配線板及びその製造方法
【課題】キャビティの底面に形成されたパッドでの電気的接続の信頼性を高める。
【解決手段】配線板１００が、一側に開口するキャビティＲ１と、キャビティＲ１の底面Ｆ１１のキャビティＲ１の壁面Ｆ１２に沿って形成される溝Ｔ１と、キャビティＲ１の底面Ｆ１１の溝Ｔ１よりも壁面Ｆ１２から離れた位置に形成されるパッド１０１と、を有する。また、配線板１００の製造方法が、パッドを含む導体層が主面上に形成された絶縁層を準備することと、絶縁層上及び導体層上に、他の絶縁層から構成されるビルドアップ部を形成することと、ビルドアップ部の上層側からレーザ光を照射することにより、ビルドアップ部の一部を分離可能にするとともに、絶縁層に溝を形成することと、ビルドアップ部の分離可能になった部分を除去することにより、絶縁層のパッド及び溝が形成された面を底面とするキャビティを形成することと、を含む。
【解決手段】配線板１００が、一側に開口するキャビティＲ１と、キャビティＲ１の底面Ｆ１１のキャビティＲ１の壁面Ｆ１２に沿って形成される溝Ｔ１と、キャビティＲ１の底面Ｆ１１の溝Ｔ１よりも壁面Ｆ１２から離れた位置に形成されるパッド１０１と、を有する。また、配線板１００の製造方法が、パッドを含む導体層が主面上に形成された絶縁層を準備することと、絶縁層上及び導体層上に、他の絶縁層から構成されるビルドアップ部を形成することと、ビルドアップ部の上層側からレーザ光を照射することにより、ビルドアップ部の一部を分離可能にするとともに、絶縁層に溝を形成することと、ビルドアップ部の分離可能になった部分を除去することにより、絶縁層のパッド及び溝が形成された面を底面とするキャビティを形成することと、を含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、一側に開口するキャビティが形成され、キャビティの底面に複数のパッドを有する配線板及びその製造方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２６６１９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の配線板では、絶縁層上にビルドアップ部が形成され、そのビルドアップ部にキャビティが形成されている。こうした配線板では、ビルドアップ部を形成する際、ビルドアップ部を構成する各層はプリプレグ（半硬化樹脂）の状態で積層されるため、ビルドアップ部（特に絶縁層上に直接形成される最下層）から樹脂がキャビティ側にはみ出し易い。このため、こうした配線板では、キャビティの底面における、キャビティ壁面近傍の平坦性が低くなり易い。その結果、キャビティの底面に形成されたパッドに電子部品等を電気的に接続する場合において、その電気的接続の信頼性が低下し易くなる。
【０００５】
本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、キャビティの底面に形成されたパッドでの電気的接続の信頼性を高めることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の観点に係る配線板は、一側に開口するキャビティと、前記キャビティの底面の前記キャビティの壁面に沿って形成される溝と、前記キャビティの底面の前記溝よりも前記壁面から離れた位置に形成されるパッドと、を有する。
【０００７】
前記キャビティの底面の非溝部上に、複数の前記パッドと、該複数のパッドにそれぞれ電気的に接続される複数の導体パターンと、を有し、前記複数の導体パターンの各々が前記溝を横切る態様で形成されることにより、前記溝及び前記導体パターンが交互に配置される、ことが好ましい。
【０００８】
前記溝は、前記キャビティの壁面に沿って連続的又は断続的に形成されることにより、前記キャビティの底面の一部領域を囲み、前記パッドは、前記囲まれた一部領域に配置されている、ことが好ましい。
【０００９】
前記キャビティの底面の非溝部上に、ソルダーレジストを有する、ことが好ましい。
【００１０】
前記パッドは、その表面に耐食層を有する、ことが好ましい。
【００１１】
前記耐食層上に、半田を有する、ことが好ましい。
【００１２】
前記一側における前記キャビティ外の面に、他のパッドを有し、前記他のパッドは、その表面に、前記耐食層と同一の材質からなる他の耐食層を有する、ことが好ましい。
【００１３】
２層以上の絶縁層が積層されて構成される積層部を有し、前記キャビティは、前記積層部に形成され、前記キャビティの壁面は、前記積層部の側面に相当する、ことが好ましい。
【００１４】
前記溝は、心材を含むリジッド基板に形成される、ことが好ましい。
【００１５】
前記パッドは、電子部品又は他の配線板と電気的に接続される、ことが好ましい。
【００１６】
本発明の第２の観点に係る配線板の製造方法は、パッドを含む導体層が主面上に形成された絶縁層を準備することと、前記絶縁層上及び前記導体層上に、１層又は２層以上の他の絶縁層から構成されるビルドアップ部を形成することと、前記ビルドアップ部の上層側からレーザ光を照射することにより、前記ビルドアップ部の一部を分離可能にするとともに、前記絶縁層に溝を形成することと、前記ビルドアップ部の前記分離可能になった部分を除去することにより、前記絶縁層の前記パッド及び前記溝が形成された面を底面とするキャビティを形成することと、を含む。
【００１７】
前記導体層は、複数の前記パッドと、該複数のパッドにそれぞれ電気的に接続される複数の導体パターンと、を含んでおり、前記溝及び前記導体パターンが交互に配置されるように、前記溝を形成する、ことが好ましい。
【００１８】
前記レーザ光の照射において、前記溝及び前記導体パターンを交互に形成すべく前記溝を断続的に形成する際には、前記溝を連続的に形成するときよりも前記レーザ光の強度を弱くする、ことが好ましい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、キャビティの底面に形成されたパッドでの電気的接続の信頼性を高めることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施形態に係る配線板の断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る配線板のキャビティ及び溝の形態を示す平面図である。
【図３Ａ】図２に示す配線板の１つのキャビティを拡大して示す平面図である。
【図３Ｂ】図３Ａ中の接続部の拡大図である。
【図４】本発明の実施形態に係る配線板のソルダーレジストの形態を示す図である。
【図５】本発明の実施形態に係る配線板の電極を示す図である。
【図６Ａ】本発明の実施形態に係る配線板に電子部品を実装した例を示す図である。
【図６Ｂ】図６Ａに示す配線板の平面図である。
【図７Ａ】キャビティの底面に溝が形成されない配線板に電子部品を実装する様子を示す図である。
【図７Ｂ】本発明の実施形態に係る配線板に電子部品を実装する様子を示す図である。
【図８】本発明の実施形態に係る配線板の製造方法を示すフローチャートである。
【図９】図８に示す製造方法において、コア基板（主面上に導体層が形成された絶縁層）を準備する工程を説明するための図である。
【図１０】図８に示す製造方法において、内層ソルダーレジストを形成する工程を説明するための図である。
【図１１】図８に示す製造方法において、マスクを形成する工程を説明するための図である。
【図１２Ａ】図８に示す製造方法において、ビルドアップの第１の工程を説明するための図である。
【図１２Ｂ】図８に示す製造方法において、ビルドアップの第２の工程を説明するための図である。
【図１３】図８に示す製造方法において、ビルドアップの第３の工程を説明するための図である。
【図１４】図８に示す製造方法において、外層ソルダーレジストを形成する工程を説明するための図である。
【図１５Ａ】図８に示す製造方法において、レーザ照射工程を説明するための図である。
【図１５Ｂ】図８に示す製造方法において、レーザ照射工程における接続部を拡大して示す図である。
【図１６】図８に示す製造方法において、レーザ照射により形成された溝を示す図である。
【図１７】図８に示す製造方法において、キャビティを形成する工程を説明するための図である。
【図１８】本発明の実施形態に係る配線板において、他の形状を有するキャビティを示す図である。
【図１９】本発明の実施形態に係る配線板において、断続的に溝が形成された別例を示す図である。
【図２０】本発明の実施形態に係る配線板において、溝がキャビティの壁面の一部のみに沿って形成されている別例を示す図である。
【図２１】本発明の実施形態に係る配線板において、溝が描くリングの切れ目に相当する部位にパッドが配置されている別例を示す図である。
【図２２】本発明の実施形態に係る配線板において、接続部における溝と導体パターンとの角度が鋭角又は鈍角である別例を示す図である。
【図２３Ａ】本発明の実施形態に係る配線板において、キャビティが他の深さを有する第１の別例を示す図である。
【図２３Ｂ】本発明の実施形態に係る配線板において、キャビティが他の深さを有する第２の別例を示す図である。
【図２４Ａ】本発明の実施形態に係る配線板において、溝が他の断面形状を有する第１の別例を示す図である。
【図２４Ｂ】本発明の実施形態に係る配線板において、溝が他の断面形状を有する第２の別例を示す図である。
【図２４Ｃ】本発明の実施形態に係る配線板において、溝が他の断面形状を有する第３の別例を示す図である。
【図２４Ｄ】本発明の実施形態に係る配線板において、溝が他の断面形状を有する第４の別例を示す図である。
【図２５】本発明の実施形態に係る配線板において、溝が他の平面形状を有する別例を示す図である。
【図２６】本発明の実施形態に係る配線板において、異なる態様で電子部品が実装された別例を示す図である。
【図２７】本発明の実施形態に係る配線板において、電子部品に代わって配線板が実装されている別例を示す図である。
【図２８】本発明の他の実施形態において、キャビティ底面に形成されたパッドの端子ピッチが外層に向かって広げられる配線板を示す図である。
【図２９】本発明の他の実施形態において、フレックスリジッド配線板を示す図である。
【図３０】本発明の他の実施形態において、片面配線板を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、図中、矢印Ｚ１、Ｚ２は、それぞれ配線板の主面（表裏面）の法線方向に相当する配線板の積層方向（又は配線板の厚み方向）を指す。一方、矢印Ｘ１、Ｘ２及びＹ１、Ｙ２は、それぞれ積層方向に直交する方向（又は各層の側方）を指す。配線板の主面は、Ｘ−Ｙ平面となる。また、配線板の側面は、Ｘ−Ｚ平面又はＹ−Ｚ平面となる。
【００２２】
相反する法線方向を向いた２つの主面を、第１面（Ｚ１側の面）、第２面（Ｚ２側の面）という。積層方向において、コアに近い側を下層（又は内層側）、コアから遠い側を上層（又は外層側）という。また、Ｘ−Ｙ平面において、キャビティ（より詳しくはその重心）から離れる側を外側といい、キャビティに近づく側を内側という。直上は、Ｚ方向（Ｚ１側又はＺ２側）を意味する。
【００２３】
導体層は、全面導体層である場合を除けば、導体部（以下、導体パターンという）と非導体部とで構成される。導体層は、電気回路を構成する導体パターン、例えば配線（グランドも含む）、パッド、又はランド等を含む場合もあれば、電気回路を構成しない平面状の導体パターン等を含む場合もある。また、電子部品や他の配線板を内蔵する配線板では、その電子部品の電極や他の配線板のパッドを、配線板の導体層に含ませるように配置する場合もある。パッドには、外部接続端子のほか、ビア接続端子なども含まれる。
【００２４】
開口部には、孔や溝のほか、切欠や切れ目等も含まれる。孔は貫通孔に限られず、非貫通の孔も含めて、孔という。孔には、ビアホール及びスルーホールが含まれる。以下、ビアホール内（壁面又は底面）に形成される導体をビア導体といい、スルーホール内（壁面）に形成される導体をスルーホール導体という。
【００２５】
めっきには、電解めっき等の湿式めっきのほか、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等の乾式めっきも含まれる。
【００２６】
「準備すること」には、材料や部品を購入して自ら製造することのほかに、完成品を購入して使用することなども含まれる。
【００２７】
「囲む」には、切れ目のないリングで１つの領域を完全に閉じていること（図１８参照）のほか、一部切れ目のあるリングで１つの領域を囲んでいること（図２〜図３Ｂ参照）や、破線状のリングで１つの領域を囲んでいること（図１９参照）なども、含まれる。リングとは、線の両端をつないで出来る平面図形をいい、円だけでなく、多角形なども、リングに含まれる。
【００２８】
本実施形態の配線板１００は、プリント配線板である。配線板１００は、図１に示すように、配線板１０と、絶縁層２０ａ、３０ａ、４０ａ、５０ａ、６０ａ、７０ａと、導体層２１、３１、４１、５１、６１、７１と、ビア導体２２、３２、４２、５２、６２、７２と、を備える。配線板１０は、配線板１００のコア基板となる。以下、配線板１０の表裏面（２つの主面）の一方を第１面Ｆ１、他方を第２面Ｆ２という。
【００２９】
配線板１０は、絶縁層１０ａと、導体層１１ａ、１１ｂと、ビア導体１２と、を有する。導体層１１ａは、絶縁層１０ａの第１面Ｆ１側に形成され、導体層１１ｂは、絶縁層１０ａの第２面Ｆ２側に形成される。絶縁層１０ａには、絶縁層１０ａを貫通するビアホール１２ａが形成されている。ビア導体１２は、例えば銅のめっきがビアホール１２ａに充填されて構成される。絶縁層１０ａに形成される複数のビア導体１２の中には、フィルドスタックＳを構成するビア導体１２１と、キャビティＲ１内のパッド１０１に電気的に接続されるビア導体１２２とが含まれる。パッド１０１は、ビア導体１２２の直上に配置され、ビア導体１２２と直接的に接続される。
【００３０】
