【課題】オン抵抗を低減することができる炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ドリフト層３は、電流が貫通する厚さ方向を有し、第１導電型の不純物濃度Ｎ_1dを有する。ボディ領域４は、ドリフト層３の一部の上に設けられ、ゲート電極９３によってスイッチングされるチャネル４１を有し、第１導電型の不純物濃度Ｎ_1bと、不純物濃度Ｎ_1bよりも大きい第２導電型の不純物濃度Ｎ_2bとを有する。ＪＦＥＴ領域７は、ドリフト層３上においてボディ領域４に隣接し、第１導電型の不純物濃度Ｎ_1jと、不純物濃度Ｎ_1jよりも小さい第２導電型の不純物濃度Ｎ_2jとを有する。Ｎ_1j−Ｎ_2j＞Ｎ_1dかつＮ_2j＜Ｎ_2bが満たされる。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ結晶基板上にモフォロジーが良好で均一な物性を有するＩＩＩ族窒化物半導体層が成長された高特性のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子は、ＧａＮ結晶基板１００と、ＧａＮ結晶基板１００の主面１００ｍ上に配置された少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物半導体層２００と、を含み、ＧａＮ結晶基板１００は、マトリックス結晶領域１００ｓとｃ軸反転結晶領域１００ｔとを含み、主面１００ｍと｛０００１｝面１００ｃとの間のオフ角θについて、＜１０−１０＞方向および＜１−２１０＞方向のうちいずれか一方の方向を第１方向とし他方の方向を第２方向とするとき、第１方向のオフ角成分の絶対値｜θ₁｜が０．０３°以上１．１°以下、かつ、第２方向のオフ角成分の絶対値｜θ₂｜が０．７５×｜θ₁｜以下である。 （もっと読む）

【課題】高い信頼性を実現し得る半導体装置、及び、半導体素子が搭載される配線基板を提供する。
【解決手段】半導体装置は１０、絶縁性基板１２１と、縁性基板１２１の第１の主面１２１ａ上に形成される配線層１２２と、配線層１２２上に搭載される半導体素子１４と、を備える。この半導体装置１０において、配線層１２２は、銅と、銅より熱膨張係数が小さい金属とを含む第１の銅含有材料から構成されており、第１の銅含有材料の熱膨張係数は、銅の熱膨張係数より小さい。また、絶縁性基板１２１の第１の主面１２１ａと反対側の第２の主面１２１ｂ上に形成される放熱層１２３と、放熱層１２３を介して絶縁性基板１２１と接合されるヒートシンク１６とを備える。この放熱層１２３は、銅を含む第２の銅含有材料から構成される。 （もっと読む）

【課題】ソース・ドレイン間容量の低下と、電流コラプスの抑制とを両立することが可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】基板１０と、基板１０上に形成された窒化物半導体層１１と、窒化物半導体層１１上に設けられたソース電極２４、ゲート電極２８、及びドレイン電極２６と、ゲート電極２８、及びゲート電極２８とドレイン電極２６との間の窒化物半導体層１１の表面を覆う絶縁膜２０と、窒化物半導体層１１上であって、ゲート電極２８とドレイン電極２６との間に設けられたフィールドプレート３０と、を具備し、ゲート電極２８とドレイン電極２６との間の領域の絶縁膜２０上におけるフィールドプレート３０の幅Ｗは０．１μｍ以上であり、フィールドプレート３０のドレイン電極２６側の端部と、ドレイン電極２６のゲート電極２８側の端部との距離Ｌ１は、３．５μｍ以上であり、動作周波数が４ＧＨｚ以下である半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】電子部品を搭載して構成される複数の配線体を組み合わせて構成される電子装置において、放熱性能が高く、また、各配線体の組み付けを容易に行うことができるとともに不良品を容易に交換することができる配線体の接続構造を提供する。
【解決手段】複数の配線体１を接続する配線体の接続構造１００であって、上記配線体は、熱伝導性を有する金属板２と、上記金属板に接着剤を介して積層されたフレキシブルプリント配線板３と、上記フレキシブルプリント配線板に搭載された電子部品９とを備え、上記金属板の少なくとも一側縁部から上記フレキシブルプリント配線板の一部を延出させて形成した第１の接続部１０を設ける一方、上記金属板の少なくとも他側縁部に、隣接して配置された配線体の上記第１の接続部と接続される第２の接続部１３を設けるとともに、上記金属板を連結する金属板連結手段５,６,１４を備えて構成される。 （もっと読む）

