誘電特性を利用したノイズ抑制体
【課題】従来の磁性体を利用したノイズ抑制体よりも、軽く、薄く、高いノイズ抑制効果が発現するノイズ抑制体を提供する。
【解決手段】誘電特性を利用したノイズ抑制体であって、厚みｔ（ｍｍ）、複素比誘電率の実部εr’、複素比誘電率の虚部εr”が下記の式１及び式２を満たすノイズ抑制体。
εr’・t ≦３００（ｍｍ） ・・・・・ （１）
εr’’・t ≧ ３（ｍｍ） ・・・・・ （２）
【解決手段】誘電特性を利用したノイズ抑制体であって、厚みｔ（ｍｍ）、複素比誘電率の実部εr’、複素比誘電率の虚部εr”が下記の式１及び式２を満たすノイズ抑制体。
εr’・t ≦３００（ｍｍ） ・・・・・ （１）
εr’’・t ≧ ３（ｍｍ） ・・・・・ （２）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器において発生する不要電磁波の外部への漏洩や内部回路間での干渉、また外部電磁波による誤動作等の影響を防止するために装着もしくは塗布するノイズ抑制体又は電磁干渉抑制体に関する。
【背景技術】
【０００２】
通信機器や各種電子機器から意図せずに電磁波が外部に放射、伝送されたり、外部及び内部干渉による機器自身の誤動作などを起こしたりする、ＥＭＩ やイミュニティに関する問題は、最近の最新技術、デジタル技術の進化に伴い、ますます高周波帯域へ移行している。
【０００３】
これまでフェライトや軟磁性合金の粉末を高充填した樹脂複合材料が用いられてきたが（例えば、特許文献１参照）、使用電波が３００ＭＨｚ以上のＵＨＦ領域に高周波化するにつれ、透磁率が低下し、吸収特性を発現するのに必要な厚みが増加してしまうという問題が生じている。また比重１０程度の非常に重い軟磁性合金の粉末を高充填することになるため、樹脂複合材料の比重３以上と大きくなり、特に携帯通信機器の軽量化に適さないという課題もある。また、ノイズ抑制効果の厚み依存性が強く、特にノイズ抑制体の厚みが３００μｍ以下になるとノイズ抑制効果が低下するという問題が発生する。
【０００４】
また、導電性充填材や誘電体充填材を加えた樹脂シートの表面に磁性金属を蒸着した複合体としてのノイズ抑制体も提案されているが（例えば、特許文献２参照）、この場合ノイズ抑制体の形状がシート状に制約されるばかりではなく、製造工程が煩雑化する上構造が複雑になりノイズ抑制効果が不安定になってしまう。
このため、商業的に製造されず、実際には先に述べたフェライトや軟磁性合金の粉末を高充填する方法が用いられているのが現状である。
【特許文献１】特開２００５−２８１７８３号公報
【特許文献２】特開２００５−２５１９１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記課題を解決し、軽量かつ、ノイズ抑制効果の厚み依存性が少ないノイズ抑制体を提供するものである。本発明によれば、樹脂シートを磁性金属などで蒸着する必要もなくなるので、ノイズ抑制体を塗料としてノイズ発生源に塗布することも可能になる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、鋭意検討の結果、誘電特性を利用することで、従来の磁性体を利用したノイズ抑制体よりも、軽く、薄く、高いノイズ抑制効果が発現することを見出した。すなわち本発明はつぎの通りである。
１． 誘電特性を利用したノイズ抑制体であって、厚みｔ（ｍｍ）、複素比誘電率の実部εr’、複素比誘電率の虚部εr”が下記の式１及び式２を満たすノイズ抑制体。
εr’・t ≦３００（ｍｍ） ・・・・・ （１）
εr’’・t ≧ ３（ｍｍ） ・・・・・ （２）
２． ＩＥＣ規格（Ｎｏ．：ＩＥＣ６２３３３−１，ＩＥＣ６２３３３−２）により測定した１ＧＨｚ以下における反射係数が−１０ｄＢ以下、１ＧＨｚ以上３ＧＨｚ以下の反射係数Ｓ１１が−１６ｄＢ以下であり、かつ１ＧＨｚにおける透過係数Ｓ２１が−２ｄＢ以下である第１項記載のノイズ抑制体。
３． 導電性充填材と樹脂からなり、表面抵抗率が１０３Ω／□以上１０４Ω／□以下である第２項記載のノイズ抑制体。
４． 前記導電性充填材が、粒子直径が１０ｎｍ以上１０μｍ以下の球状、断面直径が１０ｎｍ以上１０μｍ以下繊維状又は厚さが１０ｎｍ以上１０μｍ以下の板状の導電性粉末である第３項記載のノイズ抑制体。
５． 前記導電性粉末が導電性炭素材料である第４項記載のノイズ抑制体。
６． 導電性充填材と樹脂とを、体積比（導電性充填材／樹脂）３５／６５〜６０／４０の範囲で配合して得られる第３項又は第４項記載のノイズ抑制体。
７． 第２の充填材を含有する第１項〜第６項のいずれかに記載のノイズ抑制体。
８． 第１項〜第７項のいずれかに記載のノイズ抑制体からなる筐体を用いた電子機器。
９． 第１項〜第７項のいずれかに記載のノイズ抑制体からなるノイズ抑制フィルム。
１０． 第１項〜第７項のいずれかに記載のノイズ抑制体を筐体内部において用いた電子機器。
１１． 第１項〜第７項のいずれかに記載のノイズ抑制体を筐体内部において用いたデジタルカメラ。
１２． 第１項〜第７項のいずれかに記載のノイズ抑制体を筐体内部において用いた携帯電話。
１３． 第９項記載のノイズ抑制フィルムを筐体内部において用いた電子機器。
１４． 第９項記載のノイズ抑制フィルムを筐体内部において用いたデジタルカメラ。
１５． 第９項記載のノイズ抑制フィルムを筐体内部において用いた携帯電話。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、特定の条件を満たすノイズ抑制体をノイズ発生源に貼付けもしくは塗布することによって、電子機器から外部への不要輻射や内部での回路間の干渉を効果的に抑制することができる。また、本発明のノイズ抑制体は、従来技術と異なり、比重が一般には大きい磁性金属を用いる必要がないため、その比重を２以下に軽量化できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明は、誘電特性を利用したノイズ抑制体であって、厚みt（ｍｍ）、複素比誘電率の実部εr’、複素比誘電率の虚部εr”が上記の式１及び式２を満たすノイズ抑制体である。ここで、比誘電率とは、ある物質が真空（εｒ'＝１、εｒ’’＝０）と比較して、如何に充電しやすいかを示す量である。複素比誘電率とは、充電によって実際に蓄えられる電荷量を実部、電流として損失する電荷量を虚部に対応させた、複素数で表わされる比誘電率である。
【０００９】
