静電容量式センサーシートおよびその製造方法
【課題】透明電極と補助電極との導通面積のばらつきが抑えられた静電容量式センサーシートおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】光透過性を有する基材２の少なくとも一方の表面に光透過性導電膜の薄膜１１を成膜する成膜工程と、透明電極３として機能させる電極領域３ａを薄膜１１の少なくとも一部に設定し、薄膜１１よりも電気抵抗が低い補助電極４ａを電極領域３ａの周縁の少なくとも一部を覆うように積層する補助電極形成工程と、補助電極４ａに一端が接続される配線４ｂを薄膜１１上に積層する配線形成工程と、電極領域３ａの全てと補助電極４ａの少なくとも一部とを覆うようにレジスト１２を積層するレジスト積層工程と、光透過性を有する基材２に成膜された薄膜１１のうち、レジスト１２、補助電極４ａ、および配線４ｂと重ならない位置にある薄膜１１を除去する導電膜除去工程と、を備える。
【解決手段】光透過性を有する基材２の少なくとも一方の表面に光透過性導電膜の薄膜１１を成膜する成膜工程と、透明電極３として機能させる電極領域３ａを薄膜１１の少なくとも一部に設定し、薄膜１１よりも電気抵抗が低い補助電極４ａを電極領域３ａの周縁の少なくとも一部を覆うように積層する補助電極形成工程と、補助電極４ａに一端が接続される配線４ｂを薄膜１１上に積層する配線形成工程と、電極領域３ａの全てと補助電極４ａの少なくとも一部とを覆うようにレジスト１２を積層するレジスト積層工程と、光透過性を有する基材２に成膜された薄膜１１のうち、レジスト１２、補助電極４ａ、および配線４ｂと重ならない位置にある薄膜１１を除去する導電膜除去工程と、を備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明電極を備える静電容量式センサーシートおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、情報端末におけるユーザーインターフェイスを改善する目的で、使用者の指などが触れたことを検出するセンサーシートの様々な構成が検討されている。たとえば、特許文献１には、静電容量方式を用いて人の指などとの間の静電容量の変化を検出するセンサが開示されている。
特許文献１に記載のセンサは、透明電極の外周の少なくとも一部に、透明電極よりも電気抵抗が低い補助電極が設けられており、検出感度のばらつきを抑えることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−２６６６９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載のセンサは、その製造工程中に透明電極と補助電極との位置ずれが生じた場合に、透明電極と補助電極との導通面積がずれ量に応じてばらつくおそれがある。また、透明電極と補助電極との導通面積がずれ量に応じてばらつくのを防ぐために透明電極と補助電極とを高精度に位置決めしようとすると、製造工程が煩雑となってしまうという問題があった。
【０００５】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、透明電極と補助電極との導通面積のばらつきが抑えられた静電容量式センサーシートおよびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、この発明は以下の手段を提案している。
本発明の静電容量式センサーシートの製造方法は、光透過性を有する基材の少なくとも一方の表面に光透過性導電膜を成膜する成膜工程と、透明電極として機能させる電極領域を前記光透過性導電膜の少なくとも一部に設定し、前記光透過性導電膜よりも電気抵抗が低い補助電極を前記電極領域の周縁の少なくとも一部を覆うように積層する補助電極形成工程と、前記補助電極に一端が接続される配線を前記光透過性導電膜上に積層する配線形成工程と、前記電極領域の全てと前記補助電極の少なくとも一部とを覆うようにレジストを積層するレジスト積層工程と、前記光透過性を有する基材に成膜された前記光透過性導電膜のうち、前記レジスト、前記補助電極、および前記配線と重ならない位置にある光透過性導電膜を除去する導電膜除去工程と、を備えることを特徴とする静電容量式センサーシートの製造方法である。
【０００７】
また、前記導電膜除去工程ではプラズマエッチングにより前記光透過性導電膜を除去し、前記導電膜除去工程の後に、前記レジストを除去するレジスト除去工程をさらに備えることが好ましい。
【０００８】
また、前記レジスト積層工程において、前記レジストとして光透過性レジストを積層してもよい。
【０００９】
本発明の静電容量式センサーシートは、光透過性を有する基材と、前記基材の少なくとも一方の表面に成膜された光透過性導電膜からなる透明電極と、前記透明電極よりも電気抵抗が低く前記透明電極の周縁上に積層された膜状の電極であって前記表面と直交する方向から見た前記透明電極の輪郭線上に輪郭線の少なくとも一部が位置する補助電極と、を備えることを特徴とする静電容量式センサーシートである。
【００１０】
また、本発明の静電容量式センサーシートは、前記補助電極に一端が接続され前記光透過性導電膜上に積層された配線と、前記電極領域の少なくとも一部と前記補助電極の少なくとも一部とを覆う光透過性レジストとをさらに備え、前記表面と直交する方向から見て前記補助電極により覆われない前記透明電極の輪郭線上に前記光透過性レジストの輪郭線が位置していてもよい。
【００１１】
また、前記光透過性レジストは熱硬化性ポリエステル系樹脂からなっていてもよい。
また、前記配線の少なくとも一部は前記光透過性レジストで覆われていてもよい。
【００１２】
また、前記透明電極は前記基材の両方の表面に設けられ、前記透明電極よりも電気抵抗が低く前記透明電極の周縁上に積層された膜状の補助電極をさらに備え、前記補助電極は、前記表面と直交する方向から見た前記透明電極の輪郭線上に輪郭線の一部が位置するように配置されていてもよい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のセンサーシートおよびその製造方法によれば、透明電極と補助電極との導通面積のばらつきを抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１実施形態の静電容量式センサーシートの平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線における断面図である。
【図３】図２の一部の拡大図である。
【図４】本発明の第１実施形態の静電容量式センサーシートの製造方法を示すフローチャートである。
【図５】同実施形態の製造方法を説明するための図である。
【図６】同実施形態の製造方法を説明するための図である。
【図７】同実施形態の製造方法を説明するための図である。
【図８】同実施形態の製造方法を説明するための図である。
【図９】同実施形態の製造方法を説明するための図である。
【図１０】本発明の第２実施形態の静電容量式センサーシートを示す図で、図１のＢ−Ｂ線と同様の断面で示す断面図である。
【図１１】同実施形態の静電容量センサーシートの製造方法を示すフローチャートである。
【図１２】同実施形態の製造方法を説明するための図である。
【図１３】同実施形態の製造方法を説明するための図である。
【図１４】本発明の第３実施形態の静電容量式センサーシート１Ｂを示す平面図である。
【図１５】図１４の拡大図である。
【図１６】図１５のＣ−Ｃ線における断面図である。
【図１７】図１５のＤ−Ｄ線における断面図である。
【図１８】本発明第４実施形態の静電容量式センサーシートを示す平面図である。
【図１９】同静電容量式センサーシートの裏面図である。
【図２０】図１８のＥ−Ｅ線における断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態の静電容量式センサーシート１およびその製造方法について説明する。
まず、静電容量式センサーシート１の構成について、図１ないし図３を参照して説明する。図１は、本実施形態の静電容量式センサーシート１の平面図である。図２は、図１のＡ−Ａ線における断面図である。図３は、図２に符号Ｘで示す部分の拡大図である。なお、図１においては、カバーフィルム８の図示を省略している。
静電容量式センサーシート１は、たとえば液晶ディスプレイのタッチ型入力装置として使用されるものである。
図１および図２に示すように、静電容量式センサーシート１は、基材２と、透明電極３と、信号ライン４と、カバーフィルム８とを備えている。
【００１６】
基材２は、光透過性を有する絶縁性材料によって形成されたフィルム状、シート状、若しくは板状の部材である。基材２の材料としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート、アクリル系樹脂などの硬質材料や、熱可塑性ポリウレタン、熱硬化性ポリウレタン、シリコーンゴムなどの弾性材料からなるものを好適に用いることができる。
【００１７】
基材２の材料として採用可能な硬質材料の具体例として、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリブチレンテレフタレート、ポリフッ化ビニリデン、ポリアリレートなどの樹脂材料が挙げられる。これらの樹脂材料の中でも、強度等の点から、基材２の材料としては、ポリエチレンテレフタレートが好ましい。また、基材２の材料として、ガラス、透明金属酸化物を採用することもできる。
基材２の厚さは１０μｍ以上〜２００μｍ以下であることが好ましい。基材２の厚さが１０μｍ以上であれば、基材２が破断しにくく、基材２の厚さが２００μｍ以下であれば、静電容量式センサーシート１を薄くできる。
【００１８】
透明電極３は、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＦＴＯ（フッ素ドープ酸化スズ）、ポリチオフェン、ポリアニリンなどの透明性を有する導電性ポリマーなどの光透過性を有する導電性材料を用いて、印刷や塗布などにより基材２上に矩形状に形成されている。
