露光方法および露光装置
【課題】ＥＵＶ露光装置のチャンバ内で発生したコンタミネーションによるマスクや光学系の汚染を抑制する。
【解決手段】ＥＵＶ露光装置１０Ａのチャンバ２５内に設置されたウエハステージ２４の近傍にエネルギー線発生源４１を配置し、ウエハ２３の表面に塗布されたレジストから発生する放出ガスをエネルギー線４２で分解することにより、照明光学系１３を構成する照明ミラー１４〜１６、投影系光学系３７を構成する投影ミラー３１〜３６、マスク２１などをコンタミネーションによる汚染から保護する。
【解決手段】ＥＵＶ露光装置１０Ａのチャンバ２５内に設置されたウエハステージ２４の近傍にエネルギー線発生源４１を配置し、ウエハ２３の表面に塗布されたレジストから発生する放出ガスをエネルギー線４２で分解することにより、照明光学系１３を構成する照明ミラー１４〜１６、投影系光学系３７を構成する投影ミラー３１〜３６、マスク２１などをコンタミネーションによる汚染から保護する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＳＩ等のパターン転写に用いられる露光技術に関し、特に、露光光源として極端紫外線(Extreme Ultra-Violet：以下、ＥＵＶという)を用いた露光方法および露光装置に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩは、回路パターンが描かれた原板であるマスク（レチクルともいう）に露光光を照射し、縮小光学系を介して半導体ウエハ（以下、ウエハという）の表面に上記回路パターンを転写するリソグラフィー技術によって製造されている。
【０００３】
近年、ＬＳＩの高集積化および高速化に伴い、回路パターンの微細化が急速に進んでいる。回路パターンを微細化する手法としては、一般に露光光源の短波長化が用いられる。具体的には、ｇ線（波長＝４３６ｎｍ）やｉ線（波長＝３６５ｎｍ）のような紫外線を露光光源とするリソグラフィー技術から、ＫｒＦエキシマレーザー（波長＝２４８ｎｍ）やＡｒＦエキシマレーザー（波長＝１９３ｎｍ）を露光光源とするリソグラフィー技術に移行し、最近では、さらなる微細化のために、水の屈折率を利用した液浸ＡｒＦリソグラフィーや、露光を２回行うダブルパターニング技術についても量産化への適用が進められている。
【０００４】
また、最近では、より短波長な高エネルギー線を用いる技術として、ＥＵＶ（波長＝１３．５ｎｍ）を露光光源として用いるリソグラフィー技術も研究されている。このＥＵＶを露光光源に用いた場合は、解像可能な回路パターンの寸法がＡｒＦの波長の１／１０以下となることから、極微細なパターンの形成方法として注目を浴びている。
【０００５】
上記ＥＵＶ光を用いる場合、マスクは反射型となり、照明光学系および投影光学系もすべて反射型、すなわちミラーで構成される。ＥＵＶ露光装置は、露光光束を発する光源、原版となるマスクを露光光束で照明する照明光学系、前記マスクのパターンを被露光体に投影する投影光学系、前記マスクを載置するステージ、前記被露光体を載置するステージ、および前記投影光学系を収納する空間等によって構成される。被露光体は、表面にレジストと呼ばれる感光性材料が塗布されたウエハである。
【０００６】
一般に、ＥＵＶ光はあらゆる物質によって吸収されるので、空気中を透過することができない。このため、ＥＵＶ光を用いた露光装置の場合、露光光を十分な照度でウエハ表面に到達させるには、露光光路上の吸光物質を低減もしくは排除し、光路空間を高真空状態に保つ必要がある。また、光路空間を放出ガスが極力少ない物質で構成する必要がある。
【０００７】
ＥＵＶ光を露光光源として用いる上記露光装置においては、ＥＵＶ光の照射によってレジストから発生する放出ガスや、露光装置内に存在する物質から発生するガスが光路空間に滞在する。ここで、放出ガスとは、露光時にレジスト組成物が分解して発生する炭素化合物を主成分とするガスのことを指す。そして、この放出ガスがＥＵＶ光によって励起されると、炭素化合物同士が結合し、いわゆるコンタミネーションと呼ばれる堆積物となってマスクや光学系（ミラー）の表面に付着する。
【０００８】
上記のようなコンタミネーションがマスクやミラーの表面に付着すると、ミラーの反射率が低下し、ウエハの表面に到達するＥＵＶ光の光量が減少するので、マスクの回路パターンをレジストに転写するのに要する露光時間が増加してしまう。また、ＥＵＶ光の照度ムラが増大したり、波面収差が増加したりする等、ＥＵＶ露光装置の光学性能が著しく劣化するため、回路パターンの転写精度も低下してしまう。
【０００９】
そこで、下記の特許文献１〜３などに開示されているように、ＥＵＶ露光装置内で発生したコンタミネーションを除去する技術が種々提案されている。
【００１０】
特許文献１（特開２００４−３５６４１０号公報）には、光学系鏡筒のブラインドに形成されたＥＵＶ光透過用開口の周囲にコンタミネーション捕集用の電極や、コンタミネーションをイオン化する装置を設けることによって、ミラー等の表面へのコンタミネーションの付着を抑制する技術が開示されている。
【００１１】
特許文献２（特開２００６−２６９９４２号公報）には、ＥＵＶ露光装置の光路空間に不活性ガス供給装置を設けると共に、光路空間とウエハステージ空間との間に排気空間を設け、レジストから発生したコンタミネーションを不活性ガスと共に排気空間に排出させる技術が開示されている。
【００１２】
特許文献３（特開２００５−１０１５３７号公報）には、ＥＵＶ露光装置の光路空間に設けたクライオパネル等のコールドトラップでコンタミネーションを吸着する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開２００４−３５６４１０号公報
【特許文献２】特開２００６−２６９９４２号公報
【特許文献３】特開２００５−１０１５３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明者は、ＥＵＶ露光装置内で発生したコンタミネーションを除去すべく、レジストから発生する放出ガス成分の分析を行った結果、コンタミネーションによるマスクやミラーの汚染は、レジストから発生する放出ガス成分のうち、主として分子量が１００〜３００程度の炭素化合物に起因するという知見を得た。そして、ＥＵＶ露光装置の光路空間における上記炭素化合物の分圧を低減することができれば、コンタミネーションによるマスクやミラーの汚染を著しく抑制できることを見出し、本発明を完成させた。