配線板１０の第１面Ｆ１側には、ビルドアップ部３０（積層部）が形成され、配線板１０の第２面Ｆ２側には、ビルドアップ部２０が形成される。ビルドアップ部３０は、絶縁層３０ａ、５０ａ、７０ａと、導体層３１、５１、７１と、ソルダーレジスト８１と、から構成される。３層の絶縁層３０ａ、５０ａ、７０ａと３層の導体層３１、５１、７１とは交互に積層され、最下層となる絶縁層３０ａは配線板１０の第１面Ｆ１上に形成され、ソルダーレジスト８１は第１面Ｆ１側の最外層に形成される。また、ビルドアップ部２０は、絶縁層２０ａ、４０ａ、６０ａと、導体層２１、４１、６１と、ソルダーレジスト８２と、から構成される。３層の絶縁層２０ａ、４０ａ、６０ａと３層の導体層２１、４１、６１とは交互に積層され、最下層となる絶縁層２０ａは配線板１０の第２面Ｆ２上に形成され、ソルダーレジスト８２は第２面Ｆ２側の最外層に形成される。絶縁層２０ａ、３０ａ、４０ａ、５０ａ、６０ａ、７０ａはそれぞれ、層間絶縁層に相当する。ソルダーレジスト８１、８２の代わりにカバーレイを用いてもよい。
【００３１】
導体層７１は、第１面Ｆ１側の最外の導体層となり、導体層６１は、第２面Ｆ２側の最外の導体層となる。導体層７１、６１上にはそれぞれ、ソルダーレジスト８１、８２が形成される。ただし、ソルダーレジスト８１、８２にはそれぞれ、開口部８１ａ、８２ａが形成されている。このため、導体層７１の所定の部位（開口部８１ａに位置する部位）は、ソルダーレジスト８１に覆われず露出しており、パッドＰ１となる。また、導体層６１の所定の部位（開口部８２ａに位置する部位）は、パッドＰ２となる。パッドＰ１は、例えば電子部品を実装するための外部接続端子となり、パッドＰ２は、例えば他の配線板と電気的に接続するための外部接続端子となる。ただしこれに限られず、パッドＰ１、Ｐ２の用途は任意である。
【００３２】
絶縁層１０ａは、例えばリジッド基板からなる。絶縁層１０ａは、例えばガラスクロス（心材）にエポキシ樹脂を含浸させたもの（以下、ガラエポという）からなる。心材は、主材料（本実施形態ではエポキシ樹脂）よりも熱膨張率の小さい材料である。心材としては、例えばガラス繊維（例えばガラス布又はガラス不織布）、アラミド繊維（例えばアラミド不織布）、又はシリカフィラー等の無機材料が好ましいと考えられる。ただし、絶縁層１０ａの形状や、厚さ、材料等は、基本的に任意である。例えばエポキシ樹脂に代えて、ポリエステル樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、イミド樹脂（ポリイミド）、フェノール樹脂、又はアリル化フェニレンエーテル樹脂（Ａ−ＰＰＥ樹脂）等を用いてもよい。絶縁層１０ａは、異種材料からなる複数の層から構成されていてもよい。また、絶縁層１０ａは、例えばフレキシブル基板からなってもよい（後述の図２９参照）。
【００３３】
絶縁層２０ａ、３０ａ、４０ａ、５０ａ、６０ａ、７０ａはそれぞれ、例えばエポキシ樹脂からなる。本実施形態では、これら絶縁層２０ａ等が心材を含まない樹脂からなる。ただしこれに限定されず、これら絶縁層２０ａ等の形状や、厚さ、材料等は、基本的に任意である。例えばビルドアップ部２０、３０における上記絶縁層２０ａ等が心材を含んでいてもよい。
【００３４】
導体層１１ａ、１１ｂ、２１、３１、４１、５１、６１、７１はそれぞれ、例えば銅箔及び銅のめっきの２層構造からなる。導体層１１ａ（特にパッド１０１）、導体層７１（特にパッドＰ１）、及び導体層６１（特にパッドＰ２）の構造の詳細については後述する（図５参照）。しかしこれに限定されず、これら導体層１１ａ等の材料は任意である。
【００３５】
ビア導体１２は、例えば銅のめっきからなる。ビア導体１２の形状は、例えばＺ１側に向かって拡径されるようにテーパしたテーパ円柱（円錐台）である。しかしこれに限定されず、ビア導体１２の材料及び形状は任意である。
【００３６】
絶縁層２０ａ、３０ａ、４０ａ、５０ａ、６０ａ、７０ａにはそれぞれ、ビアホール２２ａ、３２ａ、４２ａ、５２ａ、６２ａ、７２ａが形成され、これらビアホール２２ａ等にそれぞれ、例えば銅のめっきが充填されることにより、ビア導体２２、３２、４２、５２、６２、７２が形成される。これらビア導体２２等の形状はそれぞれ、例えば上層に向かって拡径されるようにテーパしたテーパ円柱（円錐台）である。しかしこれに限定されず、これらビア導体２２等の材料や形状は任意である。
【００３７】
配線板１００においては、ビア導体１２（特にビア導体１２１）、及びビア導体２２、３２、４２、５２、６２、７２（いずれもフィルド導体）が、配線板１０の両側（第１面Ｆ１側及び第２面Ｆ２側）で積重されることにより、Ｚ方向に沿ってフィルドスタックＳが延設される。隣接するビア導体同士は密着（接触）し、互いに導通する。フィルドスタックＳは、配線板１００の両面の導体層、すなわち第１面Ｆ１側の導体層７１と第２面Ｆ２側の導体層６１とを相互に電気的に接続する。
【００３８】
フィルドスタックＳは、全層のフィルド導体が積重された構造、いわゆるフルスタック構造になっている。このため、配線スペースの確保が容易になり、配線パターンの設計自由度が高くなる。また、Ｘ方向又はＹ方向の配線を省略できるため、層間接続における配線長の短縮を図ることができる。なお、フィルドスタックＳの配置や数は、任意である。例えばフィルドスタックＳが複数あってもよい。
【００３９】
配線板１００には、配線板１００を貫通するスルーホール１１１ａが形成され、スルーホール１１１ａの壁面に例えば銅のめっきが形成されることにより、スルーホール導体１１１が形成されている。
【００４０】
本実施形態では、図１に示すように、ビルドアップ部３０に、配線板１００の一側（第１面Ｆ１側）に開口するキャビティＲ１が形成されている。また、図２に示すように、本実施形態の配線板１００は、キャビティＲ１のほかにも、配線板１００の一側（第１面Ｆ１側）に開口するキャビティＲ２及びＲ３を有する。キャビティＲ１、Ｒ２、Ｒ３の壁面Ｆ１２、Ｆ２２、Ｆ３２は、ビルドアップ部３０の側面に相当する。キャビティＲ１、Ｒ２、Ｒ３の形状は、略直方体である。なお、配線板１００に形成されるキャビティの数は３つに限られず任意である。また、キャビティの形状も任意である（後述の図１８参照）。
【００４１】
キャビティＲ１は、孔からなる。キャビティＲ２は切欠からなる。キャビティＲ２の壁面の数は３つであり、１辺は開放されている。また、キャビティＲ３は、配線板１００を貫通する孔（スルーホール１１１ａ）とビルドアップ部３０だけを貫通する孔（図１中のキャビティＲ１参照）とが結合して形成される。
【００４２】
キャビティＲ１の底面Ｆ１１には、キャビティＲ１の壁面Ｆ１２の略全部（４辺）に沿って、例えば四角リング状の溝Ｔ１が形成されている。溝Ｔ１は、後述の接続部Ｒ１３（図３Ａ及び図３Ｂ参照）を除いて、連続的に形成される。本実施形態では、溝Ｔ１の形状が、略切れ目のない四角リング状となり、パッド１０１は、溝Ｔ１に囲まれた底面Ｆ１１の一部領域に配置される。また、キャビティＲ２の底面Ｆ２１には、キャビティＲ２の壁面Ｆ２２の全部（３辺）に沿って溝Ｔ２が形成されている。本実施形態では、溝Ｔ２の形状がＵ字状となり、パッド１０２は、溝Ｔ２に囲まれた底面Ｆ２１の一部領域に配置される。また、キャビティＲ３の底面Ｆ３１には、キャビティＲ３の壁面Ｆ３２（スルーホール１１１ａの部分を除く）に沿って溝Ｔ３が形成されている。溝Ｔ３は、スルーホール１１１ａによって途切れている。本実施形態では、溝Ｔ３の形状が、切れ目のある四角リング状となり、パッド１０３は、溝Ｔ３に囲まれた底面Ｆ３１の一部領域に配置される。本実施形態では、絶縁層１０ａ（心材を含むリジッド基板）に、溝Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３が形成される。これにより、心材がある分だけ溝Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３の深さを調節し易くなる。また、パッドの形成や、ソルダーレジストの形成を行う上で、表面の平坦性を確保し易くなる。
【００４３】
溝Ｔ１は、キャビティＲ１の壁面Ｆ１２近傍に形成され、溝Ｔ２は、キャビティＲ２の壁面Ｆ２２近傍に形成され、溝Ｔ３は、キャビティＲ３の壁面Ｆ３２近傍に形成される。配線板１００は、キャビティＲ１の底面Ｆ１１の、溝Ｔ１よりも壁面Ｆ１２から離れた位置にパッド１０１を有し、キャビティＲ２の底面Ｆ２１の、溝Ｔ２よりも壁面Ｆ２２から離れた位置にパッド１０２を有し、キャビティＲ３の底面Ｆ３１の、溝Ｔ３よりも壁面Ｆ３２から離れた位置に、パッド１０３を有する。
【００４４】
図３Ａに、キャビティＲ１を拡大して示す。以下、キャビティＲ１の底面Ｆ１１のうち、溝Ｔ１が形成された領域を溝部Ｒ１１といい、それ以外の領域を非溝部Ｒ１２という。溝部Ｒ１１は、主にキャビティＲ１の外縁に配置され、非溝部Ｒ１２は、主に溝部Ｒ１１の内側に配置される。
【００４５】
配線板１００は、図３Ａに示されるように、溝Ｔ１に囲まれた非溝部Ｒ１２上に、パッド１０１を有する。パッド１０１は、複数のパッド１０１ａ及び複数のパッド１０１ｂを含み、配線板１００は、パッド１０１ｂに電気的に接続される複数の導体パターン１０１ｃを有する。パッド１０１及び導体パターン１０１ｃは、導体層１１ａに含まれる。本実施形態では、導体パターン１０１ｃの各々が、キャビティＲ１内の端子（パッド１０１ｂ）とキャビティＲ１外の他の回路とを互いに電気的に接続する配線に相当する。
【００４６】
キャビティＲ１は、配線板１００の表面から、配線板１０の第１面Ｆ１まで到達する。キャビティＲ１の深さは、キャビティＲ１に収容する部品の高さに応じて決めることが好ましい。ただし、キャビティＲ１が浅いほど配線板１００の反りを低減し易いと考えられる。
【００４７】
本実施形態に係る溝Ｔ１の平面（Ｘ−Ｙ平面）形状は、略均一な幅を有するストレート形状である。また、本実施形態に係る溝Ｔ１の断面（長手方向に直交する断面）形状は、略直角コーナーの四角形状である。すなわち、溝Ｔ１の幅は深さによらず一定である。溝Ｔ１の深さは、例えば約２０μｍである。また、溝Ｔ１（溝部Ｒ１１）の幅Ｄ２は、例えば約１００μｍである。ただし、溝Ｔ１の形状及び寸法は任意である（後述の図２４Ａ〜図２５参照）。
【００４８】
溝Ｔ１に囲まれた非溝部Ｒ１２の幅Ｄ１１／幅Ｄ１２はそれぞれ、キャビティＲ１に収容する部品の大きさに応じて決めることが好ましい。
【００４９】
また、本実施形態では、導体パターン１０１ｃがそれぞれ、Ｘ方向に長いライン状に形成される。これら導体パターン１０１ｃは、互いに近い距離に略平行に形成される。これら導体パターン１０１ｃのＬ／Ｓ（幅／間隔）はそれぞれ、例えば約５０μｍ／約５０μｍである。
【００５０】
導体パターン１０１ｃの各々は、図３Ｂ（図３Ａの拡大図）に示すように、非溝部Ｒ１２に形成される。すなわち、導体パターン１０１ｃの各々は、キャビティＲ１の底面Ｆ１１のうち、溝Ｔ１が形成されていない領域上に形成される。そして、Ｘ方向に長い導体パターン１０１ｃの各々が、Ｙ方向に長い溝Ｔ１を横切る態様で形成されることにより、その横切る部分（以下、接続部Ｒ１３という）においては、溝Ｔ１及び導体パターン１０１ｃが交互に配置されることになる。本実施形態では、溝Ｔ１と導体パターン１０１ｃとが、Ｙ方向に交互に配置される。すなわち、接続部Ｒ１３では、溝Ｔ１が断続的に形成される。また、接続部Ｒ１３においては、溝Ｔ１と導体パターン１０１ｃとが約９０°の角度をなす。ただしこれに限られず、導体パターン１０１ｃが溝Ｔ１を横切る角度は任意である（後述の図２２参照）。
【００５１】
本実施形態では、複数の導体パターン１０１ｃが、溝Ｔ１を隔てて配置されるため、半田ブリッジなどによる、それら導体パターン１０１ｃ間のショートが生じにくくなる。その結果、配線をファイン化し易くなる。
【００５２】
図１及び図４に示すように、配線板１００は、各主面に形成されるソルダーレジスト８１、８２（外層ソルダーレジスト）に加えて、キャビティＲ１の底面Ｆ１１の非溝部Ｒ１２（接続部Ｒ１３を除く）上に、ソルダーレジスト８３（内層ソルダーレジスト）を有する。ソルダーレジスト８３は開口部８３ａを有し、開口部８３ａでパッド１０１が露出する。
【００５３】
本実施形態では、キャビティＲ１の底面Ｆ１１の溝部Ｒ１１、及び接続部Ｒ１３の非溝部Ｒ１２には、ソルダーレジストが形成されない。すなわち、図４に示すように、接続部Ｒ１３の非溝部Ｒ１２においては、導体パターン１０１ｃが露出している。ただし、本実施形態では、導体パターン１０１ｃ間に溝Ｔ１が形成されるため（図３Ｂ参照）、溝Ｔ１によって、導体パターン１０１ｃ間のショートが抑制されると考えられる。
【００５４】
キャビティＲ１の底面に形成されたパッド１０１と、キャビティＲ１外の主面（第１面Ｆ１側の主面）に形成されたパッドＰ１と、反対側の主面（第２面Ｆ２側の主面）に形成されたパッドＰ２とはそれぞれ、図５に示すように、その表面に耐食層１０１３、Ｐ１３、Ｐ２３を有する。詳しくは、パッド１０１は、下層から、銅箔１０１１、めっき層１０１２、及び耐食層１０１３が、この順で積層された３層構造を有する。また、接続部Ｒ１３の非溝部Ｒ１２において露出している導体パターン１０１ｃの一部（図４参照）も、銅箔１０１１、めっき層１０１２、及び耐食層１０１３の３層構造を有する。パッドＰ１は、下層から、銅箔Ｐ１１、めっき層Ｐ１２、及び耐食層Ｐ１３が、この順で積層された３層構造を有する。また、パッドＰ２は、下層から、銅箔Ｐ２１、めっき層Ｐ２２、及び耐食層Ｐ２３が、この順で積層された３層構造を有する。耐食層１０１３、Ｐ１３、Ｐ２３は、互いに同一の材質（Ｎｉ／Ａｕ膜又は有機保護膜等）からなり、電解めっき又はＯＳＰ処理等により形成することができる。なお、導体層１１ａ、６１、７１は、露出面（パッド表面等）にだけ耐食層を有していてもよいし、全体の表面に耐食層を有していてもよい。
【００５５】
キャビティＲ１には、例えば図６Ａに示すように、電極２００ａを有する電子部品２００が収容される。また、キャビティＲ１内のパッド１０１（詳しくは図５に示す耐食層１０１３）上には、半田２００ｂが形成される。そして、パッド１０１と電子部品２００とは、半田２００ｂを介して、互いに電気的に接続される。なお、パッド１０１と電気的に接続されるものは電子部品に限られず任意である（後述の図２７参照）。
【００５６】
