転写箔、転写物及びその製造方法
【課題】高分子液晶材料を含んだ転写材層を基材から物品上へと部分的に転写させる場合に、より小さな力で基材を剥離可能とするか又はバリや欠けなどの不良を生じ難くする。
【解決手段】本発明の転写箔１０は、基材と、これと向き合い且つ高分子液晶材料を含有した複屈折性層を備え、基材に剥離可能に支持された転写材層と、これを被覆した接着層とを具備し、転写材層は、可視像及び／又は潜像が記録されており、基材から被転写体へと転写される表示領域Ｒ１ａ，Ｒ１ｂと、表示領域Ｒ１ａ，Ｒ１ｂを縁取っており、表示領域Ｒ１ａ，Ｒ１ｂの転写の際にその輪郭に沿った破断を生じる縁取り領域Ｒ２とを含み、縁取り領域Ｒ２のうち、表示領域Ｒ１ａ，Ｒ１ｂを転写する際に破断の起点となる破断開始部において、高分子液晶材料のメソゲン基は表示領域Ｒ１ａ，Ｒ１ｂの剥離方向と交差する方向に配向していることを特徴とする。
【解決手段】本発明の転写箔１０は、基材と、これと向き合い且つ高分子液晶材料を含有した複屈折性層を備え、基材に剥離可能に支持された転写材層と、これを被覆した接着層とを具備し、転写材層は、可視像及び／又は潜像が記録されており、基材から被転写体へと転写される表示領域Ｒ１ａ，Ｒ１ｂと、表示領域Ｒ１ａ，Ｒ１ｂを縁取っており、表示領域Ｒ１ａ，Ｒ１ｂの転写の際にその輪郭に沿った破断を生じる縁取り領域Ｒ２とを含み、縁取り領域Ｒ２のうち、表示領域Ｒ１ａ，Ｒ１ｂを転写する際に破断の起点となる破断開始部において、高分子液晶材料のメソゲン基は表示領域Ｒ１ａ，Ｒ１ｂの剥離方向と交差する方向に配向していることを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、転写材層を基材から物品上へと転写する転写技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
キャッシュカード、クレジットカード及びパスポートなどの認証媒体並びに商品券及び株券などの有価証券媒体には、偽造が困難であることが望まれる。そのため、従来から、そのような媒体には、その偽造を抑止すべく、偽造が困難なラベルが貼り付けられている。
【０００３】
また、近年では、認証媒体及び有価証券媒体以外の物品についても、偽造品の流通が問題視されている。そのため、このような物品に、認証媒体及び有価証券媒体に関して上述した偽造防止技術を適用する機会が増えている。
【０００４】
偽造防止技術は、オバート技術とコバート技術とに分類することができる。
オバート技術は、一般のユーザが物品への適用を容易に認めることができ且つ容易に真偽判定をすることができる偽造防止技術である。代表的なオバート技術では、ホログラムなどの回折構造又はＯｐｔｉｃａｌｌｙ Ｖａｒｉａｂｌｅ Ｉｎｋ（ＯＶＩ）などの多層干渉膜を利用する。
【０００５】
コバート技術は、物品への適用が一般のユーザに分かり難く、物品へのコバート技術の適用を知っている特定のユーザのみが真偽判定できることを狙った偽造防止技術である。代表的なコバート技術では、蛍光印刷又は万線モアレを利用する。
【０００６】
特許文献１には、他のコバート技術が記載されている。このコバート技術では、反射層と配向膜と高分子液晶材料からなる複屈折性層とを含んだ表示体を使用する。複屈折性層は、遅相軸の方向が異なる２つの部分を含んでいる。これら２つの部分は、肉眼で互いから識別することは不可能又は困難であり、偏光フィルムを介して観察することにより互いから容易に区別できるようになる。即ち、これら２つの部分は、偏光フィルムを介して観察することにより可視化する潜像を形成している。
【０００７】
ところで、この表示体は、例えば、粘着ラベル又は転写箔の形態で利用する。表示体は、転写箔の形態で利用した場合、粘着ラベルの形態で利用した場合と比較してより薄くすることができる。表示体を薄くすると、物品に貼り付けられた表示体を剥離する際に、その破壊を容易に生じさせることができる。即ち、表示体の再使用を不可能とすることができる。従って、上記の表示体は、特に偽造防止の目的で利用する場合は、転写箔の形態とすることが多い。
【０００８】
しかしながら、高分子液晶材料は高強度である。そのため、転写箔の転写材層を基材から物品上へと部分的に転写させる場合、基材を物品から剥離する際に、転写材層が熱及び圧力印加部と非印加部との境界で容易に破断せず、基材の剥離に大きな力が必要となる。また、高分子液晶材料を含んだ転写材層は、基材から物品上へと転写させた場合に、バリや欠けなどの不良を生じ易い。
【特許文献１】特開平８−４３８０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、高分子液晶材料を含んだ転写材層を基材から物品上へと部分的に転写させる場合に、より小さな力で基材を剥離可能とするか又はバリや欠けなどの不良を生じ難くする技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の第１側面によると、基材と、前記基材と向き合い且つ高分子液晶材料を含有した複屈折性層を備え、前記基材に剥離可能に支持された転写材層と、前記転写材層を被覆した接着層とを具備し、前記転写材層は、可視像及び／又は潜像が記録されており、前記基材から被転写体へと転写される表示領域と、前記表示領域を縁取っており、前記表示領域の転写の際にその輪郭に沿った破断を生じる縁取り領域とを含み、前記縁取り領域のうち、前記表示領域を転写する際に破断の起点となる破断開始部において、前記高分子液晶材料のメソゲン基は前記表示領域の剥離方向と交差する方向に配向していることを特徴とする転写箔が提供される。
【００１１】
本発明の第２側面によると、基材と、前記基材と向き合い且つ高分子液晶材料を含有した複屈折性層を備え、前記基材に剥離可能に支持された転写材層と、前記転写材層を被覆した接着層とを具備し、前記転写材層は、可視像又は潜像が記録されている表示領域と、前記表示領域を縁取っている縁取り領域とを含み、前記縁取り領域内において前記高分子液晶材料のメソゲン基は前記表示領域の輪郭に沿って配向していることを特徴とする転写箔が提供される。
【００１２】
本発明の第３側面によると、被転写体としての物品と、第１側面に係る転写箔を用いた転写によって前記物品上に貼り付けられ、前記表示領域と前記縁取り領域の一部とを含んだ表示体とを具備したことを特徴とする転写物が提供される。
【００１３】
本発明の第４側面によると、表示体と、これを支持している物品とを具備し、前記表示体は、高分子液晶材料を含有した複屈折性層を備えると共に、可視像及び／又は潜像が記録されている表示領域と、前記表示領域を縁取っている縁取り領域とを含み、前記縁取り領域内において前記高分子液晶材料のメソゲン基は前記表示領域の輪郭に沿って配向していることを特徴とする転写物が提供される。
【００１４】
本発明の第５側面によると、転写箔を用いた転写によって転写物を製造する方法であって、前記転写箔は、基材と、前記基材と向き合い且つ高分子液晶材料を含有した複屈折性層を備え、前記基材に剥離可能に支持された転写材層と、前記転写材層を被覆した接着層とを具備し、前記転写材層は、可視像及び／又は潜像が記録されている表示領域と、前記表示領域を縁取っている縁取り領域とを含み、前記転写は、前記表示領域が前記接着層を間に挟んで前記被転写体と向き合うように前記転写箔と前記被転写体とを配置し、前記表示領域と前記縁取り領域のうち前記表示領域に隣接した部分とに前記基材側から熱及び圧力を印加してそれらを前記被転写体に接着させ、次いで、前記転写箔と前記被転写体とを互いから引き離すことにより前記縁取り領域において前記表示領域の輪郭に沿った破断を生じさせると共に前記表示領域を前記基材から剥離させることを含み、前記縁取り領域のうち前記破断の起点となる破断開始部及び／又は前記破断の終点となる破断終了部において、前記高分子液晶材料のメソゲン基の配向方向が前記表示領域の剥離方向と交差するように前記転写箔と前記被転写体とを互いから引き離すことを特徴とする転写物の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によると、高分子液晶材料を含んだ転写材層を基材から物品上へと部分的に転写させる場合に、より小さな力で基材を剥離すること又はバリや欠けなどの不良を生じ難くすることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、全ての図面を通じて同様又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１７】
図１は、本発明の一態様に係る転写箔を概略的に示す平面図である。図２は、図１に示す転写箔の一部を拡大して示す平面図である。図３は、図２に示す転写箔のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。図４は、図２に示す転写箔が含んでいる高分子液晶材料のメソゲン基の配向状態を概略的に示す平面図である。
【００１８】
なお、図４では、後述する反射層を省略している。また、図４において、矢印は、後述するメソゲン基の配向方向を示している。
【００１９】
図１乃至図４に示す転写箔１０は、長さ方向がＸ方向に平行であり、幅方向がＸ方向と直交するＹ方向に平行であり、厚さ方向がＸ方向及びＹ方向と直交するＺ方向に平行な帯形状を有している。ここでは、一例として、後述する剥離方向は、Ｘ方向に平行であるとしている。
【００２０】
この転写箔１０は、図３に示すように、基材１１０と転写材層１２０と接着層１３０とを含んでいる。
【００２１】
基材１１０は、例えば、樹脂からなるフィルム又はシートである。基材１１０は、単層構造を有していてもよく、多層構造を有していてもよい。基材１１０の材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、ポリエーテルサルフォン又はポリイミドを使用することができる。
【００２２】
基材１１０に多層構造を採用する場合、基材１１０は、転写材層１２０側の最表面層として、剥離抵抗の調節に利用可能な離型層を含んでいてもよい。離型層の材料としては、例えば、メラミン若しくはイソシアネートを硬化剤として用いた熱硬化性樹脂又はアクリレート若しくはエポキシ樹脂を含んだ紫外線又は電子線硬化樹脂に、離型剤としてフッ素系又はシリコン系のモノマー又はポリマーを添加してなるものを使用することができる。
【００２３】
基材１１０上には、転写材層１２０が形成されている。転写剤層１２０は、剥離保護層１２０１と複屈折性層１２０２と回折構造形成層１２０３と反射層１２０４とマスク層１２０５とを含んでいる。剥離保護層１２０１、回折構造形成層１２０３、反射層１２０４及びマスク層１２０５の各々は、省略することができる。
【００２４】
剥離保護層１２０１は、転写剤層１２０の基材１１０からの剥離を安定化すると共に、転写後に複屈折性層１２０２を保護する役割を果たす。剥離保護層１２０１の材料としては、例えば、アクリル樹脂、スチレン樹脂、硝化綿及び酢酸セルロースなどの熱可塑性樹脂、紫外線硬化型アクリル樹脂及び焼付け型メラミン樹脂などの硬化性樹脂を使用することができる。剥離保護層１２０１は、例えば、グラビアコータ、マイクログラビアコータ又はロールコータなどのコータを用いて基材１１０上に形成することができる。
【００２５】
剥離保護層１２０１には、例えば、ポリエチレンワックス及びステアリン酸亜鉛などの滑剤を添加してもよい。こうすると、剥離保護層１２０１の耐摩耗性が向上する。
【００２６】
複屈折性層１２０２は、高分子液晶材料を含有している。複屈折性層１２０２は、複屈折性を有している複数の領域を含んでいる。各領域は、例えば、位相差層としての役割を果たす。これら領域の一部と他の一部とは、屈折率異方性及び／又は遅相軸の向きが互いに異なっており、典型的には、肉眼で観察した場合には互いからの識別が不可能又は困難な潜像を形成している。
【００２７】
複屈折性層１２０２は、例えば、以下の方法により形成する。
まず、複屈折性層１２０１の下地として利用する層に、光配向処理又はラビング処理などの配向処理を施す。これにより、下地表面に、メソゲン基を異なる方向に配向させる複数の領域を形成する。
【００２８】
光配向処理は、複屈折性層１２０１の下地に、偏光を照射するか又は非偏光を斜めに照射して、下地内の分子の再配列又は異方的な化学反応を誘起する配向処理である。即ち、光配向処理によると、光学的手法によって下地に異方性が与えられ、メソゲン基の配向方向は、この異方性によって制御される。
【００２９】
光配向処理には、アゾベンゼン誘導体の光異性化反応、桂皮酸エステル、クマリン、カルコン及びベンゾフェノンなどの光二量化若しくは架橋反応、又はポリイミドなどの光分解反応を利用することができる。即ち、光配向処理を行う場合、典型的には、まず、これらの反応を生じる材料からなる配向膜を下地として形成する。この配向膜は、例えば、グラビアコーティング法及びマイクログラビアコーティング法などのコーティング法を用いて形成することができる。
【００３０】
