記憶装置の制御装置、磁気記憶媒体、記憶装置及び記憶装置のオフセット量決定方法
【課題】ＤＴＭであっても、記憶素子と再生素子との間のオフセット量を容易に決定することができる。
【解決手段】トラック３３と、隣接するトラック３３間を磁気的に分離するガード帯とを同心円状に交互に配置したＤＴＭ３Ａであって、ＤＴＭ３Ａの一部領域に、磁気ヘッド部の記憶素子と再生素子との間のオフセット量を測定する際に使用するオフセット量測定領域３５を配置し、オフセット量を測定する際に、オフセット量測定領域３５上に、記憶素子の中心位置でのオフセット測定データＸの書き込みを確保できるように、オフセット量測定領域３５内に、隣接するトラック３３間を横断して、オフセット測定データＸの書き込み及び再生を可能にする横断トラック３６を配置するようにした。
【解決手段】トラック３３と、隣接するトラック３３間を磁気的に分離するガード帯とを同心円状に交互に配置したＤＴＭ３Ａであって、ＤＴＭ３Ａの一部領域に、磁気ヘッド部の記憶素子と再生素子との間のオフセット量を測定する際に使用するオフセット量測定領域３５を配置し、オフセット量を測定する際に、オフセット量測定領域３５上に、記憶素子の中心位置でのオフセット測定データＸの書き込みを確保できるように、オフセット量測定領域３５内に、隣接するトラック３３間を横断して、オフセット測定データＸの書き込み及び再生を可能にする横断トラック３６を配置するようにした。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記憶媒体にデータを書き込み、又はデータを再生するための磁気ヘッド部の記憶素子と再生素子との間のオフセット量を決定する記憶装置の制御装置、磁気記憶媒体、記憶装置及び記憶装置のオフセット量決定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば記憶装置としてのハードディスクは、パソコンの記憶装置やハードディスクドライブ（以下、単にＨＤＤと称する）レコーダ等の記憶装置として使用されている。そして、その記憶密度は、年々、高くなっているのが現状である。
【０００３】
そこで、近年では、長手記録方式から垂直磁気記録方式に変更することで、更なる記憶密度の改善が図られている。
【０００４】
また、更なる記憶密度を改善する策として、ディスクリートトラックメディア（Ｄｉｓｃｒｅｅｔ Ｔｒａｃｋ Ｍｅｄｉａ：以下、単にＤＴＭと称する）やビットパターンメディア（Ｂｉｔ Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｍｅｄｉａ：以下、単にＢＰＭと称する）等の様々な媒体に対する研究開発が盛んに行われている。
【０００５】
図１４は、一般的なＤＴＭ内部のデータトラック及びサーボパターンの配置を端的に示す平面模式図、図１５は、一般的なＤＴＭ内部のトラック及びガード帯の配置関係を端的に示す一部破断した模式図である。
【０００６】
図１４に示すＤＴＭ２００は、データの書き込み及び再生が可能な複数のデータトラック２０１及び、これら複数のデータトラック２０１間に配置し、データトラック２０１の位置情報を再生可能にするサーボパターン２０２を含むトラック２０３と、隣接するトラック２０３間を磁気的に分離するガード帯２０４とを同心円状に交互に配置するものである。
【０００７】
図１５に示すＤＴＭ２００では、隣接するトラック２０３間を磁気的に分離するガード帯２０４を配置することで、ガード帯２０４に応じて隣接するトラック２０３へのサイドイレーズを抑制することで、物理的溝形状記憶密度の改善を図ることができる。
【０００８】
また、図１６は、一般的なＢＰＭ内部のトラック及びガード帯の配置関係を端的に示す一部破断した模式図である。
【０００９】
図１６に示すＢＰＭ２１０は、隣接するトラック２１１間をトラッキング方向に磁気的に分離するだけでなく、ダウントラック方向、すなわちビット長手方向にも磁気的に分離する非連続のデータトラック２１２の配置構成とすることで、トラック密度のみならず、ビット密度の改善を図るものである。
【００１０】
また、従来のＨＤＤ装置においては、実装する磁気記憶媒体のデータトラックにデータを書き込む記憶素子及び、データトラックに書き込んだデータを再生する再生素子を備えた磁気ヘッド部を備え、記憶素子と再生素子との間には数十μｍの距離がある。
【００１１】
従来のＨＤＤ装置においては、実装する磁気記憶媒体が連続膜の磁気記録層であるため、記憶素子を通じてオフセット測定データを書き込んだ後、磁気ヘッド部をトラッキング方向に移動しながら再生素子を通じて再生出力し、オフセット測定データを書き込んだ書き込み位置に対する再生出力が最大となる再生位置までのズレ量（距離）を、再生素子と記憶素子との間のオフセット量として決定するものである。
【００１２】
従って、従来のＨＤＤ装置によれば、再生素子と記憶素子との間のオフセット量に基づき、データトラックに対する再生素子及び記憶素子の位置決めを円滑に行うことができる。
【００１３】
【特許文献１】特開平９−４５０２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、従来のＨＤＤ装置によれば、連続膜の磁気記録層を備えた磁気記憶媒体においてはデータトラックに対してオフセット測定データを書き込んだ後、磁気ヘッド部をトラッキング方向に移動しながら再生素子を通じて再生出力し、オフセット測定データを書き込んだ書き込み位置に対する再生出力が最大となる再生位置までの距離を再生素子と記憶素子との間のオフセット量として決定するようにしたが、ＤＴＭやＢＰＭ等の磁気記憶媒体においてはデータトラックのトラック位置が固定、しかも、隣接するトラック間にガード帯があるため、データトラックの中心にオフセット測定データを確実に書き込む必要がある。
【００１５】
従って、従来のＨＤＤ装置によれば、隣接するトラック間にガード帯があるＤＴＭやＢＰＭ等の磁気記憶媒体においては、磁気ヘッド部の記憶素子と再生素子との間のオフセット量を決定するのは難しい。
【００１６】
本発明は上記点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、隣接するトラック間にガード帯を備えたＤＴＭやＢＰＭ等の磁気記憶媒体であっても、磁気ヘッド部の記憶素子と再生素子との間のオフセット量を容易に決定することができる記憶装置の制御装置、磁気記憶媒体、記憶装置及び記憶装置のオフセット量決定方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
開示装置は、データの書き込み及び再生が可能な複数のデータトラック及び、これら複数のデータトラック間に配置し、前記データトラックの位置情報を再生可能にするサーボパターンを含むトラックと、隣接するトラック間を磁気的に分離するガード帯とを同心円状に交互に配置し、磁気ヘッド部の記憶素子と再生素子との間のオフセット量を測定するためのオフセット測定データに関わる前記記憶素子の中心位置での書き込みを可能にすべく、前記ガード帯を介して隣接するトラック間を横断するように横断トラックを形成したオフセット量測定領域を有する磁気記憶媒体を回転駆動する回転駆動制御部と、前記磁気記憶媒体に対して、前記磁気ヘッド部をトラッキング方向に移動制御する磁気ヘッド駆動制御部と、オフセット量測定開始信号を検出すると、前記記憶素子を通じて前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと共に、前記トラッキング方向での前記記憶素子の書き込み位置を記憶する書き込み制御部と、
前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと、前記磁気ヘッド駆動制御部を通じて前記磁気ヘッド部の前記再生素子の中心位置を、前記書き込み位置に関わる再生可能範囲内の再生位置に、所定距離単位で順次合わせて再生出力する再生制御部と、前記再生位置毎の再生出力のピーク値の内、最大のピーク値に相当する再生位置を前記再生素子の再生位置として特定し、前記記憶素子の書き込み位置及び前記再生素子の再生位置に基づき、前記記憶素子と前記再生素子との間の移動距離としてオフセット量を決定するオフセット量決定部とを有することを要件とする。
【００１８】
また、開示の媒体は、データの書き込み及び再生が可能な複数のデータトラック及び、これら複数のデータトラック間に配置し、前記データトラックの位置情報を再生可能にするサーボパターンを含むトラックと、隣接するトラック間を磁気的に分離するガード帯とを同心円状に交互に配置した磁気記憶媒体であって、この磁気記憶媒体の一部領域に、前記磁気記憶媒体にデータを書き込む記憶装置の記憶素子と前記磁気記憶媒体に書き込んだデータを再生する前記記憶装置の再生素子との間のオフセット量を測定する際に使用するオフセット量測定領域を配置し、前記オフセット量を測定する際に、前記オフセット量測定領域上に前記記憶素子の中心位置でのオフセット測定データの書き込みを確保できるように、前記オフセット量測定領域内に、前記ガード帯を介して隣接するトラック間を横断して、前記オフセット測定データの書き込み及び再生を可能にする横断トラックを配置したことを要件とする。
【００１９】
また、開示装置は、データの書き込み及び再生が可能な複数のデータトラック及び、これら複数のデータトラック間に配置し、前記データトラックの位置情報を再生可能にするサーボパターンを含むトラックと、隣接するトラック間を磁気的に分離するガード帯とを同心円状に交互に配置し、前記ガード帯を介して隣接するトラック間を横断して、オフセット測定データの書き込み及び再生を可能にする横断トラックを形成したオフセット量測定領域を備えた磁気記憶媒体と、前記磁気記憶媒体にデータを書き込む記憶素子及び、前記磁気記憶媒体からデータを再生する再生素子を備えた磁気ヘッド部と、前記磁気記憶媒体を回転駆動する回転駆動制御部と、前記磁気ヘッド部をトラッキング方向に移動制御する磁気ヘッド駆動制御部と、オフセット量測定開始信号を検出すると、前記記憶素子を通じて前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと共に、前記トラッキング方向の前記記憶素子の書き込み位置を記憶する書き込み制御部と、前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと、前記磁気ヘッド駆動制御部を通じて前記磁気ヘッド部の前記再生素子の中心位置を、前記書き込み位置に関わる再生可能範囲内の再生位置に、所定距離単位で順次合わせて再生出力する再生制御部と、前記再生位置毎の再生出力のピーク値の内、最大のピーク値に相当する再生位置を前記再生素子の再生位置とし、前記記憶素子の書き込み位置及び前記再生素子の再生位置に基づき、前記記憶素子と前記再生素子との間の移動距離としてオフセット量を決定するオフセット量決定部とを有することを要件とする。
【００２０】
また、開示方法は、データの書き込み及び再生が可能な複数のデータトラック及び、これら複数のデータトラック間に配置し、前記データトラックの位置情報を再生可能にするサーボパターンを含むトラックと、隣接するトラック間を磁気的に分離するガード帯とを同心円状に交互に配置し、磁気ヘッド部の記憶素子と再生素子との間のオフセット量を測定するためのオフセット測定データに関わる前記記憶素子の中心位置での書き込みを可能にすべく、前記ガード帯を介して隣接するトラック間を横断するように横断トラックを形成したオフセット量測定領域を備えた磁気記憶媒体を回転駆動する回転駆動制御ステップと、前記磁気記憶媒体に対して、前記磁気ヘッド部をトラッキング方向に移動制御する磁気ヘッド駆動制御ステップと、オフセット量測定開始信号を検出すると、前記記憶素子を通じて前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部にオフセット測定データを書き込むと共に、前記トラッキング方向での前記記憶素子の書き込み位置を記憶する書き込み制御ステップと、前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと、前記磁気ヘッド駆動制御ステップを通じて前記磁気ヘッド部の前記再生素子の中心位置を、前記書き込み位置に関わる再生可能範囲内の再生位置に、所定距離単位で順次合わせて再生出力する再生制御ステップと、前記再生位置毎の再生出力のピーク値の内、最大のピーク値に相当する再生位置を前記再生素子の再生位置とし、前記記憶素子の書き込み位置及び前記再生素子の再生位置に基づき、前記記憶素子と前記再生素子との間の移動距離としてオフセット量を決定するオフセット量決定ステップとを含むことを要件とする。
【発明の効果】
【００２１】
開示装置によれば、オフセット測定データに関わる記憶素子の中心位置での書き込みを可能にすべく、ガード帯を介して隣接するトラック間を横断する横断トラックを形成した磁気記憶媒体を実装することで、記憶素子と再生素子との間のオフセット量の測定に際して、記憶素子の中心位置がトラック中心位置になくても、横断トラックの一部にオフセット測定データが必ず書き込まれるようにしたので、記憶素子の書き込み位置に対する、再生出力が最大ピーク値の再生素子の再生位置を認識することができ、その結果、記憶素子と再生素子との間のオフセット量を簡単に決定することができるという効果を奏する。
【００２２】
また、開示媒体によれば、オフセット測定データに関わる記憶素子の中心位置での書き込みを確保できるように、ガード帯を介して隣接するトラック間を横断する横断トラックを配置するようにしたので、この磁気記憶媒体を実装した記憶装置側では、記憶素子と再生素子との間のオフセット量の測定に際して、記憶素子の中心位置がトラック中心位置になくても、横断トラックの一部にオフセット測定データが必ず書き込まれることになるため、記憶素子の書き込み位置に対する、再生出力が最大ピーク値の再生素子の再生位置を認識することができ、その結果、記憶素子と再生素子との間のオフセット量を簡単に決定することができるという効果を奏する。
【００２３】
また、開示装置によれば、オフセット測定データに関わる記憶素子の中心位置での書き込みを可能にすべく、ガード帯を介して隣接するトラック間を横断する横断トラックを形成した磁気記憶媒体を実装することで、記憶素子と再生素子との間のオフセット量の測定に際して、記憶素子の中心位置がトラック中心位置になくても、横断トラックの一部にオフセット測定データが必ず書き込まれるようにしたので、記憶素子の書き込み位置に対する、再生出力が最大ピーク値の再生素子の再生位置を認識することができ、その結果、記憶素子と再生素子との間のオフセット量を簡単に決定することができるという効果を奏する。
【００２４】
また、開示方法によれば、オフセット測定データに関わる記憶素子の中心位置での書き込みを確保できるように、ガード帯を介して隣接するトラック間を横断する横断トラックを配置するようにしたので、この磁気記憶媒体を実装した記憶装置側では、記憶素子と再生素子との間のオフセット量の測定に際して、記憶素子の中心位置がトラック中心位置になくても、横断トラックの一部にオフセット測定データが必ず書き込まれることになるため、記憶素子の書き込み位置に対する、再生出力が最大ピーク値の再生素子の再生位置を認識することができ、その結果、記憶素子と再生素子との間のオフセット量を簡単に決定することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、図面に基づき本発明の記憶装置の制御装置、磁気記憶媒体、記憶装置及び記憶装置のオフセット量決定方法に関わる実施例について詳細に説明する。
【実施例１】
【００２６】
図１は、実施例１のＨＤＤ装置の概略構成を示す斜視図、図２は、実施例１のＨＤＤ装置内部の概略構成を示すブロック図、図３は、実施例１のＨＤＤ装置の磁気ヘッド部の記憶素子及び再生素子の位置関係を端的に示す説明図である。
【００２７】
図１に示すＨＤＤ装置１は、ベース本体２にＤＴＭ３を実装し、ＤＴＭ３へのデータ書き込み及びＤＴＭ３に書き込んだデータを再生する装置である。
【００２８】
ＨＤＤ装置１は、実装したＤＴＭ３上のトラックに対してデータを書き込み又は再生する磁気ヘッド部４と、磁気ヘッド部４をＤＴＭ３のトラッキング方向に懸架するサスペンション部材５とを有している。
【００２９】
また、ＨＤＤ装置１は、サスペンション部材５を通じて磁気ヘッド部４をＤＴＭ３のトラッキング方向に移動するボイスコイルモータ６と、ＤＴＭ３を所定回転速度で回転駆動するスピンドルモータ７と、このＨＤＤ装置１全体を制御する制御回路８とを有している。
【００３０】
磁気ヘッド部４は、図２及び図３に示すように、ＤＴＭ３上のトラック内のデータトラックにデータを書き込む、高飽和磁束密度を有するＦｅＣｏを主磁極材料の記憶素子４Ａと、トラック内のデータトラック及びサーボパターンからデータを再生する、ＴＭＲ（Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ Ｍａｇｎｅｔｏ Ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ）の再生素子４Ｂとを備えている。
【００３１】
制御回路８は、磁気ヘッド部４を通じてＤＴＭ３上にデータを書き込む又は書き込んだデータを再生する際に信号処理を施すプリアンプ１１と、ボイスコイルモータ６及びスピンドルモータ７を駆動制御するサーボ制御部１２と、各種情報を記憶するメモリ部１３と、各種情報を一時記憶するバッファメモリ部１４と、制御回路８全体を制御するメイン制御部１５とを有している。
【００３２】
サーボ制御部１２は、ボイスコイルモータ６を駆動制御するボイスコイルモータ制御部１２Ａと、スピンドルモータ７を駆動制御するスピンドルモータ制御部１２Ｂとを有している。
【００３３】
また、メイン制御部１５は、オフセット量測定開始を示すオフセット量測定開始信号を検出すると、記憶素子４Ａを通じてオフセット測定データをＤＴＭ３のデータトラック３１上に書き込むと共に、トラッキング方向の記憶素子４Ａの書き込み位置を記憶する書き込み制御部２１と、オフセット測定データを書き込むと、ボイスコイルモータ制御部１２Ａを通じて磁気ヘッド部４の再生素子４Ｂの中心位置を、データトラック３１の再生可能範囲内の再生位置に順次合わせ、再生位置毎に、プリアンプ１１を通じて再生出力する再生制御部２２とを有している。
【００３４】
書き込み制御部２１は、ボイスコイルモータ制御部１２Ａを通じて記憶素子４Ａの書き込み位置を所定距離単位毎にずらし、記憶素子４Ａを通じてオフセット測定データを書き込むものである。
【００３５】
再生制御部２２は、ボイスコイルモータ制御部１２Ａを通じて、書き込み位置毎の再生素子４Ｂの再生位置を所定距離単位、例えば３ｎｍ毎にずらし、再生素子４Ｂを通じてオフセット測定データを再生出力するものである。
【００３６】
