【課題】現状では、製造プロセスにスピンコート法を用いる成膜方法が多く用いられている。今後、さらに基板が大型化すると、スピンコート法を用いる成膜方法では、大型の基板を回転させる機構が大規模となる点、材料液のロスおよび廃液量が多い点で大量生産
上、不利と考えられる。
【解決手段】本発明は、半導体装置の製造プロセスにおいて、液滴吐出法で感光性の導電膜材料液を選択的に吐出し、レーザー光などで選択的に露光した後、現像することによって微細な配線パターンを実現する。本発明は、導体パターンを形成するプロセスにおいて、パターニング工程が短縮でき、材料の使用量の削減も図れるため大幅なコストダウン
が実現でき、大面積基板にも対応できる。 （もっと読む）

【課題】正確な表示を行う表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】オフ電流の低い酸化物半導体を有するトランジスタを用いて、回路を構成する。回路として、画素回路の他に、プリチャージ回路または検査回路を形成する。酸化物半導体を用いているため、オフ電流が低く、そのため、プリチャージ回路や検査回路において、信号や電圧が漏れて、表示に不具合を起こすという可能性が低い。その結果、正確な表示を行う表示装置を提供することが出来る。 （もっと読む）

【課題】発光装置において、光を射出する側にはＩＴＯなど透光性材料を用いると、抵抗値が高くなってしまう。
【解決手段】透光性を有する陽極を有する発光装置において、陽極の抵抗値を下げるため、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）または銀（Ａｇ）を有する導電膜を設ける。導電膜は発光領域を区分けするバンクとして機能する絶縁膜に接して設けられる。絶縁膜と導電膜は出射側からみたとき、同じ形状を有している。 （もっと読む）

【課題】高い電気的特性、または、高い信頼性を有する半導体装置、若しくはその作製方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極と重なる酸化物半導体層と、酸化物半導体層と接するソース電極及びドレイン電極と、ゲート電極と酸化物半導体層との間に設けられたゲート絶縁層と、を有し、酸化物半導体層は、対向ターゲット方式を用いたスパッタリング法により成膜され、且つ酸化物半導体層に含まれるキャリア濃度が、１×１０^１２／ｃｍ^３未満である半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】液晶による光の散乱光を利用して表示を行う液晶表示装置において、使用者の目に優しい紙面に近い表示が実現できることを課題の一とする。より視認性の良好で高画質な液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】高分子分散型液晶（ＰＤＬＣ）又は高分子ネットワーク型液晶（ＰＮＬＣ）を液晶層に用いて、液晶による光の散乱光を利用して白表示（明表示）を行う。画素電極層が形成される画素領域に凹凸の構造体を設け、凸表面には可視光の光を反射する画素電極層（反射層）を設け、凹部には黒色層を設ける。白表示は液晶による光の散乱光を利用して行い、黒表示は、電界により透光性となった液晶層を介して凹部に設けられた黒色層による行う。 （もっと読む）

【課題】容量が大きい負極活物質層を得ること、及び、作製工程及び作製コストが抑制された蓄電装置を得ること課題とする。
【解決手段】非晶質珪素の結晶化を促進する触媒元素を含む集電体の表面に負極活物質として結晶性珪素膜が設けられ、前記結晶性珪素膜に前記触媒元素が含まれており、前記触媒元素は前記結晶性珪素膜の深さ方向の分布において該表層部に近いほど低濃度になっている負極を有する蓄電装置、及び、非晶質珪素の結晶化を促進する触媒元素を含む集電体上に、非晶質珪素膜を形成し、前記集電体及び非晶質珪素膜を加熱することにより、前記非晶質珪素膜を結晶化して結晶性珪素膜を形成する蓄電装置の作製方法に関する。 （もっと読む）

【課題】導体半導体接合を用いた電界効果トランジスタのオフ電流を低減せしめる構造を提供する。
【解決手段】半導体層１に、半導体層１の電子親和力と同程度かそれ以下の仕事関数の材料よりなる第１の導体電極３ａ、第２の導体電極３ｂを接して設け、さらに、半導体層１のゲートの形成された面と逆の面に接して、半導体層１の電子親和力より大きな仕事関数の材料で、半導体層を横切るようにして、第３の導体電極２を形成することにより、半導体層中にショットキーバリヤ型の接合を形成し、この部分のキャリア濃度が極めて低いことから、オフ電流を低減できる。 （もっと読む）

【課題】ＥＬ画素や信号線などの負荷に電流を供給するトランジスタにおいて、バラツキの影響を受けずに正確な電流を供給できる半導体装置を提供する。
【解決手段】増幅回路を使ったフィードバック回路を用いて、電流源回路から電流Ｉｄａｔａをトランジスタに入力して、トランジスタが電流Ｉｄａｔａを流すのに必要なゲート・ソース間電圧（ソース電位）を設定する構成とすることにより、フィードバック回路で、トランジスタのドレイン電位が所定の電位になるように動作するように制御し、電流Ｉｄａｔａを流すのに必要なゲート電圧が設定されたトランジスタを用いて正確な電流を負荷（ＥＬ画素や信号線）に供給し、さらにドレイン電位を制御してキンク効果の影響を低減する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタと、酸化物半導体以外の半導体材料を用いたトランジスタとを積層して、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】第１のトランジスタと、第１のトランジスタ上に絶縁層と、絶縁層上に第２のトランジスタと、を有し、第１のトランジスタは、第１のチャネル形成領域を含み、第２のトランジスタは、第２のチャネル形成領域を含み、第１のチャネル形成領域は、第２のチャネル形成領域と異なる半導体材料を含んで構成され、絶縁層は、二乗平均平方根粗さが１ｎｍ以下の表面を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】Ａ／Ｄ変換回路の構成を簡略にする。
【解決手段】入力された第１の信号を、第２の信号に変換するＡ／Ｄ変換回路を有し、Ａ／Ｄ変換回路は、第１の信号の電圧と、逐次的に値が変化する基準となる電圧と、を比較する比較回路と、比較回路の比較結果に応じて、逐次的に値が変化するデジタル値であるデジタル信号を第４の信号として出力し、且つ第３の信号に応じて、第１の信号の電圧値に対応するデジタル値のデジタル信号を第２の信号として出力するＡ／Ｄ変換制御回路と、入力された第４の信号をアナログ信号に変換し、変換したアナログ信号を第５の信号として出力するＤ／Ａ変換回路と、を有し、比較回路は、ソース、ドレイン、第１のゲート、及び第２のゲートを有し、第１のゲートに第１の信号が入力され、第２のゲートに第５の信号が入力され、ソース及びドレインの一方の電圧が第３の信号の電圧となるトランジスタを有する。 （もっと読む）