高密度プラズマ源及び高密度プラズマ生成方法
【課題】低気圧から高気圧まで広い動作気圧に対応できる高密度プラズマ源、及び高密度プラズマ生成方法を提供する。
【解決手段】チャンバ２と、チャンバ２内に配置された第１の導電体３と、チャンバ２内に在って第１の導電体３に対向して配置された、複数の誘電体５で被覆された第２の導電体４［４Ａ，４Ｂ，４Ｃ］と、複数の第２の導電体４にそれぞれ同電位の高電圧低周波電圧あるいは高電圧三相交流電圧を印加する交流電源７と、第１の導電体３に負の直流バイアス電圧を印加する直流バイアス電源６とを有し、チャンバ２と第１の導電体３との間の直流放電と、第１導電体３と複数の第２の導電体４との間の誘電体バリア放電とからなる複合プラズマが発生する構成。
【解決手段】チャンバ２と、チャンバ２内に配置された第１の導電体３と、チャンバ２内に在って第１の導電体３に対向して配置された、複数の誘電体５で被覆された第２の導電体４［４Ａ，４Ｂ，４Ｃ］と、複数の第２の導電体４にそれぞれ同電位の高電圧低周波電圧あるいは高電圧三相交流電圧を印加する交流電源７と、第１の導電体３に負の直流バイアス電圧を印加する直流バイアス電源６とを有し、チャンバ２と第１の導電体３との間の直流放電と、第１導電体３と複数の第２の導電体４との間の誘電体バリア放電とからなる複合プラズマが発生する構成。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高密度プラズマ源及び高密度プラズマ生成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
高密度プラズマ源は、例えば、半導体製造分野でのドライエッチング、薄膜形成のためのプラズマＣＶＤ（化学気相成長）、材料の表面改質あるいは鋼材の溶接、溶断、近年では目や歯の治療等、様々なところで用いられている。
【０００３】
従来、高密度プラズマ源としては、低気圧動作の高密度プラズマ源、大気圧動作の高密度プラズマ源が知られている。低気圧動作の高密度プラズマ源としては、例えばマグネトロン型や電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）型、低圧グロー放電型などを初めとして多数実用化されている。また、大気圧動作の高密度プラズマ源としては、例えば誘電体バリア型、ホローカソード型、マイクロ波放電型等、現在盛んに開発が進んでいる。
【０００４】
低圧グロー放電型、誘電体バリア放電型のプラズマ源については、特許文献１に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特表２００７−５２２９１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上述の各種の高密度プラズマ源は、それぞれ最適動作気圧が狭く汎用性に欠けている。
【０００７】
本発明は、上述の点に鑑み、低気圧から高気圧まで広い動作気圧に対応できる高密度プラズマ源、及び高密度プラズマ生成方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る高密度プラズマ源は、 チャンバと、チャンバ内に配置された第１の導電体と、チャンバ内に在って第１の導電体に対向して配置された、複数の誘電体で被覆された第２の導電体と、複数の第２の導電体のそれぞれに同電位の高電圧低周波電圧あるいは高電圧三相交流電圧を印加する交流電源と、第１の導電体に負の直流バイアス電圧を印加する直流バイアス電源とを有し、チャンバと第１の導電体との間の直流放電と、第１導電体と複数の第２の導電体との間の誘電体バリア放電とからなる複合プラズマが発生するように構成したことを特徴とする。
【０００９】
本発明の高密度プラズマ源では、第１の導電体とチャンバとの間に直流放電が発生し、第１の導電体と誘電体で被覆された第２の導電体との間で誘電体バリア放電が発生する。従って、第１の導電体の近傍空間に直流放電と誘電体バリア放電とからなる複合プラズマ、いわゆるハイブリッドプラズマが生成される。このハイブリッドプラズマは、直流放電と誘電体バリア放電の単純和以上に大きいイオン電流密度が得られ、また誘電体バリア放電のパワーを増加させることにより、より高い気圧で高密度のプラズマが生成される。
【００１０】
本発明に係る高密度プラズマ生成方法は、チャンバ内において、負の直流バイアス電圧が印加された第１の導電体とチャンバとの間で直流放電を発生させ、互いに同電位の高電圧低周波電圧あるいは高電圧三相交流電圧が印加された、複数の誘電体で被覆された第２の導電体と、第１の導電体との間で誘電体バリア放電を発生させ、第１の導電体の近傍空間に直流放電と誘電体バリア放電からなる複合プラズマを生成させることを特徴とする。
【００１１】
本発明の高密度プラズマ生成方法では、第１の導電体の近傍空間に直流放電と誘電体バリア放電とからなる複合プラズマ、いわゆるハイブリッドプラズマを生成することができる。このハイブリッドプラズマは、直流放電と誘電体バリア放電の単純和以上に大きいイオン電流密度が得られ、また誘電体バリア放電のパワーを増加させることにより、より高い気圧で高密度プラズマを生成することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係る高密度プラズマ源、及び高密度プラズマ生成方法によれば、低気圧から高気圧までの広い気圧範囲で高密度プラズマを生成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第１実施の形態に係る高密度プラズマ源の概略構成を示す断面図である。
【図２】本発明の第１実施の形態に係る高密度プラズマ源の概略構成を示す側面図である。
【図３】第１実施の形態に係る高密度プラズマ源の説明に供する、放電形態のうちの同軸直流放電を示す模式図である。
【図４】第１実施の形態に係る高密度プラズマ源の説明に供する、放電形態のうちの誘電体バリア放電を示す模式図である。
【図５】第１実施の形態に係る高密度プラズマ源の放電形態であるハイブリッド放電を示す模式図である。
【図６】第１実施の形態に係る高密度プラズマ源のイオン電流密度−気圧特性を、同軸直流放電、誘電体バリア放電それぞれ単独の場合と比較した特性図である。
