電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物及びその製造方法
【課題】 高い電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物であって、主相が組成式ＬｉＳｉ２−ｘＡｌｘＯｘＮ３−ｘで表され、ｘの値が０．２〜０．７であることを特徴とする。
【解決手段】 電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物であって、主相が組成式ＬｉＳｉ２−ｘＡｌｘＯｘＮ３−ｘで表され、ｘの値が０．２〜０．７であることを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アルミニウムと酸素を含む、電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物に関し、リチウム二次電池の電極物質として利用し得る電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
リチウム二次電池は、高いエネルギー密度を持つことから、携帯電話からハイブリッド自動車用のバッテリーまで広く用いられており、取扱い性の向上等のために固体の電解質を使用することが試みられ、リチウムイオン伝導性の高い化合物の提案がなされている。
【０００３】
これらの中でもリチウム（Ｌｉ）、ケイ素（Ｓｉ）、窒素（Ｎ）からなるリチウムケイ素窒化物としては、Ｌｉ：Ｓｉ：Ｎ比が異なる数種の化合物が報告されており、そのうちＬｉ：Ｓｉ：Ｎ比が１：２：３の化合物はイオン伝導性があり、かつ大気中でも安定であることが報告されている（例えば、非特許文献１を参照）。
【０００４】
しかしながら、この組成のリチウムケイ素窒化物は、リチウム２次電池の固体電解質として使用するためにはイオン伝導率が低く、また、これまでに見出されたこの組成のリチウムケイ素窒化物には電子伝導性を有するものはなかった。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】Solid State Ionics２５号183-191頁1987年
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、以上の通りの事情に鑑みてなされたものであり、高い電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物及びその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記の課題を解決するために、以下のことを特徴としている。
【０００８】
即ち、本発明の電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物は、主相が組成式ＬｉＳｉ２−ｘＡｌｘＯｘＮ３−ｘで表され、ｘの値が０．２〜０．７であることを特徴とする。
【０００９】
この電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物において、ｘの値が０．２５〜０．５であることが好ましい。
【００１０】
また、この電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物において、室温で電子伝導率が１．０×１０−２Ｓｃｍ−１以上であることが好ましい。
【００１１】
また、本発明の電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物の製造方法は、以下のステップを含むことを特徴とする。
（ａ）窒化リチウム、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、及び炭酸リチウムを、製造物の組成がＬｉＳｉ２−ｘＡｌｘＯｘＮ３−ｘ（ｘの値が０．２〜０．７）となるように混合するステップ。
（ｂ）混合により得られた混合物を温度範囲１７００〜１８００Ｋ、負荷圧力を１０ＭＰａ以上で焼結するステップ。
【００１２】
この電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物の製造方法において、前記ｘの値が０．２５〜０．５であることが好ましい。
【００１３】
また、この電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物の製造方法において、前記負荷圧力が２０ＭＰａ以上であることが好ましい。
【００１４】
さらに、この電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物の製造方法において、前記混合を、窒化リチウムと反応しない雰囲気で行うことが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、主相を組成式ＬｉＳｉ２−ｘＡｌｘＯｘＮ３−ｘで表され、ｘの値が０．２〜０．７の範囲にあるリチウムケイ素窒化物とすることにより、高い電子伝導性を示すリチウムケイ素窒化物を得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】交流インピーダンス測定により得られたリチウムケイ素窒化物の伝導率の測定温度依存性を示す図である。
