配線の形成方法
【課題】本発明は、シード層の上面に設けられた配線の形成方法に関し、不用な部分のシード層を除去するシード層除去工程において、配線の母材となるめっき膜がエッチングされることを防いで、配線の厚さ及び幅を略所定の厚さ及び幅（設計上の配線の厚さ及び幅）にすることのできる配線の形成方法を提供することを課題とする。
【解決手段】配線１０の母材となるめっき膜１７の側面１７Ｂ及び上面１７Ａを覆うように第２のレジスト膜１９を形成した後、第２のレジスト膜１９から露出された部分のシード層１２を除去する。
【解決手段】配線１０の母材となるめっき膜１７の側面１７Ｂ及び上面１７Ａを覆うように第２のレジスト膜１９を形成した後、第２のレジスト膜１９から露出された部分のシード層１２を除去する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線の形成方法に関し、特に、シード層の上面に設けられた配線の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、微細な配線を形成する方法として、セミアディティブ法（図１〜図５参照）が用いられている。
【０００３】
図１〜図５は、従来の配線の形成方法を説明するための図である。
【０００４】
図１〜図５を参照して、従来の配線１００の形成方法について説明する。始めに、図１に示す工程では、絶縁層１０１の上面１０１Ａを覆うように、シード層１０２を形成する。シード層１０２としては、例えば、Ｃｕ層を用いることができる。
【０００５】
次いで、図２に示す工程では、シード層１０２の上面１０２Ａに開口部１０５を有したレジスト膜１０４を形成する。このとき、レジスト膜１０４の下部１０４Ａは、開口部１０５を形成するための露光処理の影響により、裾引き形状（テーパー形状）となる。開口部１０５は、配線１００の形成領域に対応する部分のシード層１０２の上面１０２Ａを露出するように形成する。
【０００６】
次いで、図３に示す工程では、シード層１０２を給電層とする電解めっき法により、開口部１０５に露出された部分のシード層１０２の上面１０２Ａに配線１００の母材となるめっき膜１０７を形成する。めっき膜１０７は、開口部１０５の形状に対応するように形成されるため、めっき膜１０７の下部は逆テーパー形状（括れた形状）となる。めっき膜１０７としては、例えば、Ｃｕめっき膜を用いることができる。
【０００７】
次いで、図４に示す工程では、図３に示すレジスト膜１０４を除去する。次いで、図５に示す工程では、エッチングにより、めっき膜１０７に覆われていない部分のシード層１０２（不要な部分のシード層１０２）を除去する。これにより、シード層１０２の上面１０２Ａに、配線１００が形成される（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００５−１６６９１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、従来の配線１００の形成方法では、図５に示す工程において、不要な部分のシード層１０２を除去する際、配線１００の母材となるめっき膜１０７もエッチングされてしまうため、配線１００を所定の厚さ及び幅（設計上の配線１００の厚さ及び幅）となるように、配線１００を形成することができないという問題があった。
【０００９】
特に、めっき膜１０７の下部は、逆テーパー形状（図３参照）であるため、図５に示す工程において、めっき膜１０７の下部のエッチング量が大きくなってしまう（言い換えれば、配線１００の下部の幅が狭くなってしまう）という問題があった。なお、配線１００の下部の幅が狭くなりすぎた場合、配線１００が倒れてしまう虞がある。
【００１０】
そこで本発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであり、不要な部分のシード層を除去するシード層除去工程において、配線の母材となるめっき膜がエッチングされることを防止して、配線の厚さ及び幅を略所定の厚さ及び幅（設計上の配線の厚さ及び幅）にすることのできる配線の形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一観点によれば、絶縁層に形成されたシード層の上面に設けられた配線の形成方法であって、前記絶縁層の上面を覆う前記シード層を形成するシード層形成工程と、前記シード層の上