【図７】イオン電流密度−気圧特性の測定用の測定回路を備えた高密度プラズマ源の概略構成図である。
【図８】イオン電流密度−気圧特性の測定の用いた高密度プラズマ装置の概略図である。
【図９】本発明の第２実施の形態に係る高密度プラズマ源の概略構成を示す断面図である。
【図１０】本発明の第２実施の形態に係る高密度プラズマ源の概略構成を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【００１５】
［第１実施の形態］
図１及び図２に、本発明に係る高密度プラズマ源の第１実施の形態を示す。第１実施の形態に係る高密度プラズマ源１は、チャンバ２内に、第１の導電体２と、この第１の導電体３に対向して配置された複数の、表面が誘電体５で被覆された第２の導電体４［４Ａ，４Ｂ，４Ｃ］とを有して成る。本例では、第１導電体３が１つ（１本）の線状体で形成され、第２の導電体４が３つ（３本）の線状体で形成される。また、チャンバ２は、円筒形をなし、例えばステンレスで形成される。
【００１６】
３つの第２の導電体４Ａ、４Ｂ、４Ｃは、第１の導電体３を等角間隔で取り囲むように配置される。また、３つの第２の導電体４Ａ、４Ｂ、４Ｃは、第１の導電体３に対して所要の等しいギャップ長ｄをもって対向し、かつ第１の導電体３に平行して配置される。第１の導電体３は、円筒形のチャンバ２の中心に位置し、いわゆる円筒形のチャンバ２とは同軸的に配置される。
【００１７】
第２の導電体４［４Ａ，４Ｂ，４Ｃ］は金属部材で形成されるのが好ましく、例えばＣｕなどで形成され、表面の誘電体５は耐熱性部材例えば耐熱ガラスで形成されるのが好ましく、例えばパイレックス製チューブで形成される。第１の導電体３は、プラズマ処理される被プラズマ処理部材に応じて材料が選定される。
【００１８】
さらに、高密度プラズマ源１は、第１の導電体３に負の直流バイアス電圧を印加するための負の直流バイアス電源６と、第２の導電体４［４Ａ，４Ｂ，４Ｃ］のそれぞれに同電位の高電圧低周波電圧あるいは高電圧三相交流電圧を印加するための交流電源７を有する。この交流電源７は、いわゆる低周波電源あるいは三相交流電源である。チャンバ２は接地される。直流バイアス電源６のプラス側は接地される。負の直流バイアス電源６は、第１の導電体に接続され、より詳しくは第１の導電体３とチャンバ２との間に接続される。低周波電源７は、複数の第２の導電体４［４Ａ，４Ｂ，４Ｃ］に接続され、より詳しくは第１の導電体３と複数の第２の導電体４［４Ａ，４Ｂ，４Ｃ］との間に接続される。
【００１９】
負の直流バイアス電源６としては、一例として０Ｖ〜−１ｋＶの範囲で可変できるように構成される。交流電源７は、例えば周波数が６０Ｈｚ〜１００ＫＨｚ、１ｋＶｐｐ〜１０ｋＶｐｐの低周波パワーを供給できる低周波の電源で構成される。上記の周波数は、プラズマ密度の平方根に比例するイオンプラズマ周波数以下であればよい。
【００２０】
次に、上述の高密度プラズマ源１の動作を、高密度プラズマ生成方法と共に説明する。高密度プラズマ源１では、第１の導電体３に負の直流バイアス電源６から負の直流バイアス電圧が印加され、複数の第２の導電体４［４Ａ，４Ｂ，４Ｃ］に交流電源７から所要の低周波電圧あるいは三相交流電圧が印加される。両電源６，７からの電圧印加により、第１の導電体３とチャンバ２の壁との間に同軸直流放電が発生し、第１の導電体３と第２の導電体４［４Ａ，４Ｂ，４Ｃ］との間に誘電体バリア放電が発生する。従って、第１の導電体３の近傍空間、すなわち第１の導電体３の周囲の空間に、同軸直流放電と誘電体バリア放電とからなる複合プラズマ、すなわちハイブリッドプラズマが生成される。第１実施の形態では３つの第２の導電体４Ａ、４Ｂ、４Ｃが等角間隔に配置されているので、いわゆるトライアングルプラズマが生成される。
【００２１】
図３〜図５は、第１実施の形態の高密度プラズマ源１において、直流バイアス電源６と交流電源７として低周波電源を用いてチャンバ２内でトライアングルプラズマを生成する場合に考えられる３つの放電形態の模式図である。図３は、第１の導電体３に負の直流バイアス電圧のみを印加した場合であり、接地されたチャンバ２の壁と第１の導電体３との間で同軸直流放電８が発生される。図４は、３つの第２の導電体４［４Ａ，４Ｂ，４Ｃ］に低周波電圧のみを印加した場合であり、第２の導電体４［４Ａ，４Ｂ，４Ｃ］と第１の導電体３との間、及び第２の導電体４［４Ａ，４Ｂ，４Ｃ］とチャンバ２の壁との間に誘電体バリア放電９が発生される。図５は、直流バイアス電圧と低周波電圧の両方を印加した場合であり、図３の同軸直流放電８と図４の誘電体バリア放電９を合せた本実施の形態のハイブリッド放電１０が発生される。
【００２２】
図６に、同軸直流放電単独の場合と、誘電体バリア放電単独の場合と、同軸直流放電及び誘電体バリア放電を組み合わせた本実施の形態のハイブリッド放電の場合を比較した、イオン電流密度Ｊｉ［Ａ／ｍ２］）−気圧Ｐ［Ｐａ］特性を示す。イオン電流密度は、第１の導電体３に流入するイオン電流を測定して求めたものであり、プラズマ密度に略比例する。
【００２３】
イオン電流の測定は、図７に示すように、負の直流バイアス電源６に１ｋΩの抵抗Ｒを直列に接続した測定回路で求めた。すなわち、抵抗Ｒの両端の電圧Ｖを測定することによって、負のバイアス電圧によって第１の導電体３に引き込まれるイオンを測定し、最終的に計測した電圧値を１ｋΩで除して、イオン電流を求めた。
【００２４】
図８に、高密度プラズマ源の測定用の概略装置を示す。本装置１１は、円筒形のチャンバ２内に、パイレックスガラスチューブによる誘電体５で被覆した銅（Ｃｕ）線からなる３つの第２の導電体４［４Ａ，４Ｂ，４Ｃ］と、金属線からなる１つの第１の導電体３とが配置されて構成される。線状の３つの第２の導電体４［４Ａ，４Ｂ，４Ｃ］は、それぞれが正三角形の各頂点に位置するように第１のホルダー１２の各貫通孔１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃに挿通するようにして保持される。第１の導電体３は、第１のホルダー１２に設けられた、上記正三角形の重心位置に対応する貫通孔１４に挿通するように配置される。第１の導電体３は、その一端が第２のホルダー１５に固定され、他端がスプリング１７を介して第３のホルダー１６に所要の張力を保って保持される。