【図２】交流インピーダンス測定により得られたＬｉＳｉ２−ｘＡｌｘＯｘＮ３−ｘ（ｘ＝０．５）の伝導率の測定温度依存性を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明の電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物は、主相が組成式ＬｉＳｉ２−ｘＡｌｘＯｘＮ３−ｘで表され、ｘの値が０．２〜０．７、より好ましくは０．２５〜０．５の範囲のものである。
【００１８】
ｘをこの範囲とすることにより、高い電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物とすることができる。
【００１９】
また、上記の本発明のリチウムケイ素窒化物は、室温で１．０×１０−２Ｓｃｍ−１以上の電子伝導性を有するものである。ここで、本発明において室温とは、１０℃以上３０℃以下の温度範囲を示す。
【００２０】
以下に、本発明の高い電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物の製造方法の一実施形態について詳述する。
【００２１】
この本発明の電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物を製造するに当たっては、まず、ｘの値が０．２〜０．７、より好ましくは０．２５〜０．５の範囲の値を持つＬｉＳｉ２−ｘＡｌｘＯｘＮ３−ｘが得られるようにＬｉ３Ｎ、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、Ｌｉ２ＣＯ３を秤量した原料粉末を混合する。
【００２２】
秤量及び混合は、Ｌｉ３Ｎが大気中の物質と反応しないように、高純度の窒素雰囲気中で行う必要があるため、例えば、グローブボックス中で行う。また混合は乳鉢と乳棒を用いて乾式で行う。混合方法としては、ボールミル、遊星ミル等を用いて混合することが可能であるが、この場合であっても、混合容器中を高純度の窒素雰囲気とするか、ミル一式を高純度窒素雰囲気内に設置して行う必要がある。
【００２３】
上記の条件で混合した粉末をカーボンダイスに入れ、ホットプレス焼結（Ｈｏｔ−ｐｒｅｓｓ、以下ＨＰと略称する）する。カーボンダイスとパンチが原料粉末と接する面には、窒化ホウ素粉末塗布を行ったり、あるいは薄い窒化ホウ素板を挟む等、原料粉末とカーボンの反応を極力抑えることが望ましい。
【００２４】
原料粉末を導入したダイスを真空チャンバーにセットし、７．０×１０−３Ｐａよりも高い真空度まで拡散ポンプ等を用いて脱気した後、純度９９．９９％以上の高純度の窒素を導入する。
【００２５】
焼結温度は１７００〜１８００Ｋの範囲、より好ましくは１７７３Ｋ、負荷圧力は１０ＭＰａ以上、より好ましくは２０ＭＰａ以上である。焼結温度、焼結時間は高密度の焼結体が得られれば、リチウムの蒸発を防ぐために低温、短時間が望ましい。
【００２６】
負荷圧力は、用いる治具の強度により適宜決定することができる。なお、付加圧力は高い方が高密度化には有利であるが、カーボン製の治具を用いる際は治具が壊れない１２０ＭＰａ程度を限度とすることが望ましい。
【実施例】
【００２７】
以下に、実施例として、本発明の電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物焼結体の製造方法を具体的に説明するが、本発明は以下の実施例によって何ら限定されるものではない。
［実施例１］
窒化リチウム、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭酸リチウムをＬｉＳｉ２−ｘＡｌｘＯｘＮ３−ｘでｘ＝０．２５となるように秤量し、高純度窒素雰囲気のグローブボックス中で、混合し、この混合粉をカーボンのダイスに入れた。カーボンダイス内壁やパンチが混合粉と接する部分は、窒化ホウ素の粉末でコーティングを施しておいた。
【００２８】
このダイスを真空チャンバーに設置した後、ダイス内部の混合粉に２０ＭＰａの応力が負荷されるように、パンチの上下に荷重を加え、一度、１×１０−３Ｐａ台まで真空排気した後に高純度窒素を導入し、０．１ＭＰａとして、窒素雰囲気中、１．５０×１０３℃で６０分加熱し、その後炉冷した。
【００２９】
その結果、密度２．５ｇ／ｃｍ３の緻密な焼結体が得られた。生成した結晶相をＸ線回折法により測定したところ、ＪＣＰＤＳカード００−０２６−１１８６に記載のＬｉＳｉ２Ｎ３が主相として同定された。しかし、ピーク位置の微妙なシフトから、格子定数が変化しており、ＬｉＳｉ２−ｘＡｌｘＯｘＮ３−ｘで表される固溶体を形成していることが示唆された。
【００３０】
窒素雰囲気中の２９８Ｋから６９０Ｋまでの交流インピーダンス測定により、この焼結体の電子伝導率を測定した。インピーダンス測定より得られた伝導率の測定温度依存性を図１に示す。
【００３１】
プロットを直線で近似し、その傾きからから活性化エネルギーを計算すると３．８ｋＪｍｏｌ−１となった。２９８Ｋでの電子伝導率σは４．９×１０−２Ｓｍ−１であった。Ａｕブロッキング電極を用いて、ＤＣ測定を行ったところ、経時による電流値の減少はなく、この高い伝導は電子伝導によるものであることがわかった。２９８Ｋでの電子伝導率は４．２×１０−２Ｓｍ−１であった。
［実施例２］
窒化リチウム、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭酸リチウムをＬｉＳｉ２−ｘＡｌｘＯｘＮ３−ｘでｘ＝０．５０となるように秤量し、高純度窒素雰囲気のグローブボックス中で混合し、この混合粉をカーボンのダイスに入れた。カーボンダイス内壁やパンチが混合粉と接する部分は、窒化ホウ素の粉末でコーティングを施しておいた。
【００３２】
