解能の結果物を形成するために実行される。ＯＰＣは、フォトレジスト材料を追加するための規則を提供して、パターン化フォトレジスト層を形成する際の追加の材料の損失を補正する。シュリンク補正は、追加の材料を除去する規則を提供して、側壁層を形成する際の材料の追加を補正する。
【００５５】
様々な実施形態において、エッチングされた形状を測定して、シュリンク制御情報を提供してもよいし、側壁層の形成が測定された後のパターン化フォトレジスト層形状を測定して、シュリンク制御情報を提供してもよい。これらの測定結果は、形状レイアウトまたはレチクルレイアウトと比較されてよい。
【００５６】
一部の処理では、第１のレチクルを用いて、高密度の形状を提供し、第２のレチクルを用いて、より密度の低い形状を提供していた。かかるレチクルが必要なのは、高密度の形状は、低密度の形状と異なる露光またはフォトレジストを必要としていたからである。代わりに、シュリンク補正と、複数のレチクルの形成とを利用すると、同じリソグラフィツールおよびフォトレジストを用いて、１つのレチクル上にいくつかの高密度の形状を形成して、別のレチクル上に高密度の形状および低密度の形状の両方を形成することができる。
【００５７】
本発明の別の実施形態では、３以上のレチクルを用いてもよい。例えば、形状レイアウトが、各レチクルのピッチの３分の１のピッチを有するように、３つのレチクルを用いてもよい。別の実施形態では、形状レイアウトが、各レチクルのピッチの４分の１のピッチを有するように、４つのレチクルを用いてもよい。かかる複数マスク処理については、Ｊｅｆｆｒｅｙ ＭａｒｋｓおよびＲｅｚａ Ｓａｄｊａｄｉによって２００５年２月３日に出願された米国特許出願Ｎｏ．１１／０５０，９８５、「Ｒｅｄｕｃｔｉｏｎ ｏｆ Ｆｅａｔｕｒｅ Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎｓ Ｕｓｉｎｇ Ｍｕｌｔｉｐｌｅ Ｍａｓｋｓ」で説明されており、その出願内容は、本明細書において参照される対象とする。
【００５８】
以上、いくつかの好ましい実施形態を参照しつつ本発明について説明したが、本発明の範囲内で、様々な代替物、置換物、および等価物が存在する。また、本発明の方法および装置を実施する他の態様が数多く存在することにも注意されたい。したがって、添付の特許請求の範囲は、本発明の真の趣旨および範囲内に含まれる代替物、置換物、および等価物の全てを網羅するものとして解釈される。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子の形成に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハの処理では、周知のパターン化処理およびエッチング処理を用いて、ウエハ内に半導体素子の形状が設けられる。これらの処理では、フォトレジスト（ＰＲ）材料が、ウエハに蒸着された後に、レチクルによってフィルタリングされた光に露出される。レチクルとは、一般に、光がレチクルを通して伝わることを防ぐ幾何形状の型を有するようパターン化されたガラス板である。
【０００３】
レチクルを通過した後、光は、フォトレジスト材料の表面に当たる。光は、現像剤がフォトレジスト材料の一部を除去できるように、フォトレジスト材料の化学組成を変化させる。ポジ型フォトレジスト材料の場合には、露光された領域が除去され、ネガ型フォトレジスト材料の場合には、露光されていない領域が除去される。その後、ウエハをエッチングして、もはやフォトレジスト材料によって保護されていない領域から下層の材料を除去することにより、ウエハ内の所望の形状を規定する。
【０００４】
様々な世代のフォトレジストが知られている。深紫外線（ＤＵＶ）フォトレジストは、２４８ｎｍの光で露光される。理解を助けるために、図１Ａに、積層体１００の断面図を示す。積層体１００は、基板１０４と、基板１０４の上のエッチングされる層１０８と、層１０８の上のＡＲＬ（反射防止層）１１０と、ＡＲＬ１１０の上のパターン化フォトレジスト層１１２とを備える。フォトレジストパターンは、限界寸法（ＣＤ）を有し、限界寸法は、最小の形状の幅１１６であってよい。波長によって決まる光学特性のために、波長の長い光で露光されたフォトレジストは、理論的な最小限界寸法が大きくなる。
【０００５】
次いで、図１Ｂに示すように、形状１２０が、フォトレジストパターンを通してエッチングされてよい。理想的には、形状のＣＤ（形状の幅）は、フォトレジスト１１２における形状のＣＤ１１６に等しくなる。実際には、形状のＣＤ１１６は、ファセッティング、フォトレジストの腐食、または、アンダーカットによって、フォトレジスト１１２のＣＤよりも大きくなる場合がある。形状は、先細りになる場合もあり、その場合、形状のＣＤが、フォトレジストのＣＤと少なくとも同程度の大きさであっても、形状の底部付近では、形状の幅が小さくなっている。かかる先細りによって、信頼性のない形状が形成されうる。
【０００６】
より小さいＣＤを有する形状を提供するために、より短い波長の光を用いて形状を形成することが追求されている。１９３ｎｍフォトレジストは、１９３ｎｍの光で露光される。位相シフトレチクルなどの技術を用いると、１９３ｎｍフォトレジストによって、９０ないし１００ｎｍのＣＤを有するフォトレジストパターンを形成できる。これにより、９０ないし１００ｎｍのＣＤを有する形状を提供できる。１５７ｎｍフォトレジストは、１５７ｎｍの光で露光される。位相シフトレチクルなどの技術を用いると、９０ｎｍ以下のＣＤを有するフォトレジストパターンを形成できる。これにより、９０ｎｍ以下のＣＤを有する形状を提供できる。
【０００７】
短い波長用のフォトレジストを用いると、長い波長用のフォトレジストの場合に比べて、さらなる問題が生じうる。理論的な限界に近いＣＤを実現するためには、リソグラフィ装置は、より精密であることが好ましく、すなわち、高価なリソグラフィ機器が必要になる。現在、１９３ｎｍフォトレジストおよび１５７ｎｍフォトレジストは、より長い波長用のフォトレジストに比べて、選択性が高くないと共にプラズマエッチング条件下で変形しやすい。
【０００８】
メモリ素子の形成など、導電層のエッチングの際には、性能を損なうことなく、素子の密度を増大させることが望ましい。
【０００９】
図２Ａは、従来技術において、導電線の間の間隔が非常に小さい場合に、導電線を生成するためにパターニングされたフォトレジスト層を示す断面図である。ウエハなどの基板２０４の上には、バリア層２０６が配置されてよい。バリア層２０６の上には、金属層またはポリシリコン層などの誘電体層２０８が形成される。誘電体層２０８の上には、ＤＡＲＣなどの反射防止層（ＡＲＬ）２１０が形成される。ＡＲＬ２１０の上には、パターン化フォトレジスト層２１２ａが形成される。この例では、パターン化フォトレジスト線２１４ａは、図に示すように、線幅Ｌとして規定された幅を有する。間隔２２２は、図に示すように、幅Ｓを有する。ピッチ長Ｐは、図に示すように、線幅および間隔幅の合計Ｐ＝Ｌ＋Ｓとして規定される。このピッチ長を低減することが望ましい。
【００１０】