電子部品２００は、例えば図６Ｂに示すように、その側面全部（４辺とも）が溝部Ｒ１１に位置するように配置される。キャビティＲ１の壁面Ｆ１２と電子部品２００との隙間Ｄ１０（クリアランスの１／２）は、例えば約２０ｍｍである。ただしこれに限られず、電子部品２００の配置や寸法は任意である（後述の図２６参照）。
【００５７】
本実施形態の配線板１００によれば、隙間Ｄ１０を大きくすることなく、パッド１０１での電気的接続の信頼性を高めることが可能になる。その結果、キャビティＲ１の壁面Ｆ１２と電子部品２００との隙間Ｄ１０（又はクリアランス）を小さくし易くなる。以下、図７Ａ及び図７Ｂを参照して、このことについて説明する。
【００５８】
図７Ａに、キャビティＲ１の底面Ｆ１１に溝Ｔ１が形成されない配線板を示す。こうした配線板では、図７Ａに示されるように、ビルドアップ部３０を構成する樹脂がキャビティＲ１側にはみ出して裾部Ｈ１が形成され易い。キャビティＲ１の底面Ｆ１１のうち、裾部Ｈ１が形成された部分は盛り上がって高くなる。以下、キャビティＲ１の底面Ｆ１１のうち、裾部Ｈ１が形成された領域を凸部Ｒ１０１といい、それ以外の領域を非凸部Ｒ１０２という。
【００５９】
裾部Ｈ１は、キャビティＲ１の壁面Ｆ１２に沿って、不均一な高さで形成され易いため、図７Ａに示す配線板では、キャビティＲ１の底面Ｆ１１における、キャビティＲ１の壁面Ｆ１２近傍の平坦性が低くなり易い。その結果、非凸部Ｒ１０２に形成された図示しないパッド（図１、図２に示すパッド１０１参照）に電子部品２００を実装する際に電子部品２００が裾部Ｈ１に当たってしまい、電子部品２００と実装面（非凸部Ｒ１０２）との距離にばらつきが生じ、電子部品２００が傾いた状態で実装される懸念がある。そしてその結果、キャビティＲ１の底面Ｆ１１に形成されたパッドでの電気的接続の信頼性が低下し易くなる。
【００６０】
こうした課題を解決するため、キャビティＲ１の壁面Ｆ１２と電子部品２００との隙間Ｄ１０（又はクリアランス）を大きくすることも考えられる。しかし、隙間Ｄ１０を大きくする（すなわち、キャビティＲ１を大きくする）と、キャビティＲ１外の主面の面積が小さくなり、配線を形成するためのスペースが少なくなってしまうなど、新たな課題が生じ得る。
【００６１】
この点、図７Ｂに示す本実施形態の配線板１００では、キャビティＲ１の底面Ｆ１１に、キャビティＲ１の壁面Ｆ１２に沿って溝Ｔ１が形成される。そして、キャビティＲ１の底面Ｆ１１の、溝Ｔ１よりも壁面Ｆ１２から離れた位置（非溝部Ｒ１２）に、パッド１０１（図１、図２参照）が形成される。より詳しくは、キャビティＲ１の壁面Ｆ１２近傍に溝Ｔ１が形成され、キャビティＲ１の壁面Ｆ１２とパッド１０１とが、溝Ｔ１を隔てて配置される。このため、キャビティＲ１の壁面Ｆ１２近傍に裾部Ｈ１（凸部）は形成されにくくなり、図７Ｂに示されるように、電子部品２００と実装面（非溝部Ｒ１２）との距離を均一にし易くなる。その結果、パッド１０１での電気的接続の信頼性を高めることが可能になる。こうした構造によれば、隙間Ｄ１０を大きくする必要がないため、キャビティＲ１の壁面Ｆ１２と電子部品２００との隙間Ｄ１０（又はクリアランス）を小さくし易くなる。その結果、キャビティＲ１外の主面に、配線を形成するためのスペースを確保し易くなる。
【００６２】
上記配線板１００は、例えば図８に示すような手順で製造される。
【００６３】
ステップＳ１１では、配線板１０を準備する。配線板１０は、絶縁層１０ａと、導体層１１ａ、１１ｂと、ビア導体１２と、を有する。ビア導体１２は、フィルド導体からなる。
【００６４】
絶縁層１０ａの一側の主面には導体層１１ａが形成され、絶縁層１０ａの他側の主面には導体層１１ｂが形成されている。ただし、導体層１１ａは、絶縁層１０ａの主面（第１面Ｆ１）の、溝部Ｒ１１（図３Ａ参照）に相当する領域上に導体パターンを有さない。その結果、溝部Ｒ１１に相当する領域には、絶縁層１０ａが露出している。
【００６５】
配線板１０は、例えば両面銅張積層板を出発材料として、例えばレーザによりその積層板にビアホールを形成し、続けて、銅のパネルめっきを行った後、例えばリソグラフィ技術により両面の導体層をパターニングすることによって、形成することができる。絶縁層１０ａは、例えば完全に硬化したガラエポからなる。
【００６６】
続けて、図８のステップＳ１２で、例えば図１０に示すように、キャビティＲ１の底面Ｆ１１（特に非溝部Ｒ１２）に相当する領域上に、パッド１０１のためのソルダーレジスト８３（内層ソルダーレジスト）を形成する。ソルダーレジスト８３は、スクリーン印刷、スプレーコーティング、ロールコーティング、又はラミネート等により、形成することができる。なお、この段階では、パッド１０１は耐食層１０１３を有していない。本実施形態では、パッド１０１の耐食層１０１３を、パッドＰ１、Ｐ２の耐食層Ｐ１３、Ｐ２３と同時に形成する。これにより、製造効率が向上する。
【００６７】
続けて、図８のステップＳ１３で、例えば図１１に示すように、ソルダーレジスト８３上にマスク１００１を形成する。マスク１００１は、例えばソルダーレジスト８３と略同じ外形（Ｘ−Ｙ平面）を有する。
【００６８】
続けて、図８のステップＳ１４で、配線板１０の両面にビルドアップを行った後、外層ソルダーレジストを形成する。これにより、配線板１０の第１面Ｆ１上、第２面Ｆ２上にそれぞれ、ビルドアップ部３０、２０が形成される。
【００６９】
具体的には、マスク１００１を設置した後、例えば図１２Ａに示すように、第２面Ｆ２側から、銅箔１００２、絶縁層２０ａ、配線板１０、絶縁層３０ａ、及び銅箔１００３を順に配置する。ここで、絶縁層３０ａはマスク１００１の側方に位置し、絶縁層３０ａの高さがマスク１００１の高さと略一致することで、両者の主面によって略平坦な面が形成される。そして、この略平坦な面上に銅箔１００３が形成される。配線板１０は絶縁層２０ａ及び３０ａによって挟まれ、さらにこれらが、銅箔１００２及び銅箔１００３によって挟まれる。この段階では、絶縁層２０ａ及び３０ａは、プリプレグ（半硬化状態の接着シート）となっている。ただし、プリプレグに代えて、ＲＣＦ（Resin Coated copper Foil）などを用いることもできる。
【００７０】
続けて、上記積層体をＺ方向に加熱プレスする。すなわち、プレス及び加熱処理を同時に行う。プレス及び加熱により、プリプレグ（絶縁層２０ａ、３０ａ）は硬化し、部材同士は付着する。その結果、積層体は一体化する。なお、プレス及び加熱処理は、複数回に分けて行ってもよい。また、加熱処理とプレスとは別々に行ってもよいが、同時に行った方が効率は良い。加熱プレスの後、別途一体化のための加熱処理を行ってもよい。
【００７１】
続けて、例えばレーザにより、絶縁層２０ａにビアホール２２ａが形成され、絶縁層３０ａにビアホール３２ａが形成される（図１２Ｂ参照）。その後、必要に応じて、デスミアを行う。
【００７２】
続けて、例えば銅のパネルめっきにより、銅箔１００２及び１００３上及びビアホール２２ａ及び３２ａ内にめっきを形成した後、例えばリソグラフィ技術により両面の導体層をパターニングする。これにより、図１２Ｂに示すように、ビア導体２２、３２、並びに導体層２１及び３１が形成される。導体層３１は、溝部Ｒ１１に相当する領域の直上（Ｚ方向）に導体パターンを有さない。ビア導体２２、３２の各々は、フィルド導体であり、ビア導体１２の直上（Ｚ方向）に積重される。
【００７３】
続けて、第１ビルドアップ層（絶縁層２０ａ及び３０ａ、導体層２１及び３１、ビア導体２２及び３２）と同様にして、図１３に示すように、第２ビルドアップ層（絶縁層４０ａ及び５０ａ、導体層４１及び５１、ビア導体４２及び５２）、第３ビルドアップ層（絶縁層６０ａ及び７０ａ、導体層６１及び７１、ビア導体６２及び７２）を、順に形成する。ただし、導体層６１及び７１を形成するためのパネルめっきに先立って、スルーホール１１１ａを形成する。これにより、その後のパネルめっきにより、スルーホール１１１ａの壁面にスルーホール導体１１１が形成されることになる。
【００７４】
なお、導体層５１及び７１は、溝部Ｒ１１に相当する領域の直上（Ｚ方向）に導体パターンを有さない。すなわち、この段階で、溝部Ｒ１１に相当する領域の直上（Ｚ方向）には、導体（特にレーザ光を反射し易い金属）が存在しない。また、ビア導体４２、５２、６２、７２の各々は、フィルド導体であり、ビア導体１２の直上（Ｚ方向）に積重される。これらは、フィルドスタックＳを構成する。
【００７５】
続けて、図１４に示すように、絶縁層７０ａ、６０ａ上にそれぞれ、開口部８１ａを有するソルダーレジスト８１、開口部８２ａを有するソルダーレジスト８２を形成する。導体層７１、６１はそれぞれ、開口部８１ａ、８２ａに位置する所定の部位（パッドＰ１、Ｐ２及びランド等）を除いて、ソルダーレジスト８１、８２で覆われる。ソルダーレジスト８１及び８２は、例えばスクリーン印刷、スプレーコーティング、ロールコーティング、又はラミネート等により、形成することができる。なお、この段階では、パッドＰ１、Ｐ２は耐食層Ｐ１３、Ｐ２３を有していない。
【００７６】
これにより、配線板１０の第１面Ｆ１上（絶縁層１０ａ上及び導体層１１ａ上）に、絶縁層３０ａ、５０ａ、７０ａ及びソルダーレジスト８１から構成されるビルドアップ部３０が形成され、配線板１０の第２面Ｆ２上（絶縁層１０ａ上及び導体層１１ｂ上）に、絶縁層２０ａ、４０ａ、６０ａ及びソルダーレジスト８２から構成されるビルドアップ部２０が形成される。
【００７７】
続けて、図８のステップＳ１５で、ビルドアップ部３０の上層側から、溝部Ｒ１１にレーザ光を照射する。
【００７８】
具体的には、例えば図１５Ａに示すように、四角形を描くようにレーザ光を照射することにより、ビルドアップ部３０の一部を、その周りの部分から切り取る。この際、レーザ光の照射条件（強度等）は、レーザ光が絶縁層１０ａに届いて所望の深さの溝Ｔ１が形成されるように調整する。レーザ光の照射角度は、例えば配線板１０の第１面Ｆ１に対して略垂直の角度とする。
【００７９】
レーザの照射位置を変える場合には、例えば被照射体を固定してレーザ（厳密にはその照準）を移動させること、又は、逆にレーザ（厳密にはその照準）を固定して被照射体を移動させることが好ましい。レーザを移動させる場合には、例えばガルバノミラーによりレーザを移動させることが好ましい。
【００８０】
接続部Ｒ１３では、図１５Ｂに示すように、複数の導体パターン１０１ｃの各々が溝Ｔ１を横切る態様で形成され、それら溝Ｔ１及び導体パターン１０１ｃが交互に配置されるように、レーザ照射する。
【００８１】
ここで、溝Ｔ１は、接続部Ｒ１３を除いて連続的に形成され、しかも接続部Ｒ１３においては、図１５Ｂに示されるように、金属（本実施形態では銅）からなる導体パターン１０１ｃの間に形成される。金属はレーザ光を反射し易いことから、本実施形態では、マスクレスで、接続部Ｒ１３でも止めずにレーザ照射を行って、溝Ｔ１を形成する。ただし、接続部Ｒ１３において溝Ｔ１を断続的に形成する際には、溝Ｔ１を連続的に形成するとき（接続部Ｒ１３以外のレーザ照射）よりもレーザ光の強度を弱くすることが好ましい。そうすることで、レーザ照射による導体パターン１０１ｃのダメージを軽減し易くなる。接続部Ｒ１３にレーザ光を照射する際には、レーザ光の強度調整（パワー調整）を細かく行うことが好ましい。
【００８２】
なお、本実施形態では、上記レーザ照射を、マスクレスで止めずに行うようにしているが、これに限定されない。例えば上記レーザ照射においては、照射部分のみ開口した遮光マスクを設けた状態で被照射体の全面にレーザ光を照射してもよいし、遮光マスクを用いずに、非照射部分においてはレーザ照射を止めて、照射すべき部位のみにレーザ光を照射するようにしてもよい。
【００８３】
また、レーザ強度（光量）の調整は、パルス制御で行うことが好ましい。具体的には、例えばレーザ強度を変更する場合には、１ショット（１回の照射）あたりのレーザ強度は変えずに、ショット数（照射回数）を変更するようにする。すなわち、１ショットでは所望のレーザ強度が得られない場合には、同じ照射位置に、再度レーザ光を照射する。こうした制御方法によれば、照射条件を変える時間を省略できるため、スループットが向上すると考えられる。ただしこれに限られず、レーザ強度の調整方法は任意である。例えば照射位置ごとに照射条件を決め、照射回数を一定（例えば１つの照射位置につき１ショット）にしてもよい。
【００８４】
上記レーザ照射により、図１６に示すように、ビルドアップ部３０の一部（マスク１００１及びその上の部分）が分離可能になるとともに、配線板１０の第１面Ｆ１（詳しくは絶縁層１０ａの主面）に溝Ｔ１が形成される。以下、ビルドアップ部３０の分離可能になった部分を、蓋部１００４という。本実施形態では、レーザを用いることで、比較的容易にビルドアップ部３０を切断することが可能になる。そのため、ビルドアップ部３０が厚い場合、又はビルドアップ部３０が多層からなる場合などにおいても、溝Ｔ１を形成し易くなる。
【００８５】
続けて、図８のステップＳ１６で、例えば手作業で又はその他の手法で外力を加えて、図１７に示すように、ビルドアップ部３０の蓋部１００４を除去する。これにより、絶縁層１０ａの、パッド１０１及び溝Ｔ１が形成された面（第１面Ｆ１）を底面Ｆ１１とするキャビティＲ１が形成される。また、溝Ｔ１は、キャビティＲ１の壁面Ｆ１２に沿って形成される。また、パッド１０１は、溝Ｔ１よりも壁面Ｆ１２から離れた位置に配置される。
【００８６】
続けて、図８のステップＳ１７で、電解めっき又はスパッタリング等により、各露出面（パッド表面等）に、例えばＮｉ／Ａｕ膜からなる耐食層１０１３、Ｐ１３、Ｐ２３（図５参照）を形成する。また、ＯＳＰ処理を行うことにより、有機保護膜からなる耐食層１０１３、Ｐ１３、Ｐ２３を形成してもよい。これにより、図１及び図５に示したような、表面に耐食層１０１３を有するパッド１０１と、表面に耐食層Ｐ１３、Ｐ２３をそれぞれ有するパッドＰ１、Ｐ２とが、形成される。また、接続部Ｒ１３の非溝部Ｒ１２において露出している導体パターン１０１ｃの一部（図４参照）の表面にも、耐食層１０１３（図５参照）が形成される。
【００８７】