このダイスを真空チャンバーに設置した後、ダイス内部の混合粉に２０ＭＰａの応力が負荷されるように、パンチの上下に荷重を加え、一度、１×１０−３Ｐａ台まで真空排気した後に高純度窒素を導入し、０．１ＭＰａとした。窒素雰囲気中、１．５０×１０３℃で６０分加熱し、その後炉冷した。その結果、密度２．５ｇ／ｃｍ３の緻密な焼結体が得られた。生成した結晶相をＸ線回折法により測定したところ、実施例１と同様、主相としてＬｉＳｉ２Ｎ３が同定されたが、ピーク位置の微妙なシフトから、格子定数が変化しており、ＬｉＳｉ２−ｘＡｌｘＯｘＮ３−ｘで表される固溶体を形成していることが示唆された。
【００３３】
窒素雰囲気中の２９８Ｋから６９０Ｋまでの交流インピーダンス測定により、この焼結体の電子伝導率を測定した。インピーダンス測定より得られた伝導率の測定温度依存性を図１、図２に示す。プロットを直線で近似し、その傾きからから活性化エネルギーを計算すると３．９ｋＪｍｏｌ−１となった。２９８Ｋでの電子伝導率σは２．４×１０−２Ｓｍ−１であった。Ａｕブロッキング電極を用いて、ＤＣ測定を行ったところ、経時による電流値の減少はなく、この高い伝導率は電子伝導によるものであることがわかった。２９８Ｋでの電子伝導率は２．２×１０−２Ｓｍ−１であった。
［実施例３］
窒化リチウム、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭酸リチウムをＬｉＳｉ２−ｘＡｌｘＯｘＮ３−ｘでｘ＝０．５０となるように秤量し、高純度窒素雰囲気のグローブボックス中で、混合し、この混合粉をカーボンのダイスに入れた。カーボンダイス内壁やパンチが混合粉と接する部分は、窒化ホウ素の粉末でコーティングを施しておいた。
【００３４】
このダイスを真空チャンバーに設置した後、ダイス内部の混合粉に２０ＭＰａの応力が負荷されるように、パンチの上下に荷重を加え、一度、１×１０−３Ｐａ台まで真空排気した後に高純度窒素を導入し、０．１ＭＰａとした。窒素雰囲気中、１．２０×１０３℃で６０分加熱し、その後炉冷した。その結果、密度２．７ｇ／ｃｍ３の緻密な焼結体が得られた。生成した結晶相をＸ線回折法により測定したところ、実施例１、２と同様、主相としてＬｉＳｉ２Ｎ３が同定されたが、ピーク位置の微妙なシフトから、格子定数が変化しており、ＬｉＳｉ２−ｘＡｌｘＯｘＮ３−ｘで表される固溶体を形成していることが示唆された。
【００３５】
窒素雰囲気中の２９８Ｋから６９０Ｋまでの交流インピーダンス測定により、この焼結体の電子伝導率を測定した。２９８Ｋではインピーダンスが装置の測定範囲外となり、測定できなかった。インピーダンス測定より得られた伝導率の測定温度依存性を図２に示す。プロットを直線で近似し、その傾きからから活性化エネルギーを計算すると４．１ｋＪｍｏｌ−１となった。２９８Ｋでの電子伝導率σを計算すると２．２×１０−２Ｓｍ−１であった。Ａｕブロッキング電極を用いて、ＤＣ測定を行ったところ、経時による電流値の減少はなく、この高い伝導は電子伝導によるものであることがわかった。２９８Ｋでの電子伝導率は２．２×１０−２Ｓｍ−１であった。
［比較例１］
窒化リチウム、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭酸リチウムをＬｉＳｉ２−ｘＡｌｘＯｘＮ３−ｘでｘ＝０．５０となるように秤量し、高純度窒素雰囲気のグローブボックス中で混合し、この混合粉をカーボンのダイスに入れた。カーボンダイス内壁やパンチが混合粉と接する部分は、窒化ホウ素の粉末でコーティングを施しておいた。
【００３６】
このダイスを真空チャンバーに設置した後、ダイス内部の混合粉に２０ＭＰａの応力が負荷されるように、パンチの上下に荷重を加え、一度、１×１０−３Ｐａ台まで真空排気した後に高純度窒素を導入し、０．１ＭＰａとした。窒素雰囲気中、１．６０×１０３℃で６０分加熱し、その後炉冷した。その焼結体の密度は２．３ｇ／ｃｍ３にとどまった。
【００３７】
生成した結晶相をＸ線回折法により測定したところ、実施例１〜３と同様、主相としてＬｉＳｉ２Ｎ３が同定されたが、ここでもピーク位置の微妙なシフトから、格子定数が変化しており、ＬｉＳｉ２−ｘＡｌｘＯｘＮ３−ｘで表される固溶体を形成していることが示唆された。
【００３８】
窒素雰囲気中の２９８Ｋから６９０Ｋまでの交流インピーダンス測定により、この焼結体の電子伝導率を測定した。２９８Ｋ、３７３Ｋではインピーダンスが装置の測定範囲外となり、測定できなかった。インピーダンス測定より得られた伝導率の測定温度依存性を図２に示す。プロットを直線で近似し、その傾きからから活性化エネルギーを計算すると６８ｋＪｍｏｌ−１となった。２９８Ｋでの電子伝導率σを計算すると３．９×１０−１０Ｓｍ−１にとどまった。また、ＤＣ測定を行ったところ、電流値は時間と共に急激に減少した。これにより、この焼結体の伝導機構は電子伝導ではなくイオン伝導によるものであることがわかった。
［比較例２］
窒化リチウム、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭酸リチウムをＬｉＳｉ２−ｘＡｌｘＯｘＮ３−ｘでｘ＝０．１０となるように秤量し、高純度窒素雰囲気のグローブボックス中で混合し、この混合粉をカーボンのダイスに入れた。カーボンダイス内壁やパンチが混合粉と接する部分は、窒化ホウ素の粉末でコーティングを施しておいた。
【００３９】