次に、この配向膜に、フォトマスクを介して第１偏光を照射する第１露光を行い、次いで、他のフォトマスクを介して第１偏光とは偏光面が異なる第２偏光を照射する第２露光を行う。或いは、この配向膜に、フォトマスクを介して第１斜め方向から非偏光を照射する第１露光を行い、次いで、他のフォトマスクを介して第１斜め方向とは被照射面への正射影の向きが異なる第２斜め方向から非偏光を照射する第２露光を行う。こうすると、複屈折性層１２０１のうち、第１露光を行った部分に隣接した領域と、第２露光を行った部分に隣接した領域とで、メソゲン基を異なる方向に配向させることができる。
【００３１】
メソゲン基を異なる方向に配向させる複数の部分を形成する場合、又は、メソゲン基の配向方向を連続的に変化させる場合、旋光子を利用することができる。例えば、旋光子に直線偏光を入射させた場合、入射光の偏光面と旋光子が射出する直線偏光の偏光面とが為す角度は、旋光子の厚さに応じて変化する。例えば、水晶Ｚ板は、２１．７°／ｍｍの旋光能を有している。従って、例えば、厚さが異なる複数の部分を含んだ水晶Ｚ板を介して直線偏光を照射すると、メソゲン基を異なる方向に配向させる複数の部分を形成することができる。また、厚さが連続的に変化している部分を含んだ水晶Ｚ板を介して直線偏光を照射すると、メソゲン基の配向方向を連続的に変化させることができる。
【００３２】
ラビング処理は、下地である樹脂層の表面をラビング布で擦る配向処理である。ラビング処理を行うと、樹脂層の表面の性質が変化する。これにより、メソゲン基の配向方向は、ラビング方向とほぼ等しい方向に制御される。
【００３３】
ラビング処理を行う場合、まず、例えば、樹脂からなる配向膜を下地として形成する。この樹脂としては、例えば、ポリイミド又はポリビニルアルコールを使用することができる。また、この配向膜は、例えば、グラビアコーティング法及びマイクログラビアコーティング法などのコーティング法を用いて形成することができる。
【００３４】
次に、この配向膜の全面をラビング布で一方向に擦る。続いて、配向膜をマスクで覆い、これをラビング布で別の方向に擦る。これにより、複屈折性層１２０１のうち、マスクで覆った部分に隣接した領域と、マスクの開口に対応した領域とで、メソゲン基を異なる方向に配向させることができる。なお、マスクの開口の輪郭が曲線を含んでいる場合、この曲線に沿ってラビング処理を行えば、メソゲン基の配向方向を先の曲線に沿って連続的に変化させることができる。
【００３５】
配向膜は、光学的に等方性であってもよく、光学的に異方性であってもよい。後者の場合、配向膜を複屈折性層１２０１の一部として利用することができる。また、剥離保護層１２０１を省略する場合、基材１１０の最表面層を配向膜として利用することができる。
【００３６】
上述した配向処理を終えた後、配向膜上に、複屈折性層１２０２の材料として、例えば、メソゲン基の両端にアクリレートを有する光硬化型液晶モノマーを塗布する。複屈折性層１２０２の材料としては、電子線又は紫外線を照射することにより硬化するものを使用する。硬化後の材料は、主鎖にメソゲン基を含んだ主鎖型の高分子液晶材料であってもよく、側鎖にメソゲン基を含んだ側鎖型の高分子液晶材料であってもよい。
【００３７】
次いで、必要に応じ、これを、ネマチック相から等方性液体への相転移温度よりも僅かに低い温度で熱処理する。こうすると、メソゲン基の配向を促進することができる。
【００３８】
その後、塗膜を硬化させる。以上のようにして、複屈折性層１２０２を得る。
【００３９】
複屈折性層１２０２上には、回折構造形成層１２０３及び反射層１２０４がこの順に形成されている。回折構造形成層１２０３の一方の主面は、凸パターン又は凹パターンを含んでいる。回折構造形成層１２０３と反射層１２０４との界面であって凸パターン又は凹パターンに対応した領域は、回折構造としてホログラム又は回折格子を形成している。
【００４０】
ホログラムは、例えば、以下の方法により形成することができる。まず、光学的な撮影方法を利用して、微細な凸パターン又は凹パターンからなるレリーフ型のマスター版を作製する。次いで、電気メッキ法を利用して、マスター版から凹パターン又は凸パターンを複製したニッケル製のプレス版を作製する。その後、回折構造形成層１２０３に、プレス版を加熱しながら押し付ける。これにより、回折構造形成層１２０３に、凸パターン又は凹パターンを転写する。更に、回折構造形成層１２０３上に反射層１２０４を形成する。以上のようにして、ホログラムを形成することができる。
【００４１】
ホログラムは、他の方法で形成することも可能である。即ち、まず、平坦な回折構造形成層１２０３上に、反射層１２０４を形成する。次に、反射層１２０４に、プレス版を加熱しながら押し付ける。これにより、反射層１２０４及び回折構造形成層１２０３に、凸パターン又は凹パターンを転写する。以上のようにして、ホログラムを形成することができる。
なお、このタイプのホログラムは、レリーフ型ホログラムと呼ぶ。
【００４２】
回折格子は、光学的な撮影方法を利用しないこと以外はホログラムに関して説明したのと同様の方法により形成することができる。回折格子を形成する場合、各々が回折格子を含んだ複数の画素を配置することにより、グレーティングイメージ又はドットマトリクス（ピクセルグラム等）と呼ばれる画像を表示させてもよい。
【００４３】
回折構造形成層１２０３の材料としては、例えば、熱可塑性樹脂又は光若しくは熱硬化性樹脂を使用することができる。
【００４４】
回折構造形成層１２０３は、複屈折性層１２０２上に形成する代わりに、複屈折性層１２０２と剥離保護層１２０１との間に設置してもよい。この場合、典型的には、回折構造形成層１２０３と複屈折性層１２０２との間に、複屈折性層１２０２に平坦な下地を提供する平坦化層を設ける。平坦化層は、配向膜の下地であってもよく、配向膜自体であってもよい。
【００４５】
反射層１２０４は、例えば、金属層、合金層、又は高屈折率層である。金属層の材料としては、例えば、アルミニウム、錫、銀、クロム、ニッケル又は金を使用することができる。合金層の材料としては、例えば、ニッケル−クロム−鉄合金、青銅又はアルミ青銅を使用することができる。高屈折率層の材料としては、例えば、二酸化チタン、硫化亜鉛及び三酸化二鉄などの無機誘電体を使用することができる。反射層１２０４として、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層してなる誘電体多層膜を使用してもよい。
【００４６】
反射層１２０４は、例えば、蒸着、スパッタリング、又はイオンプレーティングにより形成することができる。反射層１２０４の厚さは、例えば、約１０ｎｍ乃至約１００ｎｍの範囲内とする。
【００４７】
反射層１２０４は、例えば、水洗シーライト加工、エッチング加工又はレーザ加工を利用することによりパターニングされた層として形成することができる。即ち、反射層１２０４は、回折構造形成層１２０３の全体を被覆していてもよく、或いは、回折構造形成層１２０３の一部のみを被覆していてもよい。
【００４８】
水洗シーライト加工を利用すると、以下の方法により、反射層１２０４をパターニングされた層として形成することができる。まず、反射層１２０４の成膜に先立って、例えば水洗インキを用いた印刷により、形成すべき反射層１２０４のネガパターンを回折構造形成層１２０３上に形成する。次に、回折構造形成層１２０３及びネガパターン上に、反射層１２０４の材料を堆積させる。その後、水洗インキを、その上に堆積させた材料と共に洗い流す。これにより、パターニングされた反射層１２０４を得る。
【００４９】
エッチング加工を利用すると、以下の方法により、反射層１２０４をパターニングされた層として形成することができる。まず、反射層１２０４を連続膜として成膜する。次に、反射層１２０４上に、例えばマスキング剤を用いた印刷により、形成すべき反射層１２０４のポジパターンを回折構造形成層１２０３上に形成する。次に、ポジパターンをマスクとして用いて、反射層１２０４をウェットエッチングする。これにより、パターニングされた反射層１２０４を得る。
【００５０】
また、レーザ加工を利用すると、以下の方法により、反射層１２０４をパターニングされた層として形成することができる。まず、反射層１２０４を連続膜として成膜する。次に、反射層１２０４にレーザビームを部分的に照射して、その照射部を除去する。レーザとしては、例えば、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ又はＣＯ2ガスレーザを使用することができる。
【００５１】
反射層１２０４の形成に伴う熱によって回折構造形成層１２０３などに劣化を生じる可能性がある場合は、回折構造形成層１２０３上に、これよりも耐熱性に優れた耐熱層を設け、この耐熱層上に反射層１２０４を形成してもよい。耐熱層は、例えば、マイクログラビア法及びダイレクトグラビア法などのウェットコーティング法を用いて形成することができる。
【００５２】
マスク層１２０５は、反射層１２０４のうち、回折構造形成層１２０３の凸パターン又は凹パターンに対応した部分を被覆している。マスク層１２０５は、例えば、連続膜をエッチングすることにより反射層１２０４を形成する場合、エッチングマスクとしての役割を果たす。或いは、マスク層１２０５は、凸パターン又は凹パターンの複製を困難とする役割を果たす。マスク層１２０５の材料としては、例えば、樹脂を使用することができる。なお、マスク層１２０５の材料として熱可塑性樹脂を使用した場合、マスク層１２０５を接着層１３０の一部として利用することができる。
【００５３】
転写材層１２０は、他の層を更に含むことができる。例えば、転写材層１２０は、偏光層を更に含むことができる。偏光層としては、例えば、一方向に配向させた二色性染料を含み、直線偏光子としての役割を果たす層、又は、コレステリック液晶層を含み、選択反射性を示す層を使用することができる。
【００５４】
転写材層１２０は、図２及び図３に示すように、領域Ｒ１ａ、Ｒ１ｂ、Ｒ２及びＲ３を含んでいる。なお、図２において、破線Ｂ１ａ１ｂは、領域Ｒ１ａと領域Ｒ１ｂとの境界を示している。破線Ｂ１ｂ２は、領域Ｒ１ｂと領域Ｒ２との境界を示している。破線Ｂ２３は、領域Ｒ２と領域Ｒ３との境界を示している。
【００５５】
領域Ｒ１ａと領域Ｒ１ｂとは、表示領域を構成している。領域Ｒ２は、表示領域を縁取っている縁取り領域である。領域Ｒ３は、領域Ｒ２を間に挟んで表示領域と隣接した周辺領域である。この転写箔１０では、図２に示す構造は、図１に示すようにＸ方向に配列している。
【００５６】
領域Ｒ１ａと領域Ｒ１ｂとでは、メソゲン基が異なる方向に配向し且つ複屈折性層１２０２の厚さが等しいか、メソゲン基が同じ方向に配向し且つ複屈折性層１２０２の厚さが異なっているか、又はメソゲン基が異なる方向に配向し且つ複屈折性層１２０２の厚さが異なっている。領域Ｒ２では、メソゲン基はＸ方向と交差する方向に配向している。領域Ｒ３では、メソゲン基は配向していないか、又は、任意の方向に配向している。
【００５７】
図４には、一例として、領域Ｒ１ａ及びＲ１ｂは複屈折性層１２０２の厚さが等しく、領域Ｒ１ａにおいてメソゲン基がＸ方向に対して平行に配向し、領域Ｒ１ｂにおいてメソゲン基がＸ方向に対して４５°の角度を為すように配向し、領域Ｒ２においてメソゲン基がＸ方向に対して垂直に配向し、領域Ｒ３においてメソゲン基がＸ方向に対して斜めに配向している構造を示している。
【００５８】
転写材層１２０上には、図３に示す接着層１３０が形成されている。接着層１３０は、例えば、熱を印加したときに粘着性を発現する感熱接着剤を含んでいる。感熱接着剤としては、例えば、アクリル樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、エポキシ樹脂及びエチレン−ビニルアルコール共重合体などの熱可塑性樹脂を使用することができる。接着層１３０は、例えば、上述した樹脂を、グラビアコータ、マイクログラビアコータ及びロールコータなどのコータを用いて転写材層１２０上に塗布することにより得られる。
【００５９】
接着層１３０は、着色剤を更に含有していてもよい。反射層１２０４が光透過性を有している場合、又は、反射層１２０４がパターニングされている場合、可視化した潜像又は回折構造が表示する像の視認性が向上することがある。
【００６０】
図５は、図１に示す転写箔を用いて製造することが可能な転写物の一例を概略的に示す平面図である。
【００６１】
この転写物２０は、表示体２１０と、被転写体としての物品２２０とを含んでいる。図５に示す例では、転写物２０は、ＩＤ（identification）カード、磁気カード及び無線カードなどのカードである。
【００６２】
表示体２１０は、図２乃至図４を参照しながら説明した領域Ｒ１ａ及びＲ１ｂからなる表示領域と、縁取り領域Ｒ２のうち領域Ｒ１ｂに隣接した部分とを含んでいる。表示体２１０は、図３に示す接着層１３０の一部を介して、物品２２０に貼り付けられている。
【００６３】
物品２２０は、この例では、プラスチック基材を含んでいる。この物品２２０は、典型的には、プラスチック基材上に設けられた印刷層を更に含んでいる。
【００６４】
転写物２０は、例えば、キャッシュカード、クレジットカード及びパスポートなどの認証媒体であってもよく、商品券及び株券などの有価証券媒体であってもよい。或いは、転写物２０は、美術品、工芸品、タグ、包装材料、玩具又は学習教材であってもよい。
【００６５】
物品２２０は、プラスチック基材の代わりに、紙、ガラス及び金属などの他の基材を含んでいてもよい。物品２２０は、典型的には層形状を有しているが、他の形状を有していてもよい。
