転写パターン形成用ブランケット、転写パターン形成方法および転写装置
【課題】版の凹部が孤立していてもブランケットへのパターン転写を良好に行うこと。
【解決手段】本発明は、凸部１１ａが形成された硬質基材１１と、硬質基材１１より軟らかい材質から成り、硬質基材１１と貼り合わされ、硬質基材１１の凸部１１ａの位置の厚さが他より薄く設けられた軟質基材であるＰＤＭＳ層１２とを有する転写パターン形成用ブランケット（ブランケット１）である。ここで、硬質基材１１の凸部１１ａの幅は、ＰＤＭＳ層１２の表面に塗布されるインクを形成するパターンに対応して残すための版の凹部の幅より広く形成されている。
【解決手段】本発明は、凸部１１ａが形成された硬質基材１１と、硬質基材１１より軟らかい材質から成り、硬質基材１１と貼り合わされ、硬質基材１１の凸部１１ａの位置の厚さが他より薄く設けられた軟質基材であるＰＤＭＳ層１２とを有する転写パターン形成用ブランケット（ブランケット１）である。ここで、硬質基材１１の凸部１１ａの幅は、ＰＤＭＳ層１２の表面に塗布されるインクを形成するパターンに対応して残すための版の凹部の幅より広く形成されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、転写パターン形成用ブランケット、転写パターン形成方法および転写装置に関する。詳しくは、ブランケットに塗布したインクを版によって形成するパターンのみ残すように形成し、これを基板に転写するパターン形成方法に用いる転写パターン形成用ブランケット、転写パターン形成方法および転写装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
反転オフセット印刷を用いたパターン形成方法としては、特許文献１〜３に示される技術が開示されている。いずれも、インクを塗布したブランケットとパターンに対応した凹部を有する版とを加圧接触させ、ブランケット側にパターンに対応したインクのみを残し、これを基板に加圧接触させることで、ブランケット側に残ったインクのパターンを基板に転写させている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−２８１４８６号公報
【特許文献２】特開２００７−１６０７６９号公報
【特許文献３】特開２００７−２６１１４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、ブランケットから基板へインクのパターンを転写する際、孤立パターン部で転写不良が問題となっている。すなわち、ブランケットと版とを加圧接触させると、ブランケットが弾性変形するが、版に設けられた凹部のパターンが孤立している場合、ブランケットの変形量が孤立した凹部に集中してしまう。これにより、版の凹部の底にインクが到達してしまい、転写不良が発生することになる。
【０００５】
本発明は、版に孤立したパターンがある場合でもブランケットへ良好な転写を行う技術の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、凸部が形成された硬質基材と、硬質基材より軟らかい材質から成り、硬質基材と貼り合わされ、硬質基材の凸部の位置の厚さが他より薄く設けられた軟質基材とを有する転写パターン形成用ブランケットである。
【０００７】
ここで、硬質基材の凸部の幅は、軟質基材の表面に塗布されるインクを形成するパターンに対応して残すための版の凹部の幅より広く形成されている。このような本発明では、硬質基材の凸部の位置に対応する軟質基材の厚さが他の部分より薄く設けられているため、版の凹部が孤立していても、凸部の位置に対応させることで軟質基材が版の凹部の底に到達しない状態となる。
【０００８】
また、本発明は、凸部が形成された硬質基材と当該硬質基材より軟らかい軟質基材とが貼り合わされ、前記凸部の位置の前記軟質基材の厚さが他より薄く設けられたブランケットを用い、前記軟質基材の表面にインクを塗布する塗布工程と、形成するパターンの位置に凹部が設けられた版を用い、当該版の凹部と前記ブランケットの凸部との位置を合わせるようにして当該版とブランケットとを互いに向かい合わせ、これらを加圧接触させることにより、ブランケットのインクのうち版の凹部に対応する部分のみをブランケット側に残して転写させる第１転写工程と、第１転写工程後のブランケットと、パターンを形成する基板とを互いに向かい合わせるとともに、これらを加圧接触させることにより、ブランケット上に残っているインクを基板上に転写させる第２転写工程とを有する転写パターン形成方法である。
【０００９】
このような本発明では、ブランケットを構成する硬質基材に凸部が形成され、凸部の部分の軟質基材が他より薄く設けられている。このブランケットの凸部と版の凹部とを位置合わせしてインクのパターンを転写すると、版の凹部が孤立していても軟質基材が版の凹部の底に到達しない状態となる。
【００１０】
また、本発明は、インクが塗布されたブランケットを保持する第１のステージと、ブランケットと対向して配置される版もしくはインクのパターンを転写される基板を保持する第２のステージと、ブランケットを前記版の方向へ加圧する加圧手段とを備え、ブランケットとして、凸部が形成された硬質基材と、硬質基材より軟らかい材質から成り、硬質基材と貼り合わされ、硬質基材の凸部の位置の厚さが他より薄く設けられた軟質基材とを有するものが用いられている転写装置である。
【００１１】
このような本発明では、転写装置に用いるブランケットとして、硬質基材に凸部が形成され、凸部の部分の軟質基材が他より薄く設けられているものを用いている。このため、ブランケットの凸部と版の凹部とを位置合わせしてインクのパターンを転写すると、版の凹部が孤立していても軟質基材が版の凹部の底に到達しない状態となる。
【００１２】
ここで、硬質基材としては、例えばガラス基板や金属基板が適用され、軟質基材としては、例えばＰＤＭＳ（ポリジメチルシロキサン）が適用される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、基板にブランケットからインクのパターンを転写するパターンの形成において、版の凹部が孤立していてもブランケットへのパターン転写を良好に行うことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明を実施するための最良の形態（以下、実施の形態とする）について説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．転写パターン形成の概要（基本的な転写パターン形成の手順の例）
２．本実施形態に係る転写パターン形成用ブランケット（ブランケットの構成、ブランケットの製造方法の例）
