【課題】フラックス法において、高品質な高電子濃度のｎ型半導体結晶を製造できるようにすること。
【解決手段】少なくとも III族元素をフラックスを用いて溶融させて溶液とし、この溶液に窒素を含むガスを供給し、この溶液から種結晶上に、 III族窒化物系化合物半導体からなる半導体結晶を育成させるフラックス法による III族窒化物系化合物半導体の製造方法である。炭素と、ゲルマニウムを溶液中に溶解して、半導体結晶にゲルマニウムをドナーとして取り込むことにより、ｎ型の半導体結晶を得る。ガリウムに対するゲルマニウムのモル比を０．０５ｍｏｌ％以上、０．５ｍｏｌ％以下であり、炭素のナトリウムに対するモル比を０．１ ｍｏｌ％以上、３．０ｍｏｌ％以下とした。 （もっと読む）

【課題】薄肉輪状部材を、確実に、所望の位置に配設し得て、薄肉輪状部材を含む部品の組立の自動化に適合する手段を提供すること。
【解決手段】内周に６つの突起２を備える薄肉輪状部材（接合材１）の提供による。 （もっと読む）

【課題】板状のワークを正確な速度で移動させながら、特定の雰囲気中で加熱処理することができ、サイズアップが容易で、省エネルギー性に優れた加熱炉を提供する。
【解決手段】炉体１の入口側に搬送用フィルム５の払い出し用ロール３を、また炉体１の出口側に搬送用フィルム５の巻き取り用ロール４をそれぞれ配置し、搬送用フィルム５を炉体１の長手方向に移動させながらその上に置かれたワークＷを加熱する。この炉体１の内部には搬送用フィルム５の下面に向かってガスを噴出し、搬送用フィルム５を浮上させるガスチャンバ６を設置しておくことが好ましく、これによって摩擦抵抗のない状態で移動させることができる。さらに炉体の入口と出口にそれぞれ排気型雰囲気調整器１１，１２を設けておけば、外気の進入を確実に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】少なくとも一対の光変調部における各直流バイアスを制御するのに際して、一方の光変調部のバイアス点を制御している間に、他方の光変調部に印加される直流バイアスの悪影響を防止することで、正確な制御を可能とすることである。
【解決手段】電気光学効果を有する基板と、基板上に形成された光導波路４と、光導波路に対して変調信号を印加することで光波を変調するための並列に配列された少なくとも一対の光変調部２Ａ、１Ｂと、一対の光変調部２Ａ、２Ｂで変調された光波を合波する合波部を設ける。一対の光変調部２Ａ、２Ｂにおける各直流バイアスを制御する。一方の光変調部２Ａに印加される直流バイアスを変化させ、他方の光変調部２Ｂに低周波信号を重畳することで、合波後の光波の光量変化を検出する。この検出された光量変化に基づき、一方の光変調部２Ａの直流バイアスを制御する。 （もっと読む）

【課題】吸着特性と均熱性と耐絶縁破壊特性に優れるヒータ付き静電チャックの提供。
【解決手段】アルミナを含む焼結体からなる基体２と、基体２中の上部側に設けられたESC電極３と、基体中の下部側に埋設された抵抗発熱体４とを備えているヒータ付き静電チャック１の基体２は、ESC電極３から基体２の上面２ａまでの誘電体層２１と、ESC電極３から基体２の下面２ｂまでの支持部材２２とから構成されている。支持部材２２は、誘電体層２１と接するESC電極近傍領域２２ａと、このESC電極近傍領域２２ａよりも下方の下方領域２２ｂとで炭素含有量が相違し、誘電体層２１中の炭素含有量が１００ｗｔｐｐｍ以下、ESC電極近傍領域２２ａの炭素含有量が、０．１３ｗｔ％以下、下方領域２２ｂの炭素含有量が０．０３ｗｔ％以上であり、このESC電極近傍領域の炭素含有量が下方領域の炭素含有量よりも小さい。抵抗発熱体４はニオブ又は白金を含む。 （もっと読む）

【課題】高い均熱性を有するセラミックスヒータを提供する。
【解決手段】上面に基板を載置するセラミックス基体１１と、セラミックス基体１１に埋設された発熱体１２と、発熱体１２に巻きつけた犠牲コイルが焼成により炭化もしくは酸化した反応層１３を備える。 （もっと読む）

【課題】所定位置への基板（ワーク）の高精度な位置決めが可能なスクリーン印刷装置を提供する。
【解決手段】スクリーンを保持するフレーム３４と、印刷ステージとを備えたスクリーン印刷装置である。フレーム３４は、ベースフレーム３０と、Ｘフレーム３１と、Ｙフレーム３２と、θフレーム３３とが積層されてなるものであり、複数箇所に配設される円板状のカム３５と、Ｘ、Ｙ、及びθフレーム３１，３２，３３のそれぞれに接続するとともに、それぞれのカム３５の外周面上に当接して配設された、カム３５の回転を受動してＸ、Ｙ、及びθフレーム３１，３２，３３のそれぞれに伝達する伝達部とを含んでなる、印刷ステージ上に位置決めされて固定・載置されるワークに対する、フレーム３４の相対位置の調整を行うフレーム位置調整手段を更に備えている。 （もっと読む）

【課題】良好に低音を再生可能な圧電スピーカーを提供すること。
【解決手段】隔壁を挟んで一対となって配設される内部電極５ａ，５ｂのうち内部電極５ｂが複数の部分に分かれているハニカム型圧電／電歪素子１００をスピーカとして利用する。 （もっと読む）

【課題】性能の高い熱電半導体材料を高い歩留りで得ることが可能な熱電半導体材料の製造方法を提供する。
【解決手段】熱電半導体の原材料からなり、比重が５以上のインゴットを粉砕して、原材料の特定の結晶面を表面に有する板状の板状粉砕粒子を得る板状粉砕粒子作製工程Ｓ１と、得られた板状粉砕粒子と、バインダーと、分散媒とを混合して、板状粉砕粒子の体積割合が３０体積％以上となるスラリーを調製するスラリー調製工程Ｓ２と、得られたスラリーを、テープ状に成形して成形体を得る成形工程Ｓ３と、得られた成形体を、不活性雰囲気で熱処理して、脱脂体を得る脱脂工程Ｓ４と、得られた脱脂体を還元処理して脱脂還元体を得る還元工程Ｓ５と、得られた脱脂還元体を焼結して焼結体を得る焼結工程Ｓ６と、得られた焼結体を切断加工して熱電半導体材料を得る切断加工工程Ｓ７と、を含む熱電半導体材料の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】ひび割れの進展、および接着剤層の水分移動を極力抑制して、以て接着剤層の接着強度の向上を図る。
【解決手段】隔壁により仕切られ軸方向に貫通する多数の流通孔を有する多孔質ハニカムセグメント２が、接着剤層３を介して複数個結束されて構成されるセラミックハニカム構造体１であって、接着剤層３には、該接着剤層３を挟んで対向する２個のハニカムセグメント２、２の各被接着面２ａ、２ｂのいずれかに固設された突起部４が複数個埋設されている。接着剤層３に生じたひび割れは、突起部４に突き当たることによってその進展が阻まれるので、大きな割れ目に成長するのを未然に防ぐ。 （もっと読む）