ＥＬ装置、ＥＬ装置の製造方法
【課題】マスクを用いることなく補助陰極配線を形成して表示品質の向上したＥＬ装置を得る。
【解決手段】基板１０の一方の面に形成された第１の電極２５を囲む上面７５と側面７６とを有する隔壁７７と、隔壁７７で囲まれた領域に形成されたＥＬ層を含む発光機能層２６と、隔壁７７及び発光機能層２６を覆う第２の電極２７と、隔壁７７の少なくとも上面７５に形成された第３の電極２０と、を備えるＥＬ装置の製造方法であって、第３の電極２０は導電材料粒子発生源４０から導電材料粒子４８を基板１０に向けて飛翔させて、導電材料粒子４８を隔壁７７の少なくとも上面７５に堆積させる微粒子成膜法により形成された電極であり、微粒子成膜法は、導電材料粒子発生源４０を、導電材料粒子発生源４０と手前側の隔壁７７とを結ぶ線の延長線が、奥側の隔壁７７の側面７６と交差するように配置して行なう微粒子成膜法であることを特徴とするＥＬ装置の製造方法。
【解決手段】基板１０の一方の面に形成された第１の電極２５を囲む上面７５と側面７６とを有する隔壁７７と、隔壁７７で囲まれた領域に形成されたＥＬ層を含む発光機能層２６と、隔壁７７及び発光機能層２６を覆う第２の電極２７と、隔壁７７の少なくとも上面７５に形成された第３の電極２０と、を備えるＥＬ装置の製造方法であって、第３の電極２０は導電材料粒子発生源４０から導電材料粒子４８を基板１０に向けて飛翔させて、導電材料粒子４８を隔壁７７の少なくとも上面７５に堆積させる微粒子成膜法により形成された電極であり、微粒子成膜法は、導電材料粒子発生源４０を、導電材料粒子発生源４０と手前側の隔壁７７とを結ぶ線の延長線が、奥側の隔壁７７の側面７６と交差するように配置して行なう微粒子成膜法であることを特徴とするＥＬ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＥＬ装置、及びＥＬ装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話機等の電子機器の表示部に用いる表示装置として、表示領域内に規則的に配置されたＥＬ素子を発光させて画像を形成するＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置の実用化が進んでいる。ＥＬ素子は、駆動素子が形成された素子基板側に配置された陽極（画素電極）と、該陽極と対向する陰極（共通電極）と、の一対の電極と、該一対の電極間に挟持される少なくともＥＬ層（ＥＬ材料層）を含む発光機能層とからなる。近年、ＥＬ材料に有機系のＥＬ材料を用いた有機ＥＬ装置の採用が進んでおり、また、発光を有効に利用して輝度を向上させるために、陰極側から発光を射出するトップエミッション型の有機ＥＬ装置の採用が進んでいる。
【０００３】
トップエミッション型の有機ＥＬ装置における問題の一つに、電極の抵抗による電圧降下がある。上記一対の電極の少なくとも一方は、透光性と導電性を両立させるために、層厚数ｎｍ乃至数十ｎｍの極薄い金属層、あるいは金属に比較して高抵抗のＩＴＯ（酸化インジウム・錫合金）等で形成されており、比較的高い面抵抗（シート抵抗）又は配線抵抗を有している。したがって、表示領域の中央近傍においては、電圧降下により有機ＥＬ素子に対する電流の供給量が低下して、表示品質が劣化する現象が生じ得る。
そのため、特許文献１には、有機ＥＬ素子間を区画する隔壁上にフォトリソグラフィー法を用いて補助陰極（補助陰極配線）を形成して、陰極の面抵抗を低減する態様が提示されている。
また、特許文献２には、パッシブマトリクス型（単純マトリクス型）の有機ＥＬ装置において、陰極（データ線）群と直交する、陽極（走査線）群に、導電体層を何らかの手法でパターニングして補助配線を積層する態様が提示されている。
また、特許文献３には、有機ＥＬ素子間を区画する隔壁上にインクジェット法を用いて補助陰極を形成して、陰極の面抵抗を低減する態様が提示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１２３９８８号公報
【特許文献２】特開２００１−３４５１８５号公報
【特許文献３】特開２００６−２７８３１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述の態様はいずれも導電体層のパターニング工程、又は導電材料を含む液体材料を滴下する滴下工程等が必要である。したがって、製造コストを増加させるという課題がある。また、工程数の増加に起因する不良が増加して、歩留りの低下をもたらし得るという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］基板の一方の面に形成された島状の第１の電極と、上記第１の電極を囲む様に形成された、上記基板に対して略平行な上面と上記上面と上記第１の電極との間を繋ぐ側面とを有する隔壁と、上記隔壁で囲まれた領域を少なくとも含む領域に形成された少なくともＥＬ層を含む発光機能層と、上記隔壁及び上記発光機能層を覆うように形成された透明性を有する第２の電極と、上記隔壁の少なくとも上面に形成された第３の電極と、を備えており、上記ＥＬ層の発光を上記第２の電極を介して射出するＥＬ装置の製造方法であって、上記第３の電極は導電材料粒子発生源から導電材料粒子を上記基板に向けて飛翔させて、該導電材料粒子を上記隔壁の少なくとも上面に堆積させる微粒子成膜法により形成された電極であり、該微粒子成膜法は、上記導電材料粒子発生源を、該導電材料粒子発生源と手前側の上記隔壁とを結ぶ線の延長線が、奥側の上記隔壁の側面と交差するように配置して行なう微粒子成膜法であることを特徴とするＥＬ装置の製造方法。
【０００８】
上記導電材料粒子は略直線的に飛翔するため、主として上記隔壁の上面と側面に堆積し、上記隔壁で囲まれた領域内には殆んど堆積しない。したがって、上記第３の電極は、上記第２の電極を介しての発光の射出を妨げることなく上記第２の電極側の面抵抗を軽減でき、補助陰極として機能する。したがって、このような製造方法であればマスクを用いずに補助陰極を形成でき、表示品質の向上したトップエミッション型のＥＬ装置を製造コストの増加及び歩留りの低下等を抑制しつつ得ることができる。
【０００９】
［適用例２］上述のＥＬ装置の製造方法であって、上記第３の電極の形成は、上記第２の電極の形成後に実施されることを特徴とするＥＬ装置の製造方法。
【００１０】
このような製造方法であれば、上記第３の電極の周縁部の段差により上記第２の電極に切れ目等が生じることを回避できる。したがって、先に上記第３の電極を形成する場合に比べて、歩留りの低下あるいは表示品質の劣化等を抑制できる。
【００１１】
［適用例３］上述のＥＬ装置の製造方法であって、上記微粒子成膜法は、蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、イオンビーム法のいずれかであることを特徴とするＥＬ装置の製造方法。
【００１２】
上述の成膜法は、いずれも上記導電材料粒子を直線的に飛翔させることができる。したがって、上記隔壁で囲まれた領域内に上記導電材料粒子が堆積することをより一層抑制でき、より一層表示品質の向上したトップエミッション型のＥＬ装置を得ることができる。
【００１３】
［適用例４］上述のＥＬ装置の製造方法であって、上記微粒子成膜法は、２つ以上の上記導電材料粒子発生源を、平面視で上記基板を囲むように配置して行なう微粒子成膜法であることを特徴とするＥＬ装置の製造方法。
【００１４】
このような製造方法であれば、上記導電材料粒子を複数の方向から飛翔させることができるので、上記隔壁の表面に満遍なく堆積させることができる。したがって、層厚の均一性が向上した補助陰極を形成でき、より一層表示品質の向上したトップエミッション型のＥＬ装置を得ることができる。
【００１５】
［適用例５］上述のＥＬ装置の製造方法であって、上記微粒子成膜法は、上記基板を、該基板と上記導電材料粒子発生源とを結ぶ線とは異なる線を軸として回転させつつ上記導電材料粒子を堆積させる微粒子成膜法であることを特徴とするＥＬ装置の製造方法。
【００１６】
このような製造方法であれば、上記導電材料粒子発生源を１つのみ用いる場合においても上記隔壁の表面に満遍なく堆積させることができる。したがって、層厚の均一性が向上した補助陰極を形成でき、より一層表示品質の向上したトップエミッション型のＥＬ装置を得ることができる。なお、上述の「該基板と上記導電材料粒子発生源とを結ぶ線とは異なる線」とは、好ましくは基板の法線である。
【００１７】
［適用例６］上述のＥＬ装置の製造方法であって、上記微粒子成膜法は、上記基板と、該基板と上記導電材料粒子発生源とを結ぶ線と、が成す角度を上記基板の回転に合わせて周期的に変化させつつ上記導電材料粒子を堆積させる微粒子成膜法であることを特徴とするＥＬ装置の製造方法。
【００１８】
このような製造方法であれば、同一方向から見た場合における上記手前側の隔壁と上記奥側の隔壁との間隔が上記基板の回転により大きく変化するＥＬ装置、すなわち上記隔壁で囲まれた領域の平面形状が縦横比が大きい長方形であるＥＬ装置において、上記導電材料粒子を上記隔壁の表面、特に側面により一層満遍なく堆積させることができる。したがって、上記ＥＬ層の発光の射出に影響を与えることなく、より一層低抵抗の補助陰極を形成でき、表示品質をより一層向上できる。
【００１９】
［適用例７］上述のＥＬ装置の製造方法であって、上記微粒子成膜法は、上記第３の電極を、遮光性を有する導電材料の粒子を堆積させて形成する微粒子成膜法であることを特徴とするＥＬ装置の製造方法。
【００２０】
このような製造方法であれば、上記第３の電極に、隣り合うＥＬ層の発光が互いに混じり合う現象を抑制する機能を付与できる。したがって、より一層表示品質が向上したＥＬ装置を得ることができる。
【００２１】
［適用例８］上述のＥＬ装置の製造方法であって、上記遮光性を有する導電材料は光吸収性を有する導電材料であることを特徴とするＥＬ装置の製造方法。
【００２２】
このような製造方法であれば、上記第３の電極に、ＥＬ装置内に照射された外光が、該ＥＬ装置内で反射されて再度上記第２の電極を介して射出される現象を抑制する機能を付与できる。したがって、より一層表示品質が向上したＥＬ装置を得ることができる。
【００２３】
［適用例９］上述のＥＬ装置の製造方法であって、上記微粒子成膜法は、上記第３の電極を、複数の種類の導電材料の粒子を順次堆積させて形成する微粒子成膜法であることを特徴とするＥＬ装置の製造方法。
【００２４】
このような製造方法であれば、上記第３の電極に、光吸収性と低い抵抗性とのような異なる機能を付与できる。したがって、より一層表示品質が向上したＥＬ装置を得ることができる。
【００２５】
［適用例１０］上述の製造方法により製造されたＥＬ装置。
【００２６】
このような構成によれば、上記基板の中央部と外縁部との間における上記ＥＬ層の発光強度の差が少なく、かつ外光の反射が抑制されたＥＬ装置を得ることができる。
【００２７】
［適用例１１］基板の一方の面の、画像が形成される領域である表示領域内に形成された島状の第１の電極と、上記第１の電極を囲む様に形成された、上記基板に対して略平行な上面と上記上面と上記第１の電極との間を繋ぐ側面とを有する隔壁と、上記隔壁で囲まれた領域を少なくとも含む領域に形成された、少なくともＥＬ層を含む発光機能層と、上記隔壁及び上記発光機能層を覆うように形成された透明性を有する第２の電極と、を備えており、上記第１の電極と上記第２の電極との間に電圧を印加することにより生じる上記ＥＬ層の発光を上記第２の電極を介して射出するＥＬ装置であって、上記隔壁の上面と、上記側面の内の少なくとも一部であって上記上面から連続している領域と、を覆う第３の電極を備えることを特徴とするＥＬ装置。
【００２８】
このような構成であれば、上記第３の電極により上記第２の電極を補完させて、上述の電圧印加時における電圧降下を低減できる。したがって、上記表示領域の周辺部と中央部との間において上述の印加電圧が不均一になることを抑制でき、品質の向上した表示が可能となる。
【００２９】
［適用例１２］上述のＥＬ装置であって、上記隔壁の側面は上記第１の電極の外側の方向に向けての傾きを有しており、上記第３の電極は、平面視で上記隔壁と上記第１の電極との境界線の外側にのみ形成されていることを特徴とするＥＬ装置。
【００３０】
このような構成であれば、上記第３の電極は上記第２の電極を介して射出される上記ＥＬ層の発光を妨げることがない。したがって、上記第３の電極の形成材料の選択の幅を広げることができる。
【００３１】
［適用例１３］上述のＥＬ装置であって、上記第３の電極は材質の異なる複数の材料層を積層して形成されており、該複数の材料層の内の少なくとも一層は遮光性材料からなることを特徴とするＥＬ装置。
【００３２】
このような構成であれば、上述のＥＬ層の発光が上記隔壁を透過して、隣り合う第１の電極と対向する領域から射出されることを抑制できる。したがって、このようなＥＬ装置であればより一層品質の向上した表示が可能となる。
【００３３】
［適用例１４］上述のＥＬ装置であって、上記遮光性材料は光吸収性材料であることを特徴とするＥＬ装置。
【００３４】
このような構成であれば、上記第２の電極を介して該ＥＬ装置内に滲入した外光が該ＥＬ装置の内部で乱反射することを抑制できる。したがって、このようなＥＬ装置であればより一層品質の向上した表示が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、図面を参照し、ＥＬ装置としての有機ＥＬ装置及び有機ＥＬ装置の製造方法の実施形態について説明する。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。
