【課題】光活性エネルギー線照射で強酸を発生するオニウムボレート塩を提供する。
【解決手段】式（１）で表されるオニウムボレート塩。


[式（１）中、ＡはVIA族〜VIIA族の原子価mの原子、mは１又は２の整数、ｎは０〜３の整数。Ｒは炭素数６〜３０のアリール基、炭素数４〜３０の複素環基、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数２〜３０のアルケニル基又は炭素数２〜３０のアルキニル基を表し、Ｄは下記一般式（２）で表される構造、


X⁻はオニウムの対イオンを表し、そのうち少なくとも１個はボレートアニオンである] （もっと読む）

【課題】ｉ線に高光感応性のスルホニウム塩の提供。
【解決手段】式（１）で示されるスルホニウム塩。


〔Ｒ^１〜Ｒ^６は、互いに独立して、アルキル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールチオカルボニル基、アシロキシ基、アリールチオ基、アルキルチオ基、アリール基、複素環式炭化水素基、アリールオキシ基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、ヒドロキシ（ポリ）アルキレンオキシ基、置換されていてよいアミノ基、シアノ基、ニトロ基又はハロゲン原子を表し、ｍ^１〜ｍ^６、はそれぞれＲ^１〜Ｒ^６の個数を表し、ｍ^１、ｍ^４及びｍ^６は０〜５の整数、ｍ^２、ｍ^３及びｍ^５は０〜４の整数、Ｘ⁻は一価の多原子アニオン〕 （もっと読む）

【課題】ｉ線に光感応性が高く重合性化合物への相溶性と配合後の貯蔵安定性に優れたスルホニウム塩を含む酸発生剤の提供。
【解決手段】下記一般式（１）で示されるスルホニウム塩。


〔式（１）中，Ｒ^１〜Ｒ^４は，互いに独立して，アルキル基，等を表し，Ｒａ，Ｒｂ及びＲｃは互いに独立して，置換されていてもよいフェニル基または置換されていてもよいアルキル基を表し，ｍ^１〜ｍ^４，はそれぞれＲ^１〜Ｒ^４の個数を表し，ｍ^１，ｍ^２及びｍ^４は０〜４の整数，ｍ^３は０〜５の整数を表す。Ｘ⁻は一価の多原子アニオンを表す。〕 （もっと読む）

【課題】２００〜５００ｎｍの波長の光を感光して効率よく触媒活性の高い塩基を発生させることができる光塩基発生剤の提供。
【解決手段】例えばＮ−（Ｎ’−（（１−（４，５−ジメトキシ−２−ニトロフェニル）エトキシ）カルボニル）アミノプロピル）−Ｎ−メチルアセトアミドあるいはＮ−（Ｎ’−（４，５−ジメトキシ−２−ニトロベンジルオキシカルボニル）アミノプロピル）−６−ヘプタンラクタムの様な特定のジアミン誘導体であって、光照射によりアミジンを発生させる。 （もっと読む）

【課題】ｉ線に光感応性が高く重合性化合物への相溶性と配合後の貯蔵安定性に優れたスルホニウム塩及びこれを含む酸発生剤の提供。
【解決手段】下式(1)で示されるスルホニウム塩、又は下式(1)及び(2)で示される混合スルホニウム塩を含んでなる光酸発生剤。


〔式中，R¹〜R⁶、R’¹〜R’⁹はアルキル基、アルコキシ基等を表し、Ar¹〜Ar⁵はフェニル基，ナフチル基、フェニレン基又はナフチレン基を表し、m¹〜m⁶、n¹〜n⁹は基の個数を表し、Ｘ^-は一価の多原子アニオンを表す。〕 （もっと読む）

【課題】ｉ線に光感応性が高く重合性化合物への相溶性と配合後の貯蔵安定性に優れたスルホニウム塩を含む酸発生剤の提供。
【解決手段】下記（１）及び（２）を含んでなる光酸発生剤。


〔Ｒ^１〜Ｒ^９はアルキル、ヒドロキシル、アルコキシル、アルキルカルボニル、アリールカルボニル、アルコキシカルボニル、アリールオキシカルボニル、アリールチオカルボニル、アシロキシ、アリールチオ、アルキルチオ、アリール、複素環式炭化水素基、アリールオキシ、アルキルスルフィニル、アリールスルフィニル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、ヒドロキシ（ポリ）アルキレンオキシ、置換されていてよいアミノ、シアノ、ニトロ又はハロゲン、ｍ^１〜ｍ^９はそれぞれＲ^１〜Ｒ^９の個数、Ｘ⁻は一価の多原子アニオン。〕 （もっと読む）

【課題】貯蔵安定性が良好でｉ線に高感度な化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物の提供
【解決手段】下記(A-1)及び(A-2)を含む光酸発生剤と，酸の作用により対アルカリ溶解性が増大する樹脂成分（Ｂ）とを含む化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物。


〔X^-は一価の多原子アニオンを表す。〕 （もっと読む）

【課題】ｉ線に高光感応性でカチオン重合性化合物に高相溶性のスルホニウム塩の提供。
【解決手段】式(1)


〔R¹R⁶はアルキル，-OH，アルコキシ，アルキルカルボニル,アリールカルボニル，アルコキシカルボニル，アリールオキシカルボニル，アリールチオカルボニル，アシロキシ，アリールチオ，アルキルチオ，アリール，複素環式炭化水素，アリールオキシ，アルキルスルフィニル，アリールスルフィニル，アルキルスルホニル，アリールスルホニル，ヒドロキシ(ポリ)アルキレンオキシ，アミノ，-CN，-NO₂又はハロゲン，Xは(Rf)_bPF_6-b^-,R⁷_cBY_4-c,R⁷_cGaY_4-c^-,(R⁸SO₂)₃C（Yはハロゲン，Rfはフッ置換アルキル，R⁷は置換フェニル，R⁸はC1-20アルキル，C1-20パーフルオロアルキル，C6-20アリール，bは1-5，cは1-4）〕のスルホニウム塩。 （もっと読む）

【課題】貯蔵安定性が良好でｉ線に対し高感度なレジストを与える化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物及びレジストパターンの製法の提供。
【解決手段】化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物であって，光により酸を発生する成分(A)と酸で対アルカリ溶解性が増大する樹脂成分(B)を含有し，(A)が式(A-1):


〔R¹-R⁶は，アルキル，-OH，アルコキシ，アルキルカルボニル，アリールカルボニル，アルコキシカルボニル，アリールオキシカルボニル，アリールチオカルボニル，アシロキシ，アリールチオ，アルキルチオ，アリール，複素環式炭化水素，アリールオキシ，アルキルスルフィニル，アリールスルフィニル，アルキルスルホニル，アリールスルホニル，ヒドロキシ(ポリ)アルキレンオキシ，アミノ，シアノ，ニトロ，ハロゲン，m¹，m⁴，m⁶は0-5，m²，m³，m⁵は0-4〕のスルホニウム塩である組成物。 （もっと読む）

【課題】貯蔵安定性が良好でｉ線に対し高感度なレジストを与えるフォトレジスト組成物及びレジストパターンの製造方法の提供。
【解決手段】光により酸を発生する成分(A)，それにより対アルカリ溶解性が増大する樹脂成分(B)を含有し，成分(A)が式：


〔m¹,m⁴,m⁶は0-5,m²,m³,m⁵は0-4,X^-は一価の多原子アニオン〕のスルホニウム塩を含むものである，化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物。 （もっと読む）