透明電極３の具体的な材料としては、たとえば、ポリチオフェン系の導電性インク（たとえば、信越ポリマー（株）製、製品名ＳＥＰＬＥＧＹＤＡ（登録商標））などを好適に用いることができる。このほか、ＳＥＰＬＥＧＹＤＡ（登録商標）に比して透明性は劣るが、金、銀、銅、ＩＴＯなどの金属材料や金属酸化物を含む薄膜、金属ナノワイヤ、カーボンナノチューブを含有したインクなどを透明電極３の材料として採用することもできる。
【００１９】
透明電極３の材料として採用可能な導電性ポリマーの具体例としては、ポリピロール、ポリ（Ｎ−メチルピロール）、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリ（３−メトキシチオフェン）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）を挙げることができる。
また、透明電極３が印刷や塗布によって形成される場合、透明電極３を構成する導電性塗膜の厚さは０．０５μｍ以上５μｍ以下であることが好ましく、０．１μｍ以上１μｍ以下がより好ましい。導電性塗膜の厚さが０．０５μｍ以上であれば、導電性を好適に確保でき、０．１μｍ以上であれば検出感度として十分な表面抵抗である６００Ω／□が安定的に得られる。また導電性塗膜の厚さが５μｍ以下であれば、容易に塗膜を形成できる。
【００２０】
信号ライン４は、透明電極３に接続された補助電極４ａと、補助電極４ａに一端が接続された配線４ｂとを有する。
補助電極４ａは、透明電極３よりも低い電気抵抗を有し、透明電極３の周縁の一部を覆うように設けられた膜状の電極である。例えば、補助電極４ａの材料として銀粒子を含有するインクを用いれば、補助電極４ａの表面抵抗は１Ω／□以下となる。また、補助電極４ａの材料としてカーボンを含むインクを用いれば、補助電極４ａの表面抵抗は１５０Ω／□以下となる。
図１および図３に示すように、補助電極４ａの形状は、基材２の表面と直交する方向から見たときの形状が略矩形状であり、基材２の表面と直交する方向から見た透明電極３の輪郭線上に補助電極４ａの輪郭線の一部が位置している。補助電極４ａは、透明電極３の周縁上に積層され、透明電極３と密着して導通状態となっている。補助電極４ａの材料としては、銀、銅、あるいは金などの金属粒子を含有するインクや、カーボンまたはグラファイトを含有するインク、金属箔などを採用することができる。
【００２１】
配線４ｂは、透明電極３と同じ材料によって形成された第一層６と、透明電極３よりも低い電気抵抗を有する第二層７とを有することにより、全体として透明電極３よりも電気抵抗が低く構成されている。本実施形態では、配線４ｂの第二層７は補助電極４ａと同じ材料によって形成されている。図１に示すように、配線４ｂの一端は補助電極４ａに接続されており、配線４ｂの他端は、基材２の周縁部まで延びている。配線４ｂの他端には、金やカーボンなどからなる接続パッド５が設けられている。接続パッド５は、外部に露出されており、図示しない検出回路との接続に使用される。
【００２２】
図２に示すように、カバーフィルム８は、光透過性を有する樹脂フィルム９の片面に粘着剤１０を有するフィルムである。カバーフィルム８の材料としては、たとえば、感光性ドライフィルム、ＵＶ硬化型レジスト材、加熱硬化型レジスト材などを採用することができる。カバーフィルム８は、透明電極３および信号ライン４を覆うように所定の形状（本実施形態では矩形状）に形成されている。
【００２３】
カバーフィルム８を構成する樹脂フィルム９は、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート、アクリル系樹脂、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリブチレンテレフタレート、ポリフッ化ビニリデン、ポリアリレート、等の樹脂を材料として構成される。また、カバーフィルム８は、樹脂フィルム９に代えて、又は樹脂フィルム９に加えて、ガラスや透明金属酸化物などによるフィルムを備えていてもよい。
また、粘着剤１０の具体例としては、アクリル系樹脂を挙げることができる。
【００２４】
次に、本発明の第１実施形態の静電容量式センサーシートの製造方法について、上述した構成を備える静電容量式センサーシート１を製造する工程を例に説明する。
図４は、本実施形態の静電容量式センサーシート１の製造方法を示すフローチャートである。図５ないし図９は、本実施形態の製造方法により静電容量式センサーシート１を製造する工程を説明するための図である。
【００２５】
静電容量式センサーシート１を製造するためには、まず、図５に示すように、光透過性を有する基材２の一方の表面に、ＳＥＰＬＥＧＹＤＡ（登録商標）の薄膜１１（本実施形態における光透過性導電膜）を成膜する（図４に示すステップＳ１（成膜工程））。
ステップＳ１では、基材２の一方の表面にＳＥＰＬＥＧＹＤＡ（登録商標）の溶液をコーティングや印刷等の方法により塗膜する。ＳＥＰＬＥＧＹＤＡ（登録商標）のコーティング方法としては、グラビアコーター、ダイコーター、バーコーター、ロールコーターなどを用いた公知のコーティング方法を適宜選択して採用することができる。また、ＳＥＰＬＥＧＹＤＡ（登録商標）の溶液の印刷方法としては、グラビア印刷やオフセット印刷などの印刷方法を適宜採用することができる。ステップＳ１において、ＳＥＰＬＥＧＹＤＡ（登録商標）の溶液は表面の全面に一様に印刷される。基材２上に印刷されたＳＥＰＬＥＧＹＤＡ（登録商標）の溶液は、その後加熱乾燥や紫外線硬化などの硬化処理が行われて薄膜状となる。
これでステップＳ１は終了し、信号ライン形成工程へ進む。
【００２６】
信号ライン形成工程は、図６に示すように、透明電極３として機能させる電極領域３ａをＳＥＰＬＥＧＹＤＡ（登録商標）の薄膜１１上の少なくとも一部に設定し（図４に示すステップＳ２）、配線４ｂの一部となる第二層７と、補助電極４ａとを、電極領域３ａの位置に合わせて形成する（図４に示すステップＳ３およびステップＳ４）工程である。
なお、本実施形態では、電極領域３ａは補助電極４ａを含む。電極領域３ａのうち、補助電極４ａが形成された部分を除く領域は、光透過性を有する透光エリアとなっている。当該透光エリアは、静電容量式センサーシート１の照光のための照明光等を透過させることができるエリアである。
【００２７】
信号ライン形成工程において設定される電極領域３ａは、静電容量式センサーシート１の製造工程の終了後における透明電極３の位置および形状に基づいて設定される。さらに、電極領域３ａ内に補助電極４ａが配置され、電極領域３ａの周縁（図６に符号Ｐで示す）の少なくとも一部を補助電極４ａが覆うように、補助電極４ａが形成される。
さらに、本実施形態では、第二層７を、補助電極４ａに接続されたパターンとしてＳＥＰＬＥＧＹＤＡ（登録商標）の薄膜１１上に印刷する。本実施形態では、補助電極４ａおよび第二層７のパターンは、銀ペーストを材料としたスクリーン印刷によって一工程で形成される。
【００２８】
このように、本実施形態では、信号ライン形成工程において、補助電極４ａを形成する補助電極形成工程（図４に示すステップＳ３）と、配線４ｂを形成する配線形成工程（図４に示すステップＳ４）との両方が同時に行われる。
また、信号ライン形成工程において第二層７が形成された後、第二層７上に接続パッド５（図１参照）をさらに形成する。
【００２９】
なお、信号ライン形成工程において、静電容量式センサーシート１の外形形状をトリミングするためのアラインメントマークを第二層７の材料と同一の材料を用いて形成してもよい。
これで信号ライン形成工程は終了し、レジスト積層工程（図４に示すステップＳ５）へ進む。
【００３０】
レジスト積層工程は、ＳＥＰＬＥＧＹＤＡ（登録商標）の薄膜１１および信号ライン４が形成された基材２にレジスト１２を積層する工程である。
レジスト積層工程では、図７に示すように、電極領域３ａの全てを覆うようにレジスト１２を積層する。本実施形態では、電極領域３ａ内に補助電極４ａが設けられているので、レジスト１２は補助電極４ａも覆うように積層される。レジスト積層工程において使用されるレジスト１２は、プラズマエッチングに耐性を有するレジストである。具体的には、本実施形態では、レジスト１２として、粘着剤が塗布された樹脂フィルムを用い、この樹脂フィルムを所定のパターンにカットして電極領域３ａに貼り付けることによりレジスト１２の層を形成する。また、硬化後に剥離可能な剥離性マスキング材をパターン形状にスクリーン印刷してもよい。
【００３１】
レジスト１２の材料の具体例としては、熱硬化性樹脂（ポリエステル系樹脂、ウレタン系樹脂など）を挙げることができる。また、レジスト１２の材料の他の具体例としては、熱可塑性樹脂（ポリエステル系樹脂、ビニル系樹脂、ポリエステルウレタン系樹脂、アクリル系樹脂など）を挙げることができる。その他、レジスト積層工程において、ドライフィルム、アルミニウム等の金属板にレーザ、パンチ等の加工を施してスリットを形成したマスキングプレートを用いることもできる。
【００３２】
また、金属を含む材料にて上述のアラインメントマークを形成した場合、後述する導電膜除去工程におけるプラズマエッチングによりアラインメントマークに含まれる金属が発熱する可能性が考えられる。これに対応して、アラインメントマークにプラズマが接するのを防止する目的で、アラインメントマーク上にレジスト１２を積層してもよい。
これでレジスト積層工程は終了し、導電膜除去工程（図４に示すステップＳ６）へ進む。
【００３３】
導電膜除去工程は、ＳＥＰＬＥＧＹＤＡ（登録商標）の薄膜１１、信号ライン４、およびレジスト１２が形成された基材２から、ＳＥＰＬＥＧＹＤＡ（登録商標）の薄膜１１の一部を除去する工程である。
