【課題】圧電単結晶の伝搬基板を用いた弾性表面波素子の周波数の温度係数を低減することである。
【解決手段】弾性表面波素子は、支持基板１、圧電単結晶基板３Ａ、支持基板１と圧電単結晶からなる伝搬基板３とを接着する厚さ０．１μｍ〜１．０μｍの有機接着剤層２、および伝搬基板３Ａ上に設けられた弾性表面波フィルタを備える。 （もっと読む）

【課題】内燃機関から放出される有害物質、特に炭化水素を、始動時においても効果的に浄化することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明のプラズマ処理装置１は、被浄化ガスの導入口及び浄化ガスの排出口が形成された本体部１０と、本体部１０の内部空間に、隔壁によってガスの流路となる複数のセルが区画形成された絶縁体ハニカム１１と、絶縁体ハニカム１１に熱伝達可能に配置された導電体ハニカム１２と、導電体ハニカム１２と対向するように配置されて導電体ハニカム１２と一対の電極を形成する放電電極１３と、一対の電極に対してパルス電圧を印加するパルス電源と、を備える。パルス電圧の印加によりプラズマを発生させ、その熱を利用して絶縁体ハニカム１１における被浄化ガスの浄化を促進させる。 （もっと読む）

【課題】小型で測定誤差が小さく、安価に製造することが可能な粒子状物質検出装置を提供する。
【解決手段】一方の端部に二以上の貫通孔２が形成された一方向に長い検出装置本体１と、貫通孔２を形成する壁の内部に埋設され、誘電体で覆われた少なくとも一対の電極１１，１２とを備え、前記貫通孔内に流入する流体に含有される荷電された粒子状物質、又は、前記一対の電極に電圧を印加することにより前記貫通孔内に生じる放電により荷電された、前記貫通孔内に流入する流体に含有される粒子状物質を、貫通孔２の壁面に電気的に吸着させることが可能であり、貫通孔２を形成する壁の電気的な特性の変化を測定することにより貫通孔２の壁面に吸着された粒子状物質を検出することが可能な粒子状物質検出装置１００。 （もっと読む）

【課題】耐熱衝撃性に優れるハニカム構造体を提供する。
【解決手段】流体の流路となる一方の端面６から他方の端面７まで延びる複数のセル１を区画形成する隔壁を有し、セルの延びる方向に沿って延びるとともに少なくとも片側の端面に到達していない複数のスリット２により複数の部分セグメント３が区画形成されたハニカム構造部４と、スリット２に充填材が充填されて形成された緩衝部５とを備えたハニカム構造体１００。好ましくは、ハニカム構造部４が、一方の端面６からセルの延びる方向に沿って延びるとともに他方の端面７に到達していない複数のスリット２により、複数の部分セグメント３が区画形成されたものであるハニカム構造体１００。 （もっと読む）

【課題】インジウムを含有するIII族窒化物の膜の表面にインジウムを含有するパーティクルが付着することを抑制することができるエピタキシャル基板の製造方法及び気相成長装置を提供する。
【解決手段】障壁層を形成した後に、パーティクル抑制処理を行う（ステップＳ１０６）。パーティクル抑制処理は、ＴＭＩの供給を停止した後に、ＴＭＩ以外の原料（ＴＭＩ以外のIII族元素の原料及びアンモニアガス）及び窒素ガスの供給を継続することにより行う。又は、ＴＭＩ及びＴＭＩ以外のIII族元素の原料の供給を停止した後に、基板の加熱を継続しながらアンモニアガス及び窒素ガスの供給を継続することにより行ってもよい。ＴＭＩ、ＴＭＩ以外のIII族元素の原料及び窒素ガスの供給を停止し水素ガスの供給を開始した後にアンモニアガスの供給を継続することにより行ってもよい。 （もっと読む）