３．本実施形態のブランケットを用いた転写パターンの形成方法
４．パターン転写装置（装置構成の一例）
【００１５】
＜１．転写パターン形成の概要＞
［基本的な転写パターン形成の手順］
本実施形態の転写パターン形成方法を説明するに先立ち、基本的な転写パターン形成方法の手順を説明する。先ず、図１（ａ）に示すように、ブランケット１と版３とを用意する。ブランケット１は、硬質の基材１１に軟質の基材であるＰＤＭＳ（ポリジメチルシロキサン）層１２が貼り合わされたもので、このＰＤＭＳ層１２にインク２が一様に塗布されている。一方、版３は、形成するパターンの形状に合わせた凹部３１が形成されたものである。ここでは、複数の凹部３１が所定のピッチで配置されたものとなっている。
【００１６】
次に、図１（ｂ）に示すように、ブランケット１と版３とを加圧接触させる。すなわち、ブランケット１のインク面を版３の表面に接触させ、加圧圧縮する。これにより、版３の凹部３１の周辺（凸部）にブランケット１のインク２が付着する状態となる。
【００１７】
この状態で図１（ｃ）に示すように、ブランケット１と版３とを分離すると、版３の凸部にインク２が付着し、ブランケット１側には版３の凹部３１に対応したインク２のパターンが残る状態となる。ここで、ブランケット１と版３とを加圧接触させてブランケット１へインク２のパターンを残す転写を第１転写工程と言う。
【００１８】
次に、図２（ａ）に示すように、インク２のパターンが残されたブランケット１と、表面に密着層４１が形成されたパターン形成対象の基板４とを向かい合わせ、図２（ｂ）に示すように、位置合わせした状態で加圧接触させる。そして、図２（ｃ）に示すように、ブランケット１と基板４とを分離すると、ブランケット１に残されていたインク２のパターンが基板４上に転写されることになる。ここで、ブランケット１と基板４とを加圧接触させてブランケット１のインクのパターンを基板へ転写する工程を第２転写工程と言う。
【００１９】
［孤立パターン転写の問題点］
図３は、孤立パターン部での反転オフセット印刷工程（第１転写工程）での問題点を説明する模式断面図である。先ず、図３（ａ）に示すように、ブランケット１と版３とを用意する。ブランケット１は、先と同様、硬質の基材１１に軟質の基材であるＰＤＭＳ層１２が貼り合わされたもので、このＰＤＭＳ層１２にインク２が一様に塗布されている。一方、版３は、形成するパターンの形状に合わせた凹部３１が形成されたものであるが、ここでは、周辺に凹部が設けられていない孤立したパターンとなっている。
【００２０】
次に、図３（ｂ）に示すように、ブランケット１と版３とを加圧接触させ、ブランケット１のインク面を版３の表面に所定の圧力で接触させる。この際、ブランケット１のＰＤＭＳ層１２が弾性変形するが、版３の凹部３１が孤立パターンとなっている場合、その変形量が孤立した凹部３１に集中する。これにより、版３の凹部３１の底までインク２が到達してしまうことになる
【００２１】
この状態で図３（ｃ）に示すように、ブランケット１と版３とを分離すると、版３の凸部にインク２が付着し、ブランケット１側には版３の凹部３１に対応したインク２のパターンが残る状態となる。しかし、版３の凹部３１の底にインク２が付着してしまい、凹部３１のパターンに合わせたインク２の転写不良（パターン切れ）が発生するという問題が生じる。
【００２２】
この問題を解決するには、版３の凹部３１のアスペクト比（図４、深さＤ／幅Ｗ）を大きく、すなわち、深くすれば良い。図５は、版の凹部のアスペクト比を大きくする場合の製造方法を説明する模式断面図である。版を形成するには、先ず、図５（ａ）に示すように、ガラス（例えば、コーニング社のガラス＃１７３７）等の基材３０にフォトリソグラフィによって所定のフォトレジストマスクＲを形成する。そして、このフォトレジストマスクＲを介してフッ酸等を用いた湿式エッチングにより、基材３０に凹部３１を形成する。
【００２３】
凹部３１を深くするために湿式エッチングをさらに進めていく（図５（ｃ）参照）。しかし、湿式エッチングではエッチングが等方的に進み、いわゆるサイドエッチングが発生し、得られる凹部アスペクト比は１程度が限界である。したがって、エッチングが進むと図５（ｄ）に示すように、凹部３１間の凸部までエッチングされてしまる。このため、高アスペクト比で高精細な凹部パターンを得ることができない。
【００２４】
図６は、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）を用いて版を製造する方法を説明する模式断面図である。凹部を反応性イオンエッチングによって形成する場合、被エッチング材料としてはＳｉＯ2が好ましい。版３の基材３０には石英板、または、ガラス板、金属板等の上にＣＶＤ、スパッタ、蒸着法などによりＳｉＯ2を成膜した基材を用いる。
【００２５】
高アスペクト比で高精細パターンを形成するにはエッチングマスクとしてメタルマスクＭ（例えばＣｒ）を用いる（図６（ａ）参照）。そして、フロン系のガス（ＣＦ４、Ｃ４Ｆ８等）を用いてＲＩＥを施し、凹部３１を形成する（図６（ｂ）参照）。
【００２６】
エッチングが進むにつれ、凹部の側壁に反応生成物が形成され、凹部３１の断面形状が台形となり、得られるアスペクト比は３程度となる。ＲＩＥでは湿式エッチングに比べ高いアスペクト比が得られるが、エッチング時間が長くなるに従い、強固に付着した反応生成物が第１転写工程時等に剥離し、異物となり転写欠陥を生じ、問題となる。また、石英は非常に高価な事と、反応性イオンエッチング装置、成膜装置が非常に高価であり、生産コストが高くなる問題もある。
【００２７】
＜２．本実施形態に係る転写パターン形成用ブランケット＞
［ブランケットの構造］
本実施形態は、上記のような問題を解消するため、次のようなブランケットの構造を採用している。図７は、本実施形態に係る転写パターン形成用ブランケット（以下、単に「ブランケット」と言う。）の構造を説明する模式断面図である。すなわち、図７（ａ）に示すように、本実施形態に係るブランケット１は、凸部１１ａが形成された硬質基材１１と、硬質基材１１より軟らかい材質から成り、硬質基材１１と貼り合わされる軟質基材（ＰＤＭＳ層１２）とを備えている。これにより、硬質基材１１の凸部１１ａの位置の厚さｄが他の厚さＤより薄く設けられることになる。
【００２８】
このブランケット１では、硬質基材１１としてガラス基板や金属基板を用い、エッチングによって凸部１１ａを形成している。本実施形態では、ガラス基板を用いている。硬質基材１１の厚みは、例えば１０μｍ〜５００μｍ程度とする。
【００２９】
軟質基材として利用されるＰＤＭＳ層１２は、硬質基材１１の凸部１１ａが形成された面の全面に貼り付けられている。
【００３０】