導電膜除去工程では、図８に示すように、基材２に成膜されたＳＥＰＬＥＧＹＤＡ（登録商標）の薄膜１１のうち、レジスト１２、補助電極４ａ、および第二層７のいずれとも重ならない位置にあるＳＥＰＬＥＧＹＤＡ（登録商標）の薄膜１１をプラズマエッチングにより除去する。導電膜除去工程により、電極領域３ａにおけるＳＥＰＬＥＧＹＤＡ（登録商標）の薄膜１１は透明電極３となる。さらに、導電膜除去工程により、第二層７と重なるＳＥＰＬＥＧＹＤＡ（登録商標）の薄膜１１は、第二層７と重なる形状の第一層６となる。これにより、第一層６と第二層７とによって配線４ｂが構成される。
これで導電膜除去工程は終了し、レジスト除去工程（図４に示すステップＳ７）へ進む。
【００３４】
レジスト除去工程は、図９に示すように、導電膜除去工程の後にレジスト１２を除去する工程である。本実施形態では、貼り付けられたレジスト１２を剥がすことによりレジスト１２を除去する。
これでレジスト除去工程は終了し、カバーフィルム貼り付け工程（図４に示すステップＳ８）へ進む。
【００３５】
カバーフィルム貼り付け工程は、図２に示すように、透明電極３および信号ライン４が形成された基材２に上述のカバーフィルム８を貼り付ける工程である。
カバーフィルム貼り付け工程では、接続パッド５（図１参照）を露出させた状態で透明電極３および信号ライン４をカバーフィルム８で覆うことによって、信号ライン４や透明電極３を保護する。
これでカバーフィルム貼り付け工程は終了し、静電容量式センサーシート１を製造する一連の工程は終了する。
【００３６】
次に、本実施形態の静電容量式センサーシート１の作用について説明する。
静電容量式センサーシート１の透明電極３は、ＳＥＰＬＥＧＹＤＡ（登録商標）の薄膜１１上に信号ライン４が形成された後、導電膜除去工程においてＳＥＰＬＥＧＹＤＡ（登録商標）の薄膜１１の一部が除去されることによって形成されている。このため、光透過性導電膜上に信号ライン４を形成する際に信号ライン４のパターン全体の位置が基材２に対してずれたとしても、透明電極３と補助電極４ａとの導通面積は、信号ライン形成工程における補助電極４ａの位置ずれの有無や位置ずれの量によらず一定となる。
【００３７】
また、基材２の外形形状をトリミングするときに信号ライン４のパターンの位置を基準にトリミングすれば、出来上がった静電容量式センサーシート１は位置ずれがないセンサーシートとなる。
【００３８】
このように、本実施形態の静電容量式センサーシート１によれば、透明電極と補助電極４ａとの導通面積のばらつきを抑えることができる。その結果、本実施形態では、予め成形された透明電極の周縁に沿って補助電極を位置決めして配置することによって製造されたセンサーシートよりも、感度の個体差を少なくすることができる。
【００３９】
また、本実施形態の静電容量式センサーシート１の製造方法によれば、補助電極４ａと透明電極３との位置決め精度を簡易な手法で高めることができる。
【００４０】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態の静電容量式センサーシート１およびその製造方法について説明する。なお、本実施形態では、上述の第１実施形態で説明した静電容量式センサーシート１および静電容量式センサーシート１の製造方法と同様の構成要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
【００４１】
図１０は、本実施形態の静電容量式センサーシート１Ａの構成を示す断面図で、図１のＢ−Ｂ線と同様の断面指示線における断面図である。
図１０に示すように、静電容量式センサーシート１Ａは、透明電極３とカバーフィルム８との間に光透過性レジスト１２Ａを有する点で上述の静電容量式センサーシート１と構成が異なっている。
光透過性レジスト１２Ａは、プラズマエッチングに対して耐性を有するレジストである。光透過性レジスト１２Ａとしては、たとえば樹脂製の透明粘着フィルムを採用することができる。また、透明絶縁インキを用いてパターン形状にスクリーン印刷したものを光透過性レジスト１２Ａとして採用してもよい。また、透明導電膜をパターン形状に形成したものを光透過性レジスト１２Ａとして採用してもよい。
【００４２】
光透過性レジスト１２Ａの材料の具体例としては、熱硬化性樹脂（ポリエステル系樹脂、ウレタン系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂など）を挙げることができる。
また、光透過性レジスト１２Ａの他の具体例としては、溶剤蒸発乾燥性樹脂（ポリエステル系樹脂、ビニル系樹脂、ポリエステルウレタン系樹脂など）や、可視光硬化性、紫外線硬化性、及び電子線硬化性樹脂を含む光硬化性樹脂（アクリル系樹脂、アクリルウレタン系樹脂など）を採用することができる。
また、熱硬化性樹脂および溶剤蒸発乾燥性樹脂は、硬化したあとも残存する低分子成分が少なく透明電極３に影響を与え難いため光透過性レジスト１２Ａの材料として好ましい。
【００４３】
光透過性レジスト１２Ａを有する静電容量式センサーシート１Ａの全光線透過率は、透明電極３を透過する部分において５０％以上であれば良く、好ましくは７０％以上で、更に好ましくは８０％以上である。
全光線透過率が高いと、タッチパネルや照光式のタッチパッドへ適応する場合の視認性を高めることができる。特に、タッチパネル等、大面積の場合には、全光線透過率が高いことが好ましい。
【００４４】
また、同様にヘイズ値は２０％以下であれば良く、好ましくは１５％以下で、更に好ましくは１０％以下である。ヘイズ値が低い方が、静電容量式センサーシートの背面側に液晶等の表示体が配置される場合の視認性が高くなる。
【００４５】
次に、本実施形態の静電容量式センサーシート１Ａの製造方法について説明する。
図１１は、本実施形態の静電容量式センサーシート１Ａの製造方法を示すフローチャートである。図１２および図１３は、本実施形態の製造方法における一部の工程を説明するための図である。
【００４６】
本実施形態の製造方法では、第１実施形態で説明したレジスト積層工程に代えて、光透過性レジスト１２Ａを積層するレジスト積層工程（図１１に示すステップＳ１５）を備える。また、本実施形態では、第１実施形態におけるレジスト除去工程（ステップＳ７）に相当する工程を有していない。
【００４７】
ステップＳ１５では、図１２に示すように、電極領域３ａの全面および補助電極４ａの少なくとも一部を覆うように透明粘着フィルムを貼り付けて光透過性レジスト１２Ａの層を形成する。
【００４８】
これでステップＳ１５は終了し、続いて図１３に示すように、第１実施形態で説明した導電膜除去工程（ステップＳ６）と同様にＳＥＰＬＥＧＹＤＡ（登録商標）の薄膜１１の一部をプラズマエッチングにより除去する。さらに、導電膜除去工程の後、光透過性レジスト１２Ａが積層されたままの状態で、第１実施形態で説明したカバーフィルム貼り付け工程（ステップＳ８）と同様にカバーフィルム８を貼り付ける。
【００４９】
本実施形態の静電容量式センサーシート１Ａは、光透過性レジスト１２Ａが貼り付けられている状態でも、レジスト１２が除去された第１実施形態の静電容量式センサーシート１と同様に光透過性を有する。このため、静電容量式センサーシート１Ａの製造工程において、光透過性レジスト１２Ａを除去する必要がない。その結果、静電容量式センサーシート１の製造工程よりも工程数を削減することができる。
【００５０】
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態の静電容量式センサーシート１Ｂについて説明する。図１４は、本実施形態の静電容量式センサーシート１Ｂを示す平面図である。図１５は、図１４に符号Ｙで示す部分の拡大図である。図１６は、図１５のＣ−Ｃ線における断面図である。図１７は、図１５のＤ−Ｄ線における断面図である。
【００５１】
図１４に示すように、本実施形態の静電容量式センサーシート１Ｂは、上述の第１実施形態で説明した信号ライン４とは引き回し経路が異なる信号ライン４Ａを備えている。さらに、図１５ないし図１７に示すように、本実施形態では、信号ライン４Ａの末端は基材２の一部上において整列して配置されている。信号ライン４Ａの末端には、接続パッド１３が設けられている。本実施形態では、接続パッド１３が設けられた部分を除く信号ライン４Ａ上の少なくとも一部が、光透過性レジスト１２Ａにて覆われている。
接続パッド１３は、例えばカーボン等によって構成されており、図示しないコネクタに信号ライン４Ａを接続する端子である。
【００５２】
本実施形態では、導電膜除去工程においてプラズマ処理をする場合に、信号ライン４Ａにプラズマが接することが光透過性レジスト１２Ａにより防止されている。これにより、信号ライン４Ａに熱伝導性が大きい物質が設けられていてもプラズマ処理中に発熱しにくい。これにより、熱による基材２の寸法変形が起こりにくくなっている。
【００５３】
例えば、本実施形態では、信号ライン４の幅が太い場合や、信号ライン４が高密度に配置されている場合であっても基材２の寸法変形が起こりにくい。
【００５４】
（第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態の静電容量式センサーシート１Ｃについて説明する。図１８は、本実施形態の静電容量式センサーシートを示す平面図である。図１９は、静電容量式センサーシートの裏面図である。図２０は、図１８のＥ−Ｅ線における断面図である。
【００５５】
図１８及び図１９に示すように、本実施形態では、第１実施形態で説明した信号ライン４とは引き回し経路が異なる信号ライン４Ｂが設けられている。また、本実施形態の静電容量式センサーシート１Ｃは、透明電極３が基材２の両面に配置されている点が上述の第２実施形態と異なっている。
信号ライン４Ｂは、補助電極４ａと末端４ｃとの間において、基材２の一方の面から他方の面へと、スルーホールを経由して延びている。
【００５６】