以上説明した工程により、配線板１００（図１、図２）が完成する。本実施形態の製造方法は、配線板１００の製造に適している。こうした製造方法であれば、低コストで、良好な配線板１００が得られる。
【００８８】
以上、本発明の実施形態に係る配線板及びその製造方法について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。
【００８９】
キャビティＲ１の形状は、略直方体に限られず、任意である。例えば図１８に示すように、略円柱のキャビティＲ１であってもよい。
【００９０】
溝Ｔ１は、例えば図１８に示すように、全く切れ目がなく、連続的に形成されていてもよい。この場合、全く切れ目のないリング状の溝Ｔ１で非溝部Ｒ１２が完全に閉じた領域になる。図１８の例では、溝Ｔ１に囲まれた非溝部Ｒ１２（底面Ｆ１１の一部領域）に、パッド１０１が配置される。
【００９１】
また、例えば図１９に示すように、破線状の溝Ｔ１で非溝部Ｒ１２を囲んでもよい。こうした破線状の溝Ｔ１は、例えば溝Ｔ１を形成するためのレーザ照射に先立ち、溝Ｔ１間の非溝部Ｒ１２に、レーザを反射するストッパ１０１ｄ（例えば金属からなる導体パターン）を設けておくことで、容易に形成することができる。ストッパ１０１ｄは、回路を構成しない導体パターンであってもよく、また、回路を構成する導体パターン（配線の一部等）であってもよい。図１９の例では、非溝部Ｒ１２（ストッパ１０１ｄ）が破線状に形成される。また、溝Ｔ１に囲まれた非溝部Ｒ１２（底面Ｆ１１の一部領域）に、パッド１０１が配置される。
【００９２】
上記実施形態では、キャビティＲ１の底面Ｆ１１に、キャビティＲ１の壁面Ｆ１２の略全部に沿って溝Ｔ１が形成されている（図３Ａ参照）。しかしこれに限定されず、例えば図２０に示すように、キャビティＲ１の壁面Ｆ１２の一部（例えば２辺）のみに沿って溝Ｔ１が形成されていてもよい。こうした溝Ｔ１も、上記破線状の溝Ｔ１（図１９）と同様、例えば溝Ｔ１を形成するためのレーザ照射に先立ち、溝Ｔ１を形成しない領域（非溝部Ｒ１２）に、ストッパ１０１ｄ（例えば金属からなる導体パターン）を設けておくことで、容易に形成することができる。
【００９３】
図２０に示すように、パッド１０１は、溝Ｔ１に囲まれた領域（図２０中に破線で示す領域）の外に配置されてもよい。また、図２１に示すように、溝Ｔ１が描くリングの切れ目に相当する部位に、導体パターン１０１ｃと電気的に接続されるパッド１０１ｂが配置されていてもよい。この場合、パッド１０１ｂ間にソルダーレジストが形成されなくても（図４参照）、パッド１０１ｂ間の溝Ｔ１によって、半田ブリッジによるショートが抑制されると考えられる。
【００９４】
接続部Ｒ１３における溝Ｔ１と導体パターン１０１ｃとの角度は、約９０°に限られず、例えば図２２に示すように、鋭角又は鈍角であってもよい。
【００９５】
上記実施形態では、キャビティＲ１がビルドアップ部３０を貫通している。しかしこれに限られず、キャビティＲ１は、ビルドアップ部３０を貫通しない開口部であってもよい。例えば図２３Ａに示すように、キャビティＲ１の底面Ｆ１１が絶縁層３０ａの主面になってもよいし、例えば図２３Ｂに示すように、キャビティＲ１の底面Ｆ１１が絶縁層５０ａの主面になってもよい。また、図２３Ａ又は図２３Ｂに示すように、キャビティＲ１内のパッド１０１が、スタック構造を有するビア導体（ビア導体１２２、３２又はビア導体１２２、３２、５２）と電気的に接続されるようにしてもよい。
【００９６】
溝Ｔ１の断面（長手方向に直交する断面）形状は、略直角コーナーの四角形状に限られず任意である。例えば溝Ｔ１の断面形状は、図２４Ａに示すように、深くなるほど幅が小さくなる略台形であっていてもよいし、図２４Ｂに示すように、深くなるほど幅が大きくなる略台形であっていてもよい。また、溝Ｔ１の断面形状は、図２４Ｃに示すように、略Ｖ形状であってもよいし、図２４Ｄに示すように、略Ｗ形状であってもよい。
【００９７】
本実施形態に係る溝Ｔ１の平面（Ｘ−Ｙ平面）形状は、略均一な幅を有するストレート形状に限られず任意である。溝Ｔ１の平面形状は、例えば図２５に示すように、不均一な幅を有するストレート形状であってもよい。
【００９８】
電子部品２００の側面全部（４辺とも）が溝部Ｒ１１に位置することは必須ではなく、例えば図２６に示すように、電子部品２００の側面の一部（例えば３辺）のみが溝部Ｒ１１に位置していてもよい。
【００９９】
パッド１０１と電気的に接続されるものは電子部品２００（図６Ａ）に限られず、例えば図２７に示すように、他の配線板３００であってもよい。図２７の例では、配線板３００はキャビティＲ１に収容され、配線板３００の外部接続端子３００ａが、半田３００ｂを介して、パッド１０１と電気的に接続される。配線板３００は、例えば各導体層がファインな導体パターンを有することにより、又は導体層間の層間絶縁層が薄くなっていることにより、配線板１００よりも高い密度で導体を有していることが好ましい。
【０１００】
キャビティＲ１に収容される電子部品２００等の実装方法は、半田接続に限られず任意である。例えばワイヤボンディング接続やＡＣＦ（異方性導電膜）接続など、他の手法を用いてもよい。
【０１０１】
その他の点についても、配線板１００の構成、及びその構成要素の種類、性能、寸法、材質、形状、層数、又は配置等は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に変更することができる。
【０１０２】
例えば図２８に示すように、フィルドスタックＳを有していない配線板であってもよい。図２８の例では、ビア導体２２、３２、４２、５２、６２、７２が、外層に向かってパッド１０１の端子ピッチを広げるように配置されている。
【０１０３】
また、図２８に示すように、ビア導体１２がコンフォーマル導体からなり、その内側に絶縁体１２ｂ（例えば樹脂）が充填されてもよい。また、ビア導体１２に代えて、スルーホール導体を用いてもよい。
【０１０４】
例えば図２９に示すように、フレックスリジッド配線板であってもよい。図２９の例では、絶縁層１０ａがフレキシブル基板からなる。
【０１０５】
例えば図３０に示すように、コア基板（絶縁層１０ａ）の片側のみに導体層を有する片面配線板であってもよい。
【０１０６】
例えばビア導体１２、２２、３２、４２、５２、６２、７２はそれぞれ、フィルド導体に限られず、例えばコンフォーマル導体であってもよい。
【０１０７】
また、各導体層、ビア導体、及びスルーホール導体の材料は、上記のものに限定されず、用途等に応じて変更可能である。例えばこれらの導体材料として、銅以外の金属を用いてもよい。各絶縁層の材料も任意である。ただし、層間絶縁層を構成する樹脂としては、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂が好ましい。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂のほか、例えばポリイミド、ＢＴ樹脂、アリル化フェニレンエーテル樹脂（Ａ−ＰＰＥ樹脂）、アラミド樹脂などを用いることができる。また、熱可塑性樹脂としては、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ＰＥＥＫ樹脂、ＰＴＦＥ樹脂（フッ素樹脂）などを用いることができる。これらの材料は、例えば絶縁性、誘電特性、耐熱性、又は機械的特性等の観点から、必要性に応じて選ぶことが望ましい。また、上記樹脂には、添加剤として、硬化剤、安定剤、フィラーなどを含有させることができる。また、各導体層及び各絶縁層等は、異種材料からなる複数の層から構成されていてもよい。
【０１０８】
配線板の製造工程は、図８のフローチャートに示した順序や内容に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に順序や内容を変更することができる。また、用途等に応じて、必要ない工程を割愛してもよい。
【０１０９】
例えばレーザに代えて、湿式又は乾式のエッチングで加工してもよい。エッチングで加工する場合には、予め除去したくない部分をレジスト等で保護しておくことが好ましい。
【０１１０】
また、各導体層の形成方法は任意である。例えばパネルめっき法、パターンめっき法、フルアディティブ法、セミアディティブ（ＳＡＰ）法、サブトラクティブ法、転写法、及びテンティング法のいずれか１つ、又はこれらの２以上を任意に組み合わせた方法で、導体層を形成してもよい。
【０１１１】
上記実施形態や変形例等は、任意に組み合わせることができる。用途等に応じて適切な組み合わせを選ぶことが好ましい。
【０１１２】
以上、本発明の実施形態について説明したが、設計上の都合やその他の要因によって必要となる様々な修正や組み合わせは、「請求項」に記載されている発明や「発明を実施するための形態」に記載されている具体例に対応する発明の範囲に含まれると理解されるべきである。
【産業上の利用可能性】
【０１１３】
本発明に係る配線板は、携帯電話などの回路基板に適している。本発明に係る配線板の製造方法は、そうした配線板の製造に適している。
【符号の説明】
【０１１４】
１０ 配線板
１０ａ 絶縁層
１１ａ、１１ｂ 導体層
１２ ビア導体
１２ａ ビアホール
１２ｂ 絶縁体
２０ ビルドアップ部
３０ ビルドアップ部（積層部）
２０ａ、３０ａ、４０ａ、５０ａ、６０ａ、７０ａ 絶縁層
２１、３１、４１、５１、６１、７１ 導体層
２２、３２、４２、５２、６２、７２ ビア導体
２２ａ、３２ａ、４２ａ、５２ａ、６２ａ、７２ａ ビアホール
８１、８２ ソルダーレジスト
８１ａ、８２ａ 開口部
８３ ソルダーレジスト
８３ａ 開口部
１００ 配線板
１０１、１０２、１０３ パッド
１０１ａ パッド
１０１ｂ パッド
１０１ｃ 導体パターン
１０１ｄ ストッパ
１１１ スルーホール導体
１１１ａ スルーホール
２００ 電子部品
２００ａ 電極
２００ｂ 半田
３００ 配線板
３００ａ 外部接続端子
３００ｂ 半田
１００１ マスク
１００２、１００３ 銅箔
１００４ 蓋部
１０１１ 銅箔
１０１２ 層
１０１３ 耐食層
Ｆ１１、Ｆ２１、Ｆ３１ 底面
Ｆ１２、Ｆ２２、Ｆ３２ 壁面
Ｈ１ 裾部
Ｐ１、Ｐ２ パッド
Ｐ１１、Ｐ２１ 銅箔
Ｐ１２、Ｐ２２ めっき層
Ｐ１３、Ｐ２３ 耐食層
Ｒ１〜Ｒ３ キャビティ
Ｒ１１ 溝部
Ｒ１２ 非溝部
Ｒ１３ 接続部
Ｒ１０１ 凸部
Ｒ１０２ 非凸部
Ｓ フィルドスタック
Ｔ１〜Ｔ３ 溝
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、一側に開口するキャビティが形成され、キャビティの底面に複数のパッドを有する配線板及びその製造方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２６６１９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の配線板では、絶縁層上にビルドアップ部が形成され、そのビルドアップ部にキャビティが形成されている。こうした配線板では、ビルドアップ部を形成する際、ビルドアップ部を構成する各層はプリプレグ（半硬化樹脂）の状態で積層されるため、ビルドアップ部（特に絶縁層上に直接形成される最下層）から樹脂がキャビティ側にはみ出し易い。このため、こうした配線板では、キャビティの底面における、キャビティ壁面近傍の平坦性が低くなり易い。その結果、キャビティの底面に形成されたパッドに電子部品等を電気的に接続する場合において、その電気的接続の信頼性が低下し易くなる。
【０００５】
本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、キャビティの底面に形成されたパッドでの電気的接続の信頼性を高めることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の観点に係る配線板は、一側に開口するキャビティと、前記キャビティの底面の前記キャビティの壁面に沿って形成される溝と、前記キャビティの底面の前記溝よりも前記壁面から離れた位置に形成されるパッドと、を有する。
【０００７】
前記キャビティの底面の非溝部上に、複数の前記パッドと、該複数のパッドにそれぞれ電気的に接続される複数の導体パターンと、を有し、前記複数の導体パターンの各々が前記溝を横切る態様で形成されることにより、前記溝及び前記導体パターンが交互に配置される、ことが好ましい。
【０００８】
前記溝は、前記キャビティの壁面に沿って連続的又は断続的に形成されることにより、前記キャビティの底面の一部領域を囲み、前記パッドは、前記囲まれた一部領域に配置されている、ことが好ましい。
【０００９】
前記キャビティの底面の非溝部上に、ソルダーレジストを有する、ことが好ましい。
【００１０】
前記パッドは、その表面に耐食層を有する、ことが好ましい。
【００１１】
前記耐食層上に、半田を有する、ことが好ましい。
【００１２】
前記一側における前記キャビティ外の面に、他のパッドを有し、前記他のパッドは、その表面に、前記耐食層と同一の材質からなる他の耐食層を有する、ことが好ましい。
【００１３】
２層以上の絶縁層が積層されて構成される積層部を有し、前記キャビティは、前記積層部に形成され、前記キャビティの壁面は、前記積層部の側面に相当する、ことが好ましい。
【００１４】
前記溝は、心材を含むリジッド基板に形成される、ことが好ましい。
【００１５】
前記パッドは、電子部品又は他の配線板と電気的に接続される、ことが好ましい。
【００１６】
本発明の第２の観点に係る配線板の製造方法は、パッドを含む導体層が主面上に形成された絶縁層を準備することと、前記絶縁層上及び前記導体層上に、１層又は２層以上の他の絶縁層から構成されるビルドアップ部を形成することと、前記ビルドアップ部の上層側からレーザ光を照射することにより、前記ビルドアップ部の一部を分離可能にするとともに、前記絶縁層に溝を形成することと、前記ビルドアップ部の前記分離可能になった部分を除去することにより、前記絶縁層の前記パッド及び前記溝が形成された面を底面とするキャビティを形成することと、を含む。
【００１７】
前記導体層は、複数の前記パッドと、該複数のパッドにそれぞれ電気的に接続される複数の導体パターンと、を含んでおり、前記溝及び前記導体パターンが交互に配置されるように、前記溝を形成する、ことが好ましい。