ＰＤＭＳ層１２は、例えば、SYLGARD（登録商標） 184（東レ・ダウコーニング株式会社）を用いる。この場合、ＰＤＭＳ層１２の厚さＤは、例えば２０μｍ〜３０μｍ程度であり、凸部１１ａの位置に対応したＰＤＭＳ層１２の厚さｄは、例えば５μｍ〜１０μｍ程度である。
【００３１】
なお、ＰＤＭＳ層１２は上記以外であってもよいが、厚さｄは、厚さＤの１／４〜１／３が望ましい。また、本実施形態では軟質基材としてＰＤＭＳ層１２を用いるが、これ以外の材質のものを用いてもよい。
【００３２】
また、硬質基材１１に設けられる凸部１１と隣接する平坦領域は、凸部１１の端部から１ｍｍ以上設けられている。すなわち、転写するインクのパターンについて周辺に１ｍｍ以上別のパターンが存在しない孤立パターンに対応したものとなっている。孤立パターンに対応した第１転写工程では、上記に説明した問題点が発生する。したがって、このような孤立パターンに対応した第１転写工程での問題点を解消するため、本実施形態では凸部１１も孤立した状態となっている。
【００３３】
［ブランケットの製造方法］
ブランケット１を製造するには、先ず、図７（ｂ）に示すように、例えばガラス基板から成る硬質基材１１の所定位置に凸部１１ａを形成する。凸部１１ａは、フォトリソグラフィ技術によって硬質基材１１の凸部形成位置以外をエッチングすることで形成される。具体的には、硬質基材１１の、版の凸部以外の位置をエッチングして凸部１１ａを形成する。深さは、パターン形成対象の基板の窪みの深さにもよるが、５μｍ〜２００μｍ程度とする。
【００３４】
なお、パターンを転写する基板との位置合わせ用のマークもエッチングにより同時に形成してもよい。すなわち、凸部１１ａを形成する際のエッチングによって同時に位置合わせ用のマークも形成する。通常は、第１転写工程でブランケット１にインクのパターンを転写するのと同時にインクによるマークも形成するが、インクの厚さが例えば１０ｎｍ以下といった極薄く形成される場合にはマークとして視認性が悪くなる。そこで、硬質基材１１の凸部１１ａをエッチングによって形成する工程と同時にマークもエッチングによって形成しておく。これにより、インクをマークとして利用できない場合でもエッチングによるマークを利用できるようになる。
【００３５】
次に、図７（ｃ）に示すように、硬質基材１１の凸部１１ａを形成した面にＰＤＭＳ層１２を２０〜３００μｍ厚程度で塗布する。ＰＤＭＳは自己平滑化作用が強く、表面が平坦な凸部パターン付きのブランケット１が構成される。これにより、凸部１１ａの位置では他の位置に比べてＰＤＭＳ層１２が薄く形成されたブランケット１が形成されることになる。
【００３６】
ここで、ブランケット１の凸部１１ａの幅は、後述する転写パターン形成方法における第１転写工程で用いる版の凹部の幅より広くなっている。これにより、第１転写工程において版との加圧接触を行う際、版の凹部との関係ではＰＤＭＳ層１２の弾性変形量を小さくでき、ＰＤＭＳ層１２が版の凹部の底に接触してしまうことを回避して転写不良を解消できることになる。
【００３７】
また、ブランケット１の凹部１１ａの幅は、第１転写工程で用いる版の凹部の幅より広くなっている。これにより、第１転写工程において版との加圧接触を行う際、ＰＤＭＳ層が弾性変形して版の凹部内に入り込む際の変形量の規制が成される。
【００３８】
このような特性を利用して、本実施形態では第１転写工程でのパターン転写不良を解消する。
【００３９】
＜３．本実施形態のブランケットを用いた転写パターンの形成方法＞
図８〜図９は、本実施形態のブランケットを用いた転写パターンの形成手順を説明する模式断面図である。先ず、図８（ａ）に示すように、先に説明した本実施形態のブランケット１を用意する。そして、ブランケット１のＰＤＭＳ層１２の表面にインク２を一様に塗布する。インク２としては、例えば、銀、ニッケル、金、銅、その他金属を含有する材料を用いる。
【００４０】
その後、ブランケット１のインク２を塗布した面と版３とを向かい合わせで配置する。この際、ブランケット１の凸部１１ａと版３の凹部３１との位置が合うよう位置決めする。
【００４１】
次に、図８（ｂ）に示すように、ブランケット１と版３とを加圧接触させる。すなわち、ブランケット１のインク面を版３の表面に加圧圧縮によって接触させる。加圧圧縮による接触は、圧縮気体加圧法を用いる。圧縮気体加圧法とは、接触させる対象であるブランケット１と版３とをそれぞれ向かい合わせて近接しつつ、所定のステージ上に固定する。そして、この状態でブランケット１および版３のうち一方の背面側から圧縮気体を噴射させて押し出すこれにより、ブランケット１と版３とを接触させる方法である。
【００４２】
これによって、版３の凹部３１の周辺（凸部）にブランケット１のインク２が付着する状態となる。この際、版３の凹部３１の位置では、ブランケット１のＰＤＭＳ層１２が凹部３１内に押し込まれ湾曲する状態となる。しかし、ブランケット１の凸部１１ａの幅Ｗ１を、版３の凹部３１の幅Ｗ０より広くしておくと、版３の凹部３１の縁ではＰＤＭＳ層１２の薄い部分（図中矢印ｄ参照）と当接することになる。
【００４３】
また、ブランケット１の凸部１１ａの幅Ｗ１が、版３の凹部３１の幅Ｗ０より広いと、ブランケット１と版３との位置合わせのマージンを持たせることができる。ここで、幅Ｗ１と幅Ｗ０との差は、数百μｍ（例えば、マージンが左右にある場合、片側約２００μｍの合計約４００μｍ）程度である。
【００４４】
版３の凹部３１内に押し込まれるＰＤＭＳ層１２の量は版３の凹部３１の縁でのＰＤＭＳ層１２の厚さｄ起因するため、同じ加圧力であれば版３の凹部３１の縁でのＰＤＭＳ層１２の厚さが薄いほど版３の凹部３１内へ押し込まれるＰＤＭＳ層１２の量を少なくできる。したがって、本実施形態では、ブランケット１の凸部１１ａ、すなわちＰＤＭＳ層１２の薄い部分によって、版３の凹部３１内に押し込まれるＰＤＭＳ層１２の量を制限し、ＰＤＭＡ層１２が版３の凹部３１の底部まで達しないことになる。
【００４５】
次に、図８（ｃ）に示すように、ブランケット１と版３とを分離すると、版３の凸部にインク２が付着し、ブランケット１側には版３の凹部３１に対応したインク２のパターンが残る状態となる。この図８（ａ）〜（ｃ）に示す工程が、ブランケット１側へのインク２のパターンの転写工程、すなわち、第１転写工程となる。
【００４６】
次に、図９（ａ）に示すように、インク２のパターンが残されたブランケット１と密着層４１が形成された基板４とを向かい合わせ、位置合わせした状態で加圧接触させる。ブランケット１を基板４に位置合わせする際、本実施形態では、ブランケット１の凸部１１ａとともに形成したマーク（図示せず）を利用する。すなわち、ブランケット１に形成したマークと基板４に予め設けられたマークとを合わせることで、正確な位置合わせが成される。
【００４７】