メイン制御部１５は、再生制御部２２にて再生位置毎に取得した再生出力（ＴｒａｃｋＡｖｅｒａｇｅ Ａｍｐｌｉｔｕｄｅ：以下、単にＴＡＡと称する）のピーク値を順次更新するピーク値記憶部２３を有している。
【００３７】
また、メイン制御部１５は、ピーク値記憶部２３に記憶中の再生位置毎のピーク値の内、再生出力が最大ピーク値に相当する再生位置を最終的な再生素子４Ｂの再生位置として特定し、記憶素子４Ａの書き込み位置及び再生素子４Ｂの再生位置に基づき、記憶素子４Ａと再生素子４Ｂとの間の距離としてオフセット量を決定するオフセット量決定部２４を有している。
【００３８】
図４は、実施例１のＨＤＤ装置１に実装するＤＴＭ３内部のトラック配置構成を端的に示す説明図である。
【００３９】
ＤＴＭ３は、データの書き込み及び再生が可能な複数のデータトラック３１及び、これら複数のデータトラック３１間に配置し、データトラック３１の位置情報を再生可能にするサーボパターン３２を含むトラック３３と、隣接するトラック３３間を磁気的に分離するガード帯３４とを同心円状に交互に配置している。
【００４０】
メイン制御部１５は、トラック３３上のサーボパターン３２を、磁気ヘッド部４の再生素子４Ｂを通じて再生し、この再生したサーボパターン３２に基づき、サーボ制御部１２のボイスコイルモータ制御部１２Ａを通じて磁気ヘッド部４を駆動制御するものである。
【００４１】
次に実施例１のＨＤＤ装置１の動作について説明する。図５は、実施例１のＨＤＤ装置１の第１オフセット量決定処理に関わる制御回路８の処理動作を示すフローチャートである。
【００４２】
図５に示す第１オフセット量決定処理は、ＤＴＭ３上に対して書き込みアクセス及び再生アクセスを実行する磁気ヘッド部４の記憶素子４Ａ及び再生素子４Ｂ間のオフセット量を決定するための処理である。
【００４３】
図５においてメイン制御部１５内部の書き込み制御部２１は、オフセット量測定開始信号を検出すると、オフセット測定データを書き込むデータトラック３１に対して、記憶素子４Ａを通じて１ＧＦｌｕｘＣｈａｎｇｅ／ｓｅｃ程度の高周波でクロストラック方向に±３μｍ程度のデータ磁気消去、すなわちＡＣバンドイレーズ処理を実行する（ステップＳ１１）。
【００４４】
書き込み制御部２１は、記憶素子４Ａを通じてオフセット測定データを書き込むべく、書き込み位置ＷＰを初期位置ＷＰ０に設定し（ステップＳ１２）、記憶素子４Ａによる書き込みアクセスを開始する（ステップＳ１３）。
【００４５】
書き込み制御部２１は、書き込みアクセスを開始すると、記憶素子４Ａを通じて、図４に示すように、９０ＦｌｕｘＣｈａｎｇｅ／ｓｅｃの単一周波数信号のオフセット測定データＸを現在設定中の書き込み位置ＷＰでデータトラック３１上に書き込む（ステップＳ１４）。
【００４６】
メイン制御部１５内部の再生制御部２２は、再生素子４Ｂを通じてデータトラック３１上に書き込んだオフセット測定データを再生すべく、トラッキング方向の再生位置ＲＰを初期位置ＲＰ０に設定し（ステップＳ１５）、再生素子４Ｂの再生アクセスを開始し（ステップＳ１６）、再生素子４Ｂを通じて、現在再生位置ＲＰでの再生出力（ＴＡＡ）を測定する（ステップＳ１７）。
【００４７】
再生制御部２２は、現在再生位置ＲＰでの再生出力のピーク値が最大ピーク値であるか否かを判定する（ステップＳ１８）。
【００４８】
再生制御部２２は、現在再生位置ＲＰでの再生出力のピーク値が最大ピーク値でない場合（ステップＳ１８否定）、現在再生位置ＲＰが再生終了位置に到達したか否かを判定する（ステップＳ１９）。尚、再生終了位置とは、書き込み位置ＷＰに関わる再生可能範囲から離脱する直前の位置である。
【００４９】
再生制御部２２は、現在再生位置ＲＰが再生終了位置に到達しなかった場合（ステップＳ１９否定）、さらに現在再生位置ＲＰをΔＲＰ分（ΔＲＰ＝３ｎｍ）ずらしてＲＰ＋ΔＲＰを現在再生位置ＲＰとして設定し（ステップＳ２０）、再生素子４Ｂを通じて再生アクセスを開始すべく、ステップＳ１６に移行する。
【００５０】
また、再生制御部２２は、現在再生位置ＲＰのピーク値が最大ピーク値である場合（ステップＳ１８肯定）、現在再生位置ＲＰのピーク値が現在書き込み位置ＷＰでの最大ピーク値としてピーク値記憶部２３に記憶更新する（ステップＳ２１）。
【００５１】
さらに、再生制御部２２は、現在再生位置ＲＰのピーク値が最大ピーク値としてピーク値記憶部２３に記憶更新すると、現在書き込み位置ＷＰでの最大ピーク値の再生位置ＲＰＭＡＸとして記憶更新し（ステップＳ２２）、現在再生位置ＲＰが再生終了位置に到達したか否かを判定すべく、ステップＳ１９に移行する。
【００５２】
つまり、現在書き込み位置ＷＰで書き込んだオフセット測定データＸを初期位置ＲＰ０から再生終了位置に到達するまでΔＲＰ毎に再生素子４Ｂをズラしながら再生出力し、現在書き込み位置ＷＰで書き込んだオフセット測定データＸの内、最大ピーク値の再生位置ＲＰＭＡＸを取得することになる。
【００５３】
次に再生制御部２２は、現在再生位置ＲＰが再生終了位置に到達した場合（ステップＳ１９肯定）、現在書き込み位置ＷＰの最大ピーク値が他の書き込み位置ＷＰでの最大ピーク値を超えたか否かを判定する（ステップＳ２３）。
【００５４】
再生制御部２２は、現在書き込み位置ＷＰの最大ピーク値が他の書き込み位置ＷＰでの最大ピーク値を超えた場合（ステップＳ２３肯定）、現在書き込み位置ＷＰの最大ピーク値を最大ピーク値として記憶更新（ステップＳ２４）、現在書き込み位置ＷＰの最大ピーク値の再生位置ＲＰＭＡＸを記憶更新する（ステップＳ２５）。
【００５５】
再生制御部２２は、現在書き込み位置ＷＰを最大ピーク値の書き込み位置ＷＰＭＡＸとして記憶更新し（ステップＳ２６）、現在書き込み位置ＷＰが書き込み終了位置に到達したか否かを判定する（ステップＳ２７）。尚、書き込み終了位置は、オフセット測定データＸの書き込み可能な範囲から離脱する直前の位置である。
【００５６】
再生制御部２２は、現在書き込み位置ＷＰが書き込み終了位置に到達しなかった場合（ステップＳ２７否定）、再度、オフセット測定データＸの書き込みを実行すべく、現在の書き込み位置ＷＰをΔＷＰ分ずらし、ＷＰ＋ΔＷＰを現在書き込み位置ＷＰとして設定する（ステップＳ２８）。
【００５７】
書き込み制御部２１は、ＷＰ＋ΔＷＰを現在書き込み位置ＷＰとして設定すると、オフセット測定データを書き込むデータトラック３１に対して、記憶素子４Ａを通じて、１ＧＦｌｕｘＣｈａｎｇｅ／ｓｅｃ程度の高周波でクロストラック方向に±３μｍ程度のデータ磁気消去、すなわちＡＣバンドイレーズ処理を実行し（ステップＳ２９）、記憶素子４Ａを通じて現在書き込み位置ＷＰに書き込みアクセスを開始すべく、ステップＳ１３に移行する。
【００５８】
つまり、書き込み位置ＷＰの初期位置ＷＰ０から書き込み終了位置までΔＷＰ毎に順次書き込み、図６に示すように書き込み位置ＷＰ毎に再生出力の最大ピーク値を取得するものである。尚、図６に示す横軸の“０”は書き込み位置ＷＰに相当するものである。
【００５９】
また、書き込み制御部２１は、現在書き込み位置ＷＰでの最大ピーク値が他の書き込み位置ＷＰでの最大ピーク値を超えなかった場合（ステップＳ２３否定）、現在書き込み位置ＷＰが書き込み終了位置に到達したか否かを判定すべく、ステップＳ２７に移行する。
【００６０】
また、メイン制御部１５内部のオフセット量決定部２４は、現在書き込み位置ＷＰが書き込み終了位置に到達した場合（ステップＳ２７肯定）、ピーク記憶部２３に記憶中の最大ピーク値に相当するステップＳ２５の再生位置ＲＰＭＡＸ及びステップＳ２６の書き込み位置ＷＰＭＡＸに基づき、記憶素子４Ａと再生素子４Ｂとの距離を算出し（ステップＳ３０）、この算出した距離を記憶素子４Ａと再生素子４Ｂとの間のオフセット量として決定することで（ステップＳ３１）、図５の処理動作を終了する。
【００６１】
図５に示す第１オフセット量決定処理では、複数の書き込み位置ＷＰ内の複数の再生位置ＲＰの内、再生出力が最大ピーク値の再生位置ＲＰＭＡＸ及び、その最大ピーク値の再生位置ＲＰＭＡＸに関わる書き込み位置ＷＰＭＡＸを特定し、これら特定した再生位置ＲＰＭＡＸ及び書き込み位置ＷＰＭＡＸに基づき、記憶素子４Ａと再生素子４Ｂとの間の距離を算出し、この算出した距離を記憶素子４Ａと再生素子４Ｂとの間のオフセット量として決定するようにしたので、隣接するトラック３１間にガード帯３４を交互に配置したＤＴＭ３であっても、記憶素子４Ａと再生素子４Ｂとの間のオフセット量を決定することができる。
【００６２】
実施例１のＨＤＤ装置１によれば、複数の書き込み位置ＷＰ内の複数の再生位置ＲＰの内、再生出力が最大ピーク値の再生位置ＲＰＭＡＸ及び、その最大ピーク値の再生位置ＲＰＭＡＸに関わる書き込み位置ＷＰＭＡＸを特定し、これら特定した再生位置ＲＰＭＡＸ及び書き込み位置ＷＰＭＡＸに基づき、記憶素子４Ａと再生素子４Ｂとの間の距離を算出し、この算出した距離を記憶素子４Ａと再生素子４Ｂとの間のオフセット量として決定するようにしたので、隣接するトラック３３間にガード帯３４を交互に配置したＤＴＭ３であっても、記憶素子４Ａと再生素子４Ｂとの間のオフセット量を決定することができる。
【００６３】
実施例１のＨＤＤ装置１によれば、オフセット測定データＸの書き込み位置ＷＰが、オフセット測定データＸの書き込みができないガード帯３４上になる場合も考えられるため、書き込み位置ＷＰを順次ずらして、さらに書き込み位置ＷＰ毎に再生位置ＲＰを順次ずらし、これら複数の書き込み位置ＷＰ内の複数の再生位置ＲＰの内、最大ピーク値の再生位置ＲＰＭＡＸ及び、その最大ピーク値の再生位置ＲＰＭＡＸに相当する書き込み位置ＷＰＭＡＸを特定し、これら再生位置ＲＰＭＡＸ及び書き込み位置ＷＰＭＡＸに基づき、記憶素子４Ａと再生素子４Ｂとの間のオフセット量を決定するようにした。
【００６４】
しかしながら、実施例１のＨＤＤ装置１によれば、オフセット測定データＸの書き込み位置ＷＰがガード帯３４上にないことを確認すべく、書き込み位置ＷＰを順次ずらし、その都度、書き込み位置ＷＰ毎に再生位置ＲＰをずらして再生出力を順次測定する必要があるため、その処理に時間を要する。
【実施例２】
【００６５】
そこで、このような事態を打開すべく、次に説明するような、実施例２のＨＤＤ装置を提案する。図７は、実施例２のＨＤＤ装置内部の概略構成を示すブロック図、図８は、実施例２のＨＤＤ装置のトラック配置構成を端的に示す説明図である。尚、実施例１のＨＤＤ装置１と同一の構成については同一符号を付すことで、その重複する構成及び動作の説明については省略する。
【００６６】
実施例１のＨＤＤ装置１と実施例２のＨＤＤ装置１Ａとが異なるところは、図８に示すようにＤＴＭ３Ａの一部領域に、記憶素子４Ａと再生素子４Ｂとの間のオフセット量を測定する際に使用するオフセット量測定領域３５を配置し、オフセット量を測定する際に、オフセット量測定領域３５上に記憶素子４Ａの中心位置でのオフセット測定データＸの書き込み、及び再生素子４Ｂの中心位置でのオフセット測定データＸの再生を確保できるように、オフセット量測定領域３５内に、隣接するトラック３３間を斜行方向に横断して、オフセット測定データＸの書き込み及び再生を可能にする横断トラック３６を複数配置した点にある。
【００６７】
メイン制御部１５内部の書き込み制御部２１Ａは、オフセット量測定開始信号を検出すると、記憶素子４Ａを通じてオフセット量測定領域３５上にオフセット測定データを書き込むと共に、トラッキング方向での記憶素子４Ａの書き込み位置ＷＰを記憶するものである。
【００６８】
また、メイン制御部１５内部の再生制御部２２Ａは、オフセット量測定領域３５上にオフセット測定データを書き込むと、磁気ヘッド部４の再生素子４Ｂの中心位置を、書き込み位置に関わる再生可能範囲内の再生位置ＲＰにΔＲＰ（ΔＲＰ＝３ｎｍ）単位で順次合わせて再生出力するものである。
【００６９】
図９は、実施例２のＨＤＤ装置１Ａに実装するＤＴＭ３Ａの電子線露光処理を実行する電子線露光処理装置内部の概略構成を示すブロック図である。
【００７０】
図９に示す電子線露光処理装置４０は、ＤＴＭ原盤４１を縦横方向（ＸＹ方向）に移動するＸ−Ｙステージ４２と、Ｘ−Ｙステージ４２上のＤＴＭ原盤４１を所定回転速度に回転駆動するスピンドルモータ４３と、電子ビームを出力する電子ビーム源４４と、電子ビーム源４４からの電子ビームをトラッキング方向に調整する電子ビーム調整系４５と、電子ビーム源４４からの電子ビームをフォーカシング方向に調整する電子ビーム集束系４６とを有している。
【００７１】
尚、Ｘ−Ｙステージ４２、スピンドルモータ４３、電子ビーム源４４、電子ビーム調整系４５及び電子ビーム集束系４６は、１０の−４乗パスカルの真空のチャンバ４７内に配置されるものである。
【００７２】
また、電子線露光処理装置４０は、Ｘ−Ｙステージ４２を駆動制御するステージ駆動制御部４８と、スピンドルモータ４３を駆動制御するスピンドルモータ駆動制御部４９と、電子ビーム源４４を駆動制御する電子ビーム制御部５０と、電子ビーム調整系４５及び電子ビーム集束系４６を駆動制御する電子ビーム駆動制御部５１とを有している。
【００７３】
電子線露光処理装置４０は、原盤４１をフォーマット化するフォーマッタ５２と、電子線露光処理装置４０全体を制御するメインコントローラ５３とを有している。
【００７４】
図１０は、実施例２のＤＴＭ製造工程を示すフローチャートである。
【００７５】
図１０においてＤＴＭ製造装置では、精密に研磨したガラスの原盤４１上に厚み５〜１０ｎｍのレジストを塗布し（ステップＳ４１）、電子線露光処理装置４０の電子線露光で、データトラック３１、サーボパターン３２及び横断トラック３６を原盤４１上に形成する（ステップＳ４２）。
【００７６】
尚、電子線露光処理装置４０のメインコントローラ５３は、フォーマッタ５２からの情報に基づき、スピンドルモータ４３で原盤４１を回転し、原盤４１上に電子ビームを集束させると共に、Ｘ−Ｙステージ４２を移動させてデータトラック３１及びサーボパターン３２を原盤４１上に形成するものである。
【００７７】
さらに、電子線露光処理装置４０は、電子ビームを掃引して隣接するトラック３３間を横断する横断トラック３６を原盤４１上の一部領域に形成するものである。尚、電子ビームを掃引する方法としては、電子ビーム集束系４６でトラッキング方向に電子ビームを調整する方法も考えられるが、例えば電子ビームを固定出力したまま、原盤４１を載置したＸ−Ｙステージ４２を駆動することで電子ビームを掃引するようにしても良い。
【００７８】
また、ＤＴＭ製造装置は、電子線露光処理を施した原盤４１に原盤現像を施し（ステップＳ４３）、原盤現像後、スパッタリング法でＡＬ膜を形成するメタライズ処理を施す（ステップＳ４４）。その後、ＤＴＭ製造装置は、原盤４１上に約１５０μｍ程度のＮｉ層を形成する電解メッキ処理を施す（ステップＳ４５）。
【００７９】
次にＤＴＭ製造装置は、原盤４１からＮｉを剥離し（ステップＳ４６）、レジスト除去のための原盤洗浄処理を実行する（ステップＳ４７）。さらに、ＤＴＭ製造装置は、原盤４１の裏面をテープ研磨で磨いた後（ステップＳ４８）、金型打ち抜きで外形加工を施す（ステップＳ４９）。
【００８０】
そして、ＤＴＭ製造装置は、原盤４１上のガラス基板に対してデータトラック３１、サーボパターン３２及び横断トラック３６を加圧転写で形成する（ステップＳ５０）。さらに、ＤＴＭ製造装置は、データトラック３１、サーボパターン３２及び横断トラック３６を加圧転写したガラス基板を洗浄し（ステップＳ５１）、このガラス基板上に、スパッタリング法で垂直磁気記録層を有する膜を形成する（ステップＳ５２）。
【００８１】
さらに、ＤＴＭ製造装置は、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）で垂直磁気記録層上にＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）を形成する（ステップＳ５３）。
【００８２】
その後、ＤＴＭ製造装置は、ＤＬＣ上に潤滑剤を塗布することで潤滑層を形成し（ステップＳ５４）、横断トラック３６、データトラック３１及びサーボパターン３２を形成したＤＴＭ３Ａを製造することになる。尚、ＤＴＭ３Ａでは、例えばデータトラック３１のランド幅を約１００ｎｍ、ガード帯３４の溝幅を約５０ｎｍ、トラックピッチを約１５０ｎｍ、ガード帯３４の溝深さを約７ｎｍ、その溝のテーパー角度を約７０度としている。
【００８３】
次に横断トラック３６を形成したＤＴＭ３Ａを実装する実施例２のＨＤＤ装置１Ａの動作について説明する。図１１は、実施例２のＨＤＤ装置１Ａの第２オフセット量決定処理に関わる制御回路８の処理動作を示すフローチャートである。
【００８４】
図１１に示す第２オフセット量決定処理は、ＤＴＭ３Ａ上に対して書き込みアクセス及び再生アクセスを実行する磁気ヘッド部４の記憶素子４Ａと再生素子４Ｂとの間のオフセット量を決定するための処理である。
【００８５】
図１１においてメイン制御部１５内部の書き込み制御部２１Ａは、オフセット量測定開始信号を検出すると、オフセット量測定領域３５のサーボパターン３２に基づき記憶素子４Ａを移動し、オフセット測定データＸを書き込むオフセット測定領域３５に対して、記憶素子４Ａを通じて１ＧＦｌｕｘＣｈａｎｇｅ／ｓｅｃ程度の高周波でクロストラック方向に±３μｍ程度のデータ磁気消去、すなわちＡＣバンドイレーズ処理を実行する（ステップＳ６１）。
【００８６】
書き込み制御部２１Ａは、記憶素子４Ａを通じてオフセット測定データＸを書き込むべく、所望の書き込み位置ＷＰを設定し（ステップＳ６２）、記憶素子４Ａの書き込みアクセスを開始する（ステップＳ６３）。
【００８７】
書き込み制御部２１Ａは、記憶素子４Ａを通じて、９０ＦｌｕｘＣｈａｎｇｅ／ｓｅｃの単一周波数信号のオフセット測定データＸをオフセット量測定領域３５上に書き込む（ステップＳ６４）。尚、書き込み制御部２１Ａは、図８に示すように、記憶素子４Ａを通じてオフセット量測定領域３５上にオフセット測定データＸを書き込むと、隣接するトラック３３間を横断トラック３６が横断していることになるため、オフセット測定データＸは横断トラック３６上に必ず書き込まれることになる。
【００８８】
メイン制御部１５内部の再生制御部２２Ａは、再生素子４Ｂを通じて横断トラック３６上のオフセット測定データＸを再生すべく、書き込み位置ＷＰに対する再生位置ＲＰとして初期位置ＲＰ０に設定し（ステップＳ６５）、再生素子４Ｂの再生アクセスを開始し（ステップＳ６６）、再生素子４Ｂを通じて、現在再生位置ＲＰでの再生出力（ＴＡＡ）を測定する（ステップＳ６７）。
【００８９】
再生制御部２２Ａは、現在再生位置ＲＰでの再生出力のピーク値が最大ピーク値であるか否かを判定する（ステップＳ６８）。
【００９０】
再生制御部２２Ａは、現在再生位置ＲＰでの再生出力のピーク値が最大ピーク値でない場合（ステップＳ６８否定）、現在再生位置ＲＰが再生終了位置に到達したか否かを判定する（ステップＳ６９）。尚、再生終了位置とは、書き込み位置ＷＰに関わる再生可能範囲から離脱する直前の位置である。
【００９１】