【００１５】
本発明の目的は、ＥＵＶ露光装置の照明系・投影系を構成するミラーやマスクをコンタミネーションによる汚染から保護し、デバイスの製造歩留まり・信頼性といった生産性の向上を図ることができる露光技術を提供することにある。
【００１６】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの一態様を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１８】
この一態様は、ＥＵＶを発する露光光源と、所定のパターンが形成されたマスクを載置するマスクステージと、前記ＥＵＶで前記マスクを照明する照明光学系と、表面にレジストが塗布された被露光体を載置する被露光体ステージと、前記マスクに形成された前記パターンを前記被露光体に投影する投影光学系とが収納されたチャンバを備えた露光装置であって、前記露光装置の前記チャンバ内には、前記レジストからの放出ガスを分解するためのエネルギー線を発生するエネルギー線発生源と、前記チャンバ内のガスを排出するための排気系とが設けられているものである。
【発明の効果】
【００１９】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの一実施の形態によって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００２０】
レジストからの放出ガスをエネルギー線で分解することにより、放出ガスに起因するコンタミネーションの発生を抑制することができるので、ＥＵＶ露光装置の照明系・投影系を構成するミラーやマスクをコンタミネーションによる汚染から保護することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施の形態１であるＥＵＶ露光装置の概略構成図である。
【図２】図１の一部（被露光体の露光領域近傍）を示す拡大図である。
【図３】図１の一部（被露光体の露光領域近傍）を示す拡大平面図である。
【図４】本発明の実施の形態１であるＥＵＶ露光装置の別例を示す拡大図である。
【図５】本発明の実施の形態１であるＥＵＶ露光装置の別例を示す拡大平面図である。
【図６】ＥＵＶ光源から発するＥＵＶ露光光束がウエハに到達するタイミングと、エネルギー線を照射するタイミングの一例を示すタイミングチャートである。
【図７】ＥＵＶ光源から発するＥＵＶ露光光束がウエハに到達するタイミングと、エネルギー線を照射するタイミングの別例を示すタイミングチャートである。
【図８】ＥＵＶ光源から発するＥＵＶ露光光束がウエハに到達するタイミングと、エネルギー線を照射するタイミングの別例を示すタイミングチャートである。
【図９】本発明の実施の形態２であるＥＵＶ露光装置の概略構成図である。
【図１０】図９の一部（被露光体の露光領域近傍）を示す拡大図である。
【図１１】図９の一部（被露光体の露光領域近傍）を示す拡大平面図である。
【図１２】本発明の実施の形態２であるＥＵＶ露光装置の別例を示す拡大図である。
【図１３】本発明の実施の形態２であるＥＵＶ露光装置の別例を示す拡大平面図である。
【図１４】本発明の実施の形態３であるＥＵＶ露光装置の概略構成図である。
【図１５】図１４の一部（被露光体の露光領域近傍）を示す拡大図である。
【図１６】本発明の実施の形態４であるＥＵＶ露光装置の概略構成図である。
【図１７】（ａ）、（ｂ）は、図１６の一部（被露光体の露光領域近傍）を示す拡大図である。
【図１８】ＥＵＶ光源から発するＥＵＶ露光光束がウエハに到達するタイミングと、エネルギー線を照射するタイミングと、シャッターを開閉するタイミングの一例を示すタイミングチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、実施の形態では、特に必要なときを除き、同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。さらに、実施の形態を説明する図面においては、構成を分かり易くするために、平面図であってもハッチングを付す場合や、断面図であってもハッチングを省略する場合がある。
【００２３】
（実施の形態１）
図１は、本実施の形態の走査型ＥＵＶ露光装置を示す概略構成図である。ＥＵＶ露光装置１０Ａは、ＥＵＶ露光光束１２を発生するＥＵＶ光源１１、照明ミラー１４、１５、１６からなる照明光学系１３、投影ミラー３１、３２、３３、３４、３５、３６からなる投影光学系３７、折り返しミラー１７、反射型のマスク２１を装着するマスクステージ２２、被露光体であるウエハ２３を搭載するウエハステージ２４、これらを収納する空間であるチャンバ２５、チャンバ２５内を排気する複数のポンプ２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃ、２６Ｄなどで構成されている。
【００２４】
上記折り返しミラー１７、マスク２１および投影ミラー３１〜３６の各表面には、ＥＵＶ露光光束１２を正反射させるための多層膜（図示せず）が形成されている。図示はしないが、ウエハ２３の表面にはＥＵＶ用のレジストが塗布されている。マスクステージ２２とウエハステージ２４は、縮小倍率に比例した速度比で同期して走査する機構を有している。以下では、マスク２１またはウエハ２３の面内での走査方向をＹ軸方向、それに垂直な方向をＸ軸方向、マスク２１またはウエハ２３の面に垂直な方向をＺ軸方向とする。
【００２５】
一般に、走査型露光装置では、マスクとウエハを同期させて走査し、１ショットの露光を行う（スキャン露光と呼ばれる）。すなわち、光源から発する露光光束がマスクと被露光体（ウエハ）を同時に走査しながらウエハを露光し、１ショット分の露光が行われた後、露光光束が停止、もしくはシャッターなどでウエハ面に到達しなくなると、１ショット（１スキャンとも呼ばれる）が終了する。次に、ステップと呼ばれる次露光ショットの初期位置にウエハが移動する。その後、再度マスクとウエハの走査による露光（２回目のスキャン）が行われる。このように、走査型露光装置では、スキャンとステップとを交互に繰り返しながらウエハのほぼ全面を露光する。
【００２６】