ピッチ幅を低減する方法の１つは、間隔幅を低減することである。図２Ｂは、従来技術において、線の間の間隔が非常に小さい場合に、導電線または誘電体トレンチ線を生成するためのパターン化フォトレジスト層を示す断面図である。ウエハなどの基板２０４の上には、バリア層２０６が配置されてよい。バリア層２０６の上には、金属層、ポリシリコン層、または、誘電体層など、導電層または誘電体層２０８が形成される。層２０８の上には、ＤＡＲＣなどの反射防止層（ＡＲＬ）２１０が形成される。ＡＲＬ２１０の上には、パターン化フォトレジスト層２１２が形成される。この例では、パターン化フォトレジスト層２１２ｂは、パターン化された線２１４ｂを形成しており、パターン化された線２１４ｂの間の空間には、フォトレジスト残留物２１８が形成されている。小さい空間から残留物を除去することは困難であるため、パターン化された線２１４ｂの間の空間が小さすぎると、フォトレジスト残留物２１８が生じる。これにより、実現できる導電線の密度が制限されうる。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述の課題を解決するために、本発明の目的に従って、複数のレチクルレイアウトを生成するための方法が提供されている。形状レイアウトピッチを有する形状レイアウトが受信される。複数のレチクルレイアウトが形状レイアウトから生成され、それら複数のレチクルレイアウトの各レチクルレイアウトは、レチクルレイアウトピッチを有し、各レチクルレイアウトピッチは、形状レイアウトピッチの少なくとも２倍である。
【００１２】
本発明の別の態様では、コンピュータ読み取り可能な媒体を備えた装置が提供されている。コンピュータ読み取り可能な媒体は、形状レイアウトピッチを有する形状レイアウトを受信するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、形状レイアウトから複数のレチクルレイアウトを生成するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、を備え、それら複数のレチクルレイアウトの各レチクルレイアウトは、レチクルレイアウトピッチを有し、各レチクルレイアウトピッチは、形状レイアウトピッチの少なくとも２倍である。
【００１３】
添付の図面を参照しつつ行う本発明の詳細な説明において、本発明の上述の特徴およびその他の特徴を詳述する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１Ａ】従来技術に従ってエッチングされた積層体を示す断面図である。
【図１Ｂ】従来技術に従ってエッチングされた積層体を示す断面図である。
【図２Ａ】従来技術に従って形成されたパターン化フォトレジスト層を示す断面図である。
【図２Ｂ】従来技術に従って形成されたパターン化フォトレジスト層を示す断面図である。
【図３】本発明の一実施形態で利用可能な処理を示す概略フローチャートである。
【図４Ａ】本発明の一実施形態に従って処理された積層体を示す断面図である。
【図４Ｂ】本発明の一実施形態に従って処理された積層体を示す断面図である。
【図４Ｃ】本発明の一実施形態に従って処理された積層体を示す断面図である。
【図４Ｄ】本発明の一実施形態に従って処理された積層体を示す断面図である。
【図４Ｅ】本発明の一実施形態に従って処理された積層体を示す断面図である。
【図４Ｆ】本発明の一実施形態に従って処理された積層体を示す断面図である。
【図４Ｇ】本発明の一実施形態に従って処理された積層体を示す断面図である。
【図４Ｈ】本発明の一実施形態に従って処理された積層体を示す断面図である。
【図５】パターン化フォトレジスト層を覆うように側壁層を形成する処理を示すフローチャートである。
【図６Ａ】本発明の実施形態で用いられる制御部の実施に適したコンピュータシステムを示す概略構成図である。
【図６Ｂ】本発明の実施形態で用いられる制御部の実施に適したコンピュータシステムを示すブロック図である。
【図７】パターン化フォトレジスト層を示す上面図である。
【図８】パターン化フォトレジスト層の側壁の上に側壁層を形成した後の図７のパターン化フォトレジスト層を示す上面図である。
【図９】レチクルを準備する処理を示すフローチャートである。
【図１０】シュリンク補正を行った図７のパターン化フォトレジスト層を示す上面図である。
【図１１】レチクルを準備する別の処理を示すフローチャートである。
【図１２】レチクルを準備するためのシステムを示す説明図である。
【図１３】形状レイアウトを示す上面図である。
【図１４Ａ】レチクルレイアウト処理を用いて生成されたレチクルレイアウトによって規定されるパターン化層を示す上面図である。
【図１４Ｂ】レチクルレイアウト処理を用いて生成されたレチクルレイアウトによって規定されるパターン化層を示す上面図である。
【図１５Ａ】シュリンク補正後のレチクルレイアウトによって規定されるパターン化層を示す上面図である。
【図１５Ｂ】シュリンク補正後のレチクルレイアウトによって規定されるパターン化層を示す上面図である。
【図１６Ａ】第１のレチクルレイアウトから形成されたパターン化フォトレジスト層を示す上面図である。
【図１６Ｂ】側壁層を形成した後の図１６Ａのパターン化フォトレジスト層を示す上面図である。
【図１７Ａ】第２のレチクルレイアウトから形成されたパターン化フォトレジスト層を示す上面図である。
【図１７Ｂ】側壁層を形成した後の図１７Ａのパターン化フォトレジスト層を示す上面図である。
【図１８】第２組の形状がエッチングされた後の基板を示す上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下では、添付図面に例示されたいくつかの好ましい実施形態を参照しつつ、本発明の詳細な説明を行う。以下の説明では、本発明の完全な理解を促すために、数多くの具体的な詳細事項が示されている。しかしながら、当業者にとって明らかなように、本発明は、これらの具体的な詳細事項の一部または全てがなくとも実施することが可能である。また、本発明が不必要に不明瞭となるのを避けるため、周知の処理工程および／または構造については、詳細な説明を省略した。
【００１６】
本発明は、小さい限界寸法（ＣＤ）を有する形状を提供する。具体的には、本発明は、形状をエッチングするために用いるフォトレジストパターンのＣＤよりも小さいＣＤを有する形状を提供する。
【００１７】
理解しやすいように、本発明の一実施形態で利用可能な処理を示す概略フローチャートを図３に示す。レチクルが準備される（工程３０４）。この工程については、後に詳述する。次いで、パターン化フォトレジスト層が形成される（工程３０８）。この工程についても、後に詳述する。図４Ａは、本発明の一実施形態におけるパターン化フォトレジスト層を示す断面図である。ウエハなどの基板４０４の上には、バリア層４０６が配置されてよい。バリア層４０６の上には、導電金属層、ポリシリコン層、または、誘電体層など、エッチング層４０８が形成される。エッチング層４０８の上には、ＤＡＲＣなどの反射防止層（ＡＲＬ）４１０が形成される。ＡＲＬ４１０の上には、第１のパターン化フォトレジスト層４１２が形成される。この例では、パターン化された線４１４は、図に示すように、線幅Ｌpとして規定された幅を有する。フォトレジスト層における空間４２２は、図に示すように、幅Ｓpを有する。パターン化フォトレジスト層のピッチ長Ｐpは、図に示すように、線幅および空間幅の合計Ｐp＝Ｌp＋Ｓpとして規定される。これらの幅は、パターニングされたフォトレジスト層を形成するために用いられるリソグラフィ技術の分解能によって決定される。このピッチ長を低減することが望ましい。
【００１８】
ＣＤを低減するために、パターン化フォトレジスト層を覆うように側壁層が形成される（工程３１２）。図５は、ＣＤを低減するために、パターン化フォトレジストを覆うように側壁層を形成する工程３１２の詳細なフローチャートであり、その工程では、複数のガスを利用する。この実施形態では、ＣＤを低減するために、パターン化フォトレジスト層を覆うように側壁層を形成する工程３１２は、蒸着段階５０４と、プロフィル成形段階５０８とを含む。蒸着段階は、第１のガスを用いてプラズマを形成し、パターン化フォトレジスト層の側壁を覆うように側壁層を蒸着させる。プロフィル成形段階５０８は、第２のガスを用いてプラズマを形成し、ほぼ垂直な側壁を形成するように蒸着物のプロフィルを成形する。
【００１９】
