【課題】 変周式ＡＴＳ（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｔｒａｉｎ Ｓｔｏｐｐｅｒ）装置は、増幅器に車上子を接続した正帰還ループで常時発振回路を構成したもので、地上子との電磁結合により常時発振周波数が地上子共振周波数に変周することで信号を検出している。他の地上子周波数を検出するには、車上子を含めた増幅器の位相、ゲイン特性の調整及び外乱ノイズの弁別を配置した調整が必要である。
【解決手段】 本発明は、信号源をＤＤＳ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｚｅｒ）回路とし、複数の地上子周波数からなる最小構成単位のスロット信号を並べて時系列に変化させたフレーム信号を繰り返し送出し、受信側で直交検波することでノイズ耐性を向上しオフセット回路で調整を不要とした地上子検出装置であり、直交検波によるＩＱ成分からスペクトルを計算して多数回判定する方法で信頼性が向上する判定方法である。 （もっと読む）

【課題】声の響きを定量的に評価する。
【解決手段】声の響きの評価装置は、入力音声データからスペクトルピークに関する情報を音声特徴パラメータとして抽出するパラメータ抽出部１０２と、このスペクトルピークに関する情報を基に声の響きを評価するマッチング部１０４とを有する。 （もっと読む）

【課題】発声者に固有の声の揺らぎを定量的に評価する。
【解決手段】声の揺らぎの評価装置は、入力音声データからピッチとピッチの変化量との関係を表すピッチ分布を音声特徴パラメータとして抽出するパラメータ抽出部１０２と、ピッチ分布と予め登録された比較対象となるリファレンスデータとの類似度を算出するマッチング部１０４とを有する。 （もっと読む）

【課題】 そこでこの発明は、ユーザ側の端末で入手できるビットストリームの解析結果に基づいて、精度良く通信ネットワークを介して配信される映像の品質を評価できる、映像品質測定装置を提供する。
【解決手段】 受信した映像データのビットストリームを部分デコードする部分デコード処理部１０１と、部分デコードによって得られた各フレームのエラーコンディション値を算出し、前記エラーコンディション値から推定評価値を算出する映像品質測定処理部１０２とを備える。 （もっと読む）

【課題】声の掠れや息づかい、摩擦音や破裂音の発声を定量的に評価する。
【解決手段】音声評価装置は、入力音声データからゼロクロス数を音声特徴パラメータとして抽出するパラメータ抽出部１０２と、ゼロクロス数と予め登録された比較対象となるリファレンスデータとの類似度を算出するマッチング部１０４とを有する。 （もっと読む）

【課題】多彩な音声特徴パラメータを定量的に抽出して声色の類似度を評価する。
【解決手段】声色類似度評価装置は、入力音声データから声の響き、声の強弱、声のかすれ具合や息づかい、及び声の高低を評価する複数の音声特徴パラメータを抽出するパラメータ抽出部１０２と、音声特徴パラメータと予め登録された比較対象となるリファレンスデータとの類似度を音声特徴パラメータ毎に算出するマッチング部１０４と、音声特徴パラメータ毎の類似度を複合して最終的な類似度を算出する判定部１０５とを有する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、動脈の血流の脈派を検出して、高精度に血圧を測定する血圧測定器および血圧判定方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明に係る血圧測定器は、被検体を圧迫するカフと、前記カフの内部に気体を送出する気体送出手段と、前記カフの内部の圧力を検出する圧力センサと、前記被検体の血流に関する値を測定する血流センサと、前記気体送出手段が気体を送出している状態で前記血流センサからの出力波形に対応する前記圧力センサの検出値に基づいて血圧を判定する血圧判定回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 企業や官公庁における電話回線を経由した不正な着信を遅滞無く検知する侵入呼検知システムを提供する。
【解決手段】 プローブ装置２００ａは公衆網ＮＷ１を経由した端末５００ａ〜端末５００ｃへの着信を傍受すると、当該着信に関する情報である呼情報を得てＩＰ網ＮＷ２を介して当該呼情報を侵入呼検知システムサーバ１００へ送信する。侵入呼検知システムサーバ１００のプローブソフト１１０はプローブ装置２００ａからデータを受信して記憶領域に書き込む。侵入呼検知システムサーバ１００のサーバプログラム１２０は先ほどプローブソフト１１０が書き込んだデータを記憶領域から読み出し、記憶領域中のデータベースに書き込み、当該データベースをアクセスして不正な着信の有無をチェックし、不正な着信が検知された場合にのみ、侵入呼検知システムサーバ１００の管理者にこれを報知する。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体薄膜積層ウエハのInP薄膜のエピタキシャル結晶成長させる方法。
【解決手段】化合物半導体薄膜積層ウエハのエピタキシャル結晶成長における中間反応を抑制する原料供給工程と、熱分解工程、化学反応工程により、高い電子移動度のInP薄膜を結晶成長させる。 （もっと読む）

【課題】pタイプ化合物半導体薄膜の結晶成長させる方法。
【解決手段】PNヘテロ接合を含む化合物半導体薄膜積層ウエハの結晶成長における有機金属材料の鎖体反応を制御する混合工程と、加熱工程により高濃度のpタイプ化合物半導体薄膜の結晶成長させる。 （もっと読む）