【００１８】
前記レーザ光の照射において、前記溝及び前記導体パターンを交互に形成すべく前記溝を断続的に形成する際には、前記溝を連続的に形成するときよりも前記レーザ光の強度を弱くする、ことが好ましい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、キャビティの底面に形成されたパッドでの電気的接続の信頼性を高めることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施形態に係る配線板の断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る配線板のキャビティ及び溝の形態を示す平面図である。
【図３Ａ】図２に示す配線板の１つのキャビティを拡大して示す平面図である。
【図３Ｂ】図３Ａ中の接続部の拡大図である。
【図４】本発明の実施形態に係る配線板のソルダーレジストの形態を示す図である。
【図５】本発明の実施形態に係る配線板の電極を示す図である。
【図６Ａ】本発明の実施形態に係る配線板に電子部品を実装した例を示す図である。
【図６Ｂ】図６Ａに示す配線板の平面図である。
【図７Ａ】キャビティの底面に溝が形成されない配線板に電子部品を実装する様子を示す図である。
【図７Ｂ】本発明の実施形態に係る配線板に電子部品を実装する様子を示す図である。
【図８】本発明の実施形態に係る配線板の製造方法を示すフローチャートである。
【図９】図８に示す製造方法において、コア基板（主面上に導体層が形成された絶縁層）を準備する工程を説明するための図である。
【図１０】図８に示す製造方法において、内層ソルダーレジストを形成する工程を説明するための図である。
【図１１】図８に示す製造方法において、マスクを形成する工程を説明するための図である。
【図１２Ａ】図８に示す製造方法において、ビルドアップの第１の工程を説明するための図である。
【図１２Ｂ】図８に示す製造方法において、ビルドアップの第２の工程を説明するための図である。
【図１３】図８に示す製造方法において、ビルドアップの第３の工程を説明するための図である。
【図１４】図８に示す製造方法において、外層ソルダーレジストを形成する工程を説明するための図である。
【図１５Ａ】図８に示す製造方法において、レーザ照射工程を説明するための図である。
【図１５Ｂ】図８に示す製造方法において、レーザ照射工程における接続部を拡大して示す図である。
【図１６】図８に示す製造方法において、レーザ照射により形成された溝を示す図である。
【図１７】図８に示す製造方法において、キャビティを形成する工程を説明するための図である。
【図１８】本発明の実施形態に係る配線板において、他の形状を有するキャビティを示す図である。
【図１９】本発明の実施形態に係る配線板において、断続的に溝が形成された別例を示す図である。
【図２０】本発明の実施形態に係る配線板において、溝がキャビティの壁面の一部のみに沿って形成されている別例を示す図である。
【図２１】本発明の実施形態に係る配線板において、溝が描くリングの切れ目に相当する部位にパッドが配置されている別例を示す図である。
【図２２】本発明の実施形態に係る配線板において、接続部における溝と導体パターンとの角度が鋭角又は鈍角である別例を示す図である。
【図２３Ａ】本発明の実施形態に係る配線板において、キャビティが他の深さを有する第１の別例を示す図である。
【図２３Ｂ】本発明の実施形態に係る配線板において、キャビティが他の深さを有する第２の別例を示す図である。
【図２４Ａ】本発明の実施形態に係る配線板において、溝が他の断面形状を有する第１の別例を示す図である。
【図２４Ｂ】本発明の実施形態に係る配線板において、溝が他の断面形状を有する第２の別例を示す図である。
【図２４Ｃ】本発明の実施形態に係る配線板において、溝が他の断面形状を有する第３の別例を示す図である。
【図２４Ｄ】本発明の実施形態に係る配線板において、溝が他の断面形状を有する第４の別例を示す図である。
【図２５】本発明の実施形態に係る配線板において、溝が他の平面形状を有する別例を示す図である。
【図２６】本発明の実施形態に係る配線板において、異なる態様で電子部品が実装された別例を示す図である。
【図２７】本発明の実施形態に係る配線板において、電子部品に代わって配線板が実装されている別例を示す図である。
【図２８】本発明の他の実施形態において、キャビティ底面に形成されたパッドの端子ピッチが外層に向かって広げられる配線板を示す図である。
【図２９】本発明の他の実施形態において、フレックスリジッド配線板を示す図である。
【図３０】本発明の他の実施形態において、片面配線板を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、図中、矢印Ｚ１、Ｚ２は、それぞれ配線板の主面（表裏面）の法線方向に相当する配線板の積層方向（又は配線板の厚み方向）を指す。一方、矢印Ｘ１、Ｘ２及びＹ１、Ｙ２は、それぞれ積層方向に直交する方向（又は各層の側方）を指す。配線板の主面は、Ｘ−Ｙ平面となる。また、配線板の側面は、Ｘ−Ｚ平面又はＹ−Ｚ平面となる。
【００２２】
相反する法線方向を向いた２つの主面を、第１面（Ｚ１側の面）、第２面（Ｚ２側の面）という。積層方向において、コアに近い側を下層（又は内層側）、コアから遠い側を上層（又は外層側）という。また、Ｘ−Ｙ平面において、キャビティ（より詳しくはその重心）から離れる側を外側といい、キャビティに近づく側を内側という。直上は、Ｚ方向（Ｚ１側又はＺ２側）を意味する。
【００２３】
導体層は、全面導体層である場合を除けば、導体部（以下、導体パターンという）と非導体部とで構成される。導体層は、電気回路を構成する導体パターン、例えば配線（グランドも含む）、パッド、又はランド等を含む場合もあれば、電気回路を構成しない平面状の導体パターン等を含む場合もある。また、電子部品や他の配線板を内蔵する配線板では、その電子部品の電極や他の配線板のパッドを、配線板の導体層に含ませるように配置する場合もある。パッドには、外部接続端子のほか、ビア接続端子なども含まれる。
【００２４】
開口部には、孔や溝のほか、切欠や切れ目等も含まれる。孔は貫通孔に限られず、非貫通の孔も含めて、孔という。孔には、ビアホール及びスルーホールが含まれる。以下、ビアホール内（壁面又は底面）に形成される導体をビア導体といい、スルーホール内（壁面）に形成される導体をスルーホール導体という。
【００２５】
めっきには、電解めっき等の湿式めっきのほか、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等の乾式めっきも含まれる。
【００２６】
「準備すること」には、材料や部品を購入して自ら製造することのほかに、完成品を購入して使用することなども含まれる。
【００２７】
「囲む」には、切れ目のないリングで１つの領域を完全に閉じていること（図１８参照）のほか、一部切れ目のあるリングで１つの領域を囲んでいること（図２〜図３Ｂ参照）や、破線状のリングで１つの領域を囲んでいること（図１９参照）なども、含まれる。リングとは、線の両端をつないで出来る平面図形をいい、円だけでなく、多角形なども、リングに含まれる。
【００２８】
本実施形態の配線板１００は、プリント配線板である。配線板１００は、図１に示すように、配線板１０と、絶縁層２０ａ、３０ａ、４０ａ、５０ａ、６０ａ、７０ａと、導体層２１、３１、４１、５１、６１、７１と、ビア導体２２、３２、４２、５２、６２、７２と、を備える。配線板１０は、配線板１００のコア基板となる。以下、配線板１０の表裏面（２つの主面）の一方を第１面Ｆ１、他方を第２面Ｆ２という。
【００２９】
配線板１０は、絶縁層１０ａと、導体層１１ａ、１１ｂと、ビア導体１２と、を有する。導体層１１ａは、絶縁層１０ａの第１面Ｆ１側に形成され、導体層１１ｂは、絶縁層１０ａの第２面Ｆ２側に形成される。絶縁層１０ａには、絶縁層１０ａを貫通するビアホール１２ａが形成されている。ビア導体１２は、例えば銅のめっきがビアホール１２ａに充填されて構成される。絶縁層１０ａに形成される複数のビア導体１２の中には、フィルドスタックＳを構成するビア導体１２１と、キャビティＲ１内のパッド１０１に電気的に接続されるビア導体１２２とが含まれる。パッド１０１は、ビア導体１２２の直上に配置され、ビア導体１２２と直接的に接続される。
【００３０】
配線板１０の第１面Ｆ１側には、ビルドアップ部３０（積層部）が形成され、配線板１０の第２面Ｆ２側には、ビルドアップ部２０が形成される。ビルドアップ部３０は、絶縁層３０ａ、５０ａ、７０ａと、導体層３１、５１、７１と、ソルダーレジスト８１と、から構成される。３層の絶縁層３０ａ、５０ａ、７０ａと３層の導体層３１、５１、７１とは交互に積層され、最下層となる絶縁層３０ａは配線板１０の第１面Ｆ１上に形成され、ソルダーレジスト８１は第１面Ｆ１側の最外層に形成される。また、ビルドアップ部２０は、絶縁層２０ａ、４０ａ、６０ａと、導体層２１、４１、６１と、ソルダーレジスト８２と、から構成される。３層の絶縁層２０ａ、４０ａ、６０ａと３層の導体層２１、４１、６１とは交互に積層され、最下層となる絶縁層２０ａは配線板１０の第２面Ｆ２上に形成され、ソルダーレジスト８２は第２面Ｆ２側の最外層に形成される。絶縁層２０ａ、３０ａ、４０ａ、５０ａ、６０ａ、７０ａはそれぞれ、層間絶縁層に相当する。ソルダーレジスト８１、８２の代わりにカバーレイを用いてもよい。
【００３１】
導体層７１は、第１面Ｆ１側の最外の導体層となり、導体層６１は、第２面Ｆ２側の最外の導体層となる。導体層７１、６１上にはそれぞれ、ソルダーレジスト８１、８２が形成される。ただし、ソルダーレジスト８１、８２にはそれぞれ、開口部８１ａ、８２ａが形成されている。このため、導体層７１の所定の部位（開口部８１ａに位置する部位）は、ソルダーレジスト８１に覆われず露出しており、パッドＰ１となる。また、導体層６１の所定の部位（開口部８２ａに位置する部位）は、パッドＰ２となる。パッドＰ１は、例えば電子部品を実装するための外部接続端子となり、パッドＰ２は、例えば他の配線板と電気的に接続するための外部接続端子となる。ただしこれに限られず、パッドＰ１、Ｐ２の用途は任意である。
【００３２】
絶縁層１０ａは、例えばリジッド基板からなる。絶縁層１０ａは、例えばガラスクロス（心材）にエポキシ樹脂を含浸させたもの（以下、ガラエポという）からなる。心材は、主材料（本実施形態ではエポキシ樹脂）よりも熱膨張率の小さい材料である。心材としては、例えばガラス繊維（例えばガラス布又はガラス不織布）、アラミド繊維（例えばアラミド不織布）、又はシリカフィラー等の無機材料が好ましいと考えられる。ただし、絶縁層１０ａの形状や、厚さ、材料等は、基本的に任意である。例えばエポキシ樹脂に代えて、ポリエステル樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、イミド樹脂（ポリイミド）、フェノール樹脂、又はアリル化フェニレンエーテル樹脂（Ａ−ＰＰＥ樹脂）等を用いてもよい。絶縁層１０ａは、異種材料からなる複数の層から構成されていてもよい。また、絶縁層１０ａは、例えばフレキシブル基板からなってもよい（後述の図２９参照）。
【００３３】
絶縁層２０ａ、３０ａ、４０ａ、５０ａ、６０ａ、７０ａはそれぞれ、例えばエポキシ樹脂からなる。本実施形態では、これら絶縁層２０ａ等が心材を含まない樹脂からなる。ただしこれに限定されず、これら絶縁層２０ａ等の形状や、厚さ、材料等は、基本的に任意である。例えばビルドアップ部２０、３０における上記絶縁層２０ａ等が心材を含んでいてもよい。
【００３４】
導体層１１ａ、１１ｂ、２１、３１、４１、５１、６１、７１はそれぞれ、例えば銅箔及び銅のめっきの２層構造からなる。導体層１１ａ（特にパッド１０１）、導体層７１（特にパッドＰ１）、及び導体層６１（特にパッドＰ２）の構造の詳細については後述する（図５参照）。しかしこれに限定されず、これら導体層１１ａ等の材料は任意である。
【００３５】
ビア導体１２は、例えば銅のめっきからなる。ビア導体１２の形状は、例えばＺ１側に向かって拡径されるようにテーパしたテーパ円柱（円錐台）である。しかしこれに限定されず、ビア導体１２の材料及び形状は任意である。
【００３６】
絶縁層２０ａ、３０ａ、４０ａ、５０ａ、６０ａ、７０ａにはそれぞれ、ビアホール２２ａ、３２ａ、４２ａ、５２ａ、６２ａ、７２ａが形成され、これらビアホール２２ａ等にそれぞれ、例えば銅のめっきが充填されることにより、ビア導体２２、３２、４２、５２、６２、７２が形成される。これらビア導体２２等の形状はそれぞれ、例えば上層に向かって拡径されるようにテーパしたテーパ円柱（円錐台）である。しかしこれに限定されず、これらビア導体２２等の材料や形状は任意である。
【００３７】
配線板１００においては、ビア導体１２（特にビア導体１２１）、及びビア導体２２、３２、４２、５２、６２、７２（いずれもフィルド導体）が、配線板１０の両側（第１面Ｆ１側及び第２面Ｆ２側）で積重されることにより、Ｚ方向に沿ってフィルドスタックＳが延設される。隣接するビア導体同士は密着（接触）し、互いに導通する。フィルドスタックＳは、配線板１００の両面の導体層、すなわち第１面Ｆ１側の導体層７１と第２面Ｆ２側の導体層６１とを相互に電気的に接続する。
【００３８】
フィルドスタックＳは、全層のフィルド導体が積重された構造、いわゆるフルスタック構造になっている。このため、配線スペースの確保が容易になり、配線パターンの設計自由度が高くなる。また、Ｘ方向又はＹ方向の配線を省略できるため、層間接続における配線長の短縮を図ることができる。なお、フィルドスタックＳの配置や数は、任意である。例えばフィルドスタックＳが複数あってもよい。
【００３９】
配線板１００には、配線板１００を貫通するスルーホール１１１ａが形成され、スルーホール１１１ａの壁面に例えば銅のめっきが形成されることにより、スルーホール導体１１１が形成されている。
【００４０】
