説明

昭和電工株式会社により出願された特許

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【課題】様々な色、特に色純度の高い赤色系の発光が高い発光効率で得られ、さらには長寿命である高分子発光材料を提供することにある。また、製造工程が簡略化され、大面積化が実現できるとともに、耐久性に優れた有機EL素子および表示装置を提供することにある。
【解決手段】本発明の高分子発光材料は、下記一般式(1)で表されるイリジウム錯体から導かれる構造単位を含む重合体からなることを特徴とする。


(式中、R1〜R9はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基などを表す。Z1は、炭素原子C1〜C3とともに五員または六員の炭素環または複素環を完成す
るための原子群を表す。Lは、重合性官能基を有する、1価アニオンの2座配位子を表す。) (もっと読む)


【課題】皮膚の美白作用に優れた美白化粧料を提供する。
【解決手段】下記式(1)または(2)で表される、α−分岐型アシル基を有する特定のカルニチン誘導体および/またはその塩を含有する美白化粧料。
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【課題】従来の皮膚収斂剤に比べ、脂肪酸合成を抑制することで、脂肪合成量を減少させられ、従来品よりさらにその効果に優れた皮膚収斂剤を提供すること。
【解決手段】皮膚収斂剤を製造するための、下記式(I):


(式(I)中、R1は、分岐、不飽和結合もしくは置換基を有していてもよい、炭素数2〜30の脂肪族カルボン酸または炭素数7〜30の芳香族カルボン酸の残基からなるアシル基を表す。)で示されるヒドロキシクエン酸誘導体又はその塩の使用。 (もっと読む)


【課題】従来のメイクアップ化粧料に比べ、化粧崩れがし難く、継続的に用いることで毛穴が目立たなくなるメイクアップ化粧料を提供することを課題としている。
【解決手段】メイクアップ化粧料を製造するための、下記式(1)で示される特定のカルニチン誘導体および/または下記式(2)で示される特定のカルニチン誘導体の塩の使用、ならびに該使用によって製造されるメイクアップ化粧料。
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【課題】皮膚の抗老化効果に優れた化粧料を提供する。
【解決手段】下記式(1)または(2)で表される、α−分岐型アシル基を有する特定のカルニチン誘導体および/またはその塩を含有する抗老化化粧料。
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【課題】光取り出し効率に優れ、且つ低い駆動電圧で動作可能な窒化ガリウム系化合物半導体発光素子が得られる製造方法、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びそれを用いたランプを提供する。
【解決手段】基板11上に、窒化ガリウム系化合物半導体からなるn型半導体層13、発光層14および第1のp型半導体層15をこの順序で積層する第1の結晶成長工程と、さらに窒化ガリウム系化合物半導体からなる第2のp型半導体層16を積層する第2の結晶成長工程とを含み、前記第1の結晶成長工程と第2の結晶成長工程との間に、第1のp型半導体層15表面に凹凸を形成する凹凸形成工程と、該凹凸形成工程の後に熱処理を行う熱処理工程とが備えられた製造方法としている。 (もっと読む)


【課題】従来のデオドラント組成物に比べ、皮脂の分泌量を低減させることにより、特に脂肪酸に起因する体臭の改善に優れたデオドラント剤を提供すること。
【解決手段】デオドラント組成物の剤を製造するための、下記式(I):


(式(I)中、R1は、分岐、不飽和結合もしくは置換基を有していてもよい、炭素数2〜30の脂肪族カルボン酸または炭素数7〜30の芳香族カルボン酸の残基からなるアシル基を表す。)で示されるヒドロキシクエン酸誘導体又はその塩の使用。 (もっと読む)


【課題】育毛効果、脱毛予防効果に優れた養毛化粧料を提供する。
【解決手段】下記式(I)で示されるヒドロキシクエン酸誘導体又はその塩を含有することを特徴とする養毛化粧料;


(式(I)中、R1は、分岐、不飽和結合もしくは置換基を有していてもよい、炭素数2〜30の脂肪族または芳香族カルボン酸残基からなるアシル基を表す。)前記式(I)中、R1は、分岐、不飽和結合もしくは置換基を有していてもよい、炭素数8〜24の脂肪族カルボン酸残基からなるアシル基、又はケイヒ酸、カフェ酸(カフェイン酸)もしくはクロロゲン酸残基からなるアシル基であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】従来より効果の優れたダイエット食品および/またはダイエット用経口剤を提供すること。
【解決手段】食品および/または経口剤を製造するための、下記式(I):


(式(I)中、R1は、分岐、不飽和結合もしくは置換基を有していてもよい、炭素数2〜30の脂肪族カルボン酸または炭素数7〜30の芳香族カルボン酸の残基からなるアシル基を表す。)で示されるヒドロキシクエン酸誘導体又はその塩の使用。 (もっと読む)


【課題】III族窒化物半導体上の素子の信頼性を向上するため、従来TEMによる観察同定を必要とした転位や積層欠陥等の結晶欠陥の同定を、光学顕微鏡等の簡便な手段を用いて行うことが出来るようにすること。
【解決手段】III族窒化物半導体素子の結晶欠陥部分はエッチングによりピットが生じ、それが光学顕微鏡で観察出来るようになる。この発明はこのことに基づくもので製造工程中に、半導体の表面をエッチング等の処理を行うことにより、半導体の結晶欠陥を光学顕微鏡等でも見える状態にする工程(顕現化工程)及びそれを観察する工程、さらに必要により観察結果に基づく分別工程を含むIII族窒化物半導体素子の製造方法である。 (もっと読む)


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