【００２５】
本装置１１においては、第２の導電体４［４Ａ，４Ｂ，４Ｃ］を支持する第１のホルダー１２を取り替えることにより、第２の導電体４［４Ａ，４Ｂ，４Ｃ］と第１の導電体３との間のギャップ長ｄを可変設定できる構成となっている。また、本装置１１は、動作ガスとして、アルゴン（Ａｒ）ガス１８と酸素（Ｏ）ガス１９を使用し、マスフローコントローラ２１，２２によりガス流量を調整し、ロータリポンプ２３により動作気圧を制御し排気する。チャンバ２は接地される。放電用電源としては、第１の導電体３に接続する０Ｖ〜１ｋＶ間で可変可能な負の直流バイアス電源６と、各第２の導電体４［４Ａ，４Ｂ，４Ｃ］に接続する１３ｋＨｚ、１ｋＶｐｐ〜１０ｋＶｐｐ可変の低周波電源７が使用される。
【００２６】
図６のイオン電流密度−気圧特性図においては、ギャップ長ｄが１．０ｍｍ、第１の導電体（タングステンワイヤ）３の直径０．２５ｍｍ、第２の導電体（銅ワイヤ）４［４Ａ，４Ｂ，４Ｃ］の直径２．０ｍｍ、誘電体５の外径４．０ｍｍとした。
【００２７】
曲線ａ（○）は負の直流バイアス電圧を−３６０Ｖとした同軸直流放電単独の特性である。曲線ｂ（●）は低周波電圧を２ｋＶｐｐとした誘電体バリア放電単独の特性である。曲線ｃは負の直流バイアス電圧を−３６０Ｖ、低周波電圧を２ｋＶｐｐとしたハイブリッド放電の特性である。曲線ｄは負の直流バイアス電圧を−３６０Ｖ、低周波電圧を８ｋＶｐｐとしたハイブリッド放電の特性である。
【００２８】
図６の特性図によれば、誘電体バリア放電（曲線ｂ）と同軸直流放電（曲線ａ）のどちらか単独では第１の導電体３に入射するイオン電流密度が低いが、それらを同時に放電させたハイブリッド放電（曲線ｃ、ｄ）は、両者の単純和以上に大きなイオン電流密度が得られるシナジー効果が確認できる。また、ハイブリッド放電で、ハイブリッド放電のパワーを増加させることにより、より高い気圧でプラズマを生成できる。
【００２９】
上述の第１実施の形態に係る高密度プラズマ源１によれば、ハイブリッド放電により低気圧から高気圧までの広い気圧範囲での高密度プラズマの生成が可能になる。
【００３０】
第１実施の形態の高密度プラズマ源１において、第１の導電体３を被プラズマ処理部材とすることができる。このときは、第２の導電体４がいわゆる電極となり、この電極に対向する第１の導電体３が表面処理すべき被処理体となる。この構成においては、低気圧から高気圧までの広い気圧範囲での高密度プラズマ生成が可能になり、第１導電体３による被プラズマ処理部材に対し高速での処理、例えば、表面改質や表面皮膜のストリッピング（剥ぎ取り）などの表面処理、あるいは各種機能性膜のコーティング（いわゆる表面処理）、等を行うことができる。機能性膜のコーティングでは、チャンバ内に機能性膜を成膜するための所要のソースガスが導入される。
【００３１】
［第２実施の形態］
図９及び図１０に、本発明に係る高密度プラズマ源の第２実施の形態を示す。第２実施の形態に係る高密度プラズマ源３１は、チャンバ２内に、１つの第１の導電体３と、この第１の導電体３を等角間隔で取り囲む３つ以上、本例では３つの誘電体５で被覆された第２の導電体４［４Ａ，４Ｂ，４Ｃ］との組合せを１ユニット３２として、複数のユニットを配置して構成される。この場合、複数のユニットは、誘電体５で被覆された第２の導電体４を隣接するユニット３２間で共有するように配置される。
【００３２】
各ユニット３２における第１の導電体３には、負の直流バイアス電圧を印加するための共通の負の直流バイアス電源６（図示せず）が接続され、各ユニット３２の第２の導電体４には、互いに同電位となるように高電圧低周波電圧あるいは高電圧三相交流電圧を印加するための共通の低周波電源７（図示せず）が接続される。その他の構成は、第１実施の形態で説明したと同様であるので、重複説明を省略する。各ユニット３２での放電形態は、第１実施の形態で説明したと同様のハイブリッド放電である。
【００３３】
第２実施の形態に係る高密度プラズマ源３１によれば、各ユニット３２に同時にハイブリッド放電を生成することができる。また、各ユニット３２の第１の導電体３を被プラズマ処理部材とするときには、複数の第１の導電体３による被プラズマ処理部材を同時に、かつ高速で表面処理することができ、処理時間の短縮が図れる。
【００３４】
第１実施の形態及び第２実施の形態では、１つの第１の導電体３を、等角間隔で配した３つの第２の導電体４で取り囲むようにした構成としたが、その他の例として、第１、第２実施の形態において、１つの第１の導電体３を、等角間隔で配置した４つ以上の第２の導電体４で取り囲むようにした構成とすることができる。この構成においては、第１の導電体３の周りに、より均一化されたハイブリッド放電の生成が可能になる。但し、１つの第１の導電体３と３つの誘電体５で被覆された第２の導電体４の組合せの方が、構成の簡素化を図ることができる。
【００３５】
［第３実施の形態］
第３実施の形態に係る高密度プラズマ源は、図示しないが、チャンバ内に、１つの第１の導電体と、この第１の導電体を両側から挟む２つの誘電体で被覆された第２の導電体とを配置して構成される。第１実施の形態と同様に、円筒形のチャンバに同軸的に線状の第１の導電体を配置し、第１の導電体に対して所要のギャップ長を介して対向するように、線状の２つの誘電体で被覆された第２の導電体を対称位置（１８０度の間隔）に配置することができる。チャンバは接地され、第１の導電体は負の直流バイアス電源に接続され、第２の導電体は低周波電源あるいは三相交流電源に接続される。第１の導電体を被プラズマ処理部材で構成することもできる。
【００３６】
第３実施の形態に係る高密度プラズマ源においても、第１実施の形態で説明したと同様に、第１の導電体の周りの空間に上述のハイブリッド放電が生成される。第１の導電体を被プラズマ処理部材で構成するときは、この被プラズマ処理部材の全表面に対して、生成されたハイブリッドプラズマによる表面処理を行うことができる。
【００３７】