【課題】セラミック成形体の加熱圧着時において、導体成形体の位置の変化を抑制して、分布定数回路部品の特性のばらつきを抑える。
【解決手段】第１セラミック積層体１０Ａは、導体成形体１２を有する第１セラミック成形体１４と第２セラミック成形体１６とが積層されて構成されている。第１セラミック成形体１４は、熱硬化性樹脂前駆体とセラミック粉末と溶剤とが混合された第１スラリー１８を、導体成形体１２を被覆するように塗布した後に硬化することによって得られる。熱硬化性樹脂としては、例えばポリウレタン樹脂を使用することができる。第２セラミック成形体１６は、熱可塑性樹脂とセラミック粉末と溶剤とが混合された第２スラリー２０を硬化することによって得られる。熱硬化性樹脂としては、例えばポリオレフィン樹脂を使用することができる。 （もっと読む）

【課題】小型の装置で複数枚の板状基材に同時に良好な特性を持つＤＬＣ膜を生成する。
【解決手段】ＤＬＣ膜量産装置１０は、チャンバ１２がアースに接地されている。このチャンバ１２内に各板状基材６０に対向する対向電極を配置することなく、複数枚の板状基材６０を平行に等間隔に並べて配置する。そして、プラズマ放電によるスパッタリングクリーニングや下地密着層を各板状基材６０に形成したあと、チャンバ１２の内圧が０．１〜１０Ｐａになるようにチャンバ１２内に炭素源ガスを導入すると共に各板状基材６０に一斉にパルス半値幅が０．１〜３μｓｅｃの直流パルスの負電圧を印加することにより、プラズマを発生させて各板状基材６０上にＤＬＣ膜を生成させる。 （もっと読む）

【課題】面内膜厚分布が生じにくく装置の小型化が可能なシリコン系薄膜量産装置を提供する。
【解決手段】シリコン系薄膜量産装置１０では、複数の対向電極１６の各々に隙間をもって平行に対向するように各透明電極６２を配置し、チャンバ１２にシリコン系薄膜の原料ガスを導入すると共に各対向電極１６に順次又は一斉に直流パルス電圧を印加することにより、プラズマを発生させて各透明電極６２にシリコン系薄膜を生成する。このように直流パルス電圧を印加して放電させる方式であるため、高周波を断続的に印加して放電させる方式のように高周波プラズマ密度分布が生じることがなく、面内膜厚分布が生じにくい。また、直流パルス電圧は急峻に立ち上がることからオン期間を短くすることができ、その結果、シースは定常状態に至る前の過渡状態で止まり厚みが薄くなるため、対向電極１６と透明電極６２との間隔を狭くすることができ、装置の小型化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】基板保持体表面の温度分布を抑制し、高い均熱性を得ることができる基板保持体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】上面に基板を載置するセラミックス焼結体からなる基体１１と、基体１１中に埋設された発熱体１３と、基板を冷却する冷却板２０と、基体１１と冷却板２０との間に配置された熱伝導率の分布を変化させた接合膜３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】１ｋＰａより高い圧力下でシリコン系薄膜を成膜する際に電極間隔を広げることと膜厚を面内で均一にすることとを両立する。
【解決手段】シリコン系薄膜成膜装置１０では、複数の対向電極１６の各々に隙間をもって対向するように各透明電極６２を配置する。続いて、ガス噴射口１４ａから原料ガスを支持電極１８に向かって噴射すると共にガス噴射口１５ａから同方向にバリアガスを噴射しつつガス排出口１３から排気してチャンバ１２内の圧力を１ｋＰａを超える圧力に調節する。次いで、各対向電極１６に直流パルス電圧を印加し、シリコン系薄膜を成膜する。このように直流パルス電圧を印加して放電させる方式であるため、電極間隔を広げた状態においてもプラズマを効率よく生成できると共に膜厚の面内分布も改善できる。また、原料ガスの外側にバリアガスを噴射することにより、原料ガスにキャリアガスを混合する場合にはキャリアガスの流量を低減できる。 （もっと読む）