面に開口部を有した第１のレジスト膜を形成する第１のレジスト膜形成工程と、電解めっき法により、前記開口部に前記配線の母材となるめっき膜を形成するめっき膜形成工程と、前記めっき膜形成工程後に前記第１のレジスト膜を除去する第１のレジスト膜除去工程と、前記第１のレジスト膜除去工程後に、前記めっき膜の側面及び上面を覆う第２のレジスト膜を形成する第２のレジスト膜形成工程と、前記第２のレジスト膜から露出された部分の前記シード層を除去するシード層除去工程と、前記シード層除去工程後に、前記第２のレジスト膜を除去する第２のレジスト膜除去工程と、を含むことを特徴とする配線の形成方法が提供される。
【００１２】
本発明によれば、絶縁層の上面を覆うシード層を形成し、次いで、シード層の上面に開口部を有した第１のレジスト膜を形成し、次いで、電解めっき法により、開口部に配線の母材となるめっき膜を形成し、その後、第１のレジスト膜を除去し、次いで、めっき膜の側面及び上面を覆う第２のレジスト膜を形成し、次いで、第２のレジスト膜から露出された部分のシード層を除去することにより、シード層除去工程において、配線の母材となるめっき膜がエッチングされることがなくなるため、配線の厚さ及び幅を略所定の厚さ及び幅（設計上の配線の厚さ及び幅）にすることができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、不要な部分のシード層を除去するシード層除去工程において、配線の母材となるめっき膜がエッチングされることを防止して、配線の厚さ及び幅を略所定の厚さ及び幅（設計上の配線の厚さ及び幅）にすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
次に、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。
【００１５】
（実施の形態）
図６〜図１２は、本発明の実施の形態に係る配線の形成方法を説明するための図である。
【００１６】
図６〜図１２を参照して、本実施の形態の配線１０の形成方法について説明する。始めに、図６に示す工程では、絶縁層１１の上面１１Ａを覆うように、シード層１２を形成する（シード層形成工程）。絶縁層１１としては、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂からなる樹脂層を用いることができる。シード層１２は、電解めっき法により、配線１０の母材となる後述するめっき膜１７を形成する際の給電層となる層である。シード層１２としては、例えば、Ｃｕ層を用いることができる。シード層１２としてＣｕ層を用いる場合、シード層１２の厚さは、例えば、０．５μｍ〜１．０μｍとすることができる。シード層１２は、例えば、無電解めっき法やスパッタ法等の方法により形成することができる。なお、シード層１２を形成する前に、絶縁層１１の上面１１Ａの粗化処理を行う。
【００１７】
次いで、図７に示す工程では、シード層１２の上面１２Ａに開口部１５を有した第１のレジスト膜１４を形成する（第１のレジスト膜形成工程）。具体的には、第１のレジスト膜１４は、例えば、液状レジスト又はドライフィルムレジストをシード層１２の上面１２Ａに配置した後、液状レジスト又はドライフィルムレジストを露光・現像処理することで形成する。このとき、第１のレジスト膜１４の下部は、開口部１５を形成するための露光処理の影響により、裾引き形状（テーパー形状）となる。開口部１５は、配線１０の形成領域に対応する部分のシード層１２の上面１２Ａを露出するように形成する。
【００１８】
次いで、図８に示す工程では、シード層１２を給電層とする電解めっき法により、開口部１５に露出された部分のシード層１２の上面１２Ａに配線１０の母材となるめっき膜１７を形成する（めっき膜形成工程）。めっき膜１７としては、例えば、Ｃｕめっき膜を用いることができる。めっき膜１７の厚さは、配線１０の厚さと略等しく、例えば、１５μｍとすることができる。めっき膜１７の幅は、配線１０の幅と略等しく、例えば、１０μｍとすることができる。めっき膜１７は、開口部１５の形状に対応するように形成されるため、めっき膜１７の下部は逆テーパー形状（括れた形状）となる。
【００１９】
次いで、図９に示す工程では、図８に示す第１のレジスト膜１４を除去する（第１のレジスト膜除去工程）。
【００２０】