本発明においては、ノイズ抑制体の厚みをｔ（ｍｍ）とし、複素比誘電率の実部εr’とした場合、εr’・ｔを３００ｍｍ以下にする必要がある。望ましくは１００ｍｍ以下、さらに望ましくは３０ｍｍ以下である。これより大きいと、不要輻射の発信源となっている回路自体の動作に悪影響を与える。
【００１０】
また、ノイズ抑制体の厚みｔ（ｍｍ）と複素比誘電率の虚部εr’’の積が３ｍｍよりも大きいことが必要となる。望ましくは６ｍｍ以上、さらに望ましくは１０ｍｍ以上である。これより小さいと、不要輻射や内部での回路間の干渉を効果的に抑制することができない。尚、本発明では厚み０．３ｍｍ以下のノイズ抑制体をノイズ抑制フィルムと呼称する。
【００１１】
ノイズ抑制効果は、ＩＥＣ規格（Ｎｏ．：ＩＥＣ６２３３３−１，ＩＥＣ６２３３３−２）により評価法が定められている。図１にあるネットワークアナライザ５に接続したマイクロストリップライン１に、フィルムもしくはシート状のノイズ抑制体を載せ、ネットワークアナライザ５のポート１（図１−６）から送信された信号が、ノイズ抑制体を載せたマイクロストリップラインを経由して、ポート２（図１−７）に到達する信号の電力と、ポート１自体に反射される信号の電力を測定する。ポート１（図１−６）からポート２（図１−７）への到達信号の電力比Ｔが小さいほどノイズ抑制効果が大きいとされ、通常は以下の量が用いられる。
透過係数：Ｓ２１（ｄＢ）＝１０・ｌｏｇ(Ｔ) ・・・・・ （３）
また、マイクロストリップラインにおける反射信号の電力比Ｒが小さいほど、ノイズ抑制体が発信源回路へ与える影響が小さいとされ、通常は以下の量が用いられる。
反射係数：Ｓ１１（ｄＢ）＝１０・ｌｏｇ（Ｒ） ・・・・・ （４）
【００１２】
ノイズ抑制体は、単にノイズ抑制効果が大きいだけではなく、発信源回路への影響は小さいことが必要となる。このため、ＩＥＣ規格に指定された測定法で、１ＧＨｚ以下における反射係数Ｓ１１が−１０ｄＢ以下、１ＧＨｚ以上３ＧＨｚ以下の反射係数Ｓ１１が−１６ｄＢ以下、かつ１ＧＨｚにおける透過係数Ｓ２１が−２ｄＢ以下であることが望ましい。反射係数Ｓ１１が上記範囲より大きいと回路の動作自体が正常でなくなる。また透過係数Ｓ２１が上記範囲より大きいとノイズ抑制効果が小さくなる。この範囲の内でさらに望ましいのは、上記の条件を満たしさらに１ＧＨｚから３ＧＨｚまでの反射係数Ｓ１１が−２０ｄＢ以下のノイズ抑制体である。
【００１３】
本発明のノイズ抑制体は、導電性充填材と樹脂からなり、表面抵抗率が１０３Ω／□以上１０４Ω／□以下である。この範囲より大きいと、ノイズ抑制効果が小さくなる。また、この範囲より小さいと、回路の動作自体が正常でなくなる。ここで、表面抵抗率とは、測定体の表面で測定する抵抗率であり、等方的な材質の場合、体積抵抗率ρｖ、厚みｔとすると、表面抵抗率はρｓ＝ρｖ／ｔであり、単位は通常の抵抗と同一のΩであるが、表面抵抗率であることを強調するためにΩ／□と記載する。測定法については、例えばＪＩＳ規格Ｃ６４８１に定められている。
【００１４】
本発明で用いる導電性充填材とは、樹脂に添加した場合には導電性を付与する効果を有する充填材である。このような充填材として、金属、導電性金属酸化物、炭素材料のいずれかからなる粉末が挙げられる。金属粉末としては銅、アルミニウムなどの磁性を示さない金属および鉄などの磁性を示す金属のいずれも本発明には利用できる。
【００１５】
導電性金属酸化物としては、いわゆるＡＴＯすなわちアンチモン（Ｓｂ）をドープした二酸化錫（ＳｎＯ２）、いわゆるＩＴＯすなわち錫（Ｓｎ）をドープした三酸化二インジュウム（Ｉｎ２Ｏ３）、アルミニウム（Ａｌ）をドープした酸化亜鉛（ＺｎＯ）が挙げられる。
【００１６】
導電性充填材の中でも、特に望ましいのは炭素材料からなる導電性粉末すなわち導電性炭素材料微粉末である。具体的には天然黒鉛、人造黒鉛、ファーネスカーボンブラック、黒鉛化カーボンブラック、カーボンナノチューブ、カーボンナノファイバーなどの導電性炭素材料が用いられる。炭素材料が比重２．２と小さく、他の導電性物質にはない特長を有しノイズ抑制体の軽量化という効果もある。
【００１７】
本発明で用いる導電性超微粉末としては、粒子直径が１０ｎｍ以上１０μｍ以下、望ましくは１０ｎｍ以上３μｍ以下、より望ましくは３０ｎｍ以上１μｍ以下の球状の炭素材料が挙げられる。このような球状の炭素材料、例えば、カーボンブラックは、炭化水素原料を気相で熱分解することによって得られる。また、黒鉛化カーボンブラックは、Ｈｅ、ＣＯ、またはこれら混合ガスの雰囲気系により内圧２〜１９Ｔｏｒｒに保持された減圧容器内において、炭素材料をアーク放電によって気化させ、気化した炭素蒸気を冷却凝固することによって得られる。具体的には、東海カーボン（株）製のシーストＳやトーカブラック（＃７１００Ｆ）、導電性カーボンブラック＃５５００、＃４５００、＃４４００、＃４３００や黒鉛化カーボンブラック＃３８５５、＃３８４５、＃３８００、あるいは、三菱化学（株）製の＃３０５０Ｂ、＃３０３０Ｂ、＃３２３０Ｂ、＃３３５０Ｂ、ＭＡ７、ＭＡ８、ＭＡ１１、あるいは、ライオン（株）製のケッチェンブラックＥＣ、ケッチェンブラックＥＣ６００ＪＤなどが例示できる。なお、ここで球状とは必ずしも厳密な球状である必要はなく、等方的な形状であればよい。例えば角が発生した多面体状であってもよい。
【００１８】
また、本発明で用いる導電性超微粉末としては、１０ｎｍ以上１０μｍ以下以下、望ましくは１０ｎｍ以上３μｍ以下、より望ましくは３０ｎｍ以上１μｍ以下の繊維状の炭素材料が挙げられる。その長さは断面直径の３倍以上３００倍以下であることが好ましい。このような繊維状の炭素材料、例えばカーボンナノファイバーや、カーボンナノチューブは触媒となるコバルトや鉄の有機金属化合物と炭化水素原料を気相で混合し、加熱することによって得られる。また、カーボンナノファイバーはフェノール系樹脂を溶融紡糸し、非活性雰囲気下で加熱することによって得られるものもある。具体的には、昭和電工（株）製のＶＧＣＦおよびＶＧＮＦや、（株）ＧＳＩクレオス製のカルベール、群栄化学工業（株）製のカーボンナノファイバーなどが例示できる。なお、ここで繊維状とは一方向に伸びた形状を意味し、例えば角材状、丸棒状や長球状であってもよい。
【００１９】
さらに、本発明で用いる導電性超微粉末としては、１０ｎｍ以上１０μｍ以下、望ましくは１０ｎｍ以上３μｍ以下、より望ましくは３０ｎｍ以上１μｍ以下の板状の炭素材料が挙げられる。その長さおよび幅は、厚さの３倍以上３００倍以下であることが好ましい。このような板状の炭素材料は、例えば天然黒鉛や人造黒鉛を精製・粉砕・分級することによって得られる。例えば、（株）エスイーシー製のＳＮＥシリーズ、ＳＮＯシリーズ等や日本黒鉛製、鱗状黒鉛粉末、薄片化黒鉛粉末等が挙げられる。また、これらをさらに粉砕し、精密分級してもよい。なお、ここで板状とは、一方向が縮んだ形状を意味し、例えば扁平球状や鱗片状であってもよい。