図１に示すように、本実施の形態のＥＵＶ露光装置１０Ａには、放出ガス分解用のエネルギー線４２を発するエネルギー線発生源４１が具備されている。ここで、エネルギー線４２としては、可視赤外線、紫外線、深紫外線、極短紫外線、真空紫外線、軟Ｘ線などの光線、電子やイオンなどの荷電粒子、中性分子ビームなどが挙げられる。また、エネルギー線発生源４１としては、水銀ランプ、キセノンランプ、エキシマランプ、エキシマレーザ、半導体レーザ、レーザ励起プラズマ光源、放電励起プラズマ光源、電子ビーム源、イオンビーム源、プロトンビームなどが挙げられる。
【００２７】
なお、上記エネルギー線４２の指向性を向上させるため、必要に応じて可視赤外線、紫外線、深紫外線、極短紫外線、真空紫外線、軟Ｘ線などの光線を発するエネルギー線発生源４１には、集光光学系を設けることが好ましい。また、電子やイオンなどの荷電粒子を発するエネルギー線発生源４１には、電磁光学系を設けることが好ましい。
【００２８】
上記エネルギー線発生源４１から発するエネルギー線４２は、ウエハ２３の表面に塗布されたレジストから発生し、チャンバ２５内に存在する放出ガスを分解する。その際、分子量の大きな分子ほど分解され易いので、放出ガス成分のうち、コンタミネーションの主因となる分子量１００〜３００程度の炭素化合物の分圧が顕著に低減されることになる。
【００２９】
上記エネルギー線発生源４１は、チャンバ２５内の任意の場所に設置することができるが、放出ガスの発生源であるウエハ２３が搭載されたウエハステージ２４の近傍に配置することが望ましく、これにより、レジストから発生した放出ガスを迅速に分解することができる。
【００３０】
また、エネルギー線発生源４１は、チャンバ２５内の一箇所だけでなく、複数箇所に設置することができる。その際、同一種類のエネルギー線発生源４１を複数箇所に設置するだけでなく、異なる種類のエネルギー線発生源４１を組み合わせて設置してもよい。
【００３１】
図２は、上記ＥＵＶ露光装置１０Ａにおける被露光体（ウエハ２３）の露光領域近傍を示す拡大図であり、図３は、上記ＥＵＶ露光装置１０Ａにおける被露光体の露光領域近傍を示す拡大平面図である。
【００３２】
ＥＵＶ露光光束１２は、例えば円弧上の平面パターンを有しており、Ｚ軸方向からＸ−Ｙ面方向に照射される。一方、エネルギー線４２は、Ｙ軸方向に照射される。図４および図５に示すように、ＥＵＶ露光光束１２がＺ軸方向からＸ−Ｙ面方向に照射され、エネルギー線４２がＸ軸方向に照射されるようにしてもよい。
【００３３】
エネルギー線発生源４１には、必要に応じてＸ−Ｙ面方向の照射面積を拡大するための手段を設けることが望ましい。このような手段としては、例えばエネルギー線４２が可視赤外線、紫外線、深紫外線、極短紫外線、真空紫外線、軟Ｘ線などの光線である場合には、エネルギー線４２に対する入射角を可動とする光学系を挙げることができる。また、エネルギー線４２が電子やイオンなどの荷電粒子である場合には、静電偏向や電磁偏向が可能な電磁光学系を挙げることができる。
【００３４】
ＥＵＶ露光装置１０Ａにおいて、１枚のウエハ２３を露光する際にエネルギー線４２を照射するタイミングは、放出ガスの量や成分を考慮して様々なケースがあり得る。
【００３５】
図６は、ＥＵＶ光源１１から発するＥＵＶ露光光束１２がウエハ２３に到達するタイミングと、エネルギー線４２を照射するタイミングの一例を示すタイミングチャートである。この例では、ＥＵＶ露光光束１２がウエハ２３に到達してスキャン露光が開始されると同時にエネルギー線４２が照射される。その後、スキャン露光とウエハステージ２４の移動（ステップ）が交互に繰り返される間もエネルギー線４２の照射が継続して行われる。
【００３６】
図７に示すタイミング例では、スキャン露光が開始されると同時にエネルギー線４２が照射され、１ショットの露光が終了するとエネルギー線４２の照射も停止する。次に、ウエハステージ２４の移動（ステップ）の後、次のスキャン露光が開始されると再度エネルギー線４２が照射される。以後、同様にしてスキャン露光が行われている間のみ、エネルギー線４２が照射される。
【００３７】
図８に示す例では、スキャン露光のタイミングとエネルギー線４２の照射のタイミングが図７に示した例と逆になっている。すなわち、スキャン露光中はエネルギー線４２の照射が停止し、ウエハステージ２４の移動（ステップ）が行われている間のみ、エネルギー線４２が照射される。
【００３８】
このように、レジストからの放出ガスをエネルギー線４２で分解することにより、放出ガスに起因するコンタミネーションの発生を抑制することができる。これにより、ＥＵＶ露光装置１０Ａの照明光学系１３を構成する照明ミラー１４〜１６、投影系光学系３７を構成する投影ミラー３１〜３６、マスク２１などをコンタミネーションによる汚染から保護することができるので、デバイスの製造歩留まり・信頼性といった生産性の向上を図ることができる。
【００３９】
（実施の形態２）
図９は、本実施の形態の走査型ＥＵＶ露光装置１０Ｂを示す概略構成図である。本実施の形態のＥＵＶ露光装置１０Ｂの特徴は、投影光学系３７を収納する空間とウエハステージ２４との間に、ＥＵＶ露光光束１２を通過させる開口４４を備えたアパーチャー４３を配置すると共に、ＥＵＶ光源１１とエネルギー線発生源４１との間に、両者の動作を連動させるシステム４５を設けたことにある。
【００４０】
また、ＥＵＶ光源１１とマスク２１との間の光路空間に、エネルギー線発生源４１の動作と連動するシャッター（図示せず）を配置し、マスク２１へのＥＵＶ露光光束１２の照射、非照射をこのシャッターの開閉によって制御してもよい。なお、ＥＵＶ露光装置１０Ｂの他の構成は、前記実施の形態１のＥＵＶ露光装置１０Ａと同じである。
【００４１】
ＥＵＶ露光装置１０Ｂに上記のようなシステム４５を設けることにより、スキャン露光のタイミングとエネルギー線４２の照射のタイミングを高精度に制御することが可能となる。また、ＥＵＶ露光装置１０Ｂに上記のようなアパーチャー４３を設けることにより、レジストからの放出ガスが照明光学系１３、投影光学系３７、マスク２１などに拡散し難くなるので、放出ガスに起因する照明光学系１３、投影光学系３７、マスク２１などの汚染を効果的に抑制することができる。
【００４２】
図１０〜図１３に示すように、アパーチャー４３は、エネルギー線発生源４１の上方または下方のいずれに配置することも可能である。また、エネルギー線４２の照射方向は、Ｙ軸方向またはＸ軸方向のいずれも可能である。
【００４３】
（実施の形態３）
図１４は、本実施の形態の走査型ＥＵＶ露光装置１０Ｃを示す概略構成図、図１５は、ＥＵＶ露光装置１０Ｃにおける被露光体（ウエハ２３）の露光領域近傍を示す拡大図である。