【００６６】
物品２２０は、転写材層１２０について説明した層のうち、複屈折性層１２０２以外の層を含んでいてもよい。即ち、転写材層１２０に反射層１２０４や偏光層などを設ける代わりに、物品２２０に反射層１２０４や偏光層などを設けてもよい。
【００６７】
次に、肉眼で観察した場合に表示体２１０が表示する像について説明する。
領域Ｒ１ａ及びＲ１ｂは、複屈折性を有している。複屈折は、光学的異方性を有している媒質に光を入射させた場合に電場ベクトルの振動面が互いに垂直な２つの屈折光、例えば異常光線及び常光線が現われる現象である。
【００６８】
複屈折性を示す媒質の異常光線に関する屈折率ｎeと常光線に関する屈折率ｎoとの差Δｎ＝ｎe−ｎoは屈折率異方性と呼ばれている。また、屈折率異方性Δｎと、光が通過する媒質の距離ｄとの積δ＝Δｎｄは、リターデイションと呼ばれている。
【００６９】
領域Ｒ１ａ及びＲ１ｂは、屈折率異方性Δｎが互いに等しく、距離ｄも互いに等しい。即ち、領域Ｒ１ａ及びＲ１ｂは、リターデイションδが互いに等しい。そして、領域Ｒ１ａ及びＲ１ｂは、図４に示すように、メソゲン基の配向方向が４５°異なっている。即ち、領域Ｒ１ａ及びＲ１ｂは、それらが射出する異常光線又は常光線の電場ベクトルの振動面が４５°異なっている。
【００７０】
領域Ｒ１ａ及びＲ１ｂを肉眼で観察した場合、観察者は、領域Ｒ１ａ及びＲ１ｂの各々が射出する異常光線及び常光線の双方を知覚する。観察者は、電場ベクトルの振動面の相違を判別することはできない。それゆえ、表示体２１０を肉眼で観察した場合、反射層１２０４の位置では、領域Ｒ１ａ及びＲ１ｂを互いから識別することは不可能又は困難である。
【００７１】
なお、反射層１２０４の前面には、回折構造形成層１２０３の凸パターン又は凹パターンに対応した凹パターン又は凸パターンが設けられており、この凹パターン又は凸パターンは、回折構造としてホログラム又は回折格子を形成している。従って、表示体２１０を肉眼で観察した場合、その反射層１２０４に対応した領域は、可視像として回折像を表示する。
【００７２】
次に、偏光子を介して観察した場合に表示体２１０が表示する像について説明する。
図６は、図５に示す転写物に偏光子を重ねた場合に表示体が表示する像の一例を概略的に示す平面図である。
【００７３】
図６では、一例として、偏光子３０として直線偏光板を使用し、この偏光子３０を、その透過軸がＸ方向と平行となるように表示体２１０に重ねている。ここでは、領域Ｒ１ａ及びＲ１ｂの各々のリターデイションδは、ここで着目する光の波長λの１／４であるとする。
【００７４】
図６に示すように偏光子３０を表示体２１０に重ねると、表示体２１０には、電場ベクトルの振動面がＸ方向に平行な直線偏光が入射する。
【００７５】
領域Ｒ１ａに入射した直線偏光は、電場ベクトルの振動面を回転させることなしに、図３に示す複屈折性層１２０２を透過し、反射層１２０４によって反射され、複屈折性層１２０２を再び透過する。それゆえ、領域Ｒ１ａが射出する光は、領域Ｒ１ａに入射した直線偏光と電場ベクトルの振動面が等しい直線偏光である。この直線偏光は、理想的には、吸収されることなしに偏光子３０を透過する。従って、図６に示すように偏光子３０を重ねて観察した場合、領域Ｒ１ａは明るく見える。
【００７６】
他方、領域Ｒ１ｂに入射した直線偏光は、図３に示す複屈折性層１２０２を透過することにより右円偏光へと変換され、反射層１２０４によって反射されて左円偏光へと変換され、複屈折性層１２０２を再び透過することにより直線偏光へと変換される。この直線偏光と、領域Ｒ１ｂに入射した直線偏光とは、電場ベクトルの振動面が垂直である。それゆえ、この直線偏光は、理想的には、偏光子３０を透過することなしに吸収され。従って、図６に示すように偏光子３０を重ねて観察した場合、領域Ｒ１ａは暗く見える。
【００７７】
このように、表示体２１０の反射層１２０４に対応した領域を肉眼で観察した場合、領域Ｒ１ａ及びＲ１ｂは、互いからの識別が不可能又は困難である。そして、表示体２１０に偏光子３０を重ねると、領域Ｒ１ａ及びＲ１ｂを互いから容易に識別することが可能となる。
【００７８】
次に、物品２２０への表示体２１０の転写について説明する。
図７は、転写方法の一例を概略的に示す側面図である。図８は、図７に示す構造の上面図である。図７及び図８において、矢印ＡＲ１は転写箔１０の送り方向を示し、矢印ＡＲ２は物品２２０の搬送方向を示している。
【００７９】
転写箔から物品に表示体を転写する場合、例えば、アップダウン式熱転写、ロール式熱転写又は真空プレス転写を行う。図７及び図８には、一例として、アップダウン式熱転写機を用いた転写方法を示している。
【００８０】
アップダウン式熱転写機を用いた転写プロセスでは、例えば、巻き出しロールに巻かれている転写箔１０を巻き出し、これを、図３に示す接着層１３０がテーブル４１０と向き合うようにその正面へと案内する。テーブル４１０の正面へと案内した転写箔１０は、その表示領域、即ち、図２乃至図４に示す領域Ｒ１ａ及びＲ１ｂからなる領域が、テーブル４１０の上方に昇降可能に設置されたホットスタンプ４２０と向き合うように位置合わせする。
【００８１】
テーブル４１０上に、物品２２０を搬送する。物品２２０の搬送方向は、例えば、図７に示すようにテーブル４１０の正面における転写箔１０の送り方向と一致させるか、又は、テーブル４１０の正面における転写箔１０の送り方向と略直交させる。物品２２０は、表示体２１０が転写される部分がホットスタンプ４２０と向き合うように位置合わせする。
【００８２】
次に、ホットスタンプ４２０を下降させ、転写箔１０を物品２２０に押し当てると共に、転写箔１０を加熱する。転写箔１０を加熱すると、その加熱部で、図３に示す接着層１３０は粘着性を発現する。その結果、転写材層１２０は、接着層１３０を介して物品２２０に接着する。なお、ホットスタンプ４２０のテーブル４１０との対向面は、これを転写箔１０に押し当てたときに、輪郭が図２に示す境界Ｂ１ｂ２と境界Ｂ２３との間に位置するように設計されている。
【００８３】
その後、ホットスタンプ４２０を上昇させ、次いで、転写箔１０、特には基材１１０を物品２２０から剥離する。この剥離は、例えば、物品２２０を静止させたまま、転写箔１０を巻き取ることにより行う。こうすると、図３に示す転写材層１２０は、まず、図８に示すホットスタンプ４２０によって加熱された部分の輪郭と破線Ｌ１との接点から破断を開始する。転写材層１２０の破断は、転写箔１０を巻き取りが進行するのに伴い、加熱部の輪郭に沿って進行する。そして、転写材層１２０の破断は、加熱部の輪郭と破線Ｌ３との接点で終了する。
【００８４】
なお、縁取り領域Ｒ２のうち、上述した破断の起点となる部分は破断開始部であり、上述した破断の終点となる部分は破断終了部である。また、この例では、剥離方向は、転写箔１０の長さ方向である。
【００８５】
転写材層１２０の破断が終了すると、転写材層１２０の加熱部を物品２２０上に残したまま、転写箔１０は物品２２０から剥がれる。これにより、１回の転写動作が終了し、図５に示す転写物２０が得られる。
【００８６】
その後、転写物２０をテーブル４１０上から搬送する。そして、上述した動作を繰り返すことにより、複数の転写物２０を製造する。
【００８７】
この方法によると、より小さな力で基材１１０を剥離可能とすることと、バリや欠けなどの不良を生じ難くすることとが可能である。これについて、以下に説明する。
【００８８】
図８に示す破線Ｌ１の位置は、剥離開始位置である。剥離開始位置では、転写材層１２０を破断させるのに必要な力である破断抵抗ＲSと、転写材層１２０を基材１２０から剥離させるのに必要な力である剥離抵抗ＲRと、転写材層１２０と物品２２０との接着力ＦAとが作用する。破断抵抗ＲSと剥離抵抗ＲRとの和が接着力ＦAを上回ると、図５に示す表示体２１０に欠けを生じ易くなる。
【００８９】
図８に示す破線Ｌ２の位置は、剥離中間位置である。接着力ＦAが剥離抵抗ＲRを上回っていれば、欠けなどを生じることなく、剥離は安定に進行する。
【００９０】
図８に示す破線Ｌ３の位置は、剥離終了位置である。剥離終了位置では、破断抵抗ＲSが剥離抵抗ＲRよりも大きいと、図５に示す表示体２１０にバリを生じ易くなる。
【００９１】
高分子液晶材料からなる層は、メソゲン基の短軸に沿った方向に破断させる場合の破断抵抗ＲCが、メソゲン基の長軸に沿った方向に破断させる場合の破断抵抗ＲPと比較してより小さい。これは、メソゲン基の絡み合いなどに由来する力が、メソゲン基の長軸に沿った方向と比較して、メソゲン基の短軸に沿った方向においてより小さいためであると考えられる。
【００９２】
剥離開始位置及び剥離終了位置に関して上述した破断抵抗Ｒsは、破断抵抗ＲC及びＲPを用いると、以下の等式で表すことができる。なお、下記等式において、θは、剥離方向に対して垂直な方向とメソゲン基の配向方向とが為す角度を示している。
【００９３】
ＲS＝ＲPｓｉｎθ＋ＲCｃｏｓθ
この等式から明らかなように、角度θを小さくすると、破断抵抗ＲSを小さくすることができる。そして、角度θを９０°とすると破断抵抗ＲSは最大となり、角度θを０°とすると破断抵抗ＲSは最小となる。
【００９４】
上述した方法では、縁取り領域Ｒ２において破断を生じさせ、その破断開始部及び破断終了部の双方において、高分子液晶材料のメソゲン基を剥離方向と交差する方向に配向させている。それゆえ、この場合、破断抵抗ＲSは、高分子液晶材料のメソゲン基を剥離方向に対して平行に配向させた場合と比較してより小さい。
【００９５】
従って、剥離開始位置において破断抵抗ＲSと剥離抵抗ＲRとの和が接着力ＦAを上回るのを抑制できると共に、剥離終了位置において破断抵抗ＲSが剥離抵抗ＲRよりも大きくなるのを抑制できる。それゆえ、図５に示す表示体２１０に欠けやバリが生じるのを抑制することが可能となる。
【００９６】
また、この方法では、破断抵抗ＲSが比較的小さい。それゆえ、この方法によると、より小さな力で基材１１０を剥離することができる。従って、転写箔１０の破断、転写物２０の搬送不良、転写箔１０の蛇行によって生じる位置ずれなどの発生を抑制することができる。
【００９７】
破断開始部及び破断終了部の各々において、角度θは、９０°未満であれば上述した効果を得ることができるが、通常は０°乃至４５°の範囲内とする。そして、縁取り領域Ｒ２の破断開始部及び破断終了部の各々において、典型的には、メソゲン基の配向方向を剥離方向に対して直交させる。こうすると、破断抵抗ＲSを最小とすることができる。
【００９８】
上述した技術には、様々な変形が可能である。
例えば、破断開始部及び破断終了部の双方において、高分子液晶材料のメソゲン基を剥離方向と交差する方向に配向させる代わりに、破断開始部及び破断終了部の一方のみにおいて、高分子液晶材料のメソゲン基を剥離方向と交差する方向に配向させてもよい。
【００９９】
また、アップダウン式熱転写の代わりに、ロール式熱転写及び真空プレス転写などの他の転写を行ってもよい。
【０１００】
物品２２０を静止させたまま転写箔１０を巻き取ることによって基材１１０を物品２２０から剥離する代わりに、転写箔を静止させたまま転写物２０を搬送することによって基材１１０を物品２２０から剥離してもよい。この場合、物品２２０の搬送方向は、図７に示すようにテーブル４１０の正面における転写箔１０の送り方向と一致させてもよく、テーブル４１０の正面における転写箔１０の送り方向と略直交させてもよい。なお、後者の場合、剥離方向は、転写箔１０の幅方向に対してほぼ平行である。従って、この場合、破断開始部及び破断終了部の各々におけるメソゲン基の配向方向を変更する必要がある。
【０１０１】
転写箔１０には、図９に示す構造を採用してもよい。
図９は、図１に示す転写箔の一変形例を概略的に示す平面図である。
この転写箔１０は、縁取り領域Ｒ２において、高分子液晶材料のメソゲン基が表示領域の輪郭、即ち領域Ｒ１ｂの外周に沿って配向していること以外は、図１乃至図４を参照しながら説明した転写箔１０と同様である。
【０１０２】
上述した技術では、転写箔１０は、特定の剥離方向を想定して設計する。そして、転写プロセスは、この設計に従って行う。即ち、特定の剥離方向を想定して設計した転写箔１０を用いていながらも、その方向とは異なる方向に剥離を行うことはない。しかしながら、同じ転写物２０を異なる転写機を用いて製造する場合、或る転写機と他の転写機とで転写方向が異なることがある。
【０１０３】
図９に示す転写箔１０を使用した場合、剥離方向が如何様であっても、破断開始部及び破断終了部の双方において、メソゲン基の配向方向は剥離方向と交差する。従って、剥離方向に依存することなしに、上述した効果を得ることができる。
【０１０４】
また、表示領域の形状や転写箔１０における表示領域の方位には、様々な変形が可能である。
図１０乃至図１８は、図１に示す転写箔の他の変形例を概略的に示す平面図である。なお、図１０乃至図１８において、反射層１２０４は省略している。また、図１０乃至図１８では、表示領域を参照符号Ｒ１で示している。
【０１０５】
図１０及び図１１に示す転写箔１０では、表示領域１０は平行四辺形である。図１２乃至図１５に示す転写箔１０では、表示領域１０はハート形である。図１６乃至図１８に示す転写箔１０では、表示領域１０は、環とその中心を通る直線とを組み合わせた形状を有している。