その後、図９（ｃ）に示すように、ブランケット１と基板４とを分離する。これにより、ブランケット１に残されていたインク２のパターンが基板４上に転写されることになる。図９（ａ）〜（ｃ）に示す工程が、ブランケット１から基板４へのパターンの転写工程、すなわち、第２転写工程となる。
【００４８】
これにより、基板４上で孤立しているパターンであってもパターン切れを起こすことなく確実に転写でき、パターン転写の不良を回避できることになる。
【００４９】
＜４．パターン転写装置＞
［装置構成：主として第１転写工程での適用例］
図１０は、パターン転写装置の例を示す模式断面図である。このパターン転写装置は、先に説明した圧縮気体加圧法による加圧圧縮を行う装置である。パターン転写装置によるパターンの転写は、第１転写工程および第２転写工程のいずれでも用いることができる。
【００５０】
ブランケットに版のパターンを転写する第１転写工程で用いるパターン転写装置では、例えば図１０（ａ）に示したように、ブランケットの外周部を、下部ステージ５１、Ｏリング５３Ａ，５３Ｂおよび固定フレーム５４Ａ，５４Ｂにより機械的に固定する。また、版３を上部ステージ５２により固定し、下部ステージ５１の中心付近に設けられた開口部５１０（真空排気口および圧縮気体導入口として機能する）から圧縮気体を噴射させてブランケット１を押し出すようにする。
【００５１】
なお、例えば図１０（ｂ）に示したように、ブランケット１の外周部を、下部ステージ５１Ａに設けられた開口部５１１Ａ，５１１Ｂにより、図中の符号Ｐ２，Ｐ３で示したように真空吸着させて固定するようにしてもよい。
【００５２】
また、例えば図１１に示したように、版３が下部ステージ５１上に固定されるものでもよい。この転写装置は、版３を下部ステージ５１上に固定するとともに、ブランケット１の外周部を固定フレーム５４Ｃ，５４Ｄにより固定する。さらに膨張可能であり柔軟性を有する伸縮性フィルム５５を、Ｏリング５３Ａ，５３Ｂ、固定フレーム５４Ａ，５４Ｂおよび上部ステージ５２Ａにより固定する。そして、上部ステージ５２Ａの中心付近に設けられた開口部５２０（真空排気口および圧縮気体導入口として機能する）から圧縮気体を噴射させて伸縮性フィルム５５およびブランケット１を押し出すようにしている。この場合、ブランケット１の外周部を機械的に固定するだけでよい。
【００５３】
なお、これらの場合において、ブランケット１と版３とを近接させる距離は１μｍ〜１ｍｍの距離とし、転写圧力は０．１ｋＰａ〜１００ｋＰａ程度として精密に制御する。これにより、ブランケット１上で、均一かつ低圧力で制御できるため、押しつぶれのないインクの転写が可能となる。なお、これら図１０および図１１においては、インクの図示は省略している。
【００５４】
［第２転写工程での適用例］
また、パターン転写装置によってブランケット１から基板４へのインクのパターンの転写、すなわち第２転写工程を行う場合には、上記第１転写工程で用いるパターン転写装置において、版３を基板４に置き換えるようにすればよい。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】基本的な転写パターン形成の手順を説明する模式断面図（その１）である。
【図２】基本的な転写パターン形成の手順を説明する模式断面図（その２）である。
【図３】孤立パターン部での反転オフセット印刷工程（第１転写工程）での問題点を説明する模式断面図である。
【図４】版の凹部のアスペクト比を説明する図である。
【図５】版の凹部のアスペクト比を大きくする場合の製造方法を説明する模式断面図である。
【図６】反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）を用いて版を製造する方法を説明する模式断面図である。
【図７】本実施形態に係る転写パターン形成用ブランケットの構造を説明する模式断面図である。
【図８】本実施形態のブランケットを用いた転写パターンの形成手順を説明する模式断面図（その１）である。
【図９】本実施形態のブランケットを用いた転写パターンの形成手順を説明する模式断面図（その２）である。
【図１０】パターン転写装置の例を示す模式断面図（その１）である。
【図１１】パターン転写装置の例を示す模式断面図（その２）である。
【符号の説明】
【００５６】
１…ブランケット、１１ａ…凸部、２…インク、３…版、４…基板、１１…硬質基材、１２…ＰＤＭＳ層、３１…凹部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、転写パターン形成用ブランケット、転写パターン形成方法および転写装置に関する。詳しくは、ブランケットに塗布したインクを版によって形成するパターンのみ残すように形成し、これを基板に転写するパターン形成方法に用いる転写パターン形成用ブランケット、転写パターン形成方法および転写装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
反転オフセット印刷を用いたパターン形成方法としては、特許文献１〜３に示される技術が開示されている。いずれも、インクを塗布したブランケットとパターンに対応した凹部を有する版とを加圧接触させ、ブランケット側にパターンに対応したインクのみを残し、これを基板に加圧接触させることで、ブランケット側に残ったインクのパターンを基板に転写させている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−２８１４８６号公報
【特許文献２】特開２００７−１６０７６９号公報
【特許文献３】特開２００７−２６１１４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、ブランケットから基板へインクのパターンを転写する際、孤立パターン部で転写不良が問題となっている。すなわち、ブランケットと版とを加圧接触させると、ブランケットが弾性変形するが、版に設けられた凹部のパターンが孤立している場合、ブランケットの変形量が孤立した凹部に集中してしまう。これにより、版の凹部の底にインクが到達してしまい、転写不良が発生することになる。
【０００５】
本発明は、版に孤立したパターンがある場合でもブランケットへ良好な転写を行う技術の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、凸部が形成された硬質基材と、硬質基材より軟らかい材質から成り、硬質基材と貼り合わされ、硬質基材の凸部の位置の厚さが他より薄く設けられた軟質基材とを有する転写パターン形成用ブランケットである。
【０００７】
ここで、硬質基材の凸部の幅は、軟質基材の表面に塗布されるインクを形成するパターンに対応して残すための版の凹部の幅より広く形成されている。このような本発明では、硬質基材の凸部の位置に対応する軟質基材の厚さが他の部分より薄く設けられているため、版の凹部が孤立していても、凸部の位置に対応させることで軟質基材が版の凹部の底に到達しない状態となる。