【００４４】
本実施の形態のＥＵＶ露光装置１０Ｃの特徴は、前記実施の形態２で説明したアパーチャー４３をエネルギー線発生源４１の上方および下方にそれぞれ一箇所づつ配置すると共に、上記一対のアパーチャー４３、４３で囲まれた空間内のガスを排気するポンプ２６Ｅを具備したことにある。なお、その他の構成は、前記実施の形態２のＥＵＶ露光装置１０Ｂと同じである。
【００４５】
ＥＵＶ露光装置１０Ｃに上記のような一対のアパーチャー４３、４３およびポンプ２６Ｅを設けることにより、レジストからの放出ガスや、エネルギー線４２の照射によって発生した低分子量の分解ガスをＥＵＶ露光装置１０Ｃの外部に効率的に排出することが可能となる。従って、照明光学系１３、投影光学系３７、マスク２１などの汚染をより効果的に抑制することができる。
【００４６】
（実施の形態４）
図１６は、本実施の形態の走査型ＥＵＶ露光装置１０Ｄを示す概略構成図、図１７（ａ）、（ｂ）は、ＥＵＶ露光装置１０Ｄにおける被露光体（ウエハ２３）の露光領域近傍を示す拡大図である。
【００４７】
本実施の形態のＥＵＶ露光装置１０Ｄの特徴は、ウエハステージ２４の近傍の光路空間にシャッター４６を配置すると共に、このシャッター４６をシステム４５に接続し、ＥＵＶ光源１１、エネルギー線発生源４１およびシャッター４６の動作を連動させたことにある。なお、その他の構成は、前記実施の形態２のＥＵＶ露光装置１０Ｂと同じである。
【００４８】
図１８は、ＥＵＶ光源１１から発するＥＵＶ露光光束１２がウエハ２３に到達するタイミング、エネルギー線４２が照射されるタイミングおよびシャッター４６が開閉するタイミングの一例を示すタイミングチャートである。
【００４９】
スキャン露光中はシャッター４６が開いてウエハ２３の露光領域近傍から退避し、かつエネルギー線４２の照射が停止する（図１７（ａ）参照）。また、ウエハステージ２４の移動（ステップ）中はシャッター４６が閉じた状態でエネルギー線４２が照射される（図１７（ｂ）参照）。このようにすると、エネルギー線４２がウエハ２３の表面に達することがないので、特にエネルギー線４２が短波長の光線である場合には、エネルギー線４２によるレジストの過剰な露光が防止される。
【００５０】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明は、ＥＵＶを露光光源に用いた露光技術に適用することができる。
【符号の説明】
【００５２】
１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄ ＥＵＶ露光装置
１１ ＥＵＶ光源
１２ ＥＵＶ露光光束
１３ 照明光学系
１４、１５、１６ 照明ミラー
１７ 折り返しミラー
２１ マスク
２２ マスクステージ
２３ ウエハ
２４ ウエハステージ
２５ チャンバ
２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃ、２６Ｄ、２６Ｅ ポンプ
３１、３２、３３、３４、３５、３６ 投影ミラー
３７ 投影光学系
４１ エネルギー線発生源
４２ エネルギー線
４３ アパーチャー
４４ 開口
４５ システム
４６ シャッター
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＳＩ等のパターン転写に用いられる露光技術に関し、特に、露光光源として極端紫外線(Extreme Ultra-Violet：以下、ＥＵＶという)を用いた露光方法および露光装置に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩは、回路パターンが描かれた原板であるマスク（レチクルともいう）に露光光を照射し、縮小光学系を介して半導体ウエハ（以下、ウエハという）の表面に上記回路パターンを転写するリソグラフィー技術によって製造されている。
【０００３】
近年、ＬＳＩの高集積化および高速化に伴い、回路パターンの微細化が急速に進んでいる。回路パターンを微細化する手法としては、一般に露光光源の短波長化が用いられる。具体的には、ｇ線（波長＝４３６ｎｍ）やｉ線（波長＝３６５ｎｍ）のような紫外線を露光光源とするリソグラフィー技術から、ＫｒＦエキシマレーザー（波長＝２４８ｎｍ）やＡｒＦエキシマレーザー（波長＝１９３ｎｍ）を露光光源とするリソグラフィー技術に移行し、最近では、さらなる微細化のために、水の屈折率を利用した液浸ＡｒＦリソグラフィーや、露光を２回行うダブルパターニング技術についても量産化への適用が進められている。
【０００４】
また、最近では、より短波長な高エネルギー線を用いる技術として、ＥＵＶ（波長＝１３．５ｎｍ）を露光光源として用いるリソグラフィー技術も研究されている。このＥＵＶを露光光源に用いた場合は、解像可能な回路パターンの寸法がＡｒＦの波長の１／１０以下となることから、極微細なパターンの形成方法として注目を浴びている。
【０００５】
上記ＥＵＶ光を用いる場合、マスクは反射型となり、照明光学系および投影光学系もすべて反射型、すなわちミラーで構成される。ＥＵＶ露光装置は、露光光束を発する光源、原版となるマスクを露光光束で照明する照明光学系、前記マスクのパターンを被露光体に投影する投影光学系、前記マスクを載置するステージ、前記被露光体を載置するステージ、および前記投影光学系を収納する空間等によって構成される。被露光体は、表面にレジストと呼ばれる感光性材料が塗布されたウエハである。
【０００６】
一般に、ＥＵＶ光はあらゆる物質によって吸収されるので、空気中を透過することができない。このため、ＥＵＶ光を用いた露光装置の場合、露光光を十分な照度でウエハ表面に到達させるには、露光光路上の吸光物質を低減もしくは排除し、光路空間を高真空状態に保つ必要がある。また、光路空間を放出ガスが極力少ない物質で構成する必要がある。
【０００７】
ＥＵＶ光を露光光源として用いる上記露光装置においては、ＥＵＶ光の照射によってレジストから発生する放出ガスや、露光装置内に存在する物質から発生するガスが光路空間に滞在する。ここで、放出ガスとは、露光時にレジスト組成物が分解して発生する炭素化合物を主成分とするガスのことを指す。そして、この放出ガスがＥＵＶ光によって励起されると、炭素化合物同士が結合し、いわゆるコンタミネーションと呼ばれる堆積物となってマスクや光学系（ミラー）の表面に付着する。
