説明

日立電線株式会社により出願された特許

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【課題】多チャンネル化に対応し、送信側回路基板と受信側回路基板からなり、小型化できる光電気変換モジュールを提供する。
【解決手段】光電気変換モジュール1は、電気信号を光信号に変換する送信側光電変換部2と、送信側光電変換部2が一の側辺側に偏らせて配置されて一端に取り付けられた送信側回路基板4と、光信号を電気信号に変換する受信側光電変換部3と、受信側光電変換部が一の側辺側に偏らせて配置されて一端に取り付けられた受信側回路基板5とを備え、送信側回路基板4の送信側光電変換部2を配置した表面と、受信側回路基板5の受信側光電変換部3を配置した表面とを向かい合わせて配置して構成される。 (もっと読む)


【課題】 従来よりも低温かつ短時間の焼結プロセスで、つまり高い生産能率を以て、焼結可能であり、かつその焼結によって十分な導電性を発現し得る特性を備えた、複合金属微粒子材料、およびそれを焼結してなる金属膜、プリント配線板、電線ケーブル、ならびにその金属膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の複合金属微粒子材料は、銀(Ag)化合物、溶媒、還元剤、および分散剤を用いて合成された球状の銀(Ag)ナノ粒子と、非球状の金属微粒子からなる導電性フィラーとを混合してなることを特徴としている。また、本発明の金属膜は、上記の複合金属微粒子材料を300℃以下のような低温かつ10分間以下のような短時間で焼結してなることを特徴としている。また、本発明の金属膜の製造方法は、上記の複合金属微粒子材料を300℃以下のような低温かつ10分間以下のような短時間で焼結する工程を含んだ金属膜の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】 従来、送受信するパケット量を増加させても、必要なメモリ容量が増加させず低コストとし、メモリ帯域の消費量が増加しないで、オフローダの性能を向上させること。
【解決手段】 端末801が前記パケット処理装置800に向けてパケットAの後にパケットBを送信し、パケットAの蓄積をせず、パケットBの到着順がパケットAよりも先になった場合のみ、パケットBを蓄積する受信バッファ809を備え、パケットAの処理終了時に、パケットBが受信バッファ809に蓄積されている場合に、パケットBを読み出すことで、受信バッファ809に読み書きするパケットを到着順に誤りのあるパケットに限定し、受信バッファへのパケットデータの読み書き回数を削減しつつ、端末が送信した順番にパケットの到着順を揃える。 (もっと読む)


【課題】半導体チップの接続パッド等への良好な接合性を維持でき、且つ金めっき層の薄膜化が図れる半導体装置用テープキャリア及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性のフィルム1上に銅配線2が形成され、前記銅配線2は半導体チップの接続パッドへと押し曲げられて接合されるインナーリードを有する半導体装置用テープキャリアにおいて、前記銅配線2の表面に金めっき層3が形成され、前記金めっき層3の表面に銅よりも耐酸化性に優れた被覆めっき層4が形成されている。 (もっと読む)


【課題】多チャンネル化に対応し、送信側回路基板と受信側回路基板を所定の間隔とすることができる光電気変換モジュールを提供する。
【解決手段】光電気変換モジュール1は、電気信号を光信号に変換する送信側光電変換部2と、送信側光電変換部2が取り付けられ、位置決め用孔16aが形成された送信側回路基板4と、光信号を電気信号に変換する受信側光電変換部3と、受信側光電変換部3が取り付けられ、位置決め用孔16bが形成された受信側回路基板5と、一方の面が送信側回路基板4と接し他方の面が受信側回路基板5と接する支持台71と、支持台71の一方の面から突出し送信側回路基板4の位置決め用孔16aに通される第1の位置決め用ピン15と、支持台71の他方の面から突出し受信側回路基板5の位置決め用孔16bに通される第2の位置決め用ピン15を備えるスペーサ10とを備えることを特徴とする光電気変換モジュール。 (もっと読む)