再生制御部２２Ａは、現在再生位置ＲＰが再生終了位置に到達しなかった場合（ステップＳ６９否定）、現在再生位置ＲＰをΔＲＰ（３ｎｍ）分ずらしてＲＰ＋ΔＲＰを現在再生位置ＲＰとして設定し（ステップＳ７０）、再生素子４Ｂを通じて再生アクセスを開始すべく、ステップＳ６６に移行する。
【００９２】
また、再生制御部２２Ａは、現在再生位置ＲＰのピーク値が最大ピーク値である場合（ステップＳ６８肯定）、現在再生位置ＲＰのピーク値が書き込み位置ＷＰでの最大ピーク値としてピーク値記憶部２３に記憶更新する（ステップＳ７１）。
【００９３】
さらに、再生制御部２２Ａは、現在再生位置ＲＰのピーク値が最大ピーク値としてピーク値記憶部２３に記憶更新すると、書き込み位置ＷＰでの最大ピーク値の再生位置ＲＰＭＡＸを記憶更新し（ステップＳ７２）、現在再生位置ＲＰが再生終了位置に到達したか否かを判定すべく、ステップＳ６９に移行する。
【００９４】
尚、現在書き込み位置ＷＰで書き込んだオフセット測定データＸを初期位置ＲＰ０から再生終了位置に到達するまでΔＲＰ毎に再生素子４Ｂをずらしながら再生出力し、図１２に示すように、現在書き込み位置ＷＰで書き込んだオフセット測定データＸの内、最大ピーク値の再生位置ＲＰＭＡＸを取得することになる。
【００９５】
また、オフセット量決定部２４は、現在再生位置ＲＰが再生終了位置に到達した場合（ステップＳ６９肯定）、ピーク記憶部２３に記憶中の最大ピーク値に相当する再生位置ＲＰＭＡＸ及び書き込み位置ＷＰに基づき、記憶素子４Ａと再生素子４Ｂとの間の距離を算出し（ステップＳ７３）、記憶素子４Ａと再生素子４Ｂとの間のオフセット量を決定することで（ステップＳ７４）、図１１の処理動作を終了する。
【００９６】
図１１に示す第２オフセット量決定処理では、ＤＴＭ３Ａ上のオフセット量測定領域３５上の書き込み位置ＷＰにオフセット測定データＸをトラックダウン方向に書き込むことで、オフセット測定データを書き込む書き込み位置ＷＰがデータトラック３１の中心にない場合でも、必ず横断トラック３６上に書き込まれることになるため、その横断トラック３６上を再生位置ＲＰから再生終了位置までΔＲＰ単位毎に順次再生し、書き込み位置ＷＰでの複数の再生位置ＲＰの内、最大ピーク値の再生位置ＲＰＭＡＸを特定し、再生位置ＲＰＭＡＸ及び書き込み位置ＷＰに基づき記憶素子４Ａと再生素子４Ｂとの間の距離を算出し、この算出した距離を記憶素子４Ａと再生素子４Ｂとの間のオフセット量として決定するようにしたので、隣接するトラック３３間にガード帯３４を交互に配置したＤＴＭ３Ａであっても、記憶素子４Ａと再生素子４Ｂとの間のオフセット量を簡単に決定することができる。
【００９７】
また、第２オフセット量決定処理によれば、隣接するトラック３３間を横断トラック３６が横断することになるため、必ず横断トラック３６上にオフセット測定データが書き込まれるようにしたので、書き込み位置ＷＰを順次ずらす必要もなく、図５に示す第１オフセット量決定処理に比較して、その処理時間を大幅に短縮することができる。
【００９８】
実施例２のＨＤＤ装置１Ａでは、ＤＴＭ３Ａ上のオフセット量測定領域３５上の書き込み位置ＷＰにオフセット測定データＸをトラックダウン方向に書き込むことで、オフセット測定データＸを書き込む書き込み位置ＷＰがデータトラック３１の中心にない場合でも、必ず横断トラック３６上に書き込まれることになるため、その横断トラック３６上を再生位置ＲＰから再生終了位置までΔＲＰ単位毎に順次再生し、書き込み位置ＷＰでの複数の再生位置ＲＰの内、最大ピーク値の再生位置ＲＰＭＡＸを特定し、再生位置ＲＰＭＡＸ及び書き込み位置ＷＰに基づき記憶素子４Ａと再生素子４Ｂとの間の距離を算出し、この算出した距離を記憶素子４Ａと再生素子４Ｂとの間のオフセット量として決定するようにしたので、隣接するトラック３１間にガード帯３４を交互に配置したＤＴＭ３Ａであっても、その処理時間を大幅に軽減しながら、記憶素子４Ａと再生素子４Ｂとの間のオフセット量を簡単に決定することができる。
【００９９】
尚、上記実施例２のＨＤＤ装置１ＡのＤＴＭ３Ａの一部領域であるオフセット量測定領域３５においては、図８に示すように、隣接するトラック３３間を横断する横断トラック３６を斜行方向に配置するようにしたが、ＤＴＭ３Ａの構成を次に説明するようにしても良く、実施例３として説明する。
【実施例３】
【０１００】
図１３は、実施例３のＨＤＤ装置に実装するＤＴＭ内部の一部領域のトラック配置構成を端的に示す説明図である。尚、実施例２のＨＤＤ装置１Ａと同一の一部領域については同一符号を付すことで、その重複する構成及び動作の説明については省略する。
【０１０１】
図１３に示すＤＴＭ３Ｂの一部領域には、横断トラック３６を複数配置したオフセット量測定領域３５の他に、オフセット測定データＸに関わる記憶素子４Ａの中心位置での書き込みを可能にすべく、ガード帯３４を介して隣接するトラック３３間を横断するように、横断トラック３６と左右対称の補正用横断トラック３６Ａを複数配置した補正用オフセット量測定領域３５Ａを備えたものである。
【０１０２】
次に実施例３のＨＤＤ装置１Ｂの動作について説明する。
【０１０３】
先ず、メイン制御部１５の書き込み制御部２１Ａは、オフセット量測定開始信号を検出すると、図１１の第２オフセット量決定処理のステップＳ６１乃至６４の処理で、記憶素子４Ａを通じてオフセット量測定領域３５上の横断トラック３６の一部にオフセット測定データＸを書き込んで、記憶素子４Ａの書き込み位置ＷＰを第１書き込み位置ＷＰ１として記憶する。
【０１０４】
そして、再生制御部２２Ａは、図１１の第２オフセット量決定処理のステップＳ６５乃至７２の処理で、図１３に示すように、横断トラック３６の一部にオフセット測定データＸを書き込むと、サーボ制御部１２を通じて再生素子４Ｂの中心位置を、第１書き込み位置ＷＰ１に関わる再生可能範囲内の再生位置ＲＰに、ΔＲＰ単位毎に順次合わせて再生出力する。
【０１０５】
そして、オフセット量決定部２４は、横断トラック３６での再生位置毎の再生出力のピーク値の内、最大のピーク値に相当する再生位置ＲＰＭＡＸを再生素子４Ｂの第１再生位置ＲＰＭＡＸ１として特定し、記憶素子４Ａの第１書き込み位置ＷＰ１及び再生素子４Ｂの第１再生位置ＲＰ１に基づき、記憶素子４Ａと再生素子４Ｂとの間の移動距離として第１オフセット量を特定記憶する。
【０１０６】
次に書き込み制御部２１Ａは、図１１の第２オフセット量決定処理のステップＳ６１乃至６４の処理で、図１３に示すように、記憶素子４Ａを通じて補正用オフセット量測定領域３５Ａ上の補正用横断トラック３６Ａの一部にオフセット測定データＸを書き込んで、記憶素子４Ａの書き込み位置ＷＰを第２書き込み位置ＷＰ２として記憶する。
【０１０７】
さらに、再生制御部２２Ａは、図１１の第２オフセット量決定処理のステップＳ６５乃至７２の処理で、補正用横断トラック３６Ａの一部にオフセット測定データＸを書き込むと、サーボ制御部１２を通じて再生素子４Ｂの中心位置を、第２書き込み位置ＷＰ２に関わる再生可能範囲内の再生位置ＲＰに、ΔＲＰ単位毎に順次合わせて再生出力する。
【０１０８】
オフセット量決定部２４は、補正用横断トラック３６Ａでの再生位置ＲＰ毎の再生出力のピーク値の内、最大のピーク値に相当する再生位置ＲＰＭＡＸを再生素子４Ｂの第２再生位置ＲＰＭＡＸ２として特定する。
【０１０９】
そして、オフセット量決定部２４は、記憶素子４Ａの第２書き込み位置ＷＰ２及び再生素子４Ｂの第２再生位置ＲＰＭＡＸ２に基づき、記憶素子４Ａと再生素子４Ｂとの間の移動距離として第２オフセット量を特定記憶する。
【０１１０】
そして、オフセット量決定部２４は、記憶中の横断トラック３６Ａで特定した第１オフセット量と、記憶中の補正用横断トラック３６Ａで特定した第２オフセット量との平均値を、記憶素子４Ａと再生素子４Ｂとの間のオフセット量として決定する。
【０１１１】
実施例３のＨＤＤ装置１Ｂによれば、オフセット量測定領域３５の横断トラック３６で特定した第１オフセット量と、補正用オフセット量測定領域３５Ａの補正用横断トラック３６Ａで特定した第２オフセット量との平均値を、磁気ヘッド部４の記憶素子４Ａと再生素子４Ｂとの間のオフセット量としたので、実施例２のＨＤＤ装置１Ａと比較して、データトラックパターン形成時の位置ズレ量を補正しながら、オフセット量の測定精度を向上させることができる。
【０１１２】
また、上記実施例１乃至３においては、磁気記憶媒体としてＤＴＭ３（３Ａ，３Ｂ）について説明したが、ダウントラック方向に固定ビットを形成したＢＰＭであっても、トラッキング方向に隣接するトラック間に横断トラックや補正用横断トラックを配置するようにしても良く、この場合でも同様の効果が得られることは言うまでもない。
【０１１３】
以上、本発明の実施例について説明したが、本実施例によって本発明の技術的思想の範囲が限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した技術的思想の範囲を逸脱しない限り、各種様々な実施例が実施可能であることは言うまでもない。また、本実施例に記載した効果は、これに限定されるものではない。
【０１１４】
また、本実施例で説明した各種処理の内、自動的に行われるものとして説明した処理の全部又は一部を手動で行うことも可能であることは勿論のこと、その逆に、手動で行われるものとして説明した処理の全部又は一部を自動で行うことも可能であることは言うまでもない。また、本実施例で説明した処理手順、制御手順、具体的名称、各種データやパラメータを含む情報についても、特記した場合を除き、適宜変更可能であることは言うまでもない。
【０１１５】
また、図示した各装置の各構成要素は機能概念的に記載したものであって、必ずしも物理的に図示のように構成されるものではなく、その各装置の具体的な態様は図示のものに限縮されるものでは到底ないことは言うまでもない。
【０１１６】
さらに、各装置で行われる各種処理機能は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）（又はＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、ＭＣＵ（Ｍｉｃｒｏ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ Ｕｎｉｔ）等のマイクロ・コンピュータ）上、又は同ＣＰＵ（又はＭＰＵ、ＭＣＵ等のマイクロ・コンピュータ）で解析実行するプログラム上、又はワイヤードロジックによるハードウェア上で、その全部又は任意の一部を実行するようにしても良いことは言うまでもない。
【０１１７】
以上、上記実施例１乃至３を含む実施の形態に関し、更に以下の付記を開示する。
【０１１８】
（付記１）データの書き込み及び再生が可能な複数のデータトラック及び、これら複数のデータトラック間に配置し、前記データトラックの位置情報を再生可能にするサーボパターンを含むトラックと、隣接するトラック間を磁気的に分離するガード帯とを同心円状に交互に配置し、磁気ヘッド部の記憶素子と再生素子との間のオフセット量を測定するためのオフセット測定データに関わる前記記憶素子の中心位置での書き込みを可能にすべく、前記ガード帯を介して隣接するトラック間を横断するように横断トラックを形成したオフセット量測定領域を有する磁気記憶媒体を回転駆動する回転駆動制御部と、
前記磁気記憶媒体に対して、前記磁気ヘッド部をトラッキング方向に移動制御する磁気ヘッド駆動制御部と、
オフセット量測定開始信号を検出すると、前記記憶素子を通じて前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと共に、前記トラッキング方向での前記記憶素子の書き込み位置を記憶する書き込み制御部と、
前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと、前記磁気ヘッド駆動制御部を通じて前記磁気ヘッド部の前記再生素子の中心位置を、前記書き込み位置に関わる再生可能範囲内の再生位置に、所定距離単位で順次合わせて再生出力する再生制御部と、
前記再生位置毎の再生出力のピーク値の内、最大のピーク値に相当する再生位置を前記再生素子の再生位置として特定し、前記記憶素子の書き込み位置及び前記再生素子の再生位置に基づき、前記記憶素子と前記再生素子との間の移動距離としてオフセット量を決定するオフセット量決定部と
を有することを特徴とする記憶装置の制御装置。
【０１１９】
（付記２）前記横断トラックは、
前記ガード帯を介して隣接するトラック間を斜行方向に横断するように、前記オフセット量測定領域内部に配置したことを特徴とする付記１記載の記憶装置の制御装置。
【０１２０】
（付記３）前記磁気記憶媒体は、
前記オフセット量測定領域の他に、前記オフセット測定データに関わる前記記憶素子の中心位置での書き込みを可能にすべく、前記ガード帯を介して隣接するトラック間を横断するように、前記横断トラックと左右対称の補正用横断トラックを形成した補正用オフセット量測定領域を有し、
前記書き込み制御部は、
前記記憶素子を通じて前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込んで、前記記憶素子の書き込み位置を第１書き込み位置として記憶し、
前記再生制御部は、
前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと、前記磁気ヘッド駆動制御部を通じて前記再生素子の中心位置を、前記第１書き込み位置に関わる再生可能範囲内の再生位置に、所定距離単位で順次合わせて再生出力し、
前記オフセット量決定部は、
前記横断トラックでの前記再生位置毎の再生出力のピーク値の内、最大のピーク値に相当する再生位置を前記再生素子の第１再生位置として特定し、前記記憶素子の第１書き込み位置及び前記再生素子の第１再生位置に基づき、前記記憶素子と前記再生素子との間の移動距離として第１オフセット量を特定し、
前記書き込み制御部は、
前記記憶素子を通じて前記補正用オフセット量測定領域上の前記補正用横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込んで、前記記憶素子の書き込み位置を第２書き込み位置として記憶し、
前記再生制御部は、
前記補正用横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと、前記磁気ヘッド駆動制御部を通じて前記再生素子の中心位置を、前記第２書き込み位置に関わる再生可能範囲内の再生位置に、所定距離単位で順次合わせて再生出力し、
前記オフセット量決定部は、
前記補正用横断トラックでの前記再生位置毎の再生出力のピーク値の内、最大のピーク値に相当する再生位置を前記再生素子の第２再生位置として特定し、前記記憶素子の第２書き込み位置及び前記再生素子の第２再生位置に基づき、前記記憶素子と前記再生素子との間の移動距離として第２オフセット量を特定し、前記第１オフセット量及び前記第２オフセット量の平均値を、前記記憶素子と前記再生素子との間のオフセット量として決定することを特徴とする付記１又は２記載の記憶装置の制御装置。
【０１２１】
（付記４）データの書き込み及び再生が可能な複数のデータトラック及び、これら複数のデータトラック間に配置し、前記データトラックの位置情報を再生可能にするサーボパターンを含むトラックと、隣接するトラック間を磁気的に分離するガード帯とを同心円状に交互に配置した磁気記憶媒体であって、
この磁気記憶媒体の一部領域に、前記磁気記憶媒体にデータを書き込む記憶装置の記憶素子と前記磁気記憶媒体に書き込んだデータを再生する前記記憶装置の再生素子との間のオフセット量を測定する際に使用するオフセット量測定領域を配置し、
前記オフセット量を測定する際に、前記オフセット量測定領域上に前記記憶素子の中心位置でのオフセット測定データの書き込みを確保できるように、前記オフセット量測定領域内に、前記ガード帯を介して隣接するトラック間を横断して、前記オフセット測定データの書き込み及び再生を可能にする横断トラックを配置したことを特徴とする磁気記憶媒体。
【０１２２】
（付記５）前記横断トラックは、
前記ガード帯を介して隣接するトラック間を斜行方向に横断するように、前記オフセット量測定領域内部に配置したことを特徴とする付記４記載の磁気記憶媒体。
【０１２３】
（付記６）前記磁気記憶媒体の一部領域に、
前記オフセット量測定領域の他に、前記オフセット測定データに関わる前記記憶素子の中心位置での書き込みを可能にすべく、前記ガード帯を介して隣接するトラック間を横断するように、前記横断トラックと左右対称の補正用横断トラックを形成した補正用オフセット量測定領域を有することを特徴とする付記４又は５記載の磁気記憶媒体。
【０１２４】
（付記７）データの書き込み及び再生が可能な複数のデータトラック及び、これら複数のデータトラック間に配置し、前記データトラックの位置情報を再生可能にするサーボパターンを含むトラックと、隣接するトラック間を磁気的に分離するガード帯とを同心円状に交互に配置し、前記ガード帯を介して隣接するトラック間を横断して、オフセット測定データの書き込み及び再生を可能にする横断トラックを形成したオフセット量測定領域を備えた磁気記憶媒体と、
前記磁気記憶媒体にデータを書き込む記憶素子及び、前記磁気記憶媒体からデータを再生する再生素子を備えた磁気ヘッド部と、
前記磁気記憶媒体を回転駆動する回転駆動制御部と、
前記磁気ヘッド部をトラッキング方向に移動制御する磁気ヘッド駆動制御部と、
オフセット量測定開始信号を検出すると、前記記憶素子を通じて前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと共に、前記トラッキング方向の前記記憶素子の書き込み位置を記憶する書き込み制御部と、
前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと、前記磁気ヘッド駆動制御部を通じて前記磁気ヘッド部の前記再生素子の中心位置を、前記書き込み位置に関わる再生可能範囲内の再生位置に、所定距離単位で順次合わせて再生出力する再生制御部と、
前記再生位置毎の再生出力のピーク値の内、最大のピーク値に相当する再生位置を前記再生素子の再生位置とし、前記記憶素子の書き込み位置及び前記再生素子の再生位置に基づき、前記記憶素子と前記再生素子との間の移動距離としてオフセット量を決定するオフセット量決定部と
を有することを特徴とする記憶装置。
【０１２５】
（付記８）前記横断トラックは、
前記ガード帯を介して隣接するトラック間を斜行方向に横断するように、前記オフセット量測定領域内部に配置したことを特徴とする付記７記載の記憶装置。
【０１２６】
（付記９）前記磁気記憶媒体は、
前記オフセット量測定領域の他に、前記オフセット測定データに関わる前記記憶素子の中心位置での書き込みを可能にすべく、前記ガード帯を介して隣接するトラック間を横断するように、前記横断トラックと左右対称の補正用横断トラックを形成した補正用オフセット量測定領域を有し、
前記書き込み制御部は、