【０００８】
また、本発明は、凸部が形成された硬質基材と当該硬質基材より軟らかい軟質基材とが貼り合わされ、前記凸部の位置の前記軟質基材の厚さが他より薄く設けられたブランケットを用い、前記軟質基材の表面にインクを塗布する塗布工程と、形成するパターンの位置に凹部が設けられた版を用い、当該版の凹部と前記ブランケットの凸部との位置を合わせるようにして当該版とブランケットとを互いに向かい合わせ、これらを加圧接触させることにより、ブランケットのインクのうち版の凹部に対応する部分のみをブランケット側に残して転写させる第１転写工程と、第１転写工程後のブランケットと、パターンを形成する基板とを互いに向かい合わせるとともに、これらを加圧接触させることにより、ブランケット上に残っているインクを基板上に転写させる第２転写工程とを有する転写パターン形成方法である。
【０００９】
このような本発明では、ブランケットを構成する硬質基材に凸部が形成され、凸部の部分の軟質基材が他より薄く設けられている。このブランケットの凸部と版の凹部とを位置合わせしてインクのパターンを転写すると、版の凹部が孤立していても軟質基材が版の凹部の底に到達しない状態となる。
【００１０】
また、本発明は、インクが塗布されたブランケットを保持する第１のステージと、ブランケットと対向して配置される版もしくはインクのパターンを転写される基板を保持する第２のステージと、ブランケットを前記版の方向へ加圧する加圧手段とを備え、ブランケットとして、凸部が形成された硬質基材と、硬質基材より軟らかい材質から成り、硬質基材と貼り合わされ、硬質基材の凸部の位置の厚さが他より薄く設けられた軟質基材とを有するものが用いられている転写装置である。
【００１１】
このような本発明では、転写装置に用いるブランケットとして、硬質基材に凸部が形成され、凸部の部分の軟質基材が他より薄く設けられているものを用いている。このため、ブランケットの凸部と版の凹部とを位置合わせしてインクのパターンを転写すると、版の凹部が孤立していても軟質基材が版の凹部の底に到達しない状態となる。
【００１２】
ここで、硬質基材としては、例えばガラス基板や金属基板が適用され、軟質基材としては、例えばＰＤＭＳ（ポリジメチルシロキサン）が適用される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、基板にブランケットからインクのパターンを転写するパターンの形成において、版の凹部が孤立していてもブランケットへのパターン転写を良好に行うことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明を実施するための最良の形態（以下、実施の形態とする）について説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．転写パターン形成の概要（基本的な転写パターン形成の手順の例）
２．本実施形態に係る転写パターン形成用ブランケット（ブランケットの構成、ブランケットの製造方法の例）
３．本実施形態のブランケットを用いた転写パターンの形成方法
４．パターン転写装置（装置構成の一例）
【００１５】
＜１．転写パターン形成の概要＞
［基本的な転写パターン形成の手順］
本実施形態の転写パターン形成方法を説明するに先立ち、基本的な転写パターン形成方法の手順を説明する。先ず、図１（ａ）に示すように、ブランケット１と版３とを用意する。ブランケット１は、硬質の基材１１に軟質の基材であるＰＤＭＳ（ポリジメチルシロキサン）層１２が貼り合わされたもので、このＰＤＭＳ層１２にインク２が一様に塗布されている。一方、版３は、形成するパターンの形状に合わせた凹部３１が形成されたものである。ここでは、複数の凹部３１が所定のピッチで配置されたものとなっている。
【００１６】
次に、図１（ｂ）に示すように、ブランケット１と版３とを加圧接触させる。すなわち、ブランケット１のインク面を版３の表面に接触させ、加圧圧縮する。これにより、版３の凹部３１の周辺（凸部）にブランケット１のインク２が付着する状態となる。
【００１７】
この状態で図１（ｃ）に示すように、ブランケット１と版３とを分離すると、版３の凸部にインク２が付着し、ブランケット１側には版３の凹部３１に対応したインク２のパターンが残る状態となる。ここで、ブランケット１と版３とを加圧接触させてブランケット１へインク２のパターンを残す転写を第１転写工程と言う。
【００１８】
次に、図２（ａ）に示すように、インク２のパターンが残されたブランケット１と、表面に密着層４１が形成されたパターン形成対象の基板４とを向かい合わせ、図２（ｂ）に示すように、位置合わせした状態で加圧接触させる。そして、図２（ｃ）に示すように、ブランケット１と基板４とを分離すると、ブランケット１に残されていたインク２のパターンが基板４上に転写されることになる。ここで、ブランケット１と基板４とを加圧接触させてブランケット１のインクのパターンを基板へ転写する工程を第２転写工程と言う。
【００１９】
［孤立パターン転写の問題点］
図３は、孤立パターン部での反転オフセット印刷工程（第１転写工程）での問題点を説明する模式断面図である。先ず、図３（ａ）に示すように、ブランケット１と版３とを用意する。ブランケット１は、先と同様、硬質の基材１１に軟質の基材であるＰＤＭＳ層１２が貼り合わされたもので、このＰＤＭＳ層１２にインク２が一様に塗布されている。一方、版３は、形成するパターンの形状に合わせた凹部３１が形成されたものであるが、ここでは、周辺に凹部が設けられていない孤立したパターンとなっている。
【００２０】
次に、図３（ｂ）に示すように、ブランケット１と版３とを加圧接触させ、ブランケット１のインク面を版３の表面に所定の圧力で接触させる。この際、ブランケット１のＰＤＭＳ層１２が弾性変形するが、版３の凹部３１が孤立パターンとなっている場合、その変形量が孤立した凹部３１に集中する。これにより、版３の凹部３１の底までインク２が到達してしまうことになる
【００２１】
この状態で図３（ｃ）に示すように、ブランケット１と版３とを分離すると、版３の凸部にインク２が付着し、ブランケット１側には版３の凹部３１に対応したインク２のパターンが残る状態となる。しかし、版３の凹部３１の底にインク２が付着してしまい、凹部３１のパターンに合わせたインク２の転写不良（パターン切れ）が発生するという問題が生じる。
【００２２】