本実施形態の静電容量式センサーシート１Ｃを製造する場合には、図２０に示すように、まず、第１実施形態で説明したステップＳ１において、透明電極３の材料となる光透過性導電膜を基材２の両側表面に形成する。続いて、ステップＳ２では、基材２の両面側の所定の領域に電極領域３ａを設定する。さらに、ステップＳ３及びステップＳ４では、基材２の両面側の所定の位置に補助電極４ａと配線４ｂを設定する。さらに、ステップＳ１５では、両面側に対応する電極領域３ａと補助電極４ａに対応する位置に光透過性レジスト１２Ａをそれぞれ形成する。さらに、ステップＳ６では、それぞれの表面に対して片面毎にプラズマエッチングすることで、光透過性導電膜を除去する。プラズマ処理は異方性が高いので、非処理面側の電極に影響を与えない。
本実施形態では、基材２の両面側に透明電極３を簡便に形成することができる。
【実施例】
【００５７】
（実施例１）
次に、上述の第１実施形態の静電容量センサーシート１及びその製造方法について実施例を参照してより詳細に説明する。本実施例では、レジスト積層工程（上記ステップＳ５）、導電膜除去工程（上記ステップＳ６）、及びレジスト除去工程（上記ステップＳ７）の詳細について説明する。
【００５８】
上記ステップＳ５において、透明電極を構成する導電性塗膜の表面に、得ようとする信号ラインのパターンと同じパターンの開口部が形成されたメタルマスクを載せ、剥離可能なレジスト剤（株式会社アサヒ化学研究所製、＃２２８Ｔ）を厚さ８０μｍになるように印刷し、１５０℃、１０分間加熱して硬化させた。
【００５９】
次いで、上記ステップＳ６において、レジスト剤が印刷されたＰＥＴフィルムと導電性塗膜の積層体を、プラズマエッチング装置（日立ハイクテクノロジーズ社製ＳＰＣ−１００）のエッチング室内に挿入し、エッチング室内の真空度２０Ｐａ、アルゴンガス供給量５ｃｍ３／分、出力６００Ｗの条件で、２分間、導電性塗膜をプラズマエッチングした。
【００６０】
その後、上記ステップＳ７において、硬化したレジスト剤をピンセットでつまんで引き剥がして、上記ステップＳ８においてカバーフィルム８を貼り付けた。
これにより、透明電極と補助電極との導通面積のばらつきを抑えられた静電容量式センサーシートが形成された。
【００６１】
（実施例２）
次に、上述の第２実施形態の静電容量式センサーシート１Ａについて実施例を参照してより詳細に説明する。
まず、静電容量式センサーシート１Ａの製造方法の具体例について説明する。
【００６２】
ステップＳ１：厚さ５０μｍのＰＥＴシートに、ポリチオフェン系導電性高分子からなるＳＥＰＬＥＧＹＤＡ ＯＣ−ＡＥ （信越ポリマー株式会社製，登録商標，商品名）をグラビア印刷にてＰＥＴの一方の表面に塗布・乾燥して０．１μｍの厚みで光透過性導電膜を成膜した。
ステップＳ３及びステップＳ４：光透過性導電膜上に銀粒子を含む導電ペーストを用いてスクリーン印刷にて補助電極と配線を約１５μｍの厚さに同時に形成した。
ステップＳ１５：光透過性導電膜と補助電極の一部を覆う領域に電極領域（10mm×100mm）を設定し、透明樹脂を含むインクを電極領域にスクリーン印刷で塗布した。その後、加熱乾燥により当該インクを硬化させ、光透過性レジストとした。光透過性レジストの厚さは約７μｍとなっている。
ステップＳ６：プラズマエッチング装置として、日立ハイテクノロジーズ株式会社製ＳＰＣ−１００を用い、酸素をエッチングガスとしてエッチングした。本実施例では、エッチング後には、10mm×100mmの透明電極が基材上に形成される。
ステップＳ８：その後アクリル系粘着材を塗布したＰＥＴカバーフィルムを貼り付けた後、配線部の末端部にカーボン粒子を含む導電ペーストを材料として、スクリーン印刷にて接続パッドを形成し、静電容量式センサーシートを製造した。
【００６３】
本実施例では、下記表１に示すように、ステップＳ１５において使用される透明樹脂の主成分が互いに異なる複数の静電容量式センサーシートを製造した。さらに、下記表２に評価ランクとして示した基準を用いて環境試験を行い、これらの静電容量式センサーシートの抵抗値及び光学特性を評価した。なお、紫外線硬化型アクリル系樹脂を主成分とする光透過性レジストを備えた静電容量式センサーシートを本実施例に対する比較例として製造し、同様の評価を行なった。
【００６４】
環境試験は、60℃、95%RHの環境下で500時間静電容量センサーシートを静置することにより行なった。
【００６５】
評価方法は、抵抗については、長手方向の抵抗値をデジタルマルチメーターで測定した。また、全光線透過率及びヘイズは、日本電色工業製 ヘイズメーター NDH5000にて測定した。
【００６６】
下記表１は、本実施例及び上述の比較例の静電容量センサーシートの評価結果を示す表である。また、下記表２は、評価をした際の判定基準を示す表である。
【００６７】
【表１】
【００６８】
【表２】
【００６９】
上記表１に示すように、実施例１ないし４では、製造初期と環境試験後との間で抵抗、全光線透過率、及びヘイズのいずれにも顕著な変化は見られなかった。また、実施例５では、黄変により全光線透過率が悪化したが、抵抗は製造初期の状態が維持されていた。
【００７０】
比較例１では、環境試験後の抵抗が製造初期よりも高くなっており、センサーの感度に悪影響を及ぼす可能性がある。これは、残存モノマーが導電性ポリマー層に進入速度を促進されたためと推測される。
【００７１】
ポリエステル系ポリウレタン（溶剤蒸発乾燥型）、ウレタン系（熱硬化型）、アクリル系（溶剤蒸発乾燥型）については、初期でヘイズ値が高いのみであり、環境試験による抵抗値上昇（機能的観点）や黄変等による光線透過率の低下は認められなかった。
【００７２】
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
たとえば、上述の各実施形態で説明した透明電極の側壁に、補助電極と導通する電極をさらに設けてもよい。このような電極は、たとえば光透過性導電膜を除去する工程が終了した後に、透明電極の側壁に銀ペーストを塗布することによって形成することができる。この場合、上述の各実施形態で説明した静電容量式センサーシートに比べてさらに広い導通面積を確保することができる。
【００７３】
また、透明電極は、光透過性を有していれば着色されていても構わない。
また、上述の各実施形態ではＳＥＰＬＥＧＹＤＡ（登録商標）の薄膜を除去する方法としてプラズマエッチングを例示したが、ＳＥＰＬＥＧＹＤＡ（登録商標）の薄膜を除去する方法はプラズマエッチングには限られない。たとえば、ケミカルエッチングを用いてもよいし、機械的にＳＥＰＬＥＧＹＤＡ（登録商標）の薄膜を除去してもよい。
また、上述の各実施形態において示した構成要素は適宜に組み合わせて構成することが可能である。
例えば、上述の第３実施形態で説明した基材と透明電極との積層体は、基材の厚さ方向に複数重ねて設けられていてもよい。このとき、一の層と他の層との間で透明電極が互いに交差する方向に延びるように各透明電極が形成されていてもよい。
また、上述の第４実施形態で説明したように基材の両面に透明電極が形成された構成に代えて、上述した複数の積層体が互いに重ねられた構成が採用されていてもよい。
【符号の説明】
【００７４】
１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ 静電容量式センサーシート
２ 基材
３ 透明電極
３ａ 電極領域
４、４Ａ、４Ｂ 信号ライン
４ａ 補助電極
４ｂ 配線
５ 接続パッド
６ 第一層
７ 第二層
８ カバーフィルム
９ 樹脂フィルム
１０ 粘着剤
１１ 薄膜
１２ レジスト
１２Ａ 光透過性レジスト
１３ 接続パッド
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明電極を備える静電容量式センサーシートおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、情報端末におけるユーザーインターフェイスを改善する目的で、使用者の指などが触れたことを検出するセンサーシートの様々な構成が検討されている。たとえば、特許文献１には、静電容量方式を用いて人の指などとの間の静電容量の変化を検出するセンサが開示されている。
特許文献１に記載のセンサは、透明電極の外周の少なくとも一部に、透明電極よりも電気抵抗が低い補助電極が設けられており、検出感度のばらつきを抑えることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−２６６６９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載のセンサは、その製造工程中に透明電極と補助電極との位置ずれが生じた場合に、透明電極と補助電極との導通面積がずれ量に応じてばらつくおそれがある。また、透明電極と補助電極との導通面積がずれ量に応じてばらつくのを防ぐために透明電極と補助電極とを高精度に位置決めしようとすると、製造工程が煩雑となってしまうという問題があった。
【０００５】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、透明電極と補助電極との導通面積のばらつきが抑えられた静電容量式センサーシートおよびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、この発明は以下の手段を提案している。
本発明の静電容量式センサーシートの製造方法は、光透過性を有する基材の少なくとも一方の表面に光透過性導電膜を成膜する成膜工程と、透明電極として機能させる電極領域を前記光透過性導電膜の少なくとも一部に設定し、前記光透過性導電膜よりも電気抵抗が低い補助電極を前記電極領域の周縁の少なくとも一部を覆うように積層する補助電極形成工程と、前記補助電極に一端が接続される配線を前記光透過性導電膜上に積層する配線形成工程と、前記電極領域の全てと前記補助電極の少なくとも一部とを覆うようにレジストを積層するレジスト積層工程と、前記光透過性を有する基材に成膜された前記光透過性導電膜のうち、前記レジスト、前記補助電極、および前記配線と重ならない位置にある光透過性導電膜を除去する導電膜除去工程と、を備えることを特徴とする静電容量式センサーシートの製造方法である。
【０００７】