前記記憶素子を通じて前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込んで、前記記憶素子の書き込み位置を第１書き込み位置として記憶し、
前記再生制御部は、
前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと、前記磁気ヘッド駆動制御部を通じて前記再生素子の中心位置を、前記第１書き込み位置に関わる再生可能範囲内の再生位置に、所定距離単位で順次合わせて再生出力し、
前記オフセット量決定部は、
前記横断トラックでの前記再生位置毎の再生出力のピーク値の内、最大のピーク値に相当する再生位置を前記再生素子の第１再生位置として特定し、前記記憶素子の第１書き込み位置及び前記再生素子の第１再生位置に基づき、前記記憶素子と前記再生素子との間の移動距離として第１オフセット量を特定し、
前記書き込み制御部は、
前記記憶素子を通じて前記補正用オフセット量測定領域上の前記補正用横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込んで、前記記憶素子の書き込み位置を第２書き込み位置として記憶し、
前記再生制御部は、
前記補正用横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと、前記磁気ヘッド駆動制御部を通じて前記再生素子の中心位置を、前記第２書き込み位置に関わる再生可能範囲内の再生位置に、所定距離単位で順次合わせて再生出力し、
前記オフセット量決定部は、
前記補正用横断トラックでの前記再生位置毎の再生出力のピーク値の内、最大のピーク値に相当する再生位置を前記再生素子の第２再生位置として特定し、前記記憶素子の第２書き込み位置及び前記再生素子の第２再生位置に基づき、前記記憶素子と前記再生素子との間の移動距離として第２オフセット量を特定し、前記第１オフセット量及び前記第２オフセット量の平均値を、前記記憶素子と前記再生素子との間のオフセット量として決定することを特徴とする付記７又は８記載の記憶装置。
【０１２７】
（付記１０）データの書き込み及び再生が可能な複数のデータトラック及び、これら複数のデータトラック間に配置し、前記データトラックの位置情報を再生可能にするサーボパターンを含むトラックと、隣接するトラック間を磁気的に分離するガード帯とを同心円状に交互に配置し、磁気ヘッド部の記憶素子と再生素子との間のオフセット量を測定するためのオフセット測定データに関わる前記記憶素子の中心位置での書き込みを可能にすべく、前記ガード帯を介して隣接するトラック間を横断するように横断トラックを形成したオフセット量測定領域を備えた磁気記憶媒体を回転駆動する回転駆動制御ステップと、
前記磁気記憶媒体に対して、前記磁気ヘッド部をトラッキング方向に移動制御する磁気ヘッド駆動制御ステップと、
オフセット量測定開始信号を検出すると、前記記憶素子を通じて前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部にオフセット測定データを書き込むと共に、前記トラッキング方向での前記記憶素子の書き込み位置を記憶する書き込み制御ステップと、
前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと、前記磁気ヘッド駆動制御ステップを通じて前記磁気ヘッド部の前記再生素子の中心位置を、前記書き込み位置に関わる再生可能範囲内の再生位置に、所定距離単位で順次合わせて再生出力する再生制御ステップと、
前記再生位置毎の再生出力のピーク値の内、最大のピーク値に相当する再生位置を前記再生素子の再生位置とし、前記記憶素子の書き込み位置及び前記再生素子の再生位置に基づき、前記記憶素子と前記再生素子との間の移動距離としてオフセット量を決定するオフセット量決定ステップと
を含むことを特徴とする記憶装置のオフセット量決定方法。
【０１２８】
（付記１１）前記横断トラックは、
前記ガード帯を介して隣接するトラック間を斜行方向に横断するように、前記オフセット量測定領域内部に配置したことを特徴とする付記１０記載の記憶装置のオフセット量決定方法。
【０１２９】
（付記１２）前記磁気記憶媒体は、
前記オフセット量測定領域の他に、前記オフセット測定データに関わる前記記憶素子の中心位置での書き込みを可能にすべく、前記ガード帯を介して隣接するトラック間を横断するように、前記横断トラックと左右対称の補正用横断トラックを形成した補正用オフセット量測定領域を有し、
前記書き込み制御ステップは、
前記記憶素子を通じて前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込んで、前記記憶素子の書き込み位置を第１書き込み位置として記憶し、
前記再生制御ステップは、
前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと、前記磁気ヘッド駆動制御ステップを通じて前記再生素子の中心位置を、前記第１書き込み位置に関わる再生可能範囲内の再生位置に、所定距離単位で順次合わせて再生出力し、
前記オフセット量決定ステップは、
前記横断トラックでの前記再生位置毎の再生出力のピーク値の内、最大のピーク値に相当する再生位置を前記再生素子の第１再生位置として特定し、前記記憶素子の第１書き込み位置及び前記再生素子の第１再生位置に基づき、前記記憶素子と前記再生素子との間の移動距離として第１オフセット量を特定し、
さらに、前記書き込み制御ステップは、
前記記憶素子を通じて前記補正用オフセット量測定領域上の前記補正用横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込んで、前記記憶素子の書き込み位置を第２書き込み位置として記憶し、
前記再生制御ステップは、
前記補正用横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと、前記磁気ヘッド駆動制御ステップを通じて前記再生素子の中心位置を、前記第２書き込み位置に関わる再生可能範囲内の再生位置に、所定距離単位で順次合わせて再生出力し、
前記オフセット量決定ステップは、
前記補正用横断トラックでの前記再生位置毎の再生出力のピーク値の内、最大のピーク値に相当する再生位置を前記再生素子の第２再生位置として特定し、前記記憶素子の第２書き込み位置及び前記再生素子の第２再生位置に基づき、前記記憶素子と前記再生素子との間の移動距離として第２オフセット量を特定し、前記第１オフセット量及び前記第２オフセット量の平均値を、前記記憶素子と前記再生素子との間のオフセット量として決定することを特徴とする付記１０又は１１記載の記憶装置のオフセット量決定方法。
【図面の簡単な説明】
【０１３０】
【図１】実施例１のＨＤＤ装置の概略構成を示す斜視図である。
【図２】実施例１のＨＤＤ装置内部の概略構成を示すブロック図である。
【図３】実施例１のＨＤＤ装置の磁気ヘッド部の記憶素子及び再生素子の位置関係を端的に示す説明図である。
【図４】実施例１のＨＤＤ装置に実装するＤＴＭ内部のトラック配置構成を端的に示す説明図である。
【図５】実施例１のＨＤＤ装置の第１オフセット量決定処理に関わる制御回路の処理動作を示すフローチャートである。
【図６】実施例１のＨＤＤ装置の第１オフセット量決定処理の再生素子の再生位置（オフセット量）及び再生出力（ＴＡＡ）を端的に示す説明図である。
【図７】実施例２のＨＤＤ装置内部の概略構成を示すブロック図である。
【図８】実施例２のＨＤＤ装置に実装するＤＴＭ内部のオフセット量測定領域内部のトラック配置構成を端的に示す説明図である。
【図９】実施例２のＨＤＤ装置に実装するＤＴＭの電子線露光処理を実行する電子線露光処理装置内部の概略構成を示すブロック図である。
【図１０】実施例２のＤＴＭ製造工程を示すフローチャートである。
【図１１】実施例２のＨＤＤ装置の第２オフセット量決定処理に関わる制御回路の処理動作を示すフローチャートである。
【図１２】実施例２のＨＤＤ装置の第２オフセット量決定処理の再生素子の再生位置（オフセット量）及び再生出力（ＴＡＡ）を端的に示す説明図である。
【図１３】実施例３のＨＤＤ装置に実装するＤＴＭ内部の一部領域のトラック配置構成を端的に示す説明図である。
【図１４】一般的なＤＴＭ内部のデータトラック及びサーボパターンの配置を端的に示す平面模式図である。
【図１５】一般的なＤＴＭ内部のトラック及びガード帯の配置関係を端的に示す一部破断した模式図である。
【図１６】一般的なＢＰＭ内部のトラック及びガード帯の配置関係を端的に示す一部破断した模式図である。
【符号の説明】
【０１３１】
１ ＨＤＤ装置
１Ａ ＨＤＤ装置
３ ＤＴＭ
３Ａ ＤＴＭ
３Ｂ ＤＴＭ
４ 磁気ヘッド部
４Ａ 記憶素子
４Ｂ 再生素子
８ 制御回路
１２ サーボ制御部
１５ メイン制御部
２１ 書き込み制御部
２１Ａ 書込み制御部
２２ 再生制御部
２２Ａ 再生制御部
２３ ピーク値記憶部
２４ オフセット量決定部
３１ データトラック
３２ サーボパターン
３３ トラック
３４ ガード帯
３５ オフセット量測定領域
３５Ａ 補正用オフセット量測定領域
３６ 横断トラック
３６Ａ 補正用横断トラック
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記憶媒体にデータを書き込み、又はデータを再生するための磁気ヘッド部の記憶素子と再生素子との間のオフセット量を決定する記憶装置の制御装置、磁気記憶媒体、記憶装置及び記憶装置のオフセット量決定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば記憶装置としてのハードディスクは、パソコンの記憶装置やハードディスクドライブ（以下、単にＨＤＤと称する）レコーダ等の記憶装置として使用されている。そして、その記憶密度は、年々、高くなっているのが現状である。
【０００３】
そこで、近年では、長手記録方式から垂直磁気記録方式に変更することで、更なる記憶密度の改善が図られている。
【０００４】
また、更なる記憶密度を改善する策として、ディスクリートトラックメディア（Ｄｉｓｃｒｅｅｔ Ｔｒａｃｋ Ｍｅｄｉａ：以下、単にＤＴＭと称する）やビットパターンメディア（Ｂｉｔ Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｍｅｄｉａ：以下、単にＢＰＭと称する）等の様々な媒体に対する研究開発が盛んに行われている。
【０００５】
図１４は、一般的なＤＴＭ内部のデータトラック及びサーボパターンの配置を端的に示す平面模式図、図１５は、一般的なＤＴＭ内部のトラック及びガード帯の配置関係を端的に示す一部破断した模式図である。
【０００６】
図１４に示すＤＴＭ２００は、データの書き込み及び再生が可能な複数のデータトラック２０１及び、これら複数のデータトラック２０１間に配置し、データトラック２０１の位置情報を再生可能にするサーボパターン２０２を含むトラック２０３と、隣接するトラック２０３間を磁気的に分離するガード帯２０４とを同心円状に交互に配置するものである。
【０００７】
図１５に示すＤＴＭ２００では、隣接するトラック２０３間を磁気的に分離するガード帯２０４を配置することで、ガード帯２０４に応じて隣接するトラック２０３へのサイドイレーズを抑制することで、物理的溝形状記憶密度の改善を図ることができる。
【０００８】
また、図１６は、一般的なＢＰＭ内部のトラック及びガード帯の配置関係を端的に示す一部破断した模式図である。
【０００９】
図１６に示すＢＰＭ２１０は、隣接するトラック２１１間をトラッキング方向に磁気的に分離するだけでなく、ダウントラック方向、すなわちビット長手方向にも磁気的に分離する非連続のデータトラック２１２の配置構成とすることで、トラック密度のみならず、ビット密度の改善を図るものである。
【００１０】
また、従来のＨＤＤ装置においては、実装する磁気記憶媒体のデータトラックにデータを書き込む記憶素子及び、データトラックに書き込んだデータを再生する再生素子を備えた磁気ヘッド部を備え、記憶素子と再生素子との間には数十μｍの距離がある。
【００１１】
従来のＨＤＤ装置においては、実装する磁気記憶媒体が連続膜の磁気記録層であるため、記憶素子を通じてオフセット測定データを書き込んだ後、磁気ヘッド部をトラッキング方向に移動しながら再生素子を通じて再生出力し、オフセット測定データを書き込んだ書き込み位置に対する再生出力が最大となる再生位置までのズレ量（距離）を、再生素子と記憶素子との間のオフセット量として決定するものである。
【００１２】
従って、従来のＨＤＤ装置によれば、再生素子と記憶素子との間のオフセット量に基づき、データトラックに対する再生素子及び記憶素子の位置決めを円滑に行うことができる。
【００１３】
【特許文献１】特開平９−４５０２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、従来のＨＤＤ装置によれば、連続膜の磁気記録層を備えた磁気記憶媒体においてはデータトラックに対してオフセット測定データを書き込んだ後、磁気ヘッド部をトラッキング方向に移動しながら再生素子を通じて再生出力し、オフセット測定データを書き込んだ書き込み位置に対する再生出力が最大となる再生位置までの距離を再生素子と記憶素子との間のオフセット量として決定するようにしたが、ＤＴＭやＢＰＭ等の磁気記憶媒体においてはデータトラックのトラック位置が固定、しかも、隣接するトラック間にガード帯があるため、データトラックの中心にオフセット測定データを確実に書き込む必要がある。
【００１５】
従って、従来のＨＤＤ装置によれば、隣接するトラック間にガード帯があるＤＴＭやＢＰＭ等の磁気記憶媒体においては、磁気ヘッド部の記憶素子と再生素子との間のオフセット量を決定するのは難しい。
【００１６】
本発明は上記点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、隣接するトラック間にガード帯を備えたＤＴＭやＢＰＭ等の磁気記憶媒体であっても、磁気ヘッド部の記憶素子と再生素子との間のオフセット量を容易に決定することができる記憶装置の制御装置、磁気記憶媒体、記憶装置及び記憶装置のオフセット量決定方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
開示装置は、データの書き込み及び再生が可能な複数のデータトラック及び、これら複数のデータトラック間に配置し、前記データトラックの位置情報を再生可能にするサーボパターンを含むトラックと、隣接するトラック間を磁気的に分離するガード帯とを同心円状に交互に配置し、磁気ヘッド部の記憶素子と再生素子との間のオフセット量を測定するためのオフセット測定データに関わる前記記憶素子の中心位置での書き込みを可能にすべく、前記ガード帯を介して隣接するトラック間を横断するように横断トラックを形成したオフセット量測定領域を有する磁気記憶媒体を回転駆動する回転駆動制御部と、前記磁気記憶媒体に対して、前記磁気ヘッド部をトラッキング方向に移動制御する磁気ヘッド駆動制御部と、オフセット量測定開始信号を検出すると、前記記憶素子を通じて前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと共に、前記トラッキング方向での前記記憶素子の書き込み位置を記憶する書き込み制御部と、
前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと、前記磁気ヘッド駆動制御部を通じて前記磁気ヘッド部の前記再生素子の中心位置を、前記書き込み位置に関わる再生可能範囲内の再生位置に、所定距離単位で順次合わせて再生出力する再生制御部と、前記再生位置毎の再生出力のピーク値の内、最大のピーク値に相当する再生位置を前記再生素子の再生位置として特定し、前記記憶素子の書き込み位置及び前記再生素子の再生位置に基づき、前記記憶素子と前記再生素子との間の移動距離としてオフセット量を決定するオフセット量決定部とを有することを要件とする。
【００１８】
また、開示の媒体は、データの書き込み及び再生が可能な複数のデータトラック及び、これら複数のデータトラック間に配置し、前記データトラックの位置情報を再生可能にするサーボパターンを含むトラックと、隣接するトラック間を磁気的に分離するガード帯とを同心円状に交互に配置した磁気記憶媒体であって、この磁気記憶媒体の一部領域に、前記磁気記憶媒体にデータを書き込む記憶装置の記憶素子と前記磁気記憶媒体に書き込んだデータを再生する前記記憶装置の再生素子との間のオフセット量を測定する際に使用するオフセット量測定領域を配置し、前記オフセット量を測定する際に、前記オフセット量測定領域上に前記記憶素子の中心位置でのオフセット測定データの書き込みを確保できるように、前記オフセット量測定領域内に、前記ガード帯を介して隣接するトラック間を横断して、前記オフセット測定データの書き込み及び再生を可能にする横断トラックを配置したことを要件とする。
【００１９】
また、開示装置は、データの書き込み及び再生が可能な複数のデータトラック及び、これら複数のデータトラック間に配置し、前記データトラックの位置情報を再生可能にするサーボパターンを含むトラックと、隣接するトラック間を磁気的に分離するガード帯とを同心円状に交互に配置し、前記ガード帯を介して隣接するトラック間を横断して、オフセット測定データの書き込み及び再生を可能にする横断トラックを形成したオフセット量測定領域を備えた磁気記憶媒体と、前記磁気記憶媒体にデータを書き込む記憶素子及び、前記磁気記憶媒体からデータを再生する再生素子を備えた磁気ヘッド部と、前記磁気記憶媒体を回転駆動する回転駆動制御部と、前記磁気ヘッド部をトラッキング方向に移動制御する磁気ヘッド駆動制御部と、オフセット量測定開始信号を検出すると、前記記憶素子を通じて前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと共に、前記トラッキング方向の前記記憶素子の書き込み位置を記憶する書き込み制御部と、前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと、前記磁気ヘッド駆動制御部を通じて前記磁気ヘッド部の前記再生素子の中心位置を、前記書き込み位置に関わる再生可能範囲内の再生位置に、所定距離単位で順次合わせて再生出力する再生制御部と、前記再生位置毎の再生出力のピーク値の内、最大のピーク値に相当する再生位置を前記再生素子の再生位置とし、前記記憶素子の書き込み位置及び前記再生素子の再生位置に基づき、前記記憶素子と前記再生素子との間の移動距離としてオフセット量を決定するオフセット量決定部とを有することを要件とする。
【００２０】