図４Ｂは、第１のパターン化フォトレジスト層４１２を示す断面図であり、第１のパターン化フォトレジスト層の側壁を覆うように側壁層４２０が蒸着されている。側壁層４２０は、パターン化フォトレジスト層の空間内に側壁層形状４２４を形成しており、側壁層形状４２４は、第１のパターン化フォトレジスト層の空間ＣＤよりも小さい低減空間ＣＤを有する。蒸着された第１のパターン化フォトレジスト層の低減空間ＣＤは、第１のパターン化フォトレジスト層形状の空間ＣＤの５０％であることが好ましい。また、側壁層は、ほぼ垂直な側壁４２８を有することが望ましく、それらの側壁４２８は、図に示すように、非常に画一的である。ほぼ垂直の側壁の一例は、下端から上端まで形状の底部に対して８８°ないし９０°の角度をなす側壁である。画一的な側壁は、形状の上部から底部までほぼ同じ厚さを有する蒸着層を有する。画一的でない側壁は、ファセッティングやブレッドローフィング（bread-loafing）を形成し、ほぼ垂直な側壁にならない。（ファセッティングの形成による）先細りの側壁、または、ブレッドローフィングの生じた側壁は、蒸着層のＣＤを増大させて、エッチングパターン化フォトレジスト層の質を悪くする場合がある。側壁における蒸着物は、第１のパターン化フォトレジスト層の形状の底部における蒸着物よりも厚いことが好ましい。第１のパターン化フォトレジスト層形状の底部には、層が蒸着しないことが、より好ましい。
【００２０】
次いで、側壁層の間の空間を通してエッチング層４０８内に、第１組の形状がエッチングされる（工程３１６）。図４Ｃは、エッチング層４０８内にエッチングされた第１組の形状４３２を示す図である。この例では、エッチング層４０８内にエッチングされた第１組の形状４３２は、蒸着層の形状の空間ＣＤに等しいＣＤ幅を有する。実際には、第１組の形状４３２の形状のＣＤは、蒸着層４２０の形状のＣＤよりもやや大きくてよい。ただし、蒸着層の形状のＣＤは、フォトレジスト４１２のＣＤよりも大幅に小さいため、エッチング層４０８の形状のＣＤも、フォトレジスト４１２のＣＤよりも小さい。蒸着層のＣＤが、フォトレジストのＣＤよりも少しだけ小さい場合、すなわち、蒸着層に、ファセッティングまたはブレッドローフィングが生じた場合には、エッチングされる層のＣＤは、フォトレジストのＣＤよりも小さくならない。さらに、ファセッティングまたはブレッドローフィングの生じた蒸着層により、エッチングされる層において、ファセッティングされた形状または不規則な形の形状が生じうる。フォトレジスト形状の底部における蒸着物を最小限に抑えることが望ましい。この例では、エッチング層４０８においてエッチングされた形状のＣＤは、フォトレジストの形状のＣＤよりも約５０％小さい。
【００２１】
次いで、パターニング化フォトレジスト層および蒸着層は、剥離される（工程３２０）。これは、１つの工程として実行されてもよし、蒸着層の除去工程とフォトレジストの剥離工程とを含む２つの別個の工程として実行されてもよい。剥離処理のために、アッシングが用いられてよい。図４Ｄは、蒸着層およびフォトレジスト層を除去した後の基板４００を示す図である。
【００２２】
さらなる形状をエッチングすべきか否か判断される（工程３２４）。この例では、第２組のエッチング形状がエッチングされる。したがって、第２のレチクルが準備される（工程３０４）。このレチクルを準備する工程については、後に詳述する。エッチング形状（この例では、第１組のエッチング形状）の上に、第２のパターン化フォトレジスト層が形成される（工程３０８）。図４Ｅは、エッチング層４０８の上に第２のパターン化フォトレジスト層４４２が形成された基板４０４を示す図であり、第２のパターン化フォトレジスト層４４２は、第１組の形状４３２を覆っており、第１組のエッチング形状４３２の間には、第２のパターン化フォトレジスト層の空間４４４が形成されている。
【００２３】
ＣＤを低減するために、第２のパターン化フォトレジスト層の形状の側壁を覆うように側壁層が蒸着される（工程３１２）。図４Ｆは、第２のパターン化フォトレジスト層４４２を示す断面図であり、第２のパターン化フォトレジスト層４４２の側壁を覆うように側壁層４５０が蒸着されている。側壁層４５０は、パターン化フォトレジスト層の空間内に側壁層形状４５４を形成しており、側壁層形状４５４は、第２のフォトレジスト層の空間ＣＤよりも小さい低減空間ＣＤを有する。側壁層の形状の低減された空間ＣＤは、第２のパターン化フォトレジスト層の形状の空間ＣＤの５０％であることが好ましい。また、パターン化フォトレジスト層の形状４２２は、ほぼ垂直な側壁を有することが望ましく、それらの側壁は、図に示すように、非常に画一的である。ほぼ垂直の側壁の一例は、下端から上端まで形状の底部に対して８８°ないし９０°の角度をなす側壁である。側壁における蒸着物は、フォトレジストの形状の底部における蒸着物よりも厚いことが好ましい。フォトレジストの形状の底部には、層が蒸着しないことが、より好ましい。
【００２４】
図４Ｇに示すように、エッチング層内に形状をエッチングする（工程３１６）ことにより、第１組のエッチング形状４３２の間に、第２組のエッチング形状４５２を形成する。次いで、図４Ｈに示すように、パターン化フォトレジスト層および蒸着層は、剥離される（工程３２０）。エッチング層の線幅は、Ｌfとして示されている。エッチング層内の形状の空間幅は、Ｓfとして示されている。形状のピッチ長は、Ｐfとして示されており、Ｐf＝Ｌf＋Ｓfである。形状のピッチＰf、形状の線幅Ｌf、および、形状の空間幅Ｓfと比較するために、図４Ａのパターン化フォトレジスト層のピッチＰp、フォトレジストの線幅Ｌp、および、フォトレジストの間隔Ｓpを、図４Ｇに示した。この実施形態では、形状間の線幅Ｌfは、パターン化フォトレジスト層の線幅Ｌpの半分であり、形状の空間幅Ｓfは、パターン化フォトレジスト層の空間幅Ｓpの半分であるため、形状のピッチ長Ｐfは、パターン化フォトレジスト層のピッチ長Ｐpの半分である。したがって、この処理は、同じフォトレジストリソグラフィ処理を利用しつつ、ピッチ長、線幅、および形状幅を半分に低減することにより、２つのマスキング工程を用いて、エッチング形状の分解能を２倍にできる。この例では、図に示すように、第１のパターン化フォトレジスト層による第１組のエッチング形状は、第２のパターン化フォトレジスト層による第２組のエッチング形状と、同じ深さ、または、ほぼ同じ深さまで、エッチングされる。
【００２５】
この実施形態で用いるパターン化フォトレジスト層は２つだけなので、繰り返し工程（工程３２４）において、処理を繰り返さないよう判断される。
【００２６】
シュリンク補正プロセッサ：
図７は、パターン化フォトレジスト層７０４を示す上面図である。パターン化フォトレジスト層は、３つの細い長方形の開口部７０８と、楕円形部分７１６を有する大きい長方形の開口部７１２と、円形部分７２４を有する開いた形状７２０とを備える。図８は、パターン化フォトレジスト層８０４の側壁の上に側壁層を形成した後のパターン化フォトレジスト層８０４を示す上面図である。それらの側壁は、一様に寸法を小さくした同じ形状が得られるような均等な方法でＣＤを低減していないことに注意されたい。その代わり、図８に示すように、形状の幅およびレイアウトに応じて、異なるサイズおよび形の形状について、ＣＤのシュリンクに偏りが生じている。図８からわかるように、間隔の異なる線は、シュリンクのしかたが異なる。さらに、円形部分８２４は、円形状を維持するが、楕円形部分８１６は、短軸よりも長軸に沿った方向に大きく拡大される。また。線８０８の角は、ｘ軸およびｙ軸方向の両方に拡大されて、線の側壁よりも大きく拡大し、丸い突出部８３２を形成する。同様の理由で、他の角も、他の丸い突出部８３６を形成する。
【００２７】