【０１０６】
図１０乃至図１８に示す転写箔１０を用いた転写プロセスにおいて、これら転写箔１０を紙面の上方から下方へと剥離する場合、縁取り領域Ｒ２のうち、一点鎖線ＬSで囲んだ部分は破断開始部に相当し、一点鎖線ＬEで囲んだ部分は破断終了部に相当する。
【０１０７】
破断開始部ＬSにおいて、メソゲン基を、剥離方向と交差する方向、ここではＸ方向と交差する方向に配向させると、表示体に欠けが生じるのを抑制できる。また、破断終了部ＬEにおいて、メソゲン基を、剥離方向と交差する方向に配向させると、表示体にバリが生じるのを抑制できる。なお、図１１及び図１２に示すように、剥離終了部ＬSにおいて、表示領域Ｒ１の輪郭が剥離方向に沿って先細りしている場合、メソゲン基を、剥離方向に対して平行に交差させても、表示体にバリが生じるのを抑制できることがある。
【０１０８】
図１１、図１３、図１４、図１７及び図１８に示す転写箔を用いた転写プロセスでは、これら転写箔１０を紙面の上方から下方へと剥離する場合、縁取り領域Ｒ２のうち、一点鎖線ＬS’で囲んだ部分は、表示体に欠けを生じ易い。従って、これら部分ＬS’では、メソゲン基を、剥離方向と交差する方向に配向させてもよい。
【０１０９】
また、図１４乃至図１８に示す転写箔を用いた転写プロセスでは、これら転写箔１０を紙面の上方から下方へと剥離する場合、縁取り領域Ｒ２のうち、一点鎖線ＬE’で囲んだ部分は、表示体にバリを生じ易い。従って、これら部分ＬE’では、メソゲン基を、剥離方向と交差する方向に配向させてもよい。
【実施例】
【０１１０】
以下、本発明の実施例について説明する。
（実施例）
図１乃至図３を参照しながら説明した転写箔１０を製造した。ここでは、メソゲン基は、図９を参照しながら説明したように配向させた。
【０１１１】
具体的には、まず、帯形状を有している厚さが１６μｍのＰＥＴフィルム１１０上に、マイクログラビアコーティング法を用いて、大日本インキ化学工業社製の光配向剤ＩＡ−０１を０．１μｍの厚さに塗布した。
【０１１２】
次に、厚さが連続的に変化している部分を含んだ水晶Ｚ板に波長が３６５ｎｍの直線偏光を入射させ、その透過光を先の塗膜の全面に１Ｊ／ｃｍ2の照度で照射した。この光照射は、先の塗膜のうち、領域Ｒ２に対応した部分において、電場ベクトルの振動面が領域Ｒ２の内周に対して平行になるように行った。
【０１１３】
次いで、先の塗膜に、フォトマスクを介して、波長が３６５ｎｍの直線偏光を１Ｊ／ｃｍ2の照度で照射した。この光照射は、先の塗膜のうち、領域Ｒ２に対応した部分が遮光されるように行った。また、直線偏光は、その電場ベクトルの振動面がフィルム１１０の長さ方向に対して４５°の角度を為すように照射した。
【０１１４】
続いて、先の塗膜に、フォトマスクを介して、波長が３６５ｎｍの直線偏光を１Ｊ／ｃｍ2の照度で照射した。この光照射は、先の塗膜のうち、領域Ｒ１ｂ、Ｒ２及びＲ３に対応した部分が遮光されるように行った。また、直線偏光は、その電場ベクトルの振動面がフィルム１１０の長さ方向に対して平行となるように照射した。
以上のようにして、配向膜を兼ねた剥離保護層１２０１を得た。
【０１１５】
次に、剥離保護層１２０１上に、マイクログラビアコーティング法を用いて、大日本インキ化学工業社製のＵＶキュアラブル液晶ＵＣＬ−００８を０．８μｍの厚さに塗布した。この塗膜に熱風を１分間当ててメソゲン基の配向を促進した後、窒素ガス雰囲気下で塗膜に波長が３６５ｎｍの紫外線を０．５ｍＪ／ｃｍ2の照度で照射して、塗膜を硬化させた。これにより、複屈折性層１２０２を得た。この複屈折性層１２０２では、メソゲン基は、図９に示すように配向していた。
【０１１６】
次に、複屈折性層１２０２上に、マイクログラビアコーティング法を用いて、アクリルポリオールとイソシアネートとを用いて得られる熱可塑性樹脂層を形成した。続いて、熱を加えながら型押しして、この樹脂層の表面に回折構造に対応した凸パターンを形成した。凸パターンは、後で反射層１２０４を形成する部分にのみ設けた。これにより、回折構造形成層１２０３を得た。
【０１１７】
次いで、回折構造形成層１２０３上に、蒸着法を用いて、厚さが５０ｎｍのアルミニウム層を形成した。このアルミニウム層上に、グラビア印刷法を用いて、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体からなる厚さが１μｍのマスク層１２０５を形成した。マスク層１２０５は、回折構造形成層１２０３の表面のうち凸パターンが形成された部分のみを被覆するように形成した。続いて、アルミニウム層を、５０℃に設定した１．５質量％の水酸化ナトリウム水溶液を用いた１０秒間のウェットエッチングに供し、その露出部を除去した。これにより、反射層１２０４を得た。
【０１１８】
更に、回折構造形成層１２０３及びマスク層１２０５上に、コーティング法を用いて、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体からなる接着層１３０を形成した。接着層１３０は、回折構造形成層１２０３のうちマスク層１２０５によって被覆されていない部分の位置で厚さが２μｍとなるように形成した。
【０１１９】
以上のようにして、転写箔１０を完成した。以下、この転写箔１０を「転写箔Ａ」と呼ぶ。
【０１２０】
（比較例）
本例では、転写箔Ａについて説明したのと同様に、まず、帯形状を有している厚さが１６μｍのＰＥＴフィルム１１０上に、マイクログラビアコーティング法を用いて、大日本インキ化学工業社製の光配向剤ＩＡ−０１を０．１μｍの厚さに塗布した。
【０１２１】
次に、厚さが連続的に変化している部分を含んだ水晶Ｚ板に波長が３６５ｎｍの直線偏光を入射させ、その透過光を先の塗膜の全面に１Ｊ／ｃｍ2の照度で照射した。本例では、この光照射は、先の塗膜のうち、領域Ｒ２に対応した部分において、電場ベクトルの振動面が領域Ｒ２の内周に対して垂直になるように行った。
【０１２２】
次いで、先の塗膜に、フォトマスクを介して、波長が３６５ｎｍの直線偏光を１Ｊ／ｃｍ2の照度で照射した。この光照射は、転写箔Ａについて説明したのと同様に行った。すなわち、この光照射は、先の塗膜のうち、領域Ｒ２に対応した部分が遮光されるように行った。また、直線偏光は、その電場ベクトルの振動面がフィルム１１０の長さ方向に対して４５°の角度を為すように照射した。
【０１２３】
続いて、先の塗膜に、フォトマスクを介して、波長が３６５ｎｍの直線偏光を１Ｊ／ｃｍ2の照度で照射した。この光照射は、転写箔Ａについて説明したのと同様に行った。即ち、この光照射は、先の塗膜のうち、領域Ｒ１ｂ、Ｒ２及びＲ３に対応した部分が遮光されるように行った。また、直線偏光は、その電場ベクトルの振動面がフィルム１１０の長さ方向に対して平行となるように照射した。
以上のようにして剥離保護層１２０１を形成したこと以外は、転写箔Ａについて説明したのと同様の方法により転写箔１０を製造した。以下、この転写箔１０を「転写箔Ｂ」と呼ぶ。
【０１２４】
次に、転写箔Ａ及びＢの各々を用いて、図７及び図８を参照しながら説明した転写プロセスを実施した。ここでは、被転写体２２０として紙を使用した。また、ここでは、ギーツ社製の転写機を使用し、剥離は、被転写体２２０を静止させたまま、転写箔１０を巻き取ることにより行った。
【０１２５】
転写箔Ａを用いた転写プロセスでは、比較的小さな力で基材１３０を剥離することができ、転写箔１０の蛇行に起因した位置ずれを生じることはなかった。他方、
転写箔Ｂを用いた転写プロセスでは、基材１３０の剥離に比較的大きな力が必要であり、転写箔１０の蛇行に起因した位置ずれを生じた。
【０１２６】
また、転写箔Ａ及びＢを用いて得られた転写物の各々を観察したところ、転写箔Ａを用いて得られた転写物では、表示体に欠け及びバリは発生していなかった。他方、転写箔Ｂを用いて得られた転写物では、表示体に欠け及びバリが発生していた。
【図面の簡単な説明】
【０１２７】
【図１】本発明の一態様に係る転写箔を概略的に示す平面図。
【図２】図１に示す転写箔の一部を拡大して示す平面図。
【図３】図２に示す転写箔のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図。
【図４】図２に示す転写箔が含んでいる高分子液晶材料のメソゲン基の配向状態を概略的に示す平面図。
【図５】図１に示す転写箔を用いて製造することが可能な転写物の一例を概略的に示す平面図。
【図６】図５に示す転写物に偏光子を重ねた場合に表示体が表示する像の一例を概略的に示す平面図。
【図７】転写方法の一例を概略的に示す側面図。
【図８】図７に示す構造の上面図。
【図９】図１に示す転写箔の一変形例を概略的に示す平面図。
【図１０】図１に示す転写箔の他の変形例を概略的に示す平面図。
【図１１】図１に示す転写箔の他の変形例を概略的に示す平面図。
【図１２】図１に示す転写箔の他の変形例を概略的に示す平面図。
【図１３】図１に示す転写箔の他の変形例を概略的に示す平面図。
【図１４】図１に示す転写箔の他の変形例を概略的に示す平面図。
【図１５】図１に示す転写箔の他の変形例を概略的に示す平面図。
【図１６】図１に示す転写箔の他の変形例を概略的に示す平面図。
【図１７】図１に示す転写箔の他の変形例を概略的に示す平面図。
【図１８】図１に示す転写箔の他の変形例を概略的に示す平面図。
【符号の説明】
【０１２８】
１０…転写箔、２０…転写物、３０…偏光子、１１０…基材、１２０…転写材層、１３０…接着層、２１０…表示体、２２０…被転写体、１２０１…剥離保護層、１２０２…複屈折性層、１２０３…回折構造形成層、１２０４…反射層、１２０５…マスク層、Ｂ１ａ１ｂ…境界、Ｂ１ｂ２…境界、Ｂ２３…境界、Ｒ１…表示領域、Ｒ１ａ…領域、Ｒ１ｂ…領域、Ｒ２…縁取り領域、Ｒ３…周辺領域。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、転写材層を基材から物品上へと転写する転写技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
キャッシュカード、クレジットカード及びパスポートなどの認証媒体並びに商品券及び株券などの有価証券媒体には、偽造が困難であることが望まれる。そのため、従来から、そのような媒体には、その偽造を抑止すべく、偽造が困難なラベルが貼り付けられている。
【０００３】
また、近年では、認証媒体及び有価証券媒体以外の物品についても、偽造品の流通が問題視されている。そのため、このような物品に、認証媒体及び有価証券媒体に関して上述した偽造防止技術を適用する機会が増えている。
【０００４】
偽造防止技術は、オバート技術とコバート技術とに分類することができる。
オバート技術は、一般のユーザが物品への適用を容易に認めることができ且つ容易に真偽判定をすることができる偽造防止技術である。代表的なオバート技術では、ホログラムなどの回折構造又はＯｐｔｉｃａｌｌｙ Ｖａｒｉａｂｌｅ Ｉｎｋ（ＯＶＩ）などの多層干渉膜を利用する。
【０００５】
コバート技術は、物品への適用が一般のユーザに分かり難く、物品へのコバート技術の適用を知っている特定のユーザのみが真偽判定できることを狙った偽造防止技術である。代表的なコバート技術では、蛍光印刷又は万線モアレを利用する。
【０００６】
特許文献１には、他のコバート技術が記載されている。このコバート技術では、反射層と配向膜と高分子液晶材料からなる複屈折性層とを含んだ表示体を使用する。複屈折性層は、遅相軸の方向が異なる２つの部分を含んでいる。これら２つの部分は、肉眼で互いから識別することは不可能又は困難であり、偏光フィルムを介して観察することにより互いから容易に区別できるようになる。即ち、これら２つの部分は、偏光フィルムを介して観察することにより可視化する潜像を形成している。
【０００７】
ところで、この表示体は、例えば、粘着ラベル又は転写箔の形態で利用する。表示体は、転写箔の形態で利用した場合、粘着ラベルの形態で利用した場合と比較してより薄くすることができる。表示体を薄くすると、物品に貼り付けられた表示体を剥離する際に、その破壊を容易に生じさせることができる。即ち、表示体の再使用を不可能とすることができる。従って、上記の表示体は、特に偽造防止の目的で利用する場合は、転写箔の形態とすることが多い。
【０００８】
しかしながら、高分子液晶材料は高強度である。そのため、転写箔の転写材層を基材から物品上へと部分的に転写させる場合、基材を物品から剥離する際に、転写材層が熱及び圧力印加部と非印加部との境界で容易に破断せず、基材の剥離に大きな力が必要となる。また、高分子液晶材料を含んだ転写材層は、基材から物品上へと転写させた場合に、バリや欠けなどの不良を生じ易い。
【特許文献１】特開平８−４３８０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、高分子液晶材料を含んだ転写材層を基材から物品上へと部分的に転写させる場合に、より小さな力で基材を剥離可能とするか又はバリや欠けなどの不良を生じ難くする技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の第１側面によると、基材と、前記基材と向き合い且つ高分子液晶材料を含有した複屈折性層を備え、前記基材に剥離可能に支持された転写材層と、前記転写材層を被覆した接着層とを具備し、前記転写材層は、可視像及び／又は潜像が記録されており、前記基材から被転写体へと転写される表示領域と、前記表示領域を縁取っており、前記表示領域の転写の際にその輪郭に沿った破断を生じる縁取り領域とを含み、前記縁取り領域のうち、前記表示領域を転写する際に破断の起点となる破断開始部において、前記高分子液晶材料のメソゲン基は前記表示領域の剥離方向と交差する方向に配向していることを特徴とする転写箔が提供される。