また、開示方法は、データの書き込み及び再生が可能な複数のデータトラック及び、これら複数のデータトラック間に配置し、前記データトラックの位置情報を再生可能にするサーボパターンを含むトラックと、隣接するトラック間を磁気的に分離するガード帯とを同心円状に交互に配置し、磁気ヘッド部の記憶素子と再生素子との間のオフセット量を測定するためのオフセット測定データに関わる前記記憶素子の中心位置での書き込みを可能にすべく、前記ガード帯を介して隣接するトラック間を横断するように横断トラックを形成したオフセット量測定領域を備えた磁気記憶媒体を回転駆動する回転駆動制御ステップと、前記磁気記憶媒体に対して、前記磁気ヘッド部をトラッキング方向に移動制御する磁気ヘッド駆動制御ステップと、オフセット量測定開始信号を検出すると、前記記憶素子を通じて前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部にオフセット測定データを書き込むと共に、前記トラッキング方向での前記記憶素子の書き込み位置を記憶する書き込み制御ステップと、前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと、前記磁気ヘッド駆動制御ステップを通じて前記磁気ヘッド部の前記再生素子の中心位置を、前記書き込み位置に関わる再生可能範囲内の再生位置に、所定距離単位で順次合わせて再生出力する再生制御ステップと、前記再生位置毎の再生出力のピーク値の内、最大のピーク値に相当する再生位置を前記再生素子の再生位置とし、前記記憶素子の書き込み位置及び前記再生素子の再生位置に基づき、前記記憶素子と前記再生素子との間の移動距離としてオフセット量を決定するオフセット量決定ステップとを含むことを要件とする。
【発明の効果】
【００２１】
開示装置によれば、オフセット測定データに関わる記憶素子の中心位置での書き込みを可能にすべく、ガード帯を介して隣接するトラック間を横断する横断トラックを形成した磁気記憶媒体を実装することで、記憶素子と再生素子との間のオフセット量の測定に際して、記憶素子の中心位置がトラック中心位置になくても、横断トラックの一部にオフセット測定データが必ず書き込まれるようにしたので、記憶素子の書き込み位置に対する、再生出力が最大ピーク値の再生素子の再生位置を認識することができ、その結果、記憶素子と再生素子との間のオフセット量を簡単に決定することができるという効果を奏する。
【００２２】
また、開示媒体によれば、オフセット測定データに関わる記憶素子の中心位置での書き込みを確保できるように、ガード帯を介して隣接するトラック間を横断する横断トラックを配置するようにしたので、この磁気記憶媒体を実装した記憶装置側では、記憶素子と再生素子との間のオフセット量の測定に際して、記憶素子の中心位置がトラック中心位置になくても、横断トラックの一部にオフセット測定データが必ず書き込まれることになるため、記憶素子の書き込み位置に対する、再生出力が最大ピーク値の再生素子の再生位置を認識することができ、その結果、記憶素子と再生素子との間のオフセット量を簡単に決定することができるという効果を奏する。
【００２３】
また、開示装置によれば、オフセット測定データに関わる記憶素子の中心位置での書き込みを可能にすべく、ガード帯を介して隣接するトラック間を横断する横断トラックを形成した磁気記憶媒体を実装することで、記憶素子と再生素子との間のオフセット量の測定に際して、記憶素子の中心位置がトラック中心位置になくても、横断トラックの一部にオフセット測定データが必ず書き込まれるようにしたので、記憶素子の書き込み位置に対する、再生出力が最大ピーク値の再生素子の再生位置を認識することができ、その結果、記憶素子と再生素子との間のオフセット量を簡単に決定することができるという効果を奏する。
【００２４】
また、開示方法によれば、オフセット測定データに関わる記憶素子の中心位置での書き込みを確保できるように、ガード帯を介して隣接するトラック間を横断する横断トラックを配置するようにしたので、この磁気記憶媒体を実装した記憶装置側では、記憶素子と再生素子との間のオフセット量の測定に際して、記憶素子の中心位置がトラック中心位置になくても、横断トラックの一部にオフセット測定データが必ず書き込まれることになるため、記憶素子の書き込み位置に対する、再生出力が最大ピーク値の再生素子の再生位置を認識することができ、その結果、記憶素子と再生素子との間のオフセット量を簡単に決定することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、図面に基づき本発明の記憶装置の制御装置、磁気記憶媒体、記憶装置及び記憶装置のオフセット量決定方法に関わる実施例について詳細に説明する。
【実施例１】
【００２６】
図１は、実施例１のＨＤＤ装置の概略構成を示す斜視図、図２は、実施例１のＨＤＤ装置内部の概略構成を示すブロック図、図３は、実施例１のＨＤＤ装置の磁気ヘッド部の記憶素子及び再生素子の位置関係を端的に示す説明図である。
【００２７】
図１に示すＨＤＤ装置１は、ベース本体２にＤＴＭ３を実装し、ＤＴＭ３へのデータ書き込み及びＤＴＭ３に書き込んだデータを再生する装置である。
【００２８】
ＨＤＤ装置１は、実装したＤＴＭ３上のトラックに対してデータを書き込み又は再生する磁気ヘッド部４と、磁気ヘッド部４をＤＴＭ３のトラッキング方向に懸架するサスペンション部材５とを有している。
【００２９】
また、ＨＤＤ装置１は、サスペンション部材５を通じて磁気ヘッド部４をＤＴＭ３のトラッキング方向に移動するボイスコイルモータ６と、ＤＴＭ３を所定回転速度で回転駆動するスピンドルモータ７と、このＨＤＤ装置１全体を制御する制御回路８とを有している。
【００３０】
磁気ヘッド部４は、図２及び図３に示すように、ＤＴＭ３上のトラック内のデータトラックにデータを書き込む、高飽和磁束密度を有するＦｅＣｏを主磁極材料の記憶素子４Ａと、トラック内のデータトラック及びサーボパターンからデータを再生する、ＴＭＲ（Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ Ｍａｇｎｅｔｏ Ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ）の再生素子４Ｂとを備えている。
【００３１】
制御回路８は、磁気ヘッド部４を通じてＤＴＭ３上にデータを書き込む又は書き込んだデータを再生する際に信号処理を施すプリアンプ１１と、ボイスコイルモータ６及びスピンドルモータ７を駆動制御するサーボ制御部１２と、各種情報を記憶するメモリ部１３と、各種情報を一時記憶するバッファメモリ部１４と、制御回路８全体を制御するメイン制御部１５とを有している。
【００３２】
サーボ制御部１２は、ボイスコイルモータ６を駆動制御するボイスコイルモータ制御部１２Ａと、スピンドルモータ７を駆動制御するスピンドルモータ制御部１２Ｂとを有している。
【００３３】
また、メイン制御部１５は、オフセット量測定開始を示すオフセット量測定開始信号を検出すると、記憶素子４Ａを通じてオフセット測定データをＤＴＭ３のデータトラック３１上に書き込むと共に、トラッキング方向の記憶素子４Ａの書き込み位置を記憶する書き込み制御部２１と、オフセット測定データを書き込むと、ボイスコイルモータ制御部１２Ａを通じて磁気ヘッド部４の再生素子４Ｂの中心位置を、データトラック３１の再生可能範囲内の再生位置に順次合わせ、再生位置毎に、プリアンプ１１を通じて再生出力する再生制御部２２とを有している。
【００３４】
書き込み制御部２１は、ボイスコイルモータ制御部１２Ａを通じて記憶素子４Ａの書き込み位置を所定距離単位毎にずらし、記憶素子４Ａを通じてオフセット測定データを書き込むものである。
【００３５】
再生制御部２２は、ボイスコイルモータ制御部１２Ａを通じて、書き込み位置毎の再生素子４Ｂの再生位置を所定距離単位、例えば３ｎｍ毎にずらし、再生素子４Ｂを通じてオフセット測定データを再生出力するものである。
【００３６】
メイン制御部１５は、再生制御部２２にて再生位置毎に取得した再生出力（ＴｒａｃｋＡｖｅｒａｇｅ Ａｍｐｌｉｔｕｄｅ：以下、単にＴＡＡと称する）のピーク値を順次更新するピーク値記憶部２３を有している。
【００３７】
また、メイン制御部１５は、ピーク値記憶部２３に記憶中の再生位置毎のピーク値の内、再生出力が最大ピーク値に相当する再生位置を最終的な再生素子４Ｂの再生位置として特定し、記憶素子４Ａの書き込み位置及び再生素子４Ｂの再生位置に基づき、記憶素子４Ａと再生素子４Ｂとの間の距離としてオフセット量を決定するオフセット量決定部２４を有している。
【００３８】
図４は、実施例１のＨＤＤ装置１に実装するＤＴＭ３内部のトラック配置構成を端的に示す説明図である。
【００３９】
ＤＴＭ３は、データの書き込み及び再生が可能な複数のデータトラック３１及び、これら複数のデータトラック３１間に配置し、データトラック３１の位置情報を再生可能にするサーボパターン３２を含むトラック３３と、隣接するトラック３３間を磁気的に分離するガード帯３４とを同心円状に交互に配置している。
【００４０】
メイン制御部１５は、トラック３３上のサーボパターン３２を、磁気ヘッド部４の再生素子４Ｂを通じて再生し、この再生したサーボパターン３２に基づき、サーボ制御部１２のボイスコイルモータ制御部１２Ａを通じて磁気ヘッド部４を駆動制御するものである。
【００４１】
次に実施例１のＨＤＤ装置１の動作について説明する。図５は、実施例１のＨＤＤ装置１の第１オフセット量決定処理に関わる制御回路８の処理動作を示すフローチャートである。
【００４２】
図５に示す第１オフセット量決定処理は、ＤＴＭ３上に対して書き込みアクセス及び再生アクセスを実行する磁気ヘッド部４の記憶素子４Ａ及び再生素子４Ｂ間のオフセット量を決定するための処理である。
【００４３】
図５においてメイン制御部１５内部の書き込み制御部２１は、オフセット量測定開始信号を検出すると、オフセット測定データを書き込むデータトラック３１に対して、記憶素子４Ａを通じて１ＧＦｌｕｘＣｈａｎｇｅ／ｓｅｃ程度の高周波でクロストラック方向に±３μｍ程度のデータ磁気消去、すなわちＡＣバンドイレーズ処理を実行する（ステップＳ１１）。
【００４４】
書き込み制御部２１は、記憶素子４Ａを通じてオフセット測定データを書き込むべく、書き込み位置ＷＰを初期位置ＷＰ０に設定し（ステップＳ１２）、記憶素子４Ａによる書き込みアクセスを開始する（ステップＳ１３）。
【００４５】
書き込み制御部２１は、書き込みアクセスを開始すると、記憶素子４Ａを通じて、図４に示すように、９０ＦｌｕｘＣｈａｎｇｅ／ｓｅｃの単一周波数信号のオフセット測定データＸを現在設定中の書き込み位置ＷＰでデータトラック３１上に書き込む（ステップＳ１４）。
【００４６】
メイン制御部１５内部の再生制御部２２は、再生素子４Ｂを通じてデータトラック３１上に書き込んだオフセット測定データを再生すべく、トラッキング方向の再生位置ＲＰを初期位置ＲＰ０に設定し（ステップＳ１５）、再生素子４Ｂの再生アクセスを開始し（ステップＳ１６）、再生素子４Ｂを通じて、現在再生位置ＲＰでの再生出力（ＴＡＡ）を測定する（ステップＳ１７）。
【００４７】
再生制御部２２は、現在再生位置ＲＰでの再生出力のピーク値が最大ピーク値であるか否かを判定する（ステップＳ１８）。
【００４８】
再生制御部２２は、現在再生位置ＲＰでの再生出力のピーク値が最大ピーク値でない場合（ステップＳ１８否定）、現在再生位置ＲＰが再生終了位置に到達したか否かを判定する（ステップＳ１９）。尚、再生終了位置とは、書き込み位置ＷＰに関わる再生可能範囲から離脱する直前の位置である。
【００４９】
再生制御部２２は、現在再生位置ＲＰが再生終了位置に到達しなかった場合（ステップＳ１９否定）、さらに現在再生位置ＲＰをΔＲＰ分（ΔＲＰ＝３ｎｍ）ずらしてＲＰ＋ΔＲＰを現在再生位置ＲＰとして設定し（ステップＳ２０）、再生素子４Ｂを通じて再生アクセスを開始すべく、ステップＳ１６に移行する。
【００５０】
また、再生制御部２２は、現在再生位置ＲＰのピーク値が最大ピーク値である場合（ステップＳ１８肯定）、現在再生位置ＲＰのピーク値が現在書き込み位置ＷＰでの最大ピーク値としてピーク値記憶部２３に記憶更新する（ステップＳ２１）。
【００５１】
さらに、再生制御部２２は、現在再生位置ＲＰのピーク値が最大ピーク値としてピーク値記憶部２３に記憶更新すると、現在書き込み位置ＷＰでの最大ピーク値の再生位置ＲＰＭＡＸとして記憶更新し（ステップＳ２２）、現在再生位置ＲＰが再生終了位置に到達したか否かを判定すべく、ステップＳ１９に移行する。
【００５２】
つまり、現在書き込み位置ＷＰで書き込んだオフセット測定データＸを初期位置ＲＰ０から再生終了位置に到達するまでΔＲＰ毎に再生素子４Ｂをズラしながら再生出力し、現在書き込み位置ＷＰで書き込んだオフセット測定データＸの内、最大ピーク値の再生位置ＲＰＭＡＸを取得することになる。
【００５３】
次に再生制御部２２は、現在再生位置ＲＰが再生終了位置に到達した場合（ステップＳ１９肯定）、現在書き込み位置ＷＰの最大ピーク値が他の書き込み位置ＷＰでの最大ピーク値を超えたか否かを判定する（ステップＳ２３）。
【００５４】
再生制御部２２は、現在書き込み位置ＷＰの最大ピーク値が他の書き込み位置ＷＰでの最大ピーク値を超えた場合（ステップＳ２３肯定）、現在書き込み位置ＷＰの最大ピーク値を最大ピーク値として記憶更新（ステップＳ２４）、現在書き込み位置ＷＰの最大ピーク値の再生位置ＲＰＭＡＸを記憶更新する（ステップＳ２５）。
【００５５】
再生制御部２２は、現在書き込み位置ＷＰを最大ピーク値の書き込み位置ＷＰＭＡＸとして記憶更新し（ステップＳ２６）、現在書き込み位置ＷＰが書き込み終了位置に到達したか否かを判定する（ステップＳ２７）。尚、書き込み終了位置は、オフセット測定データＸの書き込み可能な範囲から離脱する直前の位置である。
【００５６】
再生制御部２２は、現在書き込み位置ＷＰが書き込み終了位置に到達しなかった場合（ステップＳ２７否定）、再度、オフセット測定データＸの書き込みを実行すべく、現在の書き込み位置ＷＰをΔＷＰ分ずらし、ＷＰ＋ΔＷＰを現在書き込み位置ＷＰとして設定する（ステップＳ２８）。
【００５７】
書き込み制御部２１は、ＷＰ＋ΔＷＰを現在書き込み位置ＷＰとして設定すると、オフセット測定データを書き込むデータトラック３１に対して、記憶素子４Ａを通じて、１ＧＦｌｕｘＣｈａｎｇｅ／ｓｅｃ程度の高周波でクロストラック方向に±３μｍ程度のデータ磁気消去、すなわちＡＣバンドイレーズ処理を実行し（ステップＳ２９）、記憶素子４Ａを通じて現在書き込み位置ＷＰに書き込みアクセスを開始すべく、ステップＳ１３に移行する。
【００５８】
つまり、書き込み位置ＷＰの初期位置ＷＰ０から書き込み終了位置までΔＷＰ毎に順次書き込み、図６に示すように書き込み位置ＷＰ毎に再生出力の最大ピーク値を取得するものである。尚、図６に示す横軸の“０”は書き込み位置ＷＰに相当するものである。
【００５９】
また、書き込み制御部２１は、現在書き込み位置ＷＰでの最大ピーク値が他の書き込み位置ＷＰでの最大ピーク値を超えなかった場合（ステップＳ２３否定）、現在書き込み位置ＷＰが書き込み終了位置に到達したか否かを判定すべく、ステップＳ２７に移行する。
【００６０】
また、メイン制御部１５内部のオフセット量決定部２４は、現在書き込み位置ＷＰが書き込み終了位置に到達した場合（ステップＳ２７肯定）、ピーク記憶部２３に記憶中の最大ピーク値に相当するステップＳ２５の再生位置ＲＰＭＡＸ及びステップＳ２６の書き込み位置ＷＰＭＡＸに基づき、記憶素子４Ａと再生素子４Ｂとの距離を算出し（ステップＳ３０）、この算出した距離を記憶素子４Ａと再生素子４Ｂとの間のオフセット量として決定することで（ステップＳ３１）、図５の処理動作を終了する。
【００６１】
図５に示す第１オフセット量決定処理では、複数の書き込み位置ＷＰ内の複数の再生位置ＲＰの内、再生出力が最大ピーク値の再生位置ＲＰＭＡＸ及び、その最大ピーク値の再生位置ＲＰＭＡＸに関わる書き込み位置ＷＰＭＡＸを特定し、これら特定した再生位置ＲＰＭＡＸ及び書き込み位置ＷＰＭＡＸに基づき、記憶素子４Ａと再生素子４Ｂとの間の距離を算出し、この算出した距離を記憶素子４Ａと再生素子４Ｂとの間のオフセット量として決定するようにしたので、隣接するトラック３１間にガード帯３４を交互に配置したＤＴＭ３であっても、記憶素子４Ａと再生素子４Ｂとの間のオフセット量を決定することができる。
【００６２】
実施例１のＨＤＤ装置１によれば、複数の書き込み位置ＷＰ内の複数の再生位置ＲＰの内、再生出力が最大ピーク値の再生位置ＲＰＭＡＸ及び、その最大ピーク値の再生位置ＲＰＭＡＸに関わる書き込み位置ＷＰＭＡＸを特定し、これら特定した再生位置ＲＰＭＡＸ及び書き込み位置ＷＰＭＡＸに基づき、記憶素子４Ａと再生素子４Ｂとの間の距離を算出し、この算出した距離を記憶素子４Ａと再生素子４Ｂとの間のオフセット量として決定するようにしたので、隣接するトラック３３間にガード帯３４を交互に配置したＤＴＭ３であっても、記憶素子４Ａと再生素子４Ｂとの間のオフセット量を決定することができる。
【００６３】
実施例１のＨＤＤ装置１によれば、オフセット測定データＸの書き込み位置ＷＰが、オフセット測定データＸの書き込みができないガード帯３４上になる場合も考えられるため、書き込み位置ＷＰを順次ずらして、さらに書き込み位置ＷＰ毎に再生位置ＲＰを順次ずらし、これら複数の書き込み位置ＷＰ内の複数の再生位置ＲＰの内、最大ピーク値の再生位置ＲＰＭＡＸ及び、その最大ピーク値の再生位置ＲＰＭＡＸに相当する書き込み位置ＷＰＭＡＸを特定し、これら再生位置ＲＰＭＡＸ及び書き込み位置ＷＰＭＡＸに基づき、記憶素子４Ａと再生素子４Ｂとの間のオフセット量を決定するようにした。
【００６４】
しかしながら、実施例１のＨＤＤ装置１によれば、オフセット測定データＸの書き込み位置ＷＰがガード帯３４上にないことを確認すべく、書き込み位置ＷＰを順次ずらし、その都度、書き込み位置ＷＰ毎に再生位置ＲＰをずらして再生出力を順次測定する必要があるため、その処理に時間を要する。
【実施例２】
【００６５】
そこで、このような事態を打開すべく、次に説明するような、実施例２のＨＤＤ装置を提案する。図７は、実施例２のＨＤＤ装置内部の概略構成を示すブロック図、図８は、実施例２のＨＤＤ装置のトラック配置構成を端的に示す説明図である。尚、実施例１のＨＤＤ装置１と同一の構成については同一符号を付すことで、その重複する構成及び動作の説明については省略する。
【００６６】
実施例１のＨＤＤ装置１と実施例２のＨＤＤ装置１Ａとが異なるところは、図８に示すようにＤＴＭ３Ａの一部領域に、記憶素子４Ａと再生素子４Ｂとの間のオフセット量を測定する際に使用するオフセット量測定領域３５を配置し、オフセット量を測定する際に、オフセット量測定領域３５上に記憶素子４Ａの中心位置でのオフセット測定データＸの書き込み、及び再生素子４Ｂの中心位置でのオフセット測定データＸの再生を確保できるように、オフセット量測定領域３５内に、隣接するトラック３３間を斜行方向に横断して、オフセット測定データＸの書き込み及び再生を可能にする横断トラック３６を複数配置した点にある。
【００６７】
