【課題】専有面積が小さく、高集積化、大記憶容量化が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】書き込み用トランジスタと読み出し用トランジスタで、共通のビット線を使用することで、単位メモリセル当たりの配線数を削減する。情報の書き込みは、書き込み用トランジスタをオン状態とすることにより、書き込み用トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と、読み出し用トランジスタのゲート電極が電気的に接続されたノードにビット線の電位を供給し、その後、書き込み用トランジスタをオフ状態とすることにより、ノードに所定量の電荷を保持させる。情報の読み出しは、読み出し用トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と接続された読み出し信号線に、所定の読み出し用の電位を供給し、その後、ビット線の電位を検知することで行う。 （もっと読む）

【課題】発光素子へ微少な電流を供給する低階調表示を行う場合、駆動用トランジスタのゲート・ソース間電圧が小さいため、そのしきい値電圧のバラツキが顕著となってしまう。
【解決手段】低階調表示であっても、駆動用トランジスタのしきい値電圧のバラツキの影響が低減された半導体装置であって、低階調表示で高階調表示よりも駆動用トランジスタのゲート・ソース間電圧を高くする。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板の製造コストを削減する。または、ＳＯＩ基板の歩留まりを向上させる。
【解決手段】単結晶半導体基板にイオンを照射して、前記単結晶半導体基板中に脆化領域を形成する工程と、絶縁膜を介して前記単結晶半導体基板とベース基板とを貼り合わせる工程と、前記脆化領域において前記単結晶半導体基板と前記ベース基板とを分離して、前記ベース基板上に前記絶縁膜を介して半導体層を形成する工程とを有することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法である。そして、前記脆化領域を形成する工程において、前記イオンとして質量分離されていないイオン種を用いるとともに、前記イオンを照射する際の前記単結晶半導体基板の温度を２５０℃以上に設定する。 （もっと読む）

【課題】動画と静止画を表示可能な液晶表示装置において、反射画素部での光の散乱等によるコントラストの低下を抑制し、低消費電力化を図る。
【解決手段】複数の透過画素部と、反射画素部と、を有する画素が複数設けられる半透過型の液晶表示装置の駆動方法において、動画表示期間において、複数の透過画素部にカラー表示をするための画像信号、反射画素部に黒表示をするための信号を供給し、静止画像表示期間において、複数の透過画素部及び反射画素部に白黒の階調とする画像信号を供給する構成とする。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板の作製方法において、再生処理におけるボンド基板の熱処理回数を減らす。
【解決手段】ボンド基板となる半導体ウエハには、その表面に絶縁層を形成し、加速されたイオンの照射によりその内部に脆化領域を形成する。そして、ガラス基板、半導体ウエハなどのベース基板とこの半導体ウエハを貼り合わせる。そして、加熱処理をして半導体ウエハを脆化領域で分割し、絶縁層を介してベース基板上に半導体層が設けられているＳＯＩ基板を作製する。このＳＯＩ基板を作製する前に、半導体ウエハにアルゴンガス雰囲気などの非酸化性雰囲気下、または酸素ガスと窒素ガスの混合ガス雰囲気下で１１００℃以上の熱処理を行う。この熱処理を行うことで、半導体ウエハの再生処理に１１００℃以上の高温の熱処理を毎回行う必要がなくなる。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧が低く、また従来の発光素子よりもさらに長寿命化できる照明装置を提
供する。
【解決手段】第１の電極と第２の電極との間に、発光性の物質を含む層、及び混合層を有
し、前記混合層は、酸化物半導体または金属酸化物と、１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔
移動度を有する物質とを含む。または、第１の電極と第２の電極との間に、発光性の物質
を含む層、及び混合層を有し、前記混合層は、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ル
テニウム酸化物、タングステン酸化物、または三酸化モリブデンと、１０^−６ｃｍ^２／Ｖ
ｓ以上の正孔移動度を有する物質とを含む。 （もっと読む）

【課題】複数の発光素子と、カラーフィルターとを有する発光装置において、光取り出し効率を高くする。
【解決手段】赤色を呈する第１のカラーフィルターと、緑色を呈する第２のカラーフィルターと、青色を呈する第３のカラーフィルターと、第１のカラーフィルターに対応して設けられた、赤色を呈する第１の発光素子と、第２のカラーフィルターに対応して設けられた、緑色を呈する第２の発光素子と、第３のカラーフィルターに対応して設けられた、青色を呈する第３の発光素子とを有し、第１の発光素子乃至第３の発光素子の膜厚が、第１のカラーフィルター乃至第３のカラーフィルターごとに異なっている。 （もっと読む）

【課題】発光時間の蓄積に伴った駆動電圧の増加の少ない発光素子、及び、膜厚の増加に伴った抵抗値の増加の少ない発光素子を提供する。
【解決手段】対向するように設けられた第１の電極３０１と第２の電極３０２との間に、第１の層３１１と、第２の層３１２と、第３の層３１３とを有する発光素子を提供する。第１の層は第２の層よりも第１の電極側に設けられ、第３の層は第２の層よりも第２の電極側に設けられている。第１の層は芳香族アミン化合物と、その化合物に対して電子受容性を示す物質とを含む層である。
また、第２の層は正孔よりも電子の輸送性が高い物質と、その物質に対して電子供与性を示す物質とを含む層である。 （もっと読む）

【課題】両側から発光を取り出す発光装置を用いた表示装置において、正立像および外部
の像を同時に見ることができる発光装置と、表面からも裏面からも同時に正立像を見るこ
とができる発光装置、及び表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】両側から発光を取り出す発光装置において、一方の発光を半透過反射膜を備
えた支持体で反射させることで、発光装置のもう一方の表示と同一の表示を反転すること
なく支持体上に映し出すことができ、同時に支持体を通じて外部の情報を得ることができ
る。 （もっと読む）

【課題】素子が破壊されるほど高い電圧が印加された場合であっても、素子の破壊を抑制する。
【解決手段】第１の電圧が入力されることにより動作を行う半導体装置であって、第１の電圧の絶対値が基準値より大きいとき、第１の電圧の値を変化させる保護回路を具備し、保護回路は、第１の電圧に応じて第２の電圧を生成し、生成した第２の電圧を出力する制御信号生成回路と、電圧制御回路と、を備え、電圧制御回路は、ソース、ドレイン、及びゲートを有し、ゲートに制御信号として第２の電圧が入力され、第２の電圧に応じてオン状態又はオフ状態になることにより、第１の電圧の値をソース及びドレインの間に流れる電流量に応じて変化させるか否かを制御するトランジスタを含み、トランジスタは、チャネル形成層としての機能を有する酸化物半導体層をさらに有し、酸化物半導体層のバンドギャップは、２ｅＶ以上である。 （もっと読む）