【００２０】
本発明において用いる樹脂としては、ＰＶＣ樹脂、フェノキシ樹脂、フッ化炭素系樹脂、ＰＰＳ樹脂、ＰＰＥ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリアミド樹脂等の熱可塑性樹脂、あるいはこれらの混合系樹脂を挙げることができる。
【００２１】
また、導電性充填材と配合する際の樹脂は、重合体の形態としてのみならず重合性化合物の形態として、すなわち、アクリル樹脂、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、シアネートエステル樹脂、ビニルエステル樹脂、フェノール樹脂、キシレン樹脂、メラミン樹脂、ポリウレタン樹脂等の熱硬化性樹脂のモノマーやオリゴマーなどの重合性化合物として配合しておいて、後で重合させてもよい。
【００２２】
本発明のノイズ抑制体は、ノイズ抑制以外の目的で必要に応じて、第２の充填材をさらに添加して用いることができる。第２の充填材としては、弾性率改善のためのガラス繊維、成形収縮率を低下させるための炭酸カルシウム、表面平滑性や耐摩耗性の改善に用いられるタルク、寸法安定性を改善するために用いられるマイカが挙げられる。また、難燃性を付与する充填材、すなわち難燃剤としてハロゲン系またはリン系難燃剤、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウムが挙げられる。また、ノイズ抑制特性の調整に従来技術で用いられているフェライト粉末や鉄を主成分とした磁性金属体粉末や難燃剤としての効果も有する導電性粉末である膨張黒鉛粉末などを充填材として、さらに添加することができる。
【００２３】
本発明のノイズ抑制体は、携帯電話やスマートフォン、デジタルテレビ送受信機などの通信機器やデジタルカメラやＰＤＡなどの、各種電子機器から意図せずに電磁波が外部に放射、伝送されたり、外部及び内部干渉による機器自身の誤動作などを起こしたりする、ＥＭＩ やイミュニティに関する問題の解決に有用である。
【００２４】
本発明のノイズ抑制体は、シート状、特に厚み３００μｍ以下のフィルム状に成形、もしくはポリエチレンテレフタレートやポリイミドなどのフィルム状基材に塗布したフィルムを、携帯電話等の通信機器やデジタルカメラ等の電子機器の筐体内部の部品、たとえばデータ信号を処理するＬＳＩや液晶ディスプレイなどの表示機器と表示信号の処理回路を接続するフレキブルプリント基板ケーブルなどに、貼り付けるまたは塗布することで、不要電磁波を抑制することができる。また、筐体自体をノイズ抑制体で形成、もしくは筐体内面にノイズ抑制体を貼り付けまたは塗布することでも不要電磁波を抑制できる。
【実施例】
【００２５】
次に、本発明を実施例により、さらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例によって何ら限定されるものではない。
【００２６】
なお、ノイズ抑制効果については、ＩＥＣ規格（Ｎｏ．：ＩＥＣ６２３３３−１，ＩＥＣ６２３３３−２）に従い、図１に示したマイクロストリップラインに、ノイズ抑制体からなるシートを載せて、ネットワークアナライザ（アジレントテクノロジー社製８７２２ＥＳ）により、反射係数Ｓ１１および透過係数Ｓ２１を測定した。
また、比重の測定については、ノイズ抑制体を形成する樹脂複合材料を３０ｍｍφ、厚さ３ｍｍのディスクに成形し、この重量を測定し、さらに水をはったメスシリンダーに入れ体積を測定することにより求めた。
【００２７】
実施例１
ポリウレタン樹脂のワニス(重合性ウレタンの５０ｗｔ％キシレン溶液)と、導電性カーボンブラック（球状体、粒径３０ｎｍ〜５０ｎｍ、平均粒径４０ｎｍ）を、樹脂分すなわちワニス固形分とカーボンブラックを体積比で、６２．５／３７．５となるように混合し、ペットフィルムに塗布した。このときの厚みは、０．０３ｍｍであった。
このシートをＩＥＣ規格（Ｎｏ．：ＩＥＣ６２３３３−１，ＩＥＣ６２３３３−２）に従い、図１に示したマイクロストリップラインに乗せて、反射係数Ｓ１１および透過係数Ｓ２１を測定した。１ＧＨｚにおいて、透過係数Ｓ２１は−２（ｄＢ）であった、また反射係数Ｓ１１は、１ＧＨｚ以下の帯域において、−１５ｄＢ、１ＧＨｚ〜３ＧＨｚでは−２０ｄＢであった。尚、複素比誘電率の実部は４０３、虚部は４６８であった、したがってεｒ’・ｔ＝１２、εｒ’’・ｔ＝１４となる。比重は１．１であった。表面抵抗率は２．４ｋΩ／□であった。
【００２８】
実施例２
実施例１におけるカーボンブラックに替えて、人造黒鉛粒子(球状体、粒径１．５〜４μｍ、平均粒径３μｍ)を用いた。
実施例１と同様にして反射係数Ｓ１１および透過係数Ｓ２１を測定した。１ＧＨｚにおいて、透過係数Ｓ２１は−３ｄＢであった、また反射係数Ｓ１１は、１ＧＨｚ以下の帯域において、−１５ｄＢ以下、１ＧＨｚ〜３ＧＨｚでは−２１ｄＢ以下であった。尚、複素比誘電率の実部は１７０、虚部は２０３であった。したがって、εｒ’・ｔ＝５．２、εｒ’’・ｔ＝６．１となる。比重は１．２であった。また表面抵抗率は７．８ｋΩ／□であった。
【００２９】
実施例３
実施例１におけるカーボンブラックに替えて、サーマルカーボンブラック(球状体、粒径２００〜４００ｍｍ、平均粒径３００ｎｍ)を用いた。
実施例１と同様に反射係数Ｓ１１および透過係数Ｓ２１を測定した。１ＧＨｚにおいて、透過係数Ｓ２１は−２ｄＢであった、また反射係数Ｓ１１は、１ＧＨｚ以下の帯域において、−１５ｄＢ、１ＧＨｚ〜３ＧＨｚでは−２１ｄＢであった。 尚、複素比誘電率の実部は３６５、虚部は４３１であった、したがってεｒ’・ｔ＝１１、εｒ’’・ｔ＝１３となる。比重は２．８であった。また表面抵抗率は５．３ｋΩ／□であった。
【００３０】
実施例４
実施例１で用いたカーボンブラックとイミダゾール系硬化触媒を添加したビスフェノールＡ型エポキシモノマーとを、体積比（混合粉末／エポキシモノマー）を６５／３５で、メチルエチルケトンに分散・溶解し、ワニスを調合した。このワニスを図１に示したマイクロストリップラインに、ドクターブレードを用いて塗布し、１２０℃・１時間で硬化し８７μｍ厚の塗膜層を形成した。実施例１と同様にして反射係数Ｓ１１および透過係数Ｓ２１を測定した。１ＧＨｚにおいて、透過係数Ｓ２１は−２ｄＢであった、また反射係数Ｓ１１は、１ＧＨｚ以下の帯域において、−１５ｄＢ、１ＧＨｚ〜３ＧＨｚでは−１６ｄＢであった。ワニスを乾燥し得られたペーストを用いて３０ｍｍφ、３ｍｍ厚のタブレットを作製し、比重を測定したところ、２．５であった。尚、複素誘電率の実部は３６、虚部は４８であった。したがって、εｒ’・ｔ＝３．１、εｒ’’・ｔ＝４．２となる。また表面抵抗率は４．７ｋΩ／□であった。