【００３６】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態にかかる有機ＥＬ装置１、及び後述する第２〜４の各実施形態にかかる有機ＥＬ装置の回路構成図である。有機ＥＬ装置１は、表示領域１００と外周部とを備えている。表示領域１００には、Ｘ方向に延在する複数の走査線１０２と、Ｙ方向に延在する複数の信号線１０４と、同じくＹ方向に延在する複数の容量線１０６と、が形成されている。Ｘ方向が信号線１０４と容量線１０６とで規定され、Ｙ方向が走査線１０２の中心線で規定される区画毎に有機ＥＬ画素３０が形成されている。
【００３７】
有機ＥＬ画素３０は射出する光の色により、赤色有機ＥＬ画素３０Ｒと緑色有機ＥＬ画素３０Ｇと青色有機ＥＬ画素３０Ｂとに区別されており、かかる３種類の有機ＥＬ画素３０が表示領域１００内に規則的に形成されている。なお、上述の各符号の末尾のアルファベットは、それぞれＲ＝赤、Ｇ＝緑、Ｂ＝青を表わしている。以下の記載において、対応する色を区別しない場合、すなわち総称を示す場合にはアルファベットを省略して表記する。
【００３８】
各々の有機ＥＬ画素３０は、走査線１０２を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１０８と、スイッチング用ＴＦＴ１０８を介して信号線１０４から供給される画素信号を保持する保持容量１１０と、保持容量１１０によって保持された画像信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ１１２と、駆動用ＴＦＴ１１２を介して容量線１０６から駆動電流が流れ込む有機ＥＬ素子２９（図３参照）等からなる。
【００３９】
有機ＥＬ素子２９も、射出する光の色により３種類あり、上述の３種類の有機ＥＬ画素３０（Ｒ，Ｇ，Ｂ）にそれぞれ対応している。本実施形態の有機ＥＬ装置１においては、上述の射出光の色は、発光機能層２６（図２参照）内の有機ＥＬ層の形成材料によって決定されている。上述の３種類の有機ＥＬ画素３０（Ｒ，Ｇ，Ｂ）は、有機ＥＬ素子２９以外の要素は互いに共通である。
【００４０】
表示領域１００の周辺の領域である外周部には、走査線駆動回路１２０、及び信号線駆動回路１３０が形成されている。走査線駆動回路１２０は、図示しない外部回路より供給される各種信号に応じて、走査線１０２に走査信号を順次供給する。信号線駆動回路１３０は、信号線１０４に画像信号を供給する。容量線１０６には、図示しない外部回路から画素駆動電流が供給される。走査線駆動回路１２０の動作と信号線駆動回路１３０の動作とは、同期信号線１４０を介して外部回路から供給される同期信号により相互に同期が図られている。
【００４１】
走査線１０２が駆動されスイッチング用ＴＦＴ１０８がオン状態になると、その時点の信号線１０４の電位が保持容量１１０に保持され、保持容量１１０の状態に応じて駆動用ＴＦＴ１１２のレベルが決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１１２を介して容量線１０６から画素電極２５（図２参照）に駆動電流が流れ、有機ＥＬ素子２９は駆動電流の大きさに応じて発光する。
【００４２】
図２は、本実施形態の有機ＥＬ装置１の模式断面図である。所定の間隔をおいて互いに対向する様に貼り合わされた基板としての素子基板１０と対向基板１１、及び該素子基板上に形成された有機ＥＬ素子２９等を示している。
本実施形態の有機ＥＬ装置１は、隣り合う有機ＥＬ素子２９の間を区画する隔壁７７の対向基板１１側の面に形成された第３の電極としての補助陰極配線２０に特徴がある。そこで、本図では隔壁７７と、該隔壁によって区画される３種類の有機ＥＬ素子２９（Ｒ，Ｇ，Ｂ）と、該有機ＥＬ素子を駆動する駆動用ＴＦＴ（以下、単に「ＴＦＴ」と称する。）１１２等の断面を表示し、スイッチング用ＴＦＴ１０８と保持容量１１０は図示を省略する。以下、素子基板１０側から順に説明する。なお、以下の記載において、素子基板１０の対向基板１１側の面を「上面」と表記して、素子基板１０の対向基板１１側を「上」又は「上層」と表記する。
【００４３】
素子基板１０上には、ＴＦＴ１１２が、上述する図示しないスイッチング用ＴＦＴ１０８及び保持容量１１０等とともに形成されている。ＴＦＴ１１２は、半導体層３１と、走査線１０２と同一の層をパターニングして形成されたゲート電極３３、及び、半導体層３１とゲート電極３３との間に形成されたゲート絶縁層７０等からなる。半導体層３１のうち、ゲート電極３３と重なる領域がチャネル領域３８であり、該チャネル領域の両側にソース領域３５とドレイン領域３６とが形成されている。
【００４４】
ＴＦＴ１１２の上層には、窒化シリコン、又は酸化シリコンからなる層間絶縁層７１が形成されている。ソース領域３５は、層間絶縁層７１を局所的にエッチングして形成されたコンタクトホール（符号無し）を介してソース電極５３と電気的に接続されており、同様にドレイン領域３６は層間絶縁層７１を局所的にエッチングして形成されたコンタクトホール（符号無し）を介してドレイン電極５４と電気的に接続されている。ソース電極５３とドレイン電極５４との上層には、窒化シリコンからなる第１の保護層７３と平坦化層７２とが順に積層されている。
【００４５】
平坦化層７２の上層における所定の領域には反射層２８が形成されている。上記「所定の領域」とは、将来的に有機ＥＬ素子２９が形成される領域を含む領域である。有機ＥＬ素子２９の発光は上方向と下方向とに半々に射出される。一方で、本実施形態の有機ＥＬ装置１はトップエミッション型であり、対向基板１１側にのみ表示領域１００（図１参照）を有している。そこで、反射層２８により、有機ＥＬ素子２９の発光を上層方向に反射させて発光を有効に利用している。したがって、反射層２８が形成される領域は、将来的に有機ＥＬ素子２９が形成される領域を少なくとも含む必要がある。
【００４６】
反射層２８の形成材料は、反射率が高く加工性（パターニング性）に優れた材料が好ましい。有機ＥＬ装置１では、反射層２８は、Ａｌ（アルミニウム）を用いている。反射層２８の上面は、窒化シリコンからなる第２の保護層７４で覆われている。該第２の保護層は、後述する画素電極２５の形成時に反射層２８を保護する機能を果たしている。
【００４７】
反射層２８の形成領域を含む平坦化層７２の上面には、該反射層を覆うように、ＩＴＯ（酸化インジウム・錫合金）層を島状にパターニングしてなる第１の電極としての画素電極２５が形成されている。画素電極２５は個々の有機ＥＬ画素３０（図１参照）毎に形成されており、隣り合う画素電極２５間は隔壁７７で区画されている。したがって、平面視では画素電極２５は隔壁７７で囲まれており、画素電極２５の外縁部は画素電極２５と隔壁７７とが互いに重なり合う環状の領域となっている。そして該画素電極は、平坦化層７２を局所的にパターニングして形成されたコンタクトホール５１を介して、ドレイン電極５４と導通している。
【００４８】
かかる隔壁７７の態様を、図３に模式的に示す。図３（ａ）は、隔壁７７と該隔壁に囲まれた、有機ＥＬ素子２９（Ｒ，Ｇ，Ｂ）を示している。図３（ｂ）は、陰極２７を形成する前の段階、すなわち隔壁７７で囲まれた領域に後述する発光機能層２６（Ｒ，Ｇ，Ｂ）を形成した段階を示している。隔壁７７は、層厚（Ｚ方向の寸法）が略２．０μｍの感光性の樹脂層を上層に向けて狭まるように、すなわちテーパーがつくようにパターニングして形成されている。したがって、隔壁７７は図示するように素子基板１０の基板面に略平行な上面７５と、該基板面に対して角度を有する側面７６と、を有しており、台形状の断面（隔壁７７の延在方向に垂直な面における断面）を有している。なお、上述の角度は基板面に対して３０度乃至８０度が好ましい。
【００４９】
図３（ａ）に示すように、有機ＥＬ素子２９は平面視で矩形である。そして、図３（ｂ）に示すように、隔壁７７は発光機能層２６が形成される領域、すなわち将来的に有機ＥＬ素子２９が形成される矩形の領域を囲んでいる。したがって、該領域は２組の略平行に延在する一対の隔壁７７、すなわち計４本の隔壁７７で囲まれていることとなる。かかる一対の隔壁７７は、一方が「手前側」とすると他方が「奥側」となる。
【００５０】
図２に示すように、隔壁７７で囲まれた領域、すなわち画素電極２５の上層には、３種類の有機ＥＬ素子２９（Ｒ，Ｇ，Ｂ）毎に夫々異なる発光機能層２６が形成されている。具体的には、赤色有機ＥＬ素子２９Ｒには赤色発光機能層２６Ｒが形成され、緑色有機ＥＬ素子２９Ｇには緑色発光機能層２６Ｇが形成され、青色有機ＥＬ素子２９Ｂには青色発光機能層２６Ｂが形成されている。夫々の発光機能層２６は、素子基板１０側から順に正孔注入層と正孔輸送層と有機ＥＬ層と電子輸送層と電子注入層との計５層が積層されて形成されており、上述の各々の発光色は有機ＥＬ層の形成材料により得られている。
【００５１】
発光機能層２６が形成された素子基板１０の少なくとも表示領域１００には、発光機能層２６の上層と隔壁７７の上面７５と隔壁７７の側面７６とを覆うように、第２の電極としての陰極２７が形成されている。本実施形態にかかる有機ＥＬ装置１はトップエミッション型の有機ＥＬ装置であるため、陰極２７は導電性と共に、透明性又は半透過反射性を有することが必要である。一方で、陰極２７は画素電極２５の形成材料よりも仕事係数が低い材料で形成される必要がある。また耐環境性等も考慮する必要がある。したがって陰極２７は、Ｃａ（カルシウム）、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｂａ（バリウム）、Ｃｓ（セシウム）、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）、Ｌｉ（リチウム）、Ｎａ（ナトリウム）、Ｋ（カリウム）、等の材料を適宜積層して形成することが好ましい。本実施形態における陰極２７は、層厚数ｎｍ〜十数ｎｍの極薄いＡｌあるいはＭｇＡｇ（マグネシウム・銀）合金等で形成されている。
【００５２】
陰極２７は素子基板１０の全面に形成されるため、隔壁７７で囲まれた領域内において画素電極２５と発光機能層２６と陰極２７の積層体が形成される。かかる積層体が、有機ＥＬ素子２９（Ｒ，Ｇ，Ｂ）である。陰極２７は少なくとも表示領域１００（図１参照）の全域に形成されており、０電位となっている。したがって、画素電極２５に電圧が印加されると該電圧に応じた電流が発光機能層２６に流れて、発光機能層２６に含まれる有機ＥＬ層は、該電流量に応じて発光する。
【００５３】
隔壁７７の上面７５、及び側面７６の少なくとも上面７５から連続する部分には陰極２７の導電性を補なうための第３の電極としての補助陰極配線２０が形成されている。上述の「上面７５から連続する部分」とは、対向基板１１に近い側である。本実施形態にかかる有機ＥＬ装置の補助陰極配線２０は隔壁７７の上面７５から側面７６にかけて連続的に形成されているため、その断面形状は帽子状となる。後述するように、本実施形態の補助陰極配線２０はその形成（成膜）方法により、側面７６のうち対向基板１１に近い側が厚く素子基板１０に近づくにつれて薄くなっている。したがって、素子基板１０に近い領域では形成（成膜）されていない場合があり得る。
【００５４】
上述したように陰極２７は極薄い金属材料で形成されているため、高い面抵抗を有している。そのため、表示領域１００の中央近傍においては、電圧降下により画素電極２５との間に印加する電圧が低下し、上述の発光量が低下する現象が発生し得る。補助陰極配線２０はかかる電圧降下を抑制するために形成される要素であり、隔壁７７の上面７５及び側面７６における陰極２７、すなわち有機ＥＬ素子２９の発光を妨げない領域における陰極２７の層厚を実質的に厚膜化して面抵抗を低減する機能を果たしている。
【００５５】
上述したように補助陰極配線２０は側面７６にも形成されるが、隔壁７７の側面７６はテーパーが付いており、素子基板１０の基板面に対して垂直にはなっていない。したがって、補助陰極配線２０を上述したように素子基板１０に近づくにつれて薄くなるように形成することで、補助陰極配線２０は有機ＥＬ素子２９と平面視で重ならないようにできる。したがって、補助陰極配線２０は側面７６にも形成するにもかかわらず透明性を要せず、少なくとも上面７５においては任意の厚さに形成（成膜）できる。そのため、充分な厚さに成膜して面抵抗を低減できる。また、補助陰極配線２０の形成材料は、仕事係数を考慮することなく定めることができる。したがって、陰極２７の形成材料とは異なる材料を用いることができる。本実施形態にかかる補助陰極配線２０は、単層のＡｌ層により形成されている。
【００５６】
また、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置の補助陰極配線２０は、隣り合う有機ＥＬ素子２９間の混色を抑制する遮光層としての機能も果たすことができる。上述したように補助陰極配線２０は隔壁７７の側面７６にも形成されているため、１つの有機ＥＬ素子２９の発光が隔壁７７を透過して隣り合う有機ＥＬ素子２９の平面視での形成領域から射出されることが抑制される。したがって、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、上述の電圧降下の低減効果と並んで混色も抑制されており、表示品質が向上している。
【００５７】
陰極２７の上層には、有機ＥＬ素子２９等を保護するためにパシベーション層８５が形成されている。パシベーション層８５は、無機材料層と有機材料層と無機材料層との３層構造が好ましい。そして、該パシベーション層まで形成された素子基板１０は、接着層７８及び図示しない周辺シール材を介して対向基板１１と貼り合わされている。本実施形態にかかる有機ＥＬ装置１はトップエミッション型であるため、対向基板１１は透明性材料からなる。
【００５８】