【００１１】
本発明の第２側面によると、基材と、前記基材と向き合い且つ高分子液晶材料を含有した複屈折性層を備え、前記基材に剥離可能に支持された転写材層と、前記転写材層を被覆した接着層とを具備し、前記転写材層は、可視像又は潜像が記録されている表示領域と、前記表示領域を縁取っている縁取り領域とを含み、前記縁取り領域内において前記高分子液晶材料のメソゲン基は前記表示領域の輪郭に沿って配向していることを特徴とする転写箔が提供される。
【００１２】
本発明の第３側面によると、被転写体としての物品と、第１側面に係る転写箔を用いた転写によって前記物品上に貼り付けられ、前記表示領域と前記縁取り領域の一部とを含んだ表示体とを具備したことを特徴とする転写物が提供される。
【００１３】
本発明の第４側面によると、表示体と、これを支持している物品とを具備し、前記表示体は、高分子液晶材料を含有した複屈折性層を備えると共に、可視像及び／又は潜像が記録されている表示領域と、前記表示領域を縁取っている縁取り領域とを含み、前記縁取り領域内において前記高分子液晶材料のメソゲン基は前記表示領域の輪郭に沿って配向していることを特徴とする転写物が提供される。
【００１４】
本発明の第５側面によると、転写箔を用いた転写によって転写物を製造する方法であって、前記転写箔は、基材と、前記基材と向き合い且つ高分子液晶材料を含有した複屈折性層を備え、前記基材に剥離可能に支持された転写材層と、前記転写材層を被覆した接着層とを具備し、前記転写材層は、可視像及び／又は潜像が記録されている表示領域と、前記表示領域を縁取っている縁取り領域とを含み、前記転写は、前記表示領域が前記接着層を間に挟んで前記被転写体と向き合うように前記転写箔と前記被転写体とを配置し、前記表示領域と前記縁取り領域のうち前記表示領域に隣接した部分とに前記基材側から熱及び圧力を印加してそれらを前記被転写体に接着させ、次いで、前記転写箔と前記被転写体とを互いから引き離すことにより前記縁取り領域において前記表示領域の輪郭に沿った破断を生じさせると共に前記表示領域を前記基材から剥離させることを含み、前記縁取り領域のうち前記破断の起点となる破断開始部及び／又は前記破断の終点となる破断終了部において、前記高分子液晶材料のメソゲン基の配向方向が前記表示領域の剥離方向と交差するように前記転写箔と前記被転写体とを互いから引き離すことを特徴とする転写物の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によると、高分子液晶材料を含んだ転写材層を基材から物品上へと部分的に転写させる場合に、より小さな力で基材を剥離すること又はバリや欠けなどの不良を生じ難くすることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、全ての図面を通じて同様又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１７】
図１は、本発明の一態様に係る転写箔を概略的に示す平面図である。図２は、図１に示す転写箔の一部を拡大して示す平面図である。図３は、図２に示す転写箔のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。図４は、図２に示す転写箔が含んでいる高分子液晶材料のメソゲン基の配向状態を概略的に示す平面図である。
【００１８】
なお、図４では、後述する反射層を省略している。また、図４において、矢印は、後述するメソゲン基の配向方向を示している。
【００１９】
図１乃至図４に示す転写箔１０は、長さ方向がＸ方向に平行であり、幅方向がＸ方向と直交するＹ方向に平行であり、厚さ方向がＸ方向及びＹ方向と直交するＺ方向に平行な帯形状を有している。ここでは、一例として、後述する剥離方向は、Ｘ方向に平行であるとしている。
【００２０】
この転写箔１０は、図３に示すように、基材１１０と転写材層１２０と接着層１３０とを含んでいる。
【００２１】
基材１１０は、例えば、樹脂からなるフィルム又はシートである。基材１１０は、単層構造を有していてもよく、多層構造を有していてもよい。基材１１０の材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、ポリエーテルサルフォン又はポリイミドを使用することができる。
【００２２】
基材１１０に多層構造を採用する場合、基材１１０は、転写材層１２０側の最表面層として、剥離抵抗の調節に利用可能な離型層を含んでいてもよい。離型層の材料としては、例えば、メラミン若しくはイソシアネートを硬化剤として用いた熱硬化性樹脂又はアクリレート若しくはエポキシ樹脂を含んだ紫外線又は電子線硬化樹脂に、離型剤としてフッ素系又はシリコン系のモノマー又はポリマーを添加してなるものを使用することができる。
【００２３】
基材１１０上には、転写材層１２０が形成されている。転写剤層１２０は、剥離保護層１２０１と複屈折性層１２０２と回折構造形成層１２０３と反射層１２０４とマスク層１２０５とを含んでいる。剥離保護層１２０１、回折構造形成層１２０３、反射層１２０４及びマスク層１２０５の各々は、省略することができる。
【００２４】
剥離保護層１２０１は、転写剤層１２０の基材１１０からの剥離を安定化すると共に、転写後に複屈折性層１２０２を保護する役割を果たす。剥離保護層１２０１の材料としては、例えば、アクリル樹脂、スチレン樹脂、硝化綿及び酢酸セルロースなどの熱可塑性樹脂、紫外線硬化型アクリル樹脂及び焼付け型メラミン樹脂などの硬化性樹脂を使用することができる。剥離保護層１２０１は、例えば、グラビアコータ、マイクログラビアコータ又はロールコータなどのコータを用いて基材１１０上に形成することができる。
【００２５】
剥離保護層１２０１には、例えば、ポリエチレンワックス及びステアリン酸亜鉛などの滑剤を添加してもよい。こうすると、剥離保護層１２０１の耐摩耗性が向上する。
【００２６】
複屈折性層１２０２は、高分子液晶材料を含有している。複屈折性層１２０２は、複屈折性を有している複数の領域を含んでいる。各領域は、例えば、位相差層としての役割を果たす。これら領域の一部と他の一部とは、屈折率異方性及び／又は遅相軸の向きが互いに異なっており、典型的には、肉眼で観察した場合には互いからの識別が不可能又は困難な潜像を形成している。
【００２７】
複屈折性層１２０２は、例えば、以下の方法により形成する。
まず、複屈折性層１２０１の下地として利用する層に、光配向処理又はラビング処理などの配向処理を施す。これにより、下地表面に、メソゲン基を異なる方向に配向させる複数の領域を形成する。
【００２８】
光配向処理は、複屈折性層１２０１の下地に、偏光を照射するか又は非偏光を斜めに照射して、下地内の分子の再配列又は異方的な化学反応を誘起する配向処理である。即ち、光配向処理によると、光学的手法によって下地に異方性が与えられ、メソゲン基の配向方向は、この異方性によって制御される。
【００２９】
光配向処理には、アゾベンゼン誘導体の光異性化反応、桂皮酸エステル、クマリン、カルコン及びベンゾフェノンなどの光二量化若しくは架橋反応、又はポリイミドなどの光分解反応を利用することができる。即ち、光配向処理を行う場合、典型的には、まず、これらの反応を生じる材料からなる配向膜を下地として形成する。この配向膜は、例えば、グラビアコーティング法及びマイクログラビアコーティング法などのコーティング法を用いて形成することができる。
【００３０】
次に、この配向膜に、フォトマスクを介して第１偏光を照射する第１露光を行い、次いで、他のフォトマスクを介して第１偏光とは偏光面が異なる第２偏光を照射する第２露光を行う。或いは、この配向膜に、フォトマスクを介して第１斜め方向から非偏光を照射する第１露光を行い、次いで、他のフォトマスクを介して第１斜め方向とは被照射面への正射影の向きが異なる第２斜め方向から非偏光を照射する第２露光を行う。こうすると、複屈折性層１２０１のうち、第１露光を行った部分に隣接した領域と、第２露光を行った部分に隣接した領域とで、メソゲン基を異なる方向に配向させることができる。
【００３１】
メソゲン基を異なる方向に配向させる複数の部分を形成する場合、又は、メソゲン基の配向方向を連続的に変化させる場合、旋光子を利用することができる。例えば、旋光子に直線偏光を入射させた場合、入射光の偏光面と旋光子が射出する直線偏光の偏光面とが為す角度は、旋光子の厚さに応じて変化する。例えば、水晶Ｚ板は、２１．７°／ｍｍの旋光能を有している。従って、例えば、厚さが異なる複数の部分を含んだ水晶Ｚ板を介して直線偏光を照射すると、メソゲン基を異なる方向に配向させる複数の部分を形成することができる。また、厚さが連続的に変化している部分を含んだ水晶Ｚ板を介して直線偏光を照射すると、メソゲン基の配向方向を連続的に変化させることができる。
【００３２】
ラビング処理は、下地である樹脂層の表面をラビング布で擦る配向処理である。ラビング処理を行うと、樹脂層の表面の性質が変化する。これにより、メソゲン基の配向方向は、ラビング方向とほぼ等しい方向に制御される。
【００３３】
ラビング処理を行う場合、まず、例えば、樹脂からなる配向膜を下地として形成する。この樹脂としては、例えば、ポリイミド又はポリビニルアルコールを使用することができる。また、この配向膜は、例えば、グラビアコーティング法及びマイクログラビアコーティング法などのコーティング法を用いて形成することができる。
【００３４】
次に、この配向膜の全面をラビング布で一方向に擦る。続いて、配向膜をマスクで覆い、これをラビング布で別の方向に擦る。これにより、複屈折性層１２０１のうち、マスクで覆った部分に隣接した領域と、マスクの開口に対応した領域とで、メソゲン基を異なる方向に配向させることができる。なお、マスクの開口の輪郭が曲線を含んでいる場合、この曲線に沿ってラビング処理を行えば、メソゲン基の配向方向を先の曲線に沿って連続的に変化させることができる。
【００３５】
配向膜は、光学的に等方性であってもよく、光学的に異方性であってもよい。後者の場合、配向膜を複屈折性層１２０１の一部として利用することができる。また、剥離保護層１２０１を省略する場合、基材１１０の最表面層を配向膜として利用することができる。
【００３６】
上述した配向処理を終えた後、配向膜上に、複屈折性層１２０２の材料として、例えば、メソゲン基の両端にアクリレートを有する光硬化型液晶モノマーを塗布する。複屈折性層１２０２の材料としては、電子線又は紫外線を照射することにより硬化するものを使用する。硬化後の材料は、主鎖にメソゲン基を含んだ主鎖型の高分子液晶材料であってもよく、側鎖にメソゲン基を含んだ側鎖型の高分子液晶材料であってもよい。
【００３７】
次いで、必要に応じ、これを、ネマチック相から等方性液体への相転移温度よりも僅かに低い温度で熱処理する。こうすると、メソゲン基の配向を促進することができる。
【００３８】
その後、塗膜を硬化させる。以上のようにして、複屈折性層１２０２を得る。
【００３９】
複屈折性層１２０２上には、回折構造形成層１２０３及び反射層１２０４がこの順に形成されている。回折構造形成層１２０３の一方の主面は、凸パターン又は凹パターンを含んでいる。回折構造形成層１２０３と反射層１２０４との界面であって凸パターン又は凹パターンに対応した領域は、回折構造としてホログラム又は回折格子を形成している。
【００４０】
ホログラムは、例えば、以下の方法により形成することができる。まず、光学的な撮影方法を利用して、微細な凸パターン又は凹パターンからなるレリーフ型のマスター版を作製する。次いで、電気メッキ法を利用して、マスター版から凹パターン又は凸パターンを複製したニッケル製のプレス版を作製する。その後、回折構造形成層１２０３に、プレス版を加熱しながら押し付ける。これにより、回折構造形成層１２０３に、凸パターン又は凹パターンを転写する。更に、回折構造形成層１２０３上に反射層１２０４を形成する。以上のようにして、ホログラムを形成することができる。
【００４１】
ホログラムは、他の方法で形成することも可能である。即ち、まず、平坦な回折構造形成層１２０３上に、反射層１２０４を形成する。次に、反射層１２０４に、プレス版を加熱しながら押し付ける。これにより、反射層１２０４及び回折構造形成層１２０３に、凸パターン又は凹パターンを転写する。以上のようにして、ホログラムを形成することができる。
なお、このタイプのホログラムは、レリーフ型ホログラムと呼ぶ。
【００４２】
回折格子は、光学的な撮影方法を利用しないこと以外はホログラムに関して説明したのと同様の方法により形成することができる。回折格子を形成する場合、各々が回折格子を含んだ複数の画素を配置することにより、グレーティングイメージ又はドットマトリクス（ピクセルグラム等）と呼ばれる画像を表示させてもよい。
【００４３】