また、前記導電膜除去工程ではプラズマエッチングにより前記光透過性導電膜を除去し、前記導電膜除去工程の後に、前記レジストを除去するレジスト除去工程をさらに備えることが好ましい。
【０００８】
また、前記レジスト積層工程において、前記レジストとして光透過性レジストを積層してもよい。
【０００９】
本発明の静電容量式センサーシートは、光透過性を有する基材と、前記基材の少なくとも一方の表面に成膜された光透過性導電膜からなる透明電極と、前記透明電極よりも電気抵抗が低く前記透明電極の周縁上に積層された膜状の電極であって前記表面と直交する方向から見た前記透明電極の輪郭線上に輪郭線の少なくとも一部が位置する補助電極と、を備えることを特徴とする静電容量式センサーシートである。
【００１０】
また、本発明の静電容量式センサーシートは、前記補助電極に一端が接続され前記光透過性導電膜上に積層された配線と、前記電極領域の少なくとも一部と前記補助電極の少なくとも一部とを覆う光透過性レジストとをさらに備え、前記表面と直交する方向から見て前記補助電極により覆われない前記透明電極の輪郭線上に前記光透過性レジストの輪郭線が位置していてもよい。
【００１１】
また、前記光透過性レジストは熱硬化性ポリエステル系樹脂からなっていてもよい。
また、前記配線の少なくとも一部は前記光透過性レジストで覆われていてもよい。
【００１２】
また、前記透明電極は前記基材の両方の表面に設けられ、前記透明電極よりも電気抵抗が低く前記透明電極の周縁上に積層された膜状の補助電極をさらに備え、前記補助電極は、前記表面と直交する方向から見た前記透明電極の輪郭線上に輪郭線の一部が位置するように配置されていてもよい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のセンサーシートおよびその製造方法によれば、透明電極と補助電極との導通面積のばらつきを抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１実施形態の静電容量式センサーシートの平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線における断面図である。
【図３】図２の一部の拡大図である。
【図４】本発明の第１実施形態の静電容量式センサーシートの製造方法を示すフローチャートである。
【図５】同実施形態の製造方法を説明するための図である。
【図６】同実施形態の製造方法を説明するための図である。
【図７】同実施形態の製造方法を説明するための図である。
【図８】同実施形態の製造方法を説明するための図である。
【図９】同実施形態の製造方法を説明するための図である。
【図１０】本発明の第２実施形態の静電容量式センサーシートを示す図で、図１のＢ−Ｂ線と同様の断面で示す断面図である。
【図１１】同実施形態の静電容量センサーシートの製造方法を示すフローチャートである。
【図１２】同実施形態の製造方法を説明するための図である。
【図１３】同実施形態の製造方法を説明するための図である。
【図１４】本発明の第３実施形態の静電容量式センサーシート１Ｂを示す平面図である。
【図１５】図１４の拡大図である。
【図１６】図１５のＣ−Ｃ線における断面図である。
【図１７】図１５のＤ−Ｄ線における断面図である。
【図１８】本発明第４実施形態の静電容量式センサーシートを示す平面図である。
【図１９】同静電容量式センサーシートの裏面図である。
【図２０】図１８のＥ−Ｅ線における断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態の静電容量式センサーシート１およびその製造方法について説明する。
まず、静電容量式センサーシート１の構成について、図１ないし図３を参照して説明する。図１は、本実施形態の静電容量式センサーシート１の平面図である。図２は、図１のＡ−Ａ線における断面図である。図３は、図２に符号Ｘで示す部分の拡大図である。なお、図１においては、カバーフィルム８の図示を省略している。
静電容量式センサーシート１は、たとえば液晶ディスプレイのタッチ型入力装置として使用されるものである。
図１および図２に示すように、静電容量式センサーシート１は、基材２と、透明電極３と、信号ライン４と、カバーフィルム８とを備えている。
【００１６】
基材２は、光透過性を有する絶縁性材料によって形成されたフィルム状、シート状、若しくは板状の部材である。基材２の材料としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート、アクリル系樹脂などの硬質材料や、熱可塑性ポリウレタン、熱硬化性ポリウレタン、シリコーンゴムなどの弾性材料からなるものを好適に用いることができる。
【００１７】
基材２の材料として採用可能な硬質材料の具体例として、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリブチレンテレフタレート、ポリフッ化ビニリデン、ポリアリレートなどの樹脂材料が挙げられる。これらの樹脂材料の中でも、強度等の点から、基材２の材料としては、ポリエチレンテレフタレートが好ましい。また、基材２の材料として、ガラス、透明金属酸化物を採用することもできる。
基材２の厚さは１０μｍ以上〜２００μｍ以下であることが好ましい。基材２の厚さが１０μｍ以上であれば、基材２が破断しにくく、基材２の厚さが２００μｍ以下であれば、静電容量式センサーシート１を薄くできる。
【００１８】
透明電極３は、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＦＴＯ（フッ素ドープ酸化スズ）、ポリチオフェン、ポリアニリンなどの透明性を有する導電性ポリマーなどの光透過性を有する導電性材料を用いて、印刷や塗布などにより基材２上に矩形状に形成されている。
透明電極３の具体的な材料としては、たとえば、ポリチオフェン系の導電性インク（たとえば、信越ポリマー（株）製、製品名ＳＥＰＬＥＧＹＤＡ（登録商標））などを好適に用いることができる。このほか、ＳＥＰＬＥＧＹＤＡ（登録商標）に比して透明性は劣るが、金、銀、銅、ＩＴＯなどの金属材料や金属酸化物を含む薄膜、金属ナノワイヤ、カーボンナノチューブを含有したインクなどを透明電極３の材料として採用することもできる。
【００１９】
透明電極３の材料として採用可能な導電性ポリマーの具体例としては、ポリピロール、ポリ（Ｎ−メチルピロール）、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリ（３−メトキシチオフェン）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）を挙げることができる。
また、透明電極３が印刷や塗布によって形成される場合、透明電極３を構成する導電性塗膜の厚さは０．０５μｍ以上５μｍ以下であることが好ましく、０．１μｍ以上１μｍ以下がより好ましい。導電性塗膜の厚さが０．０５μｍ以上であれば、導電性を好適に確保でき、０．１μｍ以上であれば検出感度として十分な表面抵抗である６００Ω／□が安定的に得られる。また導電性塗膜の厚さが５μｍ以下であれば、容易に塗膜を形成できる。
【００２０】
信号ライン４は、透明電極３に接続された補助電極４ａと、補助電極４ａに一端が接続された配線４ｂとを有する。
補助電極４ａは、透明電極３よりも低い電気抵抗を有し、透明電極３の周縁の一部を覆うように設けられた膜状の電極である。例えば、補助電極４ａの材料として銀粒子を含有するインクを用いれば、補助電極４ａの表面抵抗は１Ω／□以下となる。また、補助電極４ａの材料としてカーボンを含むインクを用いれば、補助電極４ａの表面抵抗は１５０Ω／□以下となる。
図１および図３に示すように、補助電極４ａの形状は、基材２の表面と直交する方向から見たときの形状が略矩形状であり、基材２の表面と直交する方向から見た透明電極３の輪郭線上に補助電極４ａの輪郭線の一部が位置している。補助電極４ａは、透明電極３の周縁上に積層され、透明電極３と密着して導通状態となっている。補助電極４ａの材料としては、銀、銅、あるいは金などの金属粒子を含有するインクや、カーボンまたはグラファイトを含有するインク、金属箔などを採用することができる。
【００２１】
配線４ｂは、透明電極３と同じ材料によって形成された第一層６と、透明電極３よりも低い電気抵抗を有する第二層７とを有することにより、全体として透明電極３よりも電気抵抗が低く構成されている。本実施形態では、配線４ｂの第二層７は補助電極４ａと同じ材料によって形成されている。図１に示すように、配線４ｂの一端は補助電極４ａに接続されており、配線４ｂの他端は、基材２の周縁部まで延びている。配線４ｂの他端には、金やカーボンなどからなる接続パッド５が設けられている。接続パッド５は、外部に露出されており、図示しない検出回路との接続に使用される。
【００２２】
図２に示すように、カバーフィルム８は、光透過性を有する樹脂フィルム９の片面に粘着剤１０を有するフィルムである。カバーフィルム８の材料としては、たとえば、感光性ドライフィルム、ＵＶ硬化型レジスト材、加熱硬化型レジスト材などを採用することができる。カバーフィルム８は、透明電極３および信号ライン４を覆うように所定の形状（本実施形態では矩形状）に形成されている。
【００２３】
カバーフィルム８を構成する樹脂フィルム９は、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート、アクリル系樹脂、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリブチレンテレフタレート、ポリフッ化ビニリデン、ポリアリレート、等の樹脂を材料として構成される。また、カバーフィルム８は、樹脂フィルム９に代えて、又は樹脂フィルム９に加えて、ガラスや透明金属酸化物などによるフィルムを備えていてもよい。
また、粘着剤１０の具体例としては、アクリル系樹脂を挙げることができる。
【００２４】
