【課題】 特に、荷電粒子透過孔である開孔部内での応力集中を防止して、高い機械的強度を有するようにステンシルマスクを構成すると共に、このステンシルマスクの作製方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１０ａ、１０ｂ、１０ｃに複数の開孔部２を形成して構成されるステンシルマスク１であって、この開孔部を構成する側壁のうち、相互に隣接する各側壁が交わる角部２１ｂを曲面とする。 （もっと読む）

【課題】 電子放出特性のばらつきを抑制することができる冷陰極素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の冷陰極素子の製造方法は、フッ化されたフォトレジスト層１６の表面を所定寸法だけ溶解又は除去して親水化する工程と、界面活性剤が添加されたエッチング液に浸しながら負圧状態にし、フォトレジスト層１６の表面に生じた撥水性を弱める工程とを含み、ウエットエッチングを行う際に絶縁層１３に形成された穴の中にエッチング液が入りやすくなるようにした。 （もっと読む）

【課題】
金属層に腐食が発生しないエンコーダ部品を提供する。
【解決手段】
第一、第二の金属層１１、１２の間に電喰防止層１３を配置し、第二の金属層１２の表面に低反射層１４を配置する。溝２３の底面に第一の金属層１１を露出させて反射層とすると、エンコーダ部品１が得られる。異なる金属層１１、１２が接触しておらず、電喰が防止できる。電喰防止層１３と第二の金属層１２と低反射層１４はスパッタリング法によって形成することができる。 （もっと読む）

【課題】
アライメントマークを用いずに位置合わせを行なう基板露光装置における位置合わせ方法及びこの方法を用いたマスクの製作方法を提供する。
【解決手段】
本発明による方法は、露光装置に基板を取り付け後、基板の外周上の点を測定することで基板の位置と傾きを計算し露光パターン及びマスクの位置と傾きを修正し、基板上の任意の位置に露光する。上記の方法を用いて、基板上に事前に露光されたパターンの位置に合わせて、重ね合わせ露光するパターン及びマスクの位置と傾きを修正し、重ね合わせ露光する。さらに、重ね合わせ露光において、基板両面で重ね合わせ露光を行う。 （もっと読む）

【課題】
ディスプレイ技術の進展に伴う高負荷の処理条件に対応できる耐候性を備え、しかも、優れた低反射特牲、優れた遮光性、及び優れた加工性を有し、且つ、環境負荷の低いブランクス又はブラックマトリックスを提供する。
【解決手段】
透明基板の表面上に直接若しくは間接に付着させて形成した遮光膜又は遮光膜と反射防止膜から成るブランクス又はブラックマトリックスにおいて、遮光膜は、遮光膜の金属成分をＮｉとＭｏとＴｉを主成分とし、Ｔｉの含有量が１０〜２５原子％である薄膜でを構成される。 （もっと読む）

【課題】
抵抗特性及び透過率特性を損なうことなくエッチング加工性に優れた積層型透明電極膜の製造方法及び積層型透明電極形成用の積層体を提供する。
【解決手段】
本発明による積層型透明電極膜の製造方法は、基板上に第１透明電極膜を形成するステップと、第１透明電極膜の上に酸化銀系薄膜を形成するステップと、酸化銀系薄膜上に第２透明電極膜を形成するステップと、第１透明電極膜、酸化銀系薄膜、第２透明電極膜の積層を加熱して低抵抗化及び透明化するステップとを含み、第１透明電極膜と第２透明電極膜の少なくとも何れかが還元作用を有する。 （もっと読む）

【課題】
６％を越える高透過率（９〜１５％）をもち、且つハーフトーン膜部のサイドエッチングを抑制できしかも石英面を平滑な水平面にすることができるハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造法を提供する。
【解決手段】
本発明によるハーフトーン型位相シフトマスクは、石英ガラス基板上に、位相差が１３５°以下となるような膜厚をもつＭｏＳｉ系のハーフトーン位相シフト膜を設け、磁気中性線放電プラズマによるドライエッチングで石英ガラス基板を垂直性よく且つ面内均一性よく掘り込んで構成される。また、本発明によるハーフトーン型位相シフトマスクの製造法は、石英ガラス基板上に、反応性スパッタリング法によりＭｏＳｉ系のハーフトーン位相シフト膜を位相差が１３５°以下となるような膜厚に成膜し、続いてクロム膜をマスクとして、磁気中性線放電プラズマによるドライエッチングによりプロセスガスに側壁保護効果をもつガスを添加して、石英ガラス基板をエッチング処理することから成る。 （もっと読む）

【課題】反射率を損なうことなく、低抵抗で、より高い耐熱性及び密着性を有するＡｇ合金膜パターンを得ることができるスパッタリングターゲット、Ａｇ合金膜及びその製造方法の提供。
【解決手段】スパッタ成膜による第一及び第二薄膜形成工程と、第一及び第二薄膜の同時エッチング工程とを有し、第二薄膜が第一薄膜に比べて反射率が高く、低抵抗になる条件で製造する。第一薄膜は、Ａｇに０．１〜４．０ｗｔ％のＡｕ、０．５〜１０．０ｗｔ％のＳｎ及び１．５〜１５．０ｗｔ％のＣｕを添加してなるＡｇ合金ターゲットを用いてスパッタ成膜され、第二薄膜は、ＡｇにＣｕ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｎｄ、Ｂｉ、Ｓｍから選ばれた少なくとも１種を添加してなるＡｇ合金ターゲットを用いてスパッタ成膜される。 （もっと読む）

【課題】隆起部分の剥離のための剥離液やリンス液の使用効率を改善し、また、所望の隆起部分の剥離が可能なレジスト塗布装置を提供する。
【解決手段】基板１上に形成されたレジスト塗膜２の隆起部分２ａと摺動する搬送ローラ１５ａと、摺動後にベルト１４に付着した剥離付着物の溶離を行うと共に次の摺動用のレジスト処理液１６を補充するための処理液槽１３とを巡回して走行する周回構造の可動ベルト１４を設置する。可動ベルト１４の周回搬送を開始し、処理液１６の付着した可動ベルト１４が搬送ローラ１５ａ部分で隆起部分２ａと摺動すると、ベルト擦過による機械的作用と、処理液１６による化学的作用とが同時に機能し、隆起部分２ａの剥離が進行する。塗布直後のレジスト塗膜２の隆起部分２ａを剥離する作業を、レジスト塗布工程中に組み入れることにより、隆起部分２ａを効率的に剥離する作業が可能となる。なお、可動ベルト１４と基板１とを基板周縁の周方向に沿って相対移動可能とすることにより、基板周縁の周方向全周で隆起部分２ａを剥離することが可能となる。 （もっと読む）