メイン制御部１５内部の書き込み制御部２１Ａは、オフセット量測定開始信号を検出すると、記憶素子４Ａを通じてオフセット量測定領域３５上にオフセット測定データを書き込むと共に、トラッキング方向での記憶素子４Ａの書き込み位置ＷＰを記憶するものである。
【００６８】
また、メイン制御部１５内部の再生制御部２２Ａは、オフセット量測定領域３５上にオフセット測定データを書き込むと、磁気ヘッド部４の再生素子４Ｂの中心位置を、書き込み位置に関わる再生可能範囲内の再生位置ＲＰにΔＲＰ（ΔＲＰ＝３ｎｍ）単位で順次合わせて再生出力するものである。
【００６９】
図９は、実施例２のＨＤＤ装置１Ａに実装するＤＴＭ３Ａの電子線露光処理を実行する電子線露光処理装置内部の概略構成を示すブロック図である。
【００７０】
図９に示す電子線露光処理装置４０は、ＤＴＭ原盤４１を縦横方向（ＸＹ方向）に移動するＸ−Ｙステージ４２と、Ｘ−Ｙステージ４２上のＤＴＭ原盤４１を所定回転速度に回転駆動するスピンドルモータ４３と、電子ビームを出力する電子ビーム源４４と、電子ビーム源４４からの電子ビームをトラッキング方向に調整する電子ビーム調整系４５と、電子ビーム源４４からの電子ビームをフォーカシング方向に調整する電子ビーム集束系４６とを有している。
【００７１】
尚、Ｘ−Ｙステージ４２、スピンドルモータ４３、電子ビーム源４４、電子ビーム調整系４５及び電子ビーム集束系４６は、１０の−４乗パスカルの真空のチャンバ４７内に配置されるものである。
【００７２】
また、電子線露光処理装置４０は、Ｘ−Ｙステージ４２を駆動制御するステージ駆動制御部４８と、スピンドルモータ４３を駆動制御するスピンドルモータ駆動制御部４９と、電子ビーム源４４を駆動制御する電子ビーム制御部５０と、電子ビーム調整系４５及び電子ビーム集束系４６を駆動制御する電子ビーム駆動制御部５１とを有している。
【００７３】
電子線露光処理装置４０は、原盤４１をフォーマット化するフォーマッタ５２と、電子線露光処理装置４０全体を制御するメインコントローラ５３とを有している。
【００７４】
図１０は、実施例２のＤＴＭ製造工程を示すフローチャートである。
【００７５】
図１０においてＤＴＭ製造装置では、精密に研磨したガラスの原盤４１上に厚み５〜１０ｎｍのレジストを塗布し（ステップＳ４１）、電子線露光処理装置４０の電子線露光で、データトラック３１、サーボパターン３２及び横断トラック３６を原盤４１上に形成する（ステップＳ４２）。
【００７６】
尚、電子線露光処理装置４０のメインコントローラ５３は、フォーマッタ５２からの情報に基づき、スピンドルモータ４３で原盤４１を回転し、原盤４１上に電子ビームを集束させると共に、Ｘ−Ｙステージ４２を移動させてデータトラック３１及びサーボパターン３２を原盤４１上に形成するものである。
【００７７】
さらに、電子線露光処理装置４０は、電子ビームを掃引して隣接するトラック３３間を横断する横断トラック３６を原盤４１上の一部領域に形成するものである。尚、電子ビームを掃引する方法としては、電子ビーム集束系４６でトラッキング方向に電子ビームを調整する方法も考えられるが、例えば電子ビームを固定出力したまま、原盤４１を載置したＸ−Ｙステージ４２を駆動することで電子ビームを掃引するようにしても良い。
【００７８】
また、ＤＴＭ製造装置は、電子線露光処理を施した原盤４１に原盤現像を施し（ステップＳ４３）、原盤現像後、スパッタリング法でＡＬ膜を形成するメタライズ処理を施す（ステップＳ４４）。その後、ＤＴＭ製造装置は、原盤４１上に約１５０μｍ程度のＮｉ層を形成する電解メッキ処理を施す（ステップＳ４５）。
【００７９】
次にＤＴＭ製造装置は、原盤４１からＮｉを剥離し（ステップＳ４６）、レジスト除去のための原盤洗浄処理を実行する（ステップＳ４７）。さらに、ＤＴＭ製造装置は、原盤４１の裏面をテープ研磨で磨いた後（ステップＳ４８）、金型打ち抜きで外形加工を施す（ステップＳ４９）。
【００８０】
そして、ＤＴＭ製造装置は、原盤４１上のガラス基板に対してデータトラック３１、サーボパターン３２及び横断トラック３６を加圧転写で形成する（ステップＳ５０）。さらに、ＤＴＭ製造装置は、データトラック３１、サーボパターン３２及び横断トラック３６を加圧転写したガラス基板を洗浄し（ステップＳ５１）、このガラス基板上に、スパッタリング法で垂直磁気記録層を有する膜を形成する（ステップＳ５２）。
【００８１】
さらに、ＤＴＭ製造装置は、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）で垂直磁気記録層上にＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）を形成する（ステップＳ５３）。
【００８２】
その後、ＤＴＭ製造装置は、ＤＬＣ上に潤滑剤を塗布することで潤滑層を形成し（ステップＳ５４）、横断トラック３６、データトラック３１及びサーボパターン３２を形成したＤＴＭ３Ａを製造することになる。尚、ＤＴＭ３Ａでは、例えばデータトラック３１のランド幅を約１００ｎｍ、ガード帯３４の溝幅を約５０ｎｍ、トラックピッチを約１５０ｎｍ、ガード帯３４の溝深さを約７ｎｍ、その溝のテーパー角度を約７０度としている。
【００８３】
次に横断トラック３６を形成したＤＴＭ３Ａを実装する実施例２のＨＤＤ装置１Ａの動作について説明する。図１１は、実施例２のＨＤＤ装置１Ａの第２オフセット量決定処理に関わる制御回路８の処理動作を示すフローチャートである。
【００８４】
図１１に示す第２オフセット量決定処理は、ＤＴＭ３Ａ上に対して書き込みアクセス及び再生アクセスを実行する磁気ヘッド部４の記憶素子４Ａと再生素子４Ｂとの間のオフセット量を決定するための処理である。
【００８５】
図１１においてメイン制御部１５内部の書き込み制御部２１Ａは、オフセット量測定開始信号を検出すると、オフセット量測定領域３５のサーボパターン３２に基づき記憶素子４Ａを移動し、オフセット測定データＸを書き込むオフセット測定領域３５に対して、記憶素子４Ａを通じて１ＧＦｌｕｘＣｈａｎｇｅ／ｓｅｃ程度の高周波でクロストラック方向に±３μｍ程度のデータ磁気消去、すなわちＡＣバンドイレーズ処理を実行する（ステップＳ６１）。
【００８６】
書き込み制御部２１Ａは、記憶素子４Ａを通じてオフセット測定データＸを書き込むべく、所望の書き込み位置ＷＰを設定し（ステップＳ６２）、記憶素子４Ａの書き込みアクセスを開始する（ステップＳ６３）。
【００８７】
書き込み制御部２１Ａは、記憶素子４Ａを通じて、９０ＦｌｕｘＣｈａｎｇｅ／ｓｅｃの単一周波数信号のオフセット測定データＸをオフセット量測定領域３５上に書き込む（ステップＳ６４）。尚、書き込み制御部２１Ａは、図８に示すように、記憶素子４Ａを通じてオフセット量測定領域３５上にオフセット測定データＸを書き込むと、隣接するトラック３３間を横断トラック３６が横断していることになるため、オフセット測定データＸは横断トラック３６上に必ず書き込まれることになる。
【００８８】
メイン制御部１５内部の再生制御部２２Ａは、再生素子４Ｂを通じて横断トラック３６上のオフセット測定データＸを再生すべく、書き込み位置ＷＰに対する再生位置ＲＰとして初期位置ＲＰ０に設定し（ステップＳ６５）、再生素子４Ｂの再生アクセスを開始し（ステップＳ６６）、再生素子４Ｂを通じて、現在再生位置ＲＰでの再生出力（ＴＡＡ）を測定する（ステップＳ６７）。
【００８９】
再生制御部２２Ａは、現在再生位置ＲＰでの再生出力のピーク値が最大ピーク値であるか否かを判定する（ステップＳ６８）。
【００９０】
再生制御部２２Ａは、現在再生位置ＲＰでの再生出力のピーク値が最大ピーク値でない場合（ステップＳ６８否定）、現在再生位置ＲＰが再生終了位置に到達したか否かを判定する（ステップＳ６９）。尚、再生終了位置とは、書き込み位置ＷＰに関わる再生可能範囲から離脱する直前の位置である。
【００９１】
再生制御部２２Ａは、現在再生位置ＲＰが再生終了位置に到達しなかった場合（ステップＳ６９否定）、現在再生位置ＲＰをΔＲＰ（３ｎｍ）分ずらしてＲＰ＋ΔＲＰを現在再生位置ＲＰとして設定し（ステップＳ７０）、再生素子４Ｂを通じて再生アクセスを開始すべく、ステップＳ６６に移行する。
【００９２】
また、再生制御部２２Ａは、現在再生位置ＲＰのピーク値が最大ピーク値である場合（ステップＳ６８肯定）、現在再生位置ＲＰのピーク値が書き込み位置ＷＰでの最大ピーク値としてピーク値記憶部２３に記憶更新する（ステップＳ７１）。
【００９３】
さらに、再生制御部２２Ａは、現在再生位置ＲＰのピーク値が最大ピーク値としてピーク値記憶部２３に記憶更新すると、書き込み位置ＷＰでの最大ピーク値の再生位置ＲＰＭＡＸを記憶更新し（ステップＳ７２）、現在再生位置ＲＰが再生終了位置に到達したか否かを判定すべく、ステップＳ６９に移行する。
【００９４】
尚、現在書き込み位置ＷＰで書き込んだオフセット測定データＸを初期位置ＲＰ０から再生終了位置に到達するまでΔＲＰ毎に再生素子４Ｂをずらしながら再生出力し、図１２に示すように、現在書き込み位置ＷＰで書き込んだオフセット測定データＸの内、最大ピーク値の再生位置ＲＰＭＡＸを取得することになる。
【００９５】
また、オフセット量決定部２４は、現在再生位置ＲＰが再生終了位置に到達した場合（ステップＳ６９肯定）、ピーク記憶部２３に記憶中の最大ピーク値に相当する再生位置ＲＰＭＡＸ及び書き込み位置ＷＰに基づき、記憶素子４Ａと再生素子４Ｂとの間の距離を算出し（ステップＳ７３）、記憶素子４Ａと再生素子４Ｂとの間のオフセット量を決定することで（ステップＳ７４）、図１１の処理動作を終了する。
【００９６】
図１１に示す第２オフセット量決定処理では、ＤＴＭ３Ａ上のオフセット量測定領域３５上の書き込み位置ＷＰにオフセット測定データＸをトラックダウン方向に書き込むことで、オフセット測定データを書き込む書き込み位置ＷＰがデータトラック３１の中心にない場合でも、必ず横断トラック３６上に書き込まれることになるため、その横断トラック３６上を再生位置ＲＰから再生終了位置までΔＲＰ単位毎に順次再生し、書き込み位置ＷＰでの複数の再生位置ＲＰの内、最大ピーク値の再生位置ＲＰＭＡＸを特定し、再生位置ＲＰＭＡＸ及び書き込み位置ＷＰに基づき記憶素子４Ａと再生素子４Ｂとの間の距離を算出し、この算出した距離を記憶素子４Ａと再生素子４Ｂとの間のオフセット量として決定するようにしたので、隣接するトラック３３間にガード帯３４を交互に配置したＤＴＭ３Ａであっても、記憶素子４Ａと再生素子４Ｂとの間のオフセット量を簡単に決定することができる。
【００９７】
また、第２オフセット量決定処理によれば、隣接するトラック３３間を横断トラック３６が横断することになるため、必ず横断トラック３６上にオフセット測定データが書き込まれるようにしたので、書き込み位置ＷＰを順次ずらす必要もなく、図５に示す第１オフセット量決定処理に比較して、その処理時間を大幅に短縮することができる。
【００９８】
実施例２のＨＤＤ装置１Ａでは、ＤＴＭ３Ａ上のオフセット量測定領域３５上の書き込み位置ＷＰにオフセット測定データＸをトラックダウン方向に書き込むことで、オフセット測定データＸを書き込む書き込み位置ＷＰがデータトラック３１の中心にない場合でも、必ず横断トラック３６上に書き込まれることになるため、その横断トラック３６上を再生位置ＲＰから再生終了位置までΔＲＰ単位毎に順次再生し、書き込み位置ＷＰでの複数の再生位置ＲＰの内、最大ピーク値の再生位置ＲＰＭＡＸを特定し、再生位置ＲＰＭＡＸ及び書き込み位置ＷＰに基づき記憶素子４Ａと再生素子４Ｂとの間の距離を算出し、この算出した距離を記憶素子４Ａと再生素子４Ｂとの間のオフセット量として決定するようにしたので、隣接するトラック３１間にガード帯３４を交互に配置したＤＴＭ３Ａであっても、その処理時間を大幅に軽減しながら、記憶素子４Ａと再生素子４Ｂとの間のオフセット量を簡単に決定することができる。
【００９９】
尚、上記実施例２のＨＤＤ装置１ＡのＤＴＭ３Ａの一部領域であるオフセット量測定領域３５においては、図８に示すように、隣接するトラック３３間を横断する横断トラック３６を斜行方向に配置するようにしたが、ＤＴＭ３Ａの構成を次に説明するようにしても良く、実施例３として説明する。
【実施例３】
【０１００】
図１３は、実施例３のＨＤＤ装置に実装するＤＴＭ内部の一部領域のトラック配置構成を端的に示す説明図である。尚、実施例２のＨＤＤ装置１Ａと同一の一部領域については同一符号を付すことで、その重複する構成及び動作の説明については省略する。
【０１０１】
図１３に示すＤＴＭ３Ｂの一部領域には、横断トラック３６を複数配置したオフセット量測定領域３５の他に、オフセット測定データＸに関わる記憶素子４Ａの中心位置での書き込みを可能にすべく、ガード帯３４を介して隣接するトラック３３間を横断するように、横断トラック３６と左右対称の補正用横断トラック３６Ａを複数配置した補正用オフセット量測定領域３５Ａを備えたものである。
【０１０２】
次に実施例３のＨＤＤ装置１Ｂの動作について説明する。
【０１０３】
先ず、メイン制御部１５の書き込み制御部２１Ａは、オフセット量測定開始信号を検出すると、図１１の第２オフセット量決定処理のステップＳ６１乃至６４の処理で、記憶素子４Ａを通じてオフセット量測定領域３５上の横断トラック３６の一部にオフセット測定データＸを書き込んで、記憶素子４Ａの書き込み位置ＷＰを第１書き込み位置ＷＰ１として記憶する。
【０１０４】
そして、再生制御部２２Ａは、図１１の第２オフセット量決定処理のステップＳ６５乃至７２の処理で、図１３に示すように、横断トラック３６の一部にオフセット測定データＸを書き込むと、サーボ制御部１２を通じて再生素子４Ｂの中心位置を、第１書き込み位置ＷＰ１に関わる再生可能範囲内の再生位置ＲＰに、ΔＲＰ単位毎に順次合わせて再生出力する。
【０１０５】
そして、オフセット量決定部２４は、横断トラック３６での再生位置毎の再生出力のピーク値の内、最大のピーク値に相当する再生位置ＲＰＭＡＸを再生素子４Ｂの第１再生位置ＲＰＭＡＸ１として特定し、記憶素子４Ａの第１書き込み位置ＷＰ１及び再生素子４Ｂの第１再生位置ＲＰ１に基づき、記憶素子４Ａと再生素子４Ｂとの間の移動距離として第１オフセット量を特定記憶する。
【０１０６】
次に書き込み制御部２１Ａは、図１１の第２オフセット量決定処理のステップＳ６１乃至６４の処理で、図１３に示すように、記憶素子４Ａを通じて補正用オフセット量測定領域３５Ａ上の補正用横断トラック３６Ａの一部にオフセット測定データＸを書き込んで、記憶素子４Ａの書き込み位置ＷＰを第２書き込み位置ＷＰ２として記憶する。
【０１０７】
さらに、再生制御部２２Ａは、図１１の第２オフセット量決定処理のステップＳ６５乃至７２の処理で、補正用横断トラック３６Ａの一部にオフセット測定データＸを書き込むと、サーボ制御部１２を通じて再生素子４Ｂの中心位置を、第２書き込み位置ＷＰ２に関わる再生可能範囲内の再生位置ＲＰに、ΔＲＰ単位毎に順次合わせて再生出力する。
【０１０８】
オフセット量決定部２４は、補正用横断トラック３６Ａでの再生位置ＲＰ毎の再生出力のピーク値の内、最大のピーク値に相当する再生位置ＲＰＭＡＸを再生素子４Ｂの第２再生位置ＲＰＭＡＸ２として特定する。
【０１０９】
そして、オフセット量決定部２４は、記憶素子４Ａの第２書き込み位置ＷＰ２及び再生素子４Ｂの第２再生位置ＲＰＭＡＸ２に基づき、記憶素子４Ａと再生素子４Ｂとの間の移動距離として第２オフセット量を特定記憶する。
【０１１０】
そして、オフセット量決定部２４は、記憶中の横断トラック３６Ａで特定した第１オフセット量と、記憶中の補正用横断トラック３６Ａで特定した第２オフセット量との平均値を、記憶素子４Ａと再生素子４Ｂとの間のオフセット量として決定する。
【０１１１】
実施例３のＨＤＤ装置１Ｂによれば、オフセット量測定領域３５の横断トラック３６で特定した第１オフセット量と、補正用オフセット量測定領域３５Ａの補正用横断トラック３６Ａで特定した第２オフセット量との平均値を、磁気ヘッド部４の記憶素子４Ａと再生素子４Ｂとの間のオフセット量としたので、実施例２のＨＤＤ装置１Ａと比較して、データトラックパターン形成時の位置ズレ量を補正しながら、オフセット量の測定精度を向上させることができる。
【０１１２】
また、上記実施例１乃至３においては、磁気記憶媒体としてＤＴＭ３（３Ａ，３Ｂ）について説明したが、ダウントラック方向に固定ビットを形成したＢＰＭであっても、トラッキング方向に隣接するトラック間に横断トラックや補正用横断トラックを配置するようにしても良く、この場合でも同様の効果が得られることは言うまでもない。
【０１１３】
以上、本発明の実施例について説明したが、本実施例によって本発明の技術的思想の範囲が限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した技術的思想の範囲を逸脱しない限り、各種様々な実施例が実施可能であることは言うまでもない。また、本実施例に記載した効果は、これに限定されるものではない。
【０１１４】
また、本実施例で説明した各種処理の内、自動的に行われるものとして説明した処理の全部又は一部を手動で行うことも可能であることは勿論のこと、その逆に、手動で行われるものとして説明した処理の全部又は一部を自動で行うことも可能であることは言うまでもない。また、本実施例で説明した処理手順、制御手順、具体的名称、各種データやパラメータを含む情報についても、特記した場合を除き、適宜変更可能であることは言うまでもない。
【０１１５】
また、図示した各装置の各構成要素は機能概念的に記載したものであって、必ずしも物理的に図示のように構成されるものではなく、その各装置の具体的な態様は図示のものに限縮されるものでは到底ないことは言うまでもない。
【０１１６】
さらに、各装置で行われる各種処理機能は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）（又はＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、ＭＣＵ（Ｍｉｃｒｏ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ Ｕｎｉｔ）等のマイクロ・コンピュータ）上、又は同ＣＰＵ（又はＭＰＵ、ＭＣＵ等のマイクロ・コンピュータ）で解析実行するプログラム上、又はワイヤードロジックによるハードウェア上で、その全部又は任意の一部を実行するようにしても良いことは言うまでもない。
【０１１７】
以上、上記実施例１乃至３を含む実施の形態に関し、更に以下の付記を開示する。
【０１１８】
（付記１）データの書き込み及び再生が可能な複数のデータトラック及び、これら複数のデータトラック間に配置し、前記データトラックの位置情報を再生可能にするサーボパターンを含むトラックと、隣接するトラック間を磁気的に分離するガード帯とを同心円状に交互に配置し、磁気ヘッド部の記憶素子と再生素子との間のオフセット量を測定するためのオフセット測定データに関わる前記記憶素子の中心位置での書き込みを可能にすべく、前記ガード帯を介して隣接するトラック間を横断するように横断トラックを形成したオフセット量測定領域を有する磁気記憶媒体を回転駆動する回転駆動制御部と、