上例では、第１の導電体３を線状体で形成したが、平板状体、可撓性薄板状体、リボン状体、その他の部材等で構成することも可能である。例えば、第１の導電３に半導体基板を用いることも可能である。
【産業上の利用可能性】
【００３８】
上述の本発明の高密度プラズマ源は、プラズマエッチング、プラズマＣＶＤなどのプラズマ源として利用することができる。例えば、本発明の高密度プラズマ源は、シリコンインゴットからシリコンウェハを切り出す際に用いられるソーワイヤの表面処理に適用可能である。
【００３９】
カーボン（Ｃ）添加の鉄（Ｆｅ）からなるソーワイヤは、表面にブラスめっき（Ｃｕ：６５％、Ｚｎ：３５％）皮膜が施されている。このブラスめっきは、ソーワイヤの伸線加工で必要となるめっき処理である。ソーワイヤでシリコンウェハを切り出す際に、ブラスめっきの主成分であるＣｕが拡散係数の大きな物質であるため、Ｃｕがシリコンウェハ内に拡散する恐れがある。シリコンウェハにＣｕが拡散すると、シリコンの導電性が変化し、シリコン基板に回路素子を形成したときに、回路素子に対して流れるべき所以外へ電流が流入するなどの誤動作を生じさせる可能性がある。
【００４０】
そのため、Ｃｕフリーなソーワイヤが必要となる。このソーワイヤから表面のＣｕ含有のブラスめっき皮膜を除去する処理として、現状では硫酸や塩酸を使用したウェットプロセスが用いられている。このウェットプロセスでは、アンモニア水と過酸化水素水を使用するため環境負荷が大きくなるという問題と、使用後の廃液処理が困難であるという問題がある。
【００４１】
上記のウェットプロセスに代わり低温で高い反応速度が得られ、廃液処理が不要で、かつ使用後の排ガス処理が廃液処理に比べて容易な、プラズマを用いたドライプロセスが望まれている。上述の本発明に係る高密度プラズマ源が、ソーワイヤのブラスめっき皮膜を除去するドライプロセスのプラズマ源に応用することができる。この場合、第１の導電体が、表面処理すべきソーワイヤとなり、高密度プラズマ源中を移送される。このときドライプロセスは、動作気圧を高気圧〜中気圧程度とし、通常エッチングガスとして用いられる塩素ガスやフッ素ガスを動作ガスとて用いずにエッチングを行う。本発明の高密度プラズマ源では、例えば、動作ガスとしては、アルゴン（Ａｒ）と酸素（Ｏ）の混合ガスを用いることができる。前述したイオン電流密度は、エッチングレートに略比例する。
【符号の説明】
【００４２】
１，３１・・高密度プラズマ源、２・・チャンバ、３・・第１の導電体、４［４Ａ，４Ｂ，４Ｃ］・・第２の導電体、５・・誘電体、６・・直流バイアス電源、７・・低周波電源、８・・同軸直流放電、９・・誘電体バリア放電、１０・・ハイブリッド放電、１１・・の高密度プラズマ源の測定用の装置、３２・・１ユニット
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高密度プラズマ源及び高密度プラズマ生成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
高密度プラズマ源は、例えば、半導体製造分野でのドライエッチング、薄膜形成のためのプラズマＣＶＤ（化学気相成長）、材料の表面改質あるいは鋼材の溶接、溶断、近年では目や歯の治療等、様々なところで用いられている。
【０００３】
従来、高密度プラズマ源としては、低気圧動作の高密度プラズマ源、大気圧動作の高密度プラズマ源が知られている。低気圧動作の高密度プラズマ源としては、例えばマグネトロン型や電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）型、低圧グロー放電型などを初めとして多数実用化されている。また、大気圧動作の高密度プラズマ源としては、例えば誘電体バリア型、ホローカソード型、マイクロ波放電型等、現在盛んに開発が進んでいる。
【０００４】
低圧グロー放電型、誘電体バリア放電型のプラズマ源については、特許文献１に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特表２００７−５２２９１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上述の各種の高密度プラズマ源は、それぞれ最適動作気圧が狭く汎用性に欠けている。
【０００７】
本発明は、上述の点に鑑み、低気圧から高気圧まで広い動作気圧に対応できる高密度プラズマ源、及び高密度プラズマ生成方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る高密度プラズマ源は、 チャンバと、チャンバ内に配置された第１の導電体と、チャンバ内に在って第１の導電体に対向して配置された、複数の誘電体で被覆された第２の導電体と、複数の第２の導電体のそれぞれに同電位の高電圧低周波電圧あるいは高電圧三相交流電圧を印加する交流電源と、第１の導電体に負の直流バイアス電圧を印加する直流バイアス電源とを有し、チャンバと第１の導電体との間の直流放電と、第１導電体と複数の第２の導電体との間の誘電体バリア放電とからなる複合プラズマが発生するように構成したことを特徴とする。
【０００９】
本発明の高密度プラズマ源では、第１の導電体とチャンバとの間に直流放電が発生し、第１の導電体と誘電体で被覆された第２の導電体との間で誘電体バリア放電が発生する。従って、第１の導電体の近傍空間に直流放電と誘電体バリア放電とからなる複合プラズマ、いわゆるハイブリッドプラズマが生成される。このハイブリッドプラズマは、直流放電と誘電体バリア放電の単純和以上に大きいイオン電流密度が得られ、また誘電体バリア放電のパワーを増加させることにより、より高い気圧で高密度のプラズマが生成される。
【００１０】
本発明に係る高密度プラズマ生成方法は、チャンバ内において、負の直流バイアス電圧が印加された第１の導電体とチャンバとの間で直流放電を発生させ、互いに同電位の高電圧低周波電圧あるいは高電圧三相交流電圧が印加された、複数の誘電体で被覆された第２の導電体と、第１の導電体との間で誘電体バリア放電を発生させ、第１の導電体の近傍空間に直流放電と誘電体バリア放電からなる複合プラズマを生成させることを特徴とする。
【００１１】