回折構造形成層１２０３の材料としては、例えば、熱可塑性樹脂又は光若しくは熱硬化性樹脂を使用することができる。
【００４４】
回折構造形成層１２０３は、複屈折性層１２０２上に形成する代わりに、複屈折性層１２０２と剥離保護層１２０１との間に設置してもよい。この場合、典型的には、回折構造形成層１２０３と複屈折性層１２０２との間に、複屈折性層１２０２に平坦な下地を提供する平坦化層を設ける。平坦化層は、配向膜の下地であってもよく、配向膜自体であってもよい。
【００４５】
反射層１２０４は、例えば、金属層、合金層、又は高屈折率層である。金属層の材料としては、例えば、アルミニウム、錫、銀、クロム、ニッケル又は金を使用することができる。合金層の材料としては、例えば、ニッケル−クロム−鉄合金、青銅又はアルミ青銅を使用することができる。高屈折率層の材料としては、例えば、二酸化チタン、硫化亜鉛及び三酸化二鉄などの無機誘電体を使用することができる。反射層１２０４として、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層してなる誘電体多層膜を使用してもよい。
【００４６】
反射層１２０４は、例えば、蒸着、スパッタリング、又はイオンプレーティングにより形成することができる。反射層１２０４の厚さは、例えば、約１０ｎｍ乃至約１００ｎｍの範囲内とする。
【００４７】
反射層１２０４は、例えば、水洗シーライト加工、エッチング加工又はレーザ加工を利用することによりパターニングされた層として形成することができる。即ち、反射層１２０４は、回折構造形成層１２０３の全体を被覆していてもよく、或いは、回折構造形成層１２０３の一部のみを被覆していてもよい。
【００４８】
水洗シーライト加工を利用すると、以下の方法により、反射層１２０４をパターニングされた層として形成することができる。まず、反射層１２０４の成膜に先立って、例えば水洗インキを用いた印刷により、形成すべき反射層１２０４のネガパターンを回折構造形成層１２０３上に形成する。次に、回折構造形成層１２０３及びネガパターン上に、反射層１２０４の材料を堆積させる。その後、水洗インキを、その上に堆積させた材料と共に洗い流す。これにより、パターニングされた反射層１２０４を得る。
【００４９】
エッチング加工を利用すると、以下の方法により、反射層１２０４をパターニングされた層として形成することができる。まず、反射層１２０４を連続膜として成膜する。次に、反射層１２０４上に、例えばマスキング剤を用いた印刷により、形成すべき反射層１２０４のポジパターンを回折構造形成層１２０３上に形成する。次に、ポジパターンをマスクとして用いて、反射層１２０４をウェットエッチングする。これにより、パターニングされた反射層１２０４を得る。
【００５０】
また、レーザ加工を利用すると、以下の方法により、反射層１２０４をパターニングされた層として形成することができる。まず、反射層１２０４を連続膜として成膜する。次に、反射層１２０４にレーザビームを部分的に照射して、その照射部を除去する。レーザとしては、例えば、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ又はＣＯ2ガスレーザを使用することができる。
【００５１】
反射層１２０４の形成に伴う熱によって回折構造形成層１２０３などに劣化を生じる可能性がある場合は、回折構造形成層１２０３上に、これよりも耐熱性に優れた耐熱層を設け、この耐熱層上に反射層１２０４を形成してもよい。耐熱層は、例えば、マイクログラビア法及びダイレクトグラビア法などのウェットコーティング法を用いて形成することができる。
【００５２】
マスク層１２０５は、反射層１２０４のうち、回折構造形成層１２０３の凸パターン又は凹パターンに対応した部分を被覆している。マスク層１２０５は、例えば、連続膜をエッチングすることにより反射層１２０４を形成する場合、エッチングマスクとしての役割を果たす。或いは、マスク層１２０５は、凸パターン又は凹パターンの複製を困難とする役割を果たす。マスク層１２０５の材料としては、例えば、樹脂を使用することができる。なお、マスク層１２０５の材料として熱可塑性樹脂を使用した場合、マスク層１２０５を接着層１３０の一部として利用することができる。
【００５３】
転写材層１２０は、他の層を更に含むことができる。例えば、転写材層１２０は、偏光層を更に含むことができる。偏光層としては、例えば、一方向に配向させた二色性染料を含み、直線偏光子としての役割を果たす層、又は、コレステリック液晶層を含み、選択反射性を示す層を使用することができる。
【００５４】
転写材層１２０は、図２及び図３に示すように、領域Ｒ１ａ、Ｒ１ｂ、Ｒ２及びＲ３を含んでいる。なお、図２において、破線Ｂ１ａ１ｂは、領域Ｒ１ａと領域Ｒ１ｂとの境界を示している。破線Ｂ１ｂ２は、領域Ｒ１ｂと領域Ｒ２との境界を示している。破線Ｂ２３は、領域Ｒ２と領域Ｒ３との境界を示している。
【００５５】
領域Ｒ１ａと領域Ｒ１ｂとは、表示領域を構成している。領域Ｒ２は、表示領域を縁取っている縁取り領域である。領域Ｒ３は、領域Ｒ２を間に挟んで表示領域と隣接した周辺領域である。この転写箔１０では、図２に示す構造は、図１に示すようにＸ方向に配列している。
【００５６】
領域Ｒ１ａと領域Ｒ１ｂとでは、メソゲン基が異なる方向に配向し且つ複屈折性層１２０２の厚さが等しいか、メソゲン基が同じ方向に配向し且つ複屈折性層１２０２の厚さが異なっているか、又はメソゲン基が異なる方向に配向し且つ複屈折性層１２０２の厚さが異なっている。領域Ｒ２では、メソゲン基はＸ方向と交差する方向に配向している。領域Ｒ３では、メソゲン基は配向していないか、又は、任意の方向に配向している。
【００５７】
図４には、一例として、領域Ｒ１ａ及びＲ１ｂは複屈折性層１２０２の厚さが等しく、領域Ｒ１ａにおいてメソゲン基がＸ方向に対して平行に配向し、領域Ｒ１ｂにおいてメソゲン基がＸ方向に対して４５°の角度を為すように配向し、領域Ｒ２においてメソゲン基がＸ方向に対して垂直に配向し、領域Ｒ３においてメソゲン基がＸ方向に対して斜めに配向している構造を示している。
【００５８】
転写材層１２０上には、図３に示す接着層１３０が形成されている。接着層１３０は、例えば、熱を印加したときに粘着性を発現する感熱接着剤を含んでいる。感熱接着剤としては、例えば、アクリル樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、エポキシ樹脂及びエチレン−ビニルアルコール共重合体などの熱可塑性樹脂を使用することができる。接着層１３０は、例えば、上述した樹脂を、グラビアコータ、マイクログラビアコータ及びロールコータなどのコータを用いて転写材層１２０上に塗布することにより得られる。
【００５９】
接着層１３０は、着色剤を更に含有していてもよい。反射層１２０４が光透過性を有している場合、又は、反射層１２０４がパターニングされている場合、可視化した潜像又は回折構造が表示する像の視認性が向上することがある。
【００６０】
図５は、図１に示す転写箔を用いて製造することが可能な転写物の一例を概略的に示す平面図である。
【００６１】
この転写物２０は、表示体２１０と、被転写体としての物品２２０とを含んでいる。図５に示す例では、転写物２０は、ＩＤ（identification）カード、磁気カード及び無線カードなどのカードである。
【００６２】
表示体２１０は、図２乃至図４を参照しながら説明した領域Ｒ１ａ及びＲ１ｂからなる表示領域と、縁取り領域Ｒ２のうち領域Ｒ１ｂに隣接した部分とを含んでいる。表示体２１０は、図３に示す接着層１３０の一部を介して、物品２２０に貼り付けられている。
【００６３】
物品２２０は、この例では、プラスチック基材を含んでいる。この物品２２０は、典型的には、プラスチック基材上に設けられた印刷層を更に含んでいる。
【００６４】
転写物２０は、例えば、キャッシュカード、クレジットカード及びパスポートなどの認証媒体であってもよく、商品券及び株券などの有価証券媒体であってもよい。或いは、転写物２０は、美術品、工芸品、タグ、包装材料、玩具又は学習教材であってもよい。
【００６５】
物品２２０は、プラスチック基材の代わりに、紙、ガラス及び金属などの他の基材を含んでいてもよい。物品２２０は、典型的には層形状を有しているが、他の形状を有していてもよい。
【００６６】
物品２２０は、転写材層１２０について説明した層のうち、複屈折性層１２０２以外の層を含んでいてもよい。即ち、転写材層１２０に反射層１２０４や偏光層などを設ける代わりに、物品２２０に反射層１２０４や偏光層などを設けてもよい。
【００６７】
次に、肉眼で観察した場合に表示体２１０が表示する像について説明する。
領域Ｒ１ａ及びＲ１ｂは、複屈折性を有している。複屈折は、光学的異方性を有している媒質に光を入射させた場合に電場ベクトルの振動面が互いに垂直な２つの屈折光、例えば異常光線及び常光線が現われる現象である。
【００６８】
複屈折性を示す媒質の異常光線に関する屈折率ｎeと常光線に関する屈折率ｎoとの差Δｎ＝ｎe−ｎoは屈折率異方性と呼ばれている。また、屈折率異方性Δｎと、光が通過する媒質の距離ｄとの積δ＝Δｎｄは、リターデイションと呼ばれている。
【００６９】
領域Ｒ１ａ及びＲ１ｂは、屈折率異方性Δｎが互いに等しく、距離ｄも互いに等しい。即ち、領域Ｒ１ａ及びＲ１ｂは、リターデイションδが互いに等しい。そして、領域Ｒ１ａ及びＲ１ｂは、図４に示すように、メソゲン基の配向方向が４５°異なっている。即ち、領域Ｒ１ａ及びＲ１ｂは、それらが射出する異常光線又は常光線の電場ベクトルの振動面が４５°異なっている。
【００７０】
領域Ｒ１ａ及びＲ１ｂを肉眼で観察した場合、観察者は、領域Ｒ１ａ及びＲ１ｂの各々が射出する異常光線及び常光線の双方を知覚する。観察者は、電場ベクトルの振動面の相違を判別することはできない。それゆえ、表示体２１０を肉眼で観察した場合、反射層１２０４の位置では、領域Ｒ１ａ及びＲ１ｂを互いから識別することは不可能又は困難である。
【００７１】
なお、反射層１２０４の前面には、回折構造形成層１２０３の凸パターン又は凹パターンに対応した凹パターン又は凸パターンが設けられており、この凹パターン又は凸パターンは、回折構造としてホログラム又は回折格子を形成している。従って、表示体２１０を肉眼で観察した場合、その反射層１２０４に対応した領域は、可視像として回折像を表示する。
【００７２】
次に、偏光子を介して観察した場合に表示体２１０が表示する像について説明する。
図６は、図５に示す転写物に偏光子を重ねた場合に表示体が表示する像の一例を概略的に示す平面図である。
【００７３】
図６では、一例として、偏光子３０として直線偏光板を使用し、この偏光子３０を、その透過軸がＸ方向と平行となるように表示体２１０に重ねている。ここでは、領域Ｒ１ａ及びＲ１ｂの各々のリターデイションδは、ここで着目する光の波長λの１／４であるとする。
【００７４】
図６に示すように偏光子３０を表示体２１０に重ねると、表示体２１０には、電場ベクトルの振動面がＸ方向に平行な直線偏光が入射する。
【００７５】
領域Ｒ１ａに入射した直線偏光は、電場ベクトルの振動面を回転させることなしに、図３に示す複屈折性層１２０２を透過し、反射層１２０４によって反射され、複屈折性層１２０２を再び透過する。それゆえ、領域Ｒ１ａが射出する光は、領域Ｒ１ａに入射した直線偏光と電場ベクトルの振動面が等しい直線偏光である。この直線偏光は、理想的には、吸収されることなしに偏光子３０を透過する。従って、図６に示すように偏光子３０を重ねて観察した場合、領域Ｒ１ａは明るく見える。
【００７６】
他方、領域Ｒ１ｂに入射した直線偏光は、図３に示す複屈折性層１２０２を透過することにより右円偏光へと変換され、反射層１２０４によって反射されて左円偏光へと変換され、複屈折性層１２０２を再び透過することにより直線偏光へと変換される。この直線偏光と、領域Ｒ１ｂに入射した直線偏光とは、電場ベクトルの振動面が垂直である。それゆえ、この直線偏光は、理想的には、偏光子３０を透過することなしに吸収され。従って、図６に示すように偏光子３０を重ねて観察した場合、領域Ｒ１ａは暗く見える。
【００７７】
このように、表示体２１０の反射層１２０４に対応した領域を肉眼で観察した場合、領域Ｒ１ａ及びＲ１ｂは、互いからの識別が不可能又は困難である。そして、表示体２１０に偏光子３０を重ねると、領域Ｒ１ａ及びＲ１ｂを互いから容易に識別することが可能となる。
【００７８】
次に、物品２２０への表示体２１０の転写について説明する。
図７は、転写方法の一例を概略的に示す側面図である。図８は、図７に示す構造の上面図である。図７及び図８において、矢印ＡＲ１は転写箔１０の送り方向を示し、矢印ＡＲ２は物品２２０の搬送方向を示している。
【００７９】
転写箔から物品に表示体を転写する場合、例えば、アップダウン式熱転写、ロール式熱転写又は真空プレス転写を行う。図７及び図８には、一例として、アップダウン式熱転写機を用いた転写方法を示している。
【００８０】
アップダウン式熱転写機を用いた転写プロセスでは、例えば、巻き出しロールに巻かれている転写箔１０を巻き出し、これを、図３に示す接着層１３０がテーブル４１０と向き合うようにその正面へと案内する。テーブル４１０の正面へと案内した転写箔１０は、その表示領域、即ち、図２乃至図４に示す領域Ｒ１ａ及びＲ１ｂからなる領域が、テーブル４１０の上方に昇降可能に設置されたホットスタンプ４２０と向き合うように位置合わせする。