次に、本発明の第１実施形態の静電容量式センサーシートの製造方法について、上述した構成を備える静電容量式センサーシート１を製造する工程を例に説明する。
図４は、本実施形態の静電容量式センサーシート１の製造方法を示すフローチャートである。図５ないし図９は、本実施形態の製造方法により静電容量式センサーシート１を製造する工程を説明するための図である。
【００２５】
静電容量式センサーシート１を製造するためには、まず、図５に示すように、光透過性を有する基材２の一方の表面に、ＳＥＰＬＥＧＹＤＡ（登録商標）の薄膜１１（本実施形態における光透過性導電膜）を成膜する（図４に示すステップＳ１（成膜工程））。
ステップＳ１では、基材２の一方の表面にＳＥＰＬＥＧＹＤＡ（登録商標）の溶液をコーティングや印刷等の方法により塗膜する。ＳＥＰＬＥＧＹＤＡ（登録商標）のコーティング方法としては、グラビアコーター、ダイコーター、バーコーター、ロールコーターなどを用いた公知のコーティング方法を適宜選択して採用することができる。また、ＳＥＰＬＥＧＹＤＡ（登録商標）の溶液の印刷方法としては、グラビア印刷やオフセット印刷などの印刷方法を適宜採用することができる。ステップＳ１において、ＳＥＰＬＥＧＹＤＡ（登録商標）の溶液は表面の全面に一様に印刷される。基材２上に印刷されたＳＥＰＬＥＧＹＤＡ（登録商標）の溶液は、その後加熱乾燥や紫外線硬化などの硬化処理が行われて薄膜状となる。
これでステップＳ１は終了し、信号ライン形成工程へ進む。
【００２６】
信号ライン形成工程は、図６に示すように、透明電極３として機能させる電極領域３ａをＳＥＰＬＥＧＹＤＡ（登録商標）の薄膜１１上の少なくとも一部に設定し（図４に示すステップＳ２）、配線４ｂの一部となる第二層７と、補助電極４ａとを、電極領域３ａの位置に合わせて形成する（図４に示すステップＳ３およびステップＳ４）工程である。
なお、本実施形態では、電極領域３ａは補助電極４ａを含む。電極領域３ａのうち、補助電極４ａが形成された部分を除く領域は、光透過性を有する透光エリアとなっている。当該透光エリアは、静電容量式センサーシート１の照光のための照明光等を透過させることができるエリアである。
【００２７】
信号ライン形成工程において設定される電極領域３ａは、静電容量式センサーシート１の製造工程の終了後における透明電極３の位置および形状に基づいて設定される。さらに、電極領域３ａ内に補助電極４ａが配置され、電極領域３ａの周縁（図６に符号Ｐで示す）の少なくとも一部を補助電極４ａが覆うように、補助電極４ａが形成される。
さらに、本実施形態では、第二層７を、補助電極４ａに接続されたパターンとしてＳＥＰＬＥＧＹＤＡ（登録商標）の薄膜１１上に印刷する。本実施形態では、補助電極４ａおよび第二層７のパターンは、銀ペーストを材料としたスクリーン印刷によって一工程で形成される。
【００２８】
このように、本実施形態では、信号ライン形成工程において、補助電極４ａを形成する補助電極形成工程（図４に示すステップＳ３）と、配線４ｂを形成する配線形成工程（図４に示すステップＳ４）との両方が同時に行われる。
また、信号ライン形成工程において第二層７が形成された後、第二層７上に接続パッド５（図１参照）をさらに形成する。
【００２９】
なお、信号ライン形成工程において、静電容量式センサーシート１の外形形状をトリミングするためのアラインメントマークを第二層７の材料と同一の材料を用いて形成してもよい。
これで信号ライン形成工程は終了し、レジスト積層工程（図４に示すステップＳ５）へ進む。
【００３０】
レジスト積層工程は、ＳＥＰＬＥＧＹＤＡ（登録商標）の薄膜１１および信号ライン４が形成された基材２にレジスト１２を積層する工程である。
レジスト積層工程では、図７に示すように、電極領域３ａの全てを覆うようにレジスト１２を積層する。本実施形態では、電極領域３ａ内に補助電極４ａが設けられているので、レジスト１２は補助電極４ａも覆うように積層される。レジスト積層工程において使用されるレジスト１２は、プラズマエッチングに耐性を有するレジストである。具体的には、本実施形態では、レジスト１２として、粘着剤が塗布された樹脂フィルムを用い、この樹脂フィルムを所定のパターンにカットして電極領域３ａに貼り付けることによりレジスト１２の層を形成する。また、硬化後に剥離可能な剥離性マスキング材をパターン形状にスクリーン印刷してもよい。
【００３１】
レジスト１２の材料の具体例としては、熱硬化性樹脂（ポリエステル系樹脂、ウレタン系樹脂など）を挙げることができる。また、レジスト１２の材料の他の具体例としては、熱可塑性樹脂（ポリエステル系樹脂、ビニル系樹脂、ポリエステルウレタン系樹脂、アクリル系樹脂など）を挙げることができる。その他、レジスト積層工程において、ドライフィルム、アルミニウム等の金属板にレーザ、パンチ等の加工を施してスリットを形成したマスキングプレートを用いることもできる。
【００３２】
また、金属を含む材料にて上述のアラインメントマークを形成した場合、後述する導電膜除去工程におけるプラズマエッチングによりアラインメントマークに含まれる金属が発熱する可能性が考えられる。これに対応して、アラインメントマークにプラズマが接するのを防止する目的で、アラインメントマーク上にレジスト１２を積層してもよい。
これでレジスト積層工程は終了し、導電膜除去工程（図４に示すステップＳ６）へ進む。
【００３３】
導電膜除去工程は、ＳＥＰＬＥＧＹＤＡ（登録商標）の薄膜１１、信号ライン４、およびレジスト１２が形成された基材２から、ＳＥＰＬＥＧＹＤＡ（登録商標）の薄膜１１の一部を除去する工程である。
導電膜除去工程では、図８に示すように、基材２に成膜されたＳＥＰＬＥＧＹＤＡ（登録商標）の薄膜１１のうち、レジスト１２、補助電極４ａ、および第二層７のいずれとも重ならない位置にあるＳＥＰＬＥＧＹＤＡ（登録商標）の薄膜１１をプラズマエッチングにより除去する。導電膜除去工程により、電極領域３ａにおけるＳＥＰＬＥＧＹＤＡ（登録商標）の薄膜１１は透明電極３となる。さらに、導電膜除去工程により、第二層７と重なるＳＥＰＬＥＧＹＤＡ（登録商標）の薄膜１１は、第二層７と重なる形状の第一層６となる。これにより、第一層６と第二層７とによって配線４ｂが構成される。
これで導電膜除去工程は終了し、レジスト除去工程（図４に示すステップＳ７）へ進む。
【００３４】
レジスト除去工程は、図９に示すように、導電膜除去工程の後にレジスト１２を除去する工程である。本実施形態では、貼り付けられたレジスト１２を剥がすことによりレジスト１２を除去する。
これでレジスト除去工程は終了し、カバーフィルム貼り付け工程（図４に示すステップＳ８）へ進む。
【００３５】
カバーフィルム貼り付け工程は、図２に示すように、透明電極３および信号ライン４が形成された基材２に上述のカバーフィルム８を貼り付ける工程である。
カバーフィルム貼り付け工程では、接続パッド５（図１参照）を露出させた状態で透明電極３および信号ライン４をカバーフィルム８で覆うことによって、信号ライン４や透明電極３を保護する。
これでカバーフィルム貼り付け工程は終了し、静電容量式センサーシート１を製造する一連の工程は終了する。
【００３６】
次に、本実施形態の静電容量式センサーシート１の作用について説明する。
静電容量式センサーシート１の透明電極３は、ＳＥＰＬＥＧＹＤＡ（登録商標）の薄膜１１上に信号ライン４が形成された後、導電膜除去工程においてＳＥＰＬＥＧＹＤＡ（登録商標）の薄膜１１の一部が除去されることによって形成されている。このため、光透過性導電膜上に信号ライン４を形成する際に信号ライン４のパターン全体の位置が基材２に対してずれたとしても、透明電極３と補助電極４ａとの導通面積は、信号ライン形成工程における補助電極４ａの位置ずれの有無や位置ずれの量によらず一定となる。
【００３７】
また、基材２の外形形状をトリミングするときに信号ライン４のパターンの位置を基準にトリミングすれば、出来上がった静電容量式センサーシート１は位置ずれがないセンサーシートとなる。
【００３８】
このように、本実施形態の静電容量式センサーシート１によれば、透明電極と補助電極４ａとの導通面積のばらつきを抑えることができる。その結果、本実施形態では、予め成形された透明電極の周縁に沿って補助電極を位置決めして配置することによって製造されたセンサーシートよりも、感度の個体差を少なくすることができる。
【００３９】
また、本実施形態の静電容量式センサーシート１の製造方法によれば、補助電極４ａと透明電極３との位置決め精度を簡易な手法で高めることができる。
【００４０】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態の静電容量式センサーシート１およびその製造方法について説明する。なお、本実施形態では、上述の第１実施形態で説明した静電容量式センサーシート１および静電容量式センサーシート１の製造方法と同様の構成要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
【００４１】
図１０は、本実施形態の静電容量式センサーシート１Ａの構成を示す断面図で、図１のＢ−Ｂ線と同様の断面指示線における断面図である。
図１０に示すように、静電容量式センサーシート１Ａは、透明電極３とカバーフィルム８との間に光透過性レジスト１２Ａを有する点で上述の静電容量式センサーシート１と構成が異なっている。
光透過性レジスト１２Ａは、プラズマエッチングに対して耐性を有するレジストである。光透過性レジスト１２Ａとしては、たとえば樹脂製の透明粘着フィルムを採用することができる。また、透明絶縁インキを用いてパターン形状にスクリーン印刷したものを光透過性レジスト１２Ａとして採用してもよい。また、透明導電膜をパターン形状に形成したものを光透過性レジスト１２Ａとして採用してもよい。
【００４２】
光透過性レジスト１２Ａの材料の具体例としては、熱硬化性樹脂（ポリエステル系樹脂、ウレタン系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂など）を挙げることができる。