【００３１】
比較例１
水アトマイズ法により作製した平均粒径４５μｍの鉄アルミニウム珪素（１０ ｗｔ％Ｓｉ−５．５ｗｔ％ Ａｌ−残部Ｆｅ及び不可避不純物）合金粉末を用意し、この粉末をｎ−ヘキサンと共にサンドグラインドミルに投入して１ ２ 時間摩砕した後、酸化処理を施し、Ａｒガス雰囲気下にて８５０℃ で３時間焼鈍処理し、扁平状粉末を得た。この扁平粉末と塩化ポリエチレンを体積比５０／５０で、トルエンに分散および溶解し、ペーストを調製した。
このペーストを用いて、ドクターブレード法により製膜し、熱処理を施した後に８５℃ にて２４時間キュアリングし、３００μｍ厚のシートを作製した。
実施例１と同様にして反射係数Ｓ１１および透過係数Ｓ２１を測定した。１ＧＨｚにおいて、透過係数Ｓ２１は−１．２ｄＢであった。また反射係数Ｓ１１は、１ＧＨｚ以下の帯域において−７ｄＢ、１ＧＨｚ〜３ＧＨｚでは−５ｄＢであった。また比重は３．５であった。また表面抵抗率は１０ＭΩ／□で
あった。
【００３２】
比較例２
実施例１において、ワニス固形分とカーボンブラックを体積比で、６０／４０となるように混合した以外は、実施例１と同様にした。
実施例１と同様にして反射係数Ｓ１１および透過係数Ｓ２１を測定した。１ＧＨｚにおいて、透過係数Ｓ２１は−５ｄＢであったが、反射係数Ｓ１１は、１ＧＨｚ以下の帯域において、−５ｄＢまで増加し、１ＧＨｚ〜３ＧＨｚでは平均して−８ｄＢであった。尚、複素比誘電率の実部は１００７０、虚部は１１０６０であった、したがってεｒ’・ｔ＝３１５、εｒ’’・ｔ＝３４８となる。比重は１．２であった。また表面抵抗率は０．８ｋΩ／□であった。
【００３３】
比較例３
実施例１において、ワニス固形分とカーボンブラックを体積比で、６５／３５となるように混合した以外は、実施例１と同様にした。
実施例１と同様にして反射係数Ｓ１１および透過係数Ｓ２１を測定した。１ＧＨｚにおいて、透過係数Ｓ２１は−１ｄＢまで低下した、また反射係数Ｓ１１は、１ＧＨｚ以下の帯域において、−５ｄＢまで増加し、１ＧＨｚ〜３ＧＨｚでは平均して−８ｄＢであった。尚、複素比誘電率の実部は１０３、虚部は９６であった、したがってεｒ’・ｔ＝３．１、εｒ’’・ｔ＝２．９となる。比重は１．２であった。また表面抵抗率は１２ｋΩ／□であった。
【００３４】
実施例５
一連の実施例で作製したノイズ抑制体を、市販の携帯電話のデジタルカメラユニットに張り付けてあるノイズ抑制体の替わりに取り付けた。暗い場面を撮影するときに発生していた、デジタルカメラの画像のちらつきが、従来のノイズ抑制体に比べて小さくなっていた。
【００３５】
比較例４
一連の比較例で作製したノイズ抑制体を、市販の携帯電話のデジタルカメラユニットに張り付けてあるノイズ抑制体の替わりに取り付けた。既に取り付けてあったノイズ抑制体に比べ、画像のチラツキ程度が変わらなかった。
【００３６】
実施例６
電波状態がきわめて微弱であるとの表示状態となるエレベータ内において、一連の実施例で作製したノイズ抑制体を用いたところ、通話状態が改善されていた。
【００３７】
比較例５
電波状態がきわめて微弱であるとの表示状態となるエレベータ内において、一連の比較例で作製したノイズ抑制体を用いたところ、既に取り付けてあったノイズ抑制体に比べ、通話状態に変化はなかった。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】ノイズ抑制効果の測定に用いた装置の概略図
【符号の説明】
【００３９】
１ マイクロストリップラインの信号ライン
２ マイクロストリップラインのポリテトラフルオロエチレン製絶縁層
３ マクロストリップラインのグランド面
４ ５０Ωの同軸ケーブル
５ ネットワークアナライザ
６ ネットワークアナライザのポート１
７ ネットワークアナライザのポート２
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器において発生する不要電磁波の外部への漏洩や内部回路間での干渉、また外部電磁波による誤動作等の影響を防止するために装着もしくは塗布するノイズ抑制体又は電磁干渉抑制体に関する。
【背景技術】
【０００２】
通信機器や各種電子機器から意図せずに電磁波が外部に放射、伝送されたり、外部及び内部干渉による機器自身の誤動作などを起こしたりする、ＥＭＩ やイミュニティに関する問題は、最近の最新技術、デジタル技術の進化に伴い、ますます高周波帯域へ移行している。
【０００３】
これまでフェライトや軟磁性合金の粉末を高充填した樹脂複合材料が用いられてきたが（例えば、特許文献１参照）、使用電波が３００ＭＨｚ以上のＵＨＦ領域に高周波化するにつれ、透磁率が低下し、吸収特性を発現するのに必要な厚みが増加してしまうという問題が生じている。また比重１０程度の非常に重い軟磁性合金の粉末を高充填することになるため、樹脂複合材料の比重３以上と大きくなり、特に携帯通信機器の軽量化に適さないという課題もある。また、ノイズ抑制効果の厚み依存性が強く、特にノイズ抑制体の厚みが３００μｍ以下になるとノイズ抑制効果が低下するという問題が発生する。
【０００４】
また、導電性充填材や誘電体充填材を加えた樹脂シートの表面に磁性金属を蒸着した複合体としてのノイズ抑制体も提案されているが（例えば、特許文献２参照）、この場合ノイズ抑制体の形状がシート状に制約されるばかりではなく、製造工程が煩雑化する上構造が複雑になりノイズ抑制効果が不安定になってしまう。
このため、商業的に製造されず、実際には先に述べたフェライトや軟磁性合金の粉末を高充填する方法が用いられているのが現状である。
【特許文献１】特開２００５−２８１７８３号公報
【特許文献２】特開２００５−２５１９１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記課題を解決し、軽量かつ、ノイズ抑制効果の厚み依存性が少ないノイズ抑制体を提供するものである。本発明によれば、樹脂シートを磁性金属などで蒸着する必要もなくなるので、ノイズ抑制体を塗料としてノイズ発生源に塗布することも可能になる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、鋭意検討の結果、誘電特性を利用することで、従来の磁性体を利用したノイズ抑制体よりも、軽く、薄く、高いノイズ抑制効果が発現することを見出した。すなわち本発明はつぎの通りである。
