【課題】優れた耐スパッタ性及び加工性を備え、管電圧を低くすることができる冷陰極紫外線管用電極及びそれを用いた冷陰極紫外線管を提供する。
【解決手段】冷陰極紫外線管１は、全量に対して０．１〜１０質量％の範囲のＭｏと、Ｆｅ及び不可避的不純物とを含有する合金からなる冷陰極紫外線管用電極３を備える。冷陰極紫外線管用電極３は、前記合金が、全量に対して１．５〜５．５質量％の範囲のＭｏを含有することが好ましく、更にＲｕを含有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】
基板上に成長結晶層の膜厚均一性を向上させることができ、歩留まりが高い気相成長装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
気相成長装置は、その中心に成長用基板を担持して成長用基板を加熱および回転するサセプタと、サセプタの少なくても材料ガス供給側の半分を矩形に囲む、サセプタと同じ熱伝導率を有する素材からなる不動の受熱板と、周囲から受熱板を固定し、成長用基板に水平に材料ガスを誘導する不動のフロー補助板と、その開口する先端がフロー補助板上に位置し受熱板の端部と略平行にかつ成長用基板の直径よりも幅広に形成され、成長用基板の全面に沿って材料ガスの層流を水平に供給する材料ガスノズルと、その材料ガスノズル側の縁部が受熱板の端部に略平行に形成され、その全面が直上のサセプタと受熱板の全面に対向してサセプタと受熱板を均一に加熱する矩形の加熱器と、成長用基板とサセプタと受熱板の全面に向けて材料ガスノズルよりも幅広の領域に押さえガスを供給する押さえガス噴出器と、を備える。 （もっと読む）

【課題】外観検査を行う検査対象の表面形状によらず、高い精度で欠陥を検出する技術または欠陥の検出を支援する技術を提供する。
【解決手段】検査対象の表面を、所定の曲率の範囲に納まるまで分割し、分割後の領域毎に画像を取得する。すなわち、検査対象の表面が曲率が一定でない曲面であっても、略平面とみなせる単位で撮像を行う。また、取得した画像を画像処理し、欠陥を検出する。欠陥の検出には、従来同様、閾値による判別手法を用いる。 （もっと読む）

【課題】発光素子光源のメンテナンス性および冷却性を向上させると共に、ヒートパイプの劣化を抑制する。
【解決手段】車両用前照灯ハウジングとしての機能を有するリフレクタ5とアウターレンズ9とによって画定される灯室100c内にリフレクタ5の前側表面5aから突出せしめられた光源支持部3aによって発光素子光源1a,1b,1cを支持する車両用前照灯100において、灯室100c内に収容される光源支持部3aと、灯室100c外に露出せしめられる放熱部3cと、金属材料製のリフレクタ5の支持部5b1に接合されるフランジ部3bとを有する金属材料製のヒートシンク3を設け、ヒートシンク3の光源支持部3aと放熱部3cとを熱的に接続するヒートパイプ3dをヒートシンク3の光源支持部3a、フランジ部3bおよび放熱部3c内に埋設し、ヒートパイプ3dを挿入するための開口3a4aを光源支持部3aに配置した。 （もっと読む）

