【課題】成形金型内にインサート部品を位置ずれが生じないように確実にセットできる成形金型、及びその成形金型を用いたテープカートリッジの製造方法を提供する。
【解決手段】この成形金型は、キャビティを構成する第１の面９４を有する固定側金型９１と、キャビティを第１の面とともに構成する第２の面を有する可動側金型と、キャビティ内で磁性材料からなるインサート部品３４を保持できるように固定側金型及び可動側金型の少なくとも一方に埋め込まれた磁石からなる保持部材９５と、を備える。インサート部品を磁石からなる保持部材により確実に保持することができ、インサート部品の位置ずれを防止できる。 （もっと読む）

本発明にかかる積層体ユニットは、シリコン単結晶によって形成された支持基板と、支持基板上に、酸化シリコンによって形成されたバリア層と、バリア層上に形成され、ｃ軸方向に配向されたビスマス層状化合物を含む誘電体材料よりなるバッファ層と、バッファ層上で、導電性材料をエピタキシャル成長させて形成され、ｃ軸方向に配向された電極層と、電極層上で、ビスマス層状化合物を含む誘電体材料をエピタキシャル成長させて形成され、ｃ軸方向に配向された誘電体層を備えている。
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【課題】高速記録が可能な書き換え型の光記録媒体の再生耐久性、クロスイレーズ特性及び記録感度を改善する。
【解決手段】記録層１４と、記録層１４から見て光入射面１７ａ側に設けられた第１誘電体層１５と、記録層１４から見て支持基板１１側に設けられた第２誘電体層１３と、第１誘電体層１５から見て光入射面１７ａ側に設けられた放熱層１６と、第２誘電体層１３から見て支持基板１１側に設けられた反射層１２とを備える。記録層１４は一般式（Ｓｂ_ｘＴｅ_１−ｘ）_１−ｙＭ_ｙ（Ｍはアンチモン（Ｓｂ）及びテルル（Ｔｅ）を除く少なくとも１つの元素）で表される材料を含み、第１誘電体層１５はＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物を含み、反射層１２は銀（Ａｇ）又はこれを主成分とする合金を含み、放熱層１６は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を主成分とする材料を含む。 （もっと読む）

【課題】積層面に垂直な方向に電流を流して出力を取り出すＭＲ読出しヘッド素子を有する薄膜磁気ヘッドにおいて、書込みヘッド素子から読出しヘッド素子へのクロストークを防止可能とする。
【解決手段】下部電極を兼用する下部シールド層及び上部電極を兼用する上部シールド層と、下部シールド層及び上部シールド層間に形成されており積層面に垂直な方向に電流を流して出力を取り出すＭＲ積層体とを有する読出しヘッド素子と、読出しヘッド素子上に積層された下部磁極層と、下部磁極層に磁気ギャップ層を挟んで対向する上部磁極層とを有する書込みヘッド素子と、下部磁極層及び上部磁極層のうちの読出しヘッド素子に近い側の磁極層にガード電位を供給するガード電位供給手段とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ＥＳＬを大幅に低減する。
【解決手段】誘電体素体内に、分割導体２１、２２、２３、内部導体２７、分割導体２４、２５、２６及び内部導体２８が、上から順に配置される。分割導体２１、２２、２３は、同一平面内において相互に並んで延びる形に分割されて、誘電体素体の相互に対向する二側面に出される。分割導体２４、２５、２６は、同一平面内において相互に並んで延びる形に分割されて、誘電体素体の相互に対向する二側面に交互であって、分割導体２１、２２、２３と逆に引き出される。６つの分割導体２１〜２６がそれぞれ引き出された相互に対向する二側面と異なる誘電体素体の相互に対向する二側面に、一対の内部導体２７、２８がそれぞれ引き出される。 （もっと読む）

【課題】各層間に導体を配した積層基板を用いることで、従来のサーマルヘッドよりも極端な小型化及び簡素化をおこなうこと
【解決手段】厚み方向に基材を積層し、該基材間に導体を設けてこれらを電気的に接続した積層基板２と、前記積層基板２の一面に設けた発熱体５と、前記積層基板２の他面に設けた前記発熱体５を駆動するドライバＩＣ３とを備える。 （もっと読む）

【課題】 Ｒ−Ｔ−Ｂ系合金とＲ−Ｔ系合金を用いる混合法において、その粉砕工程の１つである水素粉砕処理に際し、二種類の合金を特別な制御・設備なしに平均粒径数百μｍまで粗粉化することにより、粗粉砕工程を簡略化する。
【解決手段】 Ｒ₂Ｆｅ₁₄Ｂ化合物を主体とするＲ−Ｔ−Ｂ系合金ストリップＲおよびＴを主体とするＲ−Ｔ系合金インゴットを用意し、Ｒ−Ｔ−Ｂ系合金ストリップおよびＲ−Ｔ系合金インゴットに対して水素吸収・放出処理を施すことにより粗粉砕粉末を得る。この粗粉砕粉末を微粉砕して得られた微粉末を磁場中で成形し成形体を得る。この成形体を焼結し、さらに時効処理を施す。Ｒ−Ｔ系合金を鋳造法によるインゴットとしたため、水素吸収・放出処理による粉砕を可能とした。 （もっと読む）

【課題】小型、かつ、高性能で、面付けされる裏面パターンに対する制約が少なく、電気的特性の優れた積層モジュールを提供する。
【解決手段】構成層１０１〜１０９はハイブリッド材料を含む。能動素子ＭＭＩＣ１、ＭＭＩＣ２は積層基板１００の表面に配置されている。受動素子は積層基板１００の内部の導体パターン５０を含んでいる。外部接続端子及び接地用パターンＧＮＤは積層基板１００の裏面に設けられている。ブラインドビアホール３０は、積層基板１００の表裏面に設けられた導体パターンと、次層の導体パターンとの間を接続し、貫通ビアホール４０とともに、裏面の外部接続端子または接地用パターンＧＮＤに導通する。インナービアホール２０は積層基板１００の内部の導体パターン５０の間を接続する。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れ、半導体チップのオン抵抗増加による出力低下や効率低下を防止するのに有効であり、かつ、実装組立が容易であり、かつ、機械的強度に優れた電力増幅モジュール及びそのための基板を提供する。
【解決手段】基板１は、面内に孔７を有し、孔７の内面７２にメッキ膜７５が付着されている。熱伝導ブロック５は、基板１の孔７に組み合わされ、孔７の内面７２のメッキ膜７５に接合されている。半導体チップ３は、熱伝導ブロック５の表面に実装されている。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れ、半導体チップのオン低抗増加による出力低下や効率低下を防止するのに有効な電力増幅モジュール及びそのための基板を提供する。
【解決手段】基板７はサーマルビア５を含む。サーマルビア５は基板７の厚み方向に設けられ、内部に放熱体６を有する。放熱体６は、メッキ膜６１を含む。メッキ膜６１はサーマルビア５の内面に付着されている。半導体チップ２０は、サーマルビア５の形成領域において、基板７に搭載され、放熱体６に熱結合する。 （もっと読む）