本発明の高密度プラズマ生成方法では、第１の導電体の近傍空間に直流放電と誘電体バリア放電とからなる複合プラズマ、いわゆるハイブリッドプラズマを生成することができる。このハイブリッドプラズマは、直流放電と誘電体バリア放電の単純和以上に大きいイオン電流密度が得られ、また誘電体バリア放電のパワーを増加させることにより、より高い気圧で高密度プラズマを生成することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係る高密度プラズマ源、及び高密度プラズマ生成方法によれば、低気圧から高気圧までの広い気圧範囲で高密度プラズマを生成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第１実施の形態に係る高密度プラズマ源の概略構成を示す断面図である。
【図２】本発明の第１実施の形態に係る高密度プラズマ源の概略構成を示す側面図である。
【図３】第１実施の形態に係る高密度プラズマ源の説明に供する、放電形態のうちの同軸直流放電を示す模式図である。
【図４】第１実施の形態に係る高密度プラズマ源の説明に供する、放電形態のうちの誘電体バリア放電を示す模式図である。
【図５】第１実施の形態に係る高密度プラズマ源の放電形態であるハイブリッド放電を示す模式図である。
【図６】第１実施の形態に係る高密度プラズマ源のイオン電流密度−気圧特性を、同軸直流放電、誘電体バリア放電それぞれ単独の場合と比較した特性図である。
【図７】イオン電流密度−気圧特性の測定用の測定回路を備えた高密度プラズマ源の概略構成図である。
【図８】イオン電流密度−気圧特性の測定の用いた高密度プラズマ装置の概略図である。
【図９】本発明の第２実施の形態に係る高密度プラズマ源の概略構成を示す断面図である。
【図１０】本発明の第２実施の形態に係る高密度プラズマ源の概略構成を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【００１５】
［第１実施の形態］
図１及び図２に、本発明に係る高密度プラズマ源の第１実施の形態を示す。第１実施の形態に係る高密度プラズマ源１は、チャンバ２内に、第１の導電体２と、この第１の導電体３に対向して配置された複数の、表面が誘電体５で被覆された第２の導電体４［４Ａ，４Ｂ，４Ｃ］とを有して成る。本例では、第１導電体３が１つ（１本）の線状体で形成され、第２の導電体４が３つ（３本）の線状体で形成される。また、チャンバ２は、円筒形をなし、例えばステンレスで形成される。
【００１６】
３つの第２の導電体４Ａ、４Ｂ、４Ｃは、第１の導電体３を等角間隔で取り囲むように配置される。また、３つの第２の導電体４Ａ、４Ｂ、４Ｃは、第１の導電体３に対して所要の等しいギャップ長ｄをもって対向し、かつ第１の導電体３に平行して配置される。第１の導電体３は、円筒形のチャンバ２の中心に位置し、いわゆる円筒形のチャンバ２とは同軸的に配置される。
【００１７】
第２の導電体４［４Ａ，４Ｂ，４Ｃ］は金属部材で形成されるのが好ましく、例えばＣｕなどで形成され、表面の誘電体５は耐熱性部材例えば耐熱ガラスで形成されるのが好ましく、例えばパイレックス製チューブで形成される。第１の導電体３は、プラズマ処理される被プラズマ処理部材に応じて材料が選定される。
【００１８】
さらに、高密度プラズマ源１は、第１の導電体３に負の直流バイアス電圧を印加するための負の直流バイアス電源６と、第２の導電体４［４Ａ，４Ｂ，４Ｃ］のそれぞれに同電位の高電圧低周波電圧あるいは高電圧三相交流電圧を印加するための交流電源７を有する。この交流電源７は、いわゆる低周波電源あるいは三相交流電源である。チャンバ２は接地される。直流バイアス電源６のプラス側は接地される。負の直流バイアス電源６は、第１の導電体に接続され、より詳しくは第１の導電体３とチャンバ２との間に接続される。低周波電源７は、複数の第２の導電体４［４Ａ，４Ｂ，４Ｃ］に接続され、より詳しくは第１の導電体３と複数の第２の導電体４［４Ａ，４Ｂ，４Ｃ］との間に接続される。
【００１９】
負の直流バイアス電源６としては、一例として０Ｖ〜−１ｋＶの範囲で可変できるように構成される。交流電源７は、例えば周波数が６０Ｈｚ〜１００ＫＨｚ、１ｋＶｐｐ〜１０ｋＶｐｐの低周波パワーを供給できる低周波の電源で構成される。上記の周波数は、プラズマ密度の平方根に比例するイオンプラズマ周波数以下であればよい。
【００２０】
次に、上述の高密度プラズマ源１の動作を、高密度プラズマ生成方法と共に説明する。高密度プラズマ源１では、第１の導電体３に負の直流バイアス電源６から負の直流バイアス電圧が印加され、複数の第２の導電体４［４Ａ，４Ｂ，４Ｃ］に交流電源７から所要の低周波電圧あるいは三相交流電圧が印加される。両電源６，７からの電圧印加により、第１の導電体３とチャンバ２の壁との間に同軸直流放電が発生し、第１の導電体３と第２の導電体４［４Ａ，４Ｂ，４Ｃ］との間に誘電体バリア放電が発生する。従って、第１の導電体３の近傍空間、すなわち第１の導電体３の周囲の空間に、同軸直流放電と誘電体バリア放電とからなる複合プラズマ、すなわちハイブリッドプラズマが生成される。第１実施の形態では３つの第２の導電体４Ａ、４Ｂ、４Ｃが等角間隔に配置されているので、いわゆるトライアングルプラズマが生成される。
【００２１】
図３〜図５は、第１実施の形態の高密度プラズマ源１において、直流バイアス電源６と交流電源７として低周波電源を用いてチャンバ２内でトライアングルプラズマを生成する場合に考えられる３つの放電形態の模式図である。図３は、第１の導電体３に負の直流バイアス電圧のみを印加した場合であり、接地されたチャンバ２の壁と第１の導電体３との間で同軸直流放電８が発生される。図４は、３つの第２の導電体４［４Ａ，４Ｂ，４Ｃ］に低周波電圧のみを印加した場合であり、第２の導電体４［４Ａ，４Ｂ，４Ｃ］と第１の導電体３との間、及び第２の導電体４［４Ａ，４Ｂ，４Ｃ］とチャンバ２の壁との間に誘電体バリア放電９が発生される。図５は、直流バイアス電圧と低周波電圧の両方を印加した場合であり、図３の同軸直流放電８と図４の誘電体バリア放電９を合せた本実施の形態のハイブリッド放電１０が発生される。
【００２２】
