スルホニウム塩，光酸発生剤，硬化性組成物及びポジ型フォトレジスト組成物
【課題】ｉ線に光感応性が高く重合性化合物への相溶性と配合後の貯蔵安定性に優れたスルホニウム塩及びこれを含む酸発生剤の提供。
【解決手段】下式(1)で示されるスルホニウム塩、又は下式(1)及び(2)で示される混合スルホニウム塩を含んでなる光酸発生剤。
〔式中，R1〜R6、R’1〜R’9はアルキル基、アルコキシ基等を表し、Ar1〜Ar5はフェニル基，ナフチル基、フェニレン基又はナフチレン基を表し、m1〜m6、n1〜n9は基の個数を表し、Ｘ-は一価の多原子アニオンを表す。〕
【解決手段】下式(1)で示されるスルホニウム塩、又は下式(1)及び(2)で示される混合スルホニウム塩を含んでなる光酸発生剤。
〔式中，R1〜R6、R’1〜R’9はアルキル基、アルコキシ基等を表し、Ar1〜Ar5はフェニル基，ナフチル基、フェニレン基又はナフチレン基を表し、m1〜m6、n1〜n9は基の個数を表し、Ｘ-は一価の多原子アニオンを表す。〕
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１），
【化１】
〔式（１）中，Ｒ1〜Ｒ6は，互いに独立して，アルキル基，ヒドロキシル基，アルコキシ基，アルキルカルボニル基，アリールカルボニル基，アルコキシカルボニル基，アリールオキシカルボニル基，アリールチオカルボニル基，アシロキシ基，アリールチオ基，アルキルチオ基，アリール基，複素環式炭化水素基，アリールオキシ基，アルキルスルフィニル基，アリールスルフィニル基，アルキルスルホニル基，アリールスルホニル基，ヒドロキシ（ポリ）アルキレンオキシ基，置換されていてよいアミノ基，シアノ基，ニトロ基又はハロゲン原子を表し，Ａｒ1，Ａｒ2は互いに独立して，フェニル基またはナフチル基を表し，ｍ1〜ｍ6，はそれぞれＲ1〜Ｒ6の個数を表し，ｍ1，ｍ4及びｍ6は０〜５の整数，ｍ2，ｍ3及びｍ5は０〜４の整数を表す。Ｘ-は一価の多原子アニオンを表す（ただし，ＭＹ6-は除き，ここにＭは，リン，ホウ素及びアンチモン原子を表し，Ｙはハロゲン原子を表す）。〕で示されるスルホニウム塩。
【請求項２】
Ｒ1〜Ｒ6について，該アルキル基が，炭素数１〜１８の直鎖アルキル基，炭素数３〜１８の分枝鎖アルキル基，又は炭素数３〜１８のシクロアルキル基であり，該アルコキシ基が，炭素数１〜１８の直鎖アルコキシ基，又は炭素数３〜１８の分枝鎖アルコキシ基であり，該アルキルカルボニル基が，炭素数２〜１８の直鎖アルキルカルボニル基，又は炭素数４〜１８の分枝鎖アルキルカルボニル基であり，該アリールカルボニル基が，炭素数７〜１１のアリールカルボニル基であり，該アルコキシカルボニル基が，炭素数２〜１９の直鎖アルコキシカルボニル基，又は炭素数４〜１９分枝鎖アルコキシカルボニル基であり，該アリールオキシカルボニル基が，炭素数７〜１１のアリールオキシカルボニル基であり，該アリールチオカルボニル基が，素数７〜１１のアリールチオカルボニル基であり，該アシロキシ基基が，炭素数２〜１９の直鎖アシロキシ基又は炭素数４〜１９の分枝鎖アシロキシ基であり，該アリールチオ基が，炭素数６〜２０のアリールチオ基であり，該アルキルチオ基が，炭素数１〜１８の直鎖アルキルチオ基又は炭素数３〜１８の分枝鎖アルキルチオ基であり，該アリール基が，炭素数６〜１０のアリール基であり，該複素環式炭化水素基が，炭素数４〜２０の複素環式炭化水素基であり，該アリールオキシ基が，炭素数６〜１０のアリールオキシ基であり，該アルキルスルフィニル基が，炭素数１〜１８の直鎖アルキルスルフィニル基又は炭素数３〜１８の分枝鎖スルフィニル基であり，該アリールスルフィニル基が，炭素数６〜１０のアリールスルフィニル基であり，該アルキルスルホニル基が，炭素数１〜１８の直鎖アルキルスルホニル基又は炭素数３〜１８の分枝鎖アルキルスルホニル基，該アリールスルホニル基が，炭素数６〜１０のアリールスルホニル基，該ヒドロキシ（ポリ）アルキレンオキシ基が，式（３）
