説明

昭和電工株式会社により出願された特許

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【課題】界面活性剤を含む水又は試料から界面活性剤を効率良く除去することができ、なお且つ簡便な界面活性剤の除去方法を提供する。
【解決手段】水又は試料中に含まれる界面活性剤をγ−Alに吸着させて水又は試料中から除去する。特に、界面活性剤とその他の有機物質を含む被処理水から、γ−Alを用いて界面活性剤を選択的に吸着して除去し、共存する有機物質によるγ−Alへの負荷を低減し、γ−Alの使用量を削減し、γ−Alの交換頻度を減少させることが可能である。また、膜タンパク質の可溶化、精製、再構成する過程において、生体試料などに添加した界面活性剤を測定系に影響がないレベルにまで実質的に除去することが可能である。 (もっと読む)


【課題】製品単価や製造コストを上昇させることなく、LED基板に対する良好な放熱を実現する。
【解決手段】複数の発光ダイオード(LED)21と、この複数の発光ダイオード(LED)21に駆動電流を供給するための回路と、複数の発光ダイオード(LED)21が発する熱を伝えるための金属膜アイランドとを各々備えた複数のLED基板12と、この複数のLED基板12を取り付けるバックライトフレーム11と、このバックライトフレーム11に対して複数のLED基板12を各々固定するとともに金属膜アイランドに伝わる熱をバックライトフレーム11に伝えるネジ17とを備えた。
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【課題】有機EL素子が用いられ、構造が簡単であり、電力効率の高い表示素子を提供する。
【解決手段】所定形状を表示する表示素子であって、透明絶縁基板上に、透明陽極と、有機EL化合物層と、該所定形状と略同一形状にパターニングされた陰極バッファー層と、陰極とがこの順序で積層された有機エレクトロルミネッセンス素子からなることを特徴とする表示素子。 (もっと読む)


【課題】熱膨張係数が低くかつ加工性に優れたクラッド材を提供をする。
【解決手段】 芯材(11)とその両面にクラッドされた皮材(12)からなるクラッド材(1)であって、前記芯材(11)が、Si:5〜30質量%を含有し、残部Alおよび不純物からなるアルミニウム合金により構成され、前記皮材(12)が、Si:0.2〜0.8質量%、Mg:0.3〜1質量%、Fe:0.5質量%以下、Cu:0.5質量%以下を含有し、さらにTi:0.5質量%以下およびB:0.1質量%以下の少なくとも一方を含有し、残部Alおよび不純物からなるアルミニウム合金により構成されている。 (もっと読む)


【課題】耐熱性、耐薬品性に優れ、平均線膨張係数が低く、かつ、透明性が高く、薄膜デバイス形成工程で反りや変形、配線の亀裂が生じにくいことを特徴とする表示素子用プラスチック基板を提供する。
【解決手段】一般式(3)


(式中、A3は明細書中の記載と同じ意味を表す。)で表される基を繰り返し単位として有する化合物を含むアリルエステル熱硬化性樹脂を用いた透明導電性基板。 (もっと読む)


【課題】耐湿熱性に優れ、透明な硬化物を形成可能な熱硬化性組成物を提供すること、前記熱硬化性樹脂組成物を硬化して得られる光学フィルムを提供すること及び前記熱硬化性樹脂組成物を基材フィルム上に塗布し、これを硬化して得られる積層フィルムを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、ポリカルボン酸樹脂(A)エポキシ樹脂及び(B)及び/またはオキセタン樹脂を必須成分とする硬化させて厚み約80μmのフィルムにしたものの光の透過率が、波長380〜750nmの全領域において90%以上である熱硬化性樹脂組成物、前記熱硬化性樹脂組成物を硬化して得られる光学フィルム、及び前記熱硬化性樹脂組成物を基材フィルム上に塗布し、これを硬化して得られる積層フィルムを提供する。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、エラストマー中に気相成長炭素繊維が均一に分散された炭素繊維複合材料であって、高い柔軟性及び高剛性を有する炭素繊維複合材料を提供することにある。
【解決手段】本発明にかかる炭素繊維複合材料は、エラストマーに、気相成長炭素繊維が分散した炭素繊維複合材料である。気相成長炭素繊維は、平均直径が20〜200nm、平均長さが5〜20μmであり、下記式(1)で定義される屈曲指数の平均値が5〜15の剛直な繊維である。炭素繊維複合材料は、150℃における動的弾性率(E’)が30MPa以上で、破断伸び(EB)が140%以上であることを特徴とする。
屈曲指数=Lx÷D (1)
Lx:気相成長炭素繊維の屈曲していない直線部分の長さ
D:気相成長炭素繊維の直径 (もっと読む)


【課題】高い光取り出し効率を有し、発光特性に優れるとともに、生産性に優れた窒化物系半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第1の基板101上に、少なくともn型半導体層、発光層、及びp型半導体層を順次積層して半導体層104を形成した後、該半導体層をブラスト加工することにより、前記半導体層を、前記ブラスト加工によって形成された傾斜面104dからなる側面を有する積層半導体とする工程と、前記積層半導体上に第2の基板を設けた後、前記第1の基板と前記積層半導体との界面にレーザー光を照射して前記第1の基板を前記積層半導体から剥離する工程とを少なくとも備え、前記第1の基板として、前記半導体層よりも高いビッカース硬度を有する基板を用いることを特徴とする窒化物系半導体発光素子の製造方法を採用する。 (もっと読む)


【課題】漏れ電流が抑制でされ、かつ、長寿命な有機エレクトロルミネッセンス素子を得る。
【解決手段】有機EL素子1は、第1の電極11と、第1の電極11の上に形成されたホール輸送層13と、ホール輸送層13の上に形成された有機EL発光層14と、有機EL発光層14の上に形成された第2の電極15とを備えている。ホール輸送層13は、ホール輸送材料としてのp型導電性高分子と、絶縁性高分子を含む。ホール輸送層13の表面抵抗値は1.00×106Ω/sq以上1.00×1010Ω/sq以下である。 (もっと読む)


【課題】超臨界冷媒が扁平チューブから外側プレートの第1冷媒流通部内へ流入する際、および外側プレートの第1冷媒流通部内から扁平チューブに流入する際の圧力損失の増大を最小限に抑制しうる熱交換器を提供する。
【解決手段】ガスクーラは、1対のヘッダタンク2と、両ヘッダタンク2間に並列状に配置された複数の扁平チューブ4とを備えている。各ヘッダタンク2は、外側プレート7と、内側プレート8と、中間プレート9とが互いに積層されてろう付されることにより構成されている。扁平チューブ4のチューブ高さをT(mm)、扁平チューブ4の両端から外側プレート7内面までの距離をL(mm)、中間プレート9の連通穴22の穴幅をW(mm)とした場合、L≧0.7T、および1.1T≦W≦2.5Tの関係を満たす。 (もっと読む)


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