前記磁気記憶媒体に対して、前記磁気ヘッド部をトラッキング方向に移動制御する磁気ヘッド駆動制御部と、
オフセット量測定開始信号を検出すると、前記記憶素子を通じて前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと共に、前記トラッキング方向での前記記憶素子の書き込み位置を記憶する書き込み制御部と、
前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと、前記磁気ヘッド駆動制御部を通じて前記磁気ヘッド部の前記再生素子の中心位置を、前記書き込み位置に関わる再生可能範囲内の再生位置に、所定距離単位で順次合わせて再生出力する再生制御部と、
前記再生位置毎の再生出力のピーク値の内、最大のピーク値に相当する再生位置を前記再生素子の再生位置として特定し、前記記憶素子の書き込み位置及び前記再生素子の再生位置に基づき、前記記憶素子と前記再生素子との間の移動距離としてオフセット量を決定するオフセット量決定部と
を有することを特徴とする記憶装置の制御装置。
【０１１９】
（付記２）前記横断トラックは、
前記ガード帯を介して隣接するトラック間を斜行方向に横断するように、前記オフセット量測定領域内部に配置したことを特徴とする付記１記載の記憶装置の制御装置。
【０１２０】
（付記３）前記磁気記憶媒体は、
前記オフセット量測定領域の他に、前記オフセット測定データに関わる前記記憶素子の中心位置での書き込みを可能にすべく、前記ガード帯を介して隣接するトラック間を横断するように、前記横断トラックと左右対称の補正用横断トラックを形成した補正用オフセット量測定領域を有し、
前記書き込み制御部は、
前記記憶素子を通じて前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込んで、前記記憶素子の書き込み位置を第１書き込み位置として記憶し、
前記再生制御部は、
前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと、前記磁気ヘッド駆動制御部を通じて前記再生素子の中心位置を、前記第１書き込み位置に関わる再生可能範囲内の再生位置に、所定距離単位で順次合わせて再生出力し、
前記オフセット量決定部は、
前記横断トラックでの前記再生位置毎の再生出力のピーク値の内、最大のピーク値に相当する再生位置を前記再生素子の第１再生位置として特定し、前記記憶素子の第１書き込み位置及び前記再生素子の第１再生位置に基づき、前記記憶素子と前記再生素子との間の移動距離として第１オフセット量を特定し、
前記書き込み制御部は、
前記記憶素子を通じて前記補正用オフセット量測定領域上の前記補正用横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込んで、前記記憶素子の書き込み位置を第２書き込み位置として記憶し、
前記再生制御部は、
前記補正用横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと、前記磁気ヘッド駆動制御部を通じて前記再生素子の中心位置を、前記第２書き込み位置に関わる再生可能範囲内の再生位置に、所定距離単位で順次合わせて再生出力し、
前記オフセット量決定部は、
前記補正用横断トラックでの前記再生位置毎の再生出力のピーク値の内、最大のピーク値に相当する再生位置を前記再生素子の第２再生位置として特定し、前記記憶素子の第２書き込み位置及び前記再生素子の第２再生位置に基づき、前記記憶素子と前記再生素子との間の移動距離として第２オフセット量を特定し、前記第１オフセット量及び前記第２オフセット量の平均値を、前記記憶素子と前記再生素子との間のオフセット量として決定することを特徴とする付記１又は２記載の記憶装置の制御装置。
【０１２１】
（付記４）データの書き込み及び再生が可能な複数のデータトラック及び、これら複数のデータトラック間に配置し、前記データトラックの位置情報を再生可能にするサーボパターンを含むトラックと、隣接するトラック間を磁気的に分離するガード帯とを同心円状に交互に配置した磁気記憶媒体であって、
この磁気記憶媒体の一部領域に、前記磁気記憶媒体にデータを書き込む記憶装置の記憶素子と前記磁気記憶媒体に書き込んだデータを再生する前記記憶装置の再生素子との間のオフセット量を測定する際に使用するオフセット量測定領域を配置し、
前記オフセット量を測定する際に、前記オフセット量測定領域上に前記記憶素子の中心位置でのオフセット測定データの書き込みを確保できるように、前記オフセット量測定領域内に、前記ガード帯を介して隣接するトラック間を横断して、前記オフセット測定データの書き込み及び再生を可能にする横断トラックを配置したことを特徴とする磁気記憶媒体。
【０１２２】
（付記５）前記横断トラックは、
前記ガード帯を介して隣接するトラック間を斜行方向に横断するように、前記オフセット量測定領域内部に配置したことを特徴とする付記４記載の磁気記憶媒体。
【０１２３】
（付記６）前記磁気記憶媒体の一部領域に、
前記オフセット量測定領域の他に、前記オフセット測定データに関わる前記記憶素子の中心位置での書き込みを可能にすべく、前記ガード帯を介して隣接するトラック間を横断するように、前記横断トラックと左右対称の補正用横断トラックを形成した補正用オフセット量測定領域を有することを特徴とする付記４又は５記載の磁気記憶媒体。
【０１２４】
（付記７）データの書き込み及び再生が可能な複数のデータトラック及び、これら複数のデータトラック間に配置し、前記データトラックの位置情報を再生可能にするサーボパターンを含むトラックと、隣接するトラック間を磁気的に分離するガード帯とを同心円状に交互に配置し、前記ガード帯を介して隣接するトラック間を横断して、オフセット測定データの書き込み及び再生を可能にする横断トラックを形成したオフセット量測定領域を備えた磁気記憶媒体と、
前記磁気記憶媒体にデータを書き込む記憶素子及び、前記磁気記憶媒体からデータを再生する再生素子を備えた磁気ヘッド部と、
前記磁気記憶媒体を回転駆動する回転駆動制御部と、
前記磁気ヘッド部をトラッキング方向に移動制御する磁気ヘッド駆動制御部と、
オフセット量測定開始信号を検出すると、前記記憶素子を通じて前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと共に、前記トラッキング方向の前記記憶素子の書き込み位置を記憶する書き込み制御部と、
前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと、前記磁気ヘッド駆動制御部を通じて前記磁気ヘッド部の前記再生素子の中心位置を、前記書き込み位置に関わる再生可能範囲内の再生位置に、所定距離単位で順次合わせて再生出力する再生制御部と、
前記再生位置毎の再生出力のピーク値の内、最大のピーク値に相当する再生位置を前記再生素子の再生位置とし、前記記憶素子の書き込み位置及び前記再生素子の再生位置に基づき、前記記憶素子と前記再生素子との間の移動距離としてオフセット量を決定するオフセット量決定部と
を有することを特徴とする記憶装置。
【０１２５】
（付記８）前記横断トラックは、
前記ガード帯を介して隣接するトラック間を斜行方向に横断するように、前記オフセット量測定領域内部に配置したことを特徴とする付記７記載の記憶装置。
【０１２６】
（付記９）前記磁気記憶媒体は、
前記オフセット量測定領域の他に、前記オフセット測定データに関わる前記記憶素子の中心位置での書き込みを可能にすべく、前記ガード帯を介して隣接するトラック間を横断するように、前記横断トラックと左右対称の補正用横断トラックを形成した補正用オフセット量測定領域を有し、
前記書き込み制御部は、
前記記憶素子を通じて前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込んで、前記記憶素子の書き込み位置を第１書き込み位置として記憶し、
前記再生制御部は、
前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと、前記磁気ヘッド駆動制御部を通じて前記再生素子の中心位置を、前記第１書き込み位置に関わる再生可能範囲内の再生位置に、所定距離単位で順次合わせて再生出力し、
前記オフセット量決定部は、
前記横断トラックでの前記再生位置毎の再生出力のピーク値の内、最大のピーク値に相当する再生位置を前記再生素子の第１再生位置として特定し、前記記憶素子の第１書き込み位置及び前記再生素子の第１再生位置に基づき、前記記憶素子と前記再生素子との間の移動距離として第１オフセット量を特定し、
前記書き込み制御部は、
前記記憶素子を通じて前記補正用オフセット量測定領域上の前記補正用横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込んで、前記記憶素子の書き込み位置を第２書き込み位置として記憶し、
前記再生制御部は、
前記補正用横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと、前記磁気ヘッド駆動制御部を通じて前記再生素子の中心位置を、前記第２書き込み位置に関わる再生可能範囲内の再生位置に、所定距離単位で順次合わせて再生出力し、
前記オフセット量決定部は、
前記補正用横断トラックでの前記再生位置毎の再生出力のピーク値の内、最大のピーク値に相当する再生位置を前記再生素子の第２再生位置として特定し、前記記憶素子の第２書き込み位置及び前記再生素子の第２再生位置に基づき、前記記憶素子と前記再生素子との間の移動距離として第２オフセット量を特定し、前記第１オフセット量及び前記第２オフセット量の平均値を、前記記憶素子と前記再生素子との間のオフセット量として決定することを特徴とする付記７又は８記載の記憶装置。
【０１２７】
（付記１０）データの書き込み及び再生が可能な複数のデータトラック及び、これら複数のデータトラック間に配置し、前記データトラックの位置情報を再生可能にするサーボパターンを含むトラックと、隣接するトラック間を磁気的に分離するガード帯とを同心円状に交互に配置し、磁気ヘッド部の記憶素子と再生素子との間のオフセット量を測定するためのオフセット測定データに関わる前記記憶素子の中心位置での書き込みを可能にすべく、前記ガード帯を介して隣接するトラック間を横断するように横断トラックを形成したオフセット量測定領域を備えた磁気記憶媒体を回転駆動する回転駆動制御ステップと、
前記磁気記憶媒体に対して、前記磁気ヘッド部をトラッキング方向に移動制御する磁気ヘッド駆動制御ステップと、
オフセット量測定開始信号を検出すると、前記記憶素子を通じて前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部にオフセット測定データを書き込むと共に、前記トラッキング方向での前記記憶素子の書き込み位置を記憶する書き込み制御ステップと、
前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと、前記磁気ヘッド駆動制御ステップを通じて前記磁気ヘッド部の前記再生素子の中心位置を、前記書き込み位置に関わる再生可能範囲内の再生位置に、所定距離単位で順次合わせて再生出力する再生制御ステップと、
前記再生位置毎の再生出力のピーク値の内、最大のピーク値に相当する再生位置を前記再生素子の再生位置とし、前記記憶素子の書き込み位置及び前記再生素子の再生位置に基づき、前記記憶素子と前記再生素子との間の移動距離としてオフセット量を決定するオフセット量決定ステップと
を含むことを特徴とする記憶装置のオフセット量決定方法。
【０１２８】
（付記１１）前記横断トラックは、
前記ガード帯を介して隣接するトラック間を斜行方向に横断するように、前記オフセット量測定領域内部に配置したことを特徴とする付記１０記載の記憶装置のオフセット量決定方法。
【０１２９】
（付記１２）前記磁気記憶媒体は、
前記オフセット量測定領域の他に、前記オフセット測定データに関わる前記記憶素子の中心位置での書き込みを可能にすべく、前記ガード帯を介して隣接するトラック間を横断するように、前記横断トラックと左右対称の補正用横断トラックを形成した補正用オフセット量測定領域を有し、
前記書き込み制御ステップは、
前記記憶素子を通じて前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込んで、前記記憶素子の書き込み位置を第１書き込み位置として記憶し、
前記再生制御ステップは、
前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと、前記磁気ヘッド駆動制御ステップを通じて前記再生素子の中心位置を、前記第１書き込み位置に関わる再生可能範囲内の再生位置に、所定距離単位で順次合わせて再生出力し、
前記オフセット量決定ステップは、
前記横断トラックでの前記再生位置毎の再生出力のピーク値の内、最大のピーク値に相当する再生位置を前記再生素子の第１再生位置として特定し、前記記憶素子の第１書き込み位置及び前記再生素子の第１再生位置に基づき、前記記憶素子と前記再生素子との間の移動距離として第１オフセット量を特定し、
さらに、前記書き込み制御ステップは、
前記記憶素子を通じて前記補正用オフセット量測定領域上の前記補正用横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込んで、前記記憶素子の書き込み位置を第２書き込み位置として記憶し、
前記再生制御ステップは、
前記補正用横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと、前記磁気ヘッド駆動制御ステップを通じて前記再生素子の中心位置を、前記第２書き込み位置に関わる再生可能範囲内の再生位置に、所定距離単位で順次合わせて再生出力し、
前記オフセット量決定ステップは、
前記補正用横断トラックでの前記再生位置毎の再生出力のピーク値の内、最大のピーク値に相当する再生位置を前記再生素子の第２再生位置として特定し、前記記憶素子の第２書き込み位置及び前記再生素子の第２再生位置に基づき、前記記憶素子と前記再生素子との間の移動距離として第２オフセット量を特定し、前記第１オフセット量及び前記第２オフセット量の平均値を、前記記憶素子と前記再生素子との間のオフセット量として決定することを特徴とする付記１０又は１１記載の記憶装置のオフセット量決定方法。
【図面の簡単な説明】
【０１３０】
【図１】実施例１のＨＤＤ装置の概略構成を示す斜視図である。
【図２】実施例１のＨＤＤ装置内部の概略構成を示すブロック図である。
【図３】実施例１のＨＤＤ装置の磁気ヘッド部の記憶素子及び再生素子の位置関係を端的に示す説明図である。
【図４】実施例１のＨＤＤ装置に実装するＤＴＭ内部のトラック配置構成を端的に示す説明図である。
【図５】実施例１のＨＤＤ装置の第１オフセット量決定処理に関わる制御回路の処理動作を示すフローチャートである。
【図６】実施例１のＨＤＤ装置の第１オフセット量決定処理の再生素子の再生位置（オフセット量）及び再生出力（ＴＡＡ）を端的に示す説明図である。
【図７】実施例２のＨＤＤ装置内部の概略構成を示すブロック図である。
【図８】実施例２のＨＤＤ装置に実装するＤＴＭ内部のオフセット量測定領域内部のトラック配置構成を端的に示す説明図である。
【図９】実施例２のＨＤＤ装置に実装するＤＴＭの電子線露光処理を実行する電子線露光処理装置内部の概略構成を示すブロック図である。
【図１０】実施例２のＤＴＭ製造工程を示すフローチャートである。
【図１１】実施例２のＨＤＤ装置の第２オフセット量決定処理に関わる制御回路の処理動作を示すフローチャートである。
【図１２】実施例２のＨＤＤ装置の第２オフセット量決定処理の再生素子の再生位置（オフセット量）及び再生出力（ＴＡＡ）を端的に示す説明図である。
【図１３】実施例３のＨＤＤ装置に実装するＤＴＭ内部の一部領域のトラック配置構成を端的に示す説明図である。
【図１４】一般的なＤＴＭ内部のデータトラック及びサーボパターンの配置を端的に示す平面模式図である。
【図１５】一般的なＤＴＭ内部のトラック及びガード帯の配置関係を端的に示す一部破断した模式図である。
【図１６】一般的なＢＰＭ内部のトラック及びガード帯の配置関係を端的に示す一部破断した模式図である。
【符号の説明】
【０１３１】
１ ＨＤＤ装置
１Ａ ＨＤＤ装置
３ ＤＴＭ
３Ａ ＤＴＭ
３Ｂ ＤＴＭ
４ 磁気ヘッド部
４Ａ 記憶素子
４Ｂ 再生素子
８ 制御回路
１２ サーボ制御部
１５ メイン制御部
２１ 書き込み制御部
２１Ａ 書込み制御部
２２ 再生制御部
２２Ａ 再生制御部
２３ ピーク値記憶部
２４ オフセット量決定部
３１ データトラック
３２ サーボパターン
３３ トラック
３４ ガード帯
３５ オフセット量測定領域
３５Ａ 補正用オフセット量測定領域
３６ 横断トラック
３６Ａ 補正用横断トラック
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データの書き込み及び再生が可能な複数のデータトラック及び、これら複数のデータトラック間に配置し、前記データトラックの位置情報を再生可能にするサーボパターンを含むトラックと、隣接するトラック間を磁気的に分離するガード帯とを同心円状に交互に配置し、磁気ヘッド部の記憶素子と再生素子との間のオフセット量を測定するためのオフセット測定データに関わる前記記憶素子の中心位置での書き込みを可能にすべく、前記ガード帯を介して隣接するトラック間を横断するように横断トラックを形成したオフセット量測定領域を有する磁気記憶媒体を回転駆動する回転駆動制御部と、
前記磁気記憶媒体に対して、前記磁気ヘッド部をトラッキング方向に移動制御する磁気ヘッド駆動制御部と、
オフセット量測定開始信号を検出すると、前記記憶素子を通じて前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと共に、前記トラッキング方向での前記記憶素子の書き込み位置を記憶する書き込み制御部と、
前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと、前記磁気ヘッド駆動制御部を通じて前記磁気ヘッド部の前記再生素子の中心位置を、前記書き込み位置に関わる再生可能範囲内の再生位置に、所定距離単位で順次合わせて再生出力する再生制御部と、
前記再生位置毎の再生出力のピーク値の内、最大のピーク値に相当する再生位置を前記再生素子の再生位置として特定し、前記記憶素子の書き込み位置及び前記再生素子の再生位置に基づき、前記記憶素子と前記再生素子との間の移動距離としてオフセット量を決定するオフセット量決定部と
を有することを特徴とする記憶装置の制御装置。
【請求項２】
前記横断トラックは、
前記ガード帯を介して隣接するトラック間を斜行方向に横断するように、前記オフセット量測定領域内部に配置したことを特徴とする請求項１記載の記憶装置の制御装置。