【課題】 再生が容易であると共に、紫外線硬化樹脂への正確なパターン形成が可能なナノインプリント用モールドを提供する。
【解決手段】 モールド１はガラスモールド２とパターンモールド３とを備えており、パターンモールド３はガラスモールド２に接着されている。ガラスモールド２とパターンモールド３との接着を解除しパターンモールド３を交換するだけで、モールド１を再生できる。また、パターンモールド３は、パターンＰが形成されたエリア３０ａと形成されていないエリア３０ｂとを含む。接着剤４は、エリア３０ｂに対向するエリア３１ａと凹部２１の底面２１ａとの間に配置されている。紫外線硬化樹脂にパターン形成を行う際に、接着剤４が、パターンモールド３のパターン部分における紫外線の透過に影響を及ぼすことが避けられる。よって、紫外線硬化樹脂への正確なパターン形成が可能となる。 （もっと読む）

【課題】磁気特性に優れ、磁石の素材に適した複合磁性材、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ナノ鉄粉と、希土類元素の水素化合物と鉄含有物とを含有する多相粉末と、バインダとを混合してなる造粒粉を加圧成形する。加圧成形は、0.9気圧以下に排気しながら、バインダの分解温度±20℃の温度で行う。得られた第一成形体に、減圧雰囲気中、再結合温度以上で熱処理(脱水素)して、多相粉末から希土類元素とFeとを含有する再結合合金を生成し、得られた第二成形体に、窒素雰囲気中、200℃〜450℃で熱処理(窒化)して、ナノ鉄粉からα"Fe₁₆N₂を、再結合合金から希土類-鉄-窒素系合金を生成する。熱処理はいずれも、強磁場を印加して行う。窒化処理時に磁場を印加してα"Fe₁₆N₂を生成すると共に、希土類-鉄-窒素系合金とα"Fe₁₆N₂との磁気容易軸の配向方向を共通させる。 （もっと読む）

【課題】α"Fe₁₆N₂を主成分とする鉄窒化物粒子の含有量が多い窒化鉄材、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】α"Fe₁₆N₂を主成分とし、短軸の平均長さが100nm以下の鉄窒化物粒子からなる原料粉末とバインダとを混合して、平均粒径1μm以上の造粒粉を作製する。造粒粉を成形型に充填した後、加圧成形して成形体(窒化鉄材)を作製する。加圧成形は、成形型内を0.9気圧以下に排気しながら、バインダの分解温度±20℃の温度に加熱した状態、かつ2T以上の磁場を印加した状態で行う。加熱により溶融したバインダの存在下で強磁場を印加すると、鉄窒化物粒子の移動や回転を容易にして結晶方位を特定の方向に配向でき、加熱及び排気によりバインダを除去すると、鉄窒化物粒子の充填率を高められる。この製造方法は、鉄窒化物粒子の含有量が多く、配向組織を有する窒化鉄材が得られ、この窒化鉄材は、磁気特性に優れる。 （もっと読む）

【課題】不純物領域の自己整合的な形成を精度よく行うことができる、炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】マスク層３１の開口部ＯＰを介して炭化珪素基板９０上に第１導電型不純物が注入される。第１および第２の材料のそれぞれから作られた第１および第２の膜３２、３３が成膜される。異方性エッチング中に第１の材料のエッチングが生じたことが検知され、異方性エッチングが停止される。第１および第２の膜３２、３３によって狭められた開口部ＯＰを介して、炭化珪素基板９０上に第２導電型不純物が注入される。 （もっと読む）

【課題】チャネル移動度の低下を抑制しつつ閾値電圧の設定の自由度を高めることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】ＭＯＳＦＥＴ１は、炭化珪素基板１１と、｛０００１｝面に対するオフ角が５０°以上６５°以下である表面（主面１２Ａ）を有し、炭化珪素からなるドリフト層１２と、ドリフト層１２の主面１２Ａ上に接触して形成されたゲート酸化膜２１とを備えている。ドリフト層１２は、ゲート酸化膜２１と接触する領域１４Ａを含むように形成されたｐ型ボディ領域１４を含んでいる。ｐ型ボディ領域１４における不純物密度は５×１０^１６ｃｍ^−３以上となっている。そして、ｐ型ボディ領域１４と炭化珪素基板１１とに挟まれたドリフト層１２の領域には、ドリフト層１２の厚み方向に垂直な方向において互いに分離して配置された導電型がｐ型であるｐ型領域１３が複数並ぶように形成されている。 （もっと読む）