【００８１】
テーブル４１０上に、物品２２０を搬送する。物品２２０の搬送方向は、例えば、図７に示すようにテーブル４１０の正面における転写箔１０の送り方向と一致させるか、又は、テーブル４１０の正面における転写箔１０の送り方向と略直交させる。物品２２０は、表示体２１０が転写される部分がホットスタンプ４２０と向き合うように位置合わせする。
【００８２】
次に、ホットスタンプ４２０を下降させ、転写箔１０を物品２２０に押し当てると共に、転写箔１０を加熱する。転写箔１０を加熱すると、その加熱部で、図３に示す接着層１３０は粘着性を発現する。その結果、転写材層１２０は、接着層１３０を介して物品２２０に接着する。なお、ホットスタンプ４２０のテーブル４１０との対向面は、これを転写箔１０に押し当てたときに、輪郭が図２に示す境界Ｂ１ｂ２と境界Ｂ２３との間に位置するように設計されている。
【００８３】
その後、ホットスタンプ４２０を上昇させ、次いで、転写箔１０、特には基材１１０を物品２２０から剥離する。この剥離は、例えば、物品２２０を静止させたまま、転写箔１０を巻き取ることにより行う。こうすると、図３に示す転写材層１２０は、まず、図８に示すホットスタンプ４２０によって加熱された部分の輪郭と破線Ｌ１との接点から破断を開始する。転写材層１２０の破断は、転写箔１０を巻き取りが進行するのに伴い、加熱部の輪郭に沿って進行する。そして、転写材層１２０の破断は、加熱部の輪郭と破線Ｌ３との接点で終了する。
【００８４】
なお、縁取り領域Ｒ２のうち、上述した破断の起点となる部分は破断開始部であり、上述した破断の終点となる部分は破断終了部である。また、この例では、剥離方向は、転写箔１０の長さ方向である。
【００８５】
転写材層１２０の破断が終了すると、転写材層１２０の加熱部を物品２２０上に残したまま、転写箔１０は物品２２０から剥がれる。これにより、１回の転写動作が終了し、図５に示す転写物２０が得られる。
【００８６】
その後、転写物２０をテーブル４１０上から搬送する。そして、上述した動作を繰り返すことにより、複数の転写物２０を製造する。
【００８７】
この方法によると、より小さな力で基材１１０を剥離可能とすることと、バリや欠けなどの不良を生じ難くすることとが可能である。これについて、以下に説明する。
【００８８】
図８に示す破線Ｌ１の位置は、剥離開始位置である。剥離開始位置では、転写材層１２０を破断させるのに必要な力である破断抵抗ＲSと、転写材層１２０を基材１２０から剥離させるのに必要な力である剥離抵抗ＲRと、転写材層１２０と物品２２０との接着力ＦAとが作用する。破断抵抗ＲSと剥離抵抗ＲRとの和が接着力ＦAを上回ると、図５に示す表示体２１０に欠けを生じ易くなる。
【００８９】
図８に示す破線Ｌ２の位置は、剥離中間位置である。接着力ＦAが剥離抵抗ＲRを上回っていれば、欠けなどを生じることなく、剥離は安定に進行する。
【００９０】
図８に示す破線Ｌ３の位置は、剥離終了位置である。剥離終了位置では、破断抵抗ＲSが剥離抵抗ＲRよりも大きいと、図５に示す表示体２１０にバリを生じ易くなる。
【００９１】
高分子液晶材料からなる層は、メソゲン基の短軸に沿った方向に破断させる場合の破断抵抗ＲCが、メソゲン基の長軸に沿った方向に破断させる場合の破断抵抗ＲPと比較してより小さい。これは、メソゲン基の絡み合いなどに由来する力が、メソゲン基の長軸に沿った方向と比較して、メソゲン基の短軸に沿った方向においてより小さいためであると考えられる。
【００９２】
剥離開始位置及び剥離終了位置に関して上述した破断抵抗Ｒsは、破断抵抗ＲC及びＲPを用いると、以下の等式で表すことができる。なお、下記等式において、θは、剥離方向に対して垂直な方向とメソゲン基の配向方向とが為す角度を示している。
【００９３】
ＲS＝ＲPｓｉｎθ＋ＲCｃｏｓθ
この等式から明らかなように、角度θを小さくすると、破断抵抗ＲSを小さくすることができる。そして、角度θを９０°とすると破断抵抗ＲSは最大となり、角度θを０°とすると破断抵抗ＲSは最小となる。
【００９４】
上述した方法では、縁取り領域Ｒ２において破断を生じさせ、その破断開始部及び破断終了部の双方において、高分子液晶材料のメソゲン基を剥離方向と交差する方向に配向させている。それゆえ、この場合、破断抵抗ＲSは、高分子液晶材料のメソゲン基を剥離方向に対して平行に配向させた場合と比較してより小さい。
【００９５】
従って、剥離開始位置において破断抵抗ＲSと剥離抵抗ＲRとの和が接着力ＦAを上回るのを抑制できると共に、剥離終了位置において破断抵抗ＲSが剥離抵抗ＲRよりも大きくなるのを抑制できる。それゆえ、図５に示す表示体２１０に欠けやバリが生じるのを抑制することが可能となる。
【００９６】
また、この方法では、破断抵抗ＲSが比較的小さい。それゆえ、この方法によると、より小さな力で基材１１０を剥離することができる。従って、転写箔１０の破断、転写物２０の搬送不良、転写箔１０の蛇行によって生じる位置ずれなどの発生を抑制することができる。
【００９７】
破断開始部及び破断終了部の各々において、角度θは、９０°未満であれば上述した効果を得ることができるが、通常は０°乃至４５°の範囲内とする。そして、縁取り領域Ｒ２の破断開始部及び破断終了部の各々において、典型的には、メソゲン基の配向方向を剥離方向に対して直交させる。こうすると、破断抵抗ＲSを最小とすることができる。
【００９８】
上述した技術には、様々な変形が可能である。
例えば、破断開始部及び破断終了部の双方において、高分子液晶材料のメソゲン基を剥離方向と交差する方向に配向させる代わりに、破断開始部及び破断終了部の一方のみにおいて、高分子液晶材料のメソゲン基を剥離方向と交差する方向に配向させてもよい。
【００９９】
また、アップダウン式熱転写の代わりに、ロール式熱転写及び真空プレス転写などの他の転写を行ってもよい。
【０１００】
物品２２０を静止させたまま転写箔１０を巻き取ることによって基材１１０を物品２２０から剥離する代わりに、転写箔を静止させたまま転写物２０を搬送することによって基材１１０を物品２２０から剥離してもよい。この場合、物品２２０の搬送方向は、図７に示すようにテーブル４１０の正面における転写箔１０の送り方向と一致させてもよく、テーブル４１０の正面における転写箔１０の送り方向と略直交させてもよい。なお、後者の場合、剥離方向は、転写箔１０の幅方向に対してほぼ平行である。従って、この場合、破断開始部及び破断終了部の各々におけるメソゲン基の配向方向を変更する必要がある。
【０１０１】
転写箔１０には、図９に示す構造を採用してもよい。
図９は、図１に示す転写箔の一変形例を概略的に示す平面図である。
この転写箔１０は、縁取り領域Ｒ２において、高分子液晶材料のメソゲン基が表示領域の輪郭、即ち領域Ｒ１ｂの外周に沿って配向していること以外は、図１乃至図４を参照しながら説明した転写箔１０と同様である。
【０１０２】
上述した技術では、転写箔１０は、特定の剥離方向を想定して設計する。そして、転写プロセスは、この設計に従って行う。即ち、特定の剥離方向を想定して設計した転写箔１０を用いていながらも、その方向とは異なる方向に剥離を行うことはない。しかしながら、同じ転写物２０を異なる転写機を用いて製造する場合、或る転写機と他の転写機とで転写方向が異なることがある。
【０１０３】
図９に示す転写箔１０を使用した場合、剥離方向が如何様であっても、破断開始部及び破断終了部の双方において、メソゲン基の配向方向は剥離方向と交差する。従って、剥離方向に依存することなしに、上述した効果を得ることができる。
【０１０４】
また、表示領域の形状や転写箔１０における表示領域の方位には、様々な変形が可能である。
図１０乃至図１８は、図１に示す転写箔の他の変形例を概略的に示す平面図である。なお、図１０乃至図１８において、反射層１２０４は省略している。また、図１０乃至図１８では、表示領域を参照符号Ｒ１で示している。
【０１０５】
図１０及び図１１に示す転写箔１０では、表示領域１０は平行四辺形である。図１２乃至図１５に示す転写箔１０では、表示領域１０はハート形である。図１６乃至図１８に示す転写箔１０では、表示領域１０は、環とその中心を通る直線とを組み合わせた形状を有している。
【０１０６】
図１０乃至図１８に示す転写箔１０を用いた転写プロセスにおいて、これら転写箔１０を紙面の上方から下方へと剥離する場合、縁取り領域Ｒ２のうち、一点鎖線ＬSで囲んだ部分は破断開始部に相当し、一点鎖線ＬEで囲んだ部分は破断終了部に相当する。
【０１０７】
破断開始部ＬSにおいて、メソゲン基を、剥離方向と交差する方向、ここではＸ方向と交差する方向に配向させると、表示体に欠けが生じるのを抑制できる。また、破断終了部ＬEにおいて、メソゲン基を、剥離方向と交差する方向に配向させると、表示体にバリが生じるのを抑制できる。なお、図１１及び図１２に示すように、剥離終了部ＬSにおいて、表示領域Ｒ１の輪郭が剥離方向に沿って先細りしている場合、メソゲン基を、剥離方向に対して平行に交差させても、表示体にバリが生じるのを抑制できることがある。
【０１０８】
図１１、図１３、図１４、図１７及び図１８に示す転写箔を用いた転写プロセスでは、これら転写箔１０を紙面の上方から下方へと剥離する場合、縁取り領域Ｒ２のうち、一点鎖線ＬS’で囲んだ部分は、表示体に欠けを生じ易い。従って、これら部分ＬS’では、メソゲン基を、剥離方向と交差する方向に配向させてもよい。
【０１０９】
また、図１４乃至図１８に示す転写箔を用いた転写プロセスでは、これら転写箔１０を紙面の上方から下方へと剥離する場合、縁取り領域Ｒ２のうち、一点鎖線ＬE’で囲んだ部分は、表示体にバリを生じ易い。従って、これら部分ＬE’では、メソゲン基を、剥離方向と交差する方向に配向させてもよい。
【実施例】
【０１１０】
以下、本発明の実施例について説明する。
（実施例）
図１乃至図３を参照しながら説明した転写箔１０を製造した。ここでは、メソゲン基は、図９を参照しながら説明したように配向させた。
【０１１１】
具体的には、まず、帯形状を有している厚さが１６μｍのＰＥＴフィルム１１０上に、マイクログラビアコーティング法を用いて、大日本インキ化学工業社製の光配向剤ＩＡ−０１を０．１μｍの厚さに塗布した。
【０１１２】
次に、厚さが連続的に変化している部分を含んだ水晶Ｚ板に波長が３６５ｎｍの直線偏光を入射させ、その透過光を先の塗膜の全面に１Ｊ／ｃｍ2の照度で照射した。この光照射は、先の塗膜のうち、領域Ｒ２に対応した部分において、電場ベクトルの振動面が領域Ｒ２の内周に対して平行になるように行った。
【０１１３】
次いで、先の塗膜に、フォトマスクを介して、波長が３６５ｎｍの直線偏光を１Ｊ／ｃｍ2の照度で照射した。この光照射は、先の塗膜のうち、領域Ｒ２に対応した部分が遮光されるように行った。また、直線偏光は、その電場ベクトルの振動面がフィルム１１０の長さ方向に対して４５°の角度を為すように照射した。
【０１１４】
続いて、先の塗膜に、フォトマスクを介して、波長が３６５ｎｍの直線偏光を１Ｊ／ｃｍ2の照度で照射した。この光照射は、先の塗膜のうち、領域Ｒ１ｂ、Ｒ２及びＲ３に対応した部分が遮光されるように行った。また、直線偏光は、その電場ベクトルの振動面がフィルム１１０の長さ方向に対して平行となるように照射した。
以上のようにして、配向膜を兼ねた剥離保護層１２０１を得た。
【０１１５】
次に、剥離保護層１２０１上に、マイクログラビアコーティング法を用いて、大日本インキ化学工業社製のＵＶキュアラブル液晶ＵＣＬ−００８を０．８μｍの厚さに塗布した。この塗膜に熱風を１分間当ててメソゲン基の配向を促進した後、窒素ガス雰囲気下で塗膜に波長が３６５ｎｍの紫外線を０．５ｍＪ／ｃｍ2の照度で照射して、塗膜を硬化させた。これにより、複屈折性層１２０２を得た。この複屈折性層１２０２では、メソゲン基は、図９に示すように配向していた。
【０１１６】
次に、複屈折性層１２０２上に、マイクログラビアコーティング法を用いて、アクリルポリオールとイソシアネートとを用いて得られる熱可塑性樹脂層を形成した。続いて、熱を加えながら型押しして、この樹脂層の表面に回折構造に対応した凸パターンを形成した。凸パターンは、後で反射層１２０４を形成する部分にのみ設けた。これにより、回折構造形成層１２０３を得た。
【０１１７】
次いで、回折構造形成層１２０３上に、蒸着法を用いて、厚さが５０ｎｍのアルミニウム層を形成した。このアルミニウム層上に、グラビア印刷法を用いて、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体からなる厚さが１μｍのマスク層１２０５を形成した。マスク層１２０５は、回折構造形成層１２０３の表面のうち凸パターンが形成された部分のみを被覆するように形成した。続いて、アルミニウム層を、５０℃に設定した１．５質量％の水酸化ナトリウム水溶液を用いた１０秒間のウェットエッチングに供し、その露出部を除去した。これにより、反射層１２０４を得た。
【０１１８】
更に、回折構造形成層１２０３及びマスク層１２０５上に、コーティング法を用いて、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体からなる接着層１３０を形成した。接着層１３０は、回折構造形成層１２０３のうちマスク層１２０５によって被覆されていない部分の位置で厚さが２μｍとなるように形成した。