この問題を解決するには、版３の凹部３１のアスペクト比（図４、深さＤ／幅Ｗ）を大きく、すなわち、深くすれば良い。図５は、版の凹部のアスペクト比を大きくする場合の製造方法を説明する模式断面図である。版を形成するには、先ず、図５（ａ）に示すように、ガラス（例えば、コーニング社のガラス＃１７３７）等の基材３０にフォトリソグラフィによって所定のフォトレジストマスクＲを形成する。そして、このフォトレジストマスクＲを介してフッ酸等を用いた湿式エッチングにより、基材３０に凹部３１を形成する。
【００２３】
凹部３１を深くするために湿式エッチングをさらに進めていく（図５（ｃ）参照）。しかし、湿式エッチングではエッチングが等方的に進み、いわゆるサイドエッチングが発生し、得られる凹部アスペクト比は１程度が限界である。したがって、エッチングが進むと図５（ｄ）に示すように、凹部３１間の凸部までエッチングされてしまる。このため、高アスペクト比で高精細な凹部パターンを得ることができない。
【００２４】
図６は、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）を用いて版を製造する方法を説明する模式断面図である。凹部を反応性イオンエッチングによって形成する場合、被エッチング材料としてはＳｉＯ2が好ましい。版３の基材３０には石英板、または、ガラス板、金属板等の上にＣＶＤ、スパッタ、蒸着法などによりＳｉＯ2を成膜した基材を用いる。
【００２５】
高アスペクト比で高精細パターンを形成するにはエッチングマスクとしてメタルマスクＭ（例えばＣｒ）を用いる（図６（ａ）参照）。そして、フロン系のガス（ＣＦ４、Ｃ４Ｆ８等）を用いてＲＩＥを施し、凹部３１を形成する（図６（ｂ）参照）。
【００２６】
エッチングが進むにつれ、凹部の側壁に反応生成物が形成され、凹部３１の断面形状が台形となり、得られるアスペクト比は３程度となる。ＲＩＥでは湿式エッチングに比べ高いアスペクト比が得られるが、エッチング時間が長くなるに従い、強固に付着した反応生成物が第１転写工程時等に剥離し、異物となり転写欠陥を生じ、問題となる。また、石英は非常に高価な事と、反応性イオンエッチング装置、成膜装置が非常に高価であり、生産コストが高くなる問題もある。
【００２７】
＜２．本実施形態に係る転写パターン形成用ブランケット＞
［ブランケットの構造］
本実施形態は、上記のような問題を解消するため、次のようなブランケットの構造を採用している。図７は、本実施形態に係る転写パターン形成用ブランケット（以下、単に「ブランケット」と言う。）の構造を説明する模式断面図である。すなわち、図７（ａ）に示すように、本実施形態に係るブランケット１は、凸部１１ａが形成された硬質基材１１と、硬質基材１１より軟らかい材質から成り、硬質基材１１と貼り合わされる軟質基材（ＰＤＭＳ層１２）とを備えている。これにより、硬質基材１１の凸部１１ａの位置の厚さｄが他の厚さＤより薄く設けられることになる。
【００２８】
このブランケット１では、硬質基材１１としてガラス基板や金属基板を用い、エッチングによって凸部１１ａを形成している。本実施形態では、ガラス基板を用いている。硬質基材１１の厚みは、例えば１０μｍ〜５００μｍ程度とする。
【００２９】
軟質基材として利用されるＰＤＭＳ層１２は、硬質基材１１の凸部１１ａが形成された面の全面に貼り付けられている。
【００３０】
ＰＤＭＳ層１２は、例えば、SYLGARD（登録商標） 184（東レ・ダウコーニング株式会社）を用いる。この場合、ＰＤＭＳ層１２の厚さＤは、例えば２０μｍ〜３０μｍ程度であり、凸部１１ａの位置に対応したＰＤＭＳ層１２の厚さｄは、例えば５μｍ〜１０μｍ程度である。
【００３１】
なお、ＰＤＭＳ層１２は上記以外であってもよいが、厚さｄは、厚さＤの１／４〜１／３が望ましい。また、本実施形態では軟質基材としてＰＤＭＳ層１２を用いるが、これ以外の材質のものを用いてもよい。
【００３２】
また、硬質基材１１に設けられる凸部１１と隣接する平坦領域は、凸部１１の端部から１ｍｍ以上設けられている。すなわち、転写するインクのパターンについて周辺に１ｍｍ以上別のパターンが存在しない孤立パターンに対応したものとなっている。孤立パターンに対応した第１転写工程では、上記に説明した問題点が発生する。したがって、このような孤立パターンに対応した第１転写工程での問題点を解消するため、本実施形態では凸部１１も孤立した状態となっている。
【００３３】
［ブランケットの製造方法］
ブランケット１を製造するには、先ず、図７（ｂ）に示すように、例えばガラス基板から成る硬質基材１１の所定位置に凸部１１ａを形成する。凸部１１ａは、フォトリソグラフィ技術によって硬質基材１１の凸部形成位置以外をエッチングすることで形成される。具体的には、硬質基材１１の、版の凸部以外の位置をエッチングして凸部１１ａを形成する。深さは、パターン形成対象の基板の窪みの深さにもよるが、５μｍ〜２００μｍ程度とする。
【００３４】
なお、パターンを転写する基板との位置合わせ用のマークもエッチングにより同時に形成してもよい。すなわち、凸部１１ａを形成する際のエッチングによって同時に位置合わせ用のマークも形成する。通常は、第１転写工程でブランケット１にインクのパターンを転写するのと同時にインクによるマークも形成するが、インクの厚さが例えば１０ｎｍ以下といった極薄く形成される場合にはマークとして視認性が悪くなる。そこで、硬質基材１１の凸部１１ａをエッチングによって形成する工程と同時にマークもエッチングによって形成しておく。これにより、インクをマークとして利用できない場合でもエッチングによるマークを利用できるようになる。
【００３５】
次に、図７（ｃ）に示すように、硬質基材１１の凸部１１ａを形成した面にＰＤＭＳ層１２を２０〜３００μｍ厚程度で塗布する。ＰＤＭＳは自己平滑化作用が強く、表面が平坦な凸部パターン付きのブランケット１が構成される。これにより、凸部１１ａの位置では他の位置に比べてＰＤＭＳ層１２が薄く形成されたブランケット１が形成されることになる。
【００３６】
ここで、ブランケット１の凸部１１ａの幅は、後述する転写パターン形成方法における第１転写工程で用いる版の凹部の幅より広くなっている。これにより、第１転写工程において版との加圧接触を行う際、版の凹部との関係ではＰＤＭＳ層１２の弾性変形量を小さくでき、ＰＤＭＳ層１２が版の凹部の底に接触してしまうことを回避して転写不良を解消できることになる。
【００３７】
また、ブランケット１の凹部１１ａの幅は、第１転写工程で用いる版の凹部の幅より広くなっている。これにより、第１転写工程において版との加圧接触を行う際、ＰＤＭＳ層が弾性変形して版の凹部内に入り込む際の変形量の規制が成される。
【００３８】
このような特性を利用して、本実施形態では第１転写工程でのパターン転写不良を解消する。
【００３９】
＜３．本実施形態のブランケットを用いた転写パターンの形成方法＞