側壁層で覆われた時に、ＣＤの低減された形状を生成し、シュリンク処理の形状依存を補正するパターン化フォトレジスト層を実現するレチクルを準備することが望ましい。
【００２８】
図９は、レチクルを準備する工程３０４のフローチャートである。形状のレイアウトが準備される（工程９０４）。形状のレイアウトから、レチクルのレイアウトが生成される（工程９０８）。レチクルのレイアウトに対して、シュリンク補正が実行される（工程９１２）。図１０は、シュリンク補正を有するパターン化フォトレジスト層１００４を示す上面図である。シュリンク補正の規則により、レイアウトの各角に、拡大空間１０３６が設けられる。さらに、形状の相対的な大きさが変更される。例えば、楕円形部分１０１６の長さを増大することなく、楕円形部分１０１６の幅が増大される。
【００２９】
通常、現在のリソグラフィおよびエッチング処理においては、線短縮と呼ばれる現象があり、リソグラフィ処理によって、パターン化フォトレジストの線が短縮される。リソグラフィは、パターン化フォトレジストの線の端部を丸めるため、光学近接効果補正（ＯＰＣ）を必要とする。また、エッチングの際に、パターン化された線の端部は、より多くスパッタリングに曝されるため、より短くなる。Ｇモードでは、パターン化された線の上に層が形成されることで、パターン化された線は大きくなり、線の間の形状は小さくなる。したがって、シュリンク補正を用いると、ＯＰＣを用いることなく、リソグラフィによる線短縮を補正することができる。したがって、シュリンク補正を用いると、ＯＰＣを排除または最小限に抑えることが可能であり、形状が線端部の短縮の原因になることがなくなる。
【００３０】
次いで、シュリンク補正を備えたレチクルのレイアウトから、レチクルが生成される（工程９１６）。
【００３１】
複数のレチクルの生成：
図４Ａないし４Ｆに示した例において、少なくとも２つの別個のパターン化フォトレジスト層を必要とする少なくとも２つのエッチング処理を用いた場合には、レチクルおよびアライメントの問題に対処する必要がある。この例では、レチクルをピッチの約半分だけずらせば（移動させれば）、第１のエッチング用のパターン化フォトレジスト層を形成するためのレチクルを、第２のエッチングに用いてよい。２つのパターン化フォトレジスト層のアライメント（第１および第２の露光に同じレチクルを用いた場合）は、従来のボックスインボックス・アライメントを用いると、問題が生じる。例えば、第１のマスクおよびシュリンクの後に、アライメントボックスの寸法は、線および空間がシュリンクされたのと同じ２００ｎｍだけ低減される。ここで、半分のピッチを実現するために、第２のパターン化フォトレジスト層が、元々の線および空間のピッチに対して２００ｎｍずらされる場合、第２のパターン化フォトレジスト層のアライメントは、実際には、４００ｎｍだけ調整される必要がある。通常、リソグラフィのツールは、これらのアライメントキーを整列させるよう構成されており、位置ずれさせることは、従来の方法における変更を必要とし、混乱の元であって、潜在的に大きな歩留まり損失となりうる。アライメントの調整は、ｘおよびｙ方向の両方について行う必要があるため、この問題は大きくなる。
【００３２】
さらに、次の層（一般に、ホール（コンタクトまたはビア））のアライメントについては、アライメントキーが、第１のシュリンクに関連する内側端部と第２のシュリンクによる第２の端部とを含む２つの端部を有するため、さらなる問題が生じる。これが影響する場合があり、ホールを線および空間に整列させる必要のあるアライメントアルゴリズムによって読み違えられる場合もある。さらに、２つの端部は、互いに近接しているために、アライメントの感度を低減しうる。感度の問題（不明瞭な端部）は、少量のシュリンク（１０分の数ｎｍ程度）を必要とする非常に小さいＣＤについては悪化する場合があり、端部は、互いに判別できなくなり、鋭い端部がなくなる。
【００３３】
さらに、作成されるパターンが、一様な間隔で寸法の等しい複数の平行線よりも複雑なパターンである用途では、レチクルを単純にずらす以上のことを行う必要がある。
【００３４】
図１１は、２以上のエッチングを用いる場合のレチクルを準備する工程３０４のフローチャートである。形状レイアウトが準備される（工程１１０４）。形状レイアウトから、少なくとも２つのレチクルレイアウトが生成される（工程１１０８）。少なくとも２つのレチクルレイアウトの各々に対して、シュリンク補正が実行される（工程１１１２）。シュリンク補正を備えた少なくとも２つのレチクルレイアウトから、少なくとも２つのレチクルが生成される（工程１１１６）。
【００３５】
実施例：
本発明の一実施形態を利用するシステムの一例として、図１２に示すシステム１２００が、複数マスクエッチング処理のためのレチクルの準備に用いられると共に、シュリンク制御の規則の変更についての検証を行うために用いられる。形状の配置に関する形状レイアウトが、レイアウト１２０４において、作成および／または提示される（工程１１０４）。この実施形態において、レチクルレイアウト１２０８は、複数エッチング処理で用いるために、形状レイアウトから少なくとも２つのレチクルレイアウトを生成する（工程１１０８）。レチクルレイアウトは、形状レイアウトから複数のレチクルを生成できると共に、用いられるシュリンク処理に従って形状を拡大できるコンピュータコードを必要とする。
【００３６】
シュリンク補正プロセッサ１２１２は、少なくとも２つのレチクルレイアウトに対してシュリンク補正を実行するために用いられる（工程１１１２）。シュリンク補正プロセッサ１２１２は、シュリンク補正を備えた少なくとも２つのレチクルレイアウトのレチクルデータ１２１６を生成するために用いられる（工程１１１６）。このシステム１２００の例における他の構成要素は、図３の残りの工程と、シュリンク補正プロセッサ１２１２に対して追加の規則を提供する検証処理とを実行するために用いられる。
【００３７】
シュリンク補正プロセッサに対する追加の規則を生成する助けとなるように、試験用チップレイアウトを作成してもよいし、レチクルデータ１２１６を用いて試験用チップレイアウト１２３４を作成してもよい。試験用チップレイアウトは、ウエハ上にプリントされ１２３６、試験チップ上にパターン化フォトレジスト層を形成する。パターン化フォトレジスト層を覆うように側壁層を形成するために、パターン化フォトレジスト層を覆うように層が形成される１２３７。次いで、線幅の測定１２３８が実行される。一実施形態では、線幅の測定は、側壁層を備えたパターン化フォトレジスト層パターンについて実行されてよい。別の実施形態では、エッチングが実行された後に、エッチング形状に対して測定が実行される。これらの測定は、経験的モデルフィッティングエンジン１２６０およびパラメータ抽出エンジン１２４０への入力として供給される。経験的モデルフィッティングエンジンの出力は、経験的モデル１２６４を生成するために用いられ、経験的モデル１２６４は、改善された規則をシュリンク補正プロセッサ１２１２に供給するために用いられる。
【００３８】
さらに、パラメータ抽出１２４０を用いて、経験的モデルフィッティングに用いたのと同じデータからプロセスパラメータを抽出して、物理的モデル１２４４が生成される。マスクレイアウト検証（ＭＬＶ）１２２０は、レチクルデータ１２１６を物理的モデル１２４４と比較する。１２２４において、その比較が十分に近くない場合、そのデータは、経験的モデルフィッティングエンジン１２６０に供給される。経験的モデルフィッティングエンジンの出力は、経験的モデル１２６４を生成するために用いられ、経験的モデル１２６４は、改善された規則をシュリンク補正プロセッサ１２１２に供給するために用いられる。次に、シュリンク補正プロセッサ１２１２は、新しいレチクルデータ１２１６を供給する。１２２４において、その比較が十分に近い場合、そのレチクルデータは、レチクルの生成１２８０に用いられてよい（工程３０４）。そのレチクルは、パターン化フォトレジスト層の形成１２８１に用いられる（工程３０８）。パターン化フォトレジスト層１２８２を覆うように側壁層が形成される１２８２（工程３１２）。パターン化フォトレジスト層を通してエッチング層に、形状がエッチングされ（工程３１６）、チップが作成される１２８４。