次いで、図１０に示す工程では、めっき膜１７の側面１７Ｂ及び上面１７Ａを覆うように、第２のレジスト膜１９を形成する（第２のレジスト膜形成工程）。具体的には、第２のレジスト膜１９は、例えば、液状レジスト又はドライフィルムレジストを図９に示す構造体の上面側に配置した後、液状レジスト又はドライフィルムレジストを露光・現像処理することで形成する。
【００２１】
液状レジストを用いて第２のレジスト膜１９を形成する場合、めっき膜１７が押圧されることがないため、配線１０の母材となるめっき膜１７が損傷することを防止できる。
【００２２】
また、ドライフィルムレジストを用いて第２のレジスト膜１９を形成する場合、ドライフィルムレジストはシート状のレジストであるため、扱い易い。
【００２３】
第２のレジスト膜１９は、後述する図１１に示す工程において、第２のレジスト膜１９に覆われていない部分のシード層１２（不要な部分のシード層１２）を除去する際のエッチングにより、配線１０の母材となるめっき膜１７がエッチングされることを防止するための膜である。
【００２４】
このように、不要な部分のシード層１２を除去する前に、めっき膜１７の側面１７Ｂ及び上面１７Ａを覆う第２のレジスト膜１９を形成することにより、後述するシード層除去工程（図１１参照）において、めっき膜１７の側面１７Ｂ及び上面１７Ａがエッチングされることがなくなるため、配線１０の厚さ及び幅を略所定の厚さ及び幅（設計上の配線１０の厚さ及び幅）にすることができる。
【００２５】
また、第２のレジスト膜１９は、めっき膜１７の下部の逆テーパー形状とされた部分を充填するように形成されるため、めっき膜１７の幅よりもシード層の幅が狭くなることを防止できる。これにより、不要な部分のシード層１２を除去する際のエッチング時間を長くして、確実に不要な部分のシード層１２を除去することができる。特に、粗化された絶縁層１１の上面１１Ａの表面粗さが粗い場合に有効である。
【００２６】
さらに、第２のレジスト膜１９の厚さは、シード層除去工程後に、めっき膜１７の側面１７Ｂ及び上面１７Ａに第２のレジスト膜１９が残るような厚さにするとよい。これにより、シード層除去工程後において、側面１７Ｂ及び上面１７Ａに対応する部分のめっき膜１７がエッチングされることを確実に防止することができる。
【００２７】
次いで、図１１に示す工程では、第２のレジスト膜１９から露出された部分のシード層１２（不要な部分のシード層１２）を除去する（シード層除去工程）。具体的には、例えば、ウエットエッチングにより、不要な部分のシード層１２を除去する。このとき、先に説明したように、めっき膜１７の側面１７Ｂ及び上面１７Ａには第２のレジスト膜１９が形成されているため、不要な部分のシード層１２を除去する際に使用するエッチング液により、めっき膜１７がエッチングされることはない。
【００２８】
次いで、図１２に示す工程では、図１１に示す第２のレジスト膜１９を除去する（第２のレジスト膜除去工程）。これにより、シード層１２の上面１２Ａに配線１０が形成される。
【００２９】
本実施の形態の配線の形成方法によれば、絶縁層１１の上面１１Ａを覆うシード層１２を形成し、次いで、シード層１２の上面１２Ａに開口部１５を有した第１のレジスト膜１４を形成し、次いで、電解めっき法により、開口部１５に配線１０の母材となるめっき膜１７を形成し、その後、第１のレジスト膜１４を除去し、次いで、めっき膜１７の側面１７Ｂ及び上面１７Ａを覆う第２のレジスト膜１９を形成し、次いで、第２のレジスト膜１９から露出された部分のシード層１２を除去することにより、シード層除去工程において、配線１０の母材となるめっき膜１７がエッチングされることがなくなるため、配線１０の厚さ及び幅を略所定の厚さ及び幅（設計上の配線１０の厚さ及び幅）にすることができる。
【００３０】
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００３１】
本発明は、シード層の上面に設けられた配線の形成方法に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】従来の配線の形成方法を説明するための図（その１）である。
【図２】従来の配線の形成方法を説明するための図（その２）である。
【図３】従来の配線の形成方法を説明するための図（その３）である。
【図４】従来の配線の形成方法を説明するための図（その４）である。
【図５】従来の配線の形成方法を説明するための図（その５）である。