このダイスを真空チャンバーに設置した後、ダイス内部の混合粉に２０ＭＰａの応力が負荷されるように、パンチの上下に荷重を加え、一度、１×１０−３Ｐａ台まで真空排気した後に高純度窒素を導入し、０．１ＭＰａとした。窒素雰囲気中、１．５０×１０３℃で６０分加熱し、その後炉冷した。その焼結体の密度は２．６ｇ／ｃｍ３となった。
【００４０】
生成した結晶相をＸ線回折法により測定したところ、主相はＬｉＳｉ２Ｎ３であった。
【００４１】
窒素雰囲気中の２９８Ｋから６９０Ｋまでの交流インピーダンス測定により、この焼結体の電子伝導率を測定した。交流インピーダンス測定より得られた伝導率の測定温度依存性を図１に示す。プロットを直線で近似し、その傾きからから活性化エネルギーを計算すると６８．６ｋＪｍｏｌ−１となった。２９８Ｋでの電子伝導率σを計算すると３．９×１０−１０Ｓｍ−１にとどまった。また、ＤＣ測定を行ったところ、電流値は時間と共に急激に減少した。これにより、この焼結体の伝導機構は電子伝導ではなくイオン伝導によるものであることがわかった。
［比較例３］
窒化リチウム、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭酸リチウムをＬｉＳｉ２−ｘＡｌｘＯｘＮ３−ｘでｘ＝０．７５となるように秤量し、高純度窒素雰囲気のグローブボックス中で混合した。この混合粉をカーボンのダイスに入れた。カーボンダイス内壁やパンチが混合粉と接する部分は、窒化ホウ素の粉末でコーティングを施しておいた。このダイスを真空チャンバーに設置した後、ダイス内部の混合粉に２０ＭＰａの応力が負荷されるように、パンチの上下に荷重を加え、一度、１×１０−３Ｐａ台まで真空排気した後に高純度窒素を導入し、０．１ＭＰａとした。窒素雰囲気中、１．５０×１０３℃で６０分加熱し、その後炉冷した。その焼結体の密度は２．５ｇ／ｃｍ３となった。生成した結晶相をＸ線回折法により測定したところ、実施例１〜３及び比較例１と同様、主相としてＬｉＳｉ２Ｎ３が同定されたが、比較例３でもピーク位置の微妙なシフトから、格子定数が変化しており、ＬｉＳｉ２−ｘＡｌｘＯｘＮ３−ｘで表される固溶体を形成していることが示唆された。
【００４２】
窒素雰囲気中の２９８Ｋから６９０Ｋまでの交流インピーダンス測定により、この焼結体の電子伝導率を測定した。交流インピーダンス測定より得られたイオン伝導率の測定温度依存性を図１に示す。プロットを直線で近似し、その傾きからから活性化エネルギーを計算すると７６．１ｋＪｍｏｌ−１となった。２９８Ｋでの電子伝導率σを計算すると４．２×１０−１２Ｓｃｍ−１にとどまった。また、ＤＣ測定を行ったところ、電流値は時間と共に急激に減少した。これにより、この焼結体の場合もその伝導機構は電子伝導ではなくイオン伝導によるものであることがわかった。
【００４３】
以上説明した実施例１〜３、比較例１〜３、及び実施例、比較例と同様の方法で作製したｘ＝０及び１の場合の焼結体を参考例１〜３として、それらの測定結果をまとめて表１に示す。また、このようにして得られた焼結体の密度を測定したところ、２．５〜２．７ｇ／ｃｍ３と比較的高い密度であることが確認された。
【００４４】
【表１】
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明はリチウム二次電池の電極に最適であるので、広く応用されることが期待できる。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アルミニウムと酸素を含む、電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物に関し、リチウム二次電池の電極物質として利用し得る電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
リチウム二次電池は、高いエネルギー密度を持つことから、携帯電話からハイブリッド自動車用のバッテリーまで広く用いられており、取扱い性の向上等のために固体の電解質を使用することが試みられ、リチウムイオン伝導性の高い化合物の提案がなされている。
【０００３】
これらの中でもリチウム（Ｌｉ）、ケイ素（Ｓｉ）、窒素（Ｎ）からなるリチウムケイ素窒化物としては、Ｌｉ：Ｓｉ：Ｎ比が異なる数種の化合物が報告されており、そのうちＬｉ：Ｓｉ：Ｎ比が１：２：３の化合物はイオン伝導性があり、かつ大気中でも安定であることが報告されている（例えば、非特許文献１を参照）。
【０００４】
しかしながら、この組成のリチウムケイ素窒化物は、リチウム２次電池の固体電解質として使用するためにはイオン伝導率が低く、また、これまでに見出されたこの組成のリチウムケイ素窒化物には電子伝導性を有するものはなかった。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】Solid State Ionics２５号183-191頁1987年
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、以上の通りの事情に鑑みてなされたものであり、高い電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物及びその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記の課題を解決するために、以下のことを特徴としている。
【０００８】
即ち、本発明の電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物は、主相が組成式ＬｉＳｉ２−ｘＡｌｘＯｘＮ３−ｘで表され、ｘの値が０．２〜０．７であることを特徴とする。
【０００９】