【００３９】
複数のレチクルを生成するのに形状レイアウトを適用するため、および、レチクルレイアウトにシュリンク補正を適用するために、様々な他の処理を用いてもよい。例えば、シュリンク補正を実行して、シュリンク補正形状およびそれらの特性のリストをユーザに提供してもよい。次いで、ユーザは、補正の指針を入力する。別の実施形態では、データレチクルテープを最初に作成してもよい。次いで、データレチクルテープのデータに、シュリンク補正を適用して、形状およびそれらの特性のリストをユーザに提供する。次いで、ユーザは、補正の指針を入力する。その後、それらの補正は、ファイルで供給される。これらの処理を、より自動的な方法に置き換えてもよい。別の変形例では、補正の指針は、事前にプログラミングされており、ＳＣＰＰが、自動的に、それらの指針をレイアウトおよびレチクルファイルに適用する。
【００４０】
図６Ａおよび６Ｂは、本発明の実施形態で用いられる形状レイアウトの受信、レチクルの生成、および、シュリンク補正の実行に適したコンピュータシステム６００を示す図である。図６Ａは、コンピュータシステムの物理的形状の一例を示す。もちろん、コンピュータシステムは、集積回路、プリント基板、および、小型携帯デバイスから大型スーパコンピュータまで、多くの物理的形状を有してよい。コンピュータシステム６００は、モニタ６０２と、ディスプレイ６０４と、筐体６０６と、ディスクドライブ６０８と、キーボード６１０と、マウス６１２とを備える。ディスク６１４は、コンピュータシステム６００とデータをやり取りするために用いられるコンピュータ読み取り可能な媒体である。
【００４１】
図６Ｂは、コンピュータシステム６００のブロック図の一例である。システムバス６２０には、様々なサブシステムが取り付けられている。１または複数のプロセッサ６２２（中央処理装置すなわちＣＰＵとも呼ぶ）が、メモリ６２４などの記憶装置に接続されている。メモリ６２４は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）および読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）を含む。当技術分野で周知のように、ＲＯＭは、ＣＰＵに対して単方向的にデータや命令を転送するよう機能し、ＲＡＭは、通例、双方向的にデータや命令を転送するために用いられる。これらの種類のメモリは両方とも、後に示す任意の適切なコンピュータ読み取り可能媒体を備えてよい。ＣＰＵ６２２には、さらに、固定ディスク６２６が、双方向的に接続されており、さらなるデータ記憶容量を提供している。固定ディスク６２６は、後に示すコンピュータ読み取り可能媒体のいずれを備えてもよい。固定ディスク６２６は、プログラムやデータなどを格納するために用いられてよく、通例は、一次記憶装置よりも遅い二次記憶媒体（ハードディスクなど）である。固定ディスク６２６内に保持された情報は、必要に応じて、メモリ６２４内の仮想メモリとして標準的な方法で組み込まれてよいことを理解されたい。リムーバブルディスク６１４は、後に示すコンピュータ読み取り可能媒体のいずれの形態を取ってもよい。
【００４２】
ＣＰＵ６２２は、さらに、ディスプレイ６０４、キーボード６１０、マウス６１２、および、スピーカ６３０など、様々な入力／出力装置、および、処理の制御のためのフィードバックおよびフォワードシステムに接続されている。一般に、入力／出力装置は、ビデオディスプレイ、トラックボール、マウス、キーボード、マイク、タッチセンサ式ディスプレイ、トランスデューサ式カードリーダ、磁気または紙テープリーダ、タブレット、スタイラス、音声または手書き認識装置、バイオメトリクスリーダ、または、他のコンピュータ、のいずれであってもよい。ＣＰＵ６２２は、必要に応じて、ネットワークインターフェース６４０を用いて、他のコンピュータや電気通信ネットワークに接続されてもよい。かかるネットワークインターフェースを用いて、ＣＰＵは、上述の方法の工程を実行する途中で、ネットワークから情報を受信、または、ネットワークに情報を出力してよい。さらに、本発明の方法の実施形態は、ＣＰＵ６２２単体で実行されてもよいし、インターネットなどのネットワークを介して、処理の一部を分担する遠隔ＣＰＵと協働で実行されてもよい。
【００４３】
さらに、本発明の実施形態は、様々なコンピュータによる動作を実行するためのコンピュータコードを有するコンピュータ読み取り可能な媒体を備えたコンピュータストレージ製品に関する。媒体およびコンピュータコードは、本発明のために、特別に設計および構成されてもよいし、コンピュータソフトウェア分野における当業者にとって周知および利用可能なものであってもよい。コンピュータ読み取り可能な媒体の例としては、ハードディスク、フレキシブルディスク、磁気テープなどの磁気媒体；ＣＤ−ＲＯＭ、ホログラフィック素子などの光学媒体；フロプティカルディスクなどの光磁気媒体；特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、プログラム可能論理回路（ＰＬＤ）、ＲＯＭおよびＲＡＭなど、プログラムコードを格納および実行するよう特別に構成されたハードウェア装置、が挙げられるが、それらに限定されない。コンピュータコードの例としては、コンパイラによって生成されたコードなどのマシンコードや、インタープリタを用いてコンピュータによって実行される高級言語コードを含むファイルが挙げられる。コンピュータ読み取り可能な媒体は、搬送波で具現化されたコンピュータデータ信号によって転送されると共にプロセッサが実行可能な一連の命令を表すコンピュータコードであってもよい。
【００４４】
レイアウトの例：
図１２に示したシステムにおいて図１１の処理を利用する具体的な例では、最初に、１２０４において、形状レイアウトが準備される（工程１１０４）。図１３は、形状レイアウトを示す上面図であり、ウエハ内にエッチングされる形状１３０８を備えた形状パターン１３０４を示している。形状レイアウトのピッチＰFは、図に示すように、形状レイアウトの形状間の最小ピッチである。形状レイアウトは、レチクルレイアウトプロセッサ１２０８に供給され、レチクルレイアウトプロセッサ１２０８は、形状レイアウトから少なくとも２つの（複数の）レチクルレイアウトを生成する（工程１１０８）。
【００４５】
