【課題】 メモリテストの時間を短縮するメモリテスト回路およびメモリテスト方法を提供する。
【解決手段】 期待値データを生成するデータ生成器１０と、複数のメモリ２１ａ〜２１ｃからメモリ読み出しデータが並列転送可能なようにそれぞれ接続されたキャプチャレジスタ２２ａ〜２２ｃと、複数のキャプチャレジスタの出力と期待値データとを複数のキャプチャレジスタ毎に比較する比較回路２３ａ〜２３ｃと、複数の比較回路の中で不一致を検出した比較回路を識別する識別回路２５と、不一致を検出されたメモリからのメモリ読み出しデータとメモリを識別するメモリ識別情報を記憶する読出レジスタ２６と、不一致を検出されたメモリ読み出しデータとメモリ識別情報をシリアルに読み出し、不一致を検出されたメモリのアクセス情報に対応させてシリアルに出力する出力レジスタ１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】扱うストリームについて多数のバリエーションに対応しつつ、装置の構成を相対的に軽くできるようにする。
【解決手段】録再可能光ディスクは管理領域とデータ領域を持ち、このデータ領域はデジタルストリーム信号のデータが１以上のオブジェクトに分かれて記録される。また、前記管理領域は所定の管理情報（ＨＤＶＲ＿ＭＧ）を記録するように構成され、前記管理情報内にオブジェクト管理情報と再生順管理情報（ＥＸ＿ＯＲＧ＿ＰＧＣＩ／ＥＸ＿ＵＤ＿ＰＧＣＩ）を持つ。この構成において、前記管理領域が、前記再生順管理情報とは別にマーカー（エントリポイント）情報（ＨＤＶＲ＿ＭＧ内の管理情報配置の末尾にあるＥＰＩＴ）を持つように構成される。 （もっと読む）

【課題】レーザ光のフォーカス位置がどの複数の記録層にあるかを、フォーカスドライブ信号とフォーカスエラー信号の変化（履歴）により判断する光ディスク装置を提供する。
【解決手段】 複数の記録層Ｌ０，Ｌ１をもつ光ディスクに、レーザ光を照射し読取信号を出力するピックアップ部１５と、読取信号からフォーカスエラー信号を出力するＲＦアンプ部１２と、フォーカスドライブ信号とフォーカスエラー信号とに基づいてレーザ光のフォーカスを合わせるフォーカス制御部３７，２１と、フォーカスドライブ信号とフォーカスエラー信号との変化を履歴情報として保持する保持部５３と、検出したフォーカスエラー信号とフォーカスドライブ信号と履歴情報とに基づきフォーカス位置が光ディスクの複数の記録層の内のどこにあるかを判定する判定部３６とをもつ光ディスク装置。 （もっと読む）

【課題】 外部クロック信号と独立に遅延時間を設定し、クロックサイクル時間の長さに起因するＲＡＳリストア動作に割り当てられる時間の増大を抑制する同期型半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】 外部クロック信号を用いて設定される第１の遅延時間後に出力信号が変化する同期タイマ回路１０と、外部クロック信号と独立に設定される第２の遅延時間後に出力信号が変化する遅延回路２０と、同期タイマ回路１０の出力信号及び遅延回路２０の出力信号のどちらかの変化を検出した場合に、切り替え信号を出力する出力検出回路３０と、切り替え信号に制御され、アクセス動作からプリチャージ動作に切り替わるメモリコア９とを備える。 （もっと読む）

【課題】従来の組立て手法を変更することなく整流板を組み込み可能なディスク駆動装置を提供する。
【解決手段】 ケース１０内に設けられたモータ１８により複数枚のディスク１６ａ、１６ｂが支持され回転される。ケース内に整流部材６０が設けられている。整流部材は、複数枚のディスク間に配置されディスクの表面と隙間を置いて対向した整流板６２と、ディスクの外側で整流板から延出し、ケースの底壁およびカバー間に挟持されて整流板を支持した複数の支持部６４と、を有している。 （もっと読む）

【課題】ＰＳＲＡＭ等において、データ保持特性の劣化とアクセススピードの劣化を抑制し、バースト期間中におけるＥＣＣ動作回数を最小限に減らし、消費電力を減らす。
【解決手段】ノーマルデータ部１ａ及びパリティデータ部１ｂを備えたメモリセルアレイ１と、バーストレングスをカウントするバーストカウンタ４と、バーストデータ読み出し時にはリードレイテンシ中にエラー検知訂正動作を行い、バーストデータ書き込み時の前半には、リードレイテンシ中にバーストデータ読み出し時と同様にエラー検知訂正動作を行うエラー検知訂正回路３と、バーストデータ書き込み時のリードレイテンシ経過以後、予めエラー検知訂正されたデータを書き込みデータにしたがってバーストレングスのカウント毎に順次書き換え、バーストレングスのカウント終了後に書き換え後のデータに対してエラー検知訂正動作を行わせるように制御するバースト書き込み制御回路２０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 データ保持回路が保持するデータ状態をコマンド入力により外部に出力可能とした不揮発性半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】 不揮発性半導体記憶装置は、電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルが配列されたメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイの読み出し又は書き込みデータを保持するデータ保持回路と、前記データ保持回路に接続されてデータ保持回路が保持するデータの“０”又は“１”のビット数を検出するデータビット検出回路と、データ書き込み、消去及び読み出しの制御を行うと共に、前記データビット検出回路により検出されたビット数データが転送保持されるデータビットレジスタを備えて、コマンド入力により前記データビットレジスタが保持するビット数データを入出力端子に出力する内部コントローラと、を有する。
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【課題】情報記録再生装置により情報記録媒体に記録された情報を再生したとき、製造元又は販売元が異なる情報記録再生装置毎に、機能の差別化及び独自性を出させることが可能なように、情報記録媒体に情報を記録しておく情報記録方法を提供すること。
【解決手段】所定の情報再生装置で再生可能な共通情報（２００１）を記録し、所定の情報再生装置の中の特定の情報再生装置で再生可能な特定情報（２００２）を記録し、共通情報と特定情報との関係を示すリンク情報（２００３）を記録する。 （もっと読む）

【課題】高い真空度を維持することができ、信頼性の向上化を得る平面型の画像表示装置と、この画像表示装置を製造する製造方法を提供する。
【解決手段】隙間を存して対向配置された２枚のガラス基板１１、１２と、これらガラス基板の所定位置を封着し、２枚のガラス基板間に密閉空間を規定した封着部３３とを備え、上記封着部は、所定位置に沿って充填された低融点金属材３２と、ガラス基板表面と低融点金属材との間に設けられ、フリットガラスと、５００℃以下の温度において溶融する、低融点金属材に対する溶解度が１０％未満の金属粉末材で形成された金属層３１ａ、３１ｂとを有している。 （もっと読む）

【課題】電子源側と蛍光面側との間で放電が生じても、放電電流のピーク値を抑止でき、しかも生産性の高い画像表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】この発明のＦＥＤ１において、蛍光面３１の蛍光体層３２，３３，３４を区画する遮光壁３５は、メタルバック層向け金属層３６およびゲッタ層向け金属層３７を、少なくとも電気抵抗が所定の大きさよりも大きくなるような非連続領域を提供可能な凹凸を、蛍光面を支持するガラス基材３０と接していない側の端部に有する。遮光層の高さすなわち厚さは、第２基板の面方向の少なくとも一部の領域において、蛍光体領域の厚さと金属層の厚さとガス吸着材層の厚さの合計の厚さと等しいか第２基板の高さに対して所定の高さに規定される。 （もっと読む）