【課題】 ノズルとノズルユニットの加工、組立てばらつきを吸収して、ステージとノズルとの距離を一定に調整することが可能な部品の製造方法及び部品製造装置を提供する。
【解決手段】 高さ設定ユニット４１と上下駆動ユニット２１との間に、ノズル３２を配置し、モータ２２を回転させて、高さ設定ユニット４１の一定高さを検知した時のモータ２２の駆動量を算出し、既知の上下駆動ユニット２１から高さ設定ユニット４１の一定高さまでの距離と、求めた上下移動ピン２４下端までの距離とから、その差をノズル３２の長さとして記憶させて、ステージ１６と上下駆動ユニット２１との距離、モータ２２の駆動量に対する上下移動ピン２４の下端の高さ位置、部品の高さ、及びノズル３２の長さを使用し、ノズル３２が部品の吸着位置に来るように上下移動ピン２４の上下移動量を設定する。 （もっと読む）

【課題】 オン抵抗を低減でき、リーク電流も抑制できる半導体装置。
【解決手段】 半導体装置は、所定間隔を隔てて略平行に配置される複数のトレンチ１と、これらトレンチ１の内部に絶縁層２を介して形成される複数のソース３と、トレンチ１の上部に形成されるソース金属層４と、隣接するトレンチ１の間に形成されるｎ-半導体領域５と、トレンチ１の下部に形成されるｎ型ドリフト層６と、ｎ型ドリフト層６の下部に形成されるｎ+基板７と、ｎ+基板７の下面に形成されるドレイン金属層８とを備えている。トレンチ１内のソース３はｐ型ポリシリコンで形成されている。ソース３はソース金属層４と接触している。ｎ-半導体領域５とソース金属層４とはショットキー接合されている。 （もっと読む）

【課題】 膜厚の異なるゲート酸化膜を有する構成でも、段差を解消できるようにする。
【解決手段】 シリコン基板２１にあらかじめ深さＤの凹部をＲＩＥ法で形成しておき、凹部を形成した部分に厚い膜厚ｄ１のゲート酸化膜２２を形成し、高い部分に薄い膜厚ｄ２のゲート酸化膜２３を形成する。これらのゲート酸化膜２２、２３の上面の高さは同じとなる。この上にゲート電極となる多結晶シリコン膜２４、２８、ＯＮＯ膜２９、多結晶シリコン膜３０、ＷＳｉ膜３１、シリコン窒化膜３２を形成した構成としている。トレンチ２５に埋め込むシリコン酸化膜２７の平坦化をＣＭＰ処理で行う際に、段差がないので加工精度を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】 データの破壊を効果的に防止する。
【解決手段】 一対のメモリセルＭＣＬ、ＭＣＲのドレイン拡散領域１４、ソース拡散領域１５にシリサイド層１８が埋め込まれ、シリサイド層１８の底面はシリコン酸化膜１１まで達している。 （もっと読む）

【課題】 ＳＯＩ基板を用いてより高性能なＭＩＳＦＥＴを実現する。
【解決手段】 ＳＯＩ基板を用いた半導体装置であって、第１の絶縁膜１１上に形成された第１の半導体層１２と、第１の半導体層１２の主面上の一部に第２の絶縁膜１３を介して形成された、第１の半導体層１２とは面方位が異なる第２の半導体層１４と、第１の半導体層１２の主面に形成された第１導電型のＭＩＳＦＥＴと、第２の半導体層１４の主面に形成された第２導電型のＭＩＳＦＥＴとを備えた。 （もっと読む）

【課題】 トンネル絶縁膜を欠陥が生成されにくい高品質な絶縁膜にすることができ、書き込み・消去電圧を低減して、素子特性や信頼性の向上をはかる。
【解決手段】 第１導電型の半導体基板１１の主面上に第１のゲート絶縁膜１３を介して選択的に形成されたフローティングゲート電極１４と、フローティングゲート電極１４上に第２のゲート絶縁膜１５を介して形成されたコントロールゲート電極１６と、各ゲート電極に対応して基板１１の主面に形成された第２導電型のソース・ドレイン領域１８とを具備してなる不揮発性半導体メモリ装置であって、第１のゲート絶縁膜１３は、シリコン窒化膜１３ａをシリコン酸化膜１３ｂ，１３ｃで挟んで形成された３層構造であり、且つシリコン窒化膜１３ａは三配位の窒素結合となっている。 （もっと読む）

【課題】 従来に較べて発電効率を高めることができ、高効率化を図ることのできる熱電変換モジュール及び熱電変換モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】 熱電変換モジュール１には、絶縁性の固定部材２が設けられ、この絶縁性の固定部材２によって、多数のｎ型熱電変換素子３とｐ型熱電変換素子４が、所定位置に固定されている。ｎ型熱電変換素子３とｐ型熱電変換素子４の上下には、夫々電極５が形成され、ｎ型熱電変換素子３とｐ型熱電変換素子４が電気的に直列に接続されている。電極５は、絶縁性の固定部材２の表面より突出するように配置されており、隣接する電極５と電極５との間には、空隙部６が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、統計モデルを適用することにより、合わせずれ補正値を予測し、実際の露光工程での合わせずれ精度を向上させることを目的とする。
【解決手段】 既存のデータから第１の合わせずれ値（最適合わせずれ値）を算出する算出手段（Ｓ１３）と、算出された前記第１の合わせずれ値を統計モデルによって計算処理し、露光処理工程で用いる第２の合わせずれ補正値（本ロットに使用する合わせずれ値）を予測する予測手段（Ｓ１４）と、予測した前記第２の合わせずれ補正値用いて、前記露光処理工程を実行する露光処理手段（Ｓ１６）とを有する露光方法。 （もっと読む）

【課題】 バイポーラトランジスタの高速動作を可能にする。
【解決手段】 半導体基板２に設けられた第１導電型のコレクタ領域と、コレクタ領域上に設けられた第２導電型のエピタキシャル層を含む第２導電型のベース層１６と、ベース層の表面領域に設けられた第１導電型のエミッタ領域２８と、半導体基板上にベース層の側面を覆うように設けられベース層と同層であってかつベース層の膜厚の２乃至６倍の膜厚を有するベース引き出し電極２０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】基板表面乾燥後に、パーティクルが基板表面に付着することを抑制し、歩留まりの向上を図る。
【解決手段】基板１０に薬液を供給して基板１０の被処理領域Ｒを薬液処理する基板処理方法であって、前記薬液を吐出する吐出口と前記基板上の溶液を吸引する吸引口とが下面に配置された薬液吐出／吸引ヘッド７０を被処理領域Ｒ上に配置する、前記薬液吐出／吸引ヘッド７０の吐出口から薬液を前記基板１０に対して連続的に吐出する、前記吐出時に前記吸引口にて基板１０上の前記溶液を連続的に吸引する、前記吸引時に、前記吸引部から吸引された前記溶液中に含まれるパーティクル数を測定する、前記被処理領域Ｒで吸引された溶液に含まれるパーティクル数の測定値が所定値以下の場合に前記薬液の吐出を停止する。 （もっと読む）