有機ＥＬ装置１は発光機能層２６として有機ＥＬ素子２９毎に異なる有機ＥＬ層を含む発光機能層２６（Ｒ，Ｇ，Ｂ）を用いているため、対向基板１１側にカラーフィルタは形成していない。しかし、上述の有機ＥＬ素子２９毎に異なる発光色を補完して色純度を一層向上させるためにカラーフィルタ層を形成してもよい。また、有機ＥＬ装置１では、上述したように補助陰極配線２０に遮光層としての機能も果たさせている。したがって、対向基板１１側に、平面視で有機ＥＬ素子２９を区画する遮光層も形成していない。しかし、補助陰極配線２０の遮光機能を補完するために、対向基板１１側に別途遮光層を形成してもよい。
【００５９】
さらには、対向基板１１の素子基板１０と対向する側の反対側の面に、外光反射を抑制するための円偏光板を配置してもよい。円偏光板は直線偏光板と１／４波長補正板（直交する偏光成分間に１／４波長の位相差を与える素子。）との積層体である。光が反射する際に、偏光の回転方向が逆転する性質を利用して、有機ＥＬ装置内に入射した外光が内部で反射して表示領域１００から射出されることを抑制している。
【００６０】
続いて、補助陰極配線２０の態様にかかる第２〜第４の実施形態について説明する。図４は、第２の実施形態にかかる補助陰極配線２０の態様を示す図であり、図５は、第３の実施形態にかかる補助陰極配線２０の態様を示す図であり、図６は、第４の実施形態にかかる補助陰極配線２０の態様を示す図である。以下、順に説明する。
【００６１】
（第２の実施形態）
第２の実施形態にかかる補助陰極配線２０は、隔壁７７の上面７５は完全に覆うように形成されているが、側面７６については上側（対向基板１１側）の略半分のみを覆うように形成されていることが特徴である。したがって、上述の第１の実施形態にかかる補助陰極配線２０に比べて、形成される領域が若干狭くなっている。しかし、上面における層厚を、第１の実施形態にかかる補助陰極配線２０の層厚に比べて若干厚くすることで、陰極２７の面抵抗の低減効果は略同等に得ることができる。
【００６２】
詳しくは後述するが、第１〜第４の実施形態の補助陰極配線２０は、導電材料粒子（本実施形態においてはＡｌの粒子）を素子基板１０の基板面に対して斜めの方向から飛翔させて、隔壁７７の表面（上面７５と側面７６）に堆積させる手法で形成されている。したがって、形成時にいわゆる蒸着マスクを用いていない。
【００６３】
本実施形態の補助陰極配線２０は、側面７６の下側（素子基板１０側）には該粒子を堆積させないため、導電材料粒子の後述する飛翔角度（図８参照）をより一層浅い角度に設定できる。上述したように本実施形態の補助陰極配線２０の上面７５における層厚は、第１の実施形態の補助陰極配線２０の層厚に比べて厚くなっているが、かかる構成は導電材料粒子を浅い角度で飛翔させることで得ることができる。
【００６４】
（第３の実施形態）
第３の実施形態にかかる補助陰極配線２０は、第１の補助陰極配線２１と第２の補助陰極配線２２との２層で形成されている。双方の補助陰極配線は夫々異なる材料で形成されている。かかる構成により、本実施形態の補助陰極配線２０は複数の機能を果たすことができる。本実施形態においては、第１の補助陰極配線２１はＡｌで形成されており、該第１の補助陰極配線を覆う第２の補助陰極配線２２はＣｒ（クロム）で形成されている。Ａｌは比較的低抵抗な材料であるため、第１の補助陰極配線２１は陰極２７の面抵抗を充分に低減できる。
【００６５】
Ｃｒは、Ａｌに比べて光をあまり反射せず、吸収する性質が強い。かかるＣｒでＡｌを覆うことで、対向基板１１を介して有機ＥＬ装置内に入射した外光が該有機ＥＬ装置の内部で乱反射することを抑制できる。また、Ａｌが側面７６については上側にのみ形成されている場合において、有機ＥＬ層の発光が隔壁７７を透過して隣り合う有機ＥＬ素子２９内に達することを抑制できる。したがって、第２の補助陰極配線２２は、混色及び外光反射を抑制できる。
【００６６】
以上述べたように、本実施形態にかかる補助陰極配線２０は、第１の補助陰極配線２１による陰極２７の面抵抗の低減効果と第２の補助陰極配線２２による混色及び外光反射を抑制効果との双方の機能を果たすことができる。したがって、本実施形態にかかる補助陰極配線２０を備える有機ＥＬ装置は、より一層品質の向上した表示が可能となる。なお、材料の積層数は２層に限定されるものではなく、３層以上の材料層を積層して補助陰極配線２０を形成してもよい。
【００６７】
（第４の実施形態）
第４の実施形態にかかる補助陰極配線２０は、上述の第１〜第３の実施形態の補助陰極配線２０とは異なり、陰極２７の下層に形成されている。したがって、補助陰極配線２０の形成時には隔壁７７の表面には陰極２７が形成されておらず、上述の第１〜第３の実施形態の補助陰極配線の形成時と比べると、隔壁７７の寸法が実質的に縮小していることとなる。
【００６８】
上述したように、補助陰極配線２０は蒸着マスクを用いずに形成される。かかる場合において、隔壁７７の寸法が縮小していると補助陰極配線２０の形成材料（導電材料粒子）が発光機能層２６上に堆積する可能性が低減される。したがって、本実施形態にかかる補助陰極配線２０は、上述の第１〜第３の実施形態の補助陰極配線２０の形成時に比べて余裕を持って形成できる。また、余裕をもって形成できるため、補助陰極配線２０の層厚を多少なりとも増加させることができ、有機ＥＬ装置の表示品質を向上させることが可能となる。
【００６９】
続いて、有機ＥＬ装置の製造方法に含まれる補助陰極配線２０の形成方法にかかる、第５〜第９の実施形態について説明する。
【００７０】
（第５の実施形態）
図７〜図９は、第５の実施形態にかかる補助陰極配線２０の形成方法を示す図である。以下、順に説明する。本実施形態にかかる補助陰極配線２０、及び後述する第６〜第９の実施形態にかかる補助陰極配線２０の形成方法は、微粒子成膜法としての蒸着法を用いる方法である。そして、蒸着マスクを用いずに隔壁７７の表面に限定される局所的な領域に補助陰極配線２０を形成している点に特徴がある。なお、微粒子成膜法としては、蒸着法以外にイオンプレーティング法、スパッタリング法、イオンビーム法等がある。かかる成膜法のいずれにも、本実施形態及び後述する第６〜第９の実施形態にかかる形成方法を適用することができる。
【００７１】
図７は、補助陰極配線２０が形成される基板としての素子基板１０と導電材料粒子発生源としての蒸着源４０との相互の位置関係を示す図である。蒸着源４０は、素子基板１０の基板面に対して法線方向ではなく、「θ」で示す所定の角度を有する位置に配置されている。かかる角度を、以下「飛翔角度θ」と称する。
上述の飛翔角度θは、蒸着源４０の中心線と素子基板１０の基板面とがなす角度である。蒸着源４０からは、蒸着材料（本実施形態においては導電材料粒子）が円錐状に飛翔する。かかる円錐の中心軸が上述の「中心線」である。素子基板１０に形成された隔壁７７の表面には、かかる飛翔角度θの方向から飛翔してくる導電材料粒子が堆積する。素子基板１０上には隔壁７７及び陰極２７までが形成されている。かかる状態の素子基板１０に飛翔角度θの方向から、すなわち斜め方向から導電材料粒子が飛翔してきた場合、隔壁７７の陰となる領域には該導電材料粒子は堆積しない。かかる現象を図８に示す。
【００７２】
なお、蒸着源４０は導電材料としてのＡｌを加熱するコイル等の加熱手段を備えたるつぼと、該るつぼから蒸発するＡｌ粒子を所定の角度範囲内に飛翔させるためのノズル等を備えている。また、本実施形態、及び後述する各実施形態においては、蒸着源４０を備える蒸着装置については、真空ポンプ、真空チャンバー、及び素子基板１０の保持機構等を含めて図示を省略している。
【００７３】
図８（ａ）は、素子基板１０に向かって飛翔するＡｌ粒子４８を示す図である。図８（ａ）においては、素子基板１０に向かって飛翔するＡｌ粒子４８と飛翔線４９、及び素子基板１０上に形成された有機ＥＬ素子２９と画素電極２５を区画する隔壁７７等を示し、ＴＦＴ１１２等は図示を省略している。なお、「飛翔線４９」とは、図示しない蒸着源４０（図７参照）から飛翔するＡｌ粒子４８の軌跡である。所定の範囲における複数の飛翔線４９は、素子基板１０と蒸着源４０との間の距離が充分にある場合、近似的には互い平行になる。図示するように、飛翔線４９は素子基板１０の基板面に対して垂直ではなく、飛翔角度θを有しているため、Ａｌ粒子４８は隔壁７７の上面７５のみでなく側面７６の一部にも堆積する。一方で、有機ＥＬ素子２９の形成領域のうちの少なくとも一部の領域は、手前側の隔壁７７の陰となりＡｌ粒子４８が堆積しない。
【００７４】
図８（ｂ）は、斜め方向から飛翔するＡｌ粒子４８によって隔壁７７の表面に（陰極２７を介して）形成された補助陰極配線２０を示す図である。隔壁７７の上面７５には、Ａｌ粒子４８の堆積により補助陰極配線２０が形成される。また、側面７６の一方の面、すなわち飛翔線４９と交わる側の面にも、上面７５から連続した補助陰極配線２０が形成されている。本図においては、飛翔線４９と素子基板１０の基板面とがなす飛翔角度θが小さめに設定されているため、隔壁７７で囲まれている領域、すなわち平面視で有機ＥＬ素子２９が形成されている領域（有機ＥＬ素子２９の上面）にはＡｌ粒子４８が堆積せず、補助陰極配線２０は形成されない。また、側面７６においても、素子基板１０に近い領域には補助陰極配線２０は形成されていない。
【００７５】
飛翔線４９と素子基板１０の基板面とがなす角度である飛翔角度θを適切に設定すると、隔壁７７の表面にのみＡｌ粒子４８を堆積させて補助陰極配線２０を形成し、かつ有機ＥＬ素子２９の上面にはＡｌ粒子４８を堆積させず該有機ＥＬ素子の発光の射出を確保できる。すなわち、蒸着マスクを用いずに補助陰極配線２０を形成して、製造コストの増加を抑制しつつ、有機ＥＬ装置の表示品質を向上できる。また、隔壁７７の上面７５に蒸着マスクを密着させることによる歩留りの低下も回避できる。
【００７６】
図９は、かかる飛翔角度θの設定方法を示す図である。上述の適切な飛翔角度θは、以下の式に基づいて設定される。
ｔａｎθ＝Ｔ×ｔａｎδ／Ｗ×ｔａｎδ＋Ｔ・・・・・・・・・（１）
ここで、
δ＝隔壁７７の側面７６と素子基板１０の基板面とが成す角度、
Ｗ＝有機ＥＬ素子２９の幅、すなわち対向する一対の隔壁７７の間の距離、
Ｔ＝隔壁７７の高さ、（隔壁７７の上面７５と発光機能層２６の上面との間の距離）、
である。
【００７７】
飛翔線４９と素子基板１０の基板面とがなす角度である飛翔角度θが式（１）で設定される角度となるように蒸着源４０を配置することにより、蒸着マスクを用いずに、隔壁７７の表面に限定してＡｌ粒子を堆積させることができる。したがって、有機ＥＬ素子２９の発光の射出を妨げない範囲内において充分に低抵抗の補助陰極配線２０を形成して、陰極２７の面抵抗を低減できる。
【００７８】
（第６の実施形態）
図１０（ａ）〜図１０（ｃ）は、第６の実施形態、及び該実施形態の変形例にかかる補助陰極配線２０の形成方法を示す図である。本実施形態にかかる補助陰極配線２０の形成方法は、複数の蒸着源を用いている点に特徴がある。図１０（ａ）は、第１の蒸着源４１と第２の蒸着源４２との２つの蒸着源を用いる場合における斜視図であり、図１０（ｂ）は、かかる場合を素子基板１０の法線方向から見た平面図である。図１０（ｂ）に示すように、平面視において第１の蒸着源４１と第２の蒸着源４２とは対称となる位置に配置されている。そして、図１０（ａ）に示すように第１の蒸着源４１と第２の蒸着源４２とは、双方の飛翔角度θが式（１）で算出される値となるように配置されている。
【００７９】
本実施形態の補助陰極配線２０の形成方法は、かかる対称位置からＡｌ粒子４８（不図示）を飛翔させることで、隔壁７７の両側の側面７６に対して略均等にＡｌ粒子４８を堆積させている。したがって、有機ＥＬ素子２９の発光を妨げることなく、陰極２７の面抵抗をより一層低減して表示品質をより一層向上できる。また、複数の蒸着源から同時にＡｌ粒子を飛翔させるため、補助陰極配線２０の形成に要する時間を短縮できる。
【００８０】
図１０（ｃ）は、上述の形成方法の変形例として、第１の蒸着源４１〜第４の蒸着源４４の計４つの蒸着源を用いる補助陰極配線２０の形成方法を示す図である。素子基板１０を挟んで対向する様に配置された一対の蒸着源が、縦方向と横方向とにそれぞれ配置されている。上述したように有機ＥＬ素子２９（の形成領域）は平面視で矩形であり、４方を隔壁７７で囲まれている。本変形例によれば、かかる４辺の隔壁７７が夫々有する計８つの側面７６に満遍なくＡｌ粒子を堆積させることができる。したがって、陰極２７の面抵抗をより一層低減できる。
【００８１】
かかる変形例における飛翔角度θは、上述の一対の蒸着源では同一に設定し、縦方向の一対の蒸着源（第３の蒸着源４３と第４の蒸着源４４）と横方向の一対の蒸着源（第１の蒸着源４１と第２の蒸着源４２）とでは異なる値に設定することが好ましい。図３に示すように、有機ＥＬ素子２９の形成領域は細長い矩形状である。したがって、有機ＥＬ素子２９の幅Ｗの値が縦方向と横方向とで大きく異なっている。かかるＷの値に合わせて飛翔角度θを夫々設定することで、上述の８つの側面７６により一層満遍なくＡｌ粒子を堆積させることができる。
【００８２】
（第７の実施形態）
図１１（ａ）〜図１１（ｃ）は、第７の実施形態、及び該実施形態の変形例にかかる補助陰極配線２０の形成方法を示す図である。本実施形態にかかる補助陰極配線２０の形成方法は、一列に並べて配置された複数の第１の蒸着源４１と同じく一列に並べて配置された複数の第２の蒸着源４２とを用いて、素子基板１０の両側から連続的にＡｌ粒子４８を飛翔させていることが特徴である。
【００８３】
図１１（ａ）の斜視図に示すように全ての蒸着源（４１及び４２）は、同一の飛翔角度θとなるように配置されている。また、図１１（ｂ）の平面図に示すように、第１の蒸着源４１と第２の蒸着源４２は、素子基板１０の中心線を挟んで互いに対称な位置に配置されている。多数の蒸着源を用いるため補助陰極配線２０の形成時間を短縮でき、また素子基板１０の基板面内における層厚等の均一性の向上効果も得ることができる。
【００８４】