この電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物において、ｘの値が０．２５〜０．５であることが好ましい。
【００１０】
また、この電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物において、室温で電子伝導率が１．０×１０−２Ｓｃｍ−１以上であることが好ましい。
【００１１】
また、本発明の電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物の製造方法は、以下のステップを含むことを特徴とする。
（ａ）窒化リチウム、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、及び炭酸リチウムを、製造物の組成がＬｉＳｉ２−ｘＡｌｘＯｘＮ３−ｘ（ｘの値が０．２〜０．７）となるように混合するステップ。
（ｂ）混合により得られた混合物を温度範囲１７００〜１８００Ｋ、負荷圧力を１０ＭＰａ以上で焼結するステップ。
【００１２】
この電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物の製造方法において、前記ｘの値が０．２５〜０．５であることが好ましい。
【００１３】
また、この電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物の製造方法において、前記負荷圧力が２０ＭＰａ以上であることが好ましい。
【００１４】
さらに、この電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物の製造方法において、前記混合を、窒化リチウムと反応しない雰囲気で行うことが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、主相を組成式ＬｉＳｉ２−ｘＡｌｘＯｘＮ３−ｘで表され、ｘの値が０．２〜０．７の範囲にあるリチウムケイ素窒化物とすることにより、高い電子伝導性を示すリチウムケイ素窒化物を得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】交流インピーダンス測定により得られたリチウムケイ素窒化物の伝導率の測定温度依存性を示す図である。
【図２】交流インピーダンス測定により得られたＬｉＳｉ２−ｘＡｌｘＯｘＮ３−ｘ（ｘ＝０．５）の伝導率の測定温度依存性を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明の電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物は、主相が組成式ＬｉＳｉ２−ｘＡｌｘＯｘＮ３−ｘで表され、ｘの値が０．２〜０．７、より好ましくは０．２５〜０．５の範囲のものである。
【００１８】
ｘをこの範囲とすることにより、高い電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物とすることができる。
【００１９】
また、上記の本発明のリチウムケイ素窒化物は、室温で１．０×１０−２Ｓｃｍ−１以上の電子伝導性を有するものである。ここで、本発明において室温とは、１０℃以上３０℃以下の温度範囲を示す。
【００２０】
以下に、本発明の高い電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物の製造方法の一実施形態について詳述する。
【００２１】
この本発明の電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物を製造するに当たっては、まず、ｘの値が０．２〜０．７、より好ましくは０．２５〜０．５の範囲の値を持つＬｉＳｉ２−ｘＡｌｘＯｘＮ３−ｘが得られるようにＬｉ３Ｎ、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、Ｌｉ２ＣＯ３を秤量した原料粉末を混合する。
【００２２】
秤量及び混合は、Ｌｉ３Ｎが大気中の物質と反応しないように、高純度の窒素雰囲気中で行う必要があるため、例えば、グローブボックス中で行う。また混合は乳鉢と乳棒を用いて乾式で行う。混合方法としては、ボールミル、遊星ミル等を用いて混合することが可能であるが、この場合であっても、混合容器中を高純度の窒素雰囲気とするか、ミル一式を高純度窒素雰囲気内に設置して行う必要がある。
【００２３】
上記の条件で混合した粉末をカーボンダイスに入れ、ホットプレス焼結（Ｈｏｔ−ｐｒｅｓｓ、以下ＨＰと略称する）する。カーボンダイスとパンチが原料粉末と接する面には、窒化ホウ素粉末塗布を行ったり、あるいは薄い窒化ホウ素板を挟む等、原料粉末とカーボンの反応を極力抑えることが望ましい。
【００２４】
原料粉末を導入したダイスを真空チャンバーにセットし、７．０×１０−３Ｐａよりも高い真空度まで拡散ポンプ等を用いて脱気した後、純度９９．９９％以上の高純度の窒素を導入する。
【００２５】
焼結温度は１７００〜１８００Ｋの範囲、より好ましくは１７７３Ｋ、負荷圧力は１０ＭＰａ以上、より好ましくは２０ＭＰａ以上である。焼結温度、焼結時間は高密度の焼結体が得られれば、リチウムの蒸発を防ぐために低温、短時間が望ましい。
【００２６】
負荷圧力は、用いる治具の強度により適宜決定することができる。なお、付加圧力は高い方が高密度化には有利であるが、カーボン製の治具を用いる際は治具が壊れない１２０ＭＰａ程度を限度とすることが望ましい。
【実施例】
【００２７】