１． 誘電特性を利用したノイズ抑制体であって、厚みｔ（ｍｍ）、複素比誘電率の実部εr’、複素比誘電率の虚部εr”が下記の式１及び式２を満たすノイズ抑制体。
εr’・t ≦３００（ｍｍ） ・・・・・ （１）
εr’’・t ≧ ３（ｍｍ） ・・・・・ （２）
２． ＩＥＣ規格（Ｎｏ．：ＩＥＣ６２３３３−１，ＩＥＣ６２３３３−２）により測定した１ＧＨｚ以下における反射係数が−１０ｄＢ以下、１ＧＨｚ以上３ＧＨｚ以下の反射係数Ｓ１１が−１６ｄＢ以下であり、かつ１ＧＨｚにおける透過係数Ｓ２１が−２ｄＢ以下である第１項記載のノイズ抑制体。
３． 導電性充填材と樹脂からなり、表面抵抗率が１０３Ω／□以上１０４Ω／□以下である第２項記載のノイズ抑制体。
４． 前記導電性充填材が、粒子直径が１０ｎｍ以上１０μｍ以下の球状、断面直径が１０ｎｍ以上１０μｍ以下繊維状又は厚さが１０ｎｍ以上１０μｍ以下の板状の導電性粉末である第３項記載のノイズ抑制体。
５． 前記導電性粉末が導電性炭素材料である第４項記載のノイズ抑制体。
６． 導電性充填材と樹脂とを、体積比（導電性充填材／樹脂）３５／６５〜６０／４０の範囲で配合して得られる第３項又は第４項記載のノイズ抑制体。
７． 第２の充填材を含有する第１項〜第６項のいずれかに記載のノイズ抑制体。
８． 第１項〜第７項のいずれかに記載のノイズ抑制体からなる筐体を用いた電子機器。
９． 第１項〜第７項のいずれかに記載のノイズ抑制体からなるノイズ抑制フィルム。
１０． 第１項〜第７項のいずれかに記載のノイズ抑制体を筐体内部において用いた電子機器。
１１． 第１項〜第７項のいずれかに記載のノイズ抑制体を筐体内部において用いたデジタルカメラ。
１２． 第１項〜第７項のいずれかに記載のノイズ抑制体を筐体内部において用いた携帯電話。
１３． 第９項記載のノイズ抑制フィルムを筐体内部において用いた電子機器。
１４． 第９項記載のノイズ抑制フィルムを筐体内部において用いたデジタルカメラ。
１５． 第９項記載のノイズ抑制フィルムを筐体内部において用いた携帯電話。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、特定の条件を満たすノイズ抑制体をノイズ発生源に貼付けもしくは塗布することによって、電子機器から外部への不要輻射や内部での回路間の干渉を効果的に抑制することができる。また、本発明のノイズ抑制体は、従来技術と異なり、比重が一般には大きい磁性金属を用いる必要がないため、その比重を２以下に軽量化できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明は、誘電特性を利用したノイズ抑制体であって、厚みt（ｍｍ）、複素比誘電率の実部εr’、複素比誘電率の虚部εr”が上記の式１及び式２を満たすノイズ抑制体である。ここで、比誘電率とは、ある物質が真空（εｒ'＝１、εｒ’’＝０）と比較して、如何に充電しやすいかを示す量である。複素比誘電率とは、充電によって実際に蓄えられる電荷量を実部、電流として損失する電荷量を虚部に対応させた、複素数で表わされる比誘電率である。
【０００９】
本発明においては、ノイズ抑制体の厚みをｔ（ｍｍ）とし、複素比誘電率の実部εr’とした場合、εr’・ｔを３００ｍｍ以下にする必要がある。望ましくは１００ｍｍ以下、さらに望ましくは３０ｍｍ以下である。これより大きいと、不要輻射の発信源となっている回路自体の動作に悪影響を与える。
【００１０】
また、ノイズ抑制体の厚みｔ（ｍｍ）と複素比誘電率の虚部εr’’の積が３ｍｍよりも大きいことが必要となる。望ましくは６ｍｍ以上、さらに望ましくは１０ｍｍ以上である。これより小さいと、不要輻射や内部での回路間の干渉を効果的に抑制することができない。尚、本発明では厚み０．３ｍｍ以下のノイズ抑制体をノイズ抑制フィルムと呼称する。
【００１１】
ノイズ抑制効果は、ＩＥＣ規格（Ｎｏ．：ＩＥＣ６２３３３−１，ＩＥＣ６２３３３−２）により評価法が定められている。図１にあるネットワークアナライザ５に接続したマイクロストリップライン１に、フィルムもしくはシート状のノイズ抑制体を載せ、ネットワークアナライザ５のポート１（図１−６）から送信された信号が、ノイズ抑制体を載せたマイクロストリップラインを経由して、ポート２（図１−７）に到達する信号の電力と、ポート１自体に反射される信号の電力を測定する。ポート１（図１−６）からポート２（図１−７）への到達信号の電力比Ｔが小さいほどノイズ抑制効果が大きいとされ、通常は以下の量が用いられる。
透過係数：Ｓ２１（ｄＢ）＝１０・ｌｏｇ(Ｔ) ・・・・・ （３）
また、マイクロストリップラインにおける反射信号の電力比Ｒが小さいほど、ノイズ抑制体が発信源回路へ与える影響が小さいとされ、通常は以下の量が用いられる。
反射係数：Ｓ１１（ｄＢ）＝１０・ｌｏｇ（Ｒ） ・・・・・ （４）
【００１２】
ノイズ抑制体は、単にノイズ抑制効果が大きいだけではなく、発信源回路への影響は小さいことが必要となる。このため、ＩＥＣ規格に指定された測定法で、１ＧＨｚ以下における反射係数Ｓ１１が−１０ｄＢ以下、１ＧＨｚ以上３ＧＨｚ以下の反射係数Ｓ１１が−１６ｄＢ以下、かつ１ＧＨｚにおける透過係数Ｓ２１が−２ｄＢ以下であることが望ましい。反射係数Ｓ１１が上記範囲より大きいと回路の動作自体が正常でなくなる。また透過係数Ｓ２１が上記範囲より大きいとノイズ抑制効果が小さくなる。この範囲の内でさらに望ましいのは、上記の条件を満たしさらに１ＧＨｚから３ＧＨｚまでの反射係数Ｓ１１が−２０ｄＢ以下のノイズ抑制体である。
【００１３】
本発明のノイズ抑制体は、導電性充填材と樹脂からなり、表面抵抗率が１０３Ω／□以上１０４Ω／□以下である。この範囲より大きいと、ノイズ抑制効果が小さくなる。また、この範囲より小さいと、回路の動作自体が正常でなくなる。ここで、表面抵抗率とは、測定体の表面で測定する抵抗率であり、等方的な材質の場合、体積抵抗率ρｖ、厚みｔとすると、表面抵抗率はρｓ＝ρｖ／ｔであり、単位は通常の抵抗と同一のΩであるが、表面抵抗率であることを強調するためにΩ／□と記載する。測定法については、例えばＪＩＳ規格Ｃ６４８１に定められている。
【００１４】
本発明で用いる導電性充填材とは、樹脂に添加した場合には導電性を付与する効果を有する充填材である。このような充填材として、金属、導電性金属酸化物、炭素材料のいずれかからなる粉末が挙げられる。金属粉末としては銅、アルミニウムなどの磁性を示さない金属および鉄などの磁性を示す金属のいずれも本発明には利用できる。
【００１５】