【課題】帯状ワークを十分に平坦化することができ、上流側の表面処理装置の振動の影響を受けることのない外観検査装置を提供する。
【解決手段】外観検査装置30において、帯状ワーク1に送出方向と直交する方向へ張力を加える第1張力印加部32と、帯状ワーク1に送出方向へ張力を加える第2張力印加部33と、第1張力印加部32及び第2張力印加部33により張力が加えられた帯状ワーク1を平坦化する平坦化部34と、平坦化部34にて平坦化された帯状ワーク1の所定区間の画像を取得して表面処理状態を検査する表面状態検査部35と、表面処理装置20による振動が発生した際に、表面状態検査部35により画像の取得を禁止する画像取得禁止部とを備える。 (もっと読む)


【課題】窒化物半導体単結晶の破壊の原因になる亀裂(クラック)が生じにくい窒化物半導体自立基板、窒化物半導体自立基板の製造方法、及び窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】直径が40mm以上、厚さが100μm以上の窒化物半導体単結晶を準備しS10,S20、前記窒化物半導体単結晶の表面と、裏面と、側面との全体を保護膜で被覆して被覆基板を形成するS30。前記被覆基板を1300℃より高い温度下において20時間以上の熱処理S40を施した後、前記被覆基板から前記保護膜を除去して窒化物半導体自立基板を形成するS50。これにより、直径が40mm以上、厚さが100μm以上であり、転位密度が5×10/cm以下であり、不純物濃度が4×1019/cm以下であり、最大荷重が1mN以上50mN以下の範囲内におけるナノインデンテーション硬さが19.0GPa以上である窒化物半導体自立基板。 (もっと読む)


【課題】フェルールの一端面の所定位置に光ファイバの端面を容易、かつ再現性良く配置することができる光ファイバ接続部品及びそれを用いた光モジュールを提供する。
【解決手段】光ファイバをガイドするガイド穴4は、フェルール3の一端側に形成され、光ファイバをフェルール3の内部へ挿入させる光ファイバ挿入穴6と、フェルール3の他端側に形成され、光ファイバ挿入穴6よりも小さい内径を有する、フェルール3の他端側の端面2にて光を入出射させるための光入出射穴5と、光ファイバ挿入穴6と光入出射穴5との間に配置され、光入出射穴5に向かうにつれて、その内径が徐々に小さくなるように形状が変化すると共に、光ファイバ挿入穴6と光入出射穴5とを連通させる形状変化穴7と、からなり、形状変化穴7は、光入出射穴5の中心軸が光ファイバ挿入穴6の中心軸に対して光ファイバを拘束させる方向にずれて位置するように、形状が変化している。 (もっと読む)


【課題】差動伝送ケーブルに簡単な加工を施すことで実現でき、しかも、空間的配置に制約がない差動ケーブルアセンブリを提供する。
【解決手段】互いに絶縁された二つの内導体2が一括に外導体3で覆われて差動伝送ケーブル4が形成され、前記差動伝送ケーブル4の二つの内導体2にそれぞれ金属導体5が接続され、前記外導体3に板状金属導体6が接続され、前記二つの金属導体5がダイポールアンテナを構成し、前記二つの金属導体5の長さが前記差動伝送ケーブル4を伝送される高周波信号の1/4波長であり、前記二つの金属導体5と前記板状金属導体6との間隔dは、前記二つの金属導体5が構成するダイポールアンテナの入力インピーダンスと前記差動伝送ケーブル4の差動インピーダンスとが整合されるよう最適化されている。 (もっと読む)


【課題】熱交換効率を向上することができると共に、外管の厚さが薄い伝熱管、当該伝熱管を備える空気調和機、及び伝熱管の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る伝熱管1は、銅又は銅合金から形成される第1金属管10と、第1金属管10の外部に配置され、銅又は銅合金から形成される第2金属管20と、第1金属管10と第2金属管20との間に設けられるフィン12とを備え、第1金属管10は、第1の冷媒の流通経路であり、第1金属管10の外側と第2金属管20の内側との間は、第1の冷媒の圧力よりも低い圧力の第2の冷媒の流通経路であり、フィン12、第1金属管10の外側と第2金属管20の内側とに接触して設けられる。 (もっと読む)


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