【図６】本発明の実施の形態に係る配線の形成方法を説明するための図（その１）である。
【図７】本発明の実施の形態に係る配線の形成方法を説明するための図（その２）である。
【図８】本発明の実施の形態に係る配線の形成方法を説明するための図（その３）である。
【図９】本発明の実施の形態に係る配線の形成方法を説明するための図（その４）である。
【図１０】本発明の実施の形態に係る配線の形成方法を説明するための図（その５）である。
【図１１】本発明の実施の形態に係る配線の形成方法を説明するための図（その６）である。
【図１２】本発明の実施の形態に係る配線の形成方法を説明するための図（その７）である。
【符号の説明】
【００３３】
１０ 配線
１１ 絶縁層
１１Ａ，１２Ａ，１７Ａ 上面
１２ シード層
１４ 第１のレジスト膜
１５ 開口部
１７ めっき膜
１７Ｂ 側面
１９ 第２のレジスト膜
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線の形成方法に関し、特に、シード層の上面に設けられた配線の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、微細な配線を形成する方法として、セミアディティブ法（図１〜図５参照）が用いられている。
【０００３】
図１〜図５は、従来の配線の形成方法を説明するための図である。
【０００４】
図１〜図５を参照して、従来の配線１００の形成方法について説明する。始めに、図１に示す工程では、絶縁層１０１の上面１０１Ａを覆うように、シード層１０２を形成する。シード層１０２としては、例えば、Ｃｕ層を用いることができる。
【０００５】
次いで、図２に示す工程では、シード層１０２の上面１０２Ａに開口部１０５を有したレジスト膜１０４を形成する。このとき、レジスト膜１０４の下部１０４Ａは、開口部１０５を形成するための露光処理の影響により、裾引き形状（テーパー形状）となる。開口部１０５は、配線１００の形成領域に対応する部分のシード層１０２の上面１０２Ａを露出するように形成する。
【０００６】
次いで、図３に示す工程では、シード層１０２を給電層とする電解めっき法により、開口部１０５に露出された部分のシード層１０２の上面１０２Ａに配線１００の母材となるめっき膜１０７を形成する。めっき膜１０７は、開口部１０５の形状に対応するように形成されるため、めっき膜１０７の下部は逆テーパー形状（括れた形状）となる。めっき膜１０７としては、例えば、Ｃｕめっき膜を用いることができる。
【０００７】
次いで、図４に示す工程では、図３に示すレジスト膜１０４を除去する。次いで、図５に示す工程では、エッチングにより、めっき膜１０７に覆われていない部分のシード層１０２（不要な部分のシード層１０２）を除去する。これにより、シード層１０２の上面１０２Ａに、配線１００が形成される（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００５−１６６９１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、従来の配線１００の形成方法では、図５に示す工程において、不要な部分のシード層１０２を除去する際、配線１００の母材となるめっき膜１０７もエッチングされてしまうため、配線１００を所定の厚さ及び幅（設計上の配線１００の厚さ及び幅）となるように、配線１００を形成することができないという問題があった。
【０００９】
特に、めっき膜１０７の下部は、逆テーパー形状（図３参照）であるため、図５に示す工程において、めっき膜１０７の下部のエッチング量が大きくなってしまう（言い換えれば、配線１００の下部の幅が狭くなってしまう）という問題があった。なお、配線１００の下部の幅が狭くなりすぎた場合、配線１００が倒れてしまう虞がある。
【００１０】
