磁気抵抗読み取りヘッドは、多層積層バイアス（１０７）と、記録媒体自体からの横断磁界からだけでなく隣接するビット及びトラックからの不要磁束も実質的に低減する側部シールド（１１３）を有するスピンバルブを含む。少なくとも一つのフリー層（１００）が、スペーサ（１０１）により少なくとも一つのピン層（１０２）から離間させてある。フリー層の上方にキャップ層（１０６）を配設し、これに非磁性導電層（１１１）と反強磁性層（１０９）により固定された磁化を有する強磁性層（１１０）と安定化強磁性層とを含む積層バイアス（１０７）が続く。加えて、薄肉絶縁体（１１４）と軟質バッファ層（１１５）と軟質側部シールド層（１１６）とを含む多層側部シールド（１１３）を配設する。その結果、フリー層（１００）は不要磁束から遮蔽され、記録媒体は実質的により小さなトラックとビット寸法を有する。
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磁気抵抗読取りヘッドは、スペーサにより少なくとも一つのピン層から離間させた少なくとも一つのフリー層を有するスピンバルブを含む。フリー層はＣｏ−ＸとＣｏＦｅ−ＸとＣｏＮｉ−Ｘのうちの少なくとも一つを含む薄膜としてのコバルト成分を含み、ここでＸはランタノイド族（４ｆ電子軌道元素）からの元素である。Ｃｏ成分は８０パーセントを上回り、ランタノイド元素成分は１０％未満である。薄膜はフリー層全体で構成するか、或いは１以上の従来のフリー層薄膜に隣接配置することができる。ピン層は、従来の単層か又は副層間にスペーサを有する合成多層構造である。スピンバルブ構造が高い交換スティフネスと減衰率を有するため、スピン転移効果は減り、高速動的応答がもたらされる。
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磁気抵抗ヘッドの読み取り素子は、安定化硬質バイアスを有するセンサでその側部に側部シールドを有し、隣接ビット及びトラックからの不要磁束をほぼ相当に低減するセンサを備えるスピンバルブを含む。少なくとも一つのフリー層が、スペーサにより少なくとも一つのピン層から離間させてある。フリー層上に、キャップ層が配設してある。安定化器には、絶縁体と、シールド層である軟質材料と、結合解除層と、硬質バイアスとを含ませることができる。その結果、フリー層は隣接トラックの不要磁束を遮蔽され、相当より小さなトラック寸法とビット寸法を有する記録媒体を使用することができる。
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磁気抵読み取りヘッドは、スペーサにより少なくとも一つのピン層から離間させた少なくとも一つのフリー層を有するスピンバルブを含む。フリー層は、ＣｏＦｅ内の薄いＣｏＦｅＯｘ積層と随意選択的なＣｕ層を含む。酸素の量は、ガス全体の１０％未満である。ピン層は単層か又は副層間にスペーサを有する合成多層構造であり、前述の低磁歪材料を用いることができる。その結果、低磁歪を得て読み取り品質を改善し、かつ／又はピン層のピンニング磁界を増加する。他パラメータが悪影響を受けることはない。
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対平面垂直電流磁気抵抗ヘッドからなる読み取り素子は、そこに隣接させた安定化器を有し、渦効果と電荷蓄積とに起因するセンサエッジでの磁化分布を殆ど防止するセンサ付きスピンバルブを含む。少なくとも一つのフリー層が、スペーサにより少なくとも一つのピン層から離間させてある。フリー層上には、キャップ層が配設してある。安定化器は、フリー層に隣接するピン強磁性層と、その上に配置した反強磁性層とを含む。異なる磁気モーメントと膜厚を有する様々な材料を用い、効果的なバイアスを提供することは容易となる。小寸法用のセンサエッジに関連する問題もまた、克服される。読み取り素子の製造方法もまた、提供される。
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磁気抵抗読み取りヘッドは、スペーサにより少なくとも一つのピン層から離間させた少なくとも一つのフリー層を有するスピンバルブを含む。ピン層は高抵抗性であり、ピン層の少なくとも一部に使用するＣｏ_{１００−ｘ}Ｆｅ_ｘ層を含む。随意選択的には、この材料は少なくともフリー層の一部に使用することもできる。ｘの値は、１０〜７５％±約１０％の各種値とすることができる。ピン層は単層或いは副層間にスペーサを有する合成多層構造である。抵抗率を増大させるべく、ピン層とフリー層のいずれか或いは両方の成膜期間中に酸素を導入する。
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Ｗ型フェライトの磁気特性、特に保磁力を向上する。
Ｓｒ、Ｂａ及びＦｅそれぞれの金属元素の総計の構成比率をＳｒ_(1-x)Ｂａ_xＦｅ²⁺_aＦｅ³⁺_bの式で表したとき、０．０３≦ｘ≦０．８０、１．１≦ａ≦２．４、１２．３≦ｂ≦１６．１である組成を有する酸化物からなるフェライト磁性材料は、高い保磁力（ＨｃＪ）及び残留磁束密度（Ｂｒ）を兼備することができる。このフェライト磁性材料は、フェライト焼結磁石、フェライト磁石粉末、樹脂中に分散されるフェライト磁石粉末としてボンド磁石、及び膜状の磁性相として磁気記録媒体のいずれかを構成することができる。フェライト焼結磁石の場合、平均結晶粒径が０．６μｍ以下と微細な焼結組織を得ることができる。 （もっと読む）