【化２】
〔ＡＯはエチレンオキシ基及び／又はプロピレンオキシ基，ｑは１〜５の整数を表す。〕で示されるヒドロキシ（ポリ）アルキレンオキシ基であり，該置換されていてよいアミノ基が，アミノ基（−ＮＨ2）及び炭素数１〜１５の置換アミノ基であり，該ハロゲン原子が，フッ素原子，塩素原子，臭素原子又はヨウ素原子である，請求項１に記載のスルホニウム塩。
【請求項３】
Ｒ1〜Ｒ6が，メチル基，メトキシ基またはアセチル基よりなる群から選ばれる１種であることを特徴とする，請求項１又は２に記載のスルホニウム塩。
【請求項４】
Ｒ3及びＲ4がメチル基またはメトキシ基であり，ｍ3及びｍ4が１であり，ｍ1，ｍ2，ｍ5及びｍ6が０である，請求項１ないし３の何れかに記載のスルホニウム塩。
【請求項５】
ｍ1〜ｍ6が何れも０である，請求項１ないし４の何れかに記載のスルホニウム塩。
【請求項６】
Ａｒ1，Ａｒ2が何れもフェニル基である，請求項１ないし５の何れかに記載のスルホニウム塩。
【請求項７】
式（１）のＸ-が，（Ｒｆ）bＰＦ6-b-，Ｒ10cＢＹ4-c-，Ｒ10cＧａＹ4-c-，Ｒ11ＳＯ3-，（Ｒ11ＳＯ2）3Ｃ-又は（Ｒ11ＳＯ2）2Ｎ-で表されるアニオン〔ここに，Ｐはリン原子，Ｆはフッ素原子，Ｒｆは水素原子の８０モル％以上がフッ素原子で置換されたアルキル基，Ｒ10は，少なくとも１個の水素原子がハロゲン原子，トリフルオロメチル基，ニトロ基又はシアノ基で置換されたフェニル基，Ｂはホウ素原子，Ｙはハロゲン原子，Ｇａはガリウム原子，Ｒ11は，炭素数１〜２０のアルキル基，炭素数１〜２０のパーフルオロアルキル基又は炭素数６〜２０のアリール基，ｂは１〜５の整数，ｃは１〜４の整数を表す。〕である，請求項１ないし６の何れかに記載のスルホニウム塩。
【請求項８】
請求項１ないし７の何れかのスルホニウム塩と下記式（２），
【化３】
〔式（２）中，Ｒ’1〜Ｒ’9は，互いに独立して，アルキル基，ヒドロキシル基，アルコキシ基，アルキルカルボニル基，アリールカルボニル基，アルコキシカルボニル基，アリールオキシカルボニル基，アリールチオカルボニル基，アシロキシ基，アリールチオ基，アルキルチオ基，アリール基，複素環式炭化水素基，アリールオキシ基，アルキルスルフィニル基，アリールスルフィニル基，アルキルスルホニル基，アリールスルホニル基，ヒドロキシ（ポリ）アルキレンオキシ基，置換されていてよいアミノ基，シアノ基，ニトロ基又はハロゲン原子を表し，Ａｒ3及びＡｒ5は互いに独立して，フェニル基またはナフチル基を表し，Ａｒ4はフェニレン基またはナフチレン基を表し，ｎ1〜ｎ9，はそれぞれＲ’1〜Ｒ’9の個数を表し，ｎ4，ｎ6，ｎ7及びｎ9は０〜５の整数，ｎ1，ｎ2，ｎ3，ｎ5及びｎ8は０〜４の整数を表し，Ｘ-は一価の多原子アニオンを表す。〕で示されるスルホニウム塩とを含んでなる，混合スルホニウム塩。
【請求項９】
Ｒ’1〜Ｒ’9について，該アルキル基が，炭素数１〜１８の直鎖アルキル基，炭素数３〜１８の分枝鎖アルキル基，又は炭素数３〜１８のシクロアルキル基であり，該アルコキシ基が，炭素数１〜１８の直鎖アルコキシ基，又は炭素数３〜１８の分枝鎖アルコキシ基であり，該アルキルカルボニル基が，炭素数２〜１８の直鎖アルキルカルボニル基，又は炭素巣４〜１８の分枝鎖アルキルカルボニル基であり，該アリールカルボニル基が，炭素数７〜１１のアリールカルボニル基であり，該アルコキシカルボニル基が，炭素数２〜１９の直鎖アルコキシカルボニル基又は炭素数４〜１９の分枝