導電性金属酸化物としては、いわゆるＡＴＯすなわちアンチモン（Ｓｂ）をドープした二酸化錫（ＳｎＯ２）、いわゆるＩＴＯすなわち錫（Ｓｎ）をドープした三酸化二インジュウム（Ｉｎ２Ｏ３）、アルミニウム（Ａｌ）をドープした酸化亜鉛（ＺｎＯ）が挙げられる。
【００１６】
導電性充填材の中でも、特に望ましいのは炭素材料からなる導電性粉末すなわち導電性炭素材料微粉末である。具体的には天然黒鉛、人造黒鉛、ファーネスカーボンブラック、黒鉛化カーボンブラック、カーボンナノチューブ、カーボンナノファイバーなどの導電性炭素材料が用いられる。炭素材料が比重２．２と小さく、他の導電性物質にはない特長を有しノイズ抑制体の軽量化という効果もある。
【００１７】
本発明で用いる導電性超微粉末としては、粒子直径が１０ｎｍ以上１０μｍ以下、望ましくは１０ｎｍ以上３μｍ以下、より望ましくは３０ｎｍ以上１μｍ以下の球状の炭素材料が挙げられる。このような球状の炭素材料、例えば、カーボンブラックは、炭化水素原料を気相で熱分解することによって得られる。また、黒鉛化カーボンブラックは、Ｈｅ、ＣＯ、またはこれら混合ガスの雰囲気系により内圧２〜１９Ｔｏｒｒに保持された減圧容器内において、炭素材料をアーク放電によって気化させ、気化した炭素蒸気を冷却凝固することによって得られる。具体的には、東海カーボン（株）製のシーストＳやトーカブラック（＃７１００Ｆ）、導電性カーボンブラック＃５５００、＃４５００、＃４４００、＃４３００や黒鉛化カーボンブラック＃３８５５、＃３８４５、＃３８００、あるいは、三菱化学（株）製の＃３０５０Ｂ、＃３０３０Ｂ、＃３２３０Ｂ、＃３３５０Ｂ、ＭＡ７、ＭＡ８、ＭＡ１１、あるいは、ライオン（株）製のケッチェンブラックＥＣ、ケッチェンブラックＥＣ６００ＪＤなどが例示できる。なお、ここで球状とは必ずしも厳密な球状である必要はなく、等方的な形状であればよい。例えば角が発生した多面体状であってもよい。
【００１８】
また、本発明で用いる導電性超微粉末としては、１０ｎｍ以上１０μｍ以下以下、望ましくは１０ｎｍ以上３μｍ以下、より望ましくは３０ｎｍ以上１μｍ以下の繊維状の炭素材料が挙げられる。その長さは断面直径の３倍以上３００倍以下であることが好ましい。このような繊維状の炭素材料、例えばカーボンナノファイバーや、カーボンナノチューブは触媒となるコバルトや鉄の有機金属化合物と炭化水素原料を気相で混合し、加熱することによって得られる。また、カーボンナノファイバーはフェノール系樹脂を溶融紡糸し、非活性雰囲気下で加熱することによって得られるものもある。具体的には、昭和電工（株）製のＶＧＣＦおよびＶＧＮＦや、（株）ＧＳＩクレオス製のカルベール、群栄化学工業（株）製のカーボンナノファイバーなどが例示できる。なお、ここで繊維状とは一方向に伸びた形状を意味し、例えば角材状、丸棒状や長球状であってもよい。
【００１９】
さらに、本発明で用いる導電性超微粉末としては、１０ｎｍ以上１０μｍ以下、望ましくは１０ｎｍ以上３μｍ以下、より望ましくは３０ｎｍ以上１μｍ以下の板状の炭素材料が挙げられる。その長さおよび幅は、厚さの３倍以上３００倍以下であることが好ましい。このような板状の炭素材料は、例えば天然黒鉛や人造黒鉛を精製・粉砕・分級することによって得られる。例えば、（株）エスイーシー製のＳＮＥシリーズ、ＳＮＯシリーズ等や日本黒鉛製、鱗状黒鉛粉末、薄片化黒鉛粉末等が挙げられる。また、これらをさらに粉砕し、精密分級してもよい。なお、ここで板状とは、一方向が縮んだ形状を意味し、例えば扁平球状や鱗片状であってもよい。
【００２０】
本発明において用いる樹脂としては、ＰＶＣ樹脂、フェノキシ樹脂、フッ化炭素系樹脂、ＰＰＳ樹脂、ＰＰＥ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリアミド樹脂等の熱可塑性樹脂、あるいはこれらの混合系樹脂を挙げることができる。
【００２１】
また、導電性充填材と配合する際の樹脂は、重合体の形態としてのみならず重合性化合物の形態として、すなわち、アクリル樹脂、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、シアネートエステル樹脂、ビニルエステル樹脂、フェノール樹脂、キシレン樹脂、メラミン樹脂、ポリウレタン樹脂等の熱硬化性樹脂のモノマーやオリゴマーなどの重合性化合物として配合しておいて、後で重合させてもよい。
【００２２】
本発明のノイズ抑制体は、ノイズ抑制以外の目的で必要に応じて、第２の充填材をさらに添加して用いることができる。第２の充填材としては、弾性率改善のためのガラス繊維、成形収縮率を低下させるための炭酸カルシウム、表面平滑性や耐摩耗性の改善に用いられるタルク、寸法安定性を改善するために用いられるマイカが挙げられる。また、難燃性を付与する充填材、すなわち難燃剤としてハロゲン系またはリン系難燃剤、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウムが挙げられる。また、ノイズ抑制特性の調整に従来技術で用いられているフェライト粉末や鉄を主成分とした磁性金属体粉末や難燃剤としての効果も有する導電性粉末である膨張黒鉛粉末などを充填材として、さらに添加することができる。
【００２３】
本発明のノイズ抑制体は、携帯電話やスマートフォン、デジタルテレビ送受信機などの通信機器やデジタルカメラやＰＤＡなどの、各種電子機器から意図せずに電磁波が外部に放射、伝送されたり、外部及び内部干渉による機器自身の誤動作などを起こしたりする、ＥＭＩ やイミュニティに関する問題の解決に有用である。
【００２４】
本発明のノイズ抑制体は、シート状、特に厚み３００μｍ以下のフィルム状に成形、もしくはポリエチレンテレフタレートやポリイミドなどのフィルム状基材に塗布したフィルムを、携帯電話等の通信機器やデジタルカメラ等の電子機器の筐体内部の部品、たとえばデータ信号を処理するＬＳＩや液晶ディスプレイなどの表示機器と表示信号の処理回路を接続するフレキブルプリント基板ケーブルなどに、貼り付けるまたは塗布することで、不要電磁波を抑制することができる。また、筐体自体をノイズ抑制体で形成、もしくは筐体内面にノイズ抑制体を貼り付けまたは塗布することでも不要電磁波を抑制できる。
【実施例】
【００２５】
次に、本発明を実施例により、さらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例によって何ら限定されるものではない。
【００２６】