【課題】
発光ダイオード素子を実装したリードフレームをガラス管に封止する際、光軸から発光ダイオード素子がずれてしまうという問題があった。
【解決手段】
リードフレームの素子載置部の下に、インサート成型によって樹脂製ガイド部を形成する。樹脂製ガイド部は、その周囲にリブを持ち、中空ガラス部の内壁に接触する。この結果、リードフレームの中空ガラス部に対する相対的位置は封止作業中を通じて固定され、軸ずれを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】
レーザー光源から放射された青色レーザー光が蛍光体周囲の金属板表面で反射されることに起因する発光色の色ムラや輝度ムラを防止（又は低減）する。
【解決手段】
金属板と、前記金属板の表面に配置され、青色レーザー光により励起されて発光する蛍光体と、前記蛍光体に入射する青色レーザー光を放射するレーザー光源と、前記蛍光体の周囲の前記金属板の表面を覆うように配置され、前記レーザー光源から入射する青色レーザー光の反射を抑制する反射抑制部材と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
製造プロセスを複雑化することなく、温度勾配に起因して生じる内部電場が電流に及ぼす影響を低減させることにより高効率を実現し得る導電性支持体を備えた光半導体素子およびこれを搭載する光半導体装置を提供する。
【解決手段】
本発明の光半導体装置は、ｎ型半導体層と、ｐ型半導体層と、ｎ型半導体層とｐ型半導体層の間に設けられた発光層と、を含む半導体膜と、半導体膜のｐ型半導体層の側に設けられた電子をキャリアとする導電性支持体と、導電性支持体を介して半導体膜と電気的および熱的に接続された基台と、を含む。導電性支持体は、基台に設けられた凹部内に収容され、凹部の底面および側面と導電性支持体の底面および側面との間を充たす導電性接合材によって基台に接合される。光半導体装置は、導電性支持体の側面から基台への熱拡散を許容しつつ導電性支持体の側面からの電流の流入を制限する伝熱性高抵抗部と、導電性支持体の底面からの電流の流入を許容する導電部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】車体バンク時のバンク配光パターンとオーバーヘッド用配光パターンとを形成可能な自動二輪車用プロジェクタ型ヘッドランプを提供する。
【解決手段】光源１２から放射された光のうち第１反射面１３の開口端の外側に向かう光が入射するように、前記第１反射面の開口端の外側近傍に配置された第２反射面２１と、前記第２反射面２１からの反射光の照射方向に配置された拡散レンズ部２２と、を備えており、前記拡散レンズ部２２は、前記第２反射面２１からの反射光が入射する入光面２２aと、前記入光面２２aからレンズ内部に入射した前記第２反射面２１からの反射光を上下左右に拡散する拡散光として出射する出射面２２bと、を含んでおり、前記出射面２２bは、円又は楕円のうち円又は楕円の中心を通る水平面よりも上側かつ前記入光面側に湾曲した円弧、楕円弧又はこれらに相当する曲線を鉛直断面に含む凹曲面として構成されている。 （もっと読む）

【課題】ｎ型ＺｎＯ系半導体層を得るための新規な技術を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体素子の製造方法は、基板上方に、第１のアンドープＺｎＯ系半導体層を、４００℃以下で成長する工程と、第１のアンドープＺｎＯ系半導体層を、８００℃以上でアニールして、ｎ型キャリア濃度が１×１０^１６ｃｍ^−３以上の第１のｎ型ＺｎＯ系半導体層とする工程と、第１のｎ型ＺｎＯ系半導体層上方に、ＺｎＯ系半導体活性層を成長する工程と、ＺｎＯ系半導体活性層上方に、ｐ型ＺｎＯ系半導体層を成長する工程とを有し、第１のｎ型ＺｎＯ系半導体層、ＺｎＯ系半導体活性層、及びｐ型ＺｎＯ系半導体層の積層が、ｐｎ接合構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】特別な部品を必要とせずリーク試験用の貫通穴を塞ぎ灯体を密閉可能にする構造
【解決手段】樹脂を溶解するのに十分な温度、例えば１５０°Ｃ程度に熱せられた治具５０の凹部５０ａを、カシメボス２２の長軸方向Ｘに沿ってカシメボス２２の先端部２２ａに押し当てることで熱カシメを実施すると、倒れ込み部２２ｂ同士が貫通穴２１に向かって倒れ込み、互いの一部あるいは全部が重なり合って貫通穴２１を覆う。かつ、治具５０の熱により、貫通穴２１を覆った倒れ込み部２２ｂ同士の重なり部分が融解して互いに結合し、貫通穴２１は完全に塞がれ、外気から遮断された完全密閉の灯室４１が形成される。 （もっと読む）