図１１（ｃ）は、上述の形成方法の変形例として、複数の蒸着源を間隔を空けて配置し、該複数の蒸着源から夫々異なる蒸着材料を飛翔させつつ素子基板１０を矢印の方向に移動させて補助陰極配線２０を形成する方法を示す図である。本変形例では、素子基板１０の進行方向、すなわち矢印の方向に沿って、蒸着材料としてＡｌを備える第５の蒸着源４５と蒸着材料としてＣｒを備える第６の蒸着源４６とを配置している。そして、素子基板１０を移動させつつ蒸着源（４５及び４６）から蒸着材料（導電材料粒子）を飛翔させて、Ａｌ粒子４８からなる第１の補助陰極配線２１（図５参照）と導電材料粒子としてのＣｒ粒子４７からなる第２の補助陰極配線２２（図５参照）を連続的に形成している。かかる形成方法であれば、夫々異なる材料で形成された複数の補助陰極配線からなる多層構造の補助陰極配線２０を容易に形成でき、表示品質の向上した有機ＥＬ装置をより一層低コストで製造できる。
【００８５】
（第８の実施形態）
図１２は、第８の実施形態にかかる補助陰極配線２０の形成方法を示す図である。本実施形態の形成方法は、素子基板１０を、該素子基板の法線方向を軸として回転させつつ、蒸着源４０からＡｌ粒子４８を飛翔させる点に特徴がある。
【００８６】
上述したように有機ＥＬ素子２９（の形成領域）を囲む４辺の隔壁７７は計８つの側面７６を有している。したがって、１つの蒸着源４０を用いて、かつ、素子基板１０と蒸着源４０との双方を固定して双方の位置を相対的に変化させずにＡｌ粒子４８を飛翔させ場合、上記８つの側面７６の内の、蒸着源４０と対向する２つの側面７６にのみ充分なＡｌ粒子４８が堆積する。
【００８７】
本実施形態にかかる補助陰極配線２０の形成方法によれば、上記８つの側面７６の全てが順次に蒸着源４０と対向するため、蒸着源４０を１つのみ備える蒸着装置を用いて該８つの側面７６に満遍なくＡｌ粒子を堆積させることができる。したがって、有機ＥＬ素子２９の発光の射出を妨げない範囲内において充分に広い断面積を有する補助陰極配線２０を形成できる。したがって、陰極２７の面抵抗をより一層低減でき、表示品質が向上した有機ＥＬ装置を製造コストを増加させることなく得ることができる。
【００８８】
（第９の実施形態）
図１３（ａ）〜図１３（ｃ）は、第９の実施形態にかかる補助陰極配線２０の形成方法を示す図である。本実施形態の形成方法は上述の第８の実施形態を発展させたものであり、素子基板１０の回転に合わせて蒸着源４０を移動させて、飛翔角度θを変化させることに特徴がある。
【００８９】
図３に示すように、有機ＥＬ素子２９の平面形状（平面視での形状）は長辺と短辺とを有する長方形である。したがって、上記長辺の方向と上記短辺の方向とでは、向かい合う一対の隔壁７７間の距離が大きく異なる。そして、上述したように飛翔角度θの最適値は、手前側の隔壁７７（具体的には手前側の隔壁７７の上面７５と奥側の側面７６との境界）と奥側の隔壁７７（具体的には奥側の隔壁７７の手前側の側面７６の立ち上がり部）とを結ぶ線と、素子基板１０の基板面と、が成す角度である。
【００９０】
かかる最適値（最適角度）は、長辺方向と短辺方向とでは、上述の一対の隔壁７７間の距離（図９に示す「Ｗ」）の変化に伴い大きく変化する。本実施形態にかかる補助陰極配線２０の形成方法は、飛翔角度θの最適値の変化に合せて蒸着源４０の位置を上下させることで、長方形の平面形状を有する有機ＥＬ素子２９を備える有機ＥＬ装置の製造において、長辺側の隔壁７７の側面７６と短辺側の隔壁７７の側面７６とに同等のＡｌ粒子４８を堆積させることで、有機ＥＬ素子２９の発光の射出を妨げずに陰極２７の面抵抗をできる限り低減させている。
【００９１】
具体的には、有機ＥＬ素子２９の長辺方向に蒸着源４０が位置しているときは、図１３（ｂ）に示すように蒸着源４０の位置を下げて（素子基板１０に近づけて）、長辺側の飛翔角度θ１を手前側の隔壁７７と奥側の隔壁７７とを結ぶ線と一致させる。そして、短辺方向に蒸着源４０が位置しているときは、図１３（ｃ）に示すように蒸着源４０の位置を上げて、短辺側の飛翔角度θ２を手前側の隔壁７７と奥側の隔壁７７とを結ぶ線と一致させる。
【００９２】
このように、素子基板１０を回転させると共に、該回転に同調させて蒸着源４０の位置を変化させることで、蒸着源４０を１つのみ備える蒸着装置を用いて有機ＥＬ素子２９を囲む４つの隔壁７７が有する８つの側面７６に略均一にＡｌ粒子を堆積させることができる。したがって、陰極２７の面抵抗をより一層低減でき、表示品質がより一層向上した有機ＥＬ装置を製造コストを増加させることなく得ることができる。なお、上記の実施形態では蒸着源の位置を上下させているが、蒸着源４０の中心線が常に素子基板１０の中央を指向するように該蒸着源を円弧状に移動させることも可能である。また、蒸着源４０を移動させずに基板面に水平な軸を中心に回転させて、飛翔線４９の方向（角度）を変えることもできる。
【００９３】
（変形例）
図１４は、変形例にかかる補助陰極配線２０の形成方法を示す図である。本変形例にかかる形成方法は、蒸着源４０と素子基板１０との間に該素子基板から所定の間隔をおいてＡｌ粒子の飛翔角度を制限する補助マスク５０を配置していることが特徴である。
上述したように、蒸着源４０からは、Ａｌ粒子４８が円錐状（円錐状の範囲内）に飛翔する。したがって、上述の飛翔角度は上記円錐の頂角の範囲内のばらつきを有している。素子基板１０が小さい場合、あるいは蒸着源４０と素子基板１０との間隔が充分広い場合には、飛翔線４９は平行線に近似できる。したがって、飛翔角度のばらつきは低減される。しかし、蒸着源４０と素子基板１０との間隔を充分には取れない場合は飛翔角度のばらつきが増加する。その結果、隔壁７７の側面７６における補助陰極配線２０の層厚にばらつきが生じ得る。また、有機ＥＬ素子２９上にＡｌ粒子が堆積することを回避するためには、蒸着源４０の位置を下げて飛翔角度を小さくする必要がある。しかし、飛翔角度をあまり小さくすると隔壁７７の表面、特に側面７６に対するＡｌ粒子の堆積速度が低下する。
【００９４】
本変形例では、図示するように補助マスク５０により飛翔角度が極端に大きな値となることを回避している。そして、素子基板１０を矢印の方向に移動させて、限定された飛翔角度の範囲内でＡｌ粒子を堆積させている。かかる態様により、素子基板１０の面積が大きい場合、若しくは素子基板１０と蒸着源４０との間の距離をあまり取れない場合において、有機ＥＬ素子２９上にＡｌ粒子が堆積することを抑制しつつ、効率的に補助陰極配線２０を形成している。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】第１の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の回路構成図。
【図２】第１の実施形態の有機ＥＬ装置の模式断面図。
【図３】隔壁の態様を模式的に示す図。
【図４】第２の実施形態にかかる補助陰極配線を示す図。
【図５】第３の実施形態にかかる補助陰極配線を示す図。
【図６】第４の実施形態にかかる補助陰極配線を示す図。
【図７】第５の実施形態にかかる補助陰極配線の形成方法の概略を示す図。
【図８】導電材料粒子の堆積の態様を示す図。
【図９】導電材料粒子の飛翔線の角度の設定方法を示す図。
【図１０】第６の実施形態にかかる補助陰極配線の形成方法を示す図。
【図１１】第７の実施形態にかかる補助陰極配線の形成方法を示す図。
【図１２】第８の実施形態にかかる補助陰極配線の形成方法を示す図。
【図１３】第９の実施形態にかかる補助陰極配線の形成方法を示す図。
【図１４】変形例にかかる補助陰極配線の形成方法を示す図。
【符号の説明】
【００９６】
１…第１の実施形態の有機ＥＬ装置、１０…基板としての素子基板、１１…対向基板、２０…第３の電極としての補助陰極配線、２１…第１の補助陰極配線、２２…第２の補助陰極配線、２５…第１の電極としての画素電極、２６Ｒ…赤色発光機能層、２６Ｇ…緑色発光機能層、２６Ｂ…青色発光機能層、２７…第２の電極としての陰極、２８…反射層、２９Ｒ…赤色有機ＥＬ素子、２９Ｇ…緑色有機ＥＬ素子、２９Ｂ…青色有機ＥＬ素子、３０Ｒ…赤色有機ＥＬ画素、３０Ｇ…緑色有機ＥＬ画素、３０Ｂ…青色有機ＥＬ画素、３１…半導体層、３３…ゲート電極、３５…ソース領域、３６…ドレイン領域、３８…チャネル領域、４０…導電材料粒子発生源としての蒸着源、４１…第１の蒸着源、４２…第２の蒸着源、４３…第３の蒸着源、４４…第４の蒸着源、４５…第５の蒸着源、４６…第６の蒸着源、４７…導電材料粒子としてのＣｒ粒子、４８…導電材料粒子としてのＡｌ粒子、４９…飛翔線、５０…補助マスク、５１…コンタクトホール、５３…ソース電極、５４…ドレイン電極、７０…ゲート絶縁層、７１…層間絶縁層、７２…平坦化層、７３…第１の保護層、７４…第２の保護層、７５…上面、７６…側面、７７…隔壁、７８…接着層、８５…パシベーション層、１００…表示領域、１０２…走査線、１０４…信号線、１０６…容量線、１０８…スイッチング用ＴＦＴ、１１０…保持容量、１１２…駆動用ＴＦＴ、１２０…走査線駆動回路、１３０…信号線駆動回路、１４０…同期信号線、θ…飛翔角度、θ１…長辺側の飛翔角度、θ２…短辺側の飛翔角度。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＥＬ装置、及びＥＬ装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話機等の電子機器の表示部に用いる表示装置として、表示領域内に規則的に配置されたＥＬ素子を発光させて画像を形成するＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置の実用化が進んでいる。ＥＬ素子は、駆動素子が形成された素子基板側に配置された陽極（画素電極）と、該陽極と対向する陰極（共通電極）と、の一対の電極と、該一対の電極間に挟持される少なくともＥＬ層（ＥＬ材料層）を含む発光機能層とからなる。近年、ＥＬ材料に有機系のＥＬ材料を用いた有機ＥＬ装置の採用が進んでおり、また、発光を有効に利用して輝度を向上させるために、陰極側から発光を射出するトップエミッション型の有機ＥＬ装置の採用が進んでいる。
【０００３】
トップエミッション型の有機ＥＬ装置における問題の一つに、電極の抵抗による電圧降下がある。上記一対の電極の少なくとも一方は、透光性と導電性を両立させるために、層厚数ｎｍ乃至数十ｎｍの極薄い金属層、あるいは金属に比較して高抵抗のＩＴＯ（酸化インジウム・錫合金）等で形成されており、比較的高い面抵抗（シート抵抗）又は配線抵抗を有している。したがって、表示領域の中央近傍においては、電圧降下により有機ＥＬ素子に対する電流の供給量が低下して、表示品質が劣化する現象が生じ得る。
そのため、特許文献１には、有機ＥＬ素子間を区画する隔壁上にフォトリソグラフィー法を用いて補助陰極（補助陰極配線）を形成して、陰極の面抵抗を低減する態様が提示されている。
また、特許文献２には、パッシブマトリクス型（単純マトリクス型）の有機ＥＬ装置において、陰極（データ線）群と直交する、陽極（走査線）群に、導電体層を何らかの手法でパターニングして補助配線を積層する態様が提示されている。
また、特許文献３には、有機ＥＬ素子間を区画する隔壁上にインクジェット法を用いて補助陰極を形成して、陰極の面抵抗を低減する態様が提示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１２３９８８号公報
【特許文献２】特開２００１−３４５１８５号公報
【特許文献３】特開２００６−２７８３１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述の態様はいずれも導電体層のパターニング工程、又は導電材料を含む液体材料を滴下する滴下工程等が必要である。したがって、製造コストを増加させるという課題がある。また、工程数の増加に起因する不良が増加して、歩留りの低下をもたらし得るという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］基板の一方の面に形成された島状の第１の電極と、上記第１の電極を囲む様に形成された、上記基板に対して略平行な上面と上記上面と上記第１の電極との間を繋ぐ側面とを有する隔壁と、上記隔壁で囲まれた領域を少なくとも含む領域に形成された少なくともＥＬ層を含む発光機能層と、上記隔壁及び上記発光機能層を覆うように形成された透明性を有する第２の電極と、上記隔壁の少なくとも上面に形成された第３の電極と、を備えており、上記ＥＬ層の発光を上記第２の電極を介して射出するＥＬ装置の製造方法であって、上記第３の電極は導電材料粒子発生源から導電材料粒子を上記基板に向けて飛翔させて、該導電材料粒子を上記隔壁の少なくとも上面に堆積させる微粒子成膜法により形成された電極であり、該微粒子成膜法は、上記導電材料粒子発生源を、該導電材料粒子発生源と手前側の上記隔壁とを結ぶ線の延長線が、奥側の上記隔壁の側面と交差するように配置して行なう微粒子成膜法であることを特徴とするＥＬ装置の製造方法。
【０００８】
上記導電材料粒子は略直線的に飛翔するため、主として上記隔壁の上面と側面に堆積し、上記隔壁で囲まれた領域内には殆んど堆積しない。したがって、上記第３の電極は、上記第２の電極を介しての発光の射出を妨げることなく上記第２の電極側の面抵抗を軽減でき、補助陰極として機能する。したがって、このような製造方法であればマスクを用いずに補助陰極を形成でき、表示品質の向上したトップエミッション型のＥＬ装置を製造コストの増加及び歩留りの低下等を抑制しつつ得ることができる。
【０００９】
［適用例２］上述のＥＬ装置の製造方法であって、上記第３の電極の形成は、上記第２の電極の形成後に実施されることを特徴とするＥＬ装置の製造方法。
【００１０】
このような製造方法であれば、上記第３の電極の周縁部の段差により上記第２の電極に切れ目等が生じることを回避できる。したがって、先に上記第３の電極を形成する場合に比べて、歩留りの低下あるいは表示品質の劣化等を抑制できる。
【００１１】