図８〜図９は、本実施形態のブランケットを用いた転写パターンの形成手順を説明する模式断面図である。先ず、図８（ａ）に示すように、先に説明した本実施形態のブランケット１を用意する。そして、ブランケット１のＰＤＭＳ層１２の表面にインク２を一様に塗布する。インク２としては、例えば、銀、ニッケル、金、銅、その他金属を含有する材料を用いる。
【００４０】
その後、ブランケット１のインク２を塗布した面と版３とを向かい合わせで配置する。この際、ブランケット１の凸部１１ａと版３の凹部３１との位置が合うよう位置決めする。
【００４１】
次に、図８（ｂ）に示すように、ブランケット１と版３とを加圧接触させる。すなわち、ブランケット１のインク面を版３の表面に加圧圧縮によって接触させる。加圧圧縮による接触は、圧縮気体加圧法を用いる。圧縮気体加圧法とは、接触させる対象であるブランケット１と版３とをそれぞれ向かい合わせて近接しつつ、所定のステージ上に固定する。そして、この状態でブランケット１および版３のうち一方の背面側から圧縮気体を噴射させて押し出すこれにより、ブランケット１と版３とを接触させる方法である。
【００４２】
これによって、版３の凹部３１の周辺（凸部）にブランケット１のインク２が付着する状態となる。この際、版３の凹部３１の位置では、ブランケット１のＰＤＭＳ層１２が凹部３１内に押し込まれ湾曲する状態となる。しかし、ブランケット１の凸部１１ａの幅Ｗ１を、版３の凹部３１の幅Ｗ０より広くしておくと、版３の凹部３１の縁ではＰＤＭＳ層１２の薄い部分（図中矢印ｄ参照）と当接することになる。
【００４３】
また、ブランケット１の凸部１１ａの幅Ｗ１が、版３の凹部３１の幅Ｗ０より広いと、ブランケット１と版３との位置合わせのマージンを持たせることができる。ここで、幅Ｗ１と幅Ｗ０との差は、数百μｍ（例えば、マージンが左右にある場合、片側約２００μｍの合計約４００μｍ）程度である。
【００４４】
版３の凹部３１内に押し込まれるＰＤＭＳ層１２の量は版３の凹部３１の縁でのＰＤＭＳ層１２の厚さｄ起因するため、同じ加圧力であれば版３の凹部３１の縁でのＰＤＭＳ層１２の厚さが薄いほど版３の凹部３１内へ押し込まれるＰＤＭＳ層１２の量を少なくできる。したがって、本実施形態では、ブランケット１の凸部１１ａ、すなわちＰＤＭＳ層１２の薄い部分によって、版３の凹部３１内に押し込まれるＰＤＭＳ層１２の量を制限し、ＰＤＭＡ層１２が版３の凹部３１の底部まで達しないことになる。
【００４５】
次に、図８（ｃ）に示すように、ブランケット１と版３とを分離すると、版３の凸部にインク２が付着し、ブランケット１側には版３の凹部３１に対応したインク２のパターンが残る状態となる。この図８（ａ）〜（ｃ）に示す工程が、ブランケット１側へのインク２のパターンの転写工程、すなわち、第１転写工程となる。
【００４６】
次に、図９（ａ）に示すように、インク２のパターンが残されたブランケット１と密着層４１が形成された基板４とを向かい合わせ、位置合わせした状態で加圧接触させる。ブランケット１を基板４に位置合わせする際、本実施形態では、ブランケット１の凸部１１ａとともに形成したマーク（図示せず）を利用する。すなわち、ブランケット１に形成したマークと基板４に予め設けられたマークとを合わせることで、正確な位置合わせが成される。
【００４７】
その後、図９（ｃ）に示すように、ブランケット１と基板４とを分離する。これにより、ブランケット１に残されていたインク２のパターンが基板４上に転写されることになる。図９（ａ）〜（ｃ）に示す工程が、ブランケット１から基板４へのパターンの転写工程、すなわち、第２転写工程となる。
【００４８】
これにより、基板４上で孤立しているパターンであってもパターン切れを起こすことなく確実に転写でき、パターン転写の不良を回避できることになる。
【００４９】
＜４．パターン転写装置＞
［装置構成：主として第１転写工程での適用例］
図１０は、パターン転写装置の例を示す模式断面図である。このパターン転写装置は、先に説明した圧縮気体加圧法による加圧圧縮を行う装置である。パターン転写装置によるパターンの転写は、第１転写工程および第２転写工程のいずれでも用いることができる。
【００５０】
ブランケットに版のパターンを転写する第１転写工程で用いるパターン転写装置では、例えば図１０（ａ）に示したように、ブランケットの外周部を、下部ステージ５１、Ｏリング５３Ａ，５３Ｂおよび固定フレーム５４Ａ，５４Ｂにより機械的に固定する。また、版３を上部ステージ５２により固定し、下部ステージ５１の中心付近に設けられた開口部５１０（真空排気口および圧縮気体導入口として機能する）から圧縮気体を噴射させてブランケット１を押し出すようにする。
【００５１】
なお、例えば図１０（ｂ）に示したように、ブランケット１の外周部を、下部ステージ５１Ａに設けられた開口部５１１Ａ，５１１Ｂにより、図中の符号Ｐ２，Ｐ３で示したように真空吸着させて固定するようにしてもよい。
【００５２】
また、例えば図１１に示したように、版３が下部ステージ５１上に固定されるものでもよい。この転写装置は、版３を下部ステージ５１上に固定するとともに、ブランケット１の外周部を固定フレーム５４Ｃ，５４Ｄにより固定する。さらに膨張可能であり柔軟性を有する伸縮性フィルム５５を、Ｏリング５３Ａ，５３Ｂ、固定フレーム５４Ａ，５４Ｂおよび上部ステージ５２Ａにより固定する。そして、上部ステージ５２Ａの中心付近に設けられた開口部５２０（真空排気口および圧縮気体導入口として機能する）から圧縮気体を噴射させて伸縮性フィルム５５およびブランケット１を押し出すようにしている。この場合、ブランケット１の外周部を機械的に固定するだけでよい。
【００５３】
なお、これらの場合において、ブランケット１と版３とを近接させる距離は１μｍ〜１ｍｍの距離とし、転写圧力は０．１ｋＰａ〜１００ｋＰａ程度として精密に制御する。これにより、ブランケット１上で、均一かつ低圧力で制御できるため、押しつぶれのないインクの転写が可能となる。なお、これら図１０および図１１においては、インクの図示は省略している。
【００５４】
［第２転写工程での適用例］
また、パターン転写装置によってブランケット１から基板４へのインクのパターンの転写、すなわち第２転写工程を行う場合には、上記第１転写工程で用いるパターン転写装置において、版３を基板４に置き換えるようにすればよい。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】基本的な転写パターン形成の手順を説明する模式断面図（その１）である。
【図２】基本的な転写パターン形成の手順を説明する模式断面図（その２）である。
【図３】孤立パターン部での反転オフセット印刷工程（第１転写工程）での問題点を説明する模式断面図である。
【図４】版の凹部のアスペクト比を説明する図である。
【図５】版の凹部のアスペクト比を大きくする場合の製造方法を説明する模式断面図である。