なお、ノイズ抑制効果については、ＩＥＣ規格（Ｎｏ．：ＩＥＣ６２３３３−１，ＩＥＣ６２３３３−２）に従い、図１に示したマイクロストリップラインに、ノイズ抑制体からなるシートを載せて、ネットワークアナライザ（アジレントテクノロジー社製８７２２ＥＳ）により、反射係数Ｓ１１および透過係数Ｓ２１を測定した。
また、比重の測定については、ノイズ抑制体を形成する樹脂複合材料を３０ｍｍφ、厚さ３ｍｍのディスクに成形し、この重量を測定し、さらに水をはったメスシリンダーに入れ体積を測定することにより求めた。
【００２７】
実施例１
ポリウレタン樹脂のワニス(重合性ウレタンの５０ｗｔ％キシレン溶液)と、導電性カーボンブラック（球状体、粒径３０ｎｍ〜５０ｎｍ、平均粒径４０ｎｍ）を、樹脂分すなわちワニス固形分とカーボンブラックを体積比で、６２．５／３７．５となるように混合し、ペットフィルムに塗布した。このときの厚みは、０．０３ｍｍであった。
このシートをＩＥＣ規格（Ｎｏ．：ＩＥＣ６２３３３−１，ＩＥＣ６２３３３−２）に従い、図１に示したマイクロストリップラインに乗せて、反射係数Ｓ１１および透過係数Ｓ２１を測定した。１ＧＨｚにおいて、透過係数Ｓ２１は−２（ｄＢ）であった、また反射係数Ｓ１１は、１ＧＨｚ以下の帯域において、−１５ｄＢ、１ＧＨｚ〜３ＧＨｚでは−２０ｄＢであった。尚、複素比誘電率の実部は４０３、虚部は４６８であった、したがってεｒ’・ｔ＝１２、εｒ’’・ｔ＝１４となる。比重は１．１であった。表面抵抗率は２．４ｋΩ／□であった。
【００２８】
実施例２
実施例１におけるカーボンブラックに替えて、人造黒鉛粒子(球状体、粒径１．５〜４μｍ、平均粒径３μｍ)を用いた。
実施例１と同様にして反射係数Ｓ１１および透過係数Ｓ２１を測定した。１ＧＨｚにおいて、透過係数Ｓ２１は−３ｄＢであった、また反射係数Ｓ１１は、１ＧＨｚ以下の帯域において、−１５ｄＢ以下、１ＧＨｚ〜３ＧＨｚでは−２１ｄＢ以下であった。尚、複素比誘電率の実部は１７０、虚部は２０３であった。したがって、εｒ’・ｔ＝５．２、εｒ’’・ｔ＝６．１となる。比重は１．２であった。また表面抵抗率は７．８ｋΩ／□であった。
【００２９】
実施例３
実施例１におけるカーボンブラックに替えて、サーマルカーボンブラック(球状体、粒径２００〜４００ｍｍ、平均粒径３００ｎｍ)を用いた。
実施例１と同様に反射係数Ｓ１１および透過係数Ｓ２１を測定した。１ＧＨｚにおいて、透過係数Ｓ２１は−２ｄＢであった、また反射係数Ｓ１１は、１ＧＨｚ以下の帯域において、−１５ｄＢ、１ＧＨｚ〜３ＧＨｚでは−２１ｄＢであった。 尚、複素比誘電率の実部は３６５、虚部は４３１であった、したがってεｒ’・ｔ＝１１、εｒ’’・ｔ＝１３となる。比重は２．８であった。また表面抵抗率は５．３ｋΩ／□であった。
【００３０】
実施例４
実施例１で用いたカーボンブラックとイミダゾール系硬化触媒を添加したビスフェノールＡ型エポキシモノマーとを、体積比（混合粉末／エポキシモノマー）を６５／３５で、メチルエチルケトンに分散・溶解し、ワニスを調合した。このワニスを図１に示したマイクロストリップラインに、ドクターブレードを用いて塗布し、１２０℃・１時間で硬化し８７μｍ厚の塗膜層を形成した。実施例１と同様にして反射係数Ｓ１１および透過係数Ｓ２１を測定した。１ＧＨｚにおいて、透過係数Ｓ２１は−２ｄＢであった、また反射係数Ｓ１１は、１ＧＨｚ以下の帯域において、−１５ｄＢ、１ＧＨｚ〜３ＧＨｚでは−１６ｄＢであった。ワニスを乾燥し得られたペーストを用いて３０ｍｍφ、３ｍｍ厚のタブレットを作製し、比重を測定したところ、２．５であった。尚、複素誘電率の実部は３６、虚部は４８であった。したがって、εｒ’・ｔ＝３．１、εｒ’’・ｔ＝４．２となる。また表面抵抗率は４．７ｋΩ／□であった。
【００３１】
比較例１
水アトマイズ法により作製した平均粒径４５μｍの鉄アルミニウム珪素（１０ ｗｔ％Ｓｉ−５．５ｗｔ％ Ａｌ−残部Ｆｅ及び不可避不純物）合金粉末を用意し、この粉末をｎ−ヘキサンと共にサンドグラインドミルに投入して１ ２ 時間摩砕した後、酸化処理を施し、Ａｒガス雰囲気下にて８５０℃ で３時間焼鈍処理し、扁平状粉末を得た。この扁平粉末と塩化ポリエチレンを体積比５０／５０で、トルエンに分散および溶解し、ペーストを調製した。
このペーストを用いて、ドクターブレード法により製膜し、熱処理を施した後に８５℃ にて２４時間キュアリングし、３００μｍ厚のシートを作製した。
実施例１と同様にして反射係数Ｓ１１および透過係数Ｓ２１を測定した。１ＧＨｚにおいて、透過係数Ｓ２１は−１．２ｄＢであった。また反射係数Ｓ１１は、１ＧＨｚ以下の帯域において−７ｄＢ、１ＧＨｚ〜３ＧＨｚでは−５ｄＢであった。また比重は３．５であった。また表面抵抗率は１０ＭΩ／□で
あった。
【００３２】
比較例２
実施例１において、ワニス固形分とカーボンブラックを体積比で、６０／４０となるように混合した以外は、実施例１と同様にした。
実施例１と同様にして反射係数Ｓ１１および透過係数Ｓ２１を測定した。１ＧＨｚにおいて、透過係数Ｓ２１は−５ｄＢであったが、反射係数Ｓ１１は、１ＧＨｚ以下の帯域において、−５ｄＢまで増加し、１ＧＨｚ〜３ＧＨｚでは平均して−８ｄＢであった。尚、複素比誘電率の実部は１００７０、虚部は１１０６０であった、したがってεｒ’・ｔ＝３１５、εｒ’’・ｔ＝３４８となる。比重は１．２であった。また表面抵抗率は０．８ｋΩ／□であった。
【００３３】
比較例３
実施例１において、ワニス固形分とカーボンブラックを体積比で、６５／３５となるように混合した以外は、実施例１と同様にした。
実施例１と同様にして反射係数Ｓ１１および透過係数Ｓ２１を測定した。１ＧＨｚにおいて、透過係数Ｓ２１は−１ｄＢまで低下した、また反射係数Ｓ１１は、１ＧＨｚ以下の帯域において、−５ｄＢまで増加し、１ＧＨｚ〜３ＧＨｚでは平均して−８ｄＢであった。尚、複素比誘電率の実部は１０３、虚部は９６であった、したがってεｒ’・ｔ＝３．１、εｒ’’・ｔ＝２．９となる。比重は１．２であった。また表面抵抗率は１２ｋΩ／□であった。
【００３４】
実施例５
一連の実施例で作製したノイズ抑制体を、市販の携帯電話のデジタルカメラユニットに張り付けてあるノイズ抑制体の替わりに取り付けた。暗い場面を撮影するときに発生していた、デジタルカメラの画像のちらつきが、従来のノイズ抑制体に比べて小さくなっていた。
【００３５】
比較例４
一連の比較例で作製したノイズ抑制体を、市販の携帯電話のデジタルカメラユニットに張り付けてあるノイズ抑制体の替わりに取り付けた。既に取り付けてあったノイズ抑制体に比べ、画像のチラツキ程度が変わらなかった。
【００３６】
実施例６
電波状態がきわめて微弱であるとの表示状態となるエレベータ内において、一連の実施例で作製したノイズ抑制体を用いたところ、通話状態が改善されていた。