鎖アルコキシカルボニル基であり，該アリールオキシカルボニル基が，炭素数７〜１１のアリールオキシカルボニル基であり，該アリールチオカルボニル基，炭素数７〜１１のアリールチオカルボニル基であり，該アシロキシ基が，炭素数２〜１９の直鎖アシロキシ基又は炭素数４〜１９の分枝鎖アシロキシ基であり，該アリールチオ基が，炭素数６〜２０のアリールチオ基であり，該アルキルチオ基が，炭素数１〜１８の直鎖アルキルチオ基又は炭素数３〜１８の分枝鎖アルキルチオ基であり，該アリール基が，炭素数６〜１０のアリール基であり，該複素環式炭化水素基が，炭素数４〜２０の複素環式炭化水素基であり，該アリールオキシ基が，炭素数６〜１０のアリールオキシ基であり，アルキルスルフィニル基が，炭素数１〜１８の直鎖アルキルスルフィニル基又は炭素数３〜１８の分枝鎖アルキルスルフィニル基であり，該アリールスルフィニル基が，炭素数６〜１０のアリールスルフィニル基であり，該アルキルスルホニル基が，炭素数１〜１８の直鎖アルキルスルホニル基又は炭素数３〜１８の分枝鎖アルキルスルホニル基であり，該アリールスルホニル基が，炭素数６〜１０のアリールスルホニル基であり，該ヒドロキシ（ポリ）アルキレンオキシ基が，式（４）
【化４】
〔ＡＯは，エチレンオキシ基及び／又はプロピレンオキシ基，ｑ’は，１〜５の整数を表す。〕で示されるヒドロキシ（ポリ）アルキレンオキシ基であり，該置換されていてよいアミノ基が，アミノ基（−ＮＨ2）及び炭素数１〜１５の，飽和炭化水素基又は芳香族基を含んでよい炭化水素基置換基で置換された置換アミノ基であり，該ハロゲン原子が，フッ素原子，塩素原子，臭素原子又はヨウ素原子である，請求項８に記載の混合スルホニウム塩。
【請求項１０】
Ｒ’1〜Ｒ’9が，互いに独立して，メチル基，メトキシ基またはアセチル基よりなる群から選ばれる１種を表すものである，請求項８又は９に記載の混合スルホニウム塩。
【請求項１１】
Ｒ’3，Ｒ’4及びＲ’7がメチル基またはメトキシ基であり，ｎ3，ｎ4及びｎ7が１であり，ｎ1，ｎ2，ｎ5，ｎ6，ｎ8及びｎ9が０である，請求項８ないし１０の何れかに記載の混合スルホニウム塩。
【請求項１２】
ｎ1〜ｎ9が何れも０である，請求項８ないし１１の何れかに記載の混合スルホニウム塩。
【請求項１３】
式（２）のＸ-が，ＭＹa-，（Ｒｆ）bＰＦ6-b-，Ｒ10cＢＹ4-c-，Ｒ10cＧａＹ4-c-，Ｒ11ＳＯ3-，（Ｒ11ＳＯ2）3Ｃ-又は（Ｒ11ＳＯ2）2Ｎ-で表されるアニオン〔ここに，Ｍはリン原子，ホウ素原子，又はアンチモン原子，Ｙはハロゲン原子，Ｐはリン原子，Ｆはフッ素原子，Ｒｆは水素原子の８０モル％以上がフッ素原子で置換されたアルキル基，Ｒ10は，少なくとも１個の水素原子がハロゲン原子，トリフルオロメチル基，ニトロ基又はシアノ基で置換されたフェニル基，Ｂはホウ素原子，Ｙはハロゲン原子，Ｇａはガリウム原子，Ｒ11は，炭素数１〜２０のアルキル基，炭素数１〜２０のパーフルオロアルキル基又は炭素数６〜２０のアリール基，ａは４〜６の整数，ｂは１〜５の整数，ｃは１〜４の整数を表す。〕である，請求項８ないし１２の何れかに記載の混合スルホニウム塩。
【請求項１４】
式（１）及び式（２）のＸ-が，（ＣＦ3ＣＦ2）3ＰＦ3-，（Ｃ6Ｆ5）4Ｂ-，（（ＣＦ3）2Ｃ6Ｈ3）4Ｂ-，（Ｃ6Ｆ5）4Ｇａ-，（（ＣＦ3）2Ｃ6Ｈ3）4Ｇａ-，（ＣＦ3ＳＯ2）3Ｃ-，トリフルオロメタンスルホン酸アニオン，ノナフルオロブタンスルホン酸アニオン，ベンゼンスルホン酸アニオン，ｐ−トルエンスルホン酸アニオン，及び（ＣＦ3ＳＯ2）2Ｎ-より選ばれるアニオンである，請求項１ないし１３の何れかに記載の混合スルホニウム塩。
【請求項１５】