そこで本発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであり、不要な部分のシード層を除去するシード層除去工程において、配線の母材となるめっき膜がエッチングされることを防止して、配線の厚さ及び幅を略所定の厚さ及び幅（設計上の配線の厚さ及び幅）にすることのできる配線の形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一観点によれば、絶縁層に形成されたシード層の上面に設けられた配線の形成方法であって、前記絶縁層の上面を覆う前記シード層を形成するシード層形成工程と、前記シード層の上面に開口部を有した第１のレジスト膜を形成する第１のレジスト膜形成工程と、電解めっき法により、前記開口部に前記配線の母材となるめっき膜を形成するめっき膜形成工程と、前記めっき膜形成工程後に前記第１のレジスト膜を除去する第１のレジスト膜除去工程と、前記第１のレジスト膜除去工程後に、前記めっき膜の側面及び上面を覆う第２のレジスト膜を形成する第２のレジスト膜形成工程と、前記第２のレジスト膜から露出された部分の前記シード層を除去するシード層除去工程と、前記シード層除去工程後に、前記第２のレジスト膜を除去する第２のレジスト膜除去工程と、を含むことを特徴とする配線の形成方法が提供される。
【００１２】
本発明によれば、絶縁層の上面を覆うシード層を形成し、次いで、シード層の上面に開口部を有した第１のレジスト膜を形成し、次いで、電解めっき法により、開口部に配線の母材となるめっき膜を形成し、その後、第１のレジスト膜を除去し、次いで、めっき膜の側面及び上面を覆う第２のレジスト膜を形成し、次いで、第２のレジスト膜から露出された部分のシード層を除去することにより、シード層除去工程において、配線の母材となるめっき膜がエッチングされることがなくなるため、配線の厚さ及び幅を略所定の厚さ及び幅（設計上の配線の厚さ及び幅）にすることができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、不要な部分のシード層を除去するシード層除去工程において、配線の母材となるめっき膜がエッチングされることを防止して、配線の厚さ及び幅を略所定の厚さ及び幅（設計上の配線の厚さ及び幅）にすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
次に、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。
【００１５】
（実施の形態）
図６〜図１２は、本発明の実施の形態に係る配線の形成方法を説明するための図である。
【００１６】
図６〜図１２を参照して、本実施の形態の配線１０の形成方法について説明する。始めに、図６に示す工程では、絶縁層１１の上面１１Ａを覆うように、シード層１２を形成する（シード層形成工程）。絶縁層１１としては、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂からなる樹脂層を用いることができる。シード層１２は、電解めっき法により、配線１０の母材となる後述するめっき膜１７を形成する際の給電層となる層である。シード層１２としては、例えば、Ｃｕ層を用いることができる。シード層１２としてＣｕ層を用いる場合、シード層１２の厚さは、例えば、０．５μｍ〜１．０μｍとすることができる。シード層１２は、例えば、無電解めっき法やスパッタ法等の方法により形成することができる。なお、シード層１２を形成する前に、絶縁層１１の上面１１Ａの粗化処理を行う。
【００１７】
次いで、図７に示す工程では、シード層１２の上面１２Ａに開口部１５を有した第１のレジスト膜１４を形成する（第１のレジスト膜形成工程）。具体的には、第１のレジスト膜１４は、例えば、液状レジスト又はドライフィルムレジストをシード層１２の上面１２Ａに配置した後、液状レジスト又はドライフィルムレジストを露光・現像処理することで形成する。このとき、第１のレジスト膜１４の下部は、開口部１５を形成するための露光処理の影響により、裾引き形状（テーパー形状）となる。開口部１５は、配線１０の形成領域に対応する部分のシード層１２の上面１２Ａを露出するように形成する。
【００１８】
次いで、図８に示す工程では、シード層１２を給電層とする電解めっき法により、開口部１５に露出された部分のシード層１２の上面１２Ａに配線１０の母材となるめっき膜１７を形成する（めっき膜形成工程）。めっき膜１７としては、例えば、Ｃｕめっき膜を用いることができる。めっき膜１７の厚さは、配線１０の厚さと略等しく、例えば、１５μｍとすることができる。めっき膜１７の幅は、配線１０の幅と略等しく、例えば、１０μｍとすることができる。めっき膜１７は、開口部１５の形状に対応するように形成されるため、めっき膜１７の下部は逆テーパー形状（括れた形状）となる。
【００１９】