【０００８】
上記のようなコンタミネーションがマスクやミラーの表面に付着すると、ミラーの反射率が低下し、ウエハの表面に到達するＥＵＶ光の光量が減少するので、マスクの回路パターンをレジストに転写するのに要する露光時間が増加してしまう。また、ＥＵＶ光の照度ムラが増大したり、波面収差が増加したりする等、ＥＵＶ露光装置の光学性能が著しく劣化するため、回路パターンの転写精度も低下してしまう。
【０００９】
そこで、下記の特許文献１〜３などに開示されているように、ＥＵＶ露光装置内で発生したコンタミネーションを除去する技術が種々提案されている。
【００１０】
特許文献１（特開２００４−３５６４１０号公報）には、光学系鏡筒のブラインドに形成されたＥＵＶ光透過用開口の周囲にコンタミネーション捕集用の電極や、コンタミネーションをイオン化する装置を設けることによって、ミラー等の表面へのコンタミネーションの付着を抑制する技術が開示されている。
【００１１】
特許文献２（特開２００６−２６９９４２号公報）には、ＥＵＶ露光装置の光路空間に不活性ガス供給装置を設けると共に、光路空間とウエハステージ空間との間に排気空間を設け、レジストから発生したコンタミネーションを不活性ガスと共に排気空間に排出させる技術が開示されている。
【００１２】
特許文献３（特開２００５−１０１５３７号公報）には、ＥＵＶ露光装置の光路空間に設けたクライオパネル等のコールドトラップでコンタミネーションを吸着する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開２００４−３５６４１０号公報
【特許文献２】特開２００６−２６９９４２号公報
【特許文献３】特開２００５−１０１５３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明者は、ＥＵＶ露光装置内で発生したコンタミネーションを除去すべく、レジストから発生する放出ガス成分の分析を行った結果、コンタミネーションによるマスクやミラーの汚染は、レジストから発生する放出ガス成分のうち、主として分子量が１００〜３００程度の炭素化合物に起因するという知見を得た。そして、ＥＵＶ露光装置の光路空間における上記炭素化合物の分圧を低減することができれば、コンタミネーションによるマスクやミラーの汚染を著しく抑制できることを見出し、本発明を完成させた。
【００１５】
本発明の目的は、ＥＵＶ露光装置の照明系・投影系を構成するミラーやマスクをコンタミネーションによる汚染から保護し、デバイスの製造歩留まり・信頼性といった生産性の向上を図ることができる露光技術を提供することにある。
【００１６】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの一態様を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１８】
この一態様は、ＥＵＶを発する露光光源と、所定のパターンが形成されたマスクを載置するマスクステージと、前記ＥＵＶで前記マスクを照明する照明光学系と、表面にレジストが塗布された被露光体を載置する被露光体ステージと、前記マスクに形成された前記パターンを前記被露光体に投影する投影光学系とが収納されたチャンバを備えた露光装置であって、前記露光装置の前記チャンバ内には、前記レジストからの放出ガスを分解するためのエネルギー線を発生するエネルギー線発生源と、前記チャンバ内のガスを排出するための排気系とが設けられているものである。
【発明の効果】
【００１９】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの一実施の形態によって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００２０】
レジストからの放出ガスをエネルギー線で分解することにより、放出ガスに起因するコンタミネーションの発生を抑制することができるので、ＥＵＶ露光装置の照明系・投影系を構成するミラーやマスクをコンタミネーションによる汚染から保護することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施の形態１であるＥＵＶ露光装置の概略構成図である。
【図２】図１の一部（被露光体の露光領域近傍）を示す拡大図である。
【図３】図１の一部（被露光体の露光領域近傍）を示す拡大平面図である。
【図４】本発明の実施の形態１であるＥＵＶ露光装置の別例を示す拡大図である。
【図５】本発明の実施の形態１であるＥＵＶ露光装置の別例を示す拡大平面図である。
【図６】ＥＵＶ光源から発するＥＵＶ露光光束がウエハに到達するタイミングと、エネルギー線を照射するタイミングの一例を示すタイミングチャートである。
【図７】ＥＵＶ光源から発するＥＵＶ露光光束がウエハに到達するタイミングと、エネルギー線を照射するタイミングの別例を示すタイミングチャートである。
【図８】ＥＵＶ光源から発するＥＵＶ露光光束がウエハに到達するタイミングと、エネルギー線を照射するタイミングの別例を示すタイミングチャートである。
【図９】本発明の実施の形態２であるＥＵＶ露光装置の概略構成図である。
【図１０】図９の一部（被露光体の露光領域近傍）を示す拡大図である。
【図１１】図９の一部（被露光体の露光領域近傍）を示す拡大平面図である。
【図１２】本発明の実施の形態２であるＥＵＶ露光装置の別例を示す拡大図である。
【図１３】本発明の実施の形態２であるＥＵＶ露光装置の別例を示す拡大平面図である。
【図１４】本発明の実施の形態３であるＥＵＶ露光装置の概略構成図である。
【図１５】図１４の一部（被露光体の露光領域近傍）を示す拡大図である。
【図１６】本発明の実施の形態４であるＥＵＶ露光装置の概略構成図である。
【図１７】（ａ）、（ｂ）は、図１６の一部（被露光体の露光領域近傍）を示す拡大図である。
【図１８】ＥＵＶ光源から発するＥＵＶ露光光束がウエハに到達するタイミングと、エネルギー線を照射するタイミングと、シャッターを開閉するタイミングの一例を示すタイミングチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、実施の形態では、特に必要なときを除き、同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。さらに、実施の形態を説明する図面においては、構成を分かり易くするために、平面図であってもハッチングを付す場合や、断面図であってもハッチングを省略する場合がある。