図６に、同軸直流放電単独の場合と、誘電体バリア放電単独の場合と、同軸直流放電及び誘電体バリア放電を組み合わせた本実施の形態のハイブリッド放電の場合を比較した、イオン電流密度Ｊｉ［Ａ／ｍ２］）−気圧Ｐ［Ｐａ］特性を示す。イオン電流密度は、第１の導電体３に流入するイオン電流を測定して求めたものであり、プラズマ密度に略比例する。
【００２３】
イオン電流の測定は、図７に示すように、負の直流バイアス電源６に１ｋΩの抵抗Ｒを直列に接続した測定回路で求めた。すなわち、抵抗Ｒの両端の電圧Ｖを測定することによって、負のバイアス電圧によって第１の導電体３に引き込まれるイオンを測定し、最終的に計測した電圧値を１ｋΩで除して、イオン電流を求めた。
【００２４】
図８に、高密度プラズマ源の測定用の概略装置を示す。本装置１１は、円筒形のチャンバ２内に、パイレックスガラスチューブによる誘電体５で被覆した銅（Ｃｕ）線からなる３つの第２の導電体４［４Ａ，４Ｂ，４Ｃ］と、金属線からなる１つの第１の導電体３とが配置されて構成される。線状の３つの第２の導電体４［４Ａ，４Ｂ，４Ｃ］は、それぞれが正三角形の各頂点に位置するように第１のホルダー１２の各貫通孔１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃに挿通するようにして保持される。第１の導電体３は、第１のホルダー１２に設けられた、上記正三角形の重心位置に対応する貫通孔１４に挿通するように配置される。第１の導電体３は、その一端が第２のホルダー１５に固定され、他端がスプリング１７を介して第３のホルダー１６に所要の張力を保って保持される。
【００２５】
本装置１１においては、第２の導電体４［４Ａ，４Ｂ，４Ｃ］を支持する第１のホルダー１２を取り替えることにより、第２の導電体４［４Ａ，４Ｂ，４Ｃ］と第１の導電体３との間のギャップ長ｄを可変設定できる構成となっている。また、本装置１１は、動作ガスとして、アルゴン（Ａｒ）ガス１８と酸素（Ｏ）ガス１９を使用し、マスフローコントローラ２１，２２によりガス流量を調整し、ロータリポンプ２３により動作気圧を制御し排気する。チャンバ２は接地される。放電用電源としては、第１の導電体３に接続する０Ｖ〜１ｋＶ間で可変可能な負の直流バイアス電源６と、各第２の導電体４［４Ａ，４Ｂ，４Ｃ］に接続する１３ｋＨｚ、１ｋＶｐｐ〜１０ｋＶｐｐ可変の低周波電源７が使用される。
【００２６】
図６のイオン電流密度−気圧特性図においては、ギャップ長ｄが１．０ｍｍ、第１の導電体（タングステンワイヤ）３の直径０．２５ｍｍ、第２の導電体（銅ワイヤ）４［４Ａ，４Ｂ，４Ｃ］の直径２．０ｍｍ、誘電体５の外径４．０ｍｍとした。
【００２７】
曲線ａ（○）は負の直流バイアス電圧を−３６０Ｖとした同軸直流放電単独の特性である。曲線ｂ（●）は低周波電圧を２ｋＶｐｐとした誘電体バリア放電単独の特性である。曲線ｃは負の直流バイアス電圧を−３６０Ｖ、低周波電圧を２ｋＶｐｐとしたハイブリッド放電の特性である。曲線ｄは負の直流バイアス電圧を−３６０Ｖ、低周波電圧を８ｋＶｐｐとしたハイブリッド放電の特性である。
【００２８】
図６の特性図によれば、誘電体バリア放電（曲線ｂ）と同軸直流放電（曲線ａ）のどちらか単独では第１の導電体３に入射するイオン電流密度が低いが、それらを同時に放電させたハイブリッド放電（曲線ｃ、ｄ）は、両者の単純和以上に大きなイオン電流密度が得られるシナジー効果が確認できる。また、ハイブリッド放電で、ハイブリッド放電のパワーを増加させることにより、より高い気圧でプラズマを生成できる。
【００２９】
上述の第１実施の形態に係る高密度プラズマ源１によれば、ハイブリッド放電により低気圧から高気圧までの広い気圧範囲での高密度プラズマの生成が可能になる。
【００３０】
第１実施の形態の高密度プラズマ源１において、第１の導電体３を被プラズマ処理部材とすることができる。このときは、第２の導電体４がいわゆる電極となり、この電極に対向する第１の導電体３が表面処理すべき被処理体となる。この構成においては、低気圧から高気圧までの広い気圧範囲での高密度プラズマ生成が可能になり、第１導電体３による被プラズマ処理部材に対し高速での処理、例えば、表面改質や表面皮膜のストリッピング（剥ぎ取り）などの表面処理、あるいは各種機能性膜のコーティング（いわゆる表面処理）、等を行うことができる。機能性膜のコーティングでは、チャンバ内に機能性膜を成膜するための所要のソースガスが導入される。
【００３１】
［第２実施の形態］
図９及び図１０に、本発明に係る高密度プラズマ源の第２実施の形態を示す。第２実施の形態に係る高密度プラズマ源３１は、チャンバ２内に、１つの第１の導電体３と、この第１の導電体３を等角間隔で取り囲む３つ以上、本例では３つの誘電体５で被覆された第２の導電体４［４Ａ，４Ｂ，４Ｃ］との組合せを１ユニット３２として、複数のユニットを配置して構成される。この場合、複数のユニットは、誘電体５で被覆された第２の導電体４を隣接するユニット３２間で共有するように配置される。
【００３２】
各ユニット３２における第１の導電体３には、負の直流バイアス電圧を印加するための共通の負の直流バイアス電源６（図示せず）が接続され、各ユニット３２の第２の導電体４には、互いに同電位となるように高電圧低周波電圧あるいは高電圧三相交流電圧を印加するための共通の低周波電源７（図示せず）が接続される。その他の構成は、第１実施の形態で説明したと同様であるので、重複説明を省略する。各ユニット３２での放電形態は、第１実施の形態で説明したと同様のハイブリッド放電である。
【００３３】
第２実施の形態に係る高密度プラズマ源３１によれば、各ユニット３２に同時にハイブリッド放電を生成することができる。また、各ユニット３２の第１の導電体３を被プラズマ処理部材とするときには、複数の第１の導電体３による被プラズマ処理部材を同時に、かつ高速で表面処理することができ、処理時間の短縮が図れる。
【００３４】
第１実施の形態及び第２実施の形態では、１つの第１の導電体３を、等角間隔で配した３つの第２の導電体４で取り囲むようにした構成としたが、その他の例として、第１、第２実施の形態において、１つの第１の導電体３を、等角間隔で配置した４つ以上の第２の導電体４で取り囲むようにした構成とすることができる。この構成においては、第１の導電体３の周りに、より均一化されたハイブリッド放電の生成が可能になる。但し、１つの第１の導電体３と３つの誘電体５で被覆された第２の導電体４の組合せの方が、構成の簡素化を図ることができる。