【請求項３】
前記磁気記憶媒体は、
前記オフセット量測定領域の他に、前記オフセット測定データに関わる前記記憶素子の中心位置での書き込みを可能にすべく、前記ガード帯を介して隣接するトラック間を横断するように、前記横断トラックと左右対称の補正用横断トラックを形成した補正用オフセット量測定領域を有し、
前記書き込み制御部は、
前記記憶素子を通じて前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込んで、前記記憶素子の書き込み位置を第１書き込み位置として記憶し、
前記再生制御部は、
前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと、前記磁気ヘッド駆動制御部を通じて前記再生素子の中心位置を、前記第１書き込み位置に関わる再生可能範囲内の再生位置に、所定距離単位で順次合わせて再生出力し、
前記オフセット量決定部は、
前記横断トラックでの前記再生位置毎の再生出力のピーク値の内、最大のピーク値に相当する再生位置を前記再生素子の第１再生位置として特定し、前記記憶素子の第１書き込み位置及び前記再生素子の第１再生位置に基づき、前記記憶素子と前記再生素子との間の移動距離として第１オフセット量を特定し、
前記書き込み制御部は、
前記記憶素子を通じて前記補正用オフセット量測定領域上の前記補正用横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込んで、前記記憶素子の書き込み位置を第２書き込み位置として記憶し、
前記再生制御部は、
前記補正用横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと、前記磁気ヘッド駆動制御部を通じて前記再生素子の中心位置を、前記第２書き込み位置に関わる再生可能範囲内の再生位置に、所定距離単位で順次合わせて再生出力し、
前記オフセット量決定部は、
前記補正用横断トラックでの前記再生位置毎の再生出力のピーク値の内、最大のピーク値に相当する再生位置を前記再生素子の第２再生位置として特定し、前記記憶素子の第２書き込み位置及び前記再生素子の第２再生位置に基づき、前記記憶素子と前記再生素子との間の移動距離として第２オフセット量を特定し、前記第１オフセット量及び前記第２オフセット量の平均値を、前記記憶素子と前記再生素子との間のオフセット量として決定することを特徴とする請求項１又は２記載の記憶装置の制御装置。
【請求項４】
データの書き込み及び再生が可能な複数のデータトラック及び、これら複数のデータトラック間に配置し、前記データトラックの位置情報を再生可能にするサーボパターンを含むトラックと、隣接するトラック間を磁気的に分離するガード帯とを同心円状に交互に配置した磁気記憶媒体であって、
この磁気記憶媒体の一部領域に、前記磁気記憶媒体にデータを書き込む記憶装置の記憶素子と前記磁気記憶媒体に書き込んだデータを再生する前記記憶装置の再生素子との間のオフセット量を測定する際に使用するオフセット量測定領域を配置し、
前記オフセット量を測定する際に、前記オフセット量測定領域上に前記記憶素子の中心位置でのオフセット測定データの書き込みを確保できるように、前記オフセット量測定領域内に、前記ガード帯を介して隣接するトラック間を横断して、前記オフセット測定データの書き込み及び再生を可能にする横断トラックを配置したことを特徴とする磁気記憶媒体。
【請求項５】
前記横断トラックは、
前記ガード帯を介して隣接するトラック間を斜行方向に横断するように、前記オフセット量測定領域内部に配置したことを特徴とする請求項４記載の磁気記憶媒体。
【請求項６】
前記磁気記憶媒体の一部領域に、
前記オフセット量測定領域の他に、前記オフセット測定データに関わる前記記憶素子の中心位置での書き込みを可能にすべく、前記ガード帯を介して隣接するトラック間を横断するように、前記横断トラックと左右対称の補正用横断トラックを形成した補正用オフセット量測定領域を有することを特徴とする請求項４又は５記載の磁気記憶媒体。
【請求項７】
データの書き込み及び再生が可能な複数のデータトラック及び、これら複数のデータトラック間に配置し、前記データトラックの位置情報を再生可能にするサーボパターンを含むトラックと、隣接するトラック間を磁気的に分離するガード帯とを同心円状に交互に配置し、前記ガード帯を介して隣接するトラック間を横断して、オフセット測定データの書き込み及び再生を可能にする横断トラックを形成したオフセット量測定領域を備えた磁気記憶媒体と、
前記磁気記憶媒体にデータを書き込む記憶素子及び、前記磁気記憶媒体からデータを再生する再生素子を備えた磁気ヘッド部と、
前記磁気記憶媒体を回転駆動する回転駆動制御部と、
前記磁気ヘッド部をトラッキング方向に移動制御する磁気ヘッド駆動制御部と、
オフセット量測定開始信号を検出すると、前記記憶素子を通じて前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと共に、前記トラッキング方向の前記記憶素子の書き込み位置を記憶する書き込み制御部と、
前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと、前記磁気ヘッド駆動制御部を通じて前記磁気ヘッド部の前記再生素子の中心位置を、前記書き込み位置に関わる再生可能範囲内の再生位置に、所定距離単位で順次合わせて再生出力する再生制御部と、
前記再生位置毎の再生出力のピーク値の内、最大のピーク値に相当する再生位置を前記再生素子の再生位置とし、前記記憶素子の書き込み位置及び前記再生素子の再生位置に基づき、前記記憶素子と前記再生素子との間の移動距離としてオフセット量を決定するオフセット量決定部と
を有することを特徴とする記憶装置。
【請求項８】
前記横断トラックは、
前記ガード帯を介して隣接するトラック間を斜行方向に横断するように、前記オフセット量測定領域内部に配置したことを特徴とする請求項７記載の記憶装置。
【請求項９】
データの書き込み及び再生が可能な複数のデータトラック及び、これら複数のデータトラック間に配置し、前記データトラックの位置情報を再生可能にするサーボパターンを含むトラックと、隣接するトラック間を磁気的に分離するガード帯とを同心円状に交互に配置し、磁気ヘッド部の記憶素子と再生素子との間のオフセット量を測定するためのオフセット測定データに関わる前記記憶素子の中心位置での書き込みを可能にすべく、前記ガード帯を介して隣接するトラック間を横断するように横断トラックを形成したオフセット量測定領域を備えた磁気記憶媒体を回転駆動する回転駆動制御ステップと、
前記磁気記憶媒体に対して、前記磁気ヘッド部をトラッキング方向に移動制御する磁気ヘッド駆動制御ステップと、
オフセット量測定開始信号を検出すると、前記記憶素子を通じて前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部にオフセット測定データを書き込むと共に、前記トラッキング方向での前記記憶素子の書き込み位置を記憶する書き込み制御ステップと、
前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと、前記磁気ヘッド駆動制御ステップを通じて前記磁気ヘッド部の前記再生素子の中心位置を、前記書き込み位置に関わる再生可能範囲内の再生位置に、所定距離単位で順次合わせて再生出力する再生制御ステップと、
前記再生位置毎の再生出力のピーク値の内、最大のピーク値に相当する再生位置を前記再生素子の再生位置とし、前記記憶素子の書き込み位置及び前記再生素子の再生位置に基づき、前記記憶素子と前記再生素子との間の移動距離としてオフセット量を決定するオフセット量決定ステップと
を含むことを特徴とする記憶装置のオフセット量決定方法。
【請求項１０】
前記横断トラックは、
前記ガード帯を介して隣接するトラック間を斜行方向に横断するように、前記オフセット量測定領域内部に配置したことを特徴とする請求項９記載の記憶装置のオフセット量決定方法。
【請求項１】
データの書き込み及び再生が可能な複数のデータトラック及び、これら複数のデータトラック間に配置し、前記データトラックの位置情報を再生可能にするサーボパターンを含むトラックと、隣接するトラック間を磁気的に分離するガード帯とを同心円状に交互に配置し、磁気ヘッド部の記憶素子と再生素子との間のオフセット量を測定するためのオフセット測定データに関わる前記記憶素子の中心位置での書き込みを可能にすべく、前記ガード帯を介して隣接するトラック間を横断するように横断トラックを形成したオフセット量測定領域を有する磁気記憶媒体を回転駆動する回転駆動制御部と、
前記磁気記憶媒体に対して、前記磁気ヘッド部をトラッキング方向に移動制御する磁気ヘッド駆動制御部と、
オフセット量測定開始信号を検出すると、前記記憶素子を通じて前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと共に、前記トラッキング方向での前記記憶素子の書き込み位置を記憶する書き込み制御部と、
前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと、前記磁気ヘッド駆動制御部を通じて前記磁気ヘッド部の前記再生素子の中心位置を、前記書き込み位置に関わる再生可能範囲内の再生位置に、所定距離単位で順次合わせて再生出力する再生制御部と、
前記再生位置毎の再生出力のピーク値の内、最大のピーク値に相当する再生位置を前記再生素子の再生位置として特定し、前記記憶素子の書き込み位置及び前記再生素子の再生位置に基づき、前記記憶素子と前記再生素子との間の移動距離としてオフセット量を決定するオフセット量決定部と
を有することを特徴とする記憶装置の制御装置。
【請求項２】
前記横断トラックは、
前記ガード帯を介して隣接するトラック間を斜行方向に横断するように、前記オフセット量測定領域内部に配置したことを特徴とする請求項１記載の記憶装置の制御装置。
【請求項３】
前記磁気記憶媒体は、
前記オフセット量測定領域の他に、前記オフセット測定データに関わる前記記憶素子の中心位置での書き込みを可能にすべく、前記ガード帯を介して隣接するトラック間を横断するように、前記横断トラックと左右対称の補正用横断トラックを形成した補正用オフセット量測定領域を有し、
前記書き込み制御部は、
前記記憶素子を通じて前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込んで、前記記憶素子の書き込み位置を第１書き込み位置として記憶し、
前記再生制御部は、
前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと、前記磁気ヘッド駆動制御部を通じて前記再生素子の中心位置を、前記第１書き込み位置に関わる再生可能範囲内の再生位置に、所定距離単位で順次合わせて再生出力し、
前記オフセット量決定部は、
前記横断トラックでの前記再生位置毎の再生出力のピーク値の内、最大のピーク値に相当する再生位置を前記再生素子の第１再生位置として特定し、前記記憶素子の第１書き込み位置及び前記再生素子の第１再生位置に基づき、前記記憶素子と前記再生素子との間の移動距離として第１オフセット量を特定し、
前記書き込み制御部は、
前記記憶素子を通じて前記補正用オフセット量測定領域上の前記補正用横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込んで、前記記憶素子の書き込み位置を第２書き込み位置として記憶し、
前記再生制御部は、
前記補正用横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと、前記磁気ヘッド駆動制御部を通じて前記再生素子の中心位置を、前記第２書き込み位置に関わる再生可能範囲内の再生位置に、所定距離単位で順次合わせて再生出力し、
前記オフセット量決定部は、
前記補正用横断トラックでの前記再生位置毎の再生出力のピーク値の内、最大のピーク値に相当する再生位置を前記再生素子の第２再生位置として特定し、前記記憶素子の第２書き込み位置及び前記再生素子の第２再生位置に基づき、前記記憶素子と前記再生素子との間の移動距離として第２オフセット量を特定し、前記第１オフセット量及び前記第２オフセット量の平均値を、前記記憶素子と前記再生素子との間のオフセット量として決定することを特徴とする請求項１又は２記載の記憶装置の制御装置。
【請求項４】
データの書き込み及び再生が可能な複数のデータトラック及び、これら複数のデータトラック間に配置し、前記データトラックの位置情報を再生可能にするサーボパターンを含むトラックと、隣接するトラック間を磁気的に分離するガード帯とを同心円状に交互に配置した磁気記憶媒体であって、
この磁気記憶媒体の一部領域に、前記磁気記憶媒体にデータを書き込む記憶装置の記憶素子と前記磁気記憶媒体に書き込んだデータを再生する前記記憶装置の再生素子との間のオフセット量を測定する際に使用するオフセット量測定領域を配置し、
前記オフセット量を測定する際に、前記オフセット量測定領域上に前記記憶素子の中心位置でのオフセット測定データの書き込みを確保できるように、前記オフセット量測定領域内に、前記ガード帯を介して隣接するトラック間を横断して、前記オフセット測定データの書き込み及び再生を可能にする横断トラックを配置したことを特徴とする磁気記憶媒体。
【請求項５】
前記横断トラックは、
前記ガード帯を介して隣接するトラック間を斜行方向に横断するように、前記オフセット量測定領域内部に配置したことを特徴とする請求項４記載の磁気記憶媒体。
【請求項６】
前記磁気記憶媒体の一部領域に、
前記オフセット量測定領域の他に、前記オフセット測定データに関わる前記記憶素子の中心位置での書き込みを可能にすべく、前記ガード帯を介して隣接するトラック間を横断するように、前記横断トラックと左右対称の補正用横断トラックを形成した補正用オフセット量測定領域を有することを特徴とする請求項４又は５記載の磁気記憶媒体。
【請求項７】
データの書き込み及び再生が可能な複数のデータトラック及び、これら複数のデータトラック間に配置し、前記データトラックの位置情報を再生可能にするサーボパターンを含むトラックと、隣接するトラック間を磁気的に分離するガード帯とを同心円状に交互に配置し、前記ガード帯を介して隣接するトラック間を横断して、オフセット測定データの書き込み及び再生を可能にする横断トラックを形成したオフセット量測定領域を備えた磁気記憶媒体と、
前記磁気記憶媒体にデータを書き込む記憶素子及び、前記磁気記憶媒体からデータを再生する再生素子を備えた磁気ヘッド部と、
前記磁気記憶媒体を回転駆動する回転駆動制御部と、
前記磁気ヘッド部をトラッキング方向に移動制御する磁気ヘッド駆動制御部と、
オフセット量測定開始信号を検出すると、前記記憶素子を通じて前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと共に、前記トラッキング方向の前記記憶素子の書き込み位置を記憶する書き込み制御部と、
前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと、前記磁気ヘッド駆動制御部を通じて前記磁気ヘッド部の前記再生素子の中心位置を、前記書き込み位置に関わる再生可能範囲内の再生位置に、所定距離単位で順次合わせて再生出力する再生制御部と、
前記再生位置毎の再生出力のピーク値の内、最大のピーク値に相当する再生位置を前記再生素子の再生位置とし、前記記憶素子の書き込み位置及び前記再生素子の再生位置に基づき、前記記憶素子と前記再生素子との間の移動距離としてオフセット量を決定するオフセット量決定部と
を有することを特徴とする記憶装置。
【請求項８】
前記横断トラックは、
前記ガード帯を介して隣接するトラック間を斜行方向に横断するように、前記オフセット量測定領域内部に配置したことを特徴とする請求項７記載の記憶装置。
【請求項９】
データの書き込み及び再生が可能な複数のデータトラック及び、これら複数のデータトラック間に配置し、前記データトラックの位置情報を再生可能にするサーボパターンを含むトラックと、隣接するトラック間を磁気的に分離するガード帯とを同心円状に交互に配置し、磁気ヘッド部の記憶素子と再生素子との間のオフセット量を測定するためのオフセット測定データに関わる前記記憶素子の中心位置での書き込みを可能にすべく、前記ガード帯を介して隣接するトラック間を横断するように横断トラックを形成したオフセット量測定領域を備えた磁気記憶媒体を回転駆動する回転駆動制御ステップと、
前記磁気記憶媒体に対して、前記磁気ヘッド部をトラッキング方向に移動制御する磁気ヘッド駆動制御ステップと、
オフセット量測定開始信号を検出すると、前記記憶素子を通じて前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部にオフセット測定データを書き込むと共に、前記トラッキング方向での前記記憶素子の書き込み位置を記憶する書き込み制御ステップと、
前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと、前記磁気ヘッド駆動制御ステップを通じて前記磁気ヘッド部の前記再生素子の中心位置を、前記書き込み位置に関わる再生可能範囲内の再生位置に、所定距離単位で順次合わせて再生出力する再生制御ステップと、
前記再生位置毎の再生出力のピーク値の内、最大のピーク値に相当する再生位置を前記再生素子の再生位置とし、前記記憶素子の書き込み位置及び前記再生素子の再生位置に基づき、前記記憶素子と前記再生素子との間の移動距離としてオフセット量を決定するオフセット量決定ステップと
を含むことを特徴とする記憶装置のオフセット量決定方法。
【請求項１０】
前記横断トラックは、
前記ガード帯を介して隣接するトラック間を斜行方向に横断するように、前記オフセット量測定領域内部に配置したことを特徴とする請求項９記載の記憶装置のオフセット量決定方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【公開番号】特開２００９−２８３０８７（Ｐ２００９−２８３０８７Ａ）
【公開日】平成２１年１２月３日（２００９．１２．３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−１３５７４２（Ｐ２００８−１３５７４２）
【出願日】平成２０年５月２３日（２００８．５．２３）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年１２月３日（２００９．１２．３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年５月２３日（２００８．５．２３）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
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