【００２３】
（実施の形態１）
図１は、本実施の形態の走査型ＥＵＶ露光装置を示す概略構成図である。ＥＵＶ露光装置１０Ａは、ＥＵＶ露光光束１２を発生するＥＵＶ光源１１、照明ミラー１４、１５、１６からなる照明光学系１３、投影ミラー３１、３２、３３、３４、３５、３６からなる投影光学系３７、折り返しミラー１７、反射型のマスク２１を装着するマスクステージ２２、被露光体であるウエハ２３を搭載するウエハステージ２４、これらを収納する空間であるチャンバ２５、チャンバ２５内を排気する複数のポンプ２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃ、２６Ｄなどで構成されている。
【００２４】
上記折り返しミラー１７、マスク２１および投影ミラー３１〜３６の各表面には、ＥＵＶ露光光束１２を正反射させるための多層膜（図示せず）が形成されている。図示はしないが、ウエハ２３の表面にはＥＵＶ用のレジストが塗布されている。マスクステージ２２とウエハステージ２４は、縮小倍率に比例した速度比で同期して走査する機構を有している。以下では、マスク２１またはウエハ２３の面内での走査方向をＹ軸方向、それに垂直な方向をＸ軸方向、マスク２１またはウエハ２３の面に垂直な方向をＺ軸方向とする。
【００２５】
一般に、走査型露光装置では、マスクとウエハを同期させて走査し、１ショットの露光を行う（スキャン露光と呼ばれる）。すなわち、光源から発する露光光束がマスクと被露光体（ウエハ）を同時に走査しながらウエハを露光し、１ショット分の露光が行われた後、露光光束が停止、もしくはシャッターなどでウエハ面に到達しなくなると、１ショット（１スキャンとも呼ばれる）が終了する。次に、ステップと呼ばれる次露光ショットの初期位置にウエハが移動する。その後、再度マスクとウエハの走査による露光（２回目のスキャン）が行われる。このように、走査型露光装置では、スキャンとステップとを交互に繰り返しながらウエハのほぼ全面を露光する。
【００２６】
図１に示すように、本実施の形態のＥＵＶ露光装置１０Ａには、放出ガス分解用のエネルギー線４２を発するエネルギー線発生源４１が具備されている。ここで、エネルギー線４２としては、可視赤外線、紫外線、深紫外線、極短紫外線、真空紫外線、軟Ｘ線などの光線、電子やイオンなどの荷電粒子、中性分子ビームなどが挙げられる。また、エネルギー線発生源４１としては、水銀ランプ、キセノンランプ、エキシマランプ、エキシマレーザ、半導体レーザ、レーザ励起プラズマ光源、放電励起プラズマ光源、電子ビーム源、イオンビーム源、プロトンビームなどが挙げられる。
【００２７】
なお、上記エネルギー線４２の指向性を向上させるため、必要に応じて可視赤外線、紫外線、深紫外線、極短紫外線、真空紫外線、軟Ｘ線などの光線を発するエネルギー線発生源４１には、集光光学系を設けることが好ましい。また、電子やイオンなどの荷電粒子を発するエネルギー線発生源４１には、電磁光学系を設けることが好ましい。
【００２８】
上記エネルギー線発生源４１から発するエネルギー線４２は、ウエハ２３の表面に塗布されたレジストから発生し、チャンバ２５内に存在する放出ガスを分解する。その際、分子量の大きな分子ほど分解され易いので、放出ガス成分のうち、コンタミネーションの主因となる分子量１００〜３００程度の炭素化合物の分圧が顕著に低減されることになる。
【００２９】
上記エネルギー線発生源４１は、チャンバ２５内の任意の場所に設置することができるが、放出ガスの発生源であるウエハ２３が搭載されたウエハステージ２４の近傍に配置することが望ましく、これにより、レジストから発生した放出ガスを迅速に分解することができる。
【００３０】
また、エネルギー線発生源４１は、チャンバ２５内の一箇所だけでなく、複数箇所に設置することができる。その際、同一種類のエネルギー線発生源４１を複数箇所に設置するだけでなく、異なる種類のエネルギー線発生源４１を組み合わせて設置してもよい。
【００３１】
図２は、上記ＥＵＶ露光装置１０Ａにおける被露光体（ウエハ２３）の露光領域近傍を示す拡大図であり、図３は、上記ＥＵＶ露光装置１０Ａにおける被露光体の露光領域近傍を示す拡大平面図である。
【００３２】
ＥＵＶ露光光束１２は、例えば円弧上の平面パターンを有しており、Ｚ軸方向からＸ−Ｙ面方向に照射される。一方、エネルギー線４２は、Ｙ軸方向に照射される。図４および図５に示すように、ＥＵＶ露光光束１２がＺ軸方向からＸ−Ｙ面方向に照射され、エネルギー線４２がＸ軸方向に照射されるようにしてもよい。
【００３３】
エネルギー線発生源４１には、必要に応じてＸ−Ｙ面方向の照射面積を拡大するための手段を設けることが望ましい。このような手段としては、例えばエネルギー線４２が可視赤外線、紫外線、深紫外線、極短紫外線、真空紫外線、軟Ｘ線などの光線である場合には、エネルギー線４２に対する入射角を可動とする光学系を挙げることができる。また、エネルギー線４２が電子やイオンなどの荷電粒子である場合には、静電偏向や電磁偏向が可能な電磁光学系を挙げることができる。
【００３４】
ＥＵＶ露光装置１０Ａにおいて、１枚のウエハ２３を露光する際にエネルギー線４２を照射するタイミングは、放出ガスの量や成分を考慮して様々なケースがあり得る。
【００３５】
図６は、ＥＵＶ光源１１から発するＥＵＶ露光光束１２がウエハ２３に到達するタイミングと、エネルギー線４２を照射するタイミングの一例を示すタイミングチャートである。この例では、ＥＵＶ露光光束１２がウエハ２３に到達してスキャン露光が開始されると同時にエネルギー線４２が照射される。その後、スキャン露光とウエハステージ２４の移動（ステップ）が交互に繰り返される間もエネルギー線４２の照射が継続して行われる。
【００３６】
図７に示すタイミング例では、スキャン露光が開始されると同時にエネルギー線４２が照射され、１ショットの露光が終了するとエネルギー線４２の照射も停止する。次に、ウエハステージ２４の移動（ステップ）の後、次のスキャン露光が開始されると再度エネルギー線４２が照射される。以後、同様にしてスキャン露光が行われている間のみ、エネルギー線４２が照射される。
【００３７】
図８に示す例では、スキャン露光のタイミングとエネルギー線４２の照射のタイミングが図７に示した例と逆になっている。すなわち、スキャン露光中はエネルギー線４２の照射が停止し、ウエハステージ２４の移動（ステップ）が行われている間のみ、エネルギー線４２が照射される。