以下では、本発明の一実施形態の作用を説明するために、図を用いて説明する。図１４Ａおよび１４Ｂは、レチクルレイアウト処理（工程１１０８）を用いて生成された第１のレチクルレイアウト１４０４および第２のレチクルレイアウト１４０８によって規定されたパターン化層を示す上面図である。第１のレチクルレイアウト１４０４によって規定されたパターン化層は、形状パターン１３０４の形状よりも少なくて大きい形状１４２４を有し、形状１４２４の間のパターン線が狭い。同様に、第２のレチクルレイアウト１４０８によって規定されたパターン化層は、形状パターン１３０４の形状よりも少なくて大きい形状１４２８を有する。さらに、第１のレチクルレイアウト１４０４によって規定されたパターン化層は、１つのアライメントパターン１４３４を有しており、第２のレチクルレイアウト１４０８によって規定されたパターン化層は、２つのアライメントパターン１４３８を有している。第２のレチクルレイアウト１４０８によって規定されたパターン化層のアライメントパターンの内の一方は、第１のレチクルレイアウト１４０４によって規定されたパターン化層のアライメントパターン１４３４に対応し、第２のレチクルレイアウト１４０４によって規定されたパターン化層のアライメントパターンの内の他方は、第１のレチクルレイアウト１４０４によって規定されたパターン化層のアライメントパターンと対応しない。第１のレチクルレイアウトによって規定されたパターン化層は、第１のレチクルレイアウトピッチＰM1を有しており、それは、図１４Ａに示すように、第１のレチクルレイアウトによって規定されたパターン化層の形状間の最小ピッチである。第２のレチクルレイアウトによって規定されたパターン化層は、第２のレチクルレイアウトピッチＰM2を有しており、それは、図１４Ａに示すように、第２のレチクルレイアウトによって規定されたパターン化層の形状間の最小ピッチである。図１４Ａおよび図１４Ｂに示すように、第１のレチクルレイアウトピッチＰM1および第２のレチクルレイアウトピッチＰM2は、それぞれ、形状レイアウトピッチＰFの少なくとも２倍である。これは、限界最小ピッチを用いたリソグラフィが、限界最小ピッチの半分以下のピッチを有する形状レイアウトを提供することを可能にするため、リソグラフィの分解能を少なくとも２倍に増大できる。
【００４６】
第１のレチクルレイアウトおよび第２のレチクルレイアウトは、シュリンク補正プロセッサ１２１２に送られ、少なくとも２つのレチクルレイアウトに対してシュリンク補正が実行される（工程１１１２）。図１５Ａは、シュリンク補正が実行された後の第１のレチクルレイアウト１５０４によって規定されたパターン化層を示す上面図である。角における比較的大きいシュリンクに対処するために、レチクルの角には、角切り欠き部１５４４が設けられる。図１５Ｂは、シュリンク補正が実行された後の第２のレチクルレイアウト１５０８によって規定されたパターン化層を示す上面図である。角における比較的大きいシュリンクに対処するために、レチクルの角には、角切り欠き部１５４８が設けられる。角切り欠き部を設ける際のシュリンク補正規則は、シュリンク補正プロセッサ１２１２によって提供された多くの規則の内の１つであってよい。
【００４７】
シュリンク補正を備えた少なくとも２つのレチクルのレイアウトから、少なくとも２つのレチクルが生成される（工程１１１６）。この工程の一部は、レチクルデータ１２１６を作成することによって実現されてよい。レチクルデータに対して、マスクレイアウト検証１２２０が実行されてよい。マスク検証データが、レチクルデータに問題がないことを示す場合には、そのレチクルデータからレチクルが形成される。
【００４８】
その第１のレチクルは、第１のパターン化フォトレジスト層の形成に用いられる（工程３０８）。図１６Ａは、シュリンク補正後の第１のレチクルレイアウト１５０４から形成されたレチクルによって形成された第１のパターン化フォトレジスト層１６０４を示す上面図である。第１のパターン化フォトレジスト層１６０４のピッチＰP1は、第１のパターン化フォトレジスト層１６０４の形状間の最小ピッチである。パターン化フォトレジスト層を覆うように側壁層が形成される（工程３１６）。図１６Ｂは、形状サイズをシュリンクするために側壁層が形成された後のパターン化フォトレジスト層１６０８を示す上面図である。形状サイズは低減されている。切り欠き部により、シュリンク処理は、丸い突出部を伴うことなく角を形成できる。次いで、基板がエッチングされて、基板内に形状がエッチングされる（工程３１６）。次に、パターン化フォトレジスト層が剥離される（工程３２０）。
【００４９】
次いで、第２のレチクルを用いて、処理が繰り返される（工程３２４）。第２のレチクルは、シュリンク補正後の第２のレチクルレイアウト１５０８から得られる（工程３０４）。第２のレチクルは、以前にエッチングされた形状の上に第２のパターン化フォトレジスト層を形成するために用いられる（工程３０８）。図１７Ａは、点線で示された以前にエッチングされた第１組の形状１７１２の上に形成されたパターン化フォトレジスト層１７０４を示す上面図である。第２のパターン化フォトレジスト層１７０４のピッチＰP2は、第２のパターン化フォトレジスト層１７０４の形状間の最小ピッチである。パターン化フォトレジスト層を覆うように側壁層が形成される（工程３１６）。図１７Ｂは、形状サイズをシュリンクするために側壁が形成された後のパターン化フォトレジスト層１７０８を示す上面図である。形状サイズは低減されている。切り欠き部により、シュリンク処理は、丸い突出部を伴うことなく角を形成できる。次いで、基板がエッチングされて、基板内に形状がエッチングされる（工程３１６）。次に、パターン化フォトレジスト層が剥離される（工程３２０）。
【００５０】
図１８は、第２組の形状がエッチングされた後の基板を示す上面図である。その基板では、第１組の形状１７１２が、第１のレチクルから形成された第１のパターン化フォトレジスト層を用いてエッチングされ、第２組の形状１８１２が、第２のレチクルから形成された第２のパターン化フォトレジスト層を用いてエッチングされている。第１組の形状１７１２の一部が、第２組の形状１８１２の一部に隣接することで、ピッチおよび分解能が増大している。形状のピッチＰFは、形状間の最小ピッチである。図に示すように、第２組の形状がエッチングされた後の基板のピッチＰFは、第１のパターン化層および第２のパターン化層のピッチＰPの半分以下である。
【００５１】
第１および第２のパターン化層の間の関係は、デュアルダマシン処理におけるトレンチおよびビアのパターン化層の間の関係とは異なる。つまり、デュアルダマシンでは、トレンチ形状は、ピッチの増大のためにビア形状に隣接することはなく、デュアルダマシン構成を形成するためにビア形状の上に位置している。さらに、第１組の形状および第２組の形状は、ほぼ同じ深さまでエッチングされるが、トレンチは、ビアとほぼ同じ深さまではエッチングされない。しかしながら、本発明の処理は、増大されたピッチによってビアを形成するために、または、増大されたピッチを用いてトレンチを形成するために、第１および第２のパターン化フォトレジスト層を利用してもよい。この例の形状は、リソグラフィ処理のピッチ分解能の約２倍のピッチを有する。第２のアライメント形状１８０８により、次の階層の処理のためのアライメントを向上できる。
【００５２】
試験および／または開発の処理において、第１のエッチングまたは第２のエッチング後の基板は、線幅の測定１２３８を受けてよく、そのデータは、経験的モデルフィッティング１２６０および／またはパラメータ抽出エンジン１２４０に送られてよい。経験的モデルフィッティング１２６は、シュリンク補正処理を向上させるために追加の規則をシュリンク補正プロセッサ１２１２に提供できる経験的モデルを提供する。パラメータ抽出１２４０は物理的モデルを提供し、物理的モデルは、マスクレイアウト検証１２２０のために用いられる。かかる処理は、シュリンク補正処理を向上させる。
【００５３】
他の実施形態では、レチクルレイアウトの生成は、形状パターンの形状と同じサイズの形状を形成してよく、この場合、シュリンク補正規則は、形状のサイズを大きくして、パターン化された線の寸法を小さくするために用いられてよい。別の実施形態では、レチクルレイアウト１２０８およびシュリンク補正１２１２は、複数のレチクルレイアウトの生成と、シュリンク補正の実行との両方を行う１つの工程で実行されてよいが、その場合も、明確にするために、２つの工程として示されてよい。
【００５４】