次いで、図９に示す工程では、図８に示す第１のレジスト膜１４を除去する（第１のレジスト膜除去工程）。
【００２０】
次いで、図１０に示す工程では、めっき膜１７の側面１７Ｂ及び上面１７Ａを覆うように、第２のレジスト膜１９を形成する（第２のレジスト膜形成工程）。具体的には、第２のレジスト膜１９は、例えば、液状レジスト又はドライフィルムレジストを図９に示す構造体の上面側に配置した後、液状レジスト又はドライフィルムレジストを露光・現像処理することで形成する。
【００２１】
液状レジストを用いて第２のレジスト膜１９を形成する場合、めっき膜１７が押圧されることがないため、配線１０の母材となるめっき膜１７が損傷することを防止できる。
【００２２】
また、ドライフィルムレジストを用いて第２のレジスト膜１９を形成する場合、ドライフィルムレジストはシート状のレジストであるため、扱い易い。
【００２３】
第２のレジスト膜１９は、後述する図１１に示す工程において、第２のレジスト膜１９に覆われていない部分のシード層１２（不要な部分のシード層１２）を除去する際のエッチングにより、配線１０の母材となるめっき膜１７がエッチングされることを防止するための膜である。
【００２４】
このように、不要な部分のシード層１２を除去する前に、めっき膜１７の側面１７Ｂ及び上面１７Ａを覆う第２のレジスト膜１９を形成することにより、後述するシード層除去工程（図１１参照）において、めっき膜１７の側面１７Ｂ及び上面１７Ａがエッチングされることがなくなるため、配線１０の厚さ及び幅を略所定の厚さ及び幅（設計上の配線１０の厚さ及び幅）にすることができる。
【００２５】
また、第２のレジスト膜１９は、めっき膜１７の下部の逆テーパー形状とされた部分を充填するように形成されるため、めっき膜１７の幅よりもシード層の幅が狭くなることを防止できる。これにより、不要な部分のシード層１２を除去する際のエッチング時間を長くして、確実に不要な部分のシード層１２を除去することができる。特に、粗化された絶縁層１１の上面１１Ａの表面粗さが粗い場合に有効である。
【００２６】
さらに、第２のレジスト膜１９の厚さは、シード層除去工程後に、めっき膜１７の側面１７Ｂ及び上面１７Ａに第２のレジスト膜１９が残るような厚さにするとよい。これにより、シード層除去工程後において、側面１７Ｂ及び上面１７Ａに対応する部分のめっき膜１７がエッチングされることを確実に防止することができる。
【００２７】
次いで、図１１に示す工程では、第２のレジスト膜１９から露出された部分のシード層１２（不要な部分のシード層１２）を除去する（シード層除去工程）。具体的には、例えば、ウエットエッチングにより、不要な部分のシード層１２を除去する。このとき、先に説明したように、めっき膜１７の側面１７Ｂ及び上面１７Ａには第２のレジスト膜１９が形成されているため、不要な部分のシード層１２を除去する際に使用するエッチング液により、めっき膜１７がエッチングされることはない。
【００２８】
次いで、図１２に示す工程では、図１１に示す第２のレジスト膜１９を除去する（第２のレジスト膜除去工程）。これにより、シード層１２の上面１２Ａに配線１０が形成される。
【００２９】
本実施の形態の配線の形成方法によれば、絶縁層１１の上面１１Ａを覆うシード層１２を形成し、次いで、シード層１２の上面１２Ａに開口部１５を有した第１のレジスト膜１４を形成し、次いで、電解めっき法により、開口部１５に配線１０の母材となるめっき膜１７を形成し、その後、第１のレジスト膜１４を除去し、次いで、めっき膜１７の側面１７Ｂ及び上面１７Ａを覆う第２のレジスト膜１９を形成し、次いで、第２のレジスト膜１９から露出された部分のシード層１２を除去することにより、シード層除去工程において、配線１０の母材となるめっき膜１７がエッチングされることがなくなるため、配線１０の厚さ及び幅を略所定の厚さ及び幅（設計上の配線１０の厚さ及び幅）にすることができる。
【００３０】
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００３１】
本発明は、シード層の上面に設けられた配線の形成方法に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】従来の配線の形成方法を説明するための図（その１）である。
【図２】従来の配線の形成方法を説明するための図（その２）である。
【図３】従来の配線の形成方法を説明するための図（その３）である。
