【課題】 集積度を維持しつつ、エレクトロマイグレーション耐性およびストレスマイグレーション耐性が優れ、高信頼性を有する金属薄膜および多層配線の形成方法ならびにそのような金属薄膜および多層配線を備えた薄膜基板を提供する。
【解決手段】 基板１上に金属薄膜３および熱エネルギーを吸収する熱吸収層４を形成し、熱吸収層４に対して第１のパルスレーザビームＥ１を照射することにより金属薄膜３に対して第１の加熱処理を施して再結晶化し、熱吸収層４を所定の形状にパターニングして基板全面に対してさらに第２のパルスレーザビームＥ２を照射することにより、金属薄膜３に対して高温領域および低温領域を有する選択的な温度分布で第２の加熱処理を施し、低温領域を核として、金属薄膜３を面内において熱吸収層４の形状に基づいた態様で再結晶化するようにしたので、粒界３重点が存在しにくい金属配線を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】安価に、かつ真空状態と同じ程度の状況を作り出して被処理基板の熱処理を行うことができる被処理基板の熱処理方法及びその装置を得ること。
【解決手段】本発明の熱処理装置１は、セル２、窒素ガス源７、フローメータ８、分岐管９、各部を連結するチューブ１０とから構成されている。セル２は被処理面のアモルファスシリコン層２１の表面積よりも遙かに少ない面積の開口部４を備えた円筒状のセル本体３と、その開口部４の外周全周に形成された所定の幅のつば５と、セル本体３の上方に形成された２本のガス注入口６ａ、６ｂとからなる。窒素ガス源７からフローメータ８、分岐管９、２本のガス注入口６ａ、６ｂを通じて窒素ガスをセル本体３内に注入し、その上方からアモルファスシリコン層２１を加熱しながらその層２１上を走査し、ポリシリコン層に変質させている。 （もっと読む）

【課題】積層基板内に半導体素子を組み込んだ半導体装置の信頼性を向上させること。
【解決手段】本発明は、上側基板１１と下側基板１２との間に枠状の中間基板１３を挟み込み、この中間基板１３の枠内における上側基板１１と下側基板１２との間で半導体素子２を挟持して成る半導体装置１において、中間基板１３における枠の内壁と半導体素子２との間に第１の隙間Ｇ１が設けられ、半導体素子２と下側基板１２との間に第２の隙間Ｇ２が設けられており、第１の隙間Ｇ１および第２の隙間Ｇ２に絶縁性接着剤３が充填されているものである。 （もっと読む）

【課題】高い感度での光検出が可能でありながら、色純度の高い発光光の取り出しが可能な有機電界発光素子を提供する。
【解決手段】第１電極（陽極）１２と第２電極（陰極）１４との間に、第１電極（陽極）１２側から順に、正孔輸送層１３ａ、光検出層１３ｂ、電子ブロック層（電荷ブロック層）１３ｃ、発光層１３ｄ、電子輸送層１３ｅを積層してなる有機層１３を狭持してなる有機電界発光素子１１において、電子ブロック層１３ｃは、第２電極（陽極）１４から供給される順バイアス電荷（電子）が光検出層１３ｂに達することを防止すると共に、第１電極（陽極）１２から供給される順バイアス電荷（正孔）の輸送性を有する。 （もっと読む）

【課題】 発光ダイオードなどの放射角が大きい発光素子をも効果的に利用でき、小型、軽量で、消費電力が小さい光源装置、及びそれを用いた、網膜ディスプレイ装置などの小型表示装置を提供すること。
【解決手段】 光源装置を、発光素子部１と集光部１０と合波部２０とで構成する。発光素子部１は、チップ状の発光素子２を複数個搭載し、外部端子８を通じて各発光素子２の発光を独立に制御できる。集光部１０では、レンズストッパ１３に設けた嵌合孔との嵌め合わせによって、球レンズ１１を発光素子２に対接又は対向して発光部の間近に保持し、発光素子２から放射される光が広がってしまう前に平行光束に方向変換する。合波部２０は、ダイクロイックミラー２１とアパーチュア２４と２５を有し、集光部１０から入射してきた平行光束を合波するとともに、平行性に優れた近軸光線を選別して出射する。 （もっと読む）