本実施形態では、図１に示すように、ビルドアップ部３０に、配線板１００の一側（第１面Ｆ１側）に開口するキャビティＲ１が形成されている。また、図２に示すように、本実施形態の配線板１００は、キャビティＲ１のほかにも、配線板１００の一側（第１面Ｆ１側）に開口するキャビティＲ２及びＲ３を有する。キャビティＲ１、Ｒ２、Ｒ３の壁面Ｆ１２、Ｆ２２、Ｆ３２は、ビルドアップ部３０の側面に相当する。キャビティＲ１、Ｒ２、Ｒ３の形状は、略直方体である。なお、配線板１００に形成されるキャビティの数は３つに限られず任意である。また、キャビティの形状も任意である（後述の図１８参照）。
【００４１】
キャビティＲ１は、孔からなる。キャビティＲ２は切欠からなる。キャビティＲ２の壁面の数は３つであり、１辺は開放されている。また、キャビティＲ３は、配線板１００を貫通する孔（スルーホール１１１ａ）とビルドアップ部３０だけを貫通する孔（図１中のキャビティＲ１参照）とが結合して形成される。
【００４２】
キャビティＲ１の底面Ｆ１１には、キャビティＲ１の壁面Ｆ１２の略全部（４辺）に沿って、例えば四角リング状の溝Ｔ１が形成されている。溝Ｔ１は、後述の接続部Ｒ１３（図３Ａ及び図３Ｂ参照）を除いて、連続的に形成される。本実施形態では、溝Ｔ１の形状が、略切れ目のない四角リング状となり、パッド１０１は、溝Ｔ１に囲まれた底面Ｆ１１の一部領域に配置される。また、キャビティＲ２の底面Ｆ２１には、キャビティＲ２の壁面Ｆ２２の全部（３辺）に沿って溝Ｔ２が形成されている。本実施形態では、溝Ｔ２の形状がＵ字状となり、パッド１０２は、溝Ｔ２に囲まれた底面Ｆ２１の一部領域に配置される。また、キャビティＲ３の底面Ｆ３１には、キャビティＲ３の壁面Ｆ３２（スルーホール１１１ａの部分を除く）に沿って溝Ｔ３が形成されている。溝Ｔ３は、スルーホール１１１ａによって途切れている。本実施形態では、溝Ｔ３の形状が、切れ目のある四角リング状となり、パッド１０３は、溝Ｔ３に囲まれた底面Ｆ３１の一部領域に配置される。本実施形態では、絶縁層１０ａ（心材を含むリジッド基板）に、溝Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３が形成される。これにより、心材がある分だけ溝Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３の深さを調節し易くなる。また、パッドの形成や、ソルダーレジストの形成を行う上で、表面の平坦性を確保し易くなる。
【００４３】
溝Ｔ１は、キャビティＲ１の壁面Ｆ１２近傍に形成され、溝Ｔ２は、キャビティＲ２の壁面Ｆ２２近傍に形成され、溝Ｔ３は、キャビティＲ３の壁面Ｆ３２近傍に形成される。配線板１００は、キャビティＲ１の底面Ｆ１１の、溝Ｔ１よりも壁面Ｆ１２から離れた位置にパッド１０１を有し、キャビティＲ２の底面Ｆ２１の、溝Ｔ２よりも壁面Ｆ２２から離れた位置にパッド１０２を有し、キャビティＲ３の底面Ｆ３１の、溝Ｔ３よりも壁面Ｆ３２から離れた位置に、パッド１０３を有する。
【００４４】
図３Ａに、キャビティＲ１を拡大して示す。以下、キャビティＲ１の底面Ｆ１１のうち、溝Ｔ１が形成された領域を溝部Ｒ１１といい、それ以外の領域を非溝部Ｒ１２という。溝部Ｒ１１は、主にキャビティＲ１の外縁に配置され、非溝部Ｒ１２は、主に溝部Ｒ１１の内側に配置される。
【００４５】
配線板１００は、図３Ａに示されるように、溝Ｔ１に囲まれた非溝部Ｒ１２上に、パッド１０１を有する。パッド１０１は、複数のパッド１０１ａ及び複数のパッド１０１ｂを含み、配線板１００は、パッド１０１ｂに電気的に接続される複数の導体パターン１０１ｃを有する。パッド１０１及び導体パターン１０１ｃは、導体層１１ａに含まれる。本実施形態では、導体パターン１０１ｃの各々が、キャビティＲ１内の端子（パッド１０１ｂ）とキャビティＲ１外の他の回路とを互いに電気的に接続する配線に相当する。
【００４６】
キャビティＲ１は、配線板１００の表面から、配線板１０の第１面Ｆ１まで到達する。キャビティＲ１の深さは、キャビティＲ１に収容する部品の高さに応じて決めることが好ましい。ただし、キャビティＲ１が浅いほど配線板１００の反りを低減し易いと考えられる。
【００４７】
本実施形態に係る溝Ｔ１の平面（Ｘ−Ｙ平面）形状は、略均一な幅を有するストレート形状である。また、本実施形態に係る溝Ｔ１の断面（長手方向に直交する断面）形状は、略直角コーナーの四角形状である。すなわち、溝Ｔ１の幅は深さによらず一定である。溝Ｔ１の深さは、例えば約２０μｍである。また、溝Ｔ１（溝部Ｒ１１）の幅Ｄ２は、例えば約１００μｍである。ただし、溝Ｔ１の形状及び寸法は任意である（後述の図２４Ａ〜図２５参照）。
【００４８】
溝Ｔ１に囲まれた非溝部Ｒ１２の幅Ｄ１１／幅Ｄ１２はそれぞれ、キャビティＲ１に収容する部品の大きさに応じて決めることが好ましい。
【００４９】
また、本実施形態では、導体パターン１０１ｃがそれぞれ、Ｘ方向に長いライン状に形成される。これら導体パターン１０１ｃは、互いに近い距離に略平行に形成される。これら導体パターン１０１ｃのＬ／Ｓ（幅／間隔）はそれぞれ、例えば約５０μｍ／約５０μｍである。
【００５０】
導体パターン１０１ｃの各々は、図３Ｂ（図３Ａの拡大図）に示すように、非溝部Ｒ１２に形成される。すなわち、導体パターン１０１ｃの各々は、キャビティＲ１の底面Ｆ１１のうち、溝Ｔ１が形成されていない領域上に形成される。そして、Ｘ方向に長い導体パターン１０１ｃの各々が、Ｙ方向に長い溝Ｔ１を横切る態様で形成されることにより、その横切る部分（以下、接続部Ｒ１３という）においては、溝Ｔ１及び導体パターン１０１ｃが交互に配置されることになる。本実施形態では、溝Ｔ１と導体パターン１０１ｃとが、Ｙ方向に交互に配置される。すなわち、接続部Ｒ１３では、溝Ｔ１が断続的に形成される。また、接続部Ｒ１３においては、溝Ｔ１と導体パターン１０１ｃとが約９０°の角度をなす。ただしこれに限られず、導体パターン１０１ｃが溝Ｔ１を横切る角度は任意である（後述の図２２参照）。
【００５１】
本実施形態では、複数の導体パターン１０１ｃが、溝Ｔ１を隔てて配置されるため、半田ブリッジなどによる、それら導体パターン１０１ｃ間のショートが生じにくくなる。その結果、配線をファイン化し易くなる。
【００５２】
図１及び図４に示すように、配線板１００は、各主面に形成されるソルダーレジスト８１、８２（外層ソルダーレジスト）に加えて、キャビティＲ１の底面Ｆ１１の非溝部Ｒ１２（接続部Ｒ１３を除く）上に、ソルダーレジスト８３（内層ソルダーレジスト）を有する。ソルダーレジスト８３は開口部８３ａを有し、開口部８３ａでパッド１０１が露出する。
【００５３】
本実施形態では、キャビティＲ１の底面Ｆ１１の溝部Ｒ１１、及び接続部Ｒ１３の非溝部Ｒ１２には、ソルダーレジストが形成されない。すなわち、図４に示すように、接続部Ｒ１３の非溝部Ｒ１２においては、導体パターン１０１ｃが露出している。ただし、本実施形態では、導体パターン１０１ｃ間に溝Ｔ１が形成されるため（図３Ｂ参照）、溝Ｔ１によって、導体パターン１０１ｃ間のショートが抑制されると考えられる。
【００５４】
キャビティＲ１の底面に形成されたパッド１０１と、キャビティＲ１外の主面（第１面Ｆ１側の主面）に形成されたパッドＰ１と、反対側の主面（第２面Ｆ２側の主面）に形成されたパッドＰ２とはそれぞれ、図５に示すように、その表面に耐食層１０１３、Ｐ１３、Ｐ２３を有する。詳しくは、パッド１０１は、下層から、銅箔１０１１、めっき層１０１２、及び耐食層１０１３が、この順で積層された３層構造を有する。また、接続部Ｒ１３の非溝部Ｒ１２において露出している導体パターン１０１ｃの一部（図４参照）も、銅箔１０１１、めっき層１０１２、及び耐食層１０１３の３層構造を有する。パッドＰ１は、下層から、銅箔Ｐ１１、めっき層Ｐ１２、及び耐食層Ｐ１３が、この順で積層された３層構造を有する。また、パッドＰ２は、下層から、銅箔Ｐ２１、めっき層Ｐ２２、及び耐食層Ｐ２３が、この順で積層された３層構造を有する。耐食層１０１３、Ｐ１３、Ｐ２３は、互いに同一の材質（Ｎｉ／Ａｕ膜又は有機保護膜等）からなり、電解めっき又はＯＳＰ処理等により形成することができる。なお、導体層１１ａ、６１、７１は、露出面（パッド表面等）にだけ耐食層を有していてもよいし、全体の表面に耐食層を有していてもよい。
【００５５】
キャビティＲ１には、例えば図６Ａに示すように、電極２００ａを有する電子部品２００が収容される。また、キャビティＲ１内のパッド１０１（詳しくは図５に示す耐食層１０１３）上には、半田２００ｂが形成される。そして、パッド１０１と電子部品２００とは、半田２００ｂを介して、互いに電気的に接続される。なお、パッド１０１と電気的に接続されるものは電子部品に限られず任意である（後述の図２７参照）。
【００５６】
電子部品２００は、例えば図６Ｂに示すように、その側面全部（４辺とも）が溝部Ｒ１１に位置するように配置される。キャビティＲ１の壁面Ｆ１２と電子部品２００との隙間Ｄ１０（クリアランスの１／２）は、例えば約２０ｍｍである。ただしこれに限られず、電子部品２００の配置や寸法は任意である（後述の図２６参照）。
【００５７】
本実施形態の配線板１００によれば、隙間Ｄ１０を大きくすることなく、パッド１０１での電気的接続の信頼性を高めることが可能になる。その結果、キャビティＲ１の壁面Ｆ１２と電子部品２００との隙間Ｄ１０（又はクリアランス）を小さくし易くなる。以下、図７Ａ及び図７Ｂを参照して、このことについて説明する。
【００５８】
図７Ａに、キャビティＲ１の底面Ｆ１１に溝Ｔ１が形成されない配線板を示す。こうした配線板では、図７Ａに示されるように、ビルドアップ部３０を構成する樹脂がキャビティＲ１側にはみ出して裾部Ｈ１が形成され易い。キャビティＲ１の底面Ｆ１１のうち、裾部Ｈ１が形成された部分は盛り上がって高くなる。以下、キャビティＲ１の底面Ｆ１１のうち、裾部Ｈ１が形成された領域を凸部Ｒ１０１といい、それ以外の領域を非凸部Ｒ１０２という。
【００５９】
裾部Ｈ１は、キャビティＲ１の壁面Ｆ１２に沿って、不均一な高さで形成され易いため、図７Ａに示す配線板では、キャビティＲ１の底面Ｆ１１における、キャビティＲ１の壁面Ｆ１２近傍の平坦性が低くなり易い。その結果、非凸部Ｒ１０２に形成された図示しないパッド（図１、図２に示すパッド１０１参照）に電子部品２００を実装する際に電子部品２００が裾部Ｈ１に当たってしまい、電子部品２００と実装面（非凸部Ｒ１０２）との距離にばらつきが生じ、電子部品２００が傾いた状態で実装される懸念がある。そしてその結果、キャビティＲ１の底面Ｆ１１に形成されたパッドでの電気的接続の信頼性が低下し易くなる。
【００６０】
こうした課題を解決するため、キャビティＲ１の壁面Ｆ１２と電子部品２００との隙間Ｄ１０（又はクリアランス）を大きくすることも考えられる。しかし、隙間Ｄ１０を大きくする（すなわち、キャビティＲ１を大きくする）と、キャビティＲ１外の主面の面積が小さくなり、配線を形成するためのスペースが少なくなってしまうなど、新たな課題が生じ得る。
【００６１】
この点、図７Ｂに示す本実施形態の配線板１００では、キャビティＲ１の底面Ｆ１１に、キャビティＲ１の壁面Ｆ１２に沿って溝Ｔ１が形成される。そして、キャビティＲ１の底面Ｆ１１の、溝Ｔ１よりも壁面Ｆ１２から離れた位置（非溝部Ｒ１２）に、パッド１０１（図１、図２参照）が形成される。より詳しくは、キャビティＲ１の壁面Ｆ１２近傍に溝Ｔ１が形成され、キャビティＲ１の壁面Ｆ１２とパッド１０１とが、溝Ｔ１を隔てて配置される。このため、キャビティＲ１の壁面Ｆ１２近傍に裾部Ｈ１（凸部）は形成されにくくなり、図７Ｂに示されるように、電子部品２００と実装面（非溝部Ｒ１２）との距離を均一にし易くなる。その結果、パッド１０１での電気的接続の信頼性を高めることが可能になる。こうした構造によれば、隙間Ｄ１０を大きくする必要がないため、キャビティＲ１の壁面Ｆ１２と電子部品２００との隙間Ｄ１０（又はクリアランス）を小さくし易くなる。その結果、キャビティＲ１外の主面に、配線を形成するためのスペースを確保し易くなる。
【００６２】
上記配線板１００は、例えば図８に示すような手順で製造される。
【００６３】
ステップＳ１１では、配線板１０を準備する。配線板１０は、絶縁層１０ａと、導体層１１ａ、１１ｂと、ビア導体１２と、を有する。ビア導体１２は、フィルド導体からなる。
【００６４】
絶縁層１０ａの一側の主面には導体層１１ａが形成され、絶縁層１０ａの他側の主面には導体層１１ｂが形成されている。ただし、導体層１１ａは、絶縁層１０ａの主面（第１面Ｆ１）の、溝部Ｒ１１（図３Ａ参照）に相当する領域上に導体パターンを有さない。その結果、溝部Ｒ１１に相当する領域には、絶縁層１０ａが露出している。
【００６５】
配線板１０は、例えば両面銅張積層板を出発材料として、例えばレーザによりその積層板にビアホールを形成し、続けて、銅のパネルめっきを行った後、例えばリソグラフィ技術により両面の導体層をパターニングすることによって、形成することができる。絶縁層１０ａは、例えば完全に硬化したガラエポからなる。
【００６６】
続けて、図８のステップＳ１２で、例えば図１０に示すように、キャビティＲ１の底面Ｆ１１（特に非溝部Ｒ１２）に相当する領域上に、パッド１０１のためのソルダーレジスト８３（内層ソルダーレジスト）を形成する。ソルダーレジスト８３は、スクリーン印刷、スプレーコーティング、ロールコーティング、又はラミネート等により、形成することができる。なお、この段階では、パッド１０１は耐食層１０１３を有していない。本実施形態では、パッド１０１の耐食層１０１３を、パッドＰ１、Ｐ２の耐食層Ｐ１３、Ｐ２３と同時に形成する。これにより、製造効率が向上する。
【００６７】
続けて、図８のステップＳ１３で、例えば図１１に示すように、ソルダーレジスト８３上にマスク１００１を形成する。マスク１００１は、例えばソルダーレジスト８３と略同じ外形（Ｘ−Ｙ平面）を有する。
【００６８】
続けて、図８のステップＳ１４で、配線板１０の両面にビルドアップを行った後、外層ソルダーレジストを形成する。これにより、配線板１０の第１面Ｆ１上、第２面Ｆ２上にそれぞれ、ビルドアップ部３０、２０が形成される。
【００６９】