請求項１ないし１４の何れかに記載のスルホニウム塩を含有することを特徴とする光酸発生剤。
【請求項１６】
請求項１５に記載の光酸発生剤とカチオン重合性化合物とを含有することを特徴とするエネルギー線硬化性組成物。
【請求項１７】
請求項１６に記載のエネルギー線硬化性組成物を硬化させて得られることを特徴とする硬化体。
【請求項１８】
請求項１５に記載の光酸発生剤と，酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂である成分（Ｂ）とを含有することを特徴とする，化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物。
【請求項１９】
前記成分（Ｂ）が，ノボラック樹脂（Ｂ１），ポリヒドロキシスチレン樹脂（Ｂ２），及びアクリル樹脂（Ｂ３）からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂を含むものであることを特徴とする，請求項１８に記載の化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物。
【請求項２０】
アルカリ可溶性樹脂（Ｃ）及び酸拡散制御剤（Ｄ）を更に含有することを特徴とする，請求項１８又は１９に記載の化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物。
【請求項２１】
支持体上に請求項１８ないし２０の何れかに記載の化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物からなる膜厚５〜１５０μｍのフォトレジスト層を積層してフォトレジスト積層体を得る積層工程と，該フォトレジスト積層体に部位選択的に光又は放射線を照射する露光工程と，該露光工程後にフォトレジスト積層体を現像してレジストパターンを得る現像工程と，を含むことを特徴とするレジストパターンの作製方法。
【請求項１】
式（１），
【化１】
〔式（１）中，Ｒ1〜Ｒ6は，互いに独立して，アルキル基，ヒドロキシル基，アルコキシ基，アルキルカルボニル基，アリールカルボニル基，アルコキシカルボニル基，アリールオキシカルボニル基，アリールチオカルボニル基，アシロキシ基，アリールチオ基，アルキルチオ基，アリール基，複素環式炭化水素基，アリールオキシ基，アルキルスルフィニル基，アリールスルフィニル基，アルキルスルホニル基，アリールスルホニル基，ヒドロキシ（ポリ）アルキレンオキシ基，置換されていてよいアミノ基，シアノ基，ニトロ基又はハロゲン原子を表し，Ａｒ1，Ａｒ2は互いに独立して，フェニル基またはナフチル基を表し，ｍ1〜ｍ6，はそれぞれＲ1〜Ｒ6の個数を表し，ｍ1，ｍ4及びｍ6は０〜５の整数，ｍ2，ｍ3及びｍ5は０〜４の整数を表す。Ｘ-は一価の多原子アニオンを表す（ただし，ＭＹ6-は除き，ここにＭは，リン，ホウ素及びアンチモン原子を表し，Ｙはハロゲン原子を表す）。〕で示されるスルホニウム塩。
【請求項２】
Ｒ1〜Ｒ6について，該アルキル基が，炭素数１〜１８の直鎖アルキル基，炭素数３〜１８の分枝鎖アルキル基，又は炭素数３〜１８のシクロアルキル基であり，該アルコキシ基が，炭素数１〜１８の直鎖アルコキシ基，又は炭素数３〜１８の分枝鎖アルコキシ基であり，該アルキルカルボニル基が，炭素数２〜１８の直鎖アルキルカルボニル基，又は炭素数４〜１８の分枝鎖アルキルカルボニル基であり，該アリールカルボニル基が，炭素数７〜１１のアリールカルボニル基であり，該アルコキシカルボニル基が，炭素数２〜１９の直鎖アルコキシカルボニル基，又は炭素数４〜１９分枝鎖アルコキシカルボニル基であり，該アリールオキシカルボニル基が，炭素数７〜１１のアリールオキシカルボニル基であり，該アリールチオカルボニル基が，素数７〜１１のアリールチオカルボニル基であり，該アシロキシ基基が，炭素数２〜１９の直鎖アシロキシ基又は炭素数４〜１９の分枝鎖アシロキシ基であり，該アリールチオ基が，炭素数６〜２０のアリールチオ基であり，該アルキルチオ基が，炭素数１〜１８の直鎖アルキルチオ基又は炭素数３〜１８の分枝鎖アルキルチオ基であり，該アリール基が，炭素数６〜１０のアリール基であり，該複素環式炭化水素基が，炭素数４〜２０の複素環式炭化水素基であり，該アリールオキシ基が，炭素数６〜１０のアリールオキシ基であり，該アルキルスルフィニル基が，炭素数１〜１８の直鎖アルキルスルフィニル基又は炭素数３〜１８の分枝鎖スルフィニル基であり，該アリールスルフィニル基が，炭素数６〜１０のアリールスルフィニル基であり，該アルキルスルホニル基が，炭素数１〜１８の直鎖アルキルスルホニル基又は炭素数３〜１８の分枝鎖アルキルスルホニル基，該アリールスルホニル基が，炭素数６〜１０のアリールスルホニル基，該ヒドロキシ（ポリ）アルキレンオキシ基が，式（３）
【化２】
〔ＡＯはエチレンオキシ基及び／又はプロピレンオキシ基，ｑは１〜５の整数を表す。〕で示されるヒドロキシ（ポリ）アルキレンオキシ基であり，該置換されていてよいアミノ基が，アミノ基（−ＮＨ2）及び炭素数１〜１５の置換アミノ基であり，該ハロゲン原子が，フッ素原子，塩素原子，臭素原子又はヨウ素原子である，請求項１に記載のスルホニウム塩。
【請求項３】
Ｒ1〜Ｒ6が，メチル基，メトキシ基またはアセチル基よりなる群から選ばれる１種であることを特徴とする，請求項１又は２に記載のスルホニウム塩。
【請求項４】
Ｒ3及びＲ4がメチル基またはメトキシ基であり，ｍ3及びｍ4が１であり，ｍ1，ｍ2，ｍ5及びｍ6が０である，請求項１ないし３の何れかに記載のスルホニウム塩。
【請求項５】
ｍ1〜ｍ6が何れも０である，請求項１ないし４の何れかに記載のスルホニウム塩。
【請求項６】
Ａｒ1，Ａｒ2が何れもフェニル基である，請求項１ないし５の何れかに記載のスルホニウム塩。
【請求項７】
式（１）のＸ-が，（Ｒｆ）bＰＦ6-b-，Ｒ10cＢＹ4-c-，Ｒ10cＧａＹ4-c-，Ｒ11ＳＯ3-，（Ｒ11ＳＯ2）3Ｃ-又は（Ｒ11ＳＯ2）2Ｎ-で表されるアニオン〔ここに，Ｐはリン原子，Ｆはフッ素原子，Ｒｆは水素原子の８０モル％以上がフッ素原子で置換されたアルキル基，Ｒ10は，少なくとも１個の水素原子がハロゲン原子，トリフルオロメチル基，ニトロ基又はシアノ基で置換されたフェニル基，Ｂはホウ素原子，Ｙはハロゲン原子，Ｇａはガリウム原子，Ｒ11は，炭素数１〜２０のアルキル基，炭素数１〜２０のパーフルオロアルキル基又は炭素数６〜２０のアリール基，ｂは１〜５の整数，ｃは１〜４の整数を表す。〕である，請求項１ないし６の何れかに記載のスルホニウム塩。
【請求項８】
請求項１ないし７の何れかのスルホニウム塩と下記式（２），
【化３】
〔式（２）中，Ｒ’1〜Ｒ’9は，互いに独立して，アルキル基，ヒドロキシル基，アルコキシ基，アルキルカルボニル基，アリールカルボニル基，アルコキシカルボニル基，アリールオキシカルボニル基，アリールチオカルボニル基，アシロキシ基，アリールチオ基，アルキルチオ基，アリール基，複素環式炭化水素基，アリールオキシ基，アルキルスルフィニル基，アリールスルフィニル基，アルキルスルホニル基，アリールスルホニル基，ヒドロキシ（ポリ）アルキレンオキシ基，置換されていてよいアミノ基，シアノ基，ニトロ基又はハロゲン原子を表し，Ａｒ3及びＡｒ5は互いに独立して，フェニル基またはナフチル基を表し，Ａｒ4はフェニレン基またはナフチレン基を表し，ｎ1〜ｎ9，はそれぞれＲ’1〜Ｒ’9の個数を表し，ｎ4，ｎ6，ｎ7及びｎ9は０〜５の整数，ｎ1，ｎ2，ｎ3，ｎ5及びｎ8は０〜４の整数を表し，Ｘ-は一価の多原子アニオンを表す。〕で示されるスルホニウム塩とを含んでなる，混合スルホニウム塩。