［適用例３］上述のＥＬ装置の製造方法であって、上記微粒子成膜法は、蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、イオンビーム法のいずれかであることを特徴とするＥＬ装置の製造方法。
【００１２】
上述の成膜法は、いずれも上記導電材料粒子を直線的に飛翔させることができる。したがって、上記隔壁で囲まれた領域内に上記導電材料粒子が堆積することをより一層抑制でき、より一層表示品質の向上したトップエミッション型のＥＬ装置を得ることができる。
【００１３】
［適用例４］上述のＥＬ装置の製造方法であって、上記微粒子成膜法は、２つ以上の上記導電材料粒子発生源を、平面視で上記基板を囲むように配置して行なう微粒子成膜法であることを特徴とするＥＬ装置の製造方法。
【００１４】
このような製造方法であれば、上記導電材料粒子を複数の方向から飛翔させることができるので、上記隔壁の表面に満遍なく堆積させることができる。したがって、層厚の均一性が向上した補助陰極を形成でき、より一層表示品質の向上したトップエミッション型のＥＬ装置を得ることができる。
【００１５】
［適用例５］上述のＥＬ装置の製造方法であって、上記微粒子成膜法は、上記基板を、該基板と上記導電材料粒子発生源とを結ぶ線とは異なる線を軸として回転させつつ上記導電材料粒子を堆積させる微粒子成膜法であることを特徴とするＥＬ装置の製造方法。
【００１６】
このような製造方法であれば、上記導電材料粒子発生源を１つのみ用いる場合においても上記隔壁の表面に満遍なく堆積させることができる。したがって、層厚の均一性が向上した補助陰極を形成でき、より一層表示品質の向上したトップエミッション型のＥＬ装置を得ることができる。なお、上述の「該基板と上記導電材料粒子発生源とを結ぶ線とは異なる線」とは、好ましくは基板の法線である。
【００１７】
［適用例６］上述のＥＬ装置の製造方法であって、上記微粒子成膜法は、上記基板と、該基板と上記導電材料粒子発生源とを結ぶ線と、が成す角度を上記基板の回転に合わせて周期的に変化させつつ上記導電材料粒子を堆積させる微粒子成膜法であることを特徴とするＥＬ装置の製造方法。
【００１８】
このような製造方法であれば、同一方向から見た場合における上記手前側の隔壁と上記奥側の隔壁との間隔が上記基板の回転により大きく変化するＥＬ装置、すなわち上記隔壁で囲まれた領域の平面形状が縦横比が大きい長方形であるＥＬ装置において、上記導電材料粒子を上記隔壁の表面、特に側面により一層満遍なく堆積させることができる。したがって、上記ＥＬ層の発光の射出に影響を与えることなく、より一層低抵抗の補助陰極を形成でき、表示品質をより一層向上できる。
【００１９】
［適用例７］上述のＥＬ装置の製造方法であって、上記微粒子成膜法は、上記第３の電極を、遮光性を有する導電材料の粒子を堆積させて形成する微粒子成膜法であることを特徴とするＥＬ装置の製造方法。
【００２０】
このような製造方法であれば、上記第３の電極に、隣り合うＥＬ層の発光が互いに混じり合う現象を抑制する機能を付与できる。したがって、より一層表示品質が向上したＥＬ装置を得ることができる。
【００２１】
［適用例８］上述のＥＬ装置の製造方法であって、上記遮光性を有する導電材料は光吸収性を有する導電材料であることを特徴とするＥＬ装置の製造方法。
【００２２】
このような製造方法であれば、上記第３の電極に、ＥＬ装置内に照射された外光が、該ＥＬ装置内で反射されて再度上記第２の電極を介して射出される現象を抑制する機能を付与できる。したがって、より一層表示品質が向上したＥＬ装置を得ることができる。
【００２３】
［適用例９］上述のＥＬ装置の製造方法であって、上記微粒子成膜法は、上記第３の電極を、複数の種類の導電材料の粒子を順次堆積させて形成する微粒子成膜法であることを特徴とするＥＬ装置の製造方法。
【００２４】
このような製造方法であれば、上記第３の電極に、光吸収性と低い抵抗性とのような異なる機能を付与できる。したがって、より一層表示品質が向上したＥＬ装置を得ることができる。
【００２５】
［適用例１０］上述の製造方法により製造されたＥＬ装置。
【００２６】
このような構成によれば、上記基板の中央部と外縁部との間における上記ＥＬ層の発光強度の差が少なく、かつ外光の反射が抑制されたＥＬ装置を得ることができる。
【００２７】
［適用例１１］基板の一方の面の、画像が形成される領域である表示領域内に形成された島状の第１の電極と、上記第１の電極を囲む様に形成された、上記基板に対して略平行な上面と上記上面と上記第１の電極との間を繋ぐ側面とを有する隔壁と、上記隔壁で囲まれた領域を少なくとも含む領域に形成された、少なくともＥＬ層を含む発光機能層と、上記隔壁及び上記発光機能層を覆うように形成された透明性を有する第２の電極と、を備えており、上記第１の電極と上記第２の電極との間に電圧を印加することにより生じる上記ＥＬ層の発光を上記第２の電極を介して射出するＥＬ装置であって、上記隔壁の上面と、上記側面の内の少なくとも一部であって上記上面から連続している領域と、を覆う第３の電極を備えることを特徴とするＥＬ装置。
【００２８】
このような構成であれば、上記第３の電極により上記第２の電極を補完させて、上述の電圧印加時における電圧降下を低減できる。したがって、上記表示領域の周辺部と中央部との間において上述の印加電圧が不均一になることを抑制でき、品質の向上した表示が可能となる。
【００２９】
［適用例１２］上述のＥＬ装置であって、上記隔壁の側面は上記第１の電極の外側の方向に向けての傾きを有しており、上記第３の電極は、平面視で上記隔壁と上記第１の電極との境界線の外側にのみ形成されていることを特徴とするＥＬ装置。
【００３０】
このような構成であれば、上記第３の電極は上記第２の電極を介して射出される上記ＥＬ層の発光を妨げることがない。したがって、上記第３の電極の形成材料の選択の幅を広げることができる。
【００３１】
［適用例１３］上述のＥＬ装置であって、上記第３の電極は材質の異なる複数の材料層を積層して形成されており、該複数の材料層の内の少なくとも一層は遮光性材料からなることを特徴とするＥＬ装置。
【００３２】
このような構成であれば、上述のＥＬ層の発光が上記隔壁を透過して、隣り合う第１の電極と対向する領域から射出されることを抑制できる。したがって、このようなＥＬ装置であればより一層品質の向上した表示が可能となる。
【００３３】
［適用例１４］上述のＥＬ装置であって、上記遮光性材料は光吸収性材料であることを特徴とするＥＬ装置。
【００３４】
このような構成であれば、上記第２の電極を介して該ＥＬ装置内に滲入した外光が該ＥＬ装置の内部で乱反射することを抑制できる。したがって、このようなＥＬ装置であればより一層品質の向上した表示が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、図面を参照し、ＥＬ装置としての有機ＥＬ装置及び有機ＥＬ装置の製造方法の実施形態について説明する。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。
【００３６】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態にかかる有機ＥＬ装置１、及び後述する第２〜４の各実施形態にかかる有機ＥＬ装置の回路構成図である。有機ＥＬ装置１は、表示領域１００と外周部とを備えている。表示領域１００には、Ｘ方向に延在する複数の走査線１０２と、Ｙ方向に延在する複数の信号線１０４と、同じくＹ方向に延在する複数の容量線１０６と、が形成されている。Ｘ方向が信号線１０４と容量線１０６とで規定され、Ｙ方向が走査線１０２の中心線で規定される区画毎に有機ＥＬ画素３０が形成されている。
【００３７】
有機ＥＬ画素３０は射出する光の色により、赤色有機ＥＬ画素３０Ｒと緑色有機ＥＬ画素３０Ｇと青色有機ＥＬ画素３０Ｂとに区別されており、かかる３種類の有機ＥＬ画素３０が表示領域１００内に規則的に形成されている。なお、上述の各符号の末尾のアルファベットは、それぞれＲ＝赤、Ｇ＝緑、Ｂ＝青を表わしている。以下の記載において、対応する色を区別しない場合、すなわち総称を示す場合にはアルファベットを省略して表記する。
【００３８】
各々の有機ＥＬ画素３０は、走査線１０２を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１０８と、スイッチング用ＴＦＴ１０８を介して信号線１０４から供給される画素信号を保持する保持容量１１０と、保持容量１１０によって保持された画像信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ１１２と、駆動用ＴＦＴ１１２を介して容量線１０６から駆動電流が流れ込む有機ＥＬ素子２９（図３参照）等からなる。
【００３９】
有機ＥＬ素子２９も、射出する光の色により３種類あり、上述の３種類の有機ＥＬ画素３０（Ｒ，Ｇ，Ｂ）にそれぞれ対応している。本実施形態の有機ＥＬ装置１においては、上述の射出光の色は、発光機能層２６（図２参照）内の有機ＥＬ層の形成材料によって決定されている。上述の３種類の有機ＥＬ画素３０（Ｒ，Ｇ，Ｂ）は、有機ＥＬ素子２９以外の要素は互いに共通である。
【００４０】
表示領域１００の周辺の領域である外周部には、走査線駆動回路１２０、及び信号線駆動回路１３０が形成されている。走査線駆動回路１２０は、図示しない外部回路より供給される各種信号に応じて、走査線１０２に走査信号を順次供給する。信号線駆動回路１３０は、信号線１０４に画像信号を供給する。容量線１０６には、図示しない外部回路から画素駆動電流が供給される。走査線駆動回路１２０の動作と信号線駆動回路１３０の動作とは、同期信号線１４０を介して外部回路から供給される同期信号により相互に同期が図られている。
【００４１】
走査線１０２が駆動されスイッチング用ＴＦＴ１０８がオン状態になると、その時点の信号線１０４の電位が保持容量１１０に保持され、保持容量１１０の状態に応じて駆動用ＴＦＴ１１２のレベルが決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１１２を介して容量線１０６から画素電極２５（図２参照）に駆動電流が流れ、有機ＥＬ素子２９は駆動電流の大きさに応じて発光する。
【００４２】
図２は、本実施形態の有機ＥＬ装置１の模式断面図である。所定の間隔をおいて互いに対向する様に貼り合わされた基板としての素子基板１０と対向基板１１、及び該素子基板上に形成された有機ＥＬ素子２９等を示している。
本実施形態の有機ＥＬ装置１は、隣り合う有機ＥＬ素子２９の間を区画する隔壁７７の対向基板１１側の面に形成された第３の電極としての補助陰極配線２０に特徴がある。そこで、本図では隔壁７７と、該隔壁によって区画される３種類の有機ＥＬ素子２９（Ｒ，Ｇ，Ｂ）と、該有機ＥＬ素子を駆動する駆動用ＴＦＴ（以下、単に「ＴＦＴ」と称する。）１１２等の断面を表示し、スイッチング用ＴＦＴ１０８と保持容量１１０は図示を省略する。以下、素子基板１０側から順に説明する。なお、以下の記載において、素子基板１０の対向基板１１側の面を「上面」と表記して、素子基板１０の対向基板１１側を「上」又は「上層」と表記する。
【００４３】
素子基板１０上には、ＴＦＴ１１２が、上述する図示しないスイッチング用ＴＦＴ１０８及び保持容量１１０等とともに形成されている。ＴＦＴ１１２は、半導体層３１と、走査線１０２と同一の層をパターニングして形成されたゲート電極３３、及び、半導体層３１とゲート電極３３との間に形成されたゲート絶縁層７０等からなる。半導体層３１のうち、ゲート電極３３と重なる領域がチャネル領域３８であり、該チャネル領域の両側にソース領域３５とドレイン領域３６とが形成されている。
【００４４】
ＴＦＴ１１２の上層には、窒化シリコン、又は酸化シリコンからなる層間絶縁層７１が形成されている。ソース領域３５は、層間絶縁層７１を局所的にエッチングして形成されたコンタクトホール（符号無し）を介してソース電極５３と電気的に接続されており、同様にドレイン領域３６は層間絶縁層７１を局所的にエッチングして形成されたコンタクトホール（符号無し）を介してドレイン電極５４と電気的に接続されている。ソース電極５３とドレイン電極５４との上層には、窒化シリコンからなる第１の保護層７３と平坦化層７２とが順に積層されている。
【００４５】
平坦化層７２の上層における所定の領域には反射層２８が形成されている。上記「所定の領域」とは、将来的に有機ＥＬ素子２９が形成される領域を含む領域である。有機ＥＬ素子２９の発光は上方向と下方向とに半々に射出される。一方で、本実施形態の有機ＥＬ装置１はトップエミッション型であり、対向基板１１側にのみ表示領域１００（図１参照）を有している。そこで、反射層２８により、有機ＥＬ素子２９の発光を上層方向に反射させて発光を有効に利用している。したがって、反射層２８が形成される領域は、将来的に有機ＥＬ素子２９が形成される領域を少なくとも含む必要がある。
【００４６】
反射層２８の形成材料は、反射率が高く加工性（パターニング性）に優れた材料が好ましい。有機ＥＬ装置１では、反射層２８は、Ａｌ（アルミニウム）を用いている。反射層２８の上面は、窒化シリコンからなる第２の保護層７４で覆われている。該第２の保護層は、後述する画素電極２５の形成時に反射層２８を保護する機能を果たしている。
【００４７】
反射層２８の形成領域を含む平坦化層７２の上面には、該反射層を覆うように、ＩＴＯ（酸化インジウム・錫合金）層を島状にパターニングしてなる第１の電極としての画素電極２５が形成されている。画素電極２５は個々の有機ＥＬ画素３０（図１参照）毎に形成されており、隣り合う画素電極２５間は隔壁７７で区画されている。したがって、平面視では画素電極２５は隔壁７７で囲まれており、画素電極２５の外縁部は画素電極２５と隔壁７７とが互いに重なり合う環状の領域となっている。そして該画素電極は、平坦化層７２を局所的にパターニングして形成されたコンタクトホール５１を介して、ドレイン電極５４と導通している。