具体的には、マスク１００１を設置した後、例えば図１２Ａに示すように、第２面Ｆ２側から、銅箔１００２、絶縁層２０ａ、配線板１０、絶縁層３０ａ、及び銅箔１００３を順に配置する。ここで、絶縁層３０ａはマスク１００１の側方に位置し、絶縁層３０ａの高さがマスク１００１の高さと略一致することで、両者の主面によって略平坦な面が形成される。そして、この略平坦な面上に銅箔１００３が形成される。配線板１０は絶縁層２０ａ及び３０ａによって挟まれ、さらにこれらが、銅箔１００２及び銅箔１００３によって挟まれる。この段階では、絶縁層２０ａ及び３０ａは、プリプレグ（半硬化状態の接着シート）となっている。ただし、プリプレグに代えて、ＲＣＦ（Resin Coated copper Foil）などを用いることもできる。
【００７０】
続けて、上記積層体をＺ方向に加熱プレスする。すなわち、プレス及び加熱処理を同時に行う。プレス及び加熱により、プリプレグ（絶縁層２０ａ、３０ａ）は硬化し、部材同士は付着する。その結果、積層体は一体化する。なお、プレス及び加熱処理は、複数回に分けて行ってもよい。また、加熱処理とプレスとは別々に行ってもよいが、同時に行った方が効率は良い。加熱プレスの後、別途一体化のための加熱処理を行ってもよい。
【００７１】
続けて、例えばレーザにより、絶縁層２０ａにビアホール２２ａが形成され、絶縁層３０ａにビアホール３２ａが形成される（図１２Ｂ参照）。その後、必要に応じて、デスミアを行う。
【００７２】
続けて、例えば銅のパネルめっきにより、銅箔１００２及び１００３上及びビアホール２２ａ及び３２ａ内にめっきを形成した後、例えばリソグラフィ技術により両面の導体層をパターニングする。これにより、図１２Ｂに示すように、ビア導体２２、３２、並びに導体層２１及び３１が形成される。導体層３１は、溝部Ｒ１１に相当する領域の直上（Ｚ方向）に導体パターンを有さない。ビア導体２２、３２の各々は、フィルド導体であり、ビア導体１２の直上（Ｚ方向）に積重される。
【００７３】
続けて、第１ビルドアップ層（絶縁層２０ａ及び３０ａ、導体層２１及び３１、ビア導体２２及び３２）と同様にして、図１３に示すように、第２ビルドアップ層（絶縁層４０ａ及び５０ａ、導体層４１及び５１、ビア導体４２及び５２）、第３ビルドアップ層（絶縁層６０ａ及び７０ａ、導体層６１及び７１、ビア導体６２及び７２）を、順に形成する。ただし、導体層６１及び７１を形成するためのパネルめっきに先立って、スルーホール１１１ａを形成する。これにより、その後のパネルめっきにより、スルーホール１１１ａの壁面にスルーホール導体１１１が形成されることになる。
【００７４】
なお、導体層５１及び７１は、溝部Ｒ１１に相当する領域の直上（Ｚ方向）に導体パターンを有さない。すなわち、この段階で、溝部Ｒ１１に相当する領域の直上（Ｚ方向）には、導体（特にレーザ光を反射し易い金属）が存在しない。また、ビア導体４２、５２、６２、７２の各々は、フィルド導体であり、ビア導体１２の直上（Ｚ方向）に積重される。これらは、フィルドスタックＳを構成する。
【００７５】
続けて、図１４に示すように、絶縁層７０ａ、６０ａ上にそれぞれ、開口部８１ａを有するソルダーレジスト８１、開口部８２ａを有するソルダーレジスト８２を形成する。導体層７１、６１はそれぞれ、開口部８１ａ、８２ａに位置する所定の部位（パッドＰ１、Ｐ２及びランド等）を除いて、ソルダーレジスト８１、８２で覆われる。ソルダーレジスト８１及び８２は、例えばスクリーン印刷、スプレーコーティング、ロールコーティング、又はラミネート等により、形成することができる。なお、この段階では、パッドＰ１、Ｐ２は耐食層Ｐ１３、Ｐ２３を有していない。
【００７６】
これにより、配線板１０の第１面Ｆ１上（絶縁層１０ａ上及び導体層１１ａ上）に、絶縁層３０ａ、５０ａ、７０ａ及びソルダーレジスト８１から構成されるビルドアップ部３０が形成され、配線板１０の第２面Ｆ２上（絶縁層１０ａ上及び導体層１１ｂ上）に、絶縁層２０ａ、４０ａ、６０ａ及びソルダーレジスト８２から構成されるビルドアップ部２０が形成される。
【００７７】
続けて、図８のステップＳ１５で、ビルドアップ部３０の上層側から、溝部Ｒ１１にレーザ光を照射する。
【００７８】
具体的には、例えば図１５Ａに示すように、四角形を描くようにレーザ光を照射することにより、ビルドアップ部３０の一部を、その周りの部分から切り取る。この際、レーザ光の照射条件（強度等）は、レーザ光が絶縁層１０ａに届いて所望の深さの溝Ｔ１が形成されるように調整する。レーザ光の照射角度は、例えば配線板１０の第１面Ｆ１に対して略垂直の角度とする。
【００７９】
レーザの照射位置を変える場合には、例えば被照射体を固定してレーザ（厳密にはその照準）を移動させること、又は、逆にレーザ（厳密にはその照準）を固定して被照射体を移動させることが好ましい。レーザを移動させる場合には、例えばガルバノミラーによりレーザを移動させることが好ましい。
【００８０】
接続部Ｒ１３では、図１５Ｂに示すように、複数の導体パターン１０１ｃの各々が溝Ｔ１を横切る態様で形成され、それら溝Ｔ１及び導体パターン１０１ｃが交互に配置されるように、レーザ照射する。
【００８１】
ここで、溝Ｔ１は、接続部Ｒ１３を除いて連続的に形成され、しかも接続部Ｒ１３においては、図１５Ｂに示されるように、金属（本実施形態では銅）からなる導体パターン１０１ｃの間に形成される。金属はレーザ光を反射し易いことから、本実施形態では、マスクレスで、接続部Ｒ１３でも止めずにレーザ照射を行って、溝Ｔ１を形成する。ただし、接続部Ｒ１３において溝Ｔ１を断続的に形成する際には、溝Ｔ１を連続的に形成するとき（接続部Ｒ１３以外のレーザ照射）よりもレーザ光の強度を弱くすることが好ましい。そうすることで、レーザ照射による導体パターン１０１ｃのダメージを軽減し易くなる。接続部Ｒ１３にレーザ光を照射する際には、レーザ光の強度調整（パワー調整）を細かく行うことが好ましい。
【００８２】
なお、本実施形態では、上記レーザ照射を、マスクレスで止めずに行うようにしているが、これに限定されない。例えば上記レーザ照射においては、照射部分のみ開口した遮光マスクを設けた状態で被照射体の全面にレーザ光を照射してもよいし、遮光マスクを用いずに、非照射部分においてはレーザ照射を止めて、照射すべき部位のみにレーザ光を照射するようにしてもよい。
【００８３】
また、レーザ強度（光量）の調整は、パルス制御で行うことが好ましい。具体的には、例えばレーザ強度を変更する場合には、１ショット（１回の照射）あたりのレーザ強度は変えずに、ショット数（照射回数）を変更するようにする。すなわち、１ショットでは所望のレーザ強度が得られない場合には、同じ照射位置に、再度レーザ光を照射する。こうした制御方法によれば、照射条件を変える時間を省略できるため、スループットが向上すると考えられる。ただしこれに限られず、レーザ強度の調整方法は任意である。例えば照射位置ごとに照射条件を決め、照射回数を一定（例えば１つの照射位置につき１ショット）にしてもよい。
【００８４】
上記レーザ照射により、図１６に示すように、ビルドアップ部３０の一部（マスク１００１及びその上の部分）が分離可能になるとともに、配線板１０の第１面Ｆ１（詳しくは絶縁層１０ａの主面）に溝Ｔ１が形成される。以下、ビルドアップ部３０の分離可能になった部分を、蓋部１００４という。本実施形態では、レーザを用いることで、比較的容易にビルドアップ部３０を切断することが可能になる。そのため、ビルドアップ部３０が厚い場合、又はビルドアップ部３０が多層からなる場合などにおいても、溝Ｔ１を形成し易くなる。
【００８５】
続けて、図８のステップＳ１６で、例えば手作業で又はその他の手法で外力を加えて、図１７に示すように、ビルドアップ部３０の蓋部１００４を除去する。これにより、絶縁層１０ａの、パッド１０１及び溝Ｔ１が形成された面（第１面Ｆ１）を底面Ｆ１１とするキャビティＲ１が形成される。また、溝Ｔ１は、キャビティＲ１の壁面Ｆ１２に沿って形成される。また、パッド１０１は、溝Ｔ１よりも壁面Ｆ１２から離れた位置に配置される。
【００８６】
続けて、図８のステップＳ１７で、電解めっき又はスパッタリング等により、各露出面（パッド表面等）に、例えばＮｉ／Ａｕ膜からなる耐食層１０１３、Ｐ１３、Ｐ２３（図５参照）を形成する。また、ＯＳＰ処理を行うことにより、有機保護膜からなる耐食層１０１３、Ｐ１３、Ｐ２３を形成してもよい。これにより、図１及び図５に示したような、表面に耐食層１０１３を有するパッド１０１と、表面に耐食層Ｐ１３、Ｐ２３をそれぞれ有するパッドＰ１、Ｐ２とが、形成される。また、接続部Ｒ１３の非溝部Ｒ１２において露出している導体パターン１０１ｃの一部（図４参照）の表面にも、耐食層１０１３（図５参照）が形成される。
【００８７】
以上説明した工程により、配線板１００（図１、図２）が完成する。本実施形態の製造方法は、配線板１００の製造に適している。こうした製造方法であれば、低コストで、良好な配線板１００が得られる。
【００８８】
以上、本発明の実施形態に係る配線板及びその製造方法について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。
【００８９】
キャビティＲ１の形状は、略直方体に限られず、任意である。例えば図１８に示すように、略円柱のキャビティＲ１であってもよい。
【００９０】
溝Ｔ１は、例えば図１８に示すように、全く切れ目がなく、連続的に形成されていてもよい。この場合、全く切れ目のないリング状の溝Ｔ１で非溝部Ｒ１２が完全に閉じた領域になる。図１８の例では、溝Ｔ１に囲まれた非溝部Ｒ１２（底面Ｆ１１の一部領域）に、パッド１０１が配置される。
【００９１】
また、例えば図１９に示すように、破線状の溝Ｔ１で非溝部Ｒ１２を囲んでもよい。こうした破線状の溝Ｔ１は、例えば溝Ｔ１を形成するためのレーザ照射に先立ち、溝Ｔ１間の非溝部Ｒ１２に、レーザを反射するストッパ１０１ｄ（例えば金属からなる導体パターン）を設けておくことで、容易に形成することができる。ストッパ１０１ｄは、回路を構成しない導体パターンであってもよく、また、回路を構成する導体パターン（配線の一部等）であってもよい。図１９の例では、非溝部Ｒ１２（ストッパ１０１ｄ）が破線状に形成される。また、溝Ｔ１に囲まれた非溝部Ｒ１２（底面Ｆ１１の一部領域）に、パッド１０１が配置される。
【００９２】
上記実施形態では、キャビティＲ１の底面Ｆ１１に、キャビティＲ１の壁面Ｆ１２の略全部に沿って溝Ｔ１が形成されている（図３Ａ参照）。しかしこれに限定されず、例えば図２０に示すように、キャビティＲ１の壁面Ｆ１２の一部（例えば２辺）のみに沿って溝Ｔ１が形成されていてもよい。こうした溝Ｔ１も、上記破線状の溝Ｔ１（図１９）と同様、例えば溝Ｔ１を形成するためのレーザ照射に先立ち、溝Ｔ１を形成しない領域（非溝部Ｒ１２）に、ストッパ１０１ｄ（例えば金属からなる導体パターン）を設けておくことで、容易に形成することができる。
【００９３】
図２０に示すように、パッド１０１は、溝Ｔ１に囲まれた領域（図２０中に破線で示す領域）の外に配置されてもよい。また、図２１に示すように、溝Ｔ１が描くリングの切れ目に相当する部位に、導体パターン１０１ｃと電気的に接続されるパッド１０１ｂが配置されていてもよい。この場合、パッド１０１ｂ間にソルダーレジストが形成されなくても（図４参照）、パッド１０１ｂ間の溝Ｔ１によって、半田ブリッジによるショートが抑制されると考えられる。
【００９４】
接続部Ｒ１３における溝Ｔ１と導体パターン１０１ｃとの角度は、約９０°に限られず、例えば図２２に示すように、鋭角又は鈍角であってもよい。
【００９５】
上記実施形態では、キャビティＲ１がビルドアップ部３０を貫通している。しかしこれに限られず、キャビティＲ１は、ビルドアップ部３０を貫通しない開口部であってもよい。例えば図２３Ａに示すように、キャビティＲ１の底面Ｆ１１が絶縁層３０ａの主面になってもよいし、例えば図２３Ｂに示すように、キャビティＲ１の底面Ｆ１１が絶縁層５０ａの主面になってもよい。また、図２３Ａ又は図２３Ｂに示すように、キャビティＲ１内のパッド１０１が、スタック構造を有するビア導体（ビア導体１２２、３２又はビア導体１２２、３２、５２）と電気的に接続されるようにしてもよい。
【００９６】
溝Ｔ１の断面（長手方向に直交する断面）形状は、略直角コーナーの四角形状に限られず任意である。例えば溝Ｔ１の断面形状は、図２４Ａに示すように、深くなるほど幅が小さくなる略台形であっていてもよいし、図２４Ｂに示すように、深くなるほど幅が大きくなる略台形であっていてもよい。また、溝Ｔ１の断面形状は、図２４Ｃに示すように、略Ｖ形状であってもよいし、図２４Ｄに示すように、略Ｗ形状であってもよい。
【００９７】
本実施形態に係る溝Ｔ１の平面（Ｘ−Ｙ平面）形状は、略均一な幅を有するストレート形状に限られず任意である。溝Ｔ１の平面形状は、例えば図２５に示すように、不均一な幅を有するストレート形状であってもよい。
【００９８】
電子部品２００の側面全部（４辺とも）が溝部Ｒ１１に位置することは必須ではなく、例えば図２６に示すように、電子部品２００の側面の一部（例えば３辺）のみが溝部Ｒ１１に位置していてもよい。
【００９９】
パッド１０１と電気的に接続されるものは電子部品２００（図６Ａ）に限られず、例えば図２７に示すように、他の配線板３００であってもよい。図２７の例では、配線板３００はキャビティＲ１に収容され、配線板３００の外部接続端子３００ａが、半田３００ｂを介して、パッド１０１と電気的に接続される。配線板３００は、例えば各導体層がファインな導体パターンを有することにより、又は導体層間の層間絶縁層が薄くなっていることにより、配線板１００よりも高い密度で導体を有していることが好ましい。
【０１００】
キャビティＲ１に収容される電子部品２００等の実装方法は、半田接続に限られず任意である。例えばワイヤボンディング接続やＡＣＦ（異方性導電膜）接続など、他の手法を用いてもよい。
【０１０１】
その他の点についても、配線板１００の構成、及びその構成要素の種類、性能、寸法、材質、形状、層数、又は配置等は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に変更することができる。
【０１０２】