以下に、実施例として、本発明の電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物焼結体の製造方法を具体的に説明するが、本発明は以下の実施例によって何ら限定されるものではない。
［実施例１］
窒化リチウム、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭酸リチウムをＬｉＳｉ２−ｘＡｌｘＯｘＮ３−ｘでｘ＝０．２５となるように秤量し、高純度窒素雰囲気のグローブボックス中で、混合し、この混合粉をカーボンのダイスに入れた。カーボンダイス内壁やパンチが混合粉と接する部分は、窒化ホウ素の粉末でコーティングを施しておいた。
【００２８】
このダイスを真空チャンバーに設置した後、ダイス内部の混合粉に２０ＭＰａの応力が負荷されるように、パンチの上下に荷重を加え、一度、１×１０−３Ｐａ台まで真空排気した後に高純度窒素を導入し、０．１ＭＰａとして、窒素雰囲気中、１．５０×１０３℃で６０分加熱し、その後炉冷した。
【００２９】
その結果、密度２．５ｇ／ｃｍ３の緻密な焼結体が得られた。生成した結晶相をＸ線回折法により測定したところ、ＪＣＰＤＳカード００−０２６−１１８６に記載のＬｉＳｉ２Ｎ３が主相として同定された。しかし、ピーク位置の微妙なシフトから、格子定数が変化しており、ＬｉＳｉ２−ｘＡｌｘＯｘＮ３−ｘで表される固溶体を形成していることが示唆された。
【００３０】
窒素雰囲気中の２９８Ｋから６９０Ｋまでの交流インピーダンス測定により、この焼結体の電子伝導率を測定した。インピーダンス測定より得られた伝導率の測定温度依存性を図１に示す。
【００３１】
プロットを直線で近似し、その傾きからから活性化エネルギーを計算すると３．８ｋＪｍｏｌ−１となった。２９８Ｋでの電子伝導率σは４．９×１０−２Ｓｍ−１であった。Ａｕブロッキング電極を用いて、ＤＣ測定を行ったところ、経時による電流値の減少はなく、この高い伝導は電子伝導によるものであることがわかった。２９８Ｋでの電子伝導率は４．２×１０−２Ｓｍ−１であった。
［実施例２］
窒化リチウム、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭酸リチウムをＬｉＳｉ２−ｘＡｌｘＯｘＮ３−ｘでｘ＝０．５０となるように秤量し、高純度窒素雰囲気のグローブボックス中で混合し、この混合粉をカーボンのダイスに入れた。カーボンダイス内壁やパンチが混合粉と接する部分は、窒化ホウ素の粉末でコーティングを施しておいた。
【００３２】
このダイスを真空チャンバーに設置した後、ダイス内部の混合粉に２０ＭＰａの応力が負荷されるように、パンチの上下に荷重を加え、一度、１×１０−３Ｐａ台まで真空排気した後に高純度窒素を導入し、０．１ＭＰａとした。窒素雰囲気中、１．５０×１０３℃で６０分加熱し、その後炉冷した。その結果、密度２．５ｇ／ｃｍ３の緻密な焼結体が得られた。生成した結晶相をＸ線回折法により測定したところ、実施例１と同様、主相としてＬｉＳｉ２Ｎ３が同定されたが、ピーク位置の微妙なシフトから、格子定数が変化しており、ＬｉＳｉ２−ｘＡｌｘＯｘＮ３−ｘで表される固溶体を形成していることが示唆された。
【００３３】
窒素雰囲気中の２９８Ｋから６９０Ｋまでの交流インピーダンス測定により、この焼結体の電子伝導率を測定した。インピーダンス測定より得られた伝導率の測定温度依存性を図１、図２に示す。プロットを直線で近似し、その傾きからから活性化エネルギーを計算すると３．９ｋＪｍｏｌ−１となった。２９８Ｋでの電子伝導率σは２．４×１０−２Ｓｍ−１であった。Ａｕブロッキング電極を用いて、ＤＣ測定を行ったところ、経時による電流値の減少はなく、この高い伝導率は電子伝導によるものであることがわかった。２９８Ｋでの電子伝導率は２．２×１０−２Ｓｍ−１であった。
［実施例３］
窒化リチウム、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭酸リチウムをＬｉＳｉ２−ｘＡｌｘＯｘＮ３−ｘでｘ＝０．５０となるように秤量し、高純度窒素雰囲気のグローブボックス中で、混合し、この混合粉をカーボンのダイスに入れた。カーボンダイス内壁やパンチが混合粉と接する部分は、窒化ホウ素の粉末でコーティングを施しておいた。
【００３４】
このダイスを真空チャンバーに設置した後、ダイス内部の混合粉に２０ＭＰａの応力が負荷されるように、パンチの上下に荷重を加え、一度、１×１０−３Ｐａ台まで真空排気した後に高純度窒素を導入し、０．１ＭＰａとした。窒素雰囲気中、１．２０×１０３℃で６０分加熱し、その後炉冷した。その結果、密度２．７ｇ／ｃｍ３の緻密な焼結体が得られた。生成した結晶相をＸ線回折法により測定したところ、実施例１、２と同様、主相としてＬｉＳｉ２Ｎ３が同定されたが、ピーク位置の微妙なシフトから、格子定数が変化しており、ＬｉＳｉ２−ｘＡｌｘＯｘＮ３−ｘで表される固溶体を形成していることが示唆された。
【００３５】
窒素雰囲気中の２９８Ｋから６９０Ｋまでの交流インピーダンス測定により、この焼結体の電子伝導率を測定した。２９８Ｋではインピーダンスが装置の測定範囲外となり、測定できなかった。インピーダンス測定より得られた伝導率の測定温度依存性を図２に示す。プロットを直線で近似し、その傾きからから活性化エネルギーを計算すると４．１ｋＪｍｏｌ−１となった。２９８Ｋでの電子伝導率σを計算すると２．２×１０−２Ｓｍ−１であった。Ａｕブロッキング電極を用いて、ＤＣ測定を行ったところ、経時による電流値の減少はなく、この高い伝導は電子伝導によるものであることがわかった。２９８Ｋでの電子伝導率は２．２×１０−２Ｓｍ−１であった。