【図４】従来の配線の形成方法を説明するための図（その４）である。
【図５】従来の配線の形成方法を説明するための図（その５）である。
【図６】本発明の実施の形態に係る配線の形成方法を説明するための図（その１）である。
【図７】本発明の実施の形態に係る配線の形成方法を説明するための図（その２）である。
【図８】本発明の実施の形態に係る配線の形成方法を説明するための図（その３）である。
【図９】本発明の実施の形態に係る配線の形成方法を説明するための図（その４）である。
【図１０】本発明の実施の形態に係る配線の形成方法を説明するための図（その５）である。
【図１１】本発明の実施の形態に係る配線の形成方法を説明するための図（その６）である。
【図１２】本発明の実施の形態に係る配線の形成方法を説明するための図（その７）である。
【符号の説明】
【００３３】
１０ 配線
１１ 絶縁層
１１Ａ，１２Ａ，１７Ａ 上面
１２ シード層
１４ 第１のレジスト膜
１５ 開口部
１７ めっき膜
１７Ｂ 側面
１９ 第２のレジスト膜
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層に形成されたシード層の上面に設けられた配線の形成方法であって、
前記絶縁層の上面を覆う前記シード層を形成するシード層形成工程と、
前記シード層の上面に開口部を有した第１のレジスト膜を形成する第１のレジスト膜形成工程と、
電解めっき法により、前記開口部に前記配線の母材となるめっき膜を形成するめっき膜形成工程と、
前記めっき膜形成工程後に前記第１のレジスト膜を除去する第１のレジスト膜除去工程と、
前記第１のレジスト膜除去工程後に、前記めっき膜の側面及び上面を覆う第２のレジスト膜を形成する第２のレジスト膜形成工程と、
前記第２のレジスト膜から露出された部分の前記シード層を除去するシード層除去工程と、
前記シード層除去工程後に、前記第２のレジスト膜を除去する第２のレジスト膜除去工程と、を含むことを特徴とする配線の形成方法。
【請求項２】
前記第２のレジスト膜の厚さは、前記シード層除去工程後において、前記めっき膜の側面及び上面に前記第２のレジスト膜が残る厚さであることを特徴とする請求項１記載の配線の形成方法。
【請求項１】
絶縁層に形成されたシード層の上面に設けられた配線の形成方法であって、
前記絶縁層の上面を覆う前記シード層を形成するシード層形成工程と、
前記シード層の上面に開口部を有した第１のレジスト膜を形成する第１のレジスト膜形成工程と、
電解めっき法により、前記開口部に前記配線の母材となるめっき膜を形成するめっき膜形成工程と、
前記めっき膜形成工程後に前記第１のレジスト膜を除去する第１のレジスト膜除去工程と、
前記第１のレジスト膜除去工程後に、前記めっき膜の側面及び上面を覆う第２のレジスト膜を形成する第２のレジスト膜形成工程と、
前記第２のレジスト膜から露出された部分の前記シード層を除去するシード層除去工程と、
前記シード層除去工程後に、前記第２のレジスト膜を除去する第２のレジスト膜除去工程と、を含むことを特徴とする配線の形成方法。
【請求項２】
前記第２のレジスト膜の厚さは、前記シード層除去工程後において、前記めっき膜の側面及び上面に前記第２のレジスト膜が残る厚さであることを特徴とする請求項１記載の配線の形成方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２００９−２５３１４７（Ｐ２００９−２５３１４７Ａ）
【公開日】平成２１年１０月２９日（２００９．１０．２９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−１０１４２７（Ｐ２００８−１０１４２７）
【出願日】平成２０年４月９日（２００８．４．９）
【出願人】（０００１９０６８８）新光電気工業株式会社 (1,516)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年１０月２９日（２００９．１０．２９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年４月９日（２００８．４．９）
【出願人】（０００１９０６８８）新光電気工業株式会社 (1,516)
【Ｆターム（参考）】
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