シュリンク補正とＯＰＣとの違いの一部を以下に示す。ＯＰＣは、結果として形成されるパターン化フォトレジスト層が、所望の形状と同様の形になるように、レチクルに対して実行される。シュリンク補正は、結果として形成されるパターン化フォトレジスト層が、所望の形状と同様の形にならないように、レチクルに対して実行され、シュリンク補正の結果として、パターン化フォトレジスト層は、結果としての形状と異なるものになる。次に実行される側壁の形成が、パターン化フォトレジスト層を、所望の形状と同じ形にする。ＯＰＣは、高分解能のパターン化フォトレジスト層を提供するために実行される。シュリンク補正は、低分解能のパターン化フォトレジストにより、ウエハ上に高分解能の結果物を形成するために実行される。ＯＰＣは、フォトレジスト材料を追加するための規則を提供して、パターン化フォトレジスト層を形成する際の追加の材料の損失を補正する。シュリンク補正は、追加の材料を除去する規則を提供して、側壁層を形成する際の材料の追加を補正する。
【００５５】
様々な実施形態において、エッチングされた形状を測定して、シュリンク制御情報を提供してもよいし、側壁層の形成が測定された後のパターン化フォトレジスト層形状を測定して、シュリンク制御情報を提供してもよい。これらの測定結果は、形状レイアウトまたはレチクルレイアウトと比較されてよい。
【００５６】
一部の処理では、第１のレチクルを用いて、高密度の形状を提供し、第２のレチクルを用いて、より密度の低い形状を提供していた。かかるレチクルが必要なのは、高密度の形状は、低密度の形状と異なる露光またはフォトレジストを必要としていたからである。代わりに、シュリンク補正と、複数のレチクルの形成とを利用すると、同じリソグラフィツールおよびフォトレジストを用いて、１つのレチクル上にいくつかの高密度の形状を形成して、別のレチクル上に高密度の形状および低密度の形状の両方を形成することができる。
【００５７】
本発明の別の実施形態では、３以上のレチクルを用いてもよい。例えば、形状レイアウトが、各レチクルのピッチの３分の１のピッチを有するように、３つのレチクルを用いてもよい。別の実施形態では、形状レイアウトが、各レチクルのピッチの４分の１のピッチを有するように、４つのレチクルを用いてもよい。かかる複数マスク処理については、Ｊｅｆｆｒｅｙ ＭａｒｋｓおよびＲｅｚａ Ｓａｄｊａｄｉによって２００５年２月３日に出願された米国特許出願Ｎｏ．１１／０５０，９８５、「Ｒｅｄｕｃｔｉｏｎ ｏｆ Ｆｅａｔｕｒｅ Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎｓ Ｕｓｉｎｇ Ｍｕｌｔｉｐｌｅ Ｍａｓｋｓ」で説明されており、その出願内容は、本明細書において参照される対象とする。
【００５８】
以上、いくつかの好ましい実施形態を参照しつつ本発明について説明したが、本発明の範囲内で、様々な代替物、置換物、および等価物が存在する。また、本発明の方法および装置を実施する他の態様が数多く存在することにも注意されたい。したがって、添付の特許請求の範囲は、本発明の真の趣旨および範囲内に含まれる代替物、置換物、および等価物の全てを網羅するものとして解釈される。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
形状レイアウトピッチを有する形状レイアウトを受信する工程と、
前記形状レイアウトから複数のレチクルレイアウトを生成する工程と
を備えた方法であって、
前記複数のレチクルレイアウトの各レチクルレイアウトは、レチクルレイアウトピッチを有し、各レチクルレイアウトピッチは、前記形状レイアウトピッチの少なくとも２倍である方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記複数のレチクルレイアウトの内の第１のレチクルレイアウトは、第１のアライメントマークを備え、
前記複数のレチクルレイアウトの内の第２のレチクルレイアウトは、前記第１のレチクルレイアウトの前記第１のアライメントマークに対応する第１のアライメントマークと、前記第１のレチクルレイアウトには対応するものがない第２のアライメントマークとを備える方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の方法であって、さらに、前記複数のレチクルレイアウトの各々に対して、シュリンク補正を実行する工程を備える方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の方法であって、さらに、前記複数のレチクルレイアウトから複数のレチクルを生成する工程を備える方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法であって、さらに、
前記複数のレチクルの内の第１のレチクルを用いて、基板の上に第１のパターン化層を形成する工程と、
前記第１のパターン化層を覆うように側壁層を形成する工程と、
前記第１のパターン化層および側壁層を通して、前記基板内に第１組の形状をエッチングする工程と、
前記複数のレチクルの内の第２のレチクルを用いて、前記第１組の形状がエッチングされた前記基板の上に第２のパターン化層を形成する工程と、
前記第２のパターン化層を覆うように側壁層を形成する工程と、
前記第２のパターン化層および側壁層を通して、前記基板内に第２組の形状をエッチングする工程と
を備える方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法であって、前記第１組の形状は、前記第２組の形状と同じ深さまでエッチングされる方法。
【請求項７】
請求項４ないし６のいずれかに記載の方法であって、
前記第１のレチクルレイアウトの前記第１のアライメントマークは、前記第１のレチクルにおける第１のアライメントマークを形成するために用いられ、
前記第２のレチクルレイアウトの前記第１のアライメントマークおよび前記第２のアライメントマークは、前記第２のレチクルにおける第１のアライメントマークおよび第２のアライメントマークを形成するために用いられる方法。
【請求項８】
請求項５ないし７のいずれかに記載の方法であって、側壁層を形成する前記工程は、前記第１のパターン化層のＣＤを少なくとも５０％低減する方法。
【請求項９】
請求項５ないし８のいずれかに記載の方法であって、側壁層を形成する前記工程は、前記第２のパターン化層のＣＤを少なくとも５０％低減する方法。
【請求項１０】
請求項５ないし９のいずれかに記載の方法であって、前記第１組の形状は、前記第２組の形状と同じ深さまでエッチングされ、前記シュリンク補正を実行する前記工程は、低密度の形状と高密度の形状とで異なる要件を排除する方法。
【請求項１１】
請求項２ないし１０のいずれかに記載の方法であって、前記第２のレチクルレイアウトの前記第２のアライメントマークは、別の層に対するアライメントに利用される方法。
【請求項１２】
コンピュータ読み取り可能な媒体を備えた装置であって、
形状レイアウトピッチを有する形状レイアウトを受信するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、
前記形状レイアウトから複数のレチクルレイアウトを生成するためのコンピュータ読み取り可能なコードと
を備え、
前記複数のレチクルレイアウトの各レチクルレイアウトは、レチクルレイアウトピッチを有し、各レチクルレイアウトピッチは、前記形状レイアウトピッチの少なくとも２倍である装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の装置であって、
前記複数のレチクルレイアウトの内の第１のレチクルレイアウトは、第１のアライメントマークを備え、
前記複数のレチクルレイアウトの内の第２のレチクルレイアウトは、前記第１のレチクルレイアウトの前記第１のアライメントマークに対応する第１のアライメントマークと、前記第１のレチクルレイアウトには対応するものがない第２のアライメントマークとを備える装置。
【請求項１４】
請求項１２または１３に記載の装置であって、さらに、前記複数のレチクルレイアウトの各々に対して、シュリンク補正を実行するためのコンピュータ読み取り可能なコードを備える装置。