【００３５】
［第３実施の形態］
第３実施の形態に係る高密度プラズマ源は、図示しないが、チャンバ内に、１つの第１の導電体と、この第１の導電体を両側から挟む２つの誘電体で被覆された第２の導電体とを配置して構成される。第１実施の形態と同様に、円筒形のチャンバに同軸的に線状の第１の導電体を配置し、第１の導電体に対して所要のギャップ長を介して対向するように、線状の２つの誘電体で被覆された第２の導電体を対称位置（１８０度の間隔）に配置することができる。チャンバは接地され、第１の導電体は負の直流バイアス電源に接続され、第２の導電体は低周波電源あるいは三相交流電源に接続される。第１の導電体を被プラズマ処理部材で構成することもできる。
【００３６】
第３実施の形態に係る高密度プラズマ源においても、第１実施の形態で説明したと同様に、第１の導電体の周りの空間に上述のハイブリッド放電が生成される。第１の導電体を被プラズマ処理部材で構成するときは、この被プラズマ処理部材の全表面に対して、生成されたハイブリッドプラズマによる表面処理を行うことができる。
【００３７】
上例では、第１の導電体３を線状体で形成したが、平板状体、可撓性薄板状体、リボン状体、その他の部材等で構成することも可能である。例えば、第１の導電３に半導体基板を用いることも可能である。
【産業上の利用可能性】
【００３８】
上述の本発明の高密度プラズマ源は、プラズマエッチング、プラズマＣＶＤなどのプラズマ源として利用することができる。例えば、本発明の高密度プラズマ源は、シリコンインゴットからシリコンウェハを切り出す際に用いられるソーワイヤの表面処理に適用可能である。
【００３９】
カーボン（Ｃ）添加の鉄（Ｆｅ）からなるソーワイヤは、表面にブラスめっき（Ｃｕ：６５％、Ｚｎ：３５％）皮膜が施されている。このブラスめっきは、ソーワイヤの伸線加工で必要となるめっき処理である。ソーワイヤでシリコンウェハを切り出す際に、ブラスめっきの主成分であるＣｕが拡散係数の大きな物質であるため、Ｃｕがシリコンウェハ内に拡散する恐れがある。シリコンウェハにＣｕが拡散すると、シリコンの導電性が変化し、シリコン基板に回路素子を形成したときに、回路素子に対して流れるべき所以外へ電流が流入するなどの誤動作を生じさせる可能性がある。
【００４０】
そのため、Ｃｕフリーなソーワイヤが必要となる。このソーワイヤから表面のＣｕ含有のブラスめっき皮膜を除去する処理として、現状では硫酸や塩酸を使用したウェットプロセスが用いられている。このウェットプロセスでは、アンモニア水と過酸化水素水を使用するため環境負荷が大きくなるという問題と、使用後の廃液処理が困難であるという問題がある。
【００４１】
上記のウェットプロセスに代わり低温で高い反応速度が得られ、廃液処理が不要で、かつ使用後の排ガス処理が廃液処理に比べて容易な、プラズマを用いたドライプロセスが望まれている。上述の本発明に係る高密度プラズマ源が、ソーワイヤのブラスめっき皮膜を除去するドライプロセスのプラズマ源に応用することができる。この場合、第１の導電体が、表面処理すべきソーワイヤとなり、高密度プラズマ源中を移送される。このときドライプロセスは、動作気圧を高気圧〜中気圧程度とし、通常エッチングガスとして用いられる塩素ガスやフッ素ガスを動作ガスとて用いずにエッチングを行う。本発明の高密度プラズマ源では、例えば、動作ガスとしては、アルゴン（Ａｒ）と酸素（Ｏ）の混合ガスを用いることができる。前述したイオン電流密度は、エッチングレートに略比例する。
【符号の説明】
【００４２】
１，３１・・高密度プラズマ源、２・・チャンバ、３・・第１の導電体、４［４Ａ，４Ｂ，４Ｃ］・・第２の導電体、５・・誘電体、６・・直流バイアス電源、７・・低周波電源、８・・同軸直流放電、９・・誘電体バリア放電、１０・・ハイブリッド放電、１１・・の高密度プラズマ源の測定用の装置、３２・・１ユニット
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバと、
前記チャンバ内に配置された第１の導電体と、
前記チャンバ内に在って前記第１の導電体に対向して配置された、複数の誘電体で被覆された第２の導電体と、
前記複数の第２の導電体のそれぞれに同電位の高電圧低周波電圧あるいは高電圧三相交流電圧を印加する交流電源と、
前記第１の導電体に負の直流バイアス電圧を印加する直流バイアス電源とを有し、
前記チャンバと前記第１の導電体との間の直流放電と、前記第１導電体と前記複数の第２の導電体との間の誘電体バリア放電とからなる複合プラズマが発生する
ことを特徴とする高密度プラズマ源。
【請求項２】
３つ以上の前記誘電体で被覆された第２の導電体が前記第１の導電体を等角間隔で取り囲むように配置されている
ことを特徴とする請求項１記載の高密度プラズマ源。
【請求項３】
前記第１の導電体が線状の被プラズマ処理部材であり、
前記誘電体で被覆された第２の導電体が線状体である
ことを特徴とする請求項２記載の高密度プラズマ源。
【請求項４】
１つの前記第１の導電体と、該第１の導電体を等角間隔で取り囲む３つ以上の前記誘電体で被覆された第２の導電体との組み合わせを１ユニットとして、
複数のユニットが、前記誘電体で被覆された第２の導電体を隣接するユニット間で共有するように配置され、
各前記ユニットにおいて前記複合プラズマが発生する
ことを特徴とする請求項２記載の高密度プラズマ源。
【請求項５】
前記複数の誘電体で被覆された第２の導電体が前記第１の導電体を挟むように配置されている
ことを特徴とする請求項１記載の高密度プラズマ源。
【請求項６】
前記第１の導電体が被プラズマ処理部材である
ことを特徴とする請求項１記載の高密度プラズマ源。
【請求項７】
チャンバ内において、
負の直流バイアス電圧が印加された第１の導電体と前記チャンバとの間で直流放電を発生させ、
互いに同電位の高電圧低周波電圧あるいは高電圧三相交流電圧が印加された、複数の誘電体で被覆された第２の導電体と、前記第１の導電体との間で誘電体バリア放電を発生させ、
前記第１の導電体に近い空間に前記直流放電と前記誘電体バリア放電からなる複合プラズマを生成させる
