【課題】レジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】露光により酸を発生し且つ酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）とフッ素原子及びケイ素原子から選ばれる少なくとも１種と塩基の作用により分解して極性が増大する極性変換基とを有する樹脂成分（Ｃ）とを含有するＥＵＶ用又はＥＢ用レジスト組成物であって、（Ａ）は式（ａ０−１）又は（ａ０−２）で表される基を有する構成単位（ａ０）を有する成分（Ａ１）を含有し、（Ｃ）を（Ａ）１００質量部に対して１〜１５質量部含有する［Ｑ^１、Ｑ^２は単結合又は２価の連結基、Ｒ^３〜Ｒ^５は有機基であり、−Ｒ^３−Ｓ^＋（Ｒ^４）（Ｒ^５）は全体で芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない］。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）と、
フッ素原子及びケイ素原子から選ばれる少なくとも１種と、塩基の作用により分解して極性が増大する極性変換基とを有する樹脂成分（Ｃ）と、を含有するＥＵＶ用又はＥＢ用レジスト組成物であって、
前記基材成分（Ａ）は、下記一般式（ａ０−１）又は（ａ０−２）で表される基を有する構成単位（ａ０）を有する高分子化合物（Ａ１）を含有し、
前記樹脂成分（Ｃ）を、前記基材成分（Ａ）１００質量部に対して１〜１５質量部含有することを特徴とするＥＵＶ用又はＥＢ用レジスト組成物。
【化１】

［式中、Ｑ^１及びＱ^２はそれぞれ独立に単結合又は２価の連結基である。Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^５はそれぞれ独立に有機基であり、Ｒ^４とＲ^５とは相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。ただし、式中の基−Ｒ^３−Ｓ^＋（Ｒ^４）（Ｒ^５）は、全体で芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない。Ｖ⁻は対アニオンである。Ａ⁻はアニオンを含む有機基である。Ｍ^ｍ＋はｍ価の有機カチオンであり、ｍは１〜３の整数である。ただし、Ｍ^ｍ＋は、芳香環を１個のみ有するか、又は芳香環を有さない。］
【請求項２】
前記高分子化合物（Ａ１）が、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位（ａ１）を有する請求項１に記載のＥＵＶ用又はＥＢ用レジスト組成物。
【請求項３】
支持体上に、請求項１又は２に記載のＥＵＶ用又はＥＢ用レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜をＥＵＶ又はＥＢにより露光する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。

【公開番号】特開２０１３−８８５７２（Ｐ２０１３−８８５７２Ａ）
【公開日】平成２５年５月１３日（２０１３．５．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２２８０６５（Ｐ２０１１−２２８０６５）
【出願日】平成２３年１０月１７日（２０１１．１０．１７）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】