【００３７】
比較例５
電波状態がきわめて微弱であるとの表示状態となるエレベータ内において、一連の比較例で作製したノイズ抑制体を用いたところ、既に取り付けてあったノイズ抑制体に比べ、通話状態に変化はなかった。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】ノイズ抑制効果の測定に用いた装置の概略図
【符号の説明】
【００３９】
１ マイクロストリップラインの信号ライン
２ マイクロストリップラインのポリテトラフルオロエチレン製絶縁層
３ マクロストリップラインのグランド面
４ ５０Ωの同軸ケーブル
５ ネットワークアナライザ
６ ネットワークアナライザのポート１
７ ネットワークアナライザのポート２
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電特性を利用したノイズ抑制体であって、厚みｔ(ｍｍ)、複素比誘電率の実部εr’、複素比誘電率の虚部εr”が下記の式１及び式２を満たすノイズ抑制体。
εr’・t ≦３００（ｍｍ） ・・・・・ （１）
εr’’・t ≧ ３（ｍｍ） ・・・・・ （２）
【請求項２】
ＩＥＣ規格（Ｎｏ．：ＩＥＣ６２３３３−１，ＩＥＣ６２３３３−２）により測定した１ＧＨｚ以下における反射係数が−１０ｄＢ以下、１ＧＨｚ以上３ＧＨｚ以下の反射係数Ｓ１１が−１６ｄＢ以下であり、かつ１ＧＨｚにおける透過係数Ｓ２１が−２ｄＢ以下である請求項１記載のノイズ抑制体。
【請求項３】
導電性充填材と樹脂からなり、表面抵抗率が１０３Ω／□以上１０４Ω／□以下である請求項２記載のノイズ抑制体。
【請求項４】
前記導電性充填材が、粒子直径が１０ｎｍ以上１０μｍ以下の球状、断面直径が１０ｎｍ以上１０μｍ以下繊維状又は厚さが１０ｎｍ以上１０μｍ以下の板状の導電性粉末である請求項３記載のノイズ抑制体。
【請求項５】
前記導電性粉末が導電性炭素材料である請求項４記載のノイズ抑制体。
【請求項６】
導電性充填材と樹脂とを、体積比（導電性充填材／樹脂）３５／６５〜６０／４０の範囲で配合して得られる請求項３又は４記載のノイズ抑制体。
【請求項７】
第２の充填材を含有する請求項１〜６のいずれかに記載のノイズ抑制体。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載のノイズ抑制体からなる筐体を用いた電子機器。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれかに記載のノイズ抑制体からなるノイズ抑制フィルム。
【請求項１０】
請求項１〜７のいずれかに記載のノイズ抑制体を筐体内部において用いた電子機器。
【請求項１１】
請求項１〜７のいずれかに記載のノイズ抑制体を筐体内部において用いたデジタルカメラ。
【請求項１２】
請求項１〜７のいずれかに記載のノイズ抑制体を筐体内部において用いた携帯電話。
【請求項１３】
請求項９記載のノイズ抑制フィルムを筐体内部において用いた電子機器。
【請求項１４】
請求項９記載のノイズ抑制フィルムを筐体内部において用いたデジタルカメラ。
【請求項１５】
請求項９記載のノイズ抑制フィルムを筐体内部において用いた携帯電話。
【請求項１】
誘電特性を利用したノイズ抑制体であって、厚みｔ(ｍｍ)、複素比誘電率の実部εr’、複素比誘電率の虚部εr”が下記の式１及び式２を満たすノイズ抑制体。
εr’・t ≦３００（ｍｍ） ・・・・・ （１）
εr’’・t ≧ ３（ｍｍ） ・・・・・ （２）
【請求項２】
ＩＥＣ規格（Ｎｏ．：ＩＥＣ６２３３３−１，ＩＥＣ６２３３３−２）により測定した１ＧＨｚ以下における反射係数が−１０ｄＢ以下、１ＧＨｚ以上３ＧＨｚ以下の反射係数Ｓ１１が−１６ｄＢ以下であり、かつ１ＧＨｚにおける透過係数Ｓ２１が−２ｄＢ以下である請求項１記載のノイズ抑制体。
【請求項３】
導電性充填材と樹脂からなり、表面抵抗率が１０３Ω／□以上１０４Ω／□以下である請求項２記載のノイズ抑制体。
【請求項４】
前記導電性充填材が、粒子直径が１０ｎｍ以上１０μｍ以下の球状、断面直径が１０ｎｍ以上１０μｍ以下繊維状又は厚さが１０ｎｍ以上１０μｍ以下の板状の導電性粉末である請求項３記載のノイズ抑制体。
【請求項５】
前記導電性粉末が導電性炭素材料である請求項４記載のノイズ抑制体。
【請求項６】
導電性充填材と樹脂とを、体積比（導電性充填材／樹脂）３５／６５〜６０／４０の範囲で配合して得られる請求項３又は４記載のノイズ抑制体。
【請求項７】
第２の充填材を含有する請求項１〜６のいずれかに記載のノイズ抑制体。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載のノイズ抑制体からなる筐体を用いた電子機器。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれかに記載のノイズ抑制体からなるノイズ抑制フィルム。
【請求項１０】
請求項１〜７のいずれかに記載のノイズ抑制体を筐体内部において用いた電子機器。
【請求項１１】
請求項１〜７のいずれかに記載のノイズ抑制体を筐体内部において用いたデジタルカメラ。
【請求項１２】
請求項１〜７のいずれかに記載のノイズ抑制体を筐体内部において用いた携帯電話。
【請求項１３】
請求項９記載のノイズ抑制フィルムを筐体内部において用いた電子機器。
【請求項１４】
請求項９記載のノイズ抑制フィルムを筐体内部において用いたデジタルカメラ。
【請求項１５】
請求項９記載のノイズ抑制フィルムを筐体内部において用いた携帯電話。
【図１】
【公開番号】特開２００９−１７７００２（Ｐ２００９−１７７００２Ａ）
【公開日】平成２１年８月６日（２００９．８．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−１４９４８（Ｐ２００８−１４９４８）
【出願日】平成２０年１月２５日（２００８．１．２５）
【出願人】（０００００４４６６）三菱瓦斯化学株式会社 (1,281)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年８月６日（２００９．８．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年１月２５日（２００８．１．２５）
【出願人】（０００００４４６６）三菱瓦斯化学株式会社 (1,281)
【Ｆターム（参考）】
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