［比較例１］
窒化リチウム、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭酸リチウムをＬｉＳｉ２−ｘＡｌｘＯｘＮ３−ｘでｘ＝０．５０となるように秤量し、高純度窒素雰囲気のグローブボックス中で混合し、この混合粉をカーボンのダイスに入れた。カーボンダイス内壁やパンチが混合粉と接する部分は、窒化ホウ素の粉末でコーティングを施しておいた。
【００３６】
このダイスを真空チャンバーに設置した後、ダイス内部の混合粉に２０ＭＰａの応力が負荷されるように、パンチの上下に荷重を加え、一度、１×１０−３Ｐａ台まで真空排気した後に高純度窒素を導入し、０．１ＭＰａとした。窒素雰囲気中、１．６０×１０３℃で６０分加熱し、その後炉冷した。その焼結体の密度は２．３ｇ／ｃｍ３にとどまった。
【００３７】
生成した結晶相をＸ線回折法により測定したところ、実施例１〜３と同様、主相としてＬｉＳｉ２Ｎ３が同定されたが、ここでもピーク位置の微妙なシフトから、格子定数が変化しており、ＬｉＳｉ２−ｘＡｌｘＯｘＮ３−ｘで表される固溶体を形成していることが示唆された。
【００３８】
窒素雰囲気中の２９８Ｋから６９０Ｋまでの交流インピーダンス測定により、この焼結体の電子伝導率を測定した。２９８Ｋ、３７３Ｋではインピーダンスが装置の測定範囲外となり、測定できなかった。インピーダンス測定より得られた伝導率の測定温度依存性を図２に示す。プロットを直線で近似し、その傾きからから活性化エネルギーを計算すると６８ｋＪｍｏｌ−１となった。２９８Ｋでの電子伝導率σを計算すると３．９×１０−１０Ｓｍ−１にとどまった。また、ＤＣ測定を行ったところ、電流値は時間と共に急激に減少した。これにより、この焼結体の伝導機構は電子伝導ではなくイオン伝導によるものであることがわかった。
［比較例２］
窒化リチウム、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭酸リチウムをＬｉＳｉ２−ｘＡｌｘＯｘＮ３−ｘでｘ＝０．１０となるように秤量し、高純度窒素雰囲気のグローブボックス中で混合し、この混合粉をカーボンのダイスに入れた。カーボンダイス内壁やパンチが混合粉と接する部分は、窒化ホウ素の粉末でコーティングを施しておいた。
【００３９】
このダイスを真空チャンバーに設置した後、ダイス内部の混合粉に２０ＭＰａの応力が負荷されるように、パンチの上下に荷重を加え、一度、１×１０−３Ｐａ台まで真空排気した後に高純度窒素を導入し、０．１ＭＰａとした。窒素雰囲気中、１．５０×１０３℃で６０分加熱し、その後炉冷した。その焼結体の密度は２．６ｇ／ｃｍ３となった。
【００４０】
生成した結晶相をＸ線回折法により測定したところ、主相はＬｉＳｉ２Ｎ３であった。
【００４１】
窒素雰囲気中の２９８Ｋから６９０Ｋまでの交流インピーダンス測定により、この焼結体の電子伝導率を測定した。交流インピーダンス測定より得られた伝導率の測定温度依存性を図１に示す。プロットを直線で近似し、その傾きからから活性化エネルギーを計算すると６８．６ｋＪｍｏｌ−１となった。２９８Ｋでの電子伝導率σを計算すると３．９×１０−１０Ｓｍ−１にとどまった。また、ＤＣ測定を行ったところ、電流値は時間と共に急激に減少した。これにより、この焼結体の伝導機構は電子伝導ではなくイオン伝導によるものであることがわかった。
［比較例３］
窒化リチウム、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭酸リチウムをＬｉＳｉ２−ｘＡｌｘＯｘＮ３−ｘでｘ＝０．７５となるように秤量し、高純度窒素雰囲気のグローブボックス中で混合した。この混合粉をカーボンのダイスに入れた。カーボンダイス内壁やパンチが混合粉と接する部分は、窒化ホウ素の粉末でコーティングを施しておいた。このダイスを真空チャンバーに設置した後、ダイス内部の混合粉に２０ＭＰａの応力が負荷されるように、パンチの上下に荷重を加え、一度、１×１０−３Ｐａ台まで真空排気した後に高純度窒素を導入し、０．１ＭＰａとした。窒素雰囲気中、１．５０×１０３℃で６０分加熱し、その後炉冷した。その焼結体の密度は２．５ｇ／ｃｍ３となった。生成した結晶相をＸ線回折法により測定したところ、実施例１〜３及び比較例１と同様、主相としてＬｉＳｉ２Ｎ３が同定されたが、比較例３でもピーク位置の微妙なシフトから、格子定数が変化しており、ＬｉＳｉ２−ｘＡｌｘＯｘＮ３−ｘで表される固溶体を形成していることが示唆された。
【００４２】
窒素雰囲気中の２９８Ｋから６９０Ｋまでの交流インピーダンス測定により、この焼結体の電子伝導率を測定した。交流インピーダンス測定より得られたイオン伝導率の測定温度依存性を図１に示す。プロットを直線で近似し、その傾きからから活性化エネルギーを計算すると７６．１ｋＪｍｏｌ−１となった。２９８Ｋでの電子伝導率σを計算すると４．２×１０−１２Ｓｃｍ−１にとどまった。また、ＤＣ測定を行ったところ、電流値は時間と共に急激に減少した。これにより、この焼結体の場合もその伝導機構は電子伝導ではなくイオン伝導によるものであることがわかった。
【００４３】
以上説明した実施例１〜３、比較例１〜３、及び実施例、比較例と同様の方法で作製したｘ＝０及び１の場合の焼結体を参考例１〜３として、それらの測定結果をまとめて表１に示す。また、このようにして得られた焼結体の密度を測定したところ、２．５〜２．７ｇ／ｃｍ３と比較的高い密度であることが確認された。
【００４４】
【表１】