【図６】反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）を用いて版を製造する方法を説明する模式断面図である。
【図７】本実施形態に係る転写パターン形成用ブランケットの構造を説明する模式断面図である。
【図８】本実施形態のブランケットを用いた転写パターンの形成手順を説明する模式断面図（その１）である。
【図９】本実施形態のブランケットを用いた転写パターンの形成手順を説明する模式断面図（その２）である。
【図１０】パターン転写装置の例を示す模式断面図（その１）である。
【図１１】パターン転写装置の例を示す模式断面図（その２）である。
【符号の説明】
【００５６】
１…ブランケット、１１ａ…凸部、２…インク、３…版、４…基板、１１…硬質基材、１２…ＰＤＭＳ層、３１…凹部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
凸部が形成された硬質基材と、
前記硬質基材より軟らかい材質から成り、前記硬質基材と貼り合わされ、前記硬質基材の凸部の位置の厚さが他より薄く設けられた軟質基材と
を有する転写パターン形成用ブランケット。
【請求項２】
前記硬質基材の凸部の幅は、前記軟質基材の表面に塗布されるインクを形成するパターンに対応して残すための版の凹部の幅より広い
請求項１記載の転写パターン形成用ブランケット。
【請求項３】
前記凸部の位置に対応する前記軟質基材の厚さは、前記凸部に隣接する位置に対応する前記軟質基材の厚さの１／３〜１／４である
請求項１または２記載の転写パターン形成用ブランケット。
【請求項４】
前記硬質基材における前記凸部に隣接する平坦領域が前記凸部の端部から１ｍｍ以上設けられている
請求項１から３のうちいずれか１項に記載の転写パターン形成用ブランケット。
【請求項５】
前記軟質基材は、ＰＤＭＳ（ポリジメチルシロキサン）である
請求項１から４のうちいずれか１項に記載の転写パターン形成用ブランケット。
【請求項６】
凸部が形成された硬質基材と当該硬質基材より軟らかい軟質基材とが貼り合わされ、前記凸部の位置の前記軟質基材の厚さが他より薄く設けられたブランケットを用い、前記軟質基材の表面にインクを塗布する塗布工程と、
形成するパターンの位置に凹部が設けられた版を用い、当該版の凹部と前記ブランケットの凸部との位置を合わせるようにして当該版と前記ブランケットとを互いに向かい合わせ、これらを加圧接触させることにより、前記ブランケットのインクのうち前記版の凹部に対応する部分のみを前記ブランケット側に残して転写させる第１転写工程と、
前記第１転写工程後のブランケットと、パターンを形成する基板とを互いに向かい合わせるとともに、これらを加圧接触させることにより、前記ブランケット上に残っているインクを前記基板上に転写させる第２転写工程と
を有する転写パターン形成方法。
【請求項７】
インクが塗布されたブランケットを保持する第１のステージと、
前記ブランケットと対向して配置される版もしくは前記インクのパターンを転写される基板を保持する第２のステージと、
前記ブランケットを前記版の方向へ加圧する加圧手段とを備え、
前記ブランケットとして、
凸部が形成された硬質基材と、
前記硬質基材より軟らかい材質から成り、前記硬質基材と貼り合わされ、前記硬質基材の凸部の位置の厚さが他より薄く設けられた軟質基材とを有するものが用いられている
転写装置。
【請求項１】
凸部が形成された硬質基材と、
前記硬質基材より軟らかい材質から成り、前記硬質基材と貼り合わされ、前記硬質基材の凸部の位置の厚さが他より薄く設けられた軟質基材と
を有する転写パターン形成用ブランケット。
【請求項２】
前記硬質基材の凸部の幅は、前記軟質基材の表面に塗布されるインクを形成するパターンに対応して残すための版の凹部の幅より広い
請求項１記載の転写パターン形成用ブランケット。
【請求項３】
前記凸部の位置に対応する前記軟質基材の厚さは、前記凸部に隣接する位置に対応する前記軟質基材の厚さの１／３〜１／４である
請求項１または２記載の転写パターン形成用ブランケット。
【請求項４】
前記硬質基材における前記凸部に隣接する平坦領域が前記凸部の端部から１ｍｍ以上設けられている
請求項１から３のうちいずれか１項に記載の転写パターン形成用ブランケット。
【請求項５】
前記軟質基材は、ＰＤＭＳ（ポリジメチルシロキサン）である
請求項１から４のうちいずれか１項に記載の転写パターン形成用ブランケット。
【請求項６】
凸部が形成された硬質基材と当該硬質基材より軟らかい軟質基材とが貼り合わされ、前記凸部の位置の前記軟質基材の厚さが他より薄く設けられたブランケットを用い、前記軟質基材の表面にインクを塗布する塗布工程と、
形成するパターンの位置に凹部が設けられた版を用い、当該版の凹部と前記ブランケットの凸部との位置を合わせるようにして当該版と前記ブランケットとを互いに向かい合わせ、これらを加圧接触させることにより、前記ブランケットのインクのうち前記版の凹部に対応する部分のみを前記ブランケット側に残して転写させる第１転写工程と、
前記第１転写工程後のブランケットと、パターンを形成する基板とを互いに向かい合わせるとともに、これらを加圧接触させることにより、前記ブランケット上に残っているインクを前記基板上に転写させる第２転写工程と
を有する転写パターン形成方法。
【請求項７】
インクが塗布されたブランケットを保持する第１のステージと、
前記ブランケットと対向して配置される版もしくは前記インクのパターンを転写される基板を保持する第２のステージと、
前記ブランケットを前記版の方向へ加圧する加圧手段とを備え、
前記ブランケットとして、
凸部が形成された硬質基材と、
前記硬質基材より軟らかい材質から成り、前記硬質基材と貼り合わされ、前記硬質基材の凸部の位置の厚さが他より薄く設けられた軟質基材とを有するものが用いられている
転写装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１０−１４３１０３（Ｐ２０１０−１４３１０３Ａ）
【公開日】平成２２年７月１日（２０１０．７．１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−３２３３６５（Ｐ２００８−３２３３６５）
【出願日】平成２０年１２月１９日（２００８．１２．１９）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年７月１日（２０１０．７．１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年１２月１９日（２００８．１２．１９）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]