また、光透過性レジスト１２Ａの他の具体例としては、溶剤蒸発乾燥性樹脂（ポリエステル系樹脂、ビニル系樹脂、ポリエステルウレタン系樹脂など）や、可視光硬化性、紫外線硬化性、及び電子線硬化性樹脂を含む光硬化性樹脂（アクリル系樹脂、アクリルウレタン系樹脂など）を採用することができる。
また、熱硬化性樹脂および溶剤蒸発乾燥性樹脂は、硬化したあとも残存する低分子成分が少なく透明電極３に影響を与え難いため光透過性レジスト１２Ａの材料として好ましい。
【００４３】
光透過性レジスト１２Ａを有する静電容量式センサーシート１Ａの全光線透過率は、透明電極３を透過する部分において５０％以上であれば良く、好ましくは７０％以上で、更に好ましくは８０％以上である。
全光線透過率が高いと、タッチパネルや照光式のタッチパッドへ適応する場合の視認性を高めることができる。特に、タッチパネル等、大面積の場合には、全光線透過率が高いことが好ましい。
【００４４】
また、同様にヘイズ値は２０％以下であれば良く、好ましくは１５％以下で、更に好ましくは１０％以下である。ヘイズ値が低い方が、静電容量式センサーシートの背面側に液晶等の表示体が配置される場合の視認性が高くなる。
【００４５】
次に、本実施形態の静電容量式センサーシート１Ａの製造方法について説明する。
図１１は、本実施形態の静電容量式センサーシート１Ａの製造方法を示すフローチャートである。図１２および図１３は、本実施形態の製造方法における一部の工程を説明するための図である。
【００４６】
本実施形態の製造方法では、第１実施形態で説明したレジスト積層工程に代えて、光透過性レジスト１２Ａを積層するレジスト積層工程（図１１に示すステップＳ１５）を備える。また、本実施形態では、第１実施形態におけるレジスト除去工程（ステップＳ７）に相当する工程を有していない。
【００４７】
ステップＳ１５では、図１２に示すように、電極領域３ａの全面および補助電極４ａの少なくとも一部を覆うように透明粘着フィルムを貼り付けて光透過性レジスト１２Ａの層を形成する。
【００４８】
これでステップＳ１５は終了し、続いて図１３に示すように、第１実施形態で説明した導電膜除去工程（ステップＳ６）と同様にＳＥＰＬＥＧＹＤＡ（登録商標）の薄膜１１の一部をプラズマエッチングにより除去する。さらに、導電膜除去工程の後、光透過性レジスト１２Ａが積層されたままの状態で、第１実施形態で説明したカバーフィルム貼り付け工程（ステップＳ８）と同様にカバーフィルム８を貼り付ける。
【００４９】
本実施形態の静電容量式センサーシート１Ａは、光透過性レジスト１２Ａが貼り付けられている状態でも、レジスト１２が除去された第１実施形態の静電容量式センサーシート１と同様に光透過性を有する。このため、静電容量式センサーシート１Ａの製造工程において、光透過性レジスト１２Ａを除去する必要がない。その結果、静電容量式センサーシート１の製造工程よりも工程数を削減することができる。
【００５０】
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態の静電容量式センサーシート１Ｂについて説明する。図１４は、本実施形態の静電容量式センサーシート１Ｂを示す平面図である。図１５は、図１４に符号Ｙで示す部分の拡大図である。図１６は、図１５のＣ−Ｃ線における断面図である。図１７は、図１５のＤ−Ｄ線における断面図である。
【００５１】
図１４に示すように、本実施形態の静電容量式センサーシート１Ｂは、上述の第１実施形態で説明した信号ライン４とは引き回し経路が異なる信号ライン４Ａを備えている。さらに、図１５ないし図１７に示すように、本実施形態では、信号ライン４Ａの末端は基材２の一部上において整列して配置されている。信号ライン４Ａの末端には、接続パッド１３が設けられている。本実施形態では、接続パッド１３が設けられた部分を除く信号ライン４Ａ上の少なくとも一部が、光透過性レジスト１２Ａにて覆われている。
接続パッド１３は、例えばカーボン等によって構成されており、図示しないコネクタに信号ライン４Ａを接続する端子である。
【００５２】
本実施形態では、導電膜除去工程においてプラズマ処理をする場合に、信号ライン４Ａにプラズマが接することが光透過性レジスト１２Ａにより防止されている。これにより、信号ライン４Ａに熱伝導性が大きい物質が設けられていてもプラズマ処理中に発熱しにくい。これにより、熱による基材２の寸法変形が起こりにくくなっている。
【００５３】
例えば、本実施形態では、信号ライン４の幅が太い場合や、信号ライン４が高密度に配置されている場合であっても基材２の寸法変形が起こりにくい。
【００５４】
（第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態の静電容量式センサーシート１Ｃについて説明する。図１８は、本実施形態の静電容量式センサーシートを示す平面図である。図１９は、静電容量式センサーシートの裏面図である。図２０は、図１８のＥ−Ｅ線における断面図である。
【００５５】
図１８及び図１９に示すように、本実施形態では、第１実施形態で説明した信号ライン４とは引き回し経路が異なる信号ライン４Ｂが設けられている。また、本実施形態の静電容量式センサーシート１Ｃは、透明電極３が基材２の両面に配置されている点が上述の第２実施形態と異なっている。
信号ライン４Ｂは、補助電極４ａと末端４ｃとの間において、基材２の一方の面から他方の面へと、スルーホールを経由して延びている。
【００５６】
本実施形態の静電容量式センサーシート１Ｃを製造する場合には、図２０に示すように、まず、第１実施形態で説明したステップＳ１において、透明電極３の材料となる光透過性導電膜を基材２の両側表面に形成する。続いて、ステップＳ２では、基材２の両面側の所定の領域に電極領域３ａを設定する。さらに、ステップＳ３及びステップＳ４では、基材２の両面側の所定の位置に補助電極４ａと配線４ｂを設定する。さらに、ステップＳ１５では、両面側に対応する電極領域３ａと補助電極４ａに対応する位置に光透過性レジスト１２Ａをそれぞれ形成する。さらに、ステップＳ６では、それぞれの表面に対して片面毎にプラズマエッチングすることで、光透過性導電膜を除去する。プラズマ処理は異方性が高いので、非処理面側の電極に影響を与えない。
本実施形態では、基材２の両面側に透明電極３を簡便に形成することができる。
【実施例】
【００５７】
（実施例１）
次に、上述の第１実施形態の静電容量センサーシート１及びその製造方法について実施例を参照してより詳細に説明する。本実施例では、レジスト積層工程（上記ステップＳ５）、導電膜除去工程（上記ステップＳ６）、及びレジスト除去工程（上記ステップＳ７）の詳細について説明する。
【００５８】
上記ステップＳ５において、透明電極を構成する導電性塗膜の表面に、得ようとする信号ラインのパターンと同じパターンの開口部が形成されたメタルマスクを載せ、剥離可能なレジスト剤（株式会社アサヒ化学研究所製、＃２２８Ｔ）を厚さ８０μｍになるように印刷し、１５０℃、１０分間加熱して硬化させた。
【００５９】
次いで、上記ステップＳ６において、レジスト剤が印刷されたＰＥＴフィルムと導電性塗膜の積層体を、プラズマエッチング装置（日立ハイクテクノロジーズ社製ＳＰＣ−１００）のエッチング室内に挿入し、エッチング室内の真空度２０Ｐａ、アルゴンガス供給量５ｃｍ３／分、出力６００Ｗの条件で、２分間、導電性塗膜をプラズマエッチングした。
【００６０】
その後、上記ステップＳ７において、硬化したレジスト剤をピンセットでつまんで引き剥がして、上記ステップＳ８においてカバーフィルム８を貼り付けた。
これにより、透明電極と補助電極との導通面積のばらつきを抑えられた静電容量式センサーシートが形成された。
【００６１】
（実施例２）
次に、上述の第２実施形態の静電容量式センサーシート１Ａについて実施例を参照してより詳細に説明する。
まず、静電容量式センサーシート１Ａの製造方法の具体例について説明する。
【００６２】
ステップＳ１：厚さ５０μｍのＰＥＴシートに、ポリチオフェン系導電性高分子からなるＳＥＰＬＥＧＹＤＡ ＯＣ−ＡＥ （信越ポリマー株式会社製，登録商標，商品名）をグラビア印刷にてＰＥＴの一方の表面に塗布・乾燥して０．１μｍの厚みで光透過性導電膜を成膜した。
ステップＳ３及びステップＳ４：光透過性導電膜上に銀粒子を含む導電ペーストを用いてスクリーン印刷にて補助電極と配線を約１５μｍの厚さに同時に形成した。
ステップＳ１５：光透過性導電膜と補助電極の一部を覆う領域に電極領域（10mm×100mm）を設定し、透明樹脂を含むインクを電極領域にスクリーン印刷で塗布した。その後、加熱乾燥により当該インクを硬化させ、光透過性レジストとした。光透過性レジストの厚さは約７μｍとなっている。
ステップＳ６：プラズマエッチング装置として、日立ハイテクノロジーズ株式会社製ＳＰＣ−１００を用い、酸素をエッチングガスとしてエッチングした。本実施例では、エッチング後には、10mm×100mmの透明電極が基材上に形成される。
ステップＳ８：その後アクリル系粘着材を塗布したＰＥＴカバーフィルムを貼り付けた後、配線部の末端部にカーボン粒子を含む導電ペーストを材料として、スクリーン印刷にて接続パッドを形成し、静電容量式センサーシートを製造した。
【００６３】
本実施例では、下記表１に示すように、ステップＳ１５において使用される透明樹脂の主成分が互いに異なる複数の静電容量式センサーシートを製造した。さらに、下記表２に評価ランクとして示した基準を用いて環境試験を行い、これらの静電容量式センサーシートの抵抗値及び光学特性を評価した。なお、紫外線硬化型アクリル系樹脂を主成分とする光透過性レジストを備えた静電容量式センサーシートを本実施例に対する比較例として製造し、同様の評価を行なった。
【００６４】
環境試験は、60℃、95%RHの環境下で500時間静電容量センサーシートを静置することにより行なった。
【００６５】
評価方法は、抵抗については、長手方向の抵抗値をデジタルマルチメーターで測定した。また、全光線透過率及びヘイズは、日本電色工業製 ヘイズメーター NDH5000にて測定した。
【００６６】