【課題】 レーザ光源の劣化判定を精度よく簡易に行う。
【解決手段】 光ディスク装置のリード状態でレーザダイオードＬＤにＡＰＣが掛かっている状態で、レーザ光をフォトダイオードＦＰＤで検出し、その検出信号から低周波ノイズを抽出し、レーザの劣化判定を行う。ＬＤのノイズは周波数特性が平坦なので、どの周波数で測定しても同じとなる。光ディスク装置のリード時のＡＰＣの帯域は数百ＫＨｚであるので、ＡＰＣの影響が出ないよう、帯域外の１．０ＭＨｚ以上のノイズを測定する。これにより、ＡＰＣのループゲインの変化に影響されることなく、正確にノイズレベルを検出でき、これを劣化判定レベルと比較してレーザの劣化を判定する。 （もっと読む）

【課題】 煩雑な光学設計が不要であると共に、戻り光ノイズのない、安定した照射ビームを被照射面に照射することの可能な照射装置を提供する。
【解決手段】 角度可変機構２４を用いてレーザビーム５０を被照射面１Ｓに対して斜めに入射させることで、被照射面１Ｓからの戻り光５０Ｒがレーザ発振器１０へ戻るのを回避する。走査方向に応じて照射角度θ（θＡ，θＢ）を調整するようにしたので、被照射面１Ｓに照射されるレーザビーム５０の強度の非対称性が低減され、被照射面１Ｓの全体に亘って一様な照射をおこなうことができる。これにより、煩雑な光学設計を伴うことなく被照射面１Ｓへ安定したレーザビーム５０を照射することができ、被照射面１Ｓのアニール処理が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウェハに損傷を与えることなく、貼り合せ基板の状態から半導体ウェハを容易かつ確実に剥離できるようにした、半導体ウェハの剥離方法を提供する。
【解決手段】 半導体ウェハ１周辺部に対応する部分が凹曲面２７をなすウェハ吸着面２８を有したステージ２３を設け、保持基板３と半導体ウェハ１を熱溶融型接着剤４を介して接着した貼り合せ基板７をステージ２３のウェハ吸着面２８に吸着させたときの、保持基板３と半導体ウェハ１との反発力の差を利用して、半導体ウェハ１を保持基板から剥離する。 （もっと読む）

【課題】 処理するプリント配線板に熱電対を取り付けることなくリフロー時の基板温度分布を取得でき、使用するリフロー炉固有の炉内温度分布特性にも十分に対応可能なリフロー温度管理方法を提供する。
【解決手段】 処理するプリント配線板上に設定した複数の測定点における熱容量データを測定するとともに、使用するリフロー炉の炉内温度分布特性をリフローセンサを用いて測定する。そして、各測定点の熱容量データと炉内温度分布データとから各測定点における温度の時間的変化を算出し、それらのデータに基づいてリフロー時の基板温度分布を取得する。これにより、プリント配線板をリフロー炉に流さずにリフロー時における基板温度分布を取得することができるとともに、的確なリフロー温度管理を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】消去電圧などの動作電圧について低電圧化が可能であり、低コスト化が可能である半導体不揮発性記憶装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電荷蓄積層を有するメモリトランジスタが接続された半導体不揮発性記憶装置の製造方法であって、ガラスあるいはプラスチックからなる絶縁性基板上にチャネル形成領域を有する半導体層を形成する工程と、前記半導体層の上層に電荷蓄積層を形成する工程と、前記電荷蓄積層の上方にコントロールゲートを形成する工程と、前記チャネル形成領域に接続するソース・ドレイン領域を形成する工程とを有し、前記メモリトランジスタとなる薄膜トランジスタを形成する。 （もっと読む）