【００３８】
このように、レジストからの放出ガスをエネルギー線４２で分解することにより、放出ガスに起因するコンタミネーションの発生を抑制することができる。これにより、ＥＵＶ露光装置１０Ａの照明光学系１３を構成する照明ミラー１４〜１６、投影系光学系３７を構成する投影ミラー３１〜３６、マスク２１などをコンタミネーションによる汚染から保護することができるので、デバイスの製造歩留まり・信頼性といった生産性の向上を図ることができる。
【００３９】
（実施の形態２）
図９は、本実施の形態の走査型ＥＵＶ露光装置１０Ｂを示す概略構成図である。本実施の形態のＥＵＶ露光装置１０Ｂの特徴は、投影光学系３７を収納する空間とウエハステージ２４との間に、ＥＵＶ露光光束１２を通過させる開口４４を備えたアパーチャー４３を配置すると共に、ＥＵＶ光源１１とエネルギー線発生源４１との間に、両者の動作を連動させるシステム４５を設けたことにある。
【００４０】
また、ＥＵＶ光源１１とマスク２１との間の光路空間に、エネルギー線発生源４１の動作と連動するシャッター（図示せず）を配置し、マスク２１へのＥＵＶ露光光束１２の照射、非照射をこのシャッターの開閉によって制御してもよい。なお、ＥＵＶ露光装置１０Ｂの他の構成は、前記実施の形態１のＥＵＶ露光装置１０Ａと同じである。
【００４１】
ＥＵＶ露光装置１０Ｂに上記のようなシステム４５を設けることにより、スキャン露光のタイミングとエネルギー線４２の照射のタイミングを高精度に制御することが可能となる。また、ＥＵＶ露光装置１０Ｂに上記のようなアパーチャー４３を設けることにより、レジストからの放出ガスが照明光学系１３、投影光学系３７、マスク２１などに拡散し難くなるので、放出ガスに起因する照明光学系１３、投影光学系３７、マスク２１などの汚染を効果的に抑制することができる。
【００４２】
図１０〜図１３に示すように、アパーチャー４３は、エネルギー線発生源４１の上方または下方のいずれに配置することも可能である。また、エネルギー線４２の照射方向は、Ｙ軸方向またはＸ軸方向のいずれも可能である。
【００４３】
（実施の形態３）
図１４は、本実施の形態の走査型ＥＵＶ露光装置１０Ｃを示す概略構成図、図１５は、ＥＵＶ露光装置１０Ｃにおける被露光体（ウエハ２３）の露光領域近傍を示す拡大図である。
【００４４】
本実施の形態のＥＵＶ露光装置１０Ｃの特徴は、前記実施の形態２で説明したアパーチャー４３をエネルギー線発生源４１の上方および下方にそれぞれ一箇所づつ配置すると共に、上記一対のアパーチャー４３、４３で囲まれた空間内のガスを排気するポンプ２６Ｅを具備したことにある。なお、その他の構成は、前記実施の形態２のＥＵＶ露光装置１０Ｂと同じである。
【００４５】
ＥＵＶ露光装置１０Ｃに上記のような一対のアパーチャー４３、４３およびポンプ２６Ｅを設けることにより、レジストからの放出ガスや、エネルギー線４２の照射によって発生した低分子量の分解ガスをＥＵＶ露光装置１０Ｃの外部に効率的に排出することが可能となる。従って、照明光学系１３、投影光学系３７、マスク２１などの汚染をより効果的に抑制することができる。
【００４６】
（実施の形態４）
図１６は、本実施の形態の走査型ＥＵＶ露光装置１０Ｄを示す概略構成図、図１７（ａ）、（ｂ）は、ＥＵＶ露光装置１０Ｄにおける被露光体（ウエハ２３）の露光領域近傍を示す拡大図である。
【００４７】
本実施の形態のＥＵＶ露光装置１０Ｄの特徴は、ウエハステージ２４の近傍の光路空間にシャッター４６を配置すると共に、このシャッター４６をシステム４５に接続し、ＥＵＶ光源１１、エネルギー線発生源４１およびシャッター４６の動作を連動させたことにある。なお、その他の構成は、前記実施の形態２のＥＵＶ露光装置１０Ｂと同じである。
【００４８】
図１８は、ＥＵＶ光源１１から発するＥＵＶ露光光束１２がウエハ２３に到達するタイミング、エネルギー線４２が照射されるタイミングおよびシャッター４６が開閉するタイミングの一例を示すタイミングチャートである。
【００４９】
スキャン露光中はシャッター４６が開いてウエハ２３の露光領域近傍から退避し、かつエネルギー線４２の照射が停止する（図１７（ａ）参照）。また、ウエハステージ２４の移動（ステップ）中はシャッター４６が閉じた状態でエネルギー線４２が照射される（図１７（ｂ）参照）。このようにすると、エネルギー線４２がウエハ２３の表面に達することがないので、特にエネルギー線４２が短波長の光線である場合には、エネルギー線４２によるレジストの過剰な露光が防止される。
【００５０】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明は、ＥＵＶを露光光源に用いた露光技術に適用することができる。
【符号の説明】
【００５２】
１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄ ＥＵＶ露光装置
１１ ＥＵＶ光源
１２ ＥＵＶ露光光束
１３ 照明光学系
１４、１５、１６ 照明ミラー
１７ 折り返しミラー
２１ マスク
２２ マスクステージ
２３ ウエハ
２４ ウエハステージ
２５ チャンバ
２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃ、２６Ｄ、２６Ｅ ポンプ
３１、３２、３３、３４、３５、３６ 投影ミラー
３７ 投影光学系
４１ エネルギー線発生源
４２ エネルギー線
４３ アパーチャー
４４ 開口
４５ システム
４６ シャッター
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＵＶを露光光源とし、表面にレジストが塗布された被露光体および所定のパターンが形成されたマスクの走査と前記被露光体の移動とを交互に繰り返す走査型露光方式によって、前記マスクに形成された前記パターンを前記被露光体に投影する露光方法であって、前記露光光源、前記被露光体および前記マスクを含む光路空間にエネルギー線を照射することによって、前記レジストからの放出ガスを分解する工程を有することを特徴とする露光方法。
【請求項２】
前記エネルギー線は、赤外線、可視光、紫外線、深紫外線、極短紫外線、真空紫外線、軟Ｘ線、電子またイオンからなる荷電粒子、中性分子からなるビームのうち、少なくとも一種を含むことを特徴とする請求項１記載の露光方法。
【請求項３】