【００４８】
かかる隔壁７７の態様を、図３に模式的に示す。図３（ａ）は、隔壁７７と該隔壁に囲まれた、有機ＥＬ素子２９（Ｒ，Ｇ，Ｂ）を示している。図３（ｂ）は、陰極２７を形成する前の段階、すなわち隔壁７７で囲まれた領域に後述する発光機能層２６（Ｒ，Ｇ，Ｂ）を形成した段階を示している。隔壁７７は、層厚（Ｚ方向の寸法）が略２．０μｍの感光性の樹脂層を上層に向けて狭まるように、すなわちテーパーがつくようにパターニングして形成されている。したがって、隔壁７７は図示するように素子基板１０の基板面に略平行な上面７５と、該基板面に対して角度を有する側面７６と、を有しており、台形状の断面（隔壁７７の延在方向に垂直な面における断面）を有している。なお、上述の角度は基板面に対して３０度乃至８０度が好ましい。
【００４９】
図３（ａ）に示すように、有機ＥＬ素子２９は平面視で矩形である。そして、図３（ｂ）に示すように、隔壁７７は発光機能層２６が形成される領域、すなわち将来的に有機ＥＬ素子２９が形成される矩形の領域を囲んでいる。したがって、該領域は２組の略平行に延在する一対の隔壁７７、すなわち計４本の隔壁７７で囲まれていることとなる。かかる一対の隔壁７７は、一方が「手前側」とすると他方が「奥側」となる。
【００５０】
図２に示すように、隔壁７７で囲まれた領域、すなわち画素電極２５の上層には、３種類の有機ＥＬ素子２９（Ｒ，Ｇ，Ｂ）毎に夫々異なる発光機能層２６が形成されている。具体的には、赤色有機ＥＬ素子２９Ｒには赤色発光機能層２６Ｒが形成され、緑色有機ＥＬ素子２９Ｇには緑色発光機能層２６Ｇが形成され、青色有機ＥＬ素子２９Ｂには青色発光機能層２６Ｂが形成されている。夫々の発光機能層２６は、素子基板１０側から順に正孔注入層と正孔輸送層と有機ＥＬ層と電子輸送層と電子注入層との計５層が積層されて形成されており、上述の各々の発光色は有機ＥＬ層の形成材料により得られている。
【００５１】
発光機能層２６が形成された素子基板１０の少なくとも表示領域１００には、発光機能層２６の上層と隔壁７７の上面７５と隔壁７７の側面７６とを覆うように、第２の電極としての陰極２７が形成されている。本実施形態にかかる有機ＥＬ装置１はトップエミッション型の有機ＥＬ装置であるため、陰極２７は導電性と共に、透明性又は半透過反射性を有することが必要である。一方で、陰極２７は画素電極２５の形成材料よりも仕事係数が低い材料で形成される必要がある。また耐環境性等も考慮する必要がある。したがって陰極２７は、Ｃａ（カルシウム）、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｂａ（バリウム）、Ｃｓ（セシウム）、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）、Ｌｉ（リチウム）、Ｎａ（ナトリウム）、Ｋ（カリウム）、等の材料を適宜積層して形成することが好ましい。本実施形態における陰極２７は、層厚数ｎｍ〜十数ｎｍの極薄いＡｌあるいはＭｇＡｇ（マグネシウム・銀）合金等で形成されている。
【００５２】
陰極２７は素子基板１０の全面に形成されるため、隔壁７７で囲まれた領域内において画素電極２５と発光機能層２６と陰極２７の積層体が形成される。かかる積層体が、有機ＥＬ素子２９（Ｒ，Ｇ，Ｂ）である。陰極２７は少なくとも表示領域１００（図１参照）の全域に形成されており、０電位となっている。したがって、画素電極２５に電圧が印加されると該電圧に応じた電流が発光機能層２６に流れて、発光機能層２６に含まれる有機ＥＬ層は、該電流量に応じて発光する。
【００５３】
隔壁７７の上面７５、及び側面７６の少なくとも上面７５から連続する部分には陰極２７の導電性を補なうための第３の電極としての補助陰極配線２０が形成されている。上述の「上面７５から連続する部分」とは、対向基板１１に近い側である。本実施形態にかかる有機ＥＬ装置の補助陰極配線２０は隔壁７７の上面７５から側面７６にかけて連続的に形成されているため、その断面形状は帽子状となる。後述するように、本実施形態の補助陰極配線２０はその形成（成膜）方法により、側面７６のうち対向基板１１に近い側が厚く素子基板１０に近づくにつれて薄くなっている。したがって、素子基板１０に近い領域では形成（成膜）されていない場合があり得る。
【００５４】
上述したように陰極２７は極薄い金属材料で形成されているため、高い面抵抗を有している。そのため、表示領域１００の中央近傍においては、電圧降下により画素電極２５との間に印加する電圧が低下し、上述の発光量が低下する現象が発生し得る。補助陰極配線２０はかかる電圧降下を抑制するために形成される要素であり、隔壁７７の上面７５及び側面７６における陰極２７、すなわち有機ＥＬ素子２９の発光を妨げない領域における陰極２７の層厚を実質的に厚膜化して面抵抗を低減する機能を果たしている。
【００５５】
上述したように補助陰極配線２０は側面７６にも形成されるが、隔壁７７の側面７６はテーパーが付いており、素子基板１０の基板面に対して垂直にはなっていない。したがって、補助陰極配線２０を上述したように素子基板１０に近づくにつれて薄くなるように形成することで、補助陰極配線２０は有機ＥＬ素子２９と平面視で重ならないようにできる。したがって、補助陰極配線２０は側面７６にも形成するにもかかわらず透明性を要せず、少なくとも上面７５においては任意の厚さに形成（成膜）できる。そのため、充分な厚さに成膜して面抵抗を低減できる。また、補助陰極配線２０の形成材料は、仕事係数を考慮することなく定めることができる。したがって、陰極２７の形成材料とは異なる材料を用いることができる。本実施形態にかかる補助陰極配線２０は、単層のＡｌ層により形成されている。
【００５６】
また、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置の補助陰極配線２０は、隣り合う有機ＥＬ素子２９間の混色を抑制する遮光層としての機能も果たすことができる。上述したように補助陰極配線２０は隔壁７７の側面７６にも形成されているため、１つの有機ＥＬ素子２９の発光が隔壁７７を透過して隣り合う有機ＥＬ素子２９の平面視での形成領域から射出されることが抑制される。したがって、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、上述の電圧降下の低減効果と並んで混色も抑制されており、表示品質が向上している。
【００５７】
陰極２７の上層には、有機ＥＬ素子２９等を保護するためにパシベーション層８５が形成されている。パシベーション層８５は、無機材料層と有機材料層と無機材料層との３層構造が好ましい。そして、該パシベーション層まで形成された素子基板１０は、接着層７８及び図示しない周辺シール材を介して対向基板１１と貼り合わされている。本実施形態にかかる有機ＥＬ装置１はトップエミッション型であるため、対向基板１１は透明性材料からなる。
【００５８】
有機ＥＬ装置１は発光機能層２６として有機ＥＬ素子２９毎に異なる有機ＥＬ層を含む発光機能層２６（Ｒ，Ｇ，Ｂ）を用いているため、対向基板１１側にカラーフィルタは形成していない。しかし、上述の有機ＥＬ素子２９毎に異なる発光色を補完して色純度を一層向上させるためにカラーフィルタ層を形成してもよい。また、有機ＥＬ装置１では、上述したように補助陰極配線２０に遮光層としての機能も果たさせている。したがって、対向基板１１側に、平面視で有機ＥＬ素子２９を区画する遮光層も形成していない。しかし、補助陰極配線２０の遮光機能を補完するために、対向基板１１側に別途遮光層を形成してもよい。
【００５９】
さらには、対向基板１１の素子基板１０と対向する側の反対側の面に、外光反射を抑制するための円偏光板を配置してもよい。円偏光板は直線偏光板と１／４波長補正板（直交する偏光成分間に１／４波長の位相差を与える素子。）との積層体である。光が反射する際に、偏光の回転方向が逆転する性質を利用して、有機ＥＬ装置内に入射した外光が内部で反射して表示領域１００から射出されることを抑制している。
【００６０】
続いて、補助陰極配線２０の態様にかかる第２〜第４の実施形態について説明する。図４は、第２の実施形態にかかる補助陰極配線２０の態様を示す図であり、図５は、第３の実施形態にかかる補助陰極配線２０の態様を示す図であり、図６は、第４の実施形態にかかる補助陰極配線２０の態様を示す図である。以下、順に説明する。
【００６１】
（第２の実施形態）
第２の実施形態にかかる補助陰極配線２０は、隔壁７７の上面７５は完全に覆うように形成されているが、側面７６については上側（対向基板１１側）の略半分のみを覆うように形成されていることが特徴である。したがって、上述の第１の実施形態にかかる補助陰極配線２０に比べて、形成される領域が若干狭くなっている。しかし、上面における層厚を、第１の実施形態にかかる補助陰極配線２０の層厚に比べて若干厚くすることで、陰極２７の面抵抗の低減効果は略同等に得ることができる。
【００６２】
詳しくは後述するが、第１〜第４の実施形態の補助陰極配線２０は、導電材料粒子（本実施形態においてはＡｌの粒子）を素子基板１０の基板面に対して斜めの方向から飛翔させて、隔壁７７の表面（上面７５と側面７６）に堆積させる手法で形成されている。したがって、形成時にいわゆる蒸着マスクを用いていない。
【００６３】
本実施形態の補助陰極配線２０は、側面７６の下側（素子基板１０側）には該粒子を堆積させないため、導電材料粒子の後述する飛翔角度（図８参照）をより一層浅い角度に設定できる。上述したように本実施形態の補助陰極配線２０の上面７５における層厚は、第１の実施形態の補助陰極配線２０の層厚に比べて厚くなっているが、かかる構成は導電材料粒子を浅い角度で飛翔させることで得ることができる。
【００６４】
（第３の実施形態）
第３の実施形態にかかる補助陰極配線２０は、第１の補助陰極配線２１と第２の補助陰極配線２２との２層で形成されている。双方の補助陰極配線は夫々異なる材料で形成されている。かかる構成により、本実施形態の補助陰極配線２０は複数の機能を果たすことができる。本実施形態においては、第１の補助陰極配線２１はＡｌで形成されており、該第１の補助陰極配線を覆う第２の補助陰極配線２２はＣｒ（クロム）で形成されている。Ａｌは比較的低抵抗な材料であるため、第１の補助陰極配線２１は陰極２７の面抵抗を充分に低減できる。
【００６５】
Ｃｒは、Ａｌに比べて光をあまり反射せず、吸収する性質が強い。かかるＣｒでＡｌを覆うことで、対向基板１１を介して有機ＥＬ装置内に入射した外光が該有機ＥＬ装置の内部で乱反射することを抑制できる。また、Ａｌが側面７６については上側にのみ形成されている場合において、有機ＥＬ層の発光が隔壁７７を透過して隣り合う有機ＥＬ素子２９内に達することを抑制できる。したがって、第２の補助陰極配線２２は、混色及び外光反射を抑制できる。
【００６６】
以上述べたように、本実施形態にかかる補助陰極配線２０は、第１の補助陰極配線２１による陰極２７の面抵抗の低減効果と第２の補助陰極配線２２による混色及び外光反射を抑制効果との双方の機能を果たすことができる。したがって、本実施形態にかかる補助陰極配線２０を備える有機ＥＬ装置は、より一層品質の向上した表示が可能となる。なお、材料の積層数は２層に限定されるものではなく、３層以上の材料層を積層して補助陰極配線２０を形成してもよい。
【００６７】
（第４の実施形態）
第４の実施形態にかかる補助陰極配線２０は、上述の第１〜第３の実施形態の補助陰極配線２０とは異なり、陰極２７の下層に形成されている。したがって、補助陰極配線２０の形成時には隔壁７７の表面には陰極２７が形成されておらず、上述の第１〜第３の実施形態の補助陰極配線の形成時と比べると、隔壁７７の寸法が実質的に縮小していることとなる。
【００６８】
上述したように、補助陰極配線２０は蒸着マスクを用いずに形成される。かかる場合において、隔壁７７の寸法が縮小していると補助陰極配線２０の形成材料（導電材料粒子）が発光機能層２６上に堆積する可能性が低減される。したがって、本実施形態にかかる補助陰極配線２０は、上述の第１〜第３の実施形態の補助陰極配線２０の形成時に比べて余裕を持って形成できる。また、余裕をもって形成できるため、補助陰極配線２０の層厚を多少なりとも増加させることができ、有機ＥＬ装置の表示品質を向上させることが可能となる。
【００６９】
続いて、有機ＥＬ装置の製造方法に含まれる補助陰極配線２０の形成方法にかかる、第５〜第９の実施形態について説明する。
【００７０】
（第５の実施形態）
図７〜図９は、第５の実施形態にかかる補助陰極配線２０の形成方法を示す図である。以下、順に説明する。本実施形態にかかる補助陰極配線２０、及び後述する第６〜第９の実施形態にかかる補助陰極配線２０の形成方法は、微粒子成膜法としての蒸着法を用いる方法である。そして、蒸着マスクを用いずに隔壁７７の表面に限定される局所的な領域に補助陰極配線２０を形成している点に特徴がある。なお、微粒子成膜法としては、蒸着法以外にイオンプレーティング法、スパッタリング法、イオンビーム法等がある。かかる成膜法のいずれにも、本実施形態及び後述する第６〜第９の実施形態にかかる形成方法を適用することができる。
【００７１】
図７は、補助陰極配線２０が形成される基板としての素子基板１０と導電材料粒子発生源としての蒸着源４０との相互の位置関係を示す図である。蒸着源４０は、素子基板１０の基板面に対して法線方向ではなく、「θ」で示す所定の角度を有する位置に配置されている。かかる角度を、以下「飛翔角度θ」と称する。
上述の飛翔角度θは、蒸着源４０の中心線と素子基板１０の基板面とがなす角度である。蒸着源４０からは、蒸着材料（本実施形態においては導電材料粒子）が円錐状に飛翔する。かかる円錐の中心軸が上述の「中心線」である。素子基板１０に形成された隔壁７７の表面には、かかる飛翔角度θの方向から飛翔してくる導電材料粒子が堆積する。素子基板１０上には隔壁７７及び陰極２７までが形成されている。かかる状態の素子基板１０に飛翔角度θの方向から、すなわち斜め方向から導電材料粒子が飛翔してきた場合、隔壁７７の陰となる領域には該導電材料粒子は堆積しない。かかる現象を図８に示す。