下記表１は、本実施例及び上述の比較例の静電容量センサーシートの評価結果を示す表である。また、下記表２は、評価をした際の判定基準を示す表である。
【００６７】
【表１】
【００６８】
【表２】
【００６９】
上記表１に示すように、実施例１ないし４では、製造初期と環境試験後との間で抵抗、全光線透過率、及びヘイズのいずれにも顕著な変化は見られなかった。また、実施例５では、黄変により全光線透過率が悪化したが、抵抗は製造初期の状態が維持されていた。
【００７０】
比較例１では、環境試験後の抵抗が製造初期よりも高くなっており、センサーの感度に悪影響を及ぼす可能性がある。これは、残存モノマーが導電性ポリマー層に進入速度を促進されたためと推測される。
【００７１】
ポリエステル系ポリウレタン（溶剤蒸発乾燥型）、ウレタン系（熱硬化型）、アクリル系（溶剤蒸発乾燥型）については、初期でヘイズ値が高いのみであり、環境試験による抵抗値上昇（機能的観点）や黄変等による光線透過率の低下は認められなかった。
【００７２】
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
たとえば、上述の各実施形態で説明した透明電極の側壁に、補助電極と導通する電極をさらに設けてもよい。このような電極は、たとえば光透過性導電膜を除去する工程が終了した後に、透明電極の側壁に銀ペーストを塗布することによって形成することができる。この場合、上述の各実施形態で説明した静電容量式センサーシートに比べてさらに広い導通面積を確保することができる。
【００７３】
また、透明電極は、光透過性を有していれば着色されていても構わない。
また、上述の各実施形態ではＳＥＰＬＥＧＹＤＡ（登録商標）の薄膜を除去する方法としてプラズマエッチングを例示したが、ＳＥＰＬＥＧＹＤＡ（登録商標）の薄膜を除去する方法はプラズマエッチングには限られない。たとえば、ケミカルエッチングを用いてもよいし、機械的にＳＥＰＬＥＧＹＤＡ（登録商標）の薄膜を除去してもよい。
また、上述の各実施形態において示した構成要素は適宜に組み合わせて構成することが可能である。
例えば、上述の第３実施形態で説明した基材と透明電極との積層体は、基材の厚さ方向に複数重ねて設けられていてもよい。このとき、一の層と他の層との間で透明電極が互いに交差する方向に延びるように各透明電極が形成されていてもよい。
また、上述の第４実施形態で説明したように基材の両面に透明電極が形成された構成に代えて、上述した複数の積層体が互いに重ねられた構成が採用されていてもよい。
【符号の説明】
【００７４】
１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ 静電容量式センサーシート
２ 基材
３ 透明電極
３ａ 電極領域
４、４Ａ、４Ｂ 信号ライン
４ａ 補助電極
４ｂ 配線
５ 接続パッド
６ 第一層
７ 第二層
８ カバーフィルム
９ 樹脂フィルム
１０ 粘着剤
１１ 薄膜
１２ レジスト
１２Ａ 光透過性レジスト
１３ 接続パッド
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光透過性を有する基材の少なくとも一方の表面に光透過性導電膜を成膜する成膜工程と、
透明電極として機能させる電極領域を前記光透過性導電膜の少なくとも一部に設定し、前記光透過性導電膜よりも電気抵抗が低い補助電極を前記電極領域の周縁の少なくとも一部を覆うように積層する補助電極形成工程と、
前記補助電極に一端が接続される配線を前記光透過性導電膜上に積層する配線形成工程と、
前記電極領域の全てと前記補助電極の少なくとも一部とを覆うようにレジストを積層するレジスト積層工程と、
前記光透過性を有する基材に成膜された前記光透過性導電膜のうち、前記レジスト、前記補助電極、および前記配線と重ならない位置にある光透過性導電膜を除去する導電膜除去工程と、
を備えることを特徴とする静電容量式センサーシートの製造方法。
【請求項２】
前記導電膜除去工程ではプラズマエッチングにより前記光透過性導電膜を除去し、
前記導電膜除去工程の後に、前記レジストを除去するレジスト除去工程をさらに備える
ことを特徴とする請求項１に記載の静電容量式センサーシートの製造方法。
【請求項３】
前記レジスト積層工程において、前記レジストとして光透過性レジストを積層することを特徴とする請求項１に記載の静電容量式センサーシートの製造方法。
【請求項４】
光透過性を有する基材と、
前記基材の少なくとも一方の表面に成膜された光透過性導電膜からなる透明電極と、
前記透明電極よりも電気抵抗が低く前記透明電極の周縁上に積層された膜状の電極であって前記表面と直交する方向から見た前記透明電極の輪郭線上に輪郭線の少なくとも一部が位置する補助電極と、
を備えることを特徴とする静電容量式センサーシート。
【請求項５】
請求項４に記載の静電容量式センサーシートであって、
前記補助電極に一端が接続され前記光透過性導電膜上に積層された配線と、
前記電極領域の少なくとも一部と前記補助電極の少なくとも一部とを覆う光透過性レジストと、
をさらに備え、
前記表面と直交する方向から見て前記補助電極により覆われない前記透明電極の輪郭線上に前記光透過性レジストの輪郭線が位置している静電容量式センサーシート。
【請求項６】
請求項５に記載の静電容量式センサーシートであって、
前記光透過性レジストは熱硬化性ポリエステル系樹脂からなる静電容量式センサーシート。
【請求項７】
請求項５または６に記載の静電容量式センサーシートであって、
前記配線の少なくとも一部は前記光透過性レジストで覆われている静電容量式センサーシート。
【請求項８】
請求項４から請求項７のいずれか一項に記載の静電容量式センサーシートであって、
前記透明電極は前記基材の両方の表面に設けられ、
前記透明電極よりも電気抵抗が低く前記透明電極の周縁上に積層された膜状の補助電極をさらに備え、
前記補助電極は、前記表面と直交する方向から見た前記透明電極の輪郭線上に輪郭線の一部が位置するように配置されている静電容量式センサーシート。
【請求項１】
光透過性を有する基材の少なくとも一方の表面に光透過性導電膜を成膜する成膜工程と、
透明電極として機能させる電極領域を前記光透過性導電膜の少なくとも一部に設定し、前記光透過性導電膜よりも電気抵抗が低い補助電極を前記電極領域の周縁の少なくとも一部を覆うように積層する補助電極形成工程と、
前記補助電極に一端が接続される配線を前記光透過性導電膜上に積層する配線形成工程と、
前記電極領域の全てと前記補助電極の少なくとも一部とを覆うようにレジストを積層するレジスト積層工程と、
前記光透過性を有する基材に成膜された前記光透過性導電膜のうち、前記レジスト、前記補助電極、および前記配線と重ならない位置にある光透過性導電膜を除去する導電膜除去工程と、
を備えることを特徴とする静電容量式センサーシートの製造方法。
【請求項２】
前記導電膜除去工程ではプラズマエッチングにより前記光透過性導電膜を除去し、
前記導電膜除去工程の後に、前記レジストを除去するレジスト除去工程をさらに備える
ことを特徴とする請求項１に記載の静電容量式センサーシートの製造方法。
【請求項３】
前記レジスト積層工程において、前記レジストとして光透過性レジストを積層することを特徴とする請求項１に記載の静電容量式センサーシートの製造方法。
【請求項４】
光透過性を有する基材と、
前記基材の少なくとも一方の表面に成膜された光透過性導電膜からなる透明電極と、
前記透明電極よりも電気抵抗が低く前記透明電極の周縁上に積層された膜状の電極であって前記表面と直交する方向から見た前記透明電極の輪郭線上に輪郭線の少なくとも一部が位置する補助電極と、
を備えることを特徴とする静電容量式センサーシート。
【請求項５】
請求項４に記載の静電容量式センサーシートであって、
前記補助電極に一端が接続され前記光透過性導電膜上に積層された配線と、
前記電極領域の少なくとも一部と前記補助電極の少なくとも一部とを覆う光透過性レジストと、
をさらに備え、
前記表面と直交する方向から見て前記補助電極により覆われない前記透明電極の輪郭線上に前記光透過性レジストの輪郭線が位置している静電容量式センサーシート。
【請求項６】
請求項５に記載の静電容量式センサーシートであって、
前記光透過性レジストは熱硬化性ポリエステル系樹脂からなる静電容量式センサーシート。
【請求項７】
請求項５または６に記載の静電容量式センサーシートであって、
前記配線の少なくとも一部は前記光透過性レジストで覆われている静電容量式センサーシート。
【請求項８】
請求項４から請求項７のいずれか一項に記載の静電容量式センサーシートであって、
前記透明電極は前記基材の両方の表面に設けられ、
前記透明電極よりも電気抵抗が低く前記透明電極の周縁上に積層された膜状の補助電極をさらに備え、
前記補助電極は、前記表面と直交する方向から見た前記透明電極の輪郭線上に輪郭線の一部が位置するように配置されている静電容量式センサーシート。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【公開番号】特開２０１２−１７８１４９（Ｐ２０１２−１７８１４９Ａ）
【公開日】平成２４年９月１３日（２０１２．９．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−２２３８１（Ｐ２０１２−２２３８１）
【出願日】平成２４年２月３日（２０１２．２．３）
【出願人】（０００１９０１１６）信越ポリマー株式会社 (1,394)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年９月１３日（２０１２．９．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年２月３日（２０１２．２．３）
【出願人】（０００１９０１１６）信越ポリマー株式会社 (1,394)
【Ｆターム（参考）】
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