【請求項１】
形状レイアウトピッチを有する形状レイアウトを受信する工程と、
前記形状レイアウトから複数のレチクルレイアウトを生成する工程と
を備えた方法であって、
前記複数のレチクルレイアウトの各レチクルレイアウトは、レチクルレイアウトピッチを有し、各レチクルレイアウトピッチは、前記形状レイアウトピッチの少なくとも２倍である方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記複数のレチクルレイアウトの内の第１のレチクルレイアウトは、第１のアライメントマークを備え、
前記複数のレチクルレイアウトの内の第２のレチクルレイアウトは、前記第１のレチクルレイアウトの前記第１のアライメントマークに対応する第１のアライメントマークと、前記第１のレチクルレイアウトには対応するものがない第２のアライメントマークとを備える方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の方法であって、さらに、前記複数のレチクルレイアウトの各々に対して、シュリンク補正を実行する工程を備える方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の方法であって、さらに、前記複数のレチクルレイアウトから複数のレチクルを生成する工程を備える方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法であって、さらに、
前記複数のレチクルの内の第１のレチクルを用いて、基板の上に第１のパターン化層を形成する工程と、
前記第１のパターン化層を覆うように側壁層を形成する工程と、
前記第１のパターン化層および側壁層を通して、前記基板内に第１組の形状をエッチングする工程と、
前記複数のレチクルの内の第２のレチクルを用いて、前記第１組の形状がエッチングされた前記基板の上に第２のパターン化層を形成する工程と、
前記第２のパターン化層を覆うように側壁層を形成する工程と、
前記第２のパターン化層および側壁層を通して、前記基板内に第２組の形状をエッチングする工程と
を備える方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法であって、前記第１組の形状は、前記第２組の形状と同じ深さまでエッチングされる方法。
【請求項７】
請求項４ないし６のいずれかに記載の方法であって、
前記第１のレチクルレイアウトの前記第１のアライメントマークは、前記第１のレチクルにおける第１のアライメントマークを形成するために用いられ、
前記第２のレチクルレイアウトの前記第１のアライメントマークおよび前記第２のアライメントマークは、前記第２のレチクルにおける第１のアライメントマークおよび第２のアライメントマークを形成するために用いられる方法。
【請求項８】
請求項５ないし７のいずれかに記載の方法であって、側壁層を形成する前記工程は、前記第１のパターン化層のＣＤを少なくとも５０％低減する方法。
【請求項９】
請求項５ないし８のいずれかに記載の方法であって、側壁層を形成する前記工程は、前記第２のパターン化層のＣＤを少なくとも５０％低減する方法。
【請求項１０】
請求項５ないし９のいずれかに記載の方法であって、前記第１組の形状は、前記第２組の形状と同じ深さまでエッチングされ、前記シュリンク補正を実行する前記工程は、低密度の形状と高密度の形状とで異なる要件を排除する方法。
【請求項１１】
請求項２ないし１０のいずれかに記載の方法であって、前記第２のレチクルレイアウトの前記第２のアライメントマークは、別の層に対するアライメントに利用される方法。
【請求項１２】
コンピュータ読み取り可能な媒体を備えた装置であって、
形状レイアウトピッチを有する形状レイアウトを受信するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、
前記形状レイアウトから複数のレチクルレイアウトを生成するためのコンピュータ読み取り可能なコードと
を備え、
前記複数のレチクルレイアウトの各レチクルレイアウトは、レチクルレイアウトピッチを有し、各レチクルレイアウトピッチは、前記形状レイアウトピッチの少なくとも２倍である装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の装置であって、
前記複数のレチクルレイアウトの内の第１のレチクルレイアウトは、第１のアライメントマークを備え、
前記複数のレチクルレイアウトの内の第２のレチクルレイアウトは、前記第１のレチクルレイアウトの前記第１のアライメントマークに対応する第１のアライメントマークと、前記第１のレチクルレイアウトには対応するものがない第２のアライメントマークとを備える装置。
【請求項１４】
請求項１２または１３に記載の装置であって、さらに、前記複数のレチクルレイアウトの各々に対して、シュリンク補正を実行するためのコンピュータ読み取り可能なコードを備える装置。
【図１Ａ】
【図１Ｂ】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図３】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図４Ｃ】
【図４Ｄ】
【図４Ｅ】
【図４Ｆ】
【図４Ｇ】
【図４Ｈ】
【図５】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４Ａ】
【図１４Ｂ】
【図１５Ａ】
【図１５Ｂ】
【図１６Ａ】
【図１６Ｂ】
【図１７Ａ】
【図１７Ｂ】
【図１８】
【図１Ｂ】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図３】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図４Ｃ】
【図４Ｄ】
【図４Ｅ】
【図４Ｆ】
【図４Ｇ】
【図４Ｈ】
【図５】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４Ａ】
【図１４Ｂ】
【図１５Ａ】
【図１５Ｂ】
【図１６Ａ】
【図１６Ｂ】
【図１７Ａ】
【図１７Ｂ】
【図１８】
【公開番号】特開２０１３−５８７７２（Ｐ２０１３−５８７７２Ａ）
【公開日】平成２５年３月２８日（２０１３．３．２８）
【国際特許分類】
【外国語出願】
【出願番号】特願２０１２−２３６４２２（Ｐ２０１２−２３６４２２）
【出願日】平成２４年１０月２６日（２０１２．１０．２６）
【分割の表示】特願２００８−５１１１９３（Ｐ２００８−５１１１９３）の分割
【原出願日】平成１８年５月２日（２００６．５．２）
【出願人】（５９２０１００８１）ラム リサーチ コーポレーション (467)
【氏名又は名称原語表記】ＬＡＭ ＲＥＳＥＡＲＣＨ ＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年３月２８日（２０１３．３．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−２３６４２２（Ｐ２０１２−２３６４２２）
【出願日】平成２４年１０月２６日（２０１２．１０．２６）
【分割の表示】特願２００８−５１１１９３（Ｐ２００８−５１１１９３）の分割
【原出願日】平成１８年５月２日（２００６．５．２）
【出願人】（５９２０１００８１）ラム リサーチ コーポレーション (467)
【氏名又は名称原語表記】ＬＡＭ ＲＥＳＥＡＲＣＨ ＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ
【Ｆターム（参考）】
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