【００７２】
なお、蒸着源４０は導電材料としてのＡｌを加熱するコイル等の加熱手段を備えたるつぼと、該るつぼから蒸発するＡｌ粒子を所定の角度範囲内に飛翔させるためのノズル等を備えている。また、本実施形態、及び後述する各実施形態においては、蒸着源４０を備える蒸着装置については、真空ポンプ、真空チャンバー、及び素子基板１０の保持機構等を含めて図示を省略している。
【００７３】
図８（ａ）は、素子基板１０に向かって飛翔するＡｌ粒子４８を示す図である。図８（ａ）においては、素子基板１０に向かって飛翔するＡｌ粒子４８と飛翔線４９、及び素子基板１０上に形成された有機ＥＬ素子２９と画素電極２５を区画する隔壁７７等を示し、ＴＦＴ１１２等は図示を省略している。なお、「飛翔線４９」とは、図示しない蒸着源４０（図７参照）から飛翔するＡｌ粒子４８の軌跡である。所定の範囲における複数の飛翔線４９は、素子基板１０と蒸着源４０との間の距離が充分にある場合、近似的には互い平行になる。図示するように、飛翔線４９は素子基板１０の基板面に対して垂直ではなく、飛翔角度θを有しているため、Ａｌ粒子４８は隔壁７７の上面７５のみでなく側面７６の一部にも堆積する。一方で、有機ＥＬ素子２９の形成領域のうちの少なくとも一部の領域は、手前側の隔壁７７の陰となりＡｌ粒子４８が堆積しない。
【００７４】
図８（ｂ）は、斜め方向から飛翔するＡｌ粒子４８によって隔壁７７の表面に（陰極２７を介して）形成された補助陰極配線２０を示す図である。隔壁７７の上面７５には、Ａｌ粒子４８の堆積により補助陰極配線２０が形成される。また、側面７６の一方の面、すなわち飛翔線４９と交わる側の面にも、上面７５から連続した補助陰極配線２０が形成されている。本図においては、飛翔線４９と素子基板１０の基板面とがなす飛翔角度θが小さめに設定されているため、隔壁７７で囲まれている領域、すなわち平面視で有機ＥＬ素子２９が形成されている領域（有機ＥＬ素子２９の上面）にはＡｌ粒子４８が堆積せず、補助陰極配線２０は形成されない。また、側面７６においても、素子基板１０に近い領域には補助陰極配線２０は形成されていない。
【００７５】
飛翔線４９と素子基板１０の基板面とがなす角度である飛翔角度θを適切に設定すると、隔壁７７の表面にのみＡｌ粒子４８を堆積させて補助陰極配線２０を形成し、かつ有機ＥＬ素子２９の上面にはＡｌ粒子４８を堆積させず該有機ＥＬ素子の発光の射出を確保できる。すなわち、蒸着マスクを用いずに補助陰極配線２０を形成して、製造コストの増加を抑制しつつ、有機ＥＬ装置の表示品質を向上できる。また、隔壁７７の上面７５に蒸着マスクを密着させることによる歩留りの低下も回避できる。
【００７６】
図９は、かかる飛翔角度θの設定方法を示す図である。上述の適切な飛翔角度θは、以下の式に基づいて設定される。
ｔａｎθ＝Ｔ×ｔａｎδ／Ｗ×ｔａｎδ＋Ｔ・・・・・・・・・（１）
ここで、
δ＝隔壁７７の側面７６と素子基板１０の基板面とが成す角度、
Ｗ＝有機ＥＬ素子２９の幅、すなわち対向する一対の隔壁７７の間の距離、
Ｔ＝隔壁７７の高さ、（隔壁７７の上面７５と発光機能層２６の上面との間の距離）、
である。
【００７７】
飛翔線４９と素子基板１０の基板面とがなす角度である飛翔角度θが式（１）で設定される角度となるように蒸着源４０を配置することにより、蒸着マスクを用いずに、隔壁７７の表面に限定してＡｌ粒子を堆積させることができる。したがって、有機ＥＬ素子２９の発光の射出を妨げない範囲内において充分に低抵抗の補助陰極配線２０を形成して、陰極２７の面抵抗を低減できる。
【００７８】
（第６の実施形態）
図１０（ａ）〜図１０（ｃ）は、第６の実施形態、及び該実施形態の変形例にかかる補助陰極配線２０の形成方法を示す図である。本実施形態にかかる補助陰極配線２０の形成方法は、複数の蒸着源を用いている点に特徴がある。図１０（ａ）は、第１の蒸着源４１と第２の蒸着源４２との２つの蒸着源を用いる場合における斜視図であり、図１０（ｂ）は、かかる場合を素子基板１０の法線方向から見た平面図である。図１０（ｂ）に示すように、平面視において第１の蒸着源４１と第２の蒸着源４２とは対称となる位置に配置されている。そして、図１０（ａ）に示すように第１の蒸着源４１と第２の蒸着源４２とは、双方の飛翔角度θが式（１）で算出される値となるように配置されている。
【００７９】
本実施形態の補助陰極配線２０の形成方法は、かかる対称位置からＡｌ粒子４８（不図示）を飛翔させることで、隔壁７７の両側の側面７６に対して略均等にＡｌ粒子４８を堆積させている。したがって、有機ＥＬ素子２９の発光を妨げることなく、陰極２７の面抵抗をより一層低減して表示品質をより一層向上できる。また、複数の蒸着源から同時にＡｌ粒子を飛翔させるため、補助陰極配線２０の形成に要する時間を短縮できる。
【００８０】
図１０（ｃ）は、上述の形成方法の変形例として、第１の蒸着源４１〜第４の蒸着源４４の計４つの蒸着源を用いる補助陰極配線２０の形成方法を示す図である。素子基板１０を挟んで対向する様に配置された一対の蒸着源が、縦方向と横方向とにそれぞれ配置されている。上述したように有機ＥＬ素子２９（の形成領域）は平面視で矩形であり、４方を隔壁７７で囲まれている。本変形例によれば、かかる４辺の隔壁７７が夫々有する計８つの側面７６に満遍なくＡｌ粒子を堆積させることができる。したがって、陰極２７の面抵抗をより一層低減できる。
【００８１】
かかる変形例における飛翔角度θは、上述の一対の蒸着源では同一に設定し、縦方向の一対の蒸着源（第３の蒸着源４３と第４の蒸着源４４）と横方向の一対の蒸着源（第１の蒸着源４１と第２の蒸着源４２）とでは異なる値に設定することが好ましい。図３に示すように、有機ＥＬ素子２９の形成領域は細長い矩形状である。したがって、有機ＥＬ素子２９の幅Ｗの値が縦方向と横方向とで大きく異なっている。かかるＷの値に合わせて飛翔角度θを夫々設定することで、上述の８つの側面７６により一層満遍なくＡｌ粒子を堆積させることができる。
【００８２】
（第７の実施形態）
図１１（ａ）〜図１１（ｃ）は、第７の実施形態、及び該実施形態の変形例にかかる補助陰極配線２０の形成方法を示す図である。本実施形態にかかる補助陰極配線２０の形成方法は、一列に並べて配置された複数の第１の蒸着源４１と同じく一列に並べて配置された複数の第２の蒸着源４２とを用いて、素子基板１０の両側から連続的にＡｌ粒子４８を飛翔させていることが特徴である。
【００８３】
図１１（ａ）の斜視図に示すように全ての蒸着源（４１及び４２）は、同一の飛翔角度θとなるように配置されている。また、図１１（ｂ）の平面図に示すように、第１の蒸着源４１と第２の蒸着源４２は、素子基板１０の中心線を挟んで互いに対称な位置に配置されている。多数の蒸着源を用いるため補助陰極配線２０の形成時間を短縮でき、また素子基板１０の基板面内における層厚等の均一性の向上効果も得ることができる。
【００８４】
図１１（ｃ）は、上述の形成方法の変形例として、複数の蒸着源を間隔を空けて配置し、該複数の蒸着源から夫々異なる蒸着材料を飛翔させつつ素子基板１０を矢印の方向に移動させて補助陰極配線２０を形成する方法を示す図である。本変形例では、素子基板１０の進行方向、すなわち矢印の方向に沿って、蒸着材料としてＡｌを備える第５の蒸着源４５と蒸着材料としてＣｒを備える第６の蒸着源４６とを配置している。そして、素子基板１０を移動させつつ蒸着源（４５及び４６）から蒸着材料（導電材料粒子）を飛翔させて、Ａｌ粒子４８からなる第１の補助陰極配線２１（図５参照）と導電材料粒子としてのＣｒ粒子４７からなる第２の補助陰極配線２２（図５参照）を連続的に形成している。かかる形成方法であれば、夫々異なる材料で形成された複数の補助陰極配線からなる多層構造の補助陰極配線２０を容易に形成でき、表示品質の向上した有機ＥＬ装置をより一層低コストで製造できる。
【００８５】
（第８の実施形態）
図１２は、第８の実施形態にかかる補助陰極配線２０の形成方法を示す図である。本実施形態の形成方法は、素子基板１０を、該素子基板の法線方向を軸として回転させつつ、蒸着源４０からＡｌ粒子４８を飛翔させる点に特徴がある。
【００８６】
上述したように有機ＥＬ素子２９（の形成領域）を囲む４辺の隔壁７７は計８つの側面７６を有している。したがって、１つの蒸着源４０を用いて、かつ、素子基板１０と蒸着源４０との双方を固定して双方の位置を相対的に変化させずにＡｌ粒子４８を飛翔させ場合、上記８つの側面７６の内の、蒸着源４０と対向する２つの側面７６にのみ充分なＡｌ粒子４８が堆積する。
【００８７】
本実施形態にかかる補助陰極配線２０の形成方法によれば、上記８つの側面７６の全てが順次に蒸着源４０と対向するため、蒸着源４０を１つのみ備える蒸着装置を用いて該８つの側面７６に満遍なくＡｌ粒子を堆積させることができる。したがって、有機ＥＬ素子２９の発光の射出を妨げない範囲内において充分に広い断面積を有する補助陰極配線２０を形成できる。したがって、陰極２７の面抵抗をより一層低減でき、表示品質が向上した有機ＥＬ装置を製造コストを増加させることなく得ることができる。
【００８８】
（第９の実施形態）
図１３（ａ）〜図１３（ｃ）は、第９の実施形態にかかる補助陰極配線２０の形成方法を示す図である。本実施形態の形成方法は上述の第８の実施形態を発展させたものであり、素子基板１０の回転に合わせて蒸着源４０を移動させて、飛翔角度θを変化させることに特徴がある。
【００８９】
図３に示すように、有機ＥＬ素子２９の平面形状（平面視での形状）は長辺と短辺とを有する長方形である。したがって、上記長辺の方向と上記短辺の方向とでは、向かい合う一対の隔壁７７間の距離が大きく異なる。そして、上述したように飛翔角度θの最適値は、手前側の隔壁７７（具体的には手前側の隔壁７７の上面７５と奥側の側面７６との境界）と奥側の隔壁７７（具体的には奥側の隔壁７７の手前側の側面７６の立ち上がり部）とを結ぶ線と、素子基板１０の基板面と、が成す角度である。
【００９０】
かかる最適値（最適角度）は、長辺方向と短辺方向とでは、上述の一対の隔壁７７間の距離（図９に示す「Ｗ」）の変化に伴い大きく変化する。本実施形態にかかる補助陰極配線２０の形成方法は、飛翔角度θの最適値の変化に合せて蒸着源４０の位置を上下させることで、長方形の平面形状を有する有機ＥＬ素子２９を備える有機ＥＬ装置の製造において、長辺側の隔壁７７の側面７６と短辺側の隔壁７７の側面７６とに同等のＡｌ粒子４８を堆積させることで、有機ＥＬ素子２９の発光の射出を妨げずに陰極２７の面抵抗をできる限り低減させている。
【００９１】
具体的には、有機ＥＬ素子２９の長辺方向に蒸着源４０が位置しているときは、図１３（ｂ）に示すように蒸着源４０の位置を下げて（素子基板１０に近づけて）、長辺側の飛翔角度θ１を手前側の隔壁７７と奥側の隔壁７７とを結ぶ線と一致させる。そして、短辺方向に蒸着源４０が位置しているときは、図１３（ｃ）に示すように蒸着源４０の位置を上げて、短辺側の飛翔角度θ２を手前側の隔壁７７と奥側の隔壁７７とを結ぶ線と一致させる。
【００９２】
このように、素子基板１０を回転させると共に、該回転に同調させて蒸着源４０の位置を変化させることで、蒸着源４０を１つのみ備える蒸着装置を用いて有機ＥＬ素子２９を囲む４つの隔壁７７が有する８つの側面７６に略均一にＡｌ粒子を堆積させることができる。したがって、陰極２７の面抵抗をより一層低減でき、表示品質がより一層向上した有機ＥＬ装置を製造コストを増加させることなく得ることができる。なお、上記の実施形態では蒸着源の位置を上下させているが、蒸着源４０の中心線が常に素子基板１０の中央を指向するように該蒸着源を円弧状に移動させることも可能である。また、蒸着源４０を移動させずに基板面に水平な軸を中心に回転させて、飛翔線４９の方向（角度）を変えることもできる。
【００９３】
（変形例）
図１４は、変形例にかかる補助陰極配線２０の形成方法を示す図である。本変形例にかかる形成方法は、蒸着源４０と素子基板１０との間に該素子基板から所定の間隔をおいてＡｌ粒子の飛翔角度を制限する補助マスク５０を配置していることが特徴である。
上述したように、蒸着源４０からは、Ａｌ粒子４８が円錐状（円錐状の範囲内）に飛翔する。したがって、上述の飛翔角度は上記円錐の頂角の範囲内のばらつきを有している。素子基板１０が小さい場合、あるいは蒸着源４０と素子基板１０との間隔が充分広い場合には、飛翔線４９は平行線に近似できる。したがって、飛翔角度のばらつきは低減される。しかし、蒸着源４０と素子基板１０との間隔を充分には取れない場合は飛翔角度のばらつきが増加する。その結果、隔壁７７の側面７６における補助陰極配線２０の層厚にばらつきが生じ得る。また、有機ＥＬ素子２９上にＡｌ粒子が堆積することを回避するためには、蒸着源４０の位置を下げて飛翔角度を小さくする必要がある。しかし、飛翔角度をあまり小さくすると隔壁７７の表面、特に側面７６に対するＡｌ粒子の堆積速度が低下する。
【００９４】
本変形例では、図示するように補助マスク５０により飛翔角度が極端に大きな値となることを回避している。そして、素子基板１０を矢印の方向に移動させて、限定された飛翔角度の範囲内でＡｌ粒子を堆積させている。かかる態様により、素子基板１０の面積が大きい場合、若しくは素子基板１０と蒸着源４０との間の距離をあまり取れない場合において、有機ＥＬ素子２９上にＡｌ粒子が堆積することを抑制しつつ、効率的に補助陰極配線２０を形成している。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】第１の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の回路構成図。
【図２】第１の実施形態の有機ＥＬ装置の模式断面図。
【図３】隔壁の態様を模式的に示す図。
【図４】第２の実施形態にかかる補助陰極配線を示す図。