前記エネルギー線は、前記放出ガス成分のうち、主として分子量が１００〜３００の炭素化合物を分解することを特徴とする請求項１記載の露光方法。
【請求項４】
前記エネルギー線を前記被露光体の近傍に照射することを特徴とする請求項１記載の露光方法。
【請求項５】
ＥＵＶを発する露光光源と、所定のパターンが形成されたマスクを載置するマスクステージと、前記ＥＵＶで前記マスクを照明する照明光学系と、表面にレジストが塗布された被露光体を載置する被露光体ステージと、前記マスクに形成された前記パターンを前記被露光体に投影する投影光学系とが収納されたチャンバを備え、
前記チャンバ内には、前記レジストからの放出ガスを分解するためのエネルギー線を発生するエネルギー線発生源と、前記チャンバ内のガスを排出するための排気系とが設けられていることを特徴とする露光装置。
【請求項６】
前記エネルギー線は、赤外線、可視光、紫外線、深紫外線、極短紫外線、真空紫外線、軟Ｘ線、電子またイオンからなる荷電粒子、中性分子からなるビームのうち、少なくとも一種を含むことを特徴とする請求項５記載の露光装置。
【請求項７】
前記エネルギー線は、前記放出ガス成分のうち、主として分子量が１００〜３００の炭素化合物を分解することを特徴とする請求項５記載の露光装置。
【請求項８】
前記エネルギー線発生源は、水銀ランプ、キセノンランプ、エキシマランプ、エキシマレーザ、半導体レーザ、レーザ励起プラズマ光源、放電励起プラズマ光源、電子ビーム源、イオンビーム源、プロトンビームのうち、少なくとも一種を含むことを特徴とする請求項５記載の露光装置。
【請求項９】
前記エネルギー線発生源は、前記被露光体ステージの近傍に配置されることを特徴とする請求項５記載の露光装置。
【請求項１０】
前記露光光源の動作と前記エネルギー線発生源の動作とを連動させるシステムをさらに備え、前記ＥＵＶを前記被露光体に照射するタイミングと、前記エネルギー線を照射するタイミングを前記システムによって制御可能としたことを特徴とする請求項５記載の露光装置。
【請求項１１】
前記ＥＵＶを通過させる開口を備えた少なくとも一つのアパーチャーを前記被露光体ステージの近傍に配置し、前記チャンバ内への前記放出ガスの拡散を抑制可能としたことを特徴とする請求項５記載の露光装置。
【請求項１】
ＥＵＶを露光光源とし、表面にレジストが塗布された被露光体および所定のパターンが形成されたマスクの走査と前記被露光体の移動とを交互に繰り返す走査型露光方式によって、前記マスクに形成された前記パターンを前記被露光体に投影する露光方法であって、前記露光光源、前記被露光体および前記マスクを含む光路空間にエネルギー線を照射することによって、前記レジストからの放出ガスを分解する工程を有することを特徴とする露光方法。
【請求項２】
前記エネルギー線は、赤外線、可視光、紫外線、深紫外線、極短紫外線、真空紫外線、軟Ｘ線、電子またイオンからなる荷電粒子、中性分子からなるビームのうち、少なくとも一種を含むことを特徴とする請求項１記載の露光方法。
【請求項３】
前記エネルギー線は、前記放出ガス成分のうち、主として分子量が１００〜３００の炭素化合物を分解することを特徴とする請求項１記載の露光方法。
【請求項４】
前記エネルギー線を前記被露光体の近傍に照射することを特徴とする請求項１記載の露光方法。
【請求項５】
ＥＵＶを発する露光光源と、所定のパターンが形成されたマスクを載置するマスクステージと、前記ＥＵＶで前記マスクを照明する照明光学系と、表面にレジストが塗布された被露光体を載置する被露光体ステージと、前記マスクに形成された前記パターンを前記被露光体に投影する投影光学系とが収納されたチャンバを備え、
前記チャンバ内には、前記レジストからの放出ガスを分解するためのエネルギー線を発生するエネルギー線発生源と、前記チャンバ内のガスを排出するための排気系とが設けられていることを特徴とする露光装置。
【請求項６】
前記エネルギー線は、赤外線、可視光、紫外線、深紫外線、極短紫外線、真空紫外線、軟Ｘ線、電子またイオンからなる荷電粒子、中性分子からなるビームのうち、少なくとも一種を含むことを特徴とする請求項５記載の露光装置。
【請求項７】
前記エネルギー線は、前記放出ガス成分のうち、主として分子量が１００〜３００の炭素化合物を分解することを特徴とする請求項５記載の露光装置。
【請求項８】
前記エネルギー線発生源は、水銀ランプ、キセノンランプ、エキシマランプ、エキシマレーザ、半導体レーザ、レーザ励起プラズマ光源、放電励起プラズマ光源、電子ビーム源、イオンビーム源、プロトンビームのうち、少なくとも一種を含むことを特徴とする請求項５記載の露光装置。
【請求項９】
前記エネルギー線発生源は、前記被露光体ステージの近傍に配置されることを特徴とする請求項５記載の露光装置。
【請求項１０】
前記露光光源の動作と前記エネルギー線発生源の動作とを連動させるシステムをさらに備え、前記ＥＵＶを前記被露光体に照射するタイミングと、前記エネルギー線を照射するタイミングを前記システムによって制御可能としたことを特徴とする請求項５記載の露光装置。
【請求項１１】
前記ＥＵＶを通過させる開口を備えた少なくとも一つのアパーチャーを前記被露光体ステージの近傍に配置し、前記チャンバ内への前記放出ガスの拡散を抑制可能としたことを特徴とする請求項５記載の露光装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【公開番号】特開２０１２−１１４１４０（Ｐ２０１２−１１４１４０Ａ）
【公開日】平成２４年６月１４日（２０１２．６．１４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２５９８９４（Ｐ２０１０−２５９８９４）
【出願日】平成２２年１１月２２日（２０１０．１１．２２）
【出願人】（３０２０６２９３１）ルネサスエレクトロニクス株式会社 (8,021)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年６月１４日（２０１２．６．１４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１１月２２日（２０１０．１１．２２）
【出願人】（３０２０６２９３１）ルネサスエレクトロニクス株式会社 (8,021)
【Ｆターム（参考）】
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