【請求項９】
Ｒ’1〜Ｒ’9について，該アルキル基が，炭素数１〜１８の直鎖アルキル基，炭素数３〜１８の分枝鎖アルキル基，又は炭素数３〜１８のシクロアルキル基であり，該アルコキシ基が，炭素数１〜１８の直鎖アルコキシ基，又は炭素数３〜１８の分枝鎖アルコキシ基であり，該アルキルカルボニル基が，炭素数２〜１８の直鎖アルキルカルボニル基，又は炭素巣４〜１８の分枝鎖アルキルカルボニル基であり，該アリールカルボニル基が，炭素数７〜１１のアリールカルボニル基であり，該アルコキシカルボニル基が，炭素数２〜１９の直鎖アルコキシカルボニル基又は炭素数４〜１９の分枝鎖アルコキシカルボニル基であり，該アリールオキシカルボニル基が，炭素数７〜１１のアリールオキシカルボニル基であり，該アリールチオカルボニル基，炭素数７〜１１のアリールチオカルボニル基であり，該アシロキシ基が，炭素数２〜１９の直鎖アシロキシ基又は炭素数４〜１９の分枝鎖アシロキシ基であり，該アリールチオ基が，炭素数６〜２０のアリールチオ基であり，該アルキルチオ基が，炭素数１〜１８の直鎖アルキルチオ基又は炭素数３〜１８の分枝鎖アルキルチオ基であり，該アリール基が，炭素数６〜１０のアリール基であり，該複素環式炭化水素基が，炭素数４〜２０の複素環式炭化水素基であり，該アリールオキシ基が，炭素数６〜１０のアリールオキシ基であり，アルキルスルフィニル基が，炭素数１〜１８の直鎖アルキルスルフィニル基又は炭素数３〜１８の分枝鎖アルキルスルフィニル基であり，該アリールスルフィニル基が，炭素数６〜１０のアリールスルフィニル基であり，該アルキルスルホニル基が，炭素数１〜１８の直鎖アルキルスルホニル基又は炭素数３〜１８の分枝鎖アルキルスルホニル基であり，該アリールスルホニル基が，炭素数６〜１０のアリールスルホニル基であり，該ヒドロキシ（ポリ）アルキレンオキシ基が，式（４）
【化４】
〔ＡＯは，エチレンオキシ基及び／又はプロピレンオキシ基，ｑ’は，１〜５の整数を表す。〕で示されるヒドロキシ（ポリ）アルキレンオキシ基であり，該置換されていてよいアミノ基が，アミノ基（−ＮＨ2）及び炭素数１〜１５の，飽和炭化水素基又は芳香族基を含んでよい炭化水素基置換基で置換された置換アミノ基であり，該ハロゲン原子が，フッ素原子，塩素原子，臭素原子又はヨウ素原子である，請求項８に記載の混合スルホニウム塩。
【請求項１０】
Ｒ’1〜Ｒ’9が，互いに独立して，メチル基，メトキシ基またはアセチル基よりなる群から選ばれる１種を表すものである，請求項８又は９に記載の混合スルホニウム塩。
【請求項１１】
Ｒ’3，Ｒ’4及びＲ’7がメチル基またはメトキシ基であり，ｎ3，ｎ4及びｎ7が１であり，ｎ1，ｎ2，ｎ5，ｎ6，ｎ8及びｎ9が０である，請求項８ないし１０の何れかに記載の混合スルホニウム塩。
【請求項１２】
ｎ1〜ｎ9が何れも０である，請求項８ないし１１の何れかに記載の混合スルホニウム塩。
【請求項１３】
式（２）のＸ-が，ＭＹa-，（Ｒｆ）bＰＦ6-b-，Ｒ10cＢＹ4-c-，Ｒ10cＧａＹ4-c-，Ｒ11ＳＯ3-，（Ｒ11ＳＯ2）3Ｃ-又は（Ｒ11ＳＯ2）2Ｎ-で表されるアニオン〔ここに，Ｍはリン原子，ホウ素原子，又はアンチモン原子，Ｙはハロゲン原子，Ｐはリン原子，Ｆはフッ素原子，Ｒｆは水素原子の８０モル％以上がフッ素原子で置換されたアルキル基，Ｒ10は，少なくとも１個の水素原子がハロゲン原子，トリフルオロメチル基，ニトロ基又はシアノ基で置換されたフェニル基，Ｂはホウ素原子，Ｙはハロゲン原子，Ｇａはガリウム原子，Ｒ11は，炭素数１〜２０のアルキル基，炭素数１〜２０のパーフルオロアルキル基又は炭素数６〜２０のアリール基，ａは４〜６の整数，ｂは１〜５の整数，ｃは１〜４の整数を表す。〕である，請求項８ないし１２の何れかに記載の混合スルホニウム塩。