【０１１９】
以上のようにして、転写箔１０を完成した。以下、この転写箔１０を「転写箔Ａ」と呼ぶ。
【０１２０】
（比較例）
本例では、転写箔Ａについて説明したのと同様に、まず、帯形状を有している厚さが１６μｍのＰＥＴフィルム１１０上に、マイクログラビアコーティング法を用いて、大日本インキ化学工業社製の光配向剤ＩＡ−０１を０．１μｍの厚さに塗布した。
【０１２１】
次に、厚さが連続的に変化している部分を含んだ水晶Ｚ板に波長が３６５ｎｍの直線偏光を入射させ、その透過光を先の塗膜の全面に１Ｊ／ｃｍ2の照度で照射した。本例では、この光照射は、先の塗膜のうち、領域Ｒ２に対応した部分において、電場ベクトルの振動面が領域Ｒ２の内周に対して垂直になるように行った。
【０１２２】
次いで、先の塗膜に、フォトマスクを介して、波長が３６５ｎｍの直線偏光を１Ｊ／ｃｍ2の照度で照射した。この光照射は、転写箔Ａについて説明したのと同様に行った。すなわち、この光照射は、先の塗膜のうち、領域Ｒ２に対応した部分が遮光されるように行った。また、直線偏光は、その電場ベクトルの振動面がフィルム１１０の長さ方向に対して４５°の角度を為すように照射した。
【０１２３】
続いて、先の塗膜に、フォトマスクを介して、波長が３６５ｎｍの直線偏光を１Ｊ／ｃｍ2の照度で照射した。この光照射は、転写箔Ａについて説明したのと同様に行った。即ち、この光照射は、先の塗膜のうち、領域Ｒ１ｂ、Ｒ２及びＲ３に対応した部分が遮光されるように行った。また、直線偏光は、その電場ベクトルの振動面がフィルム１１０の長さ方向に対して平行となるように照射した。
以上のようにして剥離保護層１２０１を形成したこと以外は、転写箔Ａについて説明したのと同様の方法により転写箔１０を製造した。以下、この転写箔１０を「転写箔Ｂ」と呼ぶ。
【０１２４】
次に、転写箔Ａ及びＢの各々を用いて、図７及び図８を参照しながら説明した転写プロセスを実施した。ここでは、被転写体２２０として紙を使用した。また、ここでは、ギーツ社製の転写機を使用し、剥離は、被転写体２２０を静止させたまま、転写箔１０を巻き取ることにより行った。
【０１２５】
転写箔Ａを用いた転写プロセスでは、比較的小さな力で基材１３０を剥離することができ、転写箔１０の蛇行に起因した位置ずれを生じることはなかった。他方、
転写箔Ｂを用いた転写プロセスでは、基材１３０の剥離に比較的大きな力が必要であり、転写箔１０の蛇行に起因した位置ずれを生じた。
【０１２６】
また、転写箔Ａ及びＢを用いて得られた転写物の各々を観察したところ、転写箔Ａを用いて得られた転写物では、表示体に欠け及びバリは発生していなかった。他方、転写箔Ｂを用いて得られた転写物では、表示体に欠け及びバリが発生していた。
【図面の簡単な説明】
【０１２７】
【図１】本発明の一態様に係る転写箔を概略的に示す平面図。
【図２】図１に示す転写箔の一部を拡大して示す平面図。
【図３】図２に示す転写箔のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図。
【図４】図２に示す転写箔が含んでいる高分子液晶材料のメソゲン基の配向状態を概略的に示す平面図。
【図５】図１に示す転写箔を用いて製造することが可能な転写物の一例を概略的に示す平面図。
【図６】図５に示す転写物に偏光子を重ねた場合に表示体が表示する像の一例を概略的に示す平面図。
【図７】転写方法の一例を概略的に示す側面図。
【図８】図７に示す構造の上面図。
【図９】図１に示す転写箔の一変形例を概略的に示す平面図。
【図１０】図１に示す転写箔の他の変形例を概略的に示す平面図。
【図１１】図１に示す転写箔の他の変形例を概略的に示す平面図。
【図１２】図１に示す転写箔の他の変形例を概略的に示す平面図。
【図１３】図１に示す転写箔の他の変形例を概略的に示す平面図。
【図１４】図１に示す転写箔の他の変形例を概略的に示す平面図。
【図１５】図１に示す転写箔の他の変形例を概略的に示す平面図。
【図１６】図１に示す転写箔の他の変形例を概略的に示す平面図。
【図１７】図１に示す転写箔の他の変形例を概略的に示す平面図。
【図１８】図１に示す転写箔の他の変形例を概略的に示す平面図。
【符号の説明】
【０１２８】
１０…転写箔、２０…転写物、３０…偏光子、１１０…基材、１２０…転写材層、１３０…接着層、２１０…表示体、２２０…被転写体、１２０１…剥離保護層、１２０２…複屈折性層、１２０３…回折構造形成層、１２０４…反射層、１２０５…マスク層、Ｂ１ａ１ｂ…境界、Ｂ１ｂ２…境界、Ｂ２３…境界、Ｒ１…表示領域、Ｒ１ａ…領域、Ｒ１ｂ…領域、Ｒ２…縁取り領域、Ｒ３…周辺領域。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、前記基材と向き合い且つ高分子液晶材料を含有した複屈折性層を備え、前記基材に剥離可能に支持された転写材層と、前記転写材層を被覆した接着層とを具備し、前記転写材層は、可視像及び／又は潜像が記録されており、前記基材から被転写体へと転写される表示領域と、前記表示領域を縁取っており、前記表示領域の転写の際にその輪郭に沿った破断を生じる縁取り領域とを含み、前記縁取り領域のうち、前記表示領域を転写する際に破断の起点となる破断開始部において、前記高分子液晶材料のメソゲン基は前記表示領域の剥離方向と交差する方向に配向していることを特徴とする転写箔。
【請求項２】
前記縁取り領域のうち、前記表示領域を転写する際に破断の終点となる破断終了部において、前記高分子液晶材料のメソゲン基は前記剥離方向と交差する方向に配向していることを特徴とする請求項１に記載の転写箔。
【請求項３】
前記破断開始部及び前記破断終了部の双方において、前記高分子液晶材料のメソゲン基は前記表示領域の剥離方向と直交する方向に配向していることを特徴とする請求項２に記載の転写箔。
【請求項４】
基材と、前記基材と向き合い且つ高分子液晶材料を含有した複屈折性層を備え、前記基材に剥離可能に支持された転写材層と、前記転写材層を被覆した接着層とを具備し、前記転写材層は、可視像又は潜像が記録されている表示領域と、前記表示領域を縁取っている縁取り領域とを含み、前記縁取り領域内において前記高分子液晶材料のメソゲン基は前記表示領域の輪郭に沿って配向していることを特徴とする転写箔。
【請求項５】
前記転写材層は前記複屈折性層と前記接着層との間に介在した反射層を更に含んだことを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の転写箔。
【請求項６】
前記反射層は回折構造を含んでいることを特徴とする請求項５に記載の転写箔。
【請求項７】
被転写体としての物品と、請求項１乃至３の何れか１項に記載の転写箔を用いた転写によって前記物品上に貼り付けられ、前記表示領域と前記縁取り領域の一部とを含んだ表示体とを具備したことを特徴とする転写物。
【請求項８】
表示体と、これを支持している物品とを具備し、前記表示体は、高分子液晶材料を含有した複屈折性層を備えると共に、可視像及び／又は潜像が記録されている表示領域と、前記表示領域を縁取っている縁取り領域とを含み、前記縁取り領域内において前記高分子液晶材料のメソゲン基は前記表示領域の輪郭に沿って配向していることを特徴とする転写物。
【請求項９】
転写箔を用いた転写によって転写物を製造する方法であって、
前記転写箔は、基材と、前記基材と向き合い且つ高分子液晶材料を含有した複屈折性層を備え、前記基材に剥離可能に支持された転写材層と、前記転写材層を被覆した接着層とを具備し、前記転写材層は、可視像及び／又は潜像が記録されている表示領域と、前記表示領域を縁取っている縁取り領域とを含み、
前記転写は、前記表示領域が前記接着層を間に挟んで前記被転写体と向き合うように前記転写箔と前記被転写体とを配置し、前記表示領域と前記縁取り領域のうち前記表示領域に隣接した部分とに前記基材側から熱及び圧力を印加してそれらを前記被転写体に接着させ、次いで、前記転写箔と前記被転写体とを互いから引き離すことにより前記縁取り領域において前記表示領域の輪郭に沿った破断を生じさせると共に前記表示領域を前記基材から剥離させることを含み、
前記縁取り領域のうち前記破断の起点となる破断開始部及び／又は前記破断の終点となる破断終了部において、前記高分子液晶材料のメソゲン基の配向方向が前記表示領域の剥離方向と交差するように前記転写箔と前記被転写体とを互いから引き離すことを特徴とする転写物の製造方法。
【請求項１】
基材と、前記基材と向き合い且つ高分子液晶材料を含有した複屈折性層を備え、前記基材に剥離可能に支持された転写材層と、前記転写材層を被覆した接着層とを具備し、前記転写材層は、可視像及び／又は潜像が記録されており、前記基材から被転写体へと転写される表示領域と、前記表示領域を縁取っており、前記表示領域の転写の際にその輪郭に沿った破断を生じる縁取り領域とを含み、前記縁取り領域のうち、前記表示領域を転写する際に破断の起点となる破断開始部において、前記高分子液晶材料のメソゲン基は前記表示領域の剥離方向と交差する方向に配向していることを特徴とする転写箔。
【請求項２】
前記縁取り領域のうち、前記表示領域を転写する際に破断の終点となる破断終了部において、前記高分子液晶材料のメソゲン基は前記剥離方向と交差する方向に配向していることを特徴とする請求項１に記載の転写箔。
【請求項３】
前記破断開始部及び前記破断終了部の双方において、前記高分子液晶材料のメソゲン基は前記表示領域の剥離方向と直交する方向に配向していることを特徴とする請求項２に記載の転写箔。
【請求項４】
基材と、前記基材と向き合い且つ高分子液晶材料を含有した複屈折性層を備え、前記基材に剥離可能に支持された転写材層と、前記転写材層を被覆した接着層とを具備し、前記転写材層は、可視像又は潜像が記録されている表示領域と、前記表示領域を縁取っている縁取り領域とを含み、前記縁取り領域内において前記高分子液晶材料のメソゲン基は前記表示領域の輪郭に沿って配向していることを特徴とする転写箔。
【請求項５】
前記転写材層は前記複屈折性層と前記接着層との間に介在した反射層を更に含んだことを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の転写箔。
【請求項６】
前記反射層は回折構造を含んでいることを特徴とする請求項５に記載の転写箔。
【請求項７】
被転写体としての物品と、請求項１乃至３の何れか１項に記載の転写箔を用いた転写によって前記物品上に貼り付けられ、前記表示領域と前記縁取り領域の一部とを含んだ表示体とを具備したことを特徴とする転写物。
【請求項８】
表示体と、これを支持している物品とを具備し、前記表示体は、高分子液晶材料を含有した複屈折性層を備えると共に、可視像及び／又は潜像が記録されている表示領域と、前記表示領域を縁取っている縁取り領域とを含み、前記縁取り領域内において前記高分子液晶材料のメソゲン基は前記表示領域の輪郭に沿って配向していることを特徴とする転写物。
【請求項９】
転写箔を用いた転写によって転写物を製造する方法であって、
前記転写箔は、基材と、前記基材と向き合い且つ高分子液晶材料を含有した複屈折性層を備え、前記基材に剥離可能に支持された転写材層と、前記転写材層を被覆した接着層とを具備し、前記転写材層は、可視像及び／又は潜像が記録されている表示領域と、前記表示領域を縁取っている縁取り領域とを含み、
前記転写は、前記表示領域が前記接着層を間に挟んで前記被転写体と向き合うように前記転写箔と前記被転写体とを配置し、前記表示領域と前記縁取り領域のうち前記表示領域に隣接した部分とに前記基材側から熱及び圧力を印加してそれらを前記被転写体に接着させ、次いで、前記転写箔と前記被転写体とを互いから引き離すことにより前記縁取り領域において前記表示領域の輪郭に沿った破断を生じさせると共に前記表示領域を前記基材から剥離させることを含み、
前記縁取り領域のうち前記破断の起点となる破断開始部及び／又は前記破断の終点となる破断終了部において、前記高分子液晶材料のメソゲン基の配向方向が前記表示領域の剥離方向と交差するように前記転写箔と前記被転写体とを互いから引き離すことを特徴とする転写物の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【公開番号】特開２００９−９０４６４（Ｐ２００９−９０４６４Ａ）
【公開日】平成２１年４月３０日（２００９．４．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−２６００６１（Ｐ２００７−２６００６１）
【出願日】平成１９年１０月３日（２００７．１０．３）
【出願人】（０００００３１９３）凸版印刷株式会社 (10,630)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年４月３０日（２００９．４．３０）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年１０月３日（２００７．１０．３）
【出願人】（０００００３１９３）凸版印刷株式会社 (10,630)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]