ことを特徴とする高密度プラズマ生成方法。
【請求項８】
３つ以上の前記誘電体で被覆された第２の導電体が前記第１の導電体を等角間隔で取り囲んで、各前記誘電体で被覆された第２の導電体と、前記第１の導電体との間で誘電体バリア放電を発生させる
ことを特徴とする請求項７記載の高密度プラズマ生成方法。
【請求項９】
前記第１の導電体を線状の被プラズマ処理部材とし、
前記誘電体で被覆された第２の導電体を線状体とした
ことを特徴とする請求項８記載の高密度プラズマ生成方法。
【請求項１０】
１つの前記第１の導電体と、該第１の導電体を等角間隔で取り囲む３つ以上の前記誘電体で被覆された第２の導電体との組み合わせを１ユニットとして、複数のユニットを、前記誘電体で被覆された第２の導電体が隣接するユニット間で共有するように配置し、
各ユニットにおいて前記複合プラズマを生成させる
ことを特徴とする請求項７記載の高密度プラズマ生成方法。
【請求項１１】
前記複数の誘電体で被覆された第２の導電体を、前記第１の導電体を挟むように配置する
ことを特徴とする請求項７記載の高密度プラズマ生成方法。
【請求項１２】
前記第１の導電体を被プラズマ処理部材とした
ことを特徴とする請求項７記載の高密度プラズマ生成方法。
【請求項１】
チャンバと、
前記チャンバ内に配置された第１の導電体と、
前記チャンバ内に在って前記第１の導電体に対向して配置された、複数の誘電体で被覆された第２の導電体と、
前記複数の第２の導電体のそれぞれに同電位の高電圧低周波電圧あるいは高電圧三相交流電圧を印加する交流電源と、
前記第１の導電体に負の直流バイアス電圧を印加する直流バイアス電源とを有し、
前記チャンバと前記第１の導電体との間の直流放電と、前記第１導電体と前記複数の第２の導電体との間の誘電体バリア放電とからなる複合プラズマが発生する
ことを特徴とする高密度プラズマ源。
【請求項２】
３つ以上の前記誘電体で被覆された第２の導電体が前記第１の導電体を等角間隔で取り囲むように配置されている
ことを特徴とする請求項１記載の高密度プラズマ源。
【請求項３】
前記第１の導電体が線状の被プラズマ処理部材であり、
前記誘電体で被覆された第２の導電体が線状体である
ことを特徴とする請求項２記載の高密度プラズマ源。
【請求項４】
１つの前記第１の導電体と、該第１の導電体を等角間隔で取り囲む３つ以上の前記誘電体で被覆された第２の導電体との組み合わせを１ユニットとして、
複数のユニットが、前記誘電体で被覆された第２の導電体を隣接するユニット間で共有するように配置され、
各前記ユニットにおいて前記複合プラズマが発生する
ことを特徴とする請求項２記載の高密度プラズマ源。
【請求項５】
前記複数の誘電体で被覆された第２の導電体が前記第１の導電体を挟むように配置されている
ことを特徴とする請求項１記載の高密度プラズマ源。
【請求項６】
前記第１の導電体が被プラズマ処理部材である
ことを特徴とする請求項１記載の高密度プラズマ源。
【請求項７】
チャンバ内において、
負の直流バイアス電圧が印加された第１の導電体と前記チャンバとの間で直流放電を発生させ、
互いに同電位の高電圧低周波電圧あるいは高電圧三相交流電圧が印加された、複数の誘電体で被覆された第２の導電体と、前記第１の導電体との間で誘電体バリア放電を発生させ、
前記第１の導電体に近い空間に前記直流放電と前記誘電体バリア放電からなる複合プラズマを生成させる
ことを特徴とする高密度プラズマ生成方法。
【請求項８】
３つ以上の前記誘電体で被覆された第２の導電体が前記第１の導電体を等角間隔で取り囲んで、各前記誘電体で被覆された第２の導電体と、前記第１の導電体との間で誘電体バリア放電を発生させる
ことを特徴とする請求項７記載の高密度プラズマ生成方法。
【請求項９】
前記第１の導電体を線状の被プラズマ処理部材とし、
前記誘電体で被覆された第２の導電体を線状体とした
ことを特徴とする請求項８記載の高密度プラズマ生成方法。
【請求項１０】
１つの前記第１の導電体と、該第１の導電体を等角間隔で取り囲む３つ以上の前記誘電体で被覆された第２の導電体との組み合わせを１ユニットとして、複数のユニットを、前記誘電体で被覆された第２の導電体が隣接するユニット間で共有するように配置し、
各ユニットにおいて前記複合プラズマを生成させる
ことを特徴とする請求項７記載の高密度プラズマ生成方法。
【請求項１１】
前記複数の誘電体で被覆された第２の導電体を、前記第１の導電体を挟むように配置する
ことを特徴とする請求項７記載の高密度プラズマ生成方法。
【請求項１２】
前記第１の導電体を被プラズマ処理部材とした
ことを特徴とする請求項７記載の高密度プラズマ生成方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２０１０−１７７１３７（Ｐ２０１０−１７７１３７Ａ）
【公開日】平成２２年８月１２日（２０１０．８．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２０７５２（Ｐ２００９−２０７５２）
【出願日】平成２１年１月３０日（２００９．１．３０）
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．パイレックス
【出願人】（５０４２０５５２１）国立大学法人 長崎大学 (226)
【出願人】（５９７１５０５９９）ジャパンファインスチール株式会社 (11)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年８月１２日（２０１０．８．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１月３０日（２００９．１．３０）
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．パイレックス
【出願人】（５０４２０５５２１）国立大学法人 長崎大学 (226)
【出願人】（５９７１５０５９９）ジャパンファインスチール株式会社 (11)
【Ｆターム（参考）】
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