【請求項１４】
式（１）及び式（２）のＸ-が，（ＣＦ3ＣＦ2）3ＰＦ3-，（Ｃ6Ｆ5）4Ｂ-，（（ＣＦ3）2Ｃ6Ｈ3）4Ｂ-，（Ｃ6Ｆ5）4Ｇａ-，（（ＣＦ3）2Ｃ6Ｈ3）4Ｇａ-，（ＣＦ3ＳＯ2）3Ｃ-，トリフルオロメタンスルホン酸アニオン，ノナフルオロブタンスルホン酸アニオン，ベンゼンスルホン酸アニオン，ｐ−トルエンスルホン酸アニオン，及び（ＣＦ3ＳＯ2）2Ｎ-より選ばれるアニオンである，請求項１ないし１３の何れかに記載の混合スルホニウム塩。
【請求項１５】
請求項１ないし１４の何れかに記載のスルホニウム塩を含有することを特徴とする光酸発生剤。
【請求項１６】
請求項１５に記載の光酸発生剤とカチオン重合性化合物とを含有することを特徴とするエネルギー線硬化性組成物。
【請求項１７】
請求項１６に記載のエネルギー線硬化性組成物を硬化させて得られることを特徴とする硬化体。
【請求項１８】
請求項１５に記載の光酸発生剤と，酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂である成分（Ｂ）とを含有することを特徴とする，化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物。
【請求項１９】
前記成分（Ｂ）が，ノボラック樹脂（Ｂ１），ポリヒドロキシスチレン樹脂（Ｂ２），及びアクリル樹脂（Ｂ３）からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂を含むものであることを特徴とする，請求項１８に記載の化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物。
【請求項２０】
アルカリ可溶性樹脂（Ｃ）及び酸拡散制御剤（Ｄ）を更に含有することを特徴とする，請求項１８又は１９に記載の化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物。
【請求項２１】
支持体上に請求項１８ないし２０の何れかに記載の化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物からなる膜厚５〜１５０μｍのフォトレジスト層を積層してフォトレジスト積層体を得る積層工程と，該フォトレジスト積層体に部位選択的に光又は放射線を照射する露光工程と，該露光工程後にフォトレジスト積層体を現像してレジストパターンを得る現像工程と，を含むことを特徴とするレジストパターンの作製方法。
【公開番号】特開２０１１−１０２２６９（Ｐ２０１１−１０２２６９Ａ）
【公開日】平成２３年５月２６日（２０１１．５．２６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２５７９３０（Ｐ２００９−２５７９３０）
【出願日】平成２１年１１月１１日（２００９．１１．１１）
【出願人】（０００１０６１３９）サンアプロ株式会社 (32)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年５月２６日（２０１１．５．２６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１１月１１日（２００９．１１．１１）
【出願人】（０００１０６１３９）サンアプロ株式会社 (32)
【Ｆターム（参考）】
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