変調パルス波のパルス幅には１ｎｓｅｃ以下が要求されるが、従来用いられているＰＩＮダイオードでこのようなパルス幅の狭い変調パルス波を扱うことは困難である。一方、パルス波レーダー装置では、パルス幅の狭い変調パルス波を扱うと、わずかの内部伝搬遅延の誤差であっても測定した時間の誤差に大きく影響することとなる。このような課題を解決するために、パルス幅の狭い変調パルス波を出力するパルス変調器及びパルス幅の狭い変調パルス波を出力することのできるパルス波レーダー装置を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本願発明のパルス変調器及びパルス波レーダー装置は、パルス発生回路からのパルスを微分して幅の狭い微分波を発生させ、この微分波で発振回路からの発振波をスイッチングすることにより、パルス幅の狭い変調パルス波を出力するものである。 （もっと読む）

【課題】 放熱性が高く且つ電源配線のインピーダンスを効果的に低減可能な半導体ＩＣ内蔵基板を提供する。
【解決手段】 グランド層１３１と、電源層１３２と、配線層１３３と、グランド層１３１と電源層１３２との間に設けられた第１の樹脂層１１０と、グランド層１３１と配線層１３３との間に設けられた第２の樹脂層１２０と、第２の樹脂層１２０に埋め込まれるようにして裏面がグランド層１３１上に載置され、端子が配線層１３３に接続されたベアチップ状態の半導体ＩＣ１４０と、第１及び第２の樹脂層１１０，１２０を貫通して設けられたスルーホール電極１５１と、第２の樹脂層１２０を貫通して設けられたビアホール電極１５２とを備える。グランド層１３１及び電源層１３２は、いずれも半導体ＩＣ１４０が埋め込まれている領域及び少なくともその近傍のほぼ全面に形成されている。 （もっと読む）

効率良く、凹凸パターンの凹部を充填し表面を確実に平坦化することができる凹凸パターンの凹部充填方法及び凹凸パターンの磁気記録層を有し、表面が充分に平坦な磁気記録媒体を効率良く製造することができる磁気記録媒体の製造方法を提供する。凹凸パターンが形成された被加工体１０の表面に凹部３４を充填するための充填材３６を成膜し、更に充填材３６上に被覆材４２を成膜してから、充填材３６に対するエッチングレートよりも被覆材４２に対するエッチングレートが低いドライエッチング法により磁気記録層３２上の余剰の充填材３６及び被覆材４２を除去して平坦化する。 （もっと読む）