【課題】本発明の目的は、エラストマー中に気相成長炭素繊維が均一に分散された炭素繊維複合材料であって、高い柔軟性及び高剛性を有する炭素繊維複合材料を提供することにある。
【解決手段】本発明にかかる炭素繊維複合材料は、エラストマーに、気相成長炭素繊維が分散した炭素繊維複合材料である。気相成長炭素繊維は、平均直径が２０〜２００ｎｍ、平均長さが５〜２０μｍであり、下記式（１）で定義される屈曲指数の平均値が５〜１５の剛直な繊維である。炭素繊維複合材料は、１５０℃における動的弾性率（Ｅ’）が３０ＭＰａ以上で、破断伸び（ＥＢ）が１４０％以上であることを特徴とする。
屈曲指数＝Ｌｘ÷Ｄ （１）
Ｌｘ：気相成長炭素繊維の屈曲していない直線部分の長さ
Ｄ：気相成長炭素繊維の直径 （もっと読む）

【課題】高い光取り出し効率を有し、発光特性に優れるとともに、生産性に優れた窒化物系半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の基板１０１上に、少なくともｎ型半導体層、発光層、及びｐ型半導体層を順次積層して半導体層１０４を形成した後、該半導体層をブラスト加工することにより、前記半導体層を、前記ブラスト加工によって形成された傾斜面１０４ｄからなる側面を有する積層半導体とする工程と、前記積層半導体上に第２の基板を設けた後、前記第１の基板と前記積層半導体との界面にレーザー光を照射して前記第１の基板を前記積層半導体から剥離する工程とを少なくとも備え、前記第１の基板として、前記半導体層よりも高いビッカース硬度を有する基板を用いることを特徴とする窒化物系半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】漏れ電流が抑制でされ、かつ、長寿命な有機エレクトロルミネッセンス素子を得る。
【解決手段】有機ＥＬ素子１は、第１の電極１１と、第１の電極１１の上に形成されたホール輸送層１３と、ホール輸送層１３の上に形成された有機ＥＬ発光層１４と、有機ＥＬ発光層１４の上に形成された第２の電極１５とを備えている。ホール輸送層１３は、ホール輸送材料としてのｐ型導電性高分子と、絶縁性高分子を含む。ホール輸送層１３の表面抵抗値は１．００×１０⁶Ω／ｓｑ以上１．００×１０¹⁰Ω／ｓｑ以下である。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れているとともに、高い記録再生特性を有し、高密度の情報の記録再生が可能な磁気記録媒体及びその製造方法、並びに磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】非磁性基板１上に、少なくともバリア層２、裏打ち層１１、下地膜６、中間膜７及び垂直磁気記録膜８をこの順で有する垂直磁気記録媒体であって、裏打ち層１１は少なくとも１以上の軟磁性膜を有しており、該軟磁性膜が、非晶質構造であって飽和磁束密度Ｂｓが１．１（Ｔ）以上であるＣｏＡｌＣｒ合金あるいはＣｏＦｅＡｌＣｒ合金からなる。 （もっと読む）

【課題】部品コストが安くなるとともに組立工数を削減することができ、しかも効果的に異物を除去しうる冷凍サイクル用受液器を提供する。
【解決手段】受液器を構成するタンク40の下端閉鎖壁42aに貫通状の冷媒流入路51および冷媒流出路52を形成する。タンク40の下端閉鎖壁42aの上面53を平坦面とし、冷媒流入路51の上端開口および冷媒流出路52の上端開口を同一高さ位置に来させる。下端閉鎖壁42aの上面53に、冷媒流入路51および冷媒流出路52の上端開口を覆うように１つのストレーナ54を配置する。ストレーナ54における冷媒流入路51の上端開口を覆う第１部分55のメッシュの開口面積を、冷媒流出路52の上端開口を覆う第２部分56のメッシュの開口面積よりも大きく、好ましくは１．５〜２倍大きくする。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧（Ｖｆ）が低く、光取り出し効率の高い窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法及び窒化ガリウム系化合物半導体発光素子、並びにランプを提供する。
【解決手段】窒化ガリウム系化合物半導体素子１のｐ型半導体層１４上に、ドーパントを含む透光性導電酸化膜１５を積層する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法であって、透光性導電酸化膜１５を積層した後、該透光性導電酸化膜１５にレーザーを用いてアニール処理を行うレーザーアニール工程が備えられている。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、ＬＥＤチップの発光の指向性や光の入射角度に関係なく、ＬＥＤチップの光の強度及び／又は波長を正確に測定することができる光学特性測定装置を提供する。
【解決手段】ＬＥＤチップ１０の光を受光手段３００で受光し、この受光手段３００の出力結果に基いてＬＥＤチップ１０の光の光学特性を測定する装置であって、ＬＥＤチップ１０が置かれる部分が少なくとも透明であるプレートと、このプレートを挟んでＬＥＤチップ１０の発光面と対向しており且つＬＥＤチップ１０の各方向の光を受光手段３００に集める集光器５００を備え、集光器５００は、受光手段３００が覗いており且つＬＥＤチップ１０の光を反射して受光手段３００に入射させるために拡散反射性を有した略球面状の凹部５１０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】接合強度が高く接合界面の抵抗成分を充分に低くすることができるＧａＮ系半導体発光素子の製造方法及びＧａＮ系半導体発光素子、並びにランプを提供する。
【解決手段】第１の基板上に少なくともｎ型半導体層、発光層、及びｐ型半導体層のＧａＮ系半導体からなる各層を順に積層し、次いで、前記ｎ型半導体層、発光層、及びｐ型半導体層を覆う保護膜を形成し、前記ｐ型半導体層上あるいは該ｐ型半導体層上に形成される電極層上に、前記保護膜よりも突き出るようにして第１の接合層を積層することにより、第１の積層体を形成する工程と、導電性を有する第２の基板上に少なくとも導電体からなる第２の接合層を積層することにより、第２の積層体を形成する工程と、前記第１の積層体と第２の積層体とを、前記第１の接合層と第２の接合層とを接合させることにより一体化させる工程と、前記第１の積層体から第１の基板を除去する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】仕切り壁部で区画された複数個の中空部を有する管状体からなる第１部材に、第２部材を接合する部材同士の接合方法を提供する。
【解決手段】第１部材１を第２部材５に設けられた挿通孔６内に挿通する。第１部材１の各中空部３内に、ダイ11のダイセグメント11aとマンドレル18の楔部セグメント19aとを配置する。次いで、両楔部セグメント19a、19a同士で第１部材１の仕切り壁部４を挟んだ状態で、各楔部セグメント18aを対応するダイセグメント11aの楔孔部セグメント14a内に差し込むことにより、ダイ11の各ダイセグメント11aを第１部材１の半径方向外向きに移動させる。これにより、第１部材１の挿通孔６内への挿通部分2a及びその軸方向両側近傍部分2b、2bをエキスパンド加工し、第１部材１と第２部材５を接合する。 （もっと読む）

【課題】更なる高輝度化及び省電力化を可能とした発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電極パッド９，１０が設けられた発光素子２と、電極リード１１，１２が設けられたリードフレーム３とを備え、電極パッド９，１０と電極リード１１，１２とがボンディングワイヤー１４，１５を介して電気的に接続された発光装置であって、発光素子２は、リードフレーム３との間に間隔Ｈを設けて配置されている。これにより、発光素子２のリードフレーム３と対向する面側から放出される光を有効に利用し、この発光素子２が発する光の利用効率を更に高めることができる。 （もっと読む）