例えば図２８に示すように、フィルドスタックＳを有していない配線板であってもよい。図２８の例では、ビア導体２２、３２、４２、５２、６２、７２が、外層に向かってパッド１０１の端子ピッチを広げるように配置されている。
【０１０３】
また、図２８に示すように、ビア導体１２がコンフォーマル導体からなり、その内側に絶縁体１２ｂ（例えば樹脂）が充填されてもよい。また、ビア導体１２に代えて、スルーホール導体を用いてもよい。
【０１０４】
例えば図２９に示すように、フレックスリジッド配線板であってもよい。図２９の例では、絶縁層１０ａがフレキシブル基板からなる。
【０１０５】
例えば図３０に示すように、コア基板（絶縁層１０ａ）の片側のみに導体層を有する片面配線板であってもよい。
【０１０６】
例えばビア導体１２、２２、３２、４２、５２、６２、７２はそれぞれ、フィルド導体に限られず、例えばコンフォーマル導体であってもよい。
【０１０７】
また、各導体層、ビア導体、及びスルーホール導体の材料は、上記のものに限定されず、用途等に応じて変更可能である。例えばこれらの導体材料として、銅以外の金属を用いてもよい。各絶縁層の材料も任意である。ただし、層間絶縁層を構成する樹脂としては、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂が好ましい。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂のほか、例えばポリイミド、ＢＴ樹脂、アリル化フェニレンエーテル樹脂（Ａ−ＰＰＥ樹脂）、アラミド樹脂などを用いることができる。また、熱可塑性樹脂としては、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ＰＥＥＫ樹脂、ＰＴＦＥ樹脂（フッ素樹脂）などを用いることができる。これらの材料は、例えば絶縁性、誘電特性、耐熱性、又は機械的特性等の観点から、必要性に応じて選ぶことが望ましい。また、上記樹脂には、添加剤として、硬化剤、安定剤、フィラーなどを含有させることができる。また、各導体層及び各絶縁層等は、異種材料からなる複数の層から構成されていてもよい。
【０１０８】
配線板の製造工程は、図８のフローチャートに示した順序や内容に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に順序や内容を変更することができる。また、用途等に応じて、必要ない工程を割愛してもよい。
【０１０９】
例えばレーザに代えて、湿式又は乾式のエッチングで加工してもよい。エッチングで加工する場合には、予め除去したくない部分をレジスト等で保護しておくことが好ましい。
【０１１０】
また、各導体層の形成方法は任意である。例えばパネルめっき法、パターンめっき法、フルアディティブ法、セミアディティブ（ＳＡＰ）法、サブトラクティブ法、転写法、及びテンティング法のいずれか１つ、又はこれらの２以上を任意に組み合わせた方法で、導体層を形成してもよい。
【０１１１】
上記実施形態や変形例等は、任意に組み合わせることができる。用途等に応じて適切な組み合わせを選ぶことが好ましい。
【０１１２】
以上、本発明の実施形態について説明したが、設計上の都合やその他の要因によって必要となる様々な修正や組み合わせは、「請求項」に記載されている発明や「発明を実施するための形態」に記載されている具体例に対応する発明の範囲に含まれると理解されるべきである。
【産業上の利用可能性】
【０１１３】
本発明に係る配線板は、携帯電話などの回路基板に適している。本発明に係る配線板の製造方法は、そうした配線板の製造に適している。
【符号の説明】
【０１１４】
１０ 配線板
１０ａ 絶縁層
１１ａ、１１ｂ 導体層
１２ ビア導体
１２ａ ビアホール
１２ｂ 絶縁体
２０ ビルドアップ部
３０ ビルドアップ部（積層部）
２０ａ、３０ａ、４０ａ、５０ａ、６０ａ、７０ａ 絶縁層
２１、３１、４１、５１、６１、７１ 導体層
２２、３２、４２、５２、６２、７２ ビア導体
２２ａ、３２ａ、４２ａ、５２ａ、６２ａ、７２ａ ビアホール
８１、８２ ソルダーレジスト
８１ａ、８２ａ 開口部
８３ ソルダーレジスト
８３ａ 開口部
１００ 配線板
１０１、１０２、１０３ パッド
１０１ａ パッド
１０１ｂ パッド
１０１ｃ 導体パターン
１０１ｄ ストッパ
１１１ スルーホール導体
１１１ａ スルーホール
２００ 電子部品
２００ａ 電極
２００ｂ 半田
３００ 配線板
３００ａ 外部接続端子
３００ｂ 半田
１００１ マスク
１００２、１００３ 銅箔
１００４ 蓋部
１０１１ 銅箔
１０１２ 層
１０１３ 耐食層
Ｆ１１、Ｆ２１、Ｆ３１ 底面
Ｆ１２、Ｆ２２、Ｆ３２ 壁面
Ｈ１ 裾部
Ｐ１、Ｐ２ パッド
Ｐ１１、Ｐ２１ 銅箔
Ｐ１２、Ｐ２２ めっき層
Ｐ１３、Ｐ２３ 耐食層
Ｒ１〜Ｒ３ キャビティ
Ｒ１１ 溝部
Ｒ１２ 非溝部
Ｒ１３ 接続部
Ｒ１０１ 凸部
Ｒ１０２ 非凸部
Ｓ フィルドスタック
Ｔ１〜Ｔ３ 溝
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一側に開口するキャビティと、
前記キャビティの底面の前記キャビティの壁面に沿って形成される溝と、
前記キャビティの底面の前記溝よりも前記壁面から離れた位置に形成されるパッドと、
を有する、
ことを特徴とする配線板。
【請求項２】
前記キャビティの底面の非溝部上に、複数の前記パッドと、該複数のパッドにそれぞれ電気的に接続される複数の導体パターンと、を有し、
前記複数の導体パターンの各々が前記溝を横切る態様で形成されることにより、前記溝及び前記導体パターンが交互に配置される、
ことを特徴とする請求項１に記載の配線板。
【請求項３】
前記溝は、前記キャビティの壁面に沿って連続的又は断続的に形成されることにより、前記キャビティの底面の一部領域を囲み、
前記パッドは、前記囲まれた一部領域に配置されている、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の配線板。
【請求項４】
前記キャビティの底面の非溝部上に、ソルダーレジストを有する、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項５】
前記パッドは、その表面に耐食層を有する、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項６】
前記耐食層上に、半田を有する、
ことを特徴とする請求項５に記載の配線板。
【請求項７】
前記一側における前記キャビティ外の面に、他のパッドを有し、
前記他のパッドは、その表面に、前記耐食層と同一の材質からなる他の耐食層を有する、
ことを特徴とする請求項５又は６に記載の配線板。
【請求項８】
２層以上の絶縁層が積層されて構成される積層部を有し、
前記キャビティは、前記積層部に形成され、
前記キャビティの壁面は、前記積層部の側面に相当する、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項９】
前記溝は、心材を含むリジッド基板に形成される、
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項１０】
前記パッドは、電子部品又は他の配線板と電気的に接続される、
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項１１】
パッドを含む導体層が主面上に形成された絶縁層を準備することと、
前記絶縁層上及び前記導体層上に、１層又は２層以上の他の絶縁層から構成されるビルドアップ部を形成することと、
前記ビルドアップ部の上層側からレーザ光を照射することにより、前記ビルドアップ部の一部を分離可能にするとともに、前記絶縁層に溝を形成することと、
前記ビルドアップ部の前記分離可能になった部分を除去することにより、前記絶縁層の前記パッド及び前記溝が形成された面を底面とするキャビティを形成することと、
を含む、
ことを特徴とする配線板の製造方法。
【請求項１２】
前記導体層は、複数の前記パッドと、該複数のパッドにそれぞれ電気的に接続される複数の導体パターンと、を含んでおり、前記溝及び前記導体パターンが交互に配置されるように、前記溝を形成する、
ことを特徴とする請求項１１に記載の配線板の製造方法。
【請求項１３】
前記レーザ光の照射において、前記溝及び前記導体パターンを交互に形成すべく前記溝を断続的に形成する際には、前記溝を連続的に形成するときよりも前記レーザ光の強度を弱くする、
ことを特徴とする請求項１２に記載の配線板の製造方法。
【請求項１】
一側に開口するキャビティと、
前記キャビティの底面の前記キャビティの壁面に沿って形成される溝と、
前記キャビティの底面の前記溝よりも前記壁面から離れた位置に形成されるパッドと、
を有する、
ことを特徴とする配線板。
【請求項２】
前記キャビティの底面の非溝部上に、複数の前記パッドと、該複数のパッドにそれぞれ電気的に接続される複数の導体パターンと、を有し、
前記複数の導体パターンの各々が前記溝を横切る態様で形成されることにより、前記溝及び前記導体パターンが交互に配置される、
ことを特徴とする請求項１に記載の配線板。
【請求項３】
前記溝は、前記キャビティの壁面に沿って連続的又は断続的に形成されることにより、前記キャビティの底面の一部領域を囲み、
前記パッドは、前記囲まれた一部領域に配置されている、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の配線板。
【請求項４】
前記キャビティの底面の非溝部上に、ソルダーレジストを有する、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項５】
前記パッドは、その表面に耐食層を有する、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項６】
前記耐食層上に、半田を有する、
ことを特徴とする請求項５に記載の配線板。
【請求項７】
前記一側における前記キャビティ外の面に、他のパッドを有し、
前記他のパッドは、その表面に、前記耐食層と同一の材質からなる他の耐食層を有する、
ことを特徴とする請求項５又は６に記載の配線板。
【請求項８】
２層以上の絶縁層が積層されて構成される積層部を有し、
前記キャビティは、前記積層部に形成され、
前記キャビティの壁面は、前記積層部の側面に相当する、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項９】
前記溝は、心材を含むリジッド基板に形成される、
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項１０】
前記パッドは、電子部品又は他の配線板と電気的に接続される、
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項１１】
パッドを含む導体層が主面上に形成された絶縁層を準備することと、
前記絶縁層上及び前記導体層上に、１層又は２層以上の他の絶縁層から構成されるビルドアップ部を形成することと、
前記ビルドアップ部の上層側からレーザ光を照射することにより、前記ビルドアップ部の一部を分離可能にするとともに、前記絶縁層に溝を形成することと、
前記ビルドアップ部の前記分離可能になった部分を除去することにより、前記絶縁層の前記パッド及び前記溝が形成された面を底面とするキャビティを形成することと、
を含む、
ことを特徴とする配線板の製造方法。
【請求項１２】
前記導体層は、複数の前記パッドと、該複数のパッドにそれぞれ電気的に接続される複数の導体パターンと、を含んでおり、前記溝及び前記導体パターンが交互に配置されるように、前記溝を形成する、
ことを特徴とする請求項１１に記載の配線板の製造方法。
【請求項１３】
前記レーザ光の照射において、前記溝及び前記導体パターンを交互に形成すべく前記溝を断続的に形成する際には、前記溝を連続的に形成するときよりも前記レーザ光の強度を弱くする、
ことを特徴とする請求項１２に記載の配線板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図４】
【図５】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２Ａ】
【図１２Ｂ】
【図１３】
【図１４】
【図１５Ａ】
【図１５Ｂ】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３Ａ】
【図２３Ｂ】
【図２４Ａ】
【図２４Ｂ】
【図２４Ｃ】
【図２４Ｄ】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図４】
【図５】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２Ａ】
【図１２Ｂ】
【図１３】
【図１４】
【図１５Ａ】
【図１５Ｂ】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３Ａ】
【図２３Ｂ】
【図２４Ａ】
【図２４Ｂ】
【図２４Ｃ】
【図２４Ｄ】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【公開番号】特開２０１２−１４６９８３（Ｐ２０１２−１４６９８３Ａ）
【公開日】平成２４年８月２日（２０１２．８．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−３５２８（Ｐ２０１２−３５２８）
【出願日】平成２４年１月１１日（２０１２．１．１１）
【出願人】（００００００１５８）イビデン株式会社 (856)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年８月２日（２０１２．８．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年１月１１日（２０１２．１．１１）
【出願人】（００００００１５８）イビデン株式会社 (856)
【Ｆターム（参考）】
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