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明はリチウム二次電池の電極に最適であるので、広く応用されることが期待できる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主相が組成式ＬｉＳｉ２−ｘＡｌｘＯｘＮ３−ｘで表され、ｘの値が０．２〜０．７であることを特徴とする電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物。
【請求項２】
ｘの値が０．２５〜０．５であることを特徴とする請求項１に記載の電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物。
【請求項３】
室温で電子伝導率が１．０×１０−２Ｓｃｍ−１以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物。
【請求項４】
リチウムケイ素窒化物の製造方法であって、以下のステップを含むことを特徴とする電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物の製造方法。
（ａ）窒化リチウム、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、及び炭酸リチウムを、製造物の組成がＬｉＳｉ２−ｘＡｌｘＯｘＮ３−ｘ（ｘの値が０．２〜０．７）となるように混合するステップ。
（ｂ）混合により得られた混合物を温度範囲１７００〜１８００Ｋ、負荷圧力を１０ＭＰａ以上で焼結するステップ。
【請求項５】
前記ｘの値が０．２５〜０．５であることを特徴とする請求項４に記載の電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物の製造方法。
【請求項６】
前記負荷圧力が２０ＭＰａ以上であることを特徴とする請求項４または５に記載の電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物の製造方法。
【請求項７】
前記混合を、窒化リチウムと反応しない雰囲気で行うことを特徴とする請求項４から６のいずれか一項に記載の電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物の製造方法。
【請求項１】
主相が組成式ＬｉＳｉ２−ｘＡｌｘＯｘＮ３−ｘで表され、ｘの値が０．２〜０．７であることを特徴とする電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物。
【請求項２】
ｘの値が０．２５〜０．５であることを特徴とする請求項１に記載の電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物。
【請求項３】
室温で電子伝導率が１．０×１０−２Ｓｃｍ−１以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物。
【請求項４】
リチウムケイ素窒化物の製造方法であって、以下のステップを含むことを特徴とする電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物の製造方法。
（ａ）窒化リチウム、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、及び炭酸リチウムを、製造物の組成がＬｉＳｉ２−ｘＡｌｘＯｘＮ３−ｘ（ｘの値が０．２〜０．７）となるように混合するステップ。
（ｂ）混合により得られた混合物を温度範囲１７００〜１８００Ｋ、負荷圧力を１０ＭＰａ以上で焼結するステップ。
【請求項５】
前記ｘの値が０．２５〜０．５であることを特徴とする請求項４に記載の電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物の製造方法。
【請求項６】
前記負荷圧力が２０ＭＰａ以上であることを特徴とする請求項４または５に記載の電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物の製造方法。
【請求項７】
前記混合を、窒化リチウムと反応しない雰囲気で行うことを特徴とする請求項４から６のいずれか一項に記載の電子伝導性を有するリチウムケイ素窒化物の製造方法。
【図１】
【図２】
【図２】
【公開番号】特開２０１３−５３０５４（Ｐ２０１３−５３０５４Ａ）
【公開日】平成２５年３月２１日（２０１３．３．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１９４２２６（Ｐ２０１１−１９４２２６）
【出願日】平成２３年９月６日（２０１１．９．６）
【出願人】（３０１０２３２３８）独立行政法人物質・材料研究機構 (1,333)
【出願人】（０００００３２０７）トヨタ自動車株式会社 (59,920)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年３月２１日（２０１３．３．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年９月６日（２０１１．９．６）
【出願人】（３０１０２３２３８）独立行政法人物質・材料研究機構 (1,333)
【出願人】（０００００３２０７）トヨタ自動車株式会社 (59,920)
【Ｆターム（参考）】
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