【図５】第３の実施形態にかかる補助陰極配線を示す図。
【図６】第４の実施形態にかかる補助陰極配線を示す図。
【図７】第５の実施形態にかかる補助陰極配線の形成方法の概略を示す図。
【図８】導電材料粒子の堆積の態様を示す図。
【図９】導電材料粒子の飛翔線の角度の設定方法を示す図。
【図１０】第６の実施形態にかかる補助陰極配線の形成方法を示す図。
【図１１】第７の実施形態にかかる補助陰極配線の形成方法を示す図。
【図１２】第８の実施形態にかかる補助陰極配線の形成方法を示す図。
【図１３】第９の実施形態にかかる補助陰極配線の形成方法を示す図。
【図１４】変形例にかかる補助陰極配線の形成方法を示す図。
【符号の説明】
【００９６】
１…第１の実施形態の有機ＥＬ装置、１０…基板としての素子基板、１１…対向基板、２０…第３の電極としての補助陰極配線、２１…第１の補助陰極配線、２２…第２の補助陰極配線、２５…第１の電極としての画素電極、２６Ｒ…赤色発光機能層、２６Ｇ…緑色発光機能層、２６Ｂ…青色発光機能層、２７…第２の電極としての陰極、２８…反射層、２９Ｒ…赤色有機ＥＬ素子、２９Ｇ…緑色有機ＥＬ素子、２９Ｂ…青色有機ＥＬ素子、３０Ｒ…赤色有機ＥＬ画素、３０Ｇ…緑色有機ＥＬ画素、３０Ｂ…青色有機ＥＬ画素、３１…半導体層、３３…ゲート電極、３５…ソース領域、３６…ドレイン領域、３８…チャネル領域、４０…導電材料粒子発生源としての蒸着源、４１…第１の蒸着源、４２…第２の蒸着源、４３…第３の蒸着源、４４…第４の蒸着源、４５…第５の蒸着源、４６…第６の蒸着源、４７…導電材料粒子としてのＣｒ粒子、４８…導電材料粒子としてのＡｌ粒子、４９…飛翔線、５０…補助マスク、５１…コンタクトホール、５３…ソース電極、５４…ドレイン電極、７０…ゲート絶縁層、７１…層間絶縁層、７２…平坦化層、７３…第１の保護層、７４…第２の保護層、７５…上面、７６…側面、７７…隔壁、７８…接着層、８５…パシベーション層、１００…表示領域、１０２…走査線、１０４…信号線、１０６…容量線、１０８…スイッチング用ＴＦＴ、１１０…保持容量、１１２…駆動用ＴＦＴ、１２０…走査線駆動回路、１３０…信号線駆動回路、１４０…同期信号線、θ…飛翔角度、θ１…長辺側の飛翔角度、θ２…短辺側の飛翔角度。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一方の面に形成された島状の第１の電極と、
前記第１の電極を囲む様に形成された、前記基板に対して略平行な上面と前記上面と前記第１の電極との間を繋ぐ側面とを有する隔壁と、
前記隔壁で囲まれた領域を少なくとも含む領域に形成された少なくともＥＬ層を含む発光機能層と、
前記隔壁及び前記発光機能層を覆うように形成された透明性を有する第２の電極と、
前記隔壁の少なくとも上面に形成された第３の電極と、
を備えており、前記ＥＬ層の発光を前記第２の電極を介して射出するＥＬ装置の製造方法であって、
前記第３の電極は導電材料粒子発生源から導電材料粒子を前記基板に向けて飛翔させて、該導電材料粒子を前記隔壁の少なくとも上面に堆積させる微粒子成膜法により形成された電極であり、
該微粒子成膜法は、前記導電材料粒子発生源を、該導電材料粒子発生源と手前側の前記隔壁とを結ぶ線の延長線が、奥側の前記隔壁の側面と交差するように配置して行なう微粒子成膜法であることを特徴とするＥＬ装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のＥＬ装置の製造方法であって、
前記第３の電極の形成は、前記第２の電極の形成後に実施されることを特徴とするＥＬ装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載のＥＬ装置の製造方法であって、
前記微粒子成膜法は、蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、イオンビーム法のいずれかであることを特徴とするＥＬ装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載のＥＬ装置の製造方法であって、
前記微粒子成膜法は、２つ以上の前記導電材料粒子発生源を、平面視で前記基板を囲むように配置して行なう微粒子成膜法であることを特徴とするＥＬ装置の製造方法。
【請求項５】
請求項３に記載のＥＬ装置の製造方法であって、
前記微粒子成膜法は、前記基板を、該基板と前記導電材料粒子発生源とを結ぶ線とは異なる線を軸として回転させつつ前記導電材料粒子を堆積させる微粒子成膜法であることを特徴とするＥＬ装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載のＥＬ装置の製造方法であって、
前記微粒子成膜法は、前記基板と、該基板と前記導電材料粒子発生源とを結ぶ線と、が成す角度を前記基板の回転に合わせて周期的に変化させつつ前記導電材料粒子を堆積させる微粒子成膜法であることを特徴とするＥＬ装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載のＥＬ装置の製造方法であって、
前記微粒子成膜法は、前記第３の電極を、遮光性を有する導電材料の粒子を堆積させて形成する微粒子成膜法であることを特徴とするＥＬ装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載のＥＬ装置の製造方法であって、
前記遮光性を有する導電材料は光吸収性を有する導電材料であることを特徴とするＥＬ装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載のＥＬ装置の製造方法であって、
前記微粒子成膜法は、前記第３の電極を、複数の種類の導電材料の粒子を順次堆積させて形成する微粒子成膜法であることを特徴とするＥＬ装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の製造方法により製造されたＥＬ装置。
【請求項１１】
基板の一方の面の、画像が形成される領域である表示領域内に形成された島状の第１の電極と、
前記第１の電極を囲む様に形成された、前記基板に対して略平行な上面と前記上面と前記第１の電極との間を繋ぐ側面とを有する隔壁と、
前記隔壁で囲まれた領域を少なくとも含む領域に形成された、少なくともＥＬ層を含む発光機能層と、
前記隔壁及び前記発光機能層を覆うように形成された透明性を有する第２の電極と、
を備えており、前記第１の電極と前記第２の電極との間に電圧を印加することにより生じる前記ＥＬ層の発光を前記第２の電極を介して射出するＥＬ装置であって、
前記隔壁の上面と、前記側面の内の少なくとも一部であって前記上面から連続している領域と、を覆う第３の電極を備えることを特徴とするＥＬ装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載のＥＬ装置であって、前記隔壁の側面は前記第１の電極の外側の方向に向けての傾きを有しており、前記第３の電極は、平面視で前記隔壁と前記第１の電極との境界線の外側にのみ形成されていることを特徴とするＥＬ装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載のＥＬ装置であって、前記第３の電極は材質の異なる複数の材料層を積層して形成されており、該複数の材料層の内の少なくとも一層は遮光性材料からなることを特徴とするＥＬ装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載のＥＬ装置であって、前記遮光性材料は光吸収性材料であることを特徴とするＥＬ装置。
【請求項１】
基板の一方の面に形成された島状の第１の電極と、
前記第１の電極を囲む様に形成された、前記基板に対して略平行な上面と前記上面と前記第１の電極との間を繋ぐ側面とを有する隔壁と、
前記隔壁で囲まれた領域を少なくとも含む領域に形成された少なくともＥＬ層を含む発光機能層と、
前記隔壁及び前記発光機能層を覆うように形成された透明性を有する第２の電極と、
前記隔壁の少なくとも上面に形成された第３の電極と、
を備えており、前記ＥＬ層の発光を前記第２の電極を介して射出するＥＬ装置の製造方法であって、
前記第３の電極は導電材料粒子発生源から導電材料粒子を前記基板に向けて飛翔させて、該導電材料粒子を前記隔壁の少なくとも上面に堆積させる微粒子成膜法により形成された電極であり、
該微粒子成膜法は、前記導電材料粒子発生源を、該導電材料粒子発生源と手前側の前記隔壁とを結ぶ線の延長線が、奥側の前記隔壁の側面と交差するように配置して行なう微粒子成膜法であることを特徴とするＥＬ装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のＥＬ装置の製造方法であって、
前記第３の電極の形成は、前記第２の電極の形成後に実施されることを特徴とするＥＬ装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載のＥＬ装置の製造方法であって、
前記微粒子成膜法は、蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、イオンビーム法のいずれかであることを特徴とするＥＬ装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載のＥＬ装置の製造方法であって、
前記微粒子成膜法は、２つ以上の前記導電材料粒子発生源を、平面視で前記基板を囲むように配置して行なう微粒子成膜法であることを特徴とするＥＬ装置の製造方法。
【請求項５】
請求項３に記載のＥＬ装置の製造方法であって、
前記微粒子成膜法は、前記基板を、該基板と前記導電材料粒子発生源とを結ぶ線とは異なる線を軸として回転させつつ前記導電材料粒子を堆積させる微粒子成膜法であることを特徴とするＥＬ装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載のＥＬ装置の製造方法であって、
前記微粒子成膜法は、前記基板と、該基板と前記導電材料粒子発生源とを結ぶ線と、が成す角度を前記基板の回転に合わせて周期的に変化させつつ前記導電材料粒子を堆積させる微粒子成膜法であることを特徴とするＥＬ装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載のＥＬ装置の製造方法であって、
前記微粒子成膜法は、前記第３の電極を、遮光性を有する導電材料の粒子を堆積させて形成する微粒子成膜法であることを特徴とするＥＬ装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載のＥＬ装置の製造方法であって、
前記遮光性を有する導電材料は光吸収性を有する導電材料であることを特徴とするＥＬ装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載のＥＬ装置の製造方法であって、
前記微粒子成膜法は、前記第３の電極を、複数の種類の導電材料の粒子を順次堆積させて形成する微粒子成膜法であることを特徴とするＥＬ装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の製造方法により製造されたＥＬ装置。
【請求項１１】
基板の一方の面の、画像が形成される領域である表示領域内に形成された島状の第１の電極と、
前記第１の電極を囲む様に形成された、前記基板に対して略平行な上面と前記上面と前記第１の電極との間を繋ぐ側面とを有する隔壁と、
前記隔壁で囲まれた領域を少なくとも含む領域に形成された、少なくともＥＬ層を含む発光機能層と、
前記隔壁及び前記発光機能層を覆うように形成された透明性を有する第２の電極と、
を備えており、前記第１の電極と前記第２の電極との間に電圧を印加することにより生じる前記ＥＬ層の発光を前記第２の電極を介して射出するＥＬ装置であって、
前記隔壁の上面と、前記側面の内の少なくとも一部であって前記上面から連続している領域と、を覆う第３の電極を備えることを特徴とするＥＬ装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載のＥＬ装置であって、前記隔壁の側面は前記第１の電極の外側の方向に向けての傾きを有しており、前記第３の電極は、平面視で前記隔壁と前記第１の電極との境界線の外側にのみ形成されていることを特徴とするＥＬ装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載のＥＬ装置であって、前記第３の電極は材質の異なる複数の材料層を積層して形成されており、該複数の材料層の内の少なくとも一層は遮光性材料からなることを特徴とするＥＬ装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載のＥＬ装置であって、前記遮光性材料は光吸収性材料であることを特徴とするＥＬ装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２０１０−１５３０７１（Ｐ２０１０−１５３０７１Ａ）
【公開日】平成２２年７月８日（２０１０．７．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−３２７０７２（Ｐ２００８−３２７０７２）
【出願日】平成２０年１２月２４日（２００８．１２．２４）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年７月８日